TW201044487A - Systems and methods for handling wafers - Google Patents

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TW201044487A
TW201044487A TW099109588A TW99109588A TW201044487A TW 201044487 A TW201044487 A TW 201044487A TW 099109588 A TW099109588 A TW 099109588A TW 99109588 A TW99109588 A TW 99109588A TW 201044487 A TW201044487 A TW 201044487A
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wafers
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vacuum
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Frederic Rivollier
Ryan Chubb
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Automation Tooling Syst
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Description

201044487 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本專利申請案主張美國. W日)之優先權。_ 61/164639(㈣日為翻 本專射請案—般而言_於在—製造環射 行處理,更明確地,係關於對 a片進 ^ 、 陽月b電池晶片進行處理,用以在 一咼溫擴散爐法中進行裝载及卸載。 【先前技術】 =巾嫩树蝴(树齡D之處理 =非膚,細在於她樹,若獅發生破損 則料及時間。晶片可由各種材料製造,然而晶片之一且 ^例财⑼,諸如聽電子器件、太陽能及其_途之石夕晶 片0 太陽能電池以係易碎、薄且呈平面之⑼,通常係由半導 材料諸如石夕、石申化鎵或類似物製造而成。為了提升效率及降低 材料成本’而將太陽能電池“㈣得愈錄薄,從而由於在處 里過私中太陽能電池⑼的破碎及損耗會在製造過針丨起許多困 難。 製造太陽能電池晶片中之—特定過程,包含將晶片裝載入一 =溫擴散射再將晶片自高溫擴散射加以域。在此過程中, 車乂佳的疋在該高溫擴散爐中僅對太陽能電池晶片之—側進行處 201044487 理。如此,太陽能電池晶片通常係接連地地進行置放(BTB) ’藉 以僅使各晶片之一側顯露於高溫擴散爐之環境中。 ▲就處理晶片之傳統系統而言,使晶片移動人高溫擴散爐及自 ^皿擴散爐中移出往往會相當地複雜且龐大笨重,無法高效地利 用樓面空間’上述傳統系統包括對處於接連地型態之晶片進行準 確疋位之複m例如,—些傳統祕在—載具巾_—複雜 的梳狀結構,以試_ BTB晶片進行準確定位。以財式來處理 〇 4 ’因在處理過程巾需耗用—定時間故會降低生產效率,並且 因晶片或類似物的對位不準仍然可造成相對較大數量之材料 及損耗。 如此產生了對處理晶片尤其是處理太陽能電池晶片之一經 改良之系統、裝置及方法之需求。 、 【發明内容】 ❹ 該系統、裴置及/或方法係用以克服上述缺點中之至少一個缺 點。 、 在本文所描述之一態樣中,提供一種處理晶片之系統,其包 括·至少-個卸載站;至少―個中間站,該中間站係料成以某 角度固定該晶片;-處理站;以及一傳送裝置,該傳送裝置係 配置成使該晶片在各站之間移動。 ’、 在一實例中,可為該傳送裝置設置一真空夾具及一重力失具。 5 201044487 在另一會例中,該中間站可配置成以接連地(back t0 bac{〇 之排列來接收晶片,其中將一組晶片置放於中間站,且將第二組 晶片置放於位於第一組晶片頂部之中間站,藉以使晶片接連地的 排列。 根據本發明之另一態樣,提供一處理晶片之裝置,其包括: 在一側之一真空夾具,該真空夾具係配置成夾緊單片晶片;以及 在另一侧之一重力夾具,該重力夾具係配置成當其位於該晶片下 方時支撑一個或一個以上之晶片且將其提升。 在處理晶片之方法之-另-態樣中,包括:卸載晶片;將晶 片傳送至-中間站;將晶片自該中間站傳送至—處理站;處理晶 片;自該處理站中卸載晶片;以及將晶片再裝載於一載具中,其 中利用一傳送裝置對該晶片進行卸載、傳送及再裝载。 在一實例中,晶片在經過處理後可分離成單片晶片。 在本發明之-態樣中,提供一種處理複數個晶片之系統1 晶片具有通常呈平面之-上表面及通常呈平面之—下表面,該系 統包括:至少-個卸載站;至少—個具有—前端及—後端之中間 站’該至少-個之巾間站係配置成湘該晶片之與水平面成某一 角度的平面來固定晶片;以及—傳送裝置,該傳送裂置係配 將晶片在卸載站與中間站之間進行傳送。 在一實例中’為該傳送裝置設置-真空失具及-重力炎具。 在另-實例中,該至少—個之中間站包括複數個槽,且為各 201044487 槽設置一後止動裝置,該後止動裝置係設置成支撐—晶片。 在另一實例中’該角度係自前端向後端向下。 在另一實例中,該角度係在30度至60度之間。 在另一實例中’該角度為45度。 在另一實例中,該至少一個之中間站具有至少一個槽,該槽 係配置成以一接連地之排列接收複數個晶片中之第一個及複數個 晶片中之第二個,藉以利用處於接觸狀態之第一晶片與第二晶片 〇 的各自上表面將第一晶片插入該至少一個槽中,且將第二晶片插 入位於第一晶片頂部之至少一個槽中。 在另一實例中,該至少一個之中間站包括一真空元件,該真 空元件係設計成以接連地之排列提升第二晶片。 在另一實例中,該傳送裝置係配置成使接連地排列之晶片自 至少一個中間站中移出,再將該晶片置放於一邊緣夾持裝置中, 藉以將其裝載入一處理載具中。 〇 在另一實例中,該至少一個中間站具有至少一個槽,該槽係 配置成以接連地之排列接收複數個晶片中之第一個及複數個晶片 中之第二個,藉以利用處於接觸狀態之第一晶片與第二晶片的各 自下表面將第一個晶片插入該至少一個槽中,且將第二個晶片插 入位於第一晶片頂部之至少一個槽中。 在另一實例中,該至少一個之中間站包括一真空元件,該真 空元件係設計成以接連地之排列提升第二晶片。 7 201044487 在另㈣巾挪送裝置佩置紅接連地之排列使晶片 自該至少-個之中間站中移出,再將該晶片置放於—邊緣夹持裝 置中,藉以將其裝載入一處理载具中。 在另-實射’該緖進―步包括—處魏,域理站係配 置成接收-魏有複數個晶片之處理載具,在該處理站中使該載 具移動至一擴散爐中進行處理。 在本發明之另-態樣中,提供—種處理晶片之裝置,其包括 至少-個指狀物,該至少-個之指狀物包括:具有—真空爽具之 第-側面,該真空纽係配置成_真空吸力固定—第一選擇晶 片,,、有ί力夾具之第—側面’該重力夾具係配置成當該重力 夾具位於所選擇晶片下方時切第二選擇晶片且將其提升;該至 少-個之脉物係可旋轉者,藉以使第—側面絲二側面選擇性 定位於第一選擇晶片或第二選擇晶片上。 在-實例中’該真空夾具包括:—真空供給系統、及與真空 供給系統相連接之複數個細孔。 在另-實例中’該真空供給魏係配置成接收—真空軟管。 在另-實例中,該重力夾具包括:—平坦之表面及至少一個 之經升起部分,藉以使-晶片停⑽該平坦部分且㈣至少一個 之升起部分所支撐。 在另-實例中’該重力夾具具有二個經升起部分,該二個經 升起部分雜於該$力失具之相反側,且以與遠端成某―角度而 201044487 取向’藉以使“定位於在該二個經升起部分之㈣晶片配件之 一個角。 在另實例中’ δ亥重力夾具包括一平垣的表面及至少二個之 經升起部分,藉以使-晶片停留_平坦部紅由至少二個之經 升起部分所支撐。 ο 進而在本發明之另—態樣中,提供-種處理晶片之方法,其 包括·自-卸載站中卸载晶片;將晶片自該卸載站傳送至一中間 將晶片自該中間站傳送至—處理站;處理晶片;自該處理站 中卸載晶片;以及將晶片再裝載於—载具t,其中—傳送裝 置對該晶片進行卸載、傳送及再裝载。 妙料實咐+/彡方錢—步包括以接連地之制將該晶片定 位於該中間站’藉以使各對a y丨、,甘办上 各對阳片以其各自的上表面相接觸之方式 進打疋位。 ο 實例中,該方法進一步包括以接連地之排列將該晶片 ==,藉贿各對晶Μ各自的下表面她觸之方式 各個才=2中中,該方法進—步包括使晶片定位於處的 =中之姐巾’該^係與料之向上取⑽上表面對準。 土於對以下連同附圖之具體實施 者應瞭解本發明之其他態樣及特徵。 域術 9 201044487 【實施方式】 乂發明之—實施例,圖i顯示晶片處理之示例性系統⑽ 土圖。在此特定實施例中,晶片係厚度大約為⑽微米之太 =能電池晶片。圖1之系統係使晶片自一載具移動至-高溫擴散 爐舟中且返回至輯具之處理顧之概要。細,膽解此實施 例中所採狀系統及方法可制於其他晶片處理的情況。 就在該製造環境中之移動而言,通常將晶片L—載具(圖
中未圖示)巾4載具包括使該晶片插人之複數個槽,藉以防止 晶片在移動中發生破碎。 在圖i之系統中,設置有一傳送裝置(可為—機器人1〇5), 用以在該祕中的各站之間傳送“。最初,該載具通常經由一 輸送機系統(未圖示)諸如—懸吊式輸送機或類似物而抵達一晶 片却載站110。在該晶片卸載站110巾,使晶片自該載具中移出, 準備傳送至-爐載具(有時稱作爐I)中。如上所述,為了提升 生產效率且容許僅對該太陽能晶片之一側進行處理,該太陽能晶《 片在被置於高溫擴散爐中進行處理之前,通常係接連地置放 (BTB)。以此BTB排列且以某一生產率使晶片準確定位於該爐舟 中則有一些困難。 在本實施例中,機器人105首先將以BTB排列之晶片自該載 具傳送至中間裝載站Π5。如以下進一步描述般,該中間裝載站 115容許該晶片之準確及靈敏的βΤΒ置放。 10 201044487 機器人105使BTB晶片自中間裝載站ii5移動至一舟裝栽站 120,藉以將ΒΤΒ晶片置放於爐舟中。一旦將ΒΤβ晶片裝載入該爐 舟中’則使該爐舟移動至-處理站(可為—高溫擴散爐125)中進 行處理。可經由-輸送機(未圖示)、飼服軸(serv〇 a⑽、其 他機器人或類似物將BTB晶片移動至該高溫擴散爐125巾。、
在高溫擴㈣125巾進行處理之後,雜舟飾至—舟卸载 站130。該機器人1 〇5將胞晶片自該爐舟中傳送至一中間卸載站 135,在此將娜晶>{分離成單片晶片,以便由機器人將咖晶片 傳送至-再裝載站14〇,在此將晶片置放於該載具中。日日 應瞭解為了達成提升生產量之目的,視需要可添加額外之 機器人或站。例如’在進行擴散之前,可設置—個魅人來卸載 晶片,同時可設置另-機器人在進行擴散之後裝載晶片。類似地, 在較低生產1的情況下,該中間裝載站亦可用作中間卸載站。 進而’該爐舟裝載及卸载站可為相同的站,而在某些情況下,敦 載及卸載可在朗的日钢發生__舟中。柄之模組化使用 雜似錢快速地改變生產線,贱根據需要提 供幸父南或較低之生產量。 .以下之·^概述了該機n人及各仙及發生於各財之處理 可 的進步之細即。麟解’本發明之特定實施例_於參考, 採用其他實施例。 實關中之機A人包括—裝備有—末端操剌綱(有時稱 201044487 作臂工具之-末端(Ε0ΑΤ))之多轴臂(未圖示)。圖2八、圖沈、 圖3A及圖3B顯示機器人1〇5之末端操作器2〇〇之透視圖。該末 端操作器包括複數塊平板205 (有時稱為指狀物)。在圖2及圖3 中,僅顯不三塊平板’但該末端操作器2〇〇通常將會具有與所需 數量同樣多之平板,以使預定數量之晶片自該載具中移出了在2 平板之—側設置有一真空央緊系統210 (示於圖2A及圖2B,有時 稱為-真空夾具)’而在另一側設置有一重力夾緊系統加(示於 圖3A^圖3B,有時稱為一重力夾具),該重力爽緊系統215包括❹ -通常為平坦之表面’而機械止動裝置22〇則在其一末端,該機 械止動裝置220係用以當該晶片處於ΒΤβ排列時支撐該晶片。 *如圖2A及圖2B中所示’該真空夾具係設置於各平板之一遠 端’且包括—真空供給祕及與該真雜給纟、统相連接之複數個 細孔。該真空供給系統係配置成可使一真空軟管(未圖示)與末 端操作$相連接,用以在複數個細孔巾形成真空,㈣吸起該晶 片且將其等固定於該平板上。圖沈顯示將晶片測夾緊之真空夾❹ 具。 如圖3A中所示,重力夾具215包括:該平板之平坦表面217、 X置於各平板之一遠端之二個經升起部分(機械止動裝置 220)可將该平板插入各晶片之間且使其移動,藉以將該平坦表 面置放於5亥晶片上且使該經升起部分位於晶片邊緣的外面(例 如右曰曰片係垂直取向則位於晶片下方),藉以當使該平板移動 12 201044487 時,該晶片停留於該平坦部分上且由該經升起部分1撐(例如, 若該晶片係垂直定位則垂直,若該晶片處於45度則為45度,若 該晶片呈水準定位則為水準’等等),如圖3β中所示。在本實施 例中’該經升起部分與平板的遠端成某—角度,且配置成以一傾 斜取向支樓BB片’而该晶片配件之—角位於經升起部分之間。圖 3A說明—個經升起部分之朗,但應瞭解可採用及使用二個以上 之經升起部分或者機械止動裝置來支撐晶片。 ° /瞭解’在不脫離本專射請案之實施例之料的情況下, 可私用該真空夾具及該重力夾具之其他排列。在此特定實施例 中省真工夾具及重力夾具係在相同的實體末端操作器之相反 側’但並非必須如此。 〃 如以上簡略之描述,在該晶片卸載站中,使裝滿晶片之載且 自輸送機系統中移出。在本實施例中,藉由使載具垂直定位,= 使晶片垂直排列。該載具通常係每個載具傳送一百個晶片,而所 ϋ有晶片之取向係使處理側(有時稱作“向陽面” Γ特,實施财,該無之定位係使該;面朝下: 思即向%面係面朝下。 雖然未予®*,但猶賴晶作_可 該缓衝系物咖細細⑽㈣ 、-1、㈣入-適當的位置。進而,可使用傳 13 201044487 統之生產資訊採集物諸如RF iD (無線射頻識別系⑹ 或類似物來追蹤該載具。例如,可自在此位置之載具令德= $織或其__。麟解,具亦可㈣ :物=一且_方式或_其他運二 由於峨㈣綱各晶片之财―触距離(“間 之載具令,故該晶片卸載站可包括—推進器單元 Γ,ΓΓ;,_進器單元251會將複數個晶片自載具240中: (而使5亥機态人更易接近,如圖4 機器人105之末端操作器200之真空夹具則接近。 在使晶片咖自载具中移出時,如圖4c中所示,機 以使=^=1之料反插入已被向前推的晶片230之間1 的深度來私^與—早片晶片喃合。平板205係僅插入足夠 旦曰曰:'口、空夾具,且不撞擊仍然停留於載具中之晶片。一 且且9使2被真空夹具加固定’機器人105便使晶片滑出該載 、且使其荨移動至中間裳載站。 戰 圖5A為固定複數個晶請之中間裝載站ιΐ5之一透視圖。 =魏站包括複數個用以接收晶片之槽祕。使各槽傾斜,藉 在—實例φ阳片時利用重力使該晶片對準射之機械止動裝置。 该角度大約為45度。在其他實施例中,該角度可在 201044487 3〇度至60度之間或者某些其他之允許該晶片的適;^對準之適當 角度。圖5Β為中該間裝載站之—頂部剖視圖,圖中顯示在一槽中 之-晶片。在本實施例巾’在各槽之各側面找置有止動裝置, 以支樓雜人m些實關巾,該晶片可呈矩形且該中 間站可進一步設置成接收晶片之一角。 Ο
在操作中’機器人利用真空夾具使晶片之-半(向陽面向下 之曰曰片)自載具移動至中間軸站,如圖6A中所示。機器人然後 返回且利用真以具炎緊纖之晶#,且使晶片旋轉至一向陽面 向上之位置’如圖6B中所示,再將向陽面向上之晶片置放于向陽 面向下之日B片的頂部’從而在中間裝載站中形成哪排列。如圖 及圖6B中所不,末端操作器以45度旋轉將晶片置放於中間載 八X便谷易地進入及推出,且容許BTB排列更佳地對準。 ’、a1裝載站被認為係用以降低損耗,該損耗可 t與將晶片直接垂直置放於該爐舟或類似物中相關之力所引起。 斜曰田將BTB形成之第二晶片加入該中間站中時,可利用重力 广曰曰圓^伽錢該第二晶片準確定位在與蝴置放⑼相關之 處’而無須複雜的梳狀結構或類似物來強制對準。 再Ft處理^丨自軌巾卸載之後,可使該載具行進至 域。蝴載時可被_—緩衝輸送機區 具目前為空。 峨可用新的資訊進行$寫,以提示該载 i 201044487 裝載站以拾娜㈣編進入中間 如圖7A中所示,當使晶片自中間裝载站中移動出時,末端操 以使機械止動裝置22〇取向朝上且使該末端操 _ 4之間滑動’且如圖7Β、圖7C及圖7D中所 合’藉以利用該重力夾具來支撐則晶片,即支撐在該 的邊、Γ=面上,該機械止動裝置220支撐該ΒΤΒ晶片之較低 晶片之對準"械止動裳置及晶圓的傾斜性f進一步協助二個™ 爐舟8輪她物晶值於在高溫擴散 ^裝载站中之一預裝載邊緣夹持裝置咖中之簡化透視圖。在 Α中’ΒΤΒ晶片係藉由使末端操作器仍然保持在與垂直方向成 =角度而由該重力夹具215所支撐(即,該平板及在該平板上 夹持=置』。在圖8β中’末端操作器將晶片置放於該邊緣 a °r緣夾持裝置在各側面上具有複數個用以支標βΤΒ 兮掳之槽如圖8Α及圖部中所示’邊緣夾持裝置255係定位於 ι係配置成進行作業以使其可根據應用之需求提升 ^降低βΤβ wL魏物m可包括-機械 、、·以喷合縣聽从撐欲使其姆於爐錢行财或降低之 201044487 選擇BTB晶片。 圖9Α至圖9Ε說明舟裝載站及裝载該爐舟之步驟。邊緣夹持 裝置255係定位於該爐舟之上方,且在接收㈣晶片(圖⑷之 後’使ΒΤΒ晶片降低至爐舟265十(見圖9Β至圖叩)。如圖犯 中所示,該邊緣夾持裝置可繼續使㈣晶片降低且將其釋放於該 爐舟中。該邊緣鱗裝置來準確地撕於爐舟進行定位,容 許使晶片準確地定位於該舟中;而與使用一末端操作器將晶 〇片直接置放於該爐舟中相比,發生破碎或類罐況的危險性較小。 如圖10A至圖廳中所示侧晶片係續在爐舟哪中之軌 道270上。在各執道上設置有簡單的槽以容納一組_晶片。 圖10D說明使該組BTB晶片略微傾斜以協助保持對準狀態。 在裳載之後,將該爐舟傳送至一高溫擴散爐中,在該爐中對 該晶片進行處理。 在進行處理之後,爐舟移動至舟卸載站,在此邊緣夹持裝】 通常執行-與圖9A至圖9E中之操作相反之操作。祥言之,剝 失持裝置255自爐舟之下方升起,與該經處理之βτΒ晶片㈣ 生唾合’再將腿晶片自該爐舟中提起。機器人之末端操作額 後利用重力夾具(平板及機械止動裝置)與經處理之㈣曰片智 2合,以與圖8Α及圖8Β中相類似之方式將ΒΤβ晶片自:韻 夾持農置巾升起,料姻7Α賴7D相_之枝使 至中間卸載站。 ’ 201044487 該中間卸載站示於圖11A且類似於該中間裝載站,但包括一 用以分離BTB晶片之晶片分離機構。圖11B更詳細地顯示在該中 間卸載站中之槽275。各槽包括一槽平板,用以當首次置放於該中 間卸載站中時支撐BTB晶片。各槽亦包括一真空元件280,該真空 元件28(H系配置成將腿晶片之上部晶片自下部晶片中提起,藉 以可使晶片分離。在本實施例中,該真空元件係設置於延伸 至上部晶片上面且可移動至上部晶接觸之一臂哪上,藉以使一 真空開口可提供吸力且提起該上部晶片,如圖ηβ中所示。 -旦晶片已被分離’則末端操作器隨後發生旋轉,藉以將該 真工夾具插人且與下部晶片鄰接。末端操作器使用真空夹且 210來喃合下部晶片(第一組晶片),如請及圖UD中所示了 ΐ使夾緊之^挪軸至位於再_中之上。在此特定 =例中,載具可垂直地定位,藉以使以可垂直地插入。直* 夾具隨後被用於喷合剩餘之日日日片 — 以使所有晶片均為相同取向,例如“向陽面,,疋朝Γ。入載財, 進::載具自一動至-輪送機一,進行 圖12依照本發明之實施例顯示 流程圖。在此特定實施财,首先料獅之_性方法之 Γ:Γ:Γ" 統而抵達卸載站。該傳送裝置或者機器人可卸载系 201044487 -旦自該載具巾被城,職晶諸鶴且傳送至—巾間站⑽ 在該中間站则中將該等晶圓以接連地之排列進行置放a。以上詳 細描述了此接連地排列。 = ο 經由-傳送裝置將晶片進一步自中間站傳送至一處理站 315。在該處理財’可將晶片裝載人-爐舟或者其他載且中’ 即設計成移動至-高溫擴散爐中。一邊緣夾持襄置可完成該爐舟 之裝載。隨後該高溫擴散爐對該晶片進行處理32〇。 、-旦晶片被處理320,則可隨後將晶片自處理站咖之爐舟中 卸載至-第二中間站。應瞭解’若生產量較低且僅需要一個中間 則此第二中間站可實際上為相同之中間站。若有較高的生產 量,則可使用多個中間站及傳送裝置。 目前可將BTB晶片分離成料^,在將其再裝載入載具 (330)或者一獨立之載具中。 、
G 應瞭解’ «該概術者基於上述實施例之揭示將會清楚地 理解其他排列及實施例。例如,本發明所描述之機器人係一多轴 機器人,但可被具有較少軸之複數個機器人所取代。 應瞭解,顧對太陽能晶片進行了描述,但該方法、系統及 裝置可處理其他“ ’且不紐認為蚊於太陽能祕晶片或 梦晶片。 應瞭解,在不脫離增補之申請專利範圍之一般範轉的情況 下可對本發明所描述及說明之示範性實施例進行各種修改。尤 19 201044487 其應瞭解’雖然⑽太陽能電池晶片之實施例進行了描述,但該 等實施例一般而言亦適用於晶片處理。 雖然本發_示已描述及·瞭本剌之某些實施例,但應 瞭解所述m裝置及方法並不限定於該特定實施例。更確 切地,應_本發日跑難频實_為魏性或韻性等效物 之所有實施例、以及已描述及說明之特定實施例及特徵。 應瞭解’軸已就本發明之—實施例或另實施例描述了其 各種特徵’但可將各觀徵及實施例加以合併,或者連同本文所 指述及δ兒明之其他特徵及實施例而加以使用。 【圖式簡單說明】 為了更好地瞭解本發撕描述之實施例並且更清楚地顯示該等實 施例是如何發揮侧的’僅以實例之方式對關(顯示示範性實 施例)予以參考;在附圖中: 圖1為處理晶片之示範性系統之一方塊圖; 圖2Α及圖2Β為用於處理晶片之—機器人之一末端操作器之透視 圖; 圖3Α及圖3Β為用於處理晶片之-機器人之—末端操作器之透視 圖; 圖4Α、圖4Β及圖4C為使晶片移動至該末端操作器之推進器之視 圖; " 20 201044487 圖5A及圖5B為一中間裝载站之視圖; 圖6A及圖6B為將晶片置放於該中間裝载站中之末端操作 視圓; °° 圖7A、圖7B、圖7C及圖7d為將㈣晶片自中間裝載站中移除之 末端操作器之視圖; 圖8A及圖8B為將晶片置放於一邊緣夾持装置中之末端操作器之 視圖; ° Ο圖9A、圖9B、圖9C、圖9D及圖9E為將ΒΤβ晶片置放於一爐舟 中之邊緣夾持裝置之視圖; 圖10Α、圖、圏10C及圖_為位於爐舟中之⑽晶片之視圖; 圖Μ、圖11Β、圖11C及圖UD為一中間卸載站及一使晶片自中 間卸載站中移出之一末端操作器之視圖;以及 圖12為處理晶片之示範性方法之一流程圖。 被》心為疋適且之說明之簡單性及明確性,在說明相應的或類似的 請或步驟之圖巾參考數字可重複。此外,為了透徹地瞭解本發 明所描述之示範性實施例,而陳述了許多細節。然而,-般技術 者應瞭解’本文巾所述之該等實施例可在無該等細節的情況下得 乂貫化在其他情況下,並未就眾所熟知之方法、過程及組分加 以詳細描述,以便不遮蔽本文所述之實施例。再者,並不認為本 說月曰疋以任何方式限制本文中所描述實施例之範圍,而是認為 本說明書僅僅描述本文所述各實施例之實施。 21 201044487 【主要元件符號說明】 100 晶片處理之不例性系統 105 機器人 110 晶片卸載站 115 中間裝載站 120 舟裝載站 125 高溫擴散爐 130 舟卸載站 135 中間卸載站 140 再裝載站 200 末端操作器 205 平板 210 真空夾緊系統 215 重力夾緊系統 217 平板之平坦表面 220 機械止動裝置 230 晶片 235 推進器單元 240 載具 245 槽 22 201044487 255 預裝載邊緣夾持裝置 265 爐舟 270 轨道 275 槽 280 真空元件 285 臂 300 晶片處理 305 卸載 310 中間站 315 處理站 320 晶片處理 325 處理站 330 载具 23

Claims (1)

  1. 201044487 七、申請專利範圍: 1. 一種用來處理複數個晶片之系統,該等晶片具有通常呈平 面之一上表面及通常呈平面之一下表面,該系統包括: 至少一卸載站; 至少一中間站其具有一前端及一後端,該中間站係配置成 用來保持該等晶片並使該等晶片的一平面與一水平面呈一 角度;以及 一傳送裝置,其係配置成在該卸載站與該中間站之間運送 该晶片。 2. 如申請專利範圍第1項之系統’其中在該傳送裴置上設置一 真空夾具及一重力失具。 3. 如申請專利範圍第i項之系統’其中該中間站包括複數個 槽,在各槽上設置-尾部止動ϋ,該尾部止動裝置係用 來支撐一晶片。 4. 如申請專利範圍第!項之系統,其中該角度係向下地自該前 端至該後端。 5. 如申請專利範圍第4項之系統,其中該角度係在3〇度至6〇 度之間。 6. 如申請專利範圍第4項之系統,其中該角度為45度。 7. 如申請專利範圍第i項^統,其中該中間站具有複數個 槽’該等槽以-接連地排列方式配置以接收複數個晶片中 24 201044487 之一第一晶片及複數個晶片中之一第二晶片,其中該第一 晶片被插入該等槽中的至少一槽,一第二晶片被插入該第 一晶片上方的至少一槽中,該第一晶片與該第二晶片的各 自上表面係呈接觸狀態。 8.如申請專利範圍第7項之系統,其中該中間站包括一真空元 件,該真空元件係設計成以該接連地排列方式提升該第二 晶片。 〇 9.如申請專利範圍第7項之系統,其中該傳送裝置係配置成以 該接連地排列方式使晶片自該中間站中移出,且將該晶片 置放於一邊緣夾持裝置中從而裝載入一處理載具中。 10. 如申請專利範圍第1項之系統,其中該中間站具有複數個 槽,該等槽以-接連地排列方式配置以接收複數個晶片中 之一第一晶片及複數個晶片中之一第二晶片,其中該第一 曰曰曰片被插入該等槽中的至少-槽,一第二晶片被插入該第 〇 -晶>!上方的至少-槽中’該第―晶片與該第二晶片的各 自下表面係呈接觸狀態。 11. 如申請專利麵第10項之系統,其中該中間站包括一真空 元件,該真空元件係設計成以該接連地排列方式提升該^ ^晶片 0 12.如申請糊刪丨丨項之系統,其中該傳送 以該接連地排列方式使晶片自該令間站中移出,且將該晶 25 201044487 片置放於-邊緣夾持裝置中從而農載入—處理載具中。 α如申請專利細第1項之純,其中該系統進-步包括一 處理站,該處理站係配置成接收一裝載有複數個晶片之處 理載具,其中使該載具移動至一爐中進行處理。 M.-種處理晶片之裝置,其包括至少_指狀物,該指狀 括: 第側其具有-真空夾具,該真空夾具係配置成利用真 空吸力固定一第一選擇晶片; -第二側其具有—重力夾具,該重力夾具係配置成當該重 力夾具位於該選擇晶片下方且被提升時支擇一第二選擇晶 片; 其中該指狀物可旋轉,以使該第—側或該第二侧可選擇地 定位於該第一選擇晶片或該第二選擇晶片上。 15. 如申請專利範圍第14狀裝置,1中該真空夾具包括一真 空供給系統及與該真空供給系統相連接之複數個細孔。 16. 如申請專利範圍第15項之裝置,其中該真空供給系統係配 置成接收一真空軟管。 Π·如申請專利範圍第14項之裝置,其中該重力夾具包括一平 坦表面及至少一升起部分,以使一晶片停留於該平坦表面 且由該升起部分所支樓。 18.如申請專利範圍第14項之裝置,其中該重力夾具具有二升 26 201044487 起部分,該二升起部分係定位於該重力夾具之相反側且取 向成與遠端成一角度,藉以利用裝配在二升起部分之間的 晶片之一角對該晶片進行定位。 19. 如申請專利範圍第14項之裝置,其中該重力爽具包括一平 坦表面及至少二升起部分,藉以使一晶片停留於該平坦表 面且由該二升起部分所支撐。 20. —種用於處理晶片之方法,其包括: 〇 自一卸載站中卸載一或複數個晶片; 將該晶片自該卸載站傳送至一中間站; 將該晶片自該中間站傳送至一處理站; 處理該晶片; 自該處理站中卸載該晶片;以及 其中§亥晶片係由一傳送襄置 將該晶片再裝載於一載具中 進行卸載、傳送及再裝載。
    H 之方法,其進—步包括以一接連地 、= 片定位於該尹間站,藉以利用該等晶”之 被接觸狀紅各自的上表面對該等晶片進行定位。 22.如申凊專利範圍第2〇項之方 /、進一步包括以一接連地 i方式使該晶K位於該中間站 M is ^ ^ A. 稽以利用έ亥#日日片之 被接觸狀R各㈣ 23.如申請專利範圍第21項之方 疋 “進一步包括使該晶片定 27 201044487 位在各自的獨立的槽之該載具中,該晶片係與該晶片之向 上取向之上表面對準。 24.如申請專利範圍第22項之方法,其進一步包括使該晶片定 位在各自的獨立的槽之該載具中,該晶片係與該晶片之向 上取向之上表面對準。 28
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