TWI639163B - Cu-Co-Ni-Si alloy for electronic parts, and electronic parts - Google Patents

Abstract

本發明提供一種除對卡遜(Corson)銅合金賦予高強度且高導電以外，亦賦予有通常難以與強度同時實現之彎曲性之可靠性得到提昇之電子零件用Cu-Co-Ni-Si合金。

本發明係一種電子零件用Cu-Co-Ni-Si合金，其含有0.5~3.0質量%之Co及0.1~1.0質量%之Ni，以Ni相對於Co之濃度(質量%)比(Ni/Co)成為0.1~1.0之方式進行調整，且以(Co+Ni)/Si質量比成為3~5之方式含有Si，並且剩餘部分由Cu及不可避免之雜質所構成，對至少100個第二相粒子進行測定而獲得之Co相對於Ni之濃度比(Co/Ni)之變異係數為20%以下。

Description

電子零件用Cu-Co-Ni-Si合金、及電子零件

本發明係關於一種對電子零件、尤其是連接器、電池端子、插孔、繼電器、開關、引線框架等較佳之電子零件用Cu-Co-Ni-Si合金。

習知通常作為電氣．電子機器用材料，除鐵系材料以外，亦廣泛使用導電性及導熱性優異之磷青銅、紅黃銅、黃銅等銅系材料。近年來，對電氣．電子機器之小型化、輕量化、高功能化之要求提高，進而對伴隨著其之高密度構裝化之要求提高，從而對應用於該等之銅系材料亦要求有各種特性。

伴隨著零件之小型化而材料之薄壁化進展，而要求材料強度提昇。於繼電器等用途中，疲勞特性之要求提高，而必須提昇強度。又，伴隨著零件之小型化，彎曲加工之情形時之條件變嚴格，而要求一面具有較高之強度，一面彎曲加工性優異。進而有於加工為零件後，伴隨著通電量之上升而發熱之情況，就抑制發熱之觀點而言，要求導電率提昇。

於專利文獻1中揭示有一種彎曲加工性、強度、導電率之平衡性優異之Cu-Ni-Co-Si系合金，其係於將自板表面中之{111}面之繞射強度設為I{111}，將自{200}面之繞射強度設為I{200}，將自{220}面之繞射 強度設為I{220}，將自{311}面之繞射強度設為I{311}，將該等繞射強度中自{200}面之繞射強度之比率設為R{200}=I{200}/(I{111}+I{200}+I{220}+I{311})的情形時，R{200}為0.3以上者。

於專利文獻2中揭示有一種高強度且具有良好之彎曲加工性，而且為高導電率之本發明之電氣電子零件用銅合金板材，具體而言，揭示有如下技術：藉由將利用SEM-EBSD(掃描式電子顯微鏡-電子背向散射繞射)法所獲得之測定結果中，自Cube(立方體)方位偏移之角度(方位差)未達15°之晶粒之面積率設為未達10%，且將自Cube方位偏移之角度為15~30°之晶粒之面積率設為15%以上，而兼顧強度與彎曲加工性。

[專利文獻1]日本特開2009-007666號公報

[專利文獻2]國際公開第2011/068124號

然而，根據專利文獻1之記載，完成所有步驟之最終狀態下之R{200}會受到於製造步驟中最後之中間固溶熱處理中所發生之材料之再結晶中發達的結晶方位較大影響，因此較佳為適當地調整該最後之中間固溶熱處理之前之步驟，具體而言，進行藉由進行如下所述步驟而實現所需之繞射強度：進行50%以上之加工率之冷軋，進行“如使局部再結晶或獲得平均結晶粒徑為5μm以下之再結晶組織”之熱處理後，繼而於50%以下之加工率之冷軋後進行最後之中間固溶熱處理。

又，於專利文獻2中記載有如下內容：於經鑄造、熱軋、冷 軋1、中間退火、冷軋2、固溶熱處理、冷軋3、時效熱處理、最終冷軋、低溫退火之各步驟而製造時，將冷軋1之壓延率設為70%以上，或者於600~1000℃下進行固溶處理5秒至300秒，或者進行5~40%之壓延率之冷軋3，藉此形成所需之織構，且記載有如下內容：尤其是於冷軋3中，有效的是利用冷軋之輥粗糙度不同之輥實施不同之摩擦壓延。

今後，對於卡遜銅合金，除要求有高強度且高導電以外，亦要求有彎曲性，並且通常難以兼顧強度與彎曲性，從而就提昇可靠性之觀點而言留有改善之餘地。

本發明人進行努力研究，結果於Cu-Co-Ni-Si合金中若可使析出物之組成統一，則差排變得均勻，而彎曲加工時之應力被分散，發現從期待彎曲加工性之提昇之觀點而言之最佳之固溶處理條件，從而完成本發明。

即，本發明係

(1)一種電子零件用Cu-Co-Ni-Si合金，其含有0.5~3.0質量%之Co及0.1~1.0質量%之Ni，並以Ni相對於Co之濃度(質量%)比(Ni/Co)成為0.1~1.0之方式進行調整，且以(Co+Ni)/Si質量比成為3~5之方式含有Si，並且剩餘部分由Cu及不可避免之雜質所構成，對至少100個第二相粒子進行測定而獲得之Co相對於Ni之濃度比(Co/Ni)的變異係數為20%以下。

(2)如(1)記載之合金，其進而含有總計最大為1.0質量%之選自Fe、Mg、Sn、Zn、B、P、Cr、Zr、Ti、Al及Mn之群中至少1種。

(3)如(1)或(2)記載之合金，其中，粒徑為5~30nm之第二相粒 子的個數之平均為3.0×10⁸個/mm²以上。

(4)如(1)至(3)中任一項記載之合金，其與壓延方向平行之方向上之0.2%保證應力為650MPa以上，且導電率為50%IACS以上。

(5)如(1)至(4)中任一項記載之合金，其以彎曲半徑(R)/板厚(t)=1.0之方式，於Badway(彎曲軸與壓延方向為相同方向)進行W彎曲試驗時，彎曲部表面之平均粗糙度Ra為1.0μm以下。

(6)一種電子零件，其具備(1)至(5)中任一項記載之合金。

根據本發明，提供一種除對卡遜銅合金賦予有高強度且高導電以外，亦賦予有通常難以與強度同時實現之彎曲性之可靠性得到提昇之電子零件用Cu-Co-Ni-Si合金。

以下，對本發明之電子零件用Cu-Co-Ni-Si合金之一實施形態進行說明。再者，關於本發明中之%，只要未特別事先說明，則表示質量%。

(1)基材之組成

首先，對合金組成進行說明。本發明之銅合金為Cu-Co-Ni-Si系合金。再者，本說明書中，亦將於Cu-Co-Ni-Si之基本成分中添加有Fe、Mg、Sn、Zn、B、P、Cr、Zr、Ti、Al及Mn等其他合金元素之銅合金總稱 為Cu-Co-Ni-Si系合金。

Co具有與下述Ni、Si一併形成Co-Ni-Si系析出物，而提昇銅合金板材之強度與導電性之效果。於Co含量過小之情形時，難以充分地發揮該效果。因此，Co含量較佳設為0.5質量%以上，進而較佳設為0.8質量%以上，更佳設為1.1質量%以上。另一方面，由於Co之熔點高於Ni，故而若Co含量過大，則難以完全固溶，而未固溶之部分對強度並無幫助。因此，Co含量較佳設為3.0質量%以下，進而較佳設為2.0質量%以下。

Ni具有與Co、Si一併形成Co-Ni-Si系析出物，而提昇銅合金板材之強度與導電性之效果。於Ni含量過小之情形時，難以充分地發揮該效果。因此，Ni含量較佳設為0.1質量%以上，進而較佳設為0.2質量%以上，更佳設為0.3質量%以上。另一方面，若Ni含量過大，則強度提昇效果飽和，而且導電率降低。又，容易產生粗大之析出物，而成為彎曲加工時之破裂之原因。因此，Ni含量較佳設為1.0質量%以下，進而較佳設為0.8質量%以下。

又，本發明之特徵在於發揮如下效果：使Co-Ni-Si系析出物產生而使銅合金板材之強度與導電性提昇為更高之等級，並且提昇彎曲性。藉由減小析出物之組成之差異，因壓延被導入之應變會變得均勻，而會使彎曲性提昇。即，要求於各個析出物之組成中，一定程度地減小Co相對於Ni之濃度比(Co/Ni)之變異係數。就該觀點而言，將析出物中Co相對於Ni之濃度比(Co/Ni)之變異係數，即「標準偏差/平均值×100」設為20%以下，較佳設為16%以下。再者，該析出物中濃度比(Co/Ni)之變異係數係對作為析出物之第二相粒子100個以上進行測定，並能夠進 行估算之值。

又，為了將此種析出物中之(Co/Ni)濃度比之變異係數設為特定以下，可預先以第二相粒子之析出前合金材料中之Ni/Co濃度(質量%)比成為0.1~1.0、較佳為0.2~0.7之方式進行調整。

Si係與Ni、Co一併形成Co-Ni-Si系析出物。但是，合金中之Ni、Co及Si未必會藉由時效處理而全部成為析出物，一定程度上會以固溶於Cu基質中之狀態存在。固溶狀態之Ni、Co及Si多少會提昇銅合金板材之強度，但與析出狀態相比，強度提昇效果較小，又，會成為使導電率降低之主要原因。因此，關於Si之含量，通常而言，較佳為儘可能地接近析出物(Ni+Co)₂Si之組成比。即，通常將(Co+Ni)/Si質量比以約4.2為中心而調整為3~5，且Si係以(Co+Ni)/Si質量比成為該範圍之方式進行添加。

於本發明之銅合金板材中，可視需要添加Fe、Mg、Sn、Zn、B、P、Cr、Zr、Ti、Al及Mn等。例如，Sn與Mg有提昇耐應力緩和特性之效果，Zn有改善銅合金板材之焊接性及鑄造性之效果，Fe、Cr、Mn、Ti、Zr、Al等具有提昇強度之作用。除此以外，P具有脫酸效果，B具有鑄造組織之微細化效果，且具有提昇熱加工性之效果。但是，若該等添加元素之量過大，則會大幅損害製造性或導電率。因此，合計可含有0~1.0質量%。又，若考慮強度、導電率、彎曲性之平衡性，則較佳為含有以總量計0.1~0.7質量%之上述元素之1種以上。再者，關於每一種添加元素，考慮耐應力緩和特性、強度、焊接性、鑄造性、熱加工性之提昇等之平衡性，於不超過合計量之範圍內，Zn可含有0.1質量%以上且1.0質量%以下，Sn及Cr 可含有0.1質量%以上且0.8質量%以下，Fe、Mg及Mn可含有0.1質量%以上且0.5質量%以下，B、P、Zr、Ti及Al可含有0.01質量%以上且0.2質量%以下。

(2)強度及導電率

本發明之合金為高強度且為高導電率，而較佳用於電子零件、尤其是連接器、電池端子、插孔、繼電器、開關、引線框架等。

此處，將強度以平行壓延方向之0.2%保證應力(YS)之形式進行評價，該平行壓延方向之0.2%保證應力(YS)係藉由使用加壓機，以拉伸方向與壓延方向平行之方式製作JIS 13B號試片，依據JIS-Z2241進行該試片之拉伸試驗而測得。就上述之用途之觀點而言，0.2%保證應力較佳為650MPa以上，尤其是700MPa以上。

又，將導電率以依據JIS H 0505，利用四端子法所測得之導電率(EC：%IACS)之形式進行評價。就上述之用途之觀點而言，該導電率較佳為50%IACS以上，尤其是60%IACS以上。

(3)彎曲性表面粗糙度

於本發明中，將彎曲性以進行W彎曲試驗時之彎曲部表面之平均粗糙度Ra之形式進行評價。

即，以彎曲半徑(R)/板厚(t)=1.0之方式，於Badway(彎曲軸與壓延方向為相同方向)進行W彎曲試驗時之彎曲部表面之平均粗糙度Ra，若該平均粗糙度Ra越小則彎曲加工時之應力越分散，而越期待彎曲加工性之提昇。該就觀點而言，該彎曲部表面之平均粗糙度Ra較佳為1.0μm以下。

(4)析出物之個數濃度

於本發明中，將藉由控制析出物而改善強度、導電率及彎曲性設為課題。因此，較佳為評價該析出物之個數。即，對粒徑為5~30nm之第二相粒子之個數進行計數，用計數所得之個數除以觀察面積，而算出個數濃度(×10⁸個/mm²)，針對20個視野(各視野1μm×1μm)，以相同方式算出個數濃度，以其平均值之形式對析出物之個數濃度進行評價。

具體而言，藉由利用聚焦離子束(FIB)切斷與壓延方向平行之剖面而使剖面露出後，使用掃描式穿透式電子顯微鏡(日本電子股份有限公司型號：JEM-2100F)而求出所測定之析出物之個數濃度。就確保充分之強度(0.2%保證應力)之觀點而言，該析出物之個數濃度較佳為3.0×10⁸個/mm²以上，進而較佳為5.0×10⁸個/mm²以上。

此處，所謂第二相粒子，係指熔解鑄造之凝固過程中所產生之結晶物及其後之冷卻過程中產生之析出物；熱軋後之冷卻過程中所產生之析出物；固溶處理後之冷卻過程中所產生之析出物；及時效處理過程中所產生之析出物，通常具有Co-Si系或Ni-Si系之組成，但於本發明之情形時，典型而言具有Co-Ni-Si系之組成。關於第二相粒子之尺寸，係定義為於藉由利用電子顯微鏡之觀察而對與壓延方向平行之剖面進行組織觀察時，能夠被析出物包圍之最大圓之直徑。

(5)用途

本發明之Cu-Co-Ni-Si合金可加工為各種伸銅品、例如板、條、管、棒及線。本發明之銅合金並無限定，作為連接器、電池端子、插孔、繼電器、開關、引線框架等之電子零件材料較佳。

(6)製造方法

本發明之實施形態之電子零件用Cu-Co-Ni-Si合金係經鑄錠之熔解鑄造-均質退火、熱軋、急冷-冷軋、固溶處理-時效處理-最終冷軋-弛力退火而製造。

<鑄錠製造>

使用大氣熔解爐，將電解銅、Ni、Co、Si等原料熔解，而獲得所需之組成之熔液。然後，將該熔液鑄造成鑄錠。Ni、Co、Si以外之添加元素係以從「由Fe、Mg、Sn、Zn、B、P、Cr、Zr、Ti、Al及Mn所組成之群」中含有1種或2種以上合計0~1.0質量%之方式進行添加。

<均質化退火及熱軋>

由於製造鑄錠時所產生之凝固偏析或結晶物粗大，故而較理想為於均質化退火中儘可能地固溶於母相中而使凝固偏析或結晶物減少，並儘可能地使該等消失。其原因在於：該等會對彎曲加工性造成不良影響，藉由固溶於母相中，而有防止彎曲破裂之效果。

具體而言，於鑄錠製造步驟後，加熱至900~1050℃進行3~24小時均質化退火後，實施熱軋。自原本厚度直至整體之軋縮率為90%之過程係較佳為設為700℃以上。其後，利用水冷快速地冷卻至室溫。

<冷軋及固溶處理>

其後，於加工度(軋縮率)50%以上、較佳為70%以上之條件下進行冷軋後，進行固溶處理。具體而言，加熱至900~1050℃並加熱30秒~10分鐘。固溶處理係以使以Ni、Co、Si為首之添加元素固溶為目的。因此，除加熱溫度或加熱時間以外，重要的是亦控制升溫速度及冷卻速度。於固溶 處理前之升溫時，影響含有Co之第二相粒子之析出之600~700℃的升溫速度係控制為50℃/秒以上。另一方面，固溶處理後之相同溫度範圍內之冷卻速度亦控制為50℃/秒以上。關於其他溫度區域，亦較佳為使升溫速度及冷卻速度極力地變快。又，此時，藉由將對材料賦予之張力調整至1MPa以上且10MPa以下，可更容易控制第二相粒子之析出，而可使析出物中之Ni/Co濃度比之變異係數為20%以下，而充分確保粒徑5~30nm之析出物之個數濃度，從而可賦予充分之強度。

認為如上述般藉由使固溶處理中之600~700℃之升溫及冷卻速度變快，而抑制Co-Si系化合物之析出，結果會產生Co-Ni-Si系化合物之析出物。又，藉由使固溶處理中材料之張力低於習知之20MPa左右而得以高強度化。其機制並不明確，但認為原因可能如下：於前一步驟中進行冷軋之情形時所導入之應變藉由升溫速度之控制而被均勻地解除，藉此利用其後之時效處理而得以高強度化。

<時效處理>

固溶處理後接著進行時效處理。較佳為於材料溫度450~600℃加熱5~25小時，更佳為於材料溫度480~570℃加熱10~20小時。時效處理較佳為於氬氣(Ar)、氮氣(N₂)、氫氣(H₂)等非活性環境下進行以抑制氧化被膜之產生。

<最終之冷軋>

時效處理後接著進行最終之冷軋。藉由最終之冷加工而可提高強度，但於本發明中，為了獲得如意欲之高強度及彎曲加工性之良好之平衡性，較理想為將軋縮率設為5~40%，較佳為設為10~35%。

<弛力退火>

最終之冷軋後接著進行弛力退火。較佳為於材料溫度350~650℃加熱1~3600秒，更佳為於材料溫度350~450℃加熱1500~3600秒、於材料溫度450~550℃加熱500~1500秒、於材料溫度550~650℃加熱1~500秒。

再者，業者可理解於上述各步驟之間可適當進行用以去除表面之氧化皮之研削、研磨、噴丸(shot blasting)酸洗等步驟。

[實施例]

以下，將本發明之實施例(發明例)與比較例一併表示，但該等係為了更充分地理解本發明及其優點而提供者，而並非意欲限定發明者。

將含有表1所記載之各添加元素且剩餘部分由銅及雜質所構成之銅合金於高頻熔解爐中以1300℃進行熔製，而鑄造成厚度30mm之鑄錠。繼而，將該鑄錠於1000℃加熱3小時後，進行熱軋直至板厚10mm，熱軋結束後快速進行冷卻。繼而，為了去除表面之氧化皮而實施表面切削至厚度9mm後，藉由冷軋而製成厚度0.111~0.167mm之板。繼而於950℃進行固溶處理120秒。此時之600~700℃之溫度範圍內之升溫速度及冷卻速度、張力如表1所示。其後，於表1之條件實施時效處理、冷軋，而使板厚為0.1mm。最後，材料溫度400℃時實施2000秒之弛力退火。

對所製作之製品試樣進行如下之評價。將評價之結果示於表2。

(1)0.2%保證應力

使用加壓機，以拉伸方向與壓延方向平行之方式製作JIS 13B號試片。依據JIS-Z2241進行該試片之拉伸試驗，對平行壓延方向之0.2%保證應力 (YS)進行測定。

(2)導電率

依據JIS H 0505，利用四端子法測定導電率(EC：%IACS)。

(3)彎曲部之表面粗糙度

依據JIS-H3130(2012)，以Badway(彎曲軸與壓延方向為同一方向)、R/t=1.0(t=0.1mm)實施W彎曲試驗，觀察該試片之彎曲部之外周表面。觀察方法係使用Lasertec公司製造之共焦顯微鏡HD100，對彎曲部之外周表面進行攝影，使用附屬之軟體測定平均粗糙度Ra(依據JIS-B0601：2013)並進行比較。再者，彎曲加工前之試樣表面係使用共焦顯微鏡進行觀察，結果無法確認到凹凸，平均粗糙度Ra均為0.2μm以下。

將彎曲加工後之表面平均粗糙度Ra為1.0μm以下之情形評價為○，將Ra超過1.0μm之情形評價為×。

(4)粒徑5~30nm之析出物之個數濃度

藉由利用聚焦離子束(FIB)切斷與壓延方向平行之剖面而使剖面露出後，使用掃描式穿透式電子顯微鏡(日本電子股份有限公司，型號：JEM-2100F)測定析出物之個數濃度。

具體而言，設為加速電壓200kV、觀察倍率100萬倍，對粒徑為5~30nm之第二相粒子之個數進行計數，用計數所得之個數除以觀察面積，而算出個數濃度(×10⁸個/mm²)。對20個視野以相同方式進行測定，將其平均值設為個數濃度。

(5)析出物中之濃度比(Co/Ni)之變異係數

使用能量分散型X射線分析儀(EDX，日本電子股份有限公司，型號： JED-2300)作為STEM之檢測器，對析出物之Co/Ni濃度比進行測定。具體而言，加速電壓及觀察倍率係設為與上述條件相同，電子束之點徑設為0.2nm。分別對100個以上之第二相粒子(即析出物)測定Co/Ni濃度比。其後，算出平均值及標準偏差，而求出變異係數(標準偏差/平均值×100)。

發明例1~23均是0.2%保證應力為650MPa以上，導電率為50%IACS以上，彎曲部之表面粗糙度為1.0μm以下，而為良好；並且析出物中Co/Ni濃度比之變異係數亦為20%以下，平衡性良好。該等銅合金材料可謂高強度、高導電率、較高之彎曲加工性之平衡性優異者。

比較例1~15分別係：被認為無法充分地控制第二相粒子之析出之具體例。

比較例1係固溶處理時之升溫速度小於50℃/s之具體例，又，比較例2係固溶處理時之冷卻速度小於50℃/s之具體例。可知比較例1、2均為析出物中Co/Ni濃度比之變異係數成為20%以上，而難以發揮充分之彎曲加工性。

比較例3、4係於固溶處理時對合金材料賦予之張力過小之具體例(比較例3)及過大之具體例(比較例4)。可知其結果為，析出物中Co/Ni濃度比之變異係數成為20%以上，而難以發揮充分之彎曲加工性。

比較例5係銅合金之成分中之Co含量小於0.5質量%之具體例。可知若Co含量較小，則無法確保認為有助於強度之粒徑5~30nm析出物之個數濃度中充分之量，結果難以發揮充分之強度。

比較例6係銅合金之成分中之Co含量大於3.0質量%之具體例。可知若Co含量較大，則難以發揮充分之導電率及彎曲加工性。

比較例7係於銅合金中不含有Ni，即Ni含量小於0.1質量%之具體例。可知若Ni含量較小，則難以發揮充分之彎曲加工性。

比較例8係銅合金之成分中之Ni含量超過1.0質量%之具體例。可知若 Ni含量較大，則難以發揮充分之導電率及彎曲加工性。

比較例9係銅合金之成分中之Ni/Co質量比小於0.1之具體例。可知若該質量比較小，則難以發揮充分之彎曲加工性。

比較例10係銅合金之成分中之Ni/Co質量比大於1.0之具體例。可知若該質量比較大，則難以發揮充分之導電率及彎曲加工性。

比較例11、12係銅合金中之(Co+Ni)/Si質量比過小之具體例(比較例11)及過大之具體例(比較例12)。若(Co+Ni)/Si質量比未處於適當之範圍內，則成為如下結果，即粒徑5~30nm之析出物之個數濃度變得不足，而就強度及彎曲加工性兩者之方面而言較差。

比較例13係Ni、Co、Si以外之第三添加元素之總量超過1.0之具體例。若第三添加元素過多，則成為如下結果，即析出物中之Co/Ni濃度比之變異係數成為20%以上，而於彎曲加工性之方面上較差。

比較例14、15係於固溶處理時對合金材料賦予之張力較大之具體例。

比較例14係代表專利文獻1之態樣之具體例。可知析出物中Co/Ni濃度比之變異係數成為20%以上，而難以發揮充分之彎曲加工性。

比較例15係進而使固溶處理時之於600~700℃之間之升溫速度及冷卻速度分別小於50℃/s即代表專利文獻2之態樣的具體例。可知析出物中Co/Ni濃度比之變異係數成為20%以上，而難以發揮充分之彎曲加工性。

Claims (8)

1. 一種電子零件用Cu-Co-Ni-Si合金，其含有0.5~3.0質量%之Co及0.1~1.0質量%之Ni，並以Ni相對於Co之濃度(質量%)比(Ni/Co)成為0.1~1.0之方式進行調整，且以(Co+Ni)/Si質量比成為3~5之方式含有Si，並且剩餘部分由Cu及不可避免之雜質所構成，對至少100個第二相粒子進行測定而獲得之Co相對於Ni之濃度比(Co/Ni)之變異係數為20%以下。
2. 如申請專利範圍第1項之電子零件用Cu-Co-Ni-Si合金，其進而含有總計最大為1.0質量%之選自Fe、Mg、Sn、Zn、B、P、Cr、Zr、Ti、Al及Mn之群中至少1種。
3. 如申請專利範圍第1項之電子零件用Cu-Co-Ni-Si合金，其中，粒徑為5~30nm之第二相粒子之個數之平均為3.0×10⁸個/mm²以上。
4. 如申請專利範圍第2項之電子零件用Cu-Co-Ni-Si合金，其中，粒徑為5~30nm之第二相粒子之個數之平均為3.0×10⁸個/mm²以上。
5. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之電子零件用Cu-Co-Ni-Si合金，其與壓延方向平行之方向上之0.2%保證應力為650MPa以上，且導電率為50%IACS以上。
6. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之電子零件用Cu-Co-Ni-Si合金，其以彎曲半徑(R)/板厚(t)=1.0之方式，於Badway(彎曲軸與壓延方向為相同方向)進行W彎曲試驗時，彎曲部表面之平均粗糙度Ra為1.0μm以下。
7. 如申請專利範圍第5項之電子零件用Cu-Co-Ni-Si合金，其以彎曲半徑(R)/板厚(t)=1.0之方式，於Badway(彎曲軸與壓延方向為相同方向)進行W彎曲試驗時，彎曲部表面之平均粗糙度Ra為1.0μm以下。
8. 一種電子零件，其具備申請專利範圍第1至7項中任一項之電子零件用Cu-Co-Ni-Si合金。