CN101652317A - 通过牺牲层中的界面修改来消除释放蚀刻侵蚀 - Google Patents

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CN101652317A CN200880010748A CN200880010748A CN101652317A CN 101652317 A CN101652317 A CN 101652317A CN 200880010748 A CN200880010748 A CN 200880010748A CN 200880010748 A CN200880010748 A CN 200880010748A CN 101652317 A CN101652317 A CN 101652317A
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Abstract

本发明描述制造微机电系统(MEMS)装置的方法。在一些实施例中，所述方法包括：在衬底上形成牺牲层；处理所述牺牲层的至少一部分以形成经处理的牺牲部分；在所述经处理的牺牲部分的至少一部分上形成上覆层；以及至少部分地移除所述经处理的牺牲部分以形成位于所述衬底与所述上覆层之间的腔，所述上覆层暴露于所述腔。

Description

通过牺牲层中的界面修改来消除释放蚀刻侵蚀
相关申请案的交叉参考
本申请案主张2007年4月4日申请的标题为“处理下伏层以控制在反射层中的小凸起的形成”(“TREATING UNDERLYING LAYERS FOR CONTROL OF HILLOCKFORMATION IN REFLECTING LAYERS”)的第60/910,184号美国临时申请案的权益，该案的全文以引用的方式并入本文中。
技术领域
实施例涉及处理下伏牺牲层以在移除经处理的牺牲层期间及/或之后影响上覆层及/或下伏牺牲层的各种性质的方法，其中上覆层形成于经处理的牺牲层上。其它实施例涉及制造含有表面轮廓受到此处理的影响的上覆层的微机电系统。
背景技术
微机电系统(MEMS)包括微机械元件、激活器及电子设备。可使用沉积、蚀刻及或其它蚀刻掉衬底及/或沉积材料层的部分或添加层以形成电及机电装置的微机械加工工艺来产生微机械元件。一种类型的MEMS装置被称为干涉式调制器。在本文中使用时，术语干涉式调制器或干涉式光调制器是指使用光学干涉原理选择性地吸收及/或反射光的装置。在某些实施例中，干涉式调制器可包含一对导电板，其中的一者或二者可整体或部分地具有透明及/或反射性，且能够在施加适当电信号后发生相对运动。在特定实施例中，一个板可包含沉积在衬底上的固定层，且另一板可包含通过气隙与固定层分离的金属薄膜。如本文更详细描述，一个板相对于另一板的位置可改变入射在干涉式调制器上的光的光学干涉。所述装置具有广泛应用，且利用及/或修改这些类型的装置的特性使得其特征可用以改进现有产品和产生尚未开发的新产品在此项技术中将是有利的。
发明内容
本文中描述的系统、方法及装置各自具有若干方面，其中没有哪个单个一者单独负责其所要属性。在不限制范围的情况下，现在将简要论述主要特征。在考虑此论述之后，且尤其是在阅读标题为“具体实施方式”的章节之后，将了解本文中描述的特征如何提供优于其它显示器装置的优点。
一实施例提供一种制造微机电系统(MEMS)装置的方法。此实施例的方法包括：在衬底上形成牺牲层；处理所述牺牲层的至少一部分以形成经处理的牺牲部分；在所述经处理的牺牲部分的至少一部分上形成上覆层；以及至少部分地移除所述经处理的牺牲部分以形成位于所述衬底与所述上覆层之间的腔，所述上覆层暴露于所述腔。所述处理可包括使所述牺牲层氧化及/或暴露于氮、氟及氯中的一者或一者以上。所述腔可为干涉式调制腔。经处理的牺牲部分可包括上部经处理的牺牲层，且牺牲层的其余部分包含下部大体上未经处理的牺牲层。所述上部经处理的牺牲层可在垂直于衬底的方向上测量的深度上大体上是均匀的。所述方法可进一步包括移除所述上部经处理的牺牲层的至少一部分及所述下部大体上未经处理的牺牲层的至少一部分，其中所述上部经处理的牺牲层的蚀刻速率大于所述下部大体上未经处理的牺牲层的蚀刻速率。所述下部大体上未经处理的牺牲层可包括钼。所述上部经处理的牺牲层可包括氧化钼及/或金属。所述金属可包括铝。所述方法可进一步包括选择用于处理牺牲层以形成经处理的牺牲部分的处理条件，以便减少在至少部分地移除经处理的牺牲部分之后在上覆铝层中的小凸起(hillock)的形成，所述方法进一步包含在至少部分地移除经处理的牺牲部分之后使MEMS装置暴露于原本会引起小凸起的条件。所述方法可进一步包括选择处理条件以减少小凸起的数目，及/或选择处理条件以减少小凸起的大小。所述小凸起可包含由热量引起的小凸起。原本会引起小凸起的条件可包括使MEMS装置暴露于大于约100℃、大于约200℃及/或大于约500℃的温度。所述方法可进一步包括选择用于处理所述牺牲层以形成经处理的牺牲部分的处理条件，以便与处理之前的牺牲层相比增加上部经处理的牺牲层与下部大体上未经处理的牺牲层的组合厚度，且/或在至少部分地移除经处理的牺牲部分期间减小上覆层与经处理的牺牲部分之间的粘合程度。所述上覆层可包括钝化层及形成于所述钝化层上的导电层，所述钝化层经配置而有助于在至少部分地移除经处理的牺牲部分期间允许所述经处理的牺牲部分与所述导电层分离。所述方法可进一步包括选择用于处理所述牺牲层以形成经处理的牺牲部分的处理条件，以便提供经处理的牺牲部分的比处理之前的牺牲层的表面更光滑的表面。所述处理条件可包括N2O或O2处理或这两者。对牺牲层的至少一部分的处理可包括使牺牲层的表面暴露于含氧的分子或基团。氧可包括离子化的氧。对牺牲层的至少一部分的处理可包括加热牺牲层。对牺牲层的至少一部分的处理可包括使牺牲层暴露于等离子。所述方法可进一步包括移除大体上全部的所述经处理的牺牲部分。所述方法可进一步包括通过使牺牲层的表面暴露于六氟化硫来处理牺牲层的表面；以及在经过六氟化硫处理的表面上形成上覆层。所述方法可进一步包括在衬底上形成电极；以及在电极上形成牺牲层，其中腔位于电极与上覆层之间。所述方法可进一步包括在电极上形成绝缘层。所述方法可进一步包括形成至少一个使所述电极与所述上覆层分离的支撑结构。
在一些实施例中，提供一种干涉式显示器装置，所述装置包括：第一电极，其形成于衬底上；可移动的第二电极，其位于所述第一电极上且大体上平行于所述第一电极，其中所述第二电极包含面向形成于所述第一电极与所述第二电极之间的腔的经处理的表面轮廓；以及多个支撑件，其位于所述第一电极与所述可移动的第二电极之间，且经定位以支撑所述可移动的第二电极。所述可移动的第二电极可包括铝。所述可移动的第二电极的腔侧的经处理的表面轮廓可大体上对高温不敏感。所述装置可进一步包括位于所述第一电极上的绝缘层。所述高温可大于约100℃、200℃及/或500℃。所述第二电极的腔侧的经处理的表面轮廓可经配置以具有在暴露于高温后形成小凸起的减小的趋势。在一些实施例中，提供一种显示器装置，其包含本文中所述的干涉式显示器装置的阵列。所述显示器装置可进一步包括：处理器，其经配置以与所述阵列通信，所述处理器经配置以处理图像数据；以及存储器装置，其经配置以与所述处理器通信。所述显示器装置可进一步包括经配置以将至少一个信号发送到所述阵列的驱动器电路。所述显示器装置可进一步包括经配置以将所述图像数据的至少一部分发送到所述驱动器电路的控制器。所述显示器装置可进一步包括经配置以将所述图像数据发送到所述处理器的图像源模块。所述图像源模块可包括接收器、收发器及发射器中的至少一者。所述显示器装置可进一步包括经配置以接收输入数据并将所述输入数据传送到所述处理器的输入装置。
在一些实施例中，提供一种未释放的干涉式显示器装置，所述装置包括：第一电极，其形成于衬底上；第一牺牲层，其形成于所述第一电极的至少一部分上，所述第一牺牲层包含第一牺牲材料；第二牺牲层，其形成于所述第一牺牲层的至少一部分上，其中所述第二牺牲层包含所述第一牺牲材料的经处理的变化形式；第二电极，其形成于所述第二牺牲层的至少一部分上；以及多个支撑件，其位于所述第一电极与所述第二电极之间，且经定位以在移除所述第一牺牲层及所述第二牺牲层后支撑所述第二电极。所述经处理的变化形式可包括经氧化的变化形式。所述第二牺牲层可在大体上垂直于所述衬底测量的深度上大体上是均匀的。所述第一牺牲层可包括钼。所述第二牺牲层可包括氧化钼。所述上覆层可包括金属。所述金属可包括铝。
在一些实施例中，提供一种干涉式显示器装置，所述装置包括：用于支撑所述显示器装置的至少一部分的第一装置；用于反射光的第一装置，所述第一反射装置至少部分地反射光且至少部分地透射光，且形成于所述支撑装置上；用于反射光的第二装置，所述第二反射装置至少部分地反射光，所述第二反射装置可移动且位于所述第一反射装置上，且平行于所述第一反射装置，其中所述第二反射装置包含面向所述第一反射装置与所述第二反射装置之间的干涉腔的经处理的表面轮廓；以及用于支撑位于所述第一反射装置上的所述第二反射装置的第二装置。所述第一支撑装置可包括衬底。所述第一反射装置可包括光学堆叠。所述第二反射装置可包括可移动的反射层。所述第二支撑装置可包括支撑柱。
在一些实施例中，提供一种沉积含银的薄膜的方法，所述装置包括：处理下伏层的表面以形成经处理的表面；以及在所述经处理的表面上沉积所述含银的薄膜；其中所述处理减少在所述含银的薄膜中的小凸起的形成。所述小凸起的形成可包括因热量引起的小凸起的形成。处理所述下伏层的表面可包括使所述表面暴露于六氟化硫、氧及等离子中的一者或一者以上。处理所述下伏层的表面可包括加热所述表面。所述方法可进一步包括将所述含银的薄膜加热到原本会引起小凸起的温度。所述方法可进一步包括移除所述下伏层的至少一部分，因而使先前与所述经处理的表面接触的含银的薄膜的至少一部分暴露。所述方法可进一步包括在将所述含银的薄膜加热到原本会引起小凸起的温度之前移除所述下伏层。处理所述下伏层的表面可包括使所述表面变光滑。
下文更详细地描述这些及其它实施例。
附图说明
图1是描绘干涉式调制器显示器的一个实施例的一部分的等角视图，其中第一干涉式调制器的可移动反射层处于松弛位置，且第二干涉式调制器的可移动反射层处于激活位置。
图2是说明并入有3×3干涉式调制器显示器的电子装置的一个实施例的系统框图。
图3是图1的干涉式调制器的一个示范性实施例的可移动镜面位置对所施加电压的图。
图4是可用以驱动干涉式调制器显示器的一组行电压及列电压的说明。
图5A及图5B说明可用以将显示数据的帧写入到图2的3×3干涉式调制器显示器的行信号及列信号的一个示范性时序图。
图6A及图6B是说明包含多个干涉式调制器的视觉显示器装置的实施例的系统框图。
图7A是图1的装置的横截面。
图7B是干涉式调制器的替代实施例的横截面。
图7C是干涉式调制器的另一替代实施例的横截面。
图7D是干涉式调制器的又一替代实施例的横截面。
图7E是干涉式调制器的额外替代实施例的横截面。
图8是说明制造干涉式调制器的方法的实施例中的某些步骤的流程图。
图9是说明制造MEMS装置的方法的实施例的流程图。
图10A到图10H示意性说明用于制造MEMS装置的方法的实施例。
图11说明在实验中用以验证经氧化处理的钼的膨胀特性的多层堆叠的实例。
具体实施方式
以下详细描述是针对某些特定实施例。然而，本文中的教示可以许多不同方式应用。在此描述中参看图式，其中相同零件始终用相同数字表示。所述实施例可在任何经配置以显示图像(无论是运动图像(例如，视频)还是固定图像(例如，静态图像)，且无论是文字图像还是图形图像)的装置中实施。更确切地说，预期所述实施例可在多种电子装置中实施或与其相关联，所述电子装置例如(但不限于)是移动电话、无线装置、个人数据助理(PDA)、手持式或便携式计算机、GPS接收器/导航仪、相机、MP3播放机、便携摄像机、游戏控制台、腕表、钟表、计算器、电视监视器、平板显示器、计算机监视器、自动显示器(例如，里程计显示器等)、驾驶舱控制器及/或显示器、相机视野显示器(例如，车辆中的后视相机的显示器)、电子照片、电子展板或电子标志、投影仪、建筑结构、封装及美学结构(例如，一件珠宝上的图像显示)。与本文所述的MEMS装置结构类似的MEMS装置也可用于非显示器应用，例如用于电子开关装置。
MEMS装置可含有金属反射层。举例来说，MEMS装置可含有通过腔与衬底分离的可移动层。腔的形成可包括形成牺牲层，随后形成上覆层。已发现使用下述方法中的一者或一者以上来处理牺牲层(或其它下伏层)可在移除牺牲层期间及/或之后改进牺牲层及/或上覆层的一个或一个以上特性。在一些实施例中，所述处理包含使牺牲层氧化。在一些实施例中，形成于经处理的层上的上覆层(例如，包含铝及/或银的层)的形成小凸起的趋势降低。例如热量或应力可引起形成这些小凸起。在一些实施例中，下伏层的蚀刻速率提高，因而对上覆层施加较小应力且在移除牺牲层期间减小损坏上覆层的可能性。在一些实施例中，与相同量的未经处理的材料所提供的厚度相比，牺牲层的厚度对于给定量的材料增加。在一些实施例中，与上覆层与未经处理的牺牲层之间的粘合相比，上覆层与经处理的牺牲层之间的粘合减少。在一些实施例中，处理使形成于牺牲层中的针孔封闭，且防止在移除牺牲层期间对其它层造成损害。在又一实施例中，处理牺牲层提供比处理之前的牺牲层表面更光滑的表面。
图1中说明一个包含干涉式MEMS显示元件的干涉式调制器显示器实施例。在这些装置中，像素处于亮状态或暗状态。在亮(“松弛”或“打开”)状态下，显示元件将大部分入射可见光反射到用户。当在暗(“激活”或“关闭”)状态下，显示元件将极少入射可见光反射到用户。“接通”及“断开”状态的光反射性质可视实施例而逆转。MEMS像素可经配置以主要在选定色彩下反射，从而允许除黑白外的彩色显示。
图1是描绘视觉显示器的一系列像素中的两个相邻像素的等角视图，其中每一像素包含一MEMS干涉式调制器。在一些实施例中，干涉式调制器显示器包含这些干涉式调制器的行/列阵列。每一干涉式调制器包括一对反射层，两者彼此相距可变且可控距离而定位以形成具有至少一个可变尺寸的光学共振间隙。在一个实施例中，所述反射层中的一者可在两个位置之间移动。在第一位置(本文称为松弛位置)中，可移动反射层定位在距固定部分反射层相对较大距离处。在第二位置(本文称为激活位置)中，可移动反射层定位在较紧密邻近于所述部分反射层处。从两个层反射的入射光视可移动反射层的位置而发生相长或相消干涉，从而为每一像素产生总体反射或非反射状态。
图1中的像素阵列的所描绘部分包括两个相邻干涉式调制器12a及12b。在左边的干涉式调制器12a中，可移动反射层14a被说明为位于距光学堆叠16a预定距离的松弛位置，所述光学堆叠16a包括部分反射层。在右边的干涉式调制器12b中，可移动反射层14b被说明为位于邻近于光学堆叠16b的激活位置。
如本文所参考，光学堆叠16a及16b(统称为光学堆叠16)通常包含若干融合层(fusedlayer)，所述融合层可包括例如氧化铟锡(ITO)等电极层、例如铬等部分反射层及透明电介质。光学堆叠16因此是导电、部分透明且部分反射性的，且可(例如)通过将上述层中的一者或一者以上沉积到透明衬底20上来制造。部分反射层可由例如各种金属、半导体及电介质等具有部分反射性的多种材料形成。部分反射层可由一层或一层以上材料形成，且所述层中的每一者可由单一材料或材料组合形成。
在一些实施例中，如下文进一步描述，光学堆叠16的层被图案化为平行条带，且可形成显示器装置中的行电极。可将可移动反射层14a、14b形成为沉积金属层(垂直于行电极16a、16b)的一系列平行条带，以形成沉积在柱18的顶部上的列及沉积在柱18之间的介入牺牲材料。当牺牲材料被蚀刻掉时，可移动反射层14a、14b通过所界定的间隙19与光学堆叠16a、16b分离。例如铝等高度导电且反射的材料可用于反射层14，且这些条带可形成显示器装置中的列电极。请注意，图1可能并非按比例绘制。在一些实施例中，柱18之间的间距可能大约为10-100um，而间隙19可大约为＜1000埃。
在不施加电压的情况下，如由图1中的像素12a所说明，间隙19保持在可移动反射层14a与光学堆叠16a之间，其中可移动反射层14a处于机械松弛状态。然而，当将电位(电压)差施加到选定行及列时，形成在对应像素处的行电极与列电极的相交处的电容器变得带电，且静电力将电极拉到一起。如果电压足够高，则可移动反射层14变形，且被迫抵靠着光学堆叠16。如由图1中的右边的激活像素12b所说明，光学堆叠16内的介电层(未在本图中说明)可防止短路并控制层14与16之间的分离距离。无论所施加的电位差的极性如何，所述行为相同。
图2到图5说明一种在显示器应用中使用干涉式调制器阵列的示范性过程及系统。
图2是说明可并入有干涉式调制器的电子装置的一个实施例的系统框图。所述电子装置包括处理器21，其可为任何通用单芯片或多芯片微处理器，例如8051、
Figure G2008800107482D00072
Power
Figure G2008800107482D00073
或
Figure G2008800107482D00074
或任何专用微处理器，例如数字信号处理器、微控制器或可编程门阵列。如此项技术中的常规，处理器21可经配置以执行一个或一个以上软件模块。除执行操作系统外，处理器可经配置以执行一个或一个以上软件应用程序，包括网络浏览器、电话应用程序、电子邮件程序或任何其它软件应用程序。
在一个实施例中，处理器21还经配置以与阵列驱动器22通信。在一个实施例中，阵列驱动器22包括将信号提供到显示器阵列或面板30的行驱动器电路24及列驱动器电路26。图1中所说明的阵列的横截面由图2中的线1-1展示。请注意，虽然图2为了清晰起见说明3×3干涉式调制器阵列，但显示器阵列30可含有非常大量的干涉式调制器，且可在行中具有与在列中不同数目的干涉式调制器(例如，300像素每行乘以190像素每列)。
图3是图1的干涉式调制器的一个示范性实施例的可移动镜面位置对所施加电压的图。对于MEMS干涉式调制器，行/列激活协议可利用图3中所说明的这些装置的滞后性质。干涉式调制器可能需要(例如)10伏电位差来使可移动层从松弛状态变形为激活状态。然而，当电压从所述值减小时，可移动层随着电压降回到10伏以下而维持其状态。在图3的示范性实施例中，可移动层直到电压降到2伏以下才完全松弛。因此，在图3中所说明的实例中存在约3V到7V的电压范围，其中存在所施加电压的窗口，装置在所述窗口内稳定地处于松弛或激活状态。此窗口在本文中称为“滞后窗口”或“稳定窗口”。对于具有图3的滞后特性的显示器阵列，可对行/列激活协议进行设计以使得在行选通期间，将选通的行中的待激活的像素暴露于约10伏的电压差，且将待松弛的像素暴露于接近于零伏的电压差。在选通之后，将像素暴露于约5伏的稳态或偏置电压差，使得其保持在行选通将其置于的任何状态。在被写入之后，在此实例中每一像素在3到7伏的“稳定窗口”内经历一电位差。此特征使图1中所说明的像素设计在相同所施加电压条件下稳定在激活或松弛的预存在状态。由于干涉式调制器的每一像素无论处于激活状态还是松弛状态基本上均为由固定及移动反射层形成的电容器，因而此稳定状态可在滞后窗口内的电压下得以保持而几乎无功率耗散。如果所施加的电位是固定的，则基本上无电流流进像素中。
如下文进一步描述，在典型应用中，可通过根据第一行中的所要激活像素集合来跨列电极集合发送数据信号集合(每一者具有某一电压电平)而产生图像的帧。接着将行脉冲施加到第一行电极，从而激活对应于所述数据信号集合的像素。接着将所述数据信号集合改变为对应于第二行中的所要激活像素集合。接着向第二行电极施加脉冲，从而根据所述数据信号来激活第二行中的适当像素。第一行像素不受第二行脉冲影响，且保持在其在第一行脉冲期间被设定的状态。可以顺序方式对整个行系列重复此过程以产生帧。通常，通过以每秒某一所要数目帧不断重复此过程而用新的图像数据刷新及/或更新帧。可使用用以驱动像素阵列的行及列电极以产生图像帧的广泛多种协议。
图4及图5说明一种用以在图2的3×3阵列上产生显示帧的可能的激活协议。图4说明可用于展现出图3的滞后曲线的像素的可能的列及行电压电平集合。在图4实施例中，激活像素涉及将适当列设定为-Vbias，及将适当行设定为+ΔV，其可分别对应于-5伏及+5伏。通过将适当列设定为+Vbias且将适当行设定为相同+ΔV从而产生跨越像素的零伏电位差来实现对像素的松弛。在行电压保持在零伏的那些行中，无论列处于+Vbias还是-Vbias像素均稳定在其最初所处的任何状态。也如图4中所说明，可使用极性与上述电压的极性相反的电压，例如，激活像素可涉及将适当列设定为+Vbias及将适当行设定为-ΔV。在此实施例中，通过将适当列设定为-Vbias且将适当行设定为相同-ΔV从而产生跨越像素的零伏电位差来实现对像素的释放。
图5B是展示施加到将产生图5A中所说明的显示布置(其中激活像素为非反射性的)的图2的3×3阵列的一系列行及列信号的时序图。在写入图5A中所说明的帧之前，所述像素可处于任何状态，且在此实例中，所有行起初均处于0伏，且所有列处于+5伏。在这些所施加电压下，所有像素均稳定在其现有激活或松弛状态。
在图5A帧中，激活像素(1，1)、(1，2)、(2，2)、(3，2)及(3，3)。为实现此目的，在行1的“线时间”期间，将列1及2设定为-5伏，且将列3设定为+5伏。此不改变任何像素的状态，因为所有像素均维持在3到7伏的稳定窗口内。接着使用从0伏升到5伏又返回到零的脉冲对行1进行选通。此激活(1，1)及(1，2)像素并松弛(1，3)像素。阵列中的其它像素不受影响。为按需要设定行2，将列2设定为-5伏且将列1及3设定为+5伏。施加到行2的相同选通将接着激活像素(2，2)并松弛像素(2，1)及(2，3)。同样，阵列的其它像素不受影响。通过将列2及3设定为-5伏且将列1设定为+5伏而类似地设定行3。行3选通如图5A中所示对行3像素进行设定。在写入帧之后，行电位为零，且列电位可保持在+5或-5伏，且显示器于是稳定在图5A的布置。相同程序可用于几十或几百行及列的阵列。在上文概述的一般原理内，可广泛地改变用以执行行及列激活的电压的时序、顺序及电平，且以上实例仅为示范性的，且任何激活电压方法均可与本文所述的系统及方法一起使用。
图6A及图6B是说明显示器装置40的实施例的系统框图。显示器装置40可为(例如)蜂窝式或移动电话。然而，显示器装置40的相同组件或其轻微变化也说明各种类型的显示器装置，例如电视及便携式媒体播放器。
显示器装置40包括外壳41、显示器30、天线43、扬声器45、输入装置48及麦克风46。外壳41一般由多种制造工艺(包括注射模制及真空成型)中的任一者形成。此外，外壳41可由多种材料(包括(但不限于)塑料、金属、玻璃、橡胶及陶瓷或其组合)中的任一者制成。在一个实施例中，外壳41包括可与具有不同色彩或含有不同标识、图片或符号的其它可移除部分互换的可移除部分(未展示)。
示范性显示器装置40的显示器30可为多种显示器(包括如本文所述的双稳态显示器)中的任一者。在其它实施例中，显示器30包括如上所述的平板显示器(例如等离子、EL、OLED、STN LCD或TFT LCD)，或非平板显示器(例如CRT或其它管式装置)。然而，为描述本实施例的目的，显示器30包括如本文所述的干涉式调制器显示器。
图6B中示意地说明示范性显示器装置40的一个实施例的组件。所说明的示范性显示器装置40包括外壳41，且可包括至少部分封闭在所述外壳41中的额外组件。举例来说，在一个实施例中，示范性显示器装置40包括一包括天线43的网络接口27，所述天线43耦合到收发器47。收发器47连接到处理器21，所述处理器21连接到调节硬件52。调节硬件52可经配置以调节信号(例如，对信号进行滤波)。调节硬件52连接到扬声器45及麦克风46。处理器21还连接到输入装置48及驱动器控制器29。驱动器控制器29耦合到帧缓冲器28，且耦合到阵列驱动器22，所述阵列驱动器22又耦合到显示器阵列30。电源50向特定示范性显示器装置40设计所需的所有组件提供电力。
网络接口27包括天线43及收发器47，以使得示范性显示器装置40可经由网络与一个或一个以上装置通信。在一个实施例中，网络接口27还可具有一些处理能力以缓解对处理器21的要求。天线43是任何用于发射及接收信号的天线。在一个实施例中，天线根据IEEE 802.11标准(包括IEEE 802.11(a)、(b)或(g))来发射及接收RF信号。在另一实施例中，天线根据蓝牙标准来发射及接收RF信号。在蜂窝式电话的情况下，天线经设计以接收用以在无线蜂窝电话网络内进行通信的CDMA、GSM、AMPS、W-CDMA或其它已知信号。收发器47对从天线43接收的信号进行预处理，使得所述信号可由处理器21接收并进一步操纵。收发器47还处理从处理器21接收的信号，使得所述信号可经由天线43而从示范性显示器装置40发射。
在替代实施例中，收发器47可由接收器替代。在又一替代实施例中，网络接口27可由图像源替代，所述图像源可存储或产生待发送到处理器21的图像数据。举例来说，图像源可为含有图像数据的数字视频盘(DVD)或硬盘驱动器，或产生图像数据的软件模块。
处理器21通常控制示范性显示器装置40的总体操作。处理器21从网络接口27或图像源接收数据(例如压缩图像数据)，且将所述数据处理为原始图像数据或处理为容易处理为原始图像数据的格式。处理器21接着将经处理的数据发送到驱动器控制器29或帧缓冲器28以进行存储。原始数据通常意指识别图像内每一位置处的图像特性的信息。举例来说，所述图像特性可包括色彩、饱和度及灰度级。
在一个实施例中，处理器21包括微控制器、CPU或逻辑单元以控制示范性显示器装置40的操作。调节硬件52通常包括用以将信号发射到扬声器45且用以从麦克风46接收信号的放大器及滤波器。调节硬件52可为示范性显示器装置40内的离散组件，或可并入在处理器21或其它组件内。
驱动器控制器29直接从处理器21或从帧缓冲器28获得由处理器21产生的原始图像数据，且将原始图像数据适当重新格式化以供高速发射到阵列驱动器22。特定而言，驱动器控制器29将原始图像数据重新格式化为具有光栅状格式的数据流，使得所述数据流具有适合用以跨越显示器阵列30进行扫描的时间次序。接着，驱动器控制器29将经格式化的信息发送到阵列驱动器22。尽管驱动器控制器29(例如LCD控制器)常常作为独立集成电路(IC)与系统处理器21相关联，但所述控制器可以许多方式来实施。其可作为硬件嵌入在处理器21中，作为软件嵌入在处理器21中，或以硬件的形式与阵列驱动器22完全集成。
通常，阵列驱动器22从驱动器控制器29接收经格式化的信息，且将视频数据重新格式化为一组平行波形，所述波形每秒许多次地施加到来自显示器的x-y像素矩阵的数百且有时数千个引线。
在一个实施例中，驱动器控制器29、阵列驱动器22及显示器阵列30适合于本文所述的任何类型的显示器。举例来说，在一个实施例中，驱动器控制器29是常规显示控制器或双稳态显示控制器(例如，干涉式调制器控制器)。在另一实施例中，阵列驱动器22是常规驱动器或双稳态显示驱动器(例如，干涉式调制器显示器)。在一个实施例中，驱动器控制器29与阵列驱动器22集成。此实施例通用于例如蜂窝式电话、手表及其它小面积显示器的高度集成系统。在又一实施例中，显示器阵列30是典型显示器阵列或双稳态显示器阵列(例如，包括干涉式调制器阵列的显示器)。
输入装置48允许用户控制示范性显示器装置40的操作。在一个实施例中，输入装置48包括小键盘，例如QWERTY键盘或电话小键盘、按钮、开关、触敏式屏幕或者压敏或热敏薄膜。在一个实施例中，麦克风46是用于示范性显示器装置40的输入装置。当使用麦克风46来将数据输入到装置时，可由用户提供语音命令以控制示范性显示器装置40的操作。
电源50可包括如此项技术中众所周知的多种能量存储装置。举例来说，在一个实施例中，电源50是可再充电电池，例如镍镉电池或锂离子电池。在另一实施例中，电源50是可再生能源、电容器或太阳能电池(包括塑料太阳能电池及太阳能电池涂料)。在另一实施例中，电源50经配置以从壁装插座接收电力。
如上所述，在一些实施方案中，控制可编程性驻存在可位于电子显示系统中的若干位置处的驱动器控制器中。在一些情况下，控制可编程性驻存在阵列驱动器22中。上述最佳化可以任何数目的硬件及/或软件组件且以各种配置来实施。
根据上述原理操作的干涉式调制器的结构的细节可广泛地改变。举例来说，图7A到图7E说明可移动反射层14及其支撑结构的五个不同实施例。图7A是图1的实施例的横截面，其中金属材料条带14沉积在垂直延伸的支撑件18上。在图7B中，每一干涉式调制器的可移动反射层14的形状是正方形或矩形，且仅在拐角处在系链32上附着到支撑件。在图7C中，可移动反射层14的形状是正方形或矩形且从可变形层34悬浮，所述可变形层34可包含柔性金属。可变形层34直接或间接地连接到在可变形层34的周边周围的衬底20。这些连接在本文中称为支撑柱。
图7D中所说明的实施例具有在上面搁置可变形层34的支撑柱插塞42。与在图7A到图7C中一样，可移动反射层14保持悬浮在腔上，但可变形层34并不通过填充可变形层34与光学堆叠16之间的孔而形成支撑柱。实情为，支撑柱由用以形成支撑柱插塞42的平坦化材料形成。图7E中所说明的实施例是基于图7D中所示的实施例，但也可适于与图7A到图7C中所说明的实施例中的任一者以及未展示的额外实施例一起起作用。在图7E中所示的实施例中，已使用额外金属层或其它导电材料来形成总线结构44。此允许沿干涉式调制器的背面来导引信号，从而消除原本可能必须形成在衬底20上的若干电极。
在例如图7中所示的那些实施例的实施例中，干涉式调制器充当直观式装置，其中从透明衬底20的前侧观看图像，所述侧与在上面布置调制器的侧相对。在这些实施例中，反射层14光学上遮蔽干涉式调制器在反射层的与衬底20相对的侧上的部分，包括可变形层34。此允许所遮蔽区域在不对图像质量造成负面影响的情况下被配置并操作。举例来说，此遮蔽允许图7E中的总线结构44提供将调制器的光学性质与调制器的机电性质(例如寻址及由所述寻址产生的移动)分离的能力。此可分离调制器架构允许用于调制器的机电方面及光学方面的结构设计及材料可彼此独立选择并起作用。此外，图7C到图7E中所示的实施例具有从使反射层14的光学性质与其机械性质分离得到的额外益处，所述机械性质由可变形层34实行。此允许用于反射层14的结构设计及材料相对于光学性质而最佳化，且允许用于可变形层34的结构设计及材料相对于所要机械性质而最佳化。
图8说明干涉式调制器的制造过程800的实施例中的某些步骤。所述步骤连同图8中未展示的其它步骤可存在于用于制造例如图1及图7中说明的一般类型的干涉式调制器的过程中。参看图1、图7及图8，过程800在步骤805处开始，其中在衬底20上形成光学堆叠16。衬底20可为透明衬底，例如玻璃或塑料，且可能已经受先前准备步骤(例如清洗)以便于有效地形成光学堆叠16。如上所述，光学堆叠16是导电的、部分透明且部分反射的，且可例如通过将层中的一者或一者以上沉积到透明衬底20上而制造。在一些实施例中，所述层被图案化成平行条带，且可形成显示器装置中的行电极。在一些实施例中，光学堆叠16包括沉积在一个或一个以上金属层(例如，反射及/或导电层)上的绝缘或介电层。在一些实施例中，绝缘层是光学堆叠16的最上方的层。
图8中说明的过程800在步骤810处继续，其中在光学堆叠16上形成牺牲层。稍后移除所述牺牲层(例如在步骤825处)以如下所述形成腔19，且因此在图1中说明的所得干涉式调制器12中未展示牺牲层。在光学堆叠16上形成牺牲层可包括以经选择以在后续移除之后提供具有所要大小的腔19的厚度沉积可由XeF2蚀刻的材料，例如钼、钽、钨或非晶硅。可使用例如物理气相沉积(PVD，例如溅镀)、等离子增强化学气相沉积(PECVD)、热化学气相沉积(热CVD)或旋涂等沉积技术来执行牺牲材料的沉积。
图8中说明的过程800在步骤815处继续，其中形成支撑结构，例如图1及图7中所说明的柱18。柱18的形成可包括以下步骤：将牺牲层图案化以形成支撑结构孔口，接着使用如PECVD、热CVD或旋涂等沉积方法将材料(例如，聚合物)沉积到所述孔口中以形成柱18。在一些实施例中，形成于牺牲层中的支撑结构孔口延伸穿过牺牲层及光学堆叠16两者并延伸到下伏衬底20，以使得柱18的下端如图7A中所说明而接触衬底20。在其它实施例中，形成于牺牲层中的孔口延伸穿过牺牲层，但不穿过光学堆叠16。举例来说，图7D说明支撑柱插塞42的下端与光学堆叠16接触。
图8中说明的过程800在步骤820处继续，其中形成例如图1及图7中说明的可移动反射层14等可移动反射层。可通过采用一个或一个以上沉积步骤(例如反射层(例如，铝、铝合金、银、银合金)沉积)连同一个或一个以上图案化、掩蔽及/或蚀刻步骤形成可移动反射层14。如上所述，可移动反射层14通常是导电的，且在本文中可称为导电层。在一些实施例中，反射层14包含铝。在一些实施例中，反射层14包含银。由于在过程800的步骤820处形成的部分制造的干涉式调制器中仍然存在牺牲层，可移动反射层14通常在此阶段不可移动。含有牺牲层的部分制造的干涉式调制器在本文中可称为“未释放的”干涉式调制器。
图8中说明的过程800在步骤825处继续，其中形成腔，例如图1及图7中所说明的腔19。可通过使牺牲材料(在步骤810处沉积)暴露于蚀刻剂来形成腔19。举例来说，可通过干式化学蚀刻(例如，通过在通常相对于围绕腔19的结构选择性地有效移除所要量的材料的时间周期内使牺牲层暴露于气体或蒸气蚀刻剂(例如得自固态二氟化氙(XeF2)的蒸气)来移除可蚀刻的牺牲材料，例如钼、钽、钨或非晶硅。也可使用其它蚀刻方法，例如湿式蚀刻及/或等离子蚀刻。由于在过程800的步骤825期间移除牺牲层，所以可移动反射层14在此阶段之后通常可移动。在移除牺牲材料之后，所得的完全或部分制造的干涉式调制器在本文中可称为“释放的”干涉式调制器。
一般来说MEMS装置且尤其是干涉式调制器的性能可能会受到下伏层的表面特性及其对上覆层的影响的不利影响。举例来说，在可移动电极层中的在本文中称为“小凸起的形成(hillock formation)”的条件可能受到下伏牺牲层的表面特性的影响。小凸起的形成的特征在于在金属表面(例如，可移动电极层的表面)之中或之上形成小突出物(“小凸起”)。小凸起的大小可依据形成条件而改变，且最通常在高度大约10纳米(nm)到高度大约10微米的大小范围内，且更通常在高度大约100纳米(nm)到高度大约1微米的范围内，但偶尔可观察到较大或较小的小凸起。小凸起特别容易形成于含铝及/或含银层的表面上。小凸起通常在暴露于高温期间或之后形成，如在高温储存期间。小凸起也可因其它周围条件而形成于所述表面上，所述周围条件包括例如在暴露于热量或应力时。
已发现小凸起的形成可能对MEMS装置的性能造成负面影响。小凸起可能更改可移动电极层与光学堆叠之间的腔距离，因而影响由装置反射的光的波长。小凸起还可致使反射第二级蓝色或其它颜色。
在一实施例中，已开发出一种减少含铝及/或含银层中的小凸起的形成(例如，热量引起的小凸起的形成)的方法。举例来说，一实施例提供一种沉积含铝及/或含银薄膜的方法，所述方法包含处理下伏层的表面以形成经处理的表面及在经处理的表面上沉积含铝及/或含银薄膜，其中所述处理减少含铝及/或含银薄膜中的小凸起的形成。因此，含铝及/或含银薄膜的表面的轮廓可能受到此处理的影响。表面轮廓可表征为例如由于本文中所述的处理而相对平坦。如本文中所提到的术语“经处理的表面轮廓”是指得自形成于经处理的表面上的表面的轮廓。举例来说，如下所述，经处理的表面轮廓155是过于形成于经处理的牺牲表面145上的表面轮廓。与未形成于经处理表面上但以其它方式可比较的表面轮廓相比，经处理的表面轮廓可包含较少小凸起或可包含较小的高度可变性。
图9是说明制造MEMS装置的方法的实施例中的某些步骤的流程图。在一些实施例中，通过氯、氮(例如，通过硝化或氮化)、氟或氧(例如，通过氧化)来处理牺牲层，以在移除牺牲层期间或之后影响牺牲层及/或上覆层的特性。所述处理可改变牺牲层的表面的化学成分或化学性质。在一些实例中，所述处理可在牺牲层与上覆层之间形成扩散层。首先将针对小凸起的形成得以减少的实施例来描述图9，然而，下文描述其它实施例。所述步骤可连同图9中未展示的其它步骤存在于用于制造例如图1及图7中说明的一般类型的干涉式调制器的过程中。图10A到图10H示意性说明用于使用例如光刻、沉积、掩蔽、蚀刻(如，例如等离子蚀刻等干式方法及湿式方法)等等常规半导体制造技术来制造MEMS装置的方法的实施例。沉积可包括例如化学气相沉积(CVD，包括等离子增强CVD及热CVD)及溅镀涂覆等“干式”方法及例如旋涂等湿式方法。参看图9及图10，过程200在步骤205处开始，其中提供衬底100。在一个实施例中，衬底100可包含任何透明材料，例如玻璃或塑料。
过程200在步骤210处继续，其中如图10A所示在衬底100上形成第一导电层105。如上所述，第一导电层105可为单层结构或多子层结构。在层105既充当电极又充当镜面的单层结构中，通过在衬底100上沉积导电材料来形成层105。第一导电层105可通过图9或图10未展示的后续图案化及蚀刻而形成到电极中。第一导电层105可为经掺杂而具有所要导电性的金属或半导体(例如硅)。在一个实施例(图10中未展示)中，第一导电层105是包含透明导体(例如，氧化铟锡)及主镜面或部分反射层(例如铬)的多层结构。
过程200在步骤215处继续，其中如图10B所示在导电层105的至少一部分上形成介电层110。介电层110可包含绝缘材料，例如氧化硅及/或氧化铝。介电层110用以在干涉式调制器中使第一导电层105与导电可移动层(例如图1及图7的可移动层14)绝缘。介电层110可通过已知的沉积方法(例如CVD)形成。在一些实施例中，所得装置的光学堆叠16包括导电层105及介电层110两者。
过程200在步骤220处继续，其中如图10C所示形成牺牲层115。牺牲层115可包含可由XeF2蚀刻的材料，例如钼、钽或钨。在形成牺牲层115时，可使用例如CVD、溅镀或旋涂等沉积方法。如图10D所示，在步骤225处图案化及蚀刻牺牲层115以形成一个或一个以上支撑结构孔口130。在所示的实施例中，支撑结构孔口130完全延伸穿过第一牺牲层115及介电层110而到达第一导电层105。在步骤230处，如图10E所示，将支撑结构材料沉积到孔口130中，从而形成支撑结构135。支撑结构135可包含非导电材料。
过程200在步骤235处继续，其中处理牺牲层115的表面，使得牺牲层115于是包含经处理的牺牲部分145，如图10F所示。如下文更详细地描述，可以各种方式(例如通过等离子、氧化、六氟化硫或其组合)进行对牺牲层115的表面的处理以形成经处理的牺牲部分145。举例来说，在一些实施例中，所述处理包含氧化，因为牺牲层115的至少一部分经氧化以形成经氧化的牺牲部分。可如图10F所说明以通过上部经处理(例如，经氧化)的牺牲层145及牺牲层115的其余下部部分(包含大体上未经处理(例如，未经氧化)的牺牲层)产生层的方式执行对牺牲层115的处理。在一些实施例中，经氧化的牺牲层在垂直于衬底100的方向上测量的深度上大体上是均匀的。
在一些实施例中，用等离子来处理牺牲层115的表面。在其它实施例中，用包含氧气及/或六氟化硫气体的气体来处理牺牲层115的表面。在另外其它实施例中，用包含氧气及/或六氟化硫气体的等离子来处理牺牲层115的表面。氧气及/或六氟化硫气体可包含所述物质的分子及/或基团。可用离子化的氧及/或离子化的六氟化硫来处理牺牲层115的表面。本文中描述的对下伏层(例如，牺牲层115)的表面的一个或一个以上处理在一些实施例中可使所述表面变光滑。下文中论述可在步骤235处执行的若干处理方法的细节。
过程200在步骤240处继续，其中在经处理的牺牲部分145且在所说明的实施例中如图10G所示在支撑结构135上形成上覆层140，例如第二导电层。在一实施例中，在经处理的牺牲部分145的至少一部分上形成上覆层140的至少一部分。在一实施例中，上覆层140包含可移动层，例如如图1及图7所示的干涉式调制器的可移动反射层14。由于在过程200的此阶段处牺牲层115及经处理的牺牲部分145仍然存在，所以可移动层通常尚不可移动。含有牺牲层(此实施例中为层115及145)的部分制造的MEMS装置172(例如，部分制造的干涉式调制器)在本文中可称为“未释放”的MEMS装置。上覆层140可包含金属(例如，铝、铝合金、银或银合金)。在一些实施例中，上覆层140包含铝。在一些实施例中，上覆层140包含银。在步骤240中形成导电层140可包括一个或一个以上沉积步骤以及一个或一个以上图案化或掩蔽步骤。
过程200在步骤245处继续，其中如图10H所示移除(例如，通过蚀刻)经处理的(例如，经氧化的)牺牲层145的至少一部分且任选地未经处理的(例如，未经氧化的)牺牲层115的一部分。一个或一个以上支撑机构135可支撑上覆层140，因而形成间隙或腔150。在一些实施例中，在介电层110与上覆层140之间形成腔150，以使得上覆层140暴露于腔，如图10H所说明。上覆层140的经处理的表面轮廓155可包含比形成于未经处理的牺牲结构上的可比表面轮廓少的小凸起。
牺牲层的移除可例如通过暴露于例如XeF2(如图10H中所描绘)、单独的F2或HF或其组合等蚀刻剂来实现。在一个实施例中，在蚀刻过程中移除大体上全部的牺牲层115及经处理的牺牲部分145。在一个实施例中，如上所述，腔150是光学堆叠16(包含导电层105及介电层110)之间的干涉腔，且上覆层140是可移动的导电层。在形成腔150之后，所得的MEMS装置(例如，干涉式调制器175)处于“释放”状态。
释放的干涉式调制器175可经受许多额外处理步骤(图9或图10中未展示)，其中的一者或一者以上可涉及将干涉式调制器175加热到在缺乏处理步骤235的情况下会在上覆层140中引起小凸起的温度。在一些实施例中，对牺牲层115的表面的处理用以减少上覆层140中的小凸起的形成(例如，因热量引起的小凸起的形成)，因而改进MEMS装置的操作。在一些实施例中，减少的小凸起是指与未经受所述处理之一的类似导电层中预期的数目相比减少的数目的小凸起。在其它实施例中，减少的小凸起是指与未经受所述处理之一的类似导电层中预期的大小相比减小的大小的小凸起。在另外其它实施例中，减少的小凸起是指与未经受所述处理之一的类似导电层中预期的数目及大小相比减少的数目及减小的大小两者的小凸起。
所属领域的技术人员可使用由本文中提供的教示指导的例行实验识别用于本文中揭示的方法的适当参数及/或操作条件。举例来说，可通过系统性地改变参数并观察小凸起形成的程度(例如，因热量引起的小凸起的形成)来获得与对牺牲层的表面的处理相关联的最优参数，例如压力、功率、暴露时间及/或流动速率。在一些实施例中，压力可在40毫托(mT)与60毫托之间。在一些实施例中，功率可在800瓦与1000瓦之间。在一些实施例中，六氟化硫以每分钟30-100标准立方厘米(sccm)的流动速率暴露于牺牲层。在一些实施例中，氧以100-200sccm的流动速率暴露于牺牲层。牺牲层可暴露于处理持续各种时间周期(例如15-25秒)。在一些实施例中，不将衬底加热。
在一些实施例中，在上覆层140的原本邻近于经处理的牺牲表面145的表面上发生小凸起的形成的减少。在所述实施例中，在导电层的面向腔150的表面(称为上覆层140的腔侧的表面)上发生小凸起的形成的减少。在图10的MEMS装置中，上覆层的原本邻近于经处理的牺牲层145的表面是上覆层140的腔侧的表面155。因此，对牺牲表面145的处理可影响上覆层140的腔侧的表面的轮廓或形状。
在一些实施例中，过程200可包含额外步骤，且所述步骤可从图9及图10的说明重新布置。举例来说，可在形成支撑结构孔口130之前或在形成支撑结构孔口130之后但在于支撑结构130中形成支撑结构135之前处理牺牲层115的表面。可在形成牺牲层之前形成支撑结构，因而消除形成支撑结构孔口的步骤。
本文中描述的减少小凸起的形成的方法可应用于各种包含邻近于腔的含铝及/或含银薄膜的MEMS装置，其中通过移除牺牲层的至少一部分来形成腔。
可通过本文中所述的处理下伏牺牲层的表面的方法来减少因高温而在含铝及/或含银薄膜(例如MEMS装置的上覆层140)中引起的小凸起的形成。在本文中使用时，高温或引起小凸起的温度是将在未经受所揭示的处理的可比的含铝及/或含银薄膜中产生小凸起的温度。在一些实施例中，引起小凸起的温度大于或等于85℃、大于或等于100℃、大于或等于200℃或者大于或等于500℃。在本文中使用时，术语“因热量引起的小凸起的形成”是指因暴露于高温而引起的小凸起的形成。
虽然在一些实施例中，含铝及/或含银薄膜经受这些高温，但在其它实施例中，其并不经受这些高温。在一些实施例中，通过本文中所述的方法产生的含铝及/或含银薄膜如果经受了高温则将展现出减少的小凸起的形成，无论所述薄膜是否实际上暴露于高温。在一些实施例中，在使含铝及/或含银薄膜经受高温之前移除下伏层的至少一部分。在其它实施例中，并不在使含铝及/或含银薄膜经受高温之前移除下伏层。在一实施例中，图10H的MEMS装置在已移除牺牲层115及经处理的牺牲部分145之后在储存期间暴露于高温。在此实施例中，处理牺牲层115的表面使形成于上覆层140的腔侧的表面155上的小凸起减少。在一些实施例中，因除温度之外的条件而致使小凸起的形成。
本文中描述的干涉式调制器及干涉式显示器装置可并入于包含以下装置的设备中：显示器；经配置以与显示器通信的处理器，其中所述处理器经配置以处理图像数据；以及经配置以与处理器通信的存储器装置。在一些实施例中，所述设备可进一步包含经配置以将至少一个信号发送到显示器的驱动器电路，且在这些实施例中的一些实施例中包含经配置以将图像数据的至少一部分发送到驱动器电路的控制器。在其它实施例中，所述设备可包含经配置以将图像数据发送到处理器的图像源模块，其中所述图像源模块任选地包含接收器、收发器、发射器或其某一组合。所述设备还可包含经配置以接收输入数据并将输入数据传送到处理器的输入装置。
根据图9及图10中说明的上述方法来构造干涉式调制器。此实例描述在图9的步骤235处处理牺牲层的表面的实施例，使得形成于经处理的牺牲部分145上的含铝的第二导电上覆层140的特征在于减少的小凸起的形成(例如，因热量引起的小凸起的形成)。应了解，本发明的实施例还包括相关方法，其中处理参数改变：例如此实例中揭示的温度、压力、处理时间、功率、流动速率及/或气体的改变。
使用等离子蚀刻腔室以施加于阴极与阳极之间的大约900瓦的直流电的功率电平来处理牺牲层以产生等离子(在将腔室真空抽空之后)。以流进腔室的适当量的六氟化硫气体及氧气将所述腔室维持在大约50mT的压力下大约20秒。改变所述气体的流动速率，以便确定有效的流动速率。以大约30sccm的速率馈入六氟化硫，且以大约200sccm的速率馈入氧。在大约25℃下进行处理过程，但等离子可能会在未提供任何外部热量的情况下(除了因等离子引起的可能致使温度上升的加热以外-在此实施例中未使用单独的衬底加热)致使温度提高。
在于经处理的牺牲表面上形成含铝的第二导电层及通过移除牺牲层而形成腔之后，使所述设备暴露于大于85℃的温度。如上所述，所述含铝层的特征在于与牺牲层未经处理的可比设备相比减少的小凸起的形成。
可如上所述构造干涉式调制器，除了以大约100sccm的速率馈入氧与六氟化硫两者以外。获得类似结果。
在一些实施例中，在图9中的步骤235处对牺牲层的处理包含以影响经处理的(经氧化的)牺牲部分145及上覆层(例如，上覆层140)之间的相互作用的方式使牺牲层115氧化，以消除或减少对上覆层或与上覆层机械耦合的其它层的可能的损害。
例如，对于MEMS装置(例如干涉式调制器)，将牺牲层115图案化以形成装置的支撑结构135。牺牲层115形成机械层(例如，上覆层140)与在一些实施例中可形成于介电层110上的蚀刻终止层(未说明)之间的间距。形成装置的最终步骤是移除牺牲层以将机械层从蚀刻终止层释放，因而在像素区域中形成腔。
在一些实施例中，用蚀刻孔或开口将机械层(例如，上覆层140)图案化。可通过使例如XeF2气体等干式蚀刻剂流经这些孔及开口以接触牺牲材料来实现牺牲层115的移除。当XeF2接触牺牲材料时，其大体上开始向下并接着横向地以生长的径向图案蚀刻牺牲材料。见例如第2006-0076311号美国专利公开案的图14。由于在像素中的不同孔处起始蚀刻且横向释放方向通常以比在向下方向上慢的速率进行，所以典型释放的最终阶段通常导致形成许多被围绕或保留的岛状物或列。见例如第2006-0076311号美国专利公开案的图17到图18。因为岛状物的体积越来越小，所以这些岛状物可充当枢转点，其中从机械层施加高度集中的机械应力。应力在这些列中的高度集中可致使机械层拉开并最终扯掉列下方的层(例如，图10中的介电层110)。将此不合乎需要的结果称为释放破坏，所述破坏可能会引起对嵌入于蚀刻终止层下方的容易受释放蚀刻剂影响的层的侵蚀(称为释放侵蚀)。
已发现一种防止下伏层如上所述受到损害的方法是使牺牲层的表面氧化，以便使机械层可在释放破坏起始之前与蚀刻终止层分离。换句话说，机械层可在岛状物或列有机会形成之前快速地从牺牲层释放。
通过在对牺牲层的释放蚀刻期间经由界面修改防止在蚀刻终止层上由应力引起的损害来减少释放侵蚀。在一些实施例中，所述界面修改包含如本文所述处理牺牲层。在一实施例中，所述处理包含氧化。因此，可进行在步骤235处执行的一些实施例的氧化处理以用于界面修改的目的，以便与未经氧化的牺牲层115相比促使经氧化的牺牲层145的较快速蚀刻，以使经氧化的牺牲层145与上覆层140之间的粘合力降低，或以上两者。
已发现，对于例如经氧化的牺牲层145及未经氧化的牺牲层115等多层牺牲堆叠，当经氧化的牺牲层的蚀刻速率比下伏未经氧化的牺牲层115快速时，上覆层140与经氧化的牺牲层145之间的界面将倾向于在显著的岛状物形成之前分离。此外，如果通过例如等离子氧化等界面修改使经氧化的牺牲层145与上覆层140之间的粘合力变弱，则其将进一步增强分离过程。类似地，如果通过例如等离子氧化等处理使经氧化的牺牲层145与未经氧化的牺牲层115之间的粘合力变弱，则此也将增强分离过程。同样，当任何两个牺牲层以物理方式彼此分开时，牺牲层中的更大的表面区域暴露于蚀刻剂。此暴露区域可用于垂直向上或向下蚀刻；此机制可抑制岛状物的形成，因为横向释放组成部分变得不太重要。
这些实施例的界面修改技术包括但不限于热(或热量)处理、湿式处理、氧化、等离子处理、在牺牲层的界面处沉积薄层或其组合。这些界面修改处理未必需要与沉积牺牲层一起原位地执行。这些处理可针对单层及多层牺牲堆叠两者进行。通过正确地混合牺牲材料及厚度与本文中描述的处理相结合，已发现经适当处理的单层的牺牲层足以提供对释放破坏及/或释放侵蚀问题的解决方案。
在本实施例的一方面中，在过程200中的步骤235处执行的氧化处理包含热处理。举例来说，已将对钼牺牲层的热处理展示为可有效地防止在过程200中的步骤245处用释放蚀刻移除牺牲层期间对上覆/下伏层的损害。在另一方面中，在步骤235处执行的氧化处理包含在大约350℃下用氧等离子处理钼牺牲层大约60秒。在这些方面中的两者中，大体上没有导致对例如介电层110等下部层的损害的释放破坏或释放侵蚀。所述两个方面均展现出对经氧化的牺牲层145的提高的蚀刻速率及/或经氧化的牺牲层145与围绕层之间的降低的粘合力。
在一些实施例中，在图9中的步骤235处对牺牲层的处理包含选择氧化条件以用于在步骤235处使牺牲层氧化以形成经氧化的牺牲部分，以便提供经氧化的牺牲部分(例如，层145)的比氧化之前的牺牲层115的表面光滑的表面。已发现，处理牺牲层115的表面以形成经氧化的牺牲层145可在移除经氧化的牺牲层145之后降低上覆层140的表面粗糙度。此光滑可引起上覆层140的优越的光学质量，因而改进使用此光滑处理形成的光学MEMS装置(如干涉式调制器)的质量。
在例如干涉式调制器等光学MEMS装置中，可移动反射层的腔侧表面的粗糙度对于装置的光学性能特性非常重要。可移动反射层的不良粗糙度可导致亮状态(例如，激活的)与暗状态(例如，未激活的)之间的低对比度。这可导致不良的显示器装置质量。还已发现，光滑处理可改进电响应特性(例如，提供更宽且更一致的滞后窗口)。
在制造干涉式调制器时利用此光滑处理的实例中，氧化处理包含在钼牺牲层115的表面上用N2O进行的处理。已发现，处理钼牺牲层115的表面以形成经氧化的钼牺牲层145可在移除经氧化的钼牺牲层145之后减小上覆层140的表面粗糙度。在此实例中，在沉积钼牺牲层之后执行的300kw N2O处理使经氧化的钼层的表面充分光滑且在释放经氧化的钼(例如，使用XeF2蚀刻)之后使得上覆光学层的表面粗糙度显著改进。
测试已展示此300kw N2O处理使得表面粗糙度改进70％以上。特定来说，测试已展示在没有N2O处理的情况下观察到7.321nm的Rms(Rq)表面粗糙度。通过N2O处理，Rms(rl)表面粗糙度减小到2.221nm。
此外，这些测试已展示，此300kw N2O处理形成显示器装置的较大且较一致的滞后窗口。较大的滞后窗口(图3中滞后或稳定窗口的宽度以+Vbias或-Vbias为中心)是合乎需要的，因为其可改进干涉式调制器在激活及释放电压电平方面的可靠性。此外，在晶片衬底上制造的显示面板的集合展现出较均匀或一致的滞后窗口宽度。
包含干涉式调制器的显示器阵列的集合在未经N2O处理的情况下制造时展现出从大约0.5伏到大约2.0伏(平均值大约为0.93伏)的范围中的平均滞后窗口宽度。通过N2O处理，显示器阵列的集合展现出从大约2.8伏到大约3.3伏(平均值约为3.1伏)的范围中的滞后窗口宽度。因此，平均滞后窗口的宽度翻了三倍以上，且晶片衬底上的显示器装置中的变化小了许多。
此外，用N2O处理过的显示器装置针对在亮状态对暗状态下反射的光也展现出较高的对比率。未经处理的显示器阵列的集合展现出在从大约1.6到大约7.8(平均值大约为4.1)的范围中的对比率。用N2O处理过的显示器阵列的集合展现出在从大约5.2到11.5(平均值大约为10.0)的范围中的对比率。因此，经N2O处理的显示器阵列的平均对比率是未经处理的显示器阵列的平均对比率的两倍以上。
表面粗糙度、对比率及滞后窗口宽度的所述改进可全部改进所得显示器装置的性能。此外，使用N2O处理在相同晶片衬底上制造的显示器装置的改进的均匀性也可改进所制造的显示器装置的接受合格率。
在一些实施例中，执行步骤235处的处理以解决使用钼作为牺牲层114所特有的问题。然而，对这些实施例的处理也可用于其它牺牲层，例如钽或钨牺牲层。当使用钼作为牺牲层时，已发现有两个问题发生。第一个问题涉及在过程200中的步骤245处移除牺牲层之后遗留下的杂质。这些杂质称为蠕虫残留物(worm residue)。蠕虫残留物可降低干涉式调制器的腔的光学质量。第二个问题与在过程200中的步骤220处沉积牺牲层期间形成于牺牲层中的针孔(即，小空隙)有关。这些针孔可在例如干涉式调制器等MEMS装置中导致例如行电极与列电极之间的电泄漏。行电极与列电极之间的此电泄漏称为RC泄漏。针孔可以两种方式引起RC泄漏。首先，用于在步骤225处蚀刻支撑结构孔口的蚀刻剂可穿过牺牲层中的针孔，且损害光学堆叠的下伏光学层，并导致导电层之间短路。其次，沉积于牺牲层上的上覆层可填充针孔，且在移除牺牲层之后形成上覆层上的粗糙的反射表面。
已发现，与钼相关联的RC泄漏及针孔两个问题均可通过执行图9中的步骤235处对牺牲层的处理的一些实施例来减少。这些实施例包含选择一处理，例如氧化、氯化、氟化、硝化及/或氮化处理，以及选择处理条件，所述处理及处理条件与处理之前的牺牲层115相比使上部经处理的牺牲层(层145)与下部大体上未经处理的牺牲层(层115)的组合厚度增加。
在一个方面中，通过处理使牺牲层的体积膨胀提供了一种在以第一厚度形成牺牲层(例如，钼、钽或钨)之后将牺牲层的厚度增加为第二厚度的方式。因此，需要用较少的牺牲材料来形成第二厚度的牺牲层。由于使用较少牺牲材料，所以可因移除牺牲层而产生较少的蠕虫残留物。此外，视牺牲材料而定，经处理的牺牲材料还可比未经处理的牺牲材料蚀刻得更干净，且还产生较少的蠕虫残留物。
在另一方面中，牺牲层的体积的膨胀可减少或消除已发现(例如)在使用钼作为牺牲层时形成于牺牲层中的针孔。牺牲(例如，钼)层中的针孔可因牺牲层在氧化处理期间的横向膨胀而封闭。
在将钼用作牺牲层且将氧化用作处理的实施例中，步骤235处的处理使得钼氧化层145形成于未经氧化的钼牺牲层115的至少表面上。视氧化量及氧化处理的性质而定，可形成不同的氧化钼。已发现，最稳定的氧化钼倾向于为MoO3。在已知钼的密度大约为10.3kg/cm3且MoO3的密度大约为4.7kg/cm3的情况下，钼牺牲层在氧化期间将经历体积的膨胀。因此，例如，在钼可仅在一个方向(例如，垂直于衬底)上膨胀的受限的实施例中，MoO3层的厚度可为氧化前的未经氧化的钼层的多达3.3倍。
在一些实施例中，在氧化钼层上形成钝化层。举例来说，可在过程200中的步骤240处形成的上覆层140的沉积之前沉积SiO2。上覆层140可进一步包括形成于钝化层上的第二导电层。所述钝化层用以辅助在步骤245处移除经氧化的牺牲层145期间使经氧化的牺牲层145与第二导电层分离。在这些实施例中，步骤235的氧化处理可包含用例如Cl2、Fl2、O2及/或N2O及其它气体等气体进行处理。
已进行实验来验证钼的氧化以这样的方式引起牺牲层膨胀：其填充例如小针孔等小空隙，并且在垂直于衬底的方向上膨胀到足以界定干涉腔的深度的深度。
图11说明在实验中用来验证经氧化处理的钼的膨胀特性的多层堆叠的实例。多层堆叠250形成于硅衬底255上。第一钼层260沉积于硅衬底255上。接着SiO2层265沉积于第一钼层260上。接着第二钼层270沉积于SiO2层265上。在图11所示的实施例中，第一钼层260及第二钼层270各自深度为
Figure G2008800107482D00221
且SiO2层265的深度为
Figure G2008800107482D00222
(垂直于衬底255而测量)。
在形成第二钼层270之后，在钼层270中图案化孔280。在形成孔280之后，蚀刻SiO2层265以底切第二钼层270，因而在第一钼层260与第二钼层270之间形成小腔285。腔285的横向尺寸大约为
Figure G2008800107482D00223
在形成腔285之后，将多层堆叠250放置于CVD腔室中且使其经受氧化。这些实验中使用的特定氧化是氧等离子氧化工艺。然而，例如热氧化等其它氧化工艺虽然在一些情况下因可能温度较高而不太优选，但也可使用。在CVD腔室中氧化大约180秒之后，腔285因第一钼层260及第二钼层270的氧化及所得的膨胀而大体上封闭。因此，实验验证出钼的氧化可为填充例如上述针孔等小空隙的可行的解决方案。
氧化之外的处理也可使牺牲层有效膨胀。表1指示氟化、氮化、氯化及氧化如何影响钼、硅、钨及锗的体积。在用氟、氮、硅、铝或氧进行处理之后，如下表1所示钼的体积与未经处理的状况(将MoF3、MoF5、MoN、MoSi2、MoO2、MoO3及MoCl3的摩尔体积与表1中的Mo的摩尔体积比较)相比增加。类似地，氮化硅及氧化硅的摩尔体积大于硅的摩尔体积；氟化锗的摩尔体积大于锗的摩尔体积；且氮化钨、氯化钨及氧化钨的摩尔体积大于钨的摩尔体积。这些分析指示用氟、氮、硅、氯及/或氧来处理牺牲层可使牺牲层有效膨胀。因此，可使用较少的这些牺牲材料来提供给定的牺牲层厚度，因而节省成本且改进制造工艺的效率。
表1
        摩尔体积     XeF2
材料                              XeF2用量对Mo
        (cm3/mol)    化学计量
Mo      9.5          3            1
Si      12.1         2            0.53
W       9.4          3            1.0
Ge      13.6         2            0.47
MoF3    33.0         1.5          0.14
MoF5    54.6         0.5          0.029
MoN     12.0         3            0.80
MoS12   24.5         7            0.91
MoO2    19.8         2            0.32
MoO3    30.6         2            0.21
MoCl3   54.1         3            0.18
WN2     27.5         3            0.35
WCl4    70.5         3            0.14
WO2     20.0         3            0.48
SiO     20.2         2            0.31
Si3N4   44.3         6            0.43
GeF2    30.4         1            0.10
表1还列出蚀刻牺牲材料(未经处理的材料与经处理的材料两者)所需的XeF2的化学计量的量与蚀刻未经处理的Mo所需的量相比的比率。可看出，与未经处理的Mo相比，几乎所有经处理的材料均需要蚀刻较少的XeF2。通过使用较少的XeF2，可降低成本且可改进制造工艺的效率。
虽然以上详细描述已展示、描述及指出应用于各种实施例的新颖特征，但将了解，在不脱离已揭示的装置或工艺的情况下，可对所说明的装置或工艺的形式及细节进行各种省略、替换及改变。如将认识到，本发明可在不提供本文中陈述的所有特征及益处的形式内实施，因为有些特征可与其它特征分开使用或实践。

Claims (67)

1.一种制造微机电系统(MEMS)装置的方法，其包含：
在衬底上形成牺牲层；
处理所述牺牲层的至少一部分以形成经处理的牺牲部分；
在所述经处理的牺牲部分的至少一部分上形成上覆层；以及
至少部分地移除所述经处理的牺牲部分以形成位于所述衬底与所述上覆层之间的腔，所述上覆层暴露于所述腔。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述处理包含氧化。
3.根据权利要求1或权利要求2所述的方法，其中所述处理包含使所述牺牲层暴露于氮、氟及氯中的一者或一者以上。
4.根据权利要求1到3中的任一权利要求所述的方法，其中所述腔是干涉式调制腔。
5.根据权利要求1到4中的任一权利要求所述的方法，其中所述经处理的牺牲部分包含上部经处理的牺牲层，且所述牺牲层的其余部分包含下部大体上未经处理的牺牲层。
6.根据权利要求5所述的方法，其中所述上部经处理的牺牲层在垂直于所述衬底的方向上测量的深度上大体上是均匀的。
7.根据权利要求5或权利要求6所述的方法，其包含移除所述上部经处理的牺牲层的至少一部分及所述下部大体上未经处理的牺牲层的至少一部分，其中所述上部经处理的牺牲层的蚀刻速率大于所述下部大体上未经处理的牺牲层的蚀刻速率。
8.根据权利要求5到7中的任一权利要求所述的方法，其中所述下部大体上未经处理的牺牲层包含钼。
9.根据权利要求8所述的方法，其中所述上部经处理的牺牲层包含氧化钼。
10.根据权利要求1到9中的任一权利要求所述的方法，其中所述上覆层包含金属。
11.根据权利要求10所述的方法，其中所述金属包含铝。
12.根据权利要求11所述的方法，其包含选择用于所述牺牲层的所述处理以形成所述经处理的牺牲部分的处理条件，以便减少在所述至少部分地移除所述经处理的牺牲部分之后所述上覆铝层中的小凸起的形成，所述方法进一步包含在所述至少部分地移除所述经处理的牺牲部分之后使所述MEMS装置暴露于原本会引起小凸起的条件。
13.根据权利要求12所述的方法，其包含选择所述处理条件以减少所述小凸起的数目。
14.根据权利要求12所述的方法，其包含选择所述处理条件以减小所述小凸起的大小。
15.根据权利要求12到14中的任一权利要求所述的方法，其中所述小凸起包含由热量引起的小凸起。
16.根据权利要求12到15中的任一权利要求所述的方法，其中所述原本会引起小凸起的条件包含使所述MEMS装置暴露于大于约100℃的温度。
17.根据权利要求12到15中的任一权利要求所述的方法，其中所述原本会引起小凸起的条件包含使所述MEMS装置暴露于大于约200℃的温度。
18.根据权利要求12到15中的任一权利要求所述的方法，其中所述原本会引起小凸起的条件包含使所述MEMS装置暴露于大于约500℃的温度。
19.根据权利要求5到11中的任一权利要求所述的方法，其包含选择用于所述牺牲层的所述处理以形成所述经处理的牺牲部分的处理条件，以便与所述处理之前的所述牺牲层相比增加所述上部经处理的牺牲层与所述下部大体上未经处理的牺牲层的组合厚度。
20.根据权利要求1到11中的任一权利要求所述的方法，其包含选择用于所述牺牲层的所述处理以形成所述经处理的牺牲部分的处理条件，以便在所述至少部分地移除所述经处理的牺牲部分期间减小所述上覆层与所述经处理的牺牲部分之间的粘合程度。
21.根据权利要求1到20中的任一权利要求所述的方法，其中所述上覆层包含钝化层及形成于所述钝化层上的导电层，所述钝化层经配置以有助于在所述至少部分地移除所述经处理的牺牲部分期间允许所述经处理的牺牲部分与所述导电层分离。
22.根据权利要求1到11中的任一权利要求所述的方法，其包含选择用于所述牺牲层的所述处理以形成所述经处理的牺牲部分的处理条件，以便提供所述经处理的牺牲部分的比所述处理之前的所述牺牲层的表面光滑的表面。
23.根据权利要求22所述的方法，其中所述处理条件包含N2O或O2处理或两者。
24.根据权利要求1到23中的任一权利要求所述的方法，其中对所述牺牲层的所述至少一部分的所述处理包含使所述牺牲层的表面暴露于含氧的分子或基团。
25.根据权利要求24所述的方法，其中所述氧包含离子化的氧。
26.根据权利要求1到25中的任一权利要求所述的方法，其中对所述牺牲层的所述至少一部分的所述处理包含加热所述牺牲层。
27.根据权利要求1到26中的任一权利要求所述的方法，其中对所述牺牲层的所述至少一部分的所述处理包含使所述牺牲层暴露于等离子。
28.根据权利要求1到27中的任一权利要求所述的方法，其包含移除大体上全部的所述经处理的牺牲部分。
29.根据权利要求1到28中的任一权利要求所述的方法，其进一步包含：
通过使所述牺牲层的表面暴露于六氟化硫来处理所述牺牲层的所述表面；以及
在所述经六氟化硫处理的表面上形成所述上覆层。
30.根据权利要求1到29中的任一权利要求所述的方法，其进一步包含：
在所述衬底上形成电极；以及
在所述电极上形成所述牺牲层，
其中在所述电极与所述上覆层之间定位所述腔。
31.根据权利要求30所述的方法，其进一步包含在所述电极上形成绝缘层。
32.根据权利要求30或权利要求31所述的方法，其进一步包含形成至少一个使所述电极与所述上覆层分离的支撑结构。
33.一种干涉式显示器装置，其包含：
第一电极，其形成于衬底上；
可移动的第二电极，其位于所述第一电极上且大体上平行于所述第一电极，其中所述第二电极包含面向形成于所述第一电极与所述第二电极之间的腔的经处理的表面轮廓；以及
多个支撑件，其位于所述第一电极与所述可移动的第二电极之间且经定位以支撑所述可移动的第二电极。
34.根据权利要求33所述的干涉式显示器装置，其中所述可移动的第二电极包含铝。
35.根据权利要求33或权利要求34所述的装置，其进一步包含位于所述第一电极上的绝缘层。
36.根据权利要求33到35中的任一权利要求所述的干涉式显示器装置，其中所述可移动的第二电极的腔侧的所述经处理的表面轮廓大体上对高温不敏感。
37.根据权利要求36所述的装置，其中所述高温大于约100℃。
38.根据权利要求36所述的装置，其中所述高温大于约200℃。
39.根据权利要求36所述的装置，其中所述高温大于约500℃。
40.根据权利要求33到35中的任一权利要求所述的干涉式显示器装置，其中所述第二电极的所述腔侧的所述经处理的表面轮廓经配置以具有在暴露于高温后形成小凸起的减小的趋势。
41.一种显示器装置，其包含根据权利要求33到40中的任一权利要求所述的干涉式显示器装置的阵列。
42.根据权利要求41所述的显示器装置，其进一步包含：
处理器，其经配置以与所述阵列通信，所述处理器经配置以处理图像数据；以及存储器装置，其经配置以与所述处理器通信。
43.根据权利要求42所述的显示器装置，其进一步包含经配置以将至少一个信号发送到所述阵列的驱动器电路。
44.根据权利要求43所述的装置，其进一步包含经配置以将所述图像数据的至少一部分发送到所述驱动器电路的控制器。
45.根据权利要求42到44中的任一权利要求所述的装置，其进一步包含经配置以将所述图像数据发送到所述处理器的图像源模块。
46.根据权利要求45所述的装置，其中所述图像源模块包含接收器、收发器及发射器中的至少一者。
47.根据权利要求42到46中的任一权利要求所述的装置，其进一步包含经配置以接收输入数据并将所述输入数据传送到所述处理器的输入装置。
48.一种未释放的干涉式显示器装置，其包含：
第一电极，其形成于衬底上；
第一牺牲层，其形成于所述第一电极的至少一部分上，所述第一牺牲层包含第一牺牲材料；
第二牺牲层，其形成于所述第一牺牲层的至少一部分上，其中所述第二牺牲层包含所述第一牺牲材料的经处理的变化形式；
第二电极，其形成于所述第二牺牲层的至少一部分上；以及
多个支撑件，其位于所述第一电极与所述第二电极之间且经定位以在移除所述第一牺牲层及所述第二牺牲层后支撑所述第二电极。
49.根据权利要求48所述的未释放的干涉式显示器装置，其中所述经处理的变化形式包含经氧化的变化形式。
50.根据权利要求48或权利要求49所述的未释放的干涉式显示器装置，其中所述第二牺牲层在大体上垂直于所述衬底测量的深度上大体上是均匀的。
51.根据权利要求48到50中的任一权利要求所述的未释放的干涉式显示器装置，其中所述第一牺牲层包含钼。
52.根据权利要求48到51中的任一权利要求所述的未释放的干涉式显示器装置，其中所述第二牺牲层包含氧化钼。
53.根据权利要求48到52中的任一权利要求所述的未释放的干涉式显示器装置，其中所述上覆层包含金属。
54.根据权利要求53所述的未释放的干涉式显示器装置，其中所述金属包含铝。
55.一种干涉式显示器装置，其包含：
用于支撑所述显示器装置的至少一部分的第一装置；
用于反射光的第一装置，所述第一反射装置至少部分地反射光且至少部分地透射光，且形成于所述支撑装置上；
用于反射光的第二装置，所述第二反射装置至少部分地反射光，所述第二反射装置可移动且位于所述第一反射装置上，且平行于所述第一反射装置，其中所述第二反射装置包含面向所述第一反射装置与所述第二反射装置之间的干涉腔的经处理的表面轮廓；以及
用于支撑位于所述第一反射装置上的所述第二反射装置的第二装置。
56.根据权利要求55所述的显示器装置，其中所述第一支撑装置包含衬底。
57.根据权利要求55或权利要求56所述的显示器装置，其中所述第一反射装置包含光学堆叠。
58.根据权利要求55到57中的任一权利要求所述的显示器装置，其中所述第二反射装置包含可移动的反射层。
59.根据权利要求55到58中的任一权利要求所述的显示器装置，其中所述第二支撑装置包含支撑柱。
60.一种沉积含银的薄膜的方法，其包含：
处理下伏层的表面以形成经处理的表面；以及
在所述经处理的表面上沉积所述含银的薄膜；
其中所述处理减少所述含银的薄膜中的小凸起的形成。
61.根据权利要求60所述的方法，其中所述小凸起的形成包含因热量引起的小凸起的形成。
62.根据权利要求60或权利要求61所述的方法，其中处理所述下伏层的所述表面包含使所述表面暴露于六氟化硫、氧及等离子中的一者或一者以上。
63.根据权利要求60到61中的任一权利要求所述的方法，其中处理所述下伏层的所述表面包含加热所述表面。
64.根据权利要求60到63中的任一权利要求所述的方法，其进一步包含将所述含银的薄膜加热到原本会引起小凸起的温度。
65.根据权利要求60到64中的任一权利要求所述的方法，其进一步包含移除所述下伏层的至少一部分，因而使先前与所述经处理的表面接触的所述含银的薄膜的至少一部分暴露。
66.根据权利要求65所述的方法，其包含在将所述含银的薄膜加热到所述原本会引起小凸起的温度之前移除所述下伏层。
67.根据权利要求60到66中的任一权利要求所述的方法，其中处理所述下伏层的所述表面包含使所述表面变光滑。
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