TW200916959A - Photosensitive adhesive composition, film-like adhesive, adhesive sheet, method for forming adhesive pattern, semiconductor wafer with adhesive layer, semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device - Google Patents
Photosensitive adhesive composition, film-like adhesive, adhesive sheet, method for forming adhesive pattern, semiconductor wafer with adhesive layer, semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device Download PDFInfo
- Publication number
- TW200916959A TW200916959A TW097117432A TW97117432A TW200916959A TW 200916959 A TW200916959 A TW 200916959A TW 097117432 A TW097117432 A TW 097117432A TW 97117432 A TW97117432 A TW 97117432A TW 200916959 A TW200916959 A TW 200916959A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- adhesive
- photosensitive
- resin
- adhesive composition
- temperature
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J4/00—Adhesives based on organic non-macromolecular compounds having at least one polymerisable carbon-to-carbon unsaturated bond ; adhesives, based on monomers of macromolecular compounds of groups C09J183/00 - C09J183/16
- C09J4/06—Organic non-macromolecular compounds having at least one polymerisable carbon-to-carbon unsaturated bond in combination with a macromolecular compound other than an unsaturated polymer of groups C09J159/00 - C09J187/00
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
- B32B27/06—Layered products comprising a layer of synthetic resin as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
- B32B27/08—Layered products comprising a layer of synthetic resin as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of synthetic resin
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
- C08G73/06—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
- C08G73/10—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
- C08G73/1042—Copolyimides derived from at least two different tetracarboxylic compounds or two different diamino compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
- C08G73/06—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
- C08G73/10—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
- C08G73/1046—Polyimides containing oxygen in the form of ether bonds in the main chain
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
- C08G73/06—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
- C08G73/10—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
- C08G73/1057—Polyimides containing other atoms than carbon, hydrogen, nitrogen or oxygen in the main chain
- C08G73/106—Polyimides containing other atoms than carbon, hydrogen, nitrogen or oxygen in the main chain containing silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
- C08G73/06—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
- C08G73/10—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
- C08G73/1075—Partially aromatic polyimides
- C08G73/1082—Partially aromatic polyimides wholly aromatic in the tetracarboxylic moiety
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J11/00—Features of adhesives not provided for in group C09J9/00, e.g. additives
- C09J11/02—Non-macromolecular additives
- C09J11/06—Non-macromolecular additives organic
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J179/00—Adhesives based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing nitrogen, with or without oxygen, or carbon only, not provided for in groups C09J161/00 - C09J177/00
- C09J179/04—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain; Polyhydrazides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
- C09J179/08—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
- C09J7/10—Adhesives in the form of films or foils without carriers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
- C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
- C09J7/22—Plastics; Metallised plastics
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
- C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
- C09J7/38—Pressure-sensitive adhesives [PSA]
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
- G03F7/032—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders
- G03F7/037—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders the binders being polyamides or polyimides
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/065—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
- H01L25/0657—Stacked arrangements of devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/50—Multistep manufacturing processes of assemblies consisting of devices, each device being of a type provided for in group H01L27/00 or H01L29/00
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L2666/00—Composition of polymers characterized by a further compound in the blend, being organic macromolecular compounds, natural resins, waxes or and bituminous materials, non-macromolecular organic substances, inorganic substances or characterized by their function in the composition
- C08L2666/02—Organic macromolecular compounds, natural resins, waxes or and bituminous materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L2666/00—Composition of polymers characterized by a further compound in the blend, being organic macromolecular compounds, natural resins, waxes or and bituminous materials, non-macromolecular organic substances, inorganic substances or characterized by their function in the composition
- C08L2666/02—Organic macromolecular compounds, natural resins, waxes or and bituminous materials
- C08L2666/14—Macromolecular compounds according to C08L59/00 - C08L87/00; Derivatives thereof
- C08L2666/22—Macromolecular compounds not provided for in C08L2666/16 - C08L2666/20
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L63/00—Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L79/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon only, not provided for in groups C08L61/00 - C08L77/00
- C08L79/04—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain; Polyhydrazides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
- C08L79/08—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
- C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
- C09J2301/20—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive itself
- C09J2301/204—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive itself the adhesive coating being discontinuous
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
- C09J2301/30—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J2433/00—Presence of (meth)acrylic polymer
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J2463/00—Presence of epoxy resin
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J2475/00—Presence of polyurethane
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J2479/00—Presence of polyamine or polyimide
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J2479/00—Presence of polyamine or polyimide
- C09J2479/08—Presence of polyamine or polyimide polyimide
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/27—Manufacturing methods
- H01L2224/274—Manufacturing methods by blanket deposition of the material of the layer connector
- H01L2224/2743—Manufacturing methods by blanket deposition of the material of the layer connector in solid form
- H01L2224/27436—Lamination of a preform, e.g. foil, sheet or layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32135—Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/32145—Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
- H01L2224/83194—Lateral distribution of the layer connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
- H01L2225/04—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
- H01L2225/065—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
- H01L2225/06503—Stacked arrangements of devices
- H01L2225/0651—Wire or wire-like electrical connections from device to substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
- H01L2225/04—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
- H01L2225/065—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
- H01L2225/06503—Stacked arrangements of devices
- H01L2225/06555—Geometry of the stack, e.g. form of the devices, geometry to facilitate stacking
- H01L2225/06568—Geometry of the stack, e.g. form of the devices, geometry to facilitate stacking the devices decreasing in size, e.g. pyramidical stack
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
- H01L2225/04—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
- H01L2225/065—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
- H01L2225/06503—Stacked arrangements of devices
- H01L2225/06596—Structural arrangements for testing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01004—Beryllium [Be]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01012—Magnesium [Mg]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01019—Potassium [K]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/0102—Calcium [Ca]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01029—Copper [Cu]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
- H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
- H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
- H01L2924/1025—Semiconducting materials
- H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
- H01L2924/10253—Silicon [Si]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/153—Connection portion
- H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
- H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/156—Material
- H01L2924/15786—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
- H01L2924/15788—Glasses, e.g. amorphous oxides, nitrides or fluorides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/35—Mechanical effects
- H01L2924/351—Thermal stress
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Adhesive Tapes (AREA)
- Die Bonding (AREA)
- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
Description
200916959 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於感光性黏著劑組成物、薄膜狀黏著劑、 黏著薄片、黏著劑圖型之形成方法、附黏著劑層之半導體 晶圓、半導體裝置、及半導體裝置之製造方法。 【先前技術】 近年來隨著電子零件之高性能化、高功能化,已提案 出具有種種形態之半導體封裝件。使用於與半導體封裝件 、半導體元件與半導體元件載持用支持構件進行黏著時的 黏著劑中除具有低應力性、低溫黏著性、耐濕信賴性、耐 迴焊性以外’有時要求具備半導體封裝件之功能、形態及 藉由組裝製程之簡略化方法,可進行圖型形成之感光性功 能。 所謂感光性爲照射光之部分的化學性變化,於水溶液 或有機溶劑中呈現不溶化或可溶化之功能。使用具有該感 光性之感光性黏著劑時,介著光罩進行曝光,藉由顯像液 使其圖型形成’進而可形成高精細之黏著劑圖型。 作爲具有可形成如此圖型之感光性功能的材料,至今 除光阻以外’可使用聚醯亞胺樹脂前驅物(聚醯胺酸)或 聚醯亞胺樹脂作爲基底之材料(例如,專利文獻丨〜3參 照)。 [專利文獻1 ]特開2 0 0 0 - 2 9 0 5 0 1號公報 [專利文獻2 ]特開2 0 0 1 - 3 2 9 2 3 3號公報 200916959 [專利文獻3]特開平1 1 -242 5 7號公報 【發明內容】 然而’具有上述感光性功能的材料並非被設定作爲黏 著劑之功能的設計。又’將這些材料作爲上述半導體封裝 件用之黏著劑使用時,如光阻之材料難以確保耐熱性。 又’聚醯亞胺樹脂前驅物(聚醯胺酸)及聚醯亞胺樹 脂之情況爲,雖具有優良的耐熱性,使用前者聚酿胺酸時 進行熱閉環亞胺化時、以及使用後者聚醯亞胺樹脂時進行 加工時各必須3 0 0 °C以上之高溫,對周邊材料之熱傷害較 大,且有著容易產生熱應力等問題。 且,已嘗試藉由於含有聚醯亞胺樹脂等黏著劑中添加 熱硬化件樹脂進行交聯,改良低溫加工性及焊接耐熱性。 然而’如此方法中,對於藉由鹼性顯像液之圖型形成性及 被黏物於低溫之貼合性雙方,難以同時達到較高水準。又 ,上述過去材料爲,曝光後進行熱壓著時難表現充分較高 黏著力,且難賦予良好再黏著性,且難以達到曝光後的充 分再熱壓著性及硬化後之充分較高黏著力的雙方。且,上 述過去材料爲圖型形成,且於被黏物進行壓著後,進行加 熱處理時,有著會引起未反應成分之揮發、被黏物之剝離 及/或元件污染之傾向。 本發明係有鑑於上述過去技術所具有的問題所成者, 提供一種以藉由鹼性顯像液具有優良圖型形成性,具有曝 光後之充分再黏著性,形成薄膜狀時的低溫貼合性亦優良 -6- 200916959 的感光性黏著劑組成物爲目的。 又,本發明係以提供一種具有優良之藉由鹼性顯像 '液 的圖型形成性,曝光後的充分再黏著性之同時,低溫貼合 性亦優良的薄膜狀黏著劑及黏著劑圖型之形成方法爲目的 0 且,本發明係以提供一種可賦予半導體裝置組裝製程 之效率化的黏著薄片、附黏著劑層之半導體晶圓、半導體 裝置及半導體裝置之製造方法爲目的。 欲達到上述目的,本發明提供一種含有(A )鹼可溶 性聚合物、(B )熱硬化性樹脂、與(C ) 一種或複數的放 射線聚合性化合物、與(D )光啓始劑,組成物中的全放 射線聚合性化合物之混合物的減少5 %重量之溫度爲 200 °C以上的感光性黏著劑組成物。 所謂本發明之感光性黏著劑組成物爲,因具有上述構 成,可藉由鹼性顯像液可高水準下達到圖型形成性、及曝 光後之再黏著性,且形成薄膜狀時,可得到優良的低溫貼 合性。 又,本發明之感光性黏著劑組成物中,上述(C )放 射線聚合性化合物爲含有具有尿烷基及/或三聚異氰酸酯 基之化合物者爲佳。此時,可進一步提高硬化後之黏著性 〇 又,本發明的感光性黏著劑組成物中,上述(C )放 射線聚合性化合物以含有丙烯酸酯化合物及/或甲基丙烯 酸酯化合物者爲佳。此時,藉由放射線照射可進一步提高 200916959 圖型形成性。 又,本發明之感光性黏著劑組成物中,上述(C )放 射線聚合性化合物以含有3官能以上之丙烯酸酯化合物者 爲佳。此時,可進一步提高硬化後之黏著性的同時,可抑 制加熱時之漏氣。 又,本發明之感光性黏著劑組成物中,上述(C )放 射線聚合性化合物係以含有下述一般式(I )所示三聚異 氰酸環氧乙烷改性二或三丙烯酸酯者爲佳。此時,可得到 硬化後之黏著性及耐熱性特別良好者。 [化1]
[式(I)中,R1表示氫原子或- COCH=CH2。] 又,本發明之感光性黏著劑組成物中,上述(B )熱 硬化性樹脂以含有環氧樹脂者爲佳。此時,可進一步提高 局溫黏者性。 又,本發明之感光性黏著劑組成物中,上述(A )鹼 可溶性聚合物之玻璃轉移溫度以1 5 0 °C以下爲佳。此時, 可得到形成爲薄膜狀時的低溫貼合性較良好者。 又,本發明之感光性黏著劑組成物中,上述(A )鹼 可溶性聚合物以具有羧基及/或羥基之樹脂爲佳。此時, 可得到藉由鹼性顯像液之圖型形成性較良好者。 -8 - 200916959 又,本發明之感光性黏著劑組成物中,上述(A )鹼 可溶性聚合物係以聚醯亞胺樹脂爲佳。此時,可得到硬化 後之高溫黏著性及耐熱性更良好者。 其中’上述聚醯亞胺樹脂係以四羧酸二酐與分子中具 有羧基及/或羥基之二胺進行反應所得的聚醯亞胺樹脂爲 佳。 又’上述聚醯亞胺樹脂爲係以四羧酸二酐與下述式( II )所示芳香族二胺及/或下述式(ΙΠ )所示芳香族二胺進 行反應所得之聚醯亞胺樹脂爲佳。 [化2] H2N\^\/NH2
Φ發明又提供一S將上述本發明之感光性黏著劑組成 物成形爲薄膜狀之溥膜狀黏著劑。該薄膜狀黏著劑係甶上 述本發明之黏著劑組成物所成者,故可高水準下達到藉由 鹼性顯像液之圖型形成性、曝光後之再黏著性、及低溫貼 合性。 本發明又提供具備基材、與於該基材之一面上所設置 -9- 200916959 的上述本發明的感光性黏著劑組成物所成的黏著劑層之黏 著薄片。該黏著薄片爲具備上述本發明之黏著劑組成物所 成的黏著劑層,且爲上述本發明之黏著劑組成物所成者, 故可高水準下達到藉由鹼性顯像液之圖型形成性、曝光後 之再黏著性'及低溫貼合性。又,因處理容易,故可達到 半導體裝置組裝製程之效率化。 本發明又提供一種具有上述本發明之薄膜狀黏著劑、 與切割薄片經層合的結構之黏著薄片。該黏著薄片可得到 上述本發明之黏著薄片的效果之同時,藉由具備切割薄片 ,可同時發揮作爲黏晶(Die bonding)薄膜與作爲切割薄 片之兩者功能,可進一步提高半導體裝置組裝製程之效率 化。 本發明又提供一種將上述本發明的感光性黏著劑組成 物所成黏著劑層形成於被黏物上,將該黏著劑層藉著光罩 進行曝光,將曝光後之上述黏著劑層藉由鹼性顯像液進行 顯像處理的黏著劑圖型之形成方法。該黏著劑圖型之形成 方法,可實現圖型之高精細化。 本發明又提供一具備種半導體晶圓、與於該半導體晶 圓之一面上所設置的上述本發明之感光性黏著劑組成物所 成的黏著劑層之附黏著劑層之半導體晶圓。該附黏著劑層 之半導體晶圓因具備上述本發明之黏著劑組成物所成的黏 著劑層,故可得到優良低溫貼合性,且可達到半導體裝置 組裝置製程的效率化。 本發明又提供一種具有使用上述本發明之感光性黏著 -10- 200916959 劑組成物的半導體元件與半導體元件載持用支持構件經黏 著之結構的半導體裝置。 本發明又提供一種具有使用上述本發明之感光性黏著 劑組成物的半導體元件與半導體元件載持用支持構件經黏 著之步驟的半導體裝置之製造方法。 依據這些半導體裝置及該製造方法,因使用上述本發 明之感光性黏著劑組成物,故可得到具有優良高溫黏著性 及優良信賴性之半導體裝置。 [發明之效果] 所謂本發明爲可提供一種具有優良的藉由鹼性顯像液 之圖型形成性、曝光後之充分再黏著性,形成爲薄膜狀時 低溫貼合件亦優良的感光性黏著劑組成物。又,本發明爲 可提供一種具有優良的藉由鹼性顯像液之圖型形成性、及 曝光後之充分再黏著性之同時,亦具有優良低溫貼合性之 薄膜狀黏著劑及黏著劑圖型的形成方法。且,本發明爲提 供一種可達到半導體裝置組裝製程之效率化的黏著薄片、 附黏著劑層之半導體晶圓、半導體裝置及半導體裝置之製 造方法。 [實施發明之較佳形態] 以下依情況參照圖面下對本發明之較佳實施形態進行 詳細説明。且,圖面中同一或相當部分賦予同一符號,省 略重複説明。又,上下左右等之位置關係若無特別說明, -11 - 200916959 則以圖面所示位置關係爲準。且’圖面之尺寸比率並不限 定於圖示比率。 本發明的感光性黏著劑組成物爲含有(A )鹼可溶性 聚合物、(B)熱硬化性樹脂、(C ) 一種或複數的放射線 聚合性化合物、與(D )光啓始劑者’組成物中之全放射 線聚合性化合物的混合物減少5 %重量之溫度爲2 0 0 °C以 上者。 其中,所謂減少5 %重量之溫度爲,將取樣使用差示 熱熱重量同時測定裝置(SI1 NanoTechn〇1〇gy製、商品名 「TG/DTA63 00」),於昇溫速度l〇°C/min,氮氣流( 400ml/min)下進行測定時的減少5%重量之溫度。 首先,對於上述(C )放射線聚合性化合物做説明。 卜.述(C )放射線聚合性化合物係爲使感光性組成物中之 全放射線聚合性化合物的混合物減少5 %重量之溫度爲 2 0 0 °C以上而選出的一種或複數化合物,僅可藉由紫外線 或電子束等放射線之照射使其聚合及/或硬化之化合物即 可,並無特別限定。又’ (C )放射線聚合性化合物爲含 有1種以上減少5 %重量之溫度爲2 0 0 °c以上之放射線聚 合性化合物。作爲減少5 %重量之溫度爲2 〇 0艺以上的放 射線聚合性化合物之具體例,例如,可舉出下述一般式( IV)所示雙酚A-EO改性二丙烯酸酯、雙酚f-EO改性二 丙嫌酸醋以外,亦可舉出下述一般式(V)所示三聚異氰 酸改性二及三丙烯酸酯、三聚異氰酸改性三丙烯酸酯、ε. 己內醋改性梦(丙嫌氧基乙基)三聚異氰酸醋或季戊四醇 -12- 200916959 五丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、季戊四醇五甲基丙烯 酸酯、季戊四醇四甲基丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯 、二季戊四醇六甲基丙烯酸酯、二三羥甲基丙烷四丙烯酸 酯、環氧基丙烯酸酯、聚醚丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯、丙 烯基丙烯酸酯、尿烷丙烯酸酯、尿烷甲基丙烯酸酯及尿素 丙烯酸酯。這些可單獨使用1種或組合2種以上後使用。
[式(iv)中,r3及r4各獨立表示氫原子或甲基,q及1· 各獨立表示1以上之整數]。
[式(V)中,R表示含有甲基丙烯酸酯基或丙烯酸酯基之 碳原子數爲〇〜30之有機基]。 上述尿烷丙烯酸酯及尿烷甲基丙稀酸酯’例如藉由二 醇類、下述一般式(VI)所示異氰酸醋化合物、及下述一 般式(V 11 )斲示化合物之反應而生成。
OCN一R5-NCO (严〇)s (VI) [式(VI)中,s表示〇或1,R5表示碳原子數爲1〜30之 -13- (VII)200916959 2價或3價有機基]。 [化7] R6 ^2〇=〇—Q一〇—R7·一〇|_|II 〇 [式(VII)中’ R6表示氫原子或甲基,R7表示 丙基]。 上述尿素甲基丙烯酸酯,例如由下述一般 所示二胺、與下述—般式(IX )所示化合物之 伸乙基或伸 式(VIII ) 反應而生成 [化8] H2N—R8-NH2 (VI I I) [式(VIII)中,R8表示碳原子數爲2〜30之 價有機基] [化9] CH,
CH2=c-g-0<CH2CH2〇^—NCO X) [式(IX)中,t表示〇或1]。 可使用如以上之化合物以外,亦可使用含 乙嫌基共聚合物上,加成反應具有至少1個乙 基、與環氧乙烷環、異氰酸酯基、羥基、羧基 化合物所得之側鏈上具有乙烯性不飽和基之放 共聚合物等。 有官能某之 烯性不飽和 等官能基之 射線聚合性 -14- 200916959 這些放射線聚合性化合物可使用單獨1種或組合2種 類以上使用。其中,亦以上述一般式(IV )所示放射線聚 合化合物可賦予硬化後之耐溶劑性而較佳。 又’上述一般式(V)所示三聚異氰酸改性丙烯酸酯 、三聚異氰酸改性甲基丙烯酸酯、尿烷丙烯酸酯及尿烷甲 基丙烯酸酯因可賦予硬化後之高黏著性而較佳。這些可單 獨使用1種或組合2種類以上使用。特別爲倂用上述一般 式(IV )所示放射線聚合化合物、與具有尿烷基及/或三 聚異氰酸酯基之丙烯酸酯化合物及/或甲基丙烯酸酯化合 物時,可得到有效的上述各化合物之效果故較佳。 又,作爲(C )放射線聚合性化合物,上述一般式(V )所示化合物之中,特別以使用下述一般式(I )所示三 聚異氰酸環氧乙烷改性一.或三丙烯酸酯時,可進一步提高 硬化後之黏著性而較佳。 [化 10]
[式(I)中,R1表不氧原子或- COCH=CH2。] 且,(C )放射線聚合性化合物亦可含有減少5 %重 量之溫度爲2〇〇°C以上的放射線聚合化合物以外之其他放 射線聚合性化合物。其他放射線聚合性化合物爲減少5 % 重量之溫度未達2 00 °C之放射線聚合化合物,例如可舉出 -15- 200916959 N -丙烯醯氧基乙基六氫酞醯亞胺、環氧丙基甲基丙烯酸酯 、環氧丙基丙烯酸酯等單官能丙烯酸酯、尿烷甲基丙烯酸 酯、尿烷丙烯酸酯、聚醚丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯等。 本發明之感光性黏著劑組成物中,減少5 %重量之溫 度爲2 0 0°C以上的放射線聚合化合物、與減少5 %重量之 溫度未達2 0 0 °C之放射線聚合化合物之含有量比率並無特 別限定’但由可充分得到本發明效果之觀點來看,全放射 線聚合化合物中’減少5 %重量之溫度爲2 0 0 °C以上之放 射線聚合化合物的比率以4 0質量%以上爲佳,7 0質量% 以上爲較佳,100質量%爲最佳。 (C )放射線聚合性化合物係以減少熱壓著、熱硬化 及於被黏物上黏著後之熱經歷的漏氣之觀點來看,組成物 中之全放射線聚合性化合物的混合物的減少5 %重量之溫 度必須爲200°C以上’以250°C以上爲佳,以300°C以上爲 更佳。作爲如此(C )放射線聚合性化合物,並無特別限 定,但上述中,可得到減少5 %重量之較高溫度的觀點來 看,使用藉由加熱進行聚合之多官能丙烯酸酯等爲佳,使 用3官能以上之丙烯酸酯化合物爲特佳& 本發明的感光性黏著劑組成物中,(C )放射線聚合 化合物之含有量對於(A )鹼可溶性聚合物1 〇〇質量份而 言以5〜2 0 0質量份爲佳,以1 〇〜1 〇 〇質量份爲較佳。(C )放射線聚合性化合物的含有量超過200質量份時,藉由 聚合會有熱熔融時之流動性降低,熱壓著時之黏著性降低 之傾向。又,未達5質量時,會有藉由曝光之光硬化後的 -16- 200916959 耐溶劑性降低、難以形成圖型之傾向,故不佳。 構成本發明之感光性黏著劑組成物的(A )鹼可溶性 聚合物係具有鹼可溶性基之聚合物即可,並無特別限定。 作爲(A )鹼可溶性聚合物,以作爲鹼可溶性基具有羧基 及/或羥基之熱塑性樹脂爲佳’例如可選出聚醯亞胺樹脂 、聚醯胺樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、聚醚醯亞胺樹脂、聚 尿烷醯亞胺樹脂、聚尿烷醯胺醯亞胺樹脂、矽氧烷聚醯亞 胺樹脂、聚酯醯亞胺樹脂或彼等共聚合物,彼等之前驅物 (聚醯胺酸)以外’亦可選出聚苯並噁唑樹脂、苯氧基樹 脂、酚漆用酚醛樹脂、聚颯樹脂、聚醚碾樹脂、聚苯硫醚 樹脂、聚酯樹脂 '聚醚酮樹脂、重量平均分子量爲1萬〜 1 00萬之(甲基)丙烯酸共聚物等所成群之至少1種以上 的樹脂爲佳。彼等中亦以使用後述聚醯亞胺樹脂爲佳。 本發明的感光性黏著劑組成物作爲薄膜狀黏著劑、與 其他構件組合之黏著薄片使用’而適用於半導體晶圓等, 但薄膜狀黏著劑對晶圓裏面之貼合溫度以可抑制半導體晶 圓的反翹之觀點來看’ 20〜200 °C爲佳’ 20〜150 °C爲較佳 ,2 5〜1 0 0 °C爲特佳。 欲可以上述溫度下貼合時’以薄膜狀黏著劑之Tg爲 1 5 0。(:以下時爲佳。因此’使用於感光性黏著劑組成物的 (A )熱塑性樹脂之玻璃轉移溫度()以1 50°C以下爲 佳,以-2 0〜1 〇 〇 °C爲較佳’以_ 2 0〜8 0 °C爲特佳。(A )熱 塑性樹脂之Tg超過1 50°C時’會有對晶圓裏面之貼合溫度 超過200。(:之可能性會提咼、或容易產生對晶圓裏面經貼 -17- 200916959 合後的反翹之傾向,Tg未達-20 °C時,會有B階段狀態下 之薄膜表面的膠黏性會過強、或處理性變差之傾向。又’ 決定後述聚醯亞胺樹脂之組成時,將該Tg設置爲1 50°c以 下爲佳。 又,將(A )鹼可溶性聚合物之重量平均分子量控制 至10,000〜300,000之範圍內爲佳,以10,000〜100, 〇〇〇 爲較佳,10,000〜80,000爲更佳。重量平均分子量若爲上 述範圍內時,可將感光性黏著劑組成物做成薄片狀或薄膜 狀時的強度、可撓性、及膠黏性良好。又,欲使熱時流動 性良好,可確保對基板表面之配線段差的良好埋入性。且 ,上述重量平均分子量未達10,000時,會有薄膜形成性 變差的傾向,超過3 0 0,0 0 0時,會有熱時之流動性變差的 傾向,又(A )鹼可溶性聚合物對鹼性顯像液之溶解性會 有降低的傾向,故皆不佳。 上述(A)鹼可溶性聚合物之Tg及重量平均分子量爲 上述範圍內時,可抑制對晶圓裏面之貼合溫度降低的同時 ,亦可降低半導體元件黏著固定於半導體元件載持用支持 構件時的加熱溫度(粒接溫度),可抑制半導體元件之反 翹增加。又,可有效地賦予粒接時之流動性或顯像性。 且’上述T g爲將(A )鹼可溶性聚合物進行薄膜化時 的主分散波峰溫度,使用Rheometrics公司製之黏彈性分 析儀(商品名「RSA-2」),於昇溫速度5 °C/ min、周波數 1 Η z、測定溫度-1 5 0〜3 0 0 °C之條件下進行測定,測定T g 附近的tan8波峰溫度,將此作爲主分散溫度。又,上述 -18- 200916959 重量平均分子量爲使用島津製作所公司製之高速液體層析 法(商品名「C-R4A」),以聚苯乙烯換算進行測定時的 重量平均分子量。 作爲(A )鹼可溶性聚合物所具有的鹼可溶性基,可 舉出如上述之羧基或羥基等,其中以可得到良好顯像性之 觀點來看,以羧基爲佳。(A )鹼可溶性聚合物爲末端或 側鏈具有彼等鹼可溶性基之聚合物爲佳。且,作爲上述羥 基以酚性羥基爲佳。 作爲上述(A )鹼可溶性聚合物,使用如上述之聚醯 亞胺樹脂爲佳。聚醯亞胺樹脂,例如係由將四羧酸二酐與 二胺以公知方法進行縮合反後得到。 即,有機溶劑中將四羧酸二酐與二胺以等莫耳、或視 必要對四羧酸二酐之合計1 . 〇 m ο 1而言,調整二胺之合計 較佳爲0.5〜2.0mol,更佳爲0.8〜l.Omol之範圍下的組成 比(各成分之添加順序爲任意)’反應溫度80°C以下’較 佳爲0〜6 0 °C下進行加成反應。 隨著反應進行,反應液的黏度徐徐上昇,生成聚醯亞 胺樹脂之前驅物的聚醯胺酸。且’欲降低黏著劑組成物之 諸特性的降低,上述四羧酸二酐以乙酸酐下進行再結晶純 化處理者爲佳。 且,對於上述縮合反應中之四羧酸二酐與二胺的組成 比,對於四羧酸二酐之合計1 _0mo1而言,二胺之合計超 過2.Omol時,所得之聚醯亞胺樹脂中,胺末端之聚醯亞 胺寡聚物的量會有增多的傾向’另一方面,二胺之合計未 -19- 200916959 達0.5mol時,酸末端之聚醯亞胺寡聚物的量會有增多之 傾向,任一情況下,聚醯亞胺樹脂之重量平均分子量會降 低,且含有黏著劑組成物之耐熱性的種種特性會有降低的 傾向。 又,欲使所得之聚醯亞胺樹脂的重量平均分子量成爲 10000〜300000,適宜地決定四羧酸二酐與二胺之裝入組 成比爲佳。 聚醯亞胺樹脂係由將上述反應物(聚醯胺酸)進行脫 水閉環而得到。脫水閉環可使用加熱處理的熱閉環法、脫 水劑之化學閉環法等進行。 作爲聚醯亞胺樹脂之原料所使用的四羧酸二酐並無特 別限定,例如可舉出均苯四甲酸二酐、3,3 ’,4,4 ’ -聯苯基四 羧酸二酐、2,2’,3,3’-聯苯基四羧酸二酐、2,2-雙(3,4 -一 羧基苯基)丙烷二酐、2,2-雙(2,3-二羧基苯基)丙烷二 酐、1,1-雙(2,3-二羧基苯基)乙二酐、雙(3,4-二羧 基苯基)乙二酐、雙(2,3 -二羧基苯基)甲二酐、雙( 3,4-二羧基苯基)甲二酐、雙(3,4-二羧基苯基)颯二酐 、3,4,9,10-茈四羧酸一.酐、雙(3,4-二羧基苯基)醚二酐 、苯-1,2,3,4 -四羧酸二酐、3,4,3’,4’-二苯甲酮四羧酸二酐 、2,3,2’,3’-二苯甲酮四羧酸二酐、3,3,3’,4’-二苯甲酮四 羧酸二酐、1,2,5,6-萘四羧酸二酐、1,4,5,8-萘四羧酸二酐 、2,3,6,7 -萘四羧酸二酐、1,2/,5 -萘四羧酸二酐、2,6 -二 環萘-1,4,5,8 -四羧酸二酐、2,7-二環萘-1,4,5,8-四羧酸二酐 、2,3,6,7-四氯萘-1,4,5,8-四羧酸二酐、菲_1,8,9,10-四羧 -20- 200916959 酸二酐、吡嗪-2,3,5,6-四羧酸二酐、噻吩-2,3,5,6-四羧酸 二酐、2,3,3’,4’-聯苯基四羧酸二酐、3,4,3’,4’-聯苯基四 羧酸二酐、2,3,2 ’,3 ’ -聯苯基四羧酸二酐、雙(3,4 -二羧基 苯基)二甲基矽烷二酐、雙(3,4-二羧基苯基)甲基苯基 矽烷二酐、雙(3,4-二羧基苯基)二苯基矽烷二酐、1,4-雙(3,4-二羧基苯基二甲基甲矽烷基)苯二酐、1,3-雙( 3.4- 二羧基苯基)-1,1,3, 3-四甲基二環己二酐、p-伸烷基 雙(偏苯三酸酐)、伸乙基四羧酸二酐、1,2,3,4-丁烷四 羧酸二酐、十氫萘-1,4,5,8-四羧酸二酐、4,8-二甲基-1,2,3,5,6,7-六氫萘-1,2,5,6-四羧酸二酐、環戊烷-1,2,3,4-四羧酸二酐、吡略烷-2,3,4,5-四羧酸二酐、1,2,3,4-環丁烷 四羧酸二酐、雙(exo-雙環[2,2,1]庚烷- 2,3-二羧酸二酐、 雙環-[2.2.2]-辛-7-烯- 2·3·5·6-四羧酸二酐、2,2-雙(3,4-一 羧基苯基)丙烷二酐、2,2-雙[4- (3,4-二羧基苯基)苯基] 丙烷二酐、2,2-雙(3,4-二羧基苯基)六氟丙烷二酐、2,2-雙[4- (3,4-二羧基苯基)苯基]六氟丙烷二酐、4,4’-雙( 3.4- 二羧基苯氧基)二苯基硫化物二酐、1,4-雙(2-羥基 六氟異丙基)苯雙(偏苯三酸酐)、1,3-雙(2-羥基六氟 異丙基)苯雙(偏苯三酸酐)、5-(2,5 -二氧四氫呋喃基 )-3-甲基-3-環己烯-1,2-二羧酸二酐、四氫呋喃-2,3,4,5-四羧酸二酐、下述一般式(X )所示四羧酸二酐等。 -21 - 200916959 [化 11]
[式中,a表示2〜20之整數]。 上述一般式(X )所示四羧酸二酐,例如可由偏苯三 酸酐單氯化物及對應之二醇進行合成而得,具體可舉出 1,2-(伸乙基)雙(偏苯三酸酐)、1,3-(三伸甲基)雙 (偏苯三酸酐)、1,4-(四伸甲基)雙(偏苯三酸酐)、 1,5-(五伸甲基)雙(偏苯三酸酐)、:1,6-(六伸甲基) 雙(偏苯三酸酐)、1,7-(七伸甲基)雙(偏苯三酸酐) 、:1,8-(八伸甲基)雙(偏苯三酸酐)、:1,9-(九伸甲基 )雙(偏苯三酸酐)、1,1 〇-(十伸甲基)雙(偏苯三酸酐 )、:l,12-(十二伸甲基)雙(偏苯三酸酐)、:l,16-(十 六伸甲基)雙(偏苯三酸酐)、1,1 8 -(十八伸甲基)雙( 偏苯三酸酐)等。 又,作爲四羧酸二酐,由對溶劑之良好溶解性及耐濕 信賴性之觀點來看,以下述式(XI )或(XII )所示四羧 酸二針爲佳。 -22- (XI) 200916959 [化 12]
[化 13]
如上述四羧酸二酐可單獨使用1種或組 使用。 作爲上述聚醯亞胺樹脂之原料所使用的 下述一般式(XIII) 、 (XIV) 、 (XV)或 芳香族二胺者爲佳。這些下述式(XIII )〜 芳香族二胺以全二胺的1〜5 0莫耳%時爲佳 爲對鹼性顯像液爲可溶之聚醯亞胺。該芳香 莫耳%時’對鹼性顯像液之溶解性會有降低 5 〇莫耳%時’顯像中黏著劑層由被黏物剝離 高。 [化 14] 合2種類以上 二胺,以含有 (XVI )所示 (XVI )所示 。藉此可調整 族二胺未達1 之傾向,超過 之可能性會提
-23- (XIV) 200916959 [化 15] h2n
HOOC
[化 16] h2n^^nh2
OH (XV) [化 17]
(X V I ) 作爲上述聚醯亞胺樹脂之原料所使用的其他二胺,並 無特別限定,例如可舉出〇-伸苯基二胺、m-伸苯基二胺、 p-伸苯基二胺、3,3’-二胺二苯基醚' 3,4’-二胺二苯基醚、 4,4’-二胺二苯基醚、3,3’_二胺二苯基甲烷、3,4’-二胺二 苯基甲烷、4,4’-二胺二苯基甲烷、雙(4-胺- 3,5-二甲基苯 基)甲烷、雙(4 -胺-3,5 -二異丙基苯基)甲烷、3 , 3 ’ -二胺 二苯基二氟甲烷、3,4’-二胺二苯基二氟甲烷、4,4’-二胺二 苯基二氟甲烷、3,3’-二胺二苯基颯、3,4、二胺二苯基颯、 4,4’-二胺二苯基颯、3,3’-二胺二苯基硫化物、3,4’-二胺 二苯基硫化物、4,4’-二胺二苯基硫化物、3,3’-二胺二苯基 -24- 200916959 酮、3,4’-二胺二苯基酮、4,4’-二胺二苯基酮、2,2-雙(3-胺苯基)丙烷、2,2’-(3,4’-二胺二苯基)丙烷、2,2-雙( 4-胺苯基)丙烷、2,2-雙(3_胺苯基)六氟丙烷、2,2-( 3,4’-二胺二苯基)六氟丙烷、2,2-雙(4-胺苯基)六氟丙 烷、1,3-雙(3-胺苯氧基)苯、1,4-雙(3-胺苯氧基)苯、 1,4-雙(4-胺苯氧基)苯、3,3’-[1,4-伸烷基雙(卜甲基亞 乙基)]雙苯胺、3,4’_[1,4_伸烷基雙(1-甲基亞乙基)]雙 苯胺、4,4’-[1,4-伸烷基雙(1-甲基亞乙基)]雙苯胺、2,2-雙[4- ( 3-胺苯氧基)苯基]丙烷、2,2-雙[4- ( 3-胺苯氧基 )苯基]六氟丙烷、2,2-雙[4- (4-胺苯氧基)苯基]六氟丙 烷、雙[4- ( 3-胺乙氧基)苯基]硫化物、雙[4- ( 4-胺乙氧 基)苯基]硫化物、雙[4-(3-胺乙氧基)苯基]颯、雙[4-( 4-胺乙氧基)苯基]砸、3.3’-二羥基- 4.4’ - 一.胺聯苯基、 3 , 5 -二胺安息香酸等芳香族二胺、1 , 3 -雙(胺甲基)環己 烷、2,2-雙(4-胺苯氧基苯基)丙烷、下述一般式(XVII )所示之脂肪族醚二胺、下述一般式(XIX )所示之脂肪 族二胺、下述一般式(XX )所示之矽氧烷二胺等。 [化 18] h2n—Q1—f 〇—q2)^-o—q3-n h2 (XVII) [式中,Qi、Q2及Q3各獨立表示碳數1〜10之伸烷基,b 表示2〜80之整數]。 [化 19] H2N-fcH2)^-NH2 (XIX) -25- 200916959 [式中,C表示5〜20之整數]。 [化 20] Q7 I -0—Si-I Q8 Q5 -q9-nh2 (XX) H2N—Q4-Si-Q6 [式中,Q4及Q9各獨立表示可具有碳數1〜5之伸烷基或 取代基的伸烷基,Q5、Q6、Q7及Q8各獨立表示碳數1〜5 之烷基、苯基或苯氧基,d表示1〜5之整數]。 作爲上述一般式(XVII )所示脂肪族醚二胺之具體例 子可舉出下述式;
Df 匕 21] H2_H 女 0"fCH2^O4CH2^O~eCH六 NH2
Mw=350
HiN-^CHz^jfo-^CH^ijj-O^CHzVNHa Mw=750 H2N^H2^f〇-fCH2)^-〇-eCH8^NHg Mw=1100 O'iCHj^'NHa Μ\ν=2100
HzN-CHiCHjHCHz^OCHCCHaHCHz^0^^^015^113^1®12 H2N-CH(CH3HCH2>{〇-CH(CH3HCH2 ^CH2)-CH (CH3HsHj Mw« 400 (ΗΟ^ΚΗΟ^Η^ Mw=2000 所示脂肪族二胺以外,亦可舉出下述式(XVIII )所 小脂肪族魅—胺。 [化 22]
3C Η H CIC -f 2 H 3C Η H CIC 1o V 2 o
CIC -3 H2c H2 (XV III) -26- 200916959 [式中,e表示0〜80之整數]。 作爲上述一般式(XIX )所示脂肪族二胺之具 ,可舉出1,2-二胺乙烷、1,3-二胺丙烷、1,4-二胺 1 , 5 -二胺戊烷、1,6 -二胺己烷、1,7 -二胺庚烷、1 , 8 烷、1,9 -二胺壬烷、1,1 0 -二胺癸烷、1,1 1 -二胺十 1,1 2-二胺十二烷、1,2-二胺環己烷等。 作爲上述一般式(XX )所示矽氧烷二胺之具 ,其中作爲式(XX)中之d爲1者,可舉出1,1,3 基-1,3 -雙(4 -胺苯基)二矽氧烷、1,1,3, 3 -四苯氧 雙(4-胺乙基)二矽氧烷、1,1,3,3-四苯基-1,3-雙( 基)二矽氧烷、1,1,3,3 -四苯基-1,3 -雙(3 -胺丙基 氧烷、1 , 1,3 , 3 -四甲基-1 , 3 -雙(2 -胺乙基)二矽 1 . 1 . 3 . 3 -四甲基-1 · 3 -雙(3 -胺丙基)一矽氧烷、1 , 1 甲基-1,3 -雙(3 -胺丁基)二矽氧烷、1,3 -二甲基-1 氧基-1,3-雙(4-胺丁基)二矽氧烷等,作爲d爲2 舉出1,1,3,3,5,5-六甲基-1,5-雙(4-胺苯基)三矽 1,1,5,5 -四苯基-3,3-二甲基-1,5 -雙(3-胺丙基)三 、1,1,5,5-四苯基-3,3 -二甲氧基-1,5 -雙(4 -胺丁基 氧烷、1,1,5,5-四苯基-3,3-二甲氧基-1,5-雙(5-胺 三矽氧烷、1,1,5,5-四甲基-3,3-二甲氧基-1,5-雙( 基)三矽氧烷、1,1,5,5 -四甲基-3,3 -二甲氧基-1,5-胺丁基)三矽氧烷、1,1,5,5-四甲基-3,3-二甲氧基 (5 -胺戊基)三矽氧烷、1 , 1 , 3 , 3,5,5 -六甲基-1,5 -雙 丙基)三矽氧烷、1,1,3,3,5,5-六乙基-1,5-雙(3-胺 體例子 丁烷、 •二胺辛 一院、 體例子 ,3-四甲 基-1 , 3 2-胺乙 )二矽 氧烷、 ,3,3-四 ,3-二甲 者,可 氧院、 矽氧烷 )三矽 戊基) 2-胺乙 -雙(4--1,5-雙 (3-胺 丙基) -27- 200916959 三矽氧烷、1,1,3,3,5,5_六丙基-1,5 -雙(3 -胺丙基)三矽氧 烷等。 上述二胺可單獨使用1種或組合2種以上使用。 又,上述聚醯亞胺樹脂可單獨1種或視必要混合(摻 合)2種以上使用。 又,如上述,決定聚醯亞胺樹脂之組成時,將該Tg 設計爲1 5 0 °C以下者爲佳,該觀點下,作爲聚酿亞胺樹脂 之原料的二胺,以使用上述一般式(XVIII )所示脂肪族 醚二胺者爲佳。作爲上述一般式(XVIII)所示脂肪族醚 二胺之具體例子,可舉出 Scitec chemical (股)製 JEFFAMINE D - 2 3 0 , D - 4 0 0 , D - 2 0 0 0 , D - 4 0 0 0 , E D - 6 0 0 , E D - 9 0 0 , ED-2000,EDR-148、BASF 公司製聚醚胺 D - 2 3 0,D - 4 0 0,D-2 0 0 0等聚氧伸烷基二胺等脂肪族二胺。這些二胺以全二胺 之0〜80莫耳%爲佳,5〜60莫耳%爲較佳。該量未達5 莫耳%時,有著難賦予低溫黏著性、熱時流動性之傾向, 另一方面,超過60莫耳%時,聚醯亞胺樹脂的Tg過低時 ,薄膜的自身支持性會有損害之傾向。 上述聚醯亞胺樹脂可由四羧酸二酐與具有羧基及胺基 之二胺的反應而得到。藉此,聚醯亞胺樹脂中導入來自的 二胺之羧基。二胺之種類及其裝入比、反應條件等可適宜 地調整’而得到Tg爲15(TC以下,Mw爲5000〜150000 之聚醯亞胺樹脂。 本發明的感光性黏著劑組成物中,如上述之(A )鹼 可溶性聚合物之含有量,以感光性黏著劑組成物之固體成 -28- 200916959 分全量爲基準時,以10〜90質量%爲佳,20〜80質量% 爲較佳。該含有量未達10質量%時’製膜性 '圖型形成 性、黏著性會有降低之傾向,超過9 0質量%時,耐濕性 、圖型形成性、黏著性會有降低之傾向。 作爲本發明所使用的(B )熱硬化性樹脂,例如可舉 出環氧樹脂、氰酸酯樹脂、雙馬來醯亞胺樹脂、酚樹脂、 尿素樹脂、三聚氰胺樹脂、醇酸樹脂、丙烯酸樹脂、不飽 和聚酯樹脂、二烯丙基酞酸酯樹脂、聚矽氧烷樹脂、間苯 二酚甲醛樹脂、二甲苯樹脂、呋喃樹脂、聚尿烷樹脂、酮 樹脂、三烯丙基三聚氰酸酯樹脂、聚異氰酸酯樹脂、含有 參(2-羥基乙基)異三聚氰酸酯之樹脂、含有三烯丙基偏 苯三酸酯之樹脂、由環戊二烯經合成之熱硬化性樹脂、芳 香族二胺基氰的三聚化所得之熱硬化性樹脂以外,作爲可 與鹼可溶性樹脂所具有的羧基及/或羥基進行熱反應之化 合物,可舉出具有胺基、異氰酸酯基、噁唑啉基、碳化二 亞胺基、環氧基之化合物等。 其中,於高溫可具有優良黏著力的觀點來看,以環氧 樹脂、氰酸酯樹脂及雙馬來醯亞胺樹脂爲佳,由處理性及 與聚醯亞胺樹脂之相溶性來看以環氧樹脂爲特佳。又,由 活化期、黏著性、漏氣之觀點來看,數平均分子量以1 0 0 0 以上之化合物爲佳,作爲如此化合物,可舉出噁唑啉基含 有聚合物、碳化二亞胺聚合物等,其中亦由含有 Ο X ο ζ ο 1 i n e基之聚合物可賦予耐水解性之觀點來看爲佳。 彼等熱硬化性樹脂可單獨1種或組合2種類以上使用。 -29- 200916959 作爲上述環氧樹脂,以分子內含有至少2個 氧基者爲佳,由硬化性或硬化物特性之觀點來看 環氧丙基醚型的環氧樹脂爲極佳。作爲如此樹脂 舉出雙酚A型或AD型、S型、F型之環氧丙基 雙酚A型之環氧丙基醚、環氧乙烷加成體雙酚 氧丙基醚、環氧丙烷加成體雙酚A型之環氧丙基 用酚醛樹脂之環氧丙基醚、甲酚漆用酚醛樹脂之 醚、雙酚A漆用酚醛樹脂之環氧丙基醚、萘樹脂 基醚、3官能型或4官能型之環氧丙基醚、二環 樹脂之環氧丙基醚、二聚物酸之環氧丙酯、3官 官能型之環氧丙基胺、萘樹脂之環氧丙基胺等。 獨1種或組合2種類以上使用。 又,這些環氧樹脂中可使用雜質離子之鹼金 鹼土類金屬離子、鹵素離子、特別爲使用可將氯 解性氯等減低至 3 OOppm以下之高純度品時,可 或防止金屬導體電路的腐蝕故較佳。 使用上述熱硬化性樹脂時,其含有量對於( 溶性聚合物1 〇〇質量份而言以0.1〜200質量份爲 〜5 0質量份爲較佳。(B )熱硬化性樹脂之含有 2 00質量份時,會有對鹼水溶液之溶解性會降低 成性降低之傾向。另一方面,若未達0.1質量份 黏著性會有降低的傾向,故皆不佳。 使用上述環氧樹脂時,視必要可使用硬化劑 述硬化劑,例如可舉出酚系化合物、脂肪族胺、 以上之環 ,以酹之 ,例如可 醚、氫化 A型之環 醚、酚漆 環氧丙基 之環氧丙 戊二烯酚 能型或4 這些可單 屬離子、 離子或水 防止電移 A )鹼可 佳,以2 量若超過 ,圖型形 時,高溫 。作爲上 脂環族胺 -30- 200916959 、芳香族聚胺、聚醯胺、脂肪族酸酐、脂環族酸酐 族酸酐、二氰二醯胺、有機酸二醯肼、三氟化硼胺 咪唑類、第3級胺等。其中亦以酚系化合物爲佳, 具有至少2個以上的酚性羥基之酚系化合物爲較佳 如此化合物,例如可舉出酚漆用酚醛、甲酚漆用酸 丁基酚漆用酚醛、二環戊二烯甲酚漆用酚醛、二環 酚漆用酚醛、伸苯二甲基改性酚漆用酚醛、萘酚系 、參酚系化合物、肆酚漆用酚醛、雙酚A漆用酚丨 P-乙烯基酚、酚芳烷基樹脂等。彼等中,亦以數平 量爲400〜1,500之範圍內者爲佳。藉此,半導體 裝加熱時’可抑制造成半導體元件或裝置等污染之 加熱時之漏氣。 又’視必要可使用硬化促進劑。作爲硬化促進 可硬化環氧樹脂者即可,並無特別限定,例如可舉 類、二氰二醯胺衍生物、二羧酸二醯肼、三苯基膦 基錢四苯基硼酸酯、2 -乙基-4 -甲基咪唑-四苯基硼 1,8-二氮雜雙環[5_4.〇]十一碳烯-7-四苯基硼酸酯等 硬化促進劑之量對於環氧樹脂〗〇〇質量份而言以〇 量份爲佳。 本發明的感光性黏著劑組成物可進一步含有( 啓始劑。作爲該(D )光啓始劑,可舉出藉由放射 產生游離自由基之光自由基啓始劑、藉由放射線照 驗之光鹼產生劑、藉由放射線照射產生酸之光酸產 。作爲(D )光啓始劑,欲使感度良好,以3 〇 〇、 、芳香 錯體、 分子中 。作爲 > 醛、t-戊二烯 化合物 隆、聚-均分子 裝置組 原因的 劑,僅 出咪唑 、四苯 酸酯、 。這些 〜5 0質 :D )光 線照射 射產生 生劑等 -5 OOnm -31 - 200916959 中具有吸收區者爲佳。又,由漏氣低減及高溫黏著性提高 的觀點來看,以使用減少5 %重量之溫度爲1 50°C以上之 (D )光啓始劑爲佳。 作爲(D )光啓始劑之具體例,可舉出二苯甲酮、 N,N’-四甲基-4,4’-二胺二苯甲酮(米蚩酮)、N,N’-四乙 基-4,4’-二胺二苯甲酮、4-甲氧基-4’_二甲基胺二苯甲酮、 2-苯甲基-2-二甲基胺-1-(4-嗎啉代苯基)-丁酮-1、2,2-二甲氧基-1,2 -二苯基乙烷-1-酮、1-羥基-環己基-苯基-酮 、2 -甲基-1-(4-(甲硫)苯基)-2-嗎啉代丙酮-1、2,4 -二 乙基硫咕噸酮、2 _乙基蒽醌、菲醌等芳香族酮、苯偶因甲 基醚、苯偶因乙基醚、苯偶因苯基醚等苯偶因醚、甲基苯 偶因、乙基苯偶因等苯偶因、苯甲基二甲基酮縮醇等苯甲 基衍生物、2 - ( 〇 -氯苯基)-4,5 - 一苯基咪唑二聚物、2 -( 〇-氯苯基)-4,5-二(m-甲氧基苯基)咪唑二聚物、2-(〇-氟苯基)-4,5-苯基咪唑二聚物、2-(〇-甲氧基苯基)-4,5-二苯基咪唑二聚物、2- (p -甲氧基苯基)-4,5 -二苯基咪唑 二聚物、2,4 -二(p -甲氧基苯基)-5 -苯基咪唑二聚物、2-(2,4-二甲氧基苯基)-4,5-二苯基咪唑二聚物等2,4,5-三 芳基咪唑二聚物、9 -苯基吖啶、1 , 7 -雙(9,9 ’ -吖啶基)庚 烷等吖啶衍生物、雙(2,6-二甲氧基苯醯基)-2,4,4-三甲 基-戊基滕氧化物、雙(2,4,6,-二甲基本酸基)-本基鱗氧 化物等雙醯膦氧化物、乙酮,1-[9-乙基-6- (2-甲基苯醯基 )-9H-咔唑-3-基]-,1-(0-乙醯基肟)、1,2-辛二酮,1-[4-(苯基硫)-,2- ( 0-苯醯基肟)]等。這些可單獨使用1種 -32 - 200916959 或組合2種類以上使用。 又,上述光鹼產生劑爲放射線照射時產生 即可,並無特別限定。作爲所產生的鹼’以反 速度之觀點來看以強鹼性化合物爲佳。一般而 性指標使用酸解離定數之對數的pKa値,水溶 値以7以上的鹼爲佳,以9以上之鹼爲較佳。 作爲顯示如此鹼性之化合物的例子,可4 2,4 -二甲基咪唑、1-甲基咪唑等咪唑衍生物、 二甲基哌嗪等哌嗪衍生物、哌啶、1二甲基 衍生物、脯胺酸衍生物、三甲基胺、三乙基胺 等三烷基胺衍生物、4-甲基胺吡啶、4-二甲基 4位由胺基或烷基胺基取代之吡啶衍生物、吡 基吡咯烷等吡咯烷衍生物、二伸乙基二胺、1, 環(5,4,0 )十一碳烯-1 ( DBU )等脂環式胺衍 基甲基胺、苯甲基二甲基胺、苯甲基二乙基胺 衍生物等。 作爲將上述鹼性化合物藉由放射線照射所 產生劑,例如使用 Journal of Photopolymer ί Technology 12 卷、313〜314 項(1999 年) of Materials 11 卷、170 〜176 項(1 999 年)等 級銨鹽衍生物。此爲藉由活性光線之照射而生 烷基胺,故做適用於環氧樹脂之硬化上。 又,作爲光驗產生劑,可使用Journal 〇 ChemicalSociety 118 卷 1 2925 頁(1 996 年) 鹼之化合物 應性、硬化 _ ^作爲驗 液中之pKa 華出咪唑、 哌嗪、2,5- 哌啶等哌啶 、三乙醇胺 胺吡啶等第 咯烷、η-甲 8 -二氮雜雙 生物、苯甲 等苯甲基胺 產生的光鹼 Science and 、Chemistry 所記載之4 成高鹼性三 f American 或 Polymer -33- 200916959
Journal 28卷795頁(1996年)等所記載之胺基甲酸衍 生物。 又’可使用藉由活性光線之照射產生1級胺基之肟衍 生物、作爲光自由基產生劑所販賣的2_甲基-1[4-(甲硫 )苯基]-2-嗎啉代丙烷-丨_酮((:iba Speciality Chemicals 公司製之IRGACURE907) 、2 -苯甲基-2-二甲基胺- l(4-嗎咐代苯基)-丁酮-l(CibaSpecialityChemicals公司製 之IRGACURE3 69 )、六芳基雙咪唑衍生物(鹵素、烷氧 基、硝基、氰基等取代基可於苯基上取代)、苯並噁唑酮 衍生物等。 藉由上述活性光線之鹼產生劑以外,可進行藉由光弗 賴斯(Fries)轉位、光庫萊生轉位(光cieisen轉位)或 庫《烏斯轉位(C u r t i u s轉位)、史蒂芬轉位(s t e v e n s轉 位)產生鹼性化合物而進行環氧樹脂之硬化。 上述鹼產生劑可作爲分子量5〇〇以下之低分子化合物 使用以外’可使用於高分子之主鏈及/或側鏈上導入產生 鹼之基的化合物。作爲此時的分子量,由黏著性、流動性 之觀點來看’以重量平均分子量1,〇〇〇〜100,000爲佳,以 5,000〜30,000爲較佳。 這些化合物爲,室溫(2 5 °C )中不照射放射線之狀態 下’未顯示與環氧樹脂之反應性,故具有室溫中之貯藏安 定性非常優良之特徵。 本發明的感光性黏著劑組成物中,(D )光啓始劑之 量雖無特別限定’但對於(A )鹼可溶性聚合物1 〇〇質量 -34- 200916959 份而言’ 一般以0.01〜30質量份爲佳。 又,本發明之感光性黏著劑組成物中, 塡充物。作爲上述塡充物,例如可舉出銀粉 、鎳粉等金屬塡充物、氧化鋁、氫氧化鋁、 酸耗、碳酸鎂、砂酸釣、砂酸鎂、氧化錦、 鋁、氮化鋁、結晶性二氧化矽、非晶性二氧 、二氧化鈦、玻璃、氧化鐵、陶瓷等無機塡 橡膠系塡充物等有機塡充物等,種類•形狀 定下可使用。 上述塡充物可依據所望功能而做區分。 充物係以於黏著劑組成物中賦予導電性、熱 性等之目的而添加,非金屬無機塡充物係以 予熱傳導性、低熱膨脹性、低吸濕性等之目 機塡充物係以於黏著劑層賦予韌性等目的而 這些金屬塡充物、無機塡充物或有機塡 用1種或組合2種類以上使用。其中亦以可 置用黏著材料所要求的導電性、熱傳導性、 絕緣性等觀點來看,以金屬塡充物、無機塡 性塡充物爲佳,無機塡充物或絕緣性塡充物 漆具有良好分散性,且加熱時可賦予較高黏 看以二氧化砂塡充物爲較佳。 上述塡充物之平均粒子徑爲ΙΟμιη以下 徑爲3 0 μηι以下爲佳,平均粒子徑爲5 μm以 子徑以20μιη以下爲較佳。平均粒子徑若超; 可含有適宜之 、金粉、銅粉 氫氧化鎂、碳 氧化鎂、氧化 化矽、氮化硼 充物、碳黑、 等皆無特別限 例如,金屬塡 傳導性、觸變 於黏著劑層賦 的而添加,有 添力口。 充物可單獨使 賦予半導體裝 低吸濕特性、 充物、或絕緣 中以對樹脂清 著力之觀點來 ,且最大粒子 下,且最大粒 遇1 Ομηι,且最 -35- 200916959 大粒子徑超過3 0 μηι時,有著無法充分得到破壞韌性提高 之效果的傾向。又,平均粒子徑及最大粒子徑之下限雖無 特別限定,一般皆爲Ο.ΟΟΙμιη。 本發明之感光性黏著劑組成物中,上述塡充物的含有 量爲配合所賦予的特性或功能而決定,但對於樹脂成分與 塡充物之合計而言,以0〜50質量%爲佳,以1〜40質量 %爲較佳,以3〜30質量%爲更佳。藉由增加塡充物,可 達到高彈性率化,切割性(經切割刀之切斷性)、線圈黏 合姓(超音波效率)、加熱時之黏著強度可有效地提高。 若將塡充物增量至必要量以上時,因有著熱壓著性會 損害的傾向,故塡充物之含有量控制至上述範圍內者爲佳 。取得所求特性之平衡,決定最適塡充物含有量。使用塡 充物時的混合.混煉,一般適宜組合攪拌機、擂潰機、三 根輥、球磨機等分散機而進行。 本發明的感光性黏著劑組成物中欲使異種材料間之界 面結合,可添加各種偶合劑。作爲偶合劑,例如可舉出矽 烷系、鈦系、鋁系等,其中亦以效果較高的觀點來看,以 矽烷系偶合劑爲佳。上述偶合劑之使用量由其效果或耐熱 性及成本之面來看,對於所使用之(A )鹼可溶性聚合物 (熱塑性樹脂)100質量份而言以〇.〇1〜20質量份爲佳。 本發明的感光性黏著劑組成物中欲吸附離子性雜質, 且使吸濕時之絕緣信賴性良好,可進一步添加離子捕捉劑 。作爲如此離子捕捉劑,並無特別限定,例如可舉出三嗪 硫醇化合物、雙酚系還元劑等作爲防止銅經離子化而溶離 -36- 200916959 的銅害防止劑之已知化合物、鍩系、銻鉍系鎂鋁化合物等 無機離子吸附劑等。上述離子捕捉劑之使用量’由藉由添 加之效果或耐熱性、成本等點來看’對於(A )鹼可溶性 聚合物(熱塑性樹脂)100質量份而言以〇.01〜10質量份 時爲佳。 圖1表示有關本發明之薄膜狀黏著劑的一實施形態之 模式截面圖。圖1所示薄膜狀黏著劑(黏著薄膜)1爲將 上述感光性黏著劑組成物成形爲薄膜狀者。圖2表示有關 本發明之黏著薄片的一實施形態之模式截面圖。圖2所示 黏著薄片100係由基材3與該一面上所設置的黏著薄膜1 所成之黏著劑層所構成。圖3表示有關本發明之黏著薄片 的其他一實施形態之模式截面圖。圖3所示黏著薄片1 1 0 係由基材3、與於另一面上所設置之黏著薄膜1所成之黏 著劑層與覆蓋薄膜2所構成。 薄膜狀黏著劑1爲將(A )鹼可溶性聚合物、(B )熱 硬化性樹脂、選自使組成物中的全放射線聚合性化合物的 混合物減少5%重量之溫度成爲200°C以上之(C) 一種或 複數的放射線聚合性化合物、及(D )光啓始劑,視必要 將進一步添加的其他成分混合於有機溶劑中,混合液經混 煉後調製成清漆,基材3上形成該清漆層,藉由加熱使清 漆層乾燥後,除去基材3之方法而得到。此時,未除去基 材3且以黏著薄片1 0 0、11 0之狀態下亦可保存及使用。 上述混合及混煉一般可適宜組合攪拌機、擂潰機、三 根輥、球磨機等分散機而進行。使用(C )熱硬化性樹脂 -37- 200916959 時,乾燥中無法充分反應熱硬化性樹脂之溫度,且溶劑可 充分揮發的條件下進行乾燥。一般具體爲60〜180°C下進 行0 · 1〜9 0分鐘的加熱而乾燥清漆層。 乾燥前之上述清漆層的較佳厚度爲1〜15〇μηι。該厚 度若未達1 μηι時,黏著固定功能會有損害的傾向,若超過 1 5 Ομιη時,後述殘存揮發成分會有過多之傾向,兩者皆不 佳。 所得之清漆層的較佳殘存揮發成分爲1 〇質量%以下 。該殘存揮發成分若超過1 0質量%時,組裝加熱時的溶 劑揮發所引起的發泡爲原因,於黏著劑層內部會容易殘存 黏合,而有著耐濕信賴性降低的傾向,又藉由加熱時所產 生的揮發成分污染到周邊材料或構件之可能性亦有提高之 傾向故不佳。 且,上述殘存揮發成分的測定條件如下所示。即對於 切成50rnmx50rnm尺寸之薄膜狀黏著劑,將初期質量作爲 Μ 1,將該薄膜狀黏著劑於1 60 °C烤箱中進行3小時加熱後 之質量作爲M2,藉由以下式子所得之値作爲殘存揮發成 分。 [數1] [(M2-M1) ]/Μ1]χ100 =殘存揮發成分(%) 又,上述熱硬化性樹脂不會充分反應之溫度’具體爲 使用 DSC(例如,PerkinElmer公司製之商品名「DSC-7 -38- 200916959 型」),取樣量:l〇mg,昇溫速度:5°C/min’測定環境 氣體:空氣的條件下進行測定時的反應熱之波峰溫度以下 的溫度。 使用於清漆之調製的有機溶劑,即清漆溶劑爲可將材 料均勻地溶解或分散者即可,並無特別限定。例如可舉出 二甲基甲醯胺、甲苯、苯、二甲苯 '甲基乙基酮、四氫呋 喃、乙基溶纖劑、乙基溶纖劑乙酸鹽、二噁烷、環己酮、 乙酸乙酯、及N-甲基-吡咯酮。 使用上述清漆所形成之薄膜狀黏著劑1的減少5 %重 量之溫度以180°C以上爲佳,以220°C以上較佳,以260°C 以上爲特佳。該減少5 %重量之溫度爲1 8 0 °C以上時,可 減少硬化後之加熱過程所引起的漏氣,且可抑制半導體元 件之污染、被黏物之剝離。 基材3爲可耐住上述乾燥條件者即可,並無特別限定 。例如可將聚酯薄膜、聚丙烯薄膜、聚對苯二甲酸乙二醇 酯薄膜、聚醯亞胺薄膜、聚醚醯亞胺薄膜、聚醚萘酸酯薄 膜、甲基戊烯薄膜作爲基材3使用。作爲基材3之薄膜爲 可組合2種以上之多層薄膜即可,表面爲經聚矽氧烷系、 二氧化矽系等離型劑等進行處理者亦可。 又,層合本發明之薄膜狀黏著劑1與切割薄片後可作 爲黏著薄片。上述切割薄片爲,基材上設有黏著劑層之薄 片,上述黏著劑層可爲感壓型或放射線硬化型中任一種。 又,上述基材爲可膨脹之基材者爲佳。藉由如此黏著 薄片,可得到兼具作爲黏晶(Die bonding)薄膜之功能與 -39- 200916959 作爲切割薄片之功能的切割•黏晶(D 1 e b 0 n d in g )—體型 黏著薄片。 作爲上述切割.黏晶(Die b〇nding )—體型黏著薄片 之具體例子,可舉出如圖4所示’以基材薄膜7、黏著劑 層6及本發明之薄膜狀黏著劑1之順序所形成之黏著薄片 120 ° 圖5表示有關本發明之附黏著劑層之半導體晶圓的一 實施形態之上面圖’圖6表示沿著圖5之IV -1V線的端面 圖。圖5、6所示附黏著劑層之半導體晶圓20爲具備由半 導體晶圓8與其一面上所設置的上述感光性黏著劑組成物 所成之薄膜狀黏著劑(黏著劑層)1。 附黏著劑層之半導體晶圓2 0係由於半導體晶圓8上 一邊加熱薄膜狀黏著劑1,一邊層合所得者。黏著薄膜1 因係上述感光性黏著劑組成物所成之薄膜,故例如室溫( 2 5 °C )〜1 5 0 °C程度之低溫下可貼合於半導體晶圓8上。 圖7及圖9表示有關本發明之黏著劑圖型之一實施形 態的上面圖,圖8表示沿著圖7之V-V線的端面圖,圖 10表示沿著圖9的VI-VI線之端面圖。圖7、8、9及10 所示黏著劑圖型la及lb爲,作爲被黏物之半導體晶圓8 上,沿著略正方形之邊形成如具有圖型或正方形之圖型。 黏著劑圖型1 a及1 b爲’將由感光性黏著劑組成物所 成之黏著劑層1形成於作爲被黏物之半導體晶圓8上,得 到附黏著劑層之半導體晶圓20,將黏著劑層1介著光罩進 行曝光’將曝光後之黏著劑層1藉由鹼性顯像液進行顯像 -40- 200916959 處理而形成。又藉此’得到黏著劑圖型1 a、1 b所形成之 附黏著劑層的半導體晶圓20a、20b。 作爲本發明之薄膜狀黏著劑的用途,對於具備薄膜狀 黏著劑之半導體裝置使用圖面做具體説明。且,近年已提 出種種結構之半導體裝置,本發明之薄膜狀黏著劑的用途 並非限定於以下所説明之結構的半導體裝置。 圖11表示本發明之半導體裝置的一實施形態之模式 截面圖。圖11所示半導體裝置200中,半導體元件12爲 介著本發明之薄膜狀黏著劑1於半導體元件載持用支持構 件13上被黏著,半導體元件12之銜接端子(無圖示)爲 介著線圈14而與外部銜接端子(無圖示)以電性連接, 藉由封止材15進行封止。 又’圖12表示本發明之半導體裝置的另一實施形態 之模式截面圖。圖12所示半導體裝置210中,第一段半 導體元件12a爲介著本發明之薄膜狀黏著劑1,於形成端 子16之半導體元件載持用支持構件13上被黏著,第一段 半導體元件12a的上面更介著本發明之薄膜狀黏著劑1使 第二段半導體元件12b進行黏著。第一段半導體元件i2a 及第二段半導體元件12b之銜接端子(無圖示)爲介著線 圈1 4與外部銜接端子以電性連接,並藉由封止材進行封 止。如此本發明之薄膜狀黏著劑爲,亦適用於複數重疊半 導體元件之結構的半導體裝置上。 圖11及圖12所示半導體裝置(半導體封裝件)係可 由,例如將如圖9所示的半導體晶圓20b沿著虛線D進行 -41 - 200916959 切割’將切割後之附有薄膜狀黏著劑之半導體元件於半導 體元件載持用支持構件1 3上進行加熱壓著使兩者黏著, 其後經由線圏黏合步驟,視必要藉由封止材進行封止之步 驟等步驟而得到。上述加熱壓著中之加熱溫度一般爲2 0〜 250°C ’荷重一般爲0.01〜20kgf,加熱時間一般爲〇」〜 3 00 秒。 【實施方式】 [實施例] 以下以實施例及比較例爲準,更具體說明本發明,但 本發明並未限定於以下實施例。 (聚醯亞胺PI-1之合成) 於具備攪拌機、溫度計、冷卻管及氮氣取代裝置之燒 瓶內,裝入3,5-二胺安息香酸(分子量152.2,以下稱爲 「DABA」)1.89g、脂肪族醚二胺(BASF公司製、商品 名「D-400」、分子量 452.4 ) 1 5.2 1 g、1,1,3,3-四甲基 _ 1,3-雙(4-胺苯基)二矽氧烷(信越化學(股)製、商品 名「LP-7100」、分子量248.5) 〇.39g及N-甲基-2-吡咯酮 (以下稱爲「NMP」)116g。 其次,將4,4’-羥二苯二酸二酐(分子量326.3,以下 稱爲「ODPA」)16.88g,於冰浴中冷卻上述燒瓶下,徐 徐少量添加於該燒瓶內。添加終了後’進一步於室溫下進 行5小時。 -42- 200916959 其次,於該燒瓶中附上附有水分受容器之迴流冷卻器 ’加入二甲苯70g,吹入氮氣下升溫至180°C,再於該溫 度下保持5小時,與水同時將二甲苯進行共沸而除去。將 如此所得之溶液冷卻至室溫後,投入蒸餾水中並使其再沈 澱。 其後,將所得之沈澱物於真空乾燥機中進行乾燥,得 到聚醯亞胺樹脂(以下稱爲「聚醯亞胺PI-1」)。測定所 得之聚醯亞胺樹脂的GPC後,以聚苯乙儲換算下之Mw = 3 3 000。又所得之聚醯亞胺樹脂的Tg爲55 °C。 (聚醯亞胺PI-2之合成) 於具備攪拌機、溫度計及氮氣取代裝置之燒瓶內,裝 入5,5’-伸甲基-雙(鄰胺基苯甲酸)(分子量286_3,以 下稱爲「MBAA」)2_16g、脂肪族醚二胺(「d-400」) 15.13g、1,1,3,3-四甲基-1,3 -雙(4 -胺苯基)二矽氧烷(「 LP-7100」)1.63g 及 NMP115g。 其次’將ODPA 16·5 lg於冰浴中冷卻上述燒瓶下徐徐 少量地添加於該燒瓶內。添加終了後,再於室溫下進行5 小時攪拌。 其次’於該燒瓶附上附有水分受容器之迴流冷卻器, 加入二甲苯81g’ 一邊吹入氮氣下升溫至180〇C,該溫度 下保持5小時,與水同時將二甲苯進行共沸而除去。 將如此所得之容易冷卻至室溫後,投入蒸餾水中並使 其再沈澱,得到聚醯亞胺樹脂(以下稱爲「聚醯亞胺PI-2 -43- 200916959 」)。測定所得之聚醯亞胺樹脂的GPC後,聚苯乙燦換 算下爲Mw=30000。又,所得之聚醯亞胺樹脂的Tg爲 3 1 °C。 (聚醯亞胺PI-3之合成) 於具備攪拌機、溫度計及氮氣取代裝置之燒瓶內,裝 入2,2 -雙[4- (4 -胺苯氧基)苯基]丙烷(分子量410.5、以 下稱爲「BAPP」)20.5g 及 NMPlOlg。 其次’將1,2-(伸乙基)雙(偏苯三酸酐)(分子量 410.3’以下稱爲「EBTA」)20.5g,於冰浴中冷卻上述燒 瓶下’少量添加於該燒瓶內。添加終了後再於室溫下進行 5小時攪拌。 其次,於該燒瓶附上附有水分受容器付之迴流冷卻器 ,加入二甲苯67§’ 一邊吹入氮氣下,升溫至180。(:,該 溫度下保持5小時,與水同時將二甲苯進行共沸而除去。 將如此所得之容易冷卻至室溫後,投入蒸餾水中並使 其再沈澱,得到聚醯亞胺樹脂(以下稱爲「聚醯亞胺PI-3 」)。測定所得之聚醯亞胺樹脂的GP C後,聚苯乙烯換 算下爲Mw=98000。又,所得之聚醯亞胺樹脂之Tg爲 18 0。。。 (實施例1、2及比較例1〜4 ) 各使用上述聚醯亞胺PI-1〜3,以下述表1所示組成 比(單位:質量份)添加各成分,調製出感光性黏著劑組 -44- 200916959 成物(黏著劑層形成用清漆) [表1] 實施例 比較例 1 2 3 1 2 3 聚醣亞胺 PI-1 - 100 一 • 100 - PI-2 100 - 1〇〇__ - 100 PI-3 - - - 100 - - 放射線聚合 性?匕合物 BPE-10O 40 40 4〇 20 M-31 3 30 - - — - EB-220 - 20 *- - M-1 40 - - - 40 EB-3708 - - 40 - E巳一4858 - - - B0 - 環氧樹脂 YDF-8170 YDF-8170 5 5 5 —— 5 -A 一 5 5 硬化劑 BEO-60E 10 10 10 10 _ 10 10 TrisP —PA 5 5 5 5 _ 5 5 塡充劑 R-9 72 5 5 5 5 5 5 光啓始劑 1-651 3 3 3 一 3 3 塗佈溶劑 NMP 211 201 21〇 208 210 210 且,表1中之各成分的記號表示下述者。 B P E - 1 0 0 :新巾村化學工業(股).製、乙氧基化雙酚 A二甲基丙烯酸酯(減少5 %重量之溫度:3 3 0。〇 )、 M-313:東亞合成(股)製、三聚異氰酸E0改性二 及三丙烯酸酯(減少5%重量之溫度:>400°C )、 EB-220: DAICEL-CYTEC、6官能尿烷丙烯酸醋(減 少5%重量之溫度:3 00 °C )、 M-140:東亜合成(股)製、Ν·丙烯醯氧基乙基六氫 酞醯亞胺(減少5 %電暈之溫度:1 50°C )、 EB-3708: DAICEL-CYTEC公司製、2官能環氧基丙 烯酸酯(減少5 %重量之溫度:3 1 0 °C )、 EB-485 8 : DAICEL-CYTEC公司製、2官能尿烷丙烯 酸酯(減少5 %重量之溫度:1 6 0 °C )。 -45- 200916959 YDF-8170 :東都化成(股)製、雙酚F型環氧樹脂、 BEO-60E :新日本理化(股)製、雙酣A雙(三乙二 醇環氧丙基醚)醚、
TrisP-PA :本州化學工業(股)製、參酚化合物( α,α,α,-參(4-羥基酚)·1-乙基-4-異丙基苯)。 R972:日本AEROSIL (股)製、疏水性Fumed二 氧化矽(平均粒徑:約1 6nm )、 1-651 : Ciba Specialty Chemicals 公司製、2,2-二甲 氧基-1,2 -二苯基乙院-1-嗣、 NMP:關東化學(股)製、N -甲基-2 -吡咯酮。 將所得之清漆塗佈於各基材(剝離劑處理PET薄膜) 上至乾燥後的膜厚爲5 0 μιη基材上’於烤箱中進行8 0 °C之 3 0分鐘,繼續爲1 2 0 °C之3 0分鐘的加熱,得到於基材h 形成黏著劑層所成之黏著薄片。 <低溫貼合性之評估> 於載持於支持台上之矽晶圓(6英吋徑、厚度400μπΐ )的裏面(支持台之相反面),將實施例1、2及比較例1 〜4所得之黏著薄片,使黏著劑層於矽晶圓側以輥(溫度 100°C、線壓4kgf/cm、輸送速度〇.5m /分)進行加壓而層 合。其次,剝離基材(PET薄膜),於黏著劑層上將厚度 80μιη、寬度i0mm、長度40mm之聚醯亞胺薄膜(宇部興 產公司製、商品名「upi lex」)於上述同樣條件下藉由輥 進行加壓而層合。 -46 - 200916959 對於如此所準備之樣品’使用Rheometer (東洋製機 製作所公司製’商品名「STROGRAPHE-S」)’於室溫下 進行90。剝離試驗,測定黏著劑層_uPilex間之剝離強度。 依據該測定結果,將剝離強度爲2N/cm以上之樣品評估爲 A,未達2N/cm之樣品評估爲B。其結果如表2所示。 <圖型形成性之評估> 將黏著薄片,於矽晶圓(6英吋徑’厚度400 μπι )上 ,實施例1、2及比較例2〜4之黏著薄片於溫度1 0 0 °C下 ,比較例1之黏著薄片爲溫度3 0 0 °C下,將黏著劑層於矽 晶圓側以輥進行加壓(線壓4kgf/cm、輸送速度0_5m/分) 而層合。其次,基材(PET薄膜)上載持負型圖型用光罩 (曰立化成工業(股)製、商品名「No_G-2」),以高精 度平行曝光機(OAK製作所製、商品名「ΕΧΜ-1 172-Β-» 」)進行5 00mJ/cm2之曝光,於8 01之加熱板上放置約 3 0秒。 其後,取出基材(PET薄膜),使用傳送(convey〇r )顯像機(YAKO公司製),將四甲基氫氧化銨(TMAH )2.38質量%溶液作爲顯像液,溫度 28°C,噴霧壓 〇 · 1 8 Mp a之條件下進行噴霧顯像後,於溫度2 3 °C之純水中 以噴霧壓0.02Mpa的條件進行水洗。顯像後,是否形成線 寬/空間寬=ΖΟΟμηιΜΟΟμπι之圖型以目視確認,形成圖型 形成時,評估爲A ’未形成圖型時,評估爲Β。其結果如 表2所示。 -47- 200916959 <2 6 0 °C剝離強度之測定(高溫時的黏著性之評估)> 將矽晶圓(6英吋徑、厚度 400μιη ) ’半切成 5mm><5mm尺寸且深度至 180μιη。其後’將黏者薄片於經 半切處理的矽晶圓上,實施例1、2及比較例2〜4之黏著 薄片爲溫度1〇〇 °C下,比較例1之黏著薄片爲溫度300°C下 ,將黏著劑層於矽晶圓側以輥進行加壓(線壓4kgf/cm, 輸送速度〇.5m/分)而層合。所得之取樣以高精度平行曝 光機(OAK製作所製、商品名「ΕΧΜ-1 172-Β-π」)進行 5 0 0nU/cm2的曝光,80°C之加熱板上放置約30秒。 器後,除去基材(PET薄膜),將樣品於5mm X 5mm 進行個片化。將個片化附有黏著劑層之矽晶圓於玻璃基板 (10mmxlOmmx〇.55mm)上,將黏著劑層載持於玻璃基板 側,一邊加壓2kgf下,於120°C進行1〇秒壓著。將如此 所得之試驗片,於烤箱中以1 2 0 °C、3小時的條件下進行 加熱硬化。其後,將試驗片於260 °C之熱盤上進行1 〇秒加 熱’使用圖1 3所示剝離強度測定裝置,於測定速度: 0.5mm/秒之條件下,測定260°C下矽晶圓之拉剝離強度, 此時的數値作爲260°C剝離強度。其結果如表2所示。 且’圖1 3所示剝離強度測定裝置3 〇 〇中,於附有拉 壓力計31之漏斗先端,手把3 2以支點3 3的周圍設定爲 可變化其角度。而260°C之剝離強度的測定爲,將具有突 起部之矽晶圓3 4與玻璃基板3 5介著黏著劑層1經黏著之 試驗片載持於2 6 0 °C之熱盤3 6上,於矽晶圓3 4之突起部 -48- 200916959 ,將手把32以懸掛的狀態下,將手把32以0.5mm/秒進 行移動時的剝離應力藉由拉壓力計31進行測定。 <放射線聚合性化合物之減少5 %重量的溫度測定> 將放射線聚合性化合物以所定重量比進行混合,使用 差示熱熱重量同時測定裝置(SII NanoTechnology公司製 、商品名「TG/DTA6300」),於氮氣流(4 0 0 m 1 /分)下 測定減少5 %重量之溫度。其結果如表2所示。 <黏著劑層的減少5%重量之溫度測定> 將黏著薄片於矽晶圓(6英吋徑,厚度400μηι)上, 實施例1、2及比較例2〜4之黏著薄片以溫度1 〇 〇 °C,比 較例1之黏著薄片以溫度30(TC下,將黏著劑層於矽晶圓 側進行以輥的加壓(線壓4kgf/cm,輸送速度〇.5m/分)而 層合。 將所得之取樣使用高精度平行曝光機(OAK製作所製 ,商品名「EXM-1172-B-oo」)進行 500mJ/cm2的曝光’ 於80°C之加熱板上放置約30秒。其後,除去基材(PET 薄膜),烤箱中以1 20 °C,3小時的條件下進行加熱硬化 後,削去矽晶圓上之黏著劑層,使用差示熱熱重量同時 '測 定裝置 (SII NanoTechnology 公司製,商品名 「 TG/DTA63 00」),於氮氣流(4 0 0 m 1 /分)下測定減少5 % 重量之溫度。其結果如表2所示。 -49- 200916959 [表2] 實施例 比較例 1 2 3 1 2 3 低舰合性 A A A B A A 圖型形成性 A A A B A A 260°C剝離強度(MPa) 0-2 0. 2 0. 2 0. 7 0. 01 0. 02 放射線聚合性化合物全體 減少5%重量之溫度(°C) 360 315 320 — 160 150 黏著劑層減少5% 重量之溫度(°C) 360 320 320 332 250 220 由表2所示結果得知,實施例1〜3的黏著薄片與比 較例1〜3者相比較,確認低溫貼合性及圖型形成性較傻 良,且2 6 (TC剝離強度非常高,又黏著劑層的減少5 %蔞 量之溫度亦較高。 產業上可利用性 如以上説明,本發明可提供一種藉由鹼性顯像液之_ 型形成性優良,具有曝光後充分再黏著性,形成爲薄膜状 時的低溫貼合性亦優良的感光性黏著劑組成物。又,本發 明可提供一種藉由鹼性顯像液之圖型形成性優良,具有曝 光後充分再黏著性之同時’低溫貼合性亦優良的薄膜狀黏 著劑及黏著劑圖型之形成方法。且,本發明可提供可賦, 半導體裝置組裝製程的效率化之黏著薄片、附黏著劑層之 半導體晶圓、半導體裝置及半導體裝置的製造方法。 【圖式簡單說明】 [圖1 ]表不有關本發明之薄膜狀黏著劑的一實施形態 之模式截面圖。 -50- 200916959 [圖2]表示有關本發明之黏著薄片的一實施形態之模 式截面圖。 [圖3]表示有關本發明之黏著薄片的另一實施形態之 模式截面圖。 [圖4]表示有關本發明之黏著薄片的另一實施形態之 模式截面圖。 [圖5]表示有關本發明之附黏著劑層之半導體晶圓的 一實施形態之上面圖。 [圖6]表示沿著圖5之IV-IV線的端面圖。 [圖7]表示有關本發明之黏著劑圖型的一實施形態之 上面圖。 [圖8 ]表示沿著圖7之V - V線的端面圖。 Γ圖91表示有關本發明之黏著劑圖型的一實施形態之 上面圖。 [圖1 〇 ]表示沿著圖9之VI - v I線的端面圖。 [圖H]表示本發明的半導體裝置之一實施形態的模式 截面圖。 [圖1 2 ]表示本發明之半導體裝置的另一實施形態之模 式截面圖。 [圖1 3 ]表不剝離強度測定裝置之槪略圖。 【主要元件符號說明】 1 :薄膜狀黏著劑(黏著劑層) 1 a、1 b :黏著劑圖型 -51 - 200916959 2 :覆蓋薄膜 3 :基材薄膜(基材) 6 :黏著劑層 7 :基材薄膜 8 :半導體晶圓 12、12a、12b :半導體元件 1 3 :半導體元件載持用支持構件 1 4 :線圏 1 5 :封止材 1 6 :端子 20、20a、2 0b :附黏著劑層之半導體晶圓 100、 110、 120:黏著薄片 200、2 1 0 :半導體裝置 -52-
Claims (1)
- 200916959 十、申請專利範圍 1. 一種感光性黏著劑組成物,其特徵爲含有 (A)鹼可溶性聚合物、 (B )熱硬化性樹脂、 (C ) 一種或複數之放射線聚合性化合物、與 (D )光啓始劑, 使組成物中全部的放射線聚合性化合物混合物減少5 %重 量的溫度爲2 0 0 °C以上。 2. 如申請專利範圍第1項之感光性黏著劑組成物,其中 該(C )放射線聚合性化合物爲含有具有尿烷基及/或三聚 異氰酸酯基之化合物者。 3 .如申請專利範圍第1項或第2項之感光性黏著劑組 成物,其中該(C )放射線聚合性化合物爲含有丙烯酸酯 化合物及/或甲基丙稀酸醋化合物者。 4 ·如申請專利範圍第1項至第3項中任一項之感光性 黏著劑組成物,其中該(C )放射線聚合性化合物爲含有 3官能以上的丙烯酸酯化合物者。 5 .如申請專利範圍第1項至第4項中任一項之感光性 黏著劑組成物,其中該(C )放射線聚合性化合物爲含有 下述一般式(I)所示三聚異氰酸環氧乙烷改性二或三丙 烯酸酯者; -53- (I) 200916959 [化1] h2c=hc-ocoh2 I ch2c、n 人 I ,ch2ch2oco-ch=ch2 CH2CH2OR1 [式(I)中,R1表示氫原子或-COCH=CH2]。 6 ·如申請專利範圍第1項至第5項中任一項之 黏著劑組成物,其中該(B )熱硬化性樹脂爲含有 脂者。 7 .如申請專利範圍第1項至第6項中任一項之 黏著劑組成物,其中該(A )鹼可溶性聚合物之玻 溫度爲1 5 0 °C以下。 8 _如申請專利範圍第1項至第7項中任一項之 黏著劑組成物,其中該(A )鹼可溶性聚合物爲具 及/或羥基之樹脂。 9.如申請專利範圍第1項至第8項中任一項之 黏著劑組成物,其中該(A )鹼可溶性聚合物爲聚 樹脂。 1 0.如申請專利範圍第9項之感光性黏著劑組 其中該聚醯亞胺樹脂爲反應四羧酸二酐、與分子中 基及/或羥基之二胺所得者。 1 1 ·如申請專利範圍第9項或第1 〇項之感光性 組成物,其中該聚醯亞胺樹脂爲反應四羧酸二酐、 式(U)所示芳香族二胺及/或下述式(ΙΠ)所示芳 感光性 環氧樹 感光性 璃轉移 感光性 有羧基 感光性 醯亞胺 成物, 具有羧 黏著劑 與下述 香族二 -54 - 200916959 胺所得者; [化2][化3]1 2 · —種薄膜狀黏著劑,其特徵爲將如申請專利範圍 第1項至第1 1項中任一項之感光性黏著劑組成物成形爲 薄膜狀。 13_—種黏著薄片,其特徵爲具備基材、與將如申請 專利範圍第1項至第1 1項中任一項之感光性黏著劑組成 物設置於該基材之一面上所成之黏著劑層。 I4·一種黏著薄片,其特徵爲具有層合如申請專利範 圍第1 2項之薄膜狀黏著劑、與切割薄片·的結構。 1 5 . —種黏著劑圖型之形成方法,其特徵爲於被黏物 上形成由如申請專利範圍第1項至第11項中任一項之感 光性黏著劑組成物所成的黏著劑層,將該黏著劑層介著光 罩進行曝光,將曝光後之該黏著劑層藉由鹼性顯像液進行 顯像處理。 1 6. —種附黏著劑層之半導體晶圓’其特徵爲具備半 導體晶圓、與將如申請專利範圍第1項至第1 1項中任一 -55- 200916959 項之感光性黏著劑組成物設置於該半導體晶圓之一面上所 成之黏著劑層。 17. —種半導體裝置,其特徵爲具有使用如申請專利 範圍第1項至第Π項中任一項之感光性黏著劑組成物’ 使半導體元件與半導體元件載持用支持構件經黏著之結構 者。 18. —種半導體裝置之製造方法’其特徵爲具有使用 如申請專利範圍第1項至第1 1項中任一項之感光性黏著 劑組成物,使半導體元件與半導體元件載持用支持構件進 行黏著的步驟。 -56-
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007150298 | 2007-06-06 | ||
JP2007282055 | 2007-10-30 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW200916959A true TW200916959A (en) | 2009-04-16 |
Family
ID=40093451
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW097117432A TW200916959A (en) | 2007-06-06 | 2008-05-12 | Photosensitive adhesive composition, film-like adhesive, adhesive sheet, method for forming adhesive pattern, semiconductor wafer with adhesive layer, semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20100295190A1 (zh) |
EP (1) | EP2151715A4 (zh) |
JP (2) | JP5120378B2 (zh) |
KR (2) | KR20120085313A (zh) |
CN (1) | CN101681104A (zh) |
TW (1) | TW200916959A (zh) |
WO (1) | WO2008149625A1 (zh) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102575139A (zh) * | 2009-10-19 | 2012-07-11 | 东丽株式会社 | 感光性粘接剂组合物、感光性粘接剂片材和使用它们的半导体装置 |
TWI561929B (zh) * | 2012-09-26 | 2016-12-11 | Toray Industries | |
TWI727484B (zh) * | 2018-11-06 | 2021-05-11 | 韓商利諾士尖端材料有限公司 | 軟性感光顯影型覆蓋膜、軟性印刷電路板及其製備方法 |
Families Citing this family (36)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20110121435A1 (en) * | 2008-01-16 | 2011-05-26 | Kazuyuki Mitsukura | Photosensitive adhesive composition, filmy adhesive, adhesive sheet, adhesive pattern, semiconductor wafer with adhesive layer, semiconductor device, and process for producing semiconductor device |
JP5830830B2 (ja) * | 2009-03-19 | 2015-12-09 | 日立化成株式会社 | 感光性接着剤組成物、それを用いたフィルム状接着剤、接着シート、接着剤層付半導体ウェハ、半導体装置、感光性接着剤組成物及びフィルム状接着剤の製造方法、並びに接着剤パターンの形成方法 |
BRPI0917383A2 (pt) * | 2008-08-27 | 2015-11-17 | Hitachi Chemical Co Ltd | composicao adesiva fotossensivel, adesivo em pelicula fotossensevel, padrao adesivo, wafer semicondutor com adesivo, dispositivo semicondutor e componente eletronico |
JP5691228B2 (ja) * | 2009-04-07 | 2015-04-01 | 日立化成株式会社 | 感光性接着剤組成物、フィルム状接着剤、接着シート、接着剤パターン、接着剤層付半導体ウェハ、半導体装置、及び、半導体装置の製造方法 |
JP5712475B2 (ja) * | 2009-04-23 | 2015-05-07 | 日立化成株式会社 | 感光性接着剤組成物、並びにそれを用いたフィルム状接着剤、接着シート、接着剤パターン、接着剤層付半導体ウェハ及び半導体装置。 |
US20120133061A1 (en) * | 2009-06-30 | 2012-05-31 | Kazuyuki Mitsukura | Photosensitive adhesive, and film adhesive, adhesive sheet, adhesive pattern, semiconductor wafer with adhesive layer, and semiconductor device, which are made using same |
JP5488086B2 (ja) * | 2009-07-22 | 2014-05-14 | 日立化成株式会社 | 感光性接着剤組成物、感光性エレメント、レジストパターンの製造方法及び接着体の製造方法 |
JP5549841B2 (ja) * | 2009-09-07 | 2014-07-16 | 日立化成株式会社 | 感光性樹脂組成物、永久レジスト用感光性フィルム、レジストパターンの形成方法、プリント配線板及びその製造方法、表面保護膜並びに層間絶縁膜 |
KR101073698B1 (ko) * | 2009-09-07 | 2011-10-14 | 도레이첨단소재 주식회사 | 점착테이프와 리드프레임의 라미네이션 방법 |
JP5068793B2 (ja) * | 2009-09-24 | 2012-11-07 | リンテック株式会社 | 粘着シート |
WO2011058996A1 (ja) * | 2009-11-13 | 2011-05-19 | 日立化成工業株式会社 | 接着剤組成物、それを用いた半導体装置及びその製造方法 |
TWI534529B (zh) * | 2010-03-01 | 2016-05-21 | 長興材料工業股份有限公司 | 感光性樹脂組合物及其應用 |
JP2011246627A (ja) * | 2010-05-27 | 2011-12-08 | Hitachi Chem Co Ltd | 感光性接着シート、及びパターニングされた接着フィルムの形成方法 |
WO2011155412A1 (ja) * | 2010-06-07 | 2011-12-15 | 日立化成工業株式会社 | 感光性樹脂組成物、これを用いた感光性エレメント、画像表示装置の隔壁の形成方法、画像表示装置の製造方法及び画像表示装置 |
US8759989B2 (en) | 2010-07-09 | 2014-06-24 | Toray Industries, Inc. | Photosensitive adhesive composition, photosensitive adhesive film, and semiconductor device using each |
WO2012017955A1 (ja) * | 2010-08-03 | 2012-02-09 | 日立化成工業株式会社 | 接着剤層付き半導体ウェハの製造方法、感光性接着剤及び半導体装置 |
JP5633583B2 (ja) * | 2011-02-04 | 2014-12-03 | 日立化成株式会社 | 接着物 |
CN102169292B (zh) * | 2011-03-17 | 2016-09-28 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 光刻胶的涂布方法 |
JP5762781B2 (ja) | 2011-03-22 | 2015-08-12 | リンテック株式会社 | 基材フィルムおよび該基材フィルムを備えた粘着シート |
JP6108765B2 (ja) * | 2011-12-19 | 2017-04-05 | キヤノン株式会社 | 光硬化性組成物およびパターン形成方法 |
WO2013141286A1 (ja) * | 2012-03-23 | 2013-09-26 | 日立化成株式会社 | 感光性樹脂組成物、及びこれを用いた加工ガラス基板の製造方法、並びにタッチパネル及びその製造方法 |
RU2586217C1 (ru) * | 2012-04-26 | 2016-06-10 | Минебеа Ко., Лтд. | Отверждаемая ультрафиолетовым излучением полимерная композиция, скользящее сопряжение, и способ изготовления скользящего сопряжения |
US20150219991A1 (en) * | 2012-09-24 | 2015-08-06 | Toray Industries, Inc. | Positive-type photosensitive resin composition |
JP6170678B2 (ja) * | 2013-01-09 | 2017-07-26 | リンテック株式会社 | 半導体ウエハ加工用シートおよびその製造方法 |
JP6107345B2 (ja) * | 2013-04-05 | 2017-04-05 | 日立化成株式会社 | 接着剤組成物、回路接続用接着剤及び回路部材の接続構造体 |
JP6458481B2 (ja) * | 2014-12-16 | 2019-01-30 | 大日本印刷株式会社 | 反射防止物品及び美術品展示体 |
WO2018030079A1 (ja) | 2016-08-08 | 2018-02-15 | 東レ株式会社 | 樹脂組成物、それを用いたシート、積層体、パワー半導体装置、プラズマ処理装置および半導体の製造方法 |
JPWO2018038074A1 (ja) * | 2016-08-24 | 2019-06-20 | 東レ株式会社 | 感光性ペースト、セラミックグリーンシート、電子部品、パターンの製造方法および電子部品の製造方法 |
CN109426070A (zh) | 2017-08-25 | 2019-03-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 光刻胶组合物、金属图案以及阵列基板的制备方法 |
JP7104682B2 (ja) * | 2018-11-06 | 2022-07-21 | イノックス・アドバンスト・マテリアルズ・カンパニー・リミテッド | Fpicフィルム、これを含むフレキシブルプリント回路基板及びその製造方法 |
KR102149191B1 (ko) * | 2018-11-06 | 2020-08-28 | (주)이녹스첨단소재 | Fpic 필름, 이를 포함하는 연성인쇄회로기판 및 이의 제조방법 |
KR102185327B1 (ko) * | 2018-11-06 | 2020-12-01 | (주)이녹스첨단소재 | Fpic 필름 및 이의 제조방법 |
WO2022210225A1 (ja) * | 2021-03-30 | 2022-10-06 | 富士フイルム株式会社 | 樹脂組成物、硬化物、積層体、硬化物の製造方法、及び、半導体デバイス |
KR102673269B1 (ko) * | 2022-01-10 | 2024-06-05 | 삼성에스디아이 주식회사 | 감광성 수지 조성물, 이를 이용한 감광성 수지막 및 반도체 장치 |
JP2024078062A (ja) * | 2022-11-29 | 2024-06-10 | 株式会社レゾナック | 接着剤フィルム、接着剤テープ、剥離フィルム付き接着剤テープ、半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
CN116789590B (zh) * | 2023-06-25 | 2024-02-02 | 波米科技有限公司 | 一种含哌啶基团的二胺化合物及其制备方法和应用 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10330481A (ja) * | 1997-03-31 | 1998-12-15 | Hitachi Chem Co Ltd | 親水性ポリアミド系樹脂の製造法 |
US6060215A (en) * | 1997-03-31 | 2000-05-09 | Hitachi, Ltd. | Photosensitive resin composition and application of its photosensitivity |
JP3344372B2 (ja) * | 1999-06-29 | 2002-11-11 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2002003715A (ja) * | 2000-06-26 | 2002-01-09 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 組成物とそれを用いた感光性組成物及びカバーレイフィルム |
CN1522387A (zh) * | 2001-05-30 | 2004-08-18 | 钟渊化学工业株式会社 | 光敏性树脂组合物及用该组合物的光敏性干膜抗蚀剂、光敏性射线遮挡膜 |
TW200718769A (en) * | 2002-11-29 | 2007-05-16 | Hitachi Chemical Co Ltd | Adhesive composition, adhesive composition for circuit connection, connected body semiconductor device |
JP2006133460A (ja) * | 2004-11-05 | 2006-05-25 | Qimei Industry Co Ltd | カラーフィルター用感光性樹脂組成物 |
JP4839670B2 (ja) * | 2005-04-28 | 2011-12-21 | 日立化成工業株式会社 | 接着フィルム、接着シート及び半導体装置 |
KR101068372B1 (ko) * | 2005-07-05 | 2011-09-28 | 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 | 감광성 접착제, 및 이것을 이용하여 얻어지는 접착 필름, 접착 시트, 접착제층 부착 반도체 웨이퍼, 반도체장치 및 전자부품 |
JP4511439B2 (ja) * | 2005-09-28 | 2010-07-28 | 日東電工株式会社 | 感光性エポキシ樹脂接着性フィルム |
KR101175401B1 (ko) * | 2007-04-04 | 2012-08-20 | 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 | 감광성 접착제 조성물, 필름상 접착제, 접착 시트, 접착제 패턴, 접착제층 부착 반도체 웨이퍼, 반도체 장치, 및, 반도체 장치의 제조방법 |
-
2008
- 2008-04-30 US US12/602,805 patent/US20100295190A1/en not_active Abandoned
- 2008-04-30 JP JP2009517752A patent/JP5120378B2/ja active Active
- 2008-04-30 CN CN200880018517A patent/CN101681104A/zh active Pending
- 2008-04-30 WO PCT/JP2008/058246 patent/WO2008149625A1/ja active Application Filing
- 2008-04-30 KR KR1020127015179A patent/KR20120085313A/ko not_active Application Discontinuation
- 2008-04-30 EP EP08752247A patent/EP2151715A4/en not_active Withdrawn
- 2008-04-30 KR KR1020097023713A patent/KR101184527B1/ko active IP Right Grant
- 2008-05-12 TW TW097117432A patent/TW200916959A/zh unknown
-
2012
- 2012-03-29 JP JP2012076610A patent/JP6029839B2/ja active Active
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102575139A (zh) * | 2009-10-19 | 2012-07-11 | 东丽株式会社 | 感光性粘接剂组合物、感光性粘接剂片材和使用它们的半导体装置 |
CN102575139B (zh) * | 2009-10-19 | 2014-02-19 | 东丽株式会社 | 感光性粘接剂组合物、感光性粘接剂片材和使用它们的半导体装置 |
TWI504713B (zh) * | 2009-10-19 | 2015-10-21 | Toray Industries | 感光性接著劑組成物、感光性接著劑片及使用其之半導體裝置 |
TWI561929B (zh) * | 2012-09-26 | 2016-12-11 | Toray Industries | |
TWI727484B (zh) * | 2018-11-06 | 2021-05-11 | 韓商利諾士尖端材料有限公司 | 軟性感光顯影型覆蓋膜、軟性印刷電路板及其製備方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2008149625A1 (ja) | 2008-12-11 |
JPWO2008149625A1 (ja) | 2010-08-19 |
KR20120085313A (ko) | 2012-07-31 |
JP2012162725A (ja) | 2012-08-30 |
CN101681104A (zh) | 2010-03-24 |
EP2151715A1 (en) | 2010-02-10 |
US20100295190A1 (en) | 2010-11-25 |
EP2151715A4 (en) | 2011-10-26 |
JP6029839B2 (ja) | 2016-11-24 |
JP5120378B2 (ja) | 2013-01-16 |
KR101184527B1 (ko) | 2012-09-19 |
KR20100009573A (ko) | 2010-01-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TW200916959A (en) | Photosensitive adhesive composition, film-like adhesive, adhesive sheet, method for forming adhesive pattern, semiconductor wafer with adhesive layer, semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device | |
TWI306886B (zh) | ||
JP4952585B2 (ja) | 接着剤組成物、フィルム状接着剤、接着シート、並びにそれを用いた半導体装置 | |
TW200907004A (en) | Photosensitive adhesive composition, film-like adhesive, adhesive sheet, adhesive pattern, semiconductor wafer with adhesive layer, semiconductor device and semiconductor device manufacturing method | |
JP5157255B2 (ja) | 感光性接着剤組成物、及びそれを用いた接着フィルム、接着シート、接着剤パターン、並びに半導体装置 | |
WO2009090922A1 (ja) | 感光性接着剤組成物、フィルム状接着剤、接着シート、接着剤パターン、接着剤層付半導体ウェハ、半導体装置、及び、半導体装置の製造方法 | |
JP5830830B2 (ja) | 感光性接着剤組成物、それを用いたフィルム状接着剤、接着シート、接着剤層付半導体ウェハ、半導体装置、感光性接着剤組成物及びフィルム状接着剤の製造方法、並びに接着剤パターンの形成方法 | |
TW201120171A (en) | Adhesive composition, semiconductor device suing the composition and fabricating method thereof | |
TW201125948A (en) | Semiconductor device and fabricating method thereof, and semiconductor wafer with adhesive layer | |
JP5712475B2 (ja) | 感光性接着剤組成物、並びにそれを用いたフィルム状接着剤、接着シート、接着剤パターン、接着剤層付半導体ウェハ及び半導体装置。 | |
TW200938606A (en) | Photosensitive adhesive | |
JP5663826B2 (ja) | 接着シート、接着剤層付半導体ウェハ、並びに半導体装置及びその製造方法 | |
TW200941548A (en) | Photosensitive adhesive, semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device | |
JP5332419B2 (ja) | 感光性接着剤組成物、フィルム状接着剤、接着シート、接着剤パターン、接着剤層付半導体ウェハ、半導体装置、及び、半導体装置の製造方法 | |
JP2011155209A (ja) | 接着剤付半導体チップの製造方法及び半導体装置の製造方法 | |
TWI613517B (zh) | 感光性樹脂組成物、薄膜狀黏著劑、黏著片、黏著劑圖案、附有黏著劑層之半導體晶圓及半導體裝置 | |
JP5499564B2 (ja) | 接着剤組成物、フィルム状接着剤、接着シート及び半導体装置 | |
TW201013854A (en) | Semiconductor device and method for manufacturing the same | |
JP2011155195A (ja) | 接着剤付半導体チップの製造方法及び半導体装置の製造方法 |