WO2013145753A1 - 撮像素子および撮像装置 - Google Patents

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WO2013145753A1
WO2013145753A1 PCT/JP2013/002119 JP2013002119W WO2013145753A1 WO 2013145753 A1 WO2013145753 A1 WO 2013145753A1 JP 2013002119 W JP2013002119 W JP 2013002119W WO 2013145753 A1 WO2013145753 A1 WO 2013145753A1
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pixel
pixels
unit
group
wiring
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PCT/JP2013/002119
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史郎 綱井
寛信 村田
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株式会社ニコン
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Definitions

  • the present invention relates to an imaging element and an imaging apparatus.
  • Patent Literature Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-49361
  • charge accumulation time control and pixel signal readout control are performed for each cell.
  • the cell is a group of two-dimensionally adjacent pixels, it is impossible to finely control the charge accumulation time and the pixel signal readout within the cell or between the cells.
  • a plurality of pixel groups that are imaging elements and that output a pixel signal corresponding to incident light and that receive incident light corresponding to different image information.
  • An image pickup unit that forms a plurality of pixels, a control unit that controls an accumulation time of charges in the plurality of pixels included in the pixel group, and a pixel unit that is provided for each pixel group and is included in the pixel group
  • a readout unit that reads out the pixel signal from the plurality of pixels.
  • an imaging apparatus using the imaging element is provided.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view of a backside illuminating type MOS imaging device according to the present embodiment. It is a figure explaining the pixel arrangement
  • An equivalent circuit diagram of a pixel is shown. It is a circuit diagram which shows the connection relation of the pixel in a unit group. It is a block diagram which shows the structure of the imaging device which concerns on this embodiment. It is a block diagram which shows the functional structure of an image pick-up element. The timing chart of the operation of each pixel group is shown. The example of another unit group and the connection relation of each pixel are shown. It is sectional drawing of the other imaging element of a back irradiation type. The example of a unit group corresponding to the image sensor of FIG.
  • the equivalent circuit of another pixel is shown.
  • the unit group of another image sensor is shown typically.
  • the circuit diagram of the pixel unit in a unit group is shown.
  • the unit group of another image pick-up element is shown typically.
  • the circuit diagram of the pixel unit in a unit group is shown.
  • the unit group of another image sensor is shown typically.
  • the circuit diagram of the pixel unit in a unit group is shown.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view of a back-illuminated image sensor 100 according to this embodiment.
  • the imaging element 100 includes an imaging chip 113 that outputs a pixel signal corresponding to incident light, a signal processing chip 111 that processes the pixel signal, and a memory chip 112 that stores the pixel signal.
  • the imaging chip 113, the signal processing chip 111, and the memory chip 112 are stacked, and are electrically connected to each other by a conductive bump 109 such as Cu.
  • incident light is incident mainly in the positive direction of the Z axis indicated by the white arrow.
  • the surface on the side where incident light is incident is referred to as a back surface.
  • the right direction on the paper orthogonal to the Z axis is the X axis plus direction
  • the front side of the paper orthogonal to the Z axis and the X axis is the Y axis plus direction.
  • the coordinate axes are displayed so that the orientation of each figure can be understood with reference to the coordinate axes of FIG.
  • the imaging chip 113 is a back-illuminated MOS image sensor.
  • the PD layer is disposed on the back side of the wiring layer 108.
  • the PD layer 106 includes a plurality of PDs (photodiodes) 104 arranged two-dimensionally and a transistor 105 provided corresponding to the PD 104.
  • a color filter 102 is provided on the incident light incident side of the PD layer 106 via a passivation film 103.
  • the color filter 102 has a plurality of types that transmit different wavelength regions, and has a specific arrangement corresponding to each of the PDs 104. The arrangement of the color filter 102 will be described later.
  • a set of the color filter 102, the PD 104, and the transistor 105 forms one pixel.
  • a microlens 101 is provided on the incident light incident side of the color filter 102 corresponding to each pixel.
  • the microlens 101 condenses incident light toward the corresponding PD 104.
  • the wiring layer 108 includes a wiring 107 that transmits a pixel signal from the PD layer 106 to the signal processing chip 111.
  • the wiring 107 may be multilayer, and a passive element and an active element may be provided.
  • a plurality of bumps 109 are arranged on the surface of the wiring layer 108.
  • the plurality of bumps 109 are aligned with the plurality of bumps 109 provided on the opposing surfaces of the signal processing chip 111, and the imaging chip 113 and the signal processing chip 111 are pressed and aligned.
  • the bumps 109 are joined and electrically connected.
  • a plurality of bumps 109 are arranged on the mutually facing surfaces of the signal processing chip 111 and the memory chip 112.
  • the bumps 109 are aligned with each other, and the signal processing chip 111 and the memory chip 112 are pressurized, so that the aligned bumps 109 are joined and electrically connected.
  • the bonding between the bumps 109 is not limited to Cu bump bonding by solid phase diffusion, and micro bump bonding by solder melting may be employed. Further, for example, about one bump 109 may be provided for one output wiring described later. Therefore, the size of the bump 109 may be larger than the pitch of the PD 104. Further, a bump larger than the bump 109 corresponding to the pixel region may be provided in a peripheral region other than the pixel region where the pixels are arranged.
  • the signal processing chip 111 has TSVs (silicon through electrodes) 110 that connect circuits provided on the front and back surfaces to each other.
  • the TSV 110 is preferably provided in the peripheral area.
  • the TSV 110 may also be provided in the peripheral area of the imaging chip 113 and the memory chip 112.
  • FIG. 2 is a diagram for explaining the pixel array and the unit group 131 of the imaging chip 113. In particular, a state where the imaging chip 113 is observed from the back side is shown. In the pixel area, 20 million or more pixels are arranged in a matrix. In the present embodiment, 16 pixels of adjacent 4 pixels ⁇ 4 pixels form one group. The grid lines in the figure indicate the concept that adjacent pixels are grouped to form a unit group 131.
  • the unit group 131 includes four so-called Bayer arrays, which are composed of four pixels of green pixels Gb, Gr, blue pixels B, and red pixels R, vertically and horizontally.
  • the green pixels Gb and Gr have a green filter as the color filter 102 and receive light in the green wavelength band of incident light.
  • the blue pixel B has a blue filter as the color filter 102 and receives light in the blue wavelength band
  • the red pixel R has a red filter as the color filter 102 and receives light in the red wavelength band. .
  • FIG. 3 shows an equivalent circuit diagram of the pixel 150.
  • Each of the plurality of pixels 150 includes the PD 104, the transfer transistor 152, the reset transistor 154, the amplification transistor 156, and the selection transistor 158. At least some of these transistors correspond to the transistor 105 in FIG.
  • the pixel 150 includes a reset wiring 300 to which an ON signal of the reset transistor 154 is supplied, a transfer wiring 302 to which an ON signal of the transfer transistor 152 is supplied, a power supply wiring 304 that receives power supply from the power supply Vdd, and a selection transistor 158.
  • a selection wiring 306 to which the ON signal is supplied and an output wiring 308 for outputting a pixel signal are arranged.
  • each transistor will be described by taking an n-channel FET as an example, but the type of transistor is not limited thereto.
  • the source, gate, and drain of the transfer transistor 152 are connected to one end of the PD 104, the transfer wiring 302, and the gate of the amplification transistor 156, respectively.
  • the drain of the reset transistor 154 is connected to the power supply wiring 304, and the source is connected to the gate of the amplification transistor 156.
  • the drain of the amplification transistor 156 is connected to the power supply wiring 304, and the source is connected to the drain of the selection transistor 158.
  • the gate of the selection transistor 158 is connected to the selection wiring 306, and the source is connected to the output wiring 308.
  • the load current source 309 supplies current to the output wiring 308. That is, the output wiring 308 for the selection transistor 158 is formed by a source follower. Note that the load current source 309 may be provided on the imaging chip 113 side or may be provided on the signal processing chip 111 side.
  • FIG. 4 is a circuit diagram showing the connection relationship of the pixels 150 in the unit group 131. Note that reference numbers of the respective transistors are omitted for the sake of easy understanding of the drawings, but each transistor of each pixel in FIG. 4 has the same configuration and function as each transistor arranged at a corresponding position in the pixel 150 in FIG. .
  • the pixels 150 having the color filter 102 of the same color form a pixel group.
  • eight pixels Gb1, Gb2, Gb3, Gb4, Gr1, Gr2, Gr3, and Gr4 form a G pixel group.
  • four pixels R1, R2, R3, and R4 form an R pixel group
  • four pixels B1, B2, B3, and B4 form a B pixel group. That is, a pixel group is formed for each wavelength region that passes through the color filter 102.
  • the gates of the transfer transistors are commonly connected between a plurality of pixels included in each pixel group. Thereby, the gates of the transfer transistors are controlled all at once in the pixels belonging to the pixel group and independently between the pixel groups.
  • the gates of the transfer transistors of the pixels Gb1, Gb2, Gb3, Gb4, Gr1, Gr2, Gr3, and Gr4 included in the G pixel group are connected to the common G transfer wiring 310.
  • the gates of the transfer transistors of the pixels R1, R2, R3, and R4 of the R pixel group are connected to a common R transfer wiring 312 and the gates of the transfer transistors of the pixels B1, B2, B3, and B4 of the B pixel group are common.
  • the source of the selection transistor is connected in common between a plurality of pixels included in each pixel group.
  • the sources of the selection transistors of the pixels Gb 1, Gb 2, Gb 3, Gb 4, Gr 1, Gr 2, Gr 3, Gr 4 of the G pixel group are connected to a common G output wiring 320.
  • the sources of the selection transistors of the pixels R1, R2, R3, and R4 of the R pixel group are connected to the common R output wiring 322, and the sources of the selection transistors of the pixels B1, B2, B3, and B4 of the B pixel group are common. Are connected to the B output wiring 324.
  • a load current source 311 is connected to the G output wiring 320.
  • a load current source 313 is connected to the R output wiring 322, and a load current source 315 is connected to the B output wiring 324.
  • the reset wiring 326 and the power supply wiring 316 are common in the unit group 131. Further, 16 selection wirings 318 are arranged on a one-to-one basis for each pixel, and are connected to the gates of the corresponding selection transistors.
  • the imaging chip 113 is a back-illuminated type, the number of layers of the wiring 107 of the imaging chip 113 can be increased without reducing the amount of light incident on the PD 104, and the wiring can be routed without increasing the size in the surface direction. .
  • FIG. 5 is a block diagram illustrating a configuration of the imaging apparatus according to the present embodiment.
  • the imaging apparatus 500 includes a photographic lens 520 as a photographic optical system, and the photographic lens 520 guides a subject luminous flux incident along the optical axis OA to the imaging element 100.
  • the photographing lens 520 may be an interchangeable lens that can be attached to and detached from the imaging apparatus 500.
  • the imaging apparatus 500 mainly includes an imaging device 100, a system control unit 501, a drive unit 502, a photometry unit 503, a work memory 504, a recording unit 505, and a display unit 506.
  • the photographing lens 520 is composed of a plurality of optical lens groups, and forms an image of a subject light flux from the scene in the vicinity of its focal plane.
  • a representative single lens arranged in the vicinity of the pupil is shown as a representative.
  • the drive unit 502 is a control circuit that executes charge accumulation control such as timing control and area control of the image sensor 100 in accordance with instructions from the system control unit 501. In this sense, it can be said that the drive unit 502 functions as an image sensor control unit that causes the image sensor 100 to perform charge accumulation and output a pixel signal.
  • the driving unit 502 is combined with the imaging device 100 to form an imaging unit.
  • the control circuit forming the driving unit 502 may be formed into a chip and stacked on the image sensor 100.
  • the image sensor 100 delivers the pixel signal to the image processing unit 511 of the system control unit 501.
  • the image processing unit 511 performs various image processing using the work memory 504 as a work space, and generates image data. For example, when generating image data in JPEG file format, compression processing is executed after white balance processing, gamma processing, and the like are performed.
  • the generated image data is recorded in the recording unit 505, converted into a display signal, and displayed on the display unit 506 for a preset time.
  • the photometric unit 503 detects the luminance distribution of the scene prior to a series of shooting sequences for generating image data.
  • the photometry unit 503 includes, for example, an AE sensor having about 1 million pixels.
  • the calculation unit 512 of the system control unit 501 receives the output of the photometry unit 503 and calculates the luminance for each area of the scene.
  • the calculation unit 512 determines the shutter speed, aperture value, and ISO sensitivity according to the calculated luminance distribution.
  • the pixels used in the AE sensor may be provided in the image sensor 100. In this case, the photometric unit 503 separate from the image sensor 100 may not be provided.
  • FIG. 6 is a block diagram showing a functional configuration of the image sensor 100.
  • the analog multiplexer 411 sequentially selects eight pixels Gb1 and the like of the G pixel group of the unit group 131 and outputs each pixel signal to the G output wiring 320 and the like.
  • the pixel signal output via the multiplexer 411 is subjected to CDS and A / D by a signal processing circuit 412 that performs correlated double sampling (CDS) / analog / digital (A / D) conversion via a G output wiring 320. Conversion is performed.
  • the A / D converted pixel signal is transferred to the demultiplexer 413 via the G output wiring 321 and stored in the pixel memory 414 corresponding to each pixel.
  • the multiplexer 421 sequentially selects the four pixels R1 of the R pixel group of the unit group 131 and outputs the respective pixel signals to the R output wiring 322.
  • the signal processing circuit 422 performs CDS and A / D conversion on the pixel signal output to the R output wiring 322.
  • the A / D converted pixel signal is transferred to the demultiplexer 423 via the R output wiring 323 and stored in the pixel memory 414 corresponding to each pixel.
  • the multiplexer 431 sequentially selects four pixels B1 of the B pixel group of the unit group 131, and outputs each pixel signal to the B output wiring 324.
  • the signal processing circuit 432 performs CDS and A / D conversion on the pixel signal output to the B output wiring 324.
  • the A / D converted pixel signal is transferred to the demultiplexer 433 via the B output wiring 325 and stored in the pixel memory 414 corresponding to each pixel.
  • the multiplexers 411, 421, and 431 are each formed on the imaging chip 113 by the selection transistor 158 and the selection wiring 306 in FIG.
  • the signal processing circuits 412, 422, and 432 are formed in the signal processing chip 111. In the example of FIG. 6, three signal processing circuits 412, 422, and 432 are provided corresponding to the G pixel group, the R pixel group, and the B pixel group.
  • the demultiplexer 413 and the pixel memory 414 are formed in the memory chip 112.
  • G output wirings 320 and 321, R output wirings 322 and 323, and B output wirings 324 and 325 are provided corresponding to the G pixel group, R pixel group, and B pixel group in the unit group 131. Since the image pickup device 100 includes an image pickup chip 113, a signal processing chip 111, and a memory chip 112, these wirings are electrically connected between the chips using the bumps 109 so that each chip is enlarged in the surface direction. The wiring can be routed without doing.
  • the arithmetic circuit 415 processes the pixel signal stored in the pixel memory 414 and passes it to the subsequent image processing unit.
  • the arithmetic circuit 415 may be provided in the signal processing chip 111 or may be provided in the memory chip 112.
  • the connection for 1 group is shown in the figure, these actually exist for every group and operate
  • the arithmetic circuit 415 may not exist for each group.
  • one arithmetic circuit 415 may perform sequential processing while sequentially referring to the values of the pixel memory 414 corresponding to each group.
  • FIG. 7 shows a timing chart of the operation of each pixel group in FIG.
  • the driving unit 502 turns on reset transistors such as the pixels Gb1 of the unit group 131 via the reset wiring 326 at time t0. Thereby, the charge of the gate of the amplification transistor such as each pixel Gb1 is discarded, and the potential of the gate is reset. Further, the drive unit 502 keeps the reset transistors such as the pixels Gb1 in the on state, and turns on the transfer transistors such as the pixels Gb1 belonging to the G pixel group via the G transfer wiring 310 from time t1 to time t2. As a result, the charges accumulated in the PDs such as the pixels Gb1 belonging to the G pixel group are discarded.
  • the driving unit 502 turns on the transfer transistor such as each pixel R1 of the R pixel group and the transistor such as each pixel B1 of the B pixel group via the R transfer wiring 312 and the B transfer wiring 314 from time t1 to t2. To do. As a result, the charges accumulated in the PD of each pixel R1 etc. of the R pixel group and each pixel B1 etc. of the B pixel group are discarded. Thereafter, the driving unit 502 turns off reset transistors such as the pixels Gb1 of the unit group 131 via the reset wiring 326 at time t3.
  • the driving unit 502 turns on the transfer transistors such as the pixels Gb1 belonging to the G pixel group via the G transfer wiring 310, and turns off at time t6 thereafter. To do. As a result, the charges accumulated in the PD from time t2 to t4 in each pixel Gb1 and the like belonging to the G pixel group are transferred all at once to the gates of the amplification transistors via the transfer transistors. Accordingly, the driving unit 502 can collectively control the charge accumulation time of each pixel Gb1 belonging to the G pixel group.
  • the accumulation time is the same as the exposure time, for example.
  • the driving unit 502 turns on transfer transistors such as the pixels R1 of the R pixel group via the R transfer wiring 312 from the time t4 to the time t6 similarly to the G pixel group.
  • the charges accumulated in the PD from time t2 to time t4 in each pixel R1 and the like of the R pixel group are transferred all at once to the gate of the amplification transistor via the transfer transistor.
  • the driving unit 502 connects each pixel B1 of the B pixel group via the B transfer wiring 314 from the time t5 after the time t4 to the time t7 after a predetermined time. And so on. As a result, the charge accumulated in the PD from time t2 to time t5 in each pixel B1 of the B pixel group is transferred all at once to the gate of the amplification transistor via the transfer transistor.
  • the driving unit 502 can collectively control the charge accumulation time of each pixel B1 of the B pixel group to a different accumulation time than each pixel Gr1 of the G pixel group.
  • charges can be accumulated for a specific image group with an accumulation time different from the exposure time.
  • Which storage time is set for which pixel group may be determined from an output for each image information corresponding to the pixel group when provisional shooting is performed before the main shooting. For example, when the system control unit 501 determines that an image based on one image information is darker than an image based on other image information, the system control unit 501 drives the pixel group corresponding to the one image information.
  • the storage time may be longer than that of other pixel groups by the unit 502.
  • the driving unit 502 turns on the selection transistor of the pixel Gr1 of the G pixel group via the selection wiring Gr1.
  • a pixel signal corresponding to the charge transferred by the transfer transistor is generated by the amplification transistor, and the pixel signal is output to the G output wiring 320 via the selection transistor.
  • the driving unit 502 turns on the selection transistor of the pixel Gr2 of the G pixel group via the selection wiring Gr2, and similarly, the pixel signal of the pixel Gr2 passes through the selection transistor. It is output to the G output wiring 320.
  • the driving unit 502 sequentially turns on the selection transistor via the selection wiring Gr1 and the like of each pixel Gr1 and the like of the G pixel group, thereby causing the pixel signal of each pixel Gr1 and the like of the G pixel group to be one.
  • the G output wiring 320 is sequentially output.
  • the drive unit 502 sequentially turns on the selection transistors such as the pixel R1 of the R pixel group via the selection wiring R1, etc. Are sequentially output to one R output wiring 322.
  • the driving unit 502 sequentially turns on the selection transistors such as the pixel B1 of the R pixel group via the selection wiring B1, etc. Pixel signals such as the pixel B1 are sequentially output to one B output wiring 324.
  • the pixel signal of each pixel included in the unit group 131 is output from the output wiring of each pixel group.
  • the order of pixels that output pixel signals within the pixel group is determined in advance, and is preferably incorporated in the drive unit 502 as hardware or stored as software.
  • the charge accumulation time of each pixel belonging to each pixel group corresponding to each image information can be collectively controlled. Therefore, electric charges can be accumulated with an accumulation time suitable for each image information. For example, when imaging a subject biased to one of RGB, widen the dynamic range for each color by making the accumulation time different for pixel groups corresponding to strong colors and pixel groups corresponding to weak colors Can do. Further, the pixel signal of each pixel can be read out independently between the pixel groups.
  • FIG. 8 shows an example of another unit group 132 and the connection relationship of each pixel.
  • the transfer wiring and the output wiring are shown for the purpose of making the drawing easier to see, but other configurations of each pixel are omitted and shown as squares.
  • the pixel array of the image sensor 100 includes white pixels W instead of the green pixels Gb in FIG.
  • the white pixel W is not provided with the corresponding color filter 102 or is provided with a colorless filter that transmits red, green, and blue.
  • incident light corresponding to color information which is an example of different image information is incident on the green pixel Gb, the blue pixel B, the red pixel R, and the white pixel W.
  • Each unit group 132 has 4 ⁇ 4 16 pixels. Note that the number of pixels included in each unit group 132 is not limited to this, as in the example of FIG.
  • the pixels 150 having the same color filter 102 form a pixel group.
  • the four pixels G1, G2, G3, and G4 form a G pixel group.
  • four pixels R1, R2, R3, and R4 form an R pixel group
  • four pixels B1, B2, B3, and B4 form a B pixel group.
  • the four pixels W1, W2, W3, and W4 form a W pixel group. That is, a pixel group is formed for each wavelength region that passes through the color filter 102.
  • the gates of the transfer transistors are commonly connected between a plurality of pixels included in each pixel group. Accordingly, the driving unit 502 controls the gates of the transfer transistors all at once within the pixel group and independently between the pixel groups.
  • the gates of the transfer transistors of the pixels G1, G2, G3, and G4 included in the G pixel group are connected to a common G transfer wiring 330.
  • the gates of the transfer transistors of the pixels R1, R2, R3, and R4 of the R pixel group are connected to a common R transfer wiring 332, and the gates of the transfer transistors of the pixels B1, B2, B3, and B4 of the B pixel group are common.
  • the gates of the transfer transistors of the pixels W 1, W 2, W 3, and W 4 of the W pixel group are connected to a common W transfer wiring 336.
  • the output side of the selection transistor is connected in common between a plurality of pixels included in each pixel group.
  • the output sides of the selection transistors of the pixels G1, G2, G3, and G4 of the G pixel group are connected to a common G output wiring 340.
  • the output sides of the selection transistors of the pixels R1, R2, R3, and R4 of the R pixel group are connected to a common R output wiring 342, and the sources of the selection transistors of the pixels B1, B2, B3, and B4 of the B pixel group are The common B output wiring 344 is connected.
  • the output sides of the selection transistors of the pixels W1, W2, W3, and W4 of the W pixel group are connected to a common W output wiring 346.
  • the reset wiring and the power supply wiring are common in the unit group 132.
  • 16 selection wirings are arranged one by one for each pixel, and are connected to the gates of the corresponding selection transistors. Further, a load current source is connected to each output wiring as in the example of FIG.
  • the driving unit 502 can collectively control the charge accumulation time of each pixel belonging to each pixel group.
  • charges can be accumulated for a specific image group in a different accumulation time from other pixel groups.
  • the color filter of the W pixel group is colorless, the amount of light may be larger than that of the G pixel group. Accordingly, by making the charge accumulation time of each pixel of the W pixel group shorter than the charge accumulation time of each pixel such as the G pixel group, appropriate exposure can be obtained for each of the W pixel group and the G pixel group. Can do.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view of another imaging device 160 of the backside illumination type.
  • the 9 has an opening mask 162 between the passivation film 103 and the color filter 102.
  • the opening mask 162 is formed of, for example, an aluminum film.
  • the aperture mask 162 has apertures 164, 165, 166 corresponding to each PD 104, and blocks incident light except for the aperture portion. Thereby, the aperture mask 162 transmits a part of the light beam in the imaging optical system according to the aperture position.
  • the opening 164 corresponding to the pixel arranged closest to the ⁇ X side among the four pixels illustrated in the example shown in FIG. 9 is displaced to the ⁇ X side with respect to the PD 104.
  • the opening 166 corresponding to the third pixel from the ⁇ X side is displaced to the + X side with respect to the PD 104.
  • it is possible to obtain information of the phase difference AF by making the light beams displaced to ⁇ X and + X of the exit pupil in the imaging optical system enter.
  • the pixels in which these openings are displaced with respect to the PD 104 may be referred to as parallax pixels.
  • the opening 165 is not displaced with respect to the PD 104.
  • a white color filter 102 is arranged for the parallax pixels. This pixel may be called a pixel without parallax. Any non-parallax pixel color filter 102 is disposed.
  • FIG. 10 shows an example of unit groups 167 and 168 corresponding to the image sensor 160 and the connection relationship of each pixel.
  • the transfer wiring and the output wiring are shown in the same manner as in FIG. 8 for the purpose of making the drawing easy to see, but other configurations of each pixel are omitted and shown as squares.
  • the pixel arrangement of the image sensor 160 includes parallax pixels Lt1 and Rt1 instead of the green pixels Gr1 and Gr2 in FIG.
  • the parallax pixel Lt1 corresponds to the pixel provided with the opening 164 in FIG. 9, and the parallax pixel Rt1 corresponds to the pixel provided with the opening 166 in FIG.
  • the 4 ⁇ 4 16 pixels form a unit group 167.
  • the pixels 150 having the same color filter 102 form a pixel group.
  • a G pixel group, an R pixel group, and a B pixel group are formed as in FIG.
  • the configurations and operations of the G pixel group, R pixel group, and B pixel group are the same as those in FIG.
  • the G pixel group is formed of 6 pixels, corresponding to the disparity pixels Lt1 and Rt1 being arranged instead of the green pixels Gr1 and Gr2 in FIG.
  • the unit group 168 includes a G transfer wiring 370, an R transfer wiring 372, a B transfer wiring 374, a G output wiring 380, an R output wiring 382, and a B output wiring 384, which are different from the unit group 167.
  • the connection relationship is the same as that of the unit group 167.
  • a pixel group is formed for each opening position.
  • a pixel group is formed across the plurality of unit groups 167 and 168.
  • four pixels of parallax pixels Lt1, Lt2, Rt1, and Rt2 whose opening positions are displaced form a parallax pixel group.
  • the gates of the transfer transistors of the parallax pixels Lt1, Lt2, Rt1, and Rt2 included in the parallax pixel group are connected to a common parallax transfer wiring 356.
  • the output side of the selection transistors of the pixels Lt1, Lt2, Rt1, and Rt2 of the parallax pixel group is connected to a common parallax output wiring 366.
  • the driving unit 502 can collectively control the charge accumulation time of each pixel belonging to each pixel group.
  • charges can be accumulated for a specific image group in a different accumulation time from other pixel groups.
  • a load current source is connected to each output wiring as in the example of FIG.
  • each pixel Lt1 etc. of the parallax pixel group is driven to acquire information on the phase difference AF, and at this time, each pixel Gr1 etc. of the other pixel group is obtained. Do not drive.
  • each pixel Gr1 of the G pixel group, the R pixel group, and the B pixel group is driven to acquire RGB image information, and each of the parallax pixel groups is acquired. The pixel Lt1 or the like is not driven.
  • the parallax pixel group is formed across the two unit groups 167 and 168.
  • the parallax pixel group is formed by using the parallax pixels in the unit group or across three or more unit groups. Also good.
  • a parallax pixel group may be formed for each displacement direction of the opening position. That is, a parallax pixel group including a plurality of pixels Lt1, Lt2 and the like whose openings are displaced to the ⁇ X side, and a parallax pixel group including a plurality of pixels Rt1, Rt2 and the like whose openings are displaced to the + X side may be formed.
  • each pixel may have a displaced opening.
  • a pixel group may be formed for each color and for each displacement direction of the opening position.
  • the pixel of the color filter 102 having an aperture that is not displaced and not provided with the color filter 102 or the colorless color filter 102 is set as an AE pixel in the unit groups 167 and 168. It may be arranged.
  • the driving unit 502 collectively controls the charge accumulation time of each pixel belonging to the AE pixel group. Thereby, an accumulation time suitable for obtaining exposure information as image information can be set, and pixel information can be read out independently of other image groups, for example, when the release button is half-pressed.
  • FIG. 11 shows an equivalent circuit of another pixel 170.
  • the output wiring 308 is connected to a load current source as in the example of FIG.
  • a row selection transistor 171 and a column selection transistor 172 are provided between the transfer wiring 302 and the gate of the transfer transistor 152.
  • the gate of the row selection transistor 171 is connected to the row selection wiring 391
  • the gate of the column selection transistor 172 is connected to the column selection wiring 392.
  • the row selection wiring 391 for example, the gates of the row selection transistors of pixels arranged in the X direction (that is, the row direction) at least in the unit group 131 are arranged in common.
  • the column selection wiring 392 has, for example, at least the pixel 170 in the unit group 131 and the gates of the column selection transistors of the pixels arranged in the Y direction (that is, the column direction).
  • the transfer transistor 152 of the pixel 170 specified by the wiring can be turned on. Thereby, on / off of the transfer transistor can be controlled in units of pixels.
  • the pixel 170 is provided with a row selection transistor 174 and a column selection transistor 175 instead of the single selection transistor 158 of the pixel 150.
  • the gate of the row selection transistor 174 is connected to the row selection wiring 394
  • the gate of the column selection transistor 175 is connected to the column selection wiring 395.
  • the row selection wiring 394 for example, at least the pixel 170 in the unit group 131 and the gates of the row selection transistors of the pixels arranged in the X direction (that is, the row direction) are arranged in common.
  • the column selection wiring 395 has, for example, at least the pixel 170 in the unit group 131 and the gate of the column selection transistor of the pixels arranged in the Y direction (that is, the column direction).
  • the pixel signal of the pixel 170 specified by the wiring can be output to the output wiring 308. Accordingly, the number of wirings can be reduced as compared with the selection wiring 318 corresponding to the selection transistor 158 on a one-on-one basis like the pixel 150.
  • the row selection wiring 391 and the column selection wiring 392 for the transfer transistor 152 and the row selection wiring 394 and the column selection wiring 395 for the output wiring 308 need not be used in pairs.
  • the configuration of the pixel 150 may be used for either one. In the case where the transfer and output are not performed simultaneously, the row selection wirings 391 and 394 are used in common for the transfer and output, and the column selection wirings 392 and 395 are also used in the transfer and output. And may be used in common.
  • the reset wiring 326 and the power supply wiring 316 are common to the unit group 131.
  • the reset wiring 326 and the power supply wiring 316 may be common among the plurality of unit groups 131.
  • the reset wiring 326 may be common to each pixel group and may be a separate wiring between the pixel groups.
  • the reset wiring 326 may be a separate wiring for each pixel, and the reset transistor 154 may be controlled similarly to the control of the transfer transistor 152 in the pixel 170.
  • the charge accumulation time and readout are controlled by using a plurality of pixels corresponding to the same image information within a unit group 131 or between unit groups 131 as a pixel group. Therefore, it is possible to set a charge accumulation time and a read timing suitable for each image information.
  • FIG. 12 schematically shows a unit group 602 of another image sensor 600.
  • FIG. 13 is a circuit diagram of the pixel unit 603 in the unit group 602.
  • pixels are two-dimensionally arranged in a Bayer arrangement as in FIG.
  • One row selection line is provided for every two rows of pixels, and two rows of pixels are commonly connected to each row selection line.
  • One output line 604 is provided for every two columns of pixels, and two columns of pixels are commonly connected to each output line 604.
  • Each of the output wirings 604 is connected to the CDS circuit 608 on a one-to-one basis via bumps 606 that electrically connect the imaging chip 113 and the signal processing chip 111.
  • the outputs of the plurality of CDS circuits 608 connected one-to-one to the plurality of output wirings 604 included in the unit group 602 are input to the multiplexer 610. Further, the output from the multiplexer 610 is input to the A / D conversion circuit 612, and the output of the A / D conversion circuit 612 is connected to the pixel memory 414.
  • the pixel unit 603 has four pixels Gb, Gr, B, and R.
  • the power supply wiring Vdd and the reset wiring are connected in common to all the pixels included in the unit group 131.
  • the Gb transfer wiring is commonly connected to the pixels Gb in the unit group 131.
  • the Gr transfer wiring is commonly connected to the pixel Gr in the unit group 131
  • the B transfer wiring is commonly connected to the pixel B in the unit group 131
  • the R transfer wiring is common to the pixel R in the unit group 131. It is connected to the.
  • the reset wiring and each transfer wiring are separately provided between the plurality of unit groups 131.
  • the pixels Gb, Gr, B, and R of the pixel unit 603 share the reset transistor 620, the amplification transistor 622, and the selection transistor 624.
  • the pixel Gb1 includes transfer transistors 626 and 628.
  • the pixel Gr includes transfer transistors 630 and 632
  • the pixel B includes transfer transistors 634 and 636
  • the pixel R includes transfer transistors 638 and 640.
  • connection relationship between the pixel, the reset transistor 620, the amplification transistor 622, and the selection transistor 624 is the same as that in FIG.
  • connection relationship of the transfer transistor 626 and the like is different from that in FIG.
  • the gate, drain, and source of the transfer transistor 626 of the pixel Gb are connected to the Gb transfer wiring, the row selection line 1, and the gate of the transfer transistor 628, respectively.
  • the source and drain of the transfer transistor 628 are connected to one end of the PD of the pixel Gb and the gate of the amplification transistor 622, respectively.
  • the connection relationship between the pixels Gr, B, and R is the same.
  • the image signal of each pixel is read as follows. Note that the description of the reset operation is omitted for the sake of simplicity.
  • One of the row selection lines for example, the row selection line 1 is turned on.
  • one of the transfer wirings for example, the Gb transfer wiring is turned on.
  • both transfer transistors 626 and 628 of the pixel Gb are turned on, and the charge of the pixel Gb is transferred to the gate of the amplification transistor 622.
  • the selection transistor 624 is also on, and a pixel signal amplified in accordance with the charge transferred to the gate of the amplification transistor 622 is output from the output wiring 604.
  • the row selection line 1 is common to the two rows of pixels in the unit group 602 and the Gb transfer wiring is common to the pixels Gb in the unit group 602, the pixel signals of the pixels Gb for one row in the unit group 602 are displayed. Are simultaneously output to the corresponding output wirings 604.
  • the CDS circuits 608 are arranged one-to-one on the output wiring 604, each pixel signal is temporarily held in each CDS circuit 608 in a state where noise is removed.
  • the multiplexer 610 sequentially reads out the pixel signals held in the CDS circuit 608 and delivers them to the A / D conversion circuit 612.
  • the A / D conversion circuit 612 sequentially digitizes the pixel signals and writes them in the pixel memory 414. Thereby, each pixel signal of the pixels Gb for one row of the unit group 602 is stored in the pixel memory 414 without being influenced by other pixel signals.
  • each pixel signal of the pixel Gr for one row of the unit group 602 is influenced by other pixel signals. Read sequentially.
  • each pixel signal of the pixel B for one row of the unit group 602 is read and stored in the pixel memory 414.
  • each pixel signal of the pixel R for one row of the unit group 602 is read and stored in the pixel memory 414. As described above, pixel signals of pixels for two rows of the unit group 602 are read out.
  • FIG. 14 schematically shows a unit group 652 of still another image sensor 650.
  • FIG. 15 is a circuit diagram of the pixel unit 653 in the unit group 652. 14 and 15, the same configurations and functions as those in FIGS. 12 and 13 are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.
  • one column selection line is provided for every two columns of pixels, and two columns of pixels are commonly connected to each column selection line.
  • the column selection line is connected to the drains of the transfer transistors 626, 630, 634, and 638 of the pixel unit 653.
  • Each output wiring 604 is arranged on the signal processing chip 111 via the bump 606 and is input to the multiplexer 610 provided one corresponding to the unit group 652.
  • the output of the multiplexer 610 is input to the A / D conversion circuit 614.
  • the A / D conversion circuit 614 includes a circuit that digitally executes CDS in addition to a circuit that digitizes pixel signals. An output digitized by the A / D conversion circuit 614 and subjected to CDS is stored in the pixel memory 414.
  • the image signal of each pixel is read out as follows. Note that the description of the reset operation is omitted for the sake of simplicity.
  • One of the row selection lines for example, the row selection line 1 is turned on.
  • one of the transfer lines for example, the Gb transfer wiring is turned on.
  • one of the column selection lines for example, the column selection line 1 is turned on.
  • both transfer transistors 626 and 628 of the pixel Gb of one pixel unit 653 in the unit group 652 are turned on, and the charge of the pixel Gb is transferred to the gate of the amplification transistor 622.
  • the selection transistor 624 since the row selection line 1 is in the on state, the selection transistor 624 is also on, and the pixel signal amplified according to the charge transferred to the gate of the amplification transistor 622 is output corresponding to the pixel unit 653. Output from the wiring 604.
  • the pixel signals of the pixels Gb for one row are sequentially output from the respective output wirings 604. .
  • the multiplexer 610 switches the input from each output wiring 604 in synchronization with the switching of the column selection line, whereby the pixel signal from the pixel Gb is input to the A / D conversion circuit 614 one pixel at a time.
  • Each pixel signal of the pixels Gb for one row of the unit group 652 is read without being influenced by other pixel signals and stored in the pixel memory 414.
  • the pixel selection signals of the pixels Gr for one row are sequentially output from the respective output wirings 604 by sequentially switching the on state of the column selection line.
  • the row selection line 1 and the B transfer wiring are turned on
  • pixel signals of pixels B for one row are sequentially output from the respective output wirings 604
  • the row By sequentially switching the ON state of the column selection line in a state where the selection line 1 and the R transfer wiring are turned on, pixel signals of pixels R for one row are sequentially output from the respective output wirings 604.
  • pixel signals of pixels for two rows of the unit group 652 are read out.
  • a CDS circuit can be provided on the signal processing chip 111 side.
  • FIG. 16 schematically shows a unit group 655 of still another image sensor 654.
  • FIG. 17 shows a circuit diagram of the pixel unit 656 in the unit group 655. 16 and 17, the same configurations and functions as those in FIGS. 14 and 15 are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.
  • a plurality of output wirings 604 are connected in common to the bump 606 provided corresponding to the unit group 652.
  • the bump 606 is connected to the input side of the A / D conversion circuit 614.
  • the output wiring 604 of the pixel unit 656 is provided with a selection transistor 642 whose column selection line and gate are connected.
  • the image signal of each pixel is read as follows. Note that the description of the reset operation is omitted for the sake of simplicity.
  • One of the row selection lines for example, the row selection line 1 is turned on.
  • one of the transfer lines for example, the Gb transfer wiring is turned on.
  • one of the column selection lines for example, the column selection line 1 is turned on.
  • both transfer transistors 626 and 628 of the pixel Gb of one pixel unit 656 in the unit group 655 are turned on, and the charge of the pixel Gb is transferred to the gate of the amplification transistor 622.
  • the selection transistor 624 since the row selection line 1 is in the on state, the selection transistor 624 is also on, and the pixel signal amplified according to the charge transferred to the gate of the amplification transistor 622 is output corresponding to the pixel unit 653. Output from the wiring 604.
  • the pixel signals of the pixels Gb for one row are sequentially output from the respective output wirings 604. . Therefore, the pixel signal from the pixel Gb is input to the A / D conversion circuit 614 via the bump 606 one pixel at a time.
  • the selection transistor 642 is disposed in each pixel unit 656, the output from the pixel Gb of the pixel unit 656 not selected by the column selection line is blocked. Accordingly, each of the pixel signals of the pixels Gb for one row of the unit group 655 is read without being influenced by other pixel signals and stored in the pixel memory 414.
  • the pixel selection signals of the pixels Gr for one row are sequentially output from the respective output wirings 604 by sequentially switching the on state of the column selection line.
  • the row selection line 1 and the B transfer wiring are turned on
  • pixel signals of pixels B for one row are sequentially output from the respective output wirings 604
  • the row By sequentially switching the ON state of the column selection line in a state where the selection line 1 and the R transfer wiring are turned on, pixel signals of pixels R for one row are sequentially output from the respective output wirings 604.
  • the pixel signals of the two rows of pixels in the unit group 655 are read out.
  • the row selection line 2 is turned on and the above procedure is repeated to read out pixel signals of pixels for the next two rows of the unit group 655.
  • the pixel signals of all the pixels in the unit group 655 are read out.
  • the A / D conversion circuits 612 and 614 are provided on a one-to-one basis with respect to the unit groups 602, 652 and 655, but the number of A / D conversion circuits 612 and 614 is not limited to this. Not limited.
  • a plurality of A / D conversion circuits 612 and 614 may be provided for each unit group 602, 652 and 655. In this case, the plurality of output wirings 604 of the unit groups 602, 652, and 655 are wired and input so as to be distributed to any of the plurality of A / D conversion circuits 612 and 614, respectively.
  • the pixel unit is composed of four pixels, the row selection wiring is arranged for every two rows of pixels, and the output wiring is arranged for every three columns of pixels, but is not limited thereto.
  • the row selection wiring is arranged for every two rows of pixels
  • the output wiring is arranged for every three columns of pixels, but is not limited thereto.
  • a pixel unit is composed of m rows and n columns
  • one row selection wiring is provided for each m row and one output wiring is provided for each n columns, and m ⁇ n pieces are provided for the unit group.
  • a separate transfer wiring may be provided.
  • Each transfer wiring may be common in the pixel group.
  • the imaging apparatus 500 may be used to capture a still image or may be used to capture a moving image.
  • the accumulation time for each pixel group may be temporally changed.
  • the accumulation time for each pixel group may be dynamically changed before and after the scene is switched.
  • the accumulation time may be changed based on the immediately preceding image as in the case of the still image.
  • the accumulation time may be changed based on the images for the last few seconds, for example, based on their time average.
  • the accumulation time may be changed according to the shooting flow using a database in which the relationship between the shooting flow and the accumulation time is registered in advance.
  • the imaging chip 113, the signal processing chip 111, and the memory chip 112 are stacked, but these may not be stacked. That is, these functions may be provided on one chip.

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Abstract

　撮像素子であって、入射光に応じた画素信号を出力する複数の画素であって、互いに異なる画像情報に対応する入射光が入射する、複数の画素群を形成する撮像部と、前記画素群ごとに、前記画素群に含まれる前記複数の画素への電荷の蓄積時間を制御する制御部と、前記画素群ごとに設けられ、前記画素群に含まれる前記複数の画素から前記画素信号を読み出す読出部とを備える。

Description

撮像素子および撮像装置
　本発明は、撮像素子および撮像装置に関する。
　裏面照射型撮像チップと信号処理チップが、複数画素をまとめたセル単位ごとにマイクロバンプを介して接続された撮像ユニットが知られている。
［先行技術文献］
［特許文献］
［特許文献１］特開２００６－４９３６１号公報
　上記撮像ユニットにあって、電荷の蓄積時間の制御および画素信号の読み出しの制御はセルごとに行われている。しかしながら、上記セルは二次元的に近接する画素のまとまりをセルとしているので、セル内またはセル間での電荷の蓄積時間および画素信号の読み出しを細かく制御することはできなかった。
　本発明の第１の態様においては、撮像素子であって、入射光に応じた画素信号を出力する複数の画素であって、互いに異なる画像情報に対応する入射光が入射する、複数の画素群を形成する撮像部と、前記画素群ごとに、前記画素群に含まれる前記複数の画素への電荷の蓄積時間を制御する制御部と、前記画素群ごとに設けられ、前記画素群に含まれる前記複数の画素から前記画素信号を読み出す読出部とを備える。
　本発明の第２の態様においては、上記撮像素子を用いた撮像装置が提供される。
　なお、上記の発明の概要は、本発明の必要な特徴の全てを列挙したものではない。また、これらの特徴群のサブコンビネーションもまた、発明となりうる。
本実施形態に係る裏面照射型のＭＯＳ型撮像素子の断面図である。 撮像チップの画素配列と単位グループを説明する図である。 画素の等価回路図を示す。 単位グループにおける画素の接続関係を示す回路図である。 本実施形態に係る撮像装置の構成を示すブロック図である。 撮像素子の機能的構成を示すブロック図である。 各画素群の動作のタイミングチャートを示す。 他の単位グループの例および各画素の接続関係を示す。 裏面照射型の他の撮像素子の断面図である。 図９の撮像素子に対応した単位グループの例および各画素の接続関係を示す。 他の画素の等価回路を示す。 他の撮像素子の単位グループを模式的に示す。 単位グループ内の画素ユニットの回路図を示す。 さらに他の撮像素子の単位グループを模式的に示す。 単位グループ内の画素ユニットの回路図を示す。 他の撮像素子の単位グループを模式的に示す。 単位グループ内の画素ユニットの回路図を示す。
　以下、発明の実施の形態を通じて本発明を説明するが、以下の実施形態は請求の範囲にかかる発明を限定するものではない。また、実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。
　図１は、本実施形態に係る裏面照射型の撮像素子１００の断面図である。撮像素子１００は、入射光に対応した画素信号を出力する撮像チップと１１３と、画素信号を処理する信号処理チップ１１１と、画素信号を記憶するメモリチップ１１２とを備える。これら撮像チップ１１３、信号処理チップ１１１およびメモリチップ１１２は積層されており、Ｃｕ等の導電性を有するバンプ１０９により互いに電気的に接続される。
　なお、図示するように、入射光は主に白抜き矢印で示すＺ軸プラス方向へ向かって入射する。本実施形態においては、撮像チップ１１３において、入射光が入射する側の面を裏面と称する。また、座標軸に示すように、Ｚ軸に直交する紙面右方向をＸ軸プラス方向、Ｚ軸およびＸ軸に直交する紙面手前方向をＹ軸プラス方向とする。以降のいくつかの図においては、図１の座標軸を基準として、それぞれの図の向きがわかるように座標軸を表示する。
　撮像チップ１１３の一例は、裏面照射型のＭＯＳイメージセンサである。ＰＤ層は、配線層１０８の裏面側に配されている。ＰＤ層１０６は、二次元的に配された複数のＰＤ（フォトダイオード）１０４、および、ＰＤ１０４に対応して設けられたトランジスタ１０５を有する。
　ＰＤ層１０６における入射光の入射側にはパッシベーション膜１０３を介してカラーフィルタ１０２が設けられる。カラーフィルタ１０２は、互いに異なる波長領域を透過する複数の種類を有しており、ＰＤ１０４のそれぞれに対応して特定の配列を有している。カラーフィルタ１０２の配列については後述する。カラーフィルタ１０２、ＰＤ１０４およびトランジスタ１０５の組が一つの画素を形成する。
　カラーフィルタ１０２における入射光の入射側には、それぞれの画素に対応して、マイクロレンズ１０１が設けられる。マイクロレンズ１０１は、対応するＰＤ１０４へ向けて入射光を集光する。
　配線層１０８は、ＰＤ層１０６からの画素信号を信号処理チップ１１１に伝送する配線１０７を有する。配線１０７は多層であってもよく、また、受動素子および能動素子が設けられてもよい。
　配線層１０８の表面には複数のバンプ１０９が配される。当該複数のバンプ１０９が信号処理チップ１１１の対向する面に設けられた複数のバンプ１０９と位置合わせされて、撮像チップ１１３と信号処理チップ１１１とが加圧等されることにより、位置合わせされたバンプ１０９同士が接合されて、電気的に接続される。
　同様に、信号処理チップ１１１およびメモリチップ１１２の互いに対向する面には、複数のバンプ１０９が配される。これらのバンプ１０９が互いに位置合わせされて、信号処理チップ１１１とメモリチップ１１２とが加圧等されることにより、位置合わせされたバンプ１０９同士が接合されて、電気的に接続される。
　なお、バンプ１０９間の接合には、固相拡散によるＣｕバンプ接合に限らず、はんだ溶融によるマイクロバンプ結合を採用しても良い。また、バンプ１０９は、例えば後述する一つの出力配線に対して一つ程度設ければ良い。したがって、バンプ１０９の大きさは、ＰＤ１０４のピッチよりも大きくても良い。また、画素が配列された画素領域以外の周辺領域において、画素領域に対応するバンプ１０９よりも大きなバンプを併せて設けても良い。
　信号処理チップ１１１は、表裏面にそれぞれ設けられた回路を互いに接続するＴＳＶ（シリコン貫通電極）１１０を有する。ＴＳＶ１１０は、周辺領域に設けられることが好ましい。また、ＴＳＶ１１０は、撮像チップ１１３の周辺領域、メモリチップ１１２にも設けられて良い。
　図２は、撮像チップ１１３の画素配列と単位グループ１３１を説明する図である。特に、撮像チップ１１３を裏面側から観察した様子を示す。画素領域には２０００万個以上もの画素がマトリックス状に配列されている。本実施形態においては、隣接する４画素×４画素の１６画素が一つのグループを形成する。図の格子線は、隣接する画素がグループ化されて単位グループ１３１を形成する概念を示す。
　画素領域の部分拡大図に示すように、単位グループ１３１は、緑色画素Ｇｂ、Ｇｒ、青色画素Ｂおよび赤色画素Ｒの４画素から成るいわゆるベイヤー配列を、上下左右に４つ内包する。緑色画素Ｇｂ、Ｇｒは、カラーフィルタ１０２として緑色フィルタを有し、入射光のうち緑色波長帯の光を受光する。同様に、青色画素Ｂは、カラーフィルタ１０２として青色フィルタを有し、青色波長帯の光を受光し、赤色画素Ｒは、カラーフィルタ１０２として赤色フィルタを有し、赤色波長帯の光を受光する。
　図３は、画素１５０の等価回路図を示す。上記複数の画素１５０の各々は、上記ＰＤ１０４、転送トランジスタ１５２、リセットトランジスタ１５４、増幅トランジスタ１５６および選択トランジスタ１５８を有する。これらのトランジスタの少なくとも一部は図１のトランジスタ１０５に対応する。さらに、画素１５０には、リセットトランジスタ１５４のオン信号が供給されるリセット配線３００、転送トランジスタ１５２のオン信号が供給される転送配線３０２、電源Ｖｄｄから電力の供給を受ける電源配線３０４、選択トランジスタ１５８のオン信号が供給される選択配線３０６、および、画素信号を出力する出力配線３０８が配される。以下、各トランジスタをｎチャンネル型ＦＥＴを例として説明するが、トランジスタの種類はこれに限られない。
　転送トランジスタ１５２のソース、ゲート、ドレインはそれぞれ、ＰＤ１０４の一端、転送配線３０２、増幅トランジスタ１５６のゲートに接続される。また、リセットトランジスタ１５４のドレインは電源配線３０４に接続され、ソースは増幅トランジスタ１５６のゲートに接続される。増幅トランジスタ１５６のドレインは電源配線３０４に接続され、ソースは選択トランジスタ１５８のドレインに接続される。選択トランジスタ１５８のゲートは選択配線３０６に接続され、ソースは出力配線３０８に接続されている。負荷電流源３０９は、出力配線３０８に電流を供給する。すなわち、選択トランジスタ１５８に対する出力配線３０８は、ソースフォロアにより形成される。なお、負荷電流源３０９は、撮像チップ１１３側に設けても良いし、信号処理チップ１１１側に設けても良い。
　図４は、単位グループ１３１における上記画素１５０の接続関係を示す回路図である。なお、図面を見やすくする目的で各トランジスタの参照番号を省略したが、図４の各画素の各トランジスタは、図３の画素１５０における対応する位置に配された各トランジスタと同じ構成および機能を有する。
　図４に示す単位グループ１３１内で、同じ色のカラーフィルタ１０２を有する画素１５０が画素群を形成する。カラーフィルタ１０２が図２に示すようにＲＧＢの三種類であることに対応して、画素Ｇｂ１、Ｇｂ２、Ｇｂ３、Ｇｂ４、Ｇｒ１、Ｇｒ２、Ｇｒ３、Ｇｒ４の８画素がＧ画素群を形成する。同様に、画素Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４の４画素がＲ画素群を形成し、画素Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ４の４画素がＢ画素群を形成する。すなわち、カラーフィルタ１０２を透過する波長領域毎に画素群が形成される。
　ここで、各画素群に含まれる複数の画素間で転送トランジスタのゲートが共通に接続されている。これにより、転送トランジスタのゲートが画素群に属する画素で一斉に、かつ、画素群間で独立して制御される。
　図４に示す例において、Ｇ画素群に含まれる画素Ｇｂ１、Ｇｂ２、Ｇｂ３、Ｇｂ４、Ｇｒ１、Ｇｒ２、Ｇｒ３、Ｇｒ４の転送トランジスタのゲートは共通のＧ転送配線３１０に接続されている。同様に、Ｒ画素群の画素Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４の転送トランジスタのゲートは共通のＲ転送配線３１２に接続され、Ｂ画素群の画素Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ４の転送トランジスタのゲートは共通のＢ転送配線３１４に接続されている。
　また、各画素群に含まれる複数の画素間で選択トランジスタのソースが共通に接続されている。Ｇ画素群の画素Ｇｂ１、Ｇｂ２、Ｇｂ３、Ｇｂ４、Ｇｒ１、Ｇｒ２、Ｇｒ３、Ｇｒ４の選択トランジスタのソースは共通のＧ出力配線３２０に接続されている。同様に、Ｒ画素群の画素Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４の選択トランジスタのソースは共通のＲ出力配線３２２に接続され、Ｂ画素群の画素Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ４の選択トランジスタのソースは共通のＢ出力配線３２４に接続されている。
　Ｇ出力配線３２０には負荷電流源３１１が接続される。同様に、Ｒ出力配線３２２には負荷電流源３１３が接続されるとともに、Ｂ出力配線３２４には負荷電流源３１５が接続される。なお、リセット配線３２６および電源配線３１６は単位グループ１３１で共通である。また、選択配線３１８は、各画素に一対一に１６本配され、対応する選択トランジスタのゲートに接続されている。
　このように、一の単位グループ１３１に対して複数の出力配線が設けられることになる。しかし、撮像チップ１１３は裏面照射型なので、ＰＤ１０４に入射する光量を減らすことなく、撮像チップ１１３の配線１０７の層数を増やして、面方向の大きさを大きくすることなく配線を引き回すことができる。
　図５は、本実施形態に係る撮像装置の構成を示すブロック図である。撮像装置５００は、撮影光学系としての撮影レンズ５２０を備え、撮影レンズ５２０は、光軸ＯＡに沿って入射する被写体光束を撮像素子１００へ導く。撮影レンズ５２０は、撮像装置５００に対して着脱できる交換式レンズであっても構わない。撮像装置５００は、撮像素子１００、システム制御部５０１、駆動部５０２、測光部５０３、ワークメモリ５０４、記録部５０５、および表示部５０６を主に備える。
　撮影レンズ５２０は、複数の光学レンズ群から構成され、シーンからの被写体光束をその焦点面近傍に結像させる。なお、図５では瞳近傍に配置された仮想的な１枚のレンズで代表して表している。駆動部５０２は、システム制御部５０１からの指示に従って撮像素子１００のタイミング制御、領域制御等の電荷蓄積制御を実行する制御回路である。この意味において駆動部５０２は、撮像素子１００に対して電荷蓄積を実行させて画素信号を出力させる撮像素子制御部の機能を担うと言える。駆動部５０２は、撮像素子１００と組み合わされて撮像ユニットを形成する。駆動部５０２を形成する制御回路は、チップ化されて、撮像素子１００に積層されても良い。
　撮像素子１００は、画素信号をシステム制御部５０１の画像処理部５１１へ引き渡す。画像処理部５１１は、ワークメモリ５０４をワークスペースとして種々の画像処理を施し、画像データを生成する。例えば、ＪＰＥＧファイル形式の画像データを生成する場合は、ホワイトバランス処理、ガンマ処理等を施した後に圧縮処理を実行する。生成された画像データは、記録部５０５に記録されるとともに、表示信号に変換されて予め設定された時間の間、表示部５０６に表示される。
　測光部５０３は、画像データを生成する一連の撮影シーケンスに先立ち、シーンの輝度分布を検出する。測光部５０３は、例えば１００万画素程度のＡＥセンサを含む。システム制御部５０１の演算部５１２は、測光部５０３の出力を受けてシーンの領域ごとの輝度を算出する。演算部５１２は、算出した輝度分布に従ってシャッタ速度、絞り値、ＩＳＯ感度を決定する。なお、上記ＡＥセンサに用いられる画素を撮像素子１００内に設けてもよく、この場合には当該撮像素子１００とは別個の測光部５０３を設けなくてもよい。
　図６は、撮像素子１００の機能的構成を示すブロック図である。アナログのマルチプレクサ４１１は、単位グループ１３１のＧ画素群の８個の画素Ｇｂ１等を順番に選択して、それぞれの画素信号をＧ出力配線３２０等へ出力させる。
　マルチプレクサ４１１を介して出力された画素信号は、Ｇ出力配線３２０を介して、相関二重サンプリング（ＣＤＳ）・アナログ／デジタル（Ａ／Ｄ）変換を行う信号処理回路４１２により、ＣＤＳおよびＡ／Ｄ変換が行われる。Ａ／Ｄ変換された画素信号は、Ｇ出力配線３２１を介してデマルチプレクサ４１３に引き渡され、それぞれの画素に対応する画素メモリ４１４に格納される。
　同様にマルチプレクサ４２１は、単位グループ１３１のＲ画素群の４個の画素Ｒ１等を順番に選択して、それぞれの画素信号をＲ出力配線３２２へ出力させる。信号処理回路４２２は、Ｒ出力配線３２２に出力された画素信号に対してＣＤＳおよびＡ／Ｄ変換を行う。Ａ／Ｄ変換された画素信号は、Ｒ出力配線３２３を介してデマルチプレクサ４２３に引き渡され、それぞれの画素に対応する画素メモリ４１４に格納される。
　同様にマルチプレクサ４３１は、単位グループ１３１のＢ画素群の４個の画素Ｂ１等を順番に選択して、それぞれの画素信号をＢ出力配線３２４へ出力させる。信号処理回路４３２は、Ｂ出力配線３２４に出力された画素信号に対してＣＤＳおよびＡ／Ｄ変換を行う。Ａ／Ｄ変換された画素信号は、Ｂ出力配線３２５を介してデマルチプレクサ４３３に引き渡され、それぞれの画素に対応する画素メモリ４１４に格納される。
　マルチプレクサ４１１、４２１、４３１はそれぞれ、撮像チップ１１３上で、図３の選択トランジスタ１５８と選択配線３０６により形成される。信号処理回路４１２、４２２、４３２は、信号処理チップ１１１に形成される。なお、図６の例においては、Ｇ画素群、Ｒ画素群およびＢ画素群に対応して三つの信号処理回路４１２、４２２、４３２が設けられている。デマルチプレクサ４１３および画素メモリ４１４は、メモリチップ１１２に形成される。
　単位グループ１３１内のＧ画素群、Ｒ画素群およびＢ画素群に対応してＧ出力配線３２０、３２１、Ｒ出力配線３２２、３２３およびＢ出力配線３２４、３２５が設けられている。撮像素子１００は撮像チップ１１３、信号処理チップ１１１およびメモリチップ１１２を積層しているので、これらの配線はバンプ１０９を用いたチップ間の電気的接続とすることにより、各チップを面方向に大きくすることなく配線を引き回すことができる。
　演算回路４１５は、画素メモリ４１４に格納された画素信号を処理して後段の画像処理部に引き渡す。演算回路４１５は、信号処理チップ１１１に設けられても良いし、メモリチップ１１２に設けられても良い。なお、図では１グループ分の接続を示すが、実際にはこれらがグループごとに存在して、並列で動作する。ただし、演算回路４１５はグループごとに存在しなくても良く、例えば、一つの演算回路４１５がそれぞれのグループに対応する画素メモリ４１４の値を順に参照しながらシーケンシャルに処理しても良い。
　図７は、図４の各画素群の動作のタイミングチャートを示す。駆動部５０２は、時刻ｔ０においてリセット配線３２６を介して当該単位グループ１３１の各画素Ｇｂ１等のリセットトランジスタをオンにする。これにより、各画素Ｇｂ１等の増幅トランジスタのゲートの電荷が破棄され、ゲートの電位がリセットされる。さらに駆動部５０２は、各画素Ｇｂ１等のリセットトランジスタをオンの状態に保って、時刻ｔ１からｔ２までＧ転送配線３１０を介してＧ画素群に属する各画素Ｇｂ１等の転送トランジスタをオンにする。これにより、Ｇ画素群に属する各画素Ｇｂ１等のＰＤに蓄積されていた電荷が破棄される。
　同様に、駆動部５０２は、時刻ｔ１からｔ２までＲ転送配線３１２およびＢ転送配線３１４を介してＲ画素群の各画素Ｒ１等の転送トランジスタおよびＢ画素群の各画素Ｂ１等のトランジスタをオンにする。これにより、Ｒ画素群の各画素Ｒ１等およびＢ画素群の各画素Ｂ１等のＰＤに蓄積されていた電荷が破棄される。その後、駆動部５０２は時刻ｔ３においてリセット配線３２６を介して当該単位グループ１３１の各画素Ｇｂ１等のリセットトランジスタをオフにする。
　上記時刻ｔ２から予め定められた蓄積時間後の時刻ｔ４において、駆動部５０２はＧ転送配線３１０を介してＧ画素群に属する各画素Ｇｂ１等の転送トランジスタをオンにし、その後の時刻ｔ６でオフにする。これにより、Ｇ画素群に属する各画素Ｇｂ１等おいて時刻ｔ２からｔ４までの間にＰＤに蓄積されていた電荷が、転送トランジスタを介して増幅トランジスタのゲートに一斉に転送される。これにより、駆動部５０２は、Ｇ画素群に属する各画素Ｇｂ１の電荷の蓄積時間を一括して制御することができる。なお当該蓄積時間は例えば露光時間と同一である。
　図７に示す例においては、Ｇ画素群と同様に時刻ｔ４からｔ６までにおいて、駆動部５０２はＲ転送配線３１２を介してＲ画素群の各画素Ｒ１等の転送トランジスタをオンにする。これにより、Ｒ画素群の各画素Ｒ１等において時刻ｔ２からｔ４までの間にＰＤに蓄積されていた電荷が、転送トランジスタを介して増幅トランジスタのゲートに一斉に転送される。
　また、図７に示す例においては、時刻ｔ４よりも後の時刻ｔ５から、予め定められた時間後の時刻ｔ７までにおいて、駆動部５０２はＢ転送配線３１４を介してＢ画素群の各画素Ｂ１等の転送トランジスタをオンにする。これにより、Ｂ画素群の各画素Ｂ１等において時刻ｔ２からｔ５までの間にＰＤに蓄積されていた電荷が、転送トランジスタを介して増幅トランジスタのゲートに一斉に転送される。
　これにより、駆動部５０２は、Ｂ画素群の各画素Ｂ１等の電荷の蓄積時間を、Ｇ画素群の各画素Ｇｒ１等とは異なる蓄積時間に、一括して制御することができる。また、特定の画像群に対して露光時間とは異なる蓄積時間で電荷を蓄積させることもできる。いずれの画素群にいずれの蓄積時間を設定するかは、本撮影の前に仮撮影をしたときの画素群に対応する画像情報ごとの出力から判断してもよい。例えば一の画像情報に基づく画像が他の画像情報に基づく画像よりも暗いとシステム制御部５０１が判断した場合に、システム制御部５０１は、当該一の画像情報に対応する画素群に対して駆動部５０２により蓄積時間を他の画素群よりも長くしてもよい。
　上記時刻ｔ７よりも後の時刻ｔ８において、駆動部５０２は選択配線Ｇｒ１を介してＧ画素群の画素Ｇｒ１の選択トランジスタをオンにする。これにより、転送トランジスタにより転送された電荷に応じた画素信号が増幅トランジスタで生成されて、当該画素信号が選択トランジスタを介してＧ出力配線３２０に出力される。時刻ｔ８よりも後の時刻ｔ９において、駆動部５０２は選択配線Ｇｒ２を介してＧ画素群の画素Ｇｒ２の選択トランジスタをオンにすることにより、同様に、画素Ｇｒ２の画素信号が選択トランジスタを介してＧ出力配線３２０に出力される。このように、駆動部５０２は、Ｇ画素群の各画素Ｇｒ１等の選択配線Ｇｒ１等を介して選択トランジスタを順次、オンにすることにより、Ｇ画素群の各画素Ｇｒ１等の画素信号を一のＧ出力配線３２０に順次、出力させる。
　上記時刻ｔ８、ｔ９等に同期して、駆動部５０２は、選択配線Ｒ１等を介してＲ画素群の画素Ｒ１等の選択トランジスタを順次、オンにすることにより、Ｒ画素群の各画素Ｒ１等の画素信号を一のＲ出力配線３２２に順次、出力させる。同様に、上記時刻ｔ８、ｔ９等に同期して、駆動部５０２は、選択配線Ｂ１等を介してＲ画素群の画素Ｂ１等の選択トランジスタを順次、オンにすることにより、Ｂ画素群の各画素Ｂ１等の画素信号を一のＢ出力配線３２４に順次、出力させる。
　以上により、単位グループ１３１に含まれる各画素の画素信号が、各画素群の出力配線から出力される。なお、画素群内で画素信号を出力する画素の順序は予め定められて、駆動部５０２にハードウェアとして組み込まれるか、ソフトウェアとして記憶されていることが好ましい。
　以上、本実施形態によれば、各画像情報に対応した各画素群に属する各画素の電荷の蓄積時間を一括して制御することができる。よって、それぞれの画像情報に適した蓄積時間で電荷を蓄積することができる。例えば、ＲＧＢのいずれかに偏った被写体を撮像する場合に、強い色に対応する画素群と弱い色に対応する画素群とで蓄積時間を異ならせることにより、色ごとのダイナミックレンジを広くすることができる。また、画素群間で独立して各画素の画素信号を読み出すことができる。
　図８は、他の単位グループ１３２の例および各画素の接続関係を示す。なお、図８では図を見やすくする目的で、転送配線および出力配線を示したが各画素の他の構成を省略して四角で示した。
　図８に示す例において、撮像素子１００の画素配列は、図２における緑色画素Ｇｂに代えて、白色画素Ｗが配されている。白色画素Ｗには、対応するカラーフィルタ１０２が設けられていないか、または、赤色、緑色および青色を透過する無色のフィルタが設けられる。これにより、緑色画素Ｇｂ、青色画素Ｂ、赤色画素Ｒおよび白色画素Ｗには、互いに異なる画像情報の一例である色情報に対応する入射光が入射する。
　単位グループ１３２はそれぞれ、４×４の１６画素を有する。なお、各々の単位グループ１３２に含まれる画素の数はこれに限られないことは、図４の例と同様である。
　単位グループ１３２内で、同じ色のカラーフィルタ１０２を有する画素１５０が画素群を形成する。カラーフィルタ１０２がＲＧＢＷの四種類であることに対応して、画素Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３、Ｇ４の４画素がＧ画素群を形成する。同様に、画素Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４の４画素がＲ画素群を形成し、画素Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ４の４画素がＢ画素群を形成する。さらに、画素Ｗ１、Ｗ２、Ｗ３、Ｗ４の４画素がＷ画素群を形成する。すなわち、カラーフィルタ１０２を透過する波長領域毎に画素群が形成される。
　ここで、各画素群に含まれる複数の画素間で転送トランジスタのゲートが共通に接続されている。これにより、駆動部５０２は、転送トランジスタのゲートを画素群内で一斉に、かつ、画素群間で独立して制御する。
　Ｇ画素群に含まれる画素Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３、Ｇ４の転送トランジスタのゲートは共通のＧ転送配線３３０に接続されている。同様に、Ｒ画素群の画素Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４の転送トランジスタのゲートは共通のＲ転送配線３３２に接続され、Ｂ画素群の画素Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ４の転送トランジスタのゲートは共通のＢ転送配線３３４に接続されている。さらに、Ｗ画素群の画素Ｗ１、Ｗ２、Ｗ３、Ｗ４の転送トランジスタのゲートは共通のＷ転送配線３３６に接続されている。
　また、各画素群に含まれる複数の画素間で選択トランジスタの出力側が共通に接続されている。Ｇ画素群の画素Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３、Ｇ４の選択トランジスタの出力側は共通のＧ出力配線３４０に接続されている。同様に、Ｒ画素群の画素Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４の選択トランジスタの出力側は共通のＲ出力配線３４２に接続され、Ｂ画素群の画素Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ４の選択トランジスタのソースは共通のＢ出力配線３４４に接続されている。さらに、Ｗ画素群の画素Ｗ１、Ｗ２、Ｗ３、Ｗ４の選択トランジスタの出力側は共通のＷ出力配線３４６に接続されている。
　なお、図４の例と同様に、リセット配線および電源配線は単位グループ１３２で共通である。また、選択配線は、各画素に一対一に１６本配され、対応する選択トランジスタのゲートに接続されている。さらに、出力配線には図４の例と同様に、それぞれ負荷電流源が接続される。
　これにより、駆動部５０２は、各画素群に属する各画素の電荷の蓄積時間を一括して制御することができる。また、特定の画像群に対して他の画素群とは異なる蓄積時間で電荷を蓄積させることができる。例えば、Ｗ画素群のカラーフィルタは無色なので、Ｇ画素群等よりも光量が大きい場合がある。よって、Ｗ画素群の各画素の電荷の蓄積時間をＧ画素群等の各画素の電荷の蓄積時間よりも短くすることで、Ｗ画素群とＧ画素群等とでそれぞれ適切な露光を得ることができる。
　図９は、裏面照射型の他の撮像素子１６０の断面図である。撮像素子１６０において、図１の撮像素子１００と同一の構成については同一の参照番号を付して説明を省略する。
　図９の撮像素子１６０は、パッシベーション膜１０３とカラーフィルタ１０２との間に、開口マスク１６２を有する。開口マスク１６２は例えばアルミニウム膜により形成される。
　開口マスク１６２は、各ＰＤ１０４に対応して開口１６４、１６５、１６６を有し、当該開口部分以外は入射光を遮断する。これにより、開口マスク１６２は、開口位置に応じて結像光学系における光束の一部を透過する。図９に示す例において図示されている４つの画素のうち最も－Ｘ側に配されている画素に対応する開口１６４はＰＤ１０４に対して－Ｘ側に変位している。一方、４つの画素のうち最も－Ｘ側から３番目の画素に対応する開口１６６はＰＤ１０４に対して＋Ｘ側に変位している。これらにより結像光学系における射出瞳の－Ｘおよび＋Ｘに変位した光束を入射させて、位相差ＡＦの情報を取得することができる。
　これら開口がＰＤ１０４に対して変位した画素を視差画素と呼ぶことがある。一方、開口１６５は、ＰＤ１０４に対して変位していない。視差画素に対しては白色のカラーフィルタ１０２が配される。この画素を視差なし画素と呼ぶことがある。視差なし画素に対してはＲＧＢいずれかのカラーフィルタ１０２が配される。
　図１０は、撮像素子１６０に対応した単位グループ１６７、１６８の例および各画素の接続関係を示す。なお、図１０では図を見やすくする目的で、図８と同様に、転送配線および出力配線を示したが、各画素の他の構成を省略して四角で示した。
　図１０に示す例において、撮像素子１６０の画素配列は、４×４の画素について図４における緑色画素Ｇｒ１、Ｇｒ２に代えて、視差画素Ｌｔ１、Ｒｔ１が配されている。視差画素Ｌｔ１は図９における開口１６４が設けられた画素に対応し、視差画素Ｒｔ１は図９における開口１６６が設けられた画素に対応する。また、当該４×４の１６画素が単位グループ１６７を形成する。
　単位グループ１６７内で、同じ色のカラーフィルタ１０２を有する画素１５０が画素群を形成する。カラーフィルタ１０２がＲＧＢの三種類であることに対応して、図４と同様にＧ画素群、Ｒ画素群およびＢ画素群が形成される。Ｇ画素群、Ｒ画素群およびＢ画素群の構成および作用については図４と同様であるので説明を省略する。ただし、単位グループ１６７においては、図４における緑色画素Ｇｒ１、Ｇｒ２に代えて視差画素Ｌｔ１、Ｒｔ１が配されていることに対応して、Ｇ画素群は６画素で形成される。なお、単位グループ１６８については、単位グループ１６７とは別個のＧ転送配線３７０、Ｒ転送配線３７２、Ｂ転送配線３７４、Ｇ出力配線３８０、Ｒ出力配線３８２、Ｂ出力配線３８４が設けられるが、その接続関係は単位グループ１６７と同様である。
　さらに、開口位置ごとにも画素群が形成される。この場合に、複数の単位グループ１６７、１６８をまたいで、画素群が形成される。図１０の例においては、開口位置が変位している視差画素Ｌｔ１、Ｌｔ２、Ｒｔ１、Ｒｔ２の４画素が視差画素群を形成する。
　視差画素群に含まれる視差画素Ｌｔ１、Ｌｔ２、Ｒｔ１、Ｒｔ２の転送トランジスタのゲートは共通の視差転送配線３５６に接続されている。また、視差画素群の画素Ｌｔ１、Ｌｔ２、Ｒｔ１、Ｒｔ２の選択トランジスタの出力側は共通の視差出力配線３６６に接続されている。
　これにより、駆動部５０２は、各画素群に属する各画素の電荷の蓄積時間を一括して制御することができる。また、特定の画像群に対して他の画素群とは異なる蓄積時間で電荷を蓄積させることができる。さらに、出力配線には図４の例と同様に、それぞれ負荷電流源が接続される。
　例えば、撮像装置５００においてレリーズボタンが半押しされたときには、視差画素群の各画素Ｌｔ１等を駆動して位相差ＡＦの情報を取得するとともに、この時点で他の画素群の各画素Ｇｒ１等を駆動しない。一方、撮像装置５００においてレリーズボタンが全押しされたときには、Ｇ画素群、Ｒ画素群およびＢ画素群の各画素Ｇｒ１等を駆動してＲＧＢの画像の情報を取得するとともに、視差画素群の各画素Ｌｔ１等を駆動しない。これにより、レリーズボタンが半押しの状態では位相差ＡＦの情報に適した蓄積時間で電荷を蓄積させることができるとともに、少ない画素で画像処理をすることにより短時間で位相差ＡＦの情報を得ることができる。一方、レリーズボタンが全押しの状態では高解像度を保ちつつ、ＲＧＢの画像の情報に適した蓄積時間で電荷を蓄積することができる。
　なお、図１０においては二つの単位グループ１６７、１６８をまたいで視差画素群が形成されたが、単位グループ内の視差画素で、または、三以上の単位グループをまたいで視差画素群を形成してもよい。さらに、開口位置の変位方向ごとに視差画素群を形成してもよい。すなわち、－Ｘ側に開口が変位した複数の画素Ｌｔ１、Ｌｔ２等による視差画素群と、＋Ｘ側に開口が変位した複数の画素Ｒｔ１、Ｒｔ２等による視差画素群とを形成してもよい。
　また、図４または図８の配列において、各画素が変位した開口を有していてもよい。この場合に、色毎かつ開口位置の変位方向毎に画素群を形成してもよい。さらに、図１０の視差画素に代えてまたはこれに加えて、変位していない開口を有しかつカラーフィルタ１０２を設けないまたは無色のカラーフィルタ１０２の画素をＡＥ画素として単位グループ１６７、１６８内に配してもよい。この場合にも、複数のＡＥ画素がＡＥ画素群を形成することにより、駆動部５０２はＡＥ画素群に属する各画素の電荷の蓄積時間を一括して制御する。これにより、画像情報としての露光情報を得るのに適した蓄積時間を設定し、例えばレリーズボタンが半押しのとき等に他の画像群とは独立して画素情報を読み出すことができる。
　図１１は、他の画素１７０の等価回路を示す。図１１において図３の画素１５０と同じ構成については同じ参照番号を付して説明を省略する。なお、出力配線３０８には図４の例と同様に、負荷電流源が接続されるが図示を省略した。
　画素１７０は、転送配線３０２と転送トランジスタ１５２のゲートとの間に行選択トランジスタ１７１および列選択トランジスタ１７２が設けられている。行選択トランジスタ１７１のゲートは行選択配線３９１に接続されており、列選択トランジスタ１７２のゲートは列選択配線３９２に接続されている。当該行選択配線３９１には例えば少なくとも単位グループ１３１内における当該画素１７０とＸ方向（すなわち行方向）に並んだ画素の行選択トランジスタのゲートが共通に配されている。同様に、当該列選択配線３９２には例えば少なくとも単位グループ１３１内における当該画素１７０とＹ方向（すなわち列方向）に並んだ画素の列選択トランジスタのゲートが共通に配されている。
　上記構成によれば、行選択配線３９１と列選択配線３９２とにオン信号が付加された場合に当該配線で特定される画素１７０の転送トランジスタ１５２をオンにすることができる。これにより、画素単位で転送トランジスタのオンオフを制御することができる。
　さらに、画素１７０は、画素１５０の一個の選択トランジスタ１５８に代えて、行選択トランジスタ１７４および列選択トランジスタ１７５が設けられている。行選択トランジスタ１７４のゲートは行選択配線３９４に接続されており、列選択トランジスタ１７５のゲートは列選択配線３９５に接続されている。当該行選択配線３９４には例えば少なくとも単位グループ１３１内における当該画素１７０とＸ方向（すなわち行方向）に並んだ画素の行選択トランジスタのゲートが共通に配されている。同様に、当該列選択配線３９５には例えば少なくとも単位グループ１３１内における当該画素１７０とＹ方向（すなわち列方向）に並んだ画素の列選択トランジスタのゲートが共通に配されている。
　上記構成によれば、行選択配線３９４と列選択配線３９５とにオン信号が付加された場合に当該配線で特定される画素１７０の画素信号を出力配線３０８に出力することができる。これにより、画素１５０のように選択トランジスタ１５８と一対一に対応した選択配線３１８よりも、配線数を減らすことができる。
　なお、転送トランジスタ１５２に対する行選択配線３９１および列選択配線３９２と、出力配線３０８に対する行選択配線３９４および列選択配線３９５とは組で用いられなくてよい。いずれか一方に対して画素１５０の構成を用いてよい。また、転送と出力を同時に行うことがない場合には、行選択配線３９１、３９４を一本にして転送と出力とで共通に用いるとともに、列選択配線３９２、３９５も一本にして転送と出力とで共通に用いてもよい。
　上記実施形態にはいずれも、リセット配線３２６および電源配線３１６は単位グループ１３１で共通である。これに加えて、リセット配線３２６および電源配線３１６は複数の単位グループ１３１間で共通であってもよい。また、これに代えて、リセット配線３２６を画素群ごとに共通とし、画素群間では別個の配線としてもよい。さらに、リセット配線３２６を画素ごとに別個の配線とし、画素１７０における転送トランジスタ１５２の制御と同様にリセットトランジスタ１５４を制御してもよい。
　以上、本実施形態によれば、単位グループ１３１内または単位グループ１３１間において、同一の画像情報に対応する複数の画素を画素群として電荷蓄積時間および読み出しを制御する。よって、それぞれの画像情報に適した電荷蓄積時間および読み出しタイミングを設定することができる。
　図１２は他の撮像素子６００の単位グループ６０２を模式的に示す。図１３は単位グループ６０２内の画素ユニット６０３の回路図を示す。
　撮像素子６００の単位グループ６０２は、図２と同様にベイヤー配列で画素が二次元的に配列されている。行選択線は画素２行に一つずつ設けられおり、各行選択線に２行分の画素が共通に接続されている。出力配線６０４は画素２列に一つずつ設けられており、各出力配線６０４に２列分の画素が共通に接続されている。出力配線６０４のそれぞれは、撮像チップ１１３と信号処理チップ１１１とを電気的に接続するバンプ６０６を介してＣＤＳ回路６０８に一対一に接続されている。
　単位グループ６０２に含まれる複数の出力配線６０４のそれぞれに一対一に接続された複数のＣＤＳ回路６０８の出力はマルチプレクサ６１０に入力される。さらにマルチプレクサ６１０からの出力はＡ／Ｄ変換回路６１２に入力され、Ａ／Ｄ変換回路６１２の出力は画素メモリ４１４に接続される。
　また、ベイヤー配列における一単位が画素ユニット６０３を形成している。すなわち、画素ユニット６０３は４画素Ｇｂ、Ｇｒ、Ｂ、Ｒを有する。
　電源配線Ｖｄｄ、リセット配線は、単位グループ１３１に含まれる画素全体で共通に接続されている。また、Ｇｂ転送配線は、単位グループ１３１のうち画素Ｇｂで共通に接続されている。同様に、Ｇｒ転送配線は単位グループ１３１のうち画素Ｇｒで共通に接続され、Ｂ転送配線は単位グループ１３１のうち画素Ｂで共通に接続され、Ｒ転送配線は単位グループ１３１のうち画素Ｒで共通に接続されている。さらに、リセット配線および各転送配線は複数の単位グループ１３１間では別個に設けられる。
　画素ユニット６０３の画素Ｇｂ、Ｇｒ、Ｂ、Ｒはリセットトランジスタ６２０、増幅トランジスタ６２２、選択トランジスタ６２４を共有している。また、画素Ｇｂ１は転送トランジスタ６２６、６２８を有する。同様に、画素Ｇｒは転送トランジスタ６３０、６３２を有し、画素Ｂは転送トランジスタ６３４、６３６を有し、画素Ｒは転送トランジスタ６３８、６４０を有する。
　各画素に注目した場合には、当該画素とリセットトランジスタ６２０、増幅トランジスタ６２２および選択トランジスタ６２４の接続関係は、図３と同じである。一方、転送トランジスタ６２６等は図３と接続関係が異なる。画素Ｇｂの転送トランジスタ６２６のゲート、ドレイン、ソースはそれぞれ、Ｇｂ転送配線、行選択線１、転送トランジスタ６２８のゲートに接続される。また、転送トランジスタ６２８のソース、ドレインはそれぞれ、画素ＧｂのＰＤの一端、増幅トランジスタ６２２のゲートに接続される。画素Ｇｒ、Ｂ、Ｒの接続関係も同様である。
　図１２および図１３に示す形態において、各画素の画像信号は下記の通りに読み出される。なお、説明を簡単にするためにリセット動作の説明を省く。
　行選択線のいずれか、例えば行選択線１がオンされる。その状態でいずれかの転送配線、例えばＧｂ転送配線がオンされる。これにより、画素Ｇｂの転送トランジスタ６２６、６２８が両方オンになり、画素Ｇｂの電荷が増幅トランジスタ６２２のゲートに転送される。ここで、行選択線１がオン状態なので、選択トランジスタ６２４もオンになっており、増幅トランジスタ６２２のゲートに転送された電荷に応じて増幅された画素信号が出力配線６０４から出力される。
　行選択線１は単位グループ６０２内の画素２行に対して共通であり、Ｇｂ転送配線は単位グループ６０２内の画素Ｇｂに対して共通なので、単位グループ６０２の１行分の画素Ｇｂの画素信号が、それぞれ対応する出力配線６０４に同時に出力される。ここで、出力配線６０４には一対一にＣＤＳ回路６０８が配されているので、それぞれの画素信号はノイズが除かれた状態で個々のＣＤＳ回路６０８に一時的に保持される。
　マルチプレクサ６１０は当該ＣＤＳ回路６０８に保持された画素信号を順次読出し、Ａ／Ｄ変換回路６１２に引き渡す。Ａ／Ｄ変換回路６１２は当該画素信号を順次デジタル化して画素メモリ４１４に書き込む。これにより、単位グループ６０２の１行分の画素Ｇｂの画素信号のそれぞれが、他の画素信号の影響を受けることなく画素メモリ４１４に格納される。
　次に、行選択線１がオンされた状態で、Ｇｒ転送配線がオンされることにより、単位グループ６０２の１行分の画素Ｇｒの画素信号のそれぞれが、他の画素信号の影響を受けることなく順次読み出される。同様に、行選択線１がオンされた状態でＢ転送配線がオンされることにより、単位グループ６０２の１行分の画素Ｂの画素信号のそれぞれが読み出されて画素メモリ４１４に格納され、行選択線１がオンされた状態でＲ転送配線がオンされることにより、単位グループ６０２の１行分の画素Ｒの画素信号のそれぞれが読み出されて画素メモリ４１４に格納される。以上により、単位グループ６０２の２行分の画素の画素信号が読み出される。
　次に行選択線２をオンにして上記手順を繰り返すことにより単位グループ６０２の次の２行分の画素の画素信号が読み出される。すべての行選択線に対して上記手順を繰り返すことにより、単位グループ６０２内のすべての画素の画素信号が読み出される。
　図１２および図１３に示す形態によれば、各単位グループ６０２について行選択線を画素２行に対して一つ設ければよいので、配線の引き回しが容易になる。また、各単位グループ６０２について出力配線を画素２列に対して一つ設ければよいので、配線の引き回しが容易になる。
　図１４はさらに他の撮像素子６５０の単位グループ６５２を模式的に示す。図１５は単位グループ６５２内の画素ユニット６５３の回路図を示す。図１４および図１５において、図１２および図１３と同一の構成および機能については、同一の参照番号を付して説明を省略する。
　単位グループ６５２には、列選択線が画素２列に一つずつ設けられおり、各列選択線に２列分の画素が共通に接続されている。列選択線は、画素ユニット６５３の各転送トランジスタ６２６、６３０、６３４、６３８のドレインに接続されている。
　各出力配線６０４はバンプ６０６を介して信号処理チップ１１１に配され、単位グループ６５２に対応して一つ設けられたマルチプレクサ６１０に入力される。マルチプレクサ６１０の出力はＡ／Ｄ変換回路６１４に入力される。Ａ／Ｄ変換回路６１４は、画素信号をデジタル化する回路に加え、デジタル的にＣＤＳを実行する回路も有する。Ａ／Ｄ変換回路６１４でデジタル化されてＣＤＳが実行された出力が画素メモリ４１４に格納される。
　図１４および図１５の形態において、各画素の画像信号は下記の通りに読み出される。なお、説明を簡単にするためにリセット動作の説明を省く。
　行選択線のいずれか、例えば行選択線１がオンされる。その状態でいずれかの転送線路、例えばＧｂ転送配線がオンされる。その状態でさらに、列選択線のいずれか、例えば列選択線１がオンされる。これにより、単位グループ６５２の内の一つの画素ユニット６５３の画素Ｇｂの転送トランジスタ６２６、６２８が両方オンになり、画素Ｇｂの電荷が増幅トランジスタ６２２のゲートに転送される。ここで、行選択線１がオン状態なので、選択トランジスタ６２４もオンになっており、増幅トランジスタ６２２のゲートに転送された電荷に応じて増幅された画素信号が、当該画素ユニット６５３に対応した出力配線６０４から出力される。さらに、行選択線１およびＧｂ転送配線をオン状態に保って、列選択線のオン状態を順次切り替えることにより、それぞれの出力配線６０４から、１行分の画素Ｇｂの画素信号が順次出力される。
　列選択線の切り替えに同期してマルチプレクサ６１０が各出力配線６０４からの入力を切り替えることにより、画素Ｇｂからの画素信号が一画素分ずつＡ／Ｄ変換回路６１４に入力される。単位グループ６５２の１行分の画素Ｇｂの画素信号のそれぞれが、他の画素信号の影響を受けることなく読み出されて画素メモリ４１４に格納される。
　次に、行選択線１およびＧｒ転送配線がオンされた状態で、列選択線のオン状態を順次切り替えることにより、それぞれの出力配線６０４から、１行分の画素Ｇｒの画素信号が順次出力される。同様に、行選択線１およびＢ転送配線がオンされた状態で列選択線のオン状態を順次切り替えることにより、それぞれの出力配線６０４から１行分の画素Ｂの画素信号が順次出力され、行選択線１およびＲ転送配線がオンされた状態で列選択線のオン状態を順次切り替えることにより、それぞれの出力配線６０４から１行分の画素Ｒの画素信号が順次出力される。以上により、単位グループ６５２の２行分の画素の画素信号が読み出される。
　次に行選択線２をオンにして上記手順を繰り返すことにより単位グループ６５２の次の２行分の画素の画素信号が読み出される。すべての行選択線に対して上記手順を繰り返すことにより、単位グループ６５２内のすべての画素の画素信号が読み出される。
　図１４および図１５に示す形態においても、各単位グループ６５２について行選択線を画素２行に対して一つ設ければよいので、配線の引き回しが容易になる。また、各単位グループ６５２について出力配線を画素２列に対して一つ設ければよいので、配線の引き回しが容易になる。また、ＣＤＳ回路を信号処理チップ１１１の側に設けることができる。
　図１６はさらに他の撮像素子６５４の単位グループ６５５を模式的に示す。図１７は単位グループ６５５内の画素ユニット６５６の回路図を示す。図１６および図１７において、図１４および図１５と同一の構成および機能については、同一の参照番号を付して説明を省略する。
　単位グループ６５５において、複数の出力配線６０４は単位グループ６５２に対応して一つ設けられたバンプ６０６に共通して接続されている。当該バンプ６０６はＡ／Ｄ変換回路６１４の入力側に接続されている。また、画素ユニット６５６の出力配線６０４には、列選択線とゲートが接続された選択トランジスタ６４２が設けられている。
　図１６および図１７の形態において、各画素の画像信号は下記の通りに読み出される。なお、説明を簡単にするためにリセット動作の説明を省く。
　行選択線のいずれか、例えば行選択線１がオンされる。その状態でいずれかの転送線路、例えばＧｂ転送配線がオンされる。その状態でさらに、列選択線のいずれか、例えば列選択線１がオンされる。これにより、単位グループ６５５の内の一つの画素ユニット６５６の画素Ｇｂの転送トランジスタ６２６、６２８が両方オンになり、画素Ｇｂの電荷が増幅トランジスタ６２２のゲートに転送される。ここで、行選択線１がオン状態なので、選択トランジスタ６２４もオンになっており、増幅トランジスタ６２２のゲートに転送された電荷に応じて増幅された画素信号が、当該画素ユニット６５３に対応した出力配線６０４から出力される。
　さらに、行選択線１およびＧｂ転送配線をオン状態に保って、列選択線のオン状態を順次切り替えることにより、それぞれの出力配線６０４から、１行分の画素Ｇｂの画素信号が順次出力される。よって、画素Ｇｂからの画素信号が１画素分ずつバンプ６０６を介してＡ／Ｄ変換回路６１４に入力される。この場合に、各画素ユニット６５６には選択トランジスタ６４２が配されているので、列選択線で選択されていない画素ユニット６５６の画素Ｇｂからの出力が遮断される。よって、単位グループ６５５の１行分の画素Ｇｂの画素信号のそれぞれが、他の画素信号の影響を受けることなく読み出されて画素メモリ４１４に格納される。
　次に、行選択線１およびＧｒ転送配線がオンされた状態で、列選択線のオン状態を順次切り替えることにより、それぞれの出力配線６０４から、１行分の画素Ｇｒの画素信号が順次出力される。同様に、行選択線１およびＢ転送配線がオンされた状態で列選択線のオン状態を順次切り替えることにより、それぞれの出力配線６０４から１行分の画素Ｂの画素信号が順次出力され、行選択線１およびＲ転送配線がオンされた状態で列選択線のオン状態を順次切り替えることにより、それぞれの出力配線６０４から１行分の画素Ｒの画素信号が順次出力される。
　以上により、単位グループ６５５の２行分の画素の画素信号が読み出される。次に行選択線２をオンにして上記手順を繰り返すことにより単位グループ６５５の次の２行分の画素の画素信号が読み出される。すべての行選択線に対して上記手順を繰り返すことにより、単位グループ６５５内のすべての画素の画素信号が読み出される。
　図１６および図１７に示す形態においても、各単位グループ６５５について行選択線を画素２行に対して一つ設ければよいので、配線の引き回しが容易になる。また、各単位グループ６５５について出力配線を画素２列に対して一つ設ければよいので、配線の引き回しが容易になる。また、ＣＤＳ回路を信号処理チップ１１１の側に設けることができる。さらに、マルチプレクサを設けなくてもよいので信号処理チップ１１１の側の配線を簡略化することができる。
　図１２から図１７に示す形態において、Ａ／Ｄ変換回路６１２、６１４は単位グループ６０２、６５２、６５５に対して一対一に設けられたが、Ａ／Ｄ変換回路６１２、６１４の個数はこれに限られない。各単位グループ６０２、６５２、６５５に対して複数のＡ／Ｄ変換回路６１２、６１４が設けられてもよい。この場合には、各単位グループ６０２、６５２、６５５の複数の出力配線６０４がそれぞれ複数のＡ／Ｄ変換回路６１２、６１４のいずれかに振り分けられるように配線されて入力される。
　また、画素ユニットが４画素からなり、行選択配線は画素２行ごとに配され、出力配線は画素３列ごとに配されているが、これに限られない。例えば、画素ユニットがｍ行ｎ列からなる場合に、単位グループに対して、行選択配線をｍ行ごとに一つずつ、出力配線をｎ列ごとに一つずつ設けるとともに、ｍ×ｎ個の別個の転送配線を設けてもよい。なお、各転送配線は画素グループ内で共通であってよい。
　上記実施形態に係る撮像装置５００は静止画を撮像するのに用いられてもよいし、動画を撮像するのに用いられてもよい。動画を撮像する場合に、画素群ごとの蓄積時間を時間的に変化させてもよい。例えば、シーンが切り替わる前後で画素群ごとの蓄積時間を動的に変えてもよい。この場合に、直前の画像を基に静止画の場合と同じように蓄積時間を変化させてもよい。また、直前の数秒間の画像に基づいて、例えばそれらの時間平均に基づいて、蓄積時間を変化させてもよい。また、撮影の流れと蓄積時間との関係を予め登録したデータベースを用いて、撮影の流れによって蓄積時間を変化させてもよい。
　また、上記実施形態では、撮像チップ１１３、信号処理チップ１１１およびメモリチップ１１２は積層されているが、これらが積層されていなくてもよい。すなわち、一のチップ上に、これらの機能が設けられていてもよい。
　以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更または改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。その様な変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、請求の範囲の記載から明らかである。
　請求の範囲、明細書、および図面中において示した装置、システム、プログラム、および方法における動作、手順、ステップ、および段階等の各処理の実行順序は、特段「より前に」、「先立って」等と明示しておらず、また、前の処理の出力を後の処理で用いるのでない限り、任意の順序で実現しうることに留意すべきである。請求の範囲、明細書、および図面中の動作フローに関して、便宜上「まず、」、「次に、」等を用いて説明したとしても、この順で実施することが必須であることを意味するものではない。

Claims (13)

  1. 　入射光に応じた画素信号を出力する複数の画素であって、互いに異なる画像情報に対応する入射光が入射する、複数の画素群を形成する撮像部と、
    　前記画素群ごとに、前記画素群に含まれる前記複数の画素への電荷の蓄積時間を制御する制御部と、
    　前記画素群ごとに設けられ、前記画素群に含まれる前記複数の画素から前記画素信号を読み出す読出し部と
    を備える撮像素子。
  2. 　前記読み出し部は、前記画素群ごとに設けられ、前記画素群に含まれる前記複数の画素から前記画素信号が順次、出力される複数の出力線、および、前記複数の出力線から入力された前記画素信号をデジタル化して出力するＡ／Ｄ変換部を有する請求項１に記載の撮像素子。
  3. 　前記複数の画素のそれぞれは、
    　入射光に応じた電荷を蓄積する光電変換素子と、
    　前記光電変換素子の電荷を転送する転送トランジスタと、
    　前記転送トランジスタにより転送された電荷に応じた前記画素信号を生成する増幅トランジスタと、
    　前記増幅トランジスタのゲートの電位をリセットするリセットトランジスタと、
    　前記増幅トランジスタの出力と前記出力線とを接続および遮断する選択部と
    を有し、
    　前記画素群に含まれる前記複数の画素間で前記転送トランジスタのゲートが共通に接続された請求項２に記載の撮像素子。
  4. 　前記制御部は、前記転送トランジスタのゲートを前記複数の画素群間で独立して制御する請求項３に記載の撮像素子。
  5. 　前記画素群に含まれる前記複数の画素間で前記リセットトランジスタのゲートが共通に接続された請求項４に記載の撮像素子。
  6. 　前記複数の画素群間で前記リセットトランジスタのゲートが共通に接続された請求項５に記載の撮像素子。
  7. 　前記Ａ／Ｄ変換部は、前記複数の出力線にそれぞれ対応付けて複数配される請求項２から６のいずれか１項に記載の撮像素子。
  8. 　前記複数の画素が二次元的に配された撮像チップと、前記Ａ／Ｄ変換部が配された信号処理チップとが積層されており、
    　前記複数の出力線のそれぞれは、前記撮像チップと前記信号処理チップとの電気的接続を含む請求項２から６のいずれか１項に記載の撮像素子。
  9. 　前記撮像チップは裏面照射型ＣＭＯＳチップにより形成される請求項８に記載の撮像素子。
  10. 　前記複数の画素に対応して設けられ、特定の波長領域を透過するカラーフィルタをさらに備え、前記波長領域ごとに前記画素群が形成される請求項１から９のいずれか１項に記載の撮像素子。
  11. 　前記複数の画素に対応して設けられ、開口位置に応じて結像光学系における光束の一部を透過する開口マスクをさらに備え、前記開口位置ごとに前記画素群が形成される請求項１から１０のいずれか１項に記載の撮像素子。
  12. 　複数の画素を有する単位ブロックが二次元的に複数配された撮像部と、
    　前記単位ブロックに含まれる前記複数の画素への電荷の蓄積時間を制御する制御部と
    を有し、
    　前記複数の画素のそれぞれは、
    　入射光に応じた電荷を蓄積する光電変換素子と、
    　前記光電変換素子の電荷を転送する転送トランジスタと、
    　前記転送トランジスタにより転送された電荷に応じた画素信号を生成する増幅トランジスタと、
    　前記増幅トランジスタのゲートの電位をリセットするリセットトランジスタと、
    　選択線に接続され、前記増幅トランジスタの出力と前記出力線とを接続および遮断する選択部と、
    　前記転送トランジスタのゲートと前記選択線との間に配された制御トランジスタと
    を有し、
    　前記選択線が選択され、かつ、前記制御トランジスタのゲートがオンされた場合に、前記光電変換素子の画素信号が出力される撮像素子。
  13. 　請求項１から１２のいずれか１項に記載の撮像素子を用いた撮像装置。
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