TW201043109A - Multilayer wiring substrate producing method and multilayer wiring substrate obtained by the same - Google Patents

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TW201043109A
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Norihiro Yamaguchi
Hiroaki Umeda
Ken Yukawa
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Tatsuta Electric Wire & Cable Co Ltd
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201043109 六、發明說明: 【考务明戶斤屬軒々貝】 發明領域 本發明與多層配線基板之製造方法及藉此獲得之多層 配線基板相關,更詳細地說,是有關用含有金屬粉的導電 性糊劑填充通孔的多層配線基板之製造方法。 【先前技術3 發明背景 近年來,在電子學領域,伴隨著製品的輕薄短小化之 動向’同樣的需求在印刷配線基板也一直提高。印刷配線 基板的輕薄短小化中多層化是必不可少的,在多層化時, 薄板化成為技術性課題。 作為多層配線基板之製造方法的習知技術,有例如第4 圖所示的,(a)在於絕緣材料的兩面設有銅箔層^的芯基板 10設置通孔,在其通孔的壁面施行貫穿孔鑛敷12後,印刷、 填充填孔劑13,在硬化後,(b)研磨填充過糊劑13的突出部, 之後,(c)在兩面施行覆蓋鍍14的技術。另外,有例如第5 圖(a)所示的使具有塗布有樹脂的層15之銅箔(CCL)16以該 樹脂層15向著基板1〇地配置到基板1〇的兩面,(b)透過押壓 使芯基板10的樹脂層15的樹脂填充通孔之方法。 但是’前者在糊劑研磨後有基材發生延伸之虞,薄膜 化有限度,而且若進行覆蓋鍍,表面的銅箔就變厚,有精 細圖案化變困難的問題。另一方面,後者一直有在通孔上 無法設置通孔(疊孔)的問題或,基板表面的平滑性不足、長 3 201043109 期信賴性試驗時發生開裂等之問題。 對於該等問題,不進行類似上述的貫穿孔鍍敷或覆蓋 鍍,而是僅用導電性糊劑得到内層導通的方法受到使用, 具體而言,是利用導電性粉體和導電性粉體之接觸體現導 電性的糊劑(以下,將其稱為粉體接觸型糊劑)之押壓施工方 法受到使用,惟若利用這種糊劑,在通常的押壓條件下, 有糊劑正上面的基板發生膨脹、凹凸的問題,而且歷時的 導電性變化率大,也有長期信賴性差的問題。 對於此,有使用含有因加熱而合金化的金屬粉之糊劑 (以下,將其稱為「合金型糊劑」),藉由在導電性粉體彼此 及銅箔間形成合金,得以使導電性和其長期安定性提高的 揭示(專利文獻1)。 另一方面,通常作為印刷基板的材料,預浸體愈發受 到使用(專利文獻2)。預浸體係使熱硬化性樹脂處於B階段 狀態的接著薄片,通常,是使補強材的玻璃布等含浸熱硬 化性樹脂而形成。利用該預浸體製造基板時,如同以往地 利用雷射加工在預浸體設置通孔,填充導電性糊劑,且在 上下面配置銅箔或形成有圖案的基材並押壓。 但是,因為利用上述合金型糊劑形成貫通孔時,如果 在低溶點金屬溶融前糊劑樹脂成分發生完全硬化就會妨礙 合金化,所以有必要推遲糊劑樹脂成分的硬化速度。然而 在通用預浸體中如果推遲糊劑樹脂成分的硬化速度,在押 壓時就會發生導電性糊劑的滲出,同時預浸體的樹脂成分 和糊劑會混在一起,有無法獲得指定特性的問題。 201043109 【先前技術文獻】 【專利文獻】 【專利文獻1】特許第4191678號公報 【專利文獻2】特開平7-176846號公報 【明内^^】 發明概要 【發明欲解決之課題】 本發明是鑒於上述而提出的,目的在於提供—種即使 在使用成本方面有利的通用預浸體之情形,依然可以择尸 導電性和其長期安定性優良之多層配線基板(以下 「多層基板」)的製造方法,以及藉此獲得之多層配 【用以欲解決課題之手段】 反 本發明的多層基板之製造方法是包含利用雷射加工在 預浸體设置通孔的穿孔步驟和,在該通孔填充含有樹浐構 成成分和金屬粉之導電性糊劑的步驟和,在該經填充二 電性糊劑的上下配置_或經圖案化的基材_部分2 行押壓的步驟之多層基板的製造方法,導電性糊劑是使用 金屬粉的至少—部分發生熔融且鄰接的金屬粉彼此發生合 金化的合金型_,預浸體是制,以從W:升溫到200; 的溫度曲線中,令貯藏彈性率從增加變為減少的反曲點時 的貯藏彈性率,且令從減少變為增加的反曲點時的貯藏 彈性率^時,比率A/B在預加熱前為1〇以上者,藉由在穿 孔步驟前預加熱預浸體使比率A/B達到小於10。 上述之中,預浸體可以使用含有苯氧樹脂 '環氧樹脂 201043109 及雙馬來醯亞胺-三氮雜苯樹脂(B T樹脂)之中的至少1種所 形成。 另外’預加熱通常是在80〜14(TC下實行30〜120分鐘左 右。 此外,作為導電性糊劑宜使用,含有(A)相對於含丙烯 酸酯樹脂單體及環氧樹脂預聚物之樹脂構成成分100重量 份’(B)包含熔點180°C以下的低熔點金屬及熔點800°C以上 的高熔點金屬的金屬粉200〜2200重量份;該熔點180°C以 下的低熔點金屬僅為銦或為至少1種選自於由錫、鉛、鉍及 銦組成之族群中的2種以上的合金;該熔點8〇〇°C以上的高 溶點金屬為選自於由金、銀、銅及鎳組成之族群中的至少1 種金屬及/或該族群選出的2種以上金屬之合金,(c)硬化劑 〇_5〜40重量份’其含有酚系硬化劑〇3〜35重量份,以及(d) 助溶劑0.3〜80重量份的糊劑。 另外,本發明的多層配線基板是在預浸體設置通孔, 在該通孔填充導電性_,在該經填充之導電性糊劑的上 下配置銅II或經圖案化之基材㈣部分而成之多層基板, 上述預浸體是使職6Gt升溫到細。c的溫度曲線中土令貯 藏彈性率從增加變為減少的反曲點時__㈣為^且 令從減少變為增加的反曲點時__性率為B時, 趟低於H)者,而且上述導電性糊劑是使用,含有因加轨而 相互合金化之2種以上金屬所組成的金屬粉而成者。該多層 配線基板可以洲上述的本發明之製造方法製造。曰 再者’本說明書等之中,金屬粉彼此等的1合金化 201043109 係指,2種以上的金屬發生熔融而一體化者。例如,若加熱 低熔點金屬粒子和高熔點金屬粒子混合體,各自的粒子之 表層就發生熔融而一體化,形成合金層。 【發明效果】 因為利用本發明之製造方法獲得之多層基板不使用覆 蓋鍍,所以可以實現精細圖案化,滿足薄板化的要求。另 外,因為導電性糊劑所含金屬粉彼此發生合金化的同時, 金屬粉和貫穿孔内的導電層端面發生合金化,所以導電性 和其長期安定性優良。另外,由於不會發生滲出等的問題, 亦可使用通用預浸體,這在成本方面也有利。另外,亦可 形成疊孔結構。此外,多層基板與多層基板連接,亦可容 易地製造成品率良好的超多層基板。如上所述,可以使用 通用裝置且以低成本提供一種解決了習知技術的各種問題 之高品質的多層基板。 圖式簡單說明 【第1圖】(a)〜(c)是本發明的多層基板之製造方法的 一實施形態之示意模式斷面圖。 【第2圖】(a)、(b)是本發明的多層基板之製造方法的 其他實施形態之示意模式斷面圖。 【第 3 圖】利用 Modular Compact Rheometer(MCR)得到 的貯藏彈性率測定圖。 【第4圖】(a)〜(c)是習知的多層基板之製造方法的一 例之示意模式斷面圖。 【第5圖】(a)、(b)是習知的多層基板之製造方法的其 7 201043109 他例之示意模式斷面圖。 【第6圖】基板的膨脹量 、 之孑估方法的示意模式斷面圖。 用以貫施發明之形熊 本X月的夕層基板之製造方法至少包含,⑴在於預、冥 體設置通孔前谁彳-πι ^ (1)在於預/又 預力教_、; 鄉,(2)顧雷射加工在經過 預加熱的預浸體設置通孔 斗翻逾|丨沾+ _ ’驟’(3)在該通孔填充導電性 糊知]的步驟’(4)在該填 ^ ,. ^ ^ 電性糊劑的上下之面配置銅 ,冶或形成有圖案的基材之銅 μ冷$分且進行押壓實現一體化 的步驟。再者,上述(3)中, } 等電性糊劑是使用含有因糊劑 硬化時的加熱㈣融的金屬粉,且躲的金屬粉彼此發生 t金化的合金型糊劑。另外’(4)中積層沒有形成圖案的銅 治之情形,是在押壓後實行圖案形成。 以下將利用圖來進-步具體地說明本發明。第^圖是 本發明的多層基板之製造方法的—實施形態的示意模式斷 面圖’表不(a)在預浸體1的通孔填充導電性糊劑2,⑼在該 預浸體1的上下兩祕置ml3,進行押壓實t體化,⑷ μ ’進行®案形成之情形符號2’表示導電性糊劑的硬 化物’符號3’表示形成有圖案的鋼羯。 另外’第2圖是本發明的其他實施形態之示意模式斷面 圖,表示(a)在預浸體1的通孔填充導電性糊劑2,(b)在該預 浸體1的上下兩面配置形成有_案的基材4之銅箔部分5以 使其接觸導電性糊劑,進行押枣實現一體化之情形。 本發明中使用的預汉體係如第3圖所示的,以從6〇。〇到 201043109 2〇〇°C升溫的溫度㈣切藏彈性率從增加變為減少的反 曲點a時的貯藏彈性率為A ’從減少變為增加的反曲點b時的 貯藏彈性率為B之情形的比率A/B在預加熱前為1()以上的 預浸體。預浸體的貯藏彈性率之測定中,可以使用一般的 流變儀(例如,Anton Paar製,M〇dular c〇mpact Rh_eter (MCR) 300)。 預浸體的材料並無特殊限定,可以適當使用自過去以 來所使用的苯氧樹脂、環氧樹脂及雙馬來醯亞胺-三氮雜苯 樹脂(BT樹脂)之中的至少丨種作為成分之材料。作為補強材 料的玻璃纖維等也可以使用自過去以來受到使用的材料。 預加熱選擇比率A/B達到低於1 〇的條件即可,根據樹脂 的種類等而異,通常是在80〜14(TC,30〜120分鐘左右。 預加熱的時機以到預加熱後的押壓步驟為止的時間短為 佳。另外,實行預加熱的方法也沒有特殊限定,惟以用不 鏽鋼等的表面平滑板夾住預浸體來實行為佳。 從而,預先破認用以使比率A/B達到低於1〇的所需時 間,且在利用上述雷射加工設置通孔的步驟之前,夾在表 面平滑板,以預先確認好的指定條件用空氣烘箱等加熱即可。 再者,在預加熱後設置通孔,此時藉由利用雷射加工 使孔的壁面在一定程度硬化,藉此亦可防止預浸體和糊劑 樹脂混在一起。 本發明中使用的導電性糊劑至少含有樹脂構成成分和 金屬粉,藉由在指定溫度加熱使樹脂構成成分硬化,同時 金屬粉的至少一部分發生熔融,金屬粉彼此或金屬粉和與 9 201043109 其鄰接的銅箔或形成圖案的銅部分等之導電性端面發生合 金化即可。 例如,以含有(A)相對於含有丙烯酸酯樹脂單體及環氧 樹脂預聚物的樹脂構成成分100重量份(以下,簡稱為份), (B)由含有低熔點金屬和高熔點金屬的2種以上之金屬形成 的金屬粉200〜2200份’(C)含紛系硬化劑0.3〜35份之硬化 劑0·5〜40份,以及(D)助溶劑〇·3〜80份作為必要成分形成 者為佳。 丙烯酸酯樹脂單體的具體例可以例舉,異戊基丙烯酸 醋、新戊二醇二丙烯酸醋(neopentyl glycol diacrylate)、三 羥曱基丙烷三丙烯酸酯、二三羥甲基丙烷四丙烯酸酯、苯 基縮水甘油醚丙烯酸酯六亞甲基二異氰酸酯胺甲酸乙醋 (phenyl glycidyl ether acrylate hexamethylenediisocyanate urethane)預聚物、雙酚A二縮水甘油醚丙烯酸加成物、乙二 醇二曱基丙烯酸酯(ethylene glyC〇l dimethacrylate)及二乙 二醇二甲基丙烯酸酯等。 另外,%氣樹脂的具體例可以例舉雙酚A型環氧樹脂、 /臭化袤氧Ml雙_型^^氧樹脂、盼駿清漆型環 氧樹月曰、月日%式環氧樹脂、縮水甘油胺型環氧樹脂、縮水 甘油醚型料樹脂、縮水甘油㈣環氧樹脂、雜環式環氧 樹脂等。 丙稀酸醋樹脂和環氧樹脂的混合比率(重量% 5:95〜95:5,以20:80〜80:20較佳。 上述(A)私脂構成成分亦可在丙稀酸樹脂單體及環氧 10 201043109 樹脂預聚物中摻合醇酸樹脂、三聚氣胺樹脂或二曱苯樹脂 之中的1種以上之樹脂構成物。醇酸樹脂、三聚氰胺樹脂、 二甲苯樹脂分別以樹脂改質劑形式受到使用,只要可以達 到該目的就不作特殊限定。摻合該等之改質劑時的摻合比 是(A)成分總量中低於4〇重量%,宜採低於1 〇重量%。 利用加熱使金屬粉發生合金化即可,以含有包含熔點 180。(:以下的低熔點金屬1種以上和熔點8〇〇°c以上的高熔 點金屬1種以上之2種以上的金屬為佳。2種以上金屬的存在 形態之例,可以例舉某種金屬粉和由其他種類的金屬形成 之金屬粉混合而成,或者將某種金屬粉塗覆到其他種類的 金屬上而成,或者混合該等而成。 低熔點金屬及高熔點金屬除了由單一的金屬形成以 外,亦可使用2種以上金屬的合金。 低熔點金屬的合適例可以例舉銦(熔點:156。〇單獨, 或錫(熔點231。〇 '錯(炼點:32rt)、叙低點:27Γ〇或姻 之中的2種以上形成合金且嫁點在i 8 〇 t以下者,亦可使用2 種以上的合金。 另外,高炼點金屬的合適例可以例舉金(嫁點:刪。⑺、 銀(炼點:96Γ〇、銅_ :刪。c)、或她謂$。⑺ 或這裡舉出之金屬的2独上的合金,可以㈣等金屬單體 及合金之巾使用2㈣上,村組合制金料體和合金。 金屬粉的形狀沒有限制,可以使用樹枝狀、球狀、鱗 片狀等的自過去以來所使用者。另外,粒徑林作限制, 惟通常平均粒徑在1〜50μηι左右。 201043109 上述金屬粉的摻合量相對於(A)樹脂構成成分1〇〇份以 200〜22〇0份為佳。另外,上述低溶點金屬粉和高溶點金屬 粉的摻合比(重量比,以下同樣)宜在8 : 2〜2 : 8的範圍内。 接著’(C)硬化劑係以酚系硬化劑為必要成分,除此以 外亦可倂用咪唑系硬化劑、陽離子系硬化劑、自由基系硬 化劑(聚合引發劑)等。 酚系硬化劑的使用量相對於樹脂構成成分100份以 0.3〜35份為佳。酚系硬化劑以外的硬化劑之使用量相對於 樹脂100份以0.2〜35份為佳,在硬化劑整體宜為0 5〜4〇份。 酚系硬化劑之例可以例舉酚醛樹脂、萘酚系化合物等。 咪唑系硬化劑之例可以例舉以咪唑、2-十一基咪唑、2-十七 基咪唑、2-乙基咪唑、2-苯基咪唑、2-乙基-4-甲基-咪唑、 1-氰乙基-2-十一基咪唑、2-苯基咪唑。陽離子系硬化劑之 例可以例舉三氟化硼的胺鹽、p_甲氧基苯重氮六氟磷酸鹽 (P-methylbenzenediazonium phosphate)、二苯基峨六氣填酸 鹽(diphenyliodonium hexafluorophosphate)、三苯基硫鹽、 四-η-丁基磷四笨基硼鹽、四-n-丁基磷_0,0_二乙基二硫代磷 酸酉旨4為代表的錄系化合物(onium compound)。自由基系硬 化劑(聚合引發劑)之例可以例舉過氧化二異丙苯(dicumyl peroxide)、t-丁基過氧化異丙苯(t-butyl cumyl peroxide)、t-丁基氫過氧化物(t-butyl hydroperoxide)、氫過氧化枯烯 (cumene hydroperoxide)等0 此外’(D)成分的助溶劑促進上述金屬粉的合金化,可 舉例如氣化辞、乳酸、檸檬酸(citric acid)、油酸(oleic acid)、 12 201043109 硬脂酸(stearic acid)、楚胺酸(glutamic acid)、安息香酸 (benzoic acid)、草酸(oxalic acid)、趙胺酸鹽酸鹽、演化十 六烧基°比11定(^1>^71*丨出116 1)1>0111丨£^)、尿素、三乙醇胺、丙三 醇、聯氨(hydrazine)、松香(rosin)等。助溶劑的使用量相對 於樹脂構成成分100份宜為0.3〜80份。
本發明中使用的導電性糊劑係利用混合上述各成分而 製得,在市售產品中’可以合適地使用例如,TATSUTA SYSTEM ELECTRONICS(株)製、金屬化糊劑(MP系列)。 將導電性糊劑填充到經過預加熱的預浸體之通孔後, 用適合使用的合金型糊劑之條件邊押壓邊加熱,藉此製得 本發明的多層基板。使用本發明中規定的經過預加熱之預 浸體將所製得之多層基板彼此連接,此外也可以容易地進 行多層化。由於利用本發明製得之多層基板的長期信賴性 優良,而且多層基板彼此的連接部之信賴性亦為優良,所 以利用本發明亦可使成品率良好地製造習知難以製造的數 十層之所謂超多層基板。 【實施例】
I 以下,將利用實施例進一步具體說明本發明,惟本發 明並不限定於以下的實施例。 1.基板的製作 勿別使用表1所不厚度約丨⑼卜爪的預浸體(panas〇nic 電工(株)製R-1551或二菱瓦斯化學(株)製GHpL_83〇),在實 施例1〜3、比較例3巾如下所述進行預加熱,在比較例1>2 中不進行預加熱。利用c〇2雷射在該等之預浸體上設置 13 201043109 φ ΙΟΟμιη、Φ 150μηι的孔’利用印刷法填充表1所示導電性 糊劑後,使用真空押壓機以下述條件實行押壓。 壓力:0kg/cm2->面壓l〇.2kg/cm2(升壓17分鐘、保持10 分鐘)—面壓30_6kg/cm2(升壓24分鐘、保持46分 鐘)—Okg/cm2(減壓23分鐘) 溫度:30°C—130°C(升溫17分鐘、保持1〇分 鐘)->180°C(升溫24分鐘、保持46分鐘)->3(TC(冷卻23分鐘) 預浸體的預加熱’是將預浸體夾在厚度1.2mm的不鏽 鋼板,在設定到表1所示溫度的恒溫槽中,對該等施行表中 所示時間的加熱處理。 預浸體的貯藏彈性率是使用Anton Paar製,Modular Compact Rheometer(MCR)300,在預加熱前和預加熱後(比 較例1,2除外)分別測定從60°C到200°C升溫的溫度曲線中 貯藏彈性率從增加變為減少的反曲點a時的貯藏彈性率A, 以及從減少變為增加的反曲點b時的貯藏彈性率B,由這些 測定值求得比率A/B。 導電性糊劑是如表1所示地使用以下的合金型糊劑或 粉體接觸型糊劑。 合金型:TATSUTA SYSTEM ELECTRONICS(株)製、 金屬化糊劑(MP系列) 粉體接觸型:TATSUTA SYSTEM ELECTRONICS(株) 製、AE1840 2.基板的評估 對利用上述所製得之多層基板進行以下的評估。 14 201043109 (1) 押壓後的膨脹 用光學顯微鏡觀察完成基板的斷面,並測定第6圖所示 的膨脹量(s),以低於印111為〇 ,5 μηι以上為X。 (2) 初期導電性 關於Φ 0.15mm的初期導電性,是製作200孔、400孔、 600孔、800孔連結圖案,測定電阻值。用各孔數除以該值, 求取每1孔的電阻值,算出其平均值。200孔、400孔、600 孔連結圖案製作是用N = 6實行,800孔連結圖案是用N= 2 實行。 關於Φ 0.10mm的初期導電性,是製作200孔、400孔、 600孔連結圖案,測定電阻值。用各孔數除以該值,求取每 1孔的電阻值,算出其平均值。200孔、400孔、600孔連結 圖案製作是用N = 4實行。 (3) 導電性變化率(長期信賴性) 在製作成的任意連結圖案中,試驗前測定的電阻值為 a,試驗後測定的電阻值為b,利用下式求取導電性變化率, 導電性變化率在±20%以内時為〇,低於-20%或超過20%時 為X。 (b-a)xl〇〇/a 長期信賴性試驗條件如下所述。 浸焊試驗:在260°C的焊料浸潰10秒鐘後’在常溫大氣 反復3次的冷卻循環。 壓力鍋試驗(PCT):在121°C、濕度100%、2氣壓的氛 圍暴露24小時。 15 201043109 熱循環試驗:暴露在於-65°C保持30分鐘後,於125°C 保持30分鐘的循環重複1000次的氛圍中。 耐熱性試驗:在l〇〇°C的氛圍暴露1〇〇〇小時。 耐濕性試驗:在溫度85°C、濕度85%的氛圍暴露1000 小時。 (4)絕緣信賴性 在φ 150μιη的孔填充導電性糊劑,製作孔距為0.6mm、 0.8mm、1.0mm的3種中心距離的梳形圖案。對該圖案施力〇 直流電流50V,在溫度85°C、濕度85%暴露1000小時後,保 持試驗氛圍不變測定電阻值,其電阻值在1〇6Ω以上時為〇, 低於106Ω時為X。 16 201043109 οο 【Ιί 比較例3 R-1551 120〇C/60min 34.7 ι 寸· 粉體接觸型 X \〇 〇 X 〇 X 〇 X 〇 X 〇 X 1 1 1 比較例2 ι GHPL-830 碟 15.1 1 1合金型ι 〇 卜 »n 1 10.9 I 〇 〇 〇 〇 〇 X 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 比較例1 R-1551 34.7 1 合金型 〇 94.8 Ι 447 I 〇 X 〇 X 〇 〇 〇 〇 〇 X 〇 〇 〇 實施例3 R-1551 120〇C/30min 34.7 1—Η cK 合金型 〇 寸 IT) a\ 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 實施例2 GHPL-830 120〇C/60min (N |合金型| 〇 cn in 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 實施例1 R-1551 120〇C/60min 34.7 H |合金型 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 預浸體 預加熱條件 預加熱前ι 預加熱後 導電性糊劑 押壓後的膨脹 1 Φ0.15 I Φ0.10 1 φθ.15 1 | φο.ιο | ¢0.15 | φο.ιο | 1 φθ.15 1 [φο.ιο 1 | φθ.15 1 | φο.ιο | 丨 ¢0.15 | ι φθ.10 ρ=ι·〇1 Ρ=0.8 P=0.6 FV tv tv tv 幾 e 2 S i q l +1 g K 初期導電性 (γπΩ/1 孔) 1 浸焊試驗後變化率(%) (260〇C/10s><3 次) PCT後變化率(%) (121 〇C/100%RH/2atm/24h) 熱循環試驗後變化率(%) (-65°C30m ㈠ 125°C30m/1000次) ^熱性試驗後變化率(%) (100°C/1000h) 耐濕性試驗後變化率(%) (85〇C · 85%RH/1000h) 絕緣信賴性 (DC50V85〇C · 85%RH/1000h) 孔徑:¢0.15 Si 17 201043109 【圖式簡單說明3 【第1圖】(a)〜(c)是本發明的多層基板之製造方法的 一實施形態之示意模式斷面圖。 【第2圖】(a)、(b)是本發明的多層基板之製造方法的 其他實施形態之示意模式斷面圖。 【第 3 圖】利用 Modular Compact Rheometer(MCR)得到 的貯藏彈性率測定圖。 【第4圖】(a)〜(c)是習知的多層基板之製造方法的一 例之示意模式斷面圖。 【第5圖】(a)、(b)是習知的多層基板之製造方法的其 他例之示意模式斷面圖。 【第6圖】基板的膨脹量之評估方法的示意模式斷面圖。 【主要元件符號說明】 1…預浸體 11...銅箔層 2...導電性糊劑 12…貫穿孔鍍敷 2’...導電性糊劑的硬化物 13...導電極糊劑 3,5...銅箔 3’...形成有圖案的銅箔 14."覆蓋鍍 4...圖案形成基板 15."樹脂層 10...芯基板 16...銅箔 18

Claims (1)

  1. 201043109 七、申請專利範圍: 1.-種多層配線基板之製造:係包含_雷射加工在 預浸體設置通孔的穿孔步驟、在該通孔填充含有樹脂構 成成分和金屬粉之導電性糊劑的步驟、以及在該經填充 之導電性糊劑的上下配置銅箱或經圖案化的基材銅箱 部分且進行押壓的步驟之多層基板的製造方法,該方法 之特徵在於:
    使用令部分祕且鄰接的金屬 粉彼此合金化的合金型_作為前述導電性糊劑, 月述預浸體是使用從6(TC升溫到2〇〇〇c的溫度曲線 中,令貯藏彈性率從增加變為減少的反曲點時⑽· 性率為A,且令從減少變為增加的反曲_的貯藏彈性 率為B時,比率A/B在預加熱前為1〇以上者, 藉由在前述穿孔步料預加熱該職體,使前述比 率A/B達到小於1 〇。 ^ & ^ 〜//w配綠基扳之製造方法,其 中前述預纽雜用含有料_、魏樹脂及雙馬來 醯亞胺-三氮雜苯樹脂之中的至少i種所形成。 3. 如申請專鄉圍第取多層配線基板之製造方法,其 中刖返預加熱是在80〜14(TC下實行3()〜12()分鐘。 4. tl料㈣圍第1項之多層配線基板之製造方法,其 中削述導電性糊劑係使用具有以下之組成者; 於含丙__脂單體及環氧樹脂預聚物之樹 月曰構成成分100重量份; 19 201043109 (B) 包含熔點180°C以下的低熔點金屬及熔點800°C以上 的高熔點金屬的金屬粉200〜2200重量份;該熔點180°C 以下的低溶點金屬僅為銦或為至少1種選自於由錫、始、 鉍及銦組成之族群中的2種以上的合金;該熔點800°C以 上的高熔點金屬為選自於由金、銀、銅及鎳組成之族群 中的至少1種金屬及/或該族群選出的2種以上金屬之合 金; (C) 硬化劑0.5〜40重量份,其含有酚系硬化劑0.3〜35重 量份;以及 (D) 助溶劑0.3〜80重量份。 5. —種多層配線基板,係以申請專利範圍第1〜4項中任1 項記載的製造方法製造而成。 6. —種多層配線基板,係在預浸體設置通孔,在該通孔填 充導電性糊劑,且在該經填充之導電性糊劑的上下配置 銅箔或經圖案化之基材銅箔部分而成的多層配線基板, 其特徵在於: 前述預浸體是使用從60°C升溫到200°C的溫度曲線 中,令貯藏彈性率從增加變為減少的反曲點時的貯藏彈 性率為A,且令從減少變為增加的反曲點時的貯藏彈性 率為B時,比率A/B低於10者, 前述導電性糊劑係使用含有因加熱而相互發生合 金化之2種以上金屬所組成的金屬粉者。 20
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