TW200935629A - Method for manufacturing nitride semiconductor light-emitting element - Google Patents

Method for manufacturing nitride semiconductor light-emitting element

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TW200935629A TW097138536A TW97138536A TW200935629A TW 200935629 A TW200935629 A TW 200935629A TW 097138536 A TW097138536 A TW 097138536A TW 97138536 A TW97138536 A TW 97138536A TW 200935629 A TW200935629 A TW 200935629A
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Katsuomi Shiozawa
Kazushige Kawasaki
Shinji Abe
Hitoshi Sakuma
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Description

200935629 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於一種在p型氣化物半導體蟲晶層上形 成p型電極的氮化物半導體發光元件之製造方法，特別係 有關於可減小p型電極的接觸電阻率之氮化物半導體發光 元件之製造方法。 ❹ ❹ 【先前技術】 在氮化物半導體發光元件中進行超過2嶋的高輸出 操作時，在長時間的通電試驗中操作電壓的上升成為問 題。為了解決此問題，需要在低電阻具有一致的接觸特性 之P型電極。工作函數大的Pd被認為高度可能做為滿足 此要求的電極材料。 做為在GaN等的氮化物半導體表面上形成以pd為主 體的電極之方法，例如專利文獻卜5,已知係在GaN上蒸 鑛Pd，並進-步形成多層構造的電極之後，實行熱處㈣ 方法。在下面，將電極的層構造標記為a/b/c，這是表示 從基板側起依照A、B、C的順序積層。 ’ 在專利文獻卜2中係記載使用氯吸收金屬的pd做為 P型電極。從而，可將氫從氮化物半導體吸出，增大p型 載子濃度，以減低接觸電阻率。又，記載在pd電極上彤 成Mo層以做為阻障層。可防止在以高融點金屬的m〇覆蓋 時由熱處理造成的不均勾雖然似乎松演促進界 面反應的角色，但無法完全理解此角色。 5
2118-10030-PF 200935629 在專利文獻3中係記載使用Pd/z/Au做為p型電極， z係Pt、Ru、Rh、〇s、I r、Ag的任一種。從而，經由p 型電極及GaN的反應，氮被吸出，且載子濃度的下降被抑 制0 在專利文獻4中係記載在含有氧的空氣中對或 Au/Pd的p型電極熱處理。經由在此種含有氧的空氣中熱 處理，可減低接觸電阻率。
在專利文獻5中係記載使用pd/z/Au做為p型電極， z係Mo、Pt、W、Ir、Rh、Ru的任一個，且在形成Au層之 前於真空、N2或Ar的空氣中實行熱處理。利用在此種2 層構造的狀態中實行熱處理，可有效地除去在成長時進入 GaN内的氳。 [專利文獻1]特許3519950號公報 [專利文獻2]特許3579294號公報 [專利文獻3]特許3233258號公報 [專利文獻4]特許3309745號公報 [專利文獻5]特開2004 — 95798號公報 【發明内容】 [發明欲解決之問題] 目前為止’難以在P型電極中穩定地在整個晶圓上得 到比1Ε-3Ωαη2低的接觸電阻率。因此，氮化物半導體發 光元件，㈣是以2QGmW以上的光輪出操作雷射二極體 時，因為導致由p型電極引起的劣化，難以在整個晶圓上 2118-10030-pf 6 200935629 穩定地得到良品。 為了解決上述問題，本發明之目的在於 物半導體發夯开杜+由， m 之製造方法，其可減小p型電極的接觸 電阻率。 [用以解決問題的手段] …本發明的氮化物半導體發光元件之製造方法係包 •形成在基板上積層心氮化物半導體蟲晶層、活性層、 P，型氮=物半導體蟲晶層之半導體積層構造的步驟；在前 述P型氮化物半導體蠢晶層上形成具有包含Pd的第玉電 與包3 Ta的第2電極層之？型電極的步驟；在形成 =P型電極之後，在包含氧的空氣中以靴〜6 驟;及在實行熱處理之後，在前述。型電極 闊明的谭塾電極的步驟。本發明之其他特徵被 [發明效果] ^丄由本發明’可減小p型電極的接觸電阻率。結 可侍到可能高輸出操作之經時 揣粬. 町为化夕的長哥命的雷射二 制在形成絕緣媒的製程之前蒸鏟電極金屬， 眛少几, 了1"產率地得到可能高輪出操作之經 化> 的長筹命的雷射二極體。 【實施方式】 明二I ’以氮化物半導體雷射二極體為例，使用圖式說 月關於本發明之實施例的氮化物半導體發光元件之製造 2118-10030-pp 7 200935629 =法。另外，在各圖式中，相同或相當的部分標示相同的 符號，並簡化或省略其說明。 貫施例1 圖1係繪示實施例1的氮化物半導體雷射二極體的剖 面圖在GaN基板1(基板）的_主面之Ga面上形成η型 GaN緩衝層2。此緩衝層2係被形成以減低_ 基板1表面的凹凸，且儘可能平坦地積層其上層。然後， 在此η型GaN緩衝層2上形成11型A1GaN被覆層3。、 在η型AlGaN被覆層3上依序積層n型GaN光導層4、 ^推雜的InGaN光導層5以做為η側光導層。在匕㈣光 層5上形成未摻雜的Ιη“-ΧΝ/ InyGai_yN(0<x、y<1)多 重量子井構造的活性層6。 ❹ ,,層6上依序積層做為P側光導層的未摻雜 InxGai_xN(G<x<1)光波導層7、？型電子障壁層 做為P側光導層的W GaN光導層9、？型覆層 l〇、0GaN接觸層⑽型氮化物半導體蟲晶層）。 在此’ η型GaN緩衝層2的厚度係例 :以以做為η型不純物。n型咖被覆層 度： :如⑽’並推雜例如Si以做為„型不純物，且二： 成比係例如〇. 〇5。η型GaN #墓恳/< p 的厚度係例如__ ㈣的InGaN光導層5的厚度係例如-係例如0. 02。 η、，且戚比 的 活性層6包括將做為障壁層的 nyGai—yN層交互積層的構造，
InxGal xN層及做為井層 井的數目係何如3。 2118-10030-pf 8 200935629 mN層的厚度係例如且 層的厚度係例如3 5 、广成比X係0.02。 未摻雜HU光波導層？的厚且声成^係0.H。 ίη組成“係例如〇· 〇2。p型A1 :子^如2. _，且 係例如^，且A1組成比係例 ^障壁層8的厚度 9的厚度係例如^^型^⑽被^/型㈣光導層 如40〇nm，並覆層10的厚度係例 ❿ 並摻雜例如如以傲氣， 的厚度係例如lOOnm， 接觸雷阻丧 純物，且為了得到相當低的 接觸電阻’載子漢度係2E17cflf3以上，最好可為5Εΐ7^ 以上。 在P型AlGaN被覆層1〇及p型GaN接觸層u上，朝 向例如〈1 -1 〇 〇 >方向，經由蝕刻形成脊部i 2。脊部12的寬 度係例如2_0μιη。在此，脊部12係被形成在對應於條紋狀 地在GaN基板1上被形成的數_〜數十叫寬的高位錯區域 之間的低缺陷區域的位置。 為了保護脊部1 2的側面部及脊部水平底面部的表面 及電氣絕緣，形成例如厚20Οηιη的Si 〇2膜1 3 (絕緣膜）以 覆蓋脊部12。在此Si〇2膜13上，在對應於脊部12的上 表面之部分形成開口 14。經由此開口 14，p型電極1 5被 電氣地連接至p型GaN接觸層11。 P型電極15係依序積層膜厚50nm的？(1層16(第1電 極層）及膜厚20nm的Ta層1K第2電極層）的構造。在此 P型電極15上形成Ti/Ta/Au構造之打線接合用的焊塾電
2118-10030-PF 9 200935629 極18。另外，也可使用PdTa合金以取代㈣16做為第 1電極層。 又，在GaN基板1的背面形成η型電極19。此n型電 極19成為例如依序積層Ti/pt/Au膜的構造。 其次，說明實施例1的氮化物半導體發光元件之製造 方法。 先，如圖2所示，在預先經由熱清洗使表面清潔的 GaN基板1的Ga面上，經由有機金屬化學氣相沈積（M0CVD) 法’在例如looot:的成長溫度下成長n型㈣緩衝層2。 其次，經由M0CVD法，依序積層〇型Α1_被覆層3、n 型_光導層4及未摻雜的InGaN光導層5、未推雜的 —ΧΝ/ ―1-yN多重量子井活性層6、未摻雜InGaN 先波導層7、P型刪電子障壁層8、p型㈣光導層9、 ^A1GaN被覆層1〇、及P型㈣接觸層U。在此’舉例 2言’ 被覆層3及η型㈣光導層4的成長溫 φ X為1〇〇〇C，從未摻雜1_光波導層7起至未摻雜Ιη_ 先波導層7的成長溫度為74『c，從？型a漏電子障壁 層8起至p型GaN接觸層n的成長溫度為i議。c。 其’如圖3所示，力廢· V- t 只仃上述結晶成長的整個晶圓 2佈光阻，經由微影法（照相製板技術），形 的光阻圖案21。 接著，如圖4所示，以光阻圖案21 RIE(Reactive Ion Etch 旱举、&由 # a ® Μ ^ „ g)法等，將ρ型氮化物半導體 遙曰曰層非等向性㈣至？型川沾被覆層]〇内，以形成
2118-10030-PF 200935629 成為光波導構造的脊部12。使用例如氯氣做為钱刻氣體 另外，做為蝕刻罩I ’經由使帛Si〇2臈等的絕緣 代光阻圖案21 ’可使蝕刻形狀更加垂直。 。、 其次，如圖5所示 真空蒸鍍法、濺鍍法等 膜13以覆蓋脊部12。 殘留光阻圖案21 在整面上形成厚 ’經由CVD法、 〇. 2μιη 的 Si〇2 示
及 接著’在整面上形成光阻（未圖示 ，經由回蝕刻在脊部丨2的上表面中 光阻圖案21以形成開口 14。 )°然後，如圖6所 同時除去Si〇2膜13 其次，經由微影技術等，在包含脊部12的區域形成 具有開口的光阻圖案(未圖示）。其後，如圖7所示，在整 面上經由例如電子束(EB)蒸鍍法依序形成以層^及h 層 1 7 以做為 p型雷搞 ις D „ 々P玉％極15。Pd層16的膜厚可為約 2〇〜l_m’ ^層17的膜厚係為了得到防止以層16不平 整的阻障效果而可為約1〇〜2〇nm。不過，最好使㈣Μ 的膜厚成為Ta層17的膜厚之至少2倍以上，且更好是使
Pd層1 6的膜厚為30nm以上。然後，經由剝離除去光阻圖 案上的Pd層16及Ta層17。 其-人，使用RTA裝置等，最好在溫度約4〇〇£>c〜6〇〇艺 的範圍内，更好係在溫度約45Gt〜55代的範圍内實行熱 處理。在此為500。。。做為空氣係使用以氧或包含氧做為 構成元素的氣體與惰性氣體的混合氣體。氧含量最好係5% 以上且小於50%，更好係ι〇%以上 80%的氮及20%的氧之空氣。又， 且小於3 0 %。在此係使用 最好使溫度上升速度為
2118-10030-PF 11 200935629 10°C/Sec以上。在此為20t/sec。熱處理的時間可 分鐘以上，在此為2分鐘。 1 其次，經由轉寫形成圖案後，利用剝離形成隔離用的
Si〇2絕緣膜（未圖示）。然後，如圖8所示，在p型電極η 上以例如5〇ηιη/10〇ηΐη/5〇ηΐη的厚度形成成為焊墊電極μ 的 Ti/Ta/Au 。 接著，在晶圓的厚度變成約100μπ]之前，研磨基 板1的背面，實行鏡面加工。然後，在GaN基板i的背二 上，由包含5%的sicl<Ar的混合氣體實行電襞處理。 其後，在實行水洗、氧電漿灰化處理，並在GaN基板i的 背面形成高載子濃度層之後’經由真空蒸鍍法依序形成 T i /二/ A u膜。在整個晶圓上塗佈光阻，並經由微影法形成 預疋形狀的光阻圖案（未圖示）。利用以光阻圖案做為罩幕 並經由離子研磨蝕刻Ti/pt/Au膜，形成n型電極19。其 後，在4GG°C以下實行熱處理。不過，即使不實行熱處理， η型電極1 9仍顯示歐姆特性。 尺&由劈開基板加工成條狀以形成兩共振器端 面進步在這些共振器端面實施端面鍍膜之後，經由 彳開此條等而形成晶片。經由上面的步驟可製造實施例 1的氮化物半導體雷射二極體。 、如上所述’在實施例中係在P型GaN接觸I 11上形 成APd層16以做為P型電極15。在此，Pd係氫化物的產 '量為負的材料，纟GaN中殘留的氫位準高時將氫吸 出攸而，因為可有效地提高載子濃度，故可減低接觸電 2118-10030-pf 12 200935629 阻率。不過，在GaN中殘留的氫位準相當低時效果报弱。 又，僅說Pd的工作函數高係無法得到相當低的接觸電阻 率。另一方面，因為Pd比Au或Ρΐ更富有反應性，pd與 GaN反應以形成低電阻的反應層，而可減低肖特基位障。 ❹ ❹ 又，因為在熱處理時發生的反應係具有正的效果及負 的效果’熱處理温度存在最適的範圍。首先，為了促進界 面反應，最低必須加熱至40(TC以上。溫度較高，則氧的 擴散、Ga的吸出、氫的吸出、Pd_Ga的反應被加速。不過， 加熱至550°C以上會導致以層的氧化、對τ&的界面之擴 散、電極的凝結等，使接觸電阻率變大。 .1的空氣中實行熱處 如圖9所示’當在氮：氧 理時，已知以為中^在土饥附近存在最適值^在 500±5(TC的範圍中得到雷射二極體之高輸出操作需要的 1Ε-3Ω〇ιη2以下的值。因此，在形成p型電極丨5之後在 包含氧氣的空氣中利用在溫度4〇(rc~6〇〇t>c，更好係在溫 度 450。(3~550。〇 實行孰處理，·^^ . '、 ’、、、 可使P型電極的接觸電阻率 變小〇 又，在貫施例中，使用以氧或包含氧做為構成元素的 風體料性乳體的混合氣體做為對p型電# 15執處理時 的空氣。空氣中的氧係在熱處理時擴散至電極内且到達 GaN/電：的界面，以吸出GaN中的Ga，促進Ga空孔的產 生工孔已知係做為受體，且可經由由熱處理產生的受 體減低接觸電阻f，㈣在沒有氧 = 處理係無法充分地減低接觸電阻率。不過，氧濃：因為過 2118-10030-pf 13 200935629 高反而增大電阻，故存在最適的範圍。 如圖10所示，像氮+氧的空氣之非常敏感的熱處理溫 度依存性在氮氣的空氣中並未見到。另外，在氧_的空 氣中之熱處理未得到低電阻。因此，利用氧含量5%以上且 小於50%的氣體做為對？型電極熱處理時的空氣，可減小 P型電極的接觸電阻率。 又’習知係在㈣16上形成MO層以做為阻障層。 ❹相對於此，發明人發現相較於層使用Ta層做為阻㈣ 的方式可減低接觸電阻率。又，發現Mo對酸的抵抗性並 不充分，而在電極形成後的化學溶液處理及熱處理步驟中 劣化。因此，在實施例中係在㈣16上形成^層㈣ 為阻障層。 又’如圖11所示，Pdl爲 d早層電極時，接觸電阻率係僅 下降至2層電極時的約2仵。 — z倍因此，在含有氧的空氣中實
行熱處理時，使P型電極15成我Prl s 1P ύ成為Pd層1 6及Ta層1 7的2 〇層電極，可減小P型電極15的接觸電阻率。 又，在依序形成Pd層、Ta層及Au層的3層構造之口 I電極的情況中，在熱處理時 吋軋的擴散被阻止，故界面反 應未充分發生。因此，如閽】 相士 q如圖12所不，與2層電極的情況 !比，3層電極的情況無法充分地減低接觸電阻率。又， 若存在具有抑制氧的擴散 庫…mu 、敢之作用的Au等層，因為界面反 應變仔難以發生，在3®雷姑^从达、 a電極的情況令已知使 低的溫度變動至高溫側 史接觸電阻變 τΆ m, ^ 、在將烊墊電極形成於Pd層及
Ta層的2層構造的p都雷缸 電極上且然後熱處理的情況中也相
2118-10030-PF 200935629 同。因此，在實施例中係在將p型電極熱處理之後形成焊 墊電極。從而，可減小P型電極的接觸電阻率。 又，利用在基板的背面實行熱處理之後形成η型電 極，經由40(TC以下之相對低溫的熱處理，可在基板的背 面產生高濃度的載子。因此，因為防止由n型電極之形成 衣程&成的p型電極的劣化，可減小p型電極的接觸電阻 〇 Φ #以上說明，在實施例中可減小P型電極的接觸電阻 率。從而，即使增加雷射的驅動電流，也可減低“型電 極消耗的電力。因此，可得到可能高輸出操作之經時劣化 少的長壽命的雷射二極體。 又，由上述步驟製造的氮化物半導體雷射二極體之臨 界電壓為雇’繼的操作電壓約為5[並且，如圖 13所示’定電流模式的連續通電試驗的結果，經過_ 小時以上，操作電壓的變動 田係1〇%以下。因此’在高輸出 φ 用的通電中，確定可長時間維持 &狀態。 予Pi電極的接觸電阻率小 實施例2 導體發光元件 如圖2所示， 之製造方法。 在GaN基板1 說明實施例2的氮化物半 首先跟實施例1相同， 上形成氮化物半導體磊晶層。 其次，如圖 依序形成Pd層 接著，如圖 14所示，經由φ 1R a 由電子束⑽蒸鍍法及剝離， 1 b及T a層1 7以似 Λ做為Ρ型電極15。 15所示，在眚 丁上述結晶成長的整個晶 2118-1〇〇3〇-pf 15 200935629 圓上塗佈光阻，並經 狀的光阻圖案21。 〜法（肊相製版技術）形成預定形 其次，如圖16所矛 、 RIE法等，將p型電極、，以光阻圖案21做為罩幕，經由 向性蝕刻至p型A丨Ga及P型氮化物半導體磊晶層非等 構造的脊部12。使用被覆層10内，以形成成為光波導 相同的光阻圖案21 如氯氣做為姓刻氣體。另外，使用 成脊部12的乾蝕刻。次實行？型電極19的蝕刻及用以形 其次，如圖17所- _ 滅鐘法等，在整面上开^經由例如CVD法、真空蒸鍵法、 部12。 /厚〇. 2叫的Si〇2膜13以覆蓋脊 接著，在整面上形成光阻(未圖示）。然後，如圖Μ 所=經由回姓刻在脊部12的上表面中除去抓膜‘以 形成開口 H。其後，實行與實施例"目同的熱處理。 其次’如圖19所示，在p型電極19上以例如 © 50ηπι/100ηπι/500ηιη 的展 ^ ^ jl. 〇 W厚度形成成為焊墊電極18的
Ti/Ta/Au。其後’與實施例i相同，利用形成n型電極19， 並實行晶片化等’可製造實施例2的氮化物半導體雷射二 極體。 一 在實施例1中係於形成脊部12及。〇2膜13之後，形 成Ρ型電極19°使用Pd的ρ型電極19因為跟以〇2膜13 的黏著性弱’而有在製程中途剝落的問題。然彳灸，在f施 例2中係在形成脊部12及3丨〇2膜13之前形成p型電極 19。從而’因為未在Si〇2膜13上形成p型電極19，.而抑
2118-10030-PF 16 200935629 制P型電極19的剝落。因此，可在整個晶圓上得到形狀 一致的p型電極19，且可提升產率。 在上述實施例中’雖然係以氮化物半導體雷射二極體 為例加以s兒明，本發明並未限定於此，也可適用於發光二 極體（LED)等之雷射二極體以外的氮化物半導體發光元 件。 ❹ 【圖式簡單說明】 圖1係％示實施例1的氮化物半導體雷射二極體的剖 面圖。 圖2係用以說明實施例1的氮化物半導體發光元件之 製造方法的剖面圖。 圖3係用以說明實施例1的氮化物半導體發光元件之 製造方法的剖面圖。 圖4係用以說明實施例丨的氮化物半導體發光元件之 鲁 製造方法的剖面圖。 圖5係用以說明實施例1的氮化物半導體發光元件之 製造方法的剖面圖。 圖 6孫m ， '、用以垅明實施例1的氮化物半導體發光元件之 製造方法的剖面圖。 圖 γ 糸用以說明實施例1的氮化物半導體發光元件之 製造方法的剖面圖。 圖8係用以說明實施例1的氮化物半導體發光元件之 製造方法的剖面圖。 2118-10〇3〇-pp 17 200935629 圖9係 果的圖式 不接觸電阻率的熱處理溫度依存性之實 驗結 圖10传孤_ '、續'示接觸電阻率M — & 結果的圖式。 羊的熱處理溫度依存性之實驗 ❿ ❿ ® 11係 結果的圖式 圖12係綠示 、接觸電阻率的献處理、田結果的圖式。 ”、、^理酿度依存性之實驗圖13係给 的圖式。9不細作電屢的通電時間依存性之實驗結果 圖14係用、、 之贺造方# μ以說明實施例2的氮化物半導體發光元件 之表这乃去的剖面圖。圖15係用、…、 、以說明實施例2的氮化物半導體發光元件 之製造方法的剖面圖。 圖1 6係用、 、以說明實施例2的氮化物半導體發光元件 之製造方法的剖面圖。圖17倍田、 ’、以說明實施例2的氮化物半導體發光元件 之製造方法的剖面圖。 圖18係用以說明實施例2的氮化物半導體發光元件 之製造方法的剖面圖。 圖1 9係用以說明實施例2的氮化物半導體發光元件 之製造方法的剖面圖。 皆示接觸電阻率的熱處理温度依存性之實 驗 主要元件符號說 明 2118-l〇〇30-PF 18 200935629 I : GaN單結晶基板（基板） II : p型GaN接觸層（p型氮化物半導體磊晶層） 12 :脊部 13 : Si〇2膜（絕緣膜） 14 :開口 15 : p型電極 16 : Pd層（第1電極層） 17 : Ta層（第2電極層） 18 :焊墊電極 19 : η型電極 2118-10030-PF 19

Claims (1)

  1. 200935629 十、申請專利範圍： 1. 一種氮化物半導體發光元件之製造方法，包括： 形成在基板上積層n型氮化物半導體磊晶層、活性 層、Ρ型氮化物半導體磊晶層之半導體積層構造的步驟； 在前述Ρ型氮化物半導體磊晶層上形成具有包含pd 的第1電極層與包含Ta的第2電極層之ρ型電極的步驟； 在形成前述ρ型電極之後，在包含氧的空氣中以4〇〇 φ °c〜600°C實行熱處理的步驟；及 在實行熱處理之後，在前述ρ型電極上形成包含Au 的焊墊電極的步驟。 2. 如申請專利範圍第1項所述的氮化物半導體發光 元件之製造方法，其中，以45(rc〜55(rc實行熱處理。 3·如申請專利範圍第1或2項所述的氮化物半導體 發光元件之製造方法，其中，使用GaN單結晶基板做為前 述基板’將則述半導體積層構造形成在前述GaN單結晶基 ❿ 板的Ga面上。 4. 如申請專利範圍第1項所述的氮化物半導體發光 兀件之製造方法，其中，使前述第1電極層的厚度變成前 述第2電極層的厚度的至少2倍以上。 5. 如申請專利範圍第4項所述的氮化物半導體發光 元件之製造方法’其中，前述第1電極層的厚度為30nm 以上。 6. 如申明專利範圍第1項所述的氮化物半導體發光 兀件之製造方法，其中，使用pdTa合金做為前述第工電 2118-10030-PF 20 200935629 極層。 7.如申請專利範圍第1項所述的氮化物半導體發光 元件之製造方法，其中，在前述熱處理中，溫度上升速度 為10°C / sec以上。 8·如申請專利範圍第1項所述的氮化物半導體發光 元件之製造方法’其中，以氧或包含氧做為構成元素的氣 體與惰性氣體的混合氣體做為前述空氣，且係使用氧含量 5%以上且小於50%的氣體。
    9_如申請專利範圍第1項所述的氮化物半導體發光 π件之製造方法，其中，前述p型氮化物半導體磊晶層係 包含載子濃度為2E17cm-3以上的接觸層，且在前述接觸層 上形成前述第1電極層。 10·如申請專利範圍第i項所述的氮化物半導體發 光元件之luk方法，更包括··在實行電毁處理之後於前述 基板的背面形成n型電極’並在40rc以下實行熱處理的 步驟。 U.如申請專利範圍第1項記載的氮化物半導體發 元件之製造方法，更肖+ ^ ^ w 尺L栝·在形成剛述P型電極之後，將 前述P型電極及前沭 P型氮化物半導體磊晶層非等向性地 钱刻以形成脊部的步驟. 士 >驟，及形成絕緣膜以覆蓋前述脊部的 步驟。 2118-10030-pp 21
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