TWI484218B - 用於機電系統反射顯示器件之匹配層薄膜 - Google Patents

Description

用於機電系統反射顯示器件之匹配層薄膜

本發明一般而言係關於機電系統(EMS)反射顯示器件，且更特定而言係關於一EMS反射顯示器件之一吸收體層上之材料層。

機電系統(EMS)包含具有電及機械元件、致動器、變換器、感測器、光學組件(包含反射鏡)及電子器件之器件。機電系統可以多種尺度來製造，包含但不限於微尺度及奈米尺度。舉例而言，微機電系統(MEMS)器件可包含具有介於自約一微米至數百微米或數百微米以上之範圍內之大小之結構。奈米機電系統(NEMS)器件可包含具有小於一微米之大小(舉例而言，包含小於數百奈米之大小)之結構。機電元件可使用沈積、蝕刻、微影及/或蝕除基板及/或所沈積材料層之若干部分或添加若干層以形成電及機電器件之其他微機械加工程序來形成。

一種類型之EMS器件稱作一干涉式調變器(IMOD)。如本文中所使用，術語干涉式調變器或干涉式光調變器指代使用光學干涉原理選擇性地吸收及/或反射光之一器件。在某些實施方案中，一干涉式調變器可包含一對導電板，該對導電板中之一者或兩者可係完全或部分透明的及/或反射的且能夠在施加一適當電信號後旋即相對運動。在一實施方案中，一個板可包含沈積於一基板上之一固定層，且另一個板可包含藉由一氣隙與該固定層分離之一反射膜。 一個板相對於另一個板之位置可改變入射於該干涉式調變器上之光的光學干涉。干涉式調變器器件具有一寬範圍之應用，且預期用於改良現有產品並形成新產品中，尤其係具有顯示能力之彼等產品。

一IMOD器件或其他EMS反射顯示器件之一層(諸如，固定層及/或反射膜)上之額外材料層可改變該層之光學性質。舉例而言，可藉助該等額外材料層修改一層之反射及/或吸收特性。

本發明之系統、方法及器件各自具有數項發明態樣，該數項發明態樣中沒有一項單獨決定本文中所揭示之期望性質。

本發明中所闡述之標的物之一項發明態樣可實施於包含一反射層、一吸收體層及複數個匹配層之一裝置中。該吸收體層可與該反射層間隔開以界定該吸收體層與該反射層之間的一腔。該吸收體層可能夠將光透射至該腔中、吸收光及反射光。該吸收體層可包含一金屬層。該複數個匹配層可在該吸收體層之背對該腔之一表面上。該複數個匹配層可包含安置於該吸收體層上之一第一匹配層及安置於該第一匹配層上之一第二匹配層。

在某些實施方案中，該第一匹配層可具有一第一厚度且該第二匹配層可具有一第二厚度。該第一厚度及該第二厚度可經組態以修改所反射光及所透射光之一振幅及一相位中之至少一者以更改該裝置之一紅色-綠色-藍色色彩飽和 度。

在某些實施方案中，該第一匹配層可包含具有一第一折射率之一第一材料，且該第二匹配層可包含具有一第二折射率之一第二材料。該第二折射率可大於該第一折射率。

本發明中所闡述之標的物之另一發明態樣可實施於包含一反射層、一吸收體層、一第一匹配層及一第二匹配層之一裝置中。該吸收體層可與該反射層間隔開以界定該吸收體層與該反射層之間的一腔。該吸收體層可能夠將光透射至該腔中、吸收光及反射光。該吸收體層可包含一金屬層。該第一匹配層可具有一第一折射率且安置於該吸收體層上。該第二匹配層可具有一第二折射率且安置於該第一匹配層上。該第二折射率可大於該第一折射率。

在某些實施方案中，該第一匹配層可具有一第一厚度且該第二匹配層可具有一第二厚度。該第一厚度及該第二厚度可經組態以修改所反射光及所透射光之一振幅及一相位中之至少一者以更改該裝置之一紅色-綠色-藍色色彩飽和度。

在某些實施方案中，該金屬層可包含釩、鉻、鎢、鎳或一鉬-鉻合金中之至少一者。在某些實施方案中，該反射層可經組態為可移動的以使該腔之一厚度變化。

本發明中所闡述之標的物之另一發明態樣可實施於包含一反射層、一吸收體層及複數個匹配層之一裝置中。該吸收體層可與該反射層間隔開以界定該吸收體層與該反射層之間的一腔。該吸收體層可能夠將光透射至該腔中、吸收 光及反射光。該吸收體層可包含一金屬層。該反射層可經組態為可移動的以使該腔之一厚度變化。該複數個匹配層可在該吸收體層之背對該腔之一表面上。該複數個匹配層可包含安置於該吸收體層上之一第一匹配層及安置於該第一匹配層上之一第二匹配層。

在某些實施方案中，該第一匹配層可具有一第一厚度且該第二匹配層可具有一第二厚度。該第一厚度及該第二厚度可經組態以修改所反射光及所透射光之一振幅及一相位中之至少一者以更改該裝置之一紅色-綠色-藍色色彩飽和度。

在某些實施方案中，該金屬層可包含釩、鉻、鎢、鎳或一鉬-鉻合金中之至少一者。在某些實施方案中，該第一匹配層可包含二氧化矽、氟化鎂、氧化鋁或一塑膠中之至少一者。在某些實施方案中，該第二匹配層可包含氮化矽、氧氮化矽、二氧化鈦、二氧化鋯、氧化鉭或氧化銻中之至少一者。

在隨圖及下文說明中陳述本說明書中所闡述之標的物之一或多項實施方案之細節。儘管主要就基於機電系統(EMS)及微機電系統(MEMS)之顯示器闡述本發明中所提供之實例，但本文中所提供之概念可適用於其他類型之顯示器，諸如，液晶顯示器、有機發光二極體(「OLED」)顯示器及場發射顯示器。依據說明、圖式及申請專利範圍，其他特徵、態樣及優點將變得顯而易見。注意，以下各圖之相對尺寸可能未按比例繪製。

在各圖式中，相同元件符號及名稱指示相同元件。

以下說明係針對出於闡述本發明之發明態樣之目的之某些實施方案。然而，熟習此項技術者將易於認識到，可以眾多不同方式應用本文中之教示。所闡述實施方案可實施於可經組態以顯示一影像(無論是運動影像(例如，視訊)還是固定影像(例如，靜態影像)，且無論是文字影像、圖形影像還是圖片影像)之任何器件或系統中。更特定而言，預期，所闡述實施方案可包含於以下多種電子器件中或與其相關聯，諸如但不限於：行動電話、啟用多媒體網際網路之蜂巢式電話、行動電視接收器、無線器件、智慧電話、Bluetooth®器件、個人資料助理(PDA)、無線電子郵件接收器、手持式或可攜式電腦、小筆電、筆記型電腦、智慧筆電、平板電腦、印表機、影印機、掃描機、傳真器件、GPS接收器/導航儀、相機、MP3播放器、攝錄影機、遊戲主控台、手錶、時鐘、計算器、電視監視器、平板顯示器、電子閱讀器件(亦即，電子閱讀器)、電腦監視器、汽車顯示器(包含里程表及速度計顯示器等)、駕駛艙控制件及/或顯示器、攝影機景物顯示器(諸如，一車輛中之一後視攝影機之顯示器)、電子相片、電子告示牌或標牌、投影機、建築結構、微波爐、冰箱、立體聲系統、卡式記錄器或播放器、DVD播放器、CD播放器、VCR、無線電設備、可攜式記憶體晶片、洗衣機、乾衣機、洗衣機/乾衣機、停車計時器、封裝(諸如，在機電系統(EMS)、微機 電系統(MEMS)及非MEMS應用中)、美學結構(例如，一件珠寶上之影像顯示器)及多種EMS器件。本文中之教示亦可用於非顯示應用中，諸如但不限於：電子切換器件、射頻濾波器、感測器、加速度計、陀螺儀、運動感測器件、磁力計、用於消費型電子器件之慣性組件、消費型電子產品之部件、可變電抗器、液晶器件、電泳器件、驅動方案、製造程序及電子測試設備。因此，該等教示並非意欲限於僅在圖中繪示之實施方案，而是具有廣泛應用性，如熟習此項技術者將易於明瞭。

一EMS反射顯示器件之一吸收體層本身可不具有適當電磁性質以實現EMS反射顯示器件之理想光譜選擇性吸收性質。由於該吸收體層之色散特性(例如，消光係數及折射率可隨光之波長變化)，因此該吸收體層之電磁阻抗可隨光之波長變化。特定而言，該吸收體層之電磁阻抗之反應性部分可賦予來自吸收體層之反射及穿過吸收體層之透射之一變化，此轉換成來自EMS反射顯示器件之反射之光譜濾光特性之一劣化。

本文中所闡述之某些實施方案係關於一EMS反射顯示器件之一吸收體層上之材料層。在某些實施方案中，兩個或兩個以上材料層(亦稱為匹配層)可形成於一EMS反射顯示器件之一吸收體層上。在某些實施方案中，安置於吸收體層上之一第一匹配層可係一低折射率材料。安置於第一匹配層上之一第二匹配層可係一高折射率材料。

舉例而言，在本文中所闡述之某些實施方案中，一EMS 器件包含一反射層及一吸收體層。該吸收體層可與該反射層間隔開以界定該吸收體層與該反射層之間的一腔。取決於光之波長及該反射層與該吸收體層之間的間距，該吸收體層可完全、部分或根本不吸收光。該吸收體層亦可包含可提供該吸收體層之吸收特性之一金屬層。複數個匹配層可在該吸收體層之背對該腔之一表面上。該複數個匹配層可包含安置於該吸收體層上之一第一匹配層及安置於該第一匹配層上之一第二匹配層。

可實施本發明中所闡述之標的物之特定實施方案以實現以下潛在優點中之一或多者。一EMS反射顯示器件之吸收體層之一表面上之兩個或兩個以上匹配層可改良EMS反射顯示器件之一特定原色或完全原色集(亦即，紅色-綠色-藍色(RGB)色彩集)之色彩飽和度。兩個或兩個以上匹配層亦可允許改良一EMS反射顯示器件之一白色狀態。

在吸收體層上方及下方包含匹配層之另一優點可係提供在修整吸收體層之阻抗性質時之一額外設計自由度。該等匹配層亦可允許藉由將色散引入至間隙中而調整反射之峰值之間的光譜間距及振幅之某些自由。此態樣與達成一高純度之紅色色彩有關，此乃因紅色反射光譜通常涉及來自光譜之藍色部分之某些洩漏。

所闡述實施方案可應用於其之一適合EMS或MEMS器件之一實例係一反射顯示器件。反射顯示器件可併入干涉式調變器(IMOD)以使用光學干涉原理選擇性地吸收及/或反射入射於其上之光。IMOD可包含一吸收體、可相對於該 吸收體移動之一反射體及界定於該吸收體與該反射體之間的一光學諧振腔。該反射體可移動至可改變該光學諧振腔之大小且藉此影響該干涉式調變器之反射之兩個或兩個以上不同位置。IMOD之反射光譜可形成可跨越可見波長移位以產生不同色彩之相當寬光譜帶。可藉由改變該光學諧振腔之厚度(亦即，藉由改變該反射體之位置)來調整該光譜帶之位置。

圖1展示繪示一干涉式調變器(IMOD)顯示器件之一系列像素中之兩個毗鄰像素之一等角視圖之一實例。該IMOD顯示器件包含一或多個干涉式MEMS顯示元件。在此等器件中，MEMS顯示元件之像素可處於一亮狀態或暗狀態。在亮(「經鬆弛」、「開啟」或「接通」)狀態中，顯示元件將入射可見光之一大部分反射(例如)至一使用者。相反地，在暗(「經致動」、「關閉」或「關斷」)狀態中，顯示元件反射極少入射可見光。在某些實施方案中，可將接通狀態及關斷狀態之光反射性質顛倒。MEMS像素可經組態以主要在特定波長下反射，從而除黑色及白色之外亦允許一彩色顯示。

IMOD顯示器件可包含一列/行IMOD陣列。每一IMOD可包含一對反射層，亦即，一可移動反射層及一固定部分反射層，該等層定位於彼此相距一可變化且可控制距離處以形成一氣隙(亦稱為一光學間隙或腔)。該可移動反射層可在至少兩個位置之間移動。在一第一位置(亦即，一經鬆弛位置)中，該可移動反射層可定位於距該固定部分反射 層一相對大距離處。在一第二位置(亦即，一經致動位置)中，該可移動反射層可更接近於該部分反射層而定位。自兩個層反射之入射光可取決於該可移動反射層之位置而相長地或相消地干涉，從而針對每一像素產生一總體反射或非反射狀態。在某些實施方案中，IMOD可在不被致動時處於一反射狀態，從而反射在可見光譜內之光，且可在被致動時處於一暗狀態，從而反射在可見範圍外之光(例如，紅外光)。然而，在某些其他實施方案中，一IMOD可在不被致動時處於一暗狀態且在被致動時處於一反射狀態。在某些實施方案中，引入一所施加電壓可驅動像素改變狀態。在某些其他實施方案中，一所施加電荷可驅動像素改變狀態。

圖1中之像素陣列之所繪示部分包含兩個毗鄰干涉式調變器12。在左邊之IMOD 12(如所圖解說明)中，將一可移動反射層14圖解說明為在距一光學堆疊16一預定距離處之一經鬆弛位置中，光學堆疊16包含一部分反射層。跨越左邊之IMOD 12施加之電壓V₀不足以致使可移動反射層14致動。在右邊之IMOD 12中，將可移動反射層14圖解說明為在接近或毗鄰光學堆疊16之一經致動位置中。跨越右邊之IMOD 12施加之電壓V_bias足以將可移動反射層14維持在該經致動位置中。

在圖1中，大體上在左邊用指示入射於像素12上之光之箭頭13及自像素12反射之光15圖解說明像素12之反射性質。儘管未詳細地圖解說明，但熟習此項技術者將理解， 入射於像素12上之光13之大部分將朝向光學堆疊16透射穿過透明基板20。入射於光學堆疊16上之光之一部分將透射穿過光學堆疊16之部分反射層，且一部分將往回反射穿過透明基板20。光13之透射穿過光學堆疊16之部分將在可移動反射層14處往回反射朝向(且穿過)透明基板20。自光學堆疊16之部分反射層反射之光與自可移動反射層14反射之光之間的干涉(相長性的或相消性的)將判定自像素12反射之光15之波長。

光學堆疊16可包含一單個層或數個層。該(等)層可包含一電極層、一部分反射且部分透射層及一透明介電層中之一或多者。在某些實施方案中，光學堆疊16係導電的、部分透明且部分反射的，且可(舉例而言)藉由將上述層中之一或多者沈積至一透明基板20上來製作。該電極層可由多種材料形成，諸如，各種金屬(舉例而言，氧化銦錫(ITO))。該部分反射層可由部分反射之多種材料(諸如，(例如)鉻(Cr)、半導體及電介質之各種金屬)形成。該部分反射層可由一或多個材料層形成，且該等層中之每一者皆可由單一材料或材料之一組合來形成。在某些實施方案中，光學堆疊16可包含充當一光學吸收體及導體兩者之一單個半透明厚度之金屬或半導體，同時(例如，光學堆疊16或IMOD之其他結構之)不同較多導電層或部分可用於在IMOD像素之間用匯流排傳送信號。光學堆疊16亦可包含覆蓋一或多個導電層或一導電/吸收層之一或多個絕緣或介電層。

在某些實施方案中，可將光學堆疊16之該(等)層圖案化成若干平行條帶，且可在一顯示器件中形成列電極，如下文進一步所闡述。如熟習此項技術者將理解，術語「圖案化」在本文中用於指代遮蔽以及蝕刻程序。在某些實施方案中，一高度導電及反射材料(諸如，鋁(Al))可用於可移動反射層14，且此等條帶可在一顯示器件中形成行電極。可移動反射層14可形成為一所沈積金屬層或若干所沈積金屬層(正交於光學堆疊16之列電極)之一系列平行條帶以形成沈積於柱18之頂部上之行及沈積於柱18之間的一介入犧牲材料。當蝕除該犧牲材料時，可在可移動反射層14與光學堆疊16之間形成一經界定間隙19或光學腔。在某些實施方案中，柱18之間的間距可係約1微米至1000微米，而間隙19可小於10,000埃(Å)。

在某些實施方案中，IMOD之每一像素(無論是處於經致動狀態還是處於經鬆弛狀態)基本上係由固定及移動反射層形成之一電容器。當不施加電壓時，可移動反射層14保持處於一機械經鬆弛狀態，如圖1中左邊之IMOD 12所圖解說明，其中在可移動反射層14與光學堆疊16之間存在間隙19。然而，當將一電位差(例如，電壓)施加至一選定列及行中之至少一者時，在對應像素處形成於列電極與行電極之交叉點處之電容器變為帶電，且靜電力將該等電極拉到一起。若所施加電壓超過一臨限值，則可移動反射層14可變形且移動靠近或抵靠光學堆疊16。光學堆疊16內之一介電層(未展示)可防止短路且控制層14與層16之間的分離 距離，如圖1中右邊之經致動IMOD 12所圖解說明。不管所施加電位差之極性如何，行為皆相同。儘管在某些例項中可將一陣列中之一系列像素稱為「列」或「行」，但熟習此項技術者將易於理解，將一個方向稱為一「列」且將另一方向稱為一「行」係任意的。重申，在某些定向中，可將列視為行，且將行視為列。此外，該等顯示元件可均勻地配置成正交之列與行(一「陣列」)，或配置成非線性組態，舉例而言，相對於彼此具有一定的位置偏移(一「馬賽克」)。術語「陣列」及「馬賽克」可指代任一組態。因此，儘管將顯示器稱為包含一「陣列」或「馬賽克」，但在任何例項中，元件本身無需彼此正交地配置或安置成一均勻分佈，而是可包含具有不對稱形狀及不均勻分佈式元件之配置。

圖2展示圖解說明併入有一3×3干涉式調變器顯示器之一電子器件之一系統方塊圖之一實例。該電子器件包含可經組態以執行一或多個軟體模組之一處理器21。除執行一作業系統之外，處理器21亦可經組態以執行一或多個軟體應用程式，包含一web瀏覽器、一電話應用程式、一電子郵件程式或其他軟體應用程式。

處理器21可經組態以與一陣列驅動器22通信。陣列驅動器22可包含將信號提供至(例如)一顯示器陣列或面板30之一列驅動器電路24及一行驅動器電路26。圖2中之線1-1展示圖1中所圖解說明之IMOD顯示器件之剖面。儘管為清晰起見，圖2圖解說明一3×3 IMOD陣列，但顯示器陣列30可 含有極大數目個IMOD且可在列中具有與在行中不同之數目個IMOD，且反之亦然。

圖3展示圖解說明圖1之干涉式調變器之可移動反射層位置對所施加電壓之一圖式之一實例。對於MEMS干涉式調變器，列/行(亦即，共同/分段)寫入程序可利用如圖3中所圖解說明之此等器件之一滯後性質。一干涉式調變器可需要(舉例而言)約一10伏電位差以致使可移動反射層(或反射鏡)自經鬆弛狀態改變為經致動狀態。當電壓自彼值減小時，該可移動反射層在該電壓降回至低於(例如)10伏時維持其狀態，然而，該可移動反射層在該電壓降至低於2伏之前不完全鬆弛。因此，如圖3中所展示，存在約3伏至7伏之一電壓範圍，在該電壓範圍內存在一所施加電壓窗，在該窗內該器件穩定地處於經鬆弛狀態或經致動狀態。此窗在本文中稱為「滯後窗」或「穩定窗」。對於具有圖3之滯後特性之一顯示器陣列30，列/行寫入程序可經設計以一次定址一或多個列，以使得在定址一既定列期間，所定址列中待致動之像素曝露於約10伏之一電壓差，且待鬆弛之像素曝露於接近零伏之一電壓差。在定址之後，該等像素曝露於約5伏之一穩定狀態或偏壓電壓差以使得其保持處於先前選通狀態。在此實例中，在被定址之後，每一像素經受在約3伏至7伏之「穩定窗」內之一電位差。此滯後性質特徵使得(例如)圖1中所圖解說明之像素設計能夠在相同所施加電壓條件下保持穩定地處於一經致動狀態或經鬆弛預先存在狀態。由於每一IMOD像素(無論是處於經致動 狀態還是處於經鬆弛狀態)基本上係由固定及移動反射層形成之一電容器，因此可在滯後窗內之一穩定電壓下保持此穩定狀態而實質上不消耗或損失電力。此外，若所施加電壓電位保持實質上固定，則基本上極小或沒有電流流動至IMOD像素中。

在某些實施方案中，可藉由根據一既定列中之像素之狀態之所期望改變(若有)，沿該組行電極以「分段」電壓之形式施加資料信號來形成一影像之一圖框。可依次定址陣列之每一列，以使得一次一列地寫入圖框。為將所期望資料寫入至一第一列中之像素，可將對應於該第一列中之像素之所期望狀態之分段電壓施加於行電極上，且可將以一特定「共同」電壓或信號之形式之一第一列脈衝施加至第一列電極。然後，該組分段電壓可經改變以對應於第二列中之像素之狀態之所期望改變(若有)，且可將一第二共同電壓施加至該第二列電極。在某些實施方案中，第一列中之像素不受沿行電極施加之分段電壓之改變影響，且在第一共同電壓列脈衝期間保持處於其已被設定之狀態。可以一順序方式針對整系列之列或另一選擇為針對整系列之行重複此程序以產生影像圖框。可藉由以每秒某一所期望數目個圖框之速度不斷重複此程序來用新影像資料再新及/或更新該等圖框。

跨越每一像素施加之分段信號及共同信號之組合(亦即，跨越每一像素之電位差)判定每一像素之所得狀態。圖4展示圖解說明在施加各種共同電壓及分段電壓時一干 涉式調變器之各種狀態之一表之一實例。如熟習此項技術者將易於理解，可將「分段」電壓施加至行電極或列電極，且可將「共同」電壓施加至行電極或列電極中之另一者。

如圖4中(以及圖5B中所展示之時序圖中)所圖解說明，當沿一共同線施加一釋放電壓VC_REL時，不管沿分段線施加之電壓(亦即，高分段電壓VS_H及低分段電壓VS_L)如何，沿該共同線之所有干涉式調變器元件皆將被置於一經鬆弛狀態(另一選擇為，稱為一經釋放或未經致動狀態)中。特定而言，當沿一共同線施加釋放電壓VC_REL時，在沿彼像素之對應分段線施加高分段電壓VS_H及低分段電壓VS_L之兩種情況下，跨越該調變器之電位電壓(另一選擇為，稱為一像素電壓)在鬆弛窗(參見圖3，亦稱為一釋放窗)內。

當將一保持電壓(諸如，一高保持電壓VC_{HOLD_H}或一低保持電壓VC_{HOLD_L})施加於一共同線上時，干涉式調變器之狀態將保持恆定。舉例而言，一經鬆弛IMOD將保持在一經鬆弛位置中，且一經致動IMOD將保持在一經致動位置中。可選擇該等保持電壓以使得在沿對應分段線施加高分段電壓VS_H及低分段電壓VS_L之兩種情況下，像素電壓將保持在一穩定窗內。因此，分段電壓擺幅(亦即，高VS_H與低分段電壓VS_L之間的差)小於正穩定窗或負穩定窗之寬度。

當將一定址或致動電壓(諸如，一高定址電壓VC_{ADD_H}或一低定址電壓VC_{ADD_L})施加於一共同線上時，可藉由沿各 別分段線施加分段電壓而將資料選擇性地寫入至沿彼線之調變器。可選擇分段電壓以使得致動取決於所施加之分段電壓。當沿一共同線施加一定址電壓時，施加一個分段電壓將導致一像素電壓在一穩定窗內，從而致使該像素保持不被致動。相比而言，施加另一分段電壓將導致一像素電壓超出該穩定窗，從而導致該像素之致動。致使致動之特定分段電壓可取決於使用哪一定址電壓而變化。在某些實施方案中，當沿共同線施加高定址電壓VC_{ADD_H}時，施加高分段電壓VS_H可致使一調變器保持在其當前位置中，而施加低分段電壓VS_L可致使該調變器致動。作為一推論，當施加一低定址電壓VC_{ADD_L}時，分段電壓之效應可係相反的，其中高分段電壓VS_H致使該調變器致動且低分段電壓VS_L對該調變器之狀態無影響(亦即，保持穩定)。

在某些實施方案中，可使用跨越調變器始終產生相同極性電位差之保持電壓、定址電壓及分段電壓。在某些其他實施方案中，可使用使調變器之電位差之極性交替之信號。跨越調變器之極性之交替(亦即，寫入程序之極性之交替)可減小或抑制在一單個極性之重複寫入操作之後可能發生之電荷累積。

圖5A展示圖解說明在圖2之3×3干涉式調變器顯示器中之一顯示資料圖框之一圖式之一實例。圖5B展示可用於寫入圖5A中所圖解說明之顯示資料圖框之共同信號及分段信號之一時序圖之一實例。可將該等信號施加至(例如)圖2之3×3陣列，此將最終產生圖5A中所圖解說明之線時間60e顯 示器配置。圖5A中之經致動調變器處於一暗狀態，亦即，其中所反射光之一實質部分係在可見光譜外以給(例如)一觀看者產生一暗外觀。在寫入圖5A中所圖解說明之圖框之前，像素可處於任何狀態，但圖5B之時序圖中所圖解說明之寫入程序推測在第一線時間60a之前每一調變器已被釋放且駐存於一未經致動狀態中。

在第一線時間60a期間，將一釋放電壓70施加於共同線1上；施加於共同線2上之電壓以一高保持電壓72開始且移動至一釋放電壓70；且沿共同線3施加一低保持電壓76。因此，沿共同線1之調變器(共同1,分段1)、(1,2)及(1,3)保持處於一經鬆弛或未經致動狀態達第一線時間60a之持續時間，沿共同線2之調變器(2,1)、(2,2)及(2,3)將移動至一經鬆弛狀態，且沿共同線3之調變器(3,1)、(3,2)及(3,3)將保持處於其先前狀態。參考圖4，沿分段線1、2及3施加之分段電壓將對該等干涉式調變器之狀態無影響，此乃因在線時間60a期間共同線1、2或3皆不曝露於致使致動之電壓位準(亦即，VC_REL-鬆弛與VC_{HOLD_L}-穩定)。

在第二線時間60b期間，共同線1上之電壓移動至一高保持電壓72，且由於沒有定址或致動電壓施加於共同線1上，因此不管所施加之分段電壓如何，沿共同線1之所有調變器皆保持處於一經鬆弛狀態。沿共同線2之調變器因釋放電壓70之施加而保持處於一經鬆弛狀態，且沿共同線3之調變器(3,1)、(3,2)及(3,3)將在沿共同線3之電壓移動至一釋放電壓70時鬆弛。

在第三線時間60c期間，藉由將一高定址電壓74施加於共同線1上來定址共同線1。由於在施加此定址電壓期間沿分段線1及2施加一低分段電壓64，因此跨越調變器(1,1)及(1,2)之像素電壓大於調變器之正穩定窗之高端(亦即，電壓差超過一預定義臨限值)，且致動調變器(1,1)及(1,2)。相反地，由於沿分段線3施加一高分段電壓62，因此跨越調變器(1,3)之像素電壓小於調變器(1,1)及(1,2)之像素電壓，且保持在調變器之正穩定窗內；因此，調變器(1,3)保持鬆弛。亦在線時間60c期間，沿共同線2之電壓降低至一低保持電壓76，且沿共同線3之電壓保持處於一釋放電壓70，從而使沿共同線2及3之調變器處於一經鬆弛位置中。

在第四線時間60d期間，共同線1上之電壓返回至一高保持電壓72，從而使沿共同線1之調變器處於其各別經定址狀態。共同線2上之電壓降低至一低定址電壓78。由於沿分段線2施加一高分段電壓62，因此跨越調變器(2,2)之像素電壓低於該調變器之負穩定窗之下端，從而致使調變器(2,2)致動。相反地，由於沿分段線1及3施加一低分段電壓64，因此調變器(2,1)及(2,3)保持在一經鬆弛位置中。共同線3上之電壓增加至一高保持電壓72，從而使沿共同線3之調變器處於一經鬆弛狀態中。

最後，在第五線時間60e期間，共同線1上之電壓保持處於高保持電壓72，且共同線2上之電壓保持處於一低保持電壓76，從而使沿共同線1及2之調變器處於其各別經定址狀態。共同線3上之電壓增加至一高定址電壓74以定址沿 共同線3之調變器。當在分段線2及3上施加一低分段電壓64時，調變器(3,2)及(3,3)致動，而沿分段線1施加之高分段電壓62致使調變器(3,1)保持在一經鬆弛位置中。因此，在第五線時間60e結束時，3×3像素陣列處於圖5A中所展示之狀態，且只要沿該等共同線施加保持電壓，該像素陣列即將保持處於彼狀態，而不管在正定址沿其他共同線(未展示)之調變器時可發生之分段電壓之變化如何。

在圖5B之時序圖中，一既定寫入程序(亦即，線時間60a至60e)可包含對高保持電壓及定址電壓或低保持電壓及定址電壓之使用。一旦已針對一既定共同線完成該寫入程序(且將共同電壓設定為具有與致動電壓相同之極性之保持電壓)，像素電壓即保持在一既定穩定窗內且不通過鬆弛窗直至將一釋放電壓施加於彼共同線上為止。此外，由於每一調變器係作為該寫入程序之在定址調變器之前的部分而被釋放，因此一調變器之致動時間而非釋放時間可判定所需線時間。特定而言，在其中一調變器之釋放時間大於致動時間之實施方案中，可施加該釋放電壓達長於一單個線時間，如圖5B中所繪示。在某些其他實施方案中，沿共同線或分段線施加之電壓可變化以計及不同調變器(諸如，不同色彩之調變器)之致動及釋放電壓之變化。

根據上文所陳述之原理操作之干涉式調變器之結構之細節可廣泛變化。舉例而言，圖6A至圖6E展示包含可移動反射層14及其支撐結構之干涉式調變器之變化實施方案之剖面之實例。圖6A展示圖1之干涉式調變器顯示器之一部 分剖面之一實例，其中一金屬材料條帶(亦即，可移動反射層14)沈積於自基板20正交延伸之支撐件18上。在圖6B中，每一IMOD之可移動反射層14在形狀上通常為方形或矩形且於隅角處或接近隅角處在繋鏈32上附接至支撐件。在圖6C中，可移動反射層14在形狀上通常為方形或矩形且懸掛在一可變形層34上，可變形層34可包含一撓性金屬。可變形層34可環繞可移動反射層14之周邊直接或間接連接至基板20。此等連接在本文中稱為支撐柱。圖6C中所展示之實施方案具有自將可移動反射層14之光學功能與其機械功能(由可變形層34實施)解耦得到之額外益處。此解耦允許用於反射層14之結構設計及材料與用於可變形層34之彼等結構設計及材料彼此獨立地最佳化。

圖6D展示一IMOD之另一實例，其中可移動反射層14包含一反射子層14a。可移動反射層14擱置於一支撐結構(諸如，支撐柱18)上。支撐柱18提供可移動反射層14與下部固定電極(亦即，所圖解說明IMOD中之光學堆疊16之部分)之分離，以使得(舉例而言)當可移動反射層14在一經鬆弛位置中時，在可移動反射層14與光學堆疊16之間形成一間隙19。可移動反射層14亦可包含可經組態以充當一電極之一導電層14c及一支撐層14b。在此實例中，導電層14c安置於支撐層14b之遠離基板20之一側上，且反射子層14a安置於支撐層14b之接近於基板20之另一側上。在某些實施方案中，反射子層14a可導電且可安置於支撐層14b與光學堆疊16之間。支撐層14b可包含一介電材料(舉例而言， 氧氮化矽(SiON)或二氧化矽(SiO₂))之一或多個層。在某些實施方案中，支撐層14b可係一層堆疊，諸如，舉例而言，一SiO₂/SiON/SiO₂三層堆疊。反射子層14a及導電層14c中之任一者或兩者可包含(例如)具有約0.5%銅(Cu)之一鋁(Al)合金或另一反射金屬材料。在介電支撐層14b上方及下方採用導電層14a、14c可平衡應力且提供增強之導電性。在某些實施方案中，反射子層14a及導電層14c可出於多種設計目的(諸如，達成可移動反射層14內之特定應力量變曲線)而由不同材料形成。

如圖6D中所圖解說明，某些實施方案亦可包含一黑色遮罩結構23。黑色遮罩結構23可形成於光學非作用區域(例如，在像素之間或在柱18下方)中以吸收周圍光或雜散光。黑色遮罩結構23亦可藉由抑制光自顯示器之非作用部分反射或透射穿過顯示器之非作用部分來改良一顯示器件之光學性質，藉此增加對比度比率。另外，黑色遮罩結構23可導電且經組態以充當一電匯流排層。在某些實施方案中，該等列電極可連接至黑色遮罩結構23以減小所連接列電極之電阻。黑色遮罩結構23可使用多種方法(包含沈積及圖案化技術)來形成。黑色遮罩結構23可包含一或多個層。舉例而言，在某些實施方案中，黑色遮罩結構23包含充當一光學吸收體之一鉬-鉻(MoCr)層、一SiO₂層及充當一反射體及一匯流排層之一鋁合金，其分別具有介於約30Å至80Å、500Å至1000Å及500Å至6000Å之範圍內之一厚度。可使用多種技術(包含光微影及乾式蝕刻)來圖案化 該一或多個層，包含(舉例而言)用於MoCr及SiO₂層之四氟化碳(CF₄)及/或氧氣(O₂)以及用於鋁合金層之氯氣(Cl₂)及/或三氯化硼(BCl3)。在某些實施方案中，黑色遮罩23可係一標準具或干涉式堆疊結構。在此干涉式堆疊黑色遮罩結構23中，導電吸收體可用於在每一列或行之光學堆疊16中之下部固定電極之間傳輸或用匯流排傳送信號。在某些實施方案中，一間隔物層35可用於將吸收體層16a與黑色遮罩23中之導電層大體電隔離。

圖6E展示一IMOD之另一實例，其中可移動反射層14係自支撐的。與圖6D相比，圖6E之實施方案不包含支撐柱18。而是，可移動反射層14在多個位置處接觸下伏光學堆疊16，且可移動反射層14之曲率提供在跨越干涉式調變器之電壓不足以致使致動時可移動反射層14返回至圖6E之未經致動位置之足夠支撐。為清晰起見，此處展示可含有複數個數種不同層之光學堆疊16，光學堆疊16包含一光學吸收體16a及一電介質16b。在某些實施方案中，光學吸收體16a既可充當一固定電極且亦可充當一部分反射層。

在諸如圖6A至圖6E中所展示之彼等實施方案之實施方案中，IMOD充當直觀器件，其中自透明基板20之前側(亦即，與其上配置有調變器之彼側相對之側)觀看影像。在此等實施方案中，可對該器件之後部分(亦即，該顯示器件之在可移動反射層14後面之任何部分，包含(舉例而言)圖6C中所圖解說明之可變形層34)進行組態及操作而不對顯示器件之影像品質造成衝擊或負面影響，此乃因反射層 14光學地遮擋該器件之彼等部分。舉例而言，在某些實施方案中，可在可移動反射層14後面包含一匯流排結構(未圖解說明)，該匯流排結構提供將調變器之光學性質與調變器之機電性質(諸如，電壓定址及由此定址導致之移動)分離之能力。另外，圖6A至圖6E之實施方案可簡化諸如圖案化之處理。

圖7展示圖解說明一干涉式調變器之一製造程序80之一流程圖之一實例，且圖8A至圖8E展示此一製造程序80之對應階段之剖面示意性圖解之實例。在某些實施方案中，除圖7中未展示之其他方塊之外，製造程序80亦可經實施以製造(例如)圖1及圖6中所圖解說明之一般類型之干涉式調變器。參考圖1、圖6及圖7，在方塊82處，程序80開始在基板20上方形成光學堆疊16。圖8A圖解說明在基板20上方形成之此一光學堆疊16。基板20可係一透明基板(諸如，玻璃或塑膠)，該透明基板可係撓性的或相對堅硬且不易彎曲的，且可已經受先前製備程序(例如，清潔)以促進光學堆疊16之高效形成。如上文所論述，光學堆疊16可導電、部分透明及部分反射且可(舉例而言)藉由將具有所期望性質之一或多個層沈積至透明基板20上來製作。在圖8A中，光學堆疊16包含具有子層16a及16b之一多層結構，但在某些其他實施方案中可包含更多或更少個子層。在某些實施方案中，子層16a、16b中之一者可組態有光學吸收性質及導電性質兩者，諸如，經組合導體/吸收體子層16a。另外，子層16a、16b中之一或多者可圖案化成平行 條帶，且可形成一顯示器件中之列電極。此圖案化可藉由一遮蔽及蝕刻程序或此項技術中已知之另一適合程序來執行。在某些實施方案中，子層16a、16b中之一者可係一絕緣或介電層，諸如，沈積於一或多個金屬層(例如，一或多個反射層及/或導電層)上方之子層16b。另外，可將光學堆疊16圖案化成形成該顯示器之列之個別且平行條帶。

在方塊84處，程序80繼續在光學堆疊16上方形成一犧牲層25。稍後移除犧牲層25(例如，在方塊90處)以形成腔19且因此在圖1中所圖解說明之所得干涉式調變器12中未展示犧牲層25。圖8B圖解說明包含形成於光學堆疊16上方之一犧牲層25之一經部分製作器件。在光學堆疊16上方形成犧牲層25可包含以經選擇以在隨後移除之後提供具有一所期望設計大小之一間隙或腔19(亦參見圖1及圖8E)之一厚度沈積一種二氟化氙(XeF₂)可蝕刻材料(諸如，鉬(Mo)或非晶矽(Si))。可使用諸如物理汽相沈積(PVD，例如，濺鍍)、電漿增強型化學汽相沈積(PECVD)、熱化學汽相沈積(熱CVD)或旋塗等沈積技術來實施犧牲材料之沈積。

在方塊86處，程序80繼續形成一支撐結構，例如，如圖1、圖6及圖8C中所圖解說明之一柱18。形成柱18可包含以下操作：圖案化犧牲層25以形成一支撐結構孔隙，然後，使用諸如PVD、PECVD、熱CVD或旋塗之一沈積方法將一材料(例如，一聚合物或一無機材料，例如，氧化矽)沈積至該孔隙中以形成柱18。在某些實施方案中，形成於該犧牲層中之支撐結構孔隙可延伸穿過犧牲層25及光學堆疊16 兩者至下伏基板20，以使得柱18之下端接觸基板20，如圖6A中所圖解說明。另一選擇為，如圖8C中所繪示，形成於犧牲層25中之孔隙可延伸穿過犧牲層25，但不穿過光學堆疊16。舉例而言，圖8E圖解說明與光學堆疊16之一上表面接觸之支撐柱18之下端。可藉由將一支撐結構材料層沈積於犧牲層25上方並圖案化以移除支撐結構材料之位於遠離犧牲層25中之孔隙處之部分來形成柱18或其他支撐結構。該等支撐結構可位於該等孔隙內(如圖8C中所圖解說明)，但亦可至少部分地延伸於犧牲層25之一部分上方。如上文所述，對犧牲層25及/或支撐柱18之圖案化可藉由一圖案化及蝕刻程序來執行，但亦可藉由替代蝕刻方法來執行。

在方塊88處，程序80繼續形成一可移動反射層或膜，諸如，圖1、圖6及圖8D中所圖解說明之可移動反射層14。可藉由採用(例如)反射層(例如，鋁、鋁合金)沈積之一或多個沈積程序連同一或多個圖案化、遮蔽及/或蝕刻程序一起形成可移動反射層14。可移動反射層14可導電，且稱為一導電層。在某些實施方案中，可移動反射層14可包含如圖8D中所展示之複數個子層14a、14b、14c。在某些實施方案中，諸如子層14a、14c之子層中之一或多者可包含針對其光學性質而選擇之高反射子層，且另一子層14b可包含針對其機械性質而選擇之一機械子層。由於犧牲層25仍存在於方塊88處所形成之經部分製作干涉式調變器中，因此可移動反射層14在此階段通常不可移動。含有一犧牲層 25之一經部分製作IMOD在本文中亦可稱為一「未經釋放」IMOD。如上文連同圖1一起所闡述，可將可移動反射層14圖案化成形成顯示器之行之個別且平行條帶。

在方塊90處，程序80繼續形成一腔，例如，如圖1、圖6及圖8E中所圖解說明之腔19。可藉由將犧牲材料25(在方塊84處所沈積)曝露於一蝕刻劑來形成腔19。舉例而言，可藉由乾式化學蝕刻(例如，藉由將犧牲層25曝露於一氣態或汽相蝕刻劑(諸如，自固態XeF₂得到之蒸氣)達有效地移除所期望材料量之一段時間)來移除一可蝕刻犧牲材料(諸如，Mo或非晶Si)，通常係相對於環繞腔19之結構而選擇性地移除。亦可使用可蝕刻犧牲材料及蝕刻方法(例如，濕式蝕刻及/或電漿蝕刻)之其他組合。由於在方塊90期間移除犧牲層25，因此可移動反射層14通常在此階段之後可移動。在移除犧牲材料25之後，所得經完全或部分製作IMOD在本文中可稱為一「經釋放」IMOD。

一IMOD或其他EMS反射顯示器件之反射光譜可形成可跨越可見光譜之波長移位以產生不同色彩之一相對寬光譜帶。可見光譜(亦即，人可感知之波長範圍)介於自約390奈米(nm)至約750nm範圍內。在可見光譜內，光譜中之色彩之大約波長如下：紅色，約700nm至635nm；橙色，約635nm至590nm；黃色，約590nm至560nm；綠色，約560nm至490nm；藍色，約490nm至450nm；及紫色，約450nm至400nm。如上文所提及，可藉由改變光學腔之厚度來調整針對一IMOD或其他EMS反射顯示器件之光譜帶 之位置。此可藉由改變可移動反射層之位置而達成。

取決於吸收體層(亦稱為一部分反射層)之材料，可存在在IMOD或其他EMS反射顯示器件之原色設定(亦即，紅色、綠色及藍色(RGB))下增加色域且產生良好飽和度之吸收體層之一厚度。色域指代可能由一器件顯示之色彩之各種位準。飽和度指代一色彩中之一色相之一優勢度或指代色彩之純度如何。舉例而言，一完全飽和藍色可係純藍色色彩。

然而，由某些EMS反射顯示器件造成之一個問題係不良紅色色彩(亦即，約700nm至635nm)效能。舉例而言，為藉助一EMS反射顯示器件獲得一紅色色彩，可定位反射層以使得由透射穿過吸收體層之光及自反射層反射之光形成之駐波具有吸收體層位於其中的處於紅色色彩波長之一半(亦即，700nm至635nm之約一半)之一第一節點。紅色色彩波長可經歷一最小吸收且顯示器可反射一紅色色彩。然而，紅色色彩波長之第一節點與藍色色彩之第二節點之一部分一致，此可損壞由EMS反射顯示器件產生之紅色色彩之飽和度。

一或多個匹配層可包含於吸收體層上且可改良一EMS反射顯示器件之紅色色彩效能。藉助一或多個匹配層中之每一者之某些厚度，可修改由EMS反射顯示器件產生之光干涉。舉例而言，一或多個匹配層可減少來自吸收體層之不必要反射。此可增加可透過所反射光與所透射光之間的相消干涉正損壞所期望色彩之飽和度之一色彩之吸收(且因 此，減少反射)。因此，可達成一特定原色或完全原色集(亦即，RGB色彩集)之色彩飽和度之一增強。

當一單個匹配層包含於吸收體層上時，可使該匹配層之厚度變化以修改光之振幅及相位兩者。此可減少來自EMS反射顯示器件之「損壞」色彩之反射(且因此，增加吸收)。在一單個匹配層之情形中，該匹配層之折射率可係約(n₁×n₂)^1/2，其中n₁係吸收體層之折射率且n₂係該匹配層上方之入射介質(例如，玻璃或空氣)之折射率。然而，使一單個匹配層之厚度變化可不提供用於最佳化光之振幅及相位兩者之充分自由度。

吸收體層上之兩個或兩個以上匹配層可提供用於修改光之振幅及相位之額外自由度。在一個以上匹配層之情形中，可在吸收體層上沈積一高折射率匹配層及一低折射率匹配層。在某些實施方案中，低折射率匹配層可與吸收體接觸且高折射率匹配層可與入射介質(例如，玻璃或空氣)接觸。

圖9及圖10展示一EMS反射顯示器件之一部分之剖面示意圖之實例。首先轉向圖9，EMS反射顯示器件900包含一反射層902及一吸收體層906，其中反射層902及吸收體層906界定一腔或間隙904。一第一匹配層908安置於吸收體層906之背對該腔之表面上。一第二匹配層910安置於第一匹配層908上。

EMS反射顯示器件900之吸收體層906可由部分吸收且部分反射之多種材料形成，諸如，包含鉻(Cr)、鎢(W)、鎳 (Ni)、釩(V)及一鉬-鉻(MoCr)合金之各種金屬。在某些實施方案中，吸收體層906可小於約20nm厚。在某些其他實施方案中，吸收體層906可厚於約20nm。在某些實施方案中，吸收體層可包含染料或嵌入於一主體基質中之奈米粒子。

在某些其他實施方案中，吸收體層906可包含與介電間隔物分離之部分吸收且部分反射之兩種材料。此一吸收體層之厚度可係與包含部分吸收且部分反射之一單個材料層之一吸收體層約相同之厚度。可調整此一吸收體層(例如，吸收體層之材料及材料之厚度)以對EMS反射顯示器件之反射特性做出小改變。

在EMS反射顯示器件900之某些實施方案中，第一匹配層908可包含一低折射率材料且第二匹配層910可包含一高折射率材料。亦即，在某些實施方案中，第二匹配層910之材料可具有大於第一匹配層908之材料之折射率之一折射率。一材料之折射率係對彼材料中之光速之一度量。低折射率材料之實例包含氧化矽(SiO₂)、氟化鎂(MgF₂)、氧化鋁(Al₂O₃)、其他介電材料及不同塑膠。低折射率塑膠之實例包含包含如丙烯酸酯之各種聚合物材料。高折射率材料之實例包含氧化鈦(TiO₂)、氧氮化矽(SiON)、氮化矽(Si₃N₄)、二氧化鋯(ZrO₂)、氧化鉭(Ta₂O₅)、氧化銻(Sb₂O₃)及其他介電材料。

匹配層中之每一者具有一厚度。可規定匹配層之厚度以便修改自吸收體層906反射之光之振幅及相位及透射穿過 吸收體層906之光之振幅及相位以更改或改良EMS反射顯示器件900之RGB色彩飽和度。在某些實施方案中，第一匹配層908及第二匹配層910之光學厚度可係第一匹配層中所關注之波長之約四分之一以減少來自吸收體層之菲涅耳(Fresnel)反射。在某些實施方案中，可規定第一匹配層908及第二匹配層910之厚度以透過相消干涉抑制虛波長(spurious wavelength)(亦即，並非所關注之或在可見光譜之較佳範圍外之波長)。在某些實施方案中，可規定第一匹配層908及第二匹配層910之厚度以透過相長干涉增加所關注之波長。因此，一匹配層之厚度部分取決於該匹配層之折射率。對於可見光，在某些實施方案中，第一匹配層908及第二匹配層910之厚度中之每一者可係約4nm至120nm或約120nm至170nm。

第一匹配層908及第二匹配層910之厚度亦可取決於吸收體層906之色散性質及厚度以及匹配層908及910中之每一者之色散性質。此外，匹配層908及910中之每一者之厚度可取決於EMS器件之設計，包含反射層902及吸收體層906上之任何鈍化層(若存在)之厚度及色散性質。名義上，在考量匹配層之折射率之後，匹配層之厚度可係所關注之一波長之約四分之一。

匹配層之此等厚度可減少來自吸收體層之菲涅耳反射。在某些其他實施方案中，匹配層之厚度可大於或小於匹配層中所關注之波長之四分之一。此可係由於相消干涉可包含所有反射，且匹配層之此等厚度可減少一特定波長帶之 虛反射。可在計及匹配層之色散以及吸收體層自身之色散之後判定用於一匹配層之一適當厚度。

現轉向圖10，圖10展示一EMS反射顯示器件之一部分之一剖面示意圖之另一實例。EMS反射顯示器件1000包含一反射層1002及一吸收體層1006。反射層1002及吸收體層1006界定一腔或間隙1004。一第一匹配層1008安置於吸收體層1006之背對該腔之表面上。一第二匹配層1010安置於第一匹配層1008上。

EMS反射顯示器件進一步包含安置於吸收體層1006之面向該腔之表面上之一介電層1012。在某些實施方案中，介電層1012可係氧化鋁(Al₂O₃)。在某些其他實施方案中，介電層1012可係Ta₂O₅、氧化鉿(HfO₂)或氮化鋁(AlN)。在某些實施方案中，介電層1012可小於約5nm厚、約9nm厚或約5nm至15nm厚。在某些實施方案中，介電層1012可用於鈍化吸收體層1006或有助於防止EMS反射顯示器件1000中之靜摩擦。介電層1012亦可用於保護吸收體層1006免受用於自EMS反射顯示器件1000移除犧牲材料之蝕刻劑及/或充當在EMS反射顯示器件之製造程序期間之一蝕刻停止件。

在某些實施方案中，包含介電層1012、吸收體層1006、第一匹配層1008及第二匹配層1010之吸收體總成可在一基板1014上。基板1014可係一透明基板，諸如，玻璃(例如，一顯示玻璃或一種硼矽玻璃)或塑膠，且基板1014可係撓性的或相對堅硬且不易彎曲的。在某些實施方案中， 一玻璃基板可係約400微米至1000微米厚，或約700微米厚。

在某些實施方案中，吸收體層1006可係可約7.5nm厚之釩(V)。關於此一吸收體層1006，第一匹配層1008可係約27nm厚之一個SiO₂層。第二匹配層1010可係約22nm厚之一個Si₃N₄層。規定與SiO₂之第一匹配層1008及Si₃N₄之第二匹配層1010組合之一個釩吸收體層之此等厚度以改良EMS反射顯示器件1000之RGB色彩飽和度。吸收體層1006、第一匹配層1008及第二匹配層1010之此組合可藉由當腔1004在用於反射紅色光之一位置中時減少虛藍色-綠色光來(例如)改良紅色色彩飽和度。在某些其他實施方案中，其他材料可用於第一匹配層1008及第二匹配層1010。此等材料可包含上文所列之用於EMS反射顯示器件900中之匹配層之材料。當其他材料用於第一匹配層1008及第二匹配層1010時，可調整此等層之厚度以達成所期望光學回應，此乃因該等匹配層之厚度取決於該等匹配層中之每一者之折射率。

在某些實施方案中，反射層1002可係Al。在某些實施方案中，反射層1002可包含反射層之表面上之介電層。如圖10中所展示，反射層1002包含安置於反射層1002之面向腔之表面上之一第一介電層1016。一第二介電層1018安置於第一介電層1016之表面上。在某些實施方案中，第一介電層1016可包含一低折射率材料且第二介電層1018可包含一高折射率材料。舉例而言，在某些實施方案中，第一介電 層1016可係具有約50nm至90nm或約72nm之一厚度之一個SiON層。在某些實施方案中，第二介電層1018可係具有約15nm至35nm或約24nm之一厚度之一個TiO₂層。在某些其他實施方案中，第一介電層1016可包含SiO₂、MgF₂或不同塑膠且第二介電層1018可包含Si₃N₄、Ta₂O₅、ZrO₂或其他介電材料。介電層1016及1018可用於減少用於達成良好白色色彩之不同波長之駐波第一級節點之空間分離。在某些實施方案中，介電層1016及1018亦可充當鈍化層以有助於防止EMS反射顯示器件1000中之靜摩擦。介電層1016及1018亦可用於保護反射層1002免受用於自EMS反射顯示器件1000移除犧牲材料之蝕刻劑及/或充當在EMS反射顯示器件之製造程序期間之一蝕刻停止件。

在一吸收體層上之匹配層之進一步實施方案中，可包含兩個或兩個以上匹配層。舉例而言，在某些實施方案中，一第一匹配層可安置於吸收體層之表面上，一第二匹配層可安置於第一匹配層上，且一第三匹配層可安置於第二匹配層上。一第三匹配層可提供用於修改光之振幅及相位之進一步自由度。舉例而言，在某些實施方案中，第三匹配層可包含本文中所闡述之低折射率材料或高折射率材料中之任何材料。在某些實施方案中，第三匹配層可係約5nm至50nm厚。當一吸收體層上包含三個匹配層時，可規定該等匹配層中之每一者之厚度以便修改自吸收體層反射之光之振幅及相位以及透射穿過吸收體層之光之振幅及相位以更改或改良其中併入有吸收體層之EMS反射顯示器件之 RGB色彩飽和度。

在上文所闡述實施方案中，一第一匹配層可包含安置於吸收體層之背對腔之表面上之一低折射率材料且一第二匹配層可包含安置於第一匹配層上之一高折射率材料。在某些其他實施方案中，一第一匹配層可包含安置於吸收體層之背對腔之表面上之一高折射率材料且一第二匹配層可包含安置於第一匹配層上之一低折射率材料。舉例而言，第一匹配層可包含一高折射率材料，且當第一匹配層包含具有不均勻吸收性質之一金屬時，第二匹配層可包含安置於第一匹配層上之一低折射率材料。

圖11展示圖解說明一EMS反射顯示器件之匹配層之一製造程序之一流程圖之一實例。在圖11中，製造程序1100可係在一EMS反射顯示器件之一基板上方形成一光學堆疊之製造程序之部分，如相對於圖7中之程序80之方塊82所闡述。

以方塊1102開始，在一基板上方形成一第一匹配層。可使用包含PVD程序、CVD程序、液相沈積程序及原子層沈積(ALD)程序之沈積程序來形成該第一匹配層。在方塊1104處，在該第一匹配層上形成一第二匹配層。可使用可用於形成第一匹配層之包含PVD程序、CVD程序、液相沈積程序及ALD程序之類似沈積程序來形成該第二匹配層。在方塊1106處，在該第二匹配層上形成吸收體層。該吸收體層可係一金屬且可使用包含PVD程序、CVD程序、液相沈積程序及ALD程序之沈積程序來形成。在其中第一匹配 層或第二匹配層係一塑膠之實施方案中，可使用基於有機材料之薄膜技術來形成第一匹配層或第二匹配層。

一EMS反射顯示器件之製造程序可包含與基板相關聯之進一步操作，如上文參考圖7所闡述。在於方塊82處形成光學堆疊之後，一EMS反射顯示器件之製造程序可繼續在方塊84處之操作，如上文參考圖7所闡述。

圖12A及圖12B中展示吸收體層上包含匹配層之一EMS反射顯示器件對吸收體層上不具有匹配層之一EMS反射顯示器件之效能之改良之實例。EMS反射顯示器件包含在一玻璃基板上的具有約7.5nm之一厚度之一V吸收體層。對於包含匹配層之顯示器件，具有約27nm厚之一厚度之SiO₂之一第一匹配層在V吸收體層上且具有約22nm之一厚度之Si₃N₄之一第二匹配層在SiO₂匹配層上，其中Si₃N₄匹配層亦在一玻璃基板上。可使用適當厚度之其他吸收體層及其他匹配層來獲得類似結果。

圖12A及圖12B展示針對由EMS反射顯示器件產生之調色板之國際照明委員會(CIE)xy色度圖。圖12A展示由不包含匹配層之EMS反射顯示器件產生之調色板1201。圖12B展示由包含匹配層之EMS反射顯示器件產生之調色板1202。CIE xy色度圖中之每一者上亦展示CIE 1931色彩空間之邊界1210及標準RGB(sRGB)色彩空間之邊界1220(亦即，由sRGB原色形成之三角形)。CIE 1931色彩空間係一數學上界定之色彩空間。sRBG色彩空間係常與計算應用一起使用之一色彩空間，包含監視器、印表機、電子閱讀 器、平板器件、智慧電話及網際網路應用。對於sRGB色彩空間，點1232對應於紅色色彩，點1234對應於藍色色彩且點1236對應於綠色色彩。擴展至CIE 1931色彩空間之邊界1210之邊緣之一調色板可具有最飽和色彩。

比較圖12A及圖12B，圖12A中所展示之調色板1201(不具有匹配層之EMS反射顯示器件)不擴展至sRBG色彩空間之紅色色彩1232，而圖12B中所展示之調色板1202(具有匹配層之EMS反射顯示器件)擴展至sRBG色彩空間之紅色色彩1232。此外，與圖12A中所展示之調色板1201相比，圖12B中所展示之調色板1202擴展至更靠近藍色色彩1234且超過綠色色彩1236。因此，圖12B中所展示之調色板1202具有針對包含匹配層之EMS反射顯示器件之RGB色彩飽和度之一改良，其中具有藍色及綠色色彩飽和度之稍微改良以及紅色色彩飽和度之一大改良。

圖13展示由關於圖12A及圖12B所論述之兩個EMS反射顯示器件(亦即，一個不包含匹配層(12A)且一個包含匹配層(12B))產生之紅色色彩之光譜之一曲線圖。實線係反射光譜且虛線係吸收光譜。灰色線係不具有匹配層之EMS反射顯示器件之反射及吸收光譜。黑色線係具有匹配層之EMS反射顯示器件之反射及吸收光譜。比較EMS反射顯示器件在約400nm至550nm之波長下之反射光譜，與不具有匹配層之EMS反射顯示器件之反射光譜相比，具有匹配層之EMS反射顯示器件之反射光譜減少。約400nm至500nm之波長範圍包含色彩紫色(約400nm至450nm)及藍色(約 450nm至490nm)。圖12B對圖12A中所展示之紅色色彩飽和度之改良係抑制在約400nm至550nm之波長下之反射之結果。

對於一光學器件，一波長之光之反射、透射及吸收將通常計及該波長之光藉助該器件之所有相互作用。因此，一波長之光之反射、透射及吸收之總和將通常等於一，亦即，該波長之光之反射、透射及吸收將計及該波長之光藉助該器件之所有或100%相互作用。因此，比較EMS反射顯示器件在約400nm至550nm之一波長範圍下之吸收光譜，與不具有匹配層之EMS反射顯示器件之吸收光譜相比，具有匹配層之EMS反射顯示器件之吸收光譜增加(例如，當一波長之光之透射保持約相同時，減少反射將增加該波長之光之吸收)。約400nm至500nm之波長範圍包含色彩紫色(約400nm至450nm)及藍色(約450nm至490nm)。圖12B對圖12A中所展示之紅色色彩飽和度之改良亦係增加在約400nm至550nm之波長下之吸收之結果。

關於可見光譜(亦即，自約390nm至約750nm之波長範圍)闡述本文中所闡述之IMOD及其他EMS反射顯示器件之實施方案。舉例而言，安置於一吸收體層上之匹配層亦可經修整以用於IMOD及與不同波長之電磁輻射(諸如，紅外線光或紫外線光)作用之其他EMS反射顯示器件中。

圖14A及圖14B展示圖解說明包含複數個干涉式調變器之一顯示器件40之系統方塊圖之實例。顯示器件40可係(舉例而言)一智慧電話、一蜂巢式電話或行動電話。然 而，顯示器件40之相同組件或該等組件之稍微變化亦係對諸如電視、平板電腦、電子閱讀器、手持式器件及可攜式媒體播放器之各種類型之顯示器件之說明。

顯示器件40包含一外殼41、一顯示器30、一天線43、一揚聲器45、一輸入器件48及一麥克風46。外殼41可由多種製造程序中之任何程序形成，包含注射模製及真空成形。另外，外殼41可由多種材料中之任何材料製成，該等材料包含但不限於：塑膠、金屬、玻璃、橡膠及陶瓷或其一組合。外殼41可包含可拆卸部分(未展示)，該等可拆卸部分可與具有不同色彩或含有不同標識、圖片或符號之其他可拆卸部分互換。

顯示器30可係多種顯示器中之任一者，包含一雙穩態顯示器或類比顯示器，如本文中所闡述。顯示器30亦可經組態以包含一平板顯示器(諸如，電漿顯示器、EL、OLED、STN LCD或TFT LCD)或一非平板顯示器(諸如，一CRT或其他電子管器件)。另外，顯示器30可包含一干涉式調變器顯示器，如本文中所闡述。

圖14B中示意性地圖解說明顯示器件40之組件。顯示器件40包含一外殼41且可包含至少部分地包封於其中之額外組件。舉例而言，顯示器件40包含一網路介面27，網路介面27包含耦合至一收發器47之一天線43。收發器47連接至一處理器21，處理器21連接至調節硬體52。調節硬體52可經組態以調節一信號(例如，濾波一信號)。調節硬體52連接至一揚聲器45及一麥克風46。處理器21亦連接至一輸入 器件48及一驅動器控制器29。驅動器控制器29耦合至一圖框緩衝器28且耦合至一陣列驅動器22，陣列驅動器22又耦合至一顯示器陣列30。在某些實施方案中，一電源供應器50可將電力提供至特定顯示器件40設計中之實質上所有組件。

網路介面27包含天線43及收發器47以使得顯示器件40可經由一網路與一或多個器件通信。網路介面27亦可具有某些處理能力以減輕(舉例而言)處理器21之資料處理要求。天線43可傳輸及接收信號。在某些實施方案中，天線43根據IEEE 16.11標準(包含IEEE 16.11(a)、(b)或(g))或IEEE 802.11標準(包含IEEE 802.11a、b、g、n)及其進一步實施方案傳輸及接收RF信號。在某些其他實施方案中，天線43根據BLUETOOTH標準傳輸及接收RF信號。在一蜂巢式電話之情形中，天線43經設計以接收分碼多重存取(CDMA)、分頻多重存取(FDMA)、分時多重存取(TDMA)、全球行動通信系統(GSM)、GSM/通用封包無線電服務(GPRS)、增強型資料GSM環境(EDGE)、地面中繼式無線電(TETRA)、寬頻-CDMA(W-CDMA)、演進資料最佳化(EV-DO)、1xEV-DO、EV-DO修訂版A、EV-DO修訂版B、高速封包存取(HSPA)、高速下行鏈路封包存取(HSDPA)、高速上行鏈路封包存取(HSUPA)、演進式高速封包存取(HSPA+)、長期演進(LTE)、AMPS或用於在一無線網路(諸如，利用3G或4G技術之一系統)內通信之其他已知信號。收發器47可預處理自天線43接收之信號，以使得 該等信號可由處理器21接收並由其進一步操縱。收發器47亦可處理自處理器21接收之信號，以使得該等信號可經由天線43自顯示器件40傳輸。

在某些實施方案中，可由一接收器替換收發器47。另外，在某些實施方案中，可由一影像源替換網路介面27，該影像源可儲存或產生待發送至處理器21之影像資料。處理器21可控制顯示器件40之總體操作。處理器21自網路介面27或一影像源接收資料(諸如，經壓縮影像資料)，並將該資料處理成原始影像資料或處理成易於被處理成原始影像資料之一格式。處理器21可將經處理資料發送至驅動器控制器29或發送至圖框緩衝器28以供儲存。原始資料通常指代識別一影像內之每一位置處之影像特性之資訊。舉例而言，此等影像特性可包含色彩、飽和度及灰度階。

處理器21可包含一微控制器、CPU或邏輯單元以控制顯示器件40之操作。調節硬體52可包含用於將信號傳輸至揚聲器45及用於自麥克風46接收信號之放大器及濾波器。調節硬體52可係顯示器件40內之離散組件，或可併入處理器21或其他組件內。

驅動器控制器29可直接自處理器21或自圖框緩衝器28獲取由處理器21產生之原始影像資料，且可適當地將原始影像資料重新格式化以供高速傳輸至陣列驅動器22。在某些實施方案中，驅動器控制器29可將原始影像資料重新格式化成具有一光柵樣格式之一資料流，以使得其具有適於跨越顯示器陣列30進行掃描之一時間次序。然後，驅動器控 制器29將經格式化資訊發送至陣列驅動器22。儘管一驅動器控制器29(諸如，一LCD控制器)經常作為一獨立積體電路(IC)與系統處理器21相關聯，但此等控制器可以諸多方式實施。舉例而言，控制器可作為硬體嵌入於處理器21中、作為軟體嵌入於處理器21中或以硬體形式與陣列驅動器22完全整合在一起。

陣列驅動器22可自驅動器控制器29接收經格式化資訊且可將視訊資料重新格式化成一組平行波形，該組平行波形每秒多次地施加至來自顯示器之x-y像素矩陣之數百條且有時數千條(或更多)引線。

在某些實施方案中，驅動器控制器29、陣列驅動器22及顯示器陣列30適合於本文中所闡述之顯示器類型中之任何顯示器類型。舉例而言，驅動器控制器29可係一習用顯示器控制器或一雙穩態顯示器控制器(諸如，一IMOD控制器)。另外，陣列驅動器22可係一習用驅動器或一雙穩態顯示器驅動器(諸如，一IMOD顯示器驅動器)。此外，顯示器陣列30可係一習用顯示器陣列或一雙穩態顯示器陣列(諸如，包含一IMOD陣列之一顯示器)。在某些實施方案中，驅動器控制器29可與陣列驅動器22整合。此一實施方案可在高度整合之系統(舉例而言，行動電話、可攜式電子器件、手錶或小面積顯示器)中係有用的。

在某些實施方案中，輸入器件48可經組態以允許(舉例而言)一使用者控制顯示器件40之操作。輸入器件48可包含一小鍵盤(諸如，一QWERTY鍵盤或一電話小鍵盤)、一 按鈕、一切換器、一搖桿、一觸敏螢幕、與顯示器陣列30整合之一觸敏螢幕或一壓敏或熱敏膜。麥克風46可組態為顯示器件40之一輸入器件。在某些實施方案中，可使用透過麥克風46之語音命令來控制顯示器件40之操作。

電源供應器50可包含多種能量儲存器件。舉例而言，電源供應器50可係一可再充電式蓄電池，諸如，一鎳-鎘蓄電池或一鋰離子蓄電池。在使用一可再充電式蓄電池之實施方案中，該可再充電式蓄電池可係可使用來自(舉例而言)一壁式插座或一光伏打器件或陣列之電力充電的。另一選擇為，可再充電式蓄電池可係無線可充電的。電源供應器50亦可係一可再生能源、一電容器或一太陽能電池，包含一塑膠太陽能電池或太陽能電池塗料。電源供應器50亦可經組態以自一壁式出口接收電力。

在某些實施方案中，控制可程式化性駐存於驅動器控制器29中，驅動器控制器29可位於電子顯示器系統中之數個地方中。在某些其他實施方案中，控制可程式化性駐存於陣列驅動器22中。上文所闡述最佳化可以任何數目個硬體及/或軟體組件實施且可以各種組態實施。

連同本文中所揭示之實施方案一起闡述之各種說明性邏輯、邏輯區塊、模組、電路及演算法步驟可實施為電子硬體、電腦軟體或兩者之組合。已就功能性大體闡述了硬體與軟體之可互換性且在上文所闡述之各種說明性組件、區塊、模組、電路及步驟中圖解說明了硬體與軟體之可互換性。此功能性係以硬體還是軟體實施取決於特定應用及強 加於總體系統之設計約束。

用於實施連同本文中所揭示之態樣一起闡述之各種說明性邏輯、邏輯區塊、模組及電路之硬體及資料處理裝置可藉助一個一般用途單晶片或多晶片處理器、一數位信號處理器(DSP)、一特殊應用積體電路(ASIC)、一場可程式化閘陣列(FPGA)或其他可程式化邏輯器件、離散閘或電晶體邏輯、離散硬體組件或經設計以執行本文中所闡述之功能之其任何組合來實施或執行。一個一般用途處理器可係一微處理器或任何習用處理器、控制器、微控制器或狀態機。一處理器亦可實施為計算器件之一組合，諸如，一DSP及一微處理器之一組合、複數個微處理器、一或多個微處理器連同一DSP核心或任何其他此類組態。在某些實施方案中，可藉由一既定功能所特有之電路來執行特定步驟及方法。

在一或多項態樣中，可以硬體、數位電子電路、電腦軟體、韌體(包含本說明書中所揭示之結構及其結構等效物)或其任何組合來實施所闡述之功能。亦可將本說明書中所闡述之標的物之實施方案實施為一或多個電腦程式，亦即，編碼於一電腦儲存媒體上以供資料處理裝置執行或用以控制資料處理裝置之操作之一或多個電腦程式指令模組。

熟習此項技術者可易於明瞭對本發明中所闡述之實施方案之各種修改，且本文中所定義之一般原理可在不背離本發明之精神或範疇之情況下適用於其他實施方案。因此， 申請專利範圍並不意欲限於本文中所展示之實施方案，而是被賦予與本發明、本文中所揭示之原理及新穎特徵一致之最寬廣範疇。本文中排他地使用詞「例示性」以意指「充當一實例、例項或圖解」。本文中闡述為「例示性」之任何實施方案未必應理解為比其他可能性或實施方案更佳或更有利。另外，熟習此項技術者將易於瞭解，為便於闡述該等圖，有時使用術語「上部」及「下部」，且術語「上部」及「下部」指示對應於該圖在一適當定向之頁上之定向之相對位置，且可不反映如所實施之一IMOD之適當定向。

亦可將本說明書中在單獨實施方案之上下文中闡述之某些特徵以組合形式實施於一單項實施方案中。相反地，亦可將在一單項實施方案之上下文中闡述之各種特徵單獨地或以任何適合子組合之形式實施於多項實施方案中。此外，儘管上文可將特徵闡述為以某些組合之形式起作用，且甚至最初係如此主張的，但在某些情形中，可自一所主張組合去除該組合之一或多個特徵，且該所主張組合可係針對一子組合或一子組合之變化形式。

類似地，雖然在該等圖式中以一特定次序繪示操作，但熟習此項技術者將易於認識到，不必以所展示之特定次序或以順序次序執行此等操作或執行所有所圖解說明操作以達成期望結果。此外，該等圖式可以一流程圖之形式示意性地繪示一或多個實例性程序。然而，可將未繪示之其他操作併入示意性地圖解說明之實例性程序中。舉例而言， 可在所圖解說明操作中之任何操作之前、之後、同時或之間執行一或多個額外操作。在某些情況中，多任務及平行處理可係有利的。此外，上文所闡述之實施方案中之各種系統組件之分離不應理解為需要在所有實施方案中進行此分離，而應理解為所闡述程式組件及系統通常可一起整合於一單個軟體產品中或封裝至多個軟體產品中。另外，其他實施方案亦在以下申請專利範圍之範疇內。在某些情形中，申請專利範圍中所陳述之動作可以一不同次序執行且仍達成期望結果。

12‧‧‧干涉式調變器/像素/經致動干涉式調變器/所得干涉式調變器

13‧‧‧箭頭/光

14‧‧‧可移動反射層/層/反射層

14a‧‧‧反射子層/導電層/子層

14b‧‧‧支撐層/介電支撐層/子層

14c‧‧‧導電層/子層

15‧‧‧光

16‧‧‧光學堆疊/層/下伏光學堆疊

16a‧‧‧吸收體層/光學吸收體/子層/經組合導體/吸收體子層

16b‧‧‧電介質/子層

18‧‧‧柱/支撐件/支撐柱

19‧‧‧經界定間隙/間隙/腔

20‧‧‧透明基板/基板/下伏基板

21‧‧‧處理器/系統處理器

22‧‧‧陣列驅動器

23‧‧‧黑色遮罩結構/黑色遮罩/干涉式堆疊黑色遮罩結構

24‧‧‧列驅動器電路

25‧‧‧犧牲層/犧牲材料

26‧‧‧行驅動器電路

27‧‧‧網路介面

28‧‧‧圖框緩衝器

29‧‧‧驅動器控制器

30‧‧‧顯示器陣列/面板/顯示器

32‧‧‧繋鏈

34‧‧‧可變形層

35‧‧‧間隔物層

40‧‧‧顯示器件

41‧‧‧外殼

43‧‧‧天線

45‧‧‧揚聲器

46‧‧‧麥克風

47‧‧‧收發器

48‧‧‧輸入器件

50‧‧‧電源供應器

52‧‧‧調節硬體

60a‧‧‧第一線時間/線時間

60b‧‧‧第二線時間/線時間

60c‧‧‧第三線時間/線時間

60d‧‧‧第四線時間/線時間

60e‧‧‧第五線時間/線時間

62‧‧‧高分段電壓

64‧‧‧低分段電壓

70‧‧‧釋放電壓

72‧‧‧高保持電壓

74‧‧‧高定址電壓

76‧‧‧低保持電壓

78‧‧‧低定址電壓

900‧‧‧機電系統反射顯示器件

902‧‧‧反射層

904‧‧‧腔/間隙

906‧‧‧吸收體層

908‧‧‧第一匹配層/匹配層

910‧‧‧第二匹配層/匹配層

1000‧‧‧機電系統反射顯示器件

1002‧‧‧反射層

1004‧‧‧腔/間隙

1006‧‧‧吸收體層

1008‧‧‧第一匹配層

1010‧‧‧第二匹配層

1012‧‧‧介電層

1014‧‧‧基板

1016‧‧‧第一介電層/介電層

1018‧‧‧第二介電層/介電層

1201‧‧‧調色板

1202‧‧‧調色板

1210‧‧‧邊界

1220‧‧‧邊界

1232‧‧‧點/紅色色彩

1234‧‧‧點/藍色色彩

1236‧‧‧點/綠色色彩

V₀‧‧‧跨越左邊之干涉式調變器施加之電壓

V_bias‧‧‧跨越右邊之干涉式調變器施加之電壓

VC_{ADD_H}‧‧‧高定址電壓

VC_{ADD_L}‧‧‧低定址電壓

VC_{HOLD_H}‧‧‧高保持電壓

VC_{HOLD_L}‧‧‧低保持電壓

VC_REL‧‧‧釋放電壓

VS_H‧‧‧高分段電壓

VS_L‧‧‧低分段電壓

圖1展示繪示一干涉式調變器(IMOD)顯示器件之一系列像素中之兩個毗鄰像素之一等角視圖之一實例。

圖2展示圖解說明併入有一3×3干涉式調變器顯示器之一電子器件之一系統方塊圖之一實例。

圖3展示圖解說明圖1之干涉式調變器之可移動反射層位置對所施加電壓之一圖式之一實例。

圖4展示圖解說明在施加各種共同電壓及分段電壓時一干涉式調變器之各種狀態之一表之一實例。

圖5A展示圖解說明在圖2之3×3干涉式調變器顯示器中之一顯示資料圖框之一圖式之一實例。

圖5B展示可用於寫入圖5A中所圖解說明之顯示資料圖框之共同信號及分段信號之一時序圖之一實例。

圖6A展示圖1之干涉式調變器顯示器之一部分剖面之一實例。

圖6B至圖6E展示干涉式調變器之變化實施方案之剖面之實例。

圖7展示圖解說明一干涉式調變器之一製造程序之一流程圖之一實例。

圖8A至圖8E展示製造一干涉式調變器之一方法中之各個階段之剖面示意性圖解之實例。

圖9及圖10展示一EMS反射顯示器件之一部分之剖面示意圖之實例。

圖11展示圖解說明一EMS反射顯示器件之匹配層之一製造程序之一流程圖之一實例。

圖12A及圖12B展示針對由EMS反射顯示器件產生之調色板之色彩空間圖。

圖13展示由兩個EMS反射顯示器件(一個不包含匹配層且一個包含匹配層)產生之紅色色彩之光譜之一曲線圖。

圖14A及圖14B展示圖解說明包含複數個干涉式調變器之一顯示器件之系統方塊圖之實例。

900‧‧‧機電系統反射顯示器件

902‧‧‧反射層

904‧‧‧腔/間隙

906‧‧‧吸收體層

908‧‧‧第一匹配層/匹配層

910‧‧‧第二匹配層/匹配層

Claims (25)

1. 一種機電系統裝置，其包括：一反射層；一吸收體層，其與該反射層間隔開以界定該吸收體層與該反射層之間的一腔，其中該吸收體層能夠將光透射至該腔中、吸收光及反射光，該吸收體層包含一金屬層；一堆疊，其置於面對該腔之該反射層的一表面，該堆疊包括一第一介電層及一第二介電層，該第一介電層包括一低折射率材料且該第二介電層包括一高折射率材料；及複數個匹配層，其在該吸收體層之背對該腔之一表面上，該複數個匹配層包含安置於該吸收體層上之一第一匹配層及安置於該第一匹配層上之一第二匹配層。
2. 如請求項1之裝置，該第一匹配層具有一第一厚度，該第二匹配層具有一第二厚度，該第一厚度及該第二厚度經組態以修改所反射光及所透射光之一振幅及一相位中之至少一者以更改該裝置之一紅色-綠色-藍色色彩飽和度。
3. 如請求項1之裝置，其中該第一匹配層包含具有一第一折射率之一第一材料，其中該第二匹配層包含具有一第二折射率之一第二材料，且其中該第二折射率大於該第一折射率。
4. 如請求項1之裝置，其中該金屬層包含釩、鉻、鎢、鎳 或一鉬-鉻合金中之至少一者。
5. 如請求項1之裝置，其中該第一匹配層包含二氧化矽、氟化鎂、氧化鋁或一塑膠中之至少一者。
6. 如請求項1之裝置，其中該第二匹配層包含氮化矽、氧氮化矽、二氧化鈦、二氧化鋯、氧化鉭或氧化銻中之至少一者。
7. 如請求項1之裝置，其中該反射層經組態為可移動的以使該腔之一厚度變化。
8. 如請求項1之裝置，其中該複數個匹配層進一步包含安置於該第二匹配層上之一第三匹配層。
9. 如請求項1之裝置，其進一步包含安置於該吸收體層之面向該腔之一表面上之一介電層。
10. 如請求項1之裝置，其進一步包括：一顯示器；一處理器，其經組態以與該顯示器通信，該處理器經組態以處理影像資料；及一記憶體器件，其經組態以與該處理器通信。
11. 如請求項10之裝置，其進一步包括：一驅動器電路，其經組態以將至少一個信號發送至該顯示器；及一控制器，其經組態以將該影像資料之至少一部分發送至該驅動器電路。
12. 如請求項10之裝置，其進一步包括：一影像源模組，其經組態以將該影像資料發送至該處 理器，其中該影像源模組包含一接收器、收發器及傳輸器中之至少一者。
13. 如請求項10之裝置，其進一步包括：一輸入器件，其經組態以接收輸入資料並將該輸入資料傳遞至該處理器。
14. 一種機電系統裝置，其包括：一反射層；一吸收體層，其與該反射層間隔開以界定該吸收體層與該反射層之間的一腔，其中該吸收體層能夠將光透射至該腔中、吸收光及反射光，該吸收體層包含一金屬層；一堆疊，其置於面對該腔之該反射層的一表面，該堆疊包括一第一介電層及一第二介電層，該第一介電層包括一低折射率材料且該第二介電層包括一高折射率材料；一第一匹配層，其具有一第一折射率，安置於該吸收體層上；及一第二匹配層，其具有一第二折射率，安置於該第一匹配層上，該第二折射率大於該第一折射率。
15. 如請求項14之裝置，該第一匹配層具有一第一厚度，該第二匹配層具有一第二厚度，該第一厚度及該第二厚度經組態以修改所反射光及所透射光之一振幅及一相位中之至少一者以更改該裝置之一紅色-綠色-藍色色彩飽和度。
16. 如請求項14之裝置，其中該金屬層包含釩、鉻、鎢、鎳或一鉬-鉻合金中之至少一者。
17. 如請求項14之裝置，其中該反射層經組態為可移動的以使該腔之一厚度變化。
18. 一種機電系統裝置，其包括：一反射層；一吸收體層，其與該反射層間隔開以界定該吸收體層與該反射層之間的一腔，其中該吸收體層能夠將光透射至該腔中、吸收光及反射光，該吸收體層包含一金屬層，其中該反射層經組態為可移動的以使該腔之一厚度變化；一堆疊，其置於面對該腔之該反射層的一表面，該堆疊包括一第一介電層及一第二介電層，該第一介電層包括一低折射率材料且該第二介電層包括一高折射率材料；及複數個匹配層，其在該吸收體層之背對該腔之一表面上，該複數個匹配層包含安置於該吸收體層上之一第一匹配層及安置於該第一匹配層上之一第二匹配層。
19. 如請求項18之裝置，該第一匹配層具有一第一厚度，該第二匹配層具有一第二厚度，該第一厚度及該第二厚度經組態以修改所反射光及所透射光之一振幅及一相位中之至少一者以更改該裝置之一紅色-綠色-藍色色彩飽和度。
20. 如請求項18之裝置，其中該金屬層包含釩、鉻、鎢、鎳 或一鉬-鉻合金中之至少一者。
21. 如請求項18之裝置，其中該第一匹配層包含二氧化矽、氟化鎂、氧化鋁或一塑膠中之至少一者。
22. 如請求項18之裝置，其中該第二匹配層包含氮化矽、氧氮化矽、二氧化鈦、二氧化鋯、氧化鉭或氧化銻中之至少一者。
23. 一種機電系統裝置，其包括：一反射層；一吸收體層，其與該反射層間隔開以界定該吸收體層與該反射層之間的一腔，其中該吸收體層能夠將光透射至該腔中、吸收光及反射光，該吸收體層包含一金屬層；一堆疊，其接近該反射層，該堆疊包括減少構件，其用於減少光之不同波長之駐波第一級節點之一空間分離；及修改構件，其用於修改所反射光及所透射光之一振幅及一相位中之至少一者以更改該裝置之一紅色-綠色-藍色色彩飽和度。
24. 如請求項23之裝置，其中該修改構件包括複數個匹配層，其在該吸收體層之背對該腔之一表面上，該複數個匹配層包含安置於該吸收體層上之一第一匹配層及安置於該第一匹配層上之一第二匹配層。
25. 如請求項23之裝置，其中該堆疊包括一第一介電層及一第二介電層，該第一介電層包括一低折射率材料且該第二介電層包括一高折射率材料。