JP2007088008A - 窒化物半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】窒化物基板裏面とそこに形成される電極との間における、コンタクト抵抗の低減および安定性の向上することが可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物半導体装置は、半導体素子が形成されるｎ型ＧａＮ基板１と、当該ＧａＮ基板１の裏面に形成された金属電極であるｎ電極１０とを備える。ＧａＮ基板１とｎ電極１０との間には、窒化物半導体以外の材料であってシリコンを含むものから成る接続層２０が形成される。
【選択図】図１

Description

本発明は窒化物半導体装置およびその製造方法に関し、特に、窒化物半導体基板裏面にｎ電極を備えた窒化物半導体装置に関するものである。

青色発光ダイオード（ＬＥＤ）や青色レーザダイオード（ＬＤ）などの実用化に伴い、例えば窒化ガリウム（ＧａＮ）、窒化インジウムガリウム（ＩｎＧａＮ）、窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）を用いる窒化物半導体装置が注目されている。

通常、ＧａＮ等の窒化物半導体の結晶は、六方晶系のウルツ鉱構造をとる。そのため結晶成長させて形成した窒化物半導体基板には極性が生じ、Ｇａ面と呼ばれる表面とＮ面と呼ばれる裏面とを有する構造となる。

窒化物半導体の結晶成長では、窒化物半導体基板の表面（Ｇａ面）上での成長が良質な結晶品質をもたらすことが分かっている。そのため窒化物半導体装置の製造においても、窒化物半導体基板の表面側に窒化物を結晶成長させて半導体素子の層構造を形成するのが一般的である。よって従来の窒化物半導体装置としてのレーザダイオードでは、そのｎ電極とｐ電極の両方を基板の表面側に形成する構造をとっていた。しかし、製造過程において、基板の表面を露出するために半導体素子の層構造の一部を除去する工程が必要になるため、製造工程が複雑になっていた。また、２つの電極を基板の片面側（表面側）に配設すると、電極を両面に１つずつ電極を配設するのに比べて、素子の形成面積が約２倍になり、半導体装置の小型化の妨げとなる。

そこで近年では、ｎ電極を窒化物半導体基板の裏面に配設した両面電極タイプの窒化物半導体装置の開発も成されている（例えば特許文献１，２）。

また特許文献２においては、レーザダイオードの製造工程において、ＧａＮ基板の裏面にシリコンをドープしたＧａＮ層（ｎ側コンタクト層）を成長させ、当該ＧａＮ層を介してｎ型電極を形成することが開示されている。

特開２００４−７１６５７号公報 特開平１１−３４０５７１号公報

窒化物半導体基板の裏面（Ｎ面）は、表面（Ｇａ面）に比較して、蒸着した金属が剥離しやすい性質がある。そのため基板裏面に金属電極を形成した場合、当該基板と電極間の抵抗（コンタクト抵抗）が大きくなる傾向にある。例えばレーザダイオードにおいて、ｎ電極のコンタクト抵抗が十分に低くない場合、当該レーザダイオードを動作させるために必要な電圧（動作電圧）の増大や、動作時の発熱に起因する電気的特性のバラツキが生じてしまう。その結果、規定の温度範囲内で安定して出力を得ることが困難になるという問題点が生じていた。そのため、窒化物半導体基板の裏面に配設されたｎ電極のコンタクト抵抗の更なる低減が望まれている。

また、特許文献２のように、ＧａＮ基板の裏面にシリコンをドープしたＧａＮ層を成長させ、当該ＧａＮ層を介してｎ電極を形成すれば、従来構造に比較してｎ電極のオーミック性および密着性が向上する。しかし、ｎ電極形成後に熱処理を行うと、ＧａＮ層表面とｎ電極との反応が進行し、熱処理条件によってはＧａＮ層とｎ電極の界面における電気的特性の劣化（例えばバリアハイトの増加（トンネリングの減少））を招いてしまう。

本発明は、以上のような問題点を解決するためになされたものであり、窒化物基板裏面とそこに形成される電極との間における、コンタクト抵抗の低減および安定性の向上が可能な窒化物半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。

本発明に係る窒化物半導体装置は、窒化物半導体基板と、前記窒化物半導体基板の第１の主表面側に形成された窒化物半導体素子の層構造と、前記窒化物半導体基板の第２の主表面側に配設された金属電極と、前記窒化物半導体基板と前記金属電極層との間に形成された接続層とを備え、前記接続層は、窒化物半導体以外の材料であってシリコンを含むものにより形成されているものである。

本発明に係る窒化物半導体装置の製造方法は、（ａ）窒化物半導体基板の第１の主表面上に、窒化物半導体素子の層構造を形成する工程と、（ｂ）前記窒化物半導体基板の第２の主表面上に、窒化物半導体以外の材料であってシリコンを含むものより成る接続層を形成する工程と、（ｃ）前記接続層上に金属電極を形成する工程と、（ｄ）前記工程（ｃ）よりも後に、熱処理を行う工程とを備えるものである。

本発明に係る窒化物半導体装置によれば、金属電極の形成後に熱処理を行っても、小さいコンタクト抵抗を安定して維持できるという効果が得られる。よって、デバイス組み立て工程における温度変化を経ても、金属電極のコンタクト抵抗の増大は伴わない。つまり、デバイス組み立てが完了した後においても、窒化物半導体基板と金属電極との間のコンタクト抵抗を小さく維持することができる。従って、窒化物半導体装置の動作電圧を低減することが可能となり、また、発熱による影響を低減できるため、安定した動作出力を得ることができ、高出力化が可能となる。

また本発明に係る窒化物半導体装置の製造方法によれば、窒化物半導体装置と金属電極との間に接続層が介在することとなるので、金属電極の形成の後の熱処理の際に、金属電極と窒化物半導体基板との反応が抑制される。従って、その反応に起因する窒化物半導体基板の第２の主表面でのキャリア濃度の減少を防止でき、窒化物半導体基板と金属電極との間でのバリアハイトの増加（トンネリングの減少）が抑制される。そのため熱処理を行っても、金属電極と窒化物半導体基板との間で、安定して小さいコンタクト抵抗を維持することが可能になる。

＜実施の形態１＞
図１は、本発明の実施の形態１に係る窒化物半導体装置であるレーザダイオードの構成例を示す図である。同図の如く、当該半導体装置は、窒化物半導体基板であるｎ型のＧａＮ基板１を用いて形成されている。

ＧａＮ基板１のＧａ面である表面（第１の主表面）側には、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層２、ｎ型ＧａＮガイド層３、活性層４、ｐ型ＧａＮガイド層５、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層６およびｐ型ＧａＮコンタクト層７といった窒化物半導体よりなる層構造が形成されており、ＧａＮ基板１およびこれらの層構造によってレーザダイオード素子（窒化物半導体素子）が形成される。ｐ型ＧａＮコンタクト層７の上にはｐ電極８が搭載される。ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層６、ｐ型ＧａＮコンタクト層７は、エッチングにより所定の形状にパターニングされている。ｐ電極８は、ｐ型ＧａＮコンタクト層７上部に配置されるように形成される。また、保護膜としてのＳｉＯ₂膜９は、この窒化物半導体装置の上部を覆うと共に、ｐ電極８の上面が露出されるように形成される。

一方、ＧａＮ基板１のＮ面である裏面（第２の主表面）側には、金属電極としてのｎ電極１０が設けられるが、本実施の形態においてはｎ電極１０とＧａＮ基板１との間に、窒化物半導体以外の所定の材料から成る接続層２０が設けられる。

接続層２０は、ＧａＮ基板１とｎ電極１０とを電気的に接続可能なものであり、望ましくは、電圧ロスが生じないものである。また接続層２０は、熱処理を経ても安定して良好な電気特性を得ることが可能なものである。そのため、その膜厚は５ｎｍ以下で、且つ、均一に形成されていることが望ましい。接続層２０は、厚すぎるとそれが抵抗層として働き電圧ロスが増大するため、本発明の効果（後述する）が得られる範囲内で薄く形成されることが好ましい。

本実施の形態では、接続層２０はシリコンを含む材料で形成される。その具体例としては、有機シリコン系の材料である、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）、およびシロキサン系やＴＥＯＳ系の有機材料などが挙げられる。

図２は、図１に示した窒化物半導体装置におけるＧａＮ基板１の裏面の拡大断面図である。図２においては、ＧａＮ基板１の裏面側を上にして描かれており、即ち図１に対して上下が逆になっている。

先に述べたように、ＧａＮ基板１の裏面とｎ電極１０との間には、接続層２０が設けられている。またｎ電極１０は、Ｔｉ膜１１、Ｐｔ膜１２およびＡｕ膜１３から成る３層構造を有しており、接続層２０に接続する面がＴｉ膜１１になっている。そうすることにより、ｎ電極１０とＧａＮ基板１との間に、良好なオーミック性が得られる。

図３〜図７は、本実施の形態に係る窒化物半導体装置の製造方法を説明するための工程図であり、特に、図２に示したＧａＮ基板１の裏面側の電極構造を形成する工程を示している。なお、図１に示したＧａＮ基板１の表面側のｎ型ＡｌＧａＮクラッド層２、ｎ型ＧａＮガイド層３、活性層４、ｐ型ＧａＮガイド層５、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層６、ｐ型ＧａＮコンタクト層７、ｐ電極８、ＳｉＯ₂膜９の形成手法に関しては、従来の方法（例えば上記の特許文献１，２等に開示の方法）と同様でよいため、本明細書での詳細な説明は省略する。

本実施の形態に係る窒化物半導体装置の製造方法においては、ｎ電極１０の形成に先立って、ＧａＮ基板１の裏面に対して所定の前処理を行う（図３）。この前処理としては、ＧａＮ基板１の薄板化並びにダメージ層の除去のための研磨・研削処理、窒素欠陥形成のためのドライエッチング処理、およびコンタミネーション除去のための酸素プラズマ処理やＢＨＦ処理などがある。

研削・研磨処理の具体例としては、まず研削機を用いてＧａＮ基板１の裏面を１００〜２００μｍ程度削り、次いでダイヤモンドスラリーを用いて研削面の平坦化を行い、その後アルミナを研磨材として研磨布により研磨する、といった処理が挙げられる。ドライエッチング処理としては、高周波誘導結合プラズマ（ＩＣＰ：inductively coupled plasma）、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ：Reactive Ion Etching）、電子サイクロン共鳴（ＥＣＲ：Electron Cyclotron Resonance）によるエッチングなどを用いることが可能である。このときのエッチングガスとしては塩素（Ｃｌ）系のガスが用いられる。

酸素プラズマ処理は、カーボンによる表面汚染源を除去することが可能であり、また、この酸素プラズマ処理に起因するＧａＮ基板１の裏面層への欠陥導入によって、擬似的にキャリア濃度が増加するという効果も得られる。酸素プラズマ処理によってＧａＮ基板１の裏面に形成される酸化膜系の層は、必要に応じてＢＨＦ処理により除去してもよい。

前処理が完了した後、ＧａＮ基板１の裏面に接続層２０を形成する（図４）。この接続層２０の形成手法としては、接続層２０の材料成分を含む溶液を基板１上に塗布する方法や、接続層２０の材料成分を含む雰囲気に曝す方法などが考えられる。

接続層２０の形成後、例えば電子ビーム（ＥＢ）蒸着法等により、ＧａＮ基板１の裏面上に、ｎ電極１０の材料であるＴｉ膜１１、Ｐｔ膜１２、Ａｕ膜１３を順次堆積する（図５）。それにより、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕの３層構造を有するｎ電極１０が形成される。このときＴｉ膜１１の膜厚は１０〜１００ｎｍ程度でよい。Ｐｔ膜１２は、この後の熱処理の際にＴｉ膜１１とＡｕ膜１３との反応を防止するバリア効果が得られる程度の厚さ、具体的には５０〜１００ｎｍ程度の厚さであればよい。またＡｕ膜１３は、デバイス組み立て工程におけるハンダとの反応で無くなってしまわない程度の膜厚が必要であり、例えば２００ｎｍ程度以上の膜厚があればよい。

ここで、必要に応じてｎ電極１０をパターニングする。即ち、図６の如くｎ電極１０の上に所定パターンのレジストマスク５０を形成し、それをマスクにしてウェットエッチングやイオンミリングなどを行い、ｎ電極１０の不要な部分を除去する（図７）。その後レジストマスク５０を除去する。

ｎ電極１０の形成の後に、熱処理を行う。本実施の形態では、ｎ電極１０は接続層２０を介してＧａＮ基板１の裏面上に形成されているので、この熱処理の際にｎ電極１０とＧａＮ基板１との反応が抑制される。従って、その反応に起因するＧａＮ基板１の裏面層でのキャリア濃度の減少を防止でき、ＧａＮ基板１とｎ電極１０との間でのバリアハイトの増加（トンネリングの減少）が抑制される。そのため熱処理を行っても、ｎ電極１０とＧａＮ基板１との間で、安定して小さいコンタクト抵抗を維持することが可能になる。

上記の熱処理としては、この後のデバイス組み立て工程で使用される温度以上であればよい。また熱処理雰囲気は大気、窒素、酸素、不活性ガスの何れでもよい。この熱処理によって、ＧａＮ基板１とｎ電極１０との間のコンタクト抵抗を安定させることができる。当該コンタクト抵抗は、１６０℃以上の熱処理を経ても安定していることが望ましく、より望ましくは４００℃以上の熱処理を経ても安定していることが望ましい。

以上の工程により、ＧａＮ基板１の裏面上に本実施の形態に係るｎ電極構造が形成される。

図８は、実施の形態１の効果を説明するためのグラフであり、窒化物半導体装置におけるｎ電極形成後の熱処理の温度と、ｎ型ＧａＮ基板とｎ電極との間のコンタクト抵抗との関係を示している。同グラフでは、従来構造の装置（即ち、図１においてＧａＮ基板１とｎ電極１０との間に接続層２０を有さない構造）の場合と、実施の形態１に係る装置の場合とを比較している。ｎ電極は共に、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕの３層構造とした。なお、グラフ中の縦軸に示すコンタクト抵抗の値は、従来構造において熱処理を行わないときのコンタクト抵抗を１としたときの相対値である。

図８に示されるように、従来構造の窒化物半導体装置では、熱処理温度が１６０℃以上の高温になると、ｎ型ＧａＮ基板とｎ電極との間のコンタクト抵抗が増大する。それに対し、本実施の形態のように接続層２を有する構造では、熱処理温度が高くなってもｎ型ＧａＮ基板とｎ電極との間のコンタクト抵抗はほぼ一定に保たれる。即ち、本実施の形態に係るｎ電極は、コンタクト抵抗が小さく、且つ、コンタクト抵抗が熱処理の温度に依存しない安定したものである。

つまり本実施の形態によれば、ｎ電極１０の形成後に熱処理を行っても、小さいコンタクト抵抗を安定して維持できるという効果が得られる。よって、デバイス組み立て工程における温度変化を経ても、ｎ電極１０のコンタクト抵抗の増大は伴わない。つまり、デバイス組み立てが完了した後においても、ＧａＮ基板１とｎ電極１０との間のコンタクト抵抗を小さく維持することができる。従って、窒化物半導体装置の動作電圧を低減することが可能となり、また、発熱による影響を低減できるため、安定した動作出力を得ることができ、高出力化が可能となる。

さらに、金属電極であるｎ電極１０を、ＧａＮ基板１の裏面に直接搭載させるのではなく、接続層２０を介して搭載するためｎ電極１０の密着性が向上するという効果も期待できる。また、ｎ電極のコンタクト抵抗が熱処理の温度に依存しない安定したものになるので、熱処理における温度マージンを拡大することも可能となる。

なお、本実施の形態においては、ｎ電極１０がＴｉ／Ｐｔ／Ａｕの３層構造である例を示したが、例えばＴｉ／Ａｌの２層構造やＴｉ／Ａｕの２層構造（何れもＴｉ層が接続層２０に接するようにする）であっても、上記と同様の効果が得られる。その他にも、ｎ電極の材料としては、仕事関数が５ｅＶ以下の材料、例えばＡｌ、Ｔａ、ＴｉＮ等が接続層２０と接するように配設された単層あるいは多層構造のものであってもよい。

また、窒化物半導体基板としてｎ型ＧａＮ基板を示したが、本実施の形態は、例えば窒化ガリウム（ＧａＮ）、窒化インジウムガリウム（ＩｎＧａＮ）、窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）などの窒化物半導体層にも適用可能である。

＜実施の形態２＞
図９は、本実施の形態に係る窒化物半導体装置におけるＧａＮ基板１の裏面の拡大断面図である。同図において、図２と同様の要素には同一符号を付してある。

図９の如く、本実施の形態に係る窒化物半導体装置においては、ＧａＮ基板１の裏面と接続層２０との間（即ち、ＧａＮ基板１と接続層２０との境界）に、薄い酸化膜（以下「酸化薄膜」と称す）２１が形成されている。この点を除いては、上で説明した実施の形態１の窒化物半導体装置（図１および図２）と同様の構成である。

このように、ＧａＮ基板１と接続層２０との境界に、酸化薄膜２１を介在させることにより、実施の形態１で説明した効果に加えて、ＧａＮ基板１と接続層２０との密着性、即ちＧａＮ基板１とｎ電極１０との密着性が向上するという効果が得られる。但し、ｎ電極１０はＧａＮ基板１に電気的に接続する必要があるため、この酸化薄膜２１は、ｎ電極１０とＧａＮ基板１との間を電気的に絶縁しないことが必要である。例えば、酸化薄膜２１を１ｎｍ以下の厚さで形成すれば、いわゆる“絶縁膜”としては機能せず電流が酸化薄膜２１中を通過できるため、ｎ電極１０とＧａＮ基板１との電気的接続は確保される。また、酸化薄膜２１を形成する目的は絶縁ではないため、厚さが均一である必要はない。

さらに、ｎ電極１０とＧａＮ基板１との電気的接続を確保する目的で、酸化薄膜２１をＧａＮ基板１と接続層２０との境界全面に形成せず、例えば図１２のように、部分的に（例えば島状に）形成してもよい（この場合も厚さ１ｎｍ以下であることが望ましい）。むしろ、ｎ電極１０とＧａＮ基板１との間のオーミック性の観点からは、酸化薄膜２１が部分的に形成されている方が望ましい。

本実施の形態によれば、ＧａＮ基板１とｎ電極１０との密着性が向上するため、ＧａＮ基板１とｎ電極１０との間のコンタクト抵抗をさらに低減することができる。それにより、窒化物半導体装置の動作電圧を低く抑えることが可能となり、発熱による影響を低減できるため、安定した動作出力を得ることができ、高出力化が可能となる。

以下、本実施の形態に係る窒化物半導体装置の製造方法、特に、図９に示したＧａＮ基板１の裏面側の電極構造を形成する工程を説明する。

本実施の形態においても、実施の形態１と同様に、ｎ電極１０の形成に先立って、ＧａＮ基板１の裏面に所定の前処理を行うが、この前処理の際に酸化薄膜２１を形成する（図１０）。酸化薄膜２１の形成方法としては、ＧａＮ基板１の裏面を酸素雰囲気に曝す、もしくは酸素プラズマや酸素ラジカル雰囲気に曝す、あるいは酸化作用のある薬品を用いての薬品処理（例えば、Ｈ₂ＳｉＦ₆とＨ₃ＢＯ₃の混合溶液での酸化処理や、Ｎ−メチルアセトアミド（N-methylacetamide）を用いた陽極酸化処理）を行う、といった手法が考えられる。

この工程で形成される酸化薄膜２１は、ｎ電極１０とＧａＮ基板１との電気的接続を確保するために１ｎｍ以下の厚さであることが望ましい。あるいは一旦酸化薄膜２１を厚めに形成した後で、ＢＨＦ処理で１ｎｍ以下に薄膜化してもよい。また、一旦酸化薄膜２１をＧａＮ基板１の裏面全面に形成した後で、図１２の如く部分的に残存するようにＢＨＦ処理で部分的に除去してもよい。

そして、ＧａＮ基板１の裏面に酸化薄膜２１を残存させた状態のまま、その上に接続層２０を形成する（図１１）。この接続層２０の形成手法としては、接続層２０の材料成分を含む溶液を基板１上に塗布する方法や、接続層２０の材料成分を含む雰囲気に曝す方法などが考えられる。

これ以降は実施の形態１と同様に、ｎ電極１０が形成し、必要に応じてそれをパターニングし、所定の熱処理を行うことで、ＧａＮ基板１の裏面上に本実施の形態に係るｎ電極構造が形成される。

実施の形態１に係る窒化物半導体装置の構成例を示す図である。 実施の形態１に係る窒化物半導体装置における基板の裏面の拡大断面図である。 実施の形態１に係る窒化物半導体装置の製造方法を示す工程図である。 実施の形態１に係る窒化物半導体装置の製造方法を示す工程図である。 実施の形態１に係る窒化物半導体装置の製造方法を示す工程図である。 実施の形態１に係る窒化物半導体装置の製造方法を示す工程図である。 実施の形態１に係る窒化物半導体装置の製造方法を示す工程図である。 実施の形態１の効果を説明するためのグラフである。 実施の形態２に係る窒化物半導体装置における基板の裏面の拡大断面図である。 実施の形態２に係る窒化物半導体装置の製造方法を示す工程図である。 実施の形態２に係る窒化物半導体装置の製造方法を示す工程図である。 実施の形態２に係る窒化物半導体装置の変形例を示す図である。

符号の説明

１ ＧａＮ基板、２ ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層、３ ｎ型ＧａＮガイド層、４ 活性層、５ ｐ型ＧａＮガイド層、６ ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層、７ ｐ型ＧａＮコンタクト層、８ ｐ電極、９ ＳｉＯ₂膜、１０ ｎ電極、１１ Ｔｉ膜、１２ Ｐｔ膜、１３ Ａｕ膜、２０ 接続層、２１ 酸化薄膜。

Claims (13)

1. 窒化物半導体基板と、
   前記窒化物半導体基板の第１の主表面側に形成された窒化物半導体素子の層構造と、
   前記窒化物半導体基板の第２の主表面側に配設された金属電極と、
   前記窒化物半導体基板と前記金属電極層との間に形成された接続層と
   を備え、
   前記接続層は、窒化物半導体以外の材料であってシリコンを含むものにより形成されている
   ことを特徴とする窒化物半導体装置。
2. 前記接続層は、シリコンを含む有機材料により形成されている
   請求項１記載の窒化物半導体装置。
3. 前記窒化物半導体基板は、前記接続層との境界の少なくとも一部に酸化膜が形成されている
   請求項１または請求項２記載の窒化物半導体装置。
4. 前記酸化膜の厚さは１ｎｍ以下である
   請求項３記載の窒化物半導体装置。
5. 前記金属電極における前記接続層と接する部分が、チタン（Ｔｉ）で形成されている
   請求項１から請求項４のいずれか記載の窒化物半導体装置。
6. （ａ）窒化物半導体基板の第１の主表面上に、窒化物半導体素子の層構造を形成する工程と、
   （ｂ）前記窒化物半導体基板の第２の主表面上に、窒化物半導体以外の材料であってシリコンを含むものより成る接続層を形成する工程と、
   （ｃ）前記接続層上に金属電極を形成する工程と、
   （ｄ）前記工程（ｃ）よりも後に、熱処理を行う工程と
   を備えることを特徴とする窒化物半導体装置の製造方法。
7. （ｅ）前記窒化物半導体基板の前記第２の主表面を酸素プラズマ処理する工程
   をさらに備える請求項６記載の窒化物半導体装置の製造方法。
8. （ｆ）前記工程（ｅ）よりも後に、前記窒化物半導体基板の前記第２の主表面に対しＢＨＦ（Buffered Hydrofluoric Acid）処理を行う工程
   をさらに備える請求項７記載の窒化物半導体装置の製造方法。
9. （ｇ）前記窒化物半導体基板の前記第２の主表面に、酸化膜を形成する工程
   をさらに備え、
   前記工程（ｂ）は、前記窒化物半導体基板の前記第２の主表面に前記酸化膜を残存させた状態で行われる
   請求項６記載の窒化物半導体装置の製造方法。
10. 前記工程（ｇ）は、前記窒化物半導体基板の前記第２の主表面に対し、酸素プラズマ処理、酸素ラジカル雰囲気に曝す処理、および酸化作用のある所定の薬品を用いた薬品処理のうち少なくとも１つを行うことにより実行される
    請求項９記載の窒化物半導体装置の製造方法。
11. （ｈ）前記工程（ｇ）で形成した前記酸化膜の一部を除去する工程
    をさらに備える請求項９または請求項１０記載の窒化物半導体装置の製造方法。
12. 前記工程（ｈ）は、ＢＨＦ処理により行われる
    請求項１１記載の窒化物半導体装置の製造方法。
13. 前記工程（ｂ）は、前記第２の主表面に前記接続層の成分を含む溶液を塗布すること、前記第２の主表面を前記接続層の成分を含む雰囲気に曝露すること、前記第２の主表面に前記接続層の成分を蒸着させること、のいずれかにより行われる
    請求項６から請求項１２のいずれか記載の窒化物半導体装置の製造方法。
    

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