TW200935596A - Solid-state imaging device, method of manufacturing the same, and camera and electronic apparatus using the same - Google Patents

Description

200935596 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於，將發生在有效像素領域與其周邊領 域之交界領域處的膜厚之落差予以減低的固體攝像裝置和 其製造方法、具備此種固體攝像裝置的相機及內藏此種相 機的電子機器。 0 【先前技術】 先前，於CMOS影像感測器或CCD影像感測器等之 固體攝像裝置中，爲了提升光學特性，而提出了各種技術 。例如’設置用了增加入射至固體攝像裝置之光二極體所 成之光電轉換部的光量所需之構成，藉此以提升感度。 專利文獻1及專利文獻2中係記載著，於固體攝像裝 置中’爲了促使入射至光二極體的光量、提升感度，而在 光二極體上部的光入射側，形成光波導路之構成。光波導 φ 路’係在光二極體上部的光入射側，形成開口部，並在該 開口部中，塡埋高折射率的材料，藉此而形成。 專利文獻3中係記載著，在CMOS型的固體攝像裝置 的多層配線層中，設置Cu配線與Cu擴散防止膜的情況下 ’則入射至光二極體的光係被Cu擴散防止膜所反射，導 致入射至光二極體的光量降低，因而設置有防止此事發生 之構成。其中’係藉由將已被形成在光二極體上部的Cu 擴散防止膜加以去除，以防止往光二極體的入射光量降低 。然後’在專利文獻3中係記載著，爲了去除已被形成在 -4 - 200935596 光二極體上的Cu擴散防止膜，而在多層配線層形成後， 將光二極體上的多層配線層加以開口，藉此以去除Cu擴 散防止膜之工程。將該多層配線層進行開口所形成的開口 部中，係形成有光波導路之構成。 如專利文獻3所記載的將位於光二極體上部之光入射 側的C u擴散防止膜加以去除之工程，或如專利文獻1、2 所記載的在光二極體上部的光入射側形成光波導路構造之 ❹ 工程中，係如上述，會產生在光二極體上設置開口部，並 將該開口部予以塡埋之工程。 然而，固體攝像裝置，係由有效像素領域、光學性黑 (Optical Black)領域、周邊電路領域等所構成。圖12中係 圖示固體攝像裝置的槪略構成。例如，在如圖12所示的 屬於CMOS影像感測器的固體攝像裝置301中，形成了有 效像素領域311、光學性黑領域312所成之攝像領域313 ，然後還形成有垂直驅動電路3 04或水平驅動電路3 06等 φ 之周邊電路部。攝像領域313，係有屬於光電轉換元件的 光二極體與像素電晶體（MOS電晶體）所成之複數像素，作 2維排列而成。光學性黑領域312，係被形成在有效像素 領域311之周邊的一部分，係被構成爲，藉由遮光膜而不 讓光線入射至像素。於光學性黑領域312中，係可獲得作 爲黑位準之基準訊號的訊號。在該固體攝像裝置301，於 有效像素領域311中，入射的光係被轉換成訊號電荷，當 作像素訊號而透過周邊電路部而被輸出。 如以上說明，在有效像素領域311，雖然光會入射至 -5- 200935596 光二極體，但在有效像素領域311周邊所構成的光學性黑 領域312，係不會有光入射至光二極體。因此，如專利文 獻1〜3所記載，用來促使入射至光二極體之光量增加的 構成，係只有被構成在有效像素領域311。亦即，爲了去 除位於光二極體上部之光入射側的光擴散防止膜，而將光 二極體上部予以開口之構成，或爲了在光二極體上之光入 射側形成光波導路構造，而將光二極體上部加以開口之構 U 成，係僅爲有效像素領域所必須之構成。 圖13係圖示，上述之屬於CMOS影像感測器的固體 攝像裝置301中的有效像素領域311與光學性黑領域312 的交界領域處的製造工程圖。圖1 3係例如沿著圖1 2中的 D-D線的剖面圖，係在有效像素領域3 1 1之像素中的光二 極體PD上部，設置開口部時的工程圖。 在圖13中，爲了簡化，僅圖示了光二極體PD與多層 配線層320。實際上，在由光二極體PD與複數像素電晶 φ 體所成之多層像素所被形成之半導體基板上，係構成有多 層配線層320，光線是從多層配線層320側往半導體基板 入射。如圖13所示，多層配線層320，係隔著層間絕緣層 319而形成有3層的配線1M，2M，3M，於光學性黑領域 312中的配線3M係成爲遮光膜。於光學性黑領域312中 ，由於配線3M係構成了遮光膜，因此被形成在光學性黑 領域312的光二極體PD，係不會有光入射。 如專利文獻1〜3所記載，爲了促使入射至有效像素 領域之光二極體的光之光量增加，首先，如圖13A所示， 200935596 在有效像素領域311的光二極體PD上部的層間絕緣層 3 1 9，形成開口部3 2 1。然後，在開口部3 2 1 ’係如圖1 3 B 所示，塗佈上例如折射率高於層間絕緣層3 1 9 ·的塡埋材料 ，將開口部321予以塡埋。在被該高折射率之塡埋材料所 塡埋的領域中，就構成了光波導路。 如圖13B所示，被塗佈在開口部321的塡埋材料，係 於塡埋層322形成工程中，在光學性黑領域312的多層配 @ 線層320上，也被同時塗佈了塡埋材料。如此一來，如圖 13B所示，在光學性黑領域312中，由於沒有形成開口部 321，所以被形成在光學性黑領域312之多層配線層320 上的塡埋層322，其被塗佈的厚度，會是厚於被形成在有 效像素領域311之開口部321及多層配線層320上部的塡 埋層322。然後，此種塡埋層3 22的塗佈不勻，係如圖 13B所示，在有效像素領域311與光學性黑領域312的交 界部分，係導致在塡埋層322表面形成了落差。 φ 同樣地，在圖14中係圖示了，被形成在有效像素領 域311之多層配線層320的開口部321，是以CVD法或 PVD法來形成塡埋層3 23時的例子。於圖14中，對應於 圖13之部分係標示同一符號並省略重複說明。 如圖14A所示’開口部321係被CVD法（Chemical Vapor Deposition ;化學性蒸著法）或 pvd 法（Physical Vapor Deposition;物理性蒸著法）進行塡埋時，如圖UB 所示’所成膜的塡埋層3 23之膜厚，係爲大致—定。因此 ’在開口部321、非開口部上所形成之塡埋層323，係會 200935596 產生疏密差，而在非開口部與開口部321的交界領域處’ 產生落差。在形成有開口部321的有效像素領域311上’ 塡埋材料係被成膜得較疏，而在未形成有開口部321的有 效像素領域311上，塡埋材料係被成膜得較密。 接著，如圖14C所示，爲了使CVD法或PVD法所產 生的塡埋層323之落差（亦即凹凸）進行平坦化，而以CMP 法（化學性機械硏磨），使塡埋材料膜表面平坦化。然而， ❹ 以CMP法將表面平坦化時，在塡埋材料被形成較疏的有 效像素領域311、和被形成較密的光學性黑領域312上， 會有表面未被均勻平坦化之問題。如圖14C所示，塡埋材 料被形成較疏的部分，其硏磨速度是快於塡埋材料被形成 較密的部分。因此，結果而言，在有效像素領域311上部 的塡埋層3 23，會被形成爲，薄於光學性黑領域312上部 之塡埋層323。 又，如圖13所示，在作爲塡埋層322是使用塗佈型 〇 的材料的例子中，在塡埋層322形成後的烘烤工程時，塡 埋層322的體積會因熱處理而減少。此時，被形成在開口 部321的塡埋層322之體積，是較被形成在非開口部的塡 埋層3 22之體積，具有大出開口部之份量的體積，因此在 烘烤時塡埋層322的體積減少量也會變大。如此一來，在 開口部321被形成較密的有效像素領域311，和未被形成 開口部321的光學性黑領域312，會因烘烤工程後的體積 減少，而造成更大的落差。 如此，在固體攝像裝置的有效像素領域、光學性黑領 -8- 200935596 域、周邊電路領域的交界領域處，在塡埋層表面存在有落 差或膜厚差的情況下，該落差或膜厚差也會對上層的膜造 成影響。因此，被形成在塡埋層之上層的例如鈍化膜、彩 色濾光片、晶片上微透鏡等，會被塡埋層表面的落差所影 響。而且，影響到上層的落差，係侵入到有效像素領域內 。其結果爲，於有效像素領域內，中央部分與周邊部分之 像素的光學特性會有所變動，從固體攝像裝置所輸出的畫 Φ 面中，會發生感度不勻。 作爲用來減低有效像素領域、和包含光學性黑領域或 周邊電路領域之周邊領域之間的落差或膜厚差的方法，係 有專利文獻4中所記載，形成對應於周邊領域的金屬配線 之凹凸形狀的絕緣層間膜，以減輕有效像素領域與周邊領 域之落差的方法。又，專利文獻5中係記載，即使在有效 像素領域與周邊領域之間有落差，也可在落差較低的部分 ’追加可圖案化材料之方法。甚至，在專利文獻6中係記 〇 載著’將落差較高部分予以選擇性蝕刻而加以削除的方法 〇 然而，這些專利文獻4〜6所記載的方法中，例如爲 了減低有效像素領域與周邊領域的落差，都必須增加工程 數’具有如此問題點。 [專利文獻1]日本特開2003-298034號 [專利文獻2]日本特開平7_45805號公報 [專利文獻3]日本公報特開2〇〇5_311〇15號公報 [專利文獻4]日本特開2001-196571號公報 200935596 [專利文獻5]日本特開2004-356585號公報 [專利文獻6]日本特開2007-165403號公報 【發明內容】 [發明所欲解決之課題] 有鑑於上述問題點’本發明係提供一種，藉由降低有 效像素領域與周邊領域之交界領域的落差，以降低感度不 φ 勻的固體攝像裝置和其製造方法。又，本發明係提供一種 具備如此固體攝像裝置的相機及內藏有該相機的電子機器 [用以解決課題之手段] 爲了解決上記課題，達成本發明之目的，本發明的固 體攝像裝置，其特徵爲，具備：有效像素領域，係由具有 光電轉換元件的像素所複數排列而成；和有效像素領域的 φ 周邊領域；且具有：開口部，係被形成在有效像素領域中 的光電轉換元件之正上方的絕緣層；和虛假開口部，係被 形成在周邊領域之上部的絕緣層；和塡埋層，係被塡埋至 開口部及前記虛假開口部。 本發明的固體攝像裝置中的所謂周邊領域，係指例如 ，周邊電路部、或光學性黑領域等所構成的領域，係指不 被入射光所入射的領域。 在本發明的固體攝像裝置，係在有效像素領域內的絕 緣層形成有開口部，並且在周邊領域上的絕緣層也設有虛 -10- 200935596 假開口部，因此，於有效像素領域和周邊領域的交界部分 ’可降低塡埋層的落差。 又，本發明的固體攝像裝置之製造方法，其特徵爲， 具有：形成由具有光電轉換部之像素所複數排列而成的有 效像素領域、與跨越該有效像素領域的周邊領域而形成絕 緣層之工程；和在位於有效像素領域之光電轉換部正上方 的絕緣層，形成開口部，在周邊領域的絕緣層，形成虛假 Φ 開口部之工程；和以將形成在絕緣層之開口部及虛假開口 部予以塡埋的方式，在絕緣層上形成塡埋層之工程。 在本發明的固體攝像裝置之製造方法中，在有效像素 領域的光電轉換部的正上方形成開口部，並且在周邊領域 的絕緣層也有形成虛假開口部。因此，可以降低被形成在 有效像素領域與周邊領域之開口部的疏密差，可使被形成 在絕緣層上部的塡埋層，是被平坦地形成。 又，本發明的相機，其特徵爲，具備：固體攝像裝置 φ ;和光學系，係將入射光引導至固體攝像裝置的光電轉換 部；和訊號處理電路，係將固體攝像裝置的輸出訊號加以 處理；且固體攝像裝置，係具備：有效像素領域，係由具 有光電轉換元件的像素所複數排列而成；和有效像素領域 的周邊領域；並且，具有：開口部，係被形成在有效像素 領域中的光電轉換元件之正上方的絕緣層；和虛假開口部 ，係被形成在周邊領域之上部的絕緣層；和塡埋層，係被 塡埋至開口部及虛假開口部。s 又’本發明電子機器，係內藏有相機，其特徵爲，具 -11 - 200935596 備：固體攝像裝置；和光學系，係將入射光引導至固體攝 像裝置的光電轉換元件；和訊號處理電路，係將固體攝像 裝置的輸出訊號加以處理；且固體攝像裝置，係具備：有 效像素領域，係由具有光電轉換元件的像素所複數排列而 成；和有效像素領域的周邊領域；並且，具有：開口部， 係被形成在有效像素領域中的光電轉換元件之正上方的絕 緣層；和虛假開口部，係被形成在周邊領域之上部的絕緣 層；和塡埋層，係被塡埋至開口部及前記虛假開口部。 本發明的相機、或具備其之電子機器係使用了，有效 像素領域和周邊領域的交界部分之落差有被降低的固體攝 像裝置。 [發明效果] 若依據本發明，則於固體攝像裝置的有效像素領域與 周邊領域之交界部分，膜厚之落差係被降低，因此可降低 感度不勻。 【實施方式】 以下，參照圖1〜圖1 1，說明本發明的實施形態。 首先，圖1中係圖示了，本發明之一實施形態所述之 固體攝像裝置的槪略構成。 本實施形態例的固體攝像裝置1係以CMOS影像感測 器爲例，例如在由Si所成的基板100上，含有光電轉換 元件的攝像像素2是呈矩陣狀地被複數2維排列，構成了 -12- 200935596 由有效像素領域11與光學性黑領域12所構成的攝像領域 3，和周邊電路部1 4。於本實施形態例中’將光學性黑領 域12與周邊電路部14，合稱爲周邊領域13。 攝像領域3，係具有有效像素領域11、和被構成在有 效像素領域11之周邊部的光學性黑領域12。攝像領域3 中的每個攝像像素2，係由構成光電轉換元件的光二極體 、和將經過光二極體進行光電轉換而成之訊號電荷予以轉 φ 換成像素訊號並輸出至垂直訊號線9所需之複數像素電晶 體（MOS電晶體）所構成。於有效像素領域11中，入射至 光二極體的入射光是被光電轉換成訊號電荷’被像素電晶 體轉換成像素訊號，該像素訊號係透過垂直訊號線9，而 被供給至周邊電路部14。光學性黑領域12’係由具有和 有效像素領域11相同構成之攝像像素2所成之構成’但 因爲被構成有遮光膜，所以是入射光是不會入射至光學性 黑領域12的光二極體的構成。然後，藉由如此構成，從 φ 光學性黑領域12係輸出著黑基準訊號。此外，作爲複數 的像素電晶體，係例如由傳輸電晶體、重置電晶體、增幅 電晶體、及選擇電晶體的4個電晶體所構成。或是由省略 了選擇電晶體的3個電晶體所構成。 又，周邊電路部14，係具有：垂直驅動電路4、縱欄 訊號處理電路5、水平驅動電路6、輸出電路7、控制電路 8所構成。 控制電路8，係基於垂直同步訊號、水平同步訊號及 主時脈，生成用來作爲垂直驅動電路4、縱欄訊號處理電 -13- 200935596 路5及水平驅動電路6等之動作基準的時脈訊號或控制訊 號等，並輸入至垂直驅動電路4、縱欄訊號處理電路5及 水平驅動電路6等。 垂直驅動電路4，係例如由移位暫存器所構成，將攝 像領域3的各攝像像素2以行單位依序在垂直方向上進行 選擇掃描，透過垂直訊號線9,將已被各攝像像素2的光 二極體進行光電轉換而得的訊號電號爲基礎的像素訊號， 0 供給至縱欄訊號處理電路5。於光二極體中，會隨應於受 光量而產生訊號電荷。 縱欄訊號處理電路5,係於攝像像素2中，例如被每 列地配置。然後，從1行份之像素所輸出的訊號，係每一 項素列地，基於來自光學性黑領域12的訊號而進行訊號 處理。亦即，在縱欄訊號處理電路5上，是基於從光學性 黑領域12所輸出的黑基準訊號，來進行有效像素領域11 的雜訊去除或訊號增幅等之訊號處理。 φ 在縱欄訊號處理電路5的輸出段中，有水平選擇開關 (未圖示）是被設置在水平訊號線之間而連接。 水平驅動電路6，係例如由移位暫存器所構成，藉由 依序輸出水平掃描脈衝，將縱欄訊號處理電路5之每一者 依序加以選擇，使來自各縱攔訊號處理電路5的像素訊號 ，被輸出至水平訊號線10。 輸出電路，係對從每一縱欄訊號處理電路5透過水平 訊號線10所依序供給來的訊號，進行訊號處理然後輸出 -14- 200935596 以下，將本實施形態之各例的固體攝像裝置，與其製 造方法一倂加以說明。 [第1實施形態] 圖2中係圖示了，說明第1實施形態所述之固體攝像 裝置及其製造方法的槪略剖面構成。圖2中所示之固體攝 像裝置的槪略剖面構成，係爲沿著圖1中的A-A線、或 Ο B-B線的剖面構成，亦即，是在橫跨了有效像素領域1 1、 和由光學性黑領域12與周邊電路部14所成之周邊領域13 的線上的剖面構成。在圖2中，爲了簡化，僅圖示了固體 攝像裝置中的攝像像素2的光電轉換部亦即光二極體PD 、和其上的多層配線層20部分。實際上，構成攝像像素2 的像素電晶體，或甚至，包含構成周邊電路部 14的 CMOS電晶體之元件所被形成的Si基板100上，係形成有 多層配線層20。 Φ 圖2所示的多層配線層20，係有3層的金屬配線1M， 2M，3M，分別隔著層間絕緣層19而被構成。 首先，於本實施形態例中’如圖2A所示’在有效像 素領域11的光二極體PD上部所對應的多層配線層20, 係形成了被開口至光二極體PD正上方的開口部21。又， 同時，周邊領域13，在本實施形態例中’光學性黑領域 12中的多層配線層20上’係和有效像素領域Η同樣地， 形成有虛假開口部24。亦即’在本例中’在有效像素領域 11、周邊領域13，都以大致同一間隔’形成了開口部21 -15- 200935596 、及虛假開口部24。 接著，如圖2B所示，在有效像素領域11及周邊領域 1 3的開口部2 1、及虛假開口部24，以例如塗佈型的塡埋 材料，形成塡埋層22。塡埋層22的形成，除了塗佈型以 外，亦可藉由CVD法或PVD法來形成。此時，在非開口 部15上也會同時成膜了塡埋層22。又，有效像素領域11 的光二極體PD上部的開口部21係爲了成爲光波導路，因 φ 而例如是以折射率高於構成多層配線層20之層間絕緣層 19的高折射率之有機材料，來形成塡埋層22。塡埋層22 ，例如，係由矽氧烷系樹脂、或聚醯亞胺、聚丙烯酸系樹 脂、聚苯乙烯系樹脂等高折射率樹脂所構成。在使用矽氧 烷系樹脂的情況下，可藉由添加物來調整折射率，含有添 加物的矽氧烷系樹脂的折射率，例如可設成1.7。又，使 前述樹脂中含有例如氧化鈦、氧化耝、氧化鈮、氧化鎢、 氧化鉻、氧化鋅、氧化銦、氧化給等金屬氧化物微粒子， φ 就可提高折射率。作爲層間絕緣層19，例如係採用Si02( 折射率1.4)。 藉由在開口部21中塡埋高折射率的有機材料之構成 ，就可在開口部21構成光波導路，因此藉由光波導路， 入射光會被折射，可有效率地使光入射至有效像素領域11 的光二極體PD。 然後，在有效像素領域1 1及周邊領域1 3中所被形成 之開口部21、虛假開口部24及非開口部15是被塡埋層 22平坦地塡埋後，如圖2C所示，在周邊領域13的多層 -16- 200935596 配線層20上部，係形成遮光膜18。藉由形成遮光膜18, 可使例如被形成在光學性黑領域12的光二極體PD不會有 光入射’因此就可從光學性黑領域12輸出黑位準。 之後，雖然未圖示，但可將鈍化膜、彩色濾光片、晶 片上微透鏡等依序加以形成以獲得目的之固體攝像裝置。 若依據第1實施形態，則原本不必要有開口部的周邊 領域1 3中，也是以和有效像素領域1 1中所形成之開口部 0 2 1同樣的間隔，來形成虛假開口部24，藉此就可降低多 層配線層20中的開口部之疏密。因此，其後將塡埋材料 予以塡埋的工程中，可將材料平坦地塡埋。甚至，在塡埋 材料塗佈後的後烘烤時，即使塡埋層22的體積有減少， 在有效像素領域11與周邊領域13中仍可以同樣的比例使 體積減少。因此，於有效像素領域11及周邊領域13的交 界部分，可防止在多層配線層20上的塡埋層22產生落差 〇 φ 因此，在其後的工程中，被形成在塡埋層22上部的 未圖示之鈍化膜 '彩色濾光片 '晶片上微透鏡等，可避免 受到落差之影響’落差不會侵入至有效像素領域11內， 可防止造成感度不勻。 又，將塡埋層22以CVD法、或PVD法來加以形成的 情況下，於有效像素領域11與周邊領域13中，開口部21 、虛假開口部24上的塡埋層22中所被形成的凹凸之疏密 差，係被降低。因此’在塡埋層2 2形成後，例如以c Μ P 處理進行平坦化時’可均句地平坦化。又’於周邊領域13 -17- 200935596 中，也是設有虛假開口部24，該虛假開口部24中也被填 埋了塡埋層22，因此CMP處理時，可防止周邊領域13的 多層配線層20與塡埋層22的界面處發生膜偏離。 [第2實施形態] 接著，圖3中係圖示了，說明本發明之第2實施形態 所述之固體攝像裝置之製造方法的槪略剖面構成。圖3中 φ 所示之固體攝像裝置的槪略剖面構成，係也和第1實施形 態同樣地，係爲沿著圖1中的A-A線、或B-B線的剖面 構成，亦即，是在橫跨了有效像素領域11、和由光學性黒 領域12或周邊電路部14所成之周邊領域13的線上的剖 面構成。於圖3中，與圖2相同的部分，係標示同一符號 並省略重複說明。 於本實施形態例中，如圖3 A所示，被形成在周邊領 域13中的多層配線層20的最上層之金屬配線3M，是被 〇 形成來構成遮光膜18。然後，於此種多層配線層20中， 首先，如圖3A所示，在周邊領域13中的多層配線層20 之層間絕緣層1 9，係設有虛假開口部24。此虛假開口部 24’係以未深達遮光膜18的方式，例如，是被開口到金 屬配線3M的正上方而形成。 接著，如圖3B所示，將位於有效像素領域U的光二 極體PD上部之位置的多層配線層20的層間絕緣層19, 開口至光二極體PD正上方爲止，以設置開口部21。 此處，於本實施形態例中，係以使得周邊領域13的 -18- 200935596 多層配線層20上所被形成的虛假開口部24，和有效像素 領域11的多層配線層20上所被形成的開口部21的開口 容積’例如是呈大致相同的方式，來形成開口部21、虛假 開口部24。 如此’在周邊領域13的多層配線層20是構成有遮光 膜18’而要在周邊領域13與有效像素領域U上較難構成 相同構成之開口部時，亦可將開口工程分成2次，來設置 φ 開口部21及虛假開口部24。 接著’如圖3C所示’在有效像素領域1丨及周邊領域 13的開口部21及虛假開口部24，以例如塗佈型的塡埋材 料’形成塡埋層22。塡埋層22的形成，係亦可藉由CVD 法或PVD法來形成。此時，在非開口部15上也會同時成 膜了塡埋層22。又’有效像素領域11的光二極體pd上 部的開口部21係爲了成爲光波導路，因而例如是以折射 率高於構成多層配線層20之層間絕緣層19的高折射率之 〇 有機材料’來形成塡埋層22。塡埋層22，例如，係由矽 氧烷系樹脂、或聚醯亞胺、聚丙烯酸系樹脂、聚苯乙烯系 樹脂等高折射率樹脂所構成。在使用矽氧烷系樹脂的情況 下，可藉由添加物來調整折射率，含有添加物的矽氧烷系 樹脂的折射率，例如可設成1.7。又，使前述樹脂中含有 例如氧化鈦、氧化钽、氧化鈮、氧化鎢、氧化鉻、氧化鋅 、氧化銦、氧化給等金屬氧化物微粒子，就可提高折射率 。作爲層間絕緣層19，例如係採用Si02(折射率1.4)。 藉由在開口部21中塡埋高折射率的有機材料之構成 -19- 200935596 ，就可藉由光波導路使入射光被折射，可有效率地使光入 射至有效像素領域11的光二極體PD。 於本實施形態例中，周邊領域13之最上部的金屬配 線3M’係被當成遮光膜18。藉由形成遮光膜is，可使例 如被形成在光學性黑領域12的光二極體不會有光入射 ，因此可輸出黑位準。 若依據本實施形態例，則在原本不需要開口部的周邊 q 領域13’也形成了具有與有效像素領域11中所形成之開 口部21大致相同開口容積的虛假開口部24。藉此，烘烤 時，即使開口部21及虛假開口部24的塡埋層的體積有減 少，在有效像素領域U與周邊領域13中，仍可使塡埋層 22的體積以大致相同的容積而被減少。因此，於烘烤工程 後，於有效像素領域11及周邊領域13的交界部分，可防 止在塡埋層22上產生落差。 又，將塡埋層22以CVD法、或PVD法來加以形成的 0 情況下，於有效像素領域11與周邊領域13中，開口部21 、虛假開口部24的疏密差，係被降低。因此，在塡埋層 22形成後，例如以CMP處理進行平坦化時，仍可將塡埋 層22上均勻地平坦化。又，於周邊領域13中，也是設有 虛假開口部24，該虛假開口部24中也被塡埋了塡埋層22 ，因此可防止周邊領域13的多層配線層20與塡埋層22 的界面處帶有凹凸形狀。因此，於周邊領域13的多層配 線層20與塡埋層22之界面，可提升對抗橫向應力的耐性 ，於CMP處理時可防止膜偏離。 -20- 200935596 又，在本實施形態例中，係分2次來形成開口部21、 虛假開口部24，因此開口部21和虛假開口部24的開口深 入，可以有所變化。因此本實施形態例係亦可適用於，在 周邊領域13中，下層的金屬配線被構成較密，而在開口 領域無法充分確保深度方向的情況下。 [第3實施形態] 0 接著，圖4中係圖示了，說明本發明之第3實施形態 所述之固體攝像裝置之製造方法的槪略剖面構成。圖4中 所示之固體攝像裝置的槪略剖面構成，係也和第1及第2 實施形態同樣地，係爲沿著圖1中的A-A線、或B-B線 的剖面構成，亦即，是在橫跨了有效像素領域11、和由光 學性黑領域12或周邊電路部14所成之周邊領域13的線 上的剖面構成。於圖4中，對應於圖2、3之部分係標示 同一符號並省略重複說明。 φ 於本實施形態例中，如圖4A所示，被形成在周邊領 域13中的多層配線層20的3層之金屬配線1M，2M，3M ，最中間的金屬配線2M，是被形成來構成遮光膜18。然 後，於此種多層配線層20中，首先，如圖4A所示，在周 邊領域13中的多層配線層20之層間絕緣層19，係設有虛 假開口部24。此虛假開口部24，係以未深達由金屬配線 2M所構成之遮光膜18的方式，而被開口到遮光膜18的 正放方爲止。 接著，如圖4B所示，將位於有效像素領域I〗的光二 -21 - 200935596 極體PD上部之位置的多層配線層20，開口至光二極體 PD正上方爲止，以設置開口部21。 此處，於本例中也是，係以使得周邊領域13的多層 配線層20之層間絕緣層19上所被形成的虛假開口部24, 和有效像素領域11的多層配線層20的層間絕緣層19上 所被形成的開口部21的開口容積，例如是呈大致相同的 方式來加以構成，較爲理想。 φ 如此，當周邊領域1 3中所被形成之遮光膜1 8並非構 成多層配線層20之金屬配線的最上層時，也只要開口到 遮光膜18的正上方爲止即可。 然後，對有效像素領域1 1的多層配線層20上所被形 成之開口部21，及周邊領域13的多層配線層20上所被形 成的虛假開口部24，塗佈塡埋材料。此時，有效像素領域 11的光二極體PD上部的開口部21係爲了構成光波導路 ，因而例如是以折射率高於構成多層配線層20之層間絕 φ 緣層19的高折射率之有機材料，來進行塡埋，較爲理想 。藉由在開口部21中塡埋高折射率的有機材料之構成， 在有效像素領域11上就可藉由光波導路使入射光被折射 ，可有效率地使光入射至有效像素領域11的光二極體PD。 於本例中，周邊領域13的金屬配線2M，係被當成遮 光膜1 8。藉由形成遮光膜1 8，可使例如被形成在光學性 黑領域12的光二極體PD不會有光入射，因此可輸出黑位 準。 若依據第3實施形態，則在原本不需要開口部的周邊 -22- 200935596 領域13中也構成有虛假開口部24，藉此可降低多層配線 層20上的開口部之疏密，因此可平坦地塗佈塡埋材料， 可降低有效像素領域11與周邊領域13之間的落差。又， 有效像素領域11和周邊領域13的多層配線層20上所形 成的開口部21、虛假開口部24的開口容積是被構成爲大 致相同時’即使塡埋層22的體積在烘烤時發生收縮的情 況下’仍可使縮減的體積，控制成在有效像素領域U和 ❹ 周邊領域13上係爲相同。因此，即使在塡埋層22的烘烤 工程後’仍可使有效像素領域11與周邊領域13的交界部 分的塡埋層22表面上的落差，獲得降低。 又’在圖5A中係圖示了從上面觀看作爲周邊領域13 的周邊電路部14的多層配線層20之金屬配線3M，其沿 著C-C線的剖面構成是示於圖5B。當遮光膜18並非以最 上層的金屬配線3M來構成時，且金屬配線3M是構成較 疏的情況下，係可將被形成在周邊領域13的虛假開口部 ❹ 24 ’如圖所示，沿著該金屬配線3M來形成。 亦即，於周邊領域13中所被形成的虛假開口部24, 和於有效像素領域11中所被形成的開口部21的開口容積 或開口的疏密’是採取最佳的形成構成，藉此以使多層配 線層20上的塡埋層22能被平坦地形成。 [第4實施形態] 接著，圖6中係圖示了’說明第4實施形態所述之固 體攝像裝置之製造方法的槪略剖面構成。圖6中所示之固 -23- 200935596 體攝像裝置的槪略剖面構成，係也和第1〜第3實施形 同樣地，係爲沿著圖1中的A-A線、或B-B線的剖面 成，亦即，是在橫跨了有效像素領域1 1、和由光學性黑 域12或周邊電路部14所成之周邊領域13的線上的剖 構成。於圖6中，對應於圖2〜4之部分係標示同一符 並省略重複說明。 本實施形態例係如圖6A所示，被形成在周邊領域 0 中的多層配線層20的3層之金屬配線1M，2M，3M當中 最上層的金屬配線3M，是被形成來構成遮光膜18的例 〇 首先’如圖6 A所示，以使得越朝光入射之開口側 開口寬度越大的方式，把側壁形成爲錐形形狀的第1開 部分21a、及虛假開口部24，將其形成在有效像素領域 的光二極體PD之上部及周邊領域13中。此錐形形狀的 1開口部分21a、及虛假開口部24，係可藉由組合等方 φ 蝕刻與異方性蝕刻，就能加以形成。被形成爲錐形形狀 第1開口部分21a，及虛假開口部24，係被形成爲不會 觸到多層配線層2 0的金屬配線。亦即，於周邊領域i 3 所被形成的虛假開口部24，係被開口到身爲遮光膜18 金屬配線3M的正上方爲止，被形成在有效像素領域η 第1開口部分21a，也是被形成爲同樣之形狀。 接著’如圖6B所示，將被形成在有效像素領域u 具有錐形形狀的第1開口部分21a，朝向光二極體pd 再度進行蝕刻，直到光二極體PD正上方爲止，形成側 態 構 領 面 號 13 ί 子 、 P 11 第 性 的 接 中 的 的 之 側 壁 -24- 200935596 呈垂直而開口的第2開口部分21b。因此，在有效像素領 域11中就會形成，被形成爲錐形形狀之第1開口部分21a 與第2開口部分21b所形成的開口部21。 然後，如圖6C所示，對有效像素領域1 1的多層配線 層20上所被形成之開口部21，和周邊領域13的多層配線 層20的層間絕緣層19上所被形成的虛假開口部24，塗佈 塡埋材料，形成塡埋層22。此時，有效像素領域11的光 φ 二極體PD上部的開口部21係爲了構成光波導路，因而例 如是以折射率高於構成多層配線層20之層間絕緣層19的 高折射率之有機材料，來進行塡埋，較爲理想。藉由在開 口部21中塡埋高折射率的有機材料之構成，就可藉由光 波導路使入射光被折射，可有效率地使光入射至有效像素 領域11的光二極體PD。 於本實施形態例中，周邊領域1 3的金屬配線3 Μ，係 被當成遮光膜18。藉由形成遮光膜18，可使例如被形成 φ 在光學性黑領域12的光二極體PD不會有光入射，因此可 輸出黑位準。 若依據第4實施形態，則在原本不需要開口部的周邊 領域13中也構成有虛假開口部24，藉此可降低多層配線 層20上的開口部之疏密，因此可平坦地塗佈塡埋材料， 可降低有效像素領域1 1與周邊領域1 3之間的落差。又， 有效像素領域11和周邊領域13的多層配線層20上所形 成的開口部21、虛假開口部24的開口容積是被構成爲大 致相同時’即使塡埋材料的體積在烘烤時發生收縮的情況 -25- 200935596 下，仍可使縮減的體積，控制成在有效像素領域11和周 邊領域13上係爲相同。因此，即使在塡埋層22的烘烤工 程後，仍可使有效像素領域11與周邊領域13的交界部分 的塡埋層22表面上的落差，獲得降低。 然後，於本實施形態例中，藉由將有效像素領域1 1 的開口作業分成2次作業，就可使有效像素領域11的開 口部2 1成爲對光學特性有利的形態。於本例中，藉由將 φ 光波導路的光入射口部分製作成錐形形狀，就可使入射光 入射的入口是被形成爲較廣。因此，可增加透過波導路而 入射至光二極體的光量。於有效像素領域11中，藉由把 第1開口部分21a形成爲錐形狀，即使第1開口部分21a 的側壁上發生入射光的反射，也會變成往光二極體PD側 反射，就集光效率觀點來看，是有利的。 於上述的第4實施形態中，以第1次開口工程所形成 的錐形狀的第1開口部分21a集虛假開口部24，亦可製作 〇 成透鏡形狀。當將該第1開口部分21a形成爲透鏡形狀時 ’開口入口被形成得較廣，和透鏡作用會相輔相成，使得 往第1開口部分21a的集光，變得容易。 又’於有效像素領域11中，當以2次加工來形成開 口部21時’於第1次的開口上，可施加光瞳補正。先前 ’在塡埋層22之上層之光入射面所被形成之未圖示的晶 片上微透鏡（on-chip microlens)，係於有效像素領域11的 中心部分’將晶片上微透鏡的光軸中心對合於光二極體的 光軸’越往有效像素領域11的周邊部，越使晶片上微透 -26- 200935596 鏡的中心位置往主光線的方向對合移位，以進行光瞳補正 。亦即，晶片上微透鏡係被形成爲，從有效像素領域11 的中心部越往周邊部走，則透鏡中心是越從光二極體PD 的中心偏往有效像素領域1 1的中心側。如本實施形態例 ，藉由2次開口作業來設置開口部21的情況下，例如， 如圖7所示，越從中央往周邊走離，而以使得第1次開口 的第1開口部分21a的中心31是成爲晶片上微透鏡的光 φ 軸中心的方式’從光二極體PD越加偏離開來而加以形成 。中央部的第1開口部分21a係被形成爲，其中心是吻合 於光二極體PD的中心。於第2次的開口時，第2開口部 分21b的中心30是吻合於光二極體PD的光軸。如此，藉 由以2次加工來形成開口部21，在第1次被開口的第1開 口部分21a，就不會打散已被晶片上微透鏡所收集的光。 因此，可形成爲使入射光有效率地入射至開口部21。然後 ，於有效像素領域11的周邊部中，被經過光瞳補正的微 〇 透鏡所集光的光，就可有效率地入射至光二極體。 又’當周邊領域13的多層配線層20上所被形成之虛 假開口部24是無法確保深度的情況下，係如圖8所示， 只要將周邊領域13的虛假開口部24，形成得比有效像素 領域11上所形成之開口部21還廣即可。如此，就可不管 有效像素領域11的虛假開口部24的開口圖案，將周邊領 域1 3的虛假開口部24的開口圖案予以最佳化，就可使有 效像素領域11和周邊領域13的交界部分處的塡埋層22 表面的落差降低。 -27- 200935596 又，如圖9所示，可將周邊領域13的側壁是呈錐形 形狀的虛假開口部24的開口圖案，形成爲具有光干涉效 果的細微狀，而且形成爲較有效像素領域11的開口部21 還密。如此，將周邊領域13的側壁呈錐形形狀的虛假開 口部24的開口圖案，形成爲具有光干涉效果，藉此，可 抑制斜向的光的反射，可抑制造成焰光原因的來自遮光膜 之反射。 0 如此，藉由以2次開口作業來設置開口部21及虛假 開口部24’就可使有效像素領域11及周邊領域13的開口 部21及虛假開口部24的形狀，理想地變形。亦即，有效 像素領域11的開口形狀的自由度係被增加，可改善集光 或混色特性、遮影（shading)。 圖1所示的固體攝像裝置，係如第1實施形態〜第4 實施形態所示’開口部21、集虛假開口部24是被塡埋層 22平坦地塡埋後，分別層積而形成鈍化膜、彩色濾光片、 φ 晶片上微透鏡，就可完成。 然後’使用第1實施形態〜第4實施形態所示的固體 攝像裝置之製造方法所製造的固體攝像裝置1，係可降低 於有效像素領域11與周邊領域13之交界領域處的塡埋層 22之落差’因此也可使得會影響其上部層積形成之各層的 落差’獲得減低。因此’落差不會侵入有效像素領域n 內，可降低固體攝像裝置的感度不勻。 11的光二 上述的第1實施形態〜第4實施形態所示之固體攝像 裝置及其製造方法，係例示了在有效像素領域 -28- 200935596 極體上形成光波導路的情形，但本發明並不限定於’設置 用來形成光波導路的開口部21之工程。 例如，在以Cu配線來形成配線層的金屬配線的情況 下，有時Cu擴散防止膜是在Cu配線每層都有形成。此 Cu擴散防止膜若位於有效像素領域的光二極體上的光入 射側，則會因爲折射率的變化，導致入射至光二極體的入 射光之光量降低。 • 因此，先前，藉由在有效像素領域的光二極體正上方 〇 的配線層設置開口，以將位於有效像素領域之光二極體上 部的Cu擴散防止膜，加以去除。即使在此種情況下，也 如第1實施形態〜第4實施形態所示，在周邊領域中也形 成虛假開口部，藉此，在其後的塡埋層的成膜工程中，有 效像素領域與周邊領域的交界領域處的塡埋層表面之落差 就可被降低。此情況下，雖然在開口部中作爲塡埋層是形 成了絕緣材料，但作爲絕緣材料係亦可採用如第1實施形 ❹ 態〜第4實施形態所示的高折射率之有機材料。 然後，如以上的這種情況下，也是可和使用第1實施 形態〜第4實施形態所示之固體攝像裝置之製造方法所製 造的固體攝像裝置一樣，使有效像素領域與周邊領域之交 界領域處的落差降低。因此，層積在其上部的鈍化膜、彩 色濾光片、晶片上微透鏡，也能平坦地形成。其結果爲， 固體攝像裝置表面造成的落差不會侵入至有效像素領域內 ，可謀求感度不勻之降低。

作爲本實施形態例的固體攝像裝置，雖然使用CMOS -29- 200935596 影像感測器爲例子來說明，但本發明係亦可使用於在作爲 光電轉換部之光二極體的正上方具有光波導路的c CD影 像感測器。 於本發明中，有效像素領域1 1的周邊領域1 3的形態 ’係包含：僅有相鄰於有效像素領域1 1的光學性黑領域 12之情形、未中隔光學性黑領域12而僅有相鄰於有效像 素領域1 1的周邊電路部1 4之情形、還有橫跨光學性黑領 φ 域12與周邊電路部14的情形。因此，虛假開口部24係 可採取：僅形成在光學性黑領域1 2、僅形成在周邊電路部 14、甚至是橫跨光學性黑領域12與周邊電路部14之一部 分而形成等，各種形態。 接著’以圖10及11，表示本發明之相機的槪略構成 〇 本實施形態例的相機，係使用上述第1〜第4實施形 態中所製造的固體攝像裝置，圖10係作爲固體攝像裝置 φ 是使用CMOS影像感測器的例子，圖11係作爲固體攝像 裝置是使用CCD影像感測器的例子。 如圖10所示，相機50係具有：光學系51、本發明所 述之CMOS影像感測器52、訊號處理電路53而成。本實 施例的相機，係包含將光學系51、和CMOS影像感測器 52及訊號處理電路53進行模組化而成的相機模組之形態 。光學系51，係使來自被攝體的像光（入射光），被成像在 CMOS影像感測器52的攝像面上。藉此，於CMOS影像 感測器52的光電轉換部的光二極體中，入射光係隨著入 -30- 200935596 射光量而被轉換成訊號電荷。然後，該訊號電荷係藉由 CMOS影像感測器52中所被構成的垂直驅動電路、水平 驅動電路、縱攔訊號處理電路、控制這些的控制電路，而 被輸出。該被輸出的輸出訊號，係被訊號處理電路53實 施各種訊號處理而成爲映像訊號，而被輸出。 如圖1 1所示，相機40係具有：光學系41、本發明所 述之CCD影像感測器42、CCD驅動電路43、訊號處理電 φ 路44而成。本實施例的相機，係包含將光學系41、和 CCD影像感測器42、CCD驅動電路43、訊號處理電路44 進行模組化而成的相機模組之形態。光學系4 1，係使來自 被攝體的像光（入射光），被成像在CCD影像感測器42的 攝像面上。藉此，於CCD影像感測器42的光電轉換部的 光二極體中，入射光係隨著入射光量而被轉換成訊號電荷 。CCD驅動電路43，係在將被CCD影像感測器42所受光 的訊號電荷往垂直電荷傳輸部進行讀出後，在垂直電荷傳 φ 輸部內傳輸然後被傳輸往水平電荷傳輸部，然後使其在水 平電荷傳輸部中傳輸，進行如此所需之驅動。藉由訊號處 理電路44，CCD影像感測器42的輸出訊號係被施以各種 訊號處理而成爲映像訊號，而被輸出。 如以上，圖10及圖11所示的相機，係使用了有效像 素領域和周邊領域的交界部分之落差有被降低的固體攝像 裝置。因此，是感度不勻有被降低的相機。 本發明係可將上述的相機50、40予以內藏而構成例 如附帶相機的行動電話等之電子機器。於該電子機器上’ -31 - 200935596 其內藏的相機的感度不勻也是有被降低，因此可提供信賴 性高的電子機器。 【圖式簡單說明】 [圖1]本發明之一實施形態所述之固體攝像裝置的槪 略構成圖。 [圖2]A，B，C 本發明之第1實施形態所述之固體攝 φ 像裝置之製造方法的工程圖。 [圖3]A, B，C 本發明之第2實施形態所述之固體攝 像裝置之製造方法的工程圖。 [圖4]A，B, C 本發明之第3實施形態所述之固體攝 像裝置之製造方法的工程圖。 [圖5]A，B 本發明之第3實施形態所述之固體攝像 裝置之製造方法的另一例子的槪略構成圖。 [圖6]A, B, C 本發明之第4實施形態所述之固體攝 φ 像裝置之製造方法的工程圖。 [圖7]本發明之第4實施形態所述之固體攝像裝置之 製造方法的另一例子的槪略構成圖。 [圖8]本發明之第4實施形態所述之固體攝像裝置之 製造方法的另一例子的槪略構成圖。 [圖9]本發明之第4實施形態所述之固體攝像裝置之 製造方法的另一例子的槪略構成圖。 [圖10]本發明之一實施形態例所述之使用CMOS影像 感測器的電子機器的槪略構成圖。 -32- 200935596 [圖11]本發明之一實施形態例所述之使用CCD影像 感測器的電子機器的槪略構成圖。 [圖12]先前例的固體攝像裝置的槪略構成圖。 [圖13] A, B先前例的固體攝像裝置之製造方法的槪略 構成圖。 [圖14]A, B, C先前例的固體攝像裝置之製造方法的 槪略構成圖。 【主要元件符號說明】 1 :固體攝像裝置 2 :攝像像素 3 :攝像領域 4 :垂直驅動電路 5 :縱欄訊號處理電路 6 :水平驅動電路 φ 7 :輸出電路 8 :控制電路 9 :垂直訊號線 I 〇 :水平訊號線 II :有效像素領域 1 2 :光學性黑領域 13 :周邊領域 14 :周邊電路部 1 5 :非開口部 -33- 200935596 18 :遮光膜 1 9 :層間絕緣層 20 :多層配線層 2 1 :開口部 21 a :第1開口部分 21b:第2開口部分 22 :塡埋層 φ 24 :虛假開口部 40 :相機 41 :光學系 42 : CCD影像感測器 43: CCD驅動電路 44 :訊號處理電路 50 :相機 51 :光學系 φ 52 : CMOS影像感測器 5 3 :訊號處理電路 100 :基板 3 0 1 :固體攝像裝置 3 04 :垂直驅動電路 306:水平驅動電路 3 1 1 :有效像素領域 3 1 2 :光學性黑領域 3 1 3 :攝像領域 -34- 200935596 3 1 9 :層間絕緣層 320:多層配線層 3 2 1 :開口部 322 :塡埋層 3 23 :塡埋層 1M，2M，3M :金屬配線 PD :光二極體 ❿

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Claims (1)

1. 200935596 十、申請專利範圍 1·—種固體攝像裝置，其特徵爲， 具備： 有效像素領域’係由具有光電轉換元件的像素所複數 排列而成；和 前記有效像素領域的周邊領域；且 具有： Q 開口部’係被形成在前記有效像素領域中的光電轉換 元件之正上方的絕緣層；和 虛假開口部，係被形成在前記周邊領域之上部的絕緣 層；和 塡埋層，係被塡埋至前記開口部及前記虛假開口部。 2 ·如申請專利範圍第1項所記載之固體攝像裝置， 其中， 前記虛假開口部’係被形成在前記周邊領域中的具有 ❹ 複數像素的光學性黑領域或/及周邊電路部； 在前記塡埋層中使用了絕緣材料。 3·如申請專利範圍第1項所記載之固體攝像裝置， 其中， 在前記塡埋層中係使用了，折射率高於前記絕緣層的 有機材料。 4.如申請專利範圍第1項所記載之固體攝像裝置， 其中， 前記有效像素領域的絕緣層上所設的開口部，和前記 -36- 200935596 周邊領域的絕緣層上所設的開口部的開口容積’ 等。 5. 如申請專利範圍第1項所記載之固體攝 其中， 前記開口部的開口側之側壁，係爲錐形形狀 6. 如申請專利範圍第1項所記載之固體攝 其中， 前記周邊領域的絕緣層上所設的虛假開口部 成爲具有光干涉效果。 7. —種固體攝像裝置之製造方法，其特徵;i 形成由具有光電轉換部之像素所複數排列而 像素領域、與跨越該有效像素領域的周邊領域而 層之工程；和 在位於前記有效像素領域之光電轉換部正上 層，形成開口部，在前記周邊領域的絕緣層，形 口部之工程：和 以將形成在前記絕緣層之前記開口部及前記 部予以塡埋的方式，在前記絕緣層上形成塡埋層 8 ·如申請專利範圍第7項所記載之固體攝 製造方法，其中， 將前記虛假開口部，形成在前記周邊領域中 數像素的光學性黑領域或/及周邊電路部； 在前記塡埋層中使用絕緣材料。 9 ·如申請專利範圍第7項所記載之固體攝 係大致相 像裝置， 像裝置， ，係被形 成的有效 形成絕緣 方的絕緣 成虛假開 虛假開口 之工程。 像裝置之 的具有複 像裝置之 -37- 200935596 製造方法，其中， 在前記塡埋層中’使用折射率高於前記絕緣層的有機 材料。 10.如申請專利範圍第7項所記載之固體攝像裝置之 製造方法，其中， 將前記有效像素領域的前記開口部、和前記周邊領域 的前記虛假開口部形成爲，開口容積大致相等。 φ 11.如申請專利範圍第7項所記載之固體攝像裝置之 製造方法，其中， 將前記開口部形成爲，開口側之側壁具有錐形形狀。 12. 如申請專利範圍第7項所記載之固體攝像裝置之 製造方法，其中， 將前記周邊領域的虛假開口部形成爲，具有光干涉效 果。 13. 如申請專利範圍第7項所記載之固體攝像裝置之 ❹ 製造方法，其中， 是以2次的開口作業，將前記有效像素領域的前記開 口部予以開口。 14. 如申請專利範圍第13項所記載之固體攝像裝置 之製造方法，其中， 前記第1次開口作業與前記第2次開口作業所形成的 開口部分，係各爲不同之形狀。 15·如申請專利範圍第13項所記載之固體攝像裝置 之製造方法，其中， -38- 200935596 使前記第1次開口作業所成之開口中心、與前記第2 次開口作業所成之開口中心彼此互異，以形成被光瞳補正 的前記開口部。 16· —種相機，其特徵爲， 具備： 固體攝像裝置；和 光學系，係將入射光引導至前記固體攝像裝置的光電 0 轉換部；和 訊號處理電路，係將前記固體攝像裝置的輸出訊號加 以處理；且 前記固體攝像裝置，係具備： 有效像素領域，係由具有光電轉換元件的像素所複數 排列而成；和 前記有效像素領域的周邊領域；並且， 具有： φ 開口部，係被形成在前記有效像素領域中的光電轉換 元件之正上方的絕緣層；和 虛假開口部，係被形成在前記周邊領域之上部的絕緣 層；和 塡埋層，係被塡埋至前記開口部及前記虛假開口部。 17· —種電子機器，其特徵爲， 內藏有相機，其係具備： 固體攝像裝置；和 光學系，係將入射光引導至前記固體攝像裝置的光電 -39- 200935596 轉換元件；和 訊號處理電路，係將前記固體攝像裝置的輸出訊號加 以處理； 前記固體攝像裝置，係具備： 有效像素領域，係由具有光電轉換元件的像素所複數 排列而成；和 前記有效像素領域的周邊領域；並且， ❹ 具有： 開口部，係被形成在前記有效像素領域中的光電轉換 元件之正上方的絕緣層；和 虛假開口部，係被形成在前記周邊領域之上部的絕緣 層；和 塡埋層，係被塡埋至前記開口部及前記虛假開口部。 Ο -40-