TW200904732A - Substrate mounting stage and substrate processing apparatus - Google Patents

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TW200904732A TW097110775A TW97110775A TW200904732A TW 200904732 A TW200904732 A TW 200904732A TW 097110775 A TW097110775 A TW 097110775A TW 97110775 A TW97110775 A TW 97110775A TW 200904732 A TW200904732 A TW 200904732A
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Yoshihiko Sasaki
Masato Minami
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Description

200904732 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明是關於載置液晶顯示器（Liquid Crystal Display )或電激發光顯不器（Electro-Luminescence Display)等之平面顯示器（Flat Panel Display)用基板 之基板載置台及基板處理裝置。 【先前技術】 在該種基板予以葉片處理之基板處理裝置中，必須藉 由搬運手臂將未處理之基板一片一片搬入至設置在處理室 內之載置台上，將處理完之基板自處理室搬出。因此，爲 了輔助對處理室之載置台執行裝載或卸載，大多使用以利 用升降銷將基板推至較載置台之載置面上方的升降銷機構 作爲如此以往之升降銷機構例如專利文獻1所示般， 所知的有在由1片之電極板所構成之載置台中，爲了防止 其電極板之熱膨脹所產生之升降銷孔和升降銷之位置偏差 ，於電極板之下側安裝升降機構之升降導引。再者，如專 利文獻2所示般，於疊層上板和下板而構成之電極插通升 降銷，於處理室底部安裝升降銷之升降導引（支撐構件） 〔專利文獻1〕日本特開平1 0- 1 022 5 9號公報 〔專利文獻2〕日本特開2 0 0 1 - 1 8 5 6 0 6號公報 200904732 【發明內容】 〔發明所欲解決之課題〕 但是，如專利文獻2所記載之載置台般，具有疊層多 數平板而所構成之電極之載置台’因藉由調整電極之溫度 ，或使電漿產生，各平板之溫度上昇’故該些任一者皆熱 膨脹。此時，被配置在最上部之平板因在處理室內露出其 上側表面，故容易受到隨著電漿之生成所產生之影響或處 理室內之溫度影響，進而在最上部之平板和其下側之平板 產生溫度差。因此，因在該些平板之熱膨脹量產生差，故 在最上部之平板和其下側之平板之間產產生水平方向之位 置偏差。 因此，具有疊層如此多數平台而所構成之電極的載置 台，是與專利文獻1、2之情形相同，當在貫通電極即是 各平板之插銷插通孔配置升降銷時，則在最上部之平板之 插銷插通孔和其下側之平板之插銷插通孔之間產生水平方 向之位置偏差，有剪力作用於插通於其中之升降銷之虞。 在如此之剪力作用於升降銷之狀態下，當使升降銷升降時 ，則有升降銷破損，或平板破損之虞。 尤其，近年來基板之尺寸越來越大型化，載置此之載 置台之各平板之尺寸也大型化。因構成如此之載置台之平 板之尺寸越大，其熱膨脹量也變大，故最上部之平板和其 下側之平板的水平方向之位置偏差也變大成無法忽視之程 度，於升降銷容易產生剪力。 在此，本發明是鑒於如此之問題而所創作出者，其目 -5- 200904732 的在於提供可以防止升降銷之破損或電極之破損的基板載 置台，上述升降銷是被設置在具有疊層多數平板而構成之 電極的載置台。 〔用以解決上述課題之手段〕 爲了解決上述課題，若藉由本發明之觀點，則提供一 種基板載置台，爲具有在上下疊層多數平板而所構成之電 極的基板載置台，其特徵爲：具備：被設置成在貫通設置 在上述多數平板中之最上部的最上部平板的插銷插通孔升 降自如的升降銷；和導引上述升降銷之升降的升降導引體 ，上述升降導引體係通過被疊層於上述最上部平板下側之 下側平板的連通孔而被配置，並且被位置限制成無法對上 述最上部平板作水平方向移動。 爲了解決上述課題，若藉由本發明之另一觀點，則提 供一種基板處理裝置，爲對基板執行電漿處理的基板處理 裝置，其特徵爲：具備構成可抽真空之處理室；將處理氣 體供給至上述處理室之氣體供給手段；被配置在上述處理 室內之上方，將來自上述氣體供給手段之氣體朝向上述載 置台上之基板導入的氣體導入手段；被配置在上述處理內 之下方之基板載置台’上述基板載置台具備在上下疊層多 數平板而構成之電極；被設置成在貫通設置在上述多數平 板中之最上部的最上部平板的插銷插通孔升降自如的升降 銷；和被位置限制成無法對上述最上部平板作水平方向移 動，導引上述升降銷之升降的升降導引ϋ。 -6- 200904732 在如此之本發明所涉及之基板載置台中，藉由最上部 平板之熱膨脹大於下側平板之熱膨脹，即使在該些之間產 生水平方向之相對性位置偏差，升降導引體也被位置限制 在水平水方向，故追隨最上部而移動。因此，藉由升降導 引體而升降之升降銷和最上部平板之插銷插通孔保以經常 保持一定之間隙。依此，可以防止因最上部平板對下側平 板產生位置偏差而引起升降銷折彎（破損）或電極板之破 損。 再者，上述升降導引體是藉由例如被嵌插於形成在升 降導引體之上面和上述最上部平板之下面之定位孔的定位 構件（例如定位銷）而被位置限制。藉由使用如此之定位 構件，可以簡單將升降導引體限制在相對於最上部平板之 下面呈水平方向之位置。 再者，上述下側平板之連通孔之內徑形成大於上述升 降導引體之外徑，上述內徑和上述外形之插以因應上述最 上部平板對上述下側平板之最大偏差量而決定爲佳。依此 ，當處理條件（例如設定溫度、處理室內壓力、施加於下 邰電極之尚頻電力）不同，最上部平板之熱膨脹量有所不 同時，即使在任何處理條件下實行基板處理之時亦可以對 應。 再者，上述升降導引體即使安裝成可對上述下側平板 作水平方向移動亦可。如此一來，由於將升降導引體安裝 在下側平板側，故可以容易組裝。 再者’上述最上部平板爲例如構成電極本體之電極板 200904732 ，上述下側平板爲例如用以調整電極板之溫度的溫度調整 用板。溫度調整用板通常是保持一定溫度，對此電極板因 位於最上部，容易受到電槳或周圍溫度之影響，故在電極 板和溫度調整用板之間尤其容易產生熱膨脹量之差，故容 易產生電極板對溫度調整用板之位置偏差。因此，於如此 構成之載置台適用本發明之效果明顯爲大。 爲了解決上述課題，若藉由本發明之另外觀點，則提 供一種基板載置台，爲具有在上下疊層多數平板而構成之 電極的基板載置台，其特徵爲：具備被設置成在貫通設置 在上述多數平板中之最上部的最上部平板的插銷插通孔升 降自如的升降銷；和導引上述升降銷之升降的升降導引體 ’上述升降導引體是藉由被嵌插固定於其上面形成在上述 最上部平板之下面的定位孔，被位置限制成無法在水平方 向移動，並且通過被疊層於上述最上部平板之下側的下側 平板之連通孔而被配置。 爲了解決上述課題，本發明之另外觀點式是提供一種 基板處理裝置，爲對基板執行電漿處理的基板處理裝置， 其特徵爲：具備構成可抽真空之處理室；將處理氣體供給 至上述處理室之氣體供給手段；被配置在上述處理室內之 上方，將來自上述氣體供給手段之氣體朝向上述載置台上 之基板導入的氣體導入手段；被配置在上述處理內之下方 之基板載置台，上述基板載置台具備在上下疊層多數平板 而構成之電極；被設置成在貫通設置在上述多數平板中之 最上部的最上部平板的插銷插通孔升降自如的升降銷；和 -8 - 200904732 導引上述升降銷之升降的升降導引體，上述升降導引體是 藉由被嵌插固定於其上部形成在上述最上部平板之下面的 定位孔’被位置限制成無法在水平方向移動，並且通過被 疊層於上述最上部平板之下側的下側平板之連通孔而被配 置。 在如此之本發明所涉及之基板載置台中，藉由最上部 平板之熱膨脹大於下側平板之熱膨脹，即使在該些之間產 生水平方向之相對性位置偏差，升降導引體也被定位固定 於最上部平板，位置限制在水平方向，故追隨最上部而移 動。因此，藉由升降導引體而升降之升降銷和最上部平板 之插銷插通孔保以經常保持一定之間隙。依此，可以防止 因最上部平板對下側平板產生位置偏差而引起升降銷折彎 (破損）或電極板之破損。 再者，僅將升降導引體之上部嵌入固定於最上部平板 之定位孔，則可以容易將升降導引體定位於最上部平板。 依此，例如將升降銷安裝於下側平板之側，並且因將升降 導引體安裝於最上部平板之側，以將升降銷插入至升降導 引體內之方式，在下側平板之上方安裝最上部平板，故容 易組裝。 〔發明效果〕 若藉由本發明時，於在具有由多數平板所構成之電極 之載置台配設升降銷之時，則可以防止因例如熱膨脹引起 最上部平板對下側平板產生位置偏差而產生升降銷折彎（ -9- 200904732 破損）或電極板之破損。 【實施方式】 以下，一面參照附件圖面’一面針對本發明之最佳實 施形態予以詳細說明。並且’在本說明書及圖面中，針對 實質上具有相同功能構成之構成要素，賦予相同符號，依 此省略重複說明。 (基板處理裝置） 首先，針對可適用本發明所涉及之基板載置台之基板 處理裝置之實施形態，一面參照圖面一面予以說明。在此 ，舉出對被載置於基板載置台之FPD用基板（以下，單 稱爲「基板」G施予蝕刻、成膜等之電漿處理之電槳處理 裝置爲例，以當作基板處理裝置予以說明。第1圖爲本實 施形態所涉及之電漿處理裝置之槪略構成之縱剖面圖。第 2圖爲自上方觀看載置台之圖式，第1圖所示之載置台之 剖面圖相當於第2圖所示之P-P’剖面圖。 如第1圖所示般，電漿處理裝置100具備處理室（腔 室）102。處理室102是由例如藉由表面被陽極氧化處理 (防蝕鋁處理）之鋁所構成之略角筒形狀之處理容器而構 成。處理室1 02被接地。在處理室1 〇2內之底部配設有當 做下部電極發揮功能之載置台200。載置台200是當作載 置矩形之基板G之基板載置台而發揮功能。載置台200 是如第2圖所示般形成矩形形狀。該載置台200之形狀是 -10- 200904732 因應基板G之形狀而決定。針對如此之載置台200之具 體構成之詳細說明於後述。 在載置台200之上方，以此平行對向之方式’對向配 置有以當做上部電極發揮功能之氣體導入手段的噴淋頭 110。噴淋頭110是被支撐於處理室1〇2之上部’在內部 具有緩衝室122，並且在與載置台200對向之下面形成有 吐出處理氣體之多數吐出孔124。屬於上部電極之噴淋頭 110是被接地，與屬於下部電極之載置台200 —起構成一 對平行平板電極。 在噴淋頭110之上面設置有氣體導入口 126，在氣體 導入口 126連接有氣體導入管128。氣體導入管128經開 關閥130、質量流量控制器（MFC ) 132連接有由處理氣 體供給源1 34所構成之氣體供給手段。 來自處理氣體供給源134之處理氣體藉由質量流量控 制器（MFC ) 132控制成特定流量，通過氣體導入口 126 被導入至噴淋頭110之緩衝室122。作爲處理氣體（蝕刻 氣體）可以使用例如CF4氣體等之鹵系氣體、〇2氣體、 Ar氣體等之通常在該領域所使用之氣體。 在處理室1 02之側壁設置有用以開關基板搬入出口 1 0 4之閘閥1 0 6。再者，在處理室1 0 2之側壁之下方設置 排氣口，在排氣口經排氣管108而連接包含真空泵（無圖 式）之排氣裝置109。藉由該排氣裝置109排氣處理室 1 0 2之室內，依此於電漿處理中可以將處理室1 〇 2內維持 特定真空雰圍（例如10mTorr=約1.33Pa)。 -11 - 200904732 (載置台之構成） 接著，針對本實施形態所涉及之載置台200之具體構 成予以說明。載置台200是於上下疊層多數（在此爲兩個 )平板而構成。具體而言，載置台200藉由當作配置在其 最上部之最上部平板之電極板210，和當作疊層在其下側 之下側平板之溫度調整用板220而構成。該些之中電極板 210爲構成下部電極之本體之平板，溫度調整用板220爲 用以調整電極板2 1 0之溫度的平板。該些電極板2 1 0和溫 度調整用板220是被密接安裝。 電極板2 1 0經由例如陶瓷或石英之絕緣構件所構成之 基底構件230而被安裝於處理室102內之底部。再者，構 成載置台200之外框，以包圍溫度調整用板220、基底構 件2 3 0之周圍之方式，配設例如由陶瓷或石英之絕緣構件 所構成之矩形框狀之外框部202。 電極板2 1 0是由例如板狀之鋁所構成，形成基板G 之載置面212之表面被防蝕鋁處理。在電極板210經整合 器114電性連接有高頻電源116之輸出端子。高頻電源 1 16之輸出頻率被選擇爲頻率較高之例如13.56MHz。來 自高頻電源116之高頻電力被施加至電極板210，依此於 載置於載置台200之載置面212之基板G上生成處理氣 體之電漿，在基板G上施予特定之電漿蝕刻處理。 溫度調整用板220是由與電極板2 1 0同樣之構件例如 板狀之鋁所構成，在其內部形成有流通溫度調整用媒體之 流路222。被調整成特定溫度之溫度調整用媒體藉由自無 -12- 200904732 圖式之媒體供給源流通於流路222，依此可以將電極板 210之溫度調整至特定溫度。並且，溫度調整用板22〇並 不限定於上述構成，例如即使在內部設置加熱器，加熱電 極板2 1 0亦可。 爲了輔助對載置面裝載及卸載基板G，在載置台200 之多數處設置有用以推昇基板G之多數升降銷（推昇銷 )242。例如’如第2圖所示般，在載置台200之載置面 212之中央部設置有1個升降銷（中央部升降銷）242, 並且，於載置面2 1 2之周邊部在每各邊多數間隔開設置 1 〇個升降銷（周邊部升降銷）242。在第2圖所示之例中 ，周邊部升降銷242於載置面121之長邊方向之互相平行 之兩邊各間隔開設置3個，其他平行之兩個邊各間隔開設 置2個。並且，升降銷242之數量並不限定於此，以配合 基板G之尺寸而決定爲佳。 各升降銷242是提供用以自載置面2 1 2同時突出沉沒 ，並一起動作而將基板G水平支持之支撐位準。例如藉 由無圖式之搬運手臂對載置面212裝載及卸載基板G之 時，如第1圖所示般，在基板G從載置面212浮起之狀 態下支撐於各升降銷242。 各升降銷242如第1圖所示般，構成在上下貫通形成 於電極板210之插銷插通孔214升降自如。在各升降銷 242之中間部，設置有導引升降銷242之升降的升降導引 體300。該升降導引體300之具體構成例於後述。各升降 銷242之下端部經構成在水平方向滑動自如之支撐體243 -13- 200904732 被支撐於滑動板2 5 0。依此，如後述般，升降銷 藉由每升降導引體200追隨電極板210而朝水平 ，支撐體243因在水平方向滑動，故可以經常垂 升降銷242之升降導引體300更下方。 滑動板25 0是在處理室1 02之底部下側沿著 每個升降銷242之滑動導件252而升降。在處理 底部下側，安裝有用以使滑動板250升降驅動之 。馬達2 54連接於控制電漿處理裝置之無圖式之 藉由來自控制部之指令驅動馬達254而使滑動板 ，隨此各升降銷242升降，可以使各升降銷242 載置面2 1 2突出沉沒。 (升降銷和升降導引體之配設位置） 但是，如本實施形態之載置台200般，具有 層電極板2 1 0和溫度調整用板220之下部電極之 由於配設升降銷242.和升降導引體3 0 0之位置不 後述般導致升降銷242破損等之問題’故本實施 置台2 0 0是以不發生如此之問題之方式’配設 242和升降導引體300。 在此，針對本實施形態之升降銷242和升 2 〇 〇之配設位置，一面與比較例比較—面予以說 圖A、第3圖Β爲表示用以與本實施形態之情形 降銷和升降導引體之配設例和其作用之圖式’第 第4圖B爲表示本實施形態中之升降銷和升降導 242即使 方向移動 直保持較 被設置在 室102之 馬達254 控制部。 2 5 0升降 之前端自 在上下疊 載置台， 同，有如 形態之載 有升降銷 降導引體 明。第3 比較的升 4圖A、 引體之配 -14- 200904732 設例和其作用之圖式。 第3圖A爲將升降銷242配置在貫通電極板 溫度調整用板22〇之插銷插通孔214、224，並且 下側之溫度調整用板220作水平移動之方式位置限 導引體3 00之情形。此時，例如將升降導引體300 溫度調整用板220之下側而位置限制於水平方向。 即使在升降導引體300之上面和溫度調整用板220 設置定位銷而位置限制於水平方向亦可。 假設如第3圖A所示般當配設升降銷242和 引體3 00之時，則產生以下之問題。以下針對該問 以說明。使溫度調整用流通於載置台200之溫度調 220之流路222而執行溫度調整，互使產生電漿時 板2 10和溫度調整用板220之溫度因上昇，故該些 皆熱膨脹。 此時，因在溫度調整用板220之流路222流動 成特定溫度之溫度調整用媒體，故被保持於一定溫 此，電極板2 1 0因在處理室內其上側表面露出，故 到隨著生成電漿而產生之影響或處理室內之溫度之 因此，電極板210和溫度調整用板220產生溫度差 脹量產生差之機率爲高。 例如，於生成電漿，產生電極板2 1 0之溫度上 ，因電極板210之溫度高於溫度調整用板220，故 2 1 0之熱膨脹也比溫度調整用板220之熱膨脹量大 藉由如此熱膨脹之不同，如第3圖B所示般， 210和 以不對 制升降 固定於 並且， 之下面 升降導 題點予 整用板 ，電極 任一者 被調整 度。對 容易受 影響。 ，熱膨 昇之時 電極板 〇 在電極 -15- 200904732 板2 1 0和溫度調整用板220之接觸面，因對水平方向產生 相對性位置偏差，故在電極板2 1 0之插銷插通孔2 1 4和溫 度調整用板220之插銷插通孔224之間產生位置偏差。 近年來，基板之尺寸越來越大型化，載置基板之載置 台2 00之各平板之尺寸也變得大型化。因構成如此載置台 200之電極板210和溫度調整用板220之尺寸越大，其熱 膨脹量也越變大電極板2 1 0和溫度調整用板220之水平方 向之位置偏差也變大成不可忽視之程度。 如此一來，隨著電極板2 1 0和溫度調整用板220之位 置偏差變大，電極板210之插銷插通孔214和升降銷242 之間隙零亂。然後，電極板2 1 0之插銷插通孔2 1 4之壁面 接觸於升降銷242，當電極板210將升降銷242推至水平 方向時，於升降銷242本身則作用則如第3圖Β之箭號所 示般之剪力。 因此，如第3圖Β所示般，有升降銷242彎曲之虞。 再者，當位置偏差更大時，則有升降銷242破損之虞。再 者，在上述般之剪力作用於升降銷242之狀態下，使升降 銷242升降時，則有升降銷242破損，或電極板210破損 之虞。 在此，在本實施形態中，如第4圖Α所示般，將升 降銷242配置在貫通電極板210之插銷插通孔214，並且 形成直徑大於升降導引體3 00之直徑的連通孔226，將升 降導引體300通過該連通孔226，以無法對上側電極板 2 1 〇在水平方向移動之方式予以位置限制。例如，在升降 -16- 200904732 導引體300之上面和電極板210之下面設置定位 限制在水平方向。再者，即使將升降導引體300 極板2 1 0之下側而位置限制於水平方向亦可。 依此例如即使在電極板210和溫度調整用板 觸面產生水平方向之相對性位置偏差，亦如第4 示式般，因升降導引體300與電極板210 —起移 持電極板2 1 0之插銷插通孔2 1 4和升降銷242之 此，升降銷242不會傾斜，再者也不有剪力作用 2 42之情形，故即使使升降銷242升降，亦不會 242破損，或電極板2 1 0破損之情形。 (升降導引體之具體構成例） 接著，一面參照圖面一面說明如此之本實施 及之升降導引體300之具體構成。第5圖爲本實 之升降導引體之構成例之剖面圖。在此，舉出將 體3 00安裝成可對溫度調整用板220在水平方向 且位置限制成相對於電極板2 1 0不能在水平方向 的具體例予以說明。 首先，針對升降導引體300之內部構成予以 第5圖所示般，升降導引體300具備略圓筒狀之 3 02，在其內部插設有升降銷242。第5圖所示 242具有配置在前端之插銷本體244，和支撐該 244之下端部支撐棒246。插銷本體244之前端 於基板G之背側，故例如成型球面狀。支撐棒 銷，位置 固定在電 220之接 圖4B所 動，故保 間隙。因 於升降銷 有升降銷 形態所涉 施形態中 升降導引 移動，並 移動之時 說明。如 導件本體 之升降銷 插銷本體 由於接觸 246之直 200904732 徑形成些許大於插銷本體244，在其下端設置有擴徑之基 部248。並且，在基部248之下端設置有輔助棒249。 在導件本體3 02內形成有上下可插通上述插銷本體 244和支撐棒246之插通孔312。該插通孔312之上部之 插銷孔3 1 4構成與電極板2 1 0之插銷插通孔2 1 4相同直徑 (或是些許大之直徑），插通孔3 1 2之下部之中心孔3 1 5 較上部之插銷插通孔更被擴徑。具體而言’插通孔312之 上部之插銷孔314是以插銷本體244可滑嵌之直徑所構成 ，插通孔3 1 2之下部之定心孔3 1 6是以支撐棒246可滑嵌 之直徑所構成。 在定心孔3 1 6配設有被嵌插於之支撐棒1 46之定心用 用升降推桿3 2 0。該定心用升降推桿3 20是用以將升降銷 2 4 2之中心配合電極板2 1 0之插銷插通孔2 1 4之中心。 但是，升降銷242之下方（升降導引體300之下方） 通常曝曬於大氣壓雰圍（常壓氛圍），對此升降銷242之 上方（電極板210之上方）之處理室1〇2由於成爲真空壓 氛圍，故必須阻斷該些之間之連通。因此，在導件本體 3 02之下端和支撐棒246之基部248之間’以包圍支撐棒 246之方式，配設例如金屬製之可伸縮之伸縮囊322。具 體而言，伸縮囊322之底部被固定於支撐棒246之基部 248，另外在伸縮囊322之頂部配設凸緣324。凸緣324 是被安裝在導件本體3 02之下端。 藉由如此升降導引體3 00內之構成’升降銷可以 依據升降導引體3 00內之定心用升降推桿320 ’以通過電 -18- 200904732 極板2 1 0之插銷插通孔2 1 4之中心的方式予以升降 接著，針對升降導引體3 00之配設例予以說明 導引體3 00是以其上面密接於電極板210之下面之 在滑嵌於溫度調整用板220之連通孔226之狀態下 溫度調整用板220之上面。 具體而言，在升降體300之上部形成有凸緣部 開口於溫度調整用板220之上側表面之連通孔226 被擴徑成凸緣部3 3 0可滑嵌之程度。在該被擴徑之 入孔228被插入凸緣部3 3 0，在形成溫度調整用板 凸緣插入孔228之表面安裝有螺栓340。 該螺栓3 40即使在被形成於凸緣部33 0之螺栓 之底面，經由表面加工成容易滑動之墊片342而予 亦可。依此，凸緣330即使以螺栓340固定於溫度 板220，因介在於螺栓340和凸緣3 3 0之間之墊片 表面容易滑動，故升降導引體3 00可對溫度調整用 作水平方向移動。 再者，升降導引體300之上面是以升降導引體 插銷孔3 1 4之中心吻合電極板2 1 0之插銷插通孔2 ] 心之方式，位置限制成無法在水平方向移動。具體 藉由當作被插入於形成在升降導引體300之上面和 2 1 0之下面之定位孔3 5 2之定位構件之一例的定位 ，位置限制成無法在水平方向移動。 藉由使用如此之定位構件，可以使升降導引體 對於電極板2 1 0之下面簡單限制水平方向之位置。 。升降 方式， 安裝於 330， 之上部 凸緣插 220之 孔332 以安裝 調整用 342之 板220 3 00之 [4之中 而言， 電極板 銷 3 50 3 00相 並且定 -19- 200904732 位銷350以在插銷孔314之周圍多數（在此爲兩個）設置 爲佳。 定位銷3 5 2之直徑爲嵌入固定定位銷3 5 0，定位孔 3 5 2被形成較定位銷3 5 0之長度稍微深。依此，定位銷 350在水平方向無法移動，並且因可以在定位銷350之長 邊方向產生空間，故即使定位銷3 5 0熱膨脹，亦可以使定 位孔3 5 2不產生內部應力。 並且，因在升降導引體3 00或其附近，保持大氣壓氛 圍和真空氛圍之氣密性，或防止電漿之入侵，故安裝多數 之氣密保持構件例如◦形環。 具體而言，例如在升降導引體3 00之插銷孔314，於 與插銷本體244之間介存Ο形環3 62。再者，在升降導引 體3 00之上面，與電極板2 1 0之下面之間，以包圍插銷孔 214之方式介存有Ο形環364。該些Ο形環362、364主 要是爲了防止來自插銷插通孔214之電漿侵入而設置。 再者，在升降導引體300之上面，與電極板210之下 面之間，以包圍較定位銷3 5 0外側之方式介存有Ο形環 366。在溫度調整用板220之上面，與電極板210之下面 之間，以包圍升降導引體300之凸緣部33 0之周圍之方式 介存有〇形環368。該些Ο形環366、368主要是爲了保 持升降銷242之下方（升降導引體3 00之下方）之大氣壓 氛圍（常壓氛圍），和升降銷242之上方（電極板210之 上方）之處理室1 02之間的氣密性而設置。 在如此構成之升降導引體3 00中，如上述般，藉由電 -20 - 200904732 極板2 1 0之熱膨脹大於溫度調整用板220，即使在該些接 觸面產生水平方向之相對性位置偏差，升降導引體3 00依 據定位銷350亦被位置限制在水平方向，故追隨電極板 210而移動，因此電極板210之插銷通孔214和升降導引 體300之插銷孔214因爲無位置偏差，故即使在該狀態下 使升降銷242升降，也不會有升降銷242破損，或電極板 2 1 〇破損。如此一來，若藉由本實施形態所涉及之載置台 200，則可以防止因電極板2 1 0對溫度調整用板220之位 置偏差而引起之升降銷242或電極板210破損。 並且，插通升降導引體200之連通孔226之大小是以 因應假設於電極板2 1 0和溫度調整用板220於水平方向相 對性偏移之時之最大位置偏差量而決定爲佳。例如，若將 電極板2 1 0對於溫度220之最大位置偏差量設爲L時，若 使連通孔226之內徑至少比升降導引體3 00之外徑大於 2L以上即可。依此，由於例如處理條件（例如設定溫度 、處理室內壓力、施加於下部電極之高頻電力）不同時電 極板2 1 0之熱膨脹量有所不同之時，亦可以對應於以任何 處理條件實行基板處理之情形。 如第5圖所示之升降導引體3 00因安裝於溫度調整用 板220，在例如溫度調整用板200安裝升降導引體3 00， 故可以在其上方安裝電極板210 ’成爲容易組裝。 並且，第5圖中之升降導引體3 00雖然安裝於溫度調 整用板220，但是例如即使如第6圖所示般，以螺栓等將 升降導引體3 00固定於電極板2 1 0亦可。此時，即使以螺 -21 - 200904732 栓344等固定於電極板210之下面亦可。此時，在電極板 2 1 0之下面設置當作定位孔之光魚眼座2 1 6，以取代在電 極板2 1 0之下面設置定位銷，即使在該光魚眼座2 1 6嵌插 凸緣部33之上部亦可。依此，升降導引體300定位於電 極板2 1 0之下面，被位置限制於水平方向。 再者，升降導引體3 00如第6圖所示般，即使使凸緣 部3 00和導件本體3 02爲不同個體，以螺栓等連結該些而 構成亦可，即使以一體性構成亦可。 再者，即使伸縮囊322安裝於設置在溫度調整用板 220之下方的安裝構件3 04，以取代安裝於升降導引體 3 00亦可。該安裝構件3 04是形成隔著間隔（例如杯罩狀 )覆蓋從溫度調整用板220突出至下方之導件本體3 02之 形狀，設置成包圍連通孔226之下側之開口。然後，以自 形成在安裝構件3 04之下面之貫通孔貫通升降銷242之支 撐棒2 46之方式安裝於溫度調整用板220。伸縮囊3 22之 凸緣324是以包圍形成在安裝構件304之下面之貫通孔之 方式被安裝。 並且，以在溫度調整用板2 2 0和安裝構件3 0 4之間設 置密封用之〇形環3 0 6爲佳。再者，定心用升降推桿3 2 0 是如第6圖所不般，即使間隔開多數（例如兩個）亦可。 依此，可以更提升升降銷242之定心精度。 在如此之構成之升降導引體300中，如上述般，由於 電極板210之熱膨脹大於溫度調整用板220，故即使在該 些接觸面產生水平方向之相對性位置偏差，升降導引體 -22- 200904732 300亦固定於電極板210’並且因藉由光魚眼座216被位 置限制於水平方向，故追隨於電極板2 1 0而移動。因此， 因電極板210之插銷插通孔214和升降導引體300之插銷 孔3 1 4不位置偏差，故即使在該狀態下使升降銷242升降 ，也不會有升降銷242破損，或電極板210破損之情形。 再者，僅以將凸緣部330之上部嵌入電極板210之光 魚眼座216而以螺栓344固定，可以容易將升降導引體 3〇〇定位在電極板210。依此，可以將升降導引體300安 裝於電極板2 1 0之側，並且經伸縮囊3 2 2將升降銷2 4 2安 裝於溫度調整用板220之側，以在升降導引體3 00內插入 升降銷242之方式，在溫度調整板220之上方安裝電極板 2 1 0，故可以容易組裝。 但是，設置在上述般之載置台200之多數升降銷242 中，針對所有升降銷242，即使爲第4圖A、第5圖、第 6圖所示之構成亦可，再者即使僅針對配置在由於熱膨脹 造成電極板210對溫度調整用板220形成位置偏差量變大 之機率較高之位置上的升降銷242，構成如第4圖A、第 5圖、第6圖所示之構成亦可。 例如針對配置成第2圖所示之多數升降銷242中，配 置在載置台200之載置面212之中央部之升降銷242，幾 乎不發生因熱膨脹所引起之電極板2 1 0之位置偏差，對此 則有越離中央部，電極板2 1 0之位置偏差越大之傾向。該 是由於電極板210之熱膨脹從其中央部朝向周邊部放射狀 膨脹之故。 -23- 200904732
因此，即使僅使被配置在電極板2 1 0之位置偏差變大 之載置面212之周邊部的周邊部升降銷242，如第4圖A 、第5圖、第6圖所示之構成亦可。此時，配置在載置面 212之中央部之中央部升降銷2 42即使爲例如第3圖A所 示之構成亦可。 以上，雖然一面參照附件圖面，一面針對本發明之最 佳實施形態予以說明，但是本發明所涉及之例當然並不限 定於此。該項領域技藝者可在申請專利範圍所記載之範疇 內作各種變更或修正，對於該些變更或修正當然也屬於本 發明之技術性範圍。 〔產業上之利用可行性〕 本發明可適用於載置液晶顯示器用基板等之基板之載 置台及基板處理裝置。 【圖式簡單說明】 第1圖爲表示本發明之實施形態所涉及之基板處理裝 置之構成的剖面圖。 第2圖爲自上側觀看第1圖所示之載置台之圖式。 第3圖A爲表示用以與本實施形態之時比較之升降 銷和升降導引體之配設例的圖式。 第3圖B爲說明在第3圖A之時’於電極板對溫度 調整用板產生位置偏差時之作用的圖式。 第4圖A爲表示本實施形態中之升降銷和升降導引 -24- 200904732 體之配設例之圖式。 桌4圖B爲表不在第4圖A之時，電極板對溫度調 整用板產生位置偏差時之作用的圖式。 第5圖爲表示本實施形態中之升降導引體之構成例之 剖面圖。 第6圖爲表示本實施形態中之升降導引體之其他構成 例之剖面圖。 【主要元件符號說明】 1 〇 〇 :電漿處理裝置 1 0 2 :處理室 104:基板搬入出口 1 0 6 :閘閥 1 〇 8 :排氣管 109 :排氣裝置 1 10 :噴淋頭 1 14 :整合器 1 1 6 :高頻電源 122 :緩衝室 124 :吐出孔 126 :氣體導入口 128 :氣體導入管 1 3 0 :開關閥 132 :質量流量控制器（MFC ) -25- 200904732 134 :處理氣體供給源 200 :載置台 202 :外框部 2 1 0 :電極板 212 :載置面 214、224 :插銷插通孔 2 1 6 :光魚眼座 220 :溫度調整用板 2 2 2 :流路 2 2 6 :連通孔 228 :凸緣插入孔 2 3 0 :基底構件 242 :升降銷（中央升降銷、周邊部升降銷） 243 :支撐體 244 :插銷本體 246 :支撐體 2 4 8 :基部 2 5 0 :滑動板 252 :滑動導件 2 5 4 :馬達 3 00 :升降導引體 3 0 2 :導件本體 3 04 :安裝構件 3 0 6 : Ο形環 -26- 200904732 3 1 2 :插通孔 3 1 4 :插銷孔 3 1 6 :定心孔 320 :定心用升降推桿 3 2 2 :伸縮囊 324 :凸緣 3 3 0 :凸緣部 3 3 2 :螺栓孔 3 4 0 :螺栓 342 :墊片 3 4 4 :螺栓 3 5 0 :定位銷 3 5 2 :定位孔 362、 364 ： Ο 形環 366、 368 ： Ο 形環 3 6 9 : Ο形環 G :基板 -27

Claims (1)

  1. 200904732 十、申請專利範圍 1·一種基板載置台，具有在上下疊層多數平板而所構 成之電極，其特徵爲： 具備： 被設置成在貫通設置在上述多數平板中之最上部的最 上部平板的插銷插通孔升降自如的升降銷；和 導引上述升降銷之升降的升降導引體， 上述升降導引體係通過被疊層於上述最上部平板下側 之下側平板的連通孔而被配置，並且被位置限制成無法對 上述最上部平板作水平方向移動。 2 ·如申請專利範圍第1項所記載之基板載置台，其中 ，上述升降導引體是藉由被嵌插於形成於其上面和上述最 上部平板之下面之定位孔的定位構件而被位置限制。 3 .如申請專利範圍第1項所記載之基板載置台，其中 ，上述下側平板之連通孔之內徑被形成大於上述升降導引 體之外徑，上述內徑和上述外形之差，係因應上述最上部 平板對上述下側平板之最大偏差量而決定。 4.如申請專利範圍第1項所記載之基板載置台，其中 ，上述升降導引體被安裝成可對上述下側平板作水平方向 移動。 5 .如申請專利範圍第1項所記載之基板載置台，其中 ，上述最上部平板爲構成上述電極本體之電極板’上述下 側平板爲用以調整上述電極板之溫度的溫度調整用板。 6 . —種基板處理裝置，對基板執行電漿處理’其特徵 -28- 200904732 爲：具備 構成可抽真空之處理室； 將處理氣體供給至上述處理室之氣體供給手段； 被配置在上述處理室內之上方，將來自上述氣體供給 手段之氣體朝向上述載置台上之基板導入的氣體導入手段 » 被配置在上述處理內之下方之基板載置台， 上述基板載置台具備 在上下疊層多數平板而構成之電極： 被設置成在貫通設置在上述多數平板中之最上部的最 上部平板的插銷插通孔升降自如的升降銷；和 被位置限制成無法對上述最上部平板作水平方向移動 ，導引上述升降銷之升降的升降導引體。 7. —種基板載置台，具有在上下疊層多數平板而構成 之電極，其特徵爲：具備 被設置成在貫通設置在上述多數平板中之最上部的最 上部平板的插銷插通孔升降自如的升降銷；和 導引上述升降銷之升降的升降導引體， 上述升降導引體是藉由被嵌插固定於其上部形成在上 述最上部平板之下面的定位孔，被位置限制成無法在水平 方向移動，並且通過被疊層於上述最上部平板之下側的下 側平板之連通孔而被配置。 8. —種基板處理裝置，對基板執行電漿處理，其特徵 爲：具備 -29- 200904732 構成可抽真空之處理室； 將處理氣體供給至上述處理室之氣體供給手段； 被配置在上述處理室內之上方，將來自上述氣體供給 手段之氣體朝向上述載置台上之基板導入的氣體導入手段 被配置在上述處理內之下方之基板載置台， 上述基板載置台具備 在上下疊層多數平板而構成之電極； 被設置成在貫通設置在上述多數平板中之最上部的最 上部平板的插銷插通孔升降自如的升降銷；和 導引上述升降銷之升降的升降導引體， 上述升降導引體是藉由被嵌插固定於其上部形成在上 述最上部平板之下面的定位孔，被位置限制成無法在水平 方向移動，並且通過被疊層於上述最上部平板之下側的下 側平板之連通孔而被配置。 -30-
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI772608B (zh) * 2018-02-15 2022-08-01 日商東京威力科創股份有限公司 電漿處理裝置
TWI797289B (zh) * 2018-03-27 2023-04-01 瑞士商Ｖａｔ控股股份有限公司 用於抓取及釋放支撐銷之具離合器的銷舉升器

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101591771B (zh) * 2008-05-30 2011-03-16 财团法人工业技术研究院 真空设备的基座定位支撑装置
US20090314211A1 (en) * 2008-06-24 2009-12-24 Applied Materials, Inc. Big foot lift pin
US9011602B2 (en) * 2009-01-29 2015-04-21 Lam Research Corporation Pin lifting system
KR20170109690A (ko) * 2012-04-26 2017-09-29 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 Ｅｓｃ 본딩 접착제 부식을 방지하기 위한 방법들 및 장치
KR101594928B1 (ko) * 2014-03-06 2016-02-17 피에스케이 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
KR101748252B1 (ko) * 2015-06-10 2017-06-19 에이피티씨 주식회사 리프트핀을 갖는 반도체 제조설비 및 반도체 제조설비의 조립방법
CN107851600A (zh) * 2015-07-29 2018-03-27 堺显示器制品株式会社 支承销和成膜装置
KR20180103912A (ko) * 2016-01-19 2018-09-19 스미토모 오사카 세멘토 가부시키가이샤 정전 척 장치
CN106582915A (zh) * 2016-12-31 2017-04-26 合肥优亿科机电科技有限公司 一种超净台自动电极探入装置
CN106582914A (zh) * 2016-12-31 2017-04-26 合肥优亿科机电科技有限公司 一种用于超净台的电极探入装置
JP6863784B2 (ja) * 2017-03-16 2021-04-21 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
KR102445612B1 (ko) * 2017-05-25 2022-09-20 엔지케이 인슐레이터 엘티디 웨이퍼용 서셉터
JP6615153B2 (ja) * 2017-06-16 2019-12-04 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板載置機構、および基板処理方法
JP2019052914A (ja) * 2017-09-14 2019-04-04 日本電産サンキョー株式会社 検査装置
US11121010B2 (en) * 2018-02-15 2021-09-14 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus
CN110289242B (zh) * 2018-03-19 2021-08-13 北京北方华创微电子装备有限公司 基座调节装置、腔室及半导体加工设备
DE102018007307A1 (de) * 2018-09-17 2020-03-19 Vat Holding Ag Stifthubvorrichtung
CN113169108A (zh) * 2018-11-30 2021-07-23 京瓷株式会社 试样保持工具
US11901162B2 (en) 2019-01-07 2024-02-13 Ulvac, Inc. Vacuum processing apparatus and method of cleaning vacuum processing apparatus
JP7445386B2 (ja) * 2019-02-19 2024-03-07 日本特殊陶業株式会社 基板保持部材および基板保持機構
JP7198694B2 (ja) * 2019-03-18 2023-01-04 東京エレクトロン株式会社 基板リフト機構、基板支持器、及び基板処理装置
CN110610895A (zh) * 2019-09-29 2019-12-24 江苏鲁汶仪器有限公司 一种用于平台的弹簧顶针机构及真空等离子处理腔体
DE102019008104A1 (de) * 2019-11-21 2021-05-27 Vat Holding Ag Verfahren zur Überwachung, Positionsbestimmung und Positionierung eines Stiffthubsystems
CN113035682B (zh) * 2019-12-25 2023-03-31 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种下电极组件及其等离子体处理装置
KR102372101B1 (ko) * 2021-06-08 2022-03-10 주식회사 기가레인 리프트 구동 어셈블리
CN113421812B (zh) * 2021-06-23 2024-03-26 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体工艺设备及其承载装置
KR102396865B1 (ko) * 2021-12-08 2022-05-12 주식회사 미코세라믹스 정전척
CN115418625B (zh) * 2022-08-02 2023-09-29 拓荆科技股份有限公司 晶圆托盘、气相沉积设备及薄膜制备方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59191229U (ja) * 1983-06-06 1984-12-19 豊興工業株式会社 位置決め装置
JP2514005Y2 (ja) * 1990-04-13 1996-10-16 富士重工業株式会社 塵芥収集車の投入口ドア開閉装置
JP2961997B2 (ja) * 1991-10-25 1999-10-12 株式会社ニコン 静電吸着装置
JPH06224287A (ja) * 1993-01-28 1994-08-12 Sumitomo Metal Ind Ltd 静電チャックの製造方法
US5783492A (en) * 1994-03-04 1998-07-21 Tokyo Electron Limited Plasma processing method, plasma processing apparatus, and plasma generating apparatus
JP3940190B2 (ja) * 1996-09-30 2007-07-04 松下電器産業株式会社 真空処理装置
JP4563568B2 (ja) * 1999-10-13 2010-10-13 東京エレクトロン株式会社 半導体処理用の載置台装置、プラズマ処理装置、及び真空処理装置
JP2002313700A (ja) * 2001-04-16 2002-10-25 Canon Inc 加熱装置及び冷却装置
JP4153296B2 (ja) * 2002-12-27 2008-09-24 株式会社アルバック 基板処理装置
KR100694780B1 (ko) * 2005-08-16 2007-03-14 주식회사 제우스 Ｌｃｄ 글라스 기판용 오븐챔버의 리프트 핀 유닛

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI772608B (zh) * 2018-02-15 2022-08-01 日商東京威力科創股份有限公司 電漿處理裝置
TWI797289B (zh) * 2018-03-27 2023-04-01 瑞士商Ｖａｔ控股股份有限公司 用於抓取及釋放支撐銷之具離合器的銷舉升器

Also Published As

Publication number Publication date
JP2008270721A (ja) 2008-11-06
JP4951536B2 (ja) 2012-06-13
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CN101276777B (zh) 2010-08-11
CN101276777A (zh) 2008-10-01
TWI437659B (zh) 2014-05-11
KR100978962B1 (ko) 2010-08-30

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