TW201009825A - Lubricant, magnetic recording medium and head slider - Google Patents
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Description
201009825 六、發明說明: 相關申請案之對照參考資料 5 參 10 15 20 本申請案係以先前之日本專利申請案第2006-051443號 案(2006年2月28日申請,其全部内容在此被併入以供參考之 用)為基礎,且請求其優先權之益處。 【發明所屬之技術領域】 發明領域 本發明係有關於一種用於磁性記錄裝置之潤滑劑。 L先前技 相關技術之描述 於磁性記錄裂置’裝設記錄轉換器(於本發明中亦簡單 稱為磁頭)之磁頭浮動塊於為磁性記錄媒體之硬碟上浮動 時讀寫資訊。 磁頭與用於記錄(書寫)或複製(讀取)硬碟上之磁性資 讯之磁性層間之距離係稱為磁性間隔。記錄密度改良愈 多,磁性間隔愈窄。另—方面,需要具有較高之硬碟旋轉 速度以便增加資訊轉移速度。由於近年來於記錄密度及資 訊轉移速度之增加,較低浮動高度及較高旋轉速度之趨勢 係由於現今之磁頭飛行高度(亦稱為磁頭浮動高度)於跑m 等級且旋轉速度係於15,麵分鐘(啊)而向前推進。 關於硬碟機,潤滑劑一般係以約1至約2之厚度塗敷於 磁碟及磁料鱗上,时高㈣狀可鋒。此潤滑劑 降底磨擦及磨損,且避免於磁頭接觸時發生脫序。 因為/閏'骨劑之膜厚度係磁頭飛行高度之約10%,此厚 3 201009825 度轉變成對於磁性間隔係不能被忽略之因素(例如,見X, Ma 等人之 I.E.E.E. Trans. Magn.,2001,第 37 冊,第 1824 頁)。因此’為了改良記錄密度,使潤滑劑之膜厚度變得更 小以減少磁性間隔係變重要。 5 參 10 15 ❹ 20 但是’潤滑劑之分子尺寸具有特定限制,因此不可能 使潤滑劑之膜厚度小於一分子層之膜厚度,或一分子層膜 厚度,更小之潤滑劑。雖然可使此平均值比此更小,但會 造成減少之潤滑劑覆蓋。 已知潤滑劑之一分子層之膜厚度係藉由潤滑劑之分子 量決定(例如,見X. Ma等人之"化學物理期刊(Journal of
Chemical Physics)”,1999,第 110冊,3,129-3,137頁)。因此, 可藉由使分子量變更低而使一分子層之膜厚度變更小。 但是,若潤滑劑具有較低分子量,則其更易蒸發。此 外,其於較高旋轉速度時更易消散。因此,現今,對於更 小分子之努力於考量HDI(磁頭碟片界面)性質,諸如,於高 速旋轉時損失潤滑劑,亦具有其本身限制。因此,需要具 有一種能提供足夠小之一分子層膜厚度之潤滑劑,即使當 其具有咼分子量時,以便超越此極限。 此外,硬碟機被用於從低溫至高溫之廣泛溫度範圍之 環境,具有較高黏度之潤滑劑一般於高溫時產生較佳耐久 性。增加錢可料具妹高分子量或藉由制具有具較 高極性之端基之龍_達成。但是,若分子量較高時, 層之膜厚度會較大’使其較不適於達成較低之飛行 高度。再者’若黏度較高時’由於摩擦等而造成之潤滑劑 4 201009825 損失於低溫時會較顯著,使磁性記錄媒體及磁頭之耐久性 變壞。 本發明之目的係解決此等問題,且發展出一種使潤滑 劑層之膜厚度極小(即使於使用之潤滑劑具有高分子量時) 5及能增加於廣泛溫度範圍環境之可靠性且未損失飛行安定 性之技術。纟發明之其它目的及優點於下列解釋中將 闡明。 【發明内容】 發明概要 1〇 依據本發明之一目的,一種包含含氟之聚合物及具有 關係式.Υ<_1·4475Χ+2·815之潤滑劑被提供,其中,丫係 23°C時之擴散係數(單位:pm2/s)之自然對數;且X係2〇〇c 時之黏度(單位·· pas)。 依據本發明之另一方面,提供一種潤滑劑,其包含具 15有以化學式1表示之結構且於相鄰極性基間具有具不少於 500之數平均分子量之分子鍵之含氟聚合物。 H-KXZ)^ (YZ)n}-(Xd,Y(1_5))-H …⑴ [於化學式i,m及n每一者係不少於〇之實數(其中,111及11不 同時為〇); {(XZ)m,(ΥΖ)η}係指示結構單元ΧΖ及結構單元 20 ΥΖ可相互呈無規順序或嵌段順序;相似地,(Xs, Yu-S))係指 示結構單元X及結構單元γ可相互呈無規順序或嵌段順 序;δ係不少於〇且不多於丨之實數;且X、γ及z之化學結構 係依序顯示於化學式12、13及14(其中,Χ、Υ及Ζ之每一氫 5 201009825 可以具有1-3個碳之有機基(其可包含一醚鍵,且亦可包含一 或二個極性基及氟作為其氫之取代基)取代, -〇 CHjjC^O) aCH2CF2〇 CF2CF20)p 〇F2〇) qCF2CH2 hO~ .·· (J_2) {於化學式12,a ' b、?及9每一者係不少於0之實數(其中, 5 p及q係不同時為〇);且cf2cf2o及cf2o之結構單元可相互 呈無規順序或嵌段順序, -OCH2CH:H2〇CH^Hip)cCH2CFz〇 〇F2CF2〇)r OCHgCHPaCJCHXHCH^ - ... ^ ❹ Pol P〇l {於化學式13,c、d、1*及8每一者係不少於0之實數(其中’ r 及S係不同時為0) ; CF2CF2〇及CF2〇之結構單元可相互呈無 10規順序或嵌段順序;且Pol係於化學式中彼此個別地,且與 - 其它化學式彼此個別地係極性基}, —ch2chch2— ·..
Pol (於化學式14,Pol係與其它化學式彼此個別係極性基)。 藉由使用上述各方面,提供一種潤滑劑,其產生具足 15夠小之一分子層膜厚度之潤滑劑層,即使當潤滑劑具有高 分子量。當此潤滑劑被使用時,可使潤滑劑層之膜厚度變 成極小’即使當潤滑劑具有高分子量時,且增加於廣泛溫 度範圍環境之可靠性且不會損失飛行安定性。上述各方面 可結合使用。 20 關於上述各方面及其結合,較佳係含氟之聚合物之平 6 201009825 均分子量係不少於2,000,且不多於12,〇〇〇 ; p〇i係羥基;含 氟之聚合物之相鄰極性基間之分子量之數平均分子量係不 多於3,000 ;含氟之聚合物具有具以化學式3表示之結構之 端基, R.............(3) (於化學式3,R係極性基或烴基); 化學式1之CF20及C2F40之結構單元之部份或全部係以以 化學式4及5表示之結構之一取代; -CF2CF2CF2..........(4) 含氟之聚合物不具有除羥基外之極性基;且含氟之聚合物 於分子内於分子鏈之中間區段具有平均為1.0至10.0個羥 基。 依據本發明另一方面,提供一種潤滑劑,其包含藉由 15 使具有以化學式2表示之結構之化合物與表氣醇反應而形 成之含氟之聚合物,其具有不少於2,000且不多於12,000之 數平均分子量,且於分子内於分子鏈之中間區段具有平均 為1.0至10.0個羥基。 HO(CH2CH20)xCH2CF2〇(CF2CF2〇)p"(CF2〇VCF2CH2(OCH2CH2)yOH...(2) 20 {於化學式2,p"、q"、X,及y彼此個別係不少於〇之實數(其 中,P"及q"不同時為〇);且CF2CF20及CF20之結構單元<相 互呈無規順序或嵌段順序}。 7 201009825 藉由此方面,提供一種潤滑劑,其產生足夠小之一分 子層之膜厚度,即使當潤滑劑具有高分子量時。當此潤滑 劑被使用時,其可具有當潤滑劑具有高分子量時產生極小 之膜厚度之潤滑劑層,且可增加於廣泛溫度範圍環境之可 5 靠性且不會損失飛行安定性。 較佳係潤滑劑包含藉由使具有以化學式2表示之結構 之化合物及表氯醇反應,其後與縮水甘油反應而形成之含 氟之聚合物;含氟之聚合物具有以化學式3表示之結構之端 ® 基, 10 -R...........(3) •(於化學式3,R係極性基或烴基); : 化學式2之CF20及C2F40之結構單元之部份或全部係以以 化學式4及5表示之結構之一取代; -CF2CF2CF2..........(4) -CPCF2- …6) CF3 15 此潤滑劑包含非此含氟聚合物之含氟化合物;且非此含氟 聚合物之含氟化合物係至少一選自具有以化學式9、10及11 表示之結構之化合物所組成族群之化合物, R1CF2〇-(CF2CF2〇)p-(CF20)q.-CF2-R2......(9) (10) 20 R1-0-(CF2CF2CF2〇)r-CF2CF2-R2 8 201009825 F~(CPCF20) ,-CFR2 ··· αΐ)
I I cf3 cf3 (於化學式9-11,R1及R2於化學式中彼此個別且於與其它化 學式獨立之每一化學式中係選自羥基、羧基、胺基,及碌 乳歸環所組成族群之基,包含作為一取代基或多個取代基 5之一或多個選自羥基、羧基、胺基,及磷氮烯環所組成族 群之基之單價脂族烴基,可包含羰基、醚基,或羰基及喊 〇 基,可包含雙鍵、三鍵,或雙鍵及三鍵,且可為分支,及 每—者具有作為一取代基或多個取代基之一或多個選自羥 基、羧基、胺基,及磷氮烯環所組成族群之基之單價芳香 -10族烴基及單價雜環芳香族烴基;p,、q’、r,及s,每一者係正實 數,且化學式9_U中之每一結構單元於每一化合物之結構 内可相互呈無規順序或嵌段順序)。 依據本發明之其它方面,提供一種磁性記錄媒體,其 &含—磁性層一位於磁性層上之保護層,及-位於保護 β I上之磁性記錄媒體潤滑劑,其中,磁性記錄媒體潤滑劑 層係藉由塗敷上述潤滑劑而形成;及一磁頭浮動塊,其裝 設-用於記錄資訊至磁性記錄媒體及/或自此磁性記錄媒 體複製資訊之記錄轉換器,磁頭浮動塊於面向磁性記錄媒 體之表面上具有一保護層及—藉由塗敷如上所述之潤滑劑 2〇而形成之磁頭浮動塊潤滑劑層。 依據上述各方面,提供—種磁性記錄媒體、磁頭浮動 塊,及磁性5己錄裝置,其產生具極小膜厚度之潤滑劑層, 9 201009825 供給於敍溫錢㈣狀如可雜且#損失飛行安 定性。 5 ❹ 10 15 ❹ 本發明提供-種潤滑劑,其產生一足夠小之一分子層 膜厚度’即使當其被高度聚合時。當此潤滑劑被用於磁性 記錄裝置之磁性記錄媒體潤滑劑層及磁頭浮動塊潤滑劑層 時,其可減少麟綱謂厚度至極小,且可增加於廣泛 溫度範圍環境之可雜Μ會損錢行安定性。 圖式簡單說明 第1圖係顯示附接至欲以極性基,p〇1,塗覆之表面之 含氟之聚合物之狀態之示意圖; 第2圖係顯示附接至欲以極性基,p〇1,塗覆之表面之 含氟之聚合物之狀態之另一示意圖; 第3圖係顯示附接至欲以極性基,p〇1,塗覆之表面之 含a之聚合物之狀態之另一示意圖; 第4圖係例示如何記算相鄰極性基間之分子鏈之數平 均分子量之圖; 第5圖係實施例1提供之化合物之FT_iR圖; 第6圖係實施例1提供之化合物iijjNMR圖; 第7圖係實施例1中提供之化合物之13CNMR圖; 第8圖係實施例1中提供之化合物之i9FNMr圖; 第9圖係顯示潤滑劑膜厚度之截面分佈之藉由橢圓測 厚儀獲得之圖; 第10圖係顯示相鄰羥基間之結構部份之數平均分子量 (Me)與一分子層膜厚度間之關係之圖; 20 201009825 第11圖係顯示滑動測試結果之圖; 第12圖係顯示滑動測試結果之另一圖; 第13圖係顯示TDV及TOV測試結果之圖; 第14圖係顯示TDV及TOV測試結果之另一圖; 5 第15圖係顯示潤滑劑之依溫度而定之黏度性質之圖; 第16圖顯示剛塗覆後立即之膜厚度分佈之圖; 第17圖顯示於塗敷後140小時之膜厚度分佈之圖; 第18圖顯示剛塗覆後立即之膜厚度分佈之圖; 第19圖顯示於塗敷後140小時之膜厚度分佈之圖; 10 第20圖係顯示20°C時之黏度及23°C時之擴散係數之自 然對數間之關係圖; 第21圖係顯示内結構之硬碟裝置之示意平面圖;及 第22圖係顯示磁頭與磁性記錄媒體間之關係之硬碟裝 置之示意截面圖。 15 【實施方式】 較佳實施例之說明 本發明之實施例於下係使用圖式、表格、化學式、例 子等闡釋。此等圖式、表格、化學式、例子等與闡釋係例 示本發明,且非限制其範圍。其它實施例當然係落於本發 20 明範圍内至其符合本發明意旨之程度。 於分子中間區段具有極性基之全氟聚醚已知係提供藉 此使較高分子量不會造成大於一分子層膜厚度之分子結構 之潤滑劑{(例如,見曰本未審查專利申請案公告第 2003-162810號案(申請專利範圍))。但是,其特定分子結 11 201009825 構、分子量範圍等尚未知。 研究結果,發現具有非全氟結構之特定結構之含氟聚 合物可製得具有極小膜厚度之潤滑劑層,即使其具有高分 子量,且當用於磁性記錄裝置之磁性記錄媒體之潤滑劑層 5及磁頭浮動塊潤滑劑層時,可提升於廣泛溫度環境之可靠 性而不會損失飛行安定性。 即,依據本發明之潤滑劑包含藉由使具有以化學式2 表示之結構之化合物與表氣醇反應而形成之含氟之聚合 物’其具有不少於2,000且不多於12,〇〇〇之數平均分子量, 10及於分子内於分子鏈之中間區段平均具有1.〇至100個經 基。 HO(CH2CH2〇)xCH2CF2〇(CF2CF20)p..(CF2〇)q..CF2CH2(OCH2CH2)yOH...(2) {於化學式2 ’ p"、q"、X,及y彼此個別係不少於〇之實數(其 中’P”及q"不同時為〇);且CF2CF2〇及CF2〇2結構單元可相 15 互呈無規順序或故段順序}。 於本發明,包含於下所描述,當以下標指示之符號表 示"實數時",此”實數,,係意指具有此結構之部份或化合物之 平均數。 任何已知方法可用於上述反應。除上述反應外,此含 2〇氟之聚合物亦可經由各種其它反應步驟及純化步驟獲得。 於刀子鍵之中間區段存在之經基係自表氣醇衍生。分子之 終端結構大部份係羥基。 再者’依據本發明之潤滑劑可包含藉由使具有以化學 "V、9 矣一 工 不之結構之化合物與表氯醇反應’及其後與縮水甘油 12 201009825 反應而形成之含氟聚合物,其具有不少於2〇〇〇且不多於 12,000之數平均分子量,且於分子内於分子鏈之中間區段 具有1_0至10.0個經基。除上述反應外,潤滑劑亦可經由其 它反應步驟及純化步驟獲得。 5 任何已知方法可用於上述反應。分子鏈之中間區段之 經基係自表氯醇衍生。於分子鏈端部之 -CH2-CH(OH)-CH2-〇H係自縮水甘油衍生。 終端之經基可藉由使形成聚合物與適當化合物反應而 以其它基取代或封端。碘化甲烷、羧酸酐等可用於此取代 10或封端"藉此,含氟聚合物之終端基獲得以化學式3表示 之結構。OCOCH3、COOH、〇CH3及OCH2CH3係極性R基之 例子,烧基係烴R基之例子。 _R..................(3) (於化學式3,R表示極性基或烴基。) 15 再者,亦較佳者係依據本發明之含氟聚合物係藉由使 用以化學式2表示之化合物獲得,其中,化學式2之Cf2〇及 Cfe之結構單元之部份或全部係以以化學式4及5表示之 結構之一者取代。 -CF2CF2CF2-.........(4) —cpcf9— …6)
I cf3 需注意相似於以化學式1表示之結構可藉由使表氣醇 及/或縮水甘油與包含以化學式4及/或化學式5表示之結構 13 20 201009825 之可購得的含氟聚合物反應而合成。 藉由本發明,提供一種使一分子層之膜厚度呈足夠小 之潤滑劑’即使當潤滑劑具有高分子量時。認為於包含具 有此一結構之含氟聚合物之潤滑劑内,較佳地,存在於分 5子之中間區段之極性基(羥基)係與二分子端部及其附近之 極性基(羥基)一起被附接至塗敷潤滑劑之表面(其後稱為欲 被塗覆之表面),因此,分子不會上升高於經塗覆之表面, 且此作用可使潤滑劑層具有極小之膜厚度,即使當潤滑劑 具有南分子量時。 1〇 第1-3圖解釋此等狀態。第2圖係顯示其中於含氟聚合 物1之二端部具有極性基Pol之狀態之示意圖;第1圖係其間 於分子鏈之中間區段具有一極性基Pol且於含氟聚合物1之 二端部具二個之狀態;且第3圖係其中於分子鍵之中間區段 具有二極性基Pol且於含氟聚合物1之二端部具有二者之狀 15態。假設第1-3圖具有相同分子長度,可瞭解當於分子鏈之 中間區段具有極性基時,含氟聚合物之分子1距離經塗覆之 表面2之距離L係較小。 因此,因為此研究,可認為包含具有以化學式1表示之 結構,具有不少於2,000且不多於12,000之數平均分子量, 20及於分子内於分子鍵之中間區段平均具有1.0至1〇.〇個經基 之含氟聚合物之潤滑劑可提供與如上所述潤滑劑之相似功 效’即使其係自未於上述之原料組成物述及之任何原料形 成。 於任可上述情況,分子鏈之十間區段之羥基數於分子 14 201009825 内平均較佳係1.0-5.0。少於1〇時一分子層之膜厚度易變 k較大 |型情況’ _分子層之膜厚度可超過2⑽。超 過10.0時無特別之改良被達成相反地當含氣聚合物 之數平均刀?量於其後描述之2麵以麵之範圍時,典型 5上會造成其間太多經基存在於太短之分子鏈内且分子易由 於藉由經基造成之分子間交互作用而黏合之狀態,造成潤 滑劑膜厚度變動(即,潤滑劑膜厚度會隨時間局部增加)。 於上述範圍’只要與欲被塗覆之表面之黏合順利,可 被認為依據本發明之含氟聚合物距經塗覆表面之距離L會 ⑴於與含氟聚合物距距經塗覆表面之距離L相同之等級,後者 之聚合物僅於端部具有極性基,且整個分子具有與前者聚 合物之極性基間之結構部份者相同值之分子量。 關於數平均分子量,少於2,000時,高溫時藉由耐久性 指示之遷移性質及膜厚度減少速度會變壞。再者,潤滑劑 15於高度旋轉時更易消散。超過12,000時,黏度會太高,且 磁性§己錄媒體及磁頭於低溫時之上述对久性會變壞。 若上述說明被進一步推廣,當於分子鍵之中間區段存 在一或多個極性基時,可自於極性基間之分子鏈間之至少 一分子鏈之化學式重量之程度之觀點研究。 2〇 以此考量為基礎之研究結果,發現若下述要件被滿足 時’可使一分子層之膜厚度足夠小之潤滑劑可被獲得:若 非羥基之極性基可自包含,例如,羧基、羰基、磺酸基、 硝基,及腈基(但,不包含醚鍵)之已知極性基適當選擇,包 含於潤滑劑内之含氟聚合物具有以化學式丨表示之結構, 15 201009825 瘳 10 Η-((ΧΖ)„· (ΥΖ)ηΗΧβ· Y(w))一Η …⑴ [{於化學式1,m及η每一者係不少於〇之實數(其中,取及打 不同時為0); {(XZ)m,(YZ)n}指示結構單元χζ&結構單^ υζ可相互呈無規順序或嵌段噸序;相似地,(Xs,指示 結構單元X及結構單元Y可相互呈無規順序或嵌段順序;谷 係不少於0且不多於1之實數;X、丫及2;之化學結構係依序 如化學式12、13及14所示(其中,X、γ及z之每一氫可以具 有1-3個碳之有機基(其可包含醚鍵,亦可包含一或二個極性 基及氟作為其氫之取代基)取代, -O CH2CH20) BCH2CF20 CF2CF20) p CF2〇) qCF2CH2 OCI^CH^ bO- . ·. (J_ 功 {於化學式12 , a、b、p及q每一者係不少於〇之實數(其中, p及q係不同時為0);且CFzCFsO及CFzO之結構單元可相互 呈無規順序或嵌段順序, -OCH.
Pol
Pol 15 {於化學式13 ’ c、d、r及s每一者係不少於〇之實數(其中,r 及s係不同時為〇) ; CF2CF2〇及CFzO之結構單元可相互呈無 規順序或嵌段順序;且Pol係於化學式中彼此個別地,且與 其它化學式彼此個別地係極性基}, —ch^hch2- Pol 2〇 (於化學式14,Pol係與其它化學式彼此個別係極性基; 16 201009825 且相鄰極性基間之分子鏈之數平均分子量係不少於500。關 於依據本發明之含氟聚合物之分子量,不少於2,〇〇〇且不多 於12,000之數平均分子量係較佳。相似於上述描述之理由 一般係可應用於平均分子量之上下限,特別是對於磁性記 5 錄媒體。 極性基本身不被包含於相鄰極性基間之分子鏈之數平 均分子量之計算。當無分支結構存在於相鄰極性基之間 時’數平均分子量可由聚合物鏈上之相鄰極性基間之分子 鏈決定。若無極性基之分支結構存在於相鄰極性基之間, 10分子量係於未計算分支結構而計算。若具極性基之分支結 構存在於相鄰極性基之間,當自分支結構上之極性基看時 之於相鄰極性基間之分子量亦被計算。於此情況,分子量 係於未計具自連接相鄰極性基之鏈部份分支之結構部份而 計算。例如,於第4圖之情況,Ma、Mb及Me被計算。於第 15 4圖,po1表不極性基。在此,於本發明中之"相鄰,,一辭係指 如第4圖所示之於聚合物鏈(包含分支鏈)上之極性基與下一 極性基之關係。 具有其間於分子端部及其附近之極性基係彼此接近之 情況。若於一此情況存在於分子端部及其附近之相鄰極性 20基間之分手鏈亦被計算於數平均分子量内,相鄰極性基間 之分子鏈之分子量之變動會較大,可能使上述之不少於5〇〇 之要求不足夠。研究結果,發現若距分子終端五個碳内具 有二或更多個極性基(包含極性終端基),較佳係將其等成為 一將距分子終端之五個碳原子之部份處理為一極性基之 17 201009825 基,以便選擇滿足上述 物。 之"不少於500” 之要求之含氟聚合 劑層: = 平均分子量少於5°〇時,係難以使潤滑 劑層之膜厚度呈極小,可_因為由於 量不少於 而使聚合物之黏合易發生。更佳錢數平均ίΓ 15_。 丁
具學式1表示之結構之含敗聚合物可由-種或 多種組成。例如,當於化學式1中㈣且Η時其具有無任 何Y組二之結構,且當㈣=〇時,其具有無任狀组份之結 10構。依據本發明之含敦聚合物可由具有此等結構之任-者 之含氟聚合物所組成,或其可由此等之二者以混合物組成。 ”x、Y及Z之每-氫可以具有13個碳之有機基(其可包 含賴,且亦可包含—或二個作為其氨之取代基之極性基 及氟)取代”一辭係意指以化學式α示之結構不僅可為以 15化學式1本身指示之”無任何分支之結構",亦可為具有分支 之結構’於此情況之分支可包含1-3個碳,及介於碳間之 氧’且於此情況與碳鍵結之氫可以極性基及/或氣取代。上 述Pol於化學式13巾之彼此與化學式13及14_別係表示 極!·生基於本發明極性基,,一辭係如上所述指除醚鍵外 2〇之極性基。極性基之例子包含經基、叛基、幾基、續酸基、 石肖基’及腈基。-般而言’由輕易獲得之觀點,對系統之 影響(諸如,腐蝕)等而言,羥基係較佳之極性基。於此情況, 更佳係極性基僅係羥基。再者由輕易生產之觀點而言, 於許多實施例’較佳係含氟聚合物不包含除化學式13及14 18 201009825 中之Pol外之極性基,且無分支結構被包含。 如於實施例中將解釋般’於上述情況之任一者中較佳 係含氟聚合物之相鄰極性基間之分子鍵之數平均分子量係 不多於3,000。發現當由平均值之觀點來看時,若相鄰極性 5 基間之結構部份之分子量超過3,000時,潤滑劑層之膜厚度 易較大,且因此,此值較佳係不多於3,〇〇〇。 再者’有關具有此一結構之含氟聚合物,端基可以如 上相同方式具有以化學式3表示之結構。化學式3中之r之結 構可藉由任何已知方法引入。 〇 再者,於化學式卜亦可使CFiO及C2F40之結構單元之 部份或全部以藉由化學式4及5表示之結構之一取代。以此 等結構,表面能量等之減少係可被預期。 -CF2CF2CF2..........(4) 15 以化學式3、4及5表示之結構可藉由任何已知方法引 入0 於上述之含氟聚合物,於分子内於分子鏈之中間區段 平均具有1.0至10.0個極性基(例如,㈣)之條件可除上述之 不J/於5GG之數平均分子量之條件外另外被使用或作為替 2〇代。依據本發明之潤滑劑可僅由任何之上述含氣聚合物組 成或亦可包含其它聚合物。作為其它聚合物,非上述含 |1聚口物之含氟化合物係較佳。此等含氟化合物較佳係具 19 201009825 有對於潤滑劑之關於分子量、氟含量等所需之性質。作為 此一含氟化合物,至少一選自以化學式9、⑺及丨丨所示者所 組成族群之化合物係較佳。其等係可購得。 R1CF20-(CF2CF2〇)pl.(CF2〇)ql.CF2-R2......(9) 5 R1-0-(CF2CF2CF2〇)r,.cF2CF2-R2............(1〇) F-(CPCF2〇) s,-CFR2 ."(LI) cf3 cf3 (於化學式9-11 ’ R1及R2於化學式中彼此個別且於與其 它化學式獨立之每一化學式中係選自羥基、羧基、胺基, 及磷氮烯環所組成族群之基,包含作為一取代基或多個取 10代基之一或多個選自羥基、羧基、胺基,及磷氮烯環所組 成族群之基之單價脂族烴基,可包含羰基、醚基,或羰基 及醚基,可包含雙鍵、三鍵,或雙鍵及三鍵,且可為分支, 及每一者具有作為一取代基或多個取代基之一或多個選自 羥基、羧基、胺基,及磷氮烯環所組成族群之基之單價芳 15香族經基及單價雜環芳香族烴基;p’、q’、Γ,及s,每一者係正 實數,且化學式9-11中之每一結構單元於每一化合物之妗 構内可相互呈無規順序或嵌段順序)。 進一步研究結果,發現撇開上述條件,即使當具極性 基之潤滑劑被用以增加用以使潤滑劑維持於基材上之性質 20時,潤滑劑之擴散係數及其黏度間之特定關係之存在會限 制潤滑劑膜厚度之變動。推測雖然認為此—潤滑劑膜厚^ 變動係藉由因極性基造成之分子間交互作用產生之八子黏 20 201009825 。所I*成’但刀子之黏合可藉由潤滑劑之擴散係數及其黏 度間之特定關係而限制至可接受之程度。 特別地’較佳係包含含氟聚合物之潤滑劑具有關係 式:Y<-1.4475X+2,815,其中,丫係肩時之擴散係數之自 5然對數;且X係20〇C時之黏度。更佳係其具有關係式:γ〈屬 •X+2 〇 f此擴散係數係藉由半浸(half dip)方法決定。單位 ❷ 系μ /s u法係·"種其間藉由浸潰塗n滑劑時,满 滑劑被塗敷至碟片之—半,而非整個碟片,之方法。以此 ^錄’财麵著相而移動(擴散)至未被塗覆之碟片表 φ。由擴散距離平方對消逝相之作圖所得之斜率被定義 . 為擴散係數。黏度可以,例如,旋轉式黏度計等決定。μ 係作為單元。 15 述關係式定義於諸如磁性記錄媒體、磁頭浮動塊等 之基材上之移動性(擴散係數)及分子間交互_(黏度)間 • =關係’且指示具有小的分子間交互作用及於基材上難以 :之潤滑劑顯示未點合之趨勢。此關係特別地定義此等 參數。 20 β 條件般可應用於包含含氟聚合物之潤滑劑。但 用係應用於已於上述特別描述之各種含氟之聚合 ’,"、可於較短時間内選擇有利之潤滑劑組成物。 性卞餘ί本發明之上述各種湖滑劑可有利地用於安裝於磁 層°。即,=之磁性記錄媒體及/或磁頭浮動塊上之潤滑劑 匕含-磁性層、於磁性層上之—保護層,及於保 21 201009825 5 ❻ 10 15 20 護層上之一磁性記錄媒體潤滑劑層之磁性記錄媒體(其 中,磁性記錄媒體潤滑劑層係藉由塗敷上述潤滑劑而形 成),及用於讀取及/或記錄至磁性記錄媒體及/或自其複製 之磁頭浮動塊(其具有一保護層及一藉由使上述潤滑劑塗 敷於面向磁性記錄媒體之側上而形成之磁頭浮動塊潤滑劑 層可使>間滑劑層之膜厚度呈極小,因此,可順從窄的磁頭 飛行高度之要求。 於此情況,較佳係於塗敷潤滑劑後於磁性記錄媒體潤 滑劑層及磁頭浮動塊潤滑劑層上實行熱處理,以改良塗敷 至表面之潤滑劑之表面均勻性及其與表面之黏著性。熱處 理較佳係於7(M50°C之環境溫度實行〇 5_2小時。亦較佳係 於塗敷㈣劑後實行紫外線照射處理。熱處理及紫外線照 射處理之任-者或二者可被實施。可使紐二者且先實 施熱處理且其後進行紫外線照射處理,以改良與欲被塗覆 表面之黏者性。 對於用於形成欲以依據本發明之湖滑劑塗覆之磁性記 錄媒體及磁H動塊之表面之材料並無限制,任何材料可 自已去材料適田選擇。對於諸如錄之極性基具有某些程 度之親和力者一般係較佳。 依據本發明之磁性記錄裝置將於下使用,例如,硬碟 裝置作解#依據本發明之"磁性記錄裝置"可包含任何及 所有之使用魏記錄媒體及磁頭浮動塊之磁性記錄裝置, 只要其料與本發明之概念相抵觸。 第21圖係顯示内部結構之硬碟裝置之示意平面圖;且 22 201009825 第22圖係顯示磁頭及磁性記錄媒體間之關係之示意截面圖 (藉由沿垂直於磁性記錄媒體之磁性層之方向截取而獲得 之圖)。 如第21圖所示,此硬碟機具有作為主要元件之一磁性 5記錄媒體11、-具有一磁頭之磁頭浮動塊212、一用於磁性 記錄媒體11之_控制機構3(例如,主轴馬達)、一磁頭定 位機械4,及記錄/複製信號之處理電路5(讀/寫擴大器等卜 如第22圖所示,磁頭浮動塊212係藉由一懸浮器6及用 於可撓性地支撐磁頭浮動塊212之平衡環圈7而與磁頭定位 10機構4連接,且磁頭8係設於磁頭浮動塊212之尖端。磁頭浮 動塊保護層9及磁頭浮動塊潤滑劑層1〇係設於磁頭浮動塊 之表面上。 磁性記錄媒體11由第22圖之底部係具有一基材12、— Cr下層13、一磁性層14、一磁性記錄媒體保護層15、—磁 15性記錄媒體潤滑劑層16等》諸如種晶層之其它層可被提 供,但此等係自圖式省略。 實施例 下列係本發明之實施例及比較例之詳細描述。 實施例1 20 (潤滑劑之合成) 於500毫升之丙酮,添加100克之FOMBLINZDOL(其係 可購得((SolvaySolexis之產品,相對應於以化學式2表示之 結構,其中,x=y=〇,分子量係2,020))及0.125莫耳之表氣 醇。藉由使0.11莫耳之氫氧化鈉溶於5克之水而形成之水溶 23 201009825 5 9 10 15 ❷ 液於充份攪拌下滴至混合物内持續10分餹、句人也 里浞合物被加熱 及迴流8小時。 ‘ 其後,丙酮係使用蒸發器蒸發,添加25克之三氟乙酸 及250毫升之水’且混合物於,C_3小時。_物= 收,且以80°C之水清洗。 藉由FT-IR、hNMR^CN·,及、決定此聚合 物具有以化學式1表示之分子結構,其中,n=a=b=〇,且 第5-8圖顯示一些形成之光譜。由i9FNMR,決定數平均分 子量係4,653 ’平均聚合度係2.14 ’且相鄰羥基間之分子鍵 之數平均分子量紙_。可瞭解數平均分子量係將於下描 述之數平均分子量(Ml, M2,…)之平均值。 田 此外,上述聚合物潤滑劑接受使用二氧化碳之超臨界 流體且改變溫度及壓力之溶解及萃取。數平均分子量 (Mn)、平均聚合度⑺、相鄰極性基(羥基)間之分子鏈(Ml M2, ...)之數平均分子量(Mc),及經萃取之潤滑劑之一分子 内之平均羥基數係與分級物編號(Frl _ Fr7)一起顯示於第1 表。 [第1表] 分級物編號 Mn r Me hrl 1574 ] ΙΛ3~^ 1220 ' br2 ^ ----- 2211」 1.21」 1650 ^γ3 3259 1.47~j 2050 Fr4 4774 2.08 2100 ' Fr5 7426 2.94 〜 2330 Fr6 11328 4.45 2340 · Fr7 12072 4.55 Γ 2450 20 (一分子層膜厚度之測量) 24 201009825 一分子層膜厚度可如X. Ma等人於"化學物理期間 (Journal 〇f Chemical Physics)”,1999,第 no冊,3,129-3 137 頁所述,自平頂結構(見第9圖中之A),其係於潤滑劑正被 流體化時出現(見第9圖),經由以橢圓測厚儀觀察依時間而 5 改變之潤滑劑膜厚度之截面分佈,而獲得。 潤滑劑Fr4係藉由浸潰方法塗敷至硬碟之保護層之一 部份,且依時間而改變之潤滑劑膜厚度之截面分佈被觀 察。因此,如第9圖所示,平頂結構出現,且平頂之膜厚度 被決定係1.74 nm(即,一分子層之膜厚度卜第9圖之左邊部 10份之較小數值指示未塗覆潤滑劑之保護層表面。認為右邊 結構之數值大於平頂結構者係指示藉由二或更多個分子形 成之膜厚度結構。 以相同方式自FOMBLIN Z DOL(分子量係2,022)獲得 之數值係1.66 nm。換言之,發現依據實施例丨之含氟聚合 15物具有約相同程度之一分子層膜厚度,即使分子量係係高 達FOMBLIN Z D0L之二倍或更多。此被認為係藉由潤滑劑 係以位向基材之極性基而與基材黏著之事實所造成。 然後,相鄰極性基(經基)間之分子鏈(Ml, M2, 之數 平均分子量(Me)與自經由如上解釋之橢圓測厚儀獲得之一 20分子層膜厚度間之關係被繪製成第10圖。 因此’推定當數平均分子量高達3,000時,一分子層之 膜厚度可大至2.5 nm之數值。若一般認為之塗覆膜厚度最 佳係一分子層膜厚度之約80%於此被使用時,Me為約3,〇〇〇 之情況造成2nm之塗覆膜厚度^此數值以其促成之磁性間隔 25 201009825 及磁頭飛行安定性而言一般被認為係太大。因此,由Me之 觀點,此數值更佳係不多於3,000。 5 10 15 Ο 20 在此’自表面自由能之測量結果決定塗覆表面之覆蓋 係足夠。換言之,FOMBLINZDOL之表面自由能數值係23 mN/m,於實施例1之Fr4含氟聚合物之情況係18 mN/m,此 係於足夠低之表面能量狀態。 實施例3 (潤滑劑之合成) 於500毫升丙酮,添加1〇〇克之F〇MBLIN z d〇L TX(其 係可購得(SolvaySolexis之產品,分子量係2〇〇〇,x、y之平 均值係1.73,結構見化學式31))及0.125莫耳之表氣醇。藉由 使0.11莫耳之氫氧化鈉溶於5克之水而形成之水溶液於充份 攪拌下滴至混合物内持續1 〇分鐘。混合物被加熱及迴流8小 時。 其後,丙酮係使用蒸發器蒸發,添加25克之三氟乙酸 及250毫升之水,且混合物於7〇〇c攪拌3小時。沈積物被回 收,且以80°C之水清洗。 Η-ο cf2cf2〇)p ΟαΗ,ΟΗ^^Ο-Η …(31) 藉由FT-m、1HNMR、nCNMR,及%ΝΜΚ決定此聚合 物具有以化學式32表示之分子結構。由、歐,決定數平 均分子量係4,138,平均聚合度係丨.98,且相_基間之分 子鏈之數平子量机·。可瞭_平均分子量係將於 下描述之數平均分子量(Μ1,Μ2,…)之平均值。 26 201009825 Η— ί (ΧΖ)098— (X)} ~*Η ·· (32) 此外,藉由合成而獲得之潤滑劑接受使用二氧化碳之 超臨界流體且改變溫度及壓力之溶解及萃取。數平均分子 量(Μη)、平均聚合度(r)、相鄰極性基(羥基)間之分子鏈(Μ1, 5 M2,…)之數平均分子量(Me),及經萃取之潤滑劑之一分子 内之平均羥基數係與分級物編號(FrlT - Fr6T)—起顯示於 第2表。 [第2表] 分級物 Μη r Me OH/分子 FrlT 1345 1.11 950 2.1 Fr2 T 1740 1.3 1100 2.3 Fr3 T 2283 1.44 1370 2.4 Fr4 T 4013 1.98 1870 3.0 Fr5 T 9160 2.95 3000 4.0 Fr6 T 10769 4.34 2410 實施例4 10 (飛行性質之評估) 實施例1獲得之潤滑劑(F r 4)係藉由浸潰方法塗敷至硬 碟之保護層,且滑動測試被實行以評估飛行性質。潤滑劑 之塗覆厚度係1.2 nm。塗覆物m130〇c環境溫度接受熱處理 50分鐘。當其上置放壓電元件之滑動器於6 nm高度浮動且 15碟片以8.9 m/s之圓周速率旋轉時,此測試監測壓電元件之 輸出。 為了比較,相同測試係對具有38 Gbit/inch2(轉化值係 5·89 Gbit/cm2)之記錄密度之可購得碟片實行。如第11及12 圖所不’其間並無差異,表示其間依據本發明之潤滑劑被 20用於潤滑劑層之磁碟顯示良好之飛行性^於第^及^, 27 201009825 w $軸表不於碟片上之沿碟片徑向之位置,且縱軸表示 壓電元件之輸出電壓。 再者,為了比較,可購得之FOMBLINZDOL(分子量, 4,000)係藉由浸潰方法塗敷至硬碟之保護層且滑動測試被 5實行以*平估飛行性質。潤滑劑之塗覆厚度係12膽。塗覆 物於13GC之環境溫度接受熱處理5〇分鐘。 發現磁頭於此條件下不會飛行。此被認為係藉由分子 量高所造成’因此,一分子層膜厚度大,造成飛行失效。 實施例5 10 (飛行性質之評估) 實施例3獲得之潤滑劑(Fr4T)以與實施例4相同之方式 藉由浸漬方法塗敷至硬碟之保護層,且滑動測試以與實施 例4相同方式實行以評估飛行性質。結果,相似於實施例4 中之Fr4,良好之飛行性質以此潤滑劑達成。 15 實施例6 (飛行性質之評估) 起飛速度(TOV)及降落速度(TDV)係使用CSS(接觸-起 始-停止)測試機器決定。TOV係定義為於增加碟片旋轉速度 期間磁頭開始飛行時之速度,且TDV係定義為於減少碟片 20 旋轉速度期間磁頭與碟片磁觸時之速度。 使用之磁頭係產生10 nm飛行高度者,且潤滑劑(於實 施例1之Fr4)被用於使用磁碟之磁性記錄媒體潤滑劑層。與 實施例4之情況般相同之熱處理被實行。 為了比較,相同測試係對具有38 GbitAnch2(轉化值係 28 201009825 5.89 Gbit/cm2)之記錄密度之可購得碟片實行。結果係顯示 於第13及14圖。其間並無差異,表示良好飛行性質。於第 13及14圖,橫軸表示於碟片上之沿碟片徑向之位置,且縱 軸表示碟片之旋轉速度。 5 參 10 15 20 實施例7 (低溫性質) 實施例1之潤滑劑(Frl _ Fr7)及實施例3之潤滑劑(FrlT -Fr6T)藉由浸潰方法塗敷至硬碟之保護層,且css(接觸-起 始-停止)測試被實行以評估低溫時之性質。濶滑劑之塗覆厚 度係1.2 nm,且等於130。〇之環境溫度接受熱處理5〇分鐘。 CSS測試於5°C之環境溫度重複實行。結果係以Frl至 Fr6及FrlT至Fr6T,無瑕疵之操作係可多於5〇,〇〇〇次,其係 標準,而於約第38,000周時,Fr7發生磁頭破裂。換言之, 當分子量超過12,000時,低溫時之耐久性顯著降低。此係 如第15圖所示係由於低在溫時黏度顯著增加。 實施例8 實施例1合成之潤滑劑中,Fr4、Fr5及Fr6於20°C接受黏 度測量(單位:pas),及於23°C時之擴散係數(單位: pm2/s)。 結果顯示於第3表。當於23°C時之擴散係數(單位:pm2/s) 之自然對數作為Y,且於20°C時之黏度(單位:Pas)作為X而 繪圖時,黏度及於23°C時之擴散係數之自然對數間之關係 滿足第20圖所示之關係式Υ<-1·4475Χ+2.815。在此,擴散 係數係藉由半浸方法決定,且黏度係以旋轉式黏度計決 定。於半浸方法,重要的是其間潤滑劑被塗覆之區域及其 29 201009825 間满潸劑未被塗覆之區域之間之邊界於剛塗敷潤滑劑後係 清楚的,即’潤滑劑被塗覆以使邊界線於碟片表面上儘可 能垂直地形成。 此等潤滑劑係以約3 nm厚度均勻地塗敷至磁碟,於室 5溫靜置140小時,然後,黏著(或凝結)狀態被觀察。結果, 無顯著之黏著被觀察到。剛塗敷後及塗敷140小時後之膜厚 度分佈係顯示於第16及17圖。 [第3圖] 潤滑也 20°C時之黏度(Pas) In [擴散係數(單位:pm2/s)l Fr4 J Fr5 Fr6 0.323 1.9595 0.613 0.8856 1.39 口.2123 比較例1 10 為了比較,包含含氟聚合物之潤滑劑(A、B、C)(當於 23〇C時之擴散係數之自然對數作為Y且於20°C之黏度作為 X而繪圖時,此等潤滑劑具有關係式Y=-1.4475X+2.815)係 以與實施例8相同之方式塗敷至磁碟,且黏著(或凝結)狀態 於使其等靜置140小時後觀察。在此,擴散係數係藉由半浸 15方法決定’且黏度係以旋轉式黏度計決定。 第4表顯示所用潤滑劑之黏度與於23°c時之擴散係數 間之關係。第18及19圖顯示於塗敷後立即時及於室溫靜置 140小時後之個別之膜厚度分佈。此外,第20圖顯示與實施 例9之潤滑劑之關係相比較之黏度與於23。(:時之擴散係數 20 間之關係。 3〇 201009825 [第4表] 潤滑劑 20oC時之黏灰(Pas) In[擴散係數(單位:pm2/s)] A 0.089 2.7079 B 0.727 1.732 C 2.18 -0.3281 實施例9 (潤滑劑之合成) 於實施例1獲得之潤滑劑,添加溶於三級醇及四氫咬鳴 5内之2.2當量之第三丁氧鉀。其後,添加2當量之縮水甘油。 @ 混合物於室溫反應6小時。25克量之三氟乙酸及250毫升之 水被添加,其後於70°C攪拌3小時。沈積物被回收’且以8〇°c 之水清洗。 藉由FT-IR、iHNMR、13CNMR ’ 及 19FNMR決定’此聚 10 合物具有以化學式1表示之分子結構,其中,a=b=〇 ’ ,n=〇.86,且δ=0.25。 【明式簡單嫌•明】 第1圖係顯示附接至欲以極性基,Pol,塗覆之表面之 〇 含氟之聚合物之狀態之示意圖; 15 第2圖係顯示附接至欲以極性基,P〇l,塗覆之表面之 含氣之聚合物之狀態之另一示意圖; 第3圖係顯示附接至欲以極性基,Pol,塗覆之表面之 3氣之聚·合物之狀態之另一示意圖;
第4圆係例示如何記算相鄰極性基間之分子鏈之數平 20均分子量H 第5圖係實施例1提供之化合物之FT-IR圖; 第6圖係實施例1提供之化合物之1HNMR圖; 31 201009825 第7圖係實施例1中提供之化合物之13CNMR圖; 第8圖係實施例1中提供之化合物之19FNMR圖; 第9圖係顯示潤滑劑膜厚度之截面分佈之藉由橢圓測 厚儀獲得之圖; 5 參 10 15 ❿ 20 第10圖係顯示相鄰羥基間之結構部份之數平均分子量 (Me)與一分子層膜厚度間之關係之圖; 第11圖係顯示滑動測試結果之圖; 第12圖係顯示滑動測試結果之另一圖; 第13圖係顯示TDV及TOV測試結果之圖; 第14圖係顯示TDV及TOV測試結果之另一圖; 第15圖係顯示潤滑劑之依溫度而定之黏度性質之圖; 第16圖顯示剛塗覆後立即之膜厚度分佈之圖; 第17圖顯示於塗敷後140小時之膜厚度分佈之圖; 第18圖顯示剛塗覆後立即之膜厚度分佈之圖; 第19圖顯示於塗敷後140小時之膜厚度分佈之圖; 第20圖係顯示20°C時之黏度及23°C時之擴散係數之自 然對數間之關係圖; 第21圖係顯示内結構之硬碟裝置之示意平面圖;及 第22圖係顯示磁頭與磁性記錄媒體間之關係之硬碟裝 置之示意截面圖。 【主要元件符號說明】 1……含氟聚合物之分子 11……磁性記錄媒體 2……經塗覆之表面 212......磁頭浮動塊 32 201009825 3……旋轉控制機構 10... …磁頭浮動塊潤滑劑層 4……磁頭定位機械 11... …磁性記錄媒體 5……記錄/複製信號之處理電路 12... …紐 6......懸浮器 13... …Cr下層 7……平衡環圈 14... …磁性層14 8......磁頭 15... ...磁性記錄媒體保護層 9……磁頭浮動塊保護層 16... …磁性記錄媒體潤滑劑層
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Claims (1)
- 201009825 七、申請專利範圍: 1. -種潤滑劑,包含—含氟之聚合物,其具有以化學式】 表示之結構,且於相鄰極性基間之分子鍵具有不少於獅 之數平均分子量: H—i(XZ)m· (YZ)nJ一(Xtf γ (1~幻)一 Η (1)10 15 參 [{於化學式1,η^η每-者係不少於0之實數(其_, η不同時為〇) ’ {(xz)m,(γζ)η}係指示結構單元χζ及結構 單tlYZ可相互呈無規順序或嵌段順序;相似地,(知 係指示結構單元X及結構單元γ可相互呈無規順序 或嵌段順序;δ係不少於〇且不多於匕實數;且X、丫及2 之化學結構係依序顯示於化學式12、13及14(其中X、 Υ及Ζ之每-氫可被具有碳之有機基(其可包含一鍵 鍵,且亦可包含—或二個極性基及氟作為其氫之取代基) 取代, -ο CF2CF2〇)p Οοη^,ο-…u {於化學式12’a、b、p及q每一者係不少於〇之實數(其中, p及q係不同時為0);且CFfhO^ChO之結構單元可相 互呈無規順序或嵌段順序}, -OCH^H.OCH^H.O^^O CF2CF2〇)r ㈣ Pol I 2 α3) Pol {於化學式13,c、d、r及S每一者係不少於〇之實數(其中, r及s係不同時為0) ; CFzCFzO及CF2〇之結構單元可相互 呈無規順序或叙段順序;且P〇丨係於化學式中彼此個別 34 20 201009825 地且與其匕化學式彼此個別地係極性基}, C — ···〇▲) Pol (於化學式14,P〇l係與其它化學式彼此個別係極性基)。 2.如申請專利朗第1項之潤滑劑,其巾,該含氣之聚合物 5 之平均分子量係不少於2,000且不多於12,〇〇〇。 φ 3.如申請專利範圍第1項之潤滑劑,其中,該Pol係羥基。 4.如申請專利範圍第1項之潤滑劑,其中,該含氟之聚合物 之相鄰極性基間之分子鏈之該數平均分子量係不多於 3,000 〇 ' 10 5.如申请專利範圍第1項之潤滑劑,其中,該含氟之聚合物 具有具以化學式3表示之結構之端基, ...............(3) (於化學式3,R係極性基或烴基)。 φ 6·如申請專利範圍第丨項之潤滑劑,其中,化學式丨之以^^ 15 及C2F4〇之結構單元之部份或全部係以化學式4及5表示 之結構之任一者取代, -CF2CF2CF2............. ~ CFCF„- *·· 6) I ο 7·如申凊專利範圍第1項之潤滑劑,其中,該含氟之聚合物 不具有除羥基外之極性基。 35 201009825 8.如申請專利範圍第1項之潤滑劑’其中,該含氟之聚合物 於分子内於該分子鏈之中間區段具有平均1.〇至1〇.〇個經 基。 9. 一種潤滑劑,包含一含氟之聚合物’其係藉由使具有以 5 化學式2表示之結構之化合物與表氣醇反應而形成,具有 不少於2,000且不多於12,000之數平均分子量,且於該分 子内於分子鏈之中間區段具有平均1.0至10.0個羥基, H0(CH2CH20)xCH2CF20(CF2CF20)p.<CF20)q..CF2CH2(0CH2CH2)y0H...(2) {於化學式2,p"、q"、X,及y彼此個別係不少於〇之實數 10 (其中,p"及q"不同時為〇);且CF2CF20及CF20之結構單 元可相互呈無規順序或嵌段順序}。 10. 如申請專利範圍第9項之潤滑劑,該潤滑劑包含一含氟之 聚合物,其係藉由使具有以化學式2表示之結構之化合物 與表氯醇反應,其後與縮水甘油反應而形成,具有不少 15 於2,〇〇〇且不多於12,000之數平均分子量,且於該分子内 於該分子鍵之中間區段具有平均1.0至10.0個羥基。 11. 如申請專利範圍第9項之潤滑劑,其中,該含氟之聚合物 具有具以化學式3表示之結構之端基, ...............Ο) 20 (於化學式3,R係極性基或烴基)。 12. 如申請專利範圍第9項之潤滑劑,其中,化學式2之cf2〇 及c:2F4〇之結構單元之部份或全部係以化學式4及5表示 之結構之任一者取代, -CF2CF2CF2..........(4) 36 201009825 -CFCF2- …6) CF3 Ο 13. 如申請專利範圍第1項之潤滑劑,該潤滑劑包含一非該含 氟I合物之含氟化合物。 14. 如申請專利範圍第13項之潤滑劑,其中,該非該含氟聚 5 合物之含氟化合物係至少一選自具有以化學式9、10及11 表示之結構之化合物所組成族群之化合物, R1CF20-(CF2CF20)p..(CF20)q.-CF2-R2......(9) R 丨-0-(CF2CF2CF20)r,-CF2CF2-R2......(10) f-(cfcf2o)s,-CFR2 ··· αι) cf3 cf3 10 (於化學式9·11,R1及R2於化學式中彼此個別且於與其它 化學式獨立之每一化學式中係選自羥基、羧基、胺基, 及磷氮烯環所組成族群之基,包含作為一取代基或多個 取代基之一或多個選自羥基、羧基、胺基,及磷氮烯環 所組成族群之基之單價脂族烴基,可包含羰基、醚基, 15 或羰基及醚基,可包含雙鍵、三鍵,或雙鍵及三鍵,且 可為分支,及每一者具有作為一取代基或多個取代基之 一或多個選自羥基、綾基、胺基,及磷氮烯環所組成族 群之基之單價芳香族烴基及單價雜環芳香族烴基;p,、 、Γ’及S’每一者係正實數,且化學式9-11中之每一結構 20 單凡於每一化合物之結構内可相互呈無規順序或嵌段順 37 201009825 序)。 15. 如申請專利範圍第1項之潤滑劑,其中,該包含一含氟聚 合物之潤滑劑具有關係式:Y<-1.4475X+2.815,其中, Y係於23°C時之擴散係數(單位:gm2/s)之自然對數;且X 5 係於20°C時之黏度(單位:Pas)。 16. —種磁性記錄媒體,包含一磁性層、一於該磁性層上之 保護層,及一於該保護層上之磁性記錄媒體潤滑劑層, 該磁性記錄媒體潤滑劑層係藉由塗敷如申請專利範圍第 1項之潤滑劑而形成。 10 17. —種磁頭浮動塊,其係裝設一用於記錄/記錄-複製至/自 磁性記錄媒體之記錄轉換器,該磁頭浮動塊於面向該磁 > 性記錄媒體之表面上具有一保護層,及一藉由塗敷如申 •請專利範圍第1項之潤滑劑而形成之磁頭浮動塊潤滑劑 層。 參 38
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