TW200848362A

TW200848362A - Eliminate release etch attack by interface modification in sacrificial layers

Info

Publication number: TW200848362A
Application number: TW097112440A
Authority: TW
Inventors: Thanh Nghia Tu; Qi Luo; Chia-Wei Yang; David Heald; Evgeni Gousev; Chih Wei Chiang
Original assignee: Qualcomm Mems Technologies Inc
Priority date: 2007-04-04
Filing date: 2008-04-03
Publication date: 2008-12-16
Also published as: EP2129619A2; CN101652317A; WO2008124372A3; WO2008124372A2; US8222066B2; JP2010525379A; CN101652317B; KR20100016195A; US20080311690A1

Description

200848362 九、發明說明：【發明所屬之技術領域】本發明實施例係關於處理下伏犧牲層以在該經處理之犧牲層移除期間及/或之後影響一上覆層及/或該下伏犧牲層之各種特性的方法，其中該上覆層係在該經處理之犧牲層 • 上形成。其他實施例係關於製造含有具有受該處理影響之表面外形之上覆層之微機電系統的方法。

本申請案主張2007年4月4曰申請之名為"TREATING ( UNDERLYING LAYERS FOR CONTROL OF HILLOCK FORMATION IN REFLECTING LAYERS”的美國臨時申請案第60/910,184號之權利，該案之全文以引用方式併入本文中。【先前技術】微機電系統（MEMS)包括微機械元件、致動器及電子元件。微機械元件可利用沈積、蝕刻及或其他可蝕刻掉基板及/或所沈積材料層之若干部分或可添加若干層以形成電 Iy 及機電斋件的微機械加工方法製成。一種類型之MEMS器件被稱為干涉式調變器。本文所用術語干涉式調變器或干 1 涉式光調變器係指利用光學干涉原理來選擇性吸收及/或反射光之器件。在某些實施例中，干涉式調變器可包含一對導電板，其中之一或二者均可全部或部分透明及/或為反射性的且在施加一適當電信號時能夠相對運動。在一特定實施例中’一塊板可包含沈積於基板上之穩定層且另一塊板可包含與該穩定層相隔一氣隙之金屬膜。如本文更詳 130300.doc 200848362 細闡述，其中一塊板相對於另一塊板之位置可改變入射於干^式調變器上的光之光學干涉。該等器件具有廣泛的應用範圍，且在該項技術中，利用及/或改良該等類型器件之特徵以使其性能可用於改善現有產品及製造目前尚未開發之新產品將頗為有益。 * 【發明内容】 ‘ 本文所述系統、方法及器件均具有多個態樣，任一單個 1樣均不能單獨決定其所期望特性。現將對主要性能予以 f 簡要論述，此並不限定本發明之範圍。在考慮該論述，且尤其在閱讀標題為，’具體實施方式”之部分後，人們即可理解本文所述性能如何提供優於其他顯示器件之優點。貝她例提供製造微機電系統（MEMS)器件之方法。該貝施例之方法包括在一基板上形成一犧牲層；對至少一部刀汶犧牲層實施處理以形成一、經處理之犧牲部分，在至少 -部分該經處理之犧牲部分上形成一上覆層；並至少部分 υ 料：經處理之犧牲部分以形成-位於該基板與該上覆層間之工腔，该上覆層暴露於該空腔。該處理可包括氧化該 $牲層及/或將其暴露於氮、氟及氯中之一或多者中。該二腔可為干涉式調變空腔。該經處理之犧牲部分可包括上 Ρ、二處理之犧牲層，且該犧牲層之剩餘部分包含下部基本上未、，、工處理之犧牲層。在與該基板垂直方向戶斤量測之該上 β經處理之犧牲層的深度基本一致。該方法可進一步包括 ^除至少一部分該上部經處理之犧牲層及至少一部分該下邛基本上未經處理之犧牲層，其中該上部經處理之犧牲層 130300.doc 200848362 :速率大於$下部基本上未經處理之犧牲層之姓刻速 =口亥下《本上未經處理之犧牲層可包括鉑。該上部經處理f犧牲層可包括銦氧化物及/或金屬。該金屬可包括 :方法可進—步包括選擇用於對該犧牲層實施處理以 ::經處理之犧牲部分的處理條件，以在至少部分移除該 :…之犧牲部分後可減少上覆銘層中之突丘形成，該方、v匕a在至少部分移除該經處理之犧牲部分後將 MEMS器件暴露於原本誘導突丘之條件中。該方法可進一步包括選擇可@ ^ ^ i ^ ^ 丘數里之處理條件及/或選擇可減小 :尺：之處理條件。該等突丘可包括熱誘導突丘。該原本誘導大丘之條件可包括將該mems器件暴露於高於約 ⑽。C、高於約2〇(rCl或高於約50(TC之溫度下。該方法可進一步包括選擇用於對該犧牲層實施處理以形成經處理犧牲β刀的處理條件’以使上部經處理之犧牲層與下部基本上未經處理之犧牲層之組合厚度與該處理前之犧牲層相比有所增加及/或在至少部分移除該經處理之犧牲部分期間上覆層與經處理之犧牲部分間之黏著程度降低。上覆層可包括聽層及在㈣化層上形成之導電層，該純化層經組態以助於在至少部分移除經處理之犧牲部分期間使該經處理之犧牲部分與導電層分離。該方法可進—步包括選擇用於對該犧牲層實施處理以形成經處理之犧牲部分的處理條件，以提供比該處理前之犧牲層表面平滑之經處理之犧牲部分表面。處理條件可包括仏〇或A處理或二者。對至少一部分犧牲層之處理可包括將該犧牲層之—表面暴露 130300.doc 200848362 於含氧分子或基團。氧可白了匕括離子化氧。對至少一部分犧 =之處理可包括對該犧牲層實施加熱。對至少一部分犧牲=處理可包括將該犧牲層暴露於電装中。該方法可進 :匕括移除基本上所有經處理之犧牲部分。該方法可進 ^ 曰表面暴路於六氟化硫中；並在該經 /、氟化硫處理之表面卜犯# /成上覆層對該犧牲層表面實施處理。該方法可進一步句衽力 /包括在该基板上形成一電極；並在該 “和；上$成犧牲層，其中空腔位於該電極與該上覆層之門:亥方法可進一步包括在該電極上形成-絕緣層。該方 σ、 ν匕括开^成至少、一個將該電極與該上覆層分離之支撐結構。 Ο 在一貝施例令，提供干涉式顯示器件，該器件包括在〃基板上形成之第-電極；位於該第_電極上並與該第一電極基本上平行之可移動第二電極，其中該第二電極包含面向在該第-電極與該第二電極間形成之空腔之經處理表面外形，及在該第一電極與該可移動第二電極間之複數個支撐件，其位於支撐該可移動第二電極之處。該可移動第二電極可包括紹。該可移動第二電極之空腔側的經處理表々面外形對兩溫基本上不敏感。該器件可進一步包括位於該、卜電極上之、纟巴緣層。尚溫可高於約1 〇〇°c、2〇〇°c及/ 或5〇〇 C。该第二電極之空腔側的經處理表面外形可經組態2在暴露於高溫下時具有降低之突丘形成之趨勢。在一些實施例中’提供包含本文所述干涉式顯示器件陣列之顯丁口口件°亥顯不态件可進一步包括一經組態以與該陣列通 130300.doc 200848362 信之處理器（該處理器經組態以處理圖像資料）及一經組態以與該處理器通信之記憶體器件。該顯示器件可進一步包括一經組態以將至少一個信號發送至該陣列之驅動電路。該顯示器件可進一步包括一經組態以將至少一部分該圖像資料發送至該驅動電路之控制器。該顯示器件可進_步包括一經組態以將該圖像資料發送至該處理器之圖像源模組。該圖像源模組可包括接收器、收發器及發送器中之至少一者。該顯示器件可進一步包括一經組態以接收輸入資料並將該輸入資料傳送至該處理器之輸入器件。在些貝施例中’提供未釋放之干涉式顯示器件，該器件包括：在一基板上形成之第一電極；在至少一部分該第一電極上形成之第一犧牲層，該第一犧牲層包含第一犧牲材料，在至少一部分該第一犧牲層上形成之第二犧牲層，〃中a第一犧牲層包含第一犧牲材料之經處理變體；在至

可包括鋁。在一些實施例中，提供干涉式顯示器件，該器件包括：

之第一構件，該第一示器件之第一構件；用於反射光反射構件至少部分反射光且至少部分 130300.doc -10- 200848362 透射光並在支撐構件上形成；用於反射 ^ 〜乐一構件，兮弟二反射構件至少部分反射光，該第二反射構件：位於該第一反射構件上並與該第一反射構件平行，其中，第二反射構件包含面向在該第一反射構件與該第二"4 件間之干涉式空腔的經處理表面外形；及用^切^構 =籌件上之該第二反射構件之第二構件。第―二：可〇括一基板。第一反射構件可包括一光學堆疊。射構件可包括一可移動反射層。第二支撐構件；包括二柱。牙在一些實施例中，提供沈積含銀薄膜之方法，該哭件勺括：對下伏層表面實施處理以形成經處理之表面二將= 銀薄膜沈積在該經處理之表面上；其卞該處理可減薄膜中之突丘形成。突丘形成可包括熱誘導突丘形成：二下伏層表面實施處理可包括將該表面暴露於六氟化铲、& li 及電聚中之一或多者中。對下伏層表面實施處理可二：該表面實施加熱。該方法可進一步包括將含銀薄膜加熱至原本會誘導突丘之溫度。該方法可進一步包括移除至：一部分下伏層以由此暴露至少一部分先前與經處理之觸之含銀薄膜。該方法可進一步包括在移除下伏層^後將含銀薄膜加熱至原本會誘導突丘之溫度。〜Γ仇層表面實施處理可包括使該表面平滑。、下文將更詳細地闡述該等及其他實施例。【實施方式】下文詳細說明係針對某些具體實施例。_，本文教示 130300.doc -11 - 200848362 可以多種不同方式實 p,, 、。在本說明中，會參照附圖，在附圖中’相同部件自始至狄 ... 、、便用相同之編號標識。該等實施例可在任一經組態以 a ^ .、、下圖像—無論是動態圖像（例如視頻）遷疋靜態圖像（例如靜 R H m祥止圖像），且無論是文字圖像還是圖片圖像—之器件中每 . 只也。更具體而言，預期該等實施例了在例如（但不限於）以笠雷工叩卜寺衆夕種電子器件中實施或與該 ' 寺電子為件相關聯：行動 ,ρηΔΛ 玉居、無線器件、個人資料助理 p 哭、^ T榀式汁鼻機、GPS接收器/導航 - 知像機、MP3播放哭 m ^ ^ 於 4 ^ 如攝錄機、遊戲機、手錶、時知、计异器、電視監視哭、 ^ # e5 - σ ^ 千板顯示器、計算機監視器、 /飞車纟、、員示器（例如里程表 %Έ - σσ ”、、不為專）、駕駛艙控制器件及/或頌不态、照像機景物顯 -(例如車輛之後視照像機顯示口口 J 电子照片、電子主+邮上、，欉^ ^ 口 μ牌或標牌、投影儀、建築結構、包裝及美學結構（例士彼$ Α今件珠貝上之圖像顯示器）。與莜4本文所述MESE器侔且古# y 牛/、有類似結構之MEMS器件亦可 , 用於非顯示應用，例如用於φ 2 〇用於電子切換器件。 MEMS器件可含有金屬反有與基板相隔-空腔之可移動^ ^，MEMS器件可含 .牲層後繼之形成上覆層。已;現;成空腔可包括在形成述方法處理犧牲層(或1他：Μ用一或多種下文論或之後改盖-Μ Μ 、層）可在移除犧牲層期間及/ :¾之後改善犧牲層及/或每m 士 ^ 復層之一或多個特徵。在一此只細例令，處理包含氧化二處理層上形成之上覆二實施例中，在經 .^ θ (例包含鋁及/或銀之層）形成突丘之趨勢降低。例如，熱或）形成大飞應力可誘導形成該等突丘。在 130300.doc 200848362 一些實施例中，下伏層之蝕刻速率增大，由此施加較小應力於上覆層上並減小了犧牲層移除期間損害上覆層之可能性。在一些實施例中，對於一定量之材料，犧牲層厚度與相同量未經處理之材料所提供之厚度相比有所增加。在一些實施例中，與上覆層與未經處理之犧牲層間之黏著力相比，上覆層與經處理之犧牲層間之黏著力減小。在一些實、施例中，該處理使在犧牲層中形成之針孔關閉並防止犧牲《移除期間其他層受到損害。在另外其他實施财，處理犧牲層提供比處理之前之犧牲層表面平滑之表面。圖1中繪示一個包含一干涉式MEMS顯示元件之干涉式調變器顯示器實施例。在該等器件中，像素處於亮狀態或暗狀態。在亮（”鬆弛”或”打開”）狀態下，顯示元件將大部 ^入射可見光反射至用戶。在處於暗（"致動，，或，，關閉，，）狀 L下時，顯不TL件幾乎不向用戶反射入射可見光。端視實施例而定，”開”及，，關”狀態之光反射特性可能顛倒。、 ^ MEMS像素可經組態以主要在所選色彩下反射，以除黑色 L 及白色之外亦可實現彩色顯示。圖1為一等軸圖，其顯示一視覺顯示器之一系列像素中 ,兩個相^像素，其中每一像素包含一干涉式調變态。、在一些實施例中，-干涉式調變器顯示器包含該等干 ^式凋欠為之列/行陣列。每一干涉式調變器包括一對反射層，忒對反射層定位成彼此相距一可變且可控的距離以形成一具右$ /1、 . 、’至 > 一個可變尺寸之光學諧振空隙。在一施例中，其中一個反射層可在兩個位置之間移動。在本文 130300.doc -13- 200848362 中稱為鬆弛位置之第一位置中，該可移動反射層定位於距 -固定的局部反射層相對較遠之距離處。在本文中稱作致動位置之第二位置中，可移動反射層經定位以更緊密地鄰近局部反射層。端視可移動反射層 ” θ又位置而定，自該兩個層反射之入射光會以相長或相消方式 ^乃八十涉，從而形成各像素之總體反射或非反射狀態。在圖1中所繪示之像素陣列部分包括兩個相鄰之干涉式調變器12a及m。於左側之干涉式調變器…中，圖中顯不可移動反射層14a處於鬆弛位置處，該鬆弛位置距包括一局部反射層之光學堆疊l6a — 了貝疋距離。於右側之干涉式調變器12b中，圖中顯示可移動田 J〒夕軔夂射層Hb處於鄰近光學堆疊16b之致動位置處。本文中所提及之光學堆疊16a及16b(統稱為光學堆 -般包含數個炫合層，該數個熔合層可包括一電極層(例如銦錫氧化物（ITO))、一

C 局"卩反射層（例如鉻）及一透明介電層。因此光學堆疊16具有導 ^ ^ 胥等電11、局部透明性及局部反射性，且可（例如）藉由將一或次夕個上述層沈積到透明基板 20上而製成。该局部枓“心# 耵層了由各種具有局部反射性之材枓（例如，各種金屬、丰遙導體及介電質）形成。該局部反射層可由一或多個材料層形成， Λ 且β寻層之母一層皆可由罝一材料或材料組合來形成。在一些實施例中，. 帶，Μ ^ 先子堆® 16之層圖案化為若干平行條 ^ 且如下文進一步移動及射MU a可在顯示器件中形成列電極。可移動反射層14a、14b可带a、4 ^ /成為一糸列由沈積於支柱1 8頂部 130300.doc 200848362 上以形成行之-或多個沈積金屬層(正交於列電極…、岡及沈積於支㈣之㈣居間犧牲_賴成之平行條帶。當姓刻掉犧牲材料時’可移動反射層…、⑷與光學堆疊16a、16b相隔經界定之空隙19。反射㈣可使用具有兩度傳導性及反射性之材料（例如㈤，且該等條帶可形成顯示器件中之行電極。應注意圖1可能未按比例繪製。在 -些實施例中，支柱18間之間隔可約為1〇_1〇〇 _，而空隙19可約為<1〇〇〇埃。士圖1中之像素12a所繪不，在不施加電壓之情形下，空隙19保持位於可移動反射層14a與光學堆疊心之間，其中可移動反射層14a處於機械鬆弛狀態。然而，在向所選列及行施加電勢（電壓）差之後，在該等列及行電極相交處之對應像素處形成之電容器被充電，且靜電力將該等電極拉到一起。若該電壓足夠高，則可移動反射層M會變形並受迫壓抵光學堆疊16。如圖i中右側之致動像素W所繪示，光學堆疊16内之介電層(在該圖中未顯示)可防止短路並控制層14與16之間之間隔距離。無論所施加電勢差之極性如何，該性質皆相同。圖2至圖5繪示一個在一顯示應用中使用一干涉式調變器陣列之例示性製程及系統。圖2為繪示可體現干涉式調變器之電子器件之一個實施例的系統方塊圖。該電子器件包括處理器21，其可為任何通用單曰曰片或多晶片微處理器，例如ARM®、、 8051、MIPS⑧、Power PC⑧或ALpHA⑧，或任何專用微處理 130300.doc 15 200848362 器，例如數字信號處理器、微控制器或可程式化閑陣列。 :此項技術中所習％ ’處理器21可經組態以執行一或多個 ^體板組。除執行操作系統外’該處理ϋ亦可經組態以執行或夕個車人體應用程序，包括網頁劉覽器、電爷靡序、電子郵件程序或任何其他軟體應用程序。〜

、在一個實施例中，處理器21亦經組態以與陣列驅動器Μ 進行通信。在—個實施例中，陣列驅動器22包括列驅動電路24及仃驅動電路26，其向顯示陣列或面板轉供信號。圖1中所示陣列之剖面在圖2中以線Μ顯*。應注意，雖然為清楚起見圖2繪示干涉式調變器之3χ3陣列，但是該顯示陣列30可含有極大數量之干涉式調變器，且行與列可具有不同數量之干涉式調變器（例如’ 3〇〇像素/列乘以19〇像素/行）。圖3係圖丨之干涉式調變器之一個例示性實施例之可移動反射鏡位置與所施加電壓之關係圖。對於memSt涉式調變裔，行/列致動協定可利用圖3中所繪示之該等器件之滯後特性。干涉式調變器可能需要（例如）10伏電勢差來使可移動層自鬆弛狀態變形至受致動狀態。然而，當該電壓自該值降低時，在該電壓降回至1〇伏以下時，該可移動層將保持其狀態。在圖3之例示性實施例中，直至電壓降低至2 伏以下可移動層才完全鬆弛。因此，在圖3所示實例中，存在約3-7伏之電壓範圍，在該電壓範圍内存在其中該器件穩定在鬆弛或受致動狀態之所施加電壓窗口。在本文中將其稱為”滯後窗口”或”穩定窗口”。對於具有圖3之滯後特 130300.doc -16- 200848362 欲的顯示陣列而言，列/行致動協定可經設計以便在列選通期間對選通列中擬致動之像素施加約丨〇伏之電壓差，並對擬鬆弛之像素施加接近〇伏之電壓差。在選通之後，向像素施加約5伏之穩態狀態電壓差或偏置電壓差以使其保持在列選通使其所處之任何狀態。在該實例中，在被寫入之後’每一像素均承受”穩定窗口，，内3_7伏之電勢差。該特徵使圖1中所示之像素設計在相同的施加電壓條件下穩定在預存之受致動狀態或鬆弛狀態。由於干涉式調變器之每一像素（無論處於受致動狀態還是鬆弛狀態）實質上均係由固定反射層及移動反射層所形成之電容器，因此，該穩定狀怨可在滞後窗口内之電壓下得以保持而幾乎不消耗功率。若固定所施加之電勢，則基本上無電流流入像素。士下文進一步闡述，在一般應用巾，可根據第一列中所 /月望之組文致動像素藉由發送一組資料信號（每一具有疋電[位皁）跨過行電極組產生圖像訊框。隨後，將一列脈衝施加至第一列電極，&而致動與該組資料信號對應之像素。隨後，將該組資料信號改變成與第二列中所期望之一組受致動像素對應。隨後，將_列脈衝施加至第二列電極’從而根據資料信號致動第二财之相應像素。第一列：：不受第二列脈衝影響，並保持其在第一列脈衝期間所设定之狀態。可按順戽^：、式對全部系列的列重複上述步驟以產生訊框。通當，益精由以某一期望訊框數/秒之速度連續重複該製程來用新 ^ ’圖像_貝料刷新及/或更新該等訊框。可使用多種用以驅動像辛動像素陣列之列及行電極以產生圖 130300.doc 200848362 像訊框之協定。圖4及圖5繪示一種用於在圖2之3以陣列上產生顯示訊框之可能的致動協定。圖4繪示一組可能之列及行電壓位準，其可用於展示圖3之滯後曲線之像素。在圖4實施例中，致動像素涉及將相應之行設定為_VbUs，並將相應之列設定為+ΔΥ，其可分別對應於_5伏及+5伏。鬆弛像素係藉由將相應之行設定為+Vbias並將相應之列設定為相同之 + AV以在該像素兩端形成零伏之電勢差來實現。在彼等其中列電壓保持於零伏之列中，像素穩定於其最初所處之狀態，而與該行處於+Vbias還是_Vbias無關。同樣如在圖4中所示般，可使用與彼等上述者極性相反之電壓，例如致動像素可涉及將相應之行設定為+Vbus並將相應之列設定為 -△V。在該實施例中，釋放像素係藉由將相應之行設定為 _vbias並將相應之列設定為相同之-Δν由此在該像素兩端形成零伏的電勢差來實現。圖5Β係顯示一系列施加至圖2之3χ3陣列之列及行信號之時序圖，其將形成圖5Α中所示之顯示佈置，其中受致動像素不具反射性。在寫入圖5Α所示之訊框之前，像素可處於任何狀態’且在該實例中，所有列最初均處於〇伏，且所有行均處於+5伏。在該等所施加電壓下，所有像素皆穩定於其現有之受致動狀態或鬆弛狀態。在圖 5Α訊框中，像素（1，1}、（1，2)、（2,2)、（3,2)及（3,3) 又致動。為實現此狀態，在第i列之”行時間，，期間，將第i 仃及第2行設定為_5伏，將第3行設定為+5伏。此不會改變 130300.doc -18- 200848362 任何像素之狀悲，此乃因所有像素皆保持處於3_7伏之穩定窗口内。隨後，以自〇伏上升至5伏然後又下降至〇伏之脈衝來選通第。此致動像素（U)及Ο"並使像素（Μ) 鬆弛。陣列中之其它像素均不受影響。為將第^設定為 =望狀態，可將第2行設定為_5伏，而將第丨行及第3行設定為+5伏。隨後，施加至第2列之相同的選通脈衝將致動像素（2,2)並使像素鬆弛。同樣，陣列中之其他像素均不受影響。類似地，藉由將第2行及第3行設定為_5 伏並將第1行设定為+5伏來設定第3列。第3列選通脈衝將第3列像素設定為如圖5A所示之狀態。在寫入訊框之後，列電勢為零，而行電勢可保持在+5或_5伏，且隨後顯示將於圖5A之佈置中穩定。由數十或數百個列及行構成之陣列可使用相同之程序。用於執行列及行致動之電壓之定時、序列及位準可在上文所述之一般原理内變化很大，且上述實例僅為例示性，且任何致動電壓方法均可與本文所述之糸統及方法一起使用。圖6A及6B係繪示顯示器件4〇實施例之系統方塊圖。舉例而言，顯示器件40可係蜂窩式電話或行動電話。然而，顯示器件40之相同組件或其稍作變化形式亦可作為（例如）電視機及可攜式媒體播放器等各種類型之顯示器件之例證。顯示器件40包括外殼41、顯示器3〇、天線43、揚聲器 45、輸入器件48及麥克風46。外殼41通常由各種製造方法之任何-種所製成，包括注射成型及真空成形。另外，外 130300.doc 19 200848362 殼41可由多種材射之任何朔脒、入屈 a 士所裟成’其包括但不限於塑膠、金屬、玻璃、橡膠、及 ..,, 瓦或其組合。在一個實施例中，外殼41包含可移動部、 ^ ^ ^ ^ 刀（未顯示），其可與其他具有不冋顏色或含有不同標誌、換。 3片或付號之可移動部分互例示性顯示器件4〇之顯貝不為30可係各種顯示器中之任何 Ο -種’包括本文所述之雙穩態顯示器。在其他實施例中，顯不裔30包括平板顯示器，例如如上所述電漿顯示器、队、〇咖、抓咖或加咖，或非平板顯示器，例如CRT或其他電子管器件。然而，為便於閣述本實施例，顯示器3G包括本文所述干涉式調變ϋ顯示器。圖6Β示意性轉示例示性顯示器件仙之—個實施例的組件。所繪示之例示性顯示器件4〇包括外殼“並可包括其他至少部分封閉於其中之組件。例如，在一個實施例中，例不丨生顯不姦件40包括網路介面27，該網路介面27包括耦接到收發器47之天線43。收發器47係連接至處理器。，而處里时21係連接至调節硬體5 2。調節硬體$ 2可經組態以調節仏號（例如’對信號進行濾波）。調節硬體52係連接至揚聲裔45及麥克風46。處理器21亦連接至輸入器件48及驅動控制器29 °驅動控制器29係耦接至訊框緩衝器28並耦接至陣列驅動器22 ’陣列驅動器22又耦接至顯示陣列30。電源50 係根據具體例示性顯示器件40之設計所需要為所有組件提供電力。網路介面27包括天線43及收發器47以使例示性顯示器件 130300.doc -20- 200848362 40可經由網路與一或多個器件通信。在一個實施例中，網路”面2 7亦可具有某些處理能力以降低對處理器21之需求。天線43為用於發射及接收信號之任何天線。在一個實施例中，該天線根據ιΕΕΕ 802.n標準（包括ieee 8〇2·11〇)、（b)或（g))來發射及接收RF信號。在另一實施例中，該天線根據藍牙（BLUETOOTH)標準來發射及接收RF 仏號在蜂窩式電活之情形下，該天線係經設計以接收 CDMA、GSM、AMPS、W-CDMA或其他用於在無線行動電話網路中進行通信之習知信號。收發器47預處理自天線 43接收之信號，以便其可由處理器21接收並進一步運用。收發器47亦處理自處理器21接收之信號，以便其可經由天線43自例示性顯示器件4〇發射。在一替代實施例中，可用接收器代替收發器47。在另一替代實施例中，網路介面27可由一可儲存或產生擬發送至處理器21之圖像資料之圖像源代替。例如，該圖像源可為數位影音光碟（DVD)或含有圖像資料之硬碟驅動器、或產生圖像資料之軟體模組。處理為2 1通常控制例示性顯示器件4〇之整體運作。處理為2 1自網路介面27或圖像源接收諸如壓縮圖像資料等資料’並將該資料處理成原始圖像資料或易於處理成原始圖像資料之格式。然後，處理器21將經處理之資料發送至驅動控制器29或發送至訊框緩衝器28進行儲存。原始資料一般係指可識別圖像内每一位置處之圖像特徵之資訊。例如，該等圖像特徵可包括顏色、飽和度及灰階位準。 130300.doc -21 - 200848362 在一個實施例中，處理器21包括微控制器、cpu、或用於控制例示性顯示器件40運作之邏輯單元。調節硬體52通常包括用於向揚聲器45發射信號及自麥克風46接收信號之放大叩及;慮波夯。调郎硬體$ 2可係例示性顯示器件4 〇内之分立組件，或者可納入處理器21或其他組件内。

驅動控制器29直接自處理器21或自訊框緩衝器28獲取處里un 2 1所產生之原始圖像資料，並適當地將原始圖像資料重新格式化以便高速傳輸至陣列驅動器22。具體而言，驅動控制器29將原始圖像資料重新格式化成一具有光柵狀格式的貝料流，以使其具有一適合於掃描顯示陣列3〇之時間。序；、、、:後，’驅動控制器29將經格式化之資訊發送至陣列驅動态22。儘管驅動控制器29(例如，L(：d控制器）經常作 j獨立積體電路（IC)與系統處理器21相關聯，但該等控制器可按諸多方式進行構建。其可作為硬體嵌入處理器η :、作為軟體嵌入處理器21中、或以硬體形式與陣列驅動為22完全集成。 —般而言’陣列驅動器22自驅動控制器29接收經格式化，資訊：將視訊資料重新格式化成一組平行波形，該組平仃波形母秒很多次地施加至來自顯示器”像素矩陣之數百條且有時數千條引線。一個只％例中，驅動控制器29、陣列驅動器22、及 ::列適用於本文所述任一類型之顯示器。舉例而言： _、&例中，驅動控制器29係習用顯示控制器或雙怨顯示控制哭。丨 ^ 的（例如，干涉式調變器控制器）。在另一實施 130300.doc -22- 200848362 例中，陣列驅動器22孫羽 σ係白用.驅動器或雙穩態顯示驅動器 (例如’干涉式調變器顯示器）。在-個實施例中，驅動控制器29與陣列驅動器22整合在—起。該實施例在諸如蜂寓式電話、手錶或其他小面積顯示器等高度集成系統中很常 …在另貝知例中’顯不陣列30係典型的顯示陣列或雙穩態顯示陣列（例如，肖括+、斗匕枯干涉式調變器陣列之顯示器）。輸入器件48使用戶能夠控制例示性顯示器件4〇的運作。在個貝細例中，輸入器件48包括小鍵盤（例如小鍵盤或電話小鍵盤）、按紐、開關、觸敏屏幕、壓敏或熱敏膜。在一個實施例中，麥克風仏係例示性顯示器件4〇之輸入器件。當使用麥克風“向該器件輸入資料時，可由用戶提供語音命令來控制例示性顯示器件4g之運作。電源50可包括各種此項技術中所熟知之能量儲存器件。例如，在-個實施例中，電源5〇係可再充式電池，例如，錄，電池或链離子電池。在另-實施例中，電源50係可 υ 再生能源、電容器或包括塑膠太陽能電池及太陽能電池塗料之太陽能電池。在另一實施例中，電源5〇經組態以自牆上插座接收電力。在某些實施方案中，控制可編程性如上文所述存在於一驅動控制器中’該驅動控制器可位於電子顯示系統中之數個位置上。在-些情形中’控制可編程性存在於陣列驅動器22中。上述最佳化可在數種硬體及/或軟體組件中及各種組態中實施。按照上述原理運作之干涉式調變器之詳細結構可千變萬 130300.doc -23- 200848362 化。例如’圖7A-7E繪示可移動反射層14及其支撐結構之五個不同實施例。圖7A係圖1實施例之剖面圖，其中將金屬材料條帶14沈積於正交延伸之支撐件18上。在圖7B中，每一干涉式調變器之可移動反射層14的形狀為正方形或矩形並僅其角落（以糸鏈3 2)附接至支撐件上。在圖7 c中，可移動反射層14之形狀為正方形或矩形並懸掛在可變形層34 上，可變形層34可包含撓性金屬。可變形層34直接或間接地在可變形層34之周邊處連接至基板20。該等連接在本文中稱作支撐柱。圖7D中所繪示之實施例具有支撐柱栓塞 42 ’可變形層34倚靠在支撐柱栓塞42上。如圖7A-7C中所示般’可移動反射層14保持懸置於空隙上面，但可變形層 34並未藉由填充可變形層34與光學堆疊丨6之間的孔洞來形成支撐柱。相反，該等支撐柱係由用以形成支撐柱栓塞42 之平坦化材料形成。圖7E中所繪示之實施例係基於圖7D 中所示之實施例，但亦可經適配以與圖7A-7C中所繪示之任一實施例以及其他未顯示之實施例一同使用。在圖7£所示之實施例中，已使用額外之金屬層或其他傳導材料層來形成匯流排結構44。此使信號能夠沿干涉式調變器之背面路由，從而消除了原本須形成於基板2〇上之若干電極。在諸如圖7所示之彼等實施例中，干涉式調變器用作直視式為件，其中自透明基板2〇的前側（與其上佈置有調變器的側對置之側）觀察圖像。在該等實施例中，反射層“ 可光學屏蔽干涉式調變器之位於反射層側（其與基板2〇對置）上之部分，其中包括可變形層34。此使得能夠對該等 130300.doc -24- 200848362 屏蔽區域進行組態及操作，而不會不利地影響圖像品質。例如，該屏蔽允許存在圖7E中之匯流排結構44，此提供分離调變益之光學特性與調變器之機電特性的能力，例如尋址及因尋址而引起之移動。此種可分離之調變器架構可彼此獨立地選擇調變器機電態樣所採用及調變器光學態樣所採用之結構設計及材料且使其能夠彼此獨立地發揮作用。 • 而且，圖7C-7E中所示之實施例具有可將反射層14之光學 ( 特性自其機械特性分開之額外益處，此由可變形層34來實施。此可使反射層14之結構設計及所用材料在光學特性方面得以優化，且可使可變形層34之結構設計及所用材料在期望機械特性方面得以優化。圖8繪示干涉式調變器之製造製程8〇〇實施例中之某些步驟。該等步驟連同圖8中未顯示之其他步驟一起可存 (例如）圖1及7中所繪示之通用類型干涉式調變器之製造製程中。參照圖1、7及8，製程800從步驟8〇5開始，在基板 U 20上形成光學堆疊16。基板20可為諸如玻璃或塑膠等透明基板且可在製備步驟之前已進行（例如）清潔以促進光學堆疊16之有效形成。如上文論述，光學堆疊16具有導電性、局部透明及局部反射性，並可（例如）藉由將該等層中之一 ’ 或多個層沈積到透明基板20上來製成。在一些實施例中，該等層經圖案化為平行條帶，且可形成顯示器件中之列電極。在-些實施例中，光學堆疊16包括沈積於一或多個: 屬層上之絕緣層或介電層（例如，反射層及/或傳導層）。在 130300.doc -25- 200848362 -些實施例t，絕緣層係光學堆疊16之最上層。圖8中所1不之製程8〇〇繼續進行至步驟8 1 〇在光學堆疊 16上形成犧牲層。如下文論述，犧牲層稍後被移除（例々在^驟825中)以形成空腔19且因此在圖！中所繪示之所得干涉式調變器12中未顯示犧牲層。在光學堆疊16上形成犧牲層可包括以經選擇可在隨後移除後提供具有期望尺寸之工腔1 9之厚度沈積諸如鉬、㉖、鶴或無定形石夕等XeF2 可㈣材料。犧牲材料之沈積可利用諸如物理氣體沈積 (PV例如濺鍍）、電漿增強化學氣體沈積（PECVD)、熱化學氣體沈積（熱CVD)、或旋塗等沈積技術來實施。’ 圖8中所缚不之製程8〇〇繼續進行至步驟⑴形成支樓結構’例如圖！及7中戶斤繪示之支柱18。支柱18之形成可包括以下步驟：將犧牲層圖案化以形成支擇結構孔，隨後利用諸如PECVD、熱CVD或旋塗等沈積方法將材料（例如，聚合物）沈積至孔中以形成支柱18。在—些實施例中在犧 ^ ㈣中所形成之支撐結構孔延伸穿過犧牲層及光學堆疊16 一者直至下伏基板20，因此如圖7八中所繪示支柱18之下部端接觸基板20。在其他實施例中，在犧牲層中所形成之孔延伸穿過犧牲層’但並未穿過光學堆疊16。例如，圖朋會示支撐柱栓塞42之下部端與光學堆疊16接觸。圖8中所繪示之製程800繼續進行至步驟82〇形成諸如在圖1及7中所繪示之可移動反射層14等可移動反射層。可移動反射層14可藉由使用一或多個諸如反射層（例如，鋁、鋁合金、銀、銀合金）沈積等沈積步驟連同一或多個圖案 130300.doc -26- 200848362 化、掩膜及/或蝕刻步驟形成。如上文論述，可移動反射層14一般具有導電性，且在本文中可稱為導電層。在一些實施例中，反射層14包含銘。在一些實施例中，反射層“ 包含銀。由於犧牲層仍存在於在製程8〇〇之步驟82〇中所形成之部分製成之干涉式調變器中，因此在該階段可移動反射層14一般不可移動。含有犧牲層之部分製成之干涉式調變器在本文中可稱為"未釋放"之干涉式調變器。圖8中所繪不之製程8〇〇繼續進行至步驟形成一空腔，例如，圖1及7中所緣示之空腔19。空腔Μ可藉由將犧牲材枓（在步驟810中沈積）暴露於姓刻劑中形成。例如，諸如銷、组、鶴或無定形石夕等可敍刻之犧牲材料可藉由乾化 =刻移除，例如，藉由將犧牲層暴露於氣態或蒸氣隸鼠化风（XeF2)之蒸氣）中達可有效移除期望量材料的一段味門奴％間，一般相對於空腔19 選擇性移除材料。亦構濕姓刻及/或電漿姓刻等」方法。由於在製程8〇〇之步驟825期間移除犧牲層，因此在該階段後可移動反射層} ㈣犧牲犧姓鉍极％飯可移動。在移除二才枓後’所得之完全或部分製成之文中可稱為”釋放"之干涉式調變器。 I在本能器件且具體而言干涉式調變器之性能可如，太“覆層之影響不利影響。例中％為在可移動電極層中，，形今受下伏犧牲層之表面特K牛可能如可移動電極層之表面等金屬表面中=於在諸弋隻屬表面上形成小 I30300.doc -27- 200848362 2出物("突丘”)。突丘尺寸可端視形成條件而變化，且最常見在高約1〇奈米（nm)至高約10微米之尺寸範圍内且最_ 般而言在高約100奈米(nm)至高約丨微米之範圍内，雖然偶爾可觀察到較大或較小之突丘。突丘尤其可能在含銘及/ 或含銀層之表面上形成。一般而言，突丘在暴露於高溫下期間或之後形成，例如在高溫儲存期間。突丘亦可在瘦包括(例如)暴露於熱或應力下之其他環境條件之表面上形成。已發現’突丘形成可負性影fMEMS器件之性能。突丘可改變可移動電極層與光學堆疊間之空腔距離，由此影變該器件所反射光之波長。突丘亦可造成藍色或其他顏色；，一次反射。在一實施例中，已提出可減少含銘及/或含銀層中突丘形成（例如’熱誘導突丘形成）之方法。例如，—實施例提供沈積含銘及/或含銀薄膜之方法，其包含對下伏層表面實施處理以形成經處理之表面並將含鋁及/或含銀薄膜沈積於該經處理之表面上，其中該處理可減少含銘及/或含銀薄膜中之突丘形成。因此，該處理可影響含紹及/或含銀薄膜之表面外形。由於本文所述處理該表面外形之特徵在於(例如)其相對平坦。本文所提及之術語，，經處理表面外形"係指由在經處理之表面上形成所產生之表面外形。例如，如下所述，經處理表面外形155係在經處理之犧牲表面145上形成之一個表面。經處理表面外形可包含較少突丘或其高度變化性可能比不在經處理表面上形成但其他方 130300.doc -28 200848362 面相當之表面外形為低。中Γ二—:Γ圖，其緣示製造MEMs器件之方法實施例 (例/、：广。在一些實施例中，將犧牲層藉助氣、氮 X在:’:：硝化或氮化)、氣或氧(例如，藉由氧化)處理在：除犧牲層期間或之後影響犧牲層及/或上覆層之特徵。该處理可改變犧牲層表面之化學組成或化學特性。在 :些'清形下，該處理可在犧牲層與上覆層之間產生擴散層。圖9係首先闡述之其中突丘形成減少之實施例，缺 2 ’其他實施例將在下文中予以閣述。該等步驟連同圖9 未顯不之其他步驟一起可存在於（例如）圖U 7中所繪示 ^通用類型干涉式調變器之製造製程中。圖似至則示意性地繪示利用諸如光刻、沈積、掩膜、勉刻（例如，諸如電漿蝕刻等乾方法及濕方法)等習用半導體製造技術來製造-MEMS器件之方法實施例。沈積可包括諸如化學氣體沈積（CVD，包括電漿增強CVD及熱cvd)及濺鑛塗覆等乾方法及諸如疑塗等濕方法。參照圖9及丨〇，製程從提供基板⑽之步驟205開始。在一個實施例中，基板ι〇〇可包含諸如玻璃或塑膠等任何透明材料。製程200繼續進行至步驟21〇,如圖i〇A中所示般，在基板1〇〇上形成第一導電層105。第一導電層ι〇5可為上文所述單層…構或夕亞層結構。在其中層1 〇5起電極及反射鏡兩種作用之單層結構中，層105係藉由將導電材料沈積於基板100上形成。第一導電層1〇5可藉助隨後之圖案化及蝕刻（未顯示於圖9或10中）形成於電極中。第一導電層1〇5可 130300.doc -29- 200848362 為經摻雜以具有期望傳導性之金屬或半導體（例如矽）。在一個實施例（未顯示於圖10中）中，第一導電層1〇5係包含透明導體（例如銦錫氧化物）及主反射鏡或部分反射層（例如鉻）之多層結構。 ° 製程200繼續進行至步驟215，如圖10B中所示般，在至少一部分導電層105上形成介電層110。介電層110可包含諸如矽氧化物及/或鋁氧化物等絕緣材料。介電層丨1〇用p 使干涉式調變器中之第一導電層105與導電可移動層（例2 圖1及7之可移動層14)絕緣。介電層11〇可藉由諸如等習知沈積方法形成。在一些實施例中，所得器件之光學堆疊16包括導電層105及介電層11〇二者。製程200繼續進行至步驟22〇並如圖1〇c中所示般形成犧牲層115。犧牲層115可包含可藉由XeFs蝕刻之材料，例如，鉬、鈕或鎢。諸如CVD、濺鍍或旋塗等沈積方法可用於形成犧牲層115。如圖10D中所示般，在步驟225中犧牲層115經圖案化及蝕刻以形成一或多個支撐結構孔13〇。在該實施例中顯示支撐結構孔13〇完全延伸穿過第一犧牲層 Π5及介電層110直至第一導電層1〇5。在步驟23〇中，如圖 10E中所示般，將支撐結構材料沈積於孔13〇中以形成支撐結構135。支撐結構135可包含非傳導材料。製程200繼績進行至步驟235並對犧牲層115之表面實施處理，由此如圖10F中所示般犧牲層115將包含經處理之犧牲部分145。對犧牲層1 1 5之表面實施處理以形成經處理之犧牲部分145可以多種方式實施，例如如下文更詳細闡述 130300.doc -30- 200848362 般藉由電漿、氧化、六氟化硫或其組合實施。例如，在一些實施例中，該處理包含氧化，由此至少一部分犧牲層 Π5係經氧化形成經氧化之犧牲部分。對犧牲層ιΐ5之處= 可以能產生如圖10F中由上部經處理（例如，經氧化）之犧牲層145與包含基本上未經處理（例如，未經氧化）之犧牲層

之犧牲層115的剩餘下部部分所繪示之層的方式實施。I 一些實施例中，在與基板1〇〇垂直方向所量測之經氧化之犧牲層的深度基本一致。在一些實施例中，犧牲層115之表面係經電漿處理。在其他實施例中，犧牲層115之表面係經包含氧氣及/或六氟化硫氣體之氣體處理。在另外其他實施例中，犧牲層^ Μ 之表面係用包含氧氣及/或六氟化硫氣體之電漿處理。氧氣及/或六氟化硫氣體可包含該等物質之分子及/或基團。犧牲層115之表面可經離子化氧及/或離子化六氣化硫處理。在一些實施例中’ I文所述下伏層表面(例如，犧牲層115)之一或多種處理可使表面平滑。可在步驟235中實施之數種處理方法之細節係在下文予以論述。製程200繼續進行至步驟24〇，如圖1〇G中所示般，在經處理之犧牲部分145上及在所繪示實施例中之支撐結構13二5 上形成上覆層140(例如，第二導電層）。在一實施例中，在至少一部分經處理之犧牲部分145上形成至少一部分上覆層140。在一實施例中，上覆層14〇包含可移動層，例如如圖1及7中所不之干涉式調變器之可移動反射層14。由於在製程200之該階段中犧牲層115及經處理之犧牲部分145仍 130300.doc -31 - 200848362 存在’因此可移動層—般尚不可移動。含有犧牲層（該實施例中之層1 1 5及145)之部分製成之MEMS器件i 72(例如部 ^製成之干涉式調變器）在本文中可稱為，，未釋放"之Μ簡 -件上覆層140可包含金屬（例如銘、紹合金、銀或銀合金）。在-些實施例中，上覆層14〇包含結。在一些實施例中，上覆層140包含銀。在步驟240中形成導電層140可包括-或多個沈積步驟以及—或多個圖案化或掩膜步驟。製程200繼續進行至步驟％，如圖聰中所示般，盆中至少-部分經處理（例如，經氧化）之犧牲層145及視情況一部分未經處理(例如，未經氧化)之犧牲層115被移除(例如，藉由蚀刻）。一或多個支撐結構135 刚，由此形成空隙或空妒15〇 I μ 覆層 I宁、次工腔15〇。在一些實施例中，空腔 150形成於介電層UG與上覆層140之間，因此如圖1()Η中所繪示上覆層140係暴露於空腔巾。與在未經處理之犧牲結 u 構上所形成之相當表面外形相比’上覆層i4G之經處理表面外形1 5 5可包含較少突丘。犧牲層之移除可（例如）藉由暴露於諸如單獨如圖 10H中所不般）、匕或册或組合等餘刻劑中達成。在一個實施例中，在姓刻製程中基本上移除所有犧牲層ιΐ5及經處理之犧牲部分14 5。在一個眚綠办丨士 . 在個只把例中，空腔150係介於光學包含導電層1〇5及介電層11〇)之間之干涉式空腔且覆層14G係如上所述可移動傳導層。在形成空腔150後，所^簡器件（例如，干涉式調變器175)呈，，釋放”狀態。放之干涉式調變器175可經歷數個額外處理步驟（未顯 130300.doc •32- 200848362 不於圖9或10中），其中一或多個步驟可涉及將干涉式調變杰1 75加熱至在無處理步驟235存在下於上覆層14〇中會誘導形成突丘之溫度。在-些實施例申，對犧牲層115之表面進行處理可用以減少上覆層14〇中之突丘形成（例如，熱誘導突丘形成），由此改善MEMS器件之運作。在一些實施 J中犬丘減少係指與在未經歷一種上述處理之類似導電每中斤預功之犬丘數量相比突丘數量減少。在其他實施例中大丘減少係指與在未經歷一種上述處理之類似導電層 +所預期之突丘尺寸相比突丘尺寸減小。在另外其他實施幻中大丘減少係指與在未經歷一種上述處理之類似導電層中所預期之突丘數量及尺寸相比突丘數量減少且尺寸減 /J、〇 t熟習此項技術者可利用常規實驗藉由本文所提供之教示指導確定本文所揭示方法之適當參數及/或運作條件。例如，與犧牲層表面處理相關之諸如壓力、功率、暴露時間 (j 4 W速等最L參數可藉由系統改變該等參數並觀察突丘形成（例如，熱誘導突丘形成）之程度獲得。在一些實施例中’ S力可介於40與60毫托（mT)之間。在一些實施例巾，，率可介於_與_瓦特之間。在-些實施例中，使/、氣化硫以3 0- 1 〇〇禅進☆古八八/、知旱立方公分/分鐘（sccm)之流速與犧牲層接觸。在一些實祐 .^ 、中’使氣以1〇〇_200 seem流速與犧牲層接觸。犧牲層可經歷多種時間段之處理，例如了 15-25秒。在—些實施例中，該基板未經加熱。在一些實施例中，突丘形成減少發生在與經處理之犧牲 130300.doc -33- 200848362 表面145相鄰之上覆層140的表面上。在該等實施例中，突丘形成減少發生在稱為上覆層i 4 〇之空腔側表面之面向空腔⑼的導電層表面上。在圖1()之細奶器件中，與經處理之犧牲表面145相鄰之上覆層之表面係上覆層14〇之空腔側表面155。因此，對犧牲表面145進行處理可影響上覆^ 140之空腔側表面的外形或形狀。

在-些實施例中，製程2〇G可包括其他步驟且該等步驟可自圖9及10所矣會不重新排列。例如，可在支撐結構孔㈣形成之前或在支撐結構孔13〇形成之後對犧牲層ιΐ5之表面實施處理，但應在支撐結構135形成於支撐結構孔13〇中之前實施處理。支撐結構可在犧牲層形成之前形成，由此消除形成支撐結構孔之步驟。本文所述減少突丘形成之方法可應用於多種包含與空腔相鄰之含铭及/或含銀薄膜之MEMS器件中，其中該空腔係藉由移除至少一部分犧牲層而形成。 T藉由本文所述對下伏犧牲層之表面進行處理的方法減少（例如）含鋁及/或含銀薄膜（例如MEMS器件之上覆層丨4〇) 中藉由咼溫誘導之突丘形成。本文所用高溫或誘導突丘之溫度係可在未經歷所揭示處理之相當含鋁及/或含銀薄膜中產生突丘之溫度。在一些實施例中，誘導突丘之溫度高於或等於85°C、高於或等於100°C、高於或等於2〇〇°c、或高於或等於500°C。本文所用術語，，熱誘導突丘形成，，係指由暴露於高溫下所造成之突丘形成。儘管在一些實施例中使含鋁及/或含銀薄膜經歷該等高 130300.doc -34- 200848362 但在其他實施例中未使其經歷。在一些實施例中，若使藉由本文所述方法所產生之含鋁及/或含銀薄膜經歷高 /JEL "亥等薄膜實際上是否暴露於高溫下），其將展示減 V之大丘形成。在一些實施例中，於移除至少一部分下伏層之後使合鋁及/或含銀薄膜經歷高溫。在其他實施例中於移除下伏層之後使含鋁及/或含銀薄膜經歷高溫。實施例中’在儲存期間於移除犧牲層11 5及經處理之犧牲部分145後將圖10H之MEMS器件暴露於高溫下。在該實施例中，對犧牲層丨丨5之表面進行處理可減少在上覆層 14〇之空腔側表面155上形成之突丘。在一些實施例中，突丘形成係由非溫度條件造成。本文所述干涉式調變器及干涉式顯示器件可納入包含一 …貝示的經組怨以與該顯示器進行通信之處理器（其中該處理器、經組態以處理輯資料)、纟一經組態以與該處理器進行通信之記憶體器件的裝置中。在一些實施例中，鋏等I置可進一步包含一經組態以將至少一個信號發送至該顯示器之驅動電路及（在一些該等實施例中）一經組態以將至 > 一部分圖像資料發送至該驅動電路之控制器。在其他實施例中，料裝置可包含一經組態以將該圖像資料發送至該處理器之圖像源模組，其中該圖像源模組視情況：含接收器、收發器、發送器或其組合。該等裝置亦可包含一經組態以接收輸入資料並將輸入資料傳送至處理器之輪入器件。別如圖9及10中所緣示，按照上文所述方法構造干涉式調 130300.doc -35- 200848362 變器。該實例闡述一實施例，Λ中在圖9之步驟235中對犧牲層之表面實施處理以使在經處理之犧牲部分⑷上形成之含鋁第一導電上覆層140之特徵在於突丘形成(例如，熱誘導突丘形成）減少。應瞭解，本發明實施例亦包括其中處理參數改交之相關方法··例如，在該實例中所揭示之溫度、壓力、處理時間、功率、流速及/或氣體變化。在施加於陰極與陽極間以產生電漿之直流電之約爾瓦特功率位準下使用電漿韻刻室來處理犧牲層（在將該室抽真空幻。將該室保持在⑽mT之壓力下，並在約2〇秒内使適當ΐ之六氟化硫氣體及氧氣流人該室中。改變該等氣體之流速以確定有效流速。#氣化硫係以約3〇 %⑽之速率供應’且氧係以約200 sccm之速率供應。處理製程係在 = 實施’雖然不提供任何外部熱量電裝亦可能引起服度升同。（除可能引起溫度上升之電漿誘導之加熱外_在該實施例中不使用單獨基板加熱）。在於、、、工處理之犧牲表面上形成含銘第二導電層並藉由移除犧牲層形成空腔後’將該裝置暴露於高於Μ。。之溫度下。該含鋁層之特徵在於與其中犧牲層未經上述處理之相當裝置相比突丘形成減少。可士上文所述構造一干涉式調變器，除氧及六氟化硫二者均以約100 sccm速率供應外。獲得類似結果。在一些實施例中，圖9之步驟235中之對犧牲層之處理包含以可影響經處理（經氧化）之犧牲部分I45與上覆層（例如，上覆層140)間之相互作用的方式氧化犧牲層115以消 130300.doc -36- 200848362 之可能損 :或減少對上覆層或與上覆層機械耦接之其他層 _例如’對於諸如干涉式調變器等mems器件，經圖案化以形成器件之支撐結 s 15 ^ ? 犧牲層115形成機插 “例如，上覆層14〇)與餘刻終止層（未繪示）間之 :些實施例中，錢刻終止層可能形成於介電層m 形成該器件之最後步驟係移。機❹，……，刻終止層釋放 Ο 拽顿^層，由此在像素區域形成空腔。在-些實施例中，該機械層(例如’上覆層叫經圖案化以具有㈣孔洞或一。移除犧牲層ιΐ5可藉由使諸如 XeF2氣體等乾蝕刻劑流過該等十土孔洞及開口以接觸犧牲材料 ^成。當邮接觸該犧牲材料時，其通常開始向下姓刻嶋材料並隨後橫向以不斷増長的輕射圖案㈣該犧牲材科。翏見’例如，美國專利公開案第2_肩763 1 1號之圖14。由於㈣係在遍及像素之不同孔洞處開始且橫向釋放方向通常比向下方向之進行速率緩慢因此典型釋放之最後階段經常導致形成許多被環繞或剩餘之島狀物或柱狀物。參見’例如’美國專利公開案第2〇〇6_〇〇763"號之圖由於》亥等島狀物之體積逐漸減小，因此該等島狀物:用作支點，並且自機械層施加高度集中的機械應力。該等柱狀物巾之高度集巾應力可造«械層脫離並最終扯掉柱狀物下面的層Η丨士旧漕1例如圖10中之介電層110)。該不期望果稱為釋放破壞且該破壞可侵蝕埋入蝕刻終止層下面且對釋放蝕刻劑敏感之層（稱為釋放侵蝕）。 130300.doc -37- 200848362 吾人已發現，防止下伏層經受上述損害之一個方法係氧化犧牲層之表面，由此可在釋放破壞開始之前將機械層與银刻終止層分離。換言之，纟島狀物或柱狀物有機會形成之前將機械層快速地自犧牲層解除。該釋放錢可藉由在犧牲層釋放_期間藉助介面改良防止蝕刻終止層上應力誘導之損害來減少。在一些實施例中，該介面改良包含如上所述對犧牲層之處理。在一實^ 例中，該處理包含氧化。因此，步驟235中所實施之= 實施例之氧化處理係為介面改良以促進經氧化之犧牲； ⑼未經氧化之犧牲層115相比）、以降缝乳化之犧牲層145與上覆層14G間之黏著力或二者而實施。已發現’對於諸如經氧化之犧牲層145及未經氧化之牲層115寺夕層犧牲堆豐而言，當經氧化之犧牲層以較下 =未經氧化之犧牲層115為快之速率_時，上覆層⑽與

Lj :乳化之犧牲層145間之介面往往會在大量島狀物形成之則分離。另外，若藉助諸如電漿氧化等介面 :犧㈣⑷與上覆層⑽W，収將進3 =刀：“。類似地，若藉助諸如電衆氧化等乳化之犧牲層M5與未經氧化之犧牲層ιΐ5間之诗弱，則此亦將增進分離製程。而且 1 減劑中。可垂直…广區域暴露於㈣放部分二二下敍刻該暴露之區域;由於橫向釋成。為不重要，因此該機制能夠抑制島狀物形 130300.doc -38- 200848362 /等Λ她例之；丨面改良技術包括但不限於在犧牲層介面上之熱（thermaUtheat)處理、濕處理、氧化、電聚處理、薄層沈積或其組合。該等介面改良處理未必需要與犧牲層沈積原位實施。料處理可對單層及多層犧牲堆疊二者實施。在合適的犧牲㈣混合物及厚度與上述處理之組合下，已發現經適當處理之犧牲層單層足以提供釋放破壞及 /或釋放侵蝕問題之解決方案。 f該實施例之—態樣中，在製程200之步驟235中所實施之乳化處理包含熱處理。例如，已顯示對銦犧牲層實施熱處理可有效防止犧牲層移除期間製程2〇〇之步驟MS中之釋放钱刻對上覆/下伏層之損害。在另_態樣中，步驟出所、之氧化處理包含在約35〇〇c下用氧電聚將钥犧牲層處理約60秒。在該等態樣二者中，基本上不存在由諸如介電 ^ 〇等下。卩層之損害而造成之釋放破壞或釋放侵蝕。兩個態樣均展示經氧化犧牲層145之增加之蝕刻速率及/或經氧化犧牲層145與周圍層間降低之黏著力。在些實施例中，圖9中步驟235之對犧牲層之處理包含 =擇用於在步驟235中氧化犧牲層以形成經氧化之犧牲部刀的氧化條件，以提供較氧化之前犧牲層丨丨5之表面平滑之經氧化之犧牲部分（例如’層145)表面。已發現，對犧牲層⑴之表面進行處理以形成經氧化之犧牲層145可在移除經虱化之犧牲層145後降低上覆層140之表面粗糙度。該平滑處理可達成上覆層14〇出衆之光學品質，由此改善使用平π處理所形成之諸如干涉式調變器等光學器件 130300.doc -39- 200848362 之品質。在諸如干涉式調變器等光學MEMS器件中，可移動反射層之空腔側表面之粗糙度對器件之光學性能特徵甚為重要。較差之可移動反射層之粗糙度可導致亮狀態（例如，文致動）與暗狀態（例如，未受致動）間之反差比較低。此可導致較差之顯示器件品質。亦已發現，平滑處理可改善電響應特徵（例如，提供較寬且較一致之滯後窗口）。在使用該平滑處理製造干涉式調變器之一實例中，氧化處理包含用N2〇對鉬犧牲層u5之表面進行處理。已發現，對鉬犧牲層1 15之表面進行處理以形成經氧化之鉬犧牲層 145可在移除經氧化之鉬犧牲層145後降低上覆層之表面粗糙度。在該實例中，在沈積鉬犧牲層後所實施之3〇〇 kw N2〇處理可有效地平滑經氧化之鉬層表面並使釋放經氧化之鉬（例如，使用XeF2蝕刻）後上覆光學層表面粗糙度顯者改善。測試顯示該300 kw N2〇處理使表面粗糙度改善超過 70°/〇。具體而言，測試顯示不進行^2〇處理，觀察到7 ^ nm之Rms (Rq)表面粗糙度。經n2〇處理，該尺咖表面粗糙度降低至2.221 nm。另外，該等測試顯示該3 00 kw N2〇處理使得顯示哭件之滯後窗口更大且更一致。因為較大之滯後窗口（圖3中以約 + Vbias或- Vbias為中心之滯後或穩定窗口之寬度）可改盖干井式調變器之致動及釋放電壓位準的可靠性，故其係期望的。另外，在晶圓基板上製造之右干組顯示面板展示更一 130300.doc -40- 200848362 致（uniform或consistent)之滯後窗口寬度。當不用仏0處理製造時，包含匕各卞涉式凋變器之一組顯示陣列展示在約0.5伏至約2.0伏（平均為約㈣伏）範圍内之平均滯後窗口寬度。用N2〇處理時，一組顯示陣列展示在約 2.8伏至約3.3伏（平均為約3·μ)範圍内之滞後窗口寬度。因此’平均滯後窗口寬度大二4立一1口以上且晶圓基板上之顯示器件間之差異小得多。

ϋ 而且，用N2〇處理之顯示器件亦展示較高之反差比（在亮狀態反射之光相對於暗狀態反射之光之比）。未經處理之 -組顯示陣列展示在約！ ·6至約7 8範圍内之反差比（平均為約4.!)。經Να處理之一組顯示陣列展示在約5.m5範圍内之反差比(平均為約10.0)。因此，經ν2〇處理之顯示陣列之平均反差比係未經處理之顯示陣列的兩倍以上。表面粗糙度、反差比及滯後窗口寬度之該等改善皆可改善所得顯示器件之性能。另外，在使用Ν2〇處理之該相同晶圓基板上所製造顯示时之改良—致性亦可改善所製造顯示器件之合格成品率。、在些實施例中，實施步驟235之處理以解決使用鉬作為犧牲層114所特有之問題。然而，該等實施例之處理亦可用於諸如组或鎢犧牲層等其他犧牲層。已發現在使用鉬作為犧牲層時會發生兩個問題。第一個問題涉及在製程 2〇〇之步驟245中移除犧牲層後遺留之雜質。該等雜質被稱為螺疑升> 殘留物。螺旋形殘留物可降低干涉式調變器之空腔之光學品質。第二個問題與製程2〇〇之步驟22〇中犧牲層 130300.doc -41 - 200848362 沈積期間形成於犧牲層中之針孔(即，小孔穴)有關。該等針孔可導致諸如干涉式調變器等MEMS器件中（例如）列及仃电極間之電洩漏。該列及行電極間之電洩漏被稱為尺。茂漏、。針孔可以兩種方式造成漏。第一，在步驟^ 3 =以㈣支擇結構孔之㈣劑可透過犧牲層中之針孔並扣告光學堆®之下伏光學層並導致導電層^之短路。第二’沈積於犧牲層上之上覆層可填充該等針孔並導致在移除犧牲層後於上覆層上產生粗糙反射表面。 6n 針孔兩個與铜有關之問題均可藉由實施圖9中步驟235夕蚪趕以& J J精田子犧牲層之處理的一些實施例而減 ^該等實施例包含選擇諸如氧化、氣化、氟化、確化及/ ===選擇可使上部經處理之犧牲層(層145) 二二犧牲層(層115)之組合厚度與處理月J、、生層11 5相比有所增加之處理條件。在一個悲樣中，藉由處

U 成具有第一厚度之犧牲體積膨服提供在形厚度增加至第二厚度“Γ；; 或鷄）後使犧牲層 , 子又之方法。因此，形成具有

犧牲層需要較少之犧牲材料 X 移除犧牲層可導致較少之螺"::吏…之犧牲材料，材料，經處理之犧牲材料亦疋物。另外，端視犧牲得更乾淨且亦導致產以:、可比未經處理之犧牲材料餘刻導致產生較少之螺旋形殘留物。在另一態樣中，佶播& s之體積膨脹可減少或消降（如如）在使❹作為犧牲層時已發 y除（例孔。犧牲層（例如，”）中形成之針之針孔可由於氧化處理期間犧 130300.doc -42- 200848362 牲層之橫向膨脹而關閉。在其中銦用作犧牲層且氧化用作處理之實施例中，步驟 235之處理導致在至少未經氧化之銦犧牲層U5表面上形成之鉬氧化物層145。端視氧化的量及氧化處理之性質，可形成不同的鉬氧化物。已發現大多數穩定之銦氧化物往往為Mo〇3。假定鉬之密度為約1〇3 kg/cm3iM〇〇3之密度為、力4.7 kg/cm ，則鉬犧牲層將在氧化期間經歷體積膨脹。口此例如，在其中鉬僅可在一個方向上膨脹（例如，垂直於基板）之受約束實施例中，M〇〇3層之厚度可為氧化前未經氧化之鉬層厚度的3.3倍。在一些實施例中，在該鉬氧化物層上形成鈍化層。例如，可在製程200之步驟240中形成之上覆層14〇沈積之前沈積Si〇2。上覆層140可進一步包括在該鈍化層上形成之第二導電層。該鈍化層用以幫助在步驟245之經氧化之犧牲層145移除期間將經氧化之犧牲層145與第二導電層分離。在該等實施例中，步驟235之氧化處理可包含用諸如 Cb、F12、〇2及/或n20及其他等氣體進行處理。已實施實驗來證實鉬氧化之結果係以其填充諸如小針孔等小孔穴之方式使犧牲層膨脹且在垂直於基板之方向上膨脹至足以限定干涉式空腔之深度的深度。圖11繪示實驗中用以證實藉由氧化處理之鉬之膨脹特徵之多層堆疊的實例。多層堆疊25 0係在矽基板255上形成。將第一鉬層260沈積於矽基板255上。隨後將Si02 265層沈積於第一鉬層260上。隨後將第二鉬層270沈積於8丨〇2層 130300.doc -43- 200848362 265上。在圖l i所示之實施例中，第一及第二鉬層26〇及 270之深度各為2000人且Si〇2層265之深度為45〇人（在垂直於基板2 5 5之方向上量測）。在形成第二鉬層270後，將孔洞280圖案化於鉬層270 中。在形成孔洞280後，蝕刻Si〇2層265以底切第二鉬層 270，由此在第一鉬層26〇與第二鉬層27〇之間形成小空腔 285。空腔285之橫向尺寸約為6〇〇〇人。 c

在形成空腔285後，將多層堆疊250放置於CVD室中並將其氧化。在該等實驗中所用之特別氧化為氧電漿氧化方法。然而，亦可使用諸如熱氧化等其他氧化方法，但在一些情形下其由於溫度可能較高而較不佳。在於〇：¥1)室甲氧化約180秒後，由於氧化及因而發生之第一及第二鉬層26〇及27〇之膨脹空腔285基本上關閉。因此，該等實驗證實錮氧化可為填充諸如上述針孔等小空穴之可行解決方案。非氧化處理亦可有效地使犧牲層膨脹。表丨簡要說明氟化、硝化、氯化及氧化影響鉬、矽、鎢及鍺體積之程度。士下表1中所示般’在用氟、氮、矽、氯或氧處理後，與未處理條件相比鉬體積增加（在表i中將M〇F3、、' MoN、MoSi2、Mg〇2、Mg〇4MgC1a莫耳體積與編之莫耳體積進行比較）。類似地，矽氮化物及矽氧化物之莫耳體積大於⑦之莫耳體積；職化物之莫耳體積大於鍺之莫耳體積，鑄氮化物、鱗氣化物及鎮氧化物鶴之莫耳體積。該等分析表明用氣、石夕、氣及積^ 處理犧牲層可有效地使犧牲層膨脹。因此，較少之該等犧 130300.doc -44- 200848362 牲材料可用以提供給定提高了製造方法之效率之犧牲層厚度，由此節省了成本並

L 材料 Mo Si W Ge MoF3 MoF5 MoN MoSi2 M〇〇2 M0O3 Mods WN2 WC14 W02 SiO S13N4 GeF2 莫耳體積(cm3/mol) 9.5 12.1 9.4 13.6 33.0 54.6 12.0 24.5 19.8 30.6 54.1 27.5 70.5 20.0 20.2 44.3 30.4 表1 XeF2化學計量 3 2 3 2 1·5 0.5 2 2 6 相對Μο之XeF2使用量 1 0.53 1·0 0.47 0.14 0.029 0.80 0.91 0.32 0.21 0.18 0.35 0.14 0.48 0.31 0.43 0.10 表1亦列示與姓刻未經處理之Μ。所需要之^的量相比钱刻犧牲材料（未經處理材处埋之材枓與經處理之材料二者）所兩要X壤之化學計量比。可以看出，與未經處理之2 相比幾乎所有經處理材料㈣時皆需要較少之XeF2。拜由使賴少之邮可降低成本並可提高製造方法之效率。曰 ^ & ^文之砰細M述已顯示、闡述及指出了適用於各種貝施例之新穎性能，然而應瞭解，可在形式及細節上對所 130300.doc -45- 200848362 闡釋之器件或方法作出各種刪略、替代及改動，此並不背離本發明所揭示之器件或方法。應認識到，本發明可在並不具有本文所述之全部性能及優點的形式中實施，因為某些性能可獨立於其他特徵使用或實施。【圖式簡單說明】々圖1係繪示一個干涉式調變器顯示器實施例之一部分之等軸圖#中第一干涉式調變器之可移動反射層處於鬆弛位置而第二干涉式調冑器之可移動反射層4☆受致動位置。圖2係系統方塊圖，其繪示納入3x3干涉式調變器顯示器之電子器件的一個實施例。圖3係圖1之干涉式調變器之一個例示性實施例之可移動反射鏡位置與所施加電壓之關係圖。圖4係一組可用於驅動干涉式調變器顯示器之列及行電壓之繪示。圖从及5B纷示可用於將顯示資料訊框寫人圖2所示3x3 干涉式調變器顯示器的列及行信號的—個實例性時序圖。圖6A及6B係-系統方塊圖，其繪示—包含複數個干涉式調變器之視覺顯示器件的實施例。圖7A係圖1器件之剖面圖。圖7B係一干涉式調變器之替代實施例之剖面圖。圖7C係-干涉式調變器之另—替代實施例之剖面圖。請係一干涉式調變器之再一替代實施例之剖面圖。圖7E係-干涉式調變器之另—替代實施例之剖面圖。 130300.doc -46- 200848362 圖8係繪示在製造一干涉式調變器之方法實施例中之某些步驟的流程圖。圖9係繪示製造一 MEMS器件之方法實施例之流程圖。圖10A至10H不意性地繪示製造一 MEMSg件之方法實施例0 圖11繪示實驗中用以證實藉由氧化處理之鉬之膨脹特徵之多層堆疊的實例。

【主要元件符號說明】 12a 12b 14 14a 14b 16 16a 16b 18 19 20 21 22 24 26 27 干涉式調變器干涉式調變器可移動反射層可移動反射層可移動反射層光學堆疊光學堆疊光學堆疊支柱（支撐柱）空隙（空腔）基板處理器陣列驅動器列驅動電路行驅動電路網路介面 130300.doc -47- 200848362 28 訊框緩衝器 29 驅動控制器 30 顯示陣列（顯示器/面板） 32 系鏈 34 可變形層 40 顯示器件 41 外殼 42 支撐柱栓塞 43 天線 44 匯流排結構 45 揚聲器 46 麥克風 47 收發器 48 輸入器件 50 電源 52 調節硬體 100 基板 105 導電層 110 介電層 115 犧牲層 130 支撐結構孔 135 支撐結構 140 上覆層 145 經處理之犧牲層 130300.doc -48- 200848362 150 155 172 175 250 1 255 . 260 265 C' 270 280 285 空腔經處理表面外形部分製成之MEMS器件干涉式調變器多層堆疊矽基板第一铜層 si〇e 第二銦層孔洞空腔 130300.doc -49-

Claims

200848362 十、申請專利範圍： K種製造一微機電系統（MEMS)器件之方法，其包含·· 在基板上形成一犧牲層；、皆至ν °卩分該犧牲層實施處理以形成經處理之犧牲部在至部分該經處理之犧牲部分上形成一上覆層；及心至少部分移除該經處理之犧牲部分以形成一位於該基板 '覆層之間之空腔，該上覆層係暴露於該空腔中。月求項1之方法’其中該處理包含氧化。 3·如請求項1 „ 、方法，其中該處理包含將該犧牲層暴露於氮、氟及氯中之一或多者中。 4 ·如請求項1 、 / ，/、中遠空腔係一干涉式調變空腔。 5 · 如请求jp彳夕, 、爻方法，其中該經處理之犧牲部分包含上部經處理之樣“ 口 θ，且该犧牲層之剩餘部分包含下部基上未經處理之犧牲層。 6. 如請求項ς L: 立、之方法，其中在與該基板垂直方向所量測之 μ上部經處理之犧牲層的深度基本上一致。 7·項5之方法，其包含移除至少-部分該上部經處層，層及至少一部分該下部基本上未經處理之犧牲曰^中该上部經處理之犧牲層之蝕刻速率大基本上去夂士疋干人於$下部禾！處理之犧牲層之蝕刻速率。 8·如請求項s 層包含_ 其中該下部基本上未經處理之犧牲 9·如請求項8 、之方法，其中該上部經處理之犧牲層包含鉬 130300.doc 200848362 氧化物。 10.如請求们之方法，其中該 π·如請求項10之太车 *丄金屬、之方法，其中該金屬包含鋁。 12 ·如请求項】丨女理以形二Γ 含選擇用於對該犧牲層實施處移除之犧牲部分的處理條件以在至少部分 :除·處理之犧牲部分後減少該上覆銘層中突成，5亥方法進一步包含在i小立 y 部分德收在至^4勿移除該經處理之犧牲 Γ 中。g5請EMS器件暴露於原本料突丘之條件 1 3 ’如明求項12之方法，豆包合八匕3璉擇可減少突丘數量之該等處理條件。 ^ 14.如請求項12之方法，其包含選擇可減小突丘尺寸之該等處理條件。 15·如請求項12至14中任一項之方法，其中該等突丘包含熱誘導突丘。 16·如睛求項12至14中任一項之方法，其中該原本誘導突丘之條件包含將該MEMS器件暴露於高於約100它之溫度下。 1 7·如請求項12至14中任一項之方法，其中該原本誘導突丘之條件包含將該MEMS器件暴露於高於約200。(：之溫度下。 18.如請求項12至14中任一項之方法，其中該原本誘導突丘之條件包含將該MEMS器件暴露於高於約500 °C之溫度下。 130300.doc 200848362 9至11中任一項之方法，其包含選擇用於對該、"施處理以形成該經處理之犧牲部分的處理條理之上部經,理之犧牲層與該下部基本上未經處加的。ΰ之組合厚度與該處理前之該犧牲層相比係增 20·如請求項〗至丨丨中任一 # 、方法，其包含選擇用於對該 '層處理以形成該經處理之犧牲部分的處理條 2在至少部分移除該經處理之犧牲部分期間降低該覆層與該經處理之犧牲部分之間之黏著程度。 21·如請求们至14中任一項之方法，其中該上覆層包含一 =層及在㈣化層上形成之—導電層，該純化層係經 …助於在至少部分移除該經處理之犧牲部分期間使该經處理之犧牲部分與該導電層分離。 22.::青求項⑴丨中任一項之方法，其包含選擇用於對該 1牲層實施處理以形成該經處理之犧牲部分的處理條 U 件’以提供比該處理前之該犧牲層表面平滑之該經處理之犧牲部分表面。认如請求項22之方法，其中該等處理條件包含糾或〜處理或二者。 24.如請求们至14中任一項之方法，其中該對至少一部分該犧牲層之處理包含將該犧牲層之—表面暴露於含氧分子或基團中。 25·如請求項24之方法，其中該氧包含離子化氧。 26.如請求们至14中任一項之方法’其中該對至少一部分 130300.doc 200848362 該犧牲層之處理包含對該犧牲層實施加熱。 27·如請求項！至14中任一 , 貝之方法，其中該對至少一部分該犧牲層之處理包令脾# 处匕3將该犧牲層暴露於電漿中。 28.如請求項！至14中任一右^ 、法，其包含基本上移除所有该經處理之犧牲部分。 29·如請求項1至14中任-項之方法，其進一步包含：藉由將該犧牲層之一矣&I + 表面暴路於六氟化硫中而對該犧牲層之该表面實施處理；及在該經六氟化硫處理之表面上形成該上覆層。 3〇·如請求項1至14中任-項之方法，其進-步包含：在該基板上形成一電極；及在該電極上形成該犧牲層， -中。亥工腔係位於該電極與該上覆層之間。 31·如請求項30之方法，1 緣層。八進一步包含在該電極上形成一絕 3 2 ·如明求項3 〇之方法，進一步包含形成至少一個將該電 °亥上佼層分離之支撐結構。 33. 一種干涉式顯示器件，其包含：在—基板上形成之第一電極；位於該第一電極上並動第二電極，复基本上平行之一可移卜_ “ ^ 弟—電極包含一面向在該第一電極盥 …：極之間形成之空腔的經處理表面外形；Α ’、在：第—電極與該可移動第二電極之間之複數個支撐、、位於支撐該可移動第二電極之處。 130300.doc 200848362 34·如明求項33之干涉式顯示器件，其中該可移動第二包含鋁。 35·如明求項34之干涉式顯示器件，其中該可移動第二電極之工腔側的經處理表面外形對高溫基本上不敏感。 36· 士明求項35之器件，其進一步包含一位於該第一電極上之絕緣層。 37·如明求項35至36中任一項之器件，其中該等高溫係高於約 100°C。 3 8.如明求項35至36中任一項之器件，其中該等高溫係高於約 20〇°c。 39.如請求項35至36中任一項之器件，其中該等高溫係高於約 50〇。〇。 4〇·如:求項35至36中任一項之干涉式顯示器件，其中該第電極之空腔側的經處理表面外形係經組態以在暴露於局溫下時具有降低之突丘形成趨勢。 41. 一種顯不器件，其包含如請求項33至％中任一項之干涉式顯示器件陣列。 42. 如請求項41之顯示器件，其進一步包含：經組怨以與該陣列通信之處理器，該處理器係經組態以處理圖像資料；及一 Μ組態以與該處理器通信之記憶體器件。 43 ·如明求項42之顯示器件，其進一步包含一經組態以將至少一個信號發送至該陣列之驅動電路。 44.如請求項43之器件，其進一步包含一經組態以將至少一 130300.doc 200848362 部分該圖像資料發送至該驅動電路之控制器。 45·如請求項42之器件，次 "進步包含一經組態以將該圖像貝；斗發送至該處理器之圖像源模組。 46·如請求項45之器件，，、中忒圖像源核組包含接收器、收务為、及發送器中之至少一者。 47·如請求項42之器件，i 土隹一牛勹人次一 "乂匕3—經組態以接收輸入貝…將《輸人貧料傳送至該處理器之輸入哭件。 48. —種未釋放之干涉式顯示器件，其包含：。在一基板上形成之第一電極；在至少一部分該第一雷極V开）A、ΛΆ 、上形成之弟一犧牲層，該第一犧牲層包含第一犧牲材料；，至少-部分該第-犧牲層上形成之第二犧牲層， §亥弟二犧牲層包含該第-犧牲材料之經處理變體；、在至一部分该第二犧牲層上形成之第二電極；及在该第一電極與該第二電極电位之間之歿數個支撐件，其位於在移除該第一犧牲層及亨箓- 之處。看及°亥弟一犧牲層時支標該第二電極 49·如請求項48之未釋放之+、半々& 一〆以式頒不器件，其中該經處理，交體包含一經氧化變體。 5 0 ·如凊求項4 8之未釋放之+、半— 评從乏干涉式顯示器件，其板基本垂直方向所量測、 /、以土致。亥弟—犧牲層的深度基本上一 51.如請求項48至50中任一項其中該第-犧牲層包含鋼未釋放之干涉式顯示器件， 130300.doc 200848362 52·如4求項48至50中任一項之未釋放之干涉式顯示器件，其中该第二犧牲層包含鉬氧化物。 53·如明求項48至5G中任-項之未釋放之干涉式顯示器件，其中該上覆層包含金屬。 54. 如請求項53之未釋放之干涉式顯示器件，其中該金屬包含I呂。 55. —種干涉式顯示器件，其包含·· 用於支樓至少—部分該顯示器件之第-構件； :反射光之第一構件，該第一反射構件至少部分反射光且至少部分透射光且形成於該支撑構件上； "用於反射光之第二構件，該第：反射構件至少部分反射光，該第二反射構件係可移動的且位於該第一反射構件上且與Θ弟-反射構件平行，其中該第二反射構件包含一面向在該第-反射構件與該第二反射構件之間之一干涉式空腔的經處理表面外形；及王用於支撐该弟一反身十播/土 I* — 夂射構件上之该弟二反射構件之第二構 56. 如請求項55之顯示器件，其中該第一板0 支撐構件包含一基一反射構 57.如請求項55㈣求心之顯示器件，其中該第件包含一光學堆疊。 58. 59. 如請求項55或請求項56之顯示器件，其中該第件包含一可移動反射層。如請求項⑽請求項56之顯示器件，其中該第反射構支揮構 130300.doc 200848362 件包含支撐柱。 6〇· —種沈積含銀薄膜之方法，其包含：對下伏層之表面實施處理以形絲處理之表面，·及將該含銀薄膜沈積於該經處理之表面上， · 其中該處理使該含銀薄財突丘之形成減少。 61.如請求項60之方法’其中該突丘形成包含熱誘導突丘形成0 62.

如請求項60之方法含將該表面暴露於中0 ’其中對該下伏層之表面實施處理包六氟化硫、氧及電漿中之一或多者 -如請求項60至62中任一項之方法，其中對該下伏層之表面實施處理包含對該表面實施加熱。 64. 如請求項6〇至62中任一項之方法，其進—步包含將該含銀溥膜加熱至原本會誘導突丘之溫度。 65. 如請求項60至62中任一項之方法，其進_步包含移除至

:::分該下伏層以由此暴露至少一部分先前與理之表面接觸之含銀薄膜。 66. 下伏之溫如請求項60至62中任一項之方法，其包含在移除該層之後，將該含銀薄膜加熱至該原本會誘導突^ 度0 67.如請求⑽至62中任一項之方法，其中對該下伏面實施處理包含使該表面平滑。 " <表 130300.doc