TW200941659A - Thermally enhanced package with embedded metal slug and patterned circuitry - Google Patents

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TW200941659A
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jia-zhong Wang
wen-qiang Lin
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Bridge Semiconductor Corp
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Description

200941659 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域] 本發明係有關於-種具散熱 體裝置及其製作方法，尤指 馎义牛導 ,A ^ 凡夺日 種包括一以銅核基 板為基礎開始製作之增層封裝基板，並藉此具完 整線路面與完整接腳面之增層封裝基板、一半導 體晶片及一成型材料組成具散熱增益之半導體裝 置，係可整合基板封裝（Laminate Package)與 〇 ❹ 導線架（Lead Frame Package)封裝之功能者。 【先前技術·】 隨著半導體技術之不斷提昇，半導體裝置所 承載之晶片亦趨向高度整合化以提供電子產品所 欲之運作速度及功能’然此同時晶片運作所產生 之熱量亦相對地增加。以往在傳統上係以導線架 進行封裝’上述使用導線架雖可獲得良好之散熱 效果，唯其不僅無精細線路之佈線能力，更有結 構間連接可靠性不佳等問題發生。 在一般半導體裝置之製作上，傳統之散熱路 徑係由晶片、黏合膠、基板至基板下方之導熱銲 球而傳遞至外界，不僅散熱路甚長，且散熱效率 亦往往不足，為解決此散熱效率問題，一般在傳 統半導體裝Ϊ結構上常貼附一導熱性佳之金屬材 料製成之散熱片（HeatsPreader)，使晶片產生 之熱量得傳遞至散熱片而散逸。而採用此種散熱 200941659 結構之半導體梦署 ❹ Ο 703831 1號中揭露^在美國專利公開公報第 該揭露之半導體：出署來。如18圖所*，係顯示 Α叫BGA)封/\置播之球栅格㈣（_ Grid 致上係包括一藉。該揭露之封裝結構7大 片72水平表膠78黏結於一 T形散熱 由該Τ形散熱片7上之半導體晶片7 1、-其開口之線路基板7 I之二體7 2 2延伸穿過 3第-表© 7 3 1之炫、個在該線路基板7 路基板73第二表面7墊733、以及一在該線 由一封裝材_ 3 2之銲球陣列7 4， :6屋合該半導體晶 、一： 線75及該線路基板73第一： 該半導體晶片7 i產± 31 可使 Η之水平表面量至藉垂由直該丁形散熱片 而散逸至該_裝結構7 f ^主體7 2 2 :構7其散熱片72與線路基 連 f ==散熱片72兩旁T形突出Si 即易造成結構間不穩而分開， 不僅降低整體結構之可靠度，亦在結構穩定性不 佳之情況下，致使電性效率不彰；此外，由^ 封裝結構7為顧及散熱效率而以此τ形之散埶〆 72進行配置，唯其與銲球陣列74間之纟且穿^ 因該散熱片7 2之Τ形結構造成製程過於複雜亦 相對亦造成較高之製程成本及較長之製程時間等 6 200941659 缺點。故，一般習用者係無法符合使用者於實際 使用時之所需。 τ 【發明内容】
本發明之主要目的係在於可整合基板封裝與 導線架封裝之功能，克服習知技藝所遭遇之上述 問題並提供一種可選擇性地提供置晶位置下方之 厚銅而有效解決元件散熱之所需，並可以高密度 ^層線路提供電子元件相連時所需之繞線，藉此 可有效改善傳統基板散熱問題並達化 線路板製作流程之目的者。 ％ θ層 置曰要目的係在於，彳同時具有厚銅 曰：及高密度增層線路之功能。由於厚銅置 :板廢：增層線路係由銅核基板與具增層線路之 口所形★’整體裝置信賴度高且不易分離 可藉由厚銅置晶接墊提供半導體 良好之散熱效果，以解決傳統基置= 以增層線路提供良好之 扳之缺失’並可 線架封裝之不足。 b力以補足傳統導 馬達以上之目的， 結構之半導# 發月係一種具散熱封裝 核基板為基礎二 方法，係包括一以銅 具完整線路面盥層封裝基板，並藉此 半導體晶片* 之增層封裝基板、一 體裝置。該增層封3具散熱增益之半導 裝基板包括厚銅置晶接墊、高 200941659 役度增層線路、熱接塾以及複數個電 ^*Γ玍接腳接塾 。：、中，該厚銅置晶接墊、熱接墊與電性接 接墊係由該銅核基板一體成形，而該增層線路則 由壓合之基板所形成，且該增層線路係以該厚銅 置晶接墊位置為核心向四周延伸以提供電子元件 相連時所需之繞線，並以複數個電鍍盲孔盥= 接腳接墊導通連接。 〃 【實施方式】 請參閱『第i圖』所示，係本發明—較佳實 知例之半導體裝置剖面示意圖。如圖所示：本發 明係一種具散熱封裝結構之半導體装置及其製作 方法，該半導體裝置i係至少包括一増層封裝基 板1〇 半導體晶片11及一成型材料12所 組成。 該增層封裝基板1 〇係具有至少一以上銅凸 塊1 〇 1及以該銅凸塊i 〇 i為核心往四周延伸 t =底板1 ◦ 2，該些銅凸塊1 0 1及該銅底板 2係構成一銅基座1 Ob，其中該銅基座1 〇 y上之銅凸塊1 0 1表面係為一置晶接墊區域，而 j銅基座1 0b上之銅底板1 0 2則係包含-第 面1 0 2a及一相對於第一面之第二面1 〇 2b °亥銅底板1 0 2之第一面1 0 2a上係為一圖案 化增層線路（Bui ld UP layer)區域，該銅底板1 0 2之第一面1 〇 2b上係為一熱接墊1 〇 3,且 200941659 該熱接墊1 0 3同一層上係具有複數個接腳接塾 1 04。於其中，該銅底板1 〇 2之第二面1 〇 2b面積係大於該些銅凸塊1 〇 1之面積；該熱接 墊1 0 3係可用以接地或接電路板之散熱結構； 該些圖案化線路區域、熱接墊1 〇 3與該些接腳 接墊104上係披覆有一防焊層3 9、4〇，且 該圖案化線路區域與該接腳接墊i 〇 4係以電鍍 埋盲孔或通孔連接。
〇 〔ϊ/i掉勒體晶片1 1係含有複數個輸入/輸出 二二△二該半導體晶片1 1係黏結於該增 上之銅凸塊…表面，並由該 及 生連接至該些圖案化線路區域；以 5次取尘材料 1以及該 ’係構成 請參 施例之製 熱封裝結 方法係將 增層封裝 型材料封 該增層封 增層封 一全新 閱『第 作流程 構之半 —具完 基板與 裝構成 裝基板 裝基板1 0之上表面。以上所 t具散熱増益之半導體裝置1 一圖』所示，係本發明一較佳 不意圖〇上面 圖所示：本發明具 夏及其製作方法，該製 一日日則線路面與完整接腳面 且二導體晶片接合’並施以-^熱增益之半導體裝置，其 作方法係至少包括下列步 200941659 A) k供銅核基板5 〇 :提供一銅核基板 ，其中，該銅核基板係為一不含介 材料之銅 板； (Β)形成具有銅底板及鋼凸塊之銅基座5 1 .移除該銅核基板之部分厚銅，並形成具有一 銅底板及複數個銅凸塊之銅基座，其中，該銅凸 塊係可由蝕刻之方式形成於鋼底板上方； (C)形成介電層及金屬層5 2 :以該銅基 ©座上之銅凸塊為核心，於該銅底板第一面上係以 直接壓5之方式形成至少一介電層及至少一金屬 層，並顯露出該銅基座上之銅凸塊； (D )形成複數個開口 5 3 :於該金屬層與 該介電層上形成複數個開口，其中，複數個開口 係可先開銅窗（Conformal Mask)後，再經由雷 射鑽孔之方式形成，亦或係以直接雷射鑽孔（ LASER Direct)之方式形成； 〇 ( E )電性連接金屬層與銅底板5 4 :以無 電電鍍與電鍍之方式形成一金屬層於該些複數個 開口中以電性連接該雙面基板與該銅底板； (F )形成置晶側圖案化線路層與接腳區域 電性接墊5 5 :以蝕刻之方式移除部份之金屬層 並形成置晶側圖案化線路層，以及移除部份該鋼 基座之銅底板，並形成接腳區域電性接墊；以及 (G )形成防焊層與阻障層並構成高散熱性 增層封裝基板5 6 :分別於該線路層表面以及'該 200941659 接腳區域形成一防焊層以及一阻障層；至此 〜 成一具完整置晶側線路面與接腳面之古 70 叫、间政熱性增 層封裝基板，其中，該防焊層係以印刷、旋轉塗 佈或喷塗所為之高感光性液態光阻；該阻障層係 可為電鑛錄金 '無電鍍鎳金、電鍍銀或電鍍錫 擇其一。 於其中’上述該介電層係可為環氧樹脂絕緣 膜（Ajinomoto Build-up Film, ABF)、苯環丁 〇 稀（Benzocyclo-buthene，BCB)、雙馬來亞醯胺 _二 II 雜苯樹脂（Bismaleimide Triazine, BT) 、環氧樹脂板（FR4、FR5)、聚醯亞胺（p〇iyimide， PI) t 四氟乙稀（Poly(tetra-floroethylene), PTFE )或環氧樹脂及玻璃纖維所組成之一者。 請參閱『第3圖〜第1 7圖』所示，係分別 為本發明一較佳實施例之第一結構剖面示意圖、 本發明一較佳實施例之第二結構剖面示意圖、本 © 發明一較佳實施例之第三結構剖面示意圖、本發 明一較佳實施例之第四結構剖面示意圖、本發明 一較佳實施例之第五結構剖面示意圖、本發明一 較佳實施例之第六結構剖面示意圖、第7圖之第 /、結構流程示意圖、本發明一較佳實施例之第七 結構剖面示意圖、本發明一較佳實施例之第八結 構剖面示意圖、本發明一較佳實施例之第九結構 剖面示意圖、本發明一較佳實施例之第十結構剖 面示意圖、本發明一較佳實施例之第十一結構剖 200941659 面示意圖、本發明一較佳實施例之第十二結構剖 面示意圖、本發明一較佳實施例之第十三結構剖 Ο
面示意圖、本發明一較佳實施例之第十四結構剖 面不意圖及本發明一較佳實施例之第十五結構剖 面示意圖。如圖所示：當本發明於實際操作時， 於一較佳實施例中’如第1圖所示。首先係提供 一不含介電層材料之銅板作為銅核基板1 〇a，並 分別於該銅核基板1 0 a之第一面上貼合一高感 光性尚分子材料之第一阻層k： υ…峨辦核 基板1 0a之第二面上貼合一高感光性高分子材 料之第二阻層2 1 ，並以曝光及顯影之方式在該 第一阻層2 0上形成複數個第一開口 2 2，以顯 露其下該銅核基板i 〇 a之第一面，而相對該第1 面之第一面則以該第二阻層2工完全覆蓋。接著 刻之方式移除該些第一開口22下方已顯露 之。卩份厚銅，並以剝離之方式移除該第一、二阻 使該銅核基板10a形成具有複數個銅凸“ 一銅底板10 2之銅基座1 〇b。於其中， 中%層係為乾膜光阻層’且於本實施例 :成之广基座10b’其銅凸塊101之厚度係 為二；“_)，而該銅底板102之厚度係 1 A . /、有複數個銅凸塊1 0 丄為核心，於該銅底板102 尼丄 饜合之太—、γ A 结 人^第一面1 0 2 a上以 之方式升>成一第一介電層2 3及 200941659 金屬層241、一第二介電層242與 路層2 4 3之增層基板2 4，且該第一 3及該增層基板2 4係已事先由銑刀成 個中空凹槽’可顯露出該銅基座1〇b上 1 〇 1 ’並作為定義置晶接墊區域用， 片散熱效果。於其中，該增層基板2 4 路層2 4 3係由一金屬銅所預製。 以雷射鑽孔之方式分別在該第一金 ❹ 1與該第二介電層242上形成複數個 2 5’以及在該銅基座1 〇b之銅底板1 面1 0 2b與該第一介電層2 3上形成 二開口 2 6 ’之後再分別以無電電鍍與 式於該些第二開口 2 5中、該第一金屬 及作為置晶接塾區域之銅凸塊1〇1表 第二金屬層2 7，以及於該些第三開口 該銅基座1 〇b之第二面形成一第三金 ❹，之後分別於該第二金屬層2 7上貼合 性高分子材料之第三阻層2 9 ,以及於 屬層2 8上貼合一高感光性高分子材料 層3 0，並以曝光及顯影之方式分別於 層2 9上形成複數個第四開口 3丄，以 之第二金屬層2 7，以及於該第四阻層 成複數個第五開口 3 2，並顯露其上之 層2 8。之後係分別以蝕刻之方式移除 開口 3 1下方之第二金屬層27及該第 一第一線 介電層2 形出複數 之銅凸塊 以増加晶 之第一線 屬層2 4 第二開口 0 2第二 複數個第 電鍍之方 層2 4 1 面形成一 2 6中及 屬層2 8 一高感光 該第三金 之第四阻 該第三阻 顯露其下 3 0上形 第三金屬 該些第四 一金屬層 13 五開口 3 2上方之第三 〇b之銅底板1 〇 2,最 四阻層’並分別形成一 4。至此，完成一具有 線路基板1 〇c。於其中 1 、2 7、2 8皆為銅 作為§亥第一線路層2 4 電性連接用，而該第三 線路層2 4 3與該第三 〇 1 0 c之製作後，係接著 域與接腳區域之製作。 表面塗覆一層絕緣保護 及於該第三線路層3 4 之第二防焊層3 6 ，並 於#亥第一防焊層3. 5上 ’以顯露其下第二線路 部份’以及於該第二防 七開口 3 8 ，以顯露其 性連接墊之部份，藉此 面1 0 2b形成一熱接 塾1 0 4。最後，分別 成一第一阻障層3 9 ， 形成一第二阻障層4 0 整體具有完整置晶側線 ❹ ❹ 200941659 24 1 ’以及移除該些第 金屬層2 8及該銅基座1 後，係分別移除該第三、 第二、三線路層33、3 厚銅置晶接墊區域之增層 ，該第--三金屬層2 4 ’且該第二金屬層2 7係 3與該第二線路層3 3之 金屬層2 8則作為該第一 線路層3 4之電性連接用 完成該增層線路基板 進行置晶側圖案化線路區 分別於s亥弟二線路層3 3 用之第一防焊層3 5 ，以 表面塗覆一層絕緣保護用 以曝光及顯影之方式分別 形成複數個第六開口 3 7 層3 3作為電性連接墊之 焊層3 6上形成複數個第 上第二線路層3 4作為電 由該銅底板1 q 2之第-墊1 〇 3及複數個接腳接 於該些第六開口 3 7上形 以及於些第七開口 3 8上 。至此，係構成本發明之 200941659 路面與完整接腳 2、熱接塾1 〇 基板1 〇。於| ◦係為錄金層。 面之銅凸塊1 〇 3及接腳接墊1 中，該第一、二 1、銅底板1 〇 0 4之增層封裝 阻障層3 9、4 接著於該作為置晶接墊區域之銅凸塊1 〇 上黏結—半導體晶片1 1 ，並對該半導體晶片] Ο
1與該、層封裝基板1 〇進行接合，使該半導體 晶片1 1上之1/0接墊與該增層封裝基板10上 之圖案化線路區域電性連接。最後，再以一 材料1 2封裝該半導體晶片i i及該增層封裝基 板1 〇上表面。至此，完成一具散熱增益之丰i 體裝置1 (如第1圖所示）。 千導 只由上述可知，本發明具散熱封裝結構之半導 體裝置’係'包括一以銅核基板為基礎開始製作之 增層封裝基板。該增層封裝基板包括厚銅置晶 墊、高密度增層線路、熱接墊以及複數個電$ 腳接塾。於其中，該厚銅置晶接塾、熱接塾與電 性接腳接墊係由該銅核基板一體成形，而該増 線路則由壓合之基板所形成，且該增層線路係以 泫厚銅置晶接墊位置為核心向四周延伸以提供電 子元件相連時所需之繞線，並以複數個電錄盲孔 與電性接腳接墊導通連接。因此，本半導體裝置 中增層封裝基板之特色係在於，可同時具有厚銅 置晶接墊及高密度增層線路之功能，並能在本厚 銅置晶接墊與增層線路係由銅核基板與具增層線 200941659 路之基板壓合所形成下，使整體裝置達提高信賴 度且不易分離’進而可藉由厚銅置晶接墊提供半 導體.裝置封裝良好之散熱效果，以解決傳統基板 之缺失，並可以增層線路提供良好之繞線能力， 以補足傳統導線架封裝之不足。 綜上所述，本發明係一種具散熱封裝結構之 半導體裝置及其製作方法，可有效改善習用之種 Ο ❹ 種缺點’彳整合多層封裝基板與導線架之功能， 不僅可選擇性地提供置a 攸置日日位置下方之厚銅而有效 解決元件散熱之所需，#环丨v古+ ώ 2 ^ # ，a .. ^ 立了以回密度增層線路提 供電子兀件相連時所需之繞線，藉 傳統基板散熱問題並$ Μ > ° 流程…，進而= 增層線路板製作 實用丄本發明之產生能更進步、更 實用、更符合使用者之 延7更 申請之要件，爰依、確已付合發明專利 犮依法知：出專利申請。 惟以上所述者，僅么士欲口。 Ρ 僅為本發明之較#音二 已，當不能以此限定太媒ΗΒ杳 衩佳實軛例而 依本發明申·^專# ~ 實施之範圍；故，凡 知乃Τ。月專利範圍及發 簡單的等效變化H & °月曰内容所作之 J^:化與修飾，皆摩 蓋之範圍内。 白應仍屬本發明專利涵 16 200941659 【圖式簡單說明】 第1圖，係本發明一較佳實施例之半導體裝置 剖面示意圖。 第2圖，本發明一較佳實施例之製作流程示意 圖 第3圖，係係本發明一較佳實施例之第一結構 剖面示意圖。 第4圖，係本發明一較佳實施例之第二結構剖 ❹ 面示意圖。 第5圖，係本發明一較佳實施例之第三結構剖 面示意圖。 第6圖，係本發明一較佳實施例之第四結構剖 面示意圖。 第7圖，係本發明一較佳實施例之第五結構剖 面示意圖。 第8圖，係本發明一較佳實施例之第六結構剖 〇 面示意圖。 第9圖，係本發明一較佳實施例之第七結構剖 面示意圖。 第1 0圖，係本發明一較佳實施例之第八結構 剖面示意圖。 第1 1圖，係本發明一較佳實施例之第九結構 剖面示意圖。 第1 2圖，係本發明一較佳實施例之第十結構 剖面示意圖。 17 200941659 第1 3圖，係本發明一較佳實施例之第十一結 構剖面示意圖。 第1 4圖，係本發明一較佳實施例之第十二結 構剖面示意圖。 第1 5圖，係本發明一較佳實施例之第十三結 構剖面示意圖。 第1 6圖，係本發明一較佳實施例之第十四結 構剖面示意圖。 第1 7圖，係本發明一較佳實施例之第十五結 構剖面示意圖。 第1 8圖，係習知之半導體封裝裝置剖面示意 圖。 【主要元件符號說明】 (本發明部分） 半導體裝置1 增層封裝基板1 0 銅核基板1 0 a 銅基座1 0 b 增層線路基板1 0 c 銅凸塊1 0 1 銅底板1 0 2 第一面1 0 2 a 第二面1 0 2 b 熱接墊1 0 3 接腳接墊1 0 4 18 200941659 半導體晶片 成型材料1 第一、二阻 第一開口 2 第一介電層 增層基板2 第一金屬層 第二介電層 0 第一線路層 第二、三開 第二、三金 第三、四阻 第四、五開 第二、三線 第一、二防 第六、七開 ❹ 第一、二阻 步驟（A ) (習用部分 封裝結構7 半導體晶片 T形散熱片 水平表面7 主體7 2 2 線路基板7 2 0 ' 2 1 3 4 1 4 2 4 3 2 5、2 6 層 2 7、2 8 2 9、3 0 3 1、3 2 層 3 3、3 4 層 3 5、3 6 3 7、3 8 層 3 9、4 0 (G ) 5 0 〜5 6 2 19 ‘200941659 第一表面7 3 1 第二表面7 3 2 焊墊7 3 3 銲球陣列7 4 焊線7 5 封裝材料7 6 導熱膠7 8
20

Claims (1)

  1. 200941659 十、申請專利範圍： 1居熱封裝結構之半導體裝置，至少包括-增 I ^ ^ 半導體晶片及一成型材料所組成，其 ❹ 該增層封裝基板（Build Up substrate)係具有至少 凸塊及以該銅凸塊往四周延伸之銅底板，該 :銅凸塊及_底板係構成一銅基座，其—該銅基座 =銅凸塊表面係為—置晶接墊區域，而該銅基座上 之銅底板則係包含—第—面及—相對於第一面之第 :面，該銅底板之第一面上係為一圖案化增層線路 =lld ulVayer)區域，該銅底板之第二面上係為—熱 墊;，且㈣接墊同—層上係具有複數個接腳接塾； 該半導體晶片係含有複數個輸人/輸出（1/0)接 塾’且該半導體晶片係黏結於該增層封裝基板上之銅 凸塊表面，並由該些1/0接墊電性連接至 線路區域；以及 一圆茶化
    該成型材料係用以封裝該半導體晶片 層封裝基板之上表面。 以及該增 2 :依據申請專利_第i項所述之具散熱封裝結構之 半導體裝置，其中，該熱接墊係可用以接地。 3 .依據申請專利範圍第i項所述之具散熱封裝结構之 半導體裳置’其中，該熱接塾係可接電路板之&熱結 才冓。 21 200941659 4 第1項所述之具散熱封裝結構之 ==，該銅底板之第二面面積係大於該 第1項所述之具散熱封⑽ 係以電=盲線路區域與該接腳接墊 6二m專第1項所述之具散熱封裝結構之 Ο 〇 該些圖案化線路區域、熱接墊與 ^二接腳接墊上係彼覆有一防焊層。 7.一種具散熱封裝結構之製作方法，係將—具完 晶側線路面與完整接腳面之增層封I基板與一=導 罢並施以一成型材料封裝構成具散熱增益 μ導體裝置，其中該增層封裝基板之製作方 少包括下列步驟： ，、至 (A)提供一銅核基板； (B )移除該銅核基板之部分厚銅，並形成具 —銅底板及複數個銅凸塊之銅基座； ^ (C )以該銅基座上之銅凸塊為核心，於該銅底 $第-面上形成至少-介電層及至少一金屬層，並顯 露出該銅基座上之銅凸塊； ‘ .(D )於該金屬層與該介電層上形成複數個開口 (E )形成一金屬層於該些複數個開口中以電性 連接該雙面基板與該銅底板； 22 200941659 (F )移除部份該金屬層並形成置晶側圖案化線 路層，以及移除部份該銅基座之銅底板，並形成接腳 區域電性接墊；以及 (G )分別於該線路層表面以及該接腳區域形成 一防焊層以及一阻障層；至此，完成一具完整置晶側 線路面與接腳面之高散熱性增層封裝基板。 Ο Ο .a依據申請專利範圍第7項所述之具散熱封裝結構之 氣作方法，其中，忒銅核基板係為一不含介電層材料 •依據申請專利範ffi第7項所述之具散熱封裝結構之 製作方法，其中，該步驟（B)之銅凸塊係可由韻刻 之方式形成於銅底板上方。 項所述之具散熱封裝結構 (F )之移除部份金屬層 1 〇 ·依據申請專利範圍第7 之製作方法’其中，該步驟 係可由蝕刻之方式形成。 •依據申請專利範圍第7項所述之具散熱封t 之製作方法’其中’該步驟（C )之介電 、二 係可以直接壓合之方式形成於該銅基^ =屬a 一面上。 座之鋼底板第 \依據中請專利範圍第7項所述之具散熱封裝 ，製作方法，其中，該介電層係可為環氧樹脂絕緣港 (Ajinomoto Build-up Film, ABF ) N 、禾環丁嫌f Be譲Cycl0-buthene，BCB)、雙馬來亞驢胺_ = 樹脂（Bismaleimide Triazine，BT )、援备从 ^ 、肥）、聚醯亞胺（Wmide，P^氣樹脂板（叹 聚四氟乙押 23 200941659 (P〇ly(tetra-fl〇r〇ethylene)，PTFE )或環氧樹脂及玻璃 纖維所組成之一者。 1 3 ·依據申請專利範圍帛7項所述之具散熱封裝結構 之製作方法，其中，複數個開口係可先開銅窗（ c〇nf〇rmalMask)後，再經由雷射鑽孔之方式形成。 1 4.依據申請專利範圍第7項所述之具散熱封裝結構 K乍方法’其中，複數個開口係可由直接雷射鑽孔 (LASER Direct)之方式形成。 〇 電電鏟與電鍍丄=驟(E)之金屬層係可由無 I製:乍:申範圍第7項所述之具散熱封裝結構 喷塗斤為之向感光性液態光阻。 ’ 7 ·依據申請專利範圍第7 ❹ 之製作方法，之八政熱封裝結構 鑛銻金、電鍍銀或電錄錫中擇。 無電 24
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