CN102046516A - 用于mems装置中的受控粘合的低温非晶硅牺牲层 - Google Patents

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CN102046516A CN2009801205171A CN200980120517A CN102046516A CN 102046516 A CN102046516 A CN 102046516A CN 2009801205171 A CN2009801205171 A CN 2009801205171A CN 200980120517 A CN200980120517 A CN 200980120517A CN 102046516 A CN102046516 A CN 102046516A
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坦·义·涂
颜小明
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Abstract

本发明提供制造机电系统装置的方法，其减轻所述装置的可移动组件的永久粘合或静摩擦。所述方法提供具有改进的且可再生的表面粗糙度的非晶硅牺牲层。所述非晶硅牺牲层进一步展现对机电系统装置中使用的常见材料的极好粘合。

Description

用于MEMS装置中的受控粘合的低温非晶硅牺牲层
技术领域
实施例涉及选择包括非晶硅的牺牲层的沉积条件使得所述牺牲层可对上覆层提供增强的表面粗糙度的方法。其它实施例涉及一种未释放的微机电系统装置，其包含牺牲层与上覆金属层之间的界面，所述界面具有在移除牺牲层以形成腔之后有效地减小金属层与光学堆叠之间的静摩擦的表面粗糙度。
背景技术
微机电系统(MEMS)包含微机械元件、致动器和电子元件。可使用沉积、蚀刻和/或其它蚀刻掉衬底和/或已沉积材料层的部分或者添加层以形成电装置和机电装置的微加工工艺来产生微机械元件。一种类型的MEMS装置称为干涉式调制器。如本文所使用，术语干涉式调制器或干涉式光调制器指的是一种使用光学干涉原理选择性地吸收且/或反射光的装置。在某些实施例中，干涉式调制器可包括一对导电板，其中之一或两者可能整体或部分透明且/或具有反射性，且能够在施加适当电信号时进行相对运动。在特定实施例中，一个板可包括沉积在衬底上的固定层，且另一个板可包括通过气隙与固定层分离的金属薄膜。如本文更详细描述，一个板相对于另一个板的位置可改变入射在干涉式调制器上的光的光学干涉。这些装置具有广范围的应用，且在此项技术中，利用且/或修改这些类型装置的特性使得其特征可被发掘用于改进现有产品和创造尚未开发的新产品，将是有益的。
发明内容
本发明的系统、方法和装置各自具有若干方面，其中没有单个方面仅负责其所期望属性。在不限制本发明范围的情况下，现在将简要论述其较显著特征。在考虑此论述之后，且尤其是在阅读标题为“具体实施方式”的部分之后，将理解本发明的特征如何提供优于其它显示装置的优点。
一个方面提供一种制造MEMS装置的方法，其包含选择具有小于或等于约250℃的沉积温度的沉积条件。举例来说，沉积温度可在约150℃到约250℃的范围内。所述方法可进一步包含在选定的沉积条件下在光学堆叠上沉积包含非晶硅的牺牲层。
另一方面提供一种未释放的MEMS衬底，其包含光学堆叠、牺牲层和金属层，所述金属层上覆于所述牺牲层上并形成与牺牲层的界面。所述牺牲层可包含非晶硅。牺牲层与金属层的界面包含在移除牺牲层以形成腔之后有效地减小金属层与光学堆叠之间的静摩擦的表面粗糙度。
下文更详细地描述这些和其它实施例。
附图说明
图1是描绘干涉式调制器显示器的一个实施例的一部分的等角视图，其中第一干涉式调制器的可移动反射层处于松弛位置，且第二干涉式调制器的可移动反射层处于致动位置。
图2是说明并入有3×3干涉式调制器显示器的电子装置的一个实施例的系统框图。
图3是图1的干涉式调制器的一个示范性实施例的可移动镜位置对所施加电压的图。
图4是可用于驱动干涉式调制器显示器的一组行和列电压的说明。
图5A说明图2的3×3干涉式调制器显示器中的显示器数据的一个示范性帧。
图5B说明可用于写入图5A的帧的行和列信号的一个示范性时序图。
图6A和图6B是说明包括多个干涉式调制器的视觉显示装置的实施例的系统框图。
图7A是图1的装置的横截面。
图7B是干涉式调制器的替代实施例的横截面。
图7C是干涉式调制器的另一替代实施例的横截面。
图7D是干涉式调制器的又一替代实施例的横截面。
图7E是干涉式调制器的额外替代实施例的横截面。
图8是说明制作干涉式调制器的方法的实施例中的某些步骤的流程图。
图9是说明制作MEMS装置的方法的实施例的流程图。
图10A到图10C展示制造MEMS装置的处理步骤的实施例。
图11A到图11D展示制造MEMS装置的处理步骤的另一实施例。
图未按比例绘制。
具体实施方式
以下详细描述针对本发明的某些特定实施例。然而，本发明可以许多不同方式体现。在本描述内容中参看了附图，附图中所有相同部分用相同标号表示。如从以下描述中将了解，所述实施例可实施在经配置以显示不论运动(例如，视频)还是固定(例如，静止图像)的且不论文字还是图画的图像的任何装置中。更明确地说，预期所述实施例可实施在多种电子装置中或与多种电子装置关联，所述多种电子装置例如(但不限于)移动电话、无线装置、个人数据助理(PDA)、手持式或便携式计算机、GPS接收器/导航器、相机、MP3播放器、摄像机、游戏控制台、手表、时钟、计算器、电视监视器、平板显示器、计算机监视器、汽车显示器(例如，里程表显示器等)、座舱控制器和/或显示器、相机视图的显示器(例如，车辆中后视相机的显示器)、电子相片、电子广告牌或指示牌、投影仪、建筑结构、包装和美学结构(例如，一件珠宝上的图像显示器)。具有与本文中描述的装置类似的结构的MEMS装置也可用于例如电子切换装置的非显示器应用中。
本文描述的是用于在MEMS装置的制造过程中在低温下沉积非晶硅牺牲层的可控工艺。非晶硅牺牲层展现对其它常见MEMS装置材料(例如，金属和电介质)的极好粘合、表面粗糙度的极好可再生性(其可转印到上覆层)以及气相释放工艺中的增强的性能。根据本文所描述的方法而制作的MEMS装置的可移动层具有在移除牺牲层之后有效地减小金属层与光学堆叠之间的静摩擦的表面粗糙度。
图1中说明包括干涉式MEMS显示元件的一个干涉式调制器显示器的实施例。在这些装置中，像素处于明亮状态或黑暗状态。在明亮(“接通”或“开启”)状态下，显示元件将入射可见光的大部分反射到用户。当在黑暗(“断开”或“关闭”)状态下时，显示元件将极少的入射可见光反射到用户。依据实施例而定，可颠倒“接通”和“断开”状态的光反射特性。MEMS像素可经配置以主要在所选颜色下反射，从而除了黑色和白色以外还允许彩色显示器。
图1是描述视觉显示器的一系列像素中的两个相邻像素的等角视图，其中每一像素包括MEMS干涉式调制器。在一些实施例中，干涉式调制器显示器包括这些干涉式调制器的一行/列阵列。每一干涉式调制器包含一对反射层，其定位成彼此相距可变且可控制的距离以形成具有至少一个可变尺寸的谐振光学间隙。在一个实施例中，可在两个位置之间移动所述反射层之一。在第一位置(本文中称为松弛位置)中，可移动反射层定位成距固定部分反射层相对较大的距离。在第二位置(本文中称为致动位置)中，可移动反射层定位成更紧密邻近所述部分反射层。视可移动反射层的位置而定，从所述两个层反射的入射光相长地或相消地进行干涉，从而针对每一像素产生全反射状态或非反射状态。
图1中像素阵列的所描绘部分包含两个相邻干涉式调制器12a和12b。在左侧干涉式调制器12a中，说明可移动反射层14a处于距包含部分反射层的光学堆叠16a预定距离处的松弛位置中。在右侧干涉式调制器12b中，说明可移动反射层14b处于邻近于光学堆叠16b的致动位置中。
如本文所引用的光学堆叠16a和16b(统称为光学堆叠16)通常包括若干熔合层(fused layer)，所述熔合层可包含例如氧化铟锡(ITO)的电极层、例如铬的部分反射层和透明电介质。因此，光学堆叠16是导电的、部分透明且部分反射的，且可通过(例如)将上述层的一者或一者以上沉积到透明衬底20上来制造。部分反射层可由为部分反射的多种材料(例如，各种金属、半导体及电介质)形成。部分反射层可由一个或一个以上材料层形成，且层中的每一者可由单一材料或材料的组合形成。
在一些实施例中，光学堆叠16的层经图案化成为多个平行条带，且如下文中进一步描述，可在显示装置中形成行电极。可移动反射层14a、14b可形成为沉积金属层(一层或多层)的一系列平行条带(与行电极16a、16b垂直)，其沉积在柱18和沉积于柱18之间的介入牺牲材料的顶部上。当蚀刻去除牺牲材料时，可移动反射层14a、14b通过所界定的间隙19而与光学堆叠16a、16b分离。例如铝的高度导电且反射的材料可用于反射层14，且这些条带可在显示装置中形成列电极。
在不施加电压的情况下，间隙19保留在可移动反射层14a与光学堆叠16a之间，其中可移动反射层14a处于机械松弛状态，如图1中像素12a所说明。然而，当将电位差施加到选定的行和列时，形成在相应像素处的行电极与列电极的交叉处的电容器变得带电，且静电力将所述电极拉在一起。如果电压足够高，那么可移动反射层14变形且被迫抵靠光学堆叠16。光学堆叠16内的电介质层(在此图中未图示)可防止短路并控制层14与16之间的分离距离，如图1中右侧的像素12b所说明。不管所施加的电位差的极性如何，表现均相同。以此方式，可控制反射对非反射像素状态的行/列致动在许多方面类似于常规LCD和其它显示技术中所用的方法。
图2到图5B说明在显示器应用中使用干涉式调制器阵列的一个示范性工艺和系统。
图2是说明可并入有本发明各方面的电子装置的一个实施例的系统框图。在示范性实施例中，所述电子装置包含处理器21，其可为任何通用单芯片或多芯片微处理器(例如ARM、Pentium
Figure BPA00001265795300041
、Pentium II
Figure BPA00001265795300042
、Pentium III
Figure BPA00001265795300043
、Pentium IV
Figure BPA00001265795300044
，Pentium
Figure BPA00001265795300045
Pro、8051、MIPS
Figure BPA00001265795300046
、Power PC
Figure BPA00001265795300047
、ALPHA
Figure BPA00001265795300048
)，或任何专用微处理器(例如数字信号处理器、微控制器或可编程门阵列)。如此项技术中常规的做法，处理器21可经配置以执行一个或一个以上软件模块。除了执行操作系统外，所述处理器可经配置以执行一个或一个以上软件应用程序，包含网络浏览器、电话应用程序、电子邮件程序或任何其它软件应用程序。
在一个实施例中，处理器21还经配置以与阵列驱动器22通信。在一个实施例中，所述阵列驱动器22包含将信号提供到显示器阵列或面板30的行驱动器电路24和列驱动器电路26。在图2中以线1-1展示图1中说明的阵列的横截面。对于MEMS干涉式调制器来说，行/列致动协议可利用图3中说明的这些装置的滞后特性。其可能需要(例如)10伏的电位差来促使可移动层从松弛状态变形为致动状态。然而，当电压从所述值减小时，可移动层在电压降回10伏以下时维持其状态。在图3的示范性实施例中，可移动层直到电压降到2伏以下时才完全松弛。因此，在图3中所说明的实例中，存在约3到7V的所施加电压窗口，在所述窗口内，装置在松弛状态或致动状态中均是稳定的。此窗口在本文中称为“滞后窗口”或“稳定窗口”。对于具有图3的滞后特性的显示器阵列来说，可设计行/列致动协议使得在行选通期间，已选通行中待致动的像素暴露于约10伏的电压差，且待松弛的像素暴露于接近零伏的电压差。在选通之后，所述像素暴露于约5伏的稳态电压差使得其维持在行选通使其所处的任何状态中。在此实例中，每一像素在被写入之后经历3-7伏的“稳定窗口”内的电位差。此特征使图1中说明的像素设计在相同的施加电压条件下在致动或松弛预存在状态下均是稳定的。因为干涉式调制器的每一像素(不论处于致动还是松弛状态)本质上是由固定反射层和移动反射层形成的电容器，所以可在滞后窗口内的一电压下维持此稳定状态而几乎无功率消耗。本质上，如果所施加的电压是固定的，那么没有电流流入像素中。
在典型应用中，可通过根据第一行中所需组的致动像素断言所述组列电极来产生显示帧。接着将行脉冲施加到行1电极，从而致动对应于经断言列线的像素。经断言的所述组列电极接着经改变以对应于第二行中所需组的致动像素。接着将脉冲施加到行2电极，从而根据经断言的列电极而致动行2中的适当像素。行1像素不受行2脉冲影响，且维持在其在行1脉冲期间被设定的状态中。可以连续方式对整个系列的行重复此过程以产生帧。通常，通过以每秒某一所需数目的帧的速度连续地重复此过程来用新的显示数据刷新且/或更新所述帧。用于驱动像素阵列的行和列电极以产生显示帧的广泛种类的协议也是众所周知的且可结合本发明使用。
图4、图5A和图5B说明用于在图2的3×3阵列上形成显示帧的一个可能的致动协议。图4说明可用于使像素展示出图3的滞后曲线的一组可能的列和行电压电平。在图4实施例中，致动像素涉及将适当列设定为-Vbias，且将适当行设定为+ΔV，其分别可对应于-5伏和+5伏。松弛像素是通过将适当列设定为+Vbias，且将适当行设定为相同的+ΔV，从而在像素上产生零伏电位差而实现的。在行电压维持在零伏的那些行中，不管列处于+Vbias还是-Vbias，像素在任何其最初所处的状态中均是稳定的。同样如图4中所说明，将了解，可使用具有与上述电压的极性相反的极性的电压，例如，致动像素可涉及将适当列设定为+Vbias，且将适当行设定为-ΔV。在此实施例中，释放像素是通过将适当列设定为-Vbias，且将适当行设定为相同的-ΔV，从而在像素上产生零伏电位差而实现的。
图5B是展示施加到图2的3×3阵列的一系列行和列信号的时序图，所述系列的行和列信号将产生图5A中说明的显示器布置，其中被致动像素为非反射的。在对图5A中说明的帧进行写入之前，像素可处于任何状态，且在本实例中所有行均处于0伏，且所有列均处于+5伏。在这些所施加的电压的情况下，所有像素在其既有的致动或松弛状态中均是稳定的。
在图5A的帧中，像素(1，1)、(1，2)、(2，2)、(3，2)和(3，3)被致动。为了实现此目的，在行1的“线时间(line time)”期间，将列1和2设定为-5伏，且将列3设定为+5伏。因为所有像素均保留在3-7伏的稳定窗口中，所以这并不改变任何像素的状态。接着用从0升到5伏且返回零的脉冲选通行1。这致动了(1，1)和(1，2)像素且松弛了(1，3)像素。阵列中其它像素均不受影响。为了视需要设定行2，将列2设定为-5伏，且将列1和3设定为+5伏。施加到行2的相同选通接着将致动像素(2，2)且松弛像素(2，1)和(2，3)。同样，阵列中其它像素均不受影响。通过将列2和3设定为-5伏且将列1设定为+5伏来类似地设定行3。行3选通设定行3像素，如图5A中所示。在对帧进行写入之后，行电位为零，且列电位可维持在+5或-5伏，且接着显示器在图5A的布置中是稳定的。将了解，可将相同程序用于数十或数百个行和列的阵列。将了解，用于执行行和列致动的电压的时序、序列和电平可在上文所概述的一般原理内广泛变化，且上文的实例仅为示范性的，且任何致动电压方法均可与本文描述的系统和方法一起使用。
图6A和图6B是说明显示装置40的实施例的系统框图。显示装置40可为(例如)蜂窝式电话或移动电话。然而，显示装置40的相同组件或其稍微变化形式也说明例如电视和便携式媒体播放器的各种类型的显示装置。
显示装置40包含外壳41、显示器30、天线43、扬声器45、输入装置48和麦克风46。外壳41通常由如所属领域的技术人员众所周知的多种制造工艺的任一者形成，所述工艺包含注射模制和真空成形。另外，外壳41可由多种材料的任一者制成，所述材料包含(但不限于)塑料、金属、玻璃、橡胶和陶瓷，或其组合。在一个实施例中，外壳41包含可去除部分(未图示)，所述可去除部分可与其它具有不同颜色或含有不同标记、图画或符号的可去除部分互换。
如本文中所描述，示范性显示装置40的显示器30可为包含双稳态显示器(bi-stable display)在内的多种显示器的任一者。在其它实施例中，显示器30包含例如如上所述的等离子、EL、OLED、STN LCD或TFT LCD的平板显示器，或例如CRT或其它电子管装置的非平板显示器，如所属领域的技术人员众所周知。然而，出于描述本实施例的目的，如本文中所描述，显示器30包含干涉式调制器显示器。
图6B中示意性地说明示范性显示装置40的一个实施例的组件。所说明的示范性显示装置40包含外壳41且可包含至少部分封围在所述外壳41中的额外组件。举例来说，在一个实施例中，示范性显示装置40包含网络接口27，所述网络接口27包含耦合到收发器47的天线43。收发器47连接到处理器21，处理器21连接到调整硬件52。调整硬件52可经配置以调整信号(例如，对信号进行滤波)。调整硬件52连接到扬声器45和麦克风46。处理器21也连接到输入装置48和驱动器控制器29。驱动器控制器29耦合到帧缓冲器28且耦合到阵列驱动器22，所述阵列驱动器22进而耦合到显示器阵列30。根据特定示范性显示装置40设计的要求，电源50将功率提供到所有组件。
网络接口27包含天线43和收发器47使得示范性显示装置40可经由网络与一个或一个以上装置通信。在一个实施例中，网络接口27也可具有某些处理能力以减轻对处理器21的要求。天线43是用于发射和接收信号的所属领域的技术人员已知的任何天线。在一个实施例中，所述天线根据IEEE 802.11标准(包含IEEE 802.11(a)、(b)或(g))来发射和接收RF信号。在另一实施例中，所述天线根据蓝牙(BLUETOOTH)标准来发射和接收RF信号。在蜂窝式电话的情况下，所述天线经设计以接收CDMA、GSM、AMPS或其它用于在无线手机网络内通信的已知信号。收发器47预处理从天线43接收到的信号，使得处理器21可接收所述信号并进一步对所述信号进行处理。收发器47还处理从处理器21接收到的信号使得可经由天线43从示范性显示装置40发射所述信号。
在一替代实施例中，收发器47可由接收器代替。在又一替代实施例中，网络接口27可由可存储或产生待发送到处理器21的图像数据的图像源代替。举例来说，所述图像源可为数字视频光盘(DVD)或含有图像数据的硬盘驱动器，或产生图像数据的软件模块。
处理器21大致上控制示范性显示装置40的全部操作。处理器21接收例如来自网络接口27或图像源的压缩图像数据的数据，并将所述数据处理成原始图像数据或处理成易被处理成原始图像数据的格式。处理器21接着将已处理的数据发送到驱动器控制器29或发送到帧缓冲器28以供存储。原始数据通常是指识别图像内每一位置处的图像特性的信息。举例来说，这些图像特性可包含颜色、饱和度和灰度级。
在一个实施例中，处理器21包含微控制器、CPU或逻辑单元以控制示范性显示装置40的操作。调整硬件52通常包含放大器和滤波器，以用于将信号发射到扬声器45，且用于从麦克风46接收信号。调整硬件52可为示范性显示装置40内的离散组件，或可并入在处理器21或其它组件内。
驱动器控制器29直接从处理器21或从帧缓冲器28取得由处理器21产生的原始图像数据，并适当地重新格式化所述原始图像数据以供高速发射到阵列驱动器22。具体来说，驱动器控制器29将原始图像数据重新格式化为具有类似光栅的格式的数据流，使得其具有适于在显示器阵列30上进行扫描的时间次序。接着，驱动器控制器29将已格式化的信息发送到阵列驱动器22。尽管驱动器控制器29(例如LCD控制器)通常与系统处理器21关联而作为独立的集成电路(IC)，但可以许多方式实施这些控制器。其可作为硬件嵌入处理器21中，作为软件嵌入处理器21中，或与阵列驱动器22完全集成在硬件中。
通常，阵列驱动器22从驱动器控制器29接收已格式化的信息且将视频数据重新格式化为一组平行波形，所述波形以每秒多次的速度被施加到来自显示器的x-y像素矩阵的数百且有时数千个引线。
在一个实施例中，驱动器控制器29、阵列驱动器22和显示器阵列30适用于本文描述的任意类型的显示器。举例来说，在一个实施例中，驱动器控制器29是常规显示器控制器或双稳态显示器控制器(例如，干涉式调制器控制器)。在另一实施例中，阵列驱动器22是常规驱动器或双稳态显示器驱动器(例如，干涉式调制器显示器)。在一个实施例中，驱动器控制器29与阵列驱动器22集成。此实施例在例如蜂窝式电话、手表和其它小面积显示器的高度集成系统中是普遍的。在又一实施例中，显示器阵列30是典型的显示器阵列或双稳态显示器阵列(例如，包含干涉式调制器阵列的显示器)。
输入装置48允许用户控制示范性显示装置40的操作。在一个实施例中，输入装置48包含例如QWERTY键盘或电话键区的键区、按钮、开关、触敏屏幕或压敏或热敏薄膜。在一个实施例中，麦克风46是用于示范性显示装置40的输入装置。当使用麦克风46将数据输入到所述装置时，用户可提供声音命令以便控制示范性显示装置40的操作。
电源50可包含此项技术中众所周知的多种能量存储装置。举例来说，在一个实施例中，电源50是例如镍镉电池或锂离子电池的可再充电电池。在另一实施例中，电源50是可再生能源、电容器或太阳能电池，包含塑料太阳能电池和太阳能电池涂料。在另一实施例中，电源50经配置以从壁式插座接收功率。
在某些实施例中，如上文中所描述，控制可编程性驻存在驱动器控制器中，所述驱动器控制器可位于电子显示器系统中的若干位置中。在某些实施例中，控制可编程性驻存在阵列驱动器22中。所属领域的技术人员将认识到，上述优化可实施在任何数目的硬件和/或软件组件中且可以各种配置实施。
根据上文陈述的原理而操作的干涉式调制器的结构的细节可广泛变化。举例来说，图7A-7E说明可移动反射层14及其支撑结构的五个不同实施例。图7A是图1的实施例的横截面，其中金属材料条带14沉积在垂直延伸的支撑件18上。在图7B中，可移动反射层14在系链(tether)32上仅在隅角处附接到支撑件。在图7C中，可移动反射层14从可包括柔性金属的可变形层34悬置下来。所述可变形层34直接或间接地连接到围绕可变形层34的周边的衬底20。这些连接在本文中称为支柱。图7D中说明的实施例具有支柱插塞42，可变形层34搁置在所述支柱插塞42上。如图7A-7C所示，可移动反射层14保持悬置在间隙上方，但可变形层34并不通过填充可变形层34与光学堆叠16之间的孔而形成所述支柱。而是，支柱由平坦化材料形成，其用于形成支柱插塞42。图7E中说明的实施例是基于图7D中展示的实施例，但也可适于与图7A-7C中说明的实施例以及未图示的额外实施例的任一者一起发挥作用。在图7E中所示的实施例中，已使用金属或其它导电材料的额外层来形成总线结构44。这允许信号沿着干涉式调制器的背面进行路由，从而消除许多原本可能必须形成在衬底20上的电极。
在例如图7中所示的那些实施例的实施例中，干涉式调制器充当直接观看装置，其中从透明衬底20的前侧观看图像，所述侧与上面布置有调制器的一侧相对。在这些实施例中，反射层14以光学方式遮蔽在反射层的与衬底20相对侧上的干涉式调制器的若干部分，其包含可变形层34。这允许对遮蔽区域进行配置和操作而不会消极地影响图像质量。此遮蔽允许图7E中的总线结构44，其提供使调制器的光学特性与调制器的机电特性分离的能力，例如，寻址或由所述寻址引起的移动。这种可分离的调制器结构允许选择用于调制器的机电方面和光学方面的结构设计和材料且使其彼此独立地发挥作用。此外，图7C-7E中所示的实施例具有源自反射层14的光学特性与其机械特性脱离的额外益处，所述益处由可变形层34执行。这允许在光学特性方面对反射层14的结构设计和材料进行优化，且在所需的机械特性方面对可变形层34的结构设计和材料进行优化。
可使用此项技术中已知的用于制作MEMS装置的任何适宜的制造技术来制造上文描述的干涉式调制器。举例来说，可将组成干涉式调制器的各种材料层循序地沉积到透明衬底上，在沉积步骤之间实施适当的图案化和蚀刻步骤。在一些实施例中，可在干涉式调制器制造期间沉积多个层，而在沉积步骤之间没有任何蚀刻步骤。举例来说，上文描述的可移动反射层可包括具有两个或两个以上层的复合结构。
图8说明干涉式调制器的制造工艺800的实施例中的某些步骤。此类步骤连同图8中未展示的其它步骤一起可存在于用于制造(例如)图1和图7中说明的一般类型的干涉式调制器的工艺中。参看图1、图7和图8，工艺800在步骤805处开始，其中在衬底20上形成光学堆叠16。衬底20可为例如玻璃或塑料等透明衬底，且可已经受先前准备步骤(例如，清洁)以促进光学堆叠16的高效形成。如上文所论述，光学堆叠16为导电、部分透明且部分反射的，且可(例如)通过将所述层中的一者或一者以上沉积到透明衬底20上来制造。在一些实施例中，将所述层图案化为平行条带，且可形成显示装置中的行电极。在一些实施例中，光学堆叠16包含沉积在一个或一个以上金属层(例如，反射和/或导电层)上的绝缘或电介质层。
图8中说明的工艺800在步骤810处继续，其中在光学堆叠16上形成牺牲层。稍后移除牺牲层(在步骤825处)以形成间隙19(如下文论述)，且因此牺牲层在图1和图7中说明的所得干涉式调制器12中未展示。在光学堆叠16上形成牺牲层可包含以经选择以在后续移除之后提供具有所需尺寸的间隙19的厚度来沉积例如钼或非晶硅等XeF2可蚀刻材料。牺牲材料的沉积可使用例如物理气相沉积(PVD，例如溅镀)、等离子体增强型化学气相沉积(PECVD)、热化学气相沉积(热CVD)或旋涂等沉积技术来实行。
图8中说明的工艺800在步骤815处继续，其中形成支撑结构，例如图1和图7中说明的柱18。柱18的形成可包含以下步骤：图案化牺牲层以形成支撑结构孔隙，接着使用例如PECVD、热CVD或旋涂等沉积方法将材料(例如，聚合物)沉积到孔隙中以形成柱18。在一些实施例中，形成于牺牲层中的支撑结构孔隙延伸穿过牺牲层和光学堆叠16两者而到达下伏衬底20，使得柱18的下端接触衬底20，如图7A中所说明。在其它实施例中，形成于牺牲层中的孔隙延伸穿过牺牲层，但不穿过光学堆叠16。举例来说，图7C说明与光学堆叠16接触的支柱插塞42的下端。
图8中说明的工艺800在步骤820处继续，其中形成可移动反射层，例如图1和图7中说明的可移动反射层14。可通过使用一个或一个以上沉积步骤(例如反射层(例如，铝、铝合金)沉积)连同一个或一个以上图案化、掩蔽和/或蚀刻步骤来形成可移动反射层14。如上文所论述，可移动反射层14通常为导电的，且在本文中可称为导电层。由于牺牲层仍存在于工艺800的步骤820处形成的部分制造的干涉式调制器中，所以可移动反射层14通常在此阶段不可移动。含有牺牲层的部分制造的干涉式调制器在本文中可称为“未释放的”干涉式调制器。
图8中说明的工艺800在步骤825处继续，其中形成间隙，例如图1和图7中说明的间隙19。可通过使牺牲材料(在步骤810处所沉积)暴露于蚀刻剂来形成间隙19。举例来说，可通过干式化学蚀刻，例如通过使牺牲层暴露于气态或蒸气蚀刻剂(例如，从固态二氟代氙(XeF2)得出的蒸气)持续通常选择性地相对于间隙19周围的结构有效地移除所需量的材料的时间周期，来移除例如钼或非晶硅等可蚀刻牺牲材料。也可使用例如湿式蚀刻和/或等离子体蚀刻等其它蚀刻方法。由于在工艺800的步骤825期间移除牺牲层，所以可移动反射层14在此阶段之后通常可移动。在移除牺牲材料之后，所得的完全或部分制造的干涉式调制器在本文中可称为“未释放的”干涉式调制器。
静摩擦可能是MEMS装置(一般来说)以及干涉式调制器(特定来说)中最重要的可靠性问题之一。如本文使用的“静摩擦”是指处于致动位置的可移动层粘住微机电系统中的固定层的趋势。在减小装置尺寸时，静摩擦中存在的粘合力变得较显著。这是因为抵消粘合力的复原力也随装置大小减小而减小。因此，需要提供对微机电系统中的静摩擦问题的解决方案。
静摩擦可受所接触的表面的粗糙度(例如可移动层和/或固定层的表面粗糙度)影响。一般来说，在MEMS装置的制造中，可移动层最初形成于牺牲材料上，且接着牺牲层随后被移除以形成腔，使得可移动层可被致动以接触固定层，在移除牺牲层之前，牺牲层的表面粗糙度特性可直接转印到随后形成于其上的层(例如，可移动层)。因此，通过使用新颖的方法将增加的表面粗糙度提供给牺牲层，可减小可移动层与MEMS装置中的固定层之间的静摩擦。
参看图1，静摩擦可致使(例如)经致动的可移动层14b保持与光学堆叠16b接触，即使在存在将预期使可移动层14b返回到未致动位置的复原力的情况下也如此。当从各种粘合机制产生的若干粘合力的总和大于复原力时，发生静摩擦。复原力包含经致动的可移动层中的组合机械张力以及由所施加的电压导致的静电力。由于表面力随着装置尺寸减小而变得较显著，且复原力随着装置尺寸减小而缩减，所以静摩擦对于包含干涉式调制器的MEMS装置来说是关注的问题。
粘合力可从若干机制产生，包含(例如)毛细作用力、范德瓦尔斯交互作用(van der Waals interaction)、化学键和所俘获电荷。因所有这些机制而产生的不同程度的粘合力取决于当处于致动状态时各个可移动层与固定层之间的接触面积和表面分离。实施例提供制造具有增加的可移动层表面粗糙度的MEMS装置的方法，借此因较少静摩擦而产生较低粘合力和较有利的性能。
本文描述的是一种制造微机电系统(MEMS)装置的方法。在一实施例中，所述方法包括：选择包括小于或等于约250℃的沉积温度的沉积条件；以及在选定的沉积条件下在光学堆叠上沉积牺牲层，其中所述牺牲层包括非晶硅。
图9是说明制作MEMS装置的方法的实施例中的某些步骤的流程图，所述方法包含如本文所描述选择适当的沉积条件以及形成牺牲层。此类步骤连同图9中未展示的其它步骤一起可存在于用于制造例如图1、图7、图10和图11中说明的一般类型的干涉式调制器的工艺中。参看图9和图10，工艺900在步骤905处开始，其中在衬底(未说明)上形成光学堆叠102。图8中的步骤805中使用的材料和处理步骤可类似地用于图9的步骤905中。举例来说，光学堆叠可包括电介质层和/或电极层以及部分反射层。在一实施例中，电介质层包括选自氧化硅和氧化铝的电介质材料。在一实施例中，所述方法包括将牺牲层沉积到电介质层上。
工艺900在步骤910处继续，其中为牺牲层104选择沉积条件。所选择的沉积条件可包括可用于在低温(例如，小于或等于约250℃)下形成牺牲层的任何沉积技术。举例来说，沉积技术可选自化学气相沉积(CVD)、PECVD和蒸发沉积。可使用PECVD技术来形成具有合意粗糙度的包括非晶硅的牺牲层。
所选择的沉积条件910可包含使用一种或一种以上气体，例如原料气，其促进形成非晶硅层104。在一实施例中，所选择的沉积条件910包括提供原料气。在一实施例中，原料气包括硅烷。一种或一种以上硅烷原料气可以任何组合使用。在一实施例中，所述一种或一种以上硅烷气体选自SiH4、SiHCl3、SiH2Cl2和SiH3Cl。非晶硅层由硅烷原料气形成。
还可在沉积非晶硅牺牲层时包含其它气体。举例来说，非反应性气体(例如，运载气体)可与硅烷一起包含在原料气中。将非反应性气体包含在原料气中往往减小硅烷原料气的移动性，且减小非晶硅膜的保形覆盖。可用于沉积牺牲层的非反应性气体的实例包含氦、氖、氩、氪、氙及其组合。在一实施例中，原料气进一步包括选自氦和氩的非反应性气体。包含非反应性气体帮助提供具有增加的表面粗糙度的牺牲层。优选的是，硅烷与非反应性气体的比率在约1∶10到约10∶1的范围内。在一实施例中，硅烷与非反应性气体的比率在约1∶10到约1∶1的范围内。在一实施例中，硅烷与非反应性气体的比率在约1∶8到约1∶4的范围内。
也可在存在氢的情况下沉积非晶硅，氢在MEMS装置制造中通常是不合需要的。例如氦和氩等非反应性气体可用于在反应期间置换氢气。然而，可避免从反应中消除氢时通常所发生的费用，因为氢对于在低温下形成非晶硅不像其对于形成MEMS装置中使用的其它牺牲层那样不利。在一实施例中，原料气进一步包括氢。
在低温(例如，小于或等于约250℃)下沉积的非晶硅与不在本文描述的选定沉积条件下形成的牺牲层相比具有较高的表面粗糙度。优选的是，实行对沉积条件的选择以使得牺牲层104(如所沉积)的表面105具有大于约1.0nm RMS的表面粗糙度。举例来说，所属领域的一般技术人员经本文的揭示内容指导可利用例行实验来选择沉积条件，使得牺牲层104(如所沉积)的表面105具有大于约1.5nm RMS的表面粗糙度。在一实施例中，将沉积条件选择为使得牺牲层104(如所沉积)的表面105具有大于约1.8nmRMS的表面粗糙度。
牺牲层的形成期间所使用的低沉积温度由于许多原因而为有利的。在较低沉积温度下，抑制牺牲硅形成于有组织的柱状结构中，且因此非晶硅膜形成为牺牲层104。并且，由于使用低温工艺的过程中存在的效率，可部分实现MEMS装置的大批生产所需的较高沉积速率。在一实施例中，沉积温度小于或等于约250℃，包含所述范围内的每一温度值。举例来说，沉积温度可在约150℃到约250℃的范围内。在一实施例中，沉积温度在约150℃到约200℃的范围内。在一实施例中，沉积温度在约200℃到约250℃的范围内。在一实施例中，沉积温度在约175℃到约225℃的范围内。
一旦已选择沉积条件，图9中的工艺900就在步骤915处继续，其中在选定的沉积条件910下实际形成如图10所示的牺牲层104。在一实施例中，牺牲层104包括硅。在一实施例中，硅为均质的。在一实施例中，硅为异质的。图10说明其中牺牲层104为均质的实施例，且图11说明其中牺牲层204为异质的实施例。在一实施例中，硅为非晶的。
图10展示可用于制造MEMS装置的各个层的横截面。在图10A中，光学堆叠102最初如上文所描述而形成，且牺牲层104根据本文所描述的选定沉积条件910而形成于光学堆叠102上。尽管未按比例说明，但牺牲层104具有在光学堆叠102的相对侧上暴露的粗糙表面105。
图9的工艺900通过在牺牲层104上形成上覆层106而在步骤925处继续。在一实施例中，上覆层106是如上文在图1和图7中所描述的可移动反射层14。在一实施例中，上覆层106为金属层。MEMS装置中的任何适宜的金属材料均可用于形成于牺牲层上的金属层中。在一实施例中，金属层包括选自铝、镍及其合金的金属。在一实施例中，金属层包括铝。界面107形成于上覆层106与牺牲层104之间。牺牲层104的表面105处的粗糙度在界面107处基本上转印到上覆金属层106。
在移除牺牲层之前，图10B所示的层代表未释放的MEMS衬底中的层。在一实施例中，未释放的MEMS衬底包括光学堆叠102、包括非晶硅的牺牲层104，以及上覆于牺牲层上并与牺牲层形成界面107的金属层106。在一实施例中，牺牲层104与上覆金属层106的界面107包括在移除牺牲层106以形成腔之后有效地减小金属层与光学堆叠之间的静摩擦的粗糙度。
界面107具有与在形成上覆层106之前牺牲层104的粗糙表面105的粗糙度大致相同的粗糙度。此粗糙度是通过选择适当的沉积条件以形成如本文所描述的牺牲层而获得。在一实施例中，界面具有大于约1.0nm RMS的粗糙度。在一实施例中，界面具有大于约1.5nm RMS的粗糙度。在一实施例中，界面具有大于约1.8nm RMS的粗糙度。如图10C所示，在移除牺牲材料以形成腔后，金属层106即具有表面109，其具有与在移除牺牲层104之前界面107的粗糙度大致相同的粗糙度，使得表面109有效地减小静摩擦。
工艺900在步骤930处继续，其中移除(例如，通过蚀刻)牺牲层的至少一部分以形成腔。一个或一个以上支撑结构或柱(图10中未展示)(例如如图1、图7和图8中描述的支撑结构和柱)可支撑上覆层106，借此形成间隙或腔110。在一些实施例中，腔110形成于光学堆叠102与上覆金属层106之间，使得上覆金属层106暴露于腔110。上覆金属层106的表面109具有反映在移除牺牲层104之前牺牲层104的粗糙表面105的粗糙度的粗糙度，且因此可大体上减小上覆层106与光学堆叠102之间的静摩擦。
可(例如)通过暴露于例如单独的XeF2、F2或HF或其组合等蚀刻剂来实现牺牲层的移除。在一实施例中，蚀刻剂包括XeF2。在一实施例中，在蚀刻工艺中移除大体上整个牺牲层104。在一实施例中，腔110是光学堆叠102(包括导电层和电介质层)与上覆金属层106之间的干涉式腔，所述上覆金属层106为如上文所论述的可移动导电层。在形成腔110之后，所得MEMS装置(例如，干涉式调制器)处于“释放”状态。
一旦上覆金属层106已释放，金属层106的表面109就因而具有有效地减小上覆金属层106与光学堆叠102之间的静摩擦的表面粗糙度。举例来说，金属层的表面粗糙度可大于约1.0nm RMS。在一实施例中，金属层的表面粗糙度大于约1.5nm RMS。在一实施例中，金属层的表面粗糙度大于约1.8nm RMS。
在一些实施例中，工艺900可包含额外步骤，例如在制造干涉式调制器中使用的步骤，且所述步骤可从图8和图9的说明重新布置。举例来说，支撑结构可在形成牺牲层之前或之后形成。可通过在提供牺牲材料之前形成支撑结构来去除形成支撑结构孔隙的步骤。
在一实施例中，制造MEMS装置的方法进一步包括形成支撑结构，以在移除牺牲层以形成腔之后将上覆金属层支撑于光学堆叠上。在一实施例中，形成支撑结构包括移除牺牲材料的至少一部分以形成孔隙。在一实施例中，所述方法包括用如上文所描述的支撑材料来填充孔隙。
图11表示制造MEMS装置的另一实施例，其包含选择适当的沉积条件以及根据图9的工艺流程图形成本文所描述的牺牲层。图11与图10的不同之处在于，图9的选定沉积条件910以及牺牲层的形成915步骤不同，使得牺牲层204为异质的而非均质的。然而，包含图10中的层102、104和106的所有实施例可被认为在图11的层202、204和206中是有用的。图10所包含的实施例中来自上文所论述的图9的工艺步骤905、925和930在图11所包含的实施例中也适用。
可在将非晶硅沉积到光学堆叠上的过程期间调整沉积条件。举例来说，原料气可掺杂有额外的反应物气体，这改变其沉积过程期间硅的形态。反应物的实例包含N2、N2O、NH3、NF3、O2及其组合。在沉积期间将如本文所描述的反应物添加到原料气而形成氧化硅、氮化硅、氮氧化硅和非晶硅中的一者或一者以上。在一实施例中，选定沉积条件包括在牺牲层的沉积期间改变原料气中的反应物的量，使得牺牲层包括成分上为异质的材料。在一实施例中，原料气进一步包括N2O。
虽然在原料气中不使用反应物的情况下将非晶硅粘合到光学堆叠常常是可接受的，但将反应物引入到原料气所提供的优点是，所得的所沉积层与没有反应物的情况相比具有到光学堆叠的更大粘合力。然而，改进到光学堆叠的粘合力可能减小牺牲材料的表面粗糙度。为了维持如上文在图9和图10中描述的改进的表面粗糙度，可在非晶硅层的下部区的初始形成之后从原料气中移除反应物。图11说明异质非晶硅牺牲层的形成和移除。
参看图9和图11，选择沉积条件的步骤910可包含在牺牲层204在光学堆叠202上的沉积开始时在原料气中提供反应物。原料气中的反应物可接着随着非晶硅层204形成而减少和/或消除。在形成牺牲层的步骤915期间，非晶硅牺牲层204形成下部区204a和上部区204b，下部区204a成分上不同于上部区204b。如图11B中所见，下部区204a包括具有不如图10中所描述的表面粗糙的表面的非晶硅区。然而，与上部区204b(例如，未经掺杂的非晶硅)的粘合力相比，下部区204a具有到光学堆叠202的增强的粘合力。然而，最终转印到上覆金属层206的表面粗糙度不受影响，因为在不存在反应物气体的情况下形成非晶硅牺牲层204的上部区204b，且高表面粗糙度得以维持。
图11中表示的下部区204a和上部区204b的大小未按比例。所述区的相对大小可由所属领域的一般技术人员使用由本文的揭示内容指导的例行实验来调整，以提供所述区的适当大小。理想的是，下部区204a将以足以粘合到光学堆叠的量提供，且剩余部分将是提供表面粗糙度的上部区204b。举例来说，下部区204a或粘合区可具有小于约几百埃的厚度，以便实现足够的粘合而不损害所沉积的非晶硅膜的最终表面粗糙度。在一实施例中，下部区204a包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅和非晶硅中的一者或一者以上。在一实施例中，上部区具有与下部区的表面构形相比不同的表面构形。
接着可执行在牺牲层204上形成上覆层206的步骤925以形成界面207，使得界面207的表面粗糙度如上文参看图10所描述，下部区204a和上部区204b两者可通过上文所描述的蚀刻工艺来移除以形成具有表面209的上覆金属层206，所述表面209具有足以抑制静摩擦的高粗糙度。在一实施例中，在蚀刻工艺中移除大体上整个牺牲层204。在一实施例中，所得腔210是光学堆叠202(包括例如导电层和电介质层)与上覆金属层206之间的干涉式腔，所述上覆金属层206是如上文所论述的可移动导电层。
实例
对于所述非晶硅沉积中的每一者。部分制造的干涉式调制器衬底定位在PECVD沉积系统的处理室内。将PECVD系统配置为两个平行的板：上部板和下部板，其包含在真空室内。上部板类似于莲蓬头以用于供应气体，且下部板为经加热的晶片压板。
用于形成样本的每一衬底先前沉积有若干经图案化的金属和电介质薄膜层(包括光学吸收体、底部电极和绝缘体堆叠)。将晶片压板加热到150℃与250℃之间的温度，且在沉积工艺期间维持。在将衬底引入到室中之后，立即将室抽空到近似50毫托的基础压力。接着使下文针对每一者描述的预定混合物中的前体、稀释剂和掺杂气体经由上部板莲蓬头电极而流入室中，同时使衬底的温度和室预设压力稳定。
在约三十秒的周期之后，一旦压力稳定，就使用连接到莲蓬头的RF电源来撞击等离子体。支撑晶片的压板接地或连接到较低频率偏压。在经由莲蓬头施加预设功率之后，使用外部RF匹配网络来控制和维持等离子体，所述外部RF匹配网络监视并调谐RF电流和所反射的功率。因此，通过跟踪RF电流、气流、衬底温度和室压力参数而实现沉积工艺的原地监视。使用来自等离子体的能量，将前体气体分子分解为反应性自由基和物质，并运送到衬底表面。前体物质彼此反应以在晶片表面上形成稳定的分子，所述分子集结在一起成为岛状物，所述岛状物稍后熔合为固态连续牺牲层。
当并入有反应物气体时，通过调整工艺气体组分和比率来将反应物引入到原料气中。大量反应气体可在蚀刻释放工艺期间产生残余物。然而，可通过监视膜层的折射率来控制并入到膜中的反应气体的量，因为膜内反应物的量往往会影响折射率。因此，以使得非晶硅的折射率保持在3.3以上的量来提供反应气体。
在用反应物掺杂原料气且以小于几百埃的厚度形成非晶硅区之后，反应物气体到工艺气体混合物中的流动停止。沉积非晶硅膜的上部区，直到实现最终总体a-Si层厚度为止。
比较性实例1和2
形成此项技术中通常使用的标准PVD钼牺牲层(比较性实例1)。还形成标准高温非晶硅的第二比较性实例。比较性实例2在350℃的温度下形成，同时使SiH4以110标准立方厘米/分钟(sccm)的流动速率流动，且使He以2000sccm的流动速率流动。
实例3到7：均质未经掺杂非晶硅层作为牺牲层
实例3是在200℃的温度下同时使SiH4以120sccm的流动速率流动而形成的非晶硅。实例4是在200℃的温度下同时使SiH4以40sccm的流动速率流动且使He以500sccm的流动速率流动而形成的非晶硅。实例5是在200℃的温度下同时使SiH4以60sccm的流动速率流动且使He以1500sccm的流动速率流动而形成的非晶硅。实例6是在200℃的温度下同时使SiH4以60sccm的流动速率流动且使He以500sccm的流动速率流动而形成的非晶硅。实例7是在200℃的温度下同时使SiH4以80sccm的流动速率流动且使He以500sccm的流动速率流动而形成的非晶硅。
实例8到9：均质经掺杂非晶硅层作为牺牲层
实例8是在200℃的温度下同时使SiH4以80sccm的流动速率流动，使He以500sccm的流动速率流动且使N2O以10sccm的流动速率流动而形成的非晶硅。实例9是在200℃的温度下同时使SiH4以100sccm的流动速率流动，使He以500sccm的流动速率流动且使N2O以10sccm的流动速率流动而形成的非晶硅。
实例10到11：异质非晶硅层作为牺牲层
实例10和11各自形成有成分上不同的上部区和下部区。实例10的下部区是在150℃的温度下同时使SiH4以60sccm的流动速率流动，使He以1500sccm的流动速率流动且使N2O以10sccm的流动速率流动而形成的非晶硅。实例10的上部区是在180℃的温度下同时使SiH4以80sccm的流动速率流动且使He以500sccm的流动速率流动而形成的非晶硅。实例11的下部区是在180℃的温度下同时使SiH4以80sccm的流动速率流动，使He以500sccm的流动速率流动且使N2O以20sccm的流动速率流动而形成的非晶硅。实例11的上部区是在180℃的温度下同时使SiH4以80sccm的流动速率流动且使He以500sccm的流动速率流动而形成的非晶硅。
针对RMS表面粗糙度测量所述实例中的每一者。将所述实例中的一些形成到MEMS装置中，且测量静摩擦的时间。下文在表1中给出结果。
表1
Figure BPA00001265795300171
  实例3   0.93
  实例4   1.33
  实例5   1.6   200
  实例6   1.9
  实例7   2.0   1000
  实例8   1.3   ＜5
  实例9   1.5   ＜5
  实例10   1.4
  实例11   1.6
如表1中所示，在低温下(例如约250℃以下)沉积的非晶硅牺牲层的表面粗糙度比在较高温度下沉积的典型非晶硅样本的表面粗糙度高得多。非反应性气体(例如，氦)的添加比不添加的情况(实例3)提供更高的表面粗糙度。另外，粗糙度值类似于且在一些情况下高于钼牺牲层的粗糙度值。在低温下形成的非晶硅层(具有在无反应物气体的情况下(实例5和7)形成的上部区)显示MEMS装置的优良静摩擦时间值。
应注意到，上文所描述的实施例适用于与图1中所示相比从相对侧观看的干涉式调制器结构。此配置具有较接近衬底的反射性电极(其无需为透明的)以及较远离衬底的半透明电极。可使得任一或两个电极可移动。另外，尽管未图示，但应注意，图8到图11的实施例可与上文参看图1到图7而描述的实施例的选项组合。
上文所描述的修改可用于提供较稳健的设计和制造。另外，虽然已依据干涉式调制器的选定实施例描述了以上方面，但所属领域的技术人员将了解，干涉式调制器的许多不同实施例可从以上方面受益。当然，如所属领域的技术人员将了解，可使用干涉式调制器的额外替代实施例。干涉式调制器的各个层可由半导体和机电装置制造的领域中通常众所周知的各种各样的导电和非导电材料制成。
另外，所述实施例，尽管相对于干涉式调制器而描述，但可更一般地适用于其它MEMS装置，尤其是具有能够相对移动的电极的静电MEMS，且可防止致动或崩溃位置中的静摩擦。
虽然以上详细描述已展示、描述并指出应用于各种实施例的本发明的新颖特征，但将理解，所属领域的技术人员可在不脱离本发明精神的情况下，作出所说明的装置或工艺的形式和细节上的各种省略、替代和改变。如将认识到，本发明可在不提供本文所陈述的所有特征和益处的形式内体现，因为一些特征可与其它特征分开使用或实践。

Claims (47)

1.一种制造微机电系统(MEMS)装置的方法，其包括：
选择包括小于或等于约250℃的沉积温度的沉积条件；以及
在所述选定的沉积条件下在光学堆叠上沉积牺牲层，其中所述牺牲层包括非晶硅。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述选定的沉积条件包括选自化学气相沉积(CVD)、等离子体增强型化学气相沉积(PECVD)和蒸发沉积的沉积技术。
3.根据权利要求1到2中任一权利要求所述的方法，其中所述选定的沉积条件包括PECVD。
4.根据权利要求1到3中任一权利要求所述的方法，其中所述选定的沉积条件包括提供原料气，所述原料气包括硅烷。
5.根据权利要求4所述的方法，其中所述硅烷选自SiH4、SiHCl3，SiH2Cl2和SiH3Cl。
6.根据权利要求1到5中任一权利要求所述的方法，其进一步包括选择所述沉积条件以使得所沉积的所述牺牲层具有大于约1.0nm RMS的表面粗糙度。
7.根据权利要求1到5中任一权利要求所述的方法，其进一步包括选择所述沉积条件以使得所沉积的所述牺牲层具有大于约1.5nm RMS的表面粗糙度。
8.根据权利要求1到5中任一权利要求所述的方法，其进一步包括选择所述沉积条件以使得所沉积的所述牺牲层具有大于约1.8nm RMS的表面粗糙度。
9.根据权利要求1到8中任一权利要求所述的方法，其中所述光学堆叠包括电介质层。
10.根据权利要求9所述的方法，其中所述电介质层包括选自氧化硅和氧化铝的电介质材料。
11.根据权利要求9到10中任一权利要求所述的方法，其包括将所述牺牲层沉积到所述电介质层上。
12.根据权利要求1到11中任一权利要求所述的方法，其进一步包括：
在所述牺牲层上沉积金属层。
13.根据权利要求12所述的方法，其中所述金属层包括选自铝、镍及其合金的金属。
14.根据权利要求12到13中任一权利要求所述的方法，其中所述金属层包括铝。
15.根据权利要求12到14中任一权利要求所述的方法，其中所沉积的所述金属层具有与所述牺牲层接触的表面，所述表面具有在移除所述牺牲层以形成腔之后有效地减小所述金属层与所述光学堆叠之间的静摩擦的表面粗糙度。
16.根据权利要求15所述的方法，其中所述金属层的所述表面粗糙度大于约1.0nmRMS。
17.根据权利要求15所述的方法，其中所述金属层的所述表面粗糙度大于约1.5nmRMS。
18.根据权利要求15所述的方法，其中所述金属层的所述表面粗糙度大于约1.8nmRMS。
19.根据权利要求12到18中任一权利要求所述的方法，其进一步包括形成支撑结构以在移除所述牺牲层以形成腔之后将所述金属层支撑于所述光学堆叠上。
20.根据权利要求19所述的方法，其中形成所述支撑结构包括移除所述牺牲材料的至少一部分以形成孔隙。
21.根据权利要求20所述的方法，其进一步包括用支撑材料来填充所述孔隙。
22.根据权利要求12到21中任一权利要求所述的方法，其进一步包括：
用蚀刻剂蚀刻所述牺牲层。
23.根据权利要求22所述的方法，其中所述蚀刻剂包括XeF2。
24.根据权利要求22到23中任一权利要求所述的方法，其进一步包括蚀刻所述牺牲层以形成腔。
25.根据权利要求24所述的方法，其中所述腔包括所述金属层与所述光学堆叠之间的干涉式腔。
26.根据权利要求1到25中任一权利要求所述的方法，其中所述沉积温度在约150℃到约250℃的范围内。
27.根据权利要求4到26中任一权利要求所述的方法，其中所述原料气进一步包括选自氦、氖、氩、氪、氙及其组合的非反应性气体。
28.根据权利要求4到27中任一权利要求所述的方法，其中所述原料气进一步包括选自氦和氩的非反应性气体。
29.根据权利要求4到28中任一权利要求所述的方法，其中所述原料气进一步包括氢。
30.根据权利要求4到29中任一权利要求所述的方法，其中所述原料气进一步包括选自N2、N2O、NH3、NF3、O2及其组合的反应物。
31.根据权利要求4到30中任一权利要求所述的方法，其中所述原料气进一步包括N2O。
32.根据权利要求30到31中任一权利要求所述的方法，其中所述选定的沉积条件包括在所述牺牲层的所述沉积期间改变所述原料气中的所述反应物的量，使得所述牺牲层包括成分上异质的材料。
33.根据权利要求30到32中任一权利要求所述的方法，其中所述牺牲层包括下部区和上部区，所述下部区在成分上不同于所述上部区。
34.根据权利要求33所述的方法，其中所述下部区与所述上部区相比具有对所述光学堆叠的增强的粘合力。
35.根据权利要求33到34中任一权利要求所述的方法，其中所述下部区包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅和非晶硅中的一者或一者以上。
36.根据权利要求33到35中任一权利要求所述的方法，其中所述上部区具有与所述下部区的表面构形相比不同的表面构形。
37.一种未释放的MEMS衬底，其包括：
光学堆叠；
牺牲层，其包括非晶硅；以及
金属层，其上覆于所述牺牲层上并形成与所述牺牲层的界面；
其中所述牺牲层与所述金属层的所述界面包括在移除所述牺牲层以形成腔之后有效地减小所述金属层与所述光学堆叠之间的静摩擦的表面粗糙度。
38.根据权利要求37所述的未释放的MEMS衬底，其中所述界面具有大于约1.0nmRMS的粗糙度。
39.根据权利要求37所述的未释放的MEMS衬底，其中所述界面具有大于约1.5nmRMS的粗糙度。
40.根据权利要求37所述的未释放的MEMS衬底，其中所述界面具有大于约1.8nmRMS的粗糙度。
41.根据权利要求37到40中任一权利要求所述的未释放的MEMS衬底，其中所述牺牲层包括下部区和上部区，所述下部区在成分上不同于所述上部区。
42.根据权利要求41所述的未释放的MEMS衬底，其中所述下部区与所述上部区相比具有对所述光学堆叠的增强的粘合力。
43.根据权利要求41到42中任一权利要求所述的方法，其中所述下部区包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅和非晶硅中的一者或一者以上。
44.根据权利要求37到43中任一权利要求所述的未释放的MEMS衬底，其中所述金属层包括铝。
45.根据权利要求37到44中任一权利要求所述的未释放的MEMS衬底，其中所述光学堆叠包括电介质层。
46.根据权利要求45所述的方法，其中所述电介质层包括选自氧化硅和氧化铝的电介质材料。
47.根据权利要求37到46中任一权利要求所述的未释放的MEMS衬底，其中所述光学堆叠包括电极层和部分反射层。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104428240A (zh) * 2012-07-06 2015-03-18 高通Mems科技公司 用于机电系统装置的腔衬里
CN104703911A (zh) * 2012-10-01 2015-06-10 高通Mems科技公司 具有提供额外稳定状态的突起的机电系统装置
CN106829851A (zh) * 2016-12-29 2017-06-13 上海集成电路研发中心有限公司 一种改善mems器件牺牲层刻蚀粘结的方法

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7851239B2 (en) 2008-06-05 2010-12-14 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Low temperature amorphous silicon sacrificial layer for controlled adhesion in MEMS devices
CN101913550B (zh) * 2010-08-11 2015-12-02 上海集成电路研发中心有限公司 微电子机械系统微桥结构的制造方法
US20120105385A1 (en) * 2010-11-02 2012-05-03 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Electromechanical systems apparatuses and methods for providing rough surfaces
KR101250447B1 (ko) 2011-12-12 2013-04-08 한국과학기술원 멤스 디바이스 제조방법
US9511560B2 (en) * 2012-04-13 2016-12-06 Infineon Technologies Ag Processing a sacrificial material during manufacture of a microfabricated product
DE102014213390A1 (de) * 2014-07-09 2016-01-28 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung mit Mikro- oder Nanostrukturen
KR102496037B1 (ko) 2016-01-20 2023-02-06 삼성전자주식회사 플라즈마 식각 방법 및 장치
KR20210059562A (ko) 2019-11-15 2021-05-25 안빛찬 안면 인식 기능을 갖는 컴퓨터 장치
US11305988B2 (en) * 2020-09-01 2022-04-19 Aac Acoustic Technologies (Shenzhen) Co., Ltd. Method for preparing silicon wafer with rough surface and silicon wafer

Family Cites Families (228)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4170732A (en) * 1977-09-01 1979-10-09 Dresser Industries, Inc. Pulsed neutron porosity logging method and apparatus using dual detectors
US4190488A (en) * 1978-08-21 1980-02-26 International Business Machines Corporation Etching method using noble gas halides
NL8001281A (nl) 1980-03-04 1981-10-01 Philips Nv Weergeefinrichting.
NL8200354A (nl) * 1982-02-01 1983-09-01 Philips Nv Passieve weergeefinrichting.
US4500171A (en) * 1982-06-02 1985-02-19 Texas Instruments Incorporated Process for plastic LCD fill hole sealing
US4498953A (en) * 1983-07-27 1985-02-12 At&T Bell Laboratories Etching techniques
US4566935A (en) * 1984-07-31 1986-01-28 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator and method
US4710732A (en) 1984-07-31 1987-12-01 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator and method
US5096279A (en) 1984-08-31 1992-03-17 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator and method
US5061049A (en) 1984-08-31 1991-10-29 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator and method
US4560435A (en) 1984-10-01 1985-12-24 International Business Machines Corporation Composite back-etch/lift-off stencil for proximity effect minimization
US5835255A (en) 1986-04-23 1998-11-10 Etalon, Inc. Visible spectrum modulator arrays
US4956619A (en) * 1988-02-19 1990-09-11 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator
US4880493A (en) 1988-06-16 1989-11-14 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Electronic-carrier-controlled photochemical etching process in semiconductor device fabrication
US4900395A (en) * 1989-04-07 1990-02-13 Fsi International, Inc. HF gas etching of wafers in an acid processor
US4954789A (en) * 1989-09-28 1990-09-04 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator
US5124834A (en) * 1989-11-16 1992-06-23 General Electric Company Transferrable, self-supporting pellicle for elastomer light valve displays and method for making the same
US5279990A (en) * 1990-03-02 1994-01-18 Motorola, Inc. Method of making a small geometry contact using sidewall spacers
US5099353A (en) * 1990-06-29 1992-03-24 Texas Instruments Incorporated Architecture and process for integrating DMD with control circuit substrates
US5083857A (en) * 1990-06-29 1992-01-28 Texas Instruments Incorporated Multi-level deformable mirror device
US5216537A (en) * 1990-06-29 1993-06-01 Texas Instruments Incorporated Architecture and process for integrating DMD with control circuit substrates
US5602671A (en) 1990-11-13 1997-02-11 Texas Instruments Incorporated Low surface energy passivation layer for micromechanical devices
US5331454A (en) 1990-11-13 1994-07-19 Texas Instruments Incorporated Low reset voltage process for DMD
US5358806A (en) * 1991-03-19 1994-10-25 Hitachi, Ltd. Phase shift mask, method of correcting the same and apparatus for carrying out the method
CH680534A5 (en) 1991-09-16 1992-09-15 Landis & Gyr Betriebs Ag Fabry=perot sensor for optical parameter measurement - uses two opposing mirrors respectively attached to deflected measuring membrane and transparent plate
US5231532A (en) * 1992-02-05 1993-07-27 Texas Instruments Incorporated Switchable resonant filter for optical radiation
US5190637A (en) * 1992-04-24 1993-03-02 Wisconsin Alumni Research Foundation Formation of microstructures by multiple level deep X-ray lithography with sacrificial metal layers
US5311360A (en) 1992-04-28 1994-05-10 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford, Junior University Method and apparatus for modulating a light beam
WO1993026041A1 (en) * 1992-06-17 1993-12-23 Harris Corporation Bonded wafer processing
US5345328A (en) * 1992-08-12 1994-09-06 Sandia Corporation Tandem resonator reflectance modulator
US5293272A (en) * 1992-08-24 1994-03-08 Physical Optics Corporation High finesse holographic fabry-perot etalon and method of fabricating
US6674562B1 (en) 1994-05-05 2004-01-06 Iridigm Display Corporation Interferometric modulation of radiation
US5324683A (en) * 1993-06-02 1994-06-28 Motorola, Inc. Method of forming a semiconductor structure having an air region
US5583688A (en) 1993-12-21 1996-12-10 Texas Instruments Incorporated Multi-level digital micromirror device
US5665997A (en) 1994-03-31 1997-09-09 Texas Instruments Incorporated Grated landing area to eliminate sticking of micro-mechanical devices
US5690839A (en) 1994-05-04 1997-11-25 Daewoo Electronics Co., Ltd. Method for forming an array of thin film actuated mirrors
US6040937A (en) 1994-05-05 2000-03-21 Etalon, Inc. Interferometric modulation
US7123216B1 (en) 1994-05-05 2006-10-17 Idc, Llc Photonic MEMS and structures
US7460291B2 (en) 1994-05-05 2008-12-02 Idc, Llc Separable modulator
US7550794B2 (en) 2002-09-20 2009-06-23 Idc, Llc Micromechanical systems device comprising a displaceable electrode and a charge-trapping layer
US6710908B2 (en) 1994-05-05 2004-03-23 Iridigm Display Corporation Controlling micro-electro-mechanical cavities
US7297471B1 (en) * 2003-04-15 2007-11-20 Idc, Llc Method for manufacturing an array of interferometric modulators
US20010003487A1 (en) * 1996-11-05 2001-06-14 Mark W. Miles Visible spectrum modulator arrays
US5454906A (en) * 1994-06-21 1995-10-03 Texas Instruments Inc. Method of providing sacrificial spacer for micro-mechanical devices
US5656554A (en) 1994-07-29 1997-08-12 International Business Machines Corporation Semiconductor chip reclamation technique involving multiple planarization processes
US5485304A (en) * 1994-07-29 1996-01-16 Texas Instruments, Inc. Support posts for micro-mechanical devices
DE69517985T2 (de) 1994-09-02 2001-02-22 Rad Hassan Dabbaj Reflektiver lichtventilmodulator
US6053617A (en) 1994-09-23 2000-04-25 Texas Instruments Incorporated Manufacture method for micromechanical devices
US5650881A (en) 1994-11-02 1997-07-22 Texas Instruments Incorporated Support post architecture for micromechanical devices
JPH08153700A (ja) * 1994-11-25 1996-06-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 導電性被膜の異方性エッチング方法
US5726480A (en) * 1995-01-27 1998-03-10 The Regents Of The University Of California Etchants for use in micromachining of CMOS Microaccelerometers and microelectromechanical devices and method of making the same
US5610438A (en) 1995-03-08 1997-03-11 Texas Instruments Incorporated Micro-mechanical device with non-evaporable getter
US6969635B2 (en) 2000-12-07 2005-11-29 Reflectivity, Inc. Methods for depositing, releasing and packaging micro-electromechanical devices on wafer substrates
US6046840A (en) 1995-06-19 2000-04-04 Reflectivity, Inc. Double substrate reflective spatial light modulator with self-limiting micro-mechanical elements
US6849471B2 (en) 2003-03-28 2005-02-01 Reflectivity, Inc. Barrier layers for microelectromechanical systems
US5578976A (en) 1995-06-22 1996-11-26 Rockwell International Corporation Micro electromechanical RF switch
JP3489273B2 (ja) 1995-06-27 2004-01-19 株式会社デンソー 半導体力学量センサの製造方法
US6324192B1 (en) 1995-09-29 2001-11-27 Coretek, Inc. Electrically tunable fabry-perot structure utilizing a deformable multi-layer mirror and method of making the same
US5825528A (en) 1995-12-26 1998-10-20 Lucent Technologies Inc. Phase-mismatched fabry-perot cavity micromechanical modulator
US5967163A (en) 1996-01-30 1999-10-19 Abbott Laboratories Actuator and method
US5751469A (en) 1996-02-01 1998-05-12 Lucent Technologies Inc. Method and apparatus for an improved micromechanical modulator
US6624944B1 (en) 1996-03-29 2003-09-23 Texas Instruments Incorporated Fluorinated coating for an optical element
DE19730715C1 (de) 1996-11-12 1998-11-26 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren zum Herstellen eines mikromechanischen Relais
US5683649A (en) 1996-11-14 1997-11-04 Eastman Kodak Company Method for the fabrication of micro-electromechanical ceramic parts
EP1376684B1 (en) 1997-01-21 2008-11-26 Georgia Tech Research Corporation Fabrication of a semiconductor device with air gaps for ultra-low capacitance interconnections
US6031653A (en) * 1997-08-28 2000-02-29 California Institute Of Technology Low-cost thin-metal-film interference filters
US5978127A (en) 1997-09-09 1999-11-02 Zilog, Inc. Light phase grating device
CN1283369A (zh) * 1997-10-31 2001-02-07 大宇电子株式会社 光学投影系统中的薄膜驱动的反光镜组的制造方法
US6008123A (en) 1997-11-04 1999-12-28 Lucent Technologies Inc. Method for using a hardmask to form an opening in a semiconductor substrate
JPH11263012A (ja) 1998-03-18 1999-09-28 Seiko Epson Corp 静電型アクチュエータ及びその製造方法
US6689211B1 (en) * 1999-04-09 2004-02-10 Massachusetts Institute Of Technology Etch stop layer system
EP0951068A1 (en) 1998-04-17 1999-10-20 Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum Vzw Method of fabrication of a microstructure having an inside cavity
US6046659A (en) * 1998-05-15 2000-04-04 Hughes Electronics Corporation Design and fabrication of broadband surface-micromachined micro-electro-mechanical switches for microwave and millimeter-wave applications
KR100281182B1 (ko) * 1998-08-10 2001-04-02 윤종용 반도체 장치의 자기 정렬 콘택 형성 방법
JP2000075223A (ja) 1998-08-27 2000-03-14 Seiko Epson Corp 光学素子
US6710539B2 (en) 1998-09-02 2004-03-23 Micron Technology, Inc. Field emission devices having structure for reduced emitter tip to gate spacing
DE19938072A1 (de) 1998-09-09 2000-03-16 Siemens Ag Verfahren zum selbstjustierenden Herstellen von zusätzlichen Strukturen auf Substraten mit vorhandenen ersten Strukturen
US6323834B1 (en) 1998-10-08 2001-11-27 International Business Machines Corporation Micromechanical displays and fabrication method
KR100301050B1 (ko) 1998-12-14 2002-06-20 윤종용 콘택을포함하는반도체장치의커패시터제조방법
US6215221B1 (en) * 1998-12-29 2001-04-10 Honeywell International Inc. Electrostatic/pneumatic actuators for active surfaces
JP4511739B2 (ja) 1999-01-15 2010-07-28 ザ リージェンツ オブ ザ ユニヴァーシティ オブ カリフォルニア マイクロ電子機械システムを形成するための多結晶シリコンゲルマニウム膜
US6713235B1 (en) 1999-03-30 2004-03-30 Citizen Watch Co., Ltd. Method for fabricating thin-film substrate and thin-film substrate fabricated by the method
US6358854B1 (en) 1999-04-21 2002-03-19 Sandia Corporation Method to fabricate layered material compositions
US6342452B1 (en) * 1999-05-20 2002-01-29 International Business Machines Corporation Method of fabricating a Si3N4/polycide structure using a dielectric sacrificial layer as a mask
JP2004500481A (ja) * 1999-06-03 2004-01-08 ザ　ペン　ステイト　リサーチ　ファンデーション 堆積薄膜ボイド・柱状体網目構造物
US6359673B1 (en) 1999-06-21 2002-03-19 Eastman Kodak Company Sheet having a layer with different light modulating materials
US6525310B2 (en) * 1999-08-05 2003-02-25 Microvision, Inc. Frequency tunable resonant scanner
US6337027B1 (en) * 1999-09-30 2002-01-08 Rockwell Science Center, Llc Microelectromechanical device manufacturing process
WO2003007049A1 (en) * 1999-10-05 2003-01-23 Iridigm Display Corporation Photonic mems and structures
US7041224B2 (en) * 1999-10-26 2006-05-09 Reflectivity, Inc. Method for vapor phase etching of silicon
US6960305B2 (en) 1999-10-26 2005-11-01 Reflectivity, Inc Methods for forming and releasing microelectromechanical structures
US6435619B1 (en) * 1999-12-23 2002-08-20 Geosteering Mining Services, Llc Method for sensing coal-rock interface
US6674090B1 (en) 1999-12-27 2004-01-06 Xerox Corporation Structure and method for planar lateral oxidation in active
US6407851B1 (en) 2000-08-01 2002-06-18 Mohammed N. Islam Micromechanical optical switch
DE10006035A1 (de) * 2000-02-10 2001-08-16 Bosch Gmbh Robert Verfahren zur Herstellung eines mikromechanischen Bauelements sowie ein nach dem Verfahren hergestelltes Bauelement
US7008812B1 (en) * 2000-05-30 2006-03-07 Ic Mechanics, Inc. Manufacture of MEMS structures in sealed cavity using dry-release MEMS device encapsulation
US6465320B1 (en) 2000-06-16 2002-10-15 Motorola, Inc. Electronic component and method of manufacturing
CA2352729A1 (en) * 2000-07-13 2002-01-13 Creoscitex Corporation Ltd. Blazed micro-mechanical light modulator and array thereof
US7083997B2 (en) * 2000-08-03 2006-08-01 Analog Devices, Inc. Bonded wafer optical MEMS process
US7099065B2 (en) 2000-08-03 2006-08-29 Reflectivity, Inc. Micromirrors with OFF-angle electrodes and stops
TW471063B (en) * 2000-08-11 2002-01-01 Winbond Electronics Corp Method to form opening in insulator layer using ion implantation
US6635919B1 (en) 2000-08-17 2003-10-21 Texas Instruments Incorporated High Q-large tuning range micro-electro mechanical system (MEMS) varactor for broadband applications
TWI226103B (en) 2000-08-31 2005-01-01 Georgia Tech Res Inst Fabrication of semiconductor devices with air gaps for ultra low capacitance interconnections and methods of making same
JP4304852B2 (ja) * 2000-09-04 2009-07-29 コニカミノルタホールディングス株式会社 非平面液晶表示素子及びその製造方法
WO2002024466A1 (en) 2000-09-25 2002-03-28 California Institute Of Technology Freestanding polymer mems structures with anti stiction
JP2002116569A (ja) * 2000-10-10 2002-04-19 Canon Inc 電子写真用光受容部材および電子写真装置
GB2367788A (en) * 2000-10-16 2002-04-17 Seiko Epson Corp Etching using an ink jet print head
DE10055421A1 (de) * 2000-11-09 2002-05-29 Bosch Gmbh Robert Verfahren zur Erzeugung einer mikromechanischen Struktur und mikromechanische Struktur
US6406975B1 (en) 2000-11-27 2002-06-18 Chartered Semiconductor Manufacturing Inc. Method for fabricating an air gap shallow trench isolation (STI) structure
US6906847B2 (en) 2000-12-07 2005-06-14 Reflectivity, Inc Spatial light modulators with light blocking/absorbing areas
DE10063991B4 (de) * 2000-12-21 2005-06-02 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Herstellung von mikromechanischen Bauelementen
US6620712B2 (en) * 2001-02-14 2003-09-16 Intpax, Inc. Defined sacrifical region via ion implantation for micro-opto-electro-mechanical system (MOEMS) applications
CN1228818C (zh) 2001-04-02 2005-11-23 华邦电子股份有限公司 在半导体中形成漏斗形介层窗的方法
US6756317B2 (en) 2001-04-23 2004-06-29 Memx, Inc. Method for making a microstructure by surface micromachining
US6600587B2 (en) 2001-04-23 2003-07-29 Memx, Inc. Surface micromachined optical system with reinforced mirror microstructure
US6602791B2 (en) 2001-04-27 2003-08-05 Dalsa Semiconductor Inc. Manufacture of integrated fluidic devices
US6576489B2 (en) 2001-05-07 2003-06-10 Applied Materials, Inc. Methods of forming microstructure devices
US6800210B2 (en) 2001-05-22 2004-10-05 Reflectivity, Inc. Method for making a micromechanical device by removing a sacrificial layer with multiple sequential etchants
KR100421217B1 (ko) 2001-05-30 2004-03-02 삼성전자주식회사 점착 방지 미세 구조물 제조 방법
DE10127622B4 (de) * 2001-06-07 2009-10-22 Qimonda Ag Verfahren zur Herstellung eines mit HDPCVD-Oxid gefüllten Isolationsgrabens
US6958123B2 (en) * 2001-06-15 2005-10-25 Reflectivity, Inc Method for removing a sacrificial material with a compressed fluid
US7005314B2 (en) * 2001-06-27 2006-02-28 Intel Corporation Sacrificial layer technique to make gaps in MEMS applications
US6905613B2 (en) 2001-07-10 2005-06-14 Honeywell International Inc. Use of an organic dielectric as a sacrificial layer
US6930364B2 (en) * 2001-09-13 2005-08-16 Silicon Light Machines Corporation Microelectronic mechanical system and methods
DE10148864A1 (de) 2001-10-04 2003-04-17 Bosch Gmbh Robert Adhäsionsverminderte mikromechanische Bauelemente
US6936183B2 (en) * 2001-10-17 2005-08-30 Applied Materials, Inc. Etch process for etching microstructures
AUPR846701A0 (en) 2001-10-25 2001-11-15 Microtechnology Centre Management Limited A method of fabrication of micro-devices
US6666979B2 (en) 2001-10-29 2003-12-23 Applied Materials, Inc. Dry etch release of MEMS structures
AU2002360361A1 (en) 2001-11-09 2003-06-10 Biomicroarrays, Inc. High surface area substrates for microarrays and methods to make same
US20030111439A1 (en) 2001-12-14 2003-06-19 Fetter Linus Albert Method of forming tapered electrodes for electronic devices
US6782166B1 (en) 2001-12-21 2004-08-24 United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Optically transparent electrically conductive charge sheet poling electrodes to maximize performance of electro-optic devices
JP2003195189A (ja) 2001-12-25 2003-07-09 Fuji Photo Film Co Ltd 光変調素子およびその作製方法
US6608268B1 (en) 2002-02-05 2003-08-19 Memtronics, A Division Of Cogent Solutions, Inc. Proximity micro-electro-mechanical system
US6794119B2 (en) * 2002-02-12 2004-09-21 Iridigm Display Corporation Method for fabricating a structure for a microelectromechanical systems (MEMS) device
US6574033B1 (en) 2002-02-27 2003-06-03 Iridigm Display Corporation Microelectromechanical systems device and method for fabricating same
AUPS098002A0 (en) 2002-03-08 2002-03-28 University Of Western Australia, The Tunable cavity resonator, and method of fabricating same
US7145143B2 (en) 2002-03-18 2006-12-05 Honeywell International Inc. Tunable sensor
US7027200B2 (en) 2002-03-22 2006-04-11 Reflectivity, Inc Etching method used in fabrications of microstructures
US6965468B2 (en) 2003-07-03 2005-11-15 Reflectivity, Inc Micromirror array having reduced gap between adjacent micromirrors of the micromirror array
US7029829B2 (en) 2002-04-18 2006-04-18 The Regents Of The University Of Michigan Low temperature method for forming a microcavity on a substrate and article having same
US6954297B2 (en) 2002-04-30 2005-10-11 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Micro-mirror device including dielectrophoretic liquid
US20030202264A1 (en) 2002-04-30 2003-10-30 Weber Timothy L. Micro-mirror device
US6791441B2 (en) 2002-05-07 2004-09-14 Raytheon Company Micro-electro-mechanical switch, and methods of making and using it
US6806110B2 (en) 2002-05-16 2004-10-19 Agilent Technologies, Inc. Monolithic multi-wavelength vertical-cavity surface emitting laser array and method of manufacture therefor
US6953702B2 (en) 2002-05-16 2005-10-11 Agilent Technologies, Inc. Fixed wavelength vertical cavity optical devices and method of manufacture therefor
DE10223359B4 (de) 2002-05-25 2011-08-11 Robert Bosch GmbH, 70469 Mikromechanisches Bauteil und Verfahren zur Herstellung einer Anti-Haftschicht auf einem mikromechanischen Bauteil
US6678085B2 (en) 2002-06-12 2004-01-13 Eastman Kodak Company High-contrast display system with scanned conformal grating device
GB0214206D0 (en) 2002-06-19 2002-07-31 Filtronic Compound Semiconduct A micro-electromechanical variable capacitor
US20040001258A1 (en) 2002-06-28 2004-01-01 Mandeep Singh Solid state etalons with low thermally-induced optical path length change
US7781850B2 (en) 2002-09-20 2010-08-24 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Controlling electromechanical behavior of structures within a microelectromechanical systems device
US6872319B2 (en) * 2002-09-30 2005-03-29 Rockwell Scientific Licensing, Llc Process for high yield fabrication of MEMS devices
JP2004149607A (ja) 2002-10-29 2004-05-27 Jsr Corp 多層配線間の空洞形成用重合体およびその製造方法
US7370185B2 (en) 2003-04-30 2008-05-06 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Self-packaged optical interference display device having anti-stiction bumps, integral micro-lens, and reflection-absorbing layers
US6909589B2 (en) 2002-11-20 2005-06-21 Corporation For National Research Initiatives MEMS-based variable capacitor
US7553686B2 (en) 2002-12-17 2009-06-30 The Regents Of The University Of Colorado, A Body Corporate Al2O3 atomic layer deposition to enhance the deposition of hydrophobic or hydrophilic coatings on micro-electromechanical devices
US6872654B2 (en) 2002-12-26 2005-03-29 Intel Corporation Method of fabricating a bismaleimide (BMI) ASA sacrifical material for an integrated circuit air gap dielectric
TW559686B (en) 2002-12-27 2003-11-01 Prime View Int Co Ltd Optical interference type panel and the manufacturing method thereof
US6808953B2 (en) 2002-12-31 2004-10-26 Robert Bosch Gmbh Gap tuning for surface micromachined structures in an epitaxial reactor
US6943448B2 (en) * 2003-01-23 2005-09-13 Akustica, Inc. Multi-metal layer MEMS structure and process for making the same
TW557395B (en) * 2003-01-29 2003-10-11 Yen Sun Technology Corp Optical interference type reflection panel and the manufacturing method thereof
TW200413810A (en) * 2003-01-29 2004-08-01 Prime View Int Co Ltd Light interference display panel and its manufacturing method
US20040157426A1 (en) * 2003-02-07 2004-08-12 Luc Ouellet Fabrication of advanced silicon-based MEMS devices
US7459402B2 (en) 2003-02-12 2008-12-02 Texas Instruments Incorporated Protection layers in micromirror array devices
US20040159629A1 (en) 2003-02-19 2004-08-19 Cabot Microelectronics Corporation MEM device processing with multiple material sacrificial layers
US7027202B1 (en) * 2003-02-28 2006-04-11 Silicon Light Machines Corp Silicon substrate as a light modulator sacrificial layer
US6720267B1 (en) 2003-03-19 2004-04-13 United Microelectronics Corp. Method for forming a cantilever beam model micro-electromechanical system
US6913942B2 (en) 2003-03-28 2005-07-05 Reflectvity, Inc Sacrificial layers for use in fabrications of microelectromechanical devices
US7128843B2 (en) 2003-04-04 2006-10-31 Hrl Laboratories, Llc Process for fabricating monolithic membrane substrate structures with well-controlled air gaps
TW594360B (en) * 2003-04-21 2004-06-21 Prime View Int Corp Ltd A method for fabricating an interference display cell
TWI226504B (en) 2003-04-21 2005-01-11 Prime View Int Co Ltd A structure of an interference display cell
TWI224235B (en) 2003-04-21 2004-11-21 Prime View Int Co Ltd A method for fabricating an interference display cell
TW567355B (en) 2003-04-21 2003-12-21 Prime View Int Co Ltd An interference display cell and fabrication method thereof
KR100599083B1 (ko) 2003-04-22 2006-07-12 삼성전자주식회사 캔틸레버 형태의 압전 박막 공진 소자 및 그 제조방법
TW591716B (en) 2003-05-26 2004-06-11 Prime View Int Co Ltd A structure of a structure release and manufacturing the same
TW570896B (en) * 2003-05-26 2004-01-11 Prime View Int Co Ltd A method for fabricating an interference display cell
US7221495B2 (en) * 2003-06-24 2007-05-22 Idc Llc Thin film precursor stack for MEMS manufacturing
TWI305599B (en) * 2003-08-15 2009-01-21 Qualcomm Mems Technologies Inc Interference display panel and method thereof
TWI230801B (en) 2003-08-29 2005-04-11 Prime View Int Co Ltd Reflective display unit using interferometric modulation and manufacturing method thereof
US6982820B2 (en) * 2003-09-26 2006-01-03 Prime View International Co., Ltd. Color changeable pixel
TW593126B (en) 2003-09-30 2004-06-21 Prime View Int Co Ltd A structure of a micro electro mechanical system and manufacturing the same
US6861277B1 (en) 2003-10-02 2005-03-01 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method of forming MEMS device
US7012726B1 (en) * 2003-11-03 2006-03-14 Idc, Llc MEMS devices with unreleased thin film components
DE10352001A1 (de) 2003-11-07 2005-06-09 Robert Bosch Gmbh Mikromechanisches Bauelement mit einer Membran und Verfahren zur Herstellung eines solchen Bauelements
US20050170670A1 (en) 2003-11-17 2005-08-04 King William P. Patterning of sacrificial materials
US7056757B2 (en) 2003-11-25 2006-06-06 Georgia Tech Research Corporation Methods of forming oxide masks with submicron openings and microstructures formed thereby
CA2589168A1 (en) 2003-12-01 2005-06-16 Advanced Technology Materials, Inc. Removal of mems sacrificial layers using supercritical fluid/chemical formulations
US20050118832A1 (en) 2003-12-01 2005-06-02 Korzenski Michael B. Removal of MEMS sacrificial layers using supercritical fluid/chemical formulations
US7041571B2 (en) * 2004-03-01 2006-05-09 International Business Machines Corporation Air gap interconnect structure and method of manufacture
US7119945B2 (en) 2004-03-03 2006-10-10 Idc, Llc Altering temporal response of microelectromechanical elements
TW200530669A (en) 2004-03-05 2005-09-16 Prime View Int Co Ltd Interference display plate and manufacturing method thereof
US7256107B2 (en) * 2004-05-04 2007-08-14 The Regents Of The University Of California Damascene process for use in fabricating semiconductor structures having micro/nano gaps
JP2005342808A (ja) 2004-05-31 2005-12-15 Oki Electric Ind Co Ltd Ｍｅｍｓデバイスの製造方法
KR100627139B1 (ko) 2004-06-18 2006-09-25 한국전자통신연구원 미세기전 구조물 그 제조방법
EP1779173A1 (en) 2004-07-29 2007-05-02 Idc, Llc System and method for micro-electromechanical operating of an interferometric modulator
US20060037933A1 (en) * 2004-08-23 2006-02-23 Wei-Ya Wang Mirror process using tungsten passivation layer for preventing metal-spiking induced mirror bridging and improving mirror curvature
US7369296B2 (en) * 2004-09-27 2008-05-06 Idc, Llc Device and method for modifying actuation voltage thresholds of a deformable membrane in an interferometric modulator
US7492502B2 (en) * 2004-09-27 2009-02-17 Idc, Llc Method of fabricating a free-standing microstructure
US20060067650A1 (en) 2004-09-27 2006-03-30 Clarence Chui Method of making a reflective display device using thin film transistor production techniques
US7420728B2 (en) * 2004-09-27 2008-09-02 Idc, Llc Methods of fabricating interferometric modulators by selectively removing a material
US7692839B2 (en) 2004-09-27 2010-04-06 Qualcomm Mems Technologies, Inc. System and method of providing MEMS device with anti-stiction coating
US7327510B2 (en) 2004-09-27 2008-02-05 Idc, Llc Process for modifying offset voltage characteristics of an interferometric modulator
US20060066932A1 (en) 2004-09-27 2006-03-30 Clarence Chui Method of selective etching using etch stop layer
US7446926B2 (en) 2004-09-27 2008-11-04 Idc, Llc System and method of providing a regenerating protective coating in a MEMS device
US7309902B2 (en) 2004-11-26 2007-12-18 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Microelectronic device with anti-stiction coating
TW200628877A (en) * 2005-02-04 2006-08-16 Prime View Int Co Ltd Method of manufacturing optical interference type color display
US20060234412A1 (en) 2005-04-19 2006-10-19 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Intellectual Property Administration MEMS release methods
CN101228091A (zh) 2005-07-22 2008-07-23 高通股份有限公司 用于mems装置的支撑结构及其方法
EP2495212A3 (en) 2005-07-22 2012-10-31 QUALCOMM MEMS Technologies, Inc. Mems devices having support structures and methods of fabricating the same
EP1910216A1 (en) * 2005-07-22 2008-04-16 QUALCOMM Incorporated Support structure for mems device and methods therefor
US8043950B2 (en) * 2005-10-26 2011-10-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
GB0523715D0 (en) 2005-11-22 2005-12-28 Cavendish Kinetics Ltd Method of minimising contact area
US7795061B2 (en) 2005-12-29 2010-09-14 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method of creating MEMS device cavities by a non-etching process
US7382515B2 (en) 2006-01-18 2008-06-03 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Silicon-rich silicon nitrides as etch stops in MEMS manufacture
US7547568B2 (en) * 2006-02-22 2009-06-16 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Electrical conditioning of MEMS device and insulating layer thereof
US7450295B2 (en) 2006-03-02 2008-11-11 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Methods for producing MEMS with protective coatings using multi-component sacrificial layers
US20070249078A1 (en) 2006-04-19 2007-10-25 Ming-Hau Tung Non-planar surface structures and process for microelectromechanical systems
US7527996B2 (en) * 2006-04-19 2009-05-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Non-planar surface structures and process for microelectromechanical systems
US7623287B2 (en) 2006-04-19 2009-11-24 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Non-planar surface structures and process for microelectromechanical systems
US7417784B2 (en) 2006-04-19 2008-08-26 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Microelectromechanical device and method utilizing a porous surface
US7321457B2 (en) * 2006-06-01 2008-01-22 Qualcomm Incorporated Process and structure for fabrication of MEMS device having isolated edge posts
US7821010B2 (en) * 2006-06-28 2010-10-26 Spatial Photonics, Inc. Low temperature fabrication of conductive micro structures
US7763546B2 (en) * 2006-08-02 2010-07-27 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Methods for reducing surface charges during the manufacture of microelectromechanical systems devices
US7733552B2 (en) * 2007-03-21 2010-06-08 Qualcomm Mems Technologies, Inc MEMS cavity-coating layers and methods
WO2008124372A2 (en) 2007-04-04 2008-10-16 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Eliminate release etch attack by interface modification in sacrificial layers
US7719752B2 (en) * 2007-05-11 2010-05-18 Qualcomm Mems Technologies, Inc. MEMS structures, methods of fabricating MEMS components on separate substrates and assembly of same
US7569488B2 (en) * 2007-06-22 2009-08-04 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Methods of making a MEMS device by monitoring a process parameter
WO2009006340A2 (en) 2007-06-29 2009-01-08 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Electromechanical device treatment with water vapor
US7851239B2 (en) 2008-06-05 2010-12-14 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Low temperature amorphous silicon sacrificial layer for controlled adhesion in MEMS devices

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104428240A (zh) * 2012-07-06 2015-03-18 高通Mems科技公司 用于机电系统装置的腔衬里
CN104703911A (zh) * 2012-10-01 2015-06-10 高通Mems科技公司 具有提供额外稳定状态的突起的机电系统装置
CN104703911B (zh) * 2012-10-01 2016-12-14 追踪有限公司 具有提供额外稳定状态的突起的机电系统装置
CN106829851A (zh) * 2016-12-29 2017-06-13 上海集成电路研发中心有限公司 一种改善mems器件牺牲层刻蚀粘结的方法

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