TW200915914A - Manufacturing method of organic electro luminescence apparatus - Google Patents
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Description
200915914 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明是關於一種有機電激發光裝置的製造方法。以 下’有時將電激發光(Electro Luminescence)簡稱為el。 【先前技術】 有機EL元件具有下述構造:在至少其中之一是透明 或半透明的一對電極間,夾持著包含發光層的有機EL層, 該發光層是由有機發光材料構成。當向具有此種構造的有 機EL元件的一對電極間施加電壓時,則電子自陰極注入 至發光層’電洞(hole)自陽極注入至該發光層,這些電 子及電洞在發光層中進行再結合。繼而,利用此時所產生 的能量來對發光層中的發光材料進行激發,從而由發光層 來發光。於本說明書中,將在基板上形成了有機EL元件 的裝置稱為有機EL裝置。例如,於平板狀的基板上形成 者有機EL元件的有機EL裝置可用於面狀光源、段式 (segment)顯示裝置、點矩陣(d〇t matrix)顯示裝置等。 若有機EL元件暴露於水蒸氣或氧氣中則會導致劣 化。因此,例如於玻璃基板等的基板上,依次積層陽極、 包含發光層的有機EL層及陰極而形成有機EL元件之後, 利用由氮化矽等形成的無機純化膜以及於無機鈍化膜的表 面上的由樹脂形成的樹脂密封膜來包覆整個有機EL元 件,藉此防止因有機EL元件與水蒸氣接觸而引起的劣化 (例如,參照專利文獻丨)。此處,無機鈍化膜係藉由電漿 化學氣相沈積(Chemical Vapor Deposition,CVD)法或濺 200915914 鍍法而形成。 專利文獻1 :日本專利特開2000 —223264號公報 然而’先釗存在有用以形成無機鈍化膜的各種藏鍍 法,但一般是使用成膜速度較快的磁控濺鍍法(magnetr〇n sputtering method)。如上所述,該磁控濺鍍法能以較高的 成膜速度(rate)來形成無機鈍化膜,但存在無法形成對 水蒸氣或氧的阻隔(barrier)性較高的被覆膜的問題。而 且,先前的無機鈍化膜的形成時所用的CVD法,雖能以 較咼的成膜速度來形成無機鈍化膜,並且與磁控濺鍍法 比可,低對發光層的損害(damage),但仍存在無法形成 對水蒸氣或氧的阻隔性較高的被覆膜的問題。即,於利用 ,控賤鍍法或CVD法形成的無機聽膜巾存在下述問 會5生針孔(Pinh〇le)等的缺陷’從而導致外部的水 丄氣或氧等的氣體經由該缺陷而侵入至有機元件 【發明内容】 Ο 本發明;!:有鑒於上述問題而研發的,其目的在於提供 :種^機EL裝置的製造方法,在形成包含對有機豇稀 、止=封的無機物層的被覆膜時,可抑制對有機现元件 Ϊ膜财’並且可形成對水蒸氣或氧的阻隔性較高的被 证裳^達目的,本發明提供採用下述構成的有機 [1] 一種有機電激發光裝置的製诰太、土政女拖& 光元件搭載於支持基板上’上述=== 200915914 支持基板與至少包含第1無機物膜以及第2無機物瞑的密 =包圍而與外界阻隔,此有機電激發光裝置的製造方 —利用離子束濺鍍法來形成上述第1無機物膜,以覆蓋 搭載於上述支持基板上的有機電激發光元件的表出面 驟,以及 在形成上述第1無機物膜之後,利用與離子束濺鍍法 不同的成膜方法來形成覆蓋上述第1無機物膜的第2無機 物膜的步驟。 、、、俄 [2]如上述[η所述之有機電激發光裝置的製造方法其 中上述與離子束濺鍍法不同的成膜方法是cvd法或磁^ 錢鍛法。 、一 [3]種有機電激發光襞置的製造方法,將有機電激發 件搭姐支持紐上’上述有機電激發光元件由上述 2基板與至少包含第丨無機物膜以及第2無機物膜的密 ^所包圍而與外界阻隔’此有機電激發絲置的製造方 利用離子束_法來形成上述第丨無機物膜,以㈣ ^.於上述支持基板上的有機電激發光元件的露出面 鄉,以及 / Φ播ί形成上述第1域物狀後,接著與上述離子 來形成第2無機物膜的步驟,該 機物膜相同第1無機物膜且材料與上述第1無 200915914 [4]如上述[3]所述之有機電激發光襞置的製造方法,其 中上述與離子束濺鍍法不同的成膜方法是CVD法或磁控 濺鍍法。 &
所謂的濺鍍法是薄膜形成方法的1種,其是指使原子 或分子尺寸(size)的微粒子撞擊靶材料(targetmaterial) (薄膜的材料),使靶材料微粒子放出至氣相中,並使乾材 料微粒子堆積於規定的基板表面上以作為薄膜的方法。有 時將使原子或分子尺寸的微粒子撞擊靶材料而使靶材料微 粒子放出至氣相中稱為(狹義的)濺鍍。 所謂的離子束濺鍍法是濺鍍法的1種,其是指將離子 束照射至靶材料而對靶材料微粒子進行濺鍍的方=。 ,所明的磁控賤鑛法是难鍍法的1種,其是指一邊在乾 材料附近施加磁場而引起磁控放電一邊進行崎 所謂的 CVD ( Chemical Vapor Deposition)法,1 β =:=,是指將包含薄膜的構成元素的原:氣 =法並使反應生成物堆積於規定的基板表面以作 根據本發明,可於錢a元件上戦 等的氣體的阻隔性較高的密封層,並且可抑或1 層_有機EL元件造成的損害。其結果,— 命較長的有機EL裝置的效果。 〃有可獲得壽 200915914 【實施方式】 以下,參照圖式來對本發明的實施形態進一步詳細說 明。另外’為了易於理解,有時圖式中的各構件的比例尺 (scale)與實際不同。而且,本發明並不限定於以下的記 述,可在不脫離本發明主旨的範圍内作適當變更。於有機 EL裝置中,、雖亦存在電極的引線等的構件,但由於在本發 明的說明中並不直接需要,因而省略記載。為了便於說明 層構造等’在以下料賴巾,是與將基板配置於下方的 圖一起進行說明,但本發明的有機EL元件以及搭載有該 有機EL元件的有機EL裝置未必須要配置成該上下左右的 朝向而進行製造或使用等,可適當地進行調整。 圖1是本發明所適用的有機EL裝置的構造的一例的 剖面不意圖。圖1是表示該有機EL裝置為頂部發光(t〇p emission)型的有機el裝置的圖,上述頂部發光型有機 EL裝置是自形成於支持基板1〇上的有機£]^元件的與 支持基板10相反的一側放出光。圖丨所示的有機EL裝置 具有下述構造:於支持基板1〇上’形成著依次積層有陽極 21、包含發光層的有機EL層22及陰極幻的有機el元件 20,並形成有密封層3〇,以覆蓋形成於該支持基板1〇上 的整個有機EL元件20。 此處,支持基板10例如可使用破璃基板或矽基板、塑 膠基板等各縣板。而且’陽極21 —般是錢功函數(评她 function)相對較大的(較佳的是功函數大於4 〇 eV)導電 性的金屬氧化物膜或半透明的金屬薄膜等。作為具體例, 200915914 可使用麵錫氧化物(Indium Tin Oxide,以下稱為ιτο)、 氧化錫等的金屬氧化物;金(Au)、鉑(Pt)、銀(Ag)、 銅(Cu)等的金屬或包含該些金屬中的至少一種的合金· 聚苯胺(P〇lyaniline)或其衍生物、聚嗟吩(polythiopLne’) ,其衍生物等的有機的透明導電膜等。而且,若有需要, 陽極21亦可由兩屬或兩層以上的層結構而形成。陽極21 的^可考慮率(在絲發光(b_m emissi〇n)型 的情況下,亦可考慮光的透過性)而適當地選擇,例如為 5=〜㈣’較好的是2G咖〜1叫,更好的是50 nm ^ 、21的製作方法可列舉真空蒸鍍法、濺鍵 ^ 電鍍法等。另外,在頂部發光型的情況 下,亦可於陽極21的下方設置及鼾暄生的脣/兄 出射至基板側的光。叹置反射膜’該反射膜用以反射 物或高分子化合光的有機物(低分子化合 材料。有機物例2而包含雜 中,目推雜材料是視需要推雜至有機物 由該些有機物與視W變發先波長專 厚度通常為20Α〜2,_ Α 雜材料構成的發光層的 (色素系材料) 色素系材料例如可列舉環 生物、四苯基丁二稀衍生^^ (cy#ndamme)衍 物化合物、三苯基贿生物"惡 11 200915914 二嗤(oxadiazole )衍生物"比唑並喹琳(取腦㈣恤沾狀) 街生物、二苯乙烯絲触物、二苯乙烯基亞芳基衍生物、 吡咯何生物、噻吩環化合物、吡啶環化合物、紫環酮 (perinone)衍生物、並(胃衍生物、寡聚噻吩衍 生物、°惡一唾二聚物、吼唾琳二聚物等。 (金屬錯合物系材料) 作為金屬錯合物系材料,例如可列舉銥錯合物 、翻錯 合物等的具有自三重態激發狀態發出光的金屬錯合物;中 心金屬具有紹(A1)、鋅(Zn)、鈹(Be)等或錢(Tb)、 銪(Eu)、錦(Dy)等的稀土類金屬,且配位基上具有嗔 一唑、噻一唑'笨基n比啶、苯基笨並咪唑、喹嘛構造等的 金屬錯合物等,例如羥基喹啉鋁錯合物、苯並羥基喹啉鈹 錯合物、苯並噁唑鋅錯合物、苯並噻唑鋅錯合物、偶氮甲 基鋅錯合物、外啉辞錯合物、銪錯合物等。 (高分子系材料) 高分子系材料例如可列舉聚對苯乙炔(p〇ly para-phenylenevinylene)衍生物、聚噻吩衍生物、聚對苯 衍生物、聚矽烧衍生物、聚乙炔衍生物、聚芴衍生物、聚 乙烯味唾衍生物、將上述色素體或金屬錯合物系發光材料 進行局分子化而成的材料等。 發光性材料中,發出藍色光的材料例如可列舉二苯乙 烯基亞芳基衍生物、噁二唑衍生物以及這些衍生物的聚合 物、聚乙烯咔唑衍生物、聚對苯衍生物、聚芴衍生物、^ 吖啶酮衍生物、香豆素衍生物等。其中,尤其好的是高分 12 200915914 =材料的聚#料衍生物、聚對苯衍生物絲賴生物 __發出綠色光的材料例如可列舉啥吖唆酮衍生 十4· &丑^何生物以及這些衍生物的聚合物、聚對苯乙炔 :對笑r、二芴衍生物等。其中,尤其好的是高分子材料的 聚對本乙炔何生物、聚芴衍生物等。
且,發出紅色光的材料例如可列舉香豆素衍生物、 嗟%裒化5物以及這些物質的聚合物、聚對苯乙炔衍生 物聚嗟吩何生物、聚苟衍生物等。其中,尤其好的是高 分子材料时峰乙騎生物、料吩衍生物、聚苟衍生 (摻雜材料) 推雜材料例如可列舉花衍生物、香豆素衍生物、紅螢 烯(mbrene)衍生物、喹吖啶酮衍生物、角業烯鑌 jsqualilmm)衍生物、外淋衍生物、苯乙婦系色素、稠四 苯(tetmcene)衍生物“比唑酮(pyraz〇1〇ne)衍生物、十 環烯(deCaCyClene)、吩„惡嗪_ (phen〇xaz〇ne)等。 而且,在有機EL層22中,除了設置發光層以外,亦 可適虽汉置没於發光層與陽極2.1之間的層以及設於發光 層與陰極23之間的層。首先,設於發光層與陽極21之間 的層’有改善來自陽極21的電洞注入效率的電洞注入層; 或者改善自陽極21、電洞注入層或靠近陽極21的電洞輸. 送層向發光層的電洞注入的電洞輸送層等。而且,設於發 光層與陰極23之間的層,有改善來自陰極23的電子注入 200915914 效率=電子注入層;或者具有改善來自陰極23、電子注入 層或#近陰極23的電子輸送層的電子注入的功能的電子 輸送層等。 _ (電洞注入層) I成電V同注入層的材料例如可列舉苯基胺系、星爆 / starburst)型胺系、酞花青系、氧化釩、氧化鉬、氧化釕: 氧化鋁等的氧化物、非晶形碳、聚苯胺、聚噻吩衍生物等。 (電洞輸送層) 構成電洞輸送層的材料例如可列舉聚乙烯咔唑或其衍 生物、聚矽烧或其衍生物、側鏈或主鏈上具有芳香族胺 (aromatic amines)的聚矽氧烷衍生物、吡唑啉衍生物、 芳基胺衍生物、均二苯乙烯(stilbene)衍生物、三苯基二 胺衍生物、聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生物、聚芳 基胺或其衍生物、聚吡咯或其衍生物、聚(p_苯乙炔)或其 衍生物或者聚(2,5-伸噻吩基乙烯)或其衍生物等。 " 另外,當這些電洞注入層或電洞輸送層具有阻擋電子 輪送的功能時,有時亦將該些電洞輪送層或電洞注二層 為電子阻播層。 (電子輸送層) 構成電子輸送層的材料可使用眾所周知的材料,例如 可列舉喔二销生物、蒽^甲錢其衍生物、苯酸或其 衍生物、萘醌或其衍生物、蒽醌或其衍生物、四氰基貧蜓 二曱燒或其衍生物、芴酮(Fluorenone)衍生物、二笨臭_ 乙沐或其竹生物、聯苯酿·衍生物、或者8_經基啥琳或其 14 200915914 生物的金屬錯合物、聚喹啉或其衍生物、聚喹噁#或其衍 生物、聚芴或其衍生物等。 (電子注入層)
作為電子注入層,根據發光層的種類,可設置由Ca 層的單層構造構成的電子注入層,或者設置由除了 Ca以 外的週期表I A族及ΠΑ族的金屬且功函數為i.5〜3.0eV
的金屬以及該金屬的氧化物、鹵化物及碳氧化物中的任i 種或者2種或2種以上所形成的層與(^層的積層構造構 成的電子注入層。作為功函數為15〜3 〇eV的週期表j A 族的,屬或其氧化物、鹵化物、碳氧化物的示例,可列舉 鋰、氟化鋰、氧化鈉、氧化鋰、碳酸鋰等。而且,功函數 ,1.5 3.G eV的除了 Ca以外的週期表jj A族的金屬或其 ,化物、_化物、碳氧化物的示例’可列舉銷、 氟化錤、氟化錯、氟化鋇、氧化銷、碳酸鎂等。、、 於、該些電子輸送層或電子注人層具有阻擋電洞 。二些電子輸送層錢子注入層稱 半透明的材料4對發先層知電子注人的透明或 麵⑽)、絶(Cs t使祕⑴)、納(Na)、卸(κ)、 鋇(Ba)、銘(A1j(Be)、鎮(Mg),(Ca)、銷(Sr)、 銦(In)、鈽(Ce) (SC)'釩(V)、鋅(Zn)、釔(Y)、 等的金屬;或者上=的=:(Tb)、錄⑽ n屬甲的2種或2種以上的合金;戈 15 200915914 : f以上與金(Au)、銀(Ag),⑻、 間化合物;f以上的合金;或者石墨或石墨層 =,成者ITO、氣化錫等的金屬氧化物等。 造。作t亦二,極23設為2層或2層以上的積層構 j ’可列舉上述的金屬、金屬氧化物、氟化 吟極23^^^與A1、Ag、絡(C〇等金屬的積層構造等。
’較好的是2Gnm〜_’更好的是Z 鮮去H紐極23的製作方法,可㈣真^蒸鍍法、 雜法或者對金㈣膜進行熱壓接的層壓(laminate)法等。 雜Ιίί所製造的有機EL裝置所要求的性能,來適當 k擇:於發光層與陽極21之間以及設於發光層與陰 極23之間的層。例如’本發明中所使用的有機el元件了〇 的構造,可具有下述的⑷〜(。)的層構成中的任一種。 (a) 陽極/電洞輸送層/發光層/陰極
L (b) 陽極/發光層/電子輪送層/陰極 (C),極/電洞輸送層/發光層/電子輸送層/陰極 (d) 陽極/電洞注入層/發光層/陰極 (e) 陽極/發光層/電子注入層/陰極 (0陽極/電洞注入層/發光層/電子注入層/陰極 (g) 陽極/電洞注入層/電洞輸送層/發光層/陰極 (h) 陽極/電洞輸送層/發光層/電子注入層/陰極 (i) 陽極/電洞注入層/電洞輸送層/發光層/電子注入層 16 200915914 /陰極
Cp陽極/電洞注入層/發光層/電子輸送層/陰極 (陽極/發光層/電子輸送層/電子注入層/陰極 /陰極⑴陽極/電洞注入層/發光層/電子輸送層/電子注入層 層/陰^°陽極/電洞注入層7電洞輸送層/發光層/電子輸送 層/F^n)陽極/電洞輸送層/發光層/電子輸送層/電子注入 層/電桃轉闕_/電子輪送 (此處’「/」表示各層鄰接而積層。以下相同。) 找·’上述(a)至(。)所示的層構造例亦可採用陽 ,又於,近基板的—_形態以及陰極設於靠近基板的一 侧的形態的任一個。 L· 的設置目的在於,為了防止水蒸氣或氧 軌體與錢EL元件2G _,而_對上錢體具有較 南阻隔性的層來密封有機EL元件20。該密封層3〇具有第
1古t機物膜及第2無機物膜,且至少第1無機物膜接觸於 EL元件20而形成。此處,所謂阻隔性是指有機虹 裝置所放置的環境中存在的水蒸氣或氧等的氣體難以侵入 至有機EL το件20。具體而言,阻隔性的高低受到膜上存 在ί針孔等的賴缺陷影響,越為緻密的連_,阻隔性 越尚。而且’密封層30例如可使用SiN膜或SiO膜、SiON 17 200915914 Ξ丙=等等==該些膜的積層膜、或者該些膜 白支持美mi 積層膜。該例中,密封層30 f 士持_ 10側起由阻隔性較高的第i密封膜 =物膜)及阻隔性第1密封膜 ' (第2無機物膜)構成。 ㈣膜32 較高板10側形成阻隔性 低於第I密封膜31且&第二膜成阻性 射胺Μ — L 立/、弟1在封膜31相同材料的第2密 封膜32’猎此,可保護有機豇元件2〇不與外部 鏑 制有機EL元件20與水蒸氣或氧等的接觸。對該 好所有部分即可’就製造成本的觀2 的疋第1密封膜31的厚度為5〇〜1〇〇nm。 行說:而圖it有此種構成的有機豇裝置的製造方法進 1〜圖2 —3表示本發明的有機EL褒置的製 在玻璃。首先’藉由先前眾所周知的方法, 形狀夺基板10上’依次形成已圖案化成規定 棒、=為點矩陣顯示裝置而使二,為==: 藉由著有機el元件20的支持基板10上, 糟由離子錢鍍法_成規定厚度的第1密封膜31 (圖2 18 200915914 箄U為該第乂岔封膜31的厚度’較理想的是至少大於 ;nm這疋由於,若第丨密封膜 Γ則在第1密封…生成針孔等的缺陷=生; =而且,雖然亦可使第!密封膜31厚於5〇nm,但在此 // 離子束雜法的特性而會導致成馳為耗費時 主1密封膜31的厚度是根據有機扯裝置的製造 所耗費的時間來適當選擇。 G &目3是表示離子束濺鑛裝置的構成的示_。如該圖 所不,離子束濺難置⑽具備:於真空腔室igi ^寺基板10 (形成著有機EL元件2〇的支持基板ι〇Α)的 基板座102 ;由構成» 1密封膜31的材料或該材料的—部 仝構成的靶103 ;以及將電漿化後的離子束ln供給至靶 1〇3的離子源1〇4。真空腔室101内於成膜中呈藉由^空果 1〇5而排氣成規定真空度的狀態。而且,例如當第丄 膜31#由SiO膜構成時,使用Si〇或Si來作為靶ι〇3。其 + ’當使用Si乾時,自未圖示的氣體供給部將氧氣等供給 至真空腔室1〇1内,以在保持於基板座102上的支持基板 1GA的表面上堆積Si0膜。而且,在形成由其他材料^ 的第1密封膜31的情況亦同樣。 於如此之離子束濺鍍裝置100中,將支持基板ι〇α 持在基板座102上,並藉由真空泵105而將真空腔室 内排氣成規定的真空度之後,自離子源1〇4朝向靶1〇3 射氬離子等的離子束111,利用規定的能量來進行加速 使離子束111撞擊靶103。藉此,對靶構成粒子進行濺鍍,
200915914 該濺鍍粒子112的一部分到達支持基板1〇A的表面並堆 積,藉此形成薄膜(第1密封膜31)。 此時,自離子源104出射的離子束m (入射離子) 撞擊靶103之後,進入靶1〇3内部,或被靶103反射。並 且,被靶103反射的離子束m (入射離子)的一部分會 被反射向支持基板10A方向,但由於離子束減鑛裝置 的構成,具有被靶103反射向支持基板1〇A方向的高能量 的離子束的比例從整體上看來極少,與磁控濺鍍法相比 較,可將對有機EL元件20的發光層造成的影響抑制為較 低。而且,由於是利用離子源1〇4來對氬氣體等進行電漿 =而生成離子束m,因此電漿不會侵人至形成薄膜的真 f腔室1G1内’從而亦可抑制電㈣支持基板1() 發 光層的影響。 滑 用離子束濺鍍法而形成的被覆膜與磁控濺鋼 法相味,雖存在細速度贿的缺點,但# 的某屋=錄隔性較高。因此,湘離子錢鍍法而形成 而形成^被覆賴阻隔性與湘CVD法或磁控賤鍍法 性1,=厚度的被覆膜相比,具有約3〜1G倍的阻隔 隔性,具㈣^子束濺鍍法而形成的某厚度的被覆臈的阻 厚度的^ ㈣雜親法㈣成的具有該 p 10倍厚度的被覆膜相等同的阻隔性。 法以二成=Μ法或磁控濺鍍法等的除離子束濺鍍 密封在第1密封膜31上形成規定厚度的^ 圖2 —在形成該第2密封膜幻時,使用與 20 200915914 ^子ίίΓΓ相喊麟錄高的枝。料以上的步 驟’製造有機EL裝置。 用離子束麟法來形成密封層3G中的有機 Ϊ二:]的規定厚度的第1密封膜31,並在第1密封 L叙目 *或磁控濺鍍法來形成第2密封膜32, ^ FT f先前的密封層的有機乱裝置相比,可提高 有機 '件20料部氣體的阻隔性。而且,由於第i密 31與第2密封膜32相比是阻隔性較高的薄膜,因此 ’即:與利用CVD法或磁控繼來形成 厚度減’可使密封層%的整體厚 度變薄。 另外’在上述的說明巾,關財同的製造方法來形 成由1種材料構成的密封層3G的情況為例,但本發明並不 限定於關,亦可_其财絲形成。圖㈠〜圖4 —3 是表示密封層的構造的一例的圖。另外,在該些圖中,對 與上述__構成要素標註了相_符號並省略其說 明。 圖4-1是表示由三層無機物膜構成密封層的情況的 圖。該密封層30自支持基板1〇 (有機a元件則侧起 依次由SiN膜33/Si〇膜或SiON膜34/SiN膜%這3層的 積層構造所形成。其中,最下層的SiN膜33 子 束濺鍍法而形成’其他的Si〇膜或Si〇N膜 其上的是藉由CVD法或磁控滅鍍法二=而 成膜。 21 200915914 圖4 —2是與圖4—1同樣表示由三層無機物膜構成密 封層的情況的圖。該密封層30表示了在圖4—i的情況下, 最下層的SiN膜33由利用離子束濺鍍法而形成的第1SiN 膜33A以及在第lSiN膜33A上利用CVD法或磁控濺鍍 法等的方法而形成的第2SiN膜33B構成的情況。另外广 對於與圖4—1相同的構成,標註了相同符號並省略其說 明、 … 而且,在該圖4 —2中,對於SiO膜或&〇1^膜34以 及形成於其上的SiN膜35,亦可設為由利用離子束濺鍍法 而形成的第1膜以及在該第1膜上利用CVD法或磁^錢 鍍法等的方法而形成的第2膜構成的積層構造。 圖4 —3是表示密封層由無機物膜與有機物膜的積層 構造所構成的情況的圖。該密封層30具有如下所述的構 造,即:自支持基板10 (有機EL元件20)側起,相互地 依次形成無機物膜36A、36B、36C與有機物膜37A、37B, 並在最上位的無機物膜36C上形成最上位有機物膜38。此 處,有機物膜37A、37B以及最上位有蜂物膜38掩埋形成 於無機物膜36A、36B、36C上的針孔等的缺陷,具有提 高阻隔性的功能。而且,所形成的有機物膜37A、37B的 形成區域必須窄於無機物膜36A、36B、36C的形成區域。 這是由於,若使有機物膜37A、37B的端部與無機物膜 36A、36B、36C相同,則有機物膜37A、37B的端部會露 出至外部氣體中,從而會導致有機物膜37A、37B自此處 開始劣化。 22 200915914 具有如此之構造的密封層30的製造是藉由下述方式 來進行’即:利用上述的離子束濺鍍法來形成最下層的無 機物膜36A,藉由快閃(flash)蒸鑛法等而形成有機物膜 37A、37B以及最上位有機物膜38,並利用cvd法或磁控 滅鑛法來形成其他的無機物膜36B、36C。 藉由設成如此之無機物膜36A、36B、36C與有機物 ,37A、37B交替地積層的形態,藉由最下層的阻隔性較 尚的無機物膜36A的存在與設置用於掩埋無機物膜36A、 36B、36C上的缺陷的有機物膜37A、37B以及最上位有機 物膜38所γ來的相乘效應(synergistic effect),可形成阻 隔性更尚的密封層30。而且,在先前利用CVD法或磁控 錢鐘法等的方絲進行成膜時,例如必需5層無機物膜, 但藉由使_子束麟法來形成最下層的無機物膜36a, 了用更少數里的無機物膜(例如3層無機物膜)來獲得具 有與先前的5層無機物膜的構造的情況相__ ^的^ 封層30。 而且’圖4-3的構成中亦可構成為:在形成各無機物 、36B、36C B夺’最先利用離子束崎法來形成規 疋厚度的第1膜,並且在第1膜上利用CVD法或磁控賤 鍍法等的方法來形成第2膜。 上述的說明中,是舉頂部發光型的有機EL裝置為例 而進行了說明,但在自支持基板1 〇側取出由有機EL層2 2 所生成的光的底部發光型的有機EL裝置中,亦可適^本 23 200915914 本發明的有機EL元件可用作面狀光源、段 置、點矩陣顯示裝置。 展 根縣實卿H,在軸㈣將形成於讀基板 上的有機EL 70件20與外部氣體予以阻隔的密封層3 利用離子束雜法來形成直接覆蓋有機EL元件2〇的被覆 2,並在馳賴上_ CVD法或磁控雜法來形成被 覆膜,因此具有可提高所製造的有機EL裝置的有機e 件20對外部氣體的阻隔性的效果。而且,湘離子束賤鍵 法來形成密封層30的-部分,並利用成膜速度較快的 法或磁控雜法等來使其他_分成膜,因此亦具有下述 效果,即,與利用離子束濺鍍法來使所有密封層30成膜相 比’更提高生產效率。 實施例 以下,參照實施例以及比較例,更詳細地說明本發明, 但本發明並不限定於此。 (實施例) 本實施例中,製作具有圖1所示的構造的有機EL裝 置。首先,在作為基板(10)的玻璃基板上,利用濺鍍法 而形成約150 nm的膜厚的仃〇膜,使用光微影 (photolithography)技術與餘刻(etching)技術而將上述 ιτο膜圖案化成規定的形狀,從而形成陽極21。繼而,利 用有機溶劑、驗性洗劑(alkali detergent)以及超純水 (ultrapurewater)來對形成有陽極(21)的玻璃基板(1〇) 進行洗淨並使其乾燥之後,利用紫外線/臭氧洗淨裝置來進 24 200915914 行紫外線/臭氧洗淨處理。 繼而’利用直徑為0.5 μηι的過濾器(fllter)來過濾聚 ⑶斗丨二氧乙基嗟吩/聚苯乙烯項酸⑶办壮⑽彳註冊商標片丁卩 AI 4083 (商品名),HC Starck vtc公司製)的懸濁液,藉 由旋塗法’使過濾後的懸濁液在形成有陽極21的玻璃基板 (10)上形成70 nm厚度的膜。隨後,將玻璃基板(1〇) 置於加熱板(hot plate)上’在大氣環境下以2〇〇°c乾燥 10分鐘,形成電洞注入層。 繼而,使用將二甲苯與苯甲醚以丨·· i的比例混合而成 的溶劑’製作1.5重量百分比(wt%)的高分子有機發光 材料(Lumation GP1300 (商品名),Sumati〇n公司製)的 洛液。藉由旋塗法,使該溶液於形成有電洞注入層的玻璃 基板(10)上形成80 nm厚度的膜,從而形成發光層。隨 後,去除玻璃基板(10)上的取出電極部或密封區域部分 中的發光層,將玻璃基板(10)導入至真空腔室内,並移 至加熱室。另外,以後的步驟中,是在真空中或氮氣環境 中進行處理,因此處理中的有機EL裝置不會暴露於大氣 中。 將玻璃基板(10)移至加熱室之後,使真空腔室内的 加熱室為lxl〇-4 Pa以下的真空度,以約1〇(rc加熱6〇分 鐘。繼而,將玻璃基板(10)移至蒸錢腔室 對準(峋_)玻璃基板⑽並 以在有機EL裝置中的進行發光的區域即發光部與取出電 極。卩上將陰極23成膜。此處,陰極23由Ba膜與A1膜形 25 200915914 =^ Ba膜是_電阻加熱細驗速度觸2 A/秒 =式對金屬Ba進行加熱,聽賴厚 Μ爲止, 亡述A1膜是電子束蒸觀_ 2 A/秒的紐速度而 j至100 A的膜厚為止。隨後,將玻璃基板(ι〇)移至 ,有對向料麟裂置的真空腔室内,向真空腔室内導入 鼠氣與氧氣,姻對向起式频法形成膜厚丨,獅人的11〇 =。藉由以上步驟,在玻璃基板(1〇)上形成有機EL元 件20。 隨後’使製作著有機EL元件(2〇)的玻璃基板(1〇) 不暴露於域巾’ 自具有對向料雜裝置的真空腔室 移至具有離子束麟裝置的真空腔室。繼而,向具有離子 束賤鍍裝置的真錢㈣導人歧錢氣,利祕子束滅 鍍法,使作為第1密封膜的氮切(SiN) 機EL元件20的玻璃基板(10)上堆積5〇〇a。 炚後,將玻璃基板(10)自具有離子束濺鍍裝置的真 空腔室移至具有錢CVD裝置的真空㈣。並且,向具 有电漿CVD裝置的真空腔室内導入矽烷氣體與氮氣,使 用電漿CVD法而形成約2 μιη厚度的作為第2密封膜32 的SiN膜。藉由以上步驟,製造有機EL裝置。 (比較例) 為了與實施例中所製造的有機EL裝置進行比較對 照,在本比較例中製造有機EL裝置。另外,在破璃基板 (10)上形成有機EL元件(20),並在有機EL元件(2〇) 上利用對向靶式濺鍍法而形成厚度1500人的IT〇膜,至 26 200915914 此為止與實施例相同。 不暴=大使Γ著有機乱元件(2〇)的_基板⑽ 移Ϊ:有電5CV二具有對向靶式濺鍍裝置的真空腔室 ,至具有電漿CVD裝置的真空腔室。繼而,向 Z f置的真空腔室内導人魏氣體與氮氣, CVD法而成膜2μιη的_膜。 則電聚 ΐ.) 番方式在實施例與比較例中製造的有機EL裝 ί 測定。該測定的概要為:對有機
===峨後-直持續該發J =膜的實施例的有===膜1 置= =VD法來形成密封層的比較例的有㈣ [產業上的可利用性] 用於:Ϊ:Ϊτ’本發明的有機肛裝置的製造方法有利地 況。、、有機EL το件密封财與水蒸氣#的氣體接觸的情 【圖式簡單說明】 例二==明所適用的有機EL裝置的構造的- 例的 &的- 圖2 — 2是表示本發明的有機el裝置的製造方法的一 27 200915914 例的局部剖面示意圖(其2)。 圖2 —3是表示本發明的有機EL裝置的製造方法的一 例的局部剖面示意圖(其3)。 圖3是表示離子束濺鍍裝置的構成的示意圖。 圖4—1是表示密封層的構造的一例的局部剖面圖。 圖4 —2是表示密封層的構造的一例的局部剖面圖。 圖4 — 3是表示密封層的構造的一例的局部剖面圖。 【主要元件符號說明】 U 10、10A :支持基板 20:有機EL元件 21 :陽極 22 :有機EL層 23 :陰極 30 :密封層 31 〜35、33A、33B :密封膜 36A、36B、36C :無機物膜 〇 37A、37B:有機物膜 38 :最上位有機物膜 100 離子束濺鍍裝置 101 真空腔室 102 基板座 103 萆巴 104 離子源 105 真空泵 28 200915914 111 :離子束 112 :濺鍍粒子
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- 200915914 十、申請專利範圍: 1種有機電激發光裝置的製造方法,將有機電激發 ^凡件搭载於域絲上,上述有機電激發光元件由上述 支持基板與至少包含第1錢物咖及第2無機物膜的密 封層所包_與外界阻隔,上述有機電激發絲置的製造 方法包括: 利用離子錢舰來形成上述第〗無機物膜,以覆蓋 搭載於上述支持基板上的有機電激發光元件的露出 驟;以及 在形成上述第1錢物叙後,·與料束濺鑛法 =同的成財法來形成覆蓋上述第丨無機物膜的第2 物膜的步驟。 …、 2.如巾料利範圍第丨項所述之有機電激發光裝置的 方法’其巾上述與軒束麟法不_成膜方法是化 子氣相沈積法或磁控濺鑛法。 財機電激發光裝置的製造方法,將有機電激發 =搭载於支持基板上,上述有機電激發光元件由上述 it板、與至少包含第1無機物膜以及第2無機物膜的 p、胃所包圍而與外界阻隔,上述有機電激發光的 造方法包括: 利用離子束麟法來形成上述第丨無機物膜,以覆雲 ^载,上述支持基板上的錢絲發航件的露出面的步 及 在形成上述第1無機物膜之後,接著利用與上述離子 30 200915914 ,,觀抑的麵方法來侃第2無機物朗步驟,上 2無機物膜覆蓋上述第1無機物膜且材料與上述第j 無機物膜相同。 、乐i 製造範圍第3項所述之有機電激發光裝置的 學氣相沈積法或磁㈣鍍法。 軸财法疋化31
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