TW200935546A - Loadlock designs and methods for using same - Google Patents

Loadlock designs and methods for using same

Info

Publication number
TW200935546A
TW200935546A TW097146485A TW97146485A TW200935546A TW 200935546 A TW200935546 A TW 200935546A TW 097146485 A TW097146485 A TW 097146485A TW 97146485 A TW97146485 A TW 97146485A TW 200935546 A TW200935546 A TW 200935546A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
chamber
transfer chamber
transfer
annular
wafer
Prior art date
Application number
TW097146485A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI495031B (zh
Inventor
Chris Gage
Shawn Hamilton
Sheldon Templeton
Keith Wood
Damon Genetti
Original Assignee
Novellus Systems Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Novellus Systems Inc filed Critical Novellus Systems Inc
Publication of TW200935546A publication Critical patent/TW200935546A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI495031B publication Critical patent/TWI495031B/zh

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67201Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the load-lock chamber
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67196Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the transfer chamber
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742Mechanical parts of transfer devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68707Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a robot blade, or gripped by a gripper for conveyance
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S414/00Material or article handling
    • Y10S414/135Associated with semiconductor wafer handling
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S414/00Material or article handling
    • Y10S414/135Associated with semiconductor wafer handling
    • Y10S414/139Associated with semiconductor wafer handling including wafer charging or discharging means for vacuum chamber

Description

200935546 九、發明說明: ·’ 【先前技術】
使用不同類型之工具來在半導體裝置製造期間執行數百 種處理操作。該等操作大多數在非常低壓力下在真空腔室 中執行。用以機械方式麵接至處理腔室之晶圓處置系统= 晶圓引入至處理腔室。晶圓處置系統將晶圓自工廠地面轉 移至處理腔室。該等系統包括用以將晶圓自大氣條件帶至 非常低虔力條件並返回之傳送室,以及用以將晶圓轉移至 各種位置之機械手。處理量__某—時段中所處理之晶圓數 受處理時間、某一時間所處理之晶圓數目以及用以將 a曰圓引入至真空處理腔室中之步驟的定時影響。需要増加 處理量之改良之方法及設備。 【發明内容】 本文所揭示之&備及方法關於晶圓之並行處理。特定實 施例包括將晶圓自儲存盒轉移至處理模組並返回之雙晶圓 ^置系統及其各g樣。提供堆疊式獨立傳送室,其允許排 乳及抽乳操作並行卫作且可經最佳化以減少微粒。亦提供 環形設計以在傳送室排氣及抽氣㈣產生徑向上下流動Γ 本發明之-個態樣係關於一種用於在大氣環境與真空轉 移模’且,間轉移基板之堆疊式傳送室總成。該總成包括: 其具有一或多個腔室,每-腔室具有基板支 密㈣’該可密封門可選擇性地打開以用於在腔 :=模:且機械手之間轉移基板;以及上部傳送室,其 女 '"下傳送室上方,該上部傳送室具有-或多個腔 136484.doc 200935546 室’每一腔室具有基板支樓件及可密封門,該可密封門可 選擇性地打開以用於在腔室與轉移模組機械手之間轉移晶 圓。上部傳送室與下部傳送室隔離開,且上部基板轉移平 面與下部基板轉移平面之間的垂直距離不大於_峨,並 在某二實施例中’不大於70 mm。在某些實施例中,自 下部傳送室腔室之底部量測至上部傳送室腔室之頂部,堆 疊式傳送室總成之高度不大於10"。腔室容積通常在約3 l ❹=約20 [之範圍内。在某些實施例中’堆疊式傳送室總成 中之每一傳送室具有雙基板腔室。 在某些實施例中,堆疊式傳送室總成中之至少一個傳送 室經組態以進行徑向排氣及/或徑向抽氣。在某些實施例 中’上部傳送室經組態以進行徑向抽氣,且下部傳送室智 組態以進行徑向排氣。而且,在某些實施例中,每一傳送 室經組態以進行徑向抽氣及徑向排氣中之至少—者。在某 些實施例中,傳送室總成不具有中心抽氣或排氣端口。、 Ο 本發明之另—態樣係關於—種用於將基板自第-環境轉 移至第二環境之堆疊式傳送室總成,該總成包括:上部傳 送室,其包含-或多個基板腔室;下部傳送室,其包含一 — 《多個基板腔室,每-上部傳送室基板腔室安置在下部傳 、送室基板腔室上方;以及-或多個中心板,其用於使每一 下部傳送室基板腔室與上覆之上部傳送室腔室隔離,其中 每-中心板界定上部傳送室腔室之底板及下部傳送室腔室 之頂板。 在某些實施例中’每-中心板具有數個環形凹槽,其中 136484.doc 200935546 槽部刀界疋用於將氣體自上部傳送室腔室 中抽出之流動路徑,且另一璜开彡叩她 々 裒形凹槽至少部分界定用於將 風體排入下部傳送室腔室中之流動路徑。 ^某些實施例中,堆疊式傳送室總成具有用於將基板轉 =入及/或離開上部傳送室之至少一個上部孔徑及用於 • 録板轉移進入/離開下部傳送室之至少一個下部孔徑。 該至少一個上部孔徑與該至少一個下部孔徑分離開不大於 約⑽職之垂直距離。在某些實施例中,總成之高度不大 於1〇,,腔室高度。而且,在某些實施财,堆疊式傳送室 總成具有-或多個上部傳送室蓋以用於覆蓋該或該等上部 傳送室腔室,盆巾名___蓄 每ά具有至少部分界定用於將氣體排 入下部傳送室腔室之流動路徑的環形凹槽。 本發明之另-態樣係關於一種使用傳送室設備在大氣環 =真空環境之間轉移基板之方法,該傳送室設備根據各 種實施例可具有以下特徵中之一或多者:下部傳送室,其 〇 纟有-或多個腔室’每一腔室具有基板支撐件及可密封 π ’該可密封門可選擇性地打開以用於在腔室與轉移模电 顏手之間轉移基板;上部傳送室,其安置在該下部傳送 至上方’該上部傳送室具有一或多個腔室,每一腔室具有 基板支樓件及可密封門’該可密利可選擇性地打開^用 於在腔室與轉移模組機械手之間轉移晶圓。該方法包括在 上部傳送室基板水平轉移平面上在大氣環境與該或該等上 σ|5傳送室腔室之間轉移—或多個基板;在下部傳送室基板 水平轉移平面上在真空環境與該或該等傳送室腔室之間轉 136484.doc 200935546 移-或多個基板4中上部傳送室與下部傳送室隔離開, 且上部基板水平轉移平面與下部基板水平轉移平面之間的 垂直距離不大於100 mm。
Ο 本發明之另-態樣係關於—種用於對含有晶圓之傳送室 腔室進行徑向排氣之傳送室設備。該設備包括:晶圓支撐 件,其位於該傳送室腔室中;側入口端口,該側入口端口 開放至位於該傳送室腔室上方之環形腔室巾,該環形腔室 連接至環㈣梯式窄通道以平行於支撐件上之晶圓而引導 流動。根據各種實施例,傳送室設備可包括以下特徵中之 一或多者:傳送室外殼,其界定該側入口端口;以及上部 板,其界定傳送室腔室及傳送室外殼之頂板,其中該環形 通道由傳送室外殼及該上部板之凹入部分界定。在某些實 施例中,上部板及傳送室外殼之環形區段為階梯式的,其 中該板之階梯式區段之外徑小於傳送室外殼之階梯式區段 之内徑以進而界定環形階梯式通道。在某些實施例中,環 形階梯式窄通道之寬度介於約〇_〇〇5至〇 〇5〇吋之間。階梯 式通道可包括平行於晶圓表面之外部區段、垂直區段及内 部平行區段。在某些實施例中,環形腔室之矩形橫截面之 尺寸在約〇·25至1.5 寸之範圍内。而且,在某些實施例中, 側入口端口、環形腔室及環形階梯式窄通道界定用於將氣 體排入傳送室腔室之流動路徑。在某些實施例中,環形階 梯式窄通道扼制排放之氣體流動。 本發明之又一態樣係關於用於對含有晶圓之傳送室腔室 進行徑向抽氣之傳送室設備。該設備包括:晶圓支撐件, 136484.doc 200935546 其位於該傳送室腔室中;側出口端口,其開放至環形腔室 中,該環形腔室位於該晶圓支撐件下方;窄環形通道,其 將傳送室腔室連接至環形腔室以將流動引導至環形腔室 中。環形通道之内徑大於晶圓支撐件直徑。傳送室設備亦 可包括界定側出口端口之傳送室外殼。在某些實施例中, 該設備包括下部板,其界定傳送室腔室及傳送室外殼之底 板’其中環形通道由傳送室外殼及下部板之凹入部分界 定。該設備亦可包括傳送室外殼’其中該板之區段之外徑 小於傳送室外殼之區段之内徑以進而界定環形通道。在某 些實施例中,窄環形通道之寬度介於約〇〇〇5至〇〇5〇吋^ 間,且環形腔室之矩形橫截面之尺寸在約〇25至15吋之範 圍内。 本發明之又一態樣係關於一種堆疊式傳送室設備,該堆 疊式傳送室設備包括:下部傳送室腔室,其具有位於該上 部傳送室腔室中之晶圓支㈣、側人口❼,該側入:端 口開放至位於該上部傳送室腔室上方之上部環形腔室中, 該環形腔室連接至環形階梯式窄通道以平行於支撐件上之 晶圓而引導流動;以及上部傳送室腔室,其包含位於該上 部傳送室腔室中之晶圓支㈣、開放至環形腔室中之側出 口端口、位於該晶圓支撐件下方之環形腔室、窄環形通 道,該窄環形通道將傳送室腔室連接至環形腔室以將流動 引導至環形腔室中,環形通道之内徑大於晶圓支撐件直 徑。 本發明之再-態樣係關於—種對含有晶圓之傳送室腔室 136484.doc •10- 200935546 進行排氣之方法’該傳送室腔室包含:晶圓支揮件,其位 於該傳送室腔室中;側入口端口,該側人Π端Π開放至位 於-亥傳送至腔室上方之環形腔室中’該環形腔室連接至環 形階梯式窄通道以平行於支樓件上之晶圓而引導流動。該 方法可包括使氣體穿過環形腔线人,使得氣體流動至環 形階梯式窄通道中以進而平行於晶圓將氣體之徑向流動引 導至傳送室腔室中。 一種對含有晶圓之傳送室腔室進行抽氣之方法,該傳送 至腔室包含:晶圓支撐件,其位於該傳送室腔室中;側出 口端口,其開放至環形腔室中,該環形腔室位於該晶圓支 撐件下方;窄環形通道,其將傳送室腔室連接至環形腔室 以將抓動引導至環形腔室中。該方法可包括藉由穿過側出 口端口抽吸軋體來自晶圓中心徑向向外抽吸氣體,使得經 由環形通道扼制氣體進入環形腔室。 在以下具體實施方式中描述本發明之該等及其他態樣及 優點。 【實施方式】 概述 圖1展示根據本發明各態樣之雙晶圓處置設備及其組件 之外觀。圖1所示之設備可用於將晶圓自大氣條件(例如, 進入及離開儲存單元)轉移至一或多個處理腔室(例如, PECVD腔至)並再次返回。圖1所示之設備具有三個主要組 件.大氣環境1〇2、傳送室1〇4及轉移模組106。圖中未展 示儲存單元(例如,前開式統集箱或FOUP)及處理腔室。大 136484.doc 200935546 氣環境102通常處於大氣壓力下且可與f〇UP及/或外部設 施之零件互動。轉移模組1〇6通常處於次大氣壓力下且可 與傳送室及經常在真空或低壓力下運行之各種處理腔室連 通。將晶圓置放在傳送室1〇4中以當在大氣環境與亞大氣 環境之間轉變時進行抽氣或排氣操作。 ❹ ❹ 大氣環境102(亦稱為”小型環境”)含有大氣機械手(未圖 不)’其將晶圓轉移進入及離開F〇UP及傳送室104。箱加 載器108接納並支撐!^〇1;15,使得其可由大氣機械手接取。 大乳環境102通常含有上置式扇形過濾器單元(例如, HEPA過濾器單元)以防止污染物進入大氣環境。圖1展示 «•亥扇形過濾器單元之空氣入口 11〇。大氣或小型環境之下 邛邊界可為假底板,例如圖丨中在112處所描繪。 傳送至104接納來自大氣環境1〇2之待轉移至處理腔室之 入站(未經處理)晶圓以及來自轉移模組1〇6之待轉移回至 F曰OUP之出站(經處理)晶圓q傳送室可為雙向的(保持入站 :圓及出站晶圓)或單向的(僅保持入站晶圓或出站晶圓)。 稱=實:例中,傳送室係單向的。入站晶圓在本文中亦 戈^未域理之晶圓;出站晶圓在本文中 出或經處理之晶圓。 ^ 1寻 二二中’存在兩個獨立傳送室:上部傳送 某此實施― % #送至具有兩個連接之腔室。在 卞一耳%例中,上部傳w 係出站傳送室。柄;π4/ 送室,且下部傳送室 兩個連接之腔室中之一去.. 板覆盍垓 。傳迗室真空泵116用於在操作 136484.doc 200935546 期間視需要對傳送室進行抽氣。 大氣閥門118提供自大氣環境1〇2至傳送室之接入。在所 展不之實施例中,使用外部安裝至小型環境之四門縫閥, 但可使用任何類型的門或閥,其中包括閘閥、滑動/、 轉門等。 ❹ ❹ 轉移模組經組態以附接至一或多個處理模組(例如,單 工作台或多工作台PECVD腔室、uv固化腔室等)。處理模 組可在轉移模組之多個界面位置/側處附接至轉移模組 咖。縫閥U2提供自轉移模組至處理模組之接入。可使用 ㈣恰#_或m在圖1中’每側具有兩個閥―允許 在傳送室與處理模組之間(例如,在傳送室之兩個腔室與 處理模組之兩個鄰近工作台之間)或在兩個處理模組之間 轉移兩個晶圓。轉移模組提昇總成120用於升高及降低轉 移模組之蓋罩128。在圖,由 ..„ 一 在圖1中,蓋罩降下(即,圖中未展 不轉移模組之内部)。直* 一二轉移機械手位於轉移模組之内 口P以在傳送室與處理描 模組之間或在處理模組之間轉移晶 圓。 轉移模組106維持在攻士 ,^ ^ ^ 在-人大軋壓力下,且在本文中有時稱 為真二轉移模組。韓 轉移槟組壓力通常介於760托至丨毫托之 間,但在某些實施例 一 該工具可用於更低的壓力範圍。 一入站晶圓在傳| & ^ ^ ^ 、中處於恰當位置,便使用傳送室真 工泵116將傳送室抽氣至 轉移至真空轉移模組。仔可隨後將晶圓 5 ^ ^ ^ 傳送至縫閥提供自轉移模組10ό 王得这至之接入。 移模 '、且真空泵124連同氣體質量流量 136484.doc 200935546 控制器(MFC)、節流閥及壓力計一起用於獲得並維持轉移 模組之所需壓力。一般而言,工具上或工具外真空泵均可 用於轉移模組。如此項技術中已知,存在各種用於控制轉 移模組中之壓力的方法。在一個實例中,MFC將恆定流量 之A氣體提供至轉移腔室中。壓力計提供關於轉移模組腔 至之壓力之反饋。真空泵每單位時間移除恆定體積之氣 體’以每分鐘立方呎為單位進行量測。節流閥藉由使用閉 路控制系統來主動地維持壓力設定點。節流閥讀取壓力計 之壓力反館’且基於來自閥之控制系統之命令,調節有效 孔對真空泵之打開度。 接入板126提供對電子器件機架之接入,該電子器件機 架含有控制系統,以控制晶圓處置操作,其中包括機械手 移動、壓力、定時等。控制系統亦可控制處理模組中所執 行之處理之一些或全部操作《根據各種實施例,控制器、 開關或其他相關電子硬體可位於其他地方。 圖2 a及2b係雙晶圓處置設備之額外示意圖,其展示大氣 環境102及轉移模組1〇6之内部視圖。圖2a及2b所示之設備 大致類似於圖1所示之設備,不同之處僅在於圖2&及21)之 δ又備之轉移模組的形狀是梯形的,以便允許較大接入238 區域服務於轉移模組。圖2a中未展示轉移模組提昇總成及 蓋’以及大氣環境機殼之一部分。 大氣環境或小型環境102含有大氣機械手232。轉移模組 含有真空機械手236。在圖2a所描繪之實施例中,大氣 機械手232具有一臂’其具有兩個鈒接腕,每—鉸接腕具 136484.doc •14- 200935546 有能夠攜載晶圓之葉板或其他端操縱器。真空轉移機械手 236具有兩個臂,每一者具有兩個能夠攜載晶圓之葉板。 大氣機械手能夠同時處置兩個晶圓,而真空機械手可同時 攜載多達四個晶圓。(本文所描述之設備及方法不限於該 $特定機械手設計,但-般而言,該等機械手中之每一者 月b夠同時處置及/或轉移及/或交換至少兩個晶圓。) ' 圖2a亦提供自歧管通向真UU6之導管244(亦稱為傳 送室泵前級管線)之局部視圖。雙真空泵116協力工作且用 於對兩個傳送室進行抽氣。根據各種實施例,雙泵可充當 單個系資源或可專用於特定傳送室以進行並行抽氣。圖孔 自相反側展示圖2a所示之設備之示意圖。在右上位置中展 示轉移模組提昇總成12〇及轉移模組蓋128。 圖3a至3f係展示將一對晶圓自F〇up輸送至晶圓轉移模 組並返回之雙晶圓輸送中之某些操作之圖形表示。圖“展 不具有轉移模組106、上部(入站)傳送室1〇4a、下部(出站) ❿ 傳送室104b及大氣環境1〇2之設備。亦展示了處理模組 33〇a及330be此時,在晶圓進入大氣環境1〇2之前,晶圓 位於例如FOUP 334中,該FOUP 334與大氣環境102介接。 大氣環境102含有大氣機械手332 ;轉移模組1〇6含有真空 機械手336。 如上文所指示,該設備能夠並行輸送及處理兩個晶圓。 大氣機械手及轉移模組真空機械手兩者能夠同時處置至少 兩個晶圓。 大氣機械手332具有一個臂,其具有兩個鉸接腕,每一 136484.doc 15 200935546 鉸接腕具有能夠攜載晶圓 … 或#片。真空轉移機械手 336具有兩個臂,其每—去 考八有兩個能夠攜載晶圓之葉 或抓爪。 、 大氣機械手自F0UP中取出兩個晶圓。(機械手自例如 FOUP、傳送室或處理工作么 <=»專位置取出晶圓之動作在本 ❹ ❹ 文中有時稱為,'拾取"動作,而機械手將晶圓置放至某-位 置之動作在本文中有時稱為"置放·,動作。該等動作在本文 中亦分別稱為,,取"及"放”動作。)依據機械手以及F0UP或 其他晶圓儲存裝置之布置㈣,該兩個晶圓可同時或逐個 取出。在圖㈣描繪之實施例中,舉例而t,大氣機械手 具有-個帶有兩個鉸接腕的[且能夠同時轉移兩個堆疊 晶圓’例如同時自F0UP拾取兩個堆疊晶圓。圖扑展示在 自FOUP轉移至上部傳送室1Q4a期間之具有兩個晶圓说, 及335之大氣機械手332。大氣機械手接著將該等晶圓置 放至上部傳送室10牝中以供減壓。此在圖孔中展示。每一 腔室中具有一個晶圓。一旦將晶圓置放在上部傳送室中, 便關閉上部傳送室之大氣門118a且對傳送室進行抽氣。當 達到所需壓力時,轉移模組側上之上部傳送室門12〇a打開 且轉移模組機械手106自上部傳送室拾取晶圓。圖3d展示 具有晶圓335,及335,,之轉移模組機械手1〇6。圖3&至3£中 所描繪之轉移模組機械手具有兩個臂(每一者具有兩個端 操縱器)且能夠同時保持四個晶圓。在所展示之實施例 中’上部傳送室沒有被動晶圓居中,每一晶圓之傳送室中 亦不存在獨立之2驅動。在某些實施例中,真空機械手同 136484.doc -16· 200935546 時拾取晶圓,且若在傳入傳送室中存在兩個晶圓,則無法 選擇性地拾取一個晶圓。然而,依據機械手及系統而定, 轉移模組機械手可同時或連續拾取每一晶圓。而且,依據 機械手及系統而定,機械手可使用一個帶有兩個端操縱器 的臂來拾取兩個晶圓,或每一晶圓可由不同臂拾取。在自 入站傳送至中拾取未經處理之晶圓之後,轉移模組機械手 藉由旋轉晶圓並將其置放在處理模組中而將晶圓轉移至處 ❹ 理模組,即處理模組33〇a或處理模組330b。雖然圖“至化 中未描繪,但亦可存在第三處理模組,其連接至轉移模 組。該等晶圓接著在處理模組中經受處理。圖饤展示晶圓 可能在處理模組330a中經受之動作序列之實例。首先,將 晶圓335,置放在處理模組33〇3之工作台338中,且將晶圓 335置放在處理模組33〇a之工作台34〇中。晶圓接著在該 等工作台處經受處理。晶圓335”自工作台34〇移動至工作 台344,且晶圓335,自工作台338移動至工作台342,以供進 Φ 步處理。晶圓接著返回至其原始工作台以由轉移模組機 械手拾取以供轉移至出站傳送室或轉移至處理模組330b以 供進一步處理。為了清楚起見,當工作台未由晶圓335,及 335佔據時,圖中將工作台描繪為"空"的,在操作中,所 •有工作台通常由晶圓填充。圖3f中說明之序列僅係可與本 文所描述之設備一起使用之可能序列之實例。轉移模組機 械手拾取兩個晶圓以供同時轉移至傳送室。拾取動作可同 時或連續發生。機械手接著旋轉以將經處理之晶圓置放在 傳送室中。同樣,根據各種實施例,該等動作可同時或連 136484.doc -17- 200935546 續發生。圖3e展示經由下部傳送室門12〇b而置放在出站 (下部)傳送室104b中之現經處理之晶圓335,及33s,,。在置 放至彼處之後,關閉所有傳送室閥或門且將出站傳送室排 乳(增壓)至大氣壓力。晶圓亦可在此處冷卻。接著打開出 站傳送至之大氣門118b,且大氣機械手拾取經處理之晶圓 並將其轉移至FOUP中之恰當位置。 <應庄意’本文中論述之具有多個處理腔室之雙晶圓處理 ❹ ❹ 設備及方法可用於進行並行或循序處理。在並行處理方案 中’-組晶圓在-個處理模財進行處理且接著返回至 FOUP ’㈣其他組晶圓並行地在其他處理模組中進行處 =。在循序處理方案中,—組晶圓在—個處理模組中進行 =且接者轉移至另—處理模組以供在返回至大氣條件 前進行進—步處理。混合之並行/循序序列亦為可能 步例如其中使用兩個處理模組(ΡΜ1及ΡΜ2)來進行並行 處理且接著將來自今·耸虑 , “專處理模組之所有晶圓轉移至第三處 理模組(ΡΜ3)以供進—步 理所右曰㈤ 7後里同樣’第一處理模組可處 里所有日曰圓’該晶圓接著被傳 行處理。 盱疋王弟一或第二模組以供並 單向流動 在某些實施例中,在單向操作 表1中給出單向流動 使用傳送至。以下 械手及轉·“ 出站傳送室、大氣機 轉移核組機械手動作之實例。 136484.doc -18- 200935546 表1 :單向流動操作中之機械手及傳送室動作 ATM機械手 傳入LL(上部) 傳出LL(下部) TM機械手 FOUP 拾取(1) 排氣(空) TM機械^ 下部LL置放(臂2) 上部LL置放(2) ATM機械^— 排氣/冷卻(晶圓) PM拾取(臂2) 下部LL拾取 抽氣(曰曰曰圓)(3) ATM^^fT---~~ PM置放(臂1) FOUP置放 ΤΜ機械手(4) 抽氣(空)'~~ 上部LL拾取(臂1)(4) FOUP拾取 排氣(空) TM機械手 下部LL置放(臂2) 上部LL置放 ATM機械手 排氣/冷卻(晶圓) PM拾取(臂2)(1’) 下部LL拾取 抽氣(晶圓) ATM機械手 PM置放(臂1)(5) FOUP置放 TM機械手 抽氣(空) 上部LL拾取(臂1) FOUP拾取 排氣(空) TM機械手 下部LL置放(臂2)(2,) 上部LL置放 ATM機械手 排氣/冷去(晶圓)(3,) PM拾取(臂2) 下部LL拾取(4’) 抽氣(晶圓) ATM機械手(4,) PM置放(臂1) FOUP 置放(5’) TM機械手 抽氣(空) 上部LL拾取(臂1) 表1呈現單向操作模式之序列之實例,其中轉移模組機 械手移交序列為處理模組(晶圓交換)今傳出傳送室(置放經 處理之晶圓傳入傳送室(拾取未經處理之晶圓)。此係一 個可能序列之實例,且其他序列亦可與本文描述之雙晶圓 0 冑置設備-起使用。在特定實例中,轉移模組機械手移交 序列為處理模組(晶圓交換傳入傳送室(拾取未經處理之 晶圓)4傳出傳送室(置放經處理之晶圓)。 各打可看作大致同時發生或重疊之操作^各列展示㈣ 手或傳送室執行之操作序列。當然,在任何系統中,該等 操作不鲶兀全重疊,且該等模組中之一或多者可閒置或者 稱後開始或結束。另外,應注意,未展示某些操作。未展 示機械手必須執行以到達箱、傳送室及處理模組之旋轉及 平移動作。描述'TM機械手'或·ΑΤΜ機械手'可指代傳送室 136484.doc -19- 200935546 經受之動作--打開及關閉恰當的門—以及准許機械手端操 縱器拾取或置放晶圓。 在該表中步驟1至5中追蹤一對未經處理之晶圓自f〇uP 通往處理模組之路徑。 1 ,ΑΤΜ機械手FOUD拾取 2. -ATM機械手上部傳送室置放 3. -上部LL抽氣(見圖3c) 4. -TM機械手拾取 5. -TM機械手處理模組置放 在該表中步驟1'至5 ’中追縱一對經處理之晶圓自處理模 組通往FOUP之路徑。 1 '-TM機械手處理模組拾取 2'-TM機械手下部LL置放
3’-下部LL排氣/冷卻(見圖3e) 4ΊΤΜ機械手下部ll拾取 5'-ATM機械手F〇up置放 旦將傳出晶圓移交至大 如自表】中可見,舉例而言, -,mm jC. y yr 氣機械手’便接著可將傳送室進行抽氣其不必等到大氣 機械手完成其動作才進行抽氣。 、 向細作中,當大氣機楠丰 你! h〜 械手將經處理之晶圓置放在FOUJ^
其他五中並自盒中取屮不加丄 A ^ ^ 出兩個未經處理之晶圓以供置放f值 送室中時’傳送室係供置放至傳
種機械手及傳送室動作。下文描述根據某些實施例各 傳入3LL 136484.doc •20· 200935546 抽氣.使上部傳送室中之壓力自大氣壓力降低至預定之 次大氣壓力。如下文參看圖6a及6b描述,藉由穿過基座周 圍之窄隙吸出氣體來對傳送室進行抽氣。將氣體抽吸至基 座下方之較大橫截面環中,且接著將其自側面抽出。此保 持流動自晶圓向外(自晶圓中心徑向流動)及向下·_以避免 . 隸何微粒向上&取至晶圓上。此減操作係快速的。 排氣:將上部傳送室自次大氣壓力排氣至大氣壓力。不 ❹ 存在任何晶圓。如下文參看圖6a描述,可快速地對上部傳 送室進行排氣。如同抽氣操作,排氣操作係非常快速的。 傳入LL動作之定時之實例(秒): 打開/關閉VAT閥(通往大氣環境的閥):ο』 打開/關閉縫閥(通往轉移模組的閥):〇 5 檢驗縫閥是否關閉、排氣、檢驗是否處於大氣壓力:若 干秒
檢驗VATP〗是否關閉、抽氣及轉移模組壓力匹配:若干秒 傳出LL 排氣/冷卻:將下部傳送室自次大氣壓力排氣至大氣壓 力。排氣係藉由使例如氦氣及/或氣氣等氣體流動至腔室 中來進行IL氣穿過晶圓上方之8吋直徑之環形間隙進 "IL動在Sa圓上方自上至下且徑向向外以避免將微粒向 上沒取至晶圓上。晶圓進入下部傳送室,其需要自處理冷 卻。在-個實施例中,首先將氦氣作為熱量轉移氣體排入 腔室内到達中間壓力。接著當晶圓冷卻時停止氣體流動。 136484.doc •21 · 200935546 接著使氮氣流動以使壓力上升至大氣壓力。 抽氣.將下部傳送室自大氣壓力抽氣至預定之次大氣壓 力。腔室為空的。 傳出LL動作之定時之實例(秒): 打開/關閉VAT閥(通往大氣環境的閥):〇 5 打開’關閉縫閥(通往轉移模組的閥):0.5 ❹
檢驗縫閥是否關閉、He排氣、檢驗是否處於大氣壓力: 若干秒 檢驗VAT門是否關閉、抽氣及轉移模組壓力匹配:若干秒 ATM機械手 FOUP拾取:大氣機械手自F〇up或其他盒拾取兩個堆叠 之未經處理之晶圓U實施例中,端操縱器以一者在 另一者頂部之方式堆疊且同時拾取堆疊之晶圓。在拾取晶 圓之後,端操縱器相對於彼此旋轉,且臂旋轉以將晶圓置 放在上部傳送室中(見圖3b,其展示保持兩個晶圓準備就 緒以將其置放至上部傳送室中之單臂雙端操縱器機械 手)。 上部LL置放:大氣機械手將晶圓置放至上部傳送室腔室 中。在某些實施例中,第一—端操縱器延伸至上部傳送室 之腔室中且將晶圓下降至支架上。該端操縱器接著自傳送 室縮=,纟第二端操縱器延伸至上部傳送室之另一腔室中 左晶圓及右晶圓。機械手因此以任何次序連續置放 I36484.doc -22· 200935546 ❹ ❹ 下部ll拾取:大氣機械手自下部傳送室腔室拾取晶圓。 $某些實施例中,第一一端操縱器延伸至下部傳送室之腔 室中且自基座拾取晶圓。該端操縱器接著自傳送室縮回, 且第二端操縱器延伸至下部傳送室之另一腔室中且自基座 拾取晶圓。機械手因此以任何次序連續拾取左晶圓及:晶 圓。在某些實施例中,機械手使用關於下部傳送室中每一 晶圓之置放的資訊來在拾取動作期間校正晶圓位置。接著 旋轉大氣機械手臂以將晶圓置放在F〇up中。 F〇UP置放:大氣機械手將晶圓在中置放至堆叠位 置中。在-個實施例中’同時置放兩個晶圓。 ATM機械手動作之定時之實例(秒): 自傳入LL轉至傳出LL : 0.5 自傳出LL取出晶圓:5.9 自傳出LL轉至盒:1 將晶圓放入盒中:3 ·' 0.3 縮回並在Z方向上移動以準備自盒中"取出 自盒中取出晶圓:2.5 自盒轉至傳入LL : 1.3 將晶圓放入傳入LL中:6.5 轉移模組機械手 上部LL拾取:轉移模組機械 s L A 侧于將個雙端操縱器臂延伸 至上口p傳送室中且將晶圓自 此 系柃汁至端操縱器上。在某 二實施例中,當一個臂延伸至 5 m 寻送中時,另一個臂移動 至縮回位置。圖3g展示雙臂雙端 叉峒徕縱态機械手’其中一個 I36484.doc -23. 200935546 臂延伸(例如,至傳读 #送至或處理模組中以進行拾取或置放 自上邱傕·固臂縮回。在表1所示之方案中,-個臂專用於 中m 取出未經處理之晶圓並將其置放在處理模組 將另—f專用於自處理模組取出經處理之晶圓並 將其置放在下部傳送室中(臂2)。在其他實施例中,兩個f 均可用於經處理及未經處理之晶圓。在表!所示之方案 ❹ ❿ 中’在上部傳送室拾取動作之後’臂1縮回且臂2延伸至下 部傳送室中以將經處理之晶圓置放在彼處。 下部LL置放:轉移模組機械手將臂2_•在每一端操縱器 上具有-處理晶圓“延伸至下部傳送室中,並將晶圓置放 在彼處。在某些實施例令’此係同時進行。可量測每一晶 圓傳送室之位置資訊’並儲存以供大氣機械手在拾取晶圓 時使用。接著定位機械手以進行處理模組拾取動作。 處理模組拾取:轉移模組機械手將臂2延伸至處理模組 中、,且拾取兩個經處理之晶圓。在某些實施例中,此係同 時進行。在表1所示之方案中’於處理模組拾取之後,轉 移模組機械手將未經處理之晶圓置放至處理模組中。 處理模組置放:轉移模組機械手將臂卜具有兩個未經 處:之晶圓延伸至處理模組中,且藉由使晶圓下降至工 作口上或藉由工作台中之晶圓支撑件將晶圓提離端操縱 器’而將晶圓置放在工作台處(如圖4中)。在某些實施例 中循序進行置放動作以允許在每一置放動作中進行位置 校正。 各種轉移模組機械手動作之定時之實例(秒): 136484.doc -24- 200935546 自傳出LL轉至傳入LL : 1.2 自LL轉至腔室1(處理模組)且轉至ll(9〇。): ^ 8 自LL轉至腔室2且轉至LL(180。): 2.8 傳入LL "取出"(拾取):4.3 傳出LL "放入"(置放):4 3 將經處理的換成未經 晶圓交換(在處理模組或腔室處 處理的):8.5
圖1至3g及相關聯論述提供對本文論述之雙晶圓處理設 備及方法之廣泛概述。輯各種實施例之轉移方法之細節 已被省略’且在下文中作進—步詳細論述,其中包括晶圓 拾取及置放動作、晶圓對準、增壓及減麼循環等。下文亦 論述根據各種實施例之設備之額外細節。 堆疊式傳送室 在某些實施例中’提供堆叠式獨立傳送室。該等傳送室 可在所描述之雙晶圓處置系統中使用。具有多個傳送室之 卓晶圓處置器可並排置放傳送室,從而允許傳送室上方及 下方之工間用於多種效用及機制。雙晶圓處置器通常使用 :具有多個支架之傳送室。此限制系統之處理量,因為排 :卻、抽氣及機械手交換對於所有傳入及傳出晶圓均 ,發生。系統之整個傳送室必須等到真空及大氣兩者 下完成多個晶圓交換才能進入下-個操作。舉例而言,藉 由使用單個具有多個支架之傳送室,在排氣/冷卻之後具 有出站晶圓時: 、 1 ·大氣門打開 136484.doc -25· 200935546 2. 大氣機械手自傳送室拾取兩個出站晶圓 3. 大氣機械手將出站晶圓移動至儲存盒 4. 大氣機械手將出站晶圓置放在儲存盒中 5. 大氣機械手自儲存盒拾取兩個入站晶圓 6. 大氣機械手將入站晶圓移動至傳送室 7·大氣機械手將入站晶圓置放在傳送室中 8 ·大氣門關閉並抽氣 ❹
在::序列期間’當大氣機械手執行晶 :閒傳送室在真空側進行晶圓交換期間亦必 及二室亦在抽氣及排氣/冷卻期間使傳- 上下移又污染。一些傳送室設計要求分度器 下移動阳圓,從而增加複雜性。 室Χ圖3、 例之晶81處置設備包括堆叠式獨立傳送 室。^由❹中之傳送室购及祕係堆疊式獨立傳送 ㈣藉由以一者在另_者頂部之方式堆疊獨 統操作(例如’抽氣、排氣/冷卻、晶圓交換)得以去搞,ί 终並行執行各種操作,進而允許增加處理量。 :習知傳送室在傳送室腔室上方及下方具有多種效用 :::以將需要較大垂直空間來堆疊習知獨立傳送 積之鑪 較大的Z方向轉移模組機械手,以及較大容 積之轉移模組及傳送室。堆疊式 = 離上部傳送室及下部傳送室,且經:二;:十緊f地隔 氣。根據各種實施例 》抽乳及排 交平面具有較小距離,例:=傳送室距每-傳送室移 如大約65 mm。此允許一轉移模 136484.doc • 26 - 200935546 組機械手臂(或兩個轉移模組機械手臂,若存在兩個)到達 上部及下部傳送室兩者。 根據各種實施例’本文描述之堆疊式傳送室總成具有以 下特徵中之一或多者: 雙晶圓容量:傳送室可保持雙晶圓(並排)容量。因此對 於雙處理里很重要,因為兩個晶圓並排經歷晶圓處置及處 理。(見圖3a至3f)。 ❹
獨立循環之堆疊式傳送室:上部傳送室與下部傳送室彼 此隔離,且在必要時獨立循環(例如,上部傳送室處於真 空條件下,而下部傳送室處於大氣條件下)。 緊湊型設計:傳送室總成經緊湊設計,從而與習知多傳 送室系統相比降低了…另外,移交平面之間的距離較 小’從而不需要具有較大z方向自由度之機械手。腔室容 積亦可較小’使得可使用小泵。舉例而言,在組合傳送室 之兩個腔室的情況下’上部及下部傳送室容積可為約6〇 至10 L。在-個實财,上部傳送室容積為65 L,且下部 傳送室容積為約7.3 L。 ^個中〜板.堆疊之腔室由單個中心板分隔開。在雙晶 圓今量傳送至左上傳送室腔室與左下傳送室腔室由單 個板分㈣’右上腔室與右下腔室亦如此。在某些實施例 中’除了隔離腔室以外,單個中心板亦可具有額外功能 性,包括提供用於徑向抽氣及排氣之環帶。 針對單向流動而最佳化:單向傳送室處置僅在一個方向 上轉移之晶圓-入站(大氣環境至轉移模組)或出站(轉移模 136484.doc -27- 200935546 組至大氣環境入站傳 化,且出站值、笨—逆至之機械汉叶針對抽氣而最佳 1苹之機械設計針對排氣及冷卻而最佳化。 在某二實施例中,上部傳送室針對入站 下部腔室針對出站晶圓而最佳化。 被佳化且 徑向抽氣及/或排氣:傳送室採用徑 減少微粒污染。在某歧實 1及/成排乳來 . 量自曰圓由… 站傳送室抽氣流動向 氙' 住向且均勻發出。類似地,出站傳送室排 ❹"圓中心處發出,所為該等流動 他區域輸送至=。==質不會_室腔室之其 / 肖於羊向流動’貝1J晶圓之微粒污染 僅需在入站傳送室中進行抽氣期間及在出站傳送室中進行 排氣期間考慮。在鞏此杳β,, i m订 栌以藉、二 列中’傳送室總成具有環形凹 槽以藉由扼制抽氣或排氣流動來促進徑向抽氣或排氣。 圖一展示具有堆叠式獨立傳送室之傳送室總成之實 例。在圖域财,傳送室總成之轉移模組側面向前方。 ❿上文所描述’每—傳送室具有兩個連接之腔室。蓋114 2一者覆蓋上部傳送室之-個腔室。縫閥以展示允許在 傳送室之左側自傳送室接入轉移模組的閱。圖中未展示位 =右側的閥以提供外殼咖及位於外殼45时之傳送室總成 # : 452之視圖。在某些實施例中,縫閥可獨立控制,但 、乳動方式系在-起。通往傳送室杲之隔離歧管…用於 均衡及抽氣操作。側端口4S6允許觀看到傳送室内部。下 部傳送室提昇機制458用於將晶圓自冷卻板處升高及降低 以允許機械手端操縱器穿過空隙拾取及置放晶圓。此允許 136484.doc -28- 200935546 冷部板不針對端操縱器切割出較大空隙。 整個堆疊式獨立傳送室總成 5吋之古_ ^ f緊凑的—對於腔室具有約 充閥致動器高於所描緣之實施例。開哺 刀也^在-起,使得不需要具有較h方向自由声之 機械手。晶圓移交平面係機械手自傳送室拾取 二 板置放至傳送室中所在之平面 或將基 上〇丨移乂平面與下部 平面之間的距離係重要的,因
為’、界疋將日日圓轉移到達或 開錢下部傳送室兩者之機械手臂必須具有的垂直自 由度之最小量。 圖以展不根據某些實施例之堆疊式傳送室總成之正視 圖。上部傳送室具有兩個腔室心及⑽,且下部傳送室 具有;^個腔室_及_。傳送室外殼邮提供用於界定 傳送室之頂板及底板的板之框架或支撲件。外殼亦具有用 :供晶圓進出之開口。在圖5a描繪之實施例中,外殼亦界 定上部及下部傳送室兩者之側壁且含有用於兩個傳送室之 排氣及抽氣通道。外殼可為單片式或多片式。上部傳送室 腔室502a經由中心板506a而與下部傳送室腔室5〇牝分隔 開;傳送室腔室5〇2b經由中心板506b而與下部傳送室腔室 5〇4b分隔開。除了分隔上部真空腔室與下部真空腔室之 外,中心板亦經設計以用於兩側上之真空及大氣壓力在兩 個方向上循環。在圖5a描繪之實施例中,堆疊式傳送室具 有分隔每一對堆疊腔室之單個中心板(即,一個中心板分 隔右側上之上部腔室與下部腔室且另一個中心板分隔左側 上之上部腔室與下部腔室除了分隔上部腔室與下部腔 136484.doc -29- 200935546 室之外,中心板亦係上部傳送室之晶圓基座。圖5b展示上 部板514、中〜板506、下部板516及外殼505之分解圖。使 用單個中心板允許晶圓移交平面之間的距離較小_·在圖5a 描繪之實施例中’移交平面之間的距離為約65 mm。 在圖5a描繪之實施例中,令心板為單個整體式可移除 板,其經組態以允許下文描述之抽氣及排氣;然而,在其 . 他實施例中’多個薄板可用於隔離上部傳送室與下部傳送 室。上部板或蓋5143及514*>覆蓋上部腔室,且底部板515a 及515b形成下部腔室之底板。底部板51&及51讣亦可具有 冷卻機制。上部腔室502a及502b係流體連通的,下部腔室 504a及504b亦如此。 通道508a及508b係用於上部傳送室腔室之排氣通道。氣 體經由入口 512引入,並經由該等通道排入上部傳送室腔 室中。通道510a及510b係用於上部傳送室腔室之抽氣通 道氣體經由傳送室真空泵(未圖示)抽吸並經由歧管S14離 Ο Μ到達出σ 516。根據某些實施例之抽氣及排氣設計在下 文中進-步描述。用於下部傳送室之抽氣及排氣通道位於 上部傳送室通道後方’且未在圖5a中展示,但在下文中進 乂描述。圖5a亦展不提昇機制518及真空縫閥外殼52〇。 如上文所指示,堆疊式傳送室總錢緊湊的。總成之大 J可由以下各項中之一或多者表徵:高度(下部傳送室板 之底部至上部傳送室板之頂部);上部傳送室晶圓移交平 面與下部傳送室晶圓移交平面之間的距離;上部傳送室開 口與下部傳送室開口之間的中心至中心距離;腔室容積; 136484.doc -30-
心距離 200935546 左腔室與右腔室之間的中心至中心距離; 腔室之總深度。在圖5a描繪之實施例中, 高度:6.2吋 上部與傳送室移交平面之間的距離:65 上部傳送室開口與下部傳送室開口之間 離:2.4吋 腔室容積:6.5 L上部傳送室(兩個腔室); 左腔室與右腔室之間的中心至中心距離 所有板之直徑孔:13.2时 腔室之總深度:14.75吋 根據各種實施例,該等尺寸之範圍如下 高度:約4至1 0吋 上部傳送室移交平面與下部傳送室移 離:約 30 mm至 1〇〇 mm 上部傳送室開口與下部傳送室開口之間 離:約 30 mm至 1〇〇 mm
腔室容積:約3.0 L至20.0 L 左腔室與右腔室之間的中心至中 所有板之直徑孔:約12至15吋 腔室之總深度:約12至20吋 在某些實施例中,該等雙晶_ :動零件。舉例而言,纟某些實施令 至沒有活動零件,而僅有用於使機本 136484.doc 板直徑孔;以及 尺寸如下: mm 的中心至中心距 7.3 L下部傳送室 :19吋 乏平面之間的距 的中心至中心距 ••約12至30对 之一或多者沒有 傳入或上部傳送 P晶圓設置在上面 -31 - 200935546 的支架纟中在支架下方具有用於端操縱器之空隙 5a描繪之實施例中,下部傳送室具有提昇機制,其實二 好的冷卻效能。然而,根據各種實施例,若在移動穿 出傳送至之則或之後在傳送室外部進行冷卻或者若不必要 心亍冷部,則傳出傳送室將不需要活動零件。 在某些實施例中’該等傳送室之—者或兩者中之晶 推件係-對支架。晶圓之大部分下方之空間允許機械手臂 ❹纟下方動以拾取或置放晶圓。下部傳送室中之提昇機制 形成此支架以獲得機械手空隙,同時亦允許經由到達晶圓 之較小間隙將晶圓置放在冷卻板上。 用於徑向均勻上下流動之環形設計 在習知傳送室系統中,傳送室上方及下方之空間通常用 於多種效用及機制多個獨立傳送室可並排置放,或需要 具有較大Ζ方向運動之機械手以拾取及置放晶圓(或垂直平 移之傳送室)。期望對於機械手(且尤其對於轉移模組機械 Ρ 手)不要求具有較大2方向自由度。 每一傳送室需要用於抽氣(以在開放至轉移模組之前降 低壓力)及排氣(以在開放至大氣環境之前升高壓力)之機 制快速抽氣可產生穿過傳送室腔室之高速度端流。若未 謹慎管理流動向量,則可能在抽氣期間將外來物質輸送至 晶圓表面。類似地,排氣可產生高速度端流,其可能會將 微粒輸送至晶圓表面。習知傳送室經常具有用以對傳送室 腔至進行抽氣之中心抽氣端口及/或用以對傳送室腔室進 行排氣之中心排氣端口。習知傳送室亦可使用在腔室上由 136484.doc •32- 200935546 燒結金屬製成之排氣擴散器。 根據各種實施例’本文描述之傳送室每一者具有排氣及 抽氣端口以及准許緊湊型設計之流動通道。值得注意,根 據各種實施例,該設計不需要中心抽氣/排氣端口來確保 徑向流動。根據各種實施<列,傳送室總成$有用於在抽氣 期間提供均勻之徑向上下流動之抽氣環帶及/或用,於在排 氣期間提供均勻之徑向上下流動之排氣環帶。流動向量經 ❹ ❹ 管理以使得流動均勻地自晶圓中心發出。流動亦係自上向 下的,使得在抽氣期間向下載送任何微粒並離開腔室。圖 以錢展示用於如圖43至53所示之堆疊式傳送室總成之抽 乳及,氣設計,其中圖以祕展示用於上部傳送室之抽氣 =排氣設計,且圖〜錢展示用於下部傳送室之 氣設計。 ^ =⑽明用於傳送室之減環帶設計。在圖6_b 實施财,該抽氣環帶設計係用於上部傳送室的。 描述’上部傳送室腔請2經由中心板㈣ 至腔室咖分隔開。在抽氣期間,穿過晶圓位置之 之間)之^圍(在此情況下在中心板606與傳送室外殼605 )裒形間隙谷64(亦稱為if、*、_! 下方 … 稱為;衣形通道)抽吸氣體。在氣體 裱形腔室660及出口端口610,其中環形腔室 叫腔室周圍延伸。環 其中衷I腔至 形成。出口端口由中心板斷之環形凹槽 006邀僅 通在堆疊式總成下方之歧管。中心板 與傳送室外殼605之間 隙664係緊密的。㈣穿^ 4衣帶及出口端口之間 由穿過此緊密間隙抽氣,扼制流動傳 136484.doc • 33 - 200935546 導性以迫使在晶圓周圍之所有徑向點處形成平穩抽氣。虛 線箭頭展示自晶圓中心徑向向外延伸至環帶且接著到達出 口端口之流動路徑。(下文在圖7a及7b中論述之下部傳送 室流動通道在圖6&中不可見、 圖6b展示抽氣環形間隙及環形腔室之近視圖,其中包括 上部傳送室腔室602、中心板606、環形間隙或通道664及 環形腔室660。亦展示〇形環676。環形間隙之高度及寬产 ❹ 在環帶周圍係均勻的且經最佳化。環形間隙之確切尺寸^ 決於包括流動速率、腔室容積、腔室直徑等因素。在圖讣 描繪之實施例中’寬度為約0.03吋,且高度為約〇25对。 使用緊密環形間隙來扼制流動迫使流動為徑向的。間隙下 方之環形腔室提供用於維持均勻且平穩流動之緩衝區。在 特定實施例中’環形間隙位於晶圓表面下方,使得抽氣流 動為自上向下的’以便增強微粒控制。 緊密環形間隙之寬度足夠小以迫使流動為均勻且徑向 〇 的’同時保持間隙上之壓降處於製造容差内。若間隙過 大,則所有氣體在最靠近抽氣端口之側向下流動。非常小 的間隙(例如,大約5至10密耳)可形成可能難以管理之壓 % °在某些實施财L大小經設相使得流動為徑 向广且向下朝向各處移動,從而降低或最小化微粒風險 (若不足夠小以致完全均勻)。 返回圖6a,上部板614中之環形腔室668用於對上部傳送 室進行排氣—來自人π端口 6⑽之氣體自環形腔室⑽穿過 環形間隙674且到達上部傳送室腔室6〇2中。環形腔室及環 136484.doc -34· 200935546 形間隙促進徑向排氣。環形間隙扼制流動,從而 穿過環形腔室並徑向排放至腔宮φ μ 之軋體 W 腔至中。在僅人站傳送室(如 :广中所使用)中,徑向排氣不如徑向抽氣關鍵,因 為在排軋期間在傳送室中泠古S間 至H日圓,但當atm門打開時向 • 仏提供均句之流動幕簾仍可能有利。在排氣期間,在 #入傳送室中沒有晶圓’因此較少需要流動控制。然而, 當傳入傳送室ATM門打開時,氣體流動接通至傳送室,兑 ❹=處形成幕簾以防止空氣傳…、型環境中之空氣相對 較月潔’但含有氧氣、水及可能在傳送室(在抽氣期間)、 轉移模組及處理腔室中不合需要之其他成分。藉由提供清 潔惰性氣體(例如氮氣或氬氣)之幕簾,防止大部分不良, 體進入傳送室。因為當ATM機械手將晶圓置放在傳送= 時晶圓穿過此幕簾,所以如所描述管理此幕簾處之流動向 量意謂-股氣流並不直接指向晶圓。在其他實施例中,入 站傳送室排氣流動並非徑向。 〇 在某些實施例中’環形間隙寬度在約时之 範圍内。在某些實施例中,環形腔室之矩形橫截面可具有 介於約0.25M.5对之間的尺寸。舉例而言,在特定實施例 • 中’環形腔室具有1.5x〇_5吋之矩形橫截面。 - H7a及7b說明用於傳送室’尤其用於圖7认八描繪之實 施例中之下部傳送室之排氣擴散器設計。上部傳送室腔室 702經由中心板706而與下部傳送室腔室7〇4分隔開。中2 板706含有上文描述用於對上部傳送室腔室7〇2進二抽氣二 環形凹槽。氣體供應端口 711位於傳送室之側面上。2體 136484.doc -35- 200935546 穿過環形腔室784排放且接著穿過位於傳送室腔室之頂板 周圍之間隙786(亦稱為環形通道)引入至下部傳送室腔室 7〇4曰°此間隙之幾何形狀將流體向量自頂板引人並使其朝 〇圓中^,在晶圓中心處該等氣體向量向下朝向晶圓之 卩表面彎曲。該等流動向量在圖中由虛線指示。藉由穿 4緊密間隙進行排氣,扼制流動傳導性以在晶圓頂部周圍 之所有徑向點處形成平穩排氣。流動自晶圓頂部發出,從 ❹、而:微粒或其他外來物質推離晶圓並防止將外來物質自傳 送室腔室之其他區域輸送至晶圓。(上文論述之上部傳送 室入口及出口端口在圖乃中不可見 —:7b中展示間隙及環形腔室之近視圖,其中虛線箭頭指 不流動向量。排放之氣體自供應或入口端口 711進入並穿 過通道713引導至環形腔室784。接著穿過環形間隙加將 氣體引入至傳送室。㈣係階梯式的,使得流平行於晶圓 進入腔室,所得流動向量在圖7a中展示。因為緊密^扼 〇 制流動,從而用排放之氣體填充環形腔室784,所以在晶 圓上方徑向並均句地引人氣體。間隙可在晶圓上方延伸, 使得氣體進入腔室之進入點在晶圓之邊緣與中心之間。在 一個實例中,對於3〇〇 mm晶圓而言,進入點處於約8吋 (〜200 mm)直徑。 在圖7b描繪之實施例中,下部傳送室針對單向流動中之 出站晶圓而最佳化。在出。端口別處自側面對下部傳送 室進行抽氣一因為該傳送室針對出站晶圓而最佳化,所以 通常在抽氣操作期間不存在晶圓且因而流動向量對於管理 136484.doc •36- 200935546 污染並不關鍵。 在:上各圖描綠之堆叠式傳送室總成中,如上文論述之 =中心板用於分隔上部腔室與下部腔室。此板亦形成上 傳送室抽氣環帶及下部傳送室排氣環帶之㈣中 .^板亦形成用於抽氣流動扼制之間隙且充當排放氣體流動 扼制路徑及機械擴散器。 上文已經在具有針對入站晶圓而最佳化之上部傳送室及 針對出站晶圓而最佳化之下邱僮、芝^ © 认 之下°卩傳送室之堆疊式傳送室總成 ?上二文中描述了在抽氣及排氣期間用於均句徑向流動之 裱形叹计。根據各種實施例’在其他類型之傳送室總成中 使用排氣及/或抽氣之環形設計。舉例而言,單個堆属式 或非堆疊式傳送室可具有兩個環形間隙及腔室來在抽氣及 排乳期間管理流動向量(一個此類實施例上文在圖63中展 不’其具有抽氣環帶及排氣環帶)。熟習此項技術者亦將 自以上描述中瞭解如何針對出站晶圓而最佳化㈣式傳送 © 室總成之上部傳送室及針對人站晶®而最佳化下部傳送 室。 ’’’、了形成上下w動以將微粒推離晶圓,環形間隙通常位 於晶圓支撐件下方以用於抽氣,且環形氣隙通常位於晶圓 切件上方以用於排氣。然而,在某些實施例中,環形氣 隙可以其他方式置放(例如,由於其他設計考慮因素的緣 故)。在另一實例十’在某些實施例中’傳送室可具有環 形間隙及腔室以供與用於另一操作之中心端口組合進行抽 氣。該設計可與單向傳送室及雙向傳送室兩者—起使用。 136484.doc •37· 200935546 在以上各圖中,環形間隙由板及傳送室外殼或側壁界 定:圖63及补中之上部傳送室抽氣間隙664由中心板及外 殼或側壁界定,圖7&及7b中之下部傳送室排氣間隙786亦 由中心板及側壁界定,且圖6a中之上部傳送室排氣間隙 . 674由上部板及外殼或側壁界定。環形腔室由中心板或上 部板中之環形凹槽形成。根據各種實施例,環形間隙及腔 至可由任何恰當結構(例如,傳送室外殼中之環形凹槽)形 成,該結構可用於形成如上文描述之流動路徑❶可使用任 何扼制穿過環形間隙之流動的結構。 在某些實施例中,環形間隙(環形通道寬度)在約〇〇〇5至 0.0 5 0 寸之$巳圍内。在某些實施例中,環形腔室之矩形橫 截面可具有介於約〇_25至1.5吋之間的尺寸。舉例而言,在 特定實施例中,環形腔室具有〇.5χ〇5吋之矩形橫截面。 【圖式簡單說明】 圖1係根據各種實施例雙晶圓處置設備及其組件之外觀 ❹ 之示意圖。 圖2a及2b係根據各種實施例雙晶圓處置設備之示意圖, 其展示大氣環境及轉移模組之内部視圖。 圖3 a至3e係展示根據某些實施例執行將一對晶圓自儲存 盒輸送至晶圓轉移模組並返回之雙晶圓輸送中之某些操作 的雙晶圓輸送設備之俯視圖之圖形表示。 圖3f展示根據本文所描述之方法及設備之某些實施例一 對晶圓可能在處理模組中經歷之動作序列之實例。 圖3g展示兩臂雙端操縱器轉移模組機械手之示意圖,其 136484.doc •38- 200935546 —雙端操縱器臂處 中一個雙端操縱器臂處於延伸位置且另 於縮回位置。 圖及㈣根據某些實施例堆疊式傳送室之示意圖。 圖5a及5b係根據某些實施例堆疊式傳送室之示意圖。 圖“及6b係說明根據某些實施例用於上部傳送 及排氣設計之示意圖。 ^ 圖⑽係說明根據某些實施例用於下部之 及排氣設計之示意圖。 氧 Ο
【主要元件符號說明】 102 大氣環境 104 傳送室 104a 上部(入站)傳送室 104b 下部(出站)負載 106 轉移模組 108 箱加载器 110 空氣入〇 112 假底板 114 板/蓋 116 傳送室真空泵 118 大氣閥門 118a 上部傳送室之大氣門 118b 出站傳送室之大氣門 120 轉移模組提昇總成 120a 上部傳送室門 136484.doc -39- 200935546
120b 下部傳送室門 122 縫閥 124 轉移模組真空泵 126 接入板 128 轉移模組蓋/蓋罩 130 傳送室縫閥 232 大氣機械手 236 真空機械手/真空轉移機械手 238 接入區域 244 導管 330a 處理模組 332 大氣機械手 334 前開式統集箱(FOUP) 335' 晶圓 335" 晶圓 336 真空機械手/真空轉移機械手 338 工作台 340 工作台 342 工作台 344 工作台 450 外殼 452 傳送室總成開口 /開口 454 隔離歧管 456 側端口 136484.doc -40- 200935546 458 下部傳送室提昇機制 502a 上部傳送室腔室/上部腔室/腔室 502b 傳送室腔室/上部腔室/腔室 504a 下部傳送室腔室/下部腔室/腔室 504b 下部傳送室腔室/下部腔室/腔室 505 傳送室外殼/外殼 506 中心板 506a 中心板 w 506b 中心板 508a 通道 508b 通道 510a 通道 510b 通道 512 入口 514 歧管/上部板 © 5“a 上部板或蓋 514b 上部板或蓋 515a 底部板 515b 底部板 516 下部板/出口 518 提昇機制 520 真空縫閥外殼 602 上部傳送室腔室 604 下部傳送室腔室 136484.doc -41 - 200935546 605 傳送室外殼 606 中心板 608 入口端口 610 出口端口 614 上部板 660 環形腔室 664 上部傳送室抽氣間隙/環形間隙/環形間隙或通 道/間隙 668 環形腔室 674 上部傳送室排氣間隙/環形間隙 676 Ο形環 702 上部傳送室腔室 704 下部傳送室腔室 706 中心板 711 供應或入口端口 /氣體供應端口
713 780 通道 出口端口 784 環形腔室 786 下部傳送室排氣間隙/環形間隙/間隙 136484.doc -42-

Claims (1)

  1. 200935546 十、申請專利範圍: ;在—大氣環境與一真办 之堆疊式傳送室總成,i勺人二轉移模組之間轉移基板 /、包含: 種 一下部傳送室,其具有一 一基板支#件及—可密^ ^個腔室’每—腔室具有 開以用於在該腔^ ’該可密封門可選擇性地打 板; 〜轉移模組機械手之間轉移一基 傳送室具有—或多個腔室,每 ,、文直在該下部傳送室 及一可密扭„ ,―腔室具有一基板支撐1 腔室與—轉移'可錢η可選擇性地打開以用於在j 二??機械手之間轉移-晶圓; 部基板轉移;:部傳送室隔離開’且該」 不大於100 _。 土板轉移平面之間的垂直距禹 2. 如請求項1之堆疊彳稭1 A t ^送至總成,其中自該等下部傳适 至股至之底部量 式值、其6 』該上補送室腔室之頂部,該堆疊 式傳送室總成之高度不大於10' 隹疊 3. 如請求項1之堆疊 與2〇L之間。 料至總成’其中腔室容積介於約3 4. 6. 如巧求項1之堆疊式傳送室總成 雙基板腔室β 如請求項1之堆疊式傳送室總成 經組態以進行徑向抽氣。 如請求項1之堆疊式傳送室總成 ,其中每一傳送室具有 ,其中至少一個傳送室 ,其中至少一個傳送室 136484.doc 200935546 經組態以進行徑向排氣。 8. 7·=求们之堆疊式傳送室總成,其中每一傳送室經組 行徑向抽氣及徑向排氣中之至少—者,且其中該 、至總成不具有中心抽氣或排氣端口。 ::於將基板自一第一環境轉移至一第二環境之堆疊 式傳送室總成,其包含: 上"(Μ專送室,其包含一或多個基板腔室; 下㈣送室’其包含一或多個基扳腔室; 傳送室基板腔室係安置在—下部傳送室基板 腔至上方;以及 =多個中心、板,用於使每—下部傳送室基板腔室與 Ιΐ傳二上部傳送室腔室隔離,其中每-中心板界定該 9如二^[腔室之底板及該Η傳送室腔室之頂板。 .如叫求項8之堆疊式傳送室總 第-及第二環形凹槽,,第…中每一中心板包含 Μ , Α 衣形凹槽至少部分界定一 用於將乳體自該上部傳送室 該第二環形凹槽至少部分界定用中抽出之流動路徑’且 傳送室腔室令之流動^界用於將氣體排入該下部 10.如請求項8之堆疊式傳送室總 板轉移進人及/或離開該上部傳送室之至用於將基 二於將基板轉移進入及/或離開該下部;:= 個下部孔徑, τ <至您主夕 開==上部孔徑與該至少-個下部孔徑分離 1不大於約100 的垂直距離。 J36484.doc -2- 200935546 11 ·如凊求項1之堆疊式傳送室總成,其中該總成之高度不 大於腔室高度。 12.如请求項丨之堆疊式傳送室總成,進一步包含一或多個 上。卩傳送室蓋以用於覆蓋該或該等上部傳送室腔室,其 中每蓋包含一至少部分界定一用於將氣體排入該下部 傳送室腔室之流動路徑的環形凹槽 13· -種使用—傳送室設備在一大氣環境與m境之間 ❹ 轉移基板之方法,該傳送室設備包含:一下部傳送室, 其=有-或多個腔室,#一腔室具彳一基板支撑件及_ :密封門’該可密封門可選擇性地打開,以用於在該腔 轉移模組機械手之間轉移一基&; 一上部傳送 至其女置在該下部傳送室上方,該上部傳送室具有一 或夕個腔至,每一腔室具有一基板支擇件及-可密封 門’該可密封門可選擇性地打開,以用於在該腔室與一 轉移模組機械手之間轉移一晶圓,該方法包含: ❿ ▲上°卩傳送至基板水平轉移平面上,於該大氣環境 …亥或該等上部傳送室腔室之間轉移—或多個基板; 在一下部傳送室基板水平轉移平面上,於該真空環境 與該或該等傳送室腔室之間轉移—或多個基板; a其中及上部傳送室係與該下部傳送室隔離開,且該上 部基板水平轉移平面與該τ部基板水平轉移平面之間的 垂直距離不大於100 mm。 I36484.doc 200935546 於該傳送室腔室中卜側人口端口,該側人口端口開放 至-位於㈣送室腔室上方之環形腔室中,該環形腔室 連接至-環形階梯式窄通道,以平行於該支料上之一 晶圓而引導流動β 15. 如請求項14之傳送室設備,進—步包含一傳送室外殼, 該傳送室外殼界定該側入口端口。 16. 如請求項14之傳送室設備’進-步包含-上部板,該上 Ο 部板界定該傳送室腔室及一傳送室外殼之頂板,其中該 環形通道由該傳送室夕卜殼及該上部板之1人部分界 定。 17. 如請求項16之傳送室設備,其中該上部板及傳送室外殼 之環形區段係階梯式的,該板之該階梯式區段之外徑小 於該傳送室外殼之該階梯式區段之内徑,以進而界定該 環形階梯式通道。 / 18. 如請求項14之傳送室設備,其中該環形階梯式窄通道之 寬度介於約0.005至0.050吋之間。 19. 如請求項14之傳送室設備,其中該階梯式通道包含—平 行於-晶圓表面之外部區段、一垂直區段及一内部平行 區段。 2〇·如請求項14之傳送室設備’其中該環形腔室之-矩形橫 截面之尺寸在約0.25至1.5吋之範圍内。 21_如請求項14之傳送室設備,其中該側入口端口、該環形 腔室及環形階梯式窄通道界定―用於將氣體排人該傳送 室腔室之流動路徑。 ' 136484.doc 200935546 22. 如請求項21之傳送室設備,μ % 制排放之氣體流動。 衣形階梯式窄通道扼 23. -種用於對—含有—晶圓之傳送 傳送室設備,該傳送室設備包含·_ =進賴向抽氣之 於該傳送室腔室中;—側出口端。―:圓切件,其位 室中,該環形腔室位於該 '、開放至-環形腔 道,其將該傳送室腔室連:至,牙件下方;-窄環形通 疋至腔至連接至該環形腔室,以 動引導至該環形腔室中,並中节胃# ' ® ΒΙ支撐件直徑。 中該環形通道之内徑大於晶 '如請求項23之傳送室設備’進一步包含一傳送室外殼, 戎傳送室外殼界定該側出口端口。 25.如請求項23之傳送室設備’進一步包含一下部板,該下 部板界;t該傳送室腔室及—傳送室外殼之底板其中該 環形通道由該傳送室外殼及該下部板之一凹入部分界 定。 〇 26·如請求項25之傳送室設備,進一步包含一傳送室外殼, 其中該板之一區段之外徑小於該傳送室外殼之一區段之 内徑,以進而界定該環形通道。 27.如請求項23之傳送室設備,其中該窄環形通道之寬度介 於約0.005至0_〇5〇对之間 28·如請求項23之傳送室設備,其中該環形腔室之一矩形橫 截面之尺寸在約0.25至1.5吋之範圍内。 29. —種堆疊式傳送室設備,其包含: 一下部傳送室腔室,其包含:一位於該上部傳送室腔 136484.doc 200935546 室中之晶圓支撐件、—伯 风入口端口,該側入口端口開放 至一位於該上部傳送室 至上方之上部環形腔室中,該 環形腔室連接至一環形階 〜階梯式窄通道,以平行於該支撐 件上之一晶圓而引導流動;以及 一上部傳送室腔室,其台 开G S —位於該上部傳送室腔室 中之晶圓支撑件、—開访s 至一環形腔室中之侧出口端 口、-位於該晶圓支揮件下方之環形腔室、一窄環形通 ❹ 30. ❹ 31. 道,該乍環㈣道將該傳送室腔室連接至該環形腔室, 以用於將流動引導至马r搭& 导至"亥環形腔室中,該環形通道之内徑 大於晶圓支撐件直徑。 裡 , 曰曰因 < 得迭室腔室進行排氣之方法,該 傳送室腔室包含:-晶圓支揮件,其位於該傳送室腔室 :’ 一側人口端口,該側人口端口開放至-位於該傳送 至腔至上方之環形腔室中,該環 逆環形腔至連接至一環形階 梯式乍通道’以平行於該支撐 動,該方法包含:支揮件上之曰曰圓而引導流 使氣體穿過該環形腔室進入,使得該氣體流入該環形 階梯式窄通道’以進而平行於該晶圓將該氣體之一徑向 流動引導至該傳送室腔室中。 種對-含有-晶圓之傳送室腔室進行抽氣之方法,气 傳送室腔室包含:-晶U支料,其位於該傳送室腔室 中;一側出口端口,其開放至—環形腔室 它# # τ 通电形腔 於該晶圓支樓件下方窄環形通道,其將該傳送 室腔室連接至該環形腔室,以用於將流動弓丨導至該環形 136484.doc 200935546 腔室中,該方法包含: 藉由穿過該側出口端口抽吸氣體來自該晶圓之中心徑 向向外抽吸氣體,使得經由該環形通道扼制該氣體進入 該環形腔室。
    136484.doc
TW097146485A 2007-11-30 2008-11-28 傳送室設計及使用傳送室方法 TWI495031B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/998,528 US8033769B2 (en) 2007-11-30 2007-11-30 Loadlock designs and methods for using same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200935546A true TW200935546A (en) 2009-08-16
TWI495031B TWI495031B (zh) 2015-08-01

Family

ID=40675888

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW097146485A TWI495031B (zh) 2007-11-30 2008-11-28 傳送室設計及使用傳送室方法

Country Status (4)

Country Link
US (2) US8033769B2 (zh)
KR (2) KR101555369B1 (zh)
CN (1) CN101447406B (zh)
TW (1) TWI495031B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI560796B (en) * 2014-09-05 2016-12-01 Tae Wha Kim Fume removing apparatus for semiconductor fabrication chamber
TWI634612B (zh) * 2016-03-16 2018-09-01 瀋陽拓荊科技有限公司 負載腔室及其使用該負載腔室之多腔室處理系統

Families Citing this family (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8696298B2 (en) * 2003-11-10 2014-04-15 Brooks Automation, Inc. Semiconductor manufacturing process modules
US20100270004A1 (en) * 2005-05-12 2010-10-28 Landess James D Tailored profile pedestal for thermo-elastically stable cooling or heating of substrates
US7960297B1 (en) 2006-12-07 2011-06-14 Novellus Systems, Inc. Load lock design for rapid wafer heating
US8052419B1 (en) 2007-11-08 2011-11-08 Novellus Systems, Inc. Closed loop temperature heat up and control utilizing wafer-to-heater pedestal gap modulation
US8033769B2 (en) 2007-11-30 2011-10-11 Novellus Systems, Inc. Loadlock designs and methods for using same
US8430620B1 (en) 2008-03-24 2013-04-30 Novellus Systems, Inc. Dedicated hot and cold end effectors for improved throughput
US8288288B1 (en) 2008-06-16 2012-10-16 Novellus Systems, Inc. Transferring heat in loadlocks
KR20100000146A (ko) * 2008-06-24 2010-01-06 주성엔지니어링(주) 챔버리드를 포함하는 기판처리를 위한 진공챔버
US8033771B1 (en) 2008-12-11 2011-10-11 Novellus Systems, Inc. Minimum contact area wafer clamping with gas flow for rapid wafer cooling
US8741394B2 (en) * 2010-03-25 2014-06-03 Novellus Systems, Inc. In-situ deposition of film stacks
US20110297088A1 (en) * 2010-06-04 2011-12-08 Texas Instruments Incorporated Thin edge carrier ring
US11171008B2 (en) 2011-03-01 2021-11-09 Applied Materials, Inc. Abatement and strip process chamber in a dual load lock configuration
JP6054314B2 (ja) 2011-03-01 2016-12-27 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated 基板搬送及びラジカル閉じ込めのための方法及び装置
KR101895307B1 (ko) 2011-03-01 2018-10-04 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 듀얼 로드락 구성의 저감 및 스트립 프로세스 챔버
US8371567B2 (en) 2011-04-13 2013-02-12 Novellus Systems, Inc. Pedestal covers
US8888434B2 (en) 2011-09-05 2014-11-18 Dynamic Micro System Container storage add-on for bare workpiece stocker
WO2013103594A1 (en) 2012-01-06 2013-07-11 Novellus Systems, Inc. Adaptive heat transfer methods and systems for uniform heat transfer
KR102068186B1 (ko) 2012-02-29 2020-02-11 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 로드 록 구성의 저감 및 스트립 프로세스 챔버
US9037683B1 (en) 2012-03-05 2015-05-19 Koji Yoden Media asset streaming over network to devices
US9355876B2 (en) 2013-03-15 2016-05-31 Applied Materials, Inc. Process load lock apparatus, lift assemblies, electronic device processing systems, and methods of processing substrates in load lock locations
US9245783B2 (en) 2013-05-24 2016-01-26 Novellus Systems, Inc. Vacuum robot with linear translation carriage
WO2015066624A1 (en) * 2013-11-04 2015-05-07 Applied Materials, Inc Transfer chambers with an increased number of sides, semiconductor device manufacturing processing tools, and processing methods
US9020633B1 (en) * 2013-11-29 2015-04-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Automating storage, retrieval, and routine for process flow
KR101613544B1 (ko) * 2014-02-13 2016-04-19 주식회사 유진테크 기판 처리 장치
US9818633B2 (en) 2014-10-17 2017-11-14 Lam Research Corporation Equipment front end module for transferring wafers and method of transferring wafers
US9673071B2 (en) 2014-10-23 2017-06-06 Lam Research Corporation Buffer station for thermal control of semiconductor substrates transferred therethrough and method of transferring semiconductor substrates
TW201639063A (zh) * 2015-01-22 2016-11-01 應用材料股份有限公司 批量加熱和冷卻腔室或負載鎖定裝置
US20160240405A1 (en) * 2015-02-12 2016-08-18 Applied Materials, Inc. Stand alone anneal system for semiconductor wafers
DE202016104588U1 (de) * 2015-09-03 2016-11-30 Veeco Instruments Inc. Mehrkammersystem für chemische Gasphasenabscheidung
US10014196B2 (en) 2015-10-20 2018-07-03 Lam Research Corporation Wafer transport assembly with integrated buffers
US10347547B2 (en) 2016-08-09 2019-07-09 Lam Research Corporation Suppressing interfacial reactions by varying the wafer temperature throughout deposition
US10559483B2 (en) * 2016-08-10 2020-02-11 Lam Research Corporation Platform architecture to improve system productivity
CN108091587B (zh) * 2016-11-21 2021-01-29 北京北方华创微电子装备有限公司 一种工艺腔室及半导体装置
TWI768849B (zh) 2017-10-27 2022-06-21 美商應用材料股份有限公司 具有空間分離的單個晶圓處理環境
TWI812475B (zh) * 2018-09-29 2023-08-11 美商應用材料股份有限公司 具有精確溫度和流量控制的多站腔室蓋
JP7058239B2 (ja) * 2019-03-14 2022-04-21 株式会社Kokusai Electric 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
US11883958B2 (en) * 2019-06-07 2024-01-30 Applied Materials, Inc. Robot apparatus including dual end effectors with variable pitch and methods
US11574826B2 (en) 2019-07-12 2023-02-07 Applied Materials, Inc. High-density substrate processing systems and methods
US11117265B2 (en) 2019-07-12 2021-09-14 Applied Materials, Inc. Robot for simultaneous substrate transfer
KR20220031700A (ko) 2019-07-12 2022-03-11 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 동시 기판 이송을 위한 로봇
US11443973B2 (en) * 2019-07-12 2022-09-13 Applied Materials, Inc. Robot for simultaneous substrate transfer
CN113257718B (zh) * 2021-06-08 2021-09-17 陛通半导体设备(苏州)有限公司 一种便于位置校准的堆叠结构腔体设备
US11823939B2 (en) * 2021-09-21 2023-11-21 Applied Materials, Inc. Apparatus and methods for processing chamber lid concentricity alignment

Family Cites Families (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3612825A (en) 1969-08-08 1971-10-12 Shatterproof Glass Corp Windowed high-temperature ovens
US4960488A (en) * 1986-12-19 1990-10-02 Applied Materials, Inc. Reactor chamber self-cleaning process
US5228208A (en) 1991-06-17 1993-07-20 Applied Materials, Inc. Method of and apparatus for controlling thermal gradient in a load lock chamber
US6518195B1 (en) * 1991-06-27 2003-02-11 Applied Materials, Inc. Plasma reactor using inductive RF coupling, and processes
JP3238200B2 (ja) 1992-07-17 2001-12-10 株式会社東芝 基体処理装置及び半導体素子製造方法
US5308989A (en) 1992-12-22 1994-05-03 Eaton Corporation Fluid flow control method and apparatus for an ion implanter
JP3017631B2 (ja) 1993-11-24 2000-03-13 東京エレクトロン株式会社 低温処理装置の制御方法
US5558717A (en) 1994-11-30 1996-09-24 Applied Materials CVD Processing chamber
JP3202929B2 (ja) * 1996-09-13 2001-08-27 東京エレクトロン株式会社 処理システム
US5909994A (en) 1996-11-18 1999-06-08 Applied Materials, Inc. Vertical dual loadlock chamber
US6106625A (en) * 1997-12-02 2000-08-22 Applied Materials, Inc. Reactor useful for chemical vapor deposition of titanium nitride
US6610150B1 (en) 1999-04-02 2003-08-26 Asml Us, Inc. Semiconductor wafer processing system with vertically-stacked process chambers and single-axis dual-wafer transfer system
US6320736B1 (en) 1999-05-17 2001-11-20 Applied Materials, Inc. Chuck having pressurized zones of heat transfer gas
US6228438B1 (en) 1999-08-10 2001-05-08 Unakis Balzers Aktiengesellschaft Plasma reactor for the treatment of large size substrates
US6558509B2 (en) 1999-11-30 2003-05-06 Applied Materials, Inc. Dual wafer load lock
JP3516392B2 (ja) 2000-06-16 2004-04-05 イビデン株式会社 半導体製造・検査装置用ホットプレート
US6860965B1 (en) 2000-06-23 2005-03-01 Novellus Systems, Inc. High throughput architecture for semiconductor processing
KR20070037517A (ko) * 2000-09-15 2007-04-04 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 처리 장비용 더블 이중 슬롯 로드록
JP2002134484A (ja) 2000-10-19 2002-05-10 Asm Japan Kk 半導体基板保持装置
TW541581B (en) 2001-04-20 2003-07-11 Memc Electronic Materials Method for the preparation of a semiconductor substrate with a non-uniform distribution of stabilized oxygen precipitates
US6750155B2 (en) 2001-08-08 2004-06-15 Lam Research Corporation Methods to minimize moisture condensation over a substrate in a rapid cycle chamber
US6899765B2 (en) 2002-03-29 2005-05-31 Applied Materials Israel, Ltd. Chamber elements defining a movable internal chamber
US20030192646A1 (en) * 2002-04-12 2003-10-16 Applied Materials, Inc. Plasma processing chamber having magnetic assembly and method
KR20030096732A (ko) 2002-06-17 2003-12-31 삼성전자주식회사 반도체소자 제조용 화학기상증착장치의 쿨링 스테이지
JP4212888B2 (ja) 2002-12-26 2009-01-21 三菱化学エンジニアリング株式会社 プレート型触媒反応器
US7265061B1 (en) 2003-05-09 2007-09-04 Novellus Systems, Inc. Method and apparatus for UV exposure of low dielectric constant materials for porogen removal and improved mechanical properties
JP2005116655A (ja) 2003-10-06 2005-04-28 Canon Inc ロードロックチャンバー、露光装置、デバイスの製造方法、真空排気方法
EP1684951B1 (en) * 2003-11-10 2014-05-07 Brooks Automation, Inc. System for handling workpieces in a vacuum-based semiconductor handling system
US7253125B1 (en) 2004-04-16 2007-08-07 Novellus Systems, Inc. Method to improve mechanical strength of low-k dielectric film using modulated UV exposure
JP4860167B2 (ja) * 2005-03-30 2012-01-25 東京エレクトロン株式会社 ロードロック装置,処理システム及び処理方法
US8137465B1 (en) 2005-04-26 2012-03-20 Novellus Systems, Inc. Single-chamber sequential curing of semiconductor wafers
US7845891B2 (en) 2006-01-13 2010-12-07 Applied Materials, Inc. Decoupled chamber body
JP4497103B2 (ja) 2006-02-21 2010-07-07 住友電気工業株式会社 ウェハ保持体およびそれを搭載したヒータユニット、ウェハプローバ
JP4702799B2 (ja) 2006-03-17 2011-06-15 ルネサスエレクトロニクス株式会社 ボルト及び半導体製造装置
US7665951B2 (en) * 2006-06-02 2010-02-23 Applied Materials, Inc. Multiple slot load lock chamber and method of operation
US8033769B2 (en) 2007-11-30 2011-10-11 Novellus Systems, Inc. Loadlock designs and methods for using same
US8033771B1 (en) 2008-12-11 2011-10-11 Novellus Systems, Inc. Minimum contact area wafer clamping with gas flow for rapid wafer cooling

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI560796B (en) * 2014-09-05 2016-12-01 Tae Wha Kim Fume removing apparatus for semiconductor fabrication chamber
TWI634612B (zh) * 2016-03-16 2018-09-01 瀋陽拓荊科技有限公司 負載腔室及其使用該負載腔室之多腔室處理系統

Also Published As

Publication number Publication date
KR101555369B1 (ko) 2015-09-23
KR20090056919A (ko) 2009-06-03
CN101447406A (zh) 2009-06-03
US20120003063A1 (en) 2012-01-05
US20090142167A1 (en) 2009-06-04
KR101624152B1 (ko) 2016-05-25
CN101447406B (zh) 2013-07-24
TWI495031B (zh) 2015-08-01
KR20150039152A (ko) 2015-04-09
US8033769B2 (en) 2011-10-11
US8491248B2 (en) 2013-07-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW200935546A (en) Loadlock designs and methods for using same
JP6582676B2 (ja) ロードロック装置、及び基板処理システム
US6696367B1 (en) System for the improved handling of wafers within a process tool
TWI676089B (zh) 側儲存倉、電子裝置處理系統、和處理基板的方法
JP5883232B2 (ja) 基板処理装置
JP4744328B2 (ja) クーリングステージを備えた半導体製造装置及びそれを使った半導体製造方法
WO2012098871A1 (ja) 真空処理装置
JP2007149973A (ja) 基板処理装置
TW201123339A (en) Vacuum processing system and vacuum processing method of semiconductor processing substrate
KR102164404B1 (ko) 기판 처리 장치
KR101530024B1 (ko) 기판 처리 모듈, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 전달 방법
JP2003124284A (ja) 基板処理装置および半導体装置の製造方法
TWI308883B (en) Atmospheric robot handling equipment
JP2007149948A (ja) 真空処理装置
TWI721937B (zh) 鈷基板之處理系統、裝置、及方法
JP2018170347A (ja) ウェハー搬送装置及びウェハー搬送方法
JP2018098387A (ja) 基板処理装置
JP4359109B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP2004080053A (ja) 半導体製造装置
KR100807600B1 (ko) 반도체 자재 예열 기능을 갖는 인덱서
JP2004023032A (ja) 半導体製造装置
JPH0870028A (ja) 半導体製造装置及び大気浸入防止方法
JP2001358192A (ja) 半導体製造設備
JP2002043389A (ja) 基板処理装置