TW201409072A - 用於機電系統設備的腔襯裡 - Google Patents

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Abstract

本案提供用於具有經改善電性質和設備壽命的機電系統設備的系統、方法和裝置。在一個態樣，在機電系統裝置的處在粗糙化表面上方的腔內形成共形抗靜摩擦層。該共形抗靜摩擦層可包括介電層。該共形抗靜摩擦層可包括形成在該介電層上方的自組裝單分子層(SAM)。該共形抗靜摩擦層可複製其所沉積於的表面的粗糙度。

Description

用於機電系統設備的腔襯裡
本案涉及用於機電系統的塗覆。
機電系統包括具有電氣及機械元件、致動器、換能器、感測器、光學元件(例如，鏡子)以及電子裝置的設備。機電系統可以在各種尺度上製造，包括但不限於微米尺度和奈米尺度。例如，微機電系統(MEMS)設備可包括具有範圍從大約一微米到數百微米或以上的大小的結構。奈米機電系統(NEMS)設備可包括具有小於一微米的大小(包括，例如小於幾百奈米的大小)的結構。機電組件可使用沉積、蝕刻、光刻及/或蝕刻掉基板及/或所沉積材料層的部分，或添加層以形成電氣及機電裝置的其他微機械加工製程來製作。
一種類型的機電系統設備稱為干涉(interferometric)調制器(IMOD)。如本文所使用的，術語干涉調制器或干涉光調制器是指使用光學干涉原理來選擇性地吸收及/或反射光的設備。在一些實施例中，干涉調制器可包括一對傳導板，該對傳導板中的一者或兩者可以完全或部分地是透明的及/或反射式的，且能夠在施加合適電信號時進行相對運動。在 一實施例中，一塊板可包括沉積在基板上的靜止層，而另一塊板可包括與該靜止層分隔一氣隙的反射膜。一塊板相對於另一塊板的位置可改變入射在該干涉調制器上的光的光學干涉。干涉調制器設備具有範圍廣泛的應用，且預期將用於改良現有產品以及創造新產品，尤其是具有顯示能力的彼等產品。
在機電系統設備的操作期間，可移動電極反覆地與靜止電極接觸。該反覆接觸導致表面磨損。由於本領域中稱為靜摩擦的實體和靜電吸引，該等接觸表面有時可能會「黏在」該等表面彼此接觸的位置上或變得難以從該位置分開。
本案的系統、方法和設備各自具有若干個創新性態樣，其中並不由任何單個態樣單獨負責本文中所揭示的期望屬性。
本案中所描述的標的的一個創新性態樣可實施在一種機電系統裝置中。在該實施例中，該機電系統裝置包括第一電極和由腔來與該第一電極分隔開的第二可移動電極。該等電極中的一者與該腔之間的表面是粗糙化表面。在該腔內在該粗糙化表面上方並在該等電極中的另一者上方形成共形抗靜摩擦層。
該共形抗靜摩擦層可包括具有大於定義該粗糙化表面的材料的硬度的材料。該粗糙化表面和形成在其上方的共形抗靜摩擦層各自可具有在約1.5nm rms和約6nm rms之間的粗糙度。該共形抗靜摩擦層可包括具有共形性的介電層，從 而其最薄部分的厚度大於其最厚部分的約90%。該共形抗靜摩擦層可包括介電材料和自組裝單分子層(monolayer)。機電系統裝置可以是干涉調制器。
另一創新態樣可實施在用於製造機電系統設備的方法中。該實施例包括形成第一電極，在該第一電極上方形成犧牲材料以及在該犧牲層上方形成第二電極，其中粗糙化表面在該第一和第二電極中的一者與該犧牲層之間面向該犧牲層。該實施例亦包括移除該犧牲層以形成具有由該第一電極和該第二電極定義的對向側的腔。藉由原子層沉積(ALD)將共形層沉積在該腔中。
可藉由形成帶有粗糙化範本表面的犧牲層並在該粗糙化範本表面上方形成帶有粗糙化表面的第二電極來提供粗糙化表面。沉積共形層可包括複製該粗糙化表面以具有大於約2nm rms的粗糙度。沉積該共形層可包括沉積比定義該粗糙化表面的材料更硬的材料。沉積該共形層可包括沉積介電材料。自組裝單分子層(SAM)可在該共形層上方形成。
另一創新態樣可實施在機電系統設備中。該實施例包括第一電極手段、第二可移動電極手段和定義在該第一和第二電極手段之間的腔。該第一和第二電極手段中的至少一者具有面向該腔的粗糙化表面。用於減小靜摩擦的手段覆蓋該第一電極手段和該第二電極手段的面向該腔的表面，包括覆蓋在該粗糙化表面上方。
該用於減小靜摩擦的手段可包括共形介電層，並且亦可包括形成在該共形介電層上方的自組裝單分子層。該共 形介電層可藉由ALD來沉積並且可具有在約2.5nm與約10nm之間的厚度。第一電極手段可以是靜止電極。
本說明書中所描述的標的的一或多個實施例的細節在附圖及以下描述中闡述。其他特徵、態樣和優點將從該描述、附圖和申請專利範圍中變得明瞭。注意，以下附圖的相對尺寸可能並非按比例繪製。
12‧‧‧干涉調制器
13‧‧‧入射光
14‧‧‧可移動反射層
14'‧‧‧第一電極
14a‧‧‧反射子層
14b‧‧‧支承層
14c‧‧‧傳導層
15‧‧‧反射光
16‧‧‧光學堆疊
16'‧‧‧第二電極
16a‧‧‧吸收體層
16b‧‧‧電介質
18‧‧‧支承柱
19‧‧‧腔
20‧‧‧基板
21‧‧‧處理器
22‧‧‧陣列驅動器
23‧‧‧黑色遮罩結構
24‧‧‧列驅動器電路
25‧‧‧犧牲層
26‧‧‧行驅動器電路
27‧‧‧網路介面
28‧‧‧訊框緩衝器
29‧‧‧驅動器控制器
30‧‧‧顯示陣列
31‧‧‧共形抗靜摩擦層
31a‧‧‧共形層
31b‧‧‧自組裝單分子層(SAM)
32‧‧‧繫帶
34‧‧‧可形變層
35‧‧‧分隔層
40‧‧‧顯示設備
41‧‧‧外殼
43‧‧‧天線
45‧‧‧揚聲器
46‧‧‧話筒
47‧‧‧收發機
48‧‧‧輸入設備
50‧‧‧電源
52‧‧‧調節硬體
80‧‧‧製造過程
82‧‧‧方塊
84‧‧‧方塊
86‧‧‧方塊
88‧‧‧方塊
90‧‧‧方塊
91‧‧‧方法
92‧‧‧方塊
93‧‧‧方塊
94‧‧‧方塊
95‧‧‧方塊
96‧‧‧方塊
97‧‧‧方塊
圖1示出圖示了干涉調制器(IMOD)顯示設備的一系列像素中的兩個毗鄰像素的等軸視圖的實例。
圖2示出圖示併入了3x3干涉調制器顯示器的電子設備的系統方塊圖的實例。
圖3示出圖示圖1的干涉調制器的可移動反射層位置相對於所施加電壓的圖式的實例。
圖4A示出圖1的干涉調制器顯示器的局部橫截面的實例。
圖4B-4E示出干涉調制器的不同實施例的橫截面的實例。
圖5示出圖示干涉調制器的製造製程的流程圖的實例。
圖6A-6E示出製作干涉調制器的方法中各個階段的橫截面示意圖式的實例。
圖7A示出帶有共形抗靜摩擦層的機電系統設備的橫截面示意圖式的實例。
圖7B示出具有共形抗靜摩擦層的干涉調制器的橫截 面示意圖式的實例。
圖7C示出圖7B的干涉調制器的一部分的實例的經放大截面。
圖8示出圖示用於處理機電系統設備的方法的流程圖的實例。
圖9A和圖9B示出圖示包括多個干涉調制器的顯示設備的系統方塊圖的實例。
各個附圖中相似的元件符號和命名指示相似要素。
以下詳細描述針對意欲用於描述創新性態樣的某些實施例。然而，本文的教示可用眾多不同方式來應用。所描述的實施例可在配置成顯示圖像的任何設備中實施，無論該圖像是運動的(例如，視訊)還是不動的(例如，靜止圖像)，且無論其是文字的、圖形的、還是畫面的。更特定言之，構想了該等實施例可在各種各樣的電子設備中實施或與各種各樣的電子設備相關聯，該等電子設備諸如但不限於：行動電話、具有網際網路能力的多媒體蜂巢式電話、行動電視接收器、無線設備、智慧型電話、藍芽®設備、個人資料助理(PDA)、無線電子郵件接收器、掌上型或可攜式電腦、小筆電、筆記本、智慧型電腦、平板電腦、印表機、影印機、掃瞄器、傳真設備、GPS接收器/導航儀、相機、MP3播放機、攝錄影機、遊戲控制台、手錶、鐘錶、計算器、電視監視器、平板顯示器、電子閱讀設備(例如，電子閱讀器)、電腦監視器、汽車顯示器(例如，里程表顯示器等)、駕駛座 艙控制項及/或顯示器、相機取景顯示器(例如，車輛中的後視相機的顯示器)、電子照片、電子告示牌或招牌、投影儀、建築結構、微波爐、冰箱、立體音響系統、卡式答錄機或播放機、DVD播放機、CD播放機、VCR、無線電、可攜式記憶體晶片、洗衣機、烘乾機、洗衣/烘乾機、停車計時器、封裝(例如，MEMS和非MEMS)、美學結構(例如，關於一件珠寶的圖像的顯示)以及各種各樣的機電系統設備。本文中的教示亦可用在非顯示器應用中，諸如但不限於：電子交換設備、射頻濾波器、感測器、加速計、陀螺儀、運動感測設備、磁力計、用於消費者電子設備的慣性元件、消費者電子產品的部件、可變電抗器、液晶設備、電泳設備、驅動方案、製造製程、以及電子測試裝備。因此，該等教示無意被限定於僅在附圖中圖示的實施例，而是具有如本領域一般技藝人士將容易明白的廣泛應用性。
處理機電系統設備可包括蝕刻掉每個設備的一部分以在該設備中形成內部腔的釋放蝕刻過程。在釋放之後，可在該腔中形成共形抗靜摩擦層以減小該設備中的靜摩擦。該共形抗靜摩擦層可包括藉由原子層沉積(ALD)形成的層。在一些實施例中，對在介電層的上方形成的自組裝單分子層(SAM)的額外沉積可單在介電層上方提供更進一步的抗靜摩擦性質。在一些實施例中，抗靜摩擦層可在腔內的粗糙化表面上方共形地形成，該抗靜摩擦層具有使(諸)抗靜摩擦塗層顯現出與下伏的表面相似的粗糙度的共形性和厚度。在一些實施例中，抗靜摩擦層的粗糙度可基於機電系統設備中 的期望像素顏色而變化。
可實施本案中描述的標的的特定實施例以達成以下潛在優點中的一項或多項。共形抗靜摩擦層的硬度和抗磨損性在該設備即使被長久使用之後仍可保持抗靜摩擦層的粗糙度。共形抗靜摩擦層亦可增強粗糙度的抗靜摩擦性質，及/或可降低為了實現給定抗靜摩擦作用所採用的粗糙度程度。使用形成在粗糙化表面上方的共形抗靜摩擦層可得到改良的機電系統設備效能，諸如提高的設備壽命。使用粗糙化的抗靜摩擦層可提高設備對潮濕和其他污染物的抗性並且緩解表面帶電，此可得到改良的電性質和設備效能以及穩定性。
可應用所描述實施例的合適MEMS設備的實例是反射式顯示設備。反射式顯示設備可併入干涉調制器(IMOD)以使用光學干涉原理來選擇性地吸收及/或反射入射於其上的光。IMOD可包括吸收體、可相對於該吸收體移動的反射體、以及限定在吸收體與反射體之間的光學諧振腔。該反射體可被移至兩個或兩個以上不同位置，此可以改變光學諧振腔的大小並由此影響該干涉調制器的反射。IMOD的反射譜可建立相當廣的譜帶，該等譜帶可跨可見波長移位以產生不同顏色。譜帶的位置可藉由改變光學諧振腔的厚度(例如，藉由改變反射體的位置)來調整。
圖1示出圖示了干涉調制器(IMOD)顯示設備的一系列像素中的兩個毗鄰像素的等軸視圖的實例。該IMOD顯示設備包括一或多個干涉MEMS顯示元件。在該等設備中，MEMS顯示元件的像素可處於亮狀態或暗狀態。在亮(「弛豫 」、「打開」或「接通」)狀態，顯示元件將入射可見光的很大部分反射掉(例如，去往使用者)。相反，在暗(「致動」、「關閉」或「關斷」)狀態，顯示元件幾乎不反射所入射的可見光。在一些實施例中，可顛倒接通和關斷狀態的光反射性質。MEMS像素可配置成主導性地在特定波長上發生反射，從而除了黑白以外亦允許彩色顯示。儘管以下描述尤其涉及其中打開狀態對應於未致動設備且關閉狀態對應於致動設備的實施例，但是本領域一般技藝人士將領會，在其他實施例中，機電系統設備可佈置成在未致動狀態中處於關閉。
IMOD顯示裝置可包括IMOD的行/列陣列。每個IMOD可包括一對反射層，例如，可移動反射層和固定的部分反射層，該等反射層定位於彼此相距可變且可控的距離處以形成氣隙(亦稱為光學間隙或腔)。可移動反射層可在至少兩個位置之間移動。在第一位置(亦即，弛豫位置)，可移動反射層可定位在離該固定的部分反射層有相對較大距離處。在第二位置(亦即，致動位置)，該可移動反射層可定位成更靠近該部分反射層。取決於可移動反射層的位置，從該兩個層反射的入射光可相長地或相消地干涉，從而產生每個像素的整體反射或非反射的狀態。在一些實施例中，IMOD在打開時可處於反射狀態，此時反射可見譜內的光，並且在塌陷或關閉時可處於暗狀態，此時反射在可見範圍之外的光(例如，紅外光)。然而，在一些其他實施例中，IMOD可在打開時處於暗狀態，而在塌陷或關閉時處於反射狀態。在一些 實施例中，所施加電壓的引入可驅動像素改變狀態。在一些其他實施例中，所施加電荷可驅動像素改變狀態。
圖1中所圖示的像素陣列部分包括兩個毗鄰的干涉調制器12形式的機電系統設備。在左側(如圖所示)的IMOD 12中，可移動反射層14圖示為處於離光學堆疊16有預定距離的弛豫位置，該光學堆疊16包括部分反射層。跨左側的IMOD 12施加的電壓V0不足以引起對可移動反射層14的致動。在右側的IMOD 12中，可移動反射層14圖示為處於靠近或毗鄰光學堆疊16的致動位置。跨右側的IMOD 12施加的電壓V偏置足以將可移動反射層14維持在致動位置。
在圖1中，像素12的反射性質用指示入射在像素12上的光13的箭頭、以及從左側的像素12反射的光15的箭頭來一般化地圖示。儘管未詳細地圖示，但本領域一般技藝人士將理解，入射在像素12上的光13的絕大部分將透射穿過透明基板20去往光學堆疊16。入射在光學堆疊16上的光的一部分將透射穿過光學堆疊16的部分反射層，且一部分將被反射回去穿過透明基板20。光13的透射穿過光學堆疊16的彼部分將在可移動反射層14處被向回反射去往(且穿過)透明基板20。從光學堆疊16的部分反射層反射的光與從可移動反射層14反射的光之間的(相長的或相消的)干涉將決定在該設備的觀看側或即基板側上從像素12反射的光15的(諸)波長。
光學堆疊16可包括單層或若干層。該(些)層可包括電極層、部分反射且部分透射層以及透明介電層中的一者或多者。在一些實施例中，光學堆疊16是導電的、部分透明 且部分反射的，並且可以例如藉由將上述層中的一者或多者沉積在透明基板20上來製造。電極層可從各種各樣的材料來形成，諸如各種金屬，舉例而言氧化銦錫(ITO)。部分反射層可由各種各樣的部分反射的材料形成，諸如舉例而言鉻(Cr)之類的各種金屬、半導體以及電介質。部分反射層可由一層或多層材料形成，且其中每一層可由單種材料或諸材料的組合形成。在一些實施例中，光學堆疊16可包括單個半透明的金屬或半導體厚層，其既用作光吸收體又用作導體，而(例如，IMOD的光學堆疊16或其他結構的)不同的、更傳導的層或部分可用於在諸IMOD像素之間匯流信號。光學堆疊16亦可包括覆蓋一或多個傳導層或傳導/吸收層的一或多個絕緣或介電層。
在一些實施例中，光學堆疊16的(諸)層可被圖案化成平行條帶，並且可如以下進一步描述地形成顯示设备中的列電極。如本領域技藝人士將理解的，術語「圖案化」在本文中用於指遮罩以及蝕刻製程。在一些實施例中，可將高傳導性和高反射性的材料(諸如，鋁(Al))用於可移動反射層14，且該等條帶可形成顯示设备中的行電極。可移動反射層14可形成為(諸)沉積金屬層的一系列平行條帶(與光學堆疊16的列電極正交)，以形成沉積在諸如所圖示的柱子18之類的支承和沉積在各柱子18之間的居間犧牲材料的頂部上的行。當犧牲材料被蝕刻掉時，便可在可移動反射層14與光學堆疊16之間形成限定的間隙19或即光學腔。在一些實施例中，各個柱子18之間的間距可約為1-1000μm，而間隙19可 小於10000埃(Å)。
在一些實施例中，IMOD的每個像素(無論處於致動狀態還是弛豫狀態)實質上是由固定反射層和移動反射層形成的電容器。在無電壓被施加時，可移動反射層14保持在機械馳豫狀態，如由圖1中左側的像素12所圖示的，其中在可移動反射層14與光學堆疊16之間存在間隙19。然而，當電位差(例如，電壓)被施加到所選行和列中的至少一者時，在對應像素處的該行電極和列電極的交叉處形成的電容器變為帶電的，且靜電力將該等電極拉向一起。若所施加電壓超過閾值，則可移動反射層14可形變並且移動到靠近或靠倚光學堆疊16。光學堆疊16內的介電層(未圖示)可防止短路並控制層14與層16之間的分隔距離，如圖1中右側的致動像素12所圖示的。不管所施加電位差的極性如何，行為皆是相同的。儘管陣列中的一系列像素在一些實例中可被稱為「行」或「列」，但本領域一般技藝人士將容易理解，將一個方向稱為「行」並將另一方向稱為「列」是任意的。要重申的是，在一些取向中，行可被視為列，而列被視為行。此外，顯示元件可均勻地排列成正交的行和列(「陣列」)，或排列成非線性配置，例如關於彼此具有某些位置偏移(「馬賽克」)。術語「陣列」和「馬賽克」可以指任一種配置。因此，儘管將顯示器稱為包括「陣列」或「馬賽克」，但在任何實例中，該等元件本身不一定要彼此正交地排列，或佈置成均勻分佈，而是可包括具有非對稱形狀以及不均勻分佈的元件的佈局。
圖2示出圖示併入了3x3干涉調制器顯示器的電子設備的系統方塊圖的實例。該電子設備包括處理器21，其可配置成執行一或多個軟體模組。除了執行作業系統以外，處理器21亦可配置成執行一或多個軟體應用，包括web瀏覽器、電話應用、電子郵件程式，或任何其他軟體應用。
處理器21可配置成與陣列驅動器22通訊。陣列驅動器22可包括例如向顯示陣列或面板30提供信號的列驅動器電路24和行驅動器電路26。圖1中所圖示的IMOD顯示設備的橫截面由圖2中的線1-1示出。儘管圖2為清晰起見圖示了3x3的IMOD陣列，但顯示陣列30可包含很大數目的IMOD，並且可在行中具有與列中不同的數目的IMOD，反之亦然。
圖3示出圖示圖1的干涉調制器的可移動反射層位置相對於所施加電壓的圖式的實例。對於MEMS干涉調制器，行/列(亦即，共用/分段)寫入程序可利用該等設備的如圖3中所圖示的滯後性質。干涉調制器可能需要例如約10伏的電位差以使可移動反射層或鏡從弛豫狀態改變為致動狀態。當電壓從該值減小時，可移動反射層隨電壓降回至例如10伏以下而維持其狀態，然而，可移動反射層直至電壓降至2伏以下才完全弛豫。因此，如圖3中所示，存在一電壓範圍(大約為3至7伏)，在此電壓範圍中有該設備要麼穩定於弛豫狀態要麼穩定於致動狀態的所施加電壓視窗。該視窗在本文中稱為「滯後窗」或「穩定態窗」。對於具有圖3的滯後特性的顯示陣列30，行/列寫入程序可被設計成每次定址一行或多列，以使得在對給定列進行定址期間，被定址列中要被致動的像素曝 露於約10伏的電壓差，而要被弛豫的像素曝露於接近0伏的電壓差。在定址之後，該等像素曝露於約5伏的穩態或偏置電壓差，以使得其保持在先前的閃控狀態中。在該實例中，在被定址之後，每個像素皆經受落在約3-7伏的「穩定態窗」內的電位差。該滯後性質特徵使得(例如圖1中所圖示的)像素設計能夠在相同的所施加電壓條件下保持穩定在要麼致動要麼弛豫的事先存在的狀態中。由於每個IMOD像素(無論是處於致動狀態還是弛豫狀態)實質上是由固定反射層和移動反射層形成的電容器，因此該穩定狀態在落在該滯後窗內的平穩電壓處可得以保持，而基本上不消耗或損失功率。此外，若所施加電壓電位保持基本上固定，則實質上很少或沒有電流流入IMOD像素中。
在一些實施例中，可根據對給定列中像素的狀態的期望改變(若有)，藉由沿該組行電極施加「分段」電壓形式的資料信號來建立圖像的訊框。可輪流定址該陣列的每一列，以使得以每次一列的形式寫該訊框。為了將期望資料寫到第一列中的像素，可在諸行電極上施加與該第一列中的各像素的期望狀態相對應的分段電壓，並且可向第一列電極施加特定的「共用」電壓或信號形式的第一列脈衝。該組分段電壓隨後可被改變為與對第二列中各像素的狀態的期望改變(若有)相對應，且可向第二列電極施加第二共用電壓。在一些實施例中，第一列中的像素不受沿諸行電極施加的分段電壓上的改變的影響，而是保持於其在第一共用電壓列脈衝期間被設定的狀態。可按順序方式對整個列系列(或替換地 對整個行系列)重複此過程以產生圖像訊框。藉由以每秒某個期望訊框數來不斷地重複此過程，便可用新圖像資料來刷新及/或更新該等訊框。
根據上文闡述的原理來操作的干涉調制器的結構細節可以寬泛地變化。例如，圖4A-4E示出包括可移動反射層14及其支承結構的干涉調制器的不同實施例的橫截面的實例。圖4A示出圖1的干涉調制器顯示器的部分橫截面的實例，其中金屬材料條帶(亦即，可移動反射層14)沉積在從基板20正交延伸出的支承18上。在圖4B中，每個IMOD的可移動反射層14為大體方形或矩形的形狀，且在各個角處或角附近靠繫帶32附連到支承。在圖4C中，可移動反射層14為大致方形或矩形的形狀且暫停於可形變層34，可形變層34可包括柔性金屬。可形變層34可圍繞可移動反射層14的周界直接或間接地連接到基板20。該等連接在本文中稱為支承柱。圖4C中所示的實施例具衍生自可移動反射層14的光學功能與其機械功能(此由可形變層34實施)解耦的額外益處。此種解耦允許用於反射層14的結構設計和材料與用於可形變層34的結構設計和材料被彼此獨立地最佳化。
圖4D示出IMOD的另一實例，其中可移動反射層14包括反射子層14a。可移動反射層14支托在支承結構(諸如，支承柱18)上。支承柱18提供了可移動反射層14與下靜止電極(亦即，所圖示IMOD中的光學堆疊16的部分)的分離，從而使得(例如當可移動反射層14處在弛豫位置時)在可移動反射層14與光學堆疊16之間形成間隙19。可移動反射層14亦 可包括傳導層14c和支承層14b，該傳導層14c可配置成用作電極。在此實例中，傳導層14c佈置在支承層14b的處在基板20遠端的一側上，而反射子層14a佈置在支承層14b的處在基板20近端的另一側上。在一些實施例中，反射子層14a可以是傳導性的並且可佈置在支承層14b與光學堆疊16之間。支承層14b可包括一層或多層介電材料，例如氧氮化矽(SiON)或二氧化矽(SiO2)。在一些實施例中，支承層14b可以是諸層的堆疊，諸如舉例而言SiO2/SiON/SiO2三層堆疊。反射子層14a和傳導層14c中的任一者或者兩者可包括例如具有約0.5%銅(Cu)的鋁(Al)合金，或其他反射性金屬材料。在介電支承層14b上方和下方採用傳導層14a和14c可平衡應力並提供增強的傳導性。在一些實施例中，反射子層14a和傳導層14c可由不同材料形成以用於各種各樣的設計目的，諸如達成可移動反射層14內的特定應力分佈。
如圖4D中所圖示的，一些實施例亦可包括黑色遮罩結構23。黑色遮罩結構23可在光學非有效區域中(例如，在各像素之間或在支承柱18下方)形成以吸收環境光或雜散光。黑色遮罩結構23亦可藉由抑制光從顯示器的非有效部分反射或透射穿過顯示器的非有效部分以藉此提高對比率來改良顯示設備的光學性質。另外，黑色遮罩結構23可以是傳導性的並且配置成用作電匯流層。在一些實施例中，列電極可連接到黑色遮罩結構23以減小所連接的列電極的電阻。黑色遮罩結構23可使用各種各樣的方法來形成，包括沉積和圖案化技術。黑色遮罩結構23可包括一層或多層。例如，在一些實 施例中，黑色遮罩結構23包括用作光學吸收體的鉬鉻(MoCr)層、光學腔層、以及用作反射體和匯流層的鋁合金，其厚度分別在約30-80Å、500-1000Å和500-6000Å的範圍內。該一或多層可使用各種各樣的技術來圖案化，包括光刻和幹法蝕刻，包括例如用於MoCr及SiO2層的四氟化碳(CF4)及/或氧氣(O2)，以及用於鋁合金層的氯(Cl2)及/或三氯化硼(BCl3)。在一些實施例中，黑色遮罩23可以是標準具(etalon)或干涉堆疊結構。在此類干涉堆疊黑色遮罩結構23中，傳導性的吸收體可用於在每行或每列的光學堆疊16中的下靜止電極之間傳送或匯流信號。在一些實施例中，分隔層35可用於將光學堆疊16中的(諸)電極或導體(例如，吸收體層16a)與黑色遮罩23中的(諸)傳導層大體上電隔離。
圖4E示出IMOD的另一實例，其中可移動反射層14是自支承的。與圖4D形成對比的是，圖4E的實施例不包括分開形成的支承柱18。作為代替，可移動反射層14在多個位置接觸底下的光學堆疊16以產生整合支承18，且可移動反射層14的曲度提供足夠的支承以使得在跨該干涉調制器的電壓不足以引起致動時，可移動反射層14返回至圖4E的未致動位置。出於清晰起見，可包含多個(若干)不同層的光學堆疊16在此處被示為包括光學吸收體16a和電介質16b。在一些實施例中，光學吸收體16a既可用作固定或靜止電極又可用作部分反射層。
在諸實施例中，諸如圖4A-4E中所示的彼等實施例中，IMOD用作直視設備，其中從透明基板20的前側(亦即， 與形成有調制器的一側對向的那側)來觀看圖像。在該等實施例中，可對該設備的背部(亦即，該顯示設備的處在可移動反射層14後面的任何部分，包括例如圖4C中所圖示的可形變層34)進行配置和操作而不衝突或不利地影響該顯示設備的圖像品質，因為反射層14在光學上遮罩了該設備的彼等部分。例如，在一些實施例中，在可移動反射層14後面可包括匯流排結構(未圖示)，此提供了將調制器的光學性質與該調制器的機電性質(諸如，電壓定址和由此類定址所導致的移動)分離的能力。另外，圖4A-4E的實施例能簡化處理(諸如，舉例而言圖案化)。
圖5示出圖示干涉調制器的製造過程80的流程圖的實例，並且圖6A-6E示出此類製造過程80的相應階段的橫截面示意圖式的實例。在一些實施例中，製造過程80加上圖5中未圖示的其他方塊可被實施以製造例如圖1和圖4A-4E中所圖示的一般類型的干涉調制器。參考圖1、圖4A-4E和圖5，過程80在方塊82開始以在基板20上方形成光學堆疊16。圖6A圖示了在基板20上方形成的此類光學堆疊16。基板20可以是透明基板(諸如，玻璃或塑膠)，其可以是柔性的或是相對堅硬且不易彎曲的，並且可能已經歷了先前的製備過程(例如，清洗)以促進高效地形成光學堆疊16。如以上所論述的，光學堆疊16可以是導電的、部分透明且部分反射的，並且可以是例如藉由將具有期望性質的一層或多層沉積在透明基板20上來製造的。在圖6A中，光學堆疊16包括具有子層16a和16b的多層結構，儘管在一些其他實施例中可包括更多或更少的子 層。在一些實施例中，子層16a、16b中的一者可配置成具有光學吸收和傳導性質兩者，諸如組合式導體/吸收體子層16a。另外，子層16a、16b中的一者或多者可被圖案化成平行條帶，並且可形成顯示設備中的列電極。可藉由遮罩和蝕刻過程或本領域已知的另一合適過程來執行此類圖案化。在一些實施例中，子層16a、16b中的一者可以是絕緣層或介電層，諸如沉積在一或多個金屬層(例如，一或多個反射及/或傳導層)上方的子層16b。另外，光學堆疊16可被圖案化成形成顯示器的諸列的個體且平行的條帶。
過程80在方塊84繼續以在光學堆疊16上方形成犧牲層25。犧牲層25稍後被移除(例如，在方塊90)以形成腔19，且因此在圖1和圖4A-4E中所圖示的所得的干涉調制器中未圖示犧牲層25。圖6B圖示了包括形成在光學堆疊16上方的犧牲層25的經部分製造的設備。在光學堆疊16上方形成犧牲層25可包括以所選厚度來沉積二氟化氙(XeF2)可蝕刻材料(諸如，鉬(Mo)或非晶矽(a-Si))，該厚度被選擇成在後續移除之後提供具有期望設計大小的間隙或腔19(亦參見圖1、圖4A-4E和圖6E)。沉積犧牲材料可使用諸如物理汽相沉積(PVD，例如濺鍍)、電漿增強型化學汽相沉積(PECVD)、熱化學汽相沉積(熱CVD)，或旋塗等沉積技術來實施。
過程80在方塊86處繼續以形成支承結構(例如，圖1、圖4A、圖4D和圖6C中所圖示的柱18)。柱18的形成可包括：圖案化犧牲層25以形成支承結構孔，隨後使用沉積方法(諸如PVD、PECVD、熱CVD或旋塗)將材料(例如，聚合物 或無機材料，例如氧化矽)沉積至該孔中以形成柱18。在一些實施例中，在犧牲層中形成的支承結構孔可延伸穿過犧牲層25和光學堆疊16兩者到達下伏的基板20，從而柱18的下端接觸基板20，如圖4A中所圖示的。或者，如圖6C中所圖示的，在犧牲層25中形成的孔可延伸穿過犧牲層25，但不穿過光學堆疊16。例如，圖6E圖示了支承柱18的下端與光學堆疊16的上表面接觸。可藉由在犧牲層25上方沉積支承結構材料層並將該支承結構材料的位於遠離犧牲層25中的孔的部分圖案化來形成柱18或其他支承結構。該等支承結構可位於該等孔內(如圖6C中所圖示的)，但是亦可至少部分地延伸在犧牲層25的一部分上方。如上所述，對犧牲層25及/或支承柱18的圖案化可藉由圖案化和蝕刻過程來執行，但亦可藉由替代的蝕刻方法來執行。
過程80在方塊88繼續以形成可移動反射層或膜，諸如圖1、4A-4E和圖6D中所圖示的可移動反射層14。可移動反射層14可藉由採用一或多個沉積步驟(例如，反射層(例如，鋁、鋁合金)沉積)連同一或多個圖案化、遮罩及/或蝕刻步驟來形成。可移動反射層14可以是導電的，且被稱為導電層。在一些實施例中，可移動反射層14可包括如圖6D中所示的多個子層14a、14b和14c。在一些實施例中，該等子層中的一者或多者(諸如子層14a和14c)可包括為其光學性質所選擇的高反射子層，且另一子層14b可包括為其機械性質所選擇的機械子層。由於犧牲層25仍存在於在方塊88形成的經部分製造的干涉調制器中，因此可移動反射層14在此階段通常是 不可移動的。包含犧牲層25的經部分製造的IMOD在本文亦可稱為「未脫模」IMOD。如以上結合圖1所描述的，可移動反射層14可被圖案化成形成顯示器的諸行的個體且平行的條帶。
過程80在方塊90處繼續以形成腔，例如圖1、圖4A-4E和圖6E中所圖示的腔19。腔19可藉由將(在方塊84處沉積的)犧牲材料25曝露於蝕刻劑來形成。例如，可蝕刻的犧牲材料(諸如Mo或非晶Si)可藉由幹法化學蝕刻來移除，例如藉由將犧牲層25曝露於氣態或蒸汽蝕刻劑(諸如，由固態XeF2得到的蒸汽)長達能有效地移除期望量的材料(其通常是相對於圍繞腔19的結構被選擇性地移除的)的一段時間來移除的。亦可使用其他蝕刻方法，例如濕法蝕刻及/或等離子蝕刻。由於在方塊90期間移除了犧牲層25，因此可移動反射層14在此階段之後通常是可移動的。在移除犧牲材料25之後，所得的已完全或部分製造的IMOD在本文中可被稱為「已脫模」IMOD。
圖7A示出帶有共形抗靜摩擦層31的機電系統設備的橫截面示意圖式的實例。在一個實施例中，該機電系統設備包括第一電極14’和由腔19來與該第一電極14’分隔開的第二電極16’。電極14’和16’中的至少一者是可移動的。在這一個實施例中，第一電極14’是可移動的並且第二電極16’是靜止的。面向腔19的表面具有粗糙化表面。在所圖示實施例中，第一電極14’具有粗糙化表面；在其他實施例中，第二電極16’或第一電極14’和第二電極16’兩者可具有(諸)粗糙化表面。 共形抗靜摩擦層31在該腔內在該粗糙化表面和另一電極兩者上方形成。在一個實施例中，共形抗靜摩擦層31包括原子層沉積(ALD)層和自組裝單分子層(SAM)。儘管在圖7A中未圖示，但在另一實施例中，共形抗靜摩擦層亦可在該設備的外表面上形成，諸如在第一電極14’的背離腔19的表面上形成。
圖7B示出具有共形抗靜摩擦層的干涉調制器的橫截面示意圖式的實例。如圖7B中所示，在釋放蝕刻定義了該腔之後，至少可使反射層14a和光學堆疊16的頂部、以及所圖示實施例中的腔19的所有內表面共形地塗覆以抗靜摩擦層31。所圖示的共形抗靜摩擦層31包括可藉由原子層沉積(ALD)形成的共形層31a和如以下所描述的自組裝單分子層(SAM)31b。在一些實施例中，共形層31a可以是無機層。在一些實施例中，共形層31a可以是介電層。將理解，抗靜摩擦性質可用共形層31a和SAM 31b中的一者或兩者來獲得。對於其中採用其兩者的實施例，共形層31a可用作種子層以在其上方形成SAM。
SAM可以各種方式來形成。在一個實施例中，SAM層31b以氣相沉積過程在共形層31a上方形成。在一個實施例中，氣相沉積包括促進SAM前體與腔表面的表面反應及/或鏈交聯的催化劑。在其他氣相沉積過程中，不使用催化劑。在一實施例中，以靜態模式投放前體氣體，藉此基板被放置在回填有單體前體的室中直至感興趣的基板表面飽和並且SAM層31b被密集形成。在另一實施例中，在有或沒有催化劑的情 況下，SAM前體的氣相投放可經由容納該基板的反應室來以連續流形式提供。在其他實施例中，用於SAM層的前體可以液相投放。
在一些實施例中，機電系統裝置設有靜止電極和由可塌陷腔來與該靜止電極分隔開的可移動電極。例如，在圖7B圖示的實施例中，靜止電極可以是光學堆疊16，並且可移動電極可以是可移動反射層14，在其間有腔19。該等電極中的一者與腔19之間的表面可以是粗糙化表面，例如在圖7B圖示的實施例中是接觸共形層31a的電介質16b的表面或接觸共形層31a的反射層14a的表面。圖7B中的抗靜摩擦層31可在腔19內在該粗糙化表面上方和該等電極中的另一電極(例如，反射層14a或光學堆疊16任一者)上方形成。在一些實施例中，抗靜摩擦層31包括共形介電材料，諸如共形層31a。抗靜摩擦層31亦可包括SAM層31b。共形層31a和SAM層31b兩者可分別藉由ALD和自組裝來共形地形成。抗靜摩擦層31亦可在機電系統設備的外表面上形成，諸如在可移動電極的背離腔19的表面上形成，如圖所示。
圖7C示出圖7B的干涉調制器的一部分的橫截面示意圖式的實例的經放大部分。圖7C示出帶有粗糙化表面的反射層14a。共形抗靜摩擦層31形成在反射層14a的粗糙化表面上方並且具有與下伏的反射層14a的表面相似的粗糙度。在所圖示的實施例中，抗靜摩擦層包括共形層31a和同樣共形並因此亦複製由反射層14a提供的表面粗糙度的額外SAM層31b。另外地，抗靜摩擦層31可替代地或另外地塗覆光學堆疊16上 (或更一般化而言在EMS的靜止電極上)處在間隙的對向側上的粗糙表面。用於抗靜摩擦層31下方的與腔接界的粗糙化表面以及粗糙程度的技術在以下描述。
圖8示出圖示用於製造機電系統設備的方法91的流程圖的實例。方法91無需以所圖示順序進行。在一些實施例中，方法91包括在方塊92處形成第一電極。在方塊93處，在該第一電極上方形成犧牲層。在一些實施例中，該犧牲層可形成為具有一或多個粗糙化表面。在方塊94處，在該犧牲層上方形成第二電極。在方塊95處，在該第一和第二電極中的一者與該犧牲層之間提供面向該犧牲層的粗糙化表面。該粗糙化表面可設在該犧牲層的第一電極側或該犧牲層的第二電極側上。在方塊96處，移除犧牲層，藉此形成具有由該第一電極和該第二電極定義的對向側的腔。在方塊97處，藉由原子層沉積(ALD)將共形層沉積在該腔中。在一些實施例中，自組裝單分子層(SAM)可形成在藉由ALD沉積的共形層上方。
在一些實施例中，機電系統設備是干涉調制器。
如上指出，圖7A示出具有腔19的IMOD的實例，其中腔19內形成有共形層31a和SAM層31b。汽相沉積反應物可藉由與釋放蝕刻蒸汽所遵循的路徑相同的路徑抵達腔19的內表面，該等路徑諸如有反射可移動層14中的蝕刻孔(未圖示)、陣列中處於反射可移動層14的各毗鄰條帶之間且橫向處於各支承柱18之間的間隙。儘管未圖示，但是本領域一般技藝人士將認識到，介電層及/或SAM沉積亦可將介電層和SAM 層留在該設備的外表面上，諸如留在傳導層14c的上表面上。
在一些實施例中，可移動電極具有面向該腔的第一表面以及處在可移動電極的與該第一表面對向的另一側上的第二表面。在一些實施例中，共形抗靜摩擦層形成在可移動電極的第一和第二表面上方。
在一些實施例中，抗靜摩擦層31包括作為共形層31a的介電材料，諸如氧化鋁(Al2O3)、氧化鉿(HfO2)、氧化鉭(Ta2O5)和二氧化矽(SiO2)中的一者或多者。在一些實施例中，共形層31a是Al2O3。抗靜摩擦層31可由ALD或CVD形成。共形層31a可藉由提供包括鋁、鉿、鉭或矽的反應物連同氧化劑來形成。沉積室可在反應物脈衝之間被泵空及/或清空以保持相互反應的反應物被分隔開。例如，金屬前體可在一個脈衝中自限地吸附一單分子層或更少；過剩的金屬前體諸如藉由清空來從沉積室被移除；氧化劑與該金屬前體的被吸附種進行反應；並且在下一前體之前，過剩的氧化劑從沉積室被移除。在該實例中，每個循環留下不多於約一個金屬氧化物單分子層。可提供更複雜的序列，尤其是對於更複雜的材料而言。例如，可使用三甲基鋁(TMA、(CH3)3Al)和氧源蒸汽(諸如水)的交替且順序的脈衝藉由ALD過程來形成氧化鋁。該等交替且順序的脈衝可被重複直至沉積了具有期望厚度的氧化鋁膜。在一些實施例中，反應空間在ALD過程的交替且順序的脈衝期間具有低於約100℃的溫度。
可藉由交替且順序地提供鹵化鉿或鉿有機化合物以及氧化劑(諸如水)來形成氧化鉿。可藉由交替且順序地提 供鹵化鉭或鉭有機化合物以及氧化劑(諸如水)來形成氧化鉭。
在一些實施例中，共形抗靜摩擦層31具有大於約2.5nm或3.0nm的厚度。抗靜摩擦層31的厚度可包括介電材料或共形層31a自身的厚度，或材料31a和在共形層31a頂上形成的任何SAM 31b的厚度。在一些實施例中，抗靜摩擦層的厚度從約2.5或3.0nm到約10nm。在一些實施例中，抗靜摩擦層的厚度從約2.5或3.0nm到約10nm。在一些實施例中，共形層31a的厚度大於約2.5nm。在一些實施例中，共形層31a的厚度從約40埃到約60埃。在一些實施例中，共形層31a的厚度是約90埃或更小。
共形抗靜摩擦層的小於約100埃的厚度不會影響機電設備的光學性質或涉及修改光學堆疊的厚度。共形抗靜摩擦層的約100埃到200埃的厚度可能影響機電設備的光學性質。光學堆疊的厚度或機電系統設備的其他性質可被修改以考慮到因厚抗靜摩擦層導致該設備的光學或機械性質上的任何改變。
在一些實施例中，共形層31a藉由ALD形成為具有大於約2.5nm或3.0nm的厚度。在一些實施例中，使用約25個到約30個或更多的ALD循環來獲得2.5到3.0nm的厚度。在一些實施例中，使用約80-100個ALD循環來獲得約8.0到-10.0nm的厚度。在一些實施例中，在共形層31a上形成的SAM 31b的厚度在約7Å與35Å之間，並且可大於約1.0nm。
在一些實施例中，抗靜摩擦層31可沉積在腔19內的 諸表面上方，包括靜止電極(例如，16的部分)和可移動電極(例如，14的部分)。抗靜摩擦層可被沉積成具有高共形性。例如，共形層31a可具有共形性，從而其最薄部分的厚度大於最厚部分的厚度的約90%。
在一些實施例中，抗靜摩擦層31包括具有大於定義粗糙化表面的材料的硬度的材料。在一些實施例中，抗靜摩擦層31下方的粗糙化表面可以是反射材料，諸如鋁或鋁合金。在一些實施例中，抗靜摩擦層31具有大於鋁合金(例如，AlCu)的硬度的硬度。在一些實施例中，共形層31a具有約160GPa到190GPa的範圍中的楊氏模量、約10GPa到14GPa的Berkovitch硬度、約7GPa與9GPa之間的廣義硬度及/或約350MPa到500MPa的範圍中的固有面內應力。
在一些實施例中，抗靜摩擦層31可包括共形層31a連同形成在共形層31a上的SAM 31b。在一些實施例中，共形層31a可用作種子層以促成在腔19內在共形層31a上沉積SAM 31b。自組裝單分子層(SAM)31b可曝露於腔19的內部。SAM 31b可由通常是有機鏈式分子的單體形成，該等有機鏈式分子具有與介電材料接觸的親水端連同面向腔19的內部的對向的疏水端。
在一些實施例中，使用n癸基三氯矽烷作為反應物來形成SAM 31b。例如，可向機電系統設備提供液體或蒸汽形式的n癸基三氯矽烷以使該反應物接觸共形層31a。共形層31a可具有包括羥基(-OH)的表面終止。SAM反應物可在共形層31a的表面上與羥基反應。在一些實施例中，反應空間在SAM的 沉積期間具有小於約50℃的溫度。在一些實施例中，SAM反應物被提供給機電系統設備並被允許浸透反應空間。在一些實施例中，SAM反應物的多個脈衝被提供給反應空間。在一些實施例中，可使用十八烷基三氯矽烷、十五烷基三氯矽烷或十二烷基三氯矽烷來形成SAM 31b。
在一些實施例中，沉積共形層31a和形成SAM 31b是在同一沉積室中原位進行的。在一些實施例中，共形層31a可沉積在叢集工具的一個反應空間中，並且SAM 31b可沉積在該叢集工具中的另一反應空間中。在一些實施例中，在沉積共形層31a和SAM 31b之間沒有真空破壞，以便使污染最小化。在一些實施例中，在沉積共形層31a和SAM 31b之間有真空破壞。
在一些實施例中，抗靜摩擦層31或共形層31a沉積在粗糙化表面上方。該粗糙化表面可由靜止電極與腔之間的抗靜摩擦層31定義。共形層31可沉積在該粗糙化表面上方以留下具有與下伏的層的粗糙度相似的粗糙度的塗覆表面。該粗糙化表面可以各種方式形成。抗靜摩擦層31可保持任何下伏的材料的表面形態。
在一些實施例中，提供粗糙化表面包括用粗糙化範本表面來形成犧牲層以及在該粗糙化範本表面上方形成具有粗糙化表面的可移動反射層。該犧牲層可使用在該犧牲層的表面上造成特定粗糙度的沉積條件(例如，溫度、反應物流速、沉積率等)來沉積。在一些實施例中，犧牲層可在沉積之後藉由加工處理(諸如具有受控功率和時長的離子轟擊) 來粗糙化。
在一些實施例中，犧牲層或靜止電極可被圖案化成具有凸塊或粗糙化表面。光刻可用來圖案化靜止電極，或犧牲層的表面。具有對給定蝕刻劑有不同蝕刻速率的各區域的掩膜層可用來形成粗糙化表面或用於粗糙化表面的範本。在一些實施例中，圖案化可包括電子束光刻及/或圖像轉移。在一些實施例中，圖案化可包括正性或負性光致抗蝕劑的使用。
在一些實施例中，粗糙化表面上的凸塊可由各種沉積技術來獲得。例如，可使用快閃沉積、短期濺鍍、應用奈米管或其他隨機奈米型物體(例如，藉由旋塗包括奈米管的溶液)，及/或鋁沉積/陽極化。
在一些實施例中，可在靜止電極的頂上或在犧牲層的頂上使用奈米微粒。該等微粒的大小可基於表面的期望粗糙度來選擇。在一些實施例中，可使用氧化物奈米微粒。在一些實施例中，可使用氧化鋁奈米微粒。在一些實施例中，沉積奈米微粒可包括使用用到液體擴散的旋塗式(spin-on)過程。
在一些實施例中，可形成多孔表面以提供粗糙化表面或提供用於粗糙化表面的範本。靜止電極和可移動電極中的任一者或其兩者可包括多孔表面。在一些實施例中，可藉由使鋁陽極化以形成氧化鋁來形成多孔表面。
犧牲層可在被沉積時具有粗糙表面，及/或該犧牲層可接受表面加工處理以使其表面粗糙化。在一些實施例中， 犧牲層下方的表面可用複製來自下伏的層的粗糙度的犧牲層來粗糙化。在一些實施例中，微粒可被沉積在光滑的犧牲層的頂上。在圖6C中圖示的實施例中，可移動反射層14a可沉積在粗糙化犧牲層25上方。在犧牲層25被移除之後，可移動反射層14a的粗糙化表面曝露於腔19。共形層31a可沉積在可移動反射層14a的粗糙化表面上方以留下具有基本上與可移動反射層14a的表面的粗糙度相同的粗糙度的塗覆表面。
在一些實施例中，可移動層的面向腔的表面可被粗糙化。
在一些實施例中，靜止電極的面向腔的表面可被粗糙化。
在一些實施例中，介電層16b可具有粗糙化表面。介電層16b或靜止電極的表面可在沉積時被粗糙化，或者可被沉積且隨後經歷使該表面粗糙化的表面加工處理。在犧牲層25被移除之後，介電層16b的粗糙化表面曝露於腔19。共形層31a可隨後被沉積在介電層16b的粗糙化表面上以使共形層31a具有粗糙度與介電層16b的粗糙度相似的表面。
在其中SAM 31b形成在共形層31a上方的實施例中，SAM層31b的粗糙度可基本上與由下伏的共形層31a的表面所顯現的粗糙度相似。
粗糙化表面的粗糙度可有所不同。在一些實施例中，粗糙化表面和形成在其上方的抗靜摩擦層31可各自具有大於約1.5nm均方根(rms)的粗糙度。在一些實施例中，粗糙化表面和形成在其上方的抗靜摩擦層31的表面可各自具有約 1.5nm rms與約6nm rms之間的粗糙度。在一些實施例中，沉積抗靜摩擦層31包括複製該粗糙化表面以具有大於約2nm rms的粗糙度。
在一些實施例中，抗靜摩擦層31的粗糙度可基於間隙大小(例如，處於打開狀態中的腔19內的對向電極表面之間的距離)或得到的像素的期望顏色來沉積。在紅色像素的一些實施例中，抗靜摩擦層31的粗糙度可以是約1.5nm到約4.0nm。在綠色像素的一些實施例中，共形抗靜摩擦層的粗糙度可以是約3.0nm到約5.0nm。在藍色像素的一些實施例中，抗靜摩擦層31的粗糙度可以是約3.0nm到約6.0nm。在一些實施例中，對於每種不同像素顏色使用不同粗糙度。像素的粗糙度可基於該像素的間隙大小而有所不同。每個間隙大小可由分開形成的犧牲層定義，從而用於每個間隙大小的粗糙度可跨陣列地分開解決。
在一些實施例中，提供機電系統設備。該等機電系統設備可包括靜止電極手段、用於致動該設備的可移動電極手段和定義在該靜止電極手段與該可移動電極手段之間的腔。該靜止電極和該可移動電極中的至少一者可具有面向該腔的粗糙化表面。可使用用於減小靜摩擦的手段，其覆蓋該靜止電極手段和該可移動電極手段的面向該腔的表面，包括覆蓋在該粗糙化表面上方。
在一些實施例中，用於減小靜摩擦的手段包括共形介電層。該共形介電層可包括Al2O3、HfO2、Ta2O5、SiO2中的一者或多者。該共形介電層可藉由ALD來沉積並且可具有約 2.5nm到約10nm的厚度。在一些實施例中，用於減小靜摩擦的手段亦可包括形成在共形介電層上方的自組裝單分子層(SAM)。在一些實施例中，粗糙化表面是由靜止電極手段與腔之間的共形介電層定義的。
圖9A和圖9B示出圖示包括多個干涉調制器的顯示設備40的系統方塊圖的實例。顯示設備40可以是例如蜂巢或行動電話。然而，顯示設備40的相同元件或其稍有變動的變體亦圖示諸如電視、電子閱讀器和可攜式媒體播放機等各種類型的顯示設備。
顯示設備40包括外殼41、顯示器30、天線43、揚聲器45、輸入設備48、以及話筒46。外殼41可由各種各樣的製造過程(包括射出成型和真空成形)中的任何製造過程來形成。另外，外殼41可由各種各樣的材料中的任何材料製成，包括但不限於：塑膠、金屬、玻璃、橡膠和陶瓷，或其組合。外殼41可包括可移除部分(未圖示)，其可與具有不同顏色，或包含不同徽標、圖片或符號的其他可移除部分互換。
顯示器30可以是各種各樣的顯示器中的任何顯示器，包括雙穩態顯示器或類比顯示器，如本文中所描述的。顯示器30亦可配置成包括平板顯示器(諸如，電漿、EL、OLED、STN LCD或TFT LCD)，或非平板顯示器(諸如，CRT或其他電子管設備)。另外，顯示器30可包括干涉調制器顯示器，如本文中所描述的。
在圖9B中示意性地圖示顯示設備40的元件。顯示設備40包括外殼41，並且可包括被至少部分地包封於其中的額 外元件。例如，顯示設備40包括網路介面27，該網路介面27包括耦合至收發機47的天線43。收發機47連接至處理器21，該處理器21連接至調節硬體52。調節硬體52可配置成調節信號(例如，對信號濾波)。調節硬體52連接到揚聲器45和話筒46。處理器21亦連接到輸入設備48和驅動器控制器29。驅動器控制器29耦合至訊框緩衝器28並且耦合至陣列驅動器22，該陣列驅動器22進而耦合至顯示陣列30。電源50可如該特定顯示設備40設計所要求地向所有元件供電。
網路介面27包括天線43和收發機47，從而顯示設備40可在網路上與一或多個設備通訊。網路介面27亦可具有一些處理能力以減輕例如對處理器21的資料處理要求。天線43可發射和接收信號。在一些實施例中，天線43根據IEEE 16.11標準(包括IEEE 16.11(a)、(b)或(g))或IEEE 802.11標準(包括IEEE 802.11a、b、g或n)發射和接收信號。在一些其他實施例中，天線43根據藍芽標準來發射和接收RF信號。在蜂巢式電話的情形中，天線43設計成接收分碼多工存取(CDMA)、分頻多工存取(FDMA)、分時多工存取(TDMA)、行動通訊全球系統(GSM)、GSM/通用封包無線電服務(GPRS)、增強型資料GSM環境(EDGE)、地面中繼式無線電(TETRA)、寬頻CDMA(W-CDMA)、進化資料最佳化(EV-DO)、1xEV-DO、EV-DO修訂版A、EV-DO修訂版B、高速封包存取(HSPA)、高速下行鏈路封包存取(HSDPA)、高速上行鏈路封包存取(HSUPA)、進化高速封包存取(HSPA+)、長期進化(LTE)、AMPS，或用於在無線網路(諸如，利用3G 或4G技術的系統)內通訊的其他已知信號。收發機47可預處理從天線43接收的信號，以使得該等信號可由處理器21接收並進一步操縱。收發機47亦可處理從處理器21接收的信號，以使得可從顯示設備40經由天線43發射該等信號。
在一些實施例中，收發機47可由接收器代替。另外，網路介面27可由圖像源代替，該圖像源可儲存或產生要發送給處理器21的圖像資料。處理器21可控制顯示設備40的整體操作。處理器21接收資料(諸如來自網路介面27或圖像源的經壓縮圖像資料)，並將該資料處理成原始圖像資料或容易被處理成原始圖像資料的格式。處理器21可將經處理資料發送給驅動器控制器29或發送給訊框緩衝器28以進行儲存。原始資料通常是指辨識圖像內每個位置處的圖像特性的資訊。例如，此類圖像特性可包括色彩、飽和度和灰度級。
處理器21可包括微控制器、CPU，或用於控制顯示設備40的操作的邏輯單元。調節硬體52可包括用於將信號傳送至揚聲器45以及用於從話筒46接收信號的放大器和濾波器。調節硬體52可以是顯示設備40內的個別元件，或者可被併入在處理器21或其他元件內。
驅動器控制器29可直接從處理器21或者可從訊框緩衝器28取得由處理器21產生的原始圖像資料，並且可適當地重新格式化該原始圖像資料以用於向陣列驅動器22高速傳輸。在一些實施例中，驅動器控制器29可將原始圖像資料重新格式化成具有類光柵格式的資料流，以使得其具有適合跨顯示陣列30進行掃瞄的時間次序。隨後，驅動器控制器29將經 格式化的資訊發送至陣列驅動器22。儘管驅動器控制器29(諸如，LCD控制器)往往作為自立的積體電路(IC)來與系統處理器21相關聯，但此類控制器可用許多方式來實施。例如，控制器可作為硬體嵌入在處理器21中、作為軟體嵌入在處理器21中，或以硬體形式完全與陣列驅動器22整合在一起。
陣列驅動器22可從驅動器控制器29接收經格式化的資訊並且可將視訊資料重新格式化成一組並行波形，該等波形被每秒許多次地施加至來自顯示器的x-y像素矩陣的數百條且有時是數千條(或更多)引線。
在一些實施例中，驅動器控制器29、陣列驅動器22、以及顯示陣列30適用於本文中所描述的任何類型的顯示器。例如，驅動器控制器29可以是一般顯示器控制器或雙穩態顯示器控制器(例如，IMOD控制器)。另外，陣列驅動器22可以是一般驅動器或雙穩態顯示器驅動器(例如，IMOD顯示器驅動器)。此外，顯示陣列30可以是一般顯示陣列或雙穩態顯示陣列(例如，包括IMOD陣列的顯示器)。在一些實施例中，驅動器控制器29可與陣列驅動器22整合在一起。此類實施例在諸如蜂巢式電話、手錶和其他小面積顯示器等高度整合系統中是常見的。
在一些實施例中，輸入設備48可配置成允許例如使用者控制顯示裝置40的操作。輸入設備48可包括小鍵盤(諸如，QWERTY鍵盤或電話小鍵盤)、按鈕、開關、搖桿、觸敏螢幕，或壓敏膜或熱敏膜。話筒46可配置成作為顯示設備 40的輸入設備。在一些實施例中，可使用經由話筒46的語音命令來控制顯示設備40的操作。
電源50可包括各種如本領域中所周知的能量儲存設備。例如，電源50可以是可再充電電池，諸如鎳鎘電池或鋰離子電池。電源50亦可以是可再生能源、電容器或太陽能電池，包括塑膠太陽能電池或太陽能電池塗料。電源50亦可配置成從牆上插座接收電力。
在一些實施例中，控制可程式設計性常駐在驅動器控制器29中，驅動器控制器29可位於電子顯示系統中的若干個地方。在一些其他實施例中，控制可程式設計性常駐在陣列驅動器22中。上述最佳化可以用任何數目的硬體及/或軟體元件並在各種配置中實施。
結合本文中所揭示的實施例來描述的各種說明性邏輯、邏輯區塊、模組、電路和演算法步驟可實施為電子硬體、電腦軟體，或這兩者的組合。硬體與軟體的此種可互換性已以其功能性的形式作了一般化描述，並在上文描述的各種說明性元件、方塊、模組、電路和步驟中作了說明。此類功能性是以硬體還是軟體來實施取決於特定應用和加諸於整體系統的設計約束。
用於實施結合本文中所揭示的態樣描述的各種說明性邏輯、邏輯區塊、模組和電路的硬體和資料處理裝置可用通用單晶片或多晶片處理器、數位訊號處理器(DSP)、特殊應用積體電路(ASIC)、現場可程式設計閘陣列(FPGA)或其他可程式設計邏輯設備、個別閘門或電晶體邏輯、個別的 硬體元件，或其設計成執行本文中描述的功能的任何組合來實施或執行。通用處理器可以是微處理器，或者是任何一般的處理器、控制器、微控制器，或狀態機。處理器亦可以被實施為計算設備的組合，例如DSP與微處理器的組合、多個微處理器、與DSP核心協調的一或多個微處理器，或任何其他此類配置。在一些實施例中，特定步驟和方法可由專門針對給定功能的電路系統來執行。
在一或多個態樣，所描述的功能可以用硬體、數位電子電路系統、電腦軟體、韌體(包括本說明書中所揭示的結構及其結構均等物)或其任何組合來實施例。本說明書中所描述的標的的實施例亦可實施為一或多個電腦程式，亦即，編碼在電腦儲存媒體上以供資料處理裝置執行或用於控制資料處理裝置的操作的電腦程式指令的一或多個模組。
對本案中描述的實施例的各種改動對於本領域技藝人士可能是明顯的，並且本文中所定義的普適原理可應用於其他實施例而不會脫離本案的精神或範疇。由此，申請專利範圍並非意欲被限定於本文中示出的實施例，而是應被授予與本案、本文中所揭示的原理和新穎性特徵一致的最廣義的範疇。另外，本領域一般技藝人士將容易領會，術語上「上/高」和「下/低」有時是為了便於描述附圖而使用的，且指示與取向正確的頁面上的附圖的取向相對應的相對位置，且可能並不反映如所實施的IMOD的正當取向。
本說明書中在分開實施例的上下文中描述的某些特徵亦可組合地實施在單個實施例中。相反，在單個實施例的 上下文中描述的各種特徵亦可分開地或以任何合適的子組合實施在多個實施例中。此外，儘管諸特徵在上文可能被描述為以某些組合的方式起作用且甚至最初是如此主張的，但來自所主張的組合的一或多個特徵在一些情形中可從該組合被切除，且所主張的組合可以針對子組合，或子組合的變體。
類似地，儘管在附圖中以特定次序圖示了諸操作，但此不應當被理解為要求此類操作以所示的特定次序或按順序次序來執行，或要執行所有所圖示的操作才能達成期望的結果。此外，附圖可能以流程圖的形式示意性地圖示一或多個示例性過程。然而，未圖示的其他操作可被併入示意性地圖示的示例性過程中。例如，可在任何所圖示操作之前、之後、同時或之間執行一或多個額外操作。在某些環境中，多工處理和並行處理可能是有利的。此外，上文所描述的實施例中的各種系統元件的分開不應被理解為在所有實施例中皆要求此類分開，並且應當理解，所描述的程式元件和系統一般可以一起整合在單個軟體產品中或封裝成多個軟體產品。另外，其他實施例亦落在所附申請專利範圍的範疇內。在一些情形中，申請專利範圍中敘述的動作可按不同次序來執行並且仍達成期望的結果。
91‧‧‧方法
92‧‧‧方塊
93‧‧‧方塊
94‧‧‧方塊
95‧‧‧方塊
96‧‧‧方塊
97‧‧‧方塊

Claims (46)

  1. 一種機電系統裝置，包括：一第一電極；一第二可移動電極，該第二可移動電極由一腔來與該第一電極分隔開，其中該等電極中的一者與該腔之間的一表面是一粗糙化表面；及一共形抗靜摩擦層，其在該腔內形成在該粗糙化表面上方以及該等電極中的另一者上方。
  2. 如請求項1述及之裝置，其中該共形抗靜摩擦層包括具有比定義該粗糙化表面的一材料更大的一硬度的一材料。
  3. 如請求項1述及之裝置，其中該粗糙化表面和形成在其上方的該共形抗靜摩擦層各自具有大於約1.5nm rms的一粗糙度。
  4. 如請求項1述及之裝置，其中該粗糙化表面和形成在其上方的該共形抗靜摩擦層各自具有在約1.5nm rms與約6nm rms之間的一粗糙度。
  5. 如請求項1述及之裝置，其中該第一電極是一靜止電極。
  6. 如請求項1述及之裝置，其中該共形抗靜摩擦層包括一介電材料，其中該介電材料具有一共形性，以使其一最薄部分 的一厚度大於一最厚部分的約90%。
  7. 如請求項1述及之裝置，其中該共形抗靜摩擦層具有約2.5nm到約10nm的一厚度。
  8. 如請求項1述及之裝置，其中該共形抗靜摩擦層包括Al2O3、HfO2、Ta2O5、SiO2中的一者或多者。
  9. 如請求項1述及之裝置，其中該共形抗靜摩擦層包括一介電材料和一自組裝單分子層(SAM)。
  10. 如請求項9述及之裝置，其中該SAM是由n癸基三氯矽烷形成的。
  11. 如請求項1述及之裝置，其中該介電層具有在約7GPa與9GPa之間的一廣義硬度。
  12. 如請求項1述及之裝置，其中該可移動電極具有面向該腔的一第一表面和在該可移動電極的與該第一表面對向的另一側上的一第二表面，其中該共形抗靜摩擦層是在該可移動電極的該第二表面上方形成的。
  13. 如請求項1述及之裝置，其中該機電系統裝置是一干涉調制器。
  14. 一種顯示裝置，包括：如請求項13述及之干涉調制器；一顯示器；一處理器，該處理器配置成與該顯示器通訊，該處理器被配置成處理圖像資料；及一記憶體設備，該記憶體設備配置成與該處理器通訊。
  15. 如請求項14述及之顯示裝置，亦包括：一驅動器電路，其配置成將至少一個信號發送給該顯示器。
  16. 如請求項15述及之顯示裝置，亦包括：一控制器，其配置成向該驅動器電路發送該圖像資料的至少一部分。
  17. 如請求項14述及之顯示裝置，亦包括：一圖像源模組，其配置成將該圖像資料發送給該處理器。
  18. 如請求項17述及之顯示裝置，其中該圖像源模組包括一接收器、一收發機和一發射器中的至少一者。
  19. 如請求項14述及之顯示裝置，亦包括： 一輸入設備，其配置成接收輸入資料並將該輸入資料傳達給該處理器。
  20. 一種用於製造一機電系統設備的方法，包括以下步驟：形成一第一電極；在該第一電極上方形成一犧牲層；在該犧牲層上方形成一第二電極，其中一粗糙化表面在該第一和第二電極中的一者與該犧牲層之間面向該犧牲層；移除該犧牲層，藉此形成具有由該第一電極和該第二電極定義的對向側的一腔；及藉由原子層沉積(ALD)來在該腔中沉積一共形層。
  21. 如請求項20述及之方法，其中提供該粗糙化表面之步驟包括以下步驟：形成具有一粗糙化範本表面的該犧牲層，以及在該粗糙化範本表面上方形成具有該粗糙化表面的該第二電極。
  22. 如請求項20述及之方法，其中形成具有一粗糙化範本表面的該犧牲層之步驟包括以下步驟：在用於沉積具有該粗糙化表面的該犧牲層的條件下沉積該犧牲層。
  23. 如請求項20述及之方法，其中形成具有一粗糙化範本表面的該犧牲層之步驟包括以下步驟：沉積該犧牲層之後跟著進行使該表面粗糙化的表面加工處理。
  24. 如請求項20述及之方法，其中沉積該共形層之步驟包括以下步驟：複製該粗糙化表面以具有大於約2nm rms的一粗糙度。
  25. 如請求項20述及之方法，其中沉積該共形層之步驟包括以下步驟：沉積比定義該粗糙化表面的一材料更硬的一材料。
  26. 如請求項20述及之方法，其中沉積該共形層之步驟包括以下步驟：沉積一介電材料。
  27. 如請求項20述及之方法，亦包括以下步驟：形成在該共形層上方形成的一自組裝單分子層(SAM)。
  28. 如請求項27述及之方法，其中該SAM是由n癸基三氯矽烷沉積的。
  29. 如請求項27述及之方法，其中沉積該共形層和形成該SAM是在同一沉積室原位進行的。
  30. 如請求項20述及之方法，其中藉由ALD沉積的該共形層具有約2.5nm到約10nm的一厚度。
  31. 如請求項20述及之方法，其中藉由ALD沉積的該共形層包括Al2O3、HfO2、Ta2O5、SiO2中的一者或多者。
  32. 如請求項31述及之方法，其中沉積該共形層之步驟包括以下步驟：向一基板供應水和三甲基鋁的交替且順序的脈衝以形成Al2O3。
  33. 如請求項20述及之方法，其中形成該犧牲層之步驟包括以下步驟：沉積鉬。
  34. 如請求項20述及之方法，其中形成該第二電極之步驟包括以下步驟：提供面向該犧牲層的具有在約1.5nm rms與約6nm rms之間的一粗糙度的一表面。
  35. 如請求項20述及之方法，其中沉積該共形層之步驟包括以下步驟：複製該粗糙化表面以具有約1.5nm到約6nm rms的一粗糙度。
  36. 如請求項20述及之方法，其中該機電系統設備是一干涉調制器。
  37. 一種機電系統設備，包括：一第一電極手段；一第二可移動電極手段，用於致動該設備； 一腔，定義在該第一電極手段與該第二電極手段之間，其中該第一電極手段和該第二電極手段中的至少一者具有面向該腔的一粗糙化表面；及用於減小靜摩擦的手段，其覆蓋該第一電極手段和該第二電極手段的面向該腔的表面，包括覆蓋在該粗糙化表面上方。
  38. 如請求項37述及之設備，其中該用於減小靜摩擦的手段包括一共形介電層。
  39. 如請求項38述及之設備，其中該共形介電層具有有從約1.5nm到約6nm rms的一粗糙度的一表面。
  40. 如請求項38述及之設備，其中該用於減小靜摩擦的手段亦包括形成在該共形介電層上方的一自組裝單分子層(SAM)。
  41. 如請求項40述及之設備，其中該SAM是從n癸基三氯矽烷形成的。
  42. 如請求項38述及之設備，其中該共形介電層包括Al2O3、HfO2、Ta2O5、SiO2中的一者或多者。
  43. 如請求項38述及之設備，其中該共形介電層是藉由ALD 沉積的並且具有約2.5nm到約10nm的一厚度。
  44. 如請求項37述及之設備，其中該共形介電層是Al2O3。
  45. 如請求項38述及之設備，其中該粗糙化表面是由該第一電極手段和該腔之間的該共形介電層定義的。
  46. 如請求項37述及之設備，其中該第一電極手段是一靜止電極。
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9290380B2 (en) 2012-12-18 2016-03-22 Freescale Semiconductor, Inc. Reducing MEMS stiction by deposition of nanoclusters
PT108442A (pt) * 2015-05-06 2016-11-07 Omnidea Lda Sistema catalítico para produção de gás de síntese por redução electroquímica do dióxido de carbono e processo que o utilização
US9527721B2 (en) * 2015-05-15 2016-12-27 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Movement microelectromechanical systems (MEMS) package
GB201519620D0 (en) 2015-11-06 2015-12-23 Univ Manchester Device and method of fabricating such a device
USD901228S1 (en) * 2017-07-24 2020-11-10 Regale Microwave Ovens Ltd Microwave oven cavity liner
DE102018004733A1 (de) * 2018-06-14 2019-12-19 Merck Patent Gmbh Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauteils enthaltend eine selbstorganisierte Monolage
WO2022006099A1 (en) * 2020-06-30 2022-01-06 Bfly Operations, Inc. Formation of self-assembled monolayer for ultrasonic transducers

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61284733A (ja) * 1985-06-11 1986-12-15 Canon Inc 光変調装置
US6930367B2 (en) * 2003-10-31 2005-08-16 Robert Bosch Gmbh Anti-stiction technique for thin film and wafer-bonded encapsulated microelectromechanical systems
EP1722595A4 (en) * 2004-03-05 2010-07-28 Panasonic Corp ELECTRET condenser
WO2006014929A1 (en) * 2004-07-29 2006-02-09 Idc, Llc System and method for micro-electromechanical operating of an interferometric modulator
CN1755433A (zh) * 2004-09-27 2006-04-05 Idc公司 提供具有抗粘着涂层的mems装置的系统和方法
US7405852B2 (en) * 2005-02-23 2008-07-29 Pixtronix, Inc. Display apparatus and methods for manufacture thereof
US7450295B2 (en) * 2006-03-02 2008-11-11 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Methods for producing MEMS with protective coatings using multi-component sacrificial layers
US7362494B2 (en) * 2006-04-13 2008-04-22 Texas Instruments Incorporated Micromirror devices and methods of making the same
US7623287B2 (en) * 2006-04-19 2009-11-24 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Non-planar surface structures and process for microelectromechanical systems
US20070249078A1 (en) * 2006-04-19 2007-10-25 Ming-Hau Tung Non-planar surface structures and process for microelectromechanical systems
CN101573792B (zh) * 2006-11-02 2012-11-21 明锐有限公司 用于防止微机械系统中抗粘连的优先沉积润滑剂
US7630121B2 (en) * 2007-07-02 2009-12-08 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Electromechanical device with optical function separated from mechanical and electrical function
US20110010808A1 (en) * 2007-12-21 2011-01-13 The University Of Akron Protected metallic tip or metallized scanning probe microscopy tip for optical applications
US7851239B2 (en) * 2008-06-05 2010-12-14 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Low temperature amorphous silicon sacrificial layer for controlled adhesion in MEMS devices
JP5418317B2 (ja) * 2010-03-11 2014-02-19 富士通株式会社 静電アクチュエータ、およびその駆動方法

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