TW200901397A - Thermosetting die bond film - Google Patents

Description

if η υ 200901397 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是關於-種熱硬化型黏晶膜以及具備此 型黏晶膜的切割黏晶膜，更詳細而言，本發 ς更化 將半導體“軸_餘或者導線料抛上:餐 =r化型黏晶膜、以及具備咖咖晶< 【先前技術】 先二，，於半導體裝置的製造過程中向導線架或者· 部件固著半導體晶片時是使用銀漿料（卿小=麵 ί^Γ方:將漿料狀黏接劑塗佈於導線架的ΐ 片墊（che pad)等之上，於其上搭載 7曰曰 料狀黏接劑層硬化。 戰牛$體曰日片，亚使漿 但是，漿料狀黏接劑由於其黏度行為 塗佈量或者塗佈形狀等方面產生較大的=二= 的漿料狀黏接劑厚度變得不均勻，因此 =成 ;固=，㈣，若漿料狀 碎J t 片與電極部件之間的固著強度變低，於後 =一=接合（wire bGnding)步驟中半導體晶片會剝離。 劑;占接劑的塗佈量過多，則漿料狀黏接 二ΐί 片上而產生特性不良，良率或者可靠性 嗅理中的問題隨著半導體晶片的大型化而 量因此’必須頻繁控制裝料狀黏接劑的塗佈 攸而對刼作性或者生產性造成障礙。 5 Ο ϋ 200901397 27348pif 於此水料狀_劑的塗 漿料狀黏接劑塗備於道綠知有才j用具他途仫知 9 , 士古、、ϋ ;導線木或者形成晶片上的方法。但 =將碰襞料狀黏接劑層的均勻化_，另外，塗 佈水料狀部占接劑必需特殊 種切割黏晶膜，A _因此’揭不有一 (▲)，並且賦讀；^步财黏接保持半導體晶圓 如、 茶知、日本專利特開昭60-57342號公 報）。 健2 ^日日膜是於支持基材上依次積層黏著劑層以及 二狀者。即’於利用黏接劑層保持半導體晶圓 圓進行切割後，延伸支持基材而將晶 隹ί +與黏接劑層—同剝離，分別將其回收。 接體上。 θ而m卫件目著於導線架等被黏 另方面，用於固者半導體晶片的 ==:黏接膜。就針對== 大的被黏接體，提昇其密凹：高低差較 晶膜使用炫融黏度小的黏接膜。 。纟…、硬化型黏 3 ,若，黏度過小，則存絲接劑從黏晶膜參出 =基板、+—體晶片等的問題。另—方面， =，則存在對麵體的密著性劣 (void)的問題。 π丨泉 【發明内容】 200901397 27348pif 本發明是馨於上述問題而完成者，其目的在於提供— 種與被黏接體的密著性優異，且不會因黏接劑的渗出而、、亏 2 =半導體晶片的熱硬化型黏晶膜；以及具備此熱 硬化型黏晶膜的切割黏晶膜。 曰★本案發明人等為解決上述_的問題，對熱硬化型黏 f膜以及具備此熱硬化型黏日$膜的切割黏晶膜進行了研

究。結果發現藉由採用下述構成，可實現上述目的 完成本發明。 H 即，本發明之熱硬化型黏晶膜是在製造半導體裝置時 =使用的熱硬化型黏晶膜，其特徵在於：含有5(重 量百分比）〜15 Wt%之熱可塑性樹脂成分以及45 wt%〜55 /〇之熱硬化性树脂成分作為主要成分，且熱硬化前於 c下的溶融黏度大於等於4GGPa.s且小於等於测 根據上述構成，將熱可塑性樹脂成分的下限設為5 熱硬化崎脂齡的上限設為55祕，使上述黏 日日膜在熱硬化前於10(rc下的溶融黏度大於等於彻Μ· S’因此對基板等被黏接體的密著性良好。結果，可於鱼美 板或者導線架等被黏接體的黏接面上，減少孔隙的產生二 =f面，將熱可塑性樹脂成分的上限S〗5 _ %，將数硬 化性树脂成分的下限為45_%，使上述縣黏度小於等於 s，因此可抑制黏接劑成分等自黏晶膜參出、。結 果，I防业對基板或者固著於基板上的半導體晶片的污染。 父好的是上述黏晶膜在熱硬化後於25〇t下的拉伸館 存彈性模數大於等们0MPa。藉此，例如即便對固著於熱 7 200901397 27348pif 硬化型黏晶膜上的半導體晶片 由於超聲波振動或者加熱而於時，亦可防必 上產生滑動變形。結果 心接二被‘接體的黏接面 功率提昇良率而製造半以置 的成 mi的===進行的熱硬化後於的、 %。_的財率錯料1重量 步驟^㈣7’r小於等於1重量％，例如可防止在回焊 =i(package)上產生裂痕“峰 熱！：時後::::加i所進行的熱硬化後於2，c下加 喊小旦 Μ重里減少罝小於等於1重量°/。。藉由使重量 於等於1重量％，例如可防止在回焊步雜中於封 裝上產生裂痕。 另外本發明之切割黏晶膜，為解決上述課題，其特 1 =·雜著膜上積層上述熱硬化型黏晶膜。 本發明利用上述說明的方法，而發揮如下所述的效果。 〜即，。根據本發明之熱硬化型黏晶膜，藉由含有5 wt〇/〇 〇之熱可塑性樹脂成分以及45 wt%〜55 之熱 硬H生樹脂成分作為主要成分，且使熱硬化前於1(Krc下 白^融黏度大於等於4〇〇Pas且小於等於25〇〇pa· s，而 f高對被黏接體的密著性，並防止孔隙之產生，益直抑制 f接劑成分滲出，而防止半導體晶片等的污染。結果，可 4率地製造可靠性較高的半導體裝置。 〆為讓本發明之上述和其他目的、特徵和優點能更明顯 易廑下文特舉實施例，並配合所附圖式，作詳細説明如 200901397 27348pif 下。 【實施方式】 (熱硬化型黏晶膜） .晶膜之熱硬化型黏晶膜（以下，稱為「黏 -以及上Μ膜含有5 Wt%〜15請。之熱可塑性樹脂成分 八及5 wt/() = 55糾％之熱硬化性樹脂成分作為主要成 〇 ’ ’上述黏晶膜崎融赌，在熱硬化前於i〇〇t： 下為400 Pa· s〜25()() pa· s，更好的是辦a· s〜2〇 S 0 ，上34熱可塑性樹脂成分的下限設為5痛，將數硬 脂成分的上限設為55 wt%，藉此上述黏接膜在熱硬 刖；00C下的熔融黏度大於等於5〇〇pa.s。結果，可 ，黏^膜對被黏接體的密著性良好。另—方面，將熱可塑 =成㈣上限設為15wt%，將熱硬化性樹脂成分的下 义°又:’、、45 Wt/°，藉此上述熔融黏度小於等於2000 Pa · s。 /結果’抑制黏接劑成分等自黏晶膜滲出，結果可防止對美 —板、半導體晶片等的污染。 」防止對基 ’上述黏晶膜在熱硬化後於250〇c下的拉伸儲存 手，無數較好的是大於等於川MPa，更好的是ls MPa〜 二存彈性模數的調整例如可藉由調整無機 真充的添加置而進行。 =述^膜在熱硬化後於蚊、S5〇/〇rh之環境下放 小知後的吸濕率較好的是小於等於1 wt。/。。藉由使 9 200901397 27348pif 吸濕率小於等於〗赠 裝體上產生裂痕。吸濕率敕可防止於回痒步驟中在封 制的添加量而進行。 D主例如可藉由調整無機填充 在藉由加熱所進行的 後的重量減少量較好的^=後’於25(TC加熱j小時 少量小於等於】对％，例如，、^於1 Wt%。藉由使重量減 體上產生裂痕。重量減少=止於回焊步驟令在封裝 充劑的添加量而進行。 **正例如可藉由調整無機填 本實施形態之黏晶膜， 層構成的黏接片、或者於核」 ，=·僅由黏接劑層單 黏接劑層的多層結構的黏接片"早面或者兩面形成有 口膜，酿亞胺薄膜:聚=述 S夂乙—酯潯胺、聚萘二甲酸 守肤來對本—甲 等）、經破璃纖維或者塑膠製不^纖η、聚碳酸醋薄膜 基板或者玻璃基板等。另外，二' ’、、的樹脂基板、石夕 體化的薄膜。、’、可使用黏晶膜與切割膜一 異戊脂稀:r:天嶋、丁基橡膠、 乙稀-酯共聚物、 樹脂、熱可塑性聚酿亞== 荨先和聚齡m、聚n胺醯亞胺樹脂 — ==旨可單獨使用，或者併用=種： 二:;熱樹脂中，特別好的是離子性雜謝^ 、且可確料導體元件之可紐㈣烯酸樹脂。 200901397 27348pif 上述丙稀酸樹脂並無特別限定，可列舉：以呈有碳數 小於等於30、尤其是碳數為4〜18之直鏈或者支鏈之院基 的丙烯酸或者曱基丙烯酸之醋的一種或者兩種或兩種以1 作為成分的聚合物專。上述烧基例如可列舉：曱某、乙美 丙基、異丙基、正丁基、第三丁基、異丁基、戊土基、“ 基、己基、庚基、環己基、2-乙基己基、辛基、異辛美 壬基、異壬基、癸基、異癸基、十一燒基、月桂基、$三 烧基、十四烧基、硬脂基、十八燒基、或者十二絲等。 另外，形成上述聚合物的其他單體並無特別限定 列舉：丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧乙醋、丙烯酸

It衣Ϊ酸、順丁稀二酸、反丁稀二酸或者丁烯酸等 各種含有羧基之單體，順丁烯二酸酐或 、(甲 =(甲基)丙_ 4•經丁酉旨、（甲基)丙稀酸㈣ 丙稀酸8·經辛醋、（甲基)丙_ 1G令癸§旨、%二= Ο 種含有歸之單體，紅料i、n己f)代等各 ㈣酿胺-2·甲基丙續酸、㈣)丙^2_㈣） 蝴權基“;is: •化、胺基樹脂、不 熱-咐越亞職等。這些樹以== 200901397 用兩種或者兩種以上^特別好的是較好含有使半導體元件 腐蝕之離子性雜質等的環氧樹脂。另外，環氧樹脂的硬化 劑較好的是酚樹脂。 上述環氧樹脂若是通常用作黏接劑組成物的環氧樹 月曰’則並無特別限定，例如可使用：雙紛A型、雙齡f型、 ·· 雙酚S型、溴化雙酚A型、氫化雙酚A型、雙酚AF型、 -- 聯苯型、萘型、芴型、苯酚酚醛清漆型、鄰甲酚酚醛清漆 ，三二羥苯基甲烷型、四酚基乙烷型等雙官能環氧樹脂或 ( 多官能環氧樹脂，或者乙内醯脲型、三縮水甘油基異氰尿 酸酯型或縮水甘油胺型等環氧樹脂。這些環氧樹脂可單獨 使用，或者併用兩種或者兩種以上。這些環氧樹脂中，特 別好的是酚醛清漆型環氧樹脂、聯笨型環氧樹脂、三羥笨 ，甲，型樹脂或者四盼基乙烧型環氧樹脂。其原因在於， 攻些裱氧樹脂與作為硬化劑的酚樹脂的反應性強，且 性等優異。 I、 進而，上述酚樹脂作為上述環氧樹脂的硬化劑而發 #，例如可列舉··細祕清漆躺、苯料絲樹脂、 • 清漆樹脂、第三丁基_祕清漆樹脂、壬基笨 酉分祕清漆樹脂等祕清漆型_脂，可溶紛^ (resole)型酚樹脂，聚對羥基笨乙烯等聚氧苯乙 ^ 些驗樹脂可單獨使用，亦可併用兩種或者兩種以上。= 別好的是苯紛祕清漆樹脂、苯盼芳燒基樹 、、原，在於，可提高半導體裝置的連接可靠性。 上述環氧樹脂與酚樹脂的調配比例，例如較好的是以 12 200901397f -丄--·ΐ 式加以調配：相對於上述環氧樹脂成分中的每i當 罝％氧基，酚樹脂中之羥基為〇 5當量〜2 〇當量。 二 是’ 0·8當量〜L2 #量。即，其原因在於，若兩者的調配 比例起出上述範’貞彳未進行充分的硬化反應 炉 硬化物之特性易於劣化。 虱树月曰 =外，於本發明中，特別好的是含有環氧樹脂、紛樹 月曰以及丙烯酸樹脂的黏晶膜。這些樹脂的離子性雜 耐熱性高，錢可確保半導體元件的可靠性。此情形^ 调配比為，相對於丙烯酸樹脂成分100重量份，環氧樹月t 與酚樹脂的混合量為10重量份〜200重量份。 s'曰 在預先使本發明之黏晶膜進行某種程度的交聯時，較 好的是在製作時，添加與聚合物的分子鏈末端的官能基等 反應的多官能性化合物作為交聯劑。藉此，可提昇高&下 的黏接特性，謀求改善耐熱性。 门酿 a上述交聯劑可採用先前眾所周知的交聯劑。特別好的 疋甲本一異氰酸®曰、二苯基曱烧二異氰酸I旨、對苯二異 S醋、1，5·萘二異氰酸g旨、多元醇與二異氰酸㈣加成 物等聚異氰酸酯化合物。相對於上述聚合物1〇〇重量份， 父聯劑的添加量通常較好的是設為0.05重量份〜7 ^量 份。若交聯劑的量多於7重量份，則黏接力下降，故欠佳里 另方面，条少於〇·〇5重量份，則凝聚力不足，故欠佳。 另外，可在含有此種聚異氰酸酯化合物的同時，視需要含 有環氣樹脂等其他多官能性化合物。 另外，黏晶膜中可視其用途而適當調配無機填充劑 13 200901397, (filler)。藉由調配無機填充 熱性，且可調節彈性率 予導電性或者提高導 二獅、黏土丄無，充錄^ 鈹、碳化石夕、氮切^ ^ '硫酸鎖、氧化紹、氧化 氣化石夕4陶瓷類，鋁、銅、鈒、八 鉛、錫、鋅、鈀、烊錫等 ㈤i、鎳、鉻、 的各種無機粉末。這些填充 或者兩種以上。其中可較好地使用二氧切或 = ::=填充劑的平均粒徑較好的是π 調』= = = 上述無機填充劑的 ，別好的是超二 於下的拉伸儲存彈性模數大於等於i〇Mpa 重量份，無機填充劑 的调配置缺的是設為大於等於1G重量份，於拉伸儲存彈 Ο 等於廟MPa之情形時，相對於有機樹脂成分 重里伤，無機填充劑的調配量較好的是設為小於 100重量份。另外，於重量減少量小於等於i wt%之情形 時，無機填充劑的調配量較好的是相對於有機樹脂成分 100重量份’超過〇重量份。 另外黏bb膜中，除上述無機填充劑以外，可視需要 而適當調配其他添加劑。其他添加劑例如可列舉：阻燃劑、 矽烷偶合劑（silanecouplingagent)或者離子捕捉劑 trapping agent)等。 14

200901397 27348pif 上述阻燃劑例如可列舉··二 ^ ,, 環氧樹脂等。這此—氧匕銻、五氧化銻、溴化 兩種以上 可單獨使用，或者兩種或者 基三合劑!如可列舉:娜-環氧環己基)乙 -縮水甘油'^其1 縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、？’ 獨使用基甲基二乙氧基矽烷等。這些化合物可單 獨使用，或者併用兩種或者兩種以上。 早 類、ΐΐ::?捉劑例如可列舉:水滑石 兩錄U，轉。這些離子捕捉劑可單獨使用，或者併用 兩種或者兩種以上。 q昨用 黏阳朗厚度（積層體之情形時為總厚度）並無 =疋’例如為5㈣〜100㈣左右’較好的是5 _〜 川左右。 (半導體裝置的製造方法） &下面’對使用本實施形態之黏晶膜的半導體裝置的製 ^方去加以綱。目丨是表示經由黏日日日膜而封裝半導體元 件之例的剖面示意圖。 、本實施形態之半導體裝置的製造方法具有以下步驟： =黏晶膜3a將半導體晶片（半導體元件）$固著於被黏接 體（基板或者導線架，以下僅稱為被黏接體）6上的固箸 步驟’不經過加熱步驟而進行打線接合的打線接合步驟。 進而具有：以密封樹脂8密封半導體晶片5的密封步驟； 對此岔封樹脂8進行後硬化的後硬化步驟。 上述固著步驟如圖1所示，是經由黏晶膜3a將半導體 25 200901397 27348pif 日日月5固著於很Φ&按m 熱黏晶膜3而使之熱硬化，將半導體晶片 ，精由加 黏接體6上，提高耐熱強度。加熱條件較好^固定於被 80t〜18CTC的範圍内，且加熱時間為〇.〗〜24 $ 士溫度為 的是0.1〜4小時，，好的是(U〜！小時的範圍二另車二好 將半導體晶片5固著於被黏接體6上的 以下方法：於被黏接體6上積芦勒b膜 $ 可列舉 預增黏日日膜3a後，於斑曰腊

Ο 3a上，以打線接合面成為上側之方式依次 導：曰曰曰： 5一而使半賴W 5 ϋ著。料，亦可將預細g = 膜3a的半導體晶片5固著並積層於被黏接體6上。日日 另外，於本發明中，可不使黏晶膜3a熱硬化 時固著於被黏接體6上。其後，亦$ 暫 — ，、傻亦了不經過加熱步驟而進 仃打線接合，進而以_樹脂將半導體晶W封 密封樹脂後硬化。將半導體；5暫_著於麵接體6 上的方法，例如可列舉如下方法：於_接體虹積層黏 ，3a後’於黏晶膜3a±，以打線接合面成為上側：方 式依次積層半導體晶片5 *使半賴U 5暫時固著 外，亦可將預先暫時固著有黏晶膜3a的半導體晶片5暫 固著並積層於被黏接體6上。 上述基板可使用先前眾所周知的基板。另外，上述導 線木可使用：銅導線架、42合金導線料金屬導線架或 ^破璃環氧_ ' BT (雙馬來醯亞私三嗪）、聚酿亞胺 專的有機基板。絲，本發㈣非限定於上述基板，亦包 括可封裝半導體元件、與半導體元件電性連接而使用的電 16 200901397 27348pif 路基板。 上述黏晶膜3a使用暫時固著時的剪切黏接力對於 黏接體6為大於等於0.2 MPa的黏晶膜，更好的是使用'〇 MPa〜】〇 MPa之範圍内的黏晶膜。黏晶膜允的剪切★占接 衫少大於等於0.2 MPa，因此即使不經過加熱步驟_ 仃打線接合步驟，亦不會因為此步驟中之超音波振動或加 熱，而於黏晶膜3a與半導體晶片5或者被黏接體6的 Ο Ο f產生滑動變形。即，半導體轉不會因打線接合時的超 音波振動而移動，藉此，可防止打線接合的成功率下降。 上述打線接合步驟是將被黏接體6的端子部（内部引 線）的前端與半導體晶片5上的電極墊（未圖示）以接合 線7電性連接的步驟。上述接合線7例如可使用金線、: 線或者銅線等。進行打線接合時的溫度為8〇t〜250。(：， 較好的是於8(TC〜220t：的範圍内進行。另外，打線接合 的加熱時間為數秒鐘〜數分鐘。結線是在加熱至上述溫度 範圍内之狀態下，藉由併用超音波所產生的振動能量:= 壓所產生的壓接能量而進行。於上述暫時固著之情形時， 不經過加熱步驟而實施本步驟。 士可不藉由黏晶膜3a進行固著而實行本步驟。於此情形 時，於本步驟之過程中，並不藉由黏晶臈3a將半導體晶片 5與被黏接體6固著。此處，黏晶膜3a的剪切黏接力即使 於80 C〜250 C的溫度範圍内’亦必須大於等於〇.2 MPa。 其原因在於：若於此溫度範圍内剪切黏接力小於〇 2 Mpa , 則半導體元件會因打線接合時的超音波振動而移動，從而 17 200901397 27348pif 無法進行打線接合，導致良率下降。 上述密封步驟是藉由密封樹脂8而密 曰 的步驟。實施本步驟的目的是為了保護 ^5 上的半導體晶片5或者接合線7。本步驟是使用2 = 封用樹脂成型而進行。密封樹脂8例如使 、:冶 樹脂密封時的加熱溫度，通常於175。 衣虱糸樹脂。 本發明並不限定於此，例如可於二二ζ;9。 硬化。藉此使密她旨硬化，並且於上述暫 即可黏晶膜3a固著半導體晶= 硬化+^ ;本毛明中，即使於不進行後述之後 間的縮步驟數的減少以及半導體裝置的製造時 密封樹月旨驟中’使;^述密封步驟中硬化不足的 Ο 而固著時，= 即使於密封步驟中不藉由黏晶膜3a 藉由龜晶心可於本步驟中與密封樹脂8的硬化一同進行 的種類而有/的固著。本步驟中的加熱溫度根據密封樹脂 時間為05 f ± 5，例如為165°c〜185。〇的範圍内，加熱 另外小¥〜8小時左右。 用於積層多個1之切剎黏晶膜如圖2所示，亦可較好地 表示經由為曰^^體晶片而進行立體封裝之情形。圖2是 圖。於圖2所/而立體封裝半導體晶片之例的剖面示意 晶片相同之:之立體封裝之情形時，首先將以與半導體 、切出的至少―片黏晶膜3a固著於被黏接 18 200901397 27348pif 體6上，然後經由黏晶膜3a，以半導體晶片5之打線接合 面成為上歉方朗著半導體^ 5。接著，將避開半導 ，晶片5的電極墊部分而固著黏晶膜13。其後，以其他半 =體晶片15之打線接合面成為上侧之方式，將其他半導體 =片15固著於黏晶膜13上。於此步財，藉由加熱黏晶 ^如、13而使之熱硬化，從而將半導體晶片黏接固定，提 η

〜</、、。、強度> 加熱條件與上述相同，較好的是溫度為80°C =〇〇°c的範圍内，且加熱時間於01小時〜24小時的範 it]内。 而僅ί ΐ，±於本發日月中，亦可並不使黏晶膜3a、13熱硬化， =疋暫咖著。其後，亦可秘過加鮮_進行打線 4後=以密封樹脂將半導體晶片密封 ’使此密封樹脂 趙晶=、’進行打線接合步驟。藉此，以接合線7將半導 發6 其他半導體晶片15之各自的電極墊與被黏接 力^二;施=驟於上述暫時固著之情形時 封步::後使SI:由，封樹脂8密封半導體晶片5等的密 情形時，蕤由斑曰' 知硬化。與此同時，於上述暫時固著之 之間固著:另/卜阳膜/a而使被黏接體6與半導體晶片5 他半尊B y k亦藉由黏晶膜Π而使半導體晶片5與其 化步驟。 之間固者。另外，密封步驟後可進行後硬 吏；半W晶 >;之立體封裝之情料，亦無需藉由 19 200901397 27348pif BBm 的簡化以及良率的提昇：處二故而可謀求製造步驟 且半導體晶片5以及A他料^接體6不會產生龜曲， 而可實現半導體元件之進iJd15不會產生裂痕，故 片門3所示’亦可為經由黏晶琪而於半導體曰 由黏晶膜而立趙封裝兩個。由間隔物並藉

C o 於圖3所示之立體封之 上依攻笋®、，门丨月〜时’百先於破黏接體6 膜2〗、黏曰曰膜W Μ依次積層並固著間隔物9、黏晶 熱黏晶膜3VJ二=體晶片,5。於此步驟中，藉由加 度。加熱化杜$ 、、…硬化並黏接固定，提高耐熱強 的範圍内二力、’較好的是溫度為8〇t〜2〇〇t 另外上間為〇.1小時〜24小時的範圍内。 而僅是暫時固t發日it亦可並不使黏晶膜如、21熱硬化， 接合，接著亦可不經過加熱步驟而進行打線 進行後硬化。^、Μ曰將半導體晶片密封，使此密封樹脂 導體晶^ 5的f 3所不’進行打線接合步驟。藉此，將半 另外，於上5墊?被黏接體6以接合線7電性連接T 本步驟。^ _著之情料’不經過加熱步驟而實施 步驟1贫=藉由密封樹脂8密封半導體晶片5的密封 山封細脂8硬化，與此同時，於上述暫時固著之 20 200901397 27348pif 情形時’藉由黏晶膜3 a、2!而使被黏接體 5之間、以及料體晶片5與間隔物9之間固著=片 崎驟較好的是僅對半導體晶請 進订早面岔封的-併密封法。進行密封之目的是為了保護 在黏著片上的半導體晶片5，代表性的密封方法是使 樹脂8並使之於模具中成型。此時，通常使用多個 c o 行密封步驟。樹脂密封時的加熱溫度 g 的範步驟後，亦可進行後硬化步= 眾所周知的石夕晶片、聚酿 :如先刖 前眾所周知的核心材料。’可使用先 醯亞胺薄膜、聚醋薄膜 ：，用溥膜（例如聚 二甲酸乙二酯薄膜、聚二丄f-甲酉夂乙二酯溥膜、聚萘 膠製不織纖維強化的樹^士曰薄膜等）、經玻璃纖維或者塑 玻璃基板等。 如日基板、鏡面㈣圓、⑦基板或者 而經由埋入有续所:’亦可為不使用上述間隔物9， 體晶片5的立體;裝黏晶膜而積層有多個半導 藉由點晶肋而^^1FlmonWire))。圖4是表示 意圖。 體封裝兩個半導體晶片5之例的剖面示 於圖4所示之立雜私壯 上依次積層並暫時形時，首先於被黏接體6 者姑日日膜3a以及半導體晶片5。接 200901397 27348pif 著，不進行加熱步驟，如圖4 藉此，將半導體晶片5 合步驟。 電性連接。 /、被‘接體6以接合線7 著的= ?晶片5上積層預先積層並暫時固 部'形成接合線7的一 行打線接合步驟。 相進仃熱硬歸驟後，進 Ο 之後’進行藉由密封樹月旨8密 步驟，使密封樹脂8硬化，盘千¥體曰曰片5的讀 使被黏接體6與半導體晶m^ m 3a、22 述相同，於此带能主 *封步称的條件與上 化步^。於此开4之情形時，亦可於密封步驟後進行後硬 勒著接Ϊ面ίΪ刷線路板上將上述半導體封裝體進行表面 線路板:== = :列舉回焊，即，預先於印刷 加熱方法可列舉:轨風』焊==熱溶融而進行焊接。 整體加熱、局部加:二二卜線等。並且，可為 24(ΓΓ〜9价式。較好的是加熱溫度為 ’加熱時間為1秒〜2G秒的範圍内。 C其他事項） 於上述基板等上立體封裝半導體 有電路之面側，形成緩衝塗二此= 耐熱樹脂的薄^舉·鼠化石夕賴或者包含聚醯亞胺樹脂等

Ο 200901397 27348pxf 另外’於進行半導體元件之立 用的黏晶膜並非限定於包含相心以h谷认所使 條件或者驗㈣進行適#變2、錢之_，可根據製造 二,施形態中’對如下態樣加以闡述，即， :基”土積層多個半導體元件後，—併進行打線 驟，但本發明並非岐於此«。例如，亦可於每次將丰 導體几件積層於基板等上時，進行打線接合步驟。、 以下，舉例詳細說明本發明之較佳實施例。发中，此 實施例巾_私射核者舰鮮，只要無^性的揭 不，則本發明的範圍並非限定於此，僅為說明 “份，，是表示“重量份”。 卜 (實施例1 ) 才對於100重里份以丙烯酸乙醋_甲基丙稀酸甲酉旨為 主要成分的丙烯酸g旨系聚合物（根上工業股份有限公司製 造’ PARACRON W-197CM)，而使228重量份環氧樹脂] (JER股份有限公司製造，Epikote 10〇4)、206重量份環 氧樹脂2 (JER股份有限公司製造，Epik〇te防）、46= 量份酚樹脂（三井化學股份有限公司製造， XLC-4L)、667重量份平均粒徑〇 5 的球狀二氧化矽 (ADMATECHS股份有限公司製造’ s〇_25R)、3份硬化 觸媒（四國化成股份有限公司製造，⑶_z)溶解於甲基 乙基酮中，製備》辰度為23.6 wt%的黏接劑組成物。 將此黏接劑組成物溶液塗佈於由經有機矽脫模處理之 厚度為50 之聚對笨二甲酸乙二酯薄膜所構成的脫模 23 200901397 27348pif 處理薄膜（剝離襯墊）上，然後於i3(rc下乾燥2分鐘。 藉此，製作厚度為40 /zm的黏晶膜A。 (實施例2) 相對於100份以丙烯酸乙醋-曱基兩烤酸甲酉旨為主要 . 成分的丙烯酸酯系聚合物（根上工業股份有限公司警造， ' PARACRON W-197CM)，而使144份環氧樹脂！ ^股 份有限公司製造，Epikote 1004)、130份環氣樹脂2 ( JER n 股份有限公司製造，Epikote 827)、293份酚樹脂曰（三井化 學股份有限公司製造，Milex XLC-4L)、444份球狀:氧化 矽（ADMATECHS股份有限公司製造，S〇_25R)、2份硬 化觸媒（四國化成股份有限公司製造，Cll_z)溶解^甲 基乙基酮中，製備濃度為23.6 wt%的黏接劑组成物。、 _將此黏接劑組成物之溶液塗佈於作為剥離襯墊的由_ ^機矽脫模處理之厚度為50 //m之聚對笨二甲酸乙二= 薄膜所構成的脫模處理薄膜上，然後於13〇ΐ下乾燥I二 、 ‘’藉此獲得厚度為40 # m的黏晶膜Β。 j (實施例3) ； 相對於100份以丙烯酸乙酯-曱基丙埽酸甲酯作為主 ’ 要成分的丙烯酸酯系聚合物（根上工業股份有^公^制 乂 ’ PARACRON W-197CM)，而使 101 份環氧樹脂= 股份有限公司製造，Epikote 1004)、92份環氣樹脂 股份有限公司製造，Epikote 827)、206份酚樹脂（： 學股份有限公司製造，]ViilexXLC-4L)、333份球狀"IV 矽（ADMATECHS股份有限公司製造，Sa25R)、！ 24 200901397 ^/348pif 硬化觸媒（四國化成股份有限公司製造，cn_z)溶解於 甲基乙基酮中，製備濃度為23.6 wt%的黏接劑組成物。 將此黏接劑組成物之溶液塗佈於作為剝離襯墊的由經 有機矽脫模處理之厚度為50私瓜之聚對笨二甲酸乙二酯 薄膜所構成的脫模處理薄膜上，然後於13(rc下乾燥2 ^ 鐘’藉此獲得厚度為40 //m的黏晶膜C。 (實施例4) 相對於100份以丙婦酸乙酯-〒基丙埽酸曱酯作為主 要成分的丙烯酸酯系聚合物（根上工業股份有限公司製 造，PARACRON W-197CM)，而使76份環氧樹脂】（J£r 股份有限公司製造，Epikote 1004)、69份環氧樹脂2 ( JEr 股份有限公司製造，Epikote 827)、155份酚樹脂（三井化 學股份有限公司製造，Milex XLC-4L )、267份球狀二氧化 碎（ADMATECHS股份有限公司製造，s〇_25R)、12份 硬化觸媒（四國化成股份有限公司製造，cu_z)溶解: 甲基乙基酮中，製備濃度為23.6 wt%的黏接劑組成物。 將此黏接劑組成物之溶液塗佈於作為剝離襯墊的由絲 有機矽脫模處理之厚度為50 聚對苯二甲酸乙二酉 薄膜所構成的脫模處理薄膜上，然後於13〇t：下乾燥2 ^ 鐘’藉此獲得厚度為40 的黏晶膜d。 (比較例1 ) 相對於100份以丙烯酸乙酯-曱基丙烯酸甲酯作為主 要成分的丙稀酸醋系聚合物（根上工業股份有限公司制 造，PARACRON W_mCM) ’而使482份環氧樹脂丄（^ 25

Ο 200901397;f 股份有限公司製造，Epikote 1004 )、436份環氧樹脂2 ( JER 股份有限公司製造，Epikote 827)、983份酚樹脂（三井化 學股份有限公司製造，Milex XLC-4L)、1333份球狀二氧 化發（ADMATECHS股份有限公司製造，s〇_25r)、6份 硬化觸媒（四國化成股份有限公司製造，C11_z)溶解: 甲基乙基酮中，製備濃度為23.6 wt%的黏接劑組成物。、 將此黏接劑組成物之溶液塗佈於作為剝離襯墊的由經 ^機矽脫模處理之厚度為50 之聚對苯二曱酸乙二酯 薄膜所構成的脱模處理薄膜上，然後於下乾燥2八 在里’藉此獲得厚度為40 win的黏晶膜E。 (比較例2) '相對於100份以丙烯酸乙酯-曱基丙烯酸曱酯作為主 =成分的丙稀酸醋系聚合物（根上工業股份有限公司 ==RACRON W_197CM)，而使59份環氧樹脂取 公司製造，EpikGte削4)、53份環氧樹脂2 (= =有、限公司製造，Epik。讀)、121份_旨(三(井化 予叔伤有限公司製造，Milex XLC_4L )、222 紅 石夕（ADMATECHS股份有限公司製造，s〇_25R =化 (:國化成股份有限公司製造，⑶_z)溶解 土』中，製備濃度為23 6 wt%的黏接劑組成物。 將此黏接劑組成物之溶液塗佈於作為剝離 ，脫模處理之厚度為5”m之聚對=== 二_構成的脫模處理薄膜上，賊於⑽ = 鐘’糟此獲得厚度為40 _的黏晶駐。Μ 2刀 26 200901397if (熔融黏度） 對各實施例以及比較例之黏晶膜A〜F在熱硬化前於 1 oo°c下的熔融黏度進行測定。測定使用流變儀(rheometer) (HAAKE公司製造’ RS-1 )’藉由平行板法（parauei piate method)進行。即，自黏晶膜A〜F各採取O.i g作為樣品， 將此樣品裝入預熱至l〇〇°C的板（plate)中。炫融黏度為 測定開始300秒後之值。另外’板間之間隙為〇.丨mm。結 果示於下述表1以及表2。 (孔隙面積）

將各實施例以及比較例之黏晶膜A〜F分別於4〇〇c下 貼合於半導體元件上，以16(TC、0.2MPa、2 s封裳於BGA

基板上。然後，於175°C下加熱1小時，使各黏晶膜A〜F 熱硬化。 接著’以密封樹脂（曰東電工股份有限公司製造， GE-100)進行封裝’製造半導體裝置（TFBGA封裝，i6mm xl6 mmx〇,7 mm，晶片尺寸5 mmx5 mm)。將密封後的半 導體裝置以玻璃切割機切斷，以顯微鏡觀察其剖面，測定 各黏晶膜A〜F與BGA基板之貼合面的孔隙面積。結果示 於下述表1以及表2。 (黏接劑的渗出量） 將各實施例以及比較例之黏晶膜A〜F於4(Tc下貼合 於半導體元件上，以16〇t：、0.2]^^、25封裝於3(^基 板上。使用光學顯微鏡測定此時黏接劑的滲出量。沾 於下述表！以及表2。 27 200901397 27348pif (吸水率的測定） 〜根據於85°C、85。/。RH之恆溫怪濕槽中放置168小時 刖後的重I減少率’對所得黏晶膜A〜F測定熱硬化後的 吸水率。 (重量減少量的測定） Θ根據使用乾燥機於21〇〇C下放置1小時前後的重量減 ^、里對所彳寸‘晶膜A〜F測定熱硬化後的重量減少量。 (拉伸儲存彈性模數） 使用黏彈性測定裝置（Rhe〇metjc Scientific公司製 造’ Solid Analyzer RSn )，於升溫速度UTC/分鐘、頻率1 MHz之條件下’對所得黏晶膜a〜ρ測定熱硬化後的拉伸 儲存彈性模數。 (結果） 根據下述表1以及表2可確認，如比較例1之黏晶膜 E，若熔融黏度為300 Pa · s，則黏接劑的滲出量為較多之 165 “m。並且，如比較例2之黏晶膜F，若熔融黏度為 3500 Pa · s ’則封裝後的孔隙面積為較大之8 9 v〇1%。 另一方面，如實施例1〜4之黏晶膜a〜D，若溶融黏 度分別為500、800、1400、2000 Pa · s，則無黏接劑之參 出’且封裝後的孔隙面積亦極小。由此可知，本實施例之 黏晶膜A〜D，於黏晶步驟中，與半導體元件的密著性優 異，且不會因黏接劑的滲出而污染基板或者半導體晶片。 表1

28 200901397f (體積％) 滲出量(j^r~ ilt^彈性模數（MPa) -^¾¾^ ¾ (wt°/〇 1 v〇i% 土普等於50 "m 小於等於I vol% 小於等於50仁m 15 0.3 0.7 小於^ 1 vol% 小於等於5〇 #πί — __03 0.7 3.0 vol% 小於等於50 _ 11_ 0.4 0.8 Ο ____0.9 表2 ----- -* .......... 占度（Pa · S) 比較例1 - 比較例2 黏晶膜E 300 _舞晶膜F __3500 .孔嚜面稽(體積％) 1 —— - . _! Φ於等於1 vol% 滲出量（"m) 165 βχα -—νυι/〇 小於等於50 徂伸儲存彈性模數（MPa) 25 8 — 〇 e 一 吸水率(wt%) 0.3 咸少量（wt%) 0.5 ~Τ〇 ~~ — 雜本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定 二明、，,任何熟習此技藝者’在不脫離本發明之精神和範 告顏/可作些权更動與顺’因此本發明之保護範圍 田現後附之申請專利範圍所界定者為準。 【圖式簡單說明】 Ο 半導表示經由本發明之—實施形態之㈣膜而封裝 卞等體日日片之例的剖面示意圖。 例的==經由上述黏晶膜而立體封楚半導體晶片之 兩個述黏晶膜，經由間隔物而立體封裝 u千V體晶片之例的剖面示意圖。 F兩Ξΐί表示不使用上述間隔物，藉由黏晶膜而立體封 ^兩個+導體晶片之例的剖面示意圖。 【主要元件符號說明】 3a ' 13 ' 21、22 :黏晶膜 29 2009013 97lf 5、15 :半導體晶片 6 被黏接體 7 接合線 8 密封樹脂 9 間隔物

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Claims (1)

1. 200901397 十、申請專利範圍： 1.一種熱硬化型黏晶膜，其是在製造半導體裝置時所 使用的熱硬化型黏晶膜，其特徵在於： έ有5 wt/〇〜15 wt〇/0之熱可塑性樹脂成分以及45 〜55 wt%之熱硬傾躺成分作為主要成分， 且熱硬化$於1〇〇。(3下的溶融黏度大於等於糊 且小於等於2500 Pa . s。

   Ο 姓μ 2.如申明專利範圍第1項所述之熱硬化型黏晶膜，其 、欲在於.上述熱硬化型黏晶膜於熱硬化後於 拉伸儲存彈性模數大於等於1〇MPa。 3’如申6月專利圍第1項所述之熱硬化型黏晶膜，其 寺徵在於：在利用加熱所進行的熱硬化後，於机、咖 H之環境下經168小時放置_吸鮮小於等於i Wt%。 转：申請專利範圍第1項所述之熱硬化型黏晶膜，立 f在於·在利用力口熱所進行的熱硬化後，於25(TC、加 熱1小時後的重量減少量小於^lwt%。 特徵在於.it 1項所述之熱硬化型黏晶膜，其 旦· 3有'，、、機填充齊卜相對於有機樹脂成分100重 里伤’上述無機填充劑超過0重量份且小於等於8〇重 特汽扼圍f 1項所述之熱硬化型黏晶膜，其 上、<，，、可塑性樹脂成分為丙烯酸樹脂成分，^ '，、、硬化性躺成分為環氧樹脂成分以及_脂成分。 特，二專利耗㈣6項所述之熱硬化型黏晶膜，龙 特被在於··上述縣_旨成分與上述_脂成分的調㈣ 31 200901397 27348pif 例為，相對於上述環氧樹脂成分中的每1當量環氧基，上 述酴樹脂中之羥基為0.5當量〜2.0當量。 8.如申請專利範圍第7項所述之熱硬化型黏晶膜，其 特徵在於：相對於上述丙烯酸樹脂成分100重量份，上述 環氧樹脂成分與上述龄樹脂成分的混合量為10重量份〜 ' 200重量份。 ' 9.一種切割黏晶膜，其特徵在於：如申請專利範圍第 1項所述之熱硬化型黏晶膜積層於黏著膜上。