JP2005228737A - 有機電界発光素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 一対の電極間に発光層を含む少なくとも一層の有機化合物層を有し、電圧印加時に蛍光発光する化合物と、電圧印加時に生成する一重項励起子の数を増幅させ、蛍光剤の発光強度を増幅させる機能を有する化合物と、をそれぞれ少なくとも一種含有する有機電界発光素子であって、該発光層中に、電圧印加時に蛍光発光する化合物、及び、電圧印加時に生成する一重項励起子の数を増幅させ、蛍光剤の発光強度を増幅させる機能を有する化合物に加えて、前記各化合物以外の、2種以上の材料を含有することを特徴とする。ここで、発光層は、蛍光剤を含有する層と、増幅剤を含有する層と、の積層構造を有することが好ましい。
【選択図】 なし
Description
外部量子効率φ=素子から放出されたフォトン数/素子に注入された電子数
外部量子効率φ=内部量子効率×光取り出し効率
有機化合物からの蛍光発光を利用する有機EL素子においては、内部量子効率の限界値が25%であり、光取り出し効率が約20%であることから、外部量子効率の限界値は約5%とされている。
〔1〕一対の電極間に発光層を含む少なくとも一層の有機化合物層を有し、電圧印加時に蛍光発光する化合物(以下、適宜、蛍光剤と称する)と、電圧印加時に生成する一重項励起子の数を増幅させ、蛍光剤の発光強度を増幅させる機能を有する化合物(以下、適宜、増幅剤と称する)と、をそれぞれ少なくとも一種含有する有機電界発光素子であって、該発光層中に、電圧印加時に蛍光発光する化合物、及び、電圧印加時に生成する一重項励起子の数を増幅させ、蛍光剤の発光強度を増幅させる機能を有する化合物に加えて、前記各化合物以外の、2種以上の材料を含有することを特徴とする有機電界発光素子。
〔2〕発光層が、蛍光剤を含有する層と増幅剤を含有する層との交互積層構造を少なくとも一つ有することを特徴とする〔1〕に記載の有機電界発光素子。
〔3〕発光層において、蛍光剤を含有する層と増幅剤を含有する層のそれぞれに少なくとも1種のホスト材料を含有し、且つ、異なる層に含有されるホスト材料の少なくとも1種が互いに異なる材料であることを特徴とする〔2〕に記載の有機電界発光素子。
〔4〕発光層において、蛍光剤を含有する層と増幅剤を含有する層のいずれかまたは両方に、2種以上のホスト材料を含有することを特徴とする〔2〕に記載の有機電界発光素子。
以下は、本発明の好ましい態様である。
〔5〕蛍光剤が芳香族縮環化合物であることを特徴とする〔1〕〜〔4〕のいずれかに記載の有機電界発光素子。
〔6〕増幅剤が遷移金属錯体であることを特徴とする〔1〕〜〔5〕のいずれかに記載の有機電界発光素子。
蛍光剤を含有する層には少なくとも1種の蛍光剤が含まれ、増幅剤を含有する層には少なくとも1種の増幅剤が含まれていればよく、前記したホスト材料は、これらの層の少なくとも一方に含まれていればよく、双方に含まれていてもよい。
(1) 蛍光剤を含有する層にホスト材料が一種、増幅剤を含有する層にホスト材料が一種含まれ、それぞれの層に含まれるホスト材料が互いに異なる場合。
(2) 蛍光剤を含有する層または増幅剤を含有する層のいずれかまたは両方に、互いに異なる二種以上のホスト材料を含む場合。
図2は、増幅剤を含有するS層と蛍光層を含有するF層の各々に少なくとも1種のホスト材料を含有する、本発明の有機電界発光素子の発光層の構成を示す概略図である。例えば、前記(1) の態様は、図2(A)で表される。即ち、増幅剤を含有するS層にホスト材料としてAなる化合物が、蛍光層を含有するF層には、ホスト材料としてAとは異なるBなる化合物を含有する態様である。また、図2(B)は、S層にホスト材料として化合物Aを含有し、F層には、S層に含まれるホスト材料と同じ化合物A及び異なる化合物Bを含有する態様を示す。
陽極の具体例としては酸化スズ、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウムスズ(ITO)等の導電性金属酸化物、あるいは金、銀、クロム、ニッケル等の金属、さらにこれらの金属と導電性金属酸化物との混合物または積層物、ヨウ化銅、硫化銅などの無機導電性物質、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロールなどの有機導電性材料、およびこれらとITOとの積層物などが挙げられ、好ましくは、導電性金属酸化物であり、特に、生産性、高導電性、透明性等の点からITOが好ましい。陽極の膜厚は材料により適宜選択可能であるが、通常10nm〜5μmの範囲のものが好ましく、より好ましくは50nm〜1μmであり、更に好ましくは100nm〜500nmである。
陽極の作製には材料によって種々の方法が用いられるが、例えばITOの場合、電子ビーム法、スパッタリング法、抵抗加熱蒸着法、化学反応法(ゾルーゲル法など)、酸化インジウムスズの分散物の塗布などの方法で膜形成される。
陽極に洗浄その他の処理を行うことにより、素子の駆動電圧を下げたり、発光効率を高めることも可能である。このような処理としては、例えばITOを材料とする場合には、UV−オゾン処理、プラズマ処理などが効果的なものとして挙げられる。
陰極の材料としては金属、合金、金属ハロゲン化物、金属酸化物、電気伝導性化合物、またはこれらの混合物を用いることができ、具体例としてはアルカリ金属(例えばLi、Na、K等)及びそのフッ化物または酸化物、アルカリ土類金属(例えばMg、Ca等)及びそのフッ化物または酸化物、金、銀、鉛、アルミニウム、ナトリウム−カリウム合金またはそれらの混合金属、リチウム−アルミニウム合金またはそれらの混合金属、マグネシウム−銀合金またはそれらの混合金属、インジウム、イッテリビウム等の希土類金属等が挙げられる。なかでも、好ましくは仕事関数が4eV以下の材料であり、より好ましくはアルミニウム、リチウム−アルミニウム合金またはそれらの混合金属、マグネシウム−銀合金またはそれらの混合金属等である。
陰極の作製には電子ビーム法、スパッタリング法、抵抗加熱蒸着法、コーティング法、転写法などの方法が用いられ、金属を単体で蒸着することも、二成分以上を同時に蒸着することもできる。さらに、複数の金属を同時に蒸着して合金電極を形成することも可能であり、またあらかじめ調整した合金を蒸着させてもよい。
陽極及び陰極のシート抵抗は低い方が好ましく、数百Ω/□以下が好ましい。
発光層の形成方法は、単層構造あるいは前記積層構造など、形成される所望の構造により適宜選択され、特に限定されるものではないが、例えば、抵抗加熱蒸着、電子ビーム、スパッタリング、分子積層法、コーティング法、インクジェット法、印刷法、LB法、転写法などの方法が用いられ、好ましくは抵抗加熱蒸着、コーティング法である。
正孔注入層、正孔輸送層の膜厚は特に限定されるものではないが、通常1nm〜5μmの範囲のものが好ましく、より好ましくは5nm〜1μmであり、更に好ましくは10nm〜500nmである。正孔注入層、正孔輸送層は上述した材料の1種または2種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成または異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
コーティング法の場合、樹脂成分と共に溶解または分散することができ、樹脂成分としては例えば、ポリ塩化ビニル、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリブチルメタクリレート、ポリエステル、ポリスルホン、ポリフェニレンオキシド、ポリブタジエン、ポリ(N−ビニルカルバゾール)、炭化水素樹脂、ケトン樹脂、フェノキシ樹脂、ポリアミド、エチルセルロース、酢酸ビニル、ABS樹脂、ポリウレタン、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂などが挙げられる。
電子注入層、電子輸送層の形成方法としては、真空蒸着法やLB法、前記電子注入輸送材料を溶媒に溶解または分散させてコーティングする方法、インクジェット法、印刷法、転写法などが用いられる。コーティング法の場合、樹脂成分と共に溶解または分散することができ、樹脂成分としては例えば、正孔注入輸送層の場合に例示したものが適用できる。
保護層の形成方法についても特に限定はなく、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、MBE(分子線エピタキシ)法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法(高周波励起イオンプレーティング法)、プラズマCVD法、レーザーCVD法、熱CVD法、ガスソースCVD法、コーティング法、印刷法、転写法を適用できる。
(比較例1)
洗浄したITO基板を蒸着装置に入れ、TPD(N,N’−ジフェニル−N,N’−ジ(m−トリル)−ベンジジン)を50nm蒸着した。この上に、化合物A(下記構造)とルブレン(下記構造)を99:1の比率で1nm蒸着し、この上に化合物AとIr(ppy)3(下記構造)を17対1の比率で1nm蒸着し、このプロセスを18回繰り返し、計36nmの薄膜を形成した。その際、化合物Aとルブレンを入れた坩堝、及び、化合物AとIr(ppy)3を入れた坩堝は常時蒸着できる温度に加熱し、坩堝付近に設置したシャッターの切り替えで繰り返し蒸着を行った。
このようにして、ホスト材料として化合物Aの1種のみを含有する交互積層構造の発光層を形成した。この発光層は、蛍光剤を含む層と、増幅剤を含む層との双方にホスト材料として化合物A 1種のみを含む態様である。
洗浄したITO基板を蒸着装置に入れ、TPD(N,N’−ジフェニル−N,N’−ジ(m−トリル)−ベンジジン)を50nm蒸着した。この上に、化合物Aとルブレンを99:1の比率で1nm蒸着し、この上に化合物B(下記構造)とIr(ppy)3を17対1の比率で1nm蒸着し、このプロセスを18回繰り返し、計36nmの薄膜を形成した。その際、化合物Aとルブレンを入れた坩堝、及び、化合物BとIr(ppy)3を入れた坩堝は常時蒸着できる温度に加熱し、坩堝付近に設置したシャッターの切り替えで繰り返し蒸着を行った。
このようにして、ホスト材料として化合物A及び化合物Bの2種の化合物を含有する交互積層構造の発光層を形成した。この発光層は、蛍光剤を含む層と増幅剤を含む層に、それぞれ異なる1種類のホスト材料を含む態様である。
この上に化合物Gを36nm蒸着した。この有機薄膜上に比較例1と同様に陰極を敷設して実施例1の有機EL素子を作製した。比較例1と同様に評価したところ、λmax=566nm色度(x,y)=(0.45,0.54)の黄色発光が得られ、200cd/m2での外部量子効率は13.2%であった。
なお、以下に、本発明の実施例1〜実施例8で用いたホスト化合物B〜化合物Hの構造を示す。
化合物Bの代わりに化合物Cを用いた以外は実施例1と同様にして、化合物A及び化合物Cの2種のホスト材料を含有する発光層を有する実施例2の有機EL素子を作製した。比較例1と同様に評価したところ、λmax=565nm色度(x,y)=(0.44,0.53)の黄色発光が得られ、200cd/m2での外部量子効率は17.6%であった。
なお、この発光層は、実施例1と同様に、蛍光剤を含む層と増幅剤を含む層に、それぞれ異なる1種類のホスト材料を含む態様である。
化合物Aの代わりに化合物B、化合物Bの代わりに化合物Dを用いた以外は実施例1と同様にして化合物B及び化合物Dの2種のホスト材料を含有する発光層を有する実施例3の有機EL素子を作製した。比較例1と同様に評価したところ、λmax=563nm色度(x,y)=(0.46,0.52)の黄色発光が得られ、200cd/m2での外部量子効率は13.7%であった。
この発光層は、実施例1と同様に、蛍光剤を含む層と増幅剤を含む層に、それぞれ異なる1種類のホスト材料を含む態様である。
洗浄したITO基板を蒸着装置に入れ、TPD(N,N’−ジフェニル−N,N’−ジ(m−トリル)−ベンジジン)を50nm蒸着した。この上に、化合物Bと化合物Eとルブレンを50:50:1の比率で1nm蒸着し、この上に化合物DとIr(ppy)3を17:1の比率で1nm蒸着し、このプロセスを18回繰り返し、計36nmの薄膜を形成した。その際、化合物Bと化合物Eとルブレンを入れた坩堝、及び、化合物DとIr(ppy)3を入れた坩堝は常時蒸着できる温度に加熱し、坩堝付近に設置したシャッターの切り替えで繰り返し蒸着を行った。この上に化合物Gを36nm蒸着した。
この有機薄膜上に比較例1と同様に陰極を敷設し、化合物B、化合物E及び化合物Dの3種のホスト材料を含有する発光層を有する実施例4の有機EL素子を作製した。比較例1と同様に評価したところ、λmax=566nm色度(x,y)=(0.45,0.55)の黄色発光が得られ、200cd/m2での外部量子効率は14.1%であった。
この発光層は、蛍光剤を含む層に互いに異なる2種のホスト材料、増幅剤を含む層に前記と異なる1種類のホスト材料を含む態様である。
洗浄したITO基板を蒸着装置に入れ、TPD(N,N’−ジフェニル−N,N’−ジ(m−トリル)−ベンジジン)を50nm蒸着した。この上に、化合物Fと化合物Gとルブレンを50:50:1の比率で1nm蒸着し、この上に化合物Cと化合物HとIr(ppy)3を9:8:1の比率で1nm蒸着し、このプロセスを18回繰り返し、計36nmの薄膜を形成した。その際、化合物Fと化合物Gとルブレンを入れた坩堝、及び、化合物Cと化合物HとIr(ppy)3を入れた坩堝は常時蒸着できる温度に加熱し、坩堝付近に設置したシャッターの切り替えで繰り返し蒸着を行った。この上に化合物Gを36nm蒸着した。
この有機薄膜上に比較例1と同様に陰極を敷設して、化合物F、化合物G、化合物C及び化合物Hの4種のホスト材料を含有する発光層を有する実施例5の有機EL素子を作製した。比較例1と同様に評価したところ、λmax=563nm色度(x,y)=(0.42,0.55)の黄色発光が得られ、200cd/m2での外部量子効率は14.6%であった。
この発光層は、蛍光剤を含む層に2種のホスト材料を含有し、増幅剤を含む層に前記2種とは異なる2種類のホスト材料を含む態様である。
洗浄したITO基板を蒸着装置に入れ、TPD〔N,N’−ジフェニル−N,N’−ジ(m−トリル)−ベンジジン〕を50nm蒸着した。この上に、化合物Cとルブレンを99:1の比率で1nm蒸着し、この上に化合物Fと化合物GとIr(ppy)3を10:7:1の比率で1nm蒸着し、このプロセスを18回繰り返し、計36nmの薄膜を形成した。その際、化合物Cとルブレンを入れた坩堝、及び、化合物Fと化合物GとIr(ppy)3を入れた坩堝は常時蒸着できる温度に加熱し、坩堝付近に設置したシャッターの切り替えで繰り返し蒸着を行った。この上に化合物Gを36nm蒸着した。
この有機薄膜上に比較例1と同様に陰極を敷設して、化合物C、化合物F及び化合物Gの3種のホスト材料を含有する発光層を有する実施例5の有機EL素子を作製した。比較例1と同様に評価したところ、λmax=564nm色度(x,y)=(0.43,0.54)の黄色発光が得られ、200cd/m2での外部量子効率は13.0%であった。
この発光層は、蛍光剤を含む層に1種のホスト材料を含有し、増幅剤を含む層に前記とは異なる2種類のホスト材料を含む態様である。
化合物Cの代わりに化合物Fを用いた以外は実施例5と同様にして、化合物F、化合物G及び化合物Hの3種のホスト材料を含有する発光層を有する実施例7の有機EL素子を作製した。比較例1と同様に評価したところ、λmax=563nm色度(x,y)=(0.43,0.55)の黄色発光が得られ、200cd/m2での外部量子効率は12.6%であった。
この発光層は、蛍光剤を含む層に2種のホスト材料を含有し、増幅剤を含む層に、前記蛍光増に含まれるホスト材料と同じ化合物と異なる化合物の2種のホスト材料を含有する態様である。
前記のようにして得られた比較例1、実施例1乃至実施例7の発光素子について、それぞれ初期輝度を合わせて輝度の半減時間を測定したところ、比較例1は6時間、実施例1乃至実施例7はそれぞれ10時間、9時間、13時間、16時間、15時間、18時間、28時間であった。
Claims (4)
- 一対の電極間に発光層を含む少なくとも一層の有機化合物層を有し、電圧印加時に蛍光発光する化合物と、電圧印加時に生成する一重項励起子の数を増幅させ、蛍光剤の発光強度を増幅させる機能を有する化合物と、をそれぞれ少なくとも一種含有する有機電界発光素子であって、
該発光層中に、電圧印加時に蛍光発光する化合物、及び、電圧印加時に生成する一重項励起子の数を増幅させ、蛍光剤の発光強度を増幅させる機能を有する化合物に加えて、前記各化合物以外の、2種以上の材料を含有することを特徴とする有機電界発光素子。 - 前記発光層が、電圧印加時に蛍光発光する化合物を含有する層と、電圧印加時に生成する一重項励起子の数を増幅させ、蛍光剤の発光強度を増幅させる機能を有する化合物を含有する層と、の積層構造を少なくとも一つ有することを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光素子。
- 前記発光層において、電圧印加時に蛍光発光する化合物を含有する層と、電圧印加時に生成する一重項励起子の数を増幅させ、蛍光剤の発光強度を増幅させる機能を有する化合物を含有する層のそれぞれに少なくとも1種のホスト材料を含有し、且つ、異なる層に含有されるホスト材料の少なくとも1種が互いに異なる材料であることを特徴とする請求項2に記載の有機電界発光素子。
- 前記発光層において、電圧印加時に蛍光発光する化合物を含有する層と、電圧印加時に生成する一重項励起子の数を増幅させ、蛍光剤の発光強度を増幅させる機能を有する化合物を含有する層のいずれかまたは両方に、2種以上のホスト材料を含有することを特徴とする請求項2に記載の有機電界発光素子。
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