TW200952181A - Process to make metal oxide thin film transistor array with etch stopping layer - Google Patents
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Description
200952181 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明之實施例大致關於一薄膜電晶體（TFT)製造方 法’以及以該方法所製造之TFT。 【先前技術】 時下對於TFT陣列有極高的關注，此係因為這些元件 ® 可用在這類常用於電腦與電視面板的液晶主動式矩陣顯 示器（LCDs)中。LCDs亦可包含發光二極體（LEDs)以作為 背光源。此外，有機發光二極體（OLEDs)已用於主動式矩 陣顯不器’且這些OLEDs利用TFTs來處理顯示器的作 動。 非晶梦作為主動材料所製成的TFTs已成為面板顯示 器產業的關鍵要素。在差業中一般有兩種類型的TFTs。 ❷ 第一類稱為頂部閘極TFT，因為閘極係位在源極與汲極 上方。第一類稱為底部閘極TFT ,因為閘極係位在源極
與汲極下方。在底部閘極TFT結構中，源極與汲極乃設 置在主動材料層上D 底部閘極TFT中的源極與汲極可藉由在主動材料層上 沉積一金屬層，且接著蝕刻金屬層以定義源極與汲極來 製造。在蝕刻期間，主動材料層可暴露於電漿下◊主動 材料層的電漿暴露對丁!^的性能有負面影響。為了防止 主動材料層的電漿暴露，可使用一蝕刻終止。因此，與 200952181 無-蝕刻終止層底部閘極TFTs相比，蝕刻終止層底部閘 極TFTs —般具有較佳的枝能。 #刻終止層底部間極TFT具有—蝕刻終止層沉積在主 動材料層與作為源極與汲極的金屬層之間。蝕刻終止層 / 為毯覆式沉積（bIanket deposited)且接著利用遮罩進行蝕 ·' 刻，以使蝕刻終止的剩餘部份設置在閘極上》之後，毯 覆式沉積金屬層，續以利用遮罩蝕刻主動材料層與金屬 ❹ 層。接著’利用遮罩藉由蝕刻以金屬層定義出源極與汲 極。因此，蝕刻終止層底部閘極TFT至少使用了三個遮 罩來進行圖案化（即，圖案化餘刻終止、圖案化主動材料 層與金屬層’以及定義源極與汲極）。相反地，未有蝕刻 終止層的底部間極TFTs冑一定至少少了一個遮罩，其因 此使得未有蝕刻終止層的底部閘極TFTs為較佳的TFT， 儘管#刻終止層底部閘極TFTs的性能較佳。 因此，仍需開發出使用較少遮罩的蝕刻終止層底部閘 ❹ 極TFT之製造方法。 【發明内容】 本發明大致關於TFTs以及製造TFTs的方法。雨的 主動通道可& & .. 或夕個選自由辞、嫁、錫、銦以及鑛 所組成之群組的金屬。主動通道亦包含氮與氧。為了在 源極-汲極圖案化期間保護主動通道，可在主動層上沉積 银刻終止層β 钱刻終止層防止主動通道暴露在用於定義 200952181 源極與汲極的電漿中。當濕蝕刻或乾蝕刻用於主動通道 的主動材料層時，蝕刻終止層與源極與汲極可作為遮罩。 於一實施例中，一種形成薄膜電晶體的方法，其包含 沉積與圖案化一閘極於一基板上；沉積一閘極介電層於 該閘極上；以及沉積一半導體主動層於該閘極介電層 上。該主動層包含氧、氮以及一或多個選自由辞、銦、 鎘、鎵以及錫所組成之群組的元素。該主動層係經換雜。 該方法亦包含沉積一蝕刻終止層於該主動層上；形成一 第一遮罩於該蝕刻終止層上；圖案化該蝕刻終止層；以 及移除該第一遮罩》該方法亦包含沉積一金屬層於該蚀 刻終止層上；形成一第二遮罩於該金屬層上；姓刻該金 屬層’以定義一源極與一汲極；以及移除該第二遮罩。 該方法亦包含蝕刻該主動層；以及沉積一鈍化層於該源 極與該汲極上。 於另一實施例中’一種方法，其包含：沉積一半導體 層於一基板上。該半導體層包含氧、氮，以及一或多個 選自由辞、鎵、銦、鎘以及錫所組成之群組的元素《該 半導體層可包含一換雜劑。該方法亦包含沉積一餘刻終 止層於該半導體層上；形成一第一遮罩於該蝕刻終止層 上；圖案化該餘刻終止層；以及移除該第一遮罩。該方 法亦包含沉積一金屬層於該餘刻終止層以及該半導體層 上；形成一第二遮罩於該金屬層上；餘刻該金屬層；以 及移除該第二遮罩。該方法亦包含蝕刻至少一部份該半 導體層，同時使用該金屬層以及該餘刻終止層作為遮罩》 200952181 於另一實施例中，一種薄膜電晶體，其包含一閘極， 其設置在一基板上，·一閘極介電層，其設置在該閘極上； 以及半導體層，其設置在該閘極介電層上。該半導體 層包含氧、氮，以及一或多個選自由鋅、鎵、銦、鎘以 及錫所組成之群組的元素。該半導體層係經摻雜。該薄 膜電晶體’亦包含一源極、一汲極以及一蝕刻終止層， 其設置在該半導體層上，以及該源極與該汲極之間。
【實施方式】 本發明大致關於TFTs及製造TFTs的方法。TFT的主 動通道可包含一或多種選自由鋅、鎵、錫、銦以及鎘所 組成之群組的金屬。主動通道可經摻雜或未經摻雜。主 動通道亦包含氮與氧。為了在源極_沒極圖案化期間保護 主動通道’一蝕刻終止層可沉積在主動層上。蝕刻終止 層防止主動通道暴露於用來定義源極與汲極的電漿下。 Ο 當濕蝕刻作為主動通道的主動材料層時，蝕刻終止層與 源極與汲極可作為遮罩。 第1A-1J圖顯示依據本發明一實施例，在各製程階段 的TFT。於第1A圖中，顯示出基板1〇〇。於一實施例中， 基板100包含玻璃。於另一實施例中，基板100包含聚 合物。於另一實施例中，基板100包含塑膠。於另一實 施例中，基板100包含金屬。 於基板100上，沉積一閘極層。閘極層可經圖案化以 200952181 閘極102 ’如第1B圖所示。閘極1〇2包含導電層，其控 制TFT内電荷載子的移動。閘極1〇2包含金屬例如鉻、 鉬、鋁、鎢、鈕、銅或其組合。閘極1〇2可利用包含濺 射、微影技術以及蝕刻的習知技術而形成。 閘極介電層106可沉積在閘極1〇2上，如第1(：圖所 ’示。閘極介電《106包含二氧化矽、氧氮化矽、氮化矽 或其組合。可藉由包含電漿增強化學氣相沈積（pecvd) Q 的已知沈積技術，沉積閘極介電層i〇6。 在閘極介電層106上，可形成主動層1〇6，如第1D圖 所示。於一實施例中，主動層1〇6經退火。於另一實施 例中，主動層106係暴露於電漿處理下。退火及/或電漿 處理可增加主動層106的遷移率。主動層1〇6包含具有 一或多個選自由辞、錫、鎵、鎘以及銦所組成之群組的 兀*素之化合物。於一實施例中，元素可包含具有填滿d 軌域的元素。於另一實施例中，元素可包含具有填滿f β 軌域的元素。主動層1〇6亦包含氧與氮。於一實施例中， 化合物可經摻雜。可使用的合適摻雜劑包含Α卜sn、Ga、 Ca、Si、Ti、Cu、Ge、In、Ni、Μη、Cr、V、Mg、SixNy、 Alx〇y以及SiC。於一實施例中，摻雜劑包含鋁。於一實 施例中’主動層106包含氧與一或多個選自由辞、錫、 鎵、鎮以及銦所組成之群組的元素。 主動層106可藉由反應性濺射法沉積。反應性濺射法 了在處理大面積基板的物理氣相沈積（PVD)腔室中施 行’例如可由AKT America，lnc.(加州Santa ciara應用 200952181 材料公司的子公司）所獲得的430〇 PVD腔室。然而，由 於依據該方法所製造的主動層受結構與組成影響，當知 反應性藏射法可用於其他包含連續式製程平台 (roll-to-roll process platforms)的系統構造中，其包含那 些建構成用來處理大面積圓形積板的系統，以及那些由 . 其他製造商所製造的系統。當知可用其他包含化學氣相 沈積（CVD)、原子層沈積（ALD)或旋轉塗佈製程的方法， 來沉積主動層106 ^ 就PVD而言，濺射靶含有辞、銦、錫、鎵以及鎘中的 一或多者❶亦可有一或多種摻雜劑。濺射包含完全反應 性濺射（full reactive sputtering)。完全反應性濺射包含在 含有反應性材料的大氣環境下，濺射一未含有反應性材 料的靶材。完全反應性濺射與RF反應性濺射的區別為 RF反應性減射無材不僅含有金屬，亦含有反應物。在 RF反應性濺射中，材料係經濺射，接著進一歩與另外在 參反應性氣體中所提供的反應物反應。 就本發明而s，完全反應性濺射的濺射乾可包含辞、 铜、錫、鎵以及録中的-或多者，且可有或沒有換雜劑。 在乾材中並無氧或氮。㈣把可為De偏壓同時㈣ 性氣體、含氮氣體以及含氧氣體導人濺射腔室中。含氮 氣體中的氮與含氧氣體中的氧接著與鋅、銦錫'鎵以 及鎘中的-或多者反應，以沉積該層於基板上。於一實 施例中’惰性氣體包含氬。於一實施例中含氮氣體可 選自氮氣、氧化氮及其組合之群組。於—實施例中，含 200952181 氧氣體可選自由氧氣、臭氧、氧化氮及其組合之群組。 主動層106可為結晶的或半晶質的。主動層1〇6可不為 非晶質的。 一旦主動層106已沉積，可沉積一蝕刻終止層，並利 * 用遮罩進行蝕刻，以使蝕刻終止108設置在位於閘極102 . 上的主動層1〇6上，如第1Ε圖所示。蝕刻終止108可藉 由毯覆式沉積、接著進行光阻沉積、之後產生圖案而形 ❹ 成。蚀刻終止108可藉由使用一或多種氣體的電漿蝕刻 來圖案化’前述氣體係選自由含氟蝕刻劑（例如cF4、 CJ6、CHF3、C4Fe)、氧氣、氮氣、惰性氣體（例如氬）或 其組合所組成之群組^於一實施例中，蝕刻終止層i 〇8 可包含氮化矽。於另一實施例中，蝕刻終止層1〇8可包 含氧氮化矽。於又一實施例中’蝕刻終止層丨〇8可包含 氧化梦。钱刻終止可藉由包含電漿輔助化學氣相沉積 (PECVD)以及旋轉塗佈的習知沈積技術進行沉積。於一 © 實施例中，敍刻終止108利用遮罩來圖案沉積（pattern deposited)。在形成蝕刻終止層108之後，可移除光阻遮 罩。 在蝕刻終止108的製造之後，金屬層11〇可沉積於其 上’如第1F圖所示。於一實施例中，金屬層可包含一金 屬，例如鋁、鎢、鉬、鉻、钽及其組合。金屬層11()之 後可經圖案化以定義源極與汲極112A、112B，如第1G 圖所示。金屬層11〇可藉由沉積一光學微影或光阻遮罩 於其上’接著利用遮罩進行蝕刻來圖案化。金屬層u〇 200952181 利用電聚蝕刻來進行蝕刻。於一實施例中電漿蝕刻可 包含將金屬層+ 1 ‘ ^ _ 暴露在含有一氣體的電漿下，該氣體 具有選自由氣、氧、氣或其組合所組成之群組的元素。 在餘刻期自未由蚀刻終止1G8覆蓋的主動層⑽會暴 露在電漿下’但閘㉟102上的主㈣106，因為有勉刻 ’、止108在故不會暴露在電漿下。暴露在電漿下的主 動層106係以比當金屬$ m暴露在電漿下更慢的速率 蝕刻。於一實施例中，當暴露在電漿下時，主動層ι〇6 可食b π全不進行餘刻。在已定義出源極與汲極 112Β之後，可移除光阻遮軍。 在電漿蝕刻之後，在主動層1〇6的濕蝕刻期間，蝕刻 終止108以及源極與極與汲極U2A、U2B可作為遮罩， 如所不第1Η圖。當暴露在濕蝕刻劑下時蝕刻終止1〇8 以及源極與極與汲極112Α、112Β以比主動層1〇6更慢 的速率進行蝕刻。於一實施例中，當暴露在濕蝕刻劑下 時，蝕刻終止108以及源極與極與汲極U2A、U2B可 能完全不進行蝕刻。因此，不需沉積與圖案化額外的遮 罩層來進行蝕刻。當蝕刻所暴露的主動層1〇6時，源極 與/及極112A、112B以及餘刻終止i〇8作為遮軍。因此’ 不需沉積或移除額外的遮罩，且與先前方法相較使用了 較少的遮罩。濕蝕刻劑可包含任何習知的濕蝕刻劑，其 可银刻有效部份以蝕刻主動層1 〇6，而不钱刻蝕刻終止 1〇8與源極與汲極112A、112B。蝕刻劑可包含pH値小 於3的酸之pH值高於10的驗。於一實施例中，银刻劑 200952181 可包含稀釋的HC1。於另—實施例中姓刻劑可包含用 來顯影光阻的同樣的溶液。 顯不電極114接著可沉積在閘極介電層104上，如所 不第II圖。顯示電極114可包含金屬，例如鋁、鎢、鉬、 鉻、鈕及其組合。鈍化& 116接著可沉積在結構上，如 所不第1J圖。沉積厚度在約1〇〇〇 Α至约5〇〇〇 Α之間的
純化層116。於一實施例中，純化層116可包含二氧化梦 或氮化發〇
第2圖為依據本發明一實施例，TFT製程的流程圖 2〇〇。在步驟202中，在基板上沉積閘極。閘極可沉積成 一層，接著利用光阻遮罩蝕刻成一圖案。於一實施例中， 閘極可圖案化沉積於基板上。在步驟2〇4中，於基板與 閘極上毯覆式沉積—閘極介電$。在㈣2〇6巾，接著 在閘極介電層上沉積主動層。在步驟2〇8中，接著沉積 蝕刻終止層。蝕刻終止層的沈積之後，續以圖案化蝕刻 終止層，以定義在閉極上方主動層上的姓刻終止層部 份1案化可包含㈣光阻層於其上，圖案化光阻層以 形成遮罩，以及進㈣刻，以移除不要的餘刻終止 份。之後將遮罩移除。 在步驟綱中，接著沉積金屬層。金屬層最終將變成 源極與汲極。在步驟212中’源極與没極藉由沉積一第 一遮罩、蝕刻金屬層以及接著移除第二遮罩來定 =214中，接著藉由利用源極與沒極以及钱刻終1層 作為遮罩來㈣主動層，而不需沉積與移Wn 12 200952181 顯示電極接著在步驟216中沉積在當主動層經蝕刻後所 暴露出的閘極介電層上。在步驟218中，接著可在整個 結構上沉積純化層。 第3A-3D圖顯示依據本發明另一實施例，在各製程階 段的TFT。第3A圖顯示包含基板302、閘極304、閘極 •介電層306、主動層308、蝕刻終止310以及金屬層312 的結構。在第3A圖中所示的結構可利用與上述第iA_1f 圖相同的方式來形成。 在沉積金屬層312之後，蝕刻金屬層312與主動層 308 ’以暴露出部份閘極介電層3〇6，如第3b圖所示。 钱刻可包含沉積一光阻遮罩於金屬層312上，利用遮罩 進行钱刻。在蝕刻終止3 1 〇與閘極304上的區域則不會 被钱刻。接著藉由蝕刻來定義源極與汲極3 16 A、3 16B。 光阻層沉積在暴露出的閘極介電層3〇6與金屬層312 上。接著將光阻層圖案化以形成遮罩。接著藉由使用光 ❹ 阻遮罩進行钱刻來定義源極與汲極3 16A、3 16B，如第 3C圖所示。之後將光阻遮罩移除。為了清晰起見，未繪 示顯示電極，但當知在沉積鈍化層314之前，可沉積顯 示電極。 純化層314接著可沉積在源極與汲極316A、316b、* 刻終止310、以及暴露的閘極介電層3〇6上，如所示第 3D圖。蝕刻終止31〇可作為主動通道的鈍化層。因此， 在蝕刻終止310上無需直接有鈍化層。 第4圖為依據本發明另一實施例，TFT製程的流程圖 13 200952181 40(^在步驟402中，金屬層可沉積在先前所沉積的蝕刻 終止與主動層上。蝕刻終止與主動層可設置在閘極介電 層、閘極以及基板上。 在步驟404中’可蝕刻金屬層與主動層而不蝕刻主動 •通道。如此一來’暴露出閘極介電層。在步驟406中， -接著將鈍化層沉積在所暴露的閘極介電層以及金屬層 上。在步驟408中’接著蝕刻鈍化層。在蝕刻鈍化層中， 藉由蝕刻金屬層來定義源極與汲極，以暴露設置在主動 Ο β 層上對應於閘極之區域中的银刻終止。 在閘極介電層沈積、主動層沈積以及蝕刻終止沈積之 間’基板可維持在真空中。藉由在沉積之間將基板維持 在真空狀態中’TFT各層就不會暴露在空氣中不樂見之 污染物污染TFT的環境下。因此，在沉積期間與沉積之 間維持在真空狀態下的TFT會具有良好的品質，且生產 成本低廉。在沉積之間，可將TFT暴露在所需的表面處 Ο 理製程中。此外’在主動層沈積之後及/或蝕刻終止層沈 積之後，可將TFT退火。 藉由利用源極與汲極以及蝕刻終止作為遮罩，可蝕刻 主動層’而無需沉積與移除額外的遮罩。在沒有額外的 遮罩下’則可淘汰數個習知方法的處理步驟。藉由利用 較少的遮罩，可增加基板産量。 儘管上文已揭示本發明之實施例，在不脫離其基本範 圍下’可設想出本發明其他以及進一步的實施例，且其 範圍如下述申請專利範圍所界定者。 200952181 【圖式簡單說明】 因此，為了可以詳細理解本發明的以上所述特徵下 將參照附圖中示出的實施例，對本發明的以上簡要敍 述進行更具體的描述。然而，應該注意，附圖中只示出 '了本發明典型的實施例，因此不能認為其是對本發明範 的限疋，本發明可以允許其他等同的有效實施例。 第1A-1J圖繪示依據本發明一實施例，在各製程階段 W 的 TFT。 第2圖顯示依據本發明一實施例，TFT製程的流程圖 200 ° 第3 A-3D圖顯示依據本發明另一實施例，在各製程階 段的TFT。 第4圖為依據本發明另一實施例，TFT製程的流程圖 400 « φ 為了促進了解’已儘可能使用相同的元件符號代表圖 中相同的元件。而於一實施例中所揭示的元件可利用在 另一實施例上，而無需特別詳述。 【主要元件符號說明】 100基板 1〇2閘極 104閘極介電層 106主動層 1〇8蝕刻終止層 110金屬層 15 200952181 112A源極 114顯示電極 200流程圖 204步驟 208步驟 212步驟 216步驟 302基板 306閘極介電層 3 1 0蝕刻終止層 3 1 4鈍化層 316B汲極 402步驟 406步驟 112B汲極 116鈍化層 202步驟 206步驟 210步驟 214步驟 218步驟 304閘極 308主動層 312金屬層 316A源極 400流程圖 404步驟 408步驟
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Claims (1)
- 200952181 七、申請專利範圍： 1. 一種形成薄膜電晶體的方法，其包含： 沉積與圖案化一閘極於一基板上； . 沉積一閘極介電層於該閘極上； / 沉積一半導體主動層於該閘極介電層上，該半導體主 動層包含氧、氮以及一或多個選自由鋅、銦、鎘、鎵以 及錫所組成之群組的元素； Ο 沉積一蝕刻終止層於該主動層上； 形成一第一遮罩於該蝕刻終止層上； 餘刻該蝕刻終止層，以形成一經圖案化蝕刻終止層； 移除該第一遮罩； 沉積一金屬層於該經圖案化蝕刻終止層上； 形成一第二遮罩於該金屬層上； 钱刻該金屬層’以定義—源極與一汲極； 移除該第二遮罩； ❿ 利用該源極與該汲極作為一遮罩，蝕刻該主動層；以 及 沉積一鈍化層於該源極與該汲極上。 2·如申請專利範圍第！項所述之方法，其中刻該金 屬層之步驟包含電漿蝕刻，且其中蝕刻該主動層之步驟 包含濕儀刻。 17 200952181 如申請專利範圍第2項所诚夕士、A 動層之I 之方法，其巾㈣該主 全逋作為—遮罩。 及極以及該蚀刻終止層 止L如申請專利刪1項所述之方法，其中該罐 係選自由氮切、氧切及其組合所組成之群組。 ❹ 5.如中請專利範圍第！項所述之方法，其中錢刻終 層係藉由電漿增強化學氣相沈積來沉積。 6.如申請專利範圍第5項所述之方法，其中該主動層 係藉由施加一 DC電偏壓至一金屬濺射靶，以及導入一 含氧氣體與-含氮氣體來㈣，其巾該金錢射乾包含 該-或多個選自由鋅、銦、鎘、鎵以及錫所組成之群組 的元素。 7. 如申請專利範圍第ό項所述之方法，其中該含氧氣 體與該含氮氣體為不同氣體。 8. 如申請專利範圍第7項所述之方法，其中該濺射靶 包含一選自由 Al、Sn、Ga、Ca、Si、Ti、Cu、Ge、In、 Ni、Mn、Cr、V、Mg、SixNy、Alx〇y、siC 及其組合所組 成之群組的摻雜劑。 18 200952181 9.如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該主動層 包含一選自由 Al、Sn、Ga、Ca、Si、Ti、Cu、Ge、In、 Ni、Mn、Cr、V、Mg、SixNy、AlxOy、SiC 及其組合所組 成之群組的摻雜劑。 10. —種方法，其包含： 沉積一半導體層於一基板上，該半導體層包含氧、氮， 以及一或多個選自由鋅、鎵、銦、錫以及錫所組成之群 組的元素； 沉積一蝕刻終止層於該半導體層上； 形成一第一遮罩於該蝕刻終止層上； 圖案化該蝕刻終止層，以形成一經圖案化蝕刻終止層； 移除該第一遮罩； 沉積一金屬層於該經圖案化蝕刻終止層以及該半導體 層上； 形成一第二遮罩於該金屬層上； 蝕刻該金屬層以形成一經圖案化金屬層； 移除該第二遮罩；以及 蝕刻至少一部份該半導體層，同時使用該經圖案化金 屬層以及該經圖案化蝕刻終止層作為遮罩。 11. 如申請專利範圍第10項所述之方法，其中蝕刻該 金屬層之步驟包含電漿蝕刻，且其中蝕刻該主動層之步 驟包含濕蝕刻。 19 200952181 12·如申請專利範圍帛i。項所述之方法其中該㈣ 。層係選自由氛切、氡切及其組合所組成之群組。 -如中請專利範圍,，。項所述之方法，其中該蚀刻 層係藉由電槳增強化學氣相沈積來沉積。 ❹ 體二Γ請專利範園'10項所述之方法，其中該半導 藉由施加一 Dc電偏壓至一機射乾，以及導入一 =體與一含氮氣體來沉積’其中該濺㈣包含該-素。選自由辞、銦、鑛、鎵以及錫所組成之群組的元 15.如申請專利範圍第14項所述之方法，其中該含氧 氣體與該含氫氣體為不同氣體。 =如中請專利範圍第15項所述之方法，其中該減射 乾包含一選自由仏 sn、Ga、ca、si、Ti、CUGein、 =、。〜，"叫，為，及其組合所組 成之群組的摻雜劑。 體Γ包範圍第10項所述之方法，其中該半導 體層，含選自由A1、sn、Ga、Ca、si、TicuGe、 In 1、Mn、Cr、V、Mg、Six~、A1為、SiC 及其組合 20 200952181 所組成之群組的摻雜劑。 18· 一種薄膜電晶體，其包含： 一閘極，其設置在一基板上； 一閘極介電層，其設置在該閘極上； 一半導體層，其設置在該閘極介電層上，該半導體層 包含氧、氮，以及一或多個選自由鋅、鎵、銦、鑛以及 錫所組成之群組的元素； 一源極； 一汲極；以及 一蝕刻終止層’設置在該半導體層上’以及該源極與 該汲極之間。 19.如申請專利範圍第18項所述之薄膜電晶體，其中 該蝕刻終止層係選自由氣化珍、氧化梦及其組合所組成 之群組。 20.如申請專利範圍第18項所述之薄膜電晶體，其中 該半導體層包含一選自由A卜Sn、Ga、Ca、Si、Ti、Cu、 Ge、In、Ni、Mn、Cr、V、Mg、SixNy、Alx〇y、SiC 及其 組合所組成之群組的摻雜劑。 21
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