TWI721937B - 鈷基板之處理系統、裝置、及方法 - Google Patents

Abstract

揭露了包含鈷沉積之電子元件處理系統。一系統包含一主機、一或多個處理腔室、以及一或多個沉積處理腔室，該主機具有一移送室與至少兩個磨光面，該一或多個處理腔室用以對基板進行一金屬還原或金屬氧化物還原製程、以及可能也進行一退火製程，而該一或多個沉積處理腔室用以進行一鈷沉積製程。其他的系統包含一移送室、耦接至該移送室且用以進行一金屬還原或金屬氧化物還原製程的一或多個承載處理腔室。作為各種其他構想，也說明了基板的鈷沉積處理之其他方法與系統。

Description

鈷基板之處理系統、裝置、及方法 【相關申請案】

本申請案主張於2013年7月24所申請之美國臨時申請案第61/857,794號、名稱為「鈷基板處理系統、裝置與方法(COBALT SUBSTRATE PROCESSING SYSTEMS,APPARATUS,AND METHODS)」之優先權(代理人編號為NO.20974/USAL)，該文件係藉引用形式而整體併入本文。

本發明是關於電子元件製造，且更具體地是關於基板處理裝置、系統及方法。

傳統的電子元件製造系統包括排列在一主機周圍的多個處理腔室，主機具有一移送室與一或多個承載腔室。這些系統係使用例如容納在移送室中的一移送機器人。機器人可為一選擇順應性裝配機器手臂(SCARA)機器人等，且係適用以於各個腔室與一或多個承載腔室之間移送基板。舉例而言，移送機器人將基板從處理腔移送至處理腔室、從承載腔室移送至處理腔室(相反亦然)。

處理一般是在多個工具中進行，其中基板係於基板 載具(例如前開式晶圓傳送盒或FOUPs)中的工具之間行進。然而，這類配置都相對較為昂貴。

因此，仍需要具有改良之效率及/或處理能力的基板處理系統、裝置與方法。

在一個構想中，提供了一種電子元件處理系統。該電子元件處理系統包含一主機、一第一處理腔室、以及至少一個沉積處理腔室，該主機具有至少一個移送室及至少兩個磨光面，該第一處理腔室係耦接至該至少兩個磨光面中的至少其中一個磨光面並用以對基板進行一金屬還原製程或金屬氧化物還原製程，該至少一個沉積處理腔室係耦接至該至少兩個磨光面中的另一個磨光面並用以對基板進行一鈷化學氣相沉積製程。

在一個構想中，提供一種於一電子元件處理系統內處理基板之方法。該方法包括：提供一主機，該主機具有至少一個移送室與至少兩個磨光面，耦接至該至少兩個磨光面中至少其一的至少一個處理腔室，及耦接至該至少兩個磨光面中至少另一者的至少一個沉積處理腔室；於該至少一個處理腔室中對基板進行一金屬還原製程或金屬氧化物還原製程；及於該至少一個沉積處理腔室中對基板進行一鈷化學氣相沉積製程。

在另一構想中，提供了一種電子元件處理系統。該電子元件處理系統包括：一主機、至少一個沉積處理腔室、以及一承載裝置，該主機具有一移送室與至少兩個磨光面， 該至少一個沉積處理腔室耦接至該至少兩個磨光面中的至少其中一個磨光面並用以對基板進行一鈷化學氣相沉積製程，該承載裝置係耦接至該至少兩個磨面中的至少另一個磨面，該承載裝置用以對基板進行一金屬還原或金屬氧化物還原製程。

在另一方法構想中，提供了一種於一電子元件處理系統內處理基板之方法，該方法包括：提供一主機，該主機具有一移送室與至少兩個磨光面；提供一或多個沉積處理腔室，該一或多個沉積處理腔室耦接至該至少兩個磨光面中的至少其中一個磨光面；提供一承載裝置，該承載裝置具有一或多個承載處理腔室，該一或多個承載處理腔室耦接至該至少兩個磨光面中的另一個磨光面；於該一或多個承載處理腔室中對基板進行金屬還原或金屬氧化物還原製程；及於該一或多個沉積處理腔室中的至少其中一個沉積處理腔室中對基板進行一鈷化學氣相沉積製程。

各種其他構想係根據本發明的這些與其他具體實施例而提供。由下述詳細說明、如附申請專利範圍以及如附圖式，將可更完整清楚地理解本發明的具體實施例的其他特徵與構想。

100A、100B‧‧‧電子元件處理系統

101‧‧‧主機

101H‧‧‧主機外殼

102‧‧‧移送室

102A-102D‧‧‧磨光面

103‧‧‧多臂式機器人

104‧‧‧第二主機

106‧‧‧第二移送室

106A-106D‧‧‧磨光面

108‧‧‧第一處理腔室

110‧‧‧第二處理腔室

110A、110B‧‧‧磨光面

112‧‧‧承載裝置

112A、112B‧‧‧承載腔室

114‧‧‧工廠介面

115‧‧‧載入口

116‧‧‧基板載具

117‧‧‧機器人

118‧‧‧穿越裝置

118A、118B‧‧‧穿越腔室

120‧‧‧沉積處理腔室

120A、120B‧‧‧沉積處理腔室組

122A、122B‧‧‧沉積處理腔室組

124A、124B‧‧‧沉積處理腔室組

125‧‧‧控制器

200‧‧‧電子元件處理系統

201‧‧‧第一主機

202‧‧‧第一移送室

202A-202D‧‧‧磨光面

203‧‧‧機器人

204‧‧‧第二主機

206A-206D‧‧‧磨光面

207‧‧‧機器人

208A、208B‧‧‧處理腔室組

212‧‧‧承載裝置

218‧‧‧穿越裝置

220‧‧‧沉積處理腔室組

222‧‧‧沉積處理腔室組

224‧‧‧沉積處理腔室組

226‧‧‧旋轉架構件

300‧‧‧電子元件處理系統

304‧‧‧第二主機

306‧‧‧第二移送室

306A-306D‧‧‧磨光面

307‧‧‧機器人

320A、320B‧‧‧沉積處理腔室組

322A、322B‧‧‧沉積處理腔室組

400‧‧‧電子元件處理系統

401‧‧‧第一主機

402‧‧‧第一移送室

402A-402D‧‧‧磨光面

407‧‧‧機器人

412‧‧‧承載裝置

418A、418B‧‧‧穿越腔室

420‧‧‧沉積處理腔室組

422‧‧‧沉積處理腔室組

424‧‧‧沉積處理腔室組

442‧‧‧本體

449‧‧‧分佈通道

452A、452B‧‧‧承載處理腔室

456A、456B‧‧‧電漿來源

第1A圖說明了根據具體實施例之一電子元件處理系統的示意上視圖。

第1B圖說明了根據具體實施例之另一電子元件處理系統的示意上視圖，其中該電子元件處理系統包含多個互 相連接的主機。

第2圖說明根據具體實施例之另一電子元件處理系統的示意上視圖，其中該電子元件處理系統包含一或多個鈷沉積處理腔室與一旋轉架。

第3圖說明根據具體實施例之另一電子元件處理系統的示意上視圖。

第4A圖說明根據具體實施例之另一電子元件處理系統的示意上視圖，其中該電子元件處理系統包含在一旋轉架中的一或多個鈷沉積處理腔室。

第4B圖說明根據具體實施例、沿第4A圖中線4B-4B所示之承載裝置的截面側視圖。

第5圖說明一流程圖，其描述根據具體實施例之一種處理基板的方法。

第6圖說明另一流程圖，其描述根據具體實施例之一種處理基板的替代方法。

第7圖說明另一流程圖，其描述根據具體實施例之一種處理基板的替代方法。

電子元件製造需要精確處理、以及在各個位置之間快速移送基板。

根據本發明的一或多個具體實施例，提供了一種用以提供鈷沉積(例如化學氣相沉積-CVD)的電子元件處理系統。在某些具體實施例中，係提供了用以提供對基板之鈷(Co) 的沉積(例如化學氣相沉積-CVD)及進行金屬氧化物還原製程之電子元件處理系統(例如半導體元件處理工具)。本文所述系統與方法係提供了具有鈷沉積之基板的有效與精確的處理。

本發明的例示方法與裝置的其他細節係參照本文中第1A圖至第6圖加以描述。

第1A圖是根據本發明具體實施例之一電子元件處理系統100A的一第一例示具體實施例的示意圖。電子元件處理系統100A包含一主機101，主機101包括一主機外殼101H，主機外殼101H具有限定了一移送室102之外殼壁部。一多臂式機器人103(以虛線圓圈表示)係至少部分容納在移送室102內。第一多臂式機器人103係配置以且適用以經由多臂氏機器人103的操作而放置基板(例如內含圖案之矽晶圓)至目的地以及自目的地提取基板。

多臂式機器人103可為任何適當類型的機器人，其適用以服務耦接至移送室102且可從移送室102接近，例如在PCT公開號WO2010090983中所揭露之機器人。也可使用其他類型的機器人。在某些具體實施例中，可使用一偏軸機器人，其具有一種可操作以延伸一端效器、不同於朝機器人的肩部旋轉軸徑向來回之機器人配置，其中該肩部旋轉軸一般是集中位於移送室102的中心處。

在所述具體實施例中的移送室102的形狀一般是呈方形或稍微呈矩形，且可包含一第一磨光面102A、一第二磨光面102B、一第三磨光面102C與一第四磨光面102D。第一 磨光面102A與第二磨光面102B相對，第三磨光面102C與第四磨光面102D相對。第一磨光面102A、第二磨光面102B、第三磨光面102C與第四磨光面102D一般係呈平面，且對腔室的入口通道是在各別的磨光面102A至102D上。

多臂式機器人103之目的地係耦接至該第一磨光面102A之一第一處理腔室108，且係配置且可操作以對送至該處的基板進行一預清洗、或一金屬或金屬氧化物移除處理，例如氧化銅還原處理。舉例而言，金屬或金屬氧化物移除處理係如美國專利公開號2009/0111280與2012/0289049、以及美國專利號7,972,469、7,658,802、6,946,401、6,734,102與6,579,730所述，其在本文中係藉由引用形式而併入本文。可進行一或多次預清洗處理，這些處理係對鈷沉積處理之一前驅處理。多臂式機器人103之目的地也可為一般與第一腔室108相對的一第二處理腔室110。第二處理腔室110係耦接至第二磨光面102B，且在某些具體實施例中係配置且適用以對基板進行高溫還原退火處理。舉例而言，高溫還原退火處理係如美國專利公開號2012/0252207、以及美國專利號8,110,489與7,109,111所述，其揭示內容係藉由引用形式而整體併入本文。退火處理是在約400℃或更高的溫度下發生。

基板是經由一承載裝置112而從一工廠介面114(也稱為設備前端模組(EFEM))所接收、及離開移送室102至工廠介面114。承載裝置112包含一或多個承載腔室112A、112B。在某些具體實施例中，承載裝置112包含為在多個垂直高程處的一或多個承載腔室。在某些具體實施例中，每一 個垂直高程係包含位於一第一高程與一第二高程的並排腔室，其中該第二高程係位於與該第一高程不同之高程處(在上方、或在下方)。並排腔室可也位於在較低高程處之相同垂直高程、或在上方高程處之相同垂直高程。舉例而言，所含作為承載腔室112A、112B之腔室(例如單一晶圓承載室(SWLL))係設於承載裝置112中的一較低垂直高程處。承載室(例如單一晶圓承載室(SWLL))係各具有一加熱平台/裝置，以對基板加熱至高於約200℃，使得在基板從工廠介面114進入移送室102之前可對進入的基板進行一除氣處理，舉例而言，如在2014年3月10日所申請之美國專利申請案第14/203,098號以及在2013年3月15日所申請之美國臨時專利申請案第61/786,990號中所述，其揭露內容係藉由引用形式而整體併入本文。

承載裝置112係包含在承載裝置112中一上方垂直高程處之第二並排腔室(未示)，其是位於該較低高程上方的一位置處。在某些具體實施例中，承載裝置112包含一第一腔室或腔室組以進行一除氣處理並供通過於一第一高程處，以及包含一第二腔室或腔室組以於其第二高程處進行一冷卻處理，其中第一與第二高程是不同的高程。在其他具體實施例中，承載裝置112中的第二並排腔室係用以對基板進行一預清洗或氧化物還原處理，例如對基板進行一金屬氧化物還原處理，如在美國專利申請案第14/203,098號(2014年3月10日申請)中所說明。因此，在某些具體實施例中，除了設於第一處理腔室108與第二處理腔室110處的站點以 外，還可於承載裝置112中設置其他站點，以對基板完成一預清洗處理、一金屬或金屬氧化物還原處理、或其他處理(例如冷卻)。在某些具體實施例中，用以對基板完成金屬或金屬氧化物還原處理、或其他處理之其他站點係可設於承載裝置112中，取代設置在第一處理腔室108處之站點，使得第二處理腔室110可用於其他處理，例如退火、冷卻、暫時儲存等。

工廠介面114可為具有一或多個載入口115之任何外殼，這些載入口115係配置且適用以於其一前表面處接收一或多個基板載具116(例如前開式晶圓傳送盒或FOUPs)。工廠介面114可包含在其一腔室內、具有傳統架構之一合適的交換機器人117(以虛線表示)。該交換機器人117係配置且運作以從該一或多個基板載具116提取基板，及將基板送入該一或多個承載腔室112A、112B(例如單一晶圓承載室(SWLL))，例如可設於承載裝置112中的一較低垂直高程處。承載裝置112係耦接至第三磨光面102C。

主機外殼101H係包含了耦接至其他磨光面(例如第四磨光面102D)的處理腔室，例如可由多臂式機器人103從移送室102進入及維修之沉積處理腔室120。沉積處理腔室120係配置且適用以對容置在該處的基板進行一沉積處理。

舉例而言，沉積處理腔室120可對基板進行鈷(Co)化學氣相沉積(CVD)處理。舉例而言，鈷沉積CVD處理係如美國專利公開號2012/0252207中所教示，其係藉由引用形式而整體併入本文。其他的處理也可在其中進行，例如鈷電 漿氣相沉積(鈷PVD)。在某些具體實施例中，移送室102係在真空下運作。在其他具體實施例中，移送室102中係含一惰性氣體，例如氬氣(Ar)。氬氣可由任何適當的傳統輸送系統提供。

在本文中所使用之基板應指用以產生電子元件或電路構件的物品，例如含有二氧化矽之晶圓、已圖案化之晶圓等。

在某些具體實施例中，對基板先行進行了一電漿氣相沉積(PVD)處理(例如一PVD Co沉積及/或一PVD CO急驟處理)。該PVD CO急驟處理係作用以於基板上提供一薄種晶層。在某些具體實施例中，係於CVD鈷沉積處理之前進行一PVD處理，且在CVD鈷沉積處理之後也進行一獨立的PVD處理。在某些具體實施例中，PVD處理是在獨立於電子元件處理系統100A的一完全不同工具中進行。然而，在某些具體實施例中，PVD鈷沉積是在耦接至外殼101H的一或多個沉積處理腔室處進行。

舉例而言，至少一沉積處理腔室係適用以對基板進行一電漿氣相沉積處理。舉例而言，處理腔室110係用於電漿氣相沉積處理。退火係於耦接至外殼101H的另一處理腔室處進行、或在一獨立工具中進行。在某些具體實施例中，一個、或一個以上之處理腔室係適用以進行一鈷CVD處理。舉例而言，在某些具體實施例中，處理腔室110和沉積處理腔室120兩者皆用以進行鈷CVD處理。可使用其他多邊形的主機形狀，例如五邊形、六邊形、七邊形、八邊形等，以另外 增加其他的處理腔室或沉積處理腔室。

移送室102包含狹縫閥，這些狹縫閥是在各個處理腔室108、110、120、承載裝置112中之承載腔室112A、112B的入口/出口處，且用以在將基板置入各個腔室或從各個腔室中提取時開啟與關閉。狹縫閥可具有任何適當的傳統架構，例如L形動作狹縫閥。

多臂式機器人103的各個臂部構件的動作是由對一驅動組件(未示)之合適指令所控制，其中該驅動組件係含有從一控制器125所控制之多臂式機器人103的複數個驅動馬達。來自控制器125的訊號會導致多臂式機器人103的各個構件之動作。可由各種偵測器(例如位置編碼器等)來為該一或多個構件提供合適的反饋機制。

多臂式機器人103包含可沿一肩軸旋轉之臂部，該肩軸係大致位於個別移送室102的中央。多臂式機器人103包含一基部，該基部係適用以連接至一外殼壁部(例如一底部)而形成個別移送室102的一下部。然而，在某些具體實施例中，多臂式機器人103係連接至一頂部。

此外，在某些具體實施例中，多臂式機器人103的驅動組件係包含Z軸移動能力。特別是，馬達外殼係受一動作限制器限制而不相對於一外殼體旋轉。動作限制器可為兩個或更多個線性軸承或其他類型之軸承、或滑動機構，其係作用以限制馬達外殼相對於外殼體之旋轉，但允許馬達外殼與連接之臂部在垂直方向中的Z軸(垂直)動作。

垂直動作是由一垂直馬達所提供。垂直馬達的旋轉 係運作以使在耦接至或整合於馬達外殼之一容器中的一導螺桿旋轉。此旋轉係可垂直地平移馬達外殼，且因此垂直地平移臂部、一或多個連接之端效器、以及其上所支撐之基板。一適當密封件係密封在馬達外殼與基部之間，藉此容納垂直動作並保持移送室102內的真空。

第1B圖是根據本發明具體實施例之電子元件處理系統100B的另一例示具體實施例之示意圖。電子元件處理系統100B包含一主機，該主機包含具有外殼壁部之一第一主機101，其中外殼壁部係限定了一第一移送室102。一第一多臂式機器人103(如虛線圓圈所示)係至少部分容納在該第一移送室102內。一多臂式機器人103係配置以且適用以經由該第一多臂式機器人103之臂部的操作而將基板(例如內含圖案之矽晶圓)放置至目的地、或自目的地提取基板。

第一多臂式機器人103可為任何適當類型的偏軸機器人，以服務耦接至該第一移送室102、且可從第一移送室102進入的各種並置腔室，舉例而言，例如在PCT專利公開號WO2010090983中所揭露之機器人，其係藉由引用形式而整體併入本文。也可使用其他的機器人，例如偏軸機器人。偏軸機器人，其具有一種可操作以延伸一端效器、不同於朝機器人的肩部旋轉軸徑向來回之機器人配置，其中該肩部旋轉軸一般是集中位於一腔室(例如第一移送室102)的中心處。在所述具體實施例中的移送室102一般是呈方形或略呈矩形之形狀，且可包含一第一磨光面102A、與第一磨光面102A相對的第二磨光面102B、一第三磨光面102C、以及與 第三磨光面102C相對的一第四磨光面102D。該第一多臂式機器人103係較佳為善於同時將兩基板移送及/或收回至腔室組(並排腔室)中。第一磨光面102A、第二磨光面102B、第三磨光面102C與第四磨光面102D一般係呈平面，且對腔室組的入口通道是在各別的磨光面102A至102D上。

電子元件處理系統100B係包含一第二主機104，第二主機104亦具有定義了一第二移送室106之外殼壁部。一第二多臂式機器人107(如虛線圓圈所示)係至少部分容納於該第二移送室106內。第一與第二多臂式機器人103、107係實質上為相同或不同，但係各配置且運作以服務偏軸處理腔室，如圖所示。最佳為，其係各適用且配置以服務並置腔室(即定向為並排配置而成對或成組者，如圖所示)。

第一多臂式機器人103之目的地係耦接至第一磨光面102A之一第一處理腔室組108A、108B。第一處理腔室組108A、108B係配置且操作以對遞送至該處的基板進行一預清洗或一金屬或金屬氧化物移除處理，例如一金屬氧化物還原處理。金屬或金屬氧化物移除處理係如例如美國專利公開號2009/011280與2012/0289049、以及美國專利號7,972,469、7,658,802、6,946,401、6,734,102與6,579,730所說明，其係藉由引用形式而整體併入本文。可於其中進行一或多次其他的預清洗處理，這是對鈷沉積處理之前驅處理。在所述具體實施例中，第一多臂式機器人103之目的地也可為一第二處理腔室組110A、110B，第二處理腔室組110A、110B一般是與第一處理腔室組108A、108B相對。在某些具體實施例中， 第二處理腔室組110A、110B係耦接至第二磨光面102B，且係配置及適用以對基板進行高溫還原退火處理。高溫還原退火處理係如例如美國專利公開號2012/0252207、以及美國專利號8,110,489與7,109,111所說明，其係藉由引用形式而併入本文。退火係於大約400℃或更高之溫度下進行。

如前述所說明，基板是經由一承載裝置112而接收自一工廠介面114、以及離開第一移送室102而至該工廠介面114。在某些具體實施例中，承載裝置112包含在多個垂直高程處之腔室。舉例而言，在某些具體實施例中，各垂直高程係包含並排腔室。某些腔室係位於第一高程處，且其他腔室係位於一第二高程處，其中該第二高程是在與該第一高程不同的高程處(無論在上方或在下方)。並排腔室係位於在較低高程的相同垂直高程處，而在一相同垂直高程之其他並排腔室係可設於上方高程處。

舉例而言，所含作為承載室(例如單一晶圓承載室(SWLL))之承載腔室112A、112B係設於承載裝置112中的一較低垂直高程處。承載腔室112A、112B(例如單一晶圓承載室(SWLL))係各具有一加熱平台/裝置，以對基板加熱至高於約200℃，使得在基板從工廠介面114進入第一移送室102之前可對進入的基板進行一除氣處理，舉例而言，如在2014年3月10日所申請之美國專利申請案第14/203,098號中所述。

承載裝置112係包含在承載裝置112中一上方垂直高程處之第二並排腔室，其是位於該較低高程上方的一位置 處。在某些具體實施例中，承載裝置112包含一第一腔室或腔室組以在一第一高程處進行一除氣處理，以及包含一第二腔室或腔室組以於其第二高程處進行一冷卻處理，其中第一與第二高程是不同的高程。在其他具體實施例中，承載裝置112中的第二並排腔室係用以對基板進行一預清洗或氧化物還原處理，例如對基板進行一金屬氧化物還原處理，如在美國專利申請案第14/203,098號(2014年3月10日申請)中所說明。因此，在某些具體實施例中，除了設於第一處理腔室組108A、108B處的站點以外，還可於承載裝置112中設置其他站點，以對基板完成一金屬或金屬氧化物還原處理、或其他處理(例如冷卻)。在某些具體實施例中，用以對基板完成金屬或金屬氧化物還原處理、或其他處理之其他站點係可設於承載裝置112中，取代設置在第一處理腔室組108A、108B處之站點，使得第二處理腔室組110A、110B可用於其他處理，例如退火、冷卻、暫時儲存等。

工廠介面114可為具有一或多個載入口115之任何外殼，這些載入口115係配置且適用以於其一前表面處接收一或多個基板載具116(例如前開式晶圓傳送盒或FOUPs)。工廠介面114可包含在其一腔室內、具有傳統架構之一合適的交換機器人117(以虛線表示)。該交換機器人117係配置且可運作以從該一或多個基板載具116提取基板，及將基板送入該一或多個承載腔室112A、112B(例如單一晶圓承載室(SWLL))，例如可設於承載裝置112中的一較低垂直高程處。

第二主機104係耦接至第一主機101，例如藉由一穿越裝置118。穿越裝置118包括一第一穿越腔室118A和一第二穿越腔室118B，適用以使基板通過個別移送室102、106之間。穿越裝置118係耦接至第一主機101的第四磨光面102D及耦接至第二主機104的第七磨光面106C。第二主機104包含多個處理腔室組，且可從第二移送室106與多個磨光面來進入及服務這些處理腔室組。舉例而言，第二主機104可具有一第五磨光面106A、與第五磨光面106A相對之一第六磨光面106B、一第七磨光面106、以及與第七磨光面106C相對之一第八磨光面106D。舉例而言，第二主機104係具有與其耦接的兩個或更多個處理腔室組，例如一第一沉積處理腔室組120A、120B、與第一沉積處理腔室組120A、120B相對之第二沉積處理腔室組122A、122B、以及一第三沉積處理腔室組124A、124B。沉積處理腔室組120A、120B、122A、122B與124A、124B係耦接至個別第五磨光面106A、第六磨光面106B、與第八磨光面106D，且可從第二移送室106進入，如圖所示。也可使用其他配置。第二多臂式機器人107係可運作以放置及自沉積處理腔室組120A、120B、122A、122B與124A、124B移出基板。處理腔室組120A、120B、122A、122B與124A、124B係配置且適用以對容置在該處的基板進行任何次數之沉積處理步驟。

舉例而言，各沉積處理腔室組120A、120B、122A、122B與124A、124B可進行一鈷(Co)化學氣相沉積(CVD)處理。舉例而言，鈷沉積CVD處理係如美國專利公開號 2012/0252207中所教示，其係藉由引用形式而併入本文。也可於其中進行其他處理，例如鈷電漿氣相沉積(鈷PVD)。在某些具體實施例中，移送室102、106係在真空下運作。而在其他具體實施例中，特別是在第二移送室106中容納一惰性氣體(例如氬氣(Ar))時，係可藉由任何適當傳統氣體輸送系統來提供氬氣。

在本文中所用之基板係指用以產生電子元件或電路構件之物品，例如含有二氧化矽之晶圓、已圖案化之晶圓等。

在某些具體實施例中，對基板先行進行了一電漿氣相沉積(PVD)處理(例如一PVD Co沉積及/或一PVD CO急驟處理)。該PVD CO急驟處理係作用以於基板上提供一薄種晶層。在某些具體實施例中，係於CVD鈷沉積處理之前進行一PVD處理，且在CVD鈷沉積處理之後也進行PVD處理。在某些具體實施例中，PVD處理是在獨立於電子元件處理系統100B的一完全不同工具中進行。然而，在某些具體實施例中，PVD鈷沉積是在一或多個沉積處理腔室組120A、120B、122A、122B或124A、124B進行。

舉例而言，第一沉積處理腔室組120A、120B、第二沉積處理腔室組122A、122B與第三沉積處理腔室組124A、124B中至少其一係適用以對基板進行一PVD鈷處理。然而，在一具體實施例中，第一沉積處理腔室組120A、120B、第二沉積處理腔室組122A、122B與第三沉積處理腔室組124A、124B中三組全部都用以進行鈷CVD處理。

移送室102、106係各包含狹縫閥，這些狹縫閥是在 對各個處理腔室108A、108B、110A、110B、120A、120B、122A、122B、124A、124B、承載裝置112中之承載腔室112A、112B與穿越裝置118中之穿越腔室118A、118B的入口/出口處，且係用以在將基板置入各個腔室或從各個腔室中提取時開啟與關閉。狹縫閥可具有任何適當的傳統架構，例如L形動作狹縫閥。

多臂式機器人103、107的各個臂部構件的動作是由對一驅動組件(未示)之合適指令所控制，其中該驅動組件係含有從一控制器125所控制之多臂式機器人103、107的複數個驅動馬達。來自控制器125的訊號會導致多臂式機器人103、107的各個構件之動作。可由各種偵測器(例如位置編碼器等)來為該一或多個構件提供合適的反饋機制。

多臂式機器人103、107包含可沿一肩軸旋轉之臂部，該肩軸係大致位於個別移送室102、106的中央。多臂式機器人103、107包含一基部，該基部係適用以連接至一外殼壁部(例如一底部)而形成個別移送室102、106的一下部。然而，在某些具體實施例中，多臂式機器人103、107係連接至一頂部。多臂式機器人103、107係一雙SCARA機器人或適用以服務並置腔室(例如並排腔室)的其他類型之雙機器人。

在所述具體實施例中，並置腔室為具有一共同磨光面(例如連接表面)之腔室，這些腔室一般是置為並排關係，且具有一般共同平行的連接表面。多臂式機器人103、107的臂部構件的旋轉係由任何適當驅動馬達所提供，例如一傳統 可變磁阻或永久磁鐵電動馬達。臂部係適用以在一X-Y平面中相對於基部而旋轉。可使用適用以運載基板之任何適當數量的臂部構件與端效器。用於在移送室內移送基板之機器人係如PCT專利公開號WO2010080983A2與美國專利公開號20130115028A1中所說明，其係藉由引用形式而併入本文。也可使用其他類型的機器人。

此外，在某些具體實施例中，多臂式機器人103、107的驅動組件係包含Z軸移動能力。特別是，馬達外殼係受一動作限制器限制而不相對於一外殼體旋轉。動作限制器可為兩個或更多個線性軸承或其他類型之軸承、或滑動機構，其係作用以限制馬達外殼相對於外殼體之旋轉，但允許馬達外殼與連接之臂部在垂直方向中的Z軸(垂直)動作。

垂直動作是由一垂直馬達所提供。垂直馬達的旋轉係運作以使在耦接至或整合於馬達外殼之一容器中的一導螺桿旋轉。此旋轉係可垂直地平移馬達外殼，且因此垂直地平移臂部、一或多個連接之端效器、以及其上所支撐之基板。一適當密封件係密封在馬達外殼與基部之間，藉此容納垂直動作並保持移送室102、106內的真空。雖然是繪示為矩形的移送室102、106，但應知也可使用其他的多邊形主機，例如五邊形、六邊形、七邊形、八邊形等。

第2圖說明一電子元件處理系統200的替代具體實施例。電子元件處理系統200包含一主機，該主機包含一第一主機201與一第二主機204。第一主機201包含一或多個磨光面與耦接至其中一個磨光面之一第一處理腔室(例如處理 腔室208A)，其中該第一處理腔室係配置且適用以對基板進行一處理，例如金屬或金屬氧化物還原處理，如上文所述。第二主機204包含一或多個磨光面，所述磨光面包含對其耦接的一或多個沉積處理腔室，其中該一或多個沉積處理腔室係配置且適用以對基板進行一鈷化學氣相沉積處理。在一或多個具體實施例中，係於一或多個沉積處理腔室內進行一PVD鈷沉積處理。在某些具體實施例中，該等沉積處理腔室中的一或多個、兩個或更多個、或甚至三個係具現為旋轉架，其將於下文中更完整說明。

詳言之，所述電子元件處理系統200包含了如在先前具體實施例中之一第一主機201(其具有一第一移送室202)與多個磨光面(例如一第一磨光面202A、與第一磨光面202A相對之一第二磨光面202B、一第三磨光面202C、以及與第三磨光面202C相對之一第四磨光面202D)。主機201係包含四個側部，且具有如先前具體實施例中之概呈方形或略呈矩形的形狀。也可使用其他多邊形主機形狀，例如五邊形、六邊形、七邊形、八邊形等。一第一機器人203係至少部分容納在移送室202中，且係運作以在耦接至第一移送室202的各個腔室之間交換基板，並可從第一移送室202進入。

電子元件處理系統200包含耦接至第一磨光面202A之一第一處理腔室組208A、208B。第一處理腔室組208A、208B係配置且適用以對基板進行一處理，例如金屬或金屬氧化物還原處理。金屬氧化物還原處理係如上所述。一承載裝置212係耦接至第三磨光面202C，且一穿越裝置218係耦接 至第四磨光面202D。其他配置也是可行的。

具有一第二移送室206之一第二主機204係耦接至穿越裝置218。第二主機204具有多個磨光面，例如第五磨光面206A、與第五磨光面206A相對之一第六磨光面206B、一第七磨光面206C、及與第七磨光面206C相對之一第八磨光面206D。其他配置也是可行的。有一或多個磨光面(例如磨光面206A、206B、206D)係包含對其耦接之一沉積處理腔室組，使得機器人207可進入該等沉積處理腔室組220、222、224。

在某些具體實施例中，至少一第一沉積處理腔室組220以及可能一第二沉積處理腔室組222係耦接至第五磨光面206A、第六磨光面206B或第八磨光面206D中至少其一並且係配置及適用以對基板進行鈷化學氣相沉積處理，且其中第七磨光面206C係耦接至穿越裝置218(如圖所示)。在一或多個具體實施例中，可在沉積處理腔室組220、222或224中至少其一內進行一PVD鈷沉積處理。沉積處理腔室組220、222或224之其他配置也是可行的。

在某些具體實施例中，該等沉積處理腔室組220、222或224中的一或多個、兩個或更多個、或甚至三個係具現為旋轉架，如第2圖所示。舉例而言，至少第一沉積處理腔室組220與第二沉積處理腔室組222係設為旋轉架。在所述具體實施例中，第一沉積處理腔室組220、第二沉積處理腔室組222與第三沉積處理腔室組224中全部三個都具現為分別耦接至第五、第六與第八磨光面之旋轉架。然而，也可能有 更多或較少數量的磨光面與耦接之旋轉架。

特別是，該旋轉架包含在旋轉的一旋轉架構件226(例如一基座)上的複數個位置(A、B、C、D)，以於該處容置基板。站點可為兩個、三個、四個或更多；基於處理量的考量，以四個站點為最佳。旋轉的旋轉架構件226在旋轉馬達(未示)的運作下旋轉，且係在站點A處載入為與狹縫閥相鄰，如圖所示。接著，旋轉的旋轉架構件226旋轉至進行處理的各個站點。在某些具體實施例中係進行鈷CVD。舉例而言，站點B與站點C為鈷CVD沉積站點。在某些具體實施例中，站點D為一退火站點，其中在進行了一或多次CVD沉積相之後的基板，係可在約400℃或更高的溫度下進行退火。在所示電子元件處理系統200中。具現為一旋轉架的每一個沉積腔室組220、222、224係包含至少四個站點(A、B、C與D)，其中包含了一載入站點(站點A)、兩個鈷CVD站點(站點B與站點C)、以及一個退火站點(站點D)。也可設置其他數量與類型之站點。每一個沉積腔室組220、222、224係在合適的真空等級下運作，且注入頭係置於站點B與站點C，以例如沉積一含鈷氣體。

第3圖說明了一電子元件處理系統300的另外一個替代具體實施例。如同在前述具體實施例中，系統300包含一第一主機201，該第一主機201包含一第一移送室202與複數個磨光面，例如一第一磨光面202A、與第一磨光面202A相對的第二磨光面202B、一第三磨光面202C、以及與第三磨光面202C相對的一第四磨光面202D。主機201係包含四個 側部，且具有概呈方形或略呈矩形的形狀。也可使用其他形狀與數量之磨光面，例如八邊形、六邊形等。一第一機器人203係至少部分容納在移送室202中，且係運作以在耦接至第一移送室202的各個腔室之間交換基板，並可從第一移送室202進入。

電子元件處理系統300也包含耦接至至少某些磨光面之處理腔室組，例如耦接至第一磨光面202A之一第一處理腔室組208A、208B。第一處理腔室組208A、208B係配置且適用以對基板進行一預清洗處理，例如金屬還原或金屬氧化物還原處理。金屬氧化物還原處理係如上所述。一承載裝置212係耦接至第三磨光面202C，且一穿越裝置218係耦接至第四磨光面202D。承載裝置212亦如同本文中其他處所說明。

具有一第二移送室306之一第二主機304係耦接至穿越裝置218。第二主機304包含複數個磨光面，例如第五磨光面306A、與第五磨光面306A相對之一第六磨光面306B、以及一第七磨光面306C。有一或多個磨光面306A與306B係各包含對其耦接之一沉積處理腔室或沉積腔室組。舉例而言，沉積腔室組320A、320B以及322A、322B係耦接至磨光面。磨光面306A與306B係各包含對其耦接之一沉積處理腔室組320A、320B與322A、322B，因此機器人307可進入沉積處理腔室組320A、320B與322A、322B。每一個沉積處理腔室組320A、320B與322A、322B係配置且適用以對基板進行處理，例如鈷化學氣相沉積(CVD)處理。耦接至第一移送室202之第二處理腔室組210A、210B係適用以進行如上述 之高溫退火處理。電子元件處理系統300的剩餘部分則與第2圖所述之具體實施例相同。

第4A圖與第4B圖說明了一電子元件處理系統400的另一替代具體實施例。電子元件處理系統400的此一具體實施例僅包含限定了一第一移送室402之一第一主機401。如圖所示，主機401具有多個磨光面。多個磨光面包含一第一磨光面402A、與第一磨光面402A相對之一第二磨光面402B、一第三磨光面402C、以及與第三磨光面402C相對之一第四磨光面402D。主機401具有四個側部與四個直角角部，並且具有概呈方形或略呈矩形之形狀。然而，其他的多邊形主機形狀也是可行的，例如五邊形、六邊形、七邊形、八邊形等。一機器人407係至少部分容納在移送室402中，且係運作以在耦接至第一移送室402的各個腔室之間交換基板，並可從第一移送室402進入。

電子元件處理系統400也包含具現為耦接至其磨光面之旋轉架的一或多個沉積處理腔室組420、422、424，以進行處理。特別是，電子元件處理系統400係包含一第一沉積處理腔室組420與一第二沉積處理腔室組422，其中第一沉積處理腔室組420包含耦接至該第一磨光面402A之一旋轉架，而第二沉積處理腔室組422包含耦接至該第二磨光面402B之一旋轉架。第二磨光面係與第一磨光面402A相對。承載裝置412係耦接至第三磨光面402C。包含一旋轉架之一第三沉積處理腔室組424係耦接至與承載裝置412相對的第四磨光面402D。也可使用其他配置。

第一、第二與第三沉積處理腔室組420、422、424中的一或多個係配置且適用以對基板進行處理，例如鈷化學氣相沉積(CVD)處理。在某些具體實施例中，第一、第二與第三處理腔室組420、422、424中的至少某些站點或旋轉架係適用以進行一高溫退火處理。高溫退火處理係僅在其中一個處理腔室組420、422、424處進行，或可整合至每一個處理腔室組420、422、424中。在此一整合式具體實施例中，處理腔室組420、422、424中係各包含一或多個CVD鈷沉積站點與一或多個退火站點。

第4B圖說明了沿著第4A圖中截線4B-4B所示之承載裝置412的代表性截面圖，且說明了承載處理腔室452A、452B、承載穿越腔室418A、418B、以及其他構件。承載裝置412的其他說明係可見於2014年3月10日所申請之美國專利申請案第14/203,098號。

處理承載裝置414包含一共同本體442，其具有可與承載腔室418A、418B及承載處理腔室452A、452B運作之狹縫閥。機器人407可從移送室402進入承載腔室418A、418B和承載處理腔室452A、452B。承載腔室418A、418B之出口係設於另一側部上，並可從工廠介面114進入。在所述具體實施例中，承載處理腔室452A、452B係直接位於承載腔室418A、418B上方。如第4B圖所示，一電漿來源456A、456B係耦接至每一個處理腔室452A、452B。在所述具體實施例中，係於入口處對遠端電漿來源456A、456B供應一氣體(例如H2)。分佈通道449將個別承載處理腔室452A、452B耦 接至遠端電漿來源456A、456B。

一適當真空泵與控制閥係設置在共同本體442下方，且用以於各種處理腔室452A、452B內產生一適當真空，以於其中進行特定處理。也可使用其他的控制閥與真空泵。在第4B圖所示之具體實施例中，承載裝置412的下承載腔室418A、418B係作用為可使基板在移送室402與工廠介面114間流動的承載室。處理腔室452A、452B係配置且可運作以對基板進行一輔助處理，例如對傳送至該處的基板進行金屬或金屬氧化物還原處理。金屬氧化物還原處理係如上文所述。

在某些具體實施例中，處理腔室中的一或多個係用以進行一退火處理，例如在耦接至移送室402的處理腔室組452A、452B處。特別是，處理腔室組452A、452B可依情況適用以進行上述之高溫退火處理。機器人407係用以進入偏軸腔室的任何適當機器人，如上文所述者。

此處將參照第5圖來說明一種於一電子元件處理系統(例如系統100A、100B、200、300、400)內處理基板的第一種方法。方法500包含：在502，提供具有至少一移送室(例如移送室102、106、202、206、306、402)與至少兩個磨光面之一主機、耦接至該至少兩個磨光面中至少其一之至少一處理腔室(例如處理腔室108、108A、108B、110、110A、110B、208A、208B、210A、210B、452A、452B)、以及耦接至該至少兩個磨光面中至少另一者之至少一個沉積處理腔室(例如沉積處理腔室120、120A、120B、122A、122B、420、422、424)。

方法500包含：在504，對在該至少一處理腔室中的基板進行一金屬還原處理或金屬氧化物還原處理(例如氧化銅移除處理)。

方法500包含：在506，對在該至少一沉積處理腔室中之基板進行一鈷化學氣相沉積處理。

在此將參照第6圖來說明另一種於一電子元件處理系統(例如系統100A、100B、200、300)內處理基板之方法。方法600包含：在602，提供具有一第一移送室(例如第一移送室102、202)、一第一磨光面(例如102A、202A)、與第一磨光面相對之一第二磨光面(例如102B、202B)、一第三磨光面(例如102C、202C)、及與第三磨光面相對之一第四磨光面(例如102D、202D)之一第一主機(例如主機101、201)以及耦接至一第一磨光面之一第一處理腔室組(例如120A、120B、220)。一第二處理腔室組(例如122A、122B、222)係耦接至該第二磨光面，而一第一承載室(例如112、212)係耦接至第三磨光面(例如第三磨光面102C、202C)。

方法600包含：在604，提供具有一第二移送室(例如106、206、306)、一第五磨光面(例如106A、206A、306A)、與第五磨光面相對之一第六磨光面(例如106B、206B、306B)、一第七磨光面(例如106C、206C、306C)、及與第七磨光面相對之一第八磨光面(例如106D、206D、306D)之一第二主機(例如主機104、204、304)、耦接至第五、第六或第八磨光面中至少其一之至少一第一沉積處理腔室組(例如120A、120B、或220、320A、320B)。

方法600包含：在606，對在至少該第一沉積處理腔室組中(舉例而言，例如在120A、120B中、或在220中、或在320A、320B中)之基板進行一鈷化學氣相沉積處理。在某些具體實施例中，對基板進行之鈷化學氣相沉積處理係於一第一與第二沉積處理腔室組中(例如在120A、120B與122A、122B中、或在220與222中、或在320A、320B與322A、322B中)進行。在另外的具體實施例中，對基板進行之鈷化學氣相沉積處理係於耦接至第二移送室(例如106、206)且可從該處進入的三個沉積處理腔室組中(例如在如第1B圖所示之120A、120B、122A、122B及124A、124C中、以及在第2圖所示之220、222、224中)進行。

在某些具體實施例中，例如第2圖之具體實施例中，一或多個、兩個或多個、或甚至三個旋轉架係包含沉積腔室組220、222和224，且係耦接至第二移送室206並可從第二移送室206進入。舉例而言，在一或多個具體實施例中，第一、第二與第三沉積處理腔室組220、222和224係分別耦接至第五磨光面206A、第六磨光面206B與第八磨光面206D。

在參照第4A圖與第4B圖、以及第7圖所說明之另一方法具體實施例中，提供了一種在一電子元件處理系統(例如電子元件處理系統400)內處理基板方法。方法700包含：在702，提供具有一移送室(例如移送室402)與至少兩個磨光面之一主機(例如主機401)，所述至少兩個磨光面係例如一第一磨光面(如402A)、與第一磨光面相對的一第二磨光面(如402B)、一第三磨光面(402C)、及與第三磨光面相 對的一第四磨光面(402D)。該等磨光面在水平截面中係形成一概為矩形或方形之形狀。然而，也可設置更多的磨光面，例如五邊形、六邊形、七邊形及八邊形之主機形狀。

方法700包含：在704中，提供耦接至該至少兩個磨光面中至少其一(例如耦接至第一磨光面、第二磨光面或第四磨光面)之一或多個沉積處理腔室(例如於第一、第二及第三沉積處理腔室組420、422、424中)。

方法700包含：在706，提供具有一或多個承載處理腔室(例如418A、418B)之一承載裝置(例如412)，該承載裝置係耦接至該至少兩個磨光面中的另一者，例如第三磨光面(如402C)。承載裝置也可耦接至一工廠介面(例如114)。

方法700進一步包含：在708，對在該一或多個承載處理腔室中的基板進行一金屬還原或金屬氧化物移除處理，以及在710，對在至少一沉積處理腔室中的基板進行鈷化學氣相沉積處理。

前述說明係僅揭露本發明之例示具體實施例。熟習該領域技術之人士將可直接清楚理解在發明範疇內對於上述裝置、系統與方法之修飾例。因此，本發明係已連結例示具體實施例而進行說明，應理解其他具體實施例係落於如下述申請專利範圍所定義之本發明的範疇內。

500‧‧‧方法

502‧‧‧方塊

504‧‧‧方塊

506‧‧‧方塊

Claims (20)

1. 一種電子元件處理系統，包括：一主機，具有至少一個移送室及至少兩個磨光面；一第一處理腔室，耦接至該至少兩個磨光面中的至少其中一個磨光面，並適以對基板執行一金屬還原製程或金屬氧化物還原製程以用於對該等基板進行預清洗；及至少一個沉積處理腔室，耦接至該至少兩個磨光面中的另一個磨光面，並用以對基板進行一鈷化學氣相沉積製程。
2. 如請求項1所述之電子元件處理系統，其中該至少一個沉積處理腔室包括至少一個沉積處理腔室組，用以進行該鈷化學氣相沉積製程。
3. 如請求項1所述之電子元件處理系統，包括一第二處理腔室，該第二處理腔室係耦接至另一磨光面且用以對所述基板進行一退火製程。
4. 如請求項1所述之電子元件處理系統，包括：一第一主機，具有一第一移送室與第一複數個磨光面；該第一處理腔室，耦接至該複數個磨光面中的其中一個磨光面並用以對基板進行該金屬還原製程或一金屬氧化物還原製程；一承載裝置，耦接至該第一複數個磨光面中的其中一個磨光面； 一連通裝置，耦接至該第一複數個磨光面中的其中一個磨光面；一第二主機，其具有一第二移送室，以及第二複數個磨光面；及該至少一個沉積處理腔室，耦接至該第二複數個磨光面中的其中一個磨光面，並用以對基板進行該鈷化學氣相沉積製程。
5. 如請求項1所述之電子元件處理系統，其中所述沉積處理腔室中的至少其中一個沉積處理腔室係用以對基板進行一電漿氣相沉積製程。
6. 如請求項1所述之電子元件處理系統，包括耦接至該至少兩個磨光面中至少一個另一磨光面之一承載裝置，該承載裝置係用以對基板進行一金屬還原或金屬氧化物還原製程。
7. 如請求項1所述之電子元件處理系統，包括：一第一主機，具有一第一移送室、一第一磨光面、一第二磨光面、一第三磨光面與一第四磨光面；一第一處理腔室組，耦接至該第一磨光面並用以對基板進行一金屬還原或金屬氧化物還原製程；一承載裝置，耦接至該第三磨光面；一連通裝置，耦接至該第四磨光面；一第二主機，具有一第二移送室、一第五磨光面、一第六 磨光面、一第七磨光面、與一第八磨光面；及至少一個沉積處理腔室組，耦接至該第五、第六或第八磨光面中的至少其中一個磨光面，且用以對基板進行一鈷化學氣相沉積製程。
8. 如請求項7所述之電子元件處理系統，包括一第二處理腔室組，耦接至該第二磨光面並用以對所述基板進行一退火製程。
9. 如請求項8所述之電子元件處理系統，其中一退火製程之一退火溫度為高於400℃。
10. 如請求項7所述之電子元件處理系統，包括：一第一沉積處理腔室組，耦接至該第五磨光面；一第二沉積處理腔室組，耦接至該第六磨光面；及一第三沉積處理腔室組，耦接至該第八磨光面；及各該第一沉積處理腔室組、第二沉積處理腔室組、與第三沉積處理腔室組係用以對基板進行一鈷化學氣相沉積製程。
11. 如請求項7所述之電子元件處理系統，其中至少一個其他沉積處理腔室組係用以對基板進行一電漿氣相沉積製程。
12. 如請求項7所述之電子元件處理系統，其中該第一移送室與該第二移送室中至少其一係被供以一惰性氣體。
13. 如請求項12所述之電子元件處理系統，其中該惰性氣體包括氬氣。
14. 如請求項7所述之電子元件處理系統，其中該至少一個沉積處理腔室組中的至少其一包含於一旋轉架中。
15. 一種於一電子元件處理系統內處理基板之方法，包括：提供一主機，該主機具有至少一個移送室與至少兩個磨光面，耦接至該至少兩個磨光面中至少其一的至少一個處理腔室，及耦接至該至少兩個磨光面中至少另一者的至少一個沉積處理腔室；於該至少一個處理腔室中對基板進行一金屬還原製程或金屬氧化物還原製程；及於該至少一個沉積處理腔室中對基板進行一鈷化學氣相沉積製程。
16. 如請求項15所述之方法，包括：提供一第一主機，該第一主機具有一第一移送室、一第一磨光面、一第二磨光面、一第三磨光面與一第四磨光面，提供一第一處理腔室組，該第一處理腔室組耦接至該第一磨光面，及提供一第一承載裝置，該第一承載裝置耦接至該第三磨光面；以及提供一第二主機，該第二主機具有一第二移送室、一第五 磨光面、一第六磨光面、一第七磨光面、及一第八磨光面，且該至少一個沉積處理腔室組係耦接至該第五、第六或第八磨光面中的至少其中兩個磨光面。
17. 如請求項15所述之方法，包括：於該至少一個處理腔室中的另一者中對基板進行一退火製程。
18. 一種電子元件處理系統，包括：一主機，其具有一移送室與至少兩個磨光面；至少一個沉積處理腔室，耦接至該至少兩個磨光面中的至少其中一個磨光面並用以對基板進行一鈷化學氣相沉積製程；及一承載裝置，耦接至該至少兩個磨面中的至少另一個磨面，該承載裝置適以對基板執行一金屬還原或金屬氧化物還原製程以用於對該等基板進行預清洗。
19. 如請求項18所述之電子元件處理系統，其中該至少一個沉積處理腔室是包含於一旋轉架中。
20. 一種於一電子元件處理系統內處理基板之方法，包括：提供一主機，該主機具有一移送室與至少兩個磨光面；提供一或多個沉積處理腔室，該一或多個沉積處理腔室耦接至該至少兩個磨光面中的至少其中一個磨光面；提供一承載裝置，該承載裝置具有一或多個承載處理腔 室，該一或多個承載處理腔室耦接至該至少兩個磨光面中的另一個磨光面；於該一或多個承載處理腔室中對基板進行一金屬還原或金屬氧化物還原製程；及於該一或多個沉積處理腔室中的至少其中一個沉積處理腔室中對基板進行一鈷化學氣相沉積製程。

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