JPWO2008123433A1 - 電子材料用Cu−Ni−Si系合金 - Google Patents
電子材料用Cu−Ni−Si系合金Info
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Abstract
Description
そこで、CrなどのSiと化合物を作る元素を添加し、過剰となったSiと化合させることで導電率を上げることが考えられる。Crはその1つの元素であり、Cr含有Cu−Ni−Si系合金がある。
特許文献2では、Ni:1.5〜4.0重量%、Si:0.35〜1.0重量%、随意的に、Zr、Cr、Snの群から選ばれる少なくとも1種の金属:0.05〜1.0重量%、残部がCuおよび不可避的不純物から成るコルソン合金を加熱(又は冷却)する際に、400〜800℃の温度域では、前記コルソン合金の引張熱歪が1×10-4以下となるように前記コルソン合金を加熱(又は冷却)することを特徴とするコルソン合金の熱処理方法が記載されている。この方法によれば、熱処理時の鋳塊割れを防止することができるとされている。
しかしながら、特許文献1ではCrは添加されておらず、現実には、過剰なNi、Siによって幾分かの導電率の低下が見られ、飛躍的に特性の向上に至ってはいない。特許文献2及び特許文献3ではCu−Ni-Si系合金にCrを添加しているが、特許文献2では添加して固溶強化を図る、特許文献3では熱間加工性を高めることを目的としており、本発明の鍵であるCr−Si化合物に関する記載は見当たらない。従って、これらの特許文献から本発明が解決しようとする課題の解決手段を容易に想定させるものではない。
そこで、本発明の課題は、Cu−Ni−Si系合金においてCr添加の効果をより良く発揮させることで飛躍的に特性の向上即ち、高強度・高導電性のコルソン系合金を提供することである。
(1)Ni:1.0〜4.5質量%、Si:0.50〜1.2質量%、Cr:0.003〜0.3質量%を含有し(但し、NiとSiの重量比が3≦Ni/Si≦5.5である。)、残部Cuおよび不可避的不純物から構成される電子材料用銅合金であって、材料中に分散する大きさが0.1μm〜5μmのCr−Si化合物について、その分散粒子中のSiに対するCrの原子濃度比が1〜5であって、その分散密度が1×106個/mm2以下である電子材料用銅合金。
(2)大きさが0.1μm〜5μmのCr−Si化合物について、その分散密度が1×104個/mm2よりも高い請求項1記載の電子材料用銅合金。
(3)更にSn、及びZnから選択される1種又は2種以上を0.05〜2.0質量%含有する(1)又は(2)に記載の電子材料用銅合金。
(4)更にMg、Mn、Ag、P、As、Sb、Be、B、Ti、Zr、Al、Co及びFeから選択される1種又は2種以上を0.001〜2.0質量%含有する(1)〜(3)の何れか一項に記載の電子材料用銅合金。
(5)(1)〜(4)の何れか一項に記載の銅合金を用いた伸銅品。
(6)(1)〜(4)の何れか一項に記載の銅合金を用いた電子機器部品。
である。
Ni及びSiは、適当な熱処理を施すことにより金属間化合物としてNiシリサイド(Ni2Si等)を形成し、導電率を劣化させずに高強度化が図れる。SiとNiの質量比は上述したように量論組成に近い3≦Ni/Si≦5.5が好ましく、3.5≦Ni/Si≦5.0がより好ましい。
通常のCu−Ni−Si系合金においてはNi−Si濃度を上昇させると、析出粒子の総数が増加するので、析出強化による強度上昇が図れる。一方、添加濃度上昇に伴い、析出に寄与しない固溶量も増すので、導電率は低下し、結局時効析出のピーク強度は上昇するが、ピーク強度となる導電率は低下する。しかしながら、上記のCu−Ni−Si系合金にCrを0.003〜0.3質量%、好ましくは0.01〜0.1質量%添加すると最終特性において、同じのNi−Si濃度を有するCu−Ni−Si系合金と比べて強度を損なわずに導電率を上昇でき、更に熱間加工性が改善されて歩留が高くなる。
Cr−Si化合物の大きさは、曲げ加工性および疲労強度等に影響を及ぼし、これが5μmを超えるか、または0.1〜5μmのCr−Si化合物の分散密度が1×106個/mm2を超える場合には曲げ加工性や疲労強度が顕著に劣化する。さらに個数密度は母相中のSi濃度の過不足に影響するため、大きな粒子が多数個分散した状態では所望の強度特性が得られない。よって分散密度の上限は1×106個/mm2以下であればよく、好ましくは5×105個/mm2以下、より好ましくは1×105個/mm2以下であればよい。また、1×104個/mm2以下の場合はCr添加による改善効果が小さいため、これを超えることが望ましい。
本発明に係るCu−Ni−Si系合金にSn及びZnから選択される1種又は2種以上を総量で0.05〜2.0質量%添加することで強度、導電率を大きく損なわずに応力緩和特性等を改善できる。その添加量は、0.05質量%未満では効果が不足し、2.0質量%を超えると鋳造性、熱間加工性などの製造性、製品の導電率を損なうので0.05〜2.0質量%添加するのが好ましい。
Mg、Mn、Ag、P、As、Sb、Be、B、Ti、Zr、Al、Co及びFe所定量を添加することで様々な効果を示すが、相互に補完し、強度、導電率だけでなく曲げ加工性、めっき性や鋳塊組織の微細化による熱間加工性の改善のような製造性をも改善する効果もあるので本発明に係るCu−Ni−Si系合金にこれらの1種又は2種以上を求められる特性に応じて総量を2.0質量%以下として適宜添加することができる。その添加量は、これらの元素の総量が0.001質量%未満だと所望の効果が得られず、2.0質量%を超えると導電率の低下や製造性の劣化が顕著になるので総量で0.001〜2.0質量%とするのが好ましく、0.01〜1.0質量%とするのがより好ましい。
なお、本発明に係るCu−Ni−Si系合金の特性に悪影響を与えない範囲で本明細書に具体的に記載されていない元素が添加されてもよい。
曲げ性の評価は、W字型の金型を用いて試料板厚と曲げ半径の比が1となる条件で90°曲げ加工を行なった。評価は曲げ加工部表面を光学顕微鏡で観察し、クラックが観察されない場合を実用上問題ないと判断して○とし、クラックが認められた場合を×とした。疲労試験は、JIS Z 2273に従って両振り応力を負荷し、破断までの繰返し数が107回となる応力(MPa)を求めた。
表1及び表2に結果を示す。
一方、比較例1〜3は冷却速度が遅いため、Cr−Si化合物が成長しすぎて、十分な強度が得られず、また曲げ加工性も悪かった。
比較例4、5では、冷却速度が早いため、成長せず、過剰なSiが合金中に固溶し、強度と導電率が劣った。比較例6、7は時効温度が高いためにCr−Si化合物が成長しすぎて、十分な強度が得られず、また曲げ加工性も悪かった。比較例8、9は、Crの濃度が高すぎるため、Cr−Si化合物が成長しすぎて、十分な強度が得られず、また曲げ加工性も悪かった。
Claims (6)
- Ni:1.0〜4.5質量%、Si:0.50〜1.2質量%、Cr:0.003〜0.3質量%を含有し(但し、NiとSiの重量比が3≦Ni/Si≦5.5である。)、残部Cuおよび不可避的不純物から構成される電子材料用銅合金であって、材料中に分散する大きさが0.1μm〜5μmのCr−Si化合物について、その分散粒子中のSiに対するCrの原子濃度比が1〜5であって、その分散密度が1×106個/mm2以下である電子材料用銅合金。
- 大きさが0.1μm〜5μmのCr−Si化合物について、その分散密度が1×104個/mm2より高い請求項1記載の電子材料用銅合金。
- 更にSn、及びZnから選択される1種又は2種以上を0.05〜2.0質量%含有する請求項1又は2に記載の電子材料用銅合金。
- 更にMg、Mn、Ag、P、As、Sb、Be、B、Ti、Zr、Al、Co及びFeから選択される1種又は2種以上を0.001〜2.0質量%含有する請求項1〜3の何れか一項に記載の電子材料用銅合金。
- 請求項1〜4の何れか一項に記載の銅合金を用いた伸銅品。
- 請求項1〜4の何れか一項に記載の銅合金を用いた電子機器部品。
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JP5712585B2 (ja) * | 2010-12-03 | 2015-05-07 | 三菱マテリアル株式会社 | 電子機器用銅合金、電子機器用銅合金の製造方法及び電子機器用銅合金圧延材 |
JP5684022B2 (ja) * | 2011-03-28 | 2015-03-11 | 三菱伸銅株式会社 | 耐応力緩和特性と曲げ加工後の耐疲労特性およびばね特性に優れたCu−Ni−Si系銅合金板およびその製造方法 |
US9159985B2 (en) * | 2011-05-27 | 2015-10-13 | Ostuka Techno Corporation | Circuit breaker and battery pack including the same |
JP5903842B2 (ja) | 2011-11-14 | 2016-04-13 | 三菱マテリアル株式会社 | 銅合金、銅合金塑性加工材及び銅合金塑性加工材の製造方法 |
KR101274063B1 (ko) * | 2013-01-22 | 2013-06-12 | 한국기계연구원 | 배향된 석출물을 가지는 금속복합재료 및 이의 제조방법 |
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CN105385890A (zh) * | 2015-11-27 | 2016-03-09 | 宁波博威合金材料股份有限公司 | 一种含镍、硅的青铜合金及其应用 |
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