JP5712585B2 - 電子機器用銅合金、電子機器用銅合金の製造方法及び電子機器用銅合金圧延材 - Google Patents
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Description
そこで、ばね性、強度、導電率の優れた銅合金として、例えば特許文献1には、Beを含有したCu−Be合金が提供されている。このCu−Be合金は、母相中にCuBeを時効析出させることで導電率を低下させることなく強度を向上させた、析出硬化型の高強度合金である。
そこで、Cu−Be合金を代替可能な材料が強く望まれていた。
また、その他の合金として、特許文献3に記載されているCu−Mg−P合金等が開発されている。
また、特許文献3に記載されたCu−Mg−P合金では、導電率は高いものの、耐力や引張強度といった機械的特性が不十分であった。また、ヤング率が比較的高いために、コネクタ等に適さないといった問題があった。
また、0.2%耐力σ 0.2 が400MPa以上とされた場合には、弾性エネルギー係数(σ 0.2 2 /2E)が高くなり、容易に塑性変形しなくなるため、端子、コネクタ、リレー等の電子電気部品に特に適している。
Zn,Sn,Si,Mn,Niといった元素を、前述の電子機器用銅合金に添加することにより、銅合金の特性を向上させることが可能となる。よって、用途にあわせて選択的に含有させることによって、その用途に特に適した電子機器用銅合金を提供することが可能となる。
B,P,Zr,Fe,Co,Cr,Ag,Ca,希土類元素といった元素を、前述の電子機器用銅合金に添加することにより、銅合金の特性を向上させることが可能となる。よって、用途にあわせて選択的に含有させることによって、その用途に特に適した電子機器用銅合金を提供することが可能となる。
ヤング率Eが125GPa以下とされた場合には、弾性エネルギー係数(σ0.2 2/2E)が高くなり、容易に塑性変形しなくなるため、端子、コネクタ、リレー等の電子電気部品に特に適している。
この場合、走査型電子顕微鏡観察において、粒径0.1μm以上の金属間化合物の平均個数が10個/μm2以下とされていることから、粗大な金属間化合物の析出が抑制されており、MgおよびAlの少なくとも一部が母相中に固溶した状態となる。このように、MgおよびAlの少なくとも一部を母相中に固溶させることで、高い導電率を保持したまま、強度及び再結晶温度を高くすることができ、かつ、ヤング率を低くすることができる。
また、金属間化合物の粒径は、金属間化合物の長径(途中で粒界に接しない条件で粒内に最も長く引ける直線の長さ)と短径(長径と直角に交わる方向で、途中で粒界に接しない条件で最も長く引ける直線の長さ)の平均値とする。
また、加熱された前記銅素材を、200℃/min以上の冷却速度で200℃以下にまで冷却する急冷工程を備えているので、冷却の過程で粗大な金属間化合物が析出することを抑制することが可能となり、母相中にMgおよびAlの少なくとも一部を固溶させることができる。
ここで、加工率とは、加工前の材料の断面積と加工後の断面積の差を、加工前の断面積で割った百分率である。
なお、加工工程の後に、いわゆる低温焼鈍を行ってもよい。この低温焼鈍によって、さらなる機械特性の向上を図ることが可能となる。
また、前記銅素材が、さらに、B,P,Zr,Fe,Co,Cr,Ag,Ca,希土類元素のうちの少なくとも1種以上を含み、その含有量が0.01原子%以上1原子%以下とされた銅合金とされていてもよい。
上述の各元素を含有する銅合金からなる銅素材を用いることにより、製出される電子機器用銅合金の特性を向上させることが可能となる。
この構成の電子機器用銅合金圧延材によれば、弾性エネルギー係数(σ0.2 2/2E)が高く、容易に塑性変形しない。
また、上述の電子機器用銅合金圧延材は、端子、コネクタ、リレーを構成する銅素材として使用されることが好ましい。
本実施形態である電子機器用銅合金は、Mgを1.3原子%以上2.6原子%未満の範囲で含み、かつ、Alを6.7原子%以上20原子%以下の範囲で含み、さらに、Zn,Sn,Si,Mn,Niのうちの少なくとも1種以上を0.05原子%以上5原子%以下、B,P,Zr,Fe,Co,Cr,Ag,Ca,希土類元素のうちの少なくとも1種以上を0.01原子%以上1原子%以下、を含み、残部がCuと不可避不純物からなる組成を有している。
また、本実施形態である電子機器用銅合金は、走査型電子顕微鏡観察において、粒径0.1μm以上の金属間化合物の平均個数が10個/μm2以下とされている。
以下に、これらの元素の含有量を前述の範囲に設定した理由について説明する。
Mgは、導電率を大きく低下させることなく、強度を向上させるとともに再結晶温度を上昇させる作用効果を有する元素である。また、Mgを母相中に固溶させることにより、ヤング率が低く抑えられる。
ここで、Mgの含有量が1.3原子%未満では、その作用効果を奏功せしめることはできない。一方、Mgの含有量が2.6原子%以上では、熱間加工時の材料温度を800℃以上とすると、一部に液相が生成して割れが生じるおそれがある。このため、熱間加工時の材料温度を高く設定することができず、生産効率が低下してしまう。
このような理由から、Mgの含有量を1.3原子%以上2.6原子%未満に設定している。
Alは、Mgの一部あるいは全部を固溶させた銅合金に固溶されることで、ヤング率が上昇することなく、強度を大きく向上させる作用効果を有する元素である。
ここで、Alの含有量が6.7原子%未満では、その作用効果を奏功せしめることはできない。一方、Alの含有量が20原子%を超えると、溶体化のために熱処理を行った際に、金属間化合物が多く残存してしまい、その後の加工等で割れが発生してしまうおそれがある。
このような理由から、Alの含有量を、6.7原子%以上20原子%以下に設定している。
Zn,Sn,Si,Mn,Niといった元素は、MgおよびAlの一部あるいは全部を固溶させた銅合金に添加することによって、銅合金の特性を向上させる効果を有している。よって、用途にあわせて選択的に含有させることによって特性を向上させることが可能となる。特に、Znは、導電率を低下させることなく強度を向上させる効果を有する。
ここで、Zn,Sn,Si,Mn,Niといった元素の含有量が0.05原子%未満では、その作用効果を奏功せしめることはできない。一方、Zn,Sn,Si,Mn,Niといった元素を5原子%を超えて含有した場合には、導電率が大きく低下することになる。また、溶体化のために熱処理を行った際に、粗大な金属間化合物が多く残存してしまい、その後の加工等で割れが発生してしまうおそれがある。
このような理由から、Zn,Sn,Si,Mn,Niといった元素の含有量を、0.05原子%以上5原子%以下に設定している。
B,P,Zr,Fe,Co,Cr,Ag,Ca,希土類元素といった元素は、MgおよびAlの一部あるいは全部を固溶させた銅合金に添加することによって、銅合金の特性を向上させる効果を有している。よって、用途にあわせて選択的に含有させることによって特性を向上させることが可能となる。
ここで、B,P,Zr,Fe,Co,Cr,Ag,Ca,希土類元素といった元素の含有量が0.01原子%未満では、その作用効果を奏功せしめることはできない。一方、B,P,Zr,Fe,Co,Cr,Ag,Ca,希土類元素といった元素を1原子%を超えて含有した場合には、導電率が大きく低下することになる。また、溶体化のために熱処理を行った際に、粗大な化合物が多く残存してしまうおそれがある。
このような理由から、B,P,Zr,Fe,Co,Cr,Ag,Ca,希土類元素といった元素の含有量を、0.01原子%以上1原子%以下に設定している。
本実施形態である電子機器用銅合金においては、走査型電子顕微鏡で観察した結果、粒径0.1μm以上の金属間化合物の平均個数が、10個/μm2以下とされている。すなわち、粗大な金属間化合物が数多く析出しておらず、MgおよびAlの少なくとも一部が母相中に固溶しているのである。
ここで、溶体化が不完全であったり、溶体化後に金属間化合物が析出することにより、サイズの大きい金属間化合物が多量に存在すると、これらの金属間化合物が割れの起点となり、加工時に割れが発生したり、曲げ加工性が大幅に劣化することになる。また、金属間化合物の量が多いと、ヤング率が上昇することになるため、好ましくない。
さらに、上述の作用効果を確実に奏功せしめるためには、粒径0.1μm以上の金属間化合物の個数が合金中に1個/μm2以下とすることが好ましい。さらに、曲げ加工性が強く求められる場合には、粒径0.05μm以上の金属間化合物の個数が合金中に1個/μm2以下とすることがより好ましい。
また、金属間化合物の粒径は、金属間化合物の長径(途中で粒界に接しない条件で粒内に最も長く引ける直線の長さ)と短径(長径と直角に交わる方向で、途中で粒界に接しない条件で最も長く引ける直線の長さ)の平均値とする。
(溶解・鋳造工程S01)
まず、銅原料を溶解して得られた銅溶湯に、前述の元素を添加して成分調整を行い、銅合金溶湯を製出する。なお、Mg、Al等の元素の添加には、Mg、Al等の元素単体や母合金等を用いることができる。また、これらの元素を含む原料を銅原料とともに溶解してもよい。また、本合金のリサイクル材及びスクラップ材を用いてもよい。
ここで、銅溶湯は、純度が99.99質量%以上とされたいわゆる4NCuとすることが好ましい。また、溶解工程では、Mg、Al等の元素の酸化を抑制するために、真空炉、あるいは、不活性ガス雰囲気又は還元性雰囲気とされた雰囲気炉を用いることが好ましい。
そして、成分調整された銅合金溶湯を鋳型に注入して鋳塊を製出する。なお、量産を考慮した場合には、連続鋳造法又は半連続鋳造法を用いることが好ましい。
次に、得られた鋳塊の均質化及び溶体化のために加熱処理を行う。鋳塊の内部には、凝固の過程において添加元素が偏析で濃縮することにより発生した金属間化合物等が存在することになる。そこで、これらの偏析及び金属間化合物等を消失又は低減させるために、鋳塊を500℃以上1000℃以下にまで加熱する加熱処理を行うことで、鋳塊内において、添加元素を均質に拡散させたり、添加元素を母相中に固溶させたりするのである。なお、この加熱工程S02は、非酸化性又は還元性雰囲気中で実施することが好ましい。
そして、加熱工程S02において500℃以上1000℃以下にまで加熱された鋳塊を、200℃以下の温度にまで、200℃/min以上の冷却速度で冷却する。この急冷工程S03により、母相中に固溶したMgおよびAlが金属間化合物として析出することが抑制されることになり、走査型電子顕微鏡観察において、粒径0.1μm以上の金属間化合物の平均個数が10個/μm2以下とされるのである。
加熱工程S02及び急冷工程S03を経た鋳塊を必要に応じて切断するとともに、加熱工程S02及び急冷工程S03等で生成された酸化膜等を除去するために必要に応じて表面研削を行う。そして、所定の形状へと加工を行う。
ここで、加工方法に特に限定はなく、例えば最終形態が板や条の場合には圧延、線や棒の場合には線引きや押出や溝圧延、バルク形状の場合には鍛造やプレス、を採用することができる。
さらに、上述の加熱工程S02、急冷工程S03、加工工程S04を繰り返し実施してもよい。ここで、2回目以降の加熱工程S02は、溶体化の徹底、再結晶組織化または加工性向上のための軟化を目的とするものとなる。また、鋳塊ではなく、加工材が対象となる。
次に、加工工程S04によって得られた加工材に対して、低温焼鈍硬化を行うために、又は、残留ひずみの除去のために、熱処理を実施する。この熱処理条件については、製出される製品に求められる特性に応じて適宜設定することになる。
なお、この熱処理工程S05においては、サイズの大きい金属間化合物が多量に析出しないように、熱処理条件(温度、時間、冷却速度)を設定する必要がある。例えば200℃で1分〜1時間程度、300℃で1秒〜1分程度とすることが好ましい。冷却速度は200℃/min以上とすることが好ましい。
さらに、上述の加工工程S04と熱処理工程S05とを、繰り返し実施してもよい。
具体的には、ヤング率Eが125GPa以下、0.2%耐力σ0.2が400MPa以上とされている。よって、弾性エネルギー係数(σ0.2 2/2E)が高くなり、容易に塑性変形しなくなるため、端子、コネクタ、リレー等の電子電気部品に特に適している。
Zn,Sn,Si,Mn,Niといった元素や、B,P,Zr,Fe,Co,Cr,Ag,Ca,希土類元素といった元素は、Mg、Alが固溶された銅合金に添加することで、銅合金の特性を向上させる作用効果を有するものである。よって、用途にあわせて選択的に含有させることによって、その用途に特に適した電子機器用銅合金を提供することが可能となる。
また、加熱工程S02によって500℃以上1000℃以下にまで加熱された鋳塊または加工材を、200℃/min以上の冷却速度で200℃以下にまで冷却する急冷工程S03を備えているので、冷却の過程でサイズの大きな金属間化合物が多量に析出することを抑制することができる。
また、加工工程S04の後に、低温焼鈍硬化を行うために、又は、残留ひずみの除去のために、熱処理工程S05を実施しているので、さらなる機械特性の向上を図ることが可能となる。
例えば、上述の実施形態では、電子機器用銅合金の製造方法の一例について説明したが、製造方法は本実施形態に限定されることはなく、既存の製造方法を適宜選択して製造してもよい。
純度99.99質量%以上の無酸素銅(ASTM B152 C10100)からなる銅原料を準備し、これを高純度グラファイト坩堝内に装入して、Arガス雰囲気とされた雰囲気炉内において高周波溶解した。得られた銅溶湯内に、各種添加元素を添加して表1、2に示す成分組成に調製し、カーボン鋳型に注湯して鋳塊を製出した。なお、鋳塊の大きさは、厚さ約20mm×幅約20mm×長さ約100〜120mmとした。
次に、熱間圧延時の材料温度の最高値が800〜820℃の範囲内となるように調整して熱間圧延を行い、水焼入れを実施し、厚さ10mm×幅約20mmの熱間圧延材を製出した。
次に、最終の厚さを考慮して切断し、酸化被膜を除去するために表面研削を実施した。その後、表1、2に記載された加工率で冷間圧延を実施し、厚さ0.5mm×幅約20mmの条材を製出した。
最後に、Arガス雰囲気中において、200℃で1時間保持後、水焼き入れを実施し、特性評価用条材を製出した。
加工性評価として、前述の冷間圧延時における耳割れの有無を観察した。目視で耳割れが全くあるいはほとんど認められなかったものを◎、長さ1mm未満の小さな耳割れが発生したものを○、長さ1mm以上3mm未満の耳割れが発生したものを△、長さ3mm以上の大きな耳割れが発生したものを×、耳割れに起因して圧延途中で破断したものを××とした。
なお、耳割れの長さとは、圧延材の幅方向端部から幅方向中央部に向かう耳割れの長さのことである。
(導電率)
特性評価用条材から幅10mm×長さ60mmの試験片を採取し、4端子法によって電気抵抗を求めた。また、マイクロメータを用いて試験片の寸法測定を行い、試験片の体積を算出した。そして、測定した電気抵抗値と体積とから、導電率を算出した。なお、試験片は、その長手方向が特性評価用条材の圧延方向に対して平行になるように採取した。
特性評価用条材からJIS Z 2201に規定される13B号試験片を採取し、JIS Z 2241のオフセット法により、0.2%耐力σ0.2を測定した。
ヤング率Eは、前述の試験片にひずみゲージを貼り付け、荷重−伸び曲線の勾配から求めた。
なお、試験片は、引張試験の引張方向が特性評価用条材の圧延方向に対して平行になるように採取した。
本発明例1−18及び比較例1,2について組織観察を実施した。各試料の圧延面に対して、鏡面研磨、イオンエッチングを行った。その金属間化合物の析出状態を確認するため、FE−SEM(電界放出型走査電子顕微鏡)を用い、1万倍の視野(約120μm2/視野)で観察を行った。
次に、金属間化合物の密度(個/μm2)を調査するために、金属間化合物の析出状態が特異ではない1万倍の視野(約120μm2/視野)を選び、その領域で、5万倍で連続した10視野(約4.8μm2/視野)の撮影を行った。金属間化合物の粒径については、金属間化合物の長径(途中で粒界に接しない条件で粒内に最も長く引ける直線の長さ)と短径(長径と直角に交わる方向で、途中で粒界に接しない条件で最も長く引ける直線の長さ)の平均値とした。そして、粒径0.1μm以上および0.05μm以上の金属間化合物の密度(個/μm2)を求めた。
Alの含有量が本発明の範囲よりも多い比較例3においては、冷間圧延時に大きな耳割れが発生し、その後の特性評価を実施することが不可能であった。
Mgの含有量が本発明の範囲よりも多い比較例4においては、熱間圧延時に割れが発生し、その後の特性評価を実施することが不可能であった。
また、組成が同一で加工率が異なる本発明例6、12を比較すると、加工率を上昇させることで0.2%耐力を向上させることが可能であることが確認される。
S03 急冷工程
S04 加工工程
Claims (10)
- Mgを1.3原子%以上2.6原子%未満の範囲で含み、かつ、Alを6.7原子%以上20原子%以下の範囲で含み、残部がCu及び不可避不純物とされており、
0.2%耐力σ 0.2 が400MPa以上とされていることを特徴とする電子機器用銅合金。 - 請求項1に記載の電子機器用銅合金において、
さらに、Zn,Sn,Si,Mn,Niのうちの少なくとも1種以上を含み、その含有量が0.05原子%以上5原子%以下とされていることを特徴とする電子機器用銅合金。 - 請求項1または請求項2に記載の電子機器用銅合金において、
さらに、B,P,Zr,Fe,Co,Cr,Ag,Ca,希土類元素のうちの少なくとも1種以上を含み、その含有量が0.01原子%以上1原子%以下とされていることを特徴とする電子機器用銅合金。 - 請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の電子機器用銅合金において、
ヤング率Eが125GPa以下とされていることを特徴とする電子機器用銅合金。 - 請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の電子機器用銅合金において、
走査型電子顕微鏡観察で、粒径0.1μm以上の金属間化合物の平均個数が、10個/μm2以下とされていることを特徴とする電子機器用銅合金。 - 請求項1から請求項5のいずれか一項に記載の電子機器用銅合金を製出する電子機器用銅合金の製造方法であって、
Mgを1.3原子%以上2.6原子%未満の範囲で含み、かつ、Alを6.7原子%以上20原子%以下の範囲で含み、残部がCu及び不可避不純物とされた銅合金からなる銅素材に対して、500℃以上1000℃以下の温度にまで加熱する加熱工程と、
加熱された前記銅素材を、200℃/min以上の冷却速度で、200℃以下にまで冷却する急冷工程と、
急冷された銅素材を加工する加工工程と、
を備えていることを特徴とする電子機器用銅合金の製造方法。 - 請求項6に記載の電子機器用銅合金の製造方法において、
前記銅素材が、さらに、Zn,Sn,Si,Mn,Niのうちの少なくとも1種以上を含み、その含有量が0.05原子%以上5原子%以下とされた銅合金であることを特徴とする電子機器用銅合金の製造方法。 - 請求項6または請求項7に記載の電子機器用銅合金の製造方法において、
前記銅素材が、さらに、B,P,Zr,Fe,Co,Cr,Ag,Ca,希土類元素のうちの少なくとも1種以上を含み、その含有量が0.01原子%以上1原子%以下とされた銅合金であることを特徴とする電子機器用銅合金の製造方法。 - 請求項1から請求項5のいずれか一項に記載の電子機器用銅合金からなり、圧延方向のヤング率Eが125GPa以下、圧延方向の0.2%耐力σ0.2が400MPa以上、とされていることを特徴とする電子機器用銅合金圧延材。
- 請求項9に記載された電子機器用銅合金圧延材であって、
端子、コネクター、リレーとして使用されることを特徴とする電子機器用銅合金圧延材。
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