TW201117422A - Light emitting diode device - Google Patents

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201117422 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於垂直型發光二極體(LED，Light Emitting Di〇de> 裝置，特別是關於具有設置於外側之金屬電極之高亮度發光二極 體裝置。 ~ 【先别技術】 目前，發光二極體因生產成本低廉、生產困難度不高、尺寸 小、耗電量少且效率高，所以被廣泛使用於曰常生活中，例如手 機、電子看板、手電筒、及交通訊號燈等。儘管如此，吾人仍持 續不斷地致力於提升發光二極體的發光效率與亮度。 、 近年來’已開發出以氣化物、構化物為材料的高亮唐挤杏一 極體，其不僅可發出紅、藍、綠光，且可用以產生各色光與"白光。 目前’業界正積極開發用於照明領域之發光二極體，早期的做法 係採組合多顆發光二極體以形成陣列，藉此獲得高輸出功率，但 包含發光二極體陣列之LED裝置在製程上比單一高功率發光二1虽 體裝置更複雜，因此成本較高且較不易具有穩定之可靠度。 一種增加LED的功率及發光量的方法是增加其大小及發光表 =積。惟習用的LED通常因半導體材料層的導電性較差，而使電 流無法有效且均勻地從接點分散到整個活化層，LED内部會發生 部分區域電流密度過高之情況，因而影響整體亮度；甚至^導致 活化層附近過早劣化’大幅地降低使用壽命。 圖1A為習知小尺寸垂直型發光二極體裝置1〇〇之結構上視 圖j 1B為圖1A中之發光二極體裝置1〇〇之結構剖面圖，而圖 為客广大尺寸垂直型發光二極體裝置2〇〇之結構上視圖。參照圖 ，習知小尺寸發光二極體裝置1〇〇的結構典型上包含：第一電 基底層⑽，形成於第—電極撕上；鏡面反射層脳， 電基底層⑽上；第—電性半導體層1G4，形成於鏡面反 =9 106上，活化層103(或稱發光層），形成於第一電性半導體層 4上；第二電性半導體層102，形成於活化層1〇3上；第二金^ 201117422 電極1(Π ’形成於第二電性半導體層102上。如圖1A所示，在小 尺寸垂直型發光二極體裝置1〇〇中，第二金屬電極1〇1位於第二 .· 電性半導體層102之中心，且由於尺寸小，電流分散效果佳，故 不需要設置額外的金屬導線。 ^由於習知大尺寸垂直型發光二極體裝置的電流無法均勻散佈 係景>響發光二極體裝置之發光效率的主因，因此考慮增加半導體 材料層之厚度，以便增加導電性。對於如圖1A，1B所示之小尺寸 LED (約0.25mm2以下）而言，此種方式確實有助於提高亮度盥 電流分散效能；但增加半導體材料層之厚度，除了會增加生產^ 本以外，更常因應力等問題，而使得半導體材料層之厚度無法因 擊配合大尺寸發光二極體裝置的電流分散效能需求而無限制地增 加。因此，若對於如圖2所示之大尺寸者而言，僅藉由增加半導 體材料層之厚度並無法得到令人滿意的效果，因為當LED裝置之 尺寸增加時，更不易均勻地將電流由n型接點或p型接點經由半 ,導體材料層散佈出去。由此可知’ LED之尺寸大幅地受限於半導 體材料層之電流分散特徵。 ' ★ 一如圖2所示，在習知大尺寸垂直型發光二極體裝置200中， 第二金屬電極焊墊區21〇係位於第二電性半導體層2〇2之中心， 通常利用放射狀金屬電極201以提高電流分散特性，但一般發光 # 一極體裝置之輪廓大多為正方形或矩形，如此不僅難以將各放射 狀金屬線以能夠達到最佳電流分散效果之方式配置於發光層上， 亦難以確保相鄰放射狀金屬線之間具有相同間距；而且其金屬電 極兩侧都屬於高光照側，易於吸收光而造成亮度下降。如圖3A及 3B所不，另一習知大尺寸垂直型發光二極體裝置200A與200B， 其金屬電極兩側都屬於高光照側，同樣易於吸收光而造成亮度下 降二，此，習知LED裝置仍普遍存在下列亟需改進的問題：例如 電流密度不綱勻、光摘取效率不高、亮度無法滿足需求、效率 無法滿足需求、使用壽命不夠長等等。 【發明内容】 201117422 有鑒於上述問題，本發明提供一種改良式垂直 裝置更高之輸出亮度及效率並一且= 在不而要增加額外成本之情況下，充分滿足現代人對於 ^的需求，其令亦未涉及複雜的製程技術，可謂十分具有經ϋ 本發明係藉由提供具有改良電流分散與減少金屬電極吸 性之LED裝置而解決上述問題並達成上述目的。 本發明之一態樣為一種垂直型發光二極體（LED)裝置，其 ^有設置於外側的金屬電極，該LED裳置包括：第—電^ ;導^ ς底層，形成於該第一電極上；鏡面反射層，形成於該導電基底 θ上電性半導體層，形成於該鏡面反射層上；活化層，形 =該第:電性半導體層上；第二電性半導體層，形成於^活化 i _，、第"Ϊ金屬電極，形成於該第二電性半導體層上，並且位在 苐二電性半導_之外側，且第二金屬電極的兩側分別為高光照 則與低光照側，其中低光照側係位於鏡面反射層的寬度範圍外。 利用本發明之外移的金屬電極，可最佳化垂直型發光二極體 裝置的電流分散效能與減少金屬電極吸光，進而提高亮度、提高 效率、節省能源、增長使用壽命。 【實施方式】 以下敘述本發明之較佳實施例，其包含根據本發明之垂直型 EE)裝置的不同實施例，其中半導體層之電流分散特性與金屬電 極吸光特性已經過改良，而能展現優於習用LED裝置之亮 率及使用壽命。 ^圖4顯示根據本發明之一實施例之大尺寸垂直型GaN (氮化 鎵)發光二極體裝置300的上視圖。圖5同時顯示圖4之發光二 極體裝置300的上視圖及剖面圖。圖6顯示圖4之發光二極體裝 置300的立體圖。在本實施例中’ η-型(第二)電性半導體層302的 &寸為1 mm2。本發明之大尺寸垂直型發光二極體裝置3〇〇包括： 弟—電極309、形成於第一電極309上之導電基底層308、形成於 201117422 導電基底層308上之鏡面反射層306、形成於鏡面反射層306上之 P-型(第一)電性半導體層3〇4、形成於p-型(第一)電性半導體層304 上之活化層303 (亦稱為「發光層」）、形成於活化層303上之η- 型(第二)電性半導體層302、以及形成於η-型(第二)電性半導體層 302上之第二金屬電極3〇1，其中第二金屬電極3〇1設置於η_型電 性半導體層302之外側，且第二金屬電極301的兩側分別為高光 照侧301’與低光照侧3〇1 ”，其中低光照側3〇1 ”係位於鏡面反射層 306 ^寬度範圍W外，即，低光照側3〇1 ”並不被鏡面反射層3〇6 所涵蓋’中央設置三道金屬電極線與第二金屬電極3〇1相連接。 應注意：中央設置的金屬電極線之數目可配合整體LED裝置之外 形輪廓及尺寸或依需求而定。其中，第二電性半導體層之表面的 局部面積可被加以圖案化，以提高光摘取效率。此外，LED裝置 300更包含金屬焊墊區31〇 (如圖4及圖6所示），其係作為士性 連接之用。值得注意的是，圖式中用於電性連接之金/屬焊墊區31〇 僅為=示性質，本發明不限於此處所列之狀況。金屬焊墊區31〇 的數里可依實際需求而增減。又，發光二極體裝置_ ^透明層(未顯示）’其係設置在第二電性半導 電極301之間。 乐一备赝 Γ HΓίΐ示依據本發明之另—實施例之大尺寸垂直型GaN 化叙）&光一極體農置侧的上視圖及剖 南光照側之第二電性半導體層3〇2的表面進行: 摘取效率；而圖8則同時顯示本發明之另—實 型發光一極體裝置術的上視圖及剖面圖，、垂 ===*行粗，以進-步增加1 二利用.式/乾式讎 圖9同時顯示依據本發明之另— 二極體裳置500的上視圖及剖面圖寸垂直型發光 保護層3! i，其可用來保護鏡面反射層裝置500更包含 因氧化而降低亮度。保護層311之材料係選自於&=0層^ 201117422

Ta、Rh、Au、V、WTi、TaN、Si02、SiNx、Al2〇3、AIN、ITO 以 及Ni_Co所組成之族群中的至少一者。保護層311可使用下列至 少其中一者而形成：PVD、CVD、蒸鍍、濺鍍、電鍍、無電電鑛、 塗佈、印刷或其結合。雖然圖9所示之第二電性半導體層302的 表面僅在高光照側被粗糙化，但吾人可視實際需要而將整個第二 電性半導體層302的表面予以粗輪化。 圖10同時顯示依據本發明之另一實施例之大尺寸垂直型發光 一極體裝置600的上視圖及剖面圖。於發光二極體裝置6〇〇中， 在鏡面反射層314與第一電性半導體層304之間設置光學透明層 312 ’以形成全方位反射層(omni_directi〇nai ref|ect〇r)。鏡面反射層 3胃14可採用高反射率金屬層、或布拉格反射層(DBR)，以提高外部 量子效率’其製造方法則可採用如PVD、CVD、蒸鍍、濺鍍、電 鑛、無電電鍍、塗佈、印刷或其結合等等的習知方法。在本發明 之實施例中，鏡面反射層可具有單層或多層結構。又，鏡面反射 層之材料可為選自於如下其中之一的金屬：Ag/Ni、Ni/Ag/Ni/Au、 Ag/Ni/Au、Ag/Ti/Ni/Au、A卜 Ti/Al、Ni/A卜 Au、其兩者以上之組 3 或其合金中含有 Ag、Au、Ni、Cr、Pt、Pd、Rh、Cu、W、In、 Pd、Zn、Ge、Bi、AlSi或A1等金屬亦可。布拉格反射層之材料 可為例如：Si〇2、Ti〇2、MgO、八丨2〇3、ITO、ZnO、SiNx 或其兩 者以上之組合；全方位反射層之材料可為例如：Si〇2、Ti〇2、Mg〇、 A12〇3、ITO、ZnO、SiNx或其兩者以上之組合。導電基底層可為 或矽、GaP、SiC、GaN、AIN、GaAs、InP、AlGaAs ' ZnSe ，半導體材料或其兩者以上之組合，同理可用例如pVD、CVD、 ，，、賤錢、電鍍、無電電鍍、塗佈、印刷、晶片黏著或其結合 等習知方法加以形成；其厚度可視需要而自1〇至1〇〇〇微米。雖 ^圖10所示之第二電性半導體I 302的表面僅在高光照側被粗糙 化’但吾人可視需要而將整個第二電性半導體層302的表面予以 粗輪化β 表j顯示根據本發明之一實施例之大尺寸（1 _2)垂直型氮 化物（氮化鎵）藍光發光二極體裝置300與四種習知設計A、B、 201117422 峨二極 表1，晶粒尺寸=1.0mm2 金屬電極雜 於350mA的輸出功率(mW) 輸出光功率比

圖11顯示根據本發明之另一實施例之大尺寸（06mm2)垂 直型GaN (氮化鎵）發光二極體裝置700的上視圖；而圖12則同 時顯示圖11之發光二極體裝置700的上視圖及剖面圖。發光二極 體裝置700包含：第二金屬電極70卜第二電性半導體層7〇2、活 化層(發光層)7〇3、第一電性半導體層704、鏡面反射層7〇6、導電 基底層708、以及第一電極709 ;其中第二電性半導體層702之尺 寸為0.6 mm2,而每一第二金屬電極701設置於第二電性半導體層 201117422 7〇2之外側’且第一金屬電極7〇1的兩側分別為高光照側縦與低 光照側701，，’其中低光照側7〇1，，係位於鏡面反射層7〇6的寬度範 圍W外’即’低光照側7〇Γ並不被鏡面反射層7〇6所涵蓋。此外， 在本Λ %例中，設置了一個電性連接用之金屬焊墊區710。 友圖^同時顯示根據本發明之一實施例之小尺寸垂直型GaN (氮化鎵）發光二極體裝置8〇〇的上視圖及剖面圖。發光二極體 裝置800包含：第二金屬電極8(n、第二電性半導體層8〇2、活化 層(發光層)803、第一電性半導體層8〇4、鏡面反射層8〇6、導電基 底層808、以及第一電極。在本實施例中，第二型電性半導體 層802的尺寸為〇.lmm2。本發明之小尺寸垂直型發光二極體裝置 800包括：第一電極809、形成於第一電極8〇9上之導電基底層 808、形成於導電基底層8〇8上之鏡面反射層8〇6、形成於鏡面反 射層806上之第一電性半導體層8〇4、形成於第一電性半導體層 804上之活化層8〇3 (亦稱為「發光層」）、形成於活化層803上之 第二電性半導體層8〇2、及形成於第二電性半導體層802上之第二 金屬電極801，其中第二金屬電極8〇1設置於第二電性半導體層 802之外侧，且第二金屬電極8〇ι的兩側分別為高光照側8〇1，與低 ^照側801” ’其中低光照側8〇1”係設置於鏡面反射層8〇6的寬度 範圍W外’即’低光照侧8〇1 ”並不被鏡面反射層8〇6所涵蓋。 *較佳的情況為，第一電性半導體層(3〇4、7〇4、及8〇4)為p型， 而第二電性半導體層(3〇2、702、及802)為η型。η型半導體層具 有較佳之導電率，可使用較少數目之金屬電極，以便減少遮光及 增加亮度。再者，較佳的掺雜位準範圍為lxl〇i5cm-3至lxl022cm·3, 較佳之半導體層厚度為0.3μιη 至ΙΟΟμπι。在一實施例中，吾人可 用習知方法’如金屬有機化學氣相沉積法(M0CVD，metal-organic chemical vapor deposition)、氣相磊晶法(VPE，vapor phase epitaxy)、或分子束蟲晶法(MgE，moiecular beam epitaxy)等等之方 式，而形成第一電性半導體層、第二電性半導體層、以及活化層， 此部分為熟悉此項技藝者所熟知，在此不加贅述。該活化層之材 質係可選自於由含氮化鋁鎵((AlxGai x)yIni-yN;0$xS 1;〇SyS丨)材 201117422

料雙異質與量子井結構所組成之一族群，或選自於由含墙化鋁鎵 姻((AlxGa^Ii^p^sd^yg)材料雙異質與量子井結構所 組^之一族群，或由含砷化鋁鎵(AlxGa^AsiOgxgl)材料雙異質 與量子井結構所組成之一族群。第二金屬電極(3〇1、7〇1、以及8〇1) 與第一電極(309、709、以及809)可用習知方法加以形成，例如 PVp、CVD、蒸鏟、濺鏡、電鍍、無電電鍍、塗佈、印刷或其結 合等方法。舉例而言，第二金屬電極可為包含下列其中之一的'單 層或多層結構：Cr/Au、Cr/Ab Cr/Pt/Au、QTNi/Au、Cf/Al/Pt/Au、 Cr/Al/Ni/Au、Ab Ti/A卜 Ti/Au、Ti/Al/Pt/Au、Ti/Al/Ni/Au、 Ti/Al/Pt/Au、WTi、Al/Pt/Au、Al/Pt/Al、Al/Ni/Au、Al/Ni/Al、 Al/W/Ah A_Au、Al/TaN/A卜 Al/TaN/Au、Al/Mo/Au，亦可使 用其兩者以上所組成之合金或其他適當的導電材料。 第一金屬電極之線寬可為1微米至5〇微米，較佳則為3微米 至30微米。較寬的金屬電極線雖能更有效的分散電流，但卻會阻 止或吸收更多從η型層發射出的光，有一解決方法為設置電流阻 塞(currentblocking)結構，其係用以避免由η型層發射出的光受到 金屬電極線阻擋或吸收。若使用較寬的金屬電極線，須對應地增 加電流阻塞結構的尺寸，如此將使得活化層的發光面積減^^ 而減少穿透活化層之光線量。第二金屬電極線之間距可為5〇微米

至600微米，間距適當則電流分散性越佳’但較疏之金屬電極線、 反而，不利地減少接觸面積的區域，影響操作電壓。較佳的情況 為丄第二金屬電極之金屬總面積佔第二電性半導體層面積的^分 之二十五町；以及鏡面反射層與第—雜半導闕接觸的 佔第一電性半導體層面積的百分之七十五以上。至於第二金屬電 極線之厚度則可為〇.1至50微米，較佳之厚度則為丨微米至1〇 微^。較厚者其串聯電阻較低’但不免會耗費更長的製造時間及 更尚的成本。 值得注意的是，上述關於第二金屬電極之材質僅為舉 非用以限定本發明。 圖 14A-14F、圖 15A-15F、圖 16A-16F、圖 17A-17F、圖 201117422 勝18F、以及圖腸视分别顯示根據本發明之其他實施例之大 尺1垂直型發光—極體裝置的上視圖，其中晶粒尺寸為大於 mm ;圖20A-20D分别顯示根據本發明之其他實施例之垂直 光二極體裝置的上視®，其中晶粒尺寸為小於G3mm2;以及圖^ 21A-21I分腦祿據本發明之其他實施狀長方體晶粒垂直型 發光一極體裝置的上視圖。圖22A-22B顯示本發明之大尺寸垂直 型發光一極體裝置(如圖4-12、圖14A-14F、圖15A-15F、圖 16A-16F、圖 17A-17F、圖 18A-18F、以及圖 i9A_19F 所示之發光 二極體裝置)的側視圖；圖23A-23B顯示圖13之小尺寸垂直型發 光二極體的側視圖；以及圖24A-24B顯示圖21A之長方體晶粒垂 直型發光二極體裝置的側視圖。 本發明特徵在於：垂直型發光二極體裝置之金屬電極以設置 於外側的金屬電極之方式設置於半導體層上，透過設置於外側的 金屬電極配置，可最佳化正方體與長方體之垂直型發光二極體裝 置的電流分散效能與減少金屬電極吸光，進而提高亮度、提高效 率、增長使用壽命，展現出比習知技術更優越的效能。 如熟悉此技術者所瞭解的，以上僅為說明本發明之較佳實施 例，並非用以限疋本發明。凡其他未脫離本發明之精神及範圍之 等效改變或修飾，均應包含在所附之申請專利範圍内。 【圖式簡單說明】 在本發明之隨附圖式_，相同的元件以相同的元件符號表示。 圖1A顯示習知小尺寸垂直型發光二極體裝置之上視圖； 圖1B顯示習知小尺寸垂直型發光二極體裝置之剖面圖； 圖2顯示習知大尺寸垂直型發光二極體裝置之上視圖； 圖3A同時顯示習知大尺寸垂直型發光二極體裝置之上視圖 及細部剖面圖’其金屬電極的兩側皆屬於高光照側； 圖3B同時顯示另一習知大尺寸垂直型發光二極體裝置之上 視圖及細部剖面圖，其金屬電極的兩側皆屬於高光照側； 圖4顯示根據本發明之一實施例之大尺寸垂直型發光二極體 201117422 裝置的上視圖，其中晶粒尺寸為 1 mm2 ； 圖5同時顯示圖4之大尺寸垂直型發光二極體裝置的上視圖 及剖面圖； 圖6顯示圖4之大尺寸垂直型發光二極體裝置的立體圖； 圖7同時顯示根據本發明之一實施例之大尺寸垂直型發光二 極體裝置的上視圖及細部剖面圖，其中晶粒尺寸為丨mm2 ; 圖8同時顯示根據本發明之另一實施例之大尺寸垂直型發光 二極體裝置的上視圖及細部剖面圖’其中晶粒尺寸為1 _2 ; 圖9同時顯示根據本發明之另一實施例之大尺寸垂直型發光 二極體裝置的上視圖及細部剖面圖，其中晶粒尺寸為i mm2 ; 鲁 圖丨〇同時顯示根據本發明之另一實施例之大尺寸垂直型發光 二極體裝置的上視圖及細部剖面圖，其中晶粒尺寸為1 ; 圖11顯示根據本發明之另一實施例之大尺寸垂直型發光二極 體裝置的上視圖，其中晶粒尺寸為〇.6mm2 ; 圖12同時顯示圖11之大尺寸垂直型發光二極體裝置的上視 圖及剖面圖； 圖13同時顯示根據本發明之一實施例之小尺寸垂直型發光二 極體裝置的上視圖及剖面圖，其中晶粒尺寸為〇.lmm2 ; 圖 14A-14F、圖 15A-15F、圖 16A_16F、圖 17A-17F、圖 φ 18A_18F、及圖19A_19F分别顯示根據本發明之其他實施例之大尺 寸垂直型發光二極體裝置的上視圖，其中晶粒尺寸為大於〇3 mm2 ； 圖20A-20D分别顯示根據本發明之其他實施例之垂直型發光 二極體裝置的上視圖’其中晶粒尺寸為小於〇 31111112 ; 圖21A-21I分別顯示根據本發明之其他實施例之長方體晶粒 之垂直型發光二極體裝置的上視圖； 圖22A-22B暴員不本發明之大尺寸垂直型發光二極體裝置的側 視圖；ffl 23A-23B顯示圖13之小尺寸垂直型發光二極體的側視 圖；以及 圖24A-24B顯示圖21A之長方體晶粒垂直型發光二極體裝置 201117422 的側視圖。 【主要元件符號說明】 100發光二極體裝置 101第二金屬電極 102第二電性半導體層 103 活化層 104第一電性半導體層 106鏡面反射層 108導電基底層 109第一電極 200發光二極體裝置 200A發光二極體裝置 200B發光二極體裝置 201第二金屬電極 202第二電性半導體層 203 活化層 204第一電性半導體層 206鏡面反射層 210金屬焊墊區 300發光二極體裝置 301第二金屬電極 301'高光照側 30Γ低光照側 302第二電性半導體層 303 活化層 304第一電性半導體層 306鏡面反射層 308導電基底層 309第一電極 201117422 310金屬焊墊區 311 保護層 312 光學透明層 314鏡面反射層 400發光二極體裝置 400'發光二極體裝置 500發光二極體裝置 600發光二極體裝置 700發光二極體裝置 701第二金屬電極 701'高光照側 70 Γ低光照側· 702 第二電性半導體層 703 活化層 704 第一電性半導體層 706鏡面反射層 708 導電基底層 709 第一電極 710金屬焊墊區 800發光二極體裝置 801第二金屬電極 801'高光照側 80Γ 低光照側 802 第二電性半導體層 803 活化層 804 第一電性半導體層 806鏡面反射層 808 導電基底層 809 第一電極 W寬度範圍

Claims (1)

1. 201117422 七、申請專利範圍： 1. 一種發光二極體裝置，包括： 一鏡面反射層； 一第一電性半導體層，形成於該鏡面反射層上； 一活化層，形成於該第一電性半導體層上； 一第一電性半導體層，形成於該活化層上； 一第二金屬電極，形成於該第二電性半導體層上， >其中該第二金屬電極的兩側分別為高光照側與低光照側，而 照嶋錄職面反射層的寬度細外，且該鏡面反射層 …亥第電性半導體層接觸的面積佔該第-電性半導體層面積的 百分之七十五以上。 、 2·如申請專利範圍第1項所述之發光二極體裝置，其中該活 化層之材料係選自於由 AlInGaN、InGaN、AlGaN、GaN、AlOalnP、 AlGaAs所組成之族群中的至少一者。 36. 申請專利範圍第1項所述之發光二極體裝置，其中該鏡 面反于曰之材料係選自於由、Ai、au、处、pt、cu、抑、w、 In ' Pd > Zn ' Ge ^ Bi > AlSi > Ag/Ni > Ni/Ag/Ni/Au ' Ag/Ni/Au ' Ag/Ti/Ni/Au、Ti/A1、N及其合金所組成之族群中的至少一者。 ^如申請專利範圍第1項所述之發光二極體裝置，更包含： 一透明層’設置於該鏡面反射層與該苐-電性半導體層之間。 土 專利·笫1項所述之發光二極體裝置，其中該鏡 二糸使用下列至少其中一者而形成：pVD、CVD、墓鍍、 減鍍、電錄、無電紐、塗佈、印刷或其結合。 Μ -料利範圍第1項所述之發光二極體裝置，其中該第 二電性半導體層為n型氮化鎵半導體。 16 201117422 7. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體裝置，其中該第 二金屬電極之材料係選自於由Cr/Au、Cr/A卜Cr/pt/Au、Cr/Ni/Au、 Cr/Al/Pt/Au、Cr/Al/Ni/Au、A卜 Ti/A卜 Ti/Au、Ti/Al/Pt/Au、 Ti/Al/Ni/Au、Ti/Al/Pt/Au、WTi、Al/Pt/Au、Al/PtMJ、Al/Ni/Au、 Al/Ni/Al' Al/W/Al' Al/W/Au ' Al/TaN/Al' Al/TaN/Au ' Al/Mo/Au 及其合金所組成之族群中的至少一者。 8. 如申請專利範圍第7項所述之發光二極體裝置，其中該第 二金屬電極係使用下列至少其中一者而形成：PVD、CVD、蒸鍍、 # 濺鍍、電鍍、無電電鍍、塗佈、印刷或其結合。 ’、、、又 9·如申請專利範圍第1項所述之發光二極體裝置，其中該第 =金屬電極之金屬總面積佔該第二電性半導體層面積的百分之<二 10·如申凊專利範圍第1項所述之發光二極體裝置， 央設置至少-道金屬電極線’而該金屬電極線與該第二金屬電3 相連接。 一一 11.如申請專利範圍第10項所述之發光二極體裝置， 弟-金屬電極與該金屬電極線之金屬厚度為αι微米至5G微米二 12.如申請專利範圍第！項所述之發光二極體裝置 極1導電透賴，設置於該第二電性半導體層與該第二金屬3電 二電==第局 201117422 14 ^申請專利範圍第丨項所述之發光二極體裝置 . 呆°層，用以保護該鏡面反射層。 保護i5之= 斤述P之發光二極體裝置，其中該 二 m 自於 Nl、W、Mo、Pt、Ta、仙、All、v、WT; TaN ：SA ^ SiNx . λ12〇3 . A1N . IT〇 # Nl,〇 俘传ϋΐ丨=圍第15項所述之發光二極體裝置’其中該 :列少其中一者而形成：pVD、CVD、蒸鍍、滅 鑛、電鐘、”、、電電鍍、塗佈、_或其結合。 _ 八、圖式： 18