JP2002214588A - 電気光学装置とその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 プラスチック基板のＴG 以上の熱処理が必要
な各膜においても、ガラス基板に成膜した場合と同等の
膜特性を有するプラスチック基板の液晶装置およびその
製造方法を提供する。 【解決手段】 一対の基板のうち少なくとも一方が樹脂
からなる基板間に液晶層が挟持されてなる液晶装置の製
造方法であって、形成用基板に分離層を形成する工程
と、分離層上に少なくとも導電膜および配向膜を有する
被剥離物を形成する工程と、分離層に照射光を照射し
て、分離層において剥離を生ぜしめ、被剥離物を形成用
基板から離脱させる工程と、被剥離物を基板に貼着する
工程と、を有する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電気光学装置とそ
の製造方法および電子機器に関し、特に、プラスチック
基板の適用を可能とする液晶装置に好適な技術に関する
ものである。

【０００２】

【従来の技術】図３１は、従来一般のパッシブマトリッ
クス型液晶装置の概略構成を示す断面図である。この図
は透過型液晶装置の液晶セル１０００を示しており、ガ
ラス基板等からなる一対の基板１００１，１００２間に
ＳＴＮ（Super Twisted Nematic ）液晶等からなる液晶
層１００３が挟持されている。第１基板１００２の表示
領域には赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）などのカラー画
素１０１０ａと遮光層（ブラックマトリックス）１０１
０ｂとからなるカラーフィルタ層１０１０が形成され、
その上に複数の電極１００６がストライプ状に形成さ
れ、さらにその上に配向層１００８が形成されている。
同様に、第２基板１００１の表示領域には第１基板１０
０２の電極１００６と直交する方向に延在する複数の電
極１００５がストライプ状に形成され、その上に配向層
１００７が形成されている。そして、各基板１００１，
１００２の外面側には図示しない偏光板が設置されてい
る。また、符号１００９は基板間の間隔（セルギャップ
という）を基板面内で一定に保持するためのスペーサ、
符号１００４は両基板を貼り合わせるとともに液晶を封
入するためのシール材、である。ここで、通常の液晶装
置に使用される基板としては、ガラス基板、石英基板等
の基板が従来から選択されてきた。

【０００３】ところが、近年では小型携帯情報端末等の
携帯電子機器の普及に伴い、軽量化、薄型化が容易、割
れない、曲面表示が可能、等の利点を有するプラスチッ
クフィルム基板を用いた液晶装置への要求が高まってい
る。このため、例えばポリカーボネート系、ポリアクリ
レート系、ポリエーテルサルフォン系、ポリオレフィン
系等の透明な高分子からなる厚さ０．４×１０^-3ｍ
（０．４ｍｍ）以下程度のプラスチックフィルムを基板
の基材として適応したいという要求が生じていた。しか
し、未だにこのような透明樹脂製の基板をカラー液晶セ
ルに適応することは実現されていない。

【０００４】その理由は以下の通りである。図３２は、
従来の液晶セルにおけるカラーフィルタ層の製造工程の
説明図である。このカラーフィルタ１０１０の製造工程
においては、先ず、図に（ａ）で示すように、第１基板
１００２に赤（Ｒ）の色素層１０１０ｒをフォトリソグ
ラフィによりパターニングして形成する。このときの処
理としては、熱処理をおこなうことが必須であり、その
温度条件は２２０℃程度に設定されていた。

【０００５】そして、その後、図に（ｂ）で示すよう
に、緑（Ｇ）の色素層１０１０ｇを形成する際に、この
緑（Ｇ）の色素層１０１０ｇとなる層１０１０ｇ’を基
板１００２全面に成膜し、その後フォトリソグラフィ法
によりパターニングしていた。このとき、２２０℃程度
の条件で熱処理をおこなうことが必要である。この後、
同様にして青（Ｂ）の色素層と遮光層（ブラックマトリ
ックス）１０１０ｂとを形成してカラーフィルタ層１０
１０を形成する。

【０００６】また、電極１００８はインジウム錫酸化物
（以下、ＩＴＯと記載する。）などの透明な導電材料か
らなるが、このＩＴＯからなる電極を形成する際にも、
蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ(Chemical Vapor De
position)法などにより、第１基板１００２上の全面に
ＩＴＯなどの電極材料からなる導電膜を形成した後、導
電膜上の全面に所定のフォトレジストを塗布し、フォト
レジストの露光、現像をおこない、フォトレジストを所
定のパターンに形成する。次に、導電膜を所定のパター
ンにエッチングすることにより、所定のパターンの電極
１００６を形成していた。導電膜形成時には２００℃程
度の基板加熱処理が必要であった。さらに、配向層１０
０８は、ポリイミド等からなり、これもその製造工程に
おいて３００℃程度の熱処理をおこなうことが必要であ
る。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記の透明樹
脂製の基材においては、そのガラス転移温度ＴG が１５
０℃〜２００℃程度であるため、実質的な耐熱温度が１
２５℃〜１６０℃程度となり、これ以上の熱処理をおこ
なった場合、基材が変形するなどの弊害が生じてしま
う。このため、樹脂製の基材を適用した場合、１２０℃
〜１５０℃程度以上の熱処理条件に耐えることができな
いという問題があった。また、このような基材の問題を
改善しようとして各層の成膜時における熱処理温度を下
げた場合には、以下のような問題が生じていた。

【０００８】先ず、カラーフィルター層１０１０の形成
の際における熱処理温度を１２０℃程度の透明樹脂基材
の耐熱温度以下に設定した場合には、その温度における
熱処理によって色素層１０１０ａがそれぞれ充分に安定
化されない。このため、例えば、図３２（ｃ）に示すよ
うに、安定化していない赤（Ｒ）の色素層１０１０ｒ上
に緑（Ｇ）のカラーレジスト１０１０ｇ”が残ってしま
うため、所望の分光特性を有するカラーフィルターが形
成できない。

【０００９】そして、ＩＴＯの成膜の際における基板加
熱温度を１２０℃程度の透明樹脂基材の耐熱温度以下に
設定した場合には、形成されたＩＴＯの抵抗値が上昇し
てしまい、例えばシート抵抗で３０〜４０Ω／□程度の
値しか得ることができない。このように、ガラス基板に
通常の熱処理温度でＩＴＯを形成した場合のシート抵抗
７〜１５Ω／□に対して、低温で処理をおこなったＩＴ
Ｏの抵抗値は大きくなるためこのＩＴＯ部分における電
圧降下が大きくなり、液晶表示装置としては低い駆動電
圧では駆動できないため、高精細化の求められている液
晶装置には適用できなかった。

【００１０】また、配向膜１００８の成膜の際における
熱処理温度を、透明樹脂基材の耐熱温度である１２０℃
程度以下の値に設定した場合にも、配向性等の必要な膜
特性が充分得られなかった。

【００１１】本発明は、上記の課題を解決するためにな
されたものであって、例えば一般的なプラスチック基板
等を用いることができ、かつ、プラスチック基板のＴG
以上の熱処理が必要な各膜においても、ガラス基板に成
膜した場合と同等の膜特性を有する液晶装置およびその
製造方法を提供することを目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明の電気光学装置の
製造方法においては、一対の基板のうち少なくとも一方
が樹脂からなる基板間に電気光学物質層が挟持されてな
る電気光学装置の製造方法であって、形成用基板に分離
層を形成する工程と、前記分離層上に少なくとも導電膜
および配向膜を有する被剥離物を形成する工程と、前記
分離層に照射光を照射して、前記分離層において剥離を
生ぜしめ、前記被剥離物を前記形成用基板から離脱させ
る工程と、該被剥離物を前記基板に貼着する工程と、を
有することにより上記課題を解決した。本発明はまた、
前記形成用基板が透光性とされ、前記分離層に前記形成
用基板を透過して照射光を照射して、前記分離層と被剥
離物との界面において剥離を生ぜしめることが可能であ
る。また、本発明では、前記分離層の剥離が、分離層を
構成する物質の原子間または分子間の結合力が消失また
は減少することにより生じることができる。また、本発
明の前記照射光は、レーザ光であることが好ましく、前
記レーザ光の波長が、１００〜３５０nmであることがで
きる。本発明の前記分離層は、非晶質シリコンで構成さ
れていることが好ましい。本発明の前記基板が粘着シー
トにより貼着されることができる。本発明においては、
前記導電膜がインジウム錫酸化物からなり、そのシート
抵抗が３０Ω／□未満に設定されることが好ましく、よ
り好ましくは、前記シート抵抗が１５Ω／□以下に設定
されることができる。さらに、本発明の前記被剥離物に
はカラーフィルタ層が形成される手段を採用することが
できる。本発明の前記被剥離物には、反射膜が形成され
ることができる。前記被剥離物の前記基板を貼着する側
には、パッシベーション膜が積層されることが可能であ
る。本発明においては、前記被剥離物が前記形成用基板
上に少なくとも前記導電膜、前記配向膜、の順に積層さ
れる手段か、または、前記被剥離物が前記形成用基板上
に少なくとも前記配向膜、前記導電膜、の順に積層され
る手段を選択することが可能である。本発明において
は、前記被剥離物上に前記基板が貼着された状態で、前
記照射光を照射することができる。本発明の電気光学装
置用基板の製造方法においては、形成用基板に分離層を
形成する工程と、前記分離層上に少なくとも導電膜およ
び配向膜を有する被剥離物を形成する工程と、前記分離
層に照射光を照射して、前記分離層において剥離を生ぜ
しめ、前記被剥離物を前記形成用基板から離脱させる工
程と、該被剥離物を前記基板に貼着する工程と、を有す
ることにより上記課題を解決した。本発明の電気光学装
置用においては、一対の基板のうち少なくとも一方が樹
脂からなる基板間に電気光学物質層が挟持されてなる電
気光学装置であって、前記基板上に少なくとも導電膜お
よび配向膜が形成されてなり、前記導電膜がインジウム
錫酸化物からなり、そのシート抵抗が３０Ω／□未満に
設定されることにより上記課題を解決した。本発明にお
いて、より好ましくは、前記シート抵抗が１５Ω／□以
下に設定されることができる。本発明の前記基板上には
反射膜が形成されることができる。前記基板と、少なく
とも前記導電膜および前記配向膜を有する被剥離物とが
粘着シートにより貼着されることが可能である。本発明
の前記基板と前記導電膜との間にはパッシベーション膜
が積層されることができる。また、本発明の電子機器に
おいては、上記の各電気光学装置を備えることが可能で
ある。

【００１３】本発明の電気光学装置（液晶装置）の製造
方法においては、ガラス基板、石英基板等の形成用基板
に分離層を形成する工程と、前記分離層上に少なくとも
導電膜および配向膜を有する被剥離物を形成する工程
と、前記分離層に照射光を照射して、前記分離層におい
て剥離を生ぜしめ、前記被剥離物を前記形成用基板から
離脱させる工程と、該被剥離物を、ポリカーボネート
系、ポリアクリレート系、ポリエーテルサルフォン系、
ポリオレフィン系等の透明な高分子からなる厚さ０．４
×１０^-3ｍ（０．４ｍｍ）以下程度のプラスチックフィ
ルムを基材とし、その両面に、ガスを透過しないガスバ
リア層と保護層とが積層形成されてなるプラスチック基
板（樹脂製基板）に貼着する工程と、を有することによ
り、プラスチックフィルム基板に直接導電膜および配向
膜等を形成する場合に対比して、被剥離物形成工程にお
ける熱処理の温度条件を、プラスチックフィルムのＴG
によって規定される耐熱温度以下に設定する必要がなく
なるため、所望の膜特性を有する導電膜および配向膜を
有し、かつ、軽量化、薄型化が容易、割れない、曲面表
示が可能、等の利点を有するプラスチックフィルム基板
を用いた液晶装置を製造することができる。

【００１４】ここで、形成用基板として、耐熱性に優れ
るガラス基板、石英基板等を適用することにより、プラ
スチックフィルムのＴG によって規定される耐熱温度よ
り高い温度によって熱処理をおこなうことが可能となる
とともに、ガラス等の形成用基板においては被剥離物の
形成と剥離とを繰り返しておこなうことが可能となり、
このため、石英ガラス基板を形成時に必要とするような
高温の熱処理が必要な場合にも、そのコストを低減する
ことができる。

【００１５】本発明はまた、前記形成用基板が透光性と
され、前記分離層に対して形成用基板側から、つまり、
形成用基板を透過するように照射光を照射して、前記分
離層と被剥離物との界面において剥離を生ぜしめること
が可能であり、被剥離物にアルミニウム、銀などの光を
反射する不透明な導電材料のような透過率の低い層が形
成された場合であっても、剥離を効率よくおこなうこと
ができる。

【００１６】また、本発明では、前記分離層の剥離が、
分離層を構成する物質の原子間または分子間の結合力が
消失または減少することにより生じることにより、剥離
前の状態における被剥離物と分離層との界面から被剥離
層を剥離することができ、これにより、被剥離物に分離
層が付着することが防止できる。

【００１７】また、本発明の前記照射光は、レーザ光で
あることができ、前記レーザ光の波長が、１００〜３５
０nmであることが好ましく、より好ましくは、波長２４
８nmのＫｒＦエキシマレーザーとすることが可能であ
る。これにより、照射した分離層を構成する物質の原子
間または分子間中の結合力を効率よく消失または減少す
ることができる。

【００１８】ここで、本発明の前記分離層は、非晶質シ
リコンで構成されていることが好ましく、これにより、
レーザー照射によって非晶質シリコンが結晶化して多晶
質シリコンとなって体積変化を生じるとともに、被剥離
物の剥離が可能となる。

【００１９】本発明は、形成用基板から剥離される前の
被剥離物か、あるいは、形成用基板から剥離された後の
被剥離物に、プラスチックフィルム基板を粘着シートに
より貼着することができる。ここで、粘着シートとは、
特定のシートに限るものではなく、本発明の趣旨を逸脱
しない範囲の物ならば、一般的に薄膜デバイスをプラス
チック基板に貼着可能なものを適応することが可能であ
る。

【００２０】本発明においては、前記導電膜がインジウ
ム錫酸化物からなり、そのシート抵抗が３０Ω／□未満
に設定されることが好ましく、より好ましくは、前記シ
ート抵抗が１５Ω／□以下に設定されることができ、こ
れは、プラスチックフィルムの耐熱温度を大幅に超えた
２００℃程度の熱処理により得ることができる特性であ
り、このような低抵抗値により電圧降下の影響を低減す
ることができ、これにより、低駆動電圧の高精細な液晶
装置を得ることができる。さらに、本発明の前記被剥離
物にはカラーフィルタ層が形成され、プラスチック基板
の耐熱温度を超えた２２０℃程度の熱処理により、カラ
ーレジスト中の溶剤を充分ベークして必要な安定度を得
ることが可能となる。

【００２１】本発明の前記被剥離物には、反射膜が形成
されることで反射型液晶装置あるいは、半透過型液晶装
置とすることが可能である。

【００２２】前記被剥離物の前記基板を貼着する側に
は、ＳｉＯ２ からなるパッシベーション膜が積層され
ることにより、導電膜やＴＦＴ（Thin Film Transisto
r）の部分に、直接プラスチック基板を貼着するための
粘着シートを接着することを防止できるとともに、液晶
セルに対するガス透過および不純物の拡散をさらに低減
することが可能となる。

【００２３】本発明においては、前記被剥離物が前記形
成用基板上に少なくとも前記導電膜、前記配向膜、の順
に積層される手段により、形成用基板を剥離した側にプ
ラスチック基板を貼着することで、表示用基板および駆
動用基板のいずれにも、かつ、アクティブ・マトリク
ス、パッシブ・マトリクスのいずれのタイプの液晶装置
でも、また、透過型、反射型、半透過反射型、または投
影型などにも適用することが可能である。

【００２４】また、前記被剥離物が前記形成用基板上に
少なくとも前記配向膜、前記導電膜、の順に積層され
る、つまり、通常の液晶装置の基板と逆順に積層する手
段により、形成用基板から剥離する前の被剥離物にプラ
スチック基板を貼着した状態で前記照射光を照射するこ
とにより、パッシブ・マトリックスタイプの液晶装置の
表示用基板および駆動用基板、そして、アクティブ・マ
トリクスタイプの液晶装置の表示用基板に適応すること
が可能である。

【００２５】そして、本発明においては、これらのプラ
スチック基板と通常のガラス基板とを組み合わせて張り
合わせることにより電気光学装置（液晶装置）を製造す
ることもできる。この場合、例えば、ＴＦＴなどのアク
ティブタイプの駆動用基板をガラス基板に成膜して製造
し、表示用基板を逆順で成膜してプラスチック基板を貼
着し、これらを張り合わせて液晶装置とすることもでき
る。

【００２６】

【発明の実施の形態】［第１実施形態］以下、本発明に
係る電気光学装置とその製造方法の第１実施形態を、図
面に基づいて説明する。本実施形態および以下の各実施
形態では電気光学装置の例として、液晶装置を取り上げ
て説明する。

【００２７】図３０は、本発明に係る液晶装置の製造方
法を示すフローチャートであり、図１〜図６は第１実施
形態の液晶装置の製造方法の工程を示す模式断面図であ
り、図において、符号ｇ１は形成用基板、ｇ２は分離
層、ｇ４は被剥離物、ｇ７は照射光である。なお、本明
細書中に［Ｓ１］等で示す符号は、図３０のフローチャ
ートにおける各工程に対応している。

【００２８】［Ｓ１分離層ｇ２形成工程］図１に示すよ
うに、形成用基板ｇ１の片面（分離層形成面ｇ１１）
に、分離層（光吸収層）ｇ２を形成する。形成用基板ｇ
１は、後述する形成用基板ｇ１の照射光入射面ｇ１２側
から照射光ｇ７を照射する場合、その照射光ｇ７が透過
し得る透光性を有するものであるのが好ましい。この場
合、照射光７の透過率は、１０％以上であるのが好まし
く、５０％以上であるのがより好ましい。この透過率が
低過ぎると、照射光ｇ７の減衰（ロス）が大きくなり、
分離層ｇ２を剥離するのにより大きな光量を必要とす
る。

【００２９】また、形成用基板ｇ１は、信頼性の高い材
料で構成されているのが好ましく、特に、耐熱性に優れ
た材料で構成されているのが好ましい。その理由は、例
えば後述する被剥離物ｇ４やパッシベーション膜（中間
層）ｇ３を形成する際に、その種類や形成方法によって
はプロセス温度が高くなる（例えば３５０〜１０００℃
程度）ことがあるが、その場合でも、形成用基板ｇ１が
耐熱性に優れていれば、形成用基板ｇ１上への被剥離物
ｇ４等の形成に際し、その温度条件等の成膜条件をプラ
スチックシートの耐熱温度によって規定される温度条件
より高くでき、設定の幅が広がるからである。

【００３０】さらに、形成用基板ｇ１は、被剥離物ｇ４
の形成の際の最高温度をＴmax としたとき、歪点がＴma
x 以上の材料で構成されているものが好ましく、具体的
には、形成用基板ｇ１の構成材料は、歪点が３５０℃以
上のものが好ましい。さらに、５００℃以上のものがよ
り好ましい。このようなものとしては、例えば、石英ガ
ラス、ソーダガラス、コーニング７０５９（商品名）、
日本電気ガラスＯＡ−２（商品名）等の耐熱性ガラスが
挙げられ、これ以外にも、後述するように、２００℃〜
３００℃程度とされる分離層ｇ２、中間層ｇ３および被
剥離物ｇ４の形成の際のプロセス温度であれば、形成用
基板ｇ１として、前記の融点より低い安価なガラス材を
用いることができる。

【００３１】また、形成用基板ｇ１の厚さは、特に限定
されないが、通常は、０．１〜５．０mm程度であるのが
好ましく、０．５〜１．５mm程度であるのがより好まし
い。形成用基板ｇ１の厚さが薄過ぎると強度の低下を招
き、厚過ぎると、形成用基板ｇ１の透過率が低い場合
に、照射光ｇ７の減衰を生じ易くなる。なお、形成用基
板ｇ１の照射光ｇ７の透過率が高い場合には、その厚さ
は、前記値を超えるものであってもよい。なお、照射光
ｇ７を均一に照射できるように、形成用基板ｇ１の分離
層形成部分の厚さは、均一であるのが好ましい。また、
形成用基板ｇ１をエッチング等により除去するのではな
く、形成用基板ｇ１と被剥離物ｇ４との間にある分離層
ｇ２から剥離して形成用基板ｇ１を離脱させるため、作
業が容易であるとともに、例えば比較的厚さの厚い基板
を用いる等、形成用基板ｇ１に関する選択の幅も広い。

【００３２】また、形成用基板ｇ１の分離層形成面ｇ１
１や、照射光入射面ｇ１２は、図示のごとき平面に限ら
ず、曲面であってもよい。この場合、後述するプラスチ
ック基板が曲面の場合にも対応することができる。

【００３３】次に、分離層ｇ２について説明する。分離
層ｇ２は、後述するように、照射光ｇ７を吸収してこの
分離層ｇ２と中間層ｇ３または被剥離物ｇ４との界面ｇ
２ｂにおいて剥離（以下、「界面剥離」と言う）を生じ
るような性質を有するものであり、好ましくは、照射光
ｇ７の照射により、分離層ｇ２を構成する物質の原子間
または分子間の結合力が消失または減少することにより
界面剥離に至るものである。

【００３４】さらに、照射光ｇ７の照射により、分離層
ｇ２から気体が放出され、分離効果が発現される場合も
ある。すなわち、分離層ｇ２に含有されていた成分が気
体となって放出される場合と、分離層ｇ２が光を吸収し
て一瞬気体になり、その蒸気が放出され、分離に寄与す
る場合とがある。

【００３５】このような分離層ｇ２の組成としては、例
えば非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）が挙げられる。この非
晶質シリコン（アモルファスシリコン）中には、Ｈ（水
素）が含有されていてもよい。この場合、Ｈの含有量
は、２at％以上程度であるのが好ましく、２〜２０at％
程度であるのがより好ましい。この場合のように、Ｈが
所定量含有されていると、照射光ｇ７の照射により、水
素が放出され、分離層ｇ２に内圧が発生し、それが被剥
離物ｇ４と形成用基板ｇ１とを剥離する力となる。この
非晶質シリコン中のＨの含有量は、成膜条件、例えばＣ
ＶＤにおけるガス組成、ガス圧、ガス雰囲気、ガス流
量、温度、基板温度、投入パワー等の条件を適宜設定す
ることにより調整することができる。

【００３６】また、分離層ｇ２の厚さは、剥離目的や分
離層ｇ２の組成、形成方法等の諸条件により異なるが、
通常は、１nm〜２０μm 程度であるのが好ましく、１０
nm〜２μm 程度であるのがより好ましく、４０nm〜１μ
m 程度であるのがさらに好ましい。分離層ｇ２の膜厚が
小さすぎると、成膜の均一性が損なわれ、剥離にムラが
生じることがあり、また、膜厚が厚すぎると、分離層ｇ
２の良好な剥離性を確保するために、照射光ｇ７のパワ
ー（光量）を大きくする必要があるとともに、分離層ｇ
２が被剥離物ｇ４側に残留してこれを除去する作業の必
要が生じる可能性があり好ましくない。なお、分離層ｇ
２の膜厚は、できるだけ均一であるのが好ましい。

【００３７】分離層ｇ２の形成方法は、特に限定され
ず、膜組成や膜厚等の諸条件に応じて適宜選択される。
例えば、ＣＶＤ（ＭＯＣＶＤ、低圧ＣＶＤ、ＥＣＲ−Ｃ
ＶＤを含む）、蒸着、分子線蒸着（ＭＢ）、スパッタリ
ング、イオンプレーティング、ＰＶＤ等の各種気相成膜
法等が挙げられ、これらのうちの２以上を組み合わせて
形成することもでき、特に低圧ＣＶＤやプラズマＣＶＤ
により成膜するのが好ましい。

【００３８】［Ｓ３被剥離物ｇ４形成工程］次に、図２
に示すように、分離層ｇ２の上に被剥離物ｇ４を形成す
る。被剥離物ｇ４は、後述するように、転写体（基板）
６へ転写される層であって、後述するように液晶装置の
それぞれの基板に形成される機能性薄膜または薄膜デバ
イスとされ、ＩＴＯからなる導電膜、配向膜、カラーフ
ィルター層、駆動用回路等の複数の層を含むものとされ
る。このとき、被剥離物ｇ４の分離層ｇ２側の面ｇ４ａ
から上側の面ｇ４ｂに向けて、少なくても配向膜、導電
膜の順に積層される。つまり、この被剥離物ｇ４の面ｇ
４ａに配向膜が形成されている。このような機能性薄膜
または薄膜デバイスは、後述するように、各膜の形成に
必要な熱処理温度との関係で、通常、２００℃〜３００
℃程度以上という比較的高いプロセス温度を経て形成さ
れる。従って、この場合、前述したように、形成用基板
ｇ１としては、そのプロセス温度に耐え得る信頼性の高
いものが必要となる。このような被剥離物ｇ４は、後述
するように、通常、複数の工程を経て形成される。

【００３９】［Ｓ４接着層ｇ５形成工程、Ｓ５転写体ｇ
６貼着工程］図３に示すように、被剥離物ｇ４上に接着
層（粘着シート）ｇ５を形成し、該接着層ｇ５を介して
転写体ｇ６を接着（接合）する。接着層ｇ５を構成する
接着剤の好適な例としては、反応硬化型接着剤、熱硬化
型接着剤、紫外線硬化型接着剤等の光硬化型接着剤、嫌
気硬化型接着剤等の各種硬化型接着剤が挙げられる。接
着剤の組成としては、例えば、エポキシ系、アクリレー
ト系、シリコーン系等、いかなるものでもよい。このよ
うな接着層ｇ５の形成は、例えば、塗布法によりなされ
る。

【００４０】前記硬化型接着剤を用いる場合、例えば被
剥離物ｇ４上に硬化型接着剤を塗布し、その上に後述す
る転写体ｇ６を接合した後、硬化型接着剤の特性に応じ
た硬化方法により前記硬化型接着剤を硬化させて、被剥
離物ｇ４と転写体ｇ６とを接着、固定する。

【００４１】光硬化型接着剤を用いる場合は、透光性の
転写体ｇ６を未硬化の接着層ｇ５上に配置した後、転写
体ｇ６上から硬化用の光を照射して接着剤を硬化させる
ことが好ましい。また、形成用基板ｇ１が透光性を有す
るものであれば、形成用基板ｇ１と転写体ｇ６の両側か
ら硬化用の光を照射して接着剤を硬化させれば、硬化が
確実となり好ましい。 ［Ｓ２中間層ｇ３形成工程］なお、図示と異なり、転写
体ｇ６側に接着層ｇ５を形成し、その上に被剥離物ｇ４
を接着してもよい。また、被剥離物ｇ４と接着層ｇ５と
の間に、前述したような中間層を設けてもよい。

【００４２】転写体（基板）ｇ６としては、前記形成用
基板よりも耐熱温度の低い、ガラス転移温度ＴG が１５
０℃程度であり実際の耐熱温度が１２５℃程度であるポ
リカーボネート系、ガラス転移温度ＴG が１７０℃程度
であり実際の耐熱温度が１５０℃程度であるポリアクリ
レート系、ガラス転移温度ＴG が２００℃程度であり実
際の耐熱温度が１６０℃程度であるポリエーテルサルフ
ォン系、ガラス転移温度ＴG が１４０℃程度であり実際
の耐熱温度が１２０℃程度であるポリオレフィン系等の
透明な高分子からなる厚さ０．４×１０^-3ｍ（０．４ｍ
ｍ）以下程度のプラスチックフィルムを基材とし、その
両面に、ガスを透過しないガスバリア層と保護層とが積
層形成されてなるプラスチック基板（透明樹脂製基板）
が挙げられる。なお、このような基板は、平板であって
も、湾曲板であってもよい。

【００４３】ここで、転写体ｇ６として上記のような樹
脂基板を適応できる理由として、本発明では、形成用基
板ｇ１側に被剥離物ｇ４を形成し、その後、該被剥離物
ｇ４を転写体ｇ６に転写するため、転写体ｇ６に要求さ
れる特性、特に耐熱性は、被剥離物ｇ４の形成の際の温
度条件等に依存しないからである。従って、被剥離物ｇ
４の形成の際の最高温度をＴmax としたとき、転写体ｇ
６の構成材料として、ガラス転移点（ＴG ）または軟化
点がＴmax 以下のものを用いることができる。つまり、
上記のように、転写体ｇ６は、ガラス転移点（ＴG ）ま
たは軟化点が２００℃程度以下の材料で構成することが
できる。その結果、転写体ｇ６の機械的特性としては、
プラスチックの特性としてのある程度の剛性（強度）を
有するとともに、可撓性、弾性を有するものとすること
ができる。

【００４４】［Ｓ６照射光ｇ７照射工程，Ｓ７被剥離物
ｇ４剥離工程］図４に示すように、形成用基板ｇ１の裏
面側（照射光入射面ｇ１２側）から照射光ｇ７を照射す
る。この照射光ｇ７は、形成用基板ｇ１を透過した後、
界面ｇ２ａ側から分離層ｇ２に照射される。これによ
り、図５に示すように、分離層ｇ２に界面剥離が生じ、
結合力が減少または消滅するので、形成用基板ｇ１と転
写体ｇ６とを離間させると、被剥離物ｇ４が形成用基板
ｇ１から離脱して、転写体ｇ６へ転写される。

【００４５】ここで、図６は、分離層ｇ２に界面ｇ２ｂ
での界面剥離が生じた場合を示す。分離層ｇ２の界面剥
離が生じる原理は、分離層ｇ２の構成材料に剥離が生じ
ること、また、分離層ｇ２内に内蔵しているガスの放
出、さらには照射直後に生じる溶融、蒸散等の相変化に
よるものであることが推定される。この剥離とは、照射
光を吸収した固体材料（分離層ｇ２の構成材料）が光化
学的または熱的に励起され、その表面や内部の原子また
は分子の結合が切断されて放出することを言い、主に、
分離層ｇ２の構成材料の全部または一部が溶融、蒸散
（気化）等の相変化を生じる現象として現れる。また、
前記相変化によって微小な発泡状態となり、結合力が低
下することもある。

【００４６】このため、分離層ｇ２が被剥離物ｇ４に付
着しない状態でこの分離層ｇ２の内部で剥離が起きる場
合もあり、分離層ｇ２が層内剥離を生じるか、界面剥離
を生じるか、またはその両方であるかは、分離層ｇ２の
組成や、その他種々の要因に左右され、その要因の１つ
として、照射光ｇ７の種類、波長、強度、到達深さ等の
条件が挙げれる。

【００４７】照射光ｇ７としては、分離層ｇ２に層内剥
離および／または界面剥離を起こさせるものであればよ
く、例えば、Ｘ線、紫外線、可視光、赤外線（熱線）、
レーザ光、ミリ波、マイクロ波、電子線、放射線（α
線、β線、γ線）等が挙げられるが、そのなかでも、分
離層ｇ２の剥離（アブレーション）を生じさせ易いとい
う点で、レーザ光が好ましい。このレーザ光を発生させ
るレーザ装置の中でもエキシマレーザが特に好ましい。
エキシマレーザは、短波長域で高エネルギーを出力する
ため、極めて短時間で分離層ｇ２に剥離を生じさせるこ
とができ、よって、隣接するまたは近傍の被剥離物ｇ
４、形成用基板ｇ１等に温度上昇をほとんど生じさせる
ことなく、すなわち劣化、損傷を生じさせることなく分
離層ｇ２を剥離することができる。

【００４８】また、分離層ｇ２にアブレーションを生じ
させるに際しての照射光に波長依存性がある場合、照射
されるレーザ光の波長は、１００〜３５０nm程度である
のが好ましく、例えば、２４８nm程度のＫｒ−Ｆレーザ
が用いられる。また、照射されるレーザ光のエネルギー
密度、特に、エキシマレーザの場合のエネルギー密度
は、１０〜５０００ｍＪ／ｃｍ² 程度とするのが好まし
く、１００〜５００ｍＪ／ｃｍ² 程度とするのがより好
ましい。また、照射時間は、１〜１０００nsec程度とす
るのが好ましく、１０〜１００nsec程度とするのがより
好ましい。エネルギー密度が低いかまたは照射時間が短
いと、十分な剥離等が生じず、また、エネルギー密度が
高いかまたは照射時間が長いと、分離層ｇ２を透過した
照射光により被剥離物ｇ４へ悪影響を及ぼすことがあ
る。このようなＫｒ−Ｆエキシマレーザ光に代表される
照射光ｇ７は、その強度が均一となるように照射される
のが好ましい。

【００４９】照射光ｇ７の照射方向は、分離層ｇ２に対
し垂直な方向に限らず、分離層ｇ２に対し所定角度傾斜
した方向であってもよい。また、分離層ｇ２の面積が照
射光の１回の照射面積より大きい場合には、分離層ｇ２
の全領域に対し、複数回に分けて照射光を照射すること
もできる。また、同一箇所に２回以上照射してもよい。
また、異なる種類、異なる波長（波長域）の照射光（レ
ーザ光）を同一領域または異なる領域に２回以上照射す
ることもできる。

【００５０】最後に、図５に示すように、形成用基板ｇ
１に付着している分離層２を、例えば洗浄、エッチン
グ、アッシング、研磨等の方法またはこれらを組み合わ
せた方法により除去する。なお、形成用基板ｇ１が石英
ガラスのような高価な材料、希少な材料で構成されてい
る場合等には、形成用基板ｇ１は、再利用（リサイク
ル）することができる。

【００５１】以上のような各工程を経て、被剥離物ｇ４
の転写体ｇ６への転写が完了する。その後、被剥離層ｇ
４への表面処理、および被剥離物ｇ４と転写体（基板）
６に対して所定の処理をおこなう。これにより、図６に
示すように、プラスチック基板ｇ６側から順に少なくと
もＩＴＯ等の導電膜、配向膜の順で積層された液晶パネ
ルの一方の基板とすることができる。ここで、被剥離物
ｇ４の表面ｇ４ａには、配向膜が位置している。この液
晶基板上にスペーサーを散布した後、この基板と他の基
板とをシール材を介して貼着し、これらの基板間に液晶
を注入し液晶層を形成する。その後、基板の外側に偏光
板、位相差板などの光学素子を取り付けることにより液
晶装置が製造される。

【００５２】本発明では、ＩＴＯからなる導電層、カラ
ーフィルタ層、配向膜等の形成された被剥離物ｇ４自体
を直接プラスチック基板上に形成するのではなく、ガラ
ス等の耐熱温度の高い形成用基板ｇ１上に分離層ｇ２を
介して形成し、この分離層ｇ２から被剥離物ｇ４を剥離
するため、被剥離物ｇ４の各層における形成の処理温度
条件を、プラスチックフィルムの耐熱温度にかかわら
ず、各膜特性を維持するために必要な温度条件とするこ
とができるため、従来プラスチック基板の液晶装置では
得ることができなかった高い信頼性を維持することがで
きる。

【００５３】また、本実施形態では、被剥離物ｇ４が、
形成用基板ｇ１上に少なくとも配向膜、導電膜の順に積
層される、つまり、通常の液晶パネルの基板と逆順に積
層して形成されることにより、パッシブ・マトリックス
タイプの液晶装置の表示用基板および駆動用基板、そし
て、アクティブ・マトリクスタイプの液晶装置の表示用
基板に、また、透過型、反射型、半透過反射型、または
投影型などにも適応することが可能である。

【００５４】また、本実施形態では、被剥離物ｇ４と接
着層（粘着シート）ｇ５との間、つまり被剥離物ｇ４の
面ｇ４ｂに、液晶装置として製造された際における液晶
に対するガスを透過しないためのガスバリア層、として
第２実施形態で後述する中間層（パッシベーション膜）
ｇ３と同様の層を形成することが可能である。

【００５５】また、本実施形態では、形成用基板ｇ１側
から分離層ｇ２に照射光ｇ７を照射したが、被剥離物ｇ
４が照射光ｇ７の照射により悪影響を受けない場合に
は、照射光ｇ７の照射方向は前記に限定されず、形成用
基板ｇ１と反対側から照射光を照射してもよい。

【００５６】さらに、分離層ｇ２の面方向に対し部分的
に、すなわち所定のパターンで照射光を照射して、被剥
離物ｇ４を前記パターンで剥離または転写するような構
成であってもよい（第１の方法）。これは、一枚のパネ
ルから複数の液晶基板を製造するいわゆる多数取りの場
合に適応することが可能であり、この場合は、前記［Ｓ
６］の工程に際し、形成用基板ｇ１の照射光入射面ｇ１
２に対し、前記パターンに対応するマスキングを施して
照射光ｇ７を照射するか、あるいは、照射光ｇ７の照射
位置を精密に制御する等の方法によりおこなうことがで
きる。

【００５７】また、分離層ｇ２を形成用基板ｇ１の分離
層形成面ｇ１１全面に形成するのではなく、分離層ｇ２
を所定のパターンで形成することもできる（第２の方
法）。この場合、マスキング等により分離層ｇ２を予め
所定のパターンに形成するか、あるいは、分離層ｇ２を
分離層形成面ｇ１１の全面に形成した後、エッチング等
によりパターニングまたはトリミングする方法が可能で
ある。

【００５８】以上のような第１の方法および第２の方法
によれば、被剥離物ｇ４の転写を、そのパターニングや
トリミングとともにおこなうことができる。また、前述
した方法と同様の方法により、転写を２回以上繰り返し
行ってもよい。

【００５９】また、大型の透明樹脂基板（例えば、有効
領域が９００mm×１６００mm）を転写体ｇ６とし、小型
のガラス基板（形成用基板）ｇ１（例えば、有効領域が
４５mm×４０mm）に形成した小単位の被剥離物ｇ４（薄
膜トランジスタ）を複数回（例えば、約８００回）隣接
位置に順次転写して、大型の透明樹脂基板の有効領域全
体に被剥離物ｇ４を形成し、最終的に前記大型の透明樹
脂基板と同サイズの液晶ディスプレイを製造することも
できる。

【００６０】［第２実施形態］以下、本発明に係る電気
工学装置（液晶装置）とその製造方法の第２実施形態
を、図面に基づいて説明する。本実施形態においては、
前述した図３０，図１に示す［Ｓ１］の工程までは第１
実施形態と同様に、分離層ｇ２を形成する。図７〜図１
２は本実施形態の液晶装置の製造方法の工程を示す模式
断面図であり、これらの図において、第１実施形態と略
同等の構成要素に関しては同一の符号を付してその説明
を省略する。

【００６１】［Ｓ２中間層ｇ３形成工程］図７に示すよ
うに、分離層ｇ２の上に中間層（パッシベーション膜）
ｇ３を形成する。この中間層ｇ３は、例えば、製造時ま
たは使用時において後述する被剥離物ｇ４を物理的また
は化学的に保護する保護層として形成されるとともに、
絶縁層、照射光ｇ７の遮光層、被剥離物ｇ４へのまたは
被剥離物ｇ４からの成分の移行（マイグレーション）を
阻止するバリア層、そして、液晶装置として製造された
際における液晶に対するガスを透過しないためのガスバ
リア層、としての機能の内の少なくとも１つを発揮する
よう形成されることができる。

【００６２】この中間層ｇ３の組成としては、その形成
目的に応じて適宜設定され、例えば、非晶質シリコンに
よる分離層ｇ２と薄膜トランジスタ等の液晶パネルとな
る被剥離物ｇ４との間に形成される中間層３の場合に
は、ＳｉＯ２ 等の酸化ケイ素が挙げられる。

【００６３】このような中間層ｇ３の厚さは、その形成
目的や発揮し得る機能の程度に応じて適宜決定される
が、通常は、１０nm〜５μm 程度であるのが好ましく、
４０nm〜１μm 程度であるのがより好ましい。また、中
間層ｇ３の形成方法も、前記分離層ｇ２で挙げた形成方
法と同様の方法が挙げられる。なお、このような中間層
ｇ３は、同一または異なる組成のものを２層以上形成す
ることもできる。また、本実施形態においても、中間層
ｇ３を形成せず、分離層ｇ２上に直接被剥離物ｇ４を形
成してもよい。

【００６４】［Ｓ３被剥離物ｇ４形成工程］次に、図８
に示すように、中間層ｇ３の上に被剥離物ｇ４を形成す
る。ここで、被剥離物ｇ４の積層構造は、ＩＴＯからな
る導電膜、配向膜、カラーフィルター層、駆動用回路等
の複数の層を含むものとされるが、その積層順序は、後
述するように、上記の第１実施形態とは異なるものとさ
れる。

【００６５】本実施形態の被剥離物ｇ４は、後述するよ
うに、転写体ｇ６へ転写される層であって、液晶装置の
それぞれの基板に形成される機能性薄膜または薄膜デバ
イスとされ、ＩＴＯからなる導電膜、配向膜、カラーフ
ィルター層、駆動用回路等の複数の層を含むものとされ
る。ここで、被剥離物ｇ４の中間層ｇ３側の面ｇ４ａか
ら上側の面ｇ４ｂに向けて、少なくても導電膜、配向膜
の順に積層される。このような機能性薄膜または薄膜デ
バイスは、後述するように、各膜の形成に必要な熱処理
温度との関係で、通常、２００℃〜３００℃程度以上と
いう比較的高いプロセス温度を経て形成される。従っ
て、この場合、前述したように、形成用基板ｇ１として
は、そのプロセス温度に耐え得る信頼性の高いものが必
要となる。このような被剥離物ｇ４は、後述するよう
に、通常、複数の工程を経て形成される。

【００６６】［Ｓ５’転写体ｇ６’接着工程］図９に示
すように、被剥離物ｇ４上に転写体ｇ６’を接置する。
本実施形態の転写体ｇ６’としては、片面が微粘着タイ
プの粘着シート付のプラスチック基板や、シリコーン樹
脂等の吸着パッドを用いる。

【００６７】［Ｓ７被剥離物ｇ４剥離工程］図１０に示
すように、形成用基板ｇ１の裏面側（照射光入射面ｇ１
２側）から照射光ｇ７を照射する。この照射光ｇ７は、
形成用基板ｇ１を透過した後、界面ｇ２ａ側から分離層
ｇ２に照射される。これにより、図３０，図５に示す第
１実施形態の［Ｓ７被剥離物ｇ４剥離工程］と同様に、
分離層ｇ２に界面剥離が生じ、結合力が減少または消滅
するので、形成用基板ｇ１と転写体ｇ６’とを離間させ
ると、被剥離物ｇ４が形成用基板ｇ１から離脱して、転
写体ｇ６’へ転写される。このとき、照射光ｇ７として
も同様に、分離層ｇ２に剥離を生じさせる波長２４８nm
程度のＫｒ−Ｆエキシマレーザが用いられる。

【００６８】［Ｓ８接着層ｇ８形成工程，Ｓ９基板ｇ９
貼着工程］次いで、図１１に示すように、中間層ｇ３の
面ｇ３ａ側に接着層（粘着シート）ｇ８を形成し、該接
着層ｇ８を介して基板ｇ９を接着（接合）する。接着層
ｇ８を構成する接着剤の好適な例としては、第１実施形
態の接着層ｇ５に準じ、その説明は省略する。このよう
な接着層ｇ８の形成は、例えば、塗布法によりなされ
る。

【００６９】基板ｇ９としては、前記形成用基板よりも
耐熱温度の低い、ガラス転移温度ＴG が１５０℃程度で
あり実際の耐熱温度が１２５℃程度であるポリカーボネ
ート系、ガラス転移温度ＴG が１７０℃程度であり実際
の耐熱温度が１５０℃程度であるポリアクリレート系、
ガラス転移温度ＴG が２００℃程度であり実際の耐熱温
度が１６０℃程度であるポリエーテルサルフォン系、ガ
ラス転移温度ＴG が１４０℃程度であり実際の耐熱温度
が１２０℃程度であるポリオレフィン系等の透明な高分
子からなる厚さ０．４×１０^-3ｍ（０．４ｍｍ）以下程
度のプラスチックフィルムを基材とし、その両面に、ガ
スを透過しないガスバリア層と保護層とが積層形成され
てなるプラスチック基板（透明樹脂製基板）が挙げられ
る。なお、このような基板は、平板であっても、湾曲板
であってもよい。

【００７０】ここで、基板ｇ９として上記のような樹脂
基板を適応できる理由として、本発明では、形成用基板
ｇ１に被剥離物ｇ４を形成し、その後、該被剥離物ｇ４
を転写体ｇ６を介して基板ｇ９に転写するため、基板ｇ
９に要求される特性、特に耐熱性は、被剥離物ｇ４の形
成の際の温度条件等に依存しないからである。従って、
被剥離物ｇ４の形成の際の最高温度をＴmax としたと
き、基板ｇ９の構成材料として、ガラス転移点（ＴG ）
または軟化点がＴmax 以下のものを用いることができ
る。つまり、上記のように、転写体ｇ６は、ガラス転移
点（ＴG ）または軟化点が２００℃程度以下の材料で構
成することができる。その結果、基板ｇ９の機械的特性
としては、プラスチックの特性としてのある程度の剛性
（強度）を有するとともに、可撓性、弾性を有するもの
とすることができる。

【００７１】［Ｓ１０転写体ｇ６’剥離工程］次に、図
１２に示すように、転写体ｇ６’と被剥離物ｇ４とを分
離する。

【００７２】以上のような各工程を経て、被剥離物ｇ４
の基板ｇ９への転写が完了する。その後、被剥離層ｇ４
への表面処理、および被剥離物ｇ４と基板ｇ９に対して
所定の処理をおこなう。これにより、プラスチック基板
ｇ９側から順に少なくともＩＴＯ等の導電膜、配向膜の
順で積層された液晶パネルの一方の基板とすることがで
きる。ここで、被剥離物ｇ４の表面ｇ４ｂには、配向膜
が位置している。この液晶基板上にスペーサーを散布し
た後、この基板と他の基板とをシール材を介して貼着
し、これらの基板間に液晶を注入し液晶層を形成する。
その後、基板の外側に偏光板、位相差板などの光学素子
を取り付けることにより液晶装置が製造される。

【００７３】本実施形態では、第１実施形態と同様の効
果を奏することができるとともに、ＩＴＯからなる導電
層、カラーフィルタ層、配向膜等の形成された被剥離物
ｇ４自体を直接プラスチック基板ｇ９上に形成するので
はなく、ガラス等の耐熱温度の高い形成用基板ｇ１上に
分離層ｇ２を介して形成し、この分離層ｇ２から被剥離
物ｇ４を剥離するため、被剥離物４の各層における形成
の処理温度条件を、プラスチックフィルムの耐熱温度に
かかわらず、各膜特性を維持するために必要な温度条件
とすることができるため、従来プラスチック基板の液晶
装置では得ることができなかった高い信頼性を維持する
ことができる。

【００７４】また、本実施形態においては、被剥離物ｇ
４自体を転写体ｇ６’を介してプラスチック基板ｇ９に
転写するため、被剥離物ｇ４の形成時に、積層順序を通
常のガラス基板に成膜する際と同様のプロセスとしてお
こなうことができる。従って、ＴＦＴ（Thin Film Tran
sistor）タイプの液晶パネルにも適応することが可能と
なる。

【００７５】また、本実施形態では、被剥離物ｇ４が、
形成用基板ｇ１上に少なくとも配向膜、導電膜の順に積
層される、表示用基板および駆動用基板のいずれにも、
かつ、アクティブ・マトリクス、パッシブ・マトリクス
のいずれのタイプの液晶装置でも、また、透過型、反射
型、半透過反射型、または投影型などにも適用すること
が可能である。

【００７６】［第３実施形態］以下、本発明に係る電気
光学装置（液晶装置）とその製造方法の第３実施形態
を、図面に基づいて説明する。

【００７７】本実施形態は、単純マトリックス型の液晶
装置とその製造方法とされ、主に被剥離物ｇ４の部分に
関して説明し、それ以外の、前述した図１〜図６に示す
第１実施形態および図７〜図１２に示す第２実施形態と
略同等の構成要素に関しては同一の符号を付してその説
明を省略する。

【００７８】本実施形態においては、前述した図３０，
図１に示す［Ｓ１分離層ｇ２形成工程］の工程までは第
１実施形態と同様に、形成用基板ｇ１上に分離層ｇ２を
形成する。図１３〜図１５は本実施形態の液晶装置の製
造方法の工程を示す模式断面図であり、図１６は本実施
形態の液晶装置を示す断面図であり、図において、符号
ｇ４１は配向膜、ｇ４２は電極（導電膜）、ｇ４３はカ
ラーフィルタ層である。

【００７９】［Ｓ３−１被剥離物（配向膜ｇ４１）形成
工程］次に、図１３（ａ）に示すように、分離層ｇ２の
上に被剥離物ｇ４の一層目として、１．０〜５０×１０
^-8ｍ（０．０１ 〜０．５μｍ）程度の膜厚のポリイミ
ドなどの配向性高分子からなる配向膜ｇ４１を形成す
る。この配向膜ｇ４１は、少なくとも表示領域となる部
分全体に形成される。この際、ポリイミドなどの焼成と
して、３００℃程度の温度条件の熱処理をおこなうこと
になる。従って、この場合、前述したように、形成用基
板ｇ１としては、そのプロセス温度に耐え得る信頼性の
高いものが必要となる。

【００８０】［Ｓ３−２被剥離物（導電膜ｇ４２）形成
工程］次に、図１３（ｂ）に示すように、配向膜ｇ４１
の上に被剥離物ｇ４の２層目として、ＩＴＯなどの透明
な導電材料、あるいはアルミニウム、銀などの光を反射
する不透明な導電材料からなる導電膜ｇ４２を形成す
る。ここで、表示領域となる部分では、ＩＴＯなどの光
を透過する透明な導電材料が選択されるが、反射型の駆
動基板の表示領域、および、引き回し配線などに適応す
る際などはこの限りではない。この際、スパッタリング
法、ＣＶＤ法、蒸着法などの方法によって、２００℃程
度の温度条件の熱処理をおこなうことにより、ＩＴＯの
シート抵抗を７Ω／□〜１５Ω／□（膜厚１５０ｎｍ程
度）という１５Ω／□以下の値に設定することが可能と
なる。従って、この場合、前述したように、形成用基板
ｇ１としては、そのプロセス温度に耐え得る信頼性の高
いものが必要となる。

【００８１】［Ｓ３−３被剥離物（カラーフィルタ層ｇ
４２）形成工程］次に、図１４に示すように、導電膜ｇ
４２の上に被剥離物ｇ４の３層目として、赤（Ｒ）、緑
（Ｇ）、青（Ｂ）などの色素層ｇ４３ａと遮光層（ブラ
ックマトリックス）１６ｍとからなるカラーフィルタ層
ｇ４３を形成する。まず、表示領域となる部分では、Ｉ
ＴＯなどの光を透過する透明な導電材料が選択される
が、反射型の駆動基板の表示領域、および、引き回し配
線などに適応する際などはこの限りではない。この際、
スパッタリング法、ＣＶＤ法、蒸着法などの方法によっ
て、２００℃程度の温度条件の熱処理をおこなうことに
なる。従って、この場合、前述したように、形成用基板
ｇ１としては、そのプロセス温度に耐え得る信頼性の高
いものが必要となる。

【００８２】［Ｓ３−３Ａ赤（R）の色素層ｇ４３ｒ形
成工程］次に、図１４（ａ）に示すように、導電膜ｇ４
２の上にカラーレジストにより赤（Ｒ）の色素層ｇ４３
ｒを形成する。このとき、フォトリソグラフィー法によ
りパターニングをし、その際、ポストベーク等の処理と
して、２２０℃程度の熱処理をおこなう。

【００８３】［Ｓ３−３Ｂ緑（G）の色素層ｇ４３ｇ形
成工程］次に、導電膜ｇ４２の上に緑（Ｇ）の色素層ｇ
４３ｇを形成する。このとき、図１４（ｂ）に示すよう
に、カラーレジスト層ｇ４３ｇ’を導電膜ｇ４２および
赤（Ｒ）の色素層ｇ４３ｒの上に一面に形成した後、図
１４（ｃ）に示すように、フォトリソグラフィー法によ
りカラーレジスト層ｇ４３ｇ’の不要な部分を除去して
パターニングをする。この際。プレベーク、ポストベー
ク等の処理として、２２０℃程度の熱処理をおこなう。
ここで、赤（Ｒ）の色素層ｇ４３ｒが２２０℃程度の温
度設定で熱処理をおこなっているため、充分安定化して
おり、この赤（Ｒ）の色素層ｇ４３ｒ上に緑（Ｇ）のカ
ラーレジスト層ｇ４３ｇ’が残ることがない。従って、
カラーフィルタ層ｇ４３としての赤（Ｒ）の色素層ｇ４
３ｒにおける色の純度を所望の状態に維持することがで
きる。

【００８４】［Ｓ３−３Ｃ青（B）の色素層ｇ４３ｂ形
成工程］次に、同様にして、図１４（ｄ）に示すよう
に、導電膜ｇ４２の上にカラーレジストにより青（Ｂ）
の色素層ｇ４３ｂを形成する。このとき、フォトリソグ
ラフィー法によりパターニングをし、その際、ポストベ
ーク等の処理として、２２０℃程度の熱処理をおこな
う。ここで、赤（Ｒ）の色素層ｇ４３ｒおよび緑（Ｇ）
の色素層ｇ４３ｇが２２０℃程度の温度設定で熱処理を
おこなっているため、充分安定化しており、この赤
（Ｒ）の色素層ｇ４３ｒおよび緑（Ｇ）の色素層ｇ４３
ｇ上に青（Ｂ）のカラーレジスト層が残ることがない。
従って、カラーフィルタ層ｇ４３としての赤（Ｒ）の色
素層ｇ４３ｒおよび緑（Ｇ）の色素層ｇ４３ｇにおける
色の純度を所望の状態に維持することができる。

【００８５】［Ｓ３−３Ｄブラックマトリックスｇ４３
ｍ形成工程］次に、同様にして、図１４（ｅ）に示すよ
うに、導電膜ｇ４２の上にカラーレジストによりブラッ
クマトリックスｇ４３ｍを形成する。このとき、フォト
リソグラフィー法によりパターニングをし、その際、ポ
ストベーク等の処理として、２２０℃程度の熱処理をお
こなう。ここで、赤（Ｒ）の色素層ｇ４３ｒ，緑（Ｇ）
の色素層ｇ４３ｇ，および青（Ｂ）の色素層ｇ４３ｂが
２２０℃程度の温度設定で熱処理をおこなっているた
め、充分安定化しており、この赤（Ｒ）の色素層ｇ４３
ｒ，緑（Ｇ）の色素層ｇ４３ｇ，および青（Ｂ）の色素
層ｇ４３ｂ上にブラックマトリックスのカラーレジスト
層が残ることがない。従って、カラーフィルタ層ｇ４３
としての赤（Ｒ）の色素層ｇ４３ｒ，緑（Ｇ）の色素層
ｇ４３ｇ，および青（Ｂ）の色素層ｇ４３ｂにおける色
の純度を所望の状態に維持することができる。

【００８６】以上の工程により、被剥離物ｇ４を形成す
る。ここで、このカラーレジスト層ｇ４３上に、ガスバ
リア層として前述の第２実施形態における中間層（パッ
シベーション膜）ｇ３と同様の層を形成することも可能
である。また、反射型液晶パネル用として、このカラー
フィルタ層ｇ４３上に、Ａｌ等からなる反射膜を形成す
ることもできる。

【００８７】［Ｓ４接着層ｇ５形成工程、Ｓ５転写体ｇ
６形成工程］図１５に示すように、被剥離物ｇ４上に接
着層（粘着シート）ｇ５を形成し、該接着層５を介して
転写体（基板）ｇ６を接着（接合）する。このとき、図
３に示す第１実施形態と同様に処理をおこなう。 ［Ｓ６照射光ｇ７照射工程，Ｓ７被剥離物ｇ４剥離工
程］その後、照射光ｇ７を照射し、分離層ｇ２から被剥
離物ｇ４と形成用基板ｇ１とを分離する。次に、ポリイ
ミドなどからなる配向性高分子膜（配向膜）ｇ４１表面
ｇ４ａを布などでラビングすることにより、配向性高分
子膜の配向処理をおこなうことで、液晶パネルの基板ｇ
６Ａが製造される。

【００８８】次いで、同様にして、カラーフィルタ層ｇ
４３のない被剥離物ｇ４を形成し剥離し、表面処理する
ことで、液晶パネルの一方の基板ｇ６Ｂを形成する。

【００８９】ここで、プラスチック基板ｇ６の製造方法
について説明する。はじめに、ポリカーボネート系、ポ
リアクリレート系、ポリエーテルサルフォン系、ポリオ
レフィン系等の透明な高分子からなる平坦なプラスチッ
クフィルムを形成した後、プラスチックフィルムの少な
くとも一方の表面上にポリビニルアルコール系の樹脂層
と二酸化珪素などを塗布やスパッタリングするなどして
ガスバリア層を形成する。最後に、ガスバリア層の表面
上にフェノキシ樹脂などからなる保護層を形成し、基板
本体ｇ６が製造される。

【００９０】次に、これら基板ｇ６Ａ，ｇ６Ｂから、図
１６に示すように、液晶装置４０を製造する。基板ｇ６
Ｂ上にスペーサー４５を散布した後、基板ｇ６Ｂと対向
させて基板ｇ６Ａとをシール材４４を介して貼着し、基
板ｇ６Ａ，基板ｇ６Ｂ間に液晶を注入し液晶層４６を形
成する。その後、基板ｇ６Ａ，基板ｇ６Ｂの外側に偏光
板、位相差板などの光学素子を取り付けることにより液
晶装置４０が製造される。

【００９１】本実施形態においては、第１実施形態と同
様のプラスチック基板を利用してＩＴＯの抵抗値を低く
抑えた単純マトリックスの液晶装置を容易に製造できる
という効果を奏することができるとともに、導電膜ｇ４
２の成膜の際に２００℃程度の温度条件の熱処理をおこ
なうことができるため、このＩＴＯのシート抵抗を１５
Ω／□以下（膜厚１５０ｎｍ程度）の低い値に設定する
ことが可能となる。従って、液晶表示装置としては低い
駆動電圧で駆動できるため、高精細化の求められている
液晶装置に適用することが可能となり、液晶装置として
の性能はガラス基板のものと遜色ない状態で、軽量化、
薄型化が容易、割れない、曲面表示が可能、等の利点を
有するプラスチック基板を適用することができる。

【００９２】さらに、本実施形態においてはカラーフィ
ルタ層ｇ４３の成膜の際に、２２０℃程度の温度条件の
熱処理をおこなうことができるため、このカラーフィル
タ層ｇ４３として、それぞれの赤（Ｒ）の色素層ｇ４３
ｒ，緑（Ｇ）の色素層ｇ４３ｇ，および青（Ｂ）の色素
層ｇ４３ｂにおける色の純度を所望の状態に維持するこ
とができる。従って、従来製造することが不可能であっ
た、カラーフィルタの色の純度をガラス基板のものと同
等の状態に維持しつつ、軽量化、薄型化が容易、割れな
い、曲面表示が可能、等の利点を有するプラスチック基
板を適用した液晶装置を製造することが可能となる。

【００９３】また、配向膜ｇ４１の成膜の際における熱
処理温度を、３００℃程度にすることが可能なため、配
向性等の必要な膜特性をガラス基板のものと同等の状態
に充分維持しつつ、軽量化、薄型化が容易、割れない、
曲面表示が可能、等の利点を有するプラスチック基板を
適用した液晶装置を製造することができる。

【００９４】なお、本実施形態では、基板ｇ６Ｂを、第
２実施形態のように接着層（粘着シート）ｇ８を形成し
て２回転写することも可能であり、また、この基板ｇ６
Ｂをガラス基板として、接着層（粘着シート）ｇ５を形
成せずに転写しないことも可能である。また、本実施形
態は、透過型、反射型、半透過反射型、または投影型な
どにも適用することが可能である。

【００９５】［第４実施形態］以下、本発明に係る電気
光学装置とその製造方法の第４実施形態を、図面に基づ
いて説明する。本実施形態においては電気光学装置の例
として、ＴＦＴ（トランジスタ素子）をスイッチング素
子として用いたアクティブマトリクス型の液晶装置を取
り上げて説明する。本実施形態においても、図１〜図１
６に示す第１〜３実施形態と略同等の構成要素に関して
は同一の符号を付してその説明を省略する。

【００９６】（電気光学装置の構造）まず、実施形態の
電気光学装置の構造について、液晶装置を取り上げて説
明する。本実施形態の電気光学装置（液晶装置）は、本
実施形態の電気光学装置用基板の製造方法により製造さ
れたＴＦＴアレイ基板（電気光学装置用基板）を備えた
ものである。

【００９７】図１７は液晶装置の画素部（表示領域）を
構成するマトリクス状に形成された複数の画素における
各種素子、配線等の等価回路である。また、図１８は、
データ線、走査線、画素電極、遮光膜等が形成されたＴ
ＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群を拡大して示
す平面図である。また、図１９は、図１８のＡ−Ａ’断
面図である。尚、図１７〜図１９においては、各層や各
部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各
層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。

【００９８】図１７において、液晶装置の画素部を構成
するマトリクス状に形成された複数の画素は、マトリク
ス状に複数形成された画素電極９ａと画素電極９ａを制
御するためのＴＦＴ３０とからなり、画像信号が供給さ
れるデータ線６ａが当該ＴＦＴ３０のソースに電気的に
接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ
１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構
わないし、相隣接する複数のデータ線６ａに対して、グ
ループ毎に供給するようにしても良い。また、ＴＦＴ３
０のゲートに走査線３ａが電気的に接続されており、所
定のタイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ
１、Ｇ２、…、Ｇｍを、この順に線順次で印加するよう
に構成されている。

【００９９】画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに
電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦ
Ｔ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることによ
り、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、
…、Ｓｎを所定のタイミングで書き込む。画素電極９ａ
を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ
１、Ｓ２、…、Ｓｎは、後述する対向基板に形成された
後述する対向電極との間で一定期間保持される。

【０１００】液晶は、印加される電圧レベルにより分子
集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、
階調表示を可能にする。ノーマリーホワイトモードであ
れば、印加された電圧に応じて入射光の透過光量が減少
し、ノーマリーブラックモードであれば、印加された電
圧に応じて入射光の透過光量が増加し、全体として液晶
装置から画像信号に応じたコントラスト比を持つ光が出
射される。

【０１０１】ここで、保持された画像信号のリークによ
ってコントラスト比の低下やフリッカと呼ばれるちらつ
きなど表示上の不具合が生じるのを防ぐために、画素電
極９ａと対向電極との間に形成される液晶容量と並列に
蓄積容量７０を付加する。例えば、画素電極９ａの電圧
は、データ線に電圧が印加された時間よりも３桁も長い
時間だけ蓄積容量７０により保持される。これにより、
保持特性は更に改善され、コントラスト比の高い液晶装
置が実現できる。

【０１０２】次に、図１８に基づいて、ＴＦＴアレイ基
板のトランジスタ素子の形成領域（画素部）内の平面構
造について詳細に説明する。図に示すように、液晶装置
のＴＦＴアレイ基板上のトランジスタ素子の形成領域
（画素部）内には、マトリクス状に複数の透明な画素電
極９ａ（点線部９ａ’により輪郭が示されている）が設
けられており、画素電極９ａの縦横の境界に各々沿って
データ線６ａ、走査線３ａ及び容量線３ｂが設けられて
いる。データ線６ａは、コンタクトホール５を介して単
結晶シリコン層の半導体層１ａのうち後述のソース領域
に電気的に接続されており、画素電極９ａは、コンタク
トホール８を介して半導体層１ａのうち後述のドレイン
領域に電気的に接続されている。また、半導体層１ａの
うちチャネル領域（図中右上りの斜線の領域）に対向す
るように走査線３ａが配置されており、走査線３ａはゲ
ート電極として機能する。

【０１０３】容量線３ｂは、走査線３ａに沿ってほぼ直
線状に伸びる本線部（即ち、平面的に見て、走査線３ａ
に沿って形成された第1領域）と、データ線６ａと交差
する箇所からデータ線６ａに沿って前段側（図中、上向
き）に突出した突出部（即ち、平面的に見て、データ線
６ａに沿って延設された第２領域）とを有する。

【０１０４】そして、図中右上がりの斜線で示した領域
には、複数の第１遮光膜（遮光層）１１ａが設けられて
いる。より具体的には、第１遮光膜１１ａは夫々、画素
部において半導体層１ａのチャネル領域を含むＴＦＴを
ＴＦＴアレイ基板の後述する基板本体側から見て覆う位
置に設けられており、更に、容量線３ｂの本線部に対向
して走査線３ａに沿って直線状に延びる本線部と、デー
タ線６ａと交差する箇所からデータ線６ａに沿って隣接
する段側（即ち、図中下向き）に突出した突出部とを有
する。第１遮光膜１１ａの各段（画素行）における下向
きの突出部の先端は、データ線６ａ下において次段にお
ける容量線３ｂの上向きの突出部の先端と重ねられてい
る。この重なった箇所には、第1遮光膜１１ａと容量線
３ｂとを相互に電気的に接続するコンタクトホール１３
が設けられている。即ち、本実施形態では、第1遮光膜
１１ａは、コンタクトホール１３により前段あるいは後
段の容量線３ｂに電気的に接続されている。

【０１０５】次に、図１９に基づいて、液晶装置の画素
部内の断面構造について説明する。図に示すように、液
晶装置において、ＴＦＴアレイ基板１０と、これに対向
配置される対向基板２０との間に液晶層５０が挟持され
ている。ＴＦＴアレイ基板１０は、ポリカーボネート
系、ポリアクリレート系、ポリエーテルサルフォン系、
ポリオレフィン系等の透明な高分子からなる厚さ０．４
×１０^-3ｍ（０．４ｍｍ）以下程度のプラスチックフィ
ルムを基材とし、その両面に、ガスを透過しないガスバ
リア層と保護層とが積層形成されてなるプラスチック基
板（透明樹脂製基板）からなる基板本体１０Ａとその液
晶層５０側に形成された接着層（粘着シート）ｇ８およ
び中間層ｇ３とその液晶層５０側表面上に形成された画
素電極９ａ、ＴＦＴ３０、配向膜１６を主体として構成
されており、対向基板２０は基板本体１０Ａと同等のプ
ラスチック基板からなる基板本体２０Ａとその液晶層５
０側に形成された接着層（粘着シート）ｇ８および中間
層ｇ３とその液晶層５０側表面上に形成された対向電極
（共通電極）２１と配向膜２２とを主体として構成され
ている。

【０１０６】ＴＦＴアレイ基板１０の基板本体１０Ａの
液晶層５０側表面上には、画素電極９ａが設けられてお
り、その液晶層５０側には、ラビング処理等の所定の配
向処理が施された配向膜１６が設けられている。画素電
極９ａは、シート抵抗が１５Ω／□以下、具体的には７
Ω／□に設定されたＩＴＯ（インジウム・ティン・オキ
サイド）の透明導電性薄膜からなり、配向膜１６は、例
えばポリイミドなどの有機薄膜からなる。また、基板本
体１０Ａの液晶層５０側表面上には、図１９に示すよう
に、各画素電極９ａに隣接する位置に、各画素電極９ａ
をスイッチング制御する画素スイッチング用ＴＦＴ３０
が設けられている。

【０１０７】他方、対向基板２０の基板本体２０Ａの液
晶層５０側表面上には、その全面に渡って対向電極（共
通電極）２１が設けられており、その液晶層５０側に
は、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜
２２が設けられている。対向電極２１は、シート抵抗が
１５Ω／□以下、具体的には７Ω／□に設定されたＩＴ
Ｏの透明導電性薄膜からなり、配向膜２２は、例えばポ
リイミドなどの有機薄膜からなる。また、基板本体２０
Ａの液晶層５０側表面上には、図１９に示すように、各
画素部の開口領域以外の領域に第２遮光膜２３が設けら
れている。このように対向基板２０側に第２遮光膜２３
を設けることにより、対向基板２０側から入射光が画素
スイッチング用ＴＦＴ３０の半導体層１ａのチャネル領
域１ａ’やＬＤＤ（Lightly Doped Drain）領域１ｂ及
び１ｃに侵入することを防止することができるととも
に、コントラストを向上させることができる。

【０１０８】このように構成され、画素電極９ａと対向
電極２１とが対向するように配置されたＴＦＴアレイ基
板１０と対向基板２０との間には、両基板の周縁部間に
形成されたシール材（図示略）により囲まれた空間に液
晶（電気光学材料）が封入され、液晶層（電気光学材料
層）５０が形成されている。液晶層５０は、例えば一種
又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなっ
ており、画素電極９ａからの電界が印加されていない状
態で配向膜１６及び２２により所定の配向状態を採る。
また、シール材は、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板
２０をそれらの周縁部で貼り合わせるための、例えば光
硬化性接着剤や熱硬化性接着剤等の接着剤からなり、そ
の内部には両基板間の距離を所定値とするためのグラス
ファイバー、ガラスビーズ等のスペーサが混入されてい
る。

【０１０９】また、図１９に示すように、ＴＦＴアレイ
基板１０の基板本体１０Ａの液晶層５０側表面上におい
て、各画素スイッチング用ＴＦＴ３０に対応する位置に
は、第１遮光膜（遮光層）１１ａが設けられている。第
１遮光膜１１ａは、好ましくは不透明な高融点金属であ
るＴｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ及びＰｄのうちの少なく
とも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド等か
ら構成される。第１遮光膜１１ａをこのような材料から
構成することにより、ＴＦＴアレイ基板１０の基板本体
１０Ａの表面上において、第１遮光膜１１ａの形成工程
の後に行われる画素スイッチング用ＴＦＴ３０の形成工
程における高温処理により、第１遮光膜１１ａが破壊さ
れたり溶融することを防止することができる。

【０１１０】本実施形態においては、画素電極９ａおよ
び対向電極２１が、シート抵抗が１５Ω／□以下、具体
的には７Ω／□に設定されたＩＴＯからなるため、液晶
表示装置としては低い駆動電圧で駆動できるため、高精
細化の求められている液晶装置に適用することが可能と
なり、液晶装置としての性能はガラス基板のものと遜色
ない状態で、軽量化、薄型化が容易、割れない、曲面表
示が可能、なプラスチック基板を有することができる。

【０１１１】（電気光学装置の製造方法）次に、上記構
造を有する液晶装置の製造方法について、図２０〜図２
５を参照して説明する。

【０１１２】図２０〜図２５は各工程におけるＴＦＴア
レイ基板の一部分を、図１９と同様に、図１８のＡ−
Ａ’断面に対応させて示す工程図である。図２０〜図２
５においては、簡略化のため、形成用基板ｇ１および分
離層ｇ２の図示を省略する。

【０１１３】本実施形態において、前述した図３０，図
７に示す［Ｓ２中間層ｇ３形成工程］の工程までは第２
実施形態と同様に、中間層ｇ３を形成する。次に、前述
した図３０，図８に示す［Ｓ３被剥離物ｇ４形成工程］
の工程と同様に、中間層ｇ３の上に被剥離物ｇ４を形成
してゆく。

【０１１４】まず、図２０（ａ）に示すように、第１遮
光膜１１ａを形成した中間層ｇ３の表面上の全面に、ス
パッタリング法、ＣＶＤ法などにより、絶縁体層１２を
形成する。絶縁体層１２の材料としては、酸化シリコン
や窒化シリコン、あるいはＮＳＧ（ノンドープトシリケ
ートガラス）、ＰＳＧ（リンシリケートガラス）、ＢＳ
Ｇ（ボロンシリケートガラス）、ＢＰＳＧ（ボロンリン
シリケートガラス）などの高絶縁性ガラス等を例示する
ことができる。

【０１１５】次に、図２０（ｂ）に示すように、絶縁体
層１２上に約２００ｎｍ±５ｎｍ程度の単結晶シリコン
層を形成し、フォトリソグラフィ工程、エッチング工程
等により、図１８に示した如き所定パターンの半導体層
１ａを形成する。即ち、特にデータ線６ａ下で容量線３
ｂが形成される領域及び走査線３ａに沿って容量線３ｂ
が形成される領域には、画素スイッチング用ＴＦＴ３０
を構成する半導体層１ａから延設された第１蓄積容量電
極１ｆを形成する。

【０１１６】次に、図２０（ｃ）に示すように、画素ス
イッチング用ＴＦＴ３０を構成する半導体層１ａと共に
第１蓄積容量電極１ｆを約８５０〜１３００℃の温度、
好ましくは約１０００℃の温度で７２分程度熱酸化する
ことにより、約６０ｎｍの比較的薄い厚さの熱酸化シリ
コン膜を形成し、画素スイッチング用ＴＦＴ３０のゲー
ト絶縁膜２と共に容量形成用のゲート絶縁膜２を形成す
る。この結果、半導体層１ａ及び第１蓄積容量電極１ｆ
の厚さは、約３０〜１７０ｎｍの厚さ、ゲート絶縁膜２
の厚さは、約６０ｎｍの厚さとなる。

【０１１７】次に、図２１（ａ）に示すように、Ｎチャ
ネルの半導体層１ａに対応する位置にレジスト膜３０１
を形成し、Ｐチャネルの半導体層１ａにＰなどのＶ族元
素のドーパント３０２を低濃度で（例えば、Ｐイオンを
７０ｋｅＶの加速電圧、２×１０¹¹／ｃｍ²のドープ量
にて）ドープする。次に、図２１（ｂ）に示すように、
図示を省略するＰチャネルの半導体層１ａに対応する位
置にレジスト膜を形成し、Ｎチャネルの半導体層１ａに
ＢなどのIII族元素のドーパント３０３を低濃度で（例
えば、Ｂイオンを３５ｋｅＶの加速電圧、１×１０¹²／
ｃｍ²のドープ量にて）ドープする。次に、図２１
（ｃ）に示すように、Ｐチャネル、Ｎチャネル毎に各半
導体層１ａのチャネル領域１ａ’の端部を除く基板１０
の表面にレジスト膜３０５を形成し、Ｐチャネルについ
て、図で（ａ）に示した工程の約１〜１０倍のドーズ量
のＰなどのＶ族元素のドーパント３０６、Ｎチャネルに
ついて図で（ｂ）に示した工程の約１〜１０倍のドープ
量のＢなどのIII族元素のドーパント３０６をドープす
る。次に、図２１（ｄ）に示すように、半導体層１ａを
延設してなる第１蓄積容量電極１ｆを低抵抗化するた
め、中間層ｇ３の表面の走査線３ａ（ゲート電極）に対
応する部分にレジスト膜３０７（走査線３ａよりも幅が
広い）を形成し、これをマスクとしてその上からＰなど
のＶ族元素のドーパント３０８を低濃度で（例えば、Ｐ
イオンを７０ｋｅＶの加速電圧、３×１０¹⁴／ｃｍ²の
ドープ量にて）ドープする。

【０１１８】次に、図２２（ａ）に示すように、第１層
間絶縁膜１２に第１遮光膜１１ａに至るコンタクトホー
ル１３を反応性エッチング、反応性イオンビームエッチ
ング等のドライエッチングにより或いはウエットエッチ
ングにより形成する。この際、反応性エッチング、反応
性イオンビームエッチングのような異方性エッチングに
より、コンタクトホール１３等を開孔した方が、開孔形
状をマスク形状とほぼ同じにできるという利点がある。
但し、ドライエッチングとウエットエッチングとを組み
合わせて開孔すれば、これらのコンタクトホール１３等
をテーパ状にできるので、配線接続時の断線を防止でき
るという利点が得られる

【０１１９】次に、図２２（ｂ）に示すように、減圧Ｃ
ＶＤ法等によりポリシリコン層３を３５０ｎｍ程度の厚
さで堆積した後、リン（Ｐ）を熱拡散し、ポリシリコン
膜３を導電化する。又は、Ｐイオンをポリシリコン膜３
の成膜と同時に導入したドープトシリコン膜を用いても
よい。これにより、ポリシリコン層３の導電性を高める
ことができる。次に、図２２（ｃ）に示すように、レジ
ストマスクを用いたフォトリソグラフィ工程、エッチン
グ工程等により、図１８に示した如き所定パターンの走
査線３ａと共に容量線３ｂを形成する。尚、この後、中
間層ｇ３の裏面に残存するポリシリコンを中間層ｇ３の
表面をレジスト膜で覆ってエッチングにより除去する。

【０１２０】次に、図２２（ｄ）に示すように、半導体
層１ａにＰチャネルのＬＤＤ領域を形成するために、Ｎ
チャネルの半導体層１ａに対応する位置をレジスト膜３
０９で覆い、走査線３ａ（ゲート電極）を拡散マスクと
して、まずＢなどのIII族元素のドーパント３１０を低
濃度で（例えば、ＢＦ２イオンを９０ｋｅＶの加速電
圧、３×１０¹³／ｃｍ²のドープ量にて）ドープし、Ｐ
チャネルの低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領
域１ｃを形成する。続いて、図２２（ｅ）に示すよう
に、半導体層１ａにＰチャネルの高濃度ソース領域１ｄ
及び高濃度ドレイン領域１ｅを形成するために、Ｎチャ
ネルの半導体層１ａに対応する位置をレジスト膜３０９
で覆った状態で、かつ、図示はしていないが走査線３ａ
よりも幅の広いマスクでレジスト層をＰチャネルに対応
する走査線３ａ上に形成した状態、同じくＢなどのIII
族元素のドーパント３１１を高濃度で（例えば、ＢＦ２
イオンを９０ｋｅＶの加速電圧、２×１０¹⁵／ｃｍ²の
ドーズ量にて）ドープする。

【０１２１】次に、図２３（ａ）に示すように、半導体
層１ａにＮチャネルのＬＤＤ領域を形成するために、Ｐ
チャネルの半導体層１ａに対応する位置をレジスト膜
（図示せず）で覆い、走査線３ａ（ゲート電極）を拡散
マスクとして、ＰなどのＶ族元素のドーパント６０を低
濃度で（例えば、Ｐイオンを７０ｋｅＶの加速電圧、６
×１０¹²／ｃｍ²のドープ量にて）ドープし、Ｎチャネ
ルの低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ
を形成する。続いて、図２３（ｂ）に示すように、半導
体層１ａにＮチャネルの高濃度ソース領域１ｄ及び高濃
度ドレイン領域１ｅを形成するために、走査線３ａより
も幅の広いマスクでレジスト６２をＮチャネルに対応す
る走査線３ａ上に形成した後、同じくＰなどのＶ族元素
のドーパント６１を高濃度で（例えば、Ｐイオンを７０
ｋｅＶの加速電圧、４×１０¹⁵／ｃｍ²のドーズ量に
て）ドープする。

【０１２２】次に、図２３（ｃ）に示すように、画素ス
イッチング用ＴＦＴ３０における走査線３ａと共に容量
線３ｂ及び走査線３ａを覆うように、例えば、常圧又は
減圧ＣＶＤ法やＴＥＯＳガス等を用いて、ＮＳＧ、ＰＳ
Ｇ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧなどのシリケートガラス膜、窒化
シリコン膜や酸化シリコン膜等からなる第２層間絶縁膜
４を形成する。第２層間絶縁膜４の膜厚は、約５００〜
１５００ｎｍが好ましく、更に８００ｎｍがより好まし
い。この後、高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン
領域１ｅを活性化するために約８５０℃のアニール処理
を２０分程度行う。

【０１２３】次に、図２３（ｄ）に示すように、データ
線３１に対するコンタクトホール５を、反応性エッチン
グ、反応性イオンビームエッチング等のドライエッチン
グにより或いはウエットエッチングにより形成する。ま
た、走査線３ａや容量線３ｂを図示しない配線と接続す
るためのコンタクトホールも、コンタクトホール５と同
一の工程により第２層間絶縁膜４に開孔する。

【０１２４】次に、図２４（ａ）に示すように、第２層
間絶縁膜４の上に、スパッタ処理等により、遮光性のＡ
ｌ等の低抵抗金属や金属シリサイド等を金属膜６とし
て、約１００〜７００ｎｍの厚さ、好ましくは約３５０
ｎｍに堆積し、更に図２４（ｂ）に示すように、フォト
リソグラフィ工程、エッチング工程等により、データ線
６ａを形成する。

【０１２５】次に、図２４（ｃ）に示すように、データ
線６ａ上を覆うように、例えば、常圧又は減圧ＣＶＤ法
やＴＥＯＳガス等を用いて、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、
ＢＰＳＧなどのシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や
酸化シリコン膜等からなる第３層間絶縁膜７を形成す
る。第３層間絶縁膜７の膜厚は、約５００〜１５００ｎ
ｍが好ましく、更に８００ｎｍがより好ましい。

【０１２６】次に、図２５（ａ）に示すように、画素ス
イッチング用ＴＦＴ３０において、画素電極９ａと高濃
度ドレイン領域１ｅとを電気的に接続するためのコンタ
クトホール８を、反応性エッチング、反応性イオンビー
ムエッチング等のドライエッチングにより形成する。

【０１２７】次に、図２５（ｂ）に示すように、第３層
間絶縁膜７の上に、２００℃程度のスパッタ処理等によ
り、ＩＴＯ等の透明導電性薄膜９を、約５０〜２００ｎ
ｍの厚さに堆積し、更に図２５（ｃ）に示すように、フ
ォトリソグラフィ工程、エッチング工程等により、画素
電極９ａを形成する。尚、本実施形態の液晶装置が反射
型液晶装置である場合には、Ａｌ等の反射率の高い不透
明な材料から画素電極９ａを形成してもよい。続いて、
画素電極９ａの上にポリイミド系の配向膜の塗布液を塗
布して、２００℃程度の熱処理をし配向膜１６（図１６
参照）を形成する。

【０１２８】その後、図３０，図９に示す第２実施形態
の［Ｓ５’］と同様に、被剥離物ｇ４上に転写体ｇ６’
を接置し、図１０に示す第２実施形態の［Ｓ６］と同様
に、照射光ｇ７を照射した後、被剥離物ｇ４を転写体ｇ
６’へ転写する。次いで、図１１に示す第２実施形態の
［Ｓ８，Ｓ９］と同様に、中間層ｇ３の面ｇ３ａ側に接
着層（粘着シート）ｇ８を形成して基板ｇ９を接着（接
合）し、図１２に示す第２実施形態の［Ｓ１０］と同様
に、転写体ｇ６’と被剥離物ｇ４とを分離し、その後、
所定のプレティルト角を持つように、且つ所定方向にラ
ビング処理を施すこと等の表面処理をおこなう。

【０１２９】以上のようにして、ＴＦＴアレイ基板（電
気光学装置用基板）１０が製造される。

【０１３０】次いで、対向基板２０の製造方法及びＴＦ
Ｔアレイ基板１０と対向基板２０とから液晶装置を製造
する方法について説明する。図１９に示した対向基板２
０については、基板本体２０Ａとして基板本体１０Ａと
同等の光透過性樹脂基板を用意するとともに、分離層ｇ
２、中間層ｇ３の形成された形成用基板ｇ１の表面上
に、被剥離物ｇ４として第２遮光膜２３及び後述する周
辺見切りとしての第２遮光膜を形成する。第２遮光膜２
３及び後述する周辺見切りとしての第２遮光膜は、例え
ばＣｒ、Ｎｉ、Ａｌなどの金属材料をスパッタリングし
た後、フォトリソグラフィ工程、エッチング工程を経て
形成される。尚、これらの第２遮光膜は、上記の金属材
料の他、カーボンやＴｉなどをフォトレジストに分散さ
せた樹脂ブラックなどの材料から形成してもよい。

【０１３１】その後、形成用基板ｇ１の表面上の全面に
スパッタリング法などにより、３００度程度の温度条件
でＩＴＯ等の透明導電性薄膜を、約５０〜２００ｎｍの
厚さに堆積することにより、対向電極２１を形成する。
更に、対向電極２１の表面上の全面にポリイミドなどの
配向膜の塗布液を塗布して、２００℃程度の熱処理をし
て配向膜２２（図１９参照）を形成する。その後、ＴＦ
Ｔアレイ基板１０と同様に接着層（粘着シート）ｇ８を
形成して形成用基板ｇ１，転写体ｇ６’を介してプラス
チック基板ｇ９を貼着して表面処理をおこなう。以上の
ようにして、対向基板２０が製造される。

【０１３２】最後に、上述のように製造されたＴＦＴア
レイ基板１０と対向基板２０とを、配向膜１６及び２２
が互いに対向するようにシール材により貼り合わせ、真
空吸引法などの方法により、両基板間の空間に、例えば
複数種類のネマティック液晶を混合してなる液晶を吸引
して、所定の厚みを有する液晶層５０を形成することに
より、上記構造の液晶装置が製造される。

【０１３３】本実施形態においては、第１〜３実施形態
と同等の効果を奏するとともに、単純マトリックス基板
に比べて、更に高温の熱処理を必要とするＴＦＴアレイ
基板１０をガラスからなる形成用基板に形成するため各
層の特性を維持した状態で、軽量化、薄型化が容易、割
れない、曲面表示が可能、なプラスチック基板を有する
ことができる。

【０１３４】（液晶装置の全体構成）上記のように構成
された本実施形態の液晶装置の全体構成を図２６，図２
７を参照して説明する。尚、図２６は、ＴＦＴアレイ基
板１０を対向基板２０側から見た平面図であり、図２７
は、対向基板２０を含めて示す図２６のＨ−Ｈ’断面図
である。

【０１３５】図２６において、ＴＦＴアレイ基板１０の
表面上には、シール材５２がその縁に沿って設けられて
おり、図２７に示すように、図２６に示したシール材５
２とほぼ同じ輪郭を持つ対向基板２０が当該シール材５
２によりＴＦＴアレイ基板１０に固着されている。図２
６に示すように、対向基板２０の表面上にはシール材５
２の内側に並行させて、例えば第２遮光膜２３と同じ或
いは異なる材料から成る周辺見切りとしての第２遮光膜
５３が設けられている。

【０１３６】また、ＴＦＴアレイ基板１０において、シ
ール材５２の外側の領域には、データ線駆動回路１０１
及び実装端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿
って設けられており、走査線駆動回路１０４が、この一
辺に隣接する２辺に沿って設けられている。走査線３ａ
に供給される走査信号遅延が問題にならない場合には、
走査線駆動回路１０４は片側だけでも良いことは言うま
でもない。また、データ線駆動回路１０１を表示領域
（画素部）の辺に沿って両側に配列してもよい。例えば
奇数列のデータ線６ａは表示領域の一方の辺に沿って配
設されたデータ線駆動回路から画像信号を供給し、偶数
列のデータ線６ａは表示領域の反対側の辺に沿って配設
されたデータ線駆動回路から画像信号を供給するように
してもよい。この様にデータ線６ａを櫛歯状に駆動する
ようにすれば、データ線駆動回路の占有面積を拡張する
ことができるため、複雑な回路を構成することが可能と
なる。

【０１３７】更にＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺に
は、表示領域の両側に設けられた走査線駆動回路１０４
間をつなぐための複数の配線１０５が設けられており、
更に、周辺見切りとしての第２遮光膜５３の下に隠れて
プリチャージ回路を設けてもよい。また、ＴＦＴアレイ
基板１０と対向基板２０間のコーナー部の少なくとも１
箇所においては、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０
との間で電気的導通をとるための導通材１０６が設けら
れている。また、ＴＦＴアレイ基板１０の表面上には更
に、製造途中や出荷時の液晶装置の品質、欠陥等を検査
するための検査回路等を形成してもよい。また、データ
線駆動回路１０１及び走査線駆動回路１０４をＴＦＴア
レイ基板１０の表面上に設ける代わりに、例えばＴＡＢ
（テープオートメイテッドボンディング基板）上に実装
された駆動用ＬＳＩに、ＴＦＴアレイ基板１０の周辺領
域に設けられた異方性導電フィルムを介して電気的及び
機械的に接続するようにしてもよい。

【０１３８】また、対向基板２０の光が入射する側及び
ＴＦＴアレイ基板１０の光が出射する側には各々、例え
ば、ＴＮ（ツイステッドネマティック）モード、ＳＴＮ
（スーパーＴＮ）モード、Ｄ−ＳＴＮ（デュアルスキャ
ン−ＳＴＮ）モード等の動作モードや、ノーマリーホワ
イトモード／ノーマリーブラックモードの別に応じて、
偏光フィルム、位相差フィルム、偏光手段などが所定の
方向で配置される。

【０１３９】本実施形態の液晶装置がカラー液晶プロジ
ェクタ（投射型表示装置）に適用される場合には、３枚
の液晶装置がＲＧＢ用のライトバルブとして各々用いら
れ、各パネルには各々ＲＧＢ色分解用のダイクロイック
ミラーを介して分解された各色の光が投射光として各々
入射されることになる。従って、その場合には上記実施
形態で示したように、対向基板２０に、カラーフィルタ
は設けられていない。しかしながら、対向基板２０の基
板本体２０Ａの液晶層５０側表面上において、第２遮光
膜２３の形成されていない画素電極９ａに対向する所定
領域にＲＧＢのカラーフィルタをその保護膜と共に形成
してもよい。このような構成とすれば、液晶プロジェク
タ以外の直視型や反射型のカラー液晶テレビなどのカラ
ー液晶装置に、上記実施形態の液晶装置を適用すること
ができる。

【０１４０】更に、対向基板２０の表面上に１画素に１
個対応するようにマイクロレンズを形成してもよい。こ
のようにすれば、入射光の集光効率を向上することで、
明るい液晶装置が実現できる。更にまた、対向基板２０
の表面上に、何層もの屈折率の相違する干渉層を堆積す
ることで、光の干渉を利用して、ＲＧＢ色を作り出すダ
イクロイックフィルタを形成してもよい。このダイクロ
イックフィルタ付き対向基板によれば、より明るいカラ
ー液晶装置が実現できる。

【０１４１】なお、本実施形態における液晶装置では、
従来と同様に入射光を対向基板２０側から入射させるこ
ととしたが、ＴＦＴアレイ基板１０に第１遮光膜１１ａ
を設ける構成としているので、ＴＦＴアレイ基板１０側
から入射光を入射させ、対向基板２０側から出射するよ
うにしても良い。

【０１４２】（電子機器）上記の各実施形態の液晶装置
（電気光学装置）を用いた電子機器の一例として、投射
型表示装置の構成について、図２８を参照して説明す
る。

【０１４３】図２８において、投射型表示装置１１００
は、上記の実施形態の液晶装置を３個用意し、夫々ＲＧ
Ｂ用の液晶装置９６２Ｒ、９６２Ｇ及び９６２Ｂとして
用いた投射型液晶装置の光学系の概略構成図を示す。

【０１４４】本例の投射型表示装置の光学系には、光源
装置９２０と、均一照明光学系９２３が採用されてい
る。そして、投射型表示装置は、この均一照明光学系９
２３から出射される光束Ｗを赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青
（Ｂ）に分離する色分離手段としての色分離光学系９２
４と、各色光束Ｒ、Ｇ、Ｂを変調する変調手段としての
３つのライトバルブ９２５Ｒ、９２５Ｇ、９２５Ｂと、
変調された後の色光束を再合成する色合成手段としての
色合成プリズム９１０と、合成された光束を投射面１０
０の表面に拡大投射する投射手段としての投射レンズユ
ニット９０６を備えている。また、青色光束Ｂを対応す
るライトバルブ９２５Ｂに導く導光系９２７をも備えて
いる。

【０１４５】均一照明光学系９２３は、２つのレンズ板
９２１、９２２と反射ミラー９３１を備えており、反射
ミラー９３１を挟んで２つのレンズ板９２１、９２２が
直交する状態に配置されている。均一照明光学系９２３
の２つのレンズ板９２１、９２２は、それぞれマトリク
ス状に配置された複数の矩形レンズを備えている。光源
装置９２０から出射された光束は、第１のレンズ板９２
１の矩形レンズによって複数の部分光束に分割される。
そして、これらの部分光束は、第２のレンズ板９２２の
矩形レンズによって３つのライトバルブ９２５Ｒ、９２
５Ｇ、９２５Ｂ付近で重畳される。従って、均一照明光
学系９２３を用いることにより、光源装置９２０が出射
光束の断面内で不均一な照度分布を有している場合で
も、３つのライトバルブ９２５Ｒ、９２５Ｇ、９２５Ｂ
を均一な照明光で照明することが可能となる。

【０１４６】各色分離光学系９２４は、青緑反射ダイク
ロイックミラー９４１と、緑反射ダイクロイックミラー
９４２と、反射ミラー９４３から構成される。まず、青
緑反射ダイクロイックミラー９４１において、光束Ｗに
含まれている青色光束Ｂおよび緑色光束Ｇが直角に反射
され、緑反射ダイクロイックミラー９４２の側に向か
う。赤色光束Ｒはこのミラー９４１を通過して、後方の
反射ミラー９４３で直角に反射されて、赤色光束Ｒの出
射部９４４からプリズムユニット９１０の側に出射され
る。次に、緑反射ダイクロイックミラー９４２におい
て、青緑反射ダイクロイックミラー９４１において反射
された青色、緑色光束Ｂ、Ｇのうち、緑色光束Ｇのみが
直角に反射されて、緑色光束Ｇの出射部９４５から色合
成光学系の側に出射される。緑反射ダイクロイックミラ
ー９４２を通過した青色光束Ｂは、青色光束Ｂの出射部
９４６から導光系９２７の側に出射される。本例では、
均一照明光学素子の光束Ｗの出射部から、色分離光学系
９２４における各色光束の出射部９４４、９４５、９４
６までの距離がほぼ等しくなるように設定されている。

【０１４７】色分離光学系９２４の赤色、緑色光束Ｒ、
Ｇの出射部９４４、９４５の出射側には、それぞれ集光
レンズ９５１、９５２が配置されている。したがって、
各出射部から出射した赤色、緑色光束Ｒ、Ｇは、これら
の集光レンズ９５１、９５２に入射して平行化される。
このように平行化された赤色、緑色光束Ｒ、Ｇは、ライ
トバルブ９２５Ｒ、９２５Ｇに入射して変調され、各色
光に対応した画像情報が付加される。すなわち、これら
の液晶装置は、図示を省略している駆動手段によって画
像情報に応じてスイッチング制御されて、これにより、
ここを通過する各色光の変調が行われる。一方、青色光
束Ｂは、導光系９２７を介して対応するライトバルブ９
２５Ｂに導かれ、ここにおいて、同様に画像情報に応じ
て変調が施される。尚、本例のライトバルブ９２５Ｒ、
９２５Ｇ、９２５Ｂは、それぞれさらに入射側偏光手段
９６０Ｒ、９６０Ｇ、９６０Ｂと、出射側偏光手段９６
１Ｒ、９６１Ｇ、９６１Ｂと、これらの間に配置された
液晶装置９６２Ｒ、９６２Ｇ、９６２Ｂとからなる液晶
ライトバルブである。

【０１４８】導光系９２７は、青色光束Ｂの出射部９４
６の出射側に配置した集光レンズ９５４と、入射側反射
ミラー９７１と、出射側反射ミラー９７２と、これらの
反射ミラーの間に配置した中間レンズ９７３と、ライト
バルブ９２５Ｂの手前側に配置した集光レンズ９５３と
から構成されている。集光レンズ９４６から出射された
青色光束Ｂは、導光系９２７を介して液晶装置９６２Ｂ
に導かれて変調される。各色光束の光路長、すなわち、
光束Ｗの出射部から各液晶装置９６２Ｒ、９６２Ｇ、９
６２Ｂまでの距離は青色光束Ｂが最も長くなり、したが
って、青色光束の光量損失が最も多くなる。しかし、導
光系９２７を介在させることにより、光量損失を抑制す
ることができる。

【０１４９】各ライトバルブ９２５Ｒ、９２５Ｇ、９２
５Ｂを通って変調された各色光束Ｒ、Ｇ、Ｂは、色合成
プリズム９１０に入射され、ここで合成される。そし
て、この色合成プリズム９１０によって合成された光が
投射レンズユニット９０６を介して所定の位置にある投
射面１００の表面に拡大投射されるようになっている。
また、図示を省略するが、液晶装置と偏光手段とを離間
形成することにより、液晶装置と偏光手段との間には空
気層ができるため、冷却手段を設け、液晶装置と偏光手
段との間に冷風等の送風を送り込むことにより、液晶装
置の温度上昇をさらに防ぐことができ、液晶装置の温度
上昇による誤動作を防ぐことができる。

【０１５０】以上説明した本実施形態は、液晶駆動方式
としては便宜上、アクティブマトリクス方式の透過型液
晶装置に用いられる液晶パネルとして説明したが、本発
明の適用される液晶装置は、各膜の特性が維持された状
態でプラスチック基板を提要することができればよいの
で、画像表示方式は前記の実施形態に限定されるもので
はなく、カラー表示、モノクロ表示どちらでも適応で
き、また、透過型に限らず、反射型、半透過反射型、ま
たは投影型などであってもよいことは言うまでもない。

【０１５１】（他の電子機器）上記の各実施形態の液晶
装置（電気光学装置）を用いた電子機器の他の例とし
て、小型携帯情報端末等の携帯電子機器の構成につい
て、図２９を参照して説明する。図２９（ａ）は、携帯
電話の一例を示した斜視図である。図２９（ａ）におい
て、符号１４００は携帯電話本体を示し、符号１４０１
は上記の液晶表示装置を用いた液晶表示部を示してい
る。図２９（ｂ）は、腕時計型電子機器の一例を示した
斜視図である。図２９（ｂ）において、符号１３００は
時計本体を示し、符号１３０１は上記の液晶表示装置を
用いた液晶表示部を示している。図２９（ｃ）は、ワー
プロ、パソコン、ＰＤＡ（Parsonal Disital Assistan
t）などの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図で
ある。図２９（ｃ）において、符号１２００は情報処理
装置、符号１２０２はキーボードなどの入力部、符号１
２０４は情報処理装置本体、符号１２０６は上記の液晶
表示装置を用いた液晶表示部を示している。

【０１５２】図２９（ａ）〜（ｃ）に示す電子機器は、
上記実施の形態の液晶装置を用いた液晶表示部を備えて
いるので、低い駆動電圧でかつ分光特性を維持して高精
細化に対応した状態で、プラスチック基板を適用するこ
とにより、軽量化、薄型化が容易、割れない、曲面表示
が可能、等の利点を有し、特にその効果が画面部分に関
する点において顕著である電子機器を実現することがで
きる。なお、本発明の技術範囲は上記実施の形態に限定
されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲に
おいて種々の変更を加えることが可能である。

【０１５３】

【発明の効果】本発明の電気光学装置とその製造方法お
よび電子機器によれば、ガラス基板、石英基板等の形成
用基板に分離層を形成する工程と、前記分離層上に少な
くとも導電膜および配向膜を有する被剥離物を形成する
工程と、前記分離層に照射光を照射して、前記分離層に
おいて剥離を生ぜしめ、前記被剥離物を前記形成用基板
から離脱させる工程と、該被剥離物を、透明な高分子か
らなるプラスチックフィルムを基材とするプラスチック
基板（樹脂製基板）に貼着する工程と、を有することに
より、プラスチックフィルム基板に直接導電膜および配
向膜等を形成する場合に対比して、被剥離物形成工程に
おける熱処理の温度条件を、プラスチックフィルムのＴ
G によって規定される耐熱温度以下に設定する必要がな
くなるため、所望の膜特性を有する導電膜、配向膜、カ
ラーフィルター層を有し、かつ、軽量化、薄型化が容
易、割れない、曲面表示が可能、等の利点を有するプラ
スチックフィルム基板を用いた電気光学装置（液晶装
置）を製造することができるという効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の第１実施形態に係る液晶装置の製造
方法の工程を示す模式断面図である。

【図２】 本発明の第１実施形態に係る液晶装置の製造
方法の工程を示す模式断面図である。

【図３】 本発明の第１実施形態に係る液晶装置の製造
方法の工程を示す模式断面図である。

【図４】 本発明の第１実施形態に係る液晶装置の製造
方法の工程を示す模式断面図である。

【図５】 本発明の第１実施形態に係る液晶装置の製造
方法の工程を示す模式断面図である。

【図６】 本発明の第１実施形態に係る液晶装置の製造
方法の工程を示す模式断面図である。

【図７】 本発明の第２実施形態に係る液晶装置の製造
方法の工程を示す模式断面図である。

【図８】 本発明の第２実施形態に係る液晶装置の製造
方法の工程を示す模式断面図である。

【図９】 本発明の第２実施形態に係る液晶装置の製造
方法の工程を示す模式断面図である。

【図１０】 本発明の第２実施形態に係る液晶装置の製
造方法の工程を示す模式断面図である。

【図１１】 本発明の第２実施形態に係る液晶装置の製
造方法の工程を示す模式断面図である。

【図１２】 本発明の第２実施形態に係る液晶装置の製
造方法の工程を示す模式断面図である。

【図１３】 本発明の第３実施形態に係る液晶装置の製
造方法の工程を示す模式断面図である。

【図１４】 本発明の第３実施形態に係る液晶装置の製
造方法の工程を示す模式断面図である。

【図１５】 本発明の第３実施形態に係る液晶装置の製
造方法の工程を示す模式断面図である。

【図１６】 本発明の第３実施形態に係る液晶装置を示
す模式断面図である。

【図１７】 本発明に係る第４実施形態の電気光学装置
において、画素部を構成する各種素子、配線等の等価回
路図である。

【図１８】 本発明に係る第４実施形態の電気光学装置
において、ＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群
の平面図である。

【図１９】 図１８のＡ−Ａ’断面図である。

【図２０】 本発明に係る第４実施形態の電気光学装置
用基板の製造方法を示す工程図である。

【図２１】 本発明に係る第４実施形態の電気光学装置
用基板の製造方法を示す工程図である。

【図２２】 本発明に係る第４実施形態の電気光学装置
用基板の製造方法を示す工程図である。

【図２３】 本発明に係る第４実施形態の電気光学装置
用基板の製造方法を示す工程図である。

【図２４】 本発明に係る第４実施形態の電気光学装置
用基板の製造方法を示す工程図である。

【図２５】 本発明に係る第４実施形態の電気光学装置
用基板の製造方法を示す工程図である。

【図２６】 本発明に係る第４実施形態の電気光学装置
のＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と
共に対向基板側から見た平面図である。

【図２７】 図２６のＨ−Ｈ’断面図である。

【図２８】 本発明に係る実施形態の電気光学装置を用
いた電子機器の一例である投射型表示装置の構成図であ
る。

【図２９】 本発明に係る実施形態の電気光学装置を用
いた電子機器の一例である携帯電子機器の構成図であ
る。

【図３０】 本発明に係る液晶装置の製造方法を示すフ
ローチャートである。

【図３１】 従来の液晶装置を示す模式断面図である。

【図３２】 従来の課題を説明するための工程図であ
る。

【符号の説明】

ｇ１…形成用基板 ｇ１１…分離層形成面 ｇ１２…照射光入射面 ｇ２…分離層 ｇ２ａ、ｇ２ｂ…界面 ｇ３…中間層 ｇ４…被剥離物 ｇ５…接着層（粘着シート） ｇ６…転写体（基板） ｇ６’…転写体 ｇ７…照射光 ｇ８…接着層（粘着シート） ｇ９…基板（プラスチック基板）

─────────────────────────────────────────────────────

【手続補正書】

【提出日】平成１３年２月１３日（２００１．２．１
３）

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０００６

【補正方法】変更

【補正内容】

【０００６】また、電極１００６はインジウム錫酸化物
（以下、ＩＴＯと記載する。）などの透明な導電材料か
らなるが、このＩＴＯからなる電極を形成する際にも、
蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ(Chemical Vapor De
position)法などにより、第１基板１００２上の全面に
ＩＴＯなどの電極材料からなる導電膜を形成した後、導
電膜上の全面に所定のフォトレジストを塗布し、フォト
レジストの露光、現像をおこない、フォトレジストを所
定のパターンに形成する。次に、導電膜を所定のパター
ンにエッチングすることにより、所定のパターンの電極
１００６を形成していた。導電膜形成時には２００℃程
度の基板加熱処理が必要であった。さらに、配向層１０
０８は、ポリイミド等からなり、これもその製造工程に
おいて３００℃程度の熱処理をおこなうことが必要であ
る。

【手続補正２】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０１０６

【補正方法】変更

【補正内容】

【０１０６】ＴＦＴアレイ基板１０の基板本体１０Ａの
液晶層５０側表面上には、画素電極９ａが設けられてお
り、その液晶層５０側には、ラビング処理等の所定の配
向処理が施された配向膜１６が設けられている。画素電
極９ａは、シート抵抗が１５Ω／□以下、具体的には７
Ω／□に設定されたＩＴＯ（インジウム・ティン・オキ
サイド）の透明導電性膜からなり、配向膜１６は、例え
ばポリイミドなどの有機膜からなる。また、基板本体１
０Ａの液晶層５０側表面上には、図１９に示すように、
各画素電極９ａに隣接する位置に、各画素電極９ａをス
イッチング制御する画素スイッチング用ＴＦＴ３０が設
けられている。

【手続補正３】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０１０７

【補正方法】変更

【補正内容】

【０１０７】他方、対向基板２０の基板本体２０Ａの液
晶層５０側表面上には、その全面に渡って対向電極（共
通電極）２１が設けられており、その液晶層５０側に
は、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜
２２が設けられている。対向電極２１は、シート抵抗が
１５Ω／□以下、具体的には７Ω／□に設定されたＩＴ
Ｏの透明導電性膜からなり、配向膜２２は、例えばポリ
イミドなどの有機膜からなる。また、基板本体２０Ａの
液晶層５０側表面上には、図１９に示すように、各画素
部の開口領域以外の領域に第２遮光膜２３が設けられて
いる。このように対向基板２０側に第２遮光膜２３を設
けることにより、対向基板２０側から入射光が画素スイ
ッチング用ＴＦＴ３０の半導体層１ａのチャネル領域１
ａ’やＬＤＤ（Lightly Doped Drain）領域１ｂ及び１
ｃに侵入することを防止することができるとともに、コ
ントラストを向上させることができる。

フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H048 BA02 BA11 BA45 BA64 BB02 BB22 BB44 2H090 HA07 HB08Y JB02 JB03 KA08 LA01 LA02 LA15 2H091 FA02Y FA14Z FC26 GA01 GA02 GA06 GA08 GA13 HA10 LA30

Claims (22)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一対の基板のうち少なくとも一方が樹脂
   からなる基板間に電気光学物質層が挟持されてなる電気
   光学装置の製造方法であって、 形成用基板に分離層を形成する工程と、 前記分離層上に少なくとも導電膜および配向膜を有する
   被剥離物を形成する工程と、 前記分離層に照射光を照射して、前記分離層において剥
   離を生ぜしめ、前記被剥離物を前記形成用基板から離脱
   させる工程と、 該被剥離物を前記基板に貼着する工程と、を有すること
   を特徴とする電気光学装置の製造方法。
2. 【請求項２】 前記形成用基板が透光性とされ、前記分
   離層に前記形成用基板を透過して照射光を照射して、前
   記分離層と被剥離物との界面において剥離を生ぜしめる
   ことを特徴とする請求項１記載の電気光学装置の製造方
   法。
3. 【請求項３】 前記分離層の剥離は、分離層を構成する
   物質の原子間または分子間の結合力が消失または減少す
   ることにより生じることを特徴とする請求項１または２
   記載の電気光学装置の製造方法。
4. 【請求項４】 前記照射光は、レーザ光であることを特
   徴とする請求項１から３のいずれか記載の電気光学装置
   の製造方法。
5. 【請求項５】 前記レーザ光の波長が、１００〜３５０
   nmであることを特徴とする請求項４記載の電気光学装置
   の製造方法。
6. 【請求項６】 前記分離層は、非晶質シリコンで構成さ
   れていることを特徴とする請求項１から５のいずれか記
   載の電気光学装置の製造方法。
7. 【請求項７】 前記基板が粘着シートにより貼着される
   ことを特徴とする請求項１から６のいずれか記載の電気
   光学装置の製造方法。
8. 【請求項８】 前記導電膜がインジウム錫酸化物からな
   り、そのシート抵抗が３０Ω／□未満に設定されること
   を特徴とする請求項１から７のいずれか記載の電気光学
   装置の製造方法。
9. 【請求項９】 前記シート抵抗が１５Ω／□以下に設定
   されることを特徴とする請求項８記載の電気光学装置の
   製造方法。
10. 【請求項１０】 前記被剥離物にはカラーフィルタ層が
    形成されることを特徴とする請求項１から９のいずれか
    記載の電気光学装置の製造方法。
11. 【請求項１１】 前記被剥離物には、反射膜が形成され
    ることを特徴とする請求項１から１０のいずれか記載の
    電気光学装置の製造方法。
12. 【請求項１２】 前記被剥離物の前記基板を貼着する側
    には、パッシベーション膜が積層されることを特徴とす
    る請求項１から１３のいずれか記載の電気光学装置の製
    造方法。
13. 【請求項１３】 前記被剥離物が前記形成用基板上に少
    なくとも前記導電膜、前記配向膜、の順に積層されるこ
    とを特徴とする請求項１から１２のいずれか記載の電気
    光学装置の製造方法。
14. 【請求項１４】 前記被剥離物が前記形成用基板上に少
    なくとも前記配向膜、前記導電膜、の順に積層されるこ
    とを特徴とする請求項１から１２のいずれか記載の電気
    光学装置の製造方法。
15. 【請求項１５】 前記被剥離物上に前記基板が貼着され
    た状態で、前記照射光を照射することを特徴とする請求
    項１４記載の電気光学装置の製造方法。
16. 【請求項１６】 形成用基板に分離層を形成する工程
    と、 前記分離層上に少なくとも導電膜および配向膜を有する
    被剥離物を形成する工程と、 前記分離層に照射光を照射して、前記分離層において剥
    離を生ぜしめ、前記被剥離物を前記形成用基板から離脱
    させる工程と、 該被剥離物を前記基板に貼着する工程と、を有すること
    を特徴とする電気光学装置用基板の製造方法。
17. 【請求項１７】 一対の基板のうち少なくとも一方が樹
    脂からなる基板間に電気光学物質層が挟持されてなる電
    気光学装置であって、 前記基板上に少なくとも導電膜および配向膜が形成され
    てなり、 前記導電膜がインジウム錫酸化物からなり、そのシート
    抵抗が３０Ω／□未満に設定されることを特徴とする電
    気光学装置。
18. 【請求項１８】 前記シート抵抗が１５Ω／□以下に設
    定されることを特徴とする請求項１７記載の電気光学装
    置。
19. 【請求項１９】 前記基板上には反射膜が形成されるこ
    とを特徴とする請求項１７から１８のいずれか記載の電
    気光学装置。
20. 【請求項２０】 前記基板と、少なくとも前記導電膜お
    よび前記配向膜を有する被剥離物とが粘着シートにより
    貼着されることを特徴とする請求項１７から１９のいず
    れか記載の電気光学装置。
21. 【請求項２１】 前記基板と前記導電膜との間にはパッ
    シベーション膜が積層されることを特徴とする請求項１
    ７から２０のいずれか記載の電気光学装置。
22. 【請求項２２】 請求項１７ないし２１のいずれかに記
    載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電気光学装
    置。