201111307 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種利用切克勞斯基法（cz法）進行單晶石夕 拉BB用的一氧化梦玻璃掛瑪，尤其提供一種拉晶結束時容易取 出使用完的坩堝的二氧化矽玻璃坩堝。 【先前技術】 根據CZ法進行單晶矽拉晶時所使用的二氧化矽玻璃坩 堝，隨著單晶的大口徑化而大型化，且長時間處於高溫環境 下，因此要求其具有更高的強度。作為解決方法，例如：專利 文獻1提出了一種藉由在坩堝表面形成結晶促進劑，在拉晶製 程的高溫環境下使掛禍表面結晶以提高掛禍強度的技術方 案。^且，在專利文獻2中記載有在二氧化㈣璃掛禍的外表 面，設置具有軟化溫度比二氧化石夕玻璃更高的穩定層的技術。 _並且’為提高在高溫環境下的耐久性，專利文獻3和4中 揭不了 _具有三層結構的二氧化梦玻璃掛禍。該二氧化 添加有㈣二氧切層，中間層為天然二氧化 矽層：二成一氧化矽層，内層為透明高純度合成二氧化 ㈣W 文獻5中揭示了—種二氧切玻璃掛禍，該 堆：的側壁部及彎曲部為三層結構，由外層、不透明中間層以 及透明内層構成，装Φ，a , 1 ^ u 氧化灿成，所述不透加有結晶化促進劑的二 組成，所述透明内層=二天然原料二氧切玻璃 化石夕玻璃㈣ 然原料一氧化石夕玻璃或合成原料二氧 透明内層構P 々构盾、，·。構，由不透明外層和 璃組成，所述透明内居由 明外層由天然原料二氧化石夕玻 氧化-玻璃組成。氧切玻璃或合成原料二 構了 4 4财部和基座的貼緊性， 201111307 可以穩定地支撐坩禍。 在上述單晶石夕的拉晶中’在基座安裝二氧化石夕玻璃掛禍， 加熱整個坩堝，從而熔化裝填在坩堝内部的多結晶二氧化矽塊 而進行單晶的拉晶。由於接觸熔融二氧化矽的二氧化矽玻璃坩 堝的内表面會發生熔損，所以，進行一次或多次拉晶後，基座 内會留有發生熔損的坩堝。並且，此使用後的坩堝内殘留有熔 融的二氧化矽，由於此坩堝和熔融二氧化矽在冷卻時會發生熱 膨脹率的不同所導致變形，因此坩堝會破損，基座内會殘留破 損的坩堝殘留與二氧化矽塊。從而，此坩堝殘留不能再利用， 從基座取出後將被廢棄。 現有的二氧化矽玻璃坩堝，由於二氧化矽玻璃坩堝貼緊基 座，所以有時很難從基座取出坩堝殘留，而要利用工具將貼緊 的部分敲碎才能取出，但這種操作難以在大型坩堝中進行，有 時也會損壞高價的基座。因此，用戶強烈希望提供一種拉晶結 束後能簡單地取出坩堝殘留的二氧化矽玻璃坩堝。 為解決此問題，在專利文獻6中，藉由形成—結晶化促進 層，以使在高溫環境下進行外表面的結晶化所形成的結晶層的 厚度達到0.5〜2mm，從而拉晶結束後進行冷卻時坩堝側壁部 分只出現輕微的破損，由此，可以輕易取出坩堝。 【專利文獻1】曰本專利申請特開平9_丨丨〇59〇號公報 【專利文獻2】曰本專利申請特表2〇〇4_531449號公報 【專利文獻3】日本專利申請特開2〇〇〇_247778號公報 【專利文獻4】國際公開專利申請第2〇〇4/1〇6247號 【專利文獻5】曰本專利申請特開2〇〇8_81374號公報 【專利文獻6】日本專利申請特開2〇〇6_213556號公報 【發明内容】 201111307 可藉由使用專利文獻！中記載的裝置進行包裹，而在潔淨 狀態下保管經清洗的石英玻璃㈣，尤從而可避免出廠時的亏 染’但此種包裹需要昂貴裝置，且包裹無法再利用，因此防止 掛禍内的污染所費不貲。由此，期望提供—種用於避免石英玻 璃坩堝内的污染的低價方法。 如前所述，在記載於專利文獻6的現有二氧化矽玻璃坩堝 中’由於結晶化促進層料薄，在冷料_，只有表面的結 晶層出現細小的破損，所以容易從基座取出坩堝。然而，因為 結晶層非常薄，所以很難確保如同現有強化坩堝的高強度。如 刖所述，最近隨著單晶的大口徑化趨勢要求坩堝的大型化，且 由於長時間處於高溫環境下，所以要求耐久性高的坩堝。因 此，希望提供一種在高溫環境下強度高，而且容易從基座取出 的二氧化矽玻璃坩堝。 本發明的目的是解決單晶矽拉晶用的現有二氧化矽玻璃 坩堝存在的上述課題，從而提供一種在拉晶的高溫環境下強度 南’拉晶結束後能簡單取出的二氧化矽玻璃坩堝。 為了解決上述課題，本申請的發明者們經反復認真的研究 發現.形成在坩堝的外表面的結晶層較厚時，單晶拉晶後冷卻 時容易產生貫通壁厚整體的裂紋，這樣的裂紋出現在坩堝的底 部時’會導致漏液’但出現在側壁部時，不會造成漏液❶並且 發現：為了穩定地支撐坩堝’即使坩堝的底部略有變形也要貼 緊基座為佳《但是，這樣的話從基座取下坩堝會變得相當困 難’所以’冷卻後的取出難易度尤為重要。然而，在坩堝的側 壁部’不產生向内側倒塌等的變形反倒更重要，冷卻後的取出 難易程度越是底部越不成問題。 本發明是基於所述的技術所見而產生的。本發明的二氧化 201111307 石夕玻璃掛禍具有側壁部、f曲部及底部，該二氧化#⑽禍 還具有设置在_外表面側的二氧化#玻璃外層、設置在掛禍 内表面側的二氧切玻璃㈣，以及設置在二氧切玻璃外層 和二氧化㈣璃内層之間的二氧化梦玻璃中間層，二氧化石夕玻 璃外層具有1GGppm以上_化劑濃度，二氧切玻璃中間層 具有50Ppm以下的礦化劑濃度，底部的二氧化矽玻璃外層具有 〇.5_以上且2.〇_以下的厚度，在側壁部的二氧化石夕玻璃外 層的厚度比坩堝底部的二氧化矽玻璃外層的厚度厚。 根據本發月，^又置在掛禍夕卜表面側的二氧化碎玻璃外 厚度在《底部G.5mm以上且2 Gmm以下，且形成在掛瑪外 表面的結晶層的厚度為適合冷卻時破碎的厚度，所以，拉晶結 束後漸漸冷卻_時’由於玻璃質二氧化石夕和結晶質二氧化石夕 的熱膨脹率不同，坩堝外表面的結晶層產生龜裂，即只有坩堝 的外表面發生輕微破損，因此，即使坩堝貼緊基座，也能容易 地從基座中取出掛瑪殘留。並且，由於對二氧化石夕玻璃外層進 行結晶化而形成的結晶層非常薄，因此不會阻礙坩堝和基座的 貼緊性’從而能穩定地支撐坩堝。 並且，根據本發明，由於側壁部的二氧化矽玻璃外層的厚 度比底部的二氧化矽玻璃外層的厚度厚，所以，能提高側壁部 的粘性，在單晶矽拉晶中的高溫環境下，能夠提供很難發生側 壁部變形的坩堝。 在本發明中，侧壁部的二氧化矽玻璃外層的厚度為〇mm 以上為佳。根據如此結構，能提高側壁部的粘性，在單晶拉晶 中的鬲溫環境下，能防止侧壁部向内面倒塌等的變形。與底部 的一氧化*夕玻璃外層不同，側壁部的二氧化矽玻璃外層非常厚 時，坩堝逐漸冷卻時有可能產生不僅是表層發生龜裂，還會發 201111307 生貫通壁部的龜裂。然而，在拉晶結束後的坩堝内幾乎不會殘 留矽熔液，所以’即使側壁部產生龜裂也不會產生漏液。因此， 本發明可以提供一種既能防止漏液和掛禍變形，又能容易地從 基座中取出的坩堝。 在本發明中’側壁部的二氧化矽玻璃外層的平均厚度比弯 曲部的二氧化矽玻璃外層的平均厚度厚’彎曲部的二氧化矽玻 璃外層的平均厚度比底部的二氧化碎玻璃外層的平均厚度厚 為佳。在二氧化矽玻璃外層的厚度以這種階段性地變化時，能 大大降低在掛禍底部產生龜裂的概率。特別地，在朁曲部的二 氧化矽玻璃外層的厚度趨向坩堝底部漸漸變薄時，可以保持側 壁部的二氧化矽玻璃外層的厚度大致恆定，在側壁部及底部， 能穩定地發揮二氧化矽玻璃外層的功能。 在本發明中，二氧化矽玻璃内層是具有2〇ρρηι以下的礦化 劑濃度的二氧化石夕玻璃層為佳。此二氧化發玻璃層，可以為具 有20ppm以下的礦化劑濃度的天然二氧化矽玻璃層，也可以為 具有lppm以下的礦化劑濃度的合成二氧化矽玻璃層。無論是 那種情況，由於從掛禍内表面溶出至石夕溶液中的礦化劑的量較 少’所以’可以抑制單晶矽的雜質污染。 在本發明中，所述礦化劑優選為鋁。當作為所述礦化劑採 用鋁時’含鋁層的粘度變大，而使掛禍的強度得到提高，並且， 由於高溫時熱擴散較少，所以，在單晶矽的拉晶中形成的結晶 層的厚度容易控制，不受單晶矽拉晶時間和條件的限制，能穩 定性地形成較薄的結晶層。 在本發明中，具有設置在坩堝外表面側的含有較多氣泡的 不透明二氧化矽玻璃層，以及設置在坩堝内表面側的透明二氧 化矽玻璃層，不透明二氧化矽玻璃層包含二氧化矽玻璃外層及 201111307 一*氧化玻璃中間層，读日日—备/ 边月一氧化矽玻璃層包含二氧化矽玻璃 内層為宜。 如刖所述’本發明可以提供一種在拉晶中的高溫環境下， 強度高、拉晶結束後能簡單地取出㈣殘留，能更加安全地使 用的二氧化矽玻璃坩堝。 【實施方式】 下面將，合附圖對本發明的較佳實施形態進行詳細說明。 第1圖疋本發明較佳實施形態的二氧化石夕玻璃掛禍結構的 簡略剖面圖。 第1圖所示，本實施形態的二氧化石夕玻璃掛禍1〇具有 側壁部1GA和底部1GB，具有作為容器的基本形狀。所述側壁 部10A是平行於掛禍中心轴（2轴）的圓筒狀部分，從甜禍的開 口延伸到正下面。不過’所述侧壁部1GA不必完全平行於z轴， 可以傾斜使其向著開口方向慢慢變寬。並且，所述側壁部10A 可以為直線形’也可以為緩慢彎曲的形狀。所述侧壁部10A沒 有特別限A ♦彳如.可疋義為堆竭^面的切線相對於與Z轴垂 直的XY平面的傾斜角度在8〇度以上的區域。 所述㈣的底部是包含與該掛禍中心軸的交點的大致 為圓盤狀的部分，所述底部1〇B和側壁部l〇A的之間設置有彎 曲部1〇〇所述彎曲部⑽是侧壁部1QA❼直徑漸漸變小的部 分。所述坩堝底部10B的形狀可以是所謂的圓底，也可以是平 底。並且，所述彎曲部1〇c的曲率和角度也可以任意設定。所 述掛禍底部1GB是圓底時，由於該底部刚也有適度的曲率， 所以該底部10B和彎曲部10C的曲率差比平底小很多。所述坩 禍底部10B是平底時，該底部1〇B為平坦的或極平緩的弯曲 面該彎曲部10C的曲率非常大。而且，所述掛堝底部10B是 8 201111307 平底時’該底部1 OB可定義為坩堝壁面切線相對於與z轴垂直 的XY平面的傾斜角度在30度以下的區域。 堆禍的壁厚因部位而不相同，優選為1 〇mm以上，更優選 為13mm以上。通常，口徑32英寸（約800mm)以上的大型掛禍 的壁厚在10mm以上，40英寸（約i〇〇〇mm)以上的大型坩堝的 壁厚在13mm以上’但這些大型坩堝很難從基座中取出，並且， 由於長時間的使用而容易產生變形’在此，本發明的效果顯 著。舉一具體例子，就直徑32英寸、高度500mm的二氧化矽 玻璃坩堝的厚度來講，直筒部厚度為17mm，彎曲部厚度為 25mm，底部厚度為i4min。 如第1圖所示，二氧化矽玻璃坩堝1〇具有設置在坩堝外 表面側的不透明二氧化矽玻璃層u，以及設置在坩堝内表面側 的透明二氧化矽玻璃層12。 不透明二氧化矽玻璃層u是含有多個微小氣泡的非晶質 二氧化矽玻璃層。在本說明書中，所謂不透明是指二氧化矽玻 璃中含有多個氣泡，外觀上呈現混濁狀態。不透明二氧化石夕玻 璃層11產生將設置在坩堝外周加熱器的熱量均勻地傳達給所 述二氡化㈣璃㈣中的料液的作用。因為不透明二氧化石夕 玻璃層11 tb透明二氧化石夕玻璃| 12的熱容大，所α，能容易 地控制矽熔液的溫度。 不透明二氧化矽玻璃層u的氣泡含有率比透明二氧化矽 ，璃層12高，只要能發揮其功能沒有特別的限定，不過，〇7 % 乂上為^圭#原因在於，當不透明二氧化石夕玻璃層u的氣泡 :有率不;1 G.7%時無法發揮不透明二氧切玻璃$ u的功 倉匕:另外’不透明二氧化石夕玻璃層⑽氣泡含有率可以藉由比 十算长得從掛禍切出單位體積（lcm3)的不透明二氧化石夕玻 201111307 璃片，其質量是A，不含有氣泡的二氧化矽玻璃的比重為B(等 於 2.21) ’ 則氣泡含有率 P(%)=(l-A/B)xl〇〇。 透明二氧化矽玻璃層12是實質上不含氣泡的非晶質二氧 化石夕玻璃層。藉由透明二氧化石夕玻璃層12能防止從掛禍内表 面剝離的石夕片的增加，能提高單晶石夕的結晶率。在此，所謂實 質不含氣泡是指，單晶率非因氣泡而降低的程度的含有率及氣 泡大小，雖然沒有特別的限定，但氣泡含有率在〇 1%以下， 氣包的平均直徑是100μπ1以下為佳。從不透明二氧化矽玻璃層 11到透明二氧化㈣璃層12的氣泡含有率的變化比較大，從 透月氧化矽玻璃層丨2的氣泡含有率開始增加的位置向坩堝 外表面侧推進30μη1左右的位置，大致達到不透明二氧化梦玻 璃層11 @氣泡含㈣。因此，不透明二氧化石夕玻璃I U和透 明二氧化石夕玻璃層12的邊界L明確，能藉由目測容易進行區 別。 透明二氧化石夕玻璃層12的氣泡含有率，能用光學檢測手 段非破壞性地測量。作為光學檢測手段使用的是，沿著二氧化 石夕玻璃掛禍的内表面能旋轉操作的物品，要檢測存在於距離表 面艮疋冰度㈣氣泡’只要在距離表錄定深度方向上掃描光 學照相機鏡頭的焦點即可。利用光學檢測手段檢測的測量結果 2由圖像處理裝置一處理即可計算出氣泡含有率p(%)。具體而 吕’採用光學照相機拍攝掛禍内表面的圖像，將掛禍内表面按 值定面積進行劃分並作為基準面積S1，在每個基準面積S1都 求出氣泡佔有面積S2,根據p(%)=(S2/sl)xl〇〇即可計算出氣 泡含有率。此非破壞性的氣泡含有率測量法在例如：日本專利 申請特開平3·86249號公報和日本專利申請㈣平…繼幻 號公報中均有詳細描述。 201111307 第2圖是基於本實施形態的二氧化矽玻璃坩堝的礦化劑濃 度層結構的簡略剖面圖。 如第2圖所示，二氧化矽玻璃坩堝10具有三層結構，從 坩堝的外表面側順次具有二氧化矽玻璃外層13a、二氧化矽玻 璃中間層13b和二氧化矽玻璃内層13ce在第2圖中，不透明 二氧化矽玻璃層11和透明二氧化矽玻璃層12的邊界用虛線L 表示。如圖所示，不透明二氧化矽玻璃層u和透明二氧化矽玻 璃層12的邊界L，與二氧化矽玻璃中間層13b和二氧化矽玻璃 内層13c的邊界未必一致。在本實施形態中，不透明二氧化矽 玻璃層11包含二氧化矽玻璃外層13a和二氧化矽玻璃中間層 13b的大部分，透明二氧化矽玻璃層12是包含二氧化矽玻璃内 層13c和二氧化矽玻璃中間層nb的剩餘部分的結構。 二氧化矽玻璃外層13a和二氧化矽玻璃中間層Ub由天然 二氧化碎玻璃職為佳。所謂H氧切㈣是指以石夕石， 天然水晶等的天然二氧化鹤原料製造的二氧切玻璃。通常 情^下’天紅氧㈣與合成二氧切相比，金屬雜質的濃度 更高’ OH基的濃度更低。例如：天然二氧化矽中鋁⑽的濃度 為1 ppm以上，驗金屬（Na、κ和u)的濃度分別為〇 〇5p㈣以 上’ 〇H基的濃度不足6〇ppme並且，是否為天然二氧化矽， 不應基於-個要素來判斷，而是應該基於多個要素綜合判斷。 =然-氧切與合成二氧切相比，由於在高溫環境下枯性較 二能提兩㈣整體的耐熱強度。而且，天然原料價格比合成 一氧化矽低廉，在成本方面具有優勢。 ^氧切玻璃外4 13a具有能促⑽财表面結晶化（方 ㈣強^ 玻璃的枯性以提高 力犯為了實現廷一功能，包含在二氧化石夕玻璃外 11 201111307 層13a中的礦化劑的平均濃度要在l〇〇ppm以上。那是因為如 果礦化劑的平均濃度不足l〇〇ppm，坩堝的外表面不結晶或結晶 不充分，會出現作為結晶化促進層而不起作用的可能性。 礦化劑的種類只要能促進玻璃結晶即可，沒有特別的限 定。如果礦化劑在包含金屬雜質時尤其容易引起結晶化，所 以，作為礦化劑，金屬雜質比較合適，例如：驗金屬（例子·鈉 和鉀）、鹼土金屬（鎂、鈣、鰓，或鋇）、鋁、鐵。 礦化劑使用鋁（A1)時，含鋁層的粘度變大，有利於提高坩 堝的強度，並且高溫時的熱擴散較少，所以，容易控制單晶矽 拉晶中所形成的結晶層的厚度，不受單晶矽拉晶時間和條件的 影響，能穩定地形成較薄的結晶層。 二氧化矽玻璃中間層13b是確保坩堝具有理想壁厚的一 層。並且’在二氧化矽粉的溶融過程中，電弧火焰的不規則流 動能使包含大量礦化劑的二氧化矽玻璃外層13a的原料粉在流 動，從而二氧化矽玻璃中間層13b可以防止二氧化矽玻璃内層 13c被污染。而且，二氧化矽玻璃中間層13b也可以作為防止 因礦化劑濃度的不同而產生的内部應力歪斜的中間層。提高坩 堝外層的礦化劑濃度的同時，設置礦化劑濃度較低且純度較高 的内層，並在外層和内層之間設置能使鋁濃度階段性減少的中 間層，這樣可以緩和内部應力，防止在冷卻時坩堝破損。 二氧化石夕玻璃中間層13b與二氧化矽玻璃外層13a不同， 要求其在單晶拉晶過程中的高溫環境下不進行結晶化。因此， 包含在二氧化矽玻璃中間層13b中的礦化劑的平均濃度要在 50ppm以下。由於這—結構適當地的設定了礦化劑濃度差，所 以，旎明確玻璃質二氧化矽和結晶質二氧化矽的邊界。 一氧化石夕玻璃外層13a形成在坩堝外表面的整個表面，其 12 201111307 .異。在本實_態中，二氧切玻璃外… :,1 Α ρ 10Α形成得比較厚，在底部形成得比較薄 。具體 在底_的二氧化石夕玻璃外層na的厚度Wl為〇.5mm 以上2.0mm以下’在側壁部1 Δ . 、 Ρ 1〇Α的二氧化矽玻璃外層13a的厚 度W2為3.0mm以上，w, tt· W恒饱 w 2比％厚。舉一具體例子，We.Omm， W2=4.0mm 〇 要求底。卩1GB的二氧化碎玻璃外層13a的厚度Wi 域以上且2.0mm以下。其原因在於如果二氧化石夕玻 :3a的厚度比〇.5mm薄時就不能得到充分的破壞效果， 氧化石夕玻璃外層13a的厚度比2_厚時就會導致過於破 從而在冷卻過程中可能會產生崩塌，引起漏液。 在側壁部的二氧切朗外層⑴的厚度％優選為 :以上’更優選為4mm以上。並且，厚度％是㈣侧壁部 幻去的^厚W〇的1/2以下（W〇/2以下）為佳。這時，WC10随 *氧化矽玻璃外層13a的厚度比坩堝側壁部10A的壁 、大時，一氧化矽玻璃中間層13b變薄，其後果是遮 劑的效果不夠好，這是二氧切玻璃外層13a的礦化劑 的化—二氧化石夕玻璃中間層m混入二氧化石夕玻璃内層 13c中’而两純度的二氧化矽玻璃内層13c的礦化劑濃度變高 所致。如果二氧化石夕玻璃外層13a的厚度是4_以上，則與在 掛禍^ β 10B的二氧化石夕玻璃外層13a的厚度的差異就變得明 顯，能充分抑制側壁部10 A的變形。 —就二氧化矽玻璃外層13a來說，在側壁部1〇A大致具有恆 定的厚度’從f曲部1〇c開始慢慢變薄，在底部刚其厚度為 〇.5mm以上且2‘Gmm以下。這時，在側壁部1GA的二氧化石夕玻 璃外層13a的平均厚度比在弯曲部1〇c的二氧化石夕玻璃外層 13 201111307 13a的平均厚度要厚。並且，在f曲部i()c的二氧切玻璃外 層13a的厚度比在底部1〇B的二氧化石夕玻璃外層⑸的厚度要 厚。但是，本發明不限於二氧化石夕玻璃外層13a的厚度從弯曲 10C慢慢變薄的結構，在側壁部·的二氧化梦玻璃外層 13a具有充分的厚度時，從側壁部說的中間部分起慢慢變薄 的結構也可以。 曰二氧切玻璃外層13a在單晶拉晶過程中的高溫環境下結 晶’但在底部10B中的二氧化石夕玻璃外層…較薄的部位，單 晶拉晶結束後掛禍漸漸冷卻時，因為玻璃質二氧化石夕和結晶質 二氧化石夕的熱膨脹率不同，掛塥外表面的結晶層發生龜裂，即 只有掛瑪的外表面受到輕微的破損，所以，即使掛禍貼緊在基 座上時也容㈣離’可以容易地從基座取出㈣殘留。並且， 由於結晶層非常薄’所以不會因玻璃質二氧化石夕和結晶質二氧 化石夕的熱膨脹率不同產生的應力而給二氧化石夕玻璃中間層別 造成損傷，不會阻礙㈣和基座之間的貼緊性，也不會發生由 於堆禍底部破損而漏液的問題。 二氧切玻璃外層13a在側壁部所形成的厚度較厚 時’在單晶石夕拉晶過程中的高溫環境下，可以提高側壁部 的粘f生’可以防止側壁部i 〇 A向内側倒塌等的變形。並且，單 晶拉晶結束後掛禍漸漸冷卻時，因為玻璃質二氧化石夕和結晶質 二氧化石夕的熱膨脹率不同，㈣外表面的結晶層產生龜裂曰，曰即 只有掛禍的外表面受損，所以’即使掛禍貼緊基座也可以容易 地從基座取出掛禍殘留。與掛禍的底部i〇b不同，結晶層較厚 時’殘餘的玻璃層變薄，而玻璃質二氧切和結晶質二^ 的熱膨脹率不同而產生的應力也大，有可能給二氧切 間層13b帶來損傷。但是，拉晶結束後因為石夕熔液幾乎不剩， 201111307 所乂，即使側壁部10A產生龜裂也不會發生 二氧化矽玻璃内層13c 質，抑制單晶石夕的雜質污染。為此降低^㈣表面溶出的雜 礦化劑濃度儘量低為佳。優選的氧化石夕玻璃内層13c的 是高純度的天然二氧化梦玻=::化梦破璃内層…的原料 二氧化矽玻璃是指把合成原料熔 場戶“-成 中合成原料例如：藉由矽醇的加水八解：人：匕矽玻璃，其 況下，合成二氧切與天缺二氧化5成的原料°通常情 度低，⑽基的濃度高的特：。例:相二=屬：質的濃 .包含在合成二氧化矽中 ^各^雜質的濃度不足0.05ppm，〇H基的濃度在脚㈣以 4 0’也有_些添加有金屬㈣的合成二氧切為人所 所以疋否為合成一氧化石夕，不是基於一個要素來判斷的， 而是應該基於多個要素綜合判斷。這樣，與天然二氧化石夕玻璃 相比’由於合成二氧化石夕玻璃的雜質少，所以’可以防止從坩 禍炫出而進人到妙熔液中的雜質的增多，可以提高單晶石夕化 率。 如上所述，在本實施形態中，因為設置在堆禍底部⑽外 表面侧的二氧化矽玻璃外層13a的厚度為05mm以上且20mm 以下’結晶層的厚度剛好為冷卻時適合破損的厚度，所以，拉 晶結束後㈣漸漸冷卻時，玻璃f二氧化朴結晶質二氧化石夕 的熱膨脹率的不同導致義底部外表面的、结晶層產生龜裂，使 得只有坩堝的外表面發生輕微的破損。因此，即使坩堝貼緊基 座’也能容易地從基座取出时禍殘留。 並且，在本實施形態中，因為設置在外表面的二氧化矽玻 璃外層13a在側壁部10A形成得比較厚，所以，在單晶矽拉晶 過程中的高溫環境下，可以提高側壁部1〇A的粘性，可以防止 15 201111307 側壁部10 A向内侧倒塌等的變形。 因為設置在側壁部10A的二氧化矽玻璃外層13a不像設置 在底部1GB的層那樣非常薄，而形成為比較厚的層，所以，掛 禍漸漸冷卻時，不只發生表層的龜裂，還會發生貫通側壁部i〇a 的龜裂的可⑨性H拉晶結束後的掛禍内因為幾乎沒有殘 留的矽熔液，所以即使產生那樣的龜裂也不會發生漏液。因 此可以提供-種既能防止漏液和时禍變形，又能容易從基座 上取出的二氧化矽玻璃坩堝。 、下面參照第3圖及第4圖，對二氧化石夕玻璃堆禍1〇的製 造方法進行詳細說明。 圖是說明二氧化矽玻璃坩堝 农逭万法:的模式 第4圖是二氧化矽玻璃坩堝10製程的流程圖_ 2氧切玻璃㈣1G可以輕轉模具法製造。在旋轉模 一、，如第3圖所示’提供—碳模14’該碳模14具有一與 破璃㈣H)外形匹配的腔體，旋轉模具㈣同時供 —氧化矽粉’形成沿模具内表面的二氧化矽粉層。 ’、 外層在：實施形態中’首先’向腔體内供給作為二氧化矽破璃 :广的原料的天然二氧切粉(第一天 16a)(步驟Sll)。這時， 巩化矽粉 使最炊二备外天然一氧化矽粉16a的供給量， 、、一氧化矽玻璃外| 13a在側壁_ 1〇A #厚 上，在底部10B的厚度A 〇 5 為3mm以 粉W的礦化劑:農Γ, ΙΓ 第—天然二氧化石夕 積化劑濃度，例如可以藉由使原 化鋁粉末來調整。 乳化矽粉含有氧 具次 供、，，。作為二氧化矽玻璃中間 氧化矽粉（第-夭妒_备^ A 扪原枓的天然二 “（第一天然-氧化矽粉叫並且，供給作 原科的天然二氧化石夕粉或合成二氧化㈣（第 201111307 的適當厚度r料相1随以上 使包括二氧—外層13:和:::= 氧r粉在離，作… 在匣疋位置上，並維持那種形狀。 之後，在腔體内設置電弧電極15，從模具内側加熱整個二 氧化石夕粉層到i72G°c以上’使二氧切粉㈣化。並且，在加 熱^時’從模具侧進行減壓，藉由設置在模具上的通氣孔將 -氧切粉層内部的氣體排出到外層側，使加熱中的二氧化石夕 粉層脫乳，進而除去㈣内表面的氣泡，形成實質上不含氣泡 的透明二氧切玻璃層12(步驟S14)e此後，一邊持續加轨一 邊減弱或停止以脫氣為目的進行的減壓，藉由使殘留氣泡來形 成含有多個微小氣泡的不透明二氧切玻璃層u(步驟si5)。 最後’停止加熱，冷卻_(步驟S16),形成本實施形態的二 氧化矽玻璃坩堝。 如上所述，就本發明較佳實施形態進行了說明，當然，本 發明不限於上述實施形態，在不超出本發明設計思想的範圍 内，種種變形自然都包含在本發明的範圍内。 例如，在如前所述的二氧化矽玻璃坩堝的製造方法中，包 括二氧化矽玻璃外層13a的坩堝整體是藉由旋轉模具法形成 的，但是，也可以藉由火焰喷射法來形成坩堝底部1〇B的二氧 化矽玻璃坩堝外層13a。並且，由於需要將側壁部丨〇A的二氧 化矽玻璃外層13a的厚度確保在某種程度上，所以，用電弧熔 融法來形成侧壁部10A的二氧化矽玻璃外層13a為優選。如果 17 201111307 採用火焰喷射法來形成坩堝底部10B的二氧化矽玻璃掛禍外層 13a時，可以容易地形成〇 5〜2mm左右的非常薄且均勻的一一 化矽玻璃層。 【實施例】 (實施例1) 提供如第2圖所示的具有三層結構的二氧化矽玻螭坩堝樣 品A1〜A5，該坩堝係利用所述旋轉模具法製造的，且各個部 位的二氧化矽玻璃外層13a的厚度不同。就二氧化矽玻璃坩堝 樣f Ai〜A5的尺寸來說，其直徑是32英寸（口徑8〇〇m^，高 度疋500mm，直筒部厚度是i7mm，彎曲部厚度是° 部厚度是14mm。並且，二氧化矽玻璃内層13。在側壁部的： 度是h5mm，在底部的厚度是1.0mm。而且，在一整個樣品中， 二氧切玻璃外層13a的銘漠度是⑽ppm，二氧切玻璃° ’ 層13b的銘濃度是sOppm。 接著，用這些二氧化矽玻璃坩堝樣品進行了單晶矽的拉 晶。在單晶料拉晶過程中，向二氧切朗_内添加4 的多晶㈣料後，將二氧切玻璃_安裝到單晶♦拉晶裝置 上’在爐内融化掛禍内的多晶石夕，利用所謂再充填法進行· 約為300_的單晶雜的拉晶。之後，，在單晶秒的拉晶結: 後，消耗I2小時將溫度達到約的爐内部冷卻到铜。C。 即，此時㈣的冷卻速度約為92t/h。之後，從爐内取出掛禍， 觀察此_自料卻到室溫時的狀態。其結果如表i所示。
如表1所示’就二氧切玻璃㈣樣品A 些在掛禍的外表面完全結晶，且利用再充填法反復進行來二： 拉晶的情況下，也顯示出了足夠的強度’並且，冷卻後掛财 π的外表面發生了細微破碎剝離，從而可以非常容易地取出坩 18 201111307 竭殘留。至於璧部雖然有些部位出現龜裂，但並沒有發 現向内侧倒塌等的變形。 另一方面’就二氧化矽玻璃坩堝樣品A1來說，在坩堝底 部的結晶層形成得不完全，冷卻時結日日日層幾乎不破碎，取出掛 堝殘留非常困難。並且，就二氧化矽玻璃坩堝樣品A4來說， 掛禍的底部及側壁部的外表面完全結晶，利用再充填法反復三 次進行拉晶後發現了坩堝側壁部出現向内側倒塌的變形。冷卻 後’掛禍底部的外表面發生細微破碎剝離，可以非常容易地取 出掛禍殘留。另外’就二氧化矽玻璃坩堝樣品A5來說，在坩 禍的外表面完全結晶’利用再充填法反復進行了三次拉晶的情 >兄下’也顯示出了足夠的強度。但是，拉晶結束後冷卻時，坩 @底部產±龜裂而發生了漏液現象。 【表
外層厚度(mm) 冷卻後的狀態 評價 底部 側壁部 __結晶層未破碎 存在龜裂部位/未發生向内側倒塌 X 結晶層發生細微破碎並剝離 存在龜裂部位/未發生向内側倒塌 〇 結晶層發生細微破碎並剝離 存在龜裂部位/未發生向内側倒塌 〇 結晶層發生細微破碎並剝離 不存在龜裂部位/發生向内側倒塌 X 結晶層未破碎 存在龜裂部位/未發生向内側倒塌 X (實施例2) 。 提供如第2圖所示的具有三層結構的二氧化矽玻璃坩堝樣 π〇 B1 〜h 氣化 4，該些堆禍是利用所述旋轉模具法製造的，除了二 的樣^坡續外層13a的鋁濃度不同之外，其他的與實施例1中 厚户、A3均相同。即’二氧化矽玻璃外層13a在底部10B的 ^ Τν\ ’在側壁部10A的厚度為4mm。 其次， 矽的扱晶。 用這些二氧化矽玻璃坩堝樣品B1〜B4進行了單晶 其結果如表2所示。 201111307 如表2所示，就二氧化矽玻璃坩堝樣品B1及B2來說，在 這些坩堝的外表面完全結晶，且用再充填法反復進行了三次拉 晶的情況下，也顯示出了足夠的強度，而且，冷卻後坩堝外表 面發生細微破碎剝離，從而可以非常容易地取出坩堝殘留。雖 然坩堝側壁部有些部位出現了龜裂，但並沒有發現向内側倒塌 等的變形。 另外，就二氧化矽玻璃坩堝樣品B3及B4來說，在通常的 冷卻速度下會中途破碎，因此，為了防止坩堝損壞，需要較長 的冷卻時間。 【表2】
坩堝 樣品 二氧化矽玻璃外層 紹濃度ppm 二氧化矽玻璃中間 層铭濃度ppm 冷卻後的狀態 評價 B1 125 50 結晶層發生細微破碎並剝離 〇 B2 100 50 結晶層發生細微破碎並剝離 〇 B3 75 50 結晶層未破碎 X B4 50 50 結晶層未破碎 X (實施例3) 提供如第2圖所示的具有三層結構的二氧化矽玻璃坩堝樣 品C1〜C2，該些坩堝是利用所述旋轉模具法製造的，除了用 鋇（Ba)或鈣（Ca)代替作為礦化劑的鋁之外，其他的與實施例1 中的樣品A3均相同。 其次，用這些二氧化矽玻璃坩堝樣品C1〜C2進行了單晶 石夕的拉晶。其結果如表3所示。 【表3】 坩堝 樣品 破化劑 冷卻後的狀態 評價 底部 側壁部 C1 Ba 結晶層發生細微破碎並剝離 存在龜裂部位/未發生向内侧倒塌 〇 C2 Ca 結晶層發生細微破碎並剝離 存在龜裂部位/未發生向内側倒塌 〇 如表3所示，就二氧化矽玻璃坩堝樣品C1及C2來說，在 20 201111307 這些坩禍的外表面完全結晶，且利用再充填法反復進行了三次 拉晶的情況下’也顯示出了足夠的強度，而且，冷卻後坩堝外 表面發生了細微破碎剝離’從而可以非常容易地取出坩堝殘 留。此外，坩渦側壁部的有些部位出現了龜裂。 而且，並沒有引起向内側倒塌等並行，但是，在樣品C1 〜C2的沉入量比樣品A3都稍微大了 一些。 綜上所述’雖然本發明已用較佳實施例揭露如上，然其並 非用以限定本發明，本發明所屬技術領域中具有通常知識者， 在不脫離本發明之精神和範圍内，當可作各種之更動與潤飾， 因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為 準。 【圖式簡單說明】 第1圖是本發明較佳實施形態的二氧化矽玻璃坩堝結構的 簡略剖面圖。 第2圖是基於本發明實施形態的二氧化矽玻璃坩堝的礦化 劑濃度的層結構的簡略剖面圖。 第3圖是說明二氧化矽玻璃坩堝1〇的製造方法的模式圖。 第4圖是簡略表示二氧化矽玻璃坩堝1〇製程流程圖。 【主要元件符號說明】 10二氧化矽玻璃坩堝 10A側壁部 10B底部 10C脊曲部 11不透明二氧化矽玻璃層 12透明二氧化矽玻璃層 13a二氧化矽玻璃外層 21 201111307 13b二氧化矽玻璃中間層 13c二氧化矽玻璃内層 14碳模 15電弧電極 16a第一二氧化矽粉 16b第二二氧化硅粉 16c第三二氧化硅粉 22