TW200902732A - Cu-Ni-Si-based alloy for electronic material - Google Patents

Description

200902732 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種析出硬化型銅合金，尤其係關於_ 種可較佳用於各種電子機器零件之Cu_Ni_si_Cr系合金。 【先前技術】 f 對於用於引線框架、連接器、接腳、端子、繼電器、 開關專各種電子機器零件之電子材料用銅合金而言， 其基本特性，要求可同時實見$ *''' 導性）、斤μ ， ㈣電性（或熱傳 導生）。近年來，電子零件之高積體化及小型 快速發展，與此相對應地，對電子機器零件中所使用= 合金之要求等級亦愈發提高。 鋼 材料度及南導電性之觀點而言，近年來’作為電子 取代先、二口金，析出硬化型銅合金之使用量正在增加，以 奋 寺為代表之固溶強化型銅合 立。析出硬化型銅合金中，藓 固、、容辨、n 士 Τ #由對經固溶化處理之過飽和 口冷體進仃時效處理，而使 而提高合金之強声门“ <析出物均勻地分散’從 電老值道減少銅中之固溶元素量，以提高 並且此，可獲得強度、彈性等機械性質優里，

亚且電氣傳導性、熱傳導性良好之材料。 H 析出硬化型鋼合今φ，_

Ni Si . 、’ 一叙被稱為卡遜系合金之Cu- 和特性T w 之導電性、強度、應力緩 開發之人17 ‘之典型之鋼合金，係業界目前正積極 開發之曰金之一。該銅合金中，可藉由使微細之川4系 200902732 孟屬間化口物粒子析出至銅基質中來實現強度與導電率之 提高。 1系金屬間化合物粒子之析出物一般由理 分所構成，例如，料利文^中記載有：藉由使合= 之Nl與Sl之質量比接近作為金屬間化合物之Ni2Si之質 里、、且成比（Νι之原子量x2 : Si之原子量χ丨），亦即，藉由 將Νί Si之重量濃度比設為Ni/Si = 3〜7,從而獲得良好 之電氣傳導性。 然而，如專利文獻i中所記載般，藉由使Ni與si之 貝里比接近作為金屬間化合物之Niji之質量組成比（犯 之原子量X2 : Si之原子量x 1 ),雖可實現特性之改善，但 現實中卻可發現因過剩之Si而導致導電率一定程度之下 降。 因此，一般認為可添加Cr等會與Si形成化合物之元 素’使其與過剩之Si化合以藉此提高導電率。Cr為其元 素之一’可形成含Cr之Cu-Ni-Si系合金。 作為添加有Cr作為合金元素之Cu-Ni-Si系合金，可 列舉於專利文獻2、專利文獻3中記載者。 專利文獻2中，記載有一種卡遜合金之熱處理方法， 其特徵在於，於對Ni : 1.5〜4.0重量％、Si : 〇_35〜1.〇重 置％、隨意選自Zr、Cr、Sn之群中之至少1種金屬：〇 〇5 〜1 _〇重量％、剩餘部分由Cu及不可避免之雜質構成之卡 遜合金進行加熱（或冷卻）時，於400〜8001之溫度區域 中’以使上述卡遜合金之拉伸熱形變為1 X 1 〇·4以下之方式 200902732 對上述卡遜合金進行加# (或冷卻）。根據該方法，可防 止熱處理時之鑄塊破裂。 於專利文獻3中記載有一種彎曲加工性優異之高拉力 銅σ金’其特徵在於含有Ni : 2〜5重量％、Si : 〇.5〜j 5 重量％、Zn: 0.1〜2 重量％、Μη: 0.01〜0.1 重量％、。： 0·001 〜ο.1 重量％、A1: o.ool〜〇·ΐ5 重量％、c〇: 〇.05〜2 重里且將作為雜質成分之S之含量限制為1 5 ppm以下， 剩餘部分由CU及不可避免之雜質構成。根據該發明，Cr 對鑄塊之晶界進行強化，係一種提高熱加工性之元素。又， 若Cr之含量超過〇.丨重量％，則熔態金屬會氧化，從而導 致鑄造性劣化。另外記載有：該銅合金係於克里普托爐中， 在大氣中包覆木炭而進行熔解铸造。 又，就Cr與Si之化合物之觀點而言，可列舉專利文 獻4。於專利文獻4中，針對含有& : 〇1〜〇25重量％、 Si . 0.005 〜0.1 重量％、Zn : 〇」〜〇 5 重量％、Sn : 〇 〇5 〜 〇·5重量％，心與Si之重量比為3〜25，且剩餘部分由a 及不可避免之雜為所構成，並且於銅母相中，以I” 〇3〜 5xl〇5個/mm2之個數密度存在著具有〇.〇5 μηι〜1〇 μιη大小 之CrSi化合物、且Cr化合物（CrSi化合物以外）之大小 設為1 0 μηι以下之蝕刻加工性及衝壓加工性優異之電子機 器用銅合金，係記載了鑄塊之熱加工溫度與時效熱處理溫 度。根據該方法，可較佳地使用蝕刻加工性與壓製衝壓性 之兩者。 [專利文獻1]日本專利特開2001-207229號公報 200902732 [專利文獻2]日本專利第2862942號公報 [專利文獻3]曰本專利第3〇49137號公報 [專利文獻4]曰本專利特開wo%〗13 18〇號公報 【發明内容】 對於本發明之合金系即含^之Cu-Ni-Si系合金，亦 同樣符合近年來對電子零件之急速之高積體化與小型化、 薄壁化之材料特性之飛躍性提高之要求。 然而，專利文獻1中未添加Cr，現實中可發現因過剩 之N!、S!而導致導電率一定程度之下降，從而無法達到特 性之飛躍性提高。專利文獻2及專利文獻3中，雖於cu_Ni_Si 系合金中添加有Cr，但專利文獻2中添加Cr之目的係用 以實現ID溶強化’專利文獻3之目的係用以提高熱加工性， 並未發現與本發明之關鍵即Cr_Si化合物相關之記載。因 此，無法由該等專利文獻而容易地思及本發明所欲解決之 課題之解決手段。 寻利文獻4中’記載有藉由控制⑽化合物之個數密 :與大小而改善㈣加工性及衝壓加工性，但由於未添加 \故而無須考慮1&化合物之形成而僅考慮』心化合 开v成之條件即可，從而無法容 之課題之解決手段。 U本發明所欲解決 此，本發明之課題在於提供—種藉 r ^ 禋精由於 Cu-Ni_si 添加效果更佳地發揮而使特性飛 阿強度、高導電性之卡遜系合金 200902732 本發明者為解決上述課題而進行了專心社 現以下發明。於Cu-Ni_Si系合|巾，& 尔σ缶甲相對於Ni設定Si為 過剩之組成’除了讓Ni添加量相應之阳矽化物確實地析 出以實現高強度化’另一方面將過剩之Si與所添加之& 反應生成化合物以實現高導電化。並且，本發明之關鍵之 處在於’以避免讓0與81之化合過度成長、反而應與犯 化合…得不足之方式來控制⑽化合物之成長。且 體而言，本發明者著眼於Cr_Si化合物之組成與大小、個 數密度，發現藉由控制熱處理步驟之溫度與冷卻速度可更 好地發揮其效果。 即’本發明係 —種電子材料用銅合金，其含有Uo〜4.5 質量％、Si : 〇.5〇〜i.2質量％ 中，“之重量比二質量％ (其 r Μ叮μ 量比為3伽8心.5)，且剩餘部分由 Cu及不可避免之雜質所構成，對於分散於材料 〇〜_之C⑽化合物而言，其分散 = … 又比為1〜5’其分散密度為卜…個〜 以Γ (2 )如（1)之電子材料用銅合金，其中對於 為〇·1 μπι〜5 μηι之c卜以化合物 、 1 xlO4個/mm2。 ”刀政在度向於 (3) 如（1)或（2)之電早奸斗立田 -步含有0.05〜2。質量。/之、二子材枓用銅合金’其中進 以上。 負里/〇之選自種或2種 200902732 上4)々°(1)il(2)之電子材料用銅合金，盆中進 -步含有_〜2.0質量％之選自HA"、、 Sb、Be、B、Ti、Zr、a卜（：〇及 之1種或2種以上。 -=銅品，其係使用⑴或(2)之銅合金。 銅合金。 ㈣件，其係使用⑴或⑴之 根據本發明，可更好地發揮合金元素^ 故而可獲得強度及導電率得到 ”' ’， 系銅合金。 "者“之電子材料用卡遜 【實施方式】 扭及Si之添加吾

Ni及Si係藉由實施適♦ ., 田之‘、、、處理而形成作為金屬間 化s物之Νι矽化物（Ni Si擎） _ 道士玄, 2 1 4)，以實現高強度化而不使 導電率劣化。Si與Ni之暂θ 相 S比較佳為如上所述般接近理 想配比成分之3$犯/^幺5 5，审乂土达， ―3·5，更佳為 。 然而，即便Ni/Si具右μ，# m ,^ Λ 有上述範圍之比，但若Si添加量 小；.5質量％，則仍無法獲 田 又1于尸坏而強度，而若超過1.2質 里/。，則雖可實現高強度化 仁導電率會顯者降低，進一 V a由偏析部生成液相而導 導致熱加工性下降因而不佳。因 jt 口又為 S1 . 0.5 〜1.2 質 i 0/ g 置/〇即可，較佳為0.5〜0.8質量 /。。Νι添加量以根據Si添旦 宗gp 1 . 里而滿足上述較佳比之方式設 疋即可，為與Si添加量取得 # 于千衡，权為Ni : 2.5〜4.5質量 %即可，較佳為Ni : 3.2〜4 質里/。，更佳為Ni : 3.5〜4.0 10 200902732 質量％。

Cr之添加晉 於通常之Cu-Ni-Si系合金中，若使Ni_Si濃度上升， 則析出粒子之總數會增加， 因此可實現藉由析出強化之強 度上升。另一方面，隨著添加濃度之上升，無助於析出之 固溶量亦會增加，因此導電率會降低，結果時效析出之峰 值強度雖會上升，但導電率之峰值強度會下降。然而，若 f 向上述CU'Ni_Si系合金中添加0.003〜0_3質量％之Cr、較 佳為〇·(Π〜(M質量％之〜，躲最終特性中，與具有相 同之Ni-Si漢度之Cu-Ni.Si系合金相比，可無損於強度而 使^電率上升，進一步可改善熱加工性而提高材料利用 〇 於Cu-Ni-Si系合金中添加有㈣析出之粒子之組成， 雖谷易將以Ο為主成分之bee構造之析出粒子單體析出， 但與Μ之化合物亦容易析出。心藉由實施適當之熱處理， (相中容易地將與⑴之化合物即”化 出，故而於形成合金特性之組合固溶化處理、冷延、 寺效處理之步驟中，可使作為Ni2Si等之未杯屮门々. 分析出為Cr-Si化入物。田u 斤出固浴S!成 ° 此，可抑制因固溶Si引起之導 電率之降低，從而可無損於強度而實現導電率之上升。 此時，若C r粒子中夕ς; ★由λ 相中，因而導電率會降低」Sr:，會殘留於母 濃度較高，則用以析出Ni ，右G粒子中之Si 人斫出粒子之Si濃度 強度會降低。進一步，當Cr中之^ ^咸夕因而 /辰度較尚時，粗大之 11 200902732

Cr-Si化合物會增加，而彎曲、疲勞強度等會劣化。進一 步’即便減慢固溶化後之冷卻速度’或者過度延長時效熱 處理時間，Cr-Si化合物仍會粗大化而使形成Ni-Si化合物 之Si濃度減少’從而導致有助於強化之Ni_Si化合物不足。 其原因在於，Cu中之si對Cr之擴散速度快於對扠丨，因 此Cr-Si化合物容易粗大化，從而Cr_Si化合物之析出速度 變得快於Ni-Si化合物之析出速度。 因此，若控制固溶化後之冷卻速度，以避免成為較最 大強度之時效條件更高溫、更長時間之條件，則可控制Cr_si ”勿之組成、大小及密度。因此’冑Cr濃度設為〇 _ 質里％〜〇·3質量％，將Cr-Si化合物中Cr相對於Si之原 子濃度比設為1〜5。 、 曰又由於Cr於熔解鑄造時之冷卻過程中會優先析出至 阳界’故而可強化晶界，使熱加工時之破裂難以產生，從

抑制材料利用率下降。即’於炫解禱造時析出至晶界 :在固溶化處理等中可再_，而於後續之時效析出 ::成：化物。通常之Cu抓Si系合金中所添加之以量， 上於―效析出之Si會依_溶於母相中而抑制導電率之 析出：！藉由添力“夕化物形成元素之cr，使石夕化物進-步 從而與先前之Cu-Ni-Si系人| h u 量 1 系合金相比，可降低固溶Si <而可無損於強度而使導電率上升。

Cr-Si化合物之大小合料.織&丄 影響，合 曰對.考曲加工性及疲勞強度等造成 一化合物之大小為以上、或者 12 200902732 之Cr-Si化合物之分散密度超過1 χΐ〇6個/mm2時，彎曲加 工性或疲勞強度會顯著劣化。進一步，個數密度會影響母 相中之Si濃度之過或不足’故而於大量分散有較大粒子之 狀態下無法獲得所需之強度特性。因此，分散密度之上限 為lxio6個/mm2以下即可’較佳為5X105個/mm2以下，更 佳為1 X 105個/mm2以下。又，於1 X 1 〇4個/mm2以下之情形 時，藉由Cr添加之改善效果較小，故而理想的是超過！ χ j 〇4 個 /mm2。

Sn 及 Zn 於本發明之Cu-Ni-Si系合金中，以0.05〜2.0質量〇/0 之總量添加選自Sn及Zn之1種或2種以上，藉此可改善 應力缓和特性等’且不會損害太大的強度、導電率。若其 添加量小於〇_〇5質量％，則效果會不足，若超過2 〇質量 %，則會損害鑄造性、熱加工性等製造性、製品之導電率， 因此較佳為添加0.0 5〜2 · 0質量％。 其他添加元素 藉由添加特定量之Mg、Mn、Ag、P、As、Sb、、B、 Ti、Zr、A卜Co及Fe ’可呈現各種效果，而藉由相互補 足，不僅可改善強度、導電率，亦可改善製造性，例如彎 曲加工性、電鑛性或者藉由鑄塊組織之微細化而實現之熱 加工性之改善等’因此’於本發明之CU-Ni-Si系合金中， 玎根據所求之特性而適當添加總量為2_0質量％以下之該 等元素之1種或2種以上。對於該添加量而言，若該等元 素之總量小於0.001質量％，則無法獲得所需之效果，而 13 200902732 右超過2·〇質量％， 得㈣n J導電率之降低或製造性之劣化會變 侍顯者，因此總量較佳 〇.〇1〜1.〇質量％。 …·〜2·0質量％，更佳設為 再者，於不會對本發明之Cu_Ni_ 不良影塑 > 梦pq 士 $ 口隹· t将性造成 素 之辄圍内’亦可添加本說明書中未具體記載之元

Ni Si . # ^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ ° ^ ^ Cu- =:時效處理之條件以外，可藉由一系合金之 方法來製造，業者應可根據組成及所求特性而選 取4法…無須特別說明，以下將對用以例示之一 般性製造方法進行說明。 I先，使用大氣熔解爐，將電氣銅、Ni、Si、Cr等原 =解’獲得所需組成之熔態金屬。繼而，將該熔態金屬 '造成麵㉟。其後進行熱軋，並反覆進行冷軋與熱處理， 以加工成具有所需厚度及特性之條或箱。熱處理有固溶化 7 /、守政處理。固溶化處理中，以7〇〇〜i〇〇〇t)c之高溫

進行加熱，使Ni_Si系化合物及系化合物固溶於CU 母相中同呀使Cu母相再結晶。固溶化處理有時亦由熱 軋來兼作。 二該固溶化處理中’冷卻速度與加熱溫度亦一樣重要。 先别並未控制加熱後之冷卻速度，故而係於加熱爐之出側 (exit side)设置水槽以進行纟冷，《者採用大氣環境氣氛下 之空氣冷卻。此時，冷卻速度容易因加熱溫度之設定而發 14 200902732 生變動，先岫之冷卻速度於丨/秒以下〜丨〇。〇/秒以上之範 圍麦動。因此，難以進行如本發明例之合金系之特性之控 制。

冷卻速度理想的是rc/秒〜1(rc/秒之範圍。時效處理 中，=350〜55(rc之溫度範圍内進行i h以上之加熱，典 Ϊ的疋進行3〜24 h之加熱，使固溶化處理中固溶之Νί及 Si之化合物與Cr及Sl之化合物析出為微細粒子。利用該 時效處理，強度與導電率會上升。為獲得更高之強度，有 時於時效前及/或時效後進行冷軋。又，#於時效後進行冷 軋時，有時於冷軋後進行去應力退火（丨㈣_ annealing，低溫退火）。 本發明之Cu-Ni-Si系銅合金於一實施形態中，可設為 〇篇保證應力為780 MPa以上且導電率為45% IACS以上， 進一步可設為0.2%保證應力為860 Mpa以上且導電率為 例IACS以上，亦更可設為〇.2%保證應力為_ 上且導電率為4〇% IACS以上。 本發明之Cu-Ni-Si ,系合金可加工成各種伸銅品’例如 板、條、管、棒及線，進一步，本發明之Cu_Ni_si系銅人 金可使用於同時要求高強度及高電氣傳導性（或孰傳^ 性）之引線框架、連接器、接腳、端子、繼電器、開關、 —次電池用箔材等電子機器零件。 [實施例] 但該等實施例係為了更進 ，並無意用來限定發明。 以下表示本發明之具體例， 一步理解本發明及其優點而提供 15 200902732 本發明之實施例中所用之銅合金， 并有如表〗所示姑 Γ1:及：之含量若干變化之銅合”適當添加有％、 Zn、Mg、Μη、Co及A之组成 人人\ g之，，且成又，比較例中所用之錮 合金分別為具有本發明 用之銅 八 乃之乾圓外之參數之Cu-Ni-Si系合 至 0 利用高頻炫解爐…職之溫度對表丨中記 種成分組成之銅合金進行溶铸，鑄造成厚度30随之鑄錠。 繼而，將鑄錠以1000。「之，、田谇 _ 〇之，皿度進订加熱後，熱軋至板厚10 mm為止，再快速進行 —τ ? Ρ马去除表面之積垢（scale)， 貫施平面切削至厚度8 盔 mm為止，隨後藉由冷軋製成厚度 0.2態之板。繼而，於^氣體環境氣氛中實施固溶化處 理’根據Nmr之添加量，以_〜9〇〇。〔之溫度保持⑽ 秒之後，改變冷卻速度而冷卻 P至至m為止。冷卻速度係藉 由改變向加熱後之試料喷吹 ά θ ^ 嘎人之軋體流罝來控制，計測自試 料之最高到達溫度冷卻至4〇〇。 ，王4U0 c為止之時間以作為冷卻速 度。未喷吹氣體時之爐冷祙庐么。 一 迷度為5 C/s，再者作為延緩冷卻 速度之示例，將一面控制加敎^ φ 市』加熟輸出—面進行降溫時之冷卻 速度設為1°C / s。其後，a圭丨$ Λ Θ 交令軋至0·1 mm為止，最後，根據 添加量，以4 0 〇〜5 5 0 夕.、®命从 C之'置度於惰性環境氣氛中各實施1 〜1 2小時之時效處理，製造出試料。 強度及導電率之特性評 之拉伸測試而測定0.2% (EC ; %IACS)則藉由 對以此方式獲得之各合金進行 價。對於強度，進行輥軋平行方向上 保s登應力（YS ; MPa)，而導電率 W橋接之體積電阻率測定而求出。 16 200902732 ，考曲性之坪僧，# 曲半徑之比為"1之停件下用^字型模具，於試料板厚與弯 學顯微鏡觀察彎曲:::表進 斷為實用上益門題/ 將未觀察到裂縫之情形判 、…、問蟪，並標註將觀察到裂縫之情形伊古主 為x。疲勞測試係根據JIS 7 ^ ° 扣像JIS Z 2273，施加交變應力， 至斷裂為止之反覆次數為1G7次之應力（MPa)。 〇_Si化合物_察’係於對㈣之板面進行電 後，藉由FE-AES觀察，於多處 夕遇將大小為〇 · 1 以上之粒 子作為對象，利用 Ar+i隹；^、戚船、， ’ 仃踐擊以去除實際上吸附於其表 層之兀素（c ' ◦) ’然後測定各粒子之歐傑光譜（Au帥 specmun)，將檢測出之元素藉由靈敏度係數法作為半定量 值而進行重量濃度換算時，以檢測出〇與Si之粒子為對 象。⑽化合物之「組成」、「大小」、「分散密度」， 係定義為FE-AES觀察下對多處進行分析所得出之大小為 〇·1〜5 μΐΏ2 Cr-Si粒子之平均組成、最小圓之直徑、各觀 察視野中之平均個數。 將結果示於表1及表2。 17 200902732

$ ^H-*A. u3

SA ^^w (ΐε/θΓ01χ) ^-屮4!sl」u (S0-X) si

£, δ ίν 二 z'-l, e 3m,qs,sv,d ^v, US,M1AI

CN cs ΰ

!S

!M S3 0¾ ϋ 081°11 ζίΧ h, h, h, h, M o h, 〇 δ寸 1^1ΜΜΜΜΜΜ ^1 _ 06卜 SZ, β β β "'叫 SZ. 妄 09ί 'ο "W"ΜΜ £.0ΜΜ S3 § ooe ooe ooe ooe ooe ooe οοε ooe se se 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 9寸 sz. ·0 9寸 9寸 寸寸 e寸 e寸 e寸 e寸 e寸 寸寸 e寸 一寸 一寸 一寸 i寸 00°° 098 0卜8 〇卜8 o卜8 o卜8 0卜8 0卜8 06°°

OS 068 068 ·0 ·0 ·0 0 ^.0 ΓΙ 8Ό 寸Ό Γ1 ΓΙ ττ 9-

U Γ1 31 οι 〇g寸 QS寸 〇g寸 ο"1 0〇gooF 〇g寸 § 〇ς寸 沄寸 008 008 008 008 008 008 i 008 008 008 glsr? 030.1 。：>0.1 — MIslro so g-0 SO ioi— s-0sosos.o SOso.o 9ΌHMMMHMMMMM ^5" L_z TY" LZMMττ ~υϊττMMττ § 00寸

OS § 0^ 0·°寸 0·°寸 - oo00 008 008 oo00

00S 006 006 006 006 006 006 006 006 006 006 006 006 iro 2 Μν-.ο ωΡΜιΌ Μ_·ο ΙΌ °°vro ·0 0 2 2 ·0 ·0 0

I

I

I so

SO

S0O

I so 8.0 i

I ΙΌ

I i so so 9.0 90 9Ό 90 9Ό 6Ό 6Ό 60 6Ό 6.0 6.0 6Ό 60 6Ό 60 6Ό 6Ό ητ ητ

LI L.l L-τ 0·寸 0.寸 0,寸 0·寸 0·寸 0.寸 0.寸 0·寸 0.寸 0·寸 0.寸 0.寸 οι ll - π

寸I - 91 - - 61 - ττ S3 ί—如 200902732 <Ν s

SA

屮 4!S--O (1/501X) * *' Ρ ;%铡 $ 备·Ρ (s§>0 ^ss -娀囫 , ου -V , -IZ 二一 ,«,3ffl, qs v sv , d /sv '=",602 cz cs ΰ

!S

!N QLZ ο1-1— 0¾ 00叫 0寸3 0寸Z 0U § §1— 寸寸N 寸寸NΤΓNΤΓN"ΤΓ 018Tu lsl89 yg 卜 mmNM ~50卜 81 寸1 0n ΓΟ SOΜ^π 0π -' 〇g寸 lo'g 寸 '-'OQ— i1-1寸 lolg 寸 '-'s 寸— 1-11"1— °'3 1- 1-1—ΗΜ ''0 -1°1 006 001001 006 008 008— _ 006 008 008—

'0 S S.0 lsl0 to SO nmΤο SO 6.0 9.1°1 9.0 90 9ΌΙ 6Ό 9.0 90 0.寸ΗΜYF LZ hm L.zNMHM '1「 苳錨- 200902732 j 1〜25中’藉由適當之冷卻速度，Cr-Si化合物 之/刀政岔度為lxl〇6以下，且Cr/Si為1〜5之範圍，故而 獲得良好之特性。 另一方面，比較例1〜3中，由於冷卻速度較慢，故而

Cr S1化σ物過度成長，從而無法獲得充分之強度，且彎 曲加工性亦不良。 比較例4、5中，由於冷卻速度較快 ， ，〜’人丁入彳/、.口人叫 U 口 物=成長，過剩之Si固溶至合金中，強度與導電率劣化 比較例6、7中，由於時效溫度較高，故而Cr-Si化合物過 度成長，從而無法獲得充分之強度，且彎曲加工性亦不良。 車又例8、9中，由於Cr之濃度過高，故而Cr_Si化合物 過度成長，從而無法獲得充分之強度，且彎曲加工性亦不 良0 【圖式簡單說明】 (無） 【主要元件符號說明】 (無） 20

Claims (1)

1. 200902732 十、申請專利範圓： 一種電子材料用銅合金’其含有Ni: 1.0〜4.5質量 %、Si : 〇_5〇〜K2 質量％、Cr : 〇 〇〇3〜〇 3 質量％ (其中， Ni與Si之質量比為3$Ni/sis5_5)，且剩餘部分由a及 不可避免之雜質所構成，對於分散於材料中之大小為 5 μηι之Cr-Si化合物而言，其分散粒子中之&相對於& 之原子濃度比為1〜5，其分散密度為lxl〇6個/mm2以下。 如申叫專利範圍第1項之電子材料用銅合金，直中 對於大小為〇 1 為.1 _〜5 μΓΠ之Cr-Si化合物而言，其分散密 度荀於1χ104個/mm2。 =如巾請專利範圍第丨„第2項之電子材料用銅合 *，，、中進—步含有0.05〜2.0質量％之選自以及^之i 種或2種以上。 4.如申請專利範圍帛i項或第2項中任 料用銅合今，貝 < 電子材 M 、，、進一步含有〇.001〜2.0質量。/〇之選自 n Ag、P、As、Sb、Be、B、Ti、Zr、A卜 Co 及 F 之1種或2種以上。 A卜CuFe 項之ΐτ合7銅品’其係使”請專利範圍第1項或第2 或第:·項器零件，其係使用申請專利範圍*1項 十一、明式： (無） 21