TW200941071A - Resin sheet for circuit substrates, sheet for circuit substrates, and circuit substrate for displays - Google Patents

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TW200941071A
TW200941071A TW098102702A TW98102702A TW200941071A TW 200941071 A TW200941071 A TW 200941071A TW 098102702 A TW098102702 A TW 098102702A TW 98102702 A TW98102702 A TW 98102702A TW 200941071 A TW200941071 A TW 200941071A
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TW
Taiwan
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circuit board
resin sheet
acrylate
circuit
meth
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TW098102702A
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Yasunori Karasawa
Tatsuo Fukuda
Original Assignee
Lintec Corp
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Description

.200941071 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種顯示器用之電路基板用樹 路基板用片及顯示器用電路基板。更詳言之，本 . 於爲了在品質佳、高生產性之狀況下有效率的製 制顯示器用（尤其，平面顯示器用）之各像素而 晶片之電路基板的硬化物之耐熱性優良的電路基 片、電路基板用片、及使用它所得之由埋入電路 〇 之顯示器用電路基板。 【先前技術】 習知，於液晶顯示器所代表之平面顯示器中 藉由CVD法（化學蒸氣沈積法）等，在玻璃基板 層絕緣膜、半導體膜等，經歷相同於製作半導體 之步驟，在構成畫面之各像素附近，形成薄膜電晶 等之微小電子元件，藉此以進行各像素的開、關 控制。亦即，在玻璃基板上之位置點製作TFT等 © 子元件。然而，於如此之技術中，步驟既爲多階段 將無法避免成本變高，另外，一旦顯示面積擴大 有爲了在玻璃基板上形成膜之CVD裝置等將大型 將大幅上升等之問題。 因此，以成本削減爲目的，已揭示一種技術 印刷墨水之方式，來使微小結晶矽積體電路晶片 刷原板，藉由印刷技術等之手段，以將該印刷原 示器用之玻璃基板上的既定位置而予以固定（例 脂片、電 發明係關 作爲了控 埋入電路 板用樹脂 晶片而成 ，例如， 上依序積 積體電路 體（TFT ) 、濃淡之 之微小電 且繁雜， 時，也具 化，成本 ，其係如 附著於印 板移至顯 如，參照 200941071 專利文獻1)。此情形下，預先在玻璃基板上形成高分子 膜，藉由印刷技術等之手段，以將微小結晶矽積體電路晶 片移至該高分子膜上，並利用熱成形或加熱壓縮等之方 法，進行將該晶片埋入高分子膜中。然而，利用如此之方 法，除了高分子膜之歪斜或發泡等之不恰當將容易發生之 外，也由於加熱上費時，並無效率。 另外，已揭示一種電路基板用片，其係使用得自能量 線硬化型高分子材料之電路基板用樹脂片以取代該高分子 © 膜，藉由將電路晶片埋入時及埋入後之各自的儲存彈性係 數控制於既定範圍，即使不進行加熱，電路晶片埋入也爲 可能（例如，參照專利文獻2)。 藉由使用如此之電路基板用樹脂片，在高生產率下效 率良好的製作埋入電路晶片之顯示器用電路基板。然而， 針對耐熱性，由現有之能量線硬化型高分子材料而成之樹 脂片的硬化物，未必能夠充分滿足，具有裂痕發生於埋入 電路晶片的該硬化物上所形成之配線中之情形等問題。 © 專利文獻1 :日本專利特開2003 -24843 6號公報 專利文獻2:日本專利特開2006-323335號公報 【發明内容】 發明所欲解決之技術問題 於如此之狀況下，本發明之目的在於提供爲了在品質 佳、高生產性之狀況下，有效率的製作爲了控制顯示器用 (尤其，平面顯示器用）之各像素而埋入電路晶片之電路 基板的硬化物之耐熱性優良的顯示器用之電路基板用樹脂 200941071 片、電路基板用片、及使用其所得之由埋入電路晶片而成 之顯示器用電路基板。 解決問顆之技術丰段 本發明人等爲了達成該目的，不斷鑽硏之結果發現： 將得自能量線硬化型高分子材料之物作爲電路基板用樹脂 片使用，並且藉由將上述樹脂片之在藉能量線照射硬化前 的雙鍵濃度設爲特定之範圍，能夠達成其目的，於是根據 此見解而完成本發明。 © 亦即，本發明係提供下列之內容： 〔1〕一種電路基板用樹脂片，其係得自用以埋入電路晶片 之能量線硬化型高分子材料之電路基板用樹脂片，其特徵 爲在藉能量線照射硬化前的雙鍵濃度爲4.5〜25mmol/g ; 〔2〕上述〔1〕項揭示之電路基板用樹脂片，其中在藉能 量線照射硬化後，依據JIS K7244-4所測定之於150°C的儲 存彈性係數E’爲1.0xl08Pa以上； 〔3〕一種電路基板用片，其特徵係在載體上形成上述〔1〕 ® 或〔2〕項揭示之電路基板用樹脂片的單面；及 〔4〕一種顯示器用電路基板，其係特徵將電路晶片埋入上 述〔3〕項揭示之電路基板用片的電路基板用樹脂片表面 中，對其照射能量線而予以硬化。 發明之效果 若根據本發明，藉由將硬化前之雙鍵濃度於某範圍之 物，作爲用以埋入電路晶片之得自能量線硬化型高分子材 料之電路基板用樹脂片，能夠得到埋入具有充分耐熱性之 200941071 電路晶片的電路基板。 【實施方式】 首先，針對本發明之電路基板用樹脂片加以說明。 〔電路基板用樹脂片〕 本發明之電路基板用樹脂片係一種得自用以埋入電路 晶片之得自能量線硬化型高分子材料的電路基板用樹脂 片，其特徵爲在藉、能量線照射硬化前的雙鍵濃度爲4.5〜 2 5 mmo Ι/g 〇 © 若該雙鍵濃度低於4.5mmol/g時，該電路基板用樹脂片 之硬化物將成爲耐熱性不足之物，其結果’將有在埋入電 路晶片的電路基板之上所形成之配線中產生裂痕之情形。 另一方面，針對製作該雙鍵濃度超過25 mmol/g之電路基板 用樹脂片，必須增多樹脂片中之低分子量成分的單體或寡 聚物之量，硬化前之樹脂片將變得容易變形。該雙鍵濃度 較佳爲5〜20mmol/g，更佳爲6〜15mmol/g。還有’若使用 本發明之電路基板用樹脂片時，雖然能夠防止配線中產生 φ 裂痕之理由尙未明確，據推測係由於隨著電路基板用樹脂 片之硬化物的溫度變化（配線形成時係150°C以上、配線 形成後則降溫至室溫）之伸縮受到抑制。 還有，該雙鍵濃度係進行如下方式所測得之値： <雙鍵濃度之測定法> 電路基板用樹脂片中之雙鍵濃度係藉1 H-NMR測定而 進行。使用六甲基二環己烷作爲內部標準物質使用，內部 標準物質及符合的紫外線硬化前之電路基板用樹脂片稱量 至mg單位。使其溶解於重氫化氯仿或重氫化二甲基亞碾中 200941071 之後而進行1η-nmr測定，從所得之光譜而求出雙鍵官能 基的mmol數。藉由以電路基板用樹脂片之質量除以此雙 鍵官能基之mmol數値而求出雙鍵濃度（mm〇l/g)。 於本發明中，如後所說明，該雙鍵濃度能夠藉由能量 線硬化型高分子材料中所含之聚合性寡聚物中之多官能聚 合性寡聚物、或聚合性單體中之多官能聚合性單體的種類 及量等而加以控制。 另外，於本發明之電路基板用樹脂片中，在藉活性能 量線照射硬化後之於150°C的儲存彈性係數E’較佳爲1·0χ l〇8Pa以上。若此儲存彈性係數E’爲l.〇xl〇8Pa以上的話， 藉活性能量線照射硬化後，將成爲具優越耐熱性之物，在 其表面，例如利用濺鍍法等之配線形成將成爲可能。 於該150 °C的儲存彈性係數E’之上限並無特別之限 制，通常約爲l.〇xl〇12Pa。更佳之彈性係數E’爲l.OxlO8 〜1.0xl09Pa。 若上述雙鍵濃度爲4.5 mm ol/g以上時，該彈性係數E’ 通常成爲1 ·〇χΐ〇8 Pa以上。 還有，該彈性係數E ’係進行如下方式所測定之値： <儲存彈性係數E’之測定法> 以照度400mW/cm2、曝光量300mJ/cm2之條件，於25 °C，將熔融製Η燈泡作爲光源的紫外線照射於電路基板用 樹脂片而予以硬化之後，以升溫速度3 °C /min而使初期溫 度15 °C升溫至150 °C爲止，藉動態黏彈性係數測定裝置〔TA Instrument公司製、機種名「DMA Q800」〕，以頻率11Hz， 依照JISK7244-4而測定於150°C的儲存彈性係數E’。 200941071 <能量線硬化型高分子材料> 於本發明中，所謂能量線硬化型高分子材料，其係指 於電磁波或荷電粒子線之中具有能量量子的高分子材料， 亦即藉由照射紫外線或電子線等而加以交聯的高分子材 料。 本發明所用之該能量線硬化型高分子材料，例如，可 列舉：（1)含有丙烯酸系聚合物與能量線硬化型聚合性寡 聚物及/或聚合性單體、與依需求之光聚合引發劑的高分子 ❹ 材料；（2)含有在側鏈中具有聚合性不飽和基之能量線硬 化型丙烯酸系聚合物、與依需求之光聚合引發劑的高分子 材料等。 於該（1)之高分子材料中，丙烯酸系聚合物可列舉： 酯部分的烷基碳數1〜20之（甲基）丙烯酸酯之聚合物、 或是（甲基）丙烯酸酯、與含有具有依需求所用之活性氫 的官能基之單體及其他單體的共聚物，亦即較佳爲（甲基） 丙烯酸酯系共聚物。於本發明中，所謂「（甲基）丙烯酸…」 ❾ 係意指「丙稀酸…」及「甲基丙燃酸…」兩者。 於此’酯部分的烷基碳數1〜20之（甲基）丙烯酸酯 之例子’可列舉：（甲基）丙烯酸甲酯、（甲基）丙烯酸 乙酯、（甲基）丙烯酸丙酯、（甲基）丙烯酸丁酯、（甲 基）丙烯酸戊酯、（甲基）丙烯酸己酯、（甲基）丙烯酸 環己酯、（甲基）丙烯酸-2-乙基己酯、（甲基）丙烯酸異 辛酯、（甲基）丙烯酸癸酯、（甲基）丙烯酸十二烷酯、 (甲基）丙烯酸十四烷酯、（甲基）丙烯酸十六烷酯、（甲 基）丙烯酸十八烷酯等。此等（甲基）丙烯酸酯可以單獨 200941071 使用，也可以組合二種以上而使用。 另一方面，含有具有依需求所用之活性氫的官能基單 體之例子，可列舉：（甲基）丙烯酸-2-羥基乙酯、（甲基） 丙烯酸-2-羥基丙酯、（甲基）丙烯酸-3·羥基丙酯、（甲基） 丙烯酸-2-羥基丁酯、（甲基）丙烯酸-3-羥基丁酯、（甲基） 丙烯酸-4-羥基丁酯等之（甲基）丙烯酸羥基烷酯；（甲基） 丙烯酸單甲胺基乙酯、（甲基）丙烯酸單乙胺基乙酯、（甲 基）丙烯酸單甲胺基丙酯、（甲基）丙烯酸單乙胺基丙酯 φ 等之（甲基）丙烯酸單烷胺基烷酯；丙烯酸、甲基丙烯酸、 巴豆酸、馬來酸、衣康酸、檸康酸等之乙烯性不飽和羧酸 等。此等之單體可以單獨使用，也可以組合二種以上而使 用。 於（甲基）丙烯酸酯系共聚物中，（甲基）丙烯酸酯 單位係含有5〜100質量％，較佳爲含有50〜95質量％ ; 含有具有活性氫之官能基的單體單位係含有0〜95質量 %，較佳爲含有5〜50質量％ ^ Q 另外，依需求所用之其他單體例子，可列舉：乙酸乙 烯酯、丙酸乙烯酯等之乙烯酯類；乙烯、丙烯、異丁烯等 之烯烴類：氯乙烯、偏氯乙烯等之鹵化烯烴類；苯乙烯、α· 甲基苯乙烯等之苯乙烯系單體；丁二烯、異戊二烯、氯丁 二烯等之二烯系單體；丙烯腈、甲基丙烯腈等之腈系單體； 丙烯醯胺、Ν-甲基丙烯醯胺、Ν,Ν-二甲基丙烯醯胺等之丙 烯醯胺類等。此等單體可以單獨使用，也可以組合二種以 上而使用。（甲基）丙烯酸酯系共聚物中，此等單體單位 能夠含有0〜30質量％。 -10- 200941071 於該高分子材料中’作爲丙燃酸系聚合物所用之（甲 基）丙烯酸酯系共聚物’針對其共聚合形態，並無特別之 限制，可以爲無規、嵌段、接枝共聚物中任一種。另外， 分子量係重量平均分子量，較佳爲30,〇〇〇以上。 還有，上述重量平均分子量係利用凝膠滲透層析儀 (GPC )法測出的標準聚苯乙烯換算之値。 於本發明中，此（甲基）丙烯酸酯系共聚物可以單獨 使用一種，也可以組合二種以上而使用。 0 另外，能量線硬化型聚合性寡聚物，例如，可列舉： 聚酯丙烯酸酯系、環氧丙烯酸酯系、胺甲酸酯丙烯酸酯系、 聚醚丙烯酸酯系、聚丁二烯丙烯酸酯系、矽氧烷丙烯酸酯 系、多元醇丙烯酸酯系等。於此，聚酯丙烯酸酯系寡聚物 係藉由例如利用（甲基）丙烯酸以酯化在藉多價羧酸與多 元醇的縮合所得之在兩末端具有羥基的聚酯寡聚物之羥 基，或是利用（甲基）丙烯酸以酯化將環氧烷加成於多價 羧酸所得之寡聚物末端之羥基而能夠得到。例如，環氧丙 φ 烯酸酯系寡聚物係藉由在較低分子量之雙酚型環氧樹脂或 酚醛型環氧樹脂之環氧乙烷環上，與（甲基）丙烯酸反應、 經酯化而能夠得到。另外，也能夠使用藉二鹽基性羧酸酐 以部分改性此環氧丙烯酸酯系寡聚物之羧基改性型環氧丙 烯酸酯系寡聚物》例如，胺甲酸酯丙烯酸酯系寡聚物能夠 藉由利用（甲基）丙烯酸以酯化在依照聚醚多元醇或聚酯 多元醇與聚異氰酸酯的反應所得之聚胺甲酸酯寡聚物而能 夠得到；多元醇丙烯酸酯系寡聚物係藉由利用（甲基）丙 烯酸以酯化在聚醚多元醇之羥基而能夠得到。 200941071 於本發明中，使電路基板用樹脂片中之雙鍵濃度、及 能量線硬化後之該樹脂片之於150°C的儲存彈性係數E’成 爲上述既定範圍之方式來進行，上述聚合性寡聚物較佳爲 在側鏈中具有許多聚合性基的高分枝寡聚物，例如較佳爲 高分枝多元醇（甲基）丙烯酸酯等。 上述聚合性寡聚物之重量平均分子量係利用GPC法測 出的標準聚苯乙烯換算之値，較佳爲選定5 00〜1 00,0〇〇, 更佳爲1，〇〇〇〜70,000，進一步更佳爲3,000〜40,000之範 ❹圍。 還有，上述重量平均分子量係利用凝膠滲透層析儀 (GPC )法測出的標準聚苯乙烯換算之値，只要無特別申 明，透過本發明而利用以下之條件加以測定。 裝置：GPC測定裝置〔Toso股份公司製、商品名 「HLC-8020層析儀」〕 管柱：〔Toso股份公司製、商品名「TSK-GEL GMHXL」 (2 支）及「TSK-GEL G2000HXL」（1 支）〕 ^ 溶出溶劑：四氫呋喃 濃度1% 注入量：80μ1
溫度：4 0 °C 流速：1.0ml/分鐘 此聚合性寡聚物可以單獨使用一種，也可以組合二種 以上而使用。 另一方面，基於與上述同樣之理由，能量線硬化型聚 合性單體較佳爲多官能性（甲基）丙烯酸酯類。此多官能 -12- 200941071 性（甲基）丙烯酸酯類之例子，可列舉：二（甲基）丙烯 酸-1，4-丁二醇酯、二（甲基）丙烯酸-1，6-己二醇酯、二（甲 基）丙烯酸新戊二醇酯、二（甲基）丙烯酸聚乙二醇酯、 二（甲基）丙烯酸新戊二醇己二酸酯、二（甲基）丙烯酸 羥基三甲基乙酸新戊二醇酯、二（甲基）丙烯酸二環戊酯、 二（甲基）丙烯酸己內酯改性二環戊酯、二（甲基）丙烯 酸環氧乙烷改性磷酸酯、二（甲基）丙烯酸烯丙基化環己 酯、二（甲基）丙烯酸異氰酸酯、二羥甲基三環癸烷二（甲 φ 基）丙烯酸酯、三（甲基）丙烯酸三羥甲基丙烷酯、三（甲 基）丙烯酸二季戊四醇酯、三（甲基）丙烯酸丙酸改性二 季戊四醇酯、三（甲基）丙烯酸季戊四醇酯、三（甲基） 丙烯酸環氧丙烷改性三羥甲基丙烷酯、異氰酸參（丙烯醯 氧乙基）酯、五（甲基）丙烯酸丙酸改性二季戊四醇酯、 六（甲基）丙烯酸二季戊四醇酯、六（甲基）丙烯酸己內 酯改性二季戊四醇酯、己內酯改性參（丙烯醯氧乙基）異 氰酸酯、七（甲基）丙烯酸三季戊四醇酯等。此等之聚合 ^ 性單體可以使用一種，也可以組合二種以上而使用。 此等之聚合性寡聚物或聚合性單體的用量係使硬化前 之電路基板用樹脂片中之雙鍵濃度在上述範圍之方式，另 外’較佳藉由能量線之施加，使硬化後之電路基板用樹脂 片之於150°C的儲存彈性係數E’成爲l.〇xl〇8pa以上之方式 來予以選定，相對於100質量份之（甲基）丙烯酸酯系共 聚物的固形成分，通常能夠摻合3〜400質量份。 另外，通常照射作爲能量線之紫外線或電子線，於照 射紫外線之際，能夠使用光聚合引發劑。例如，此光聚合 -13- 200941071 引發劑可列舉：苯偶姻、苯偶姻甲基醚、苯偶姻乙基醚、 苯偶姻異丙基醚、苯偶姻正丁基醚、苯偶姻異丁基醚、苯 乙酮、二甲胺基苯乙酮、2，2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2,2-二甲氧基-1，2-二苯基乙-1-酮、2,2-二乙氧基-2-苯基苯乙 酮、2 -經基-2 -甲基-1-苯基丙-1-酮、1-羥基環己基苯基酮、 2 -甲基-1-〔 4-(甲硫基）苯基〕-2 -嗎琳丙-1-醒、4- ( 2-羥基乙氧基）苯基-2-(羥基-2-丙基）酮、二苯甲酮、對苯 基二苯甲酮、4,4’-二乙胺二苯甲酮、二氯二苯甲酮、2-甲 ❹ 基葱、2 -乙基蒽、2 -三級丁基蒽、2·胺基惠、2 -甲硫基噻順 酮、2 -乙硫基噻噸酮、2-氯噻噸酮、2,4-二甲基噻噸酮、2,4-二乙基噻噸酮、苄基二甲基縮酮、苯乙酮二甲基縮酮、對 二甲胺安息香酸酯、〔2-羥基-2-甲基-1-〔 4- ( 1-丙醯基） 苯基〕丙酮〕寡聚物等。此等光聚合引發劑可以使用一種， 也可以組合二種以上而使用。 相對於100質量份之上述能量線硬化型高分子材料的 固形成分，摻合量通常爲0.1〜10質量份。 φ 接著’於該（2)之高分子材料中，在側鏈中具有聚合 性不飽和基之能量線硬化型丙烯酸系聚合物，可列舉：將 —COOH、一 NCO、環氧基' —、— ΝΗ2等之活性點導 入例如上述（1)之高分子材料中所說明的丙烯酸系聚合物 之聚合物鏈中，使此活性點與具有聚合性不飽和基之化合 物反應’由將具有聚合性不飽和基之能量線硬化型官能基 導入該丙烯酸系聚合物的側鏈中之物。 爲了將該活性點導入丙烯酸系聚合物，於製造該丙烯 酸系聚合物之際，最好使具有—COOH、一 NCO、環氧基、 -14- 200941071 -OH、- NH2等之官能基與聚合性不飽和基的單體或寡聚 物共存於反應系中。 具體而言，於製造上述（1)之高分子材料中所說明的 丙烯酸系聚合物之際，導入一 COOH基之情形下，最好使 用（甲基）丙烯酸等；導入一 NCO基之情形下，最好使用 2-(甲基）丙烯醯氧乙基異氰酸酯等；導入環氧基之情形 下，最好使用（甲基）丙烯酸縮水甘油酸酯等；導入一 OH 基之情形下，最好使用（甲基）丙烯酸-2-羥乙酯、單（甲 ❹ 基）丙烯酸-1，6-己二醇酯等；導入—NH2之情形下，最好 使用N -甲基（甲基）丙烯醯胺等。 按照活性點之種類，具有與此等活性點反應的聚合性 不飽和基之化合物，能夠由例如2-(甲基）丙烯醯氧乙基 異氰酸酯、（甲基）丙烯酸縮水甘油酸酯、單（甲基）丙 烯酸季戊四醇酯、單（甲基）丙烯酸二季戊四醇酯、單（甲 基）丙烯酸三羥基丙烷酯等之中，加以適當選擇而使用。 進行如此方式，可以得到一種丙烯酸系聚合物，其係 ^ 由使該活性點介於中間，將具有聚合性不飽和基之能量線 硬化型官能基導入丙烯酸系聚合物之側鏈中而成。 此能量線硬化型丙烯酸系聚合物之重量平均分子量較 佳爲3 0,000以上，尤以5 0,000以上特別理想。還有，上 述重量平均分子量係利用GPC法測出的標準聚苯乙烯換算 之値。 另外，依需求所用之光聚合引發劑能夠使用上述（1) 之高分子材料的說明所例示之光聚合引發劑。 於本發明中，基於抑制藉所得之電路基板用樹脂片的 -15- 200941071 能量線所造成之硬化時的體積收縮，並且使耐熱性提高等 之目的下，能夠使該能量線硬化型材料中含有無機微粒。 該無機微粒能夠使用例如矽、鈦、锆、錫、鋁、鐵等 之各種金屬元素的氧化物或碳化物等，此等無機微粒之 中，基於體積收縮之抑制效果、透光性、經濟性等均衡之 觀點，較佳爲二氧化矽微粒。 於本發明中，此無機粒子可以單獨使用一種，也可以組 合二種以上而使用。另外，基於透明性、均勻分散性、抑 φ 制體積收縮效果等之觀點，其平均粒徑較佳於3〜50nm之 範圍，更佳於5〜30 nm之範圍。還有，於本發明中之平均 粒徑係基於藉BET法所得之算出値。 使用二氧化矽微粒之情形，二氧化矽微粒適宜爲分散 於醇系或溶纖素系等之有機溶劑中的有機二氧化矽溶膠。 於本發明中，該無機微粒係用以抑制二次凝聚、可以 均質分散於能量線硬化型高分子材料中，也可以使用已進 行表面修飾處理之無機微粒。表面修飾處理方法並無特別 φ 之限制，習知方法可列舉：例如使用有機矽烷化合物之方 法或使用界面活性劑之方法等，按照無機微粒之種類與能 量線硬化型高分子材料之種類，較隹加以適當選擇。例如， 將二氧化矽微粒作爲無機微粒使用之情形下，有利於使用 有機矽烷化合物以進行表面修飾處理；二氧化矽微粒以外 的無機微粒之情形下，有利於使用界面活性劑以進行表面 修飾處理。 於該（1)及（2)之能量線硬化型高分子材料中，於 本發明之效果不受損害之範圍內，能夠依需求而添加交聯 -16- .200941071 劑、黏著賦與劑、抗氧化劑、紫外線吸收劑、光安 軟化劑等》 例如’該交聯劑可列舉：聚異氰酸酯化合物、環_ 三聚氰胺樹脂、尿素樹脂、二醛類、羥甲基聚合物 系化合物、金屬螯合物、金屬醇鹽、金屬鹽等，較 聚異氰酸酯化合物。相對於100質量份之上述（甲 烯酸酯系共聚物的固形成分，此交聯劑能夠摻合0' 量份。 n 於此’聚異氰酸酯化合物之例子，可列舉：甲 氰酸酯、二苯基甲烷二異氰酸酯、二甲苯二異氰酸 芳香族聚異氰酸酯；六亞甲基二異氰酸酯等之脂肪 氰酸酯；異佛酮二異氰酸酯、加氫之二苯基甲烷二 酯等之脂環式聚異氰酸酯等、及此等之縮合二脲物 酸酯物，再者，與乙二醇、丙二醇、新戊二醇、三 丙烷、（篦麻油等之含低分子活性氫化合物之反應物 物等。此等交聯劑可以單獨使用一種，也可以組合 ◎ 上而使用。 還有，該（1)及（2)之能量線硬化型高分子 用以控制電路基板用樹脂片中之雙鍵濃度、及能量 後之該樹脂片的儲存彈性係數E，，能夠對（1)之 硬化型高分子材料添加（2)之側鏈中具有聚合性不 之能量線硬化型丙烯酸系聚合物。同樣的，能夠對 能量線硬化型高分子材料添加（1)之丙烯酸系聚合 能量線硬化型聚合性寡聚物或能量線硬化型聚合性 (電路基板用樹脂片之製造方法） 定劑、 :樹脂、 、氮呒 佳使用 基）丙 ~ 30質 苯二異 酯等之 族聚異 異氰酸 、異氰 羥甲基 的加成 二種以 材料係 線硬化 能量線 飽和基 (2)之 物、或 na drffa 單體。 •17- .200941071 以下，列舉製造本發明之電路基板用樹脂 但是，本發明並未因此而受到特別限制。 藉由利用習知方法，例如刮刀塗布法、輥 塗布法、刮板塗布法、模頭塗布法、照相凹版 將已調整至含有該能量線硬化型高分子材料之 塗布液塗布/乾燥於剝離片之剝離劑層上，成爲 方式，來形成電路基板用樹脂片。該剝離片也 路基板用樹脂片之保管或保護而予以直接積層 © 電路基板用樹脂片之另一面，可以積層與該剝 力不同的剝離片，也可以不予以積層而直接使 之電路基板用片的製作。 於此，電路基板用樹脂片之厚度也依照其 通常約爲50〜1000 μιη，較佳爲80〜500 μιη。還 路基板用樹脂片的厚度之情形，藉由積層複數 電路基板用樹脂片之製造方法所製作之樹脂層 既定厚度之電路基板用樹脂片。 ® 該剝離片並無特別之限制，可列舉：在聚 聚丙烯薄膜等之聚烯烴薄膜、聚對苯二甲酸乙 酯薄膜上塗布矽氧烷樹脂等之剝離劑，設置剝 離片等。此剝離片之厚度通常約爲20〜150 μπι 〔電路基板用片〕 接著，針對本發明之電路基板用片加以說 之電路基板用片係由在載體上形成該電路基板 單面的構造所構成。該電路基板用樹脂片較佳 片之方法。 塗布法、桿 塗布法等， 適當濃度的 既定厚度之 可以爲了電 。再者，在 離片之剝離 用於所後述 使用條件， 有，增加電 片之依照該 ，能夠作成 乙烯薄膜或 二酯等之聚 離劑層之剝 明。本發明 用樹脂片之 之慘合等構 -18- 200941071 造係如上所述。 另一方面，針對載體並無特別之限制，通常 爲顯示器用載體所使用之透明載體之中，適當選 載體而使用。如此之載體可列舉：玻璃基板、或 薄膜狀之塑膠載體等。例如，玻璃基板能夠使用 玻璃、含鋇/鋸之玻璃、鋁矽酸玻璃、鉛玻璃、硼形 鋇硼矽酸玻璃、石英等而成之載體。另一方面， 膜狀之塑膠載體，例如，能夠使用由聚碳酸酯樹 Ο 酸樹脂、聚對苯二甲酸乙二酯樹脂、聚硫醚樹脂 脂、聚環烯烴樹脂等而成之載體。此等載體之厚 用途而加以適當選定，通常約爲20 μιη〜5 mm，較{ 〜2mm。 〔電路基板用片之製造方法〕 以下，針對製造此電路基板用片之方法，加 但是，本發明並未因此而予以特別限制。 第1種方法係在該電路基板用樹脂片之兩側 〇 片之情形，首先，藉由剝離輕剝離型剝離片，將 面與該載體相貼合以製作電路基板用片。 第2種方法係藉由利用該方法而在剝離片上 基板用樹脂片，之後，藉由直接與載體相貼合以 基板用片。 第3種方法係藉由利用習知方法，例如刮刀 輥塗布法、桿塗布法、刮板塗布法、模頭塗布法 版塗布法等，成爲既定厚度之方式來直接將該塗 能夠從作 擇任意之 是板狀或 由鹼石灰 7酸玻璃、 板狀或薄 脂、丙烯 、聚颯樹 度係按照 圭爲5 0 μιη 以舉例。 積層剝離 此剝離之 製作電路 製作電路 塗布法、 、照相凹 布液塗布/ -19- 200941071 乾燥於該載體上，並藉由形成電路基板用樹脂片以直接製 作電路基板用片。 第1種方法係適合於使用如玻璃基板的剛性載體之情 形，第2、第3種方法係適合於如薄膜狀塑膠之載體。 〔顯示器用電路基板〕 本發明之顯示器用電路基板係藉由將電路晶片埋入如 上述所得之電路基板用片的電路基板用樹脂片表面中，對 其照射能量線予以硬化而能夠製作。 © 若針對具體之方法加以說明，將被埋入之電路晶片放 置於剝離片上等，使電路基板用樹脂片面（電路基板用樹 脂片與剝離片相貼合之情形，預先剝離後而使用）連接於 該電路晶片之方式來將電路基板用片放置於其上，藉由約 0.05〜2.0MPa之載重，較佳於〇〜150°C，更佳於5〜100 °C之溫度埋入該晶片，照射能量線而使電路基板用樹脂片 硬化之後，藉由剝離已放置該電路晶片的剝離片，將可以 得到本發明之顯示器用電路基板。還有，加熱而埋入電路 © 晶片之情形下，能量線之照射可以於電路基板用樹脂片被 加熱之狀態下進行，也可以冷卻至室溫後進行。 通常能量線係使用紫外線或電子線。紫外線係藉由高 壓水銀燈、熔融Η燈、氙燈等而得到，另一方面，電子線 係藉電子線加速器等而得到。於此能量線之中，尤以紫外 線特別適合。此能量線之照射量係使硬化的硬化層之儲存 彈性係數成爲上述範圍之方式來加以適當選擇，例如，紫 外線之情形下，曝光量較佳爲100〜5000mJ/cm2;電子線 -20- .200941071 之情形，較佳約爲10〜lOOOkrad。 第1(a)圖〜第l(c)圖係使用本發明之電路基板用 片，顯示埋入電路晶片方法之一例的步驟說明圖。 首先，在載體1上，準備得自未硬化狀態之能量線硬 化型高分子材料的本發明之電路基板用樹脂片2的同時， 也將電路晶片3放置於剝離片4上〔（a)〕。接著，使電 路基板用樹脂片2連結於電路晶片3之方式來加以放置， 載重下以埋入該晶片，照射能量線而予以硬化〔（b)〕。 © 依照此操作，未硬化狀態之電路基板用樹脂片2係變成硬 化層，將電路晶片3埋入其中，加以固定的同時，本發明 之顯示器用電路基板5也容易從剝離片4被剝離〔（c)〕。 還有，也可以將電路晶片3放置於電路基板用樹脂片2之 上，依同樣方式而於載重下進行埋入。 若根據如此之方法，並非加熱高分子膜而埋入電路晶 片，而是藉由使用能量線硬化型高分子材料以埋入電路晶 片，之後加以硬化；爲了固定化電路晶片，使用高分子膜 〇 之情形的不恰當將難以發生，也能夠有效縮短操作時間。 於本發明中，適合於如此之方法，再者，能夠提供一 種埋入電路晶片之顯示器用電路基板，其具優越之埋入性 的同時，也具有高的耐熱性。 (配線形成） 進行如此方式，通常由埋入電路晶片、予以硬化處理、 固定化而成之顯示器用電路基板係在其表面上形成配線 (電路）》 -21 - •200941071 此配線形成之方法並無特別之限制，能夠由習知所進 行的方法之中，適當選擇任意之方法而加以實施。能夠利 用例如光刻技術以進行配線形成。若顯示其一例，首先將 正型或負型之光阻液塗布於由埋入電路晶片、經硬化處理 而成之電路基板用片上，形成光阻劑層。接著，隔著既定 之光罩圖案，曝光上述光阻劑層之後，使用四甲基銨氫氧 化物水溶液等之鹼顯像液以顯像處理，使阻劑圖案形成。 接著，例如藉由使用作爲配線材料之鉻靶的濺鍍等， 0 在上述阻劑圖案上形成既定厚度的鉻膜之後，將此電路基 板用片浸漬於乙醇等之蝕刻液中，藉由進行阻劑之蝕刻而 能夠形成所需求之配線。 於本發明中，由於電路基板用樹脂片之硬化物以使用 具優越耐熱性之物，於此配線形成中，能夠防止於配線中 產生裂痕等之不恰當。 實施例 接著，藉由實施例以更詳細說明本發明，本發明係根 據此等例子，並未予以任何限定。 還有，各例之各種特性係利用以下所示之方法加以評 估： (1)電路基板用樹脂片之雙鍵濃度 遵照於專利說明書本文中揭示之方法而加以測定。但 是，基於樹脂片溶解性之觀點，實施例1〜5係使用重氫化 氯仿作爲溶劑，實施例6〜8係使用重氫化二甲基亞颯作爲 溶劑。另外，於1H-NMR測定中，使用Bruker BioSpin公 司製之「AVANCE500」，以頻率5 00Hz之條件加以測定》 -22- .200941071 (2) 紫外線硬化後之電路基板用樹脂片之於15 0°C的儲存 彈性係數E ’ 遵照專利說明書本文中揭示之方法而加以測定。 針對紫外線硬化，只要無特別申明，藉由照射將熔融 Η燈作爲光源之紫外線（照度條件：400mW/cm2、曝光量 3 00mJ/cm2)以進行未硬化層之硬化。 (3) 紫外線硬化後之電路基板用樹脂片的耐熱性 在紫外線硬化後之電路基板用樹脂片，使用鉻靶而藉 0 濺鍍，以形成厚度25nm之鉻膜（Cr膜）。 職鍍係使用濺鍍裝置〔Cannon Anelva公司製、機種名 「L-250S-FH」〕，於氬氣下，以製膜壓力IPa、電力25W 進行。 (a) 裂痕之有無 針對鉻膜表面之任意10點，使用數位顯微鏡〔Keyence 股份公司製、商品名「數位顯微鏡VHX-200」〕以觀察裂 痕之有無。 φ 評估基準 〇：未觀察到裂痕。 X :觀察到裂痕。 (b) 針對鉻膜表面之任意5處，測定電阻値，將其平均値 設爲電阻値。各測定點之2點間距離設爲5cm，測定上係 使用 Tester〔三菱化學股份公司製、機種名「Rolester MCP-T600」〕。 實施例1 相對於固形成分100質量份之重量平均分子量10萬的 -23- 200941071 聚（甲基丙烯酸甲酯）（以下，稱爲PMMA )，使固形成 分200質量份之高分枝多元醇丙烯酸酯〔新中村化學工業 股份公司製、商品名「A-HBR-5」、重量平均分子量·· 1 5 50〕、 固形成分6質量份之光聚合引發劑的1-羥基環己基苯基酮 [Ciba Specialty Chemicals 股份公司製、商品名「Irgacure 184」、以下稱爲光引發劑 A]予以溶解，最後添加甲基乙 基酮以將固形成分濃度調整至50質量％，直到成爲均勻溶 液爲止加以攪拌而作成塗布液。 〇 藉由刮刀塗布機以將調製之塗布液塗布於聚對苯二甲 酸乙二酯膜之單面已設置矽氧烷系剝離劑層之重剝離型剝 離片〔Lintec股份公司製、商品名「PLR3 82050 * J〕的剝 離處理面上，於10(TC、加熱乾燥90秒鐘，形成由厚度50 μπι 之能量線硬化型高分子材料而成之未硬化層。進行同樣之 方式，在聚對苯二甲酸乙二酯膜之單面已設置矽氧烷系剝 離劑層之輕剝離型剝離片〔Lintec股份公司製、商品名 「PET3801」〕的剝離處理面上，形成由厚度50μιη之能量 © 線硬化型高分子材料而成之未硬化層。藉由使用積層機以 積層此等未硬化層，形成厚度100μιη的未硬化層，製得電 路基板用樹脂片。 針對進行如此方式而得之電路基板用樹脂片，求出雙 鍵濃度、紫外線硬化後之於1 5(TC的儲存彈性係數及紫外 線硬化後之耐熱性。將其結果顯示於表1。 實施例2 除了使用己內酯改性三（丙烯醯氧乙基）異氰酸酯〔新 -24- .200941071 中村化學工業股份公司製、商品名「NK Ester 9300-1CL」〕 以取代高分枝多元醇丙烯酸酯以外，進行相同於實施例1 之方式而製作電路基板用樹脂片》 針對進行如此方式而得之電路基板用樹脂片，求出雙 鍵濃度、紫外線硬化後之於150 °C的儲存彈性係數及紫外 線硬化後之耐熱性。將其結果顯示於表1。 實施例3 除了使用二羥甲基三環癸烷二丙烯酸酯〔新中村化學 〇 工業股份公司製、商品名「A-DCP」〕以取代高分枝多元 醇丙烯酸酯以外，進行相同於實施例1之方式而製作電路 基板用樹脂片。 針對進行如此方式而得之電路基板用樹脂片，求出雙 鍵濃度、紫外線硬化後之於1 50°C的儲存彈性係數及紫外 線硬化後之耐熱性。將其結果顯示於表1。 實施例4 除了使用固形成分150質量份之二羥甲基三環癸烷二 ❾ 丙烯酸酯〔新中村化學工業股份公司製、商品名「A-DCP」〕 與固形成分50質量份之雙酚A型環氧丙烯酸酯〔共榮社化 學股份公司製、商品名「環氧酯3002A」〕的混合物，以 取代高分枝多元醇丙烯酸酯以外，進行相同於實施例1之 方式而製作電路基板用樹脂片。 針對進行如此方式而得之電路基板用樹脂片，求出雙 鍵濃度、紫外線硬化後之於150 °C的儲存彈性係數及紫外 線硬化後之耐熱性。將其結果顯示於表1。 -25- 200941071 實施例5 除了使用參（丙烯醯氧乙基）異氰酸酯〔東亞合成股 份公司製、商品名「Aronix M-315」〕以取代高分枝多元 醇丙烯酸酯以外，進行相同於實施例1之方式而製作電路 基板用樹脂片。 針對進行如此方式而得之電路基板用樹脂片，求出雙 鍵濃度、紫外線硬化後之於15〇 °C的儲存彈性係數及紫外 線硬化後之耐熱性。將其結果顯示於表1。 〇 實施例6 於由75質量份之甲基丙烯酸甲酯（以下，稱爲MM A ) 與25質量份之甲基丙烯酸-2-羥乙酯（以下，稱爲HEM A) 而成之甲基丙烯酸酯共聚物的甲基乙基酮溶液（固形成分 濃度35質量％)中，相對於共聚物中之HEM A 100當量， 添加80當量之2-甲基丙烯醯氧乙基異氰酸酯，於氮氣環境 中，於40 °C予以反應48小時而得到在側鏈中具有聚合性 不飽和基之重量平均分子量15萬的能量線硬化型丙烯酸 Ο 系聚合物。相對於固形成分100質量份之所得之能量線硬 化型丙烯酸系共聚物，添加固形成分2 00質量份之高分枝 多元醇丙烯酸酯〔新中村化學工業股份公司製、商品名 「A-HBR-5」，與上述相同〕、固形成分6質量份之光聚 合引發劑的 2,2-二甲氧基-1，2-二苯基乙烷-1-酮〔Ciba Specialty Chemicals 股份公司製、商品名「Irgacure 651j ' 以下稱爲光引發劑B〕、及固形成分1.5質量份之聚異氰 酸酯系交聯劑〔三井化學聚胺甲酸酯股份公司製、商品名 -26- .200941071 「Takenate D-140N」，以下稱爲交聯劑a〕，進一 甲基乙基酮而得到固形成分濃度40質量％之塗布液 使用此塗布液以外，進行相同於實施例1之方式而 路基板用樹脂片。 針對進行如此方式而得之電路基板用樹脂片， 鍵濃度、紫外線硬化後之於15 0 °C的儲存彈性係數 線硬化後之耐熱性。將其結果顯示於表1。 實施例7 〇 相對於固形成分1〇〇質量份之實施例6的甲基 酯共聚物之甲基乙基酮溶液，添加固形成分200質 髙分枝多元醇丙烯酸酯〔商品名「A-HBR-5」，與 同〕、固形成分6質量份之光引發劑B、及固形成 質量份之交聯劑a，進一步添加甲基乙基酮而得到 分濃度40質量％之塗布液。除了使用所得之塗布液 進行相同於實施例1之方式而製作電路基板用樹脂, 針對進行如此方式而得之電路基板用樹脂片， © 鍵濃度、紫外線硬化後之於150°C的儲存彈性係數 線硬化後之耐熱性。將其結果顯示於表1。 實施例8 於由25質量份之丙烯酸丁酯、50質量份之甲 酸甲酯與25質量份之丙烯酸-2-羥乙酯（以下，稱赁 而成之（甲基）丙烯酸酯系共聚物的甲基乙基酮溶 形成分濃度40質量％)，相對於共聚物中之HEA 量，添加80當量之2·甲基丙烯醯氧乙基異氰酸酯， 步添加 。除了 製作電 求出雙 及紫外 丙烯酸 量份之 上述相 分1.5 固形成 以外， 片。 求出雙 及紫外 基丙烯 I HEA ) 液（固 100當 於氮氣 -27- .200941071 環境中，於40 °C予以反應48小時而得到在側鏈中具有聚 合性不飽和基之重量平均分子量25萬的能量線硬化型丙 烯酸系聚合物。相對於固形成分100質量份之所得之能量 線硬化型丙烯酸系聚合物，添加固形成分200質量份之高 分枝多元醇丙烯酸酯〔新中村化學工業股份公司製、商品 名「A-HBR-5」，與上述相同〕、固形成分6質量份之光 聚合引發劑A、及固形成分1.8質量份之交聯劑a，進一步 添加甲基乙基酮而得到固形成分濃度40質量％之塗布 Ο 液。除了使用此塗布液以外，進行相同於實施例1之方式 而製作電路基板用樹脂片。 針對進行如此方式而得之電路基板用樹脂片，求出雙 鍵濃度、紫外線硬化後之於150 °C的儲存彈性係數及紫外 線硬化後之耐熱性。將其結果顯示於表1。 比較例1 除了使用聚碳酸酯骨幹胺甲酸酯丙烯酸酯〔日本合成 化學工業股份公司製、商品名「UV-6010EA」、重量平均 ® 分子量：15 00〕以取代高分枝多元醇丙烯酸酯以外，進行 相同於實施例1之方式而形成未硬化層。 針對進行如此方式而得之電路基板用樹脂片，求出雙 鍵濃度、紫外線硬化後之於1 5 0 °c的儲存彈性係數及紫外 線硬化後之耐熱性。將其結果顯示於表1。 比較例2 除了使用聚碳酸酯骨幹胺甲酸酯丙烯酸酯〔日本合成 化學工業股份公司製、商品名「UV-6020EA」、重量平均 -28- .200941071
〇 分子量·· 1 5 60〕以取代高分枝多元醇丙烯酸酯以外，進行 相同於實施例1之方式而形成未硬化層。 針對進行如此方式而得之電路基板用樹脂片，求出雙 鍵濃度、紫外線硬化後之於150 °C的儲存彈性係數及紫外 線硬化後之耐熱性。將其結果顯示於表1。 -29- 200941071 ϊ撇 ❹ 樹脂片評估結果 Cr膜電阻 値(Ω〇) δ VO Ον S： m 00 V ?:， X (N V X oi Cr膜 有無裂痕 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 X X ^ 〇 2.7x10® 1.5x10s 5·5χ108 2.7x10* 2.4x108 4.9χ108 L— —— _ 1.7x10® 3.4x10* l_3xl07 1.6xl07 雙鍵濃度 (mmol/g) 卜 v〇 寸 10.2 Ο 00 OS Ο) On »r> od OO ΓΛ 寸 CO 摻合(皆爲固形成分質量份） 交聯劑a 質量份 〇 〇 ο ο ο oo 〇 〇 光引發劑 質量份 VO ν〇 ν〇 ν〇 ν〇 v〇 VO 種類 < < < < < 0Q CQ < < < S5 Μ m 質量份 1 200 , 200 200 150/50 200 200 200 200 200 200 \άυ 骧 m m m A-HBR-5 9300-1CL ί A-DCP ι A-DCP/3002A Μ-315 A-HBR-5 ι_ A-HBR-5 1 A-HBR-5 UV-6010EA UV-6020EA 主劑 質量份 〇 〇 ο ο ο ο o o o o 種類 1 PMMA PMMA ΡΜΜΑ ΡΜΜΑ ΡΜΜΑ $ Ή Ν ^ Μ ϊ ϋ ω § κ δ ϊ ^ MMA:HEMA=75:25 BA:MMA:HEA=25:50 :25(MOI80 當量） PMMA PMMA 實施例1 實施例2 實施例3 實施例4 實施例5 實施例6 實施例7 實施例8 比較例1 比較例2 -oco- (。丑 ¥ M^M--ui-N駿 S 蘅州) .200941071 〔註解〕 PMMA :聚（甲基丙烯酸甲酯） MMA :甲基丙烯酸甲酯 BA :丙烯酸丁酯 HEMA:甲基丙烯酸-2-羥乙酯 HEA :丙烯酸-2-羥乙酯 MOI : 2-甲基丙烯醯氧乙基異氰酸酯 A-HBR-5 :高分枝多元醇丙烯酸酯〔新中村化學工業股份 ❹ 公司製、商品名「A-HBR-5」〕 9300-1CL:己內酯改性參（丙烯醯氧乙基）異氰酸酯〔新 中村化學工業股份公司製、商品名「NKESter 9300-lCL」〕 A-DCP :二羥甲基三環癸烷二丙烯酸酯〔新中村化學工業 股份公司製、商品名「A-DCP」〕 3 0 02 A :雙酚A型環氧丙烯酸酯〔共榮社化學股份公司製、 商品名「環氧酯3002A」〕 M-3 15:參（丙烯醢氧乙基）異氰酸酯〔東亞合成股份公 ❿ 司製、商品名「AronixM-315」〕 UV-6010EA:聚碳酸酯骨幹胺甲酸酯丙烯酸酯〔日本合成 化學工業股份公司製、商品名「UV-6010EA」〕 UV-602 0EA :聚碳酸酯骨幹胺甲酸酯丙烯酸酯〔日本合成 化學工業股份公司製、商品名「UV-6020EA」〕 光引發劑 A : 1-羥基環己基苯基酮〔Ciba Specialty
Chemicals股份公司製、商品名「Irgacure 184」〕 光引發劑 B : 2,2-二甲氧基-1，2-二苯基乙-1-酮〔Ciba Specialty Chemicals 股份公司製、商品名「irgacure 651」〕 -31 - 200941071 交聯劑a:聚異氰酸酯系交聯劑〔三井化學聚胺甲酸酯股 份公司製、商品名「TakenateD-ΜΟΝ」〕 由表1得知，雙鍵濃度超過4.5 mmol/g之實施例1〜8 係能量線硬化後之於15(TC的儲存彈性係數E’皆超過1.Ox l〇8Pa，鉻膜中並未觀察到裂痕，電阻値爲低的値。 相對於此，雙鍵濃度低於4.5mmol/g之比較例1〜2係 能量線硬化後之於15(TC的儲存彈性係數E’皆低於l.Ox l〇8Pa，鉻膜中發生裂痕，電阻値爲高的値。 〇 [產業上利用之可能性] 基於品質佳、高生產性，本發明之電路基板用樹脂片， 其硬化物具優越之耐熱性，能夠有效提供用以控制顯示器 用（尤其，平面顯示器用）之各像素而埋入電路晶片之電 路基板。 【圖式簡單說明】 第1(a)圖〜第1(c)圖係使用本發明之電路基板用 樹脂片，顯示埋入電路晶片之方法一例的步驟說明圖。圖 ® 中，符號1係表示載體、2係表示電路基板用樹脂片、3係 表示電路晶片、4係表示剝離片、5係表示顯示器用電路基 板。 【主要元件符號說明】 1 載體 2 電路基板用樹脂片 3 電路晶片 4 剝離片 5 顯示器用電路基板 -32-

Claims (1)

  1. ,200941071 七、申請專利範圍： 1.一種電路基板用樹脂片，其係得自用以埋 能量線硬化型高分子材料之電路基板用棱 爲在藉能量線照射硬化前的雙鍵濃度爲4 2·如申請專利範圍第1項之電路基板用樹辟 能量線照射硬化後，依據JIS Κ7244·4戶J °C的儲存彈性係數E’爲1.0xl08Pa以上。 3. —種電路基板用片，其特徵係在載體上形 〇 範圍第1或2項之電路基板用樹脂片的單 4. 一種顯示器用電路基板，其特徵係將電礎 請專利範圍第3項之電路基板用片的電腾 表面中，對其照射能量線而予以硬化。 ❹ 入電路晶片之 脂片，其特徵 5 〜25mmol/g0 片，其中在藉 測定之於1 5 0 成如申請專利 面。 晶片埋入如申 基板用樹脂片 -33-
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017535946A (ja) * 2014-11-05 2017-11-30 エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー 製品基板をコーティングするための方法と装置
WO2017124332A1 (en) * 2016-01-20 2017-07-27 Goertek.Inc Micro-led transfer method and manufacturing method
EP3373712B1 (fr) * 2017-03-09 2023-03-29 MGI Digital Technology Procédé de dépôt de traces conductrices

Family Cites Families (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6262422A (ja) * 1985-09-13 1987-03-19 Sony Corp 磁気記録媒体
EP0240752B1 (en) 1986-03-07 1992-06-03 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Erasable optical disk having an improved optically transparent substrate
US4794133A (en) 1988-01-04 1988-12-27 Desoto, Inc. Acrylated polyurethanes based on polyoxytetramethylene glycols extended with ethylenically unsaturated dicarboxylic acids
CA2038117A1 (en) 1990-03-29 1991-09-30 Mahfuza B. Ali Controllable radiation curable photoiniferter prepared adhesives for attachment of microelectronic devices and a method of attaching microelectronic devices therewith
EP0509534B1 (en) 1991-04-17 1997-03-05 AG-TECHNOLOGY Co., Ltd. Liquid crystal optical element, liquid crystal display element and a projection type liquid crystal display apparatus using such element
JP3388674B2 (ja) 1996-04-19 2003-03-24 リンテック株式会社 エネルギー線硬化型感圧接着剤組成物およびその利用方法
TW430672B (en) 1997-07-03 2001-04-21 Sumitomo Chemical Co A photo-curing resin composition for DVD
JP2001026759A (ja) 1999-04-28 2001-01-30 Bridgestone Corp 光学機能部材一体型表示装置用接着剤組成物、接着剤フィルム、接着剤フィルム積層体、光学機能部材一体型表示装置及びその製造方法
KR100711423B1 (ko) 2000-03-14 2007-05-02 린텍 가부시키가이샤 점착제 조성물, 그것을 사용한 점착시트 및 점착성 광학부재
AU2001252592A1 (en) 2000-04-27 2001-11-12 Dainippon Ink & Chemicals, Inc. Water-based coating composition curable with actinic energy ray, coated metallicmaterial with cured film of the composition, production process, and method of bonding coated metallic material
US6472065B1 (en) 2000-07-13 2002-10-29 3M Innovative Properties Company Clear adhesive sheet
JP2002214588A (ja) * 2001-01-15 2002-07-31 Seiko Epson Corp 電気光学装置とその製造方法
JP3733418B2 (ja) 2001-04-16 2006-01-11 シャープ株式会社 粘接着シート、積層シート及び液晶表示装置
JP2002344011A (ja) 2001-05-15 2002-11-29 Sony Corp 表示素子及びこれを用いた表示装置
JP3696131B2 (ja) 2001-07-10 2005-09-14 株式会社東芝 アクティブマトリクス基板及びその製造方法
JP2003103696A (ja) 2001-09-27 2003-04-09 Hitachi Chem Co Ltd 凹凸を形成するための版、その製造方法、それを用いた電磁波シールド材料、その製造方法、並びにその電磁波シールド材料を用いた電磁波遮蔽構成体及び電磁波シールドディスプレイ
JP4359411B2 (ja) 2001-10-09 2009-11-04 リンテック株式会社 光ディスク製造用シート
JP4002746B2 (ja) 2001-10-23 2007-11-07 株式会社小糸製作所 不飽和ポリエステル樹脂組成物およびその硬化物、ならびにランプ反射鏡基体
TW578222B (en) 2002-01-11 2004-03-01 Mitsui Chemicals Inc Semiconductor wafer surface protective adhesive tape and backside process method of semiconductor wafer using the same
JP2003207764A (ja) 2002-01-16 2003-07-25 Sumitomo Bakelite Co Ltd 表示素子用プラスチック基板および液晶表示装置
JP4008246B2 (ja) 2002-01-28 2007-11-14 住友ベークライト株式会社 複合体組成物、及びこれを架橋させてなる成形硬化物
JP2003248436A (ja) 2002-02-27 2003-09-05 Ishikawa Seisakusho Ltd 大画面平面ディスプレイ装置並びにその製造方法及び製造装置
DE60330574D1 (de) 2002-06-14 2010-01-28 Dainippon Ink & Chemicals Lichtaushärtbare zusammensetzung zur versiegelung einer flüssigkristalltafel und flüssigkristalltafel
US7239999B2 (en) * 2002-07-23 2007-07-03 Intel Corporation Speed control playback of parametric speech encoded digital audio
JP4333100B2 (ja) * 2002-08-20 2009-09-16 東亞合成株式会社 活性エネルギー線硬化型粘着剤及び粘着シート
KR20050075280A (ko) 2002-11-19 2005-07-20 가부시키가이샤 이시카와 세이사쿠쇼 화소제어 소자의 선택 전사 방법, 화소제어 소자의 선택전사 방법에 사용되는 화소제어 소자의 실장 장치,화소제어 소자 전사후의 배선 형성 방법, 및, 평면디스플레이 기판
JP3474187B1 (ja) 2002-11-19 2003-12-08 英樹 松村 画素制御素子の選択転写方法、及び、画素制御素子の選択転写方法に使用される画素制御素子の実装装置
JP2004319976A (ja) 2003-03-28 2004-11-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd 転写シート及びそれを用いた配線基板とその製造方法
US7001662B2 (en) 2003-03-28 2006-02-21 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Transfer sheet and wiring board using the same, and method of manufacturing the same
JP2005135995A (ja) 2003-10-28 2005-05-26 Matsushita Electric Works Ltd 回路部品内蔵モジュール、回路部品内蔵モジュールの製造方法、および多層構造回路部品内蔵モジュール、多層構造回路部品内蔵モジュールの製造方法
JP4875340B2 (ja) * 2004-10-06 2012-02-15 リンテック株式会社 ディスプレイ用の回路基板シートの製造方法及び該製造方法に用いる回路基板用シート
US20060082002A1 (en) * 2004-10-06 2006-04-20 Lintec Corporation Sheet for circuit substrates and sheet of a circuit substrate for displays
US7737538B2 (en) 2007-11-08 2010-06-15 Visera Technologies Company Limited Semiconductor package

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Publication number Publication date
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