TW200847182A - Apparatus and method of page program operation for memory devices with mirror back-up of data - Google Patents

Apparatus and method of page program operation for memory devices with mirror back-up of data Download PDF

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Jin-Ki Kim
Hakjune Oh
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Description

200847182 九、發明說明 [相關申請案之交互參照] 此申請案主張先前於2007年2月22日申請之美國臨 時申請案第6 0/891,115號以及於2008年2月13日申請之 美國申請案第1 2/03 0,23 5號之優先權,其全部內容以參考 方式包含於此。 【發明所屬之技術領域】 本發明主要有關於半導體裝置。詳言之,本發明有關 於用於記憶體裝置之分頁編程操作的設備和方法。 【先前技術】 電子裝備使用記憶體裝置,例如,快閃記憶體,來儲 存資料或資訊。在記憶體系統中,記憶體控制器藉由將資 料傳送並暫時儲存至選定之快閃記憶體裝置中的分頁緩衝 器來編程選定的快閃記憶體裝置。開始從分頁緩衝器編程 資料到快閃記憶體之中,以及驗證編程結果並產生「成功 」或「失敗」的驗證結果。於「編程時間」指定時期內執 行編程及驗證操作數次。在編程時間之後,若失敗,從記 憶體控制器重新載入資料以在相同的選定裝置中回復分頁 編程操作。 一項缺點爲快閃記憶體需要長編程時間,例如以驗證 編程狀態。記憶體控制器內的記憶體必須保持初始編程資 料,以在編程失敗時復原原始的編程資料。初始編程資料 200847182 佔用記億體控制器的記憶體中之空間,使記憶體空間無法 挪爲他用。 【發明內容】 根據本發明之一態樣,提供一種控制串列式互連之複 數個記億體裝置的設備,該些記憶體裝置的每一個具有分 頁緩衝器及記憶體胞。該設備包含資料處理器,其組態成 以資料鏡像備份藉由下列來執行分頁編程操作:將資料寫 入至該複數個記憶體裝置之選定記憶體裝置之該分頁緩衝 器,以及至該複數個記憶體裝置之另一記憶體裝置之該分 頁緩衝器、命令該選定記憶體裝置將載入於其分頁緩衝器 中的該資料編程至其記憶體胞中以及判斷是否將該資料沒 有成功編程至該選定記憶體裝置的該些記憶體胞中,從該 另一記億體裝置的該分頁緩衝器恢復該資料。 例如,該資料處理器組態成藉由下列來從該另一記憶 體裝置的該分頁緩衝器恢復該資料:從另一記憶體裝置的 該分頁緩衝器讀回該資料,而不將該資料編程至該另一記 憶體裝置的該些記憶體胞中。 該設備可進一步包含資料儲存器,其用於在將該資料 寫入至該選定記憶體裝置之該分頁緩衝器以及至該另一記 憶體裝置的該分頁緩衝器之前,儲存該資料。 根據本發明之另一態樣,提供一種系統,包含:串列 式互連之複數個記憶體裝置,各記憶體裝置具有分頁緩衝 器及記憶體胞,以及用於控制該複數個記憶體裝置之設備 -6- 200847182 ,該設備包含資料處理器,其組態成以資料鏡像備份藉由 下列來執行分頁編程操作:將資料寫入至該複數個記憶體 裝置之選定記憶體裝置之該分頁緩衝器,以及至該複數個 記憶體裝置之另一記憶體裝置之該分頁緩衝器、命令該選 定記憶體裝置將載入於其分頁緩衝器中的該資料編程至其 記憶體胞中以及若該資料沒有成功編程至該選定記憶體裝 置的該些記憶體胞中,從該另一記憶體裝置的該分頁緩衝 器恢復該資料。 根據本發明之另一態樣,提供一種用於控制串列式互 連之複數個記憶體裝置的方法,各記憶體裝置具有分頁緩 衝器及記憶體胞。該方法包含:傳送資料至該複數個記憶 體裝置之選定記憶體裝置之該分頁緩衝器,以及至該複數 個記憶體裝置之另一記憶體裝置之該分頁緩衝器、命令該 選定記憶體裝置將載入於其分頁緩衝器中的該資料編程至 其記憶體胞中以及若該資料沒有成功編程至該選定記憶體 裝置的該些記憶體胞中,從該另一記憶體裝置的該分頁緩 衝器恢復該資料。 例如,從該另一記憶體裝置的該分頁緩衝器恢復該資 料的步驟包含從另一記憶體裝置的該分頁緩衝器讀回該資 料,而不將該資料編程至該另一記憶體裝置的該些記憶體 胞中。 該方法進一步包含在將該資料寫入至該選定記憶體裝 置之該分頁緩衝器以及至該另一記憶體裝置的該分頁緩衝 器之前儲存該資料,以及在判斷該資料是否已成功編程至 200847182 該選定記憶體裝置的該些記憶體胞之前,釋放該資料所佔 據的空間。 根據本發明之另一態樣,提供一種用作库列式連接之 一組記憶體裝置之一的記憶體裝置。該記憶體裝置包含: 輸入連結、輸出連結、該記憶體裝置之裝置位址的識別以 及裝置控制器,其組態成:接收進入與離開多位址偵測模 式的訊息,以及相應地進入與離開該多位址偵測模式、在 該輸入連結上接收命令,該命令包含裝置位址、當不在該 多位址偵測模式中時,僅若該命令的該裝置位址匹配該裝 置的該裝置位址,才處理該命令以及當在該多位址偵測模 式中時:i)若該命令的該裝置位址與該裝置的該裝置位址 相同,則處理該命令,以及Π)若該命令的該裝置位址與 至少一其他預定裝置之該裝置位址相同,則處理該命令。 根據本發明之另一態樣,提供一種在形成於串列式連 接之一組記憶體裝置的一部分之記憶體裝置中的方法,該 方法包含:維持裝置位址、接收進入與離開多位址偵測模 式的訊息、接收包含裝置位址的命令、當不在該多位址偵 測模式中時,僅若該目的地位址匹配該裝置位址,才處理 該命令以及當在該多位址偵測模式中時:若該命令的該裝 置位址與該裝置的該裝置位址相同,則處理該命令以及若 該命令的該裝置位址與至少一其他預定裝置之該裝置位址 相同,則處理該命令。 此技藝中具通常知識者在閱讀本發明之特定實施例的 下列詳細說明並連同附圖,可更清楚了解.本發明之其他態 -8- 200847182 樣及特徵。 【實施方式】 在下列本發明的範例實施例的下列詳細說明中,參照 形成本發明之一部分的附圖,以及其中例示性顯示可實行 本發明之特定範例實施例。以足讓熟悉此技藝者得具以實 施的細節來描述這些實施例,並且應了解到可利用其他的 實施例,並可作出邏輯、機械、電性及其他改變而不背離 本發明之範疇。因此,不應以限制性角度解釋下列詳細說 明,以及所附之申請專利範圍界定本發明之範疇。 第1圖顯示根據本發明之一系統。參照第1圖,系統 1 5 〇包括記憶體控制器1 5 1及串列式連接之複數個(M個) 記憶體裝置154-1、154-2、154-3…及154-M的串列互連 ’ Μ爲大於一的整數。記憶體控制器丨5丨及記憶體裝置透 過資料寬度爲η之鏈結互連,其中η爲大於或等於一之整 數。在η爲一的情況中,互連鏈結爲平行鏈結。記憶體控 制器1 5 1連接至串列互連之第一記憶體裝置1 54_ i。最後 一個記憶體裝置154-M亦連接至記憶體控制器151,使得 串列互連之第一、第二、第三…第η個記憶體裝置154-1 、154-2、154-3…及154-Μ與記憶體控制器形成環型連接 結構。在所示的範例中,記憶體裝置1 5 4 - 1 - 1 5 4 - Μ爲快 閃記憶體裝置。後續的範例亦針對快閃記憶體。然而,應 了解到本發明之實施例亦可應用至其他類型的非依電性記 憶體裝置。 -9- 200847182 在第1圖中所示的特定範例中,串列連接的記億體裝 置1 54- 1 - 1 54-M的每一個爲快閃記憶體裝置,例如 NAND快閃裝置。快閃記憶體裝置具有暫時儲存資訊或資 料的分頁緩衝器。已儲存的資訊係根據分頁編程而寫入裝 置的快閃記憶體胞中。一旦經編程,儲存在分頁緩衝器中 的資訊會因已編程之單元的驗證程序而被毀壞。 記憶體控制器1 5 1具有資料儲存器1 5 2及處理器1 5 3 。資料儲存器152儲存各種資料,包括將處理及儲存於串 接之記憶體裝置中的操作指令、位址及記憶體資料之資訊 。操作指令之資訊係用來控制串接的記憶體裝置。資料儲 存器152例如爲靜態隨機存取記憶體(SRAM)或任何類型 的嵌入式記憶體。更一般而言,可實施任何適當的資料儲 存器。處理器1 5 3執行資料處理的操作及記憶體裝置存取 儲存在資料儲存器1 52中之資料的控制。記憶體控制器 151具有複數個連結··命令信號輸出連結ci〇、命令信號 輸入連結COI、輸入選通連結CSIO、輸出選通連結DSIO 及時脈輸出連結CKO。 操作時,記憶體控制器1 5 1經由命令信號輸出連結 CIO發送命令輸入(CI)信號SC1至第一裝置154-1以及經 由命令信號輸入連結COI從串列互連的最後一個裝置 154-M接收命令輸出(C0)信號SC(M+1)。並且,記憶體控制 器151經由輸入選通連結CSIO提供命令選通輸入(CSI)信 號Scsi,以及經由輸入選通連結DSI0提供資料選通輸入 (DSI)信號SDS1至第一裝置154-1。此外,記憶體控制器 -10- 200847182 151經由時脈輸出連結CKO以共同時脈來源的方式提供時 脈信號CK至所有裝置154-1 · 154-M。 記憶體裝置154-1、154-2、154-3…及154-M分別具 有分頁緩衝器158-1、158-2、158-3…及158-M,以及快 閃記憶體胞159-1、159-2、159-3…及15 9-M。記憶體裝 置1 54- 1 - 1 54-M的每一個具有用於從前一個裝置接收 CI信號SCi(i=l到M)之信號輸入連結CI、用於提供CI信 號Sc(i + 1)至下一個裝置的信號輸出連結CO、用於從前一 個裝置接收CSI信號Scsi之輸入選通輸入連結CSI、用於 發送輸出CSI信號Scs(i + 1)至下一個裝置的輸入選通輸出 連結CS0、用於從前一個裝置接收DS信號SDSi的輸出選 通輸入連結DSI以及用於發送輸出DSI信號SDS(i + 1)至下 一個裝置的輸出選通輸出連結DS0。 記憶體裝置1 54- 1 - 1 54-M的每一個具有硬佈線或 預先分配之獨特的裝置位址(DA),以便在正常操作時選擇 或指定一個裝置。在2 0 06年7月31日申請之名稱爲「菊 鍊串接裝置(Daisy Chain Cascading Devices)」的美國專利 申請案序號1 1 /594,564中提供具有串列連接之裝置的絮構 之範例細節,其全部內容以參考方式包含於此。在2006 年12月6日申請之名稱爲「操作不同類型之記憶體裝置 的系統及方法(System and Method of Operating Memory Devices of Varying Type)」的美國專利申請案序號 60/868,773中提供具有串列連接之裝置的架構之其他範例 細節,其全部內容以參考方式包含於此。在2006年3月 -11 - 200847182 28日申請之美國臨時專利申請案第6 0/78 7,71〇號、在 2006年9月15日申請之美國臨時專利申請案第 H/521,734號及在2007年5月18日申請之美國專利申請 案序號1 1 / 7 5 0 5 6 4 9中提供串列連接的複數個記憶體裝置中 之裝置位址分配的範例,其全部內容以參考方式包含於此 〇 在正常操作時,記憶體控制器1 5 1發送含有命令之CI 信號SC1。命令包括裝置位址(DA)及代表操作指令之操作 碼(此後〇 P碼)。一些命令額外包括位址資訊,以及一些 命令額外包括資料。各OP碼與一個別的操作關聯。各命 令亦在此稱爲具有與含在命令中之OP碼關聯的種類。例 如,含有讀取OP碼的命令係稱爲「讀取命令」。記憶體 裝置154-1 - 154-M的每一個透過其各自的CI,在給定裝 置爲直接連接至記憶體控制器的記憶體裝置(所示範例中 的裝置i 50 i )的情況中直接從記憶體控制器,或針對其他 裝置從鄰接的前一個裝置,接收命令。記憶體裝置l54q - 154-M的每一個使用其各自的CO來在給定裝置爲具有 連接至記憶體控制器之輸出者(所示範例中的裝置1 54-M:» 的情況中前遞命令至記憶體控制器,或前遞命令至鄰接白勺 接續裝置。定址給特定快閃記憶體裝置之含有寫入0P的 命令會使資料寫入至那個裝置的分頁緩衝器,並使資料從 分頁緩衝器傳送到記憶體裝置的快閃記憶體胞。定址給特 定快閃記憶體裝置之含有讀取OP的命令會使資料從記憶 體裝置的快閃記憶體胞讀取到記憶體裝置的分頁緩衝器並 -12- 200847182 接著傳送出分頁緩衝器。 記憶體控制器1 5 1發出命令,各命令包括裝,置位址 (DA)、命令操作碼(此後OP碼)。一些命令可額外包括位 址資訊,以及一些命令額外包括資料。各OP碼與一個別 的操作關聯。各命令亦在此稱爲具有與含在命令中之OP 碼關聯的種類。例如,含有讀取OP碼的命令係稱爲「讀 取命令」。例如,用於串列連接裝置中之命令爲彈性模組 式命令,其結構顯示於表1中: 表1 DA 0 P碼 RA CA DATA 1位元組 1位元組 3位元組 2位元組 1 - 2 1 1 2位元組 在表1中,DA爲裝置位址、OP碼爲操作碼、RA爲 列位址、CA爲行位址以及DATA爲寫入資料。與〇P碼關 聯的命令之範例爲「叢發資料載入」命令及「叢發資料讀 取」命令。有下列之情況··(i)有列位址或行位址、(Η)沒 有列位址也沒有行位址、(iii)無資料。 第2圖爲串列互連之記憶體裝置的範例命令格式之示 意圖。茲參照第2圖,第一命令格式109-1包括ID號碼 及OP碼。ID號碼用來獨特辨別選定記憶體裝置,而 碼欄位含有將由選定的裝置執行之OP碼。具有第一命令 格式1 09-1的命令可例如用於含有用來讀取暫存器値之 OP碼的命令。第二命令格式109-2包括ID號碼、〇P碼 -13- 200847182 及資料。具有第二命令格式109-2的命令可例如用於含有 用來寫入資料至暫存器之0P碼的命令。第三命令格式 109-3包括ID號碼、〇P碼及額外的位址。額外的位址可 例如包括用於定址記憶體胞中的位置之列及/或行位址。 具有第三命令格式109-3的命令可例如用於含有用來從選 定記憶體裝置之記憶體胞讀取資料之0P碼的命令。第四 命令格式109-4包括ID號碼、OP碼、額外的位址及資料 。具有第四命令格式109-4的命令可例如用於含有用來寫 入資料至選定記憶體裝置之記憶體胞讀取資料之0P碼的 命令。注意到這四個範例命令格式109-1、109-2、109-3 及1 0 9 - 4皆以ID號碼開始以作爲定址用。應了解到在此 所用之「命令」一詞不僅僅參照命令OP碼,因爲命令可 包括ID號碼、OP碼、額外位址、資料或關於串列互連之 記憶體裝置配置之控制的任何其他資訊。 在2007年8月17日共同申請且具有共同所有權人之 美國專利申請案第1 1/840,692號以及在2007年3月2日 申請之美國臨時專利申請案第60/892,705號中教示上述命 令結構的特定範例,其全部內容以參考方式包含於此。這 些申請案揭露不同的命令結構,以區分出涉及頗長處理時 間之核心存取操作以及涉及頗短存取時間之分頁緩衝器存 取操作。在稍後「模組式命令結構」的標題下提供模組式 命令結構的額外細節。 參照回第1圖,記憶體裝置154-1、154-2、154-3… 及154-M的每一個透過其各自的CI,在給定裝置爲直接 -14- 200847182 連接至記憶體控制器的記憶體裝置(所示範例中的裝置 15 4-1)的情況中直接從記憶體控制器,或針對其他裝置從 鄰接的前一個裝置,接收命令。每一個記憶體裝置使用其 各自的CO來在給定裝置爲具有連接至記憶體控制器之輸 出者(所示範例中的裝置154-M)的情況中前遞命令至記憶 體控制器’或前遞命令至鄰接的接續裝置。藉由傳統的命 令結構’定址給特定快閃記憶體裝置之含有讀取OP碼的 命令會使資料從記憶體裝置的快閃記憶體胞讀取到記憶體 裝置的分頁緩衝器並接著傳送出分頁緩衝器。定址給特定 快閃記憶體裝置之含有寫入OP的命令會使資料寫入至那 個裝置的分頁緩衝器,並使資料從分頁緩衝器傳送到記憶 體裝置的快閃記憶體胞。 第3圖顯示分頁編程及驗證的範例程序。參照第1至 3圖’將描述如何執行寫入操作的一範例。假設欲寫入資 料至記憶體裝置1 54-2。從記憶體控制器1 5 1的儲存元件 152將欲編程的資料(如1〇〇 η 〇〇…〇1〇〇)載入記憶體裝置 15 4-2的分頁緩衝器158中(步驟〗12_υ。開始將資料編程 到快閃記憶體的分配之列位址(分頁方向)中(步驟i 1 2 - 2 )。 驗證編程結果(步驟i 12-3)。在分頁緩衝器中產生驗證結 果’ 「1」狀態指示成功以及「0」狀態指示失敗,其覆寫 之前曾寫入至快閃記憶體核心之分頁緩衝器內容。編程操 作會因記憶體胞的缺陷、單元閘極氧化物的耗損或其他缺 陷而不成功。內部上,在稱爲編程時間的指定時期中執行 編程及驗證操作數次。如i i 2 -4所示,分頁緩衝器1 5 8的 -15- 200847182 最後內容變成皆爲「1」狀態,若選定列(分頁方向)的所有 單元皆爲正確編程。在編程時間後,若裝置154-2之分頁 緩衝器1 5 8中的任何「0」値仍存在,則從記憶體控制器 1 5 1的儲存元件1 5 2重新載入資料,以回復對於相同選定 裝置之不同列位址(分頁方向)的分頁編程操作。 一般而言,快閃記憶體會有長編程時間的基本限制, 因爲單元特性及用來驗證編程狀態的時間。因爲分頁編程 操作可能失敗,記憶體控制器1 5 1的資料儲存元件1 52保 持初始編程資料,以允許在編程失敗的情況中恢復原始編 程資料。結果爲初始編程資料佔用資料儲存元件1 52中的 空間,進而阻止空間作爲他用。這可能導致必須等到分頁 編程操作及驗證完成後才能執行其他分頁編程操作。改善 性能的一種可能的方式爲增加記憶體控制器中之儲存元件 的容量,但此代價高昂。 在第1圖中所示的範例系統1 5 0中,當執行選定記憶 體裝置的分頁編程操作時,記憶體控制器151載入資料到 選定記憶體裝置之分頁緩衝器1 5 8中,以及到另一記憶體 裝置的分頁緩衝器中,以儲存資料的備份。在此範例中, 假設選定記憶體裝置爲第一記憶體裝置1 5 4 -1及另一記憶 體裝置爲第二記憶體裝置154-2。更一般而言,選定記憶 體裝置及另一記憶體裝置可爲記憶體裝置154-1、154-2、 15 4-3···及154-M其中的任何兩個。在資料未順利編程至 選定記憶體裝置1 54-1的記憶體胞中的情況中,則記憶體 控制器151從第二記憶體裝置154-2的分頁緩衝器158恢 -16- 200847182 復資料。與編程操作獨立不相干地存取第二記憶體裝置 1 5 4 - 2的分頁緩衝器1 5 8。這允許恢復資料而不必將資料 編程至第二記憶體裝置154-2的記憶體胞中。由於資料的 備份儲存在第二記憶體裝置154-2的分頁緩衝器158中, 記憶體控制器151不需本地儲存資料於其資料儲存元件 152中。因此,記憶體控制器151可釋放空間其資料儲存 元件1 52的空間,其中在未決定資料是否已經順利編程到 選定記憶體裝置154-1的記憶體胞中之前存有資料。 在一特定範例中,爲了允許分頁緩衝器操作爲鏡像備 用,根據本發明之一實施例,使用三個「模組式」記憶體 裝置存取命令。第一個稱爲「叢發資料載入」命令並含有 叢發資料載入OP碼。這會導致資料寫入至分頁緩衝器, 但此命令單獨無法令資料傳送至快閃記憶體胞。在於下的 範例中,4Xh及5Xh作爲此,但更一般而言,會以特定實 施爲基礎界定命令結構。第二個稱爲「叢發資料讀取」命 令並含有叢發資料讀取OP碼。這會使得從分頁緩衝器直 接讀取資料而不會先從快閃記憶體胞讀取。在下列範例中 ,2Xh作爲此,但更一般一般而言,會以特定實施爲基礎 界定命令結構。第二個稱爲「分頁編程」命令並含有分頁 編程OP碼。這會使先前儲存在分寅緩衝器中的資料寫入 至快閃記憶體,銷毀分頁緩衝器的內容以供驗證。在下列 範例中,6Xh作爲此,但更一般而言’會以特定實施爲基 礎界定命令結構。 第4圖顯示第1圖中所示的兩個記憶體裝置。參照第 -17- 200847182 1及4圖,兩個裝置120及127代表系統15〇中的兩個裝 置’並且兩裝置在互連組態中爲互相相鄰或遠距。兩裝置 120及127之一作爲資料的鏡像備用。 第一記憶體裝置120具有輸入連結139、輸出連結 1 40、快閃記憶體胞1 2 1、分頁緩衝器1 22及裝置控制器 126。類似地’第二記憶體裝置127具有輸入連結ι41、輸 出連結142、快閃記憶體胞128、分頁緩衝器129及裝置 控制器130。兩裝置120及127爲形成具有串列互連之裝 置的架構之一部分的任何兩個記憶體裝置。針對特定範例 ,兩裝置120及127之一作爲資料鏡像備用。裝置控制器 126及130包括促成命令處理之任何適當的電路。後續的 範例將不參照任何裝置控制器,然而應了解到其可包括處 理命令之電路。 操作時,藉由叢發資料載入命令(4Xh及5Xh)經由輸 入連結139將資料載入第一記憶體裝置120的分頁緩衝器 1 2 2中,如1 2 3所示。在此範例中,資料亦經由輸入連結 141載入至第二記憶體裝置127的分頁緩衝器127中,如 137所示。藉由分頁編程命令(6Xh)來達成記憶體裝置內 120的分頁編程,如124所示。使用「讀取裝置狀態 (D0H)」經由輸入連結讀取分頁緩衝器122,如125 所示,以驗證分頁編程操作是否成功。第二記憶體裝置 1 2 7作爲在第一記憶體裝置1 2 0的分頁編程不成功之情況 下之分頁編程操作的鏡像備用。記憶體控制器(未圖示)保 持哪個記憶體裝置被用爲鏡像備用的記錄。在編程失敗的 -18- 200847182 情況中,從鏡像備用經由輸出連結142恢復資料,如138 所示。這避免記憶體控制器在其儲存元件中儲存內容的需 要。因此,可釋放記憶體控制器用來在編程資料至分頁緩 衝器122及129前儲存資料的位置,以供他用。 茲參照第5及6圖描述具有其中裝置串列連結之架構 的系統之分頁緩衝器之鏡像功能。第5圖提供一種範例, 其中使用兩不同的寫入命令將相同資料寫入至兩不同.的分 頁緩衝器(意及一個分頁緩衝器一個命令)。在另一實施例 中,單一寫入命令用來寫入相同資料至兩或更多分頁緩衝 器。參照第6圖於下提供此之一範例。 第5圖顯示具有含有裝置串列連接之架構的系統,其 中一分頁緩衝器作爲資料之鏡像備用。首先參照第5圖, 系統1 90具有記憶體控制器1 9 1及串列連接之複數個記憶 體裝置 193-1、193-2、193-3…193-15。在特定範例中, 系統190包括15個記憶體裝置。更一般而言,提供兩或 更多者。記憶體控記器1 91具有資料儲存元件1 92及資料 處理器203。記憶體控制器1 9 1亦具有用於與第一記憶體 裝置193-1連接的輸出連結CIO,以及用於與最後一個記 憶體裝置193-15連接之輸入連結C0I。記憶體裝置193-1 、193-2、193-3…及193-15分別具有分頁緩衝器194-1、 194-2、194-3 …及 194-15,以及記憶體裝置 193-1、193-2 、193-3…及193-15的每一個具有記憶體胞(未圖示)。 記憶體控制器191及記憶體裝置193-1、193-2、193-3…1 93 -1 5以串列鏈結互連。在此描述的其他範例亦特別 -19- 200847182 爲接續裝置間的串列鏈結。然而,應了解到本發明之實施 例亦可應用至在接續裝置之間具有平行鏈結之架構。更依 般而言,本發明之實施例可應用至在接續裝置之間具有連 續鏈結之架構。連續鏈結可爲串列或平行鏈結。系統1 90 使用分頁緩衝器作爲資料的鏡像備用。在所示的範例中, 兩裝置藉由具有一 I/O接腳的鏈結互連。替代地,鏈結可 包括複數個I/O接腳。記憶體裝置193-1、193-2、193-3 …193_15具有各自的處理電路,用來處理經由CI連結來 自前一個裝置之信號,以及經由CO連結輸出已處理的結 果至下一個裝置。爲了簡單,此種電路以代表性D型正反 器(D-FF)顯示。 針對此範例,假設記憶體控制器1 9 1需要寫入資料至 記憶體裝置193-1的記憶體胞,以及記憶體裝置193-2的 分頁緩衝器1 94-2可用爲鏡像備用。操作時,記憶體控制 器191發出第一寫入命令,以從資料儲存元件192載入資 料至記憶體裝置193-1的分頁緩衝器194-1中。載入資料 至記憶體裝置193-1的分頁緩衝器194-1係以201槪示。 爲了在分頁編程失敗情況中保留資料的備份,記憶體控制 器191亦發出寫入命令(分頁緩衝器載入),以將相同資料 載入記憶體裝置193-2的分頁緩衝器194-2中。載入資料 至記憶體裝置193-2的分頁緩衝器194-2係以202槪示。 記憶體控制器1 9 1接著發出分頁編程命令,以編程已載入 於分頁緩衝器194-1之中的資料到第一記憶體裝置193-1 的記憶體胞(未圖示)中。在所示範例中,資料並未編程至 -20- 200847182 1 第二記憶體裝置193-2的記憶體胞中。取而代之,將資料 r 維持在緩衝器194-2中作爲在第一記憶體裝置193-1的分 頁編程失敗時之資料的鏡像備份。 記憶體控制器191記錄哪個記憶體裝置193-2被用爲 鏡像備用。在編程失敗的情況中,可從鏡像備用恢復資料 。這避免記憶體控制器1 9 1儲存內容於其資料儲存元件 192中的需要。因此,當分頁緩衝器載入完成後,可釋放 B 先前用來儲存資料的資料儲存元件以供他用。記憶體控制 器1 9 1記錄哪個記憶體裝置已被釋放,以及哪些正在使用 中。在分頁編程操作成功的情況中,釋放用作鏡像備用的 分頁緩衝器194-2中的位置。 注意到由記憶體控制器1 9 1選擇第一記憶體裝置1 93 -1及第二記憶體裝置1 93 -2。記憶體控制器1 9 1可替代地 選擇不问的記憶體裝置。各寫入命令由DA定址目標記憶 體裝置。 Φ 注意到針對串列式連接的裝置,記憶體裝置之間會有 以時脈週期爲基礎之潛伏延遲,以將輸出結果(C Ο )與輸入 (CI)同步化。可根據系統及裝置規格來決定潛伏。所有的 範例假設輸入與輸出之間有一時脈週期潛伏。因此,在兩 個相鄰的記憶體裝置之間,當捕捉到輸入資料時會有一周 期之差。然而,應了解到時脈週期潛伏可替代地更小,如 半週期’或更大,如超過兩週期。無論如何,記憶體裝置 接受具有潛伏延遲之輸入流。 第6圖顯示具有含有裝置串列連接之架構的另一系統 -21 - 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,其中一分頁緩衝器作爲資料之鏡像備用。參照I 系統210使用分頁緩衝器214-2作爲資料的鏡像 統2 1 0具有記憶體控制器2 1 1及複數個記憶體裝 、213-2、213-3…213-15。記憶體控記器211具 存元件2 1 2,其例如爲SRAM。記憶體控制器2 1 資料處理器209、用於與第一記憶體裝置213-1 出連結CIO,以及用於與最後一個記憶體裝置2 接之輸入連結C0I。記憶體裝置213-1、213-2, 213-15分別具有分頁緩衝器214-1、214-2、2W 1 5 ’以及記憶體裝置的每一個具有記憶體胞(未g 憶體控制器211及記憶體裝置213-1、213-2、 2 1 3 -1 5以鏈結互連。第6圖之系統的鏡像備用操 範例於下進一步加以敘述。 在一範例系統中,靜態界定將作爲給定記憶 鏡像備用的記憶體裝置。此種界定之一特定範例 表中’其中假設:針對具有偶數裝置位址之給定 作爲給定記憶體裝置之鏡像備用的記憶體裝置爲 定裝置的位址大一的位址之裝置(見表2),以及 奇數位址之給定裝置,將作爲給定記憶體裝置之 的記憶體裝置爲具有比給定裝置的位址小一的位 (見表3 )。 春6圖, 備用。系 置 213-1 有資料儲 1亦具有 連接的輸 13-15 連 '213-3··. ^3 ··· 214- E示)。記 • 2 1 3 - 3 … 作之詳細 體裝置之 界定在下 裝置,將 具有比給 針對具有 鏡像備用 址之裝置 -22- 200847182 表2 :針對偶數裝置位址,以ΜΑ = DAt+l來界定指定目 標位址(D At)及鏡像位址(MA)之間的靜態關聯性 指定目標位址(DAt) 鏡像位址(MA) 0000 000 1 00 10 00 11 0100 0101 晦編 ———— — —--- 1010 1011 1100 1101
表3 :針對奇數裝置位址,以MA = DAt-1來界定指定目 標位址(DAt)及鏡像位址(MA)之間的靜態關聯性 指定目標位址(DAt) 鏡像位址(MA) 0 001 0000 0011 0 0 10 0101 0100 轉_ · ____ • 霉 —· • — » · 1011 1010 1101 1100 在上表2及3所界定的範例中,指定的目標裝置及鏡 像裝置分享共同的位址,除了最低有效位元(LSB)。更一 般而言,在一些範例中,使用指定的目標裝置及鏡像裝置 之間的關係,以有效定址兩裝置而無須發送兩個不同的命 令。 此之一特定範例應用於表2及3中的鏡像備用裝置界 -23- 200847182 定,其中有一種稱爲「忽略LSB模式」的新操作模式’其 中所有裝置比較各進入命令的位址除了 LSB之外的所有位 元及裝置的裝置位址之對應位元(亦即除了 LSB外的所有 位元)。在此種模式中,具有給定指令目標位址之裝置及 適當的鏡像裝置將會處理命令。在一些實施例中,首先發 送命令以開啓忽略LSB模式。這可藉由所有裝置皆會處理 之位址來完成,此位址稱爲廣播位址。之後,發送載入資 料到分頁緩衝器之命令,這會使資料載入至指定的目標裝 置及鏡像裝置兩者的分頁緩衝器。此後,再次關閉忽略 LSB模式’以及發送寫入指定的目標裝置之分頁緩衝器的 內容至核心記憶體之命令並且僅由指定的目標裝置處理該 命令。在另一範例中,界定不同的OP碼作爲表示那個命 令之忽略LSB模式。在另一實施例中,忽略LSB模式僅 最多在隨後的一個命令中有效,因此若發送此種命令則無 須關閉忽略L S B模式。在另一實施例中,使用命令中的另 一欄位來表示忽略L S B模式。 兹參照第6圖描述此之一範例,其中假設記憶體控制 器2 1 1已決定要寫入資料至記憶體裝置2丨3 _丨的記憶體胞 ’同時使用記憶體裝置213-2的分頁緩衝器214-2作爲鏡 像備用。此範例與第5圖之範例不同之處在於記憶體控制 器211發出單一寫入命令,以從資料儲存元件211載入資 料到第一記憶體裝置213-1的分頁緩衝器2““及第二記 憶體裝置213-2的分頁緩衝器214-2兩者中。這在「忽略 LSB模式」期間達成,其中記憶體裝置忽略在單一寫入命 -24- 200847182 令中找到的目標裝置位址的L s B。在此範例中’記憶體控 制器21 1發送「忽略LSB」命令至串列連接裝置的所有裝 置213-1、2 13-2、213-3…213-15,以告知它們忽略後續 接收到之命令的目標裝置位址的LSB。忽略LSB命令例如 爲具有FFh的OP碼之「寫入鏈結組態暫存器」命令,其 發送至由所有記憶體裝置處理的廣播位址。可使用此種廣 播命令之任何適當的結構;更一般而言,可實施能致能 LSB模式的任何適當機制。已於上提供各種範例。 一旦致能忽略LSB模式,由單一目標位址選擇兩個記 憶體裝置。例如,具有「〇〇〇〇」的目標位址之分頁緩衝器 載入命令會由具有裝置位址(DA)「0000」之第一記憶體裝 置213-1及具有裝置位址(DA)「000 1」之第二記憶體裝置 2 13-2兩者處理。注意到第一及第二記憶體裝置213-1及 2 13-2具有相同的裝置位址,除了 LSB之外。兩個記憶體 裝置213-1及213-2之一(如第一記憶體裝置21 3-1)作爲「 指定的目標裝置」,而另一記憶體裝置(如第二記憶體裝 置213-2)作爲「鏡像裝置」,其之分頁緩衝器儲存鏡像編 程資料。一旦發出分頁緩衝器載入命令,開始資料載入。 兩選定裝置213-1及213-2的分頁緩衝器214-1及214-2 將資料存入其中。將資料載入分頁緩衝器214-1及214-2 由22 1及222槪示。在編程前,重設忽略LSB模式並且恢 復一次僅選擇一個記憶體裝置的正常操作。參照第7圖於 下敘述系統2 1 0之忽略LSB模式的致能及取消之範例時序 細節。 -25- 200847182 第7圖顯示第6圖之系統之忽略LSB模式的致能及取 消之一範例時序細節。參照第6及7圖,記憶體控制器 211輸出三個信號:時脈信號CK、命令選通輸入信號CSI 及命令輸入信號CI。注意到在三個階段中設立(assert)CSI 信號,亦即,第一、第二及第三階段。 以28 1指示第一階段。記憶體控制器2 1 1發送「忽略 LSB」命令以告知記憶體裝置忽略後續接收到之命令的目 標裝置位址的LSB。命令含有廣播DA及致能忽略LSB模 式的OP碼。在此假設「FF」爲廣播位址,其會使串列連 接裝置中的所有記憶體裝置接受並處理此命令。 以2 82指示第二階段。記憶體控制器2 1 1傳送載入資 料至前兩個記憶體裝置213-1及213-2的分頁緩衝器214-2及214-2的命令。該命令包括第一裝置213-1的裝置識 別符(ID)及叢發資料載入指令(CMD)。由於已致能忽略 LSB模式,第一及第二記憶體裝置213-1及213-2兩者處 理命令並載入資料到其之分頁緩衝器214-2及214-2中。 以283指示第三階段。記憶體控制器2 1 1傳送取消忽 略LSB模式的命令。ID再次爲廣播ID「FF」。 一旦已取消忽略LSB模式,記憶體控制器2 1 1發出編 程已載入於分頁緩衝器214-1中的資料至第一記憶體裝置 213-1的記憶體胞(未圖示)的分頁編程命令。在所示的範 例中,資料並未編程至第二記憶體裝置2 1 3 -2的記憶體胞( 未圖示)中。取而代之,在第二記憶體裝置213-2的分頁緩 衝器214-2中維持資料作爲在第一記憶體裝置213-1分頁 -26- 200847182 編程失敗的情況中資料的備份。不應針對使用分頁緩衝器 214-2的任何核心操作來存取第二記憶體裝置21 3-2。然而 ’可有以暫存器爲基礎的命令,如狀態、組態暫存器寫入 或讀取。可自由存取其他記憶體裝置2 1 3 -3…及2 1 3 -1 5。 第8圖顯示第6圖之系統,其中在編程失敗後執行資 料恢復。兹參照第8圖,在2 2 3槪示資料恢復之資料路徑 。首先,將在第二記憶體裝置213-2的鏡像緩衝器214_2 中的編程資料傳送至記憶體控制器2 1 1的資料儲存元件 2 1 2 ’藉此允許記憶體控制器2 1 1恢復初始編程資料,因 資料儲存元件2 1 2挪爲他用而未保留該資料。接著,藉由 執行分頁緩衝器載入及分頁編程而將從鏡像緩衝器214-2 恢復的編程資料發送至新的分頁位址。這可爲至第一記憶 體裝置213-1的另一分頁或至另一記憶體裝置上的一分頁 。若爲另一記憶體裝置,程序從頭開始,亦即重新載入資 料到兩分頁緩衝器中。替代地,可保留載入鏡像緩衝器 2 1 4-2的資料,同時載入恢復之資料到另一記憶體裝置的 分頁緩衝器之中。記憶體控制器2 1 1記錄但不使用失敗的 分頁。在第8圖中所示的範例中,將從鏡像緩衝器214-2 恢復的編程資料發送至另一記憶體裝置213-1的分頁緩衝 器214-1,如224所示。 在上述的範例中,並未提供實施忽略LSB特徵之記憶 體裝置的特定細節。應了解到可以達成忽略LSB特徵的任 何適當控制電路來實施記憶體裝置。參照第9及1 〇圖於 下例示性提供一特定實施例。 -27- 200847182 第9圖顯示第1圖中所示之串列連接之記憶體裝置的 一部分。如所示,來自前一個裝置154-(i-l)至裝置154-i 的命令輸入信號Sci可傳送至下一個裝置l54-(i+l)。 第1 〇圖顯示用於串列連接裝置之記憶體裝置中記憶 體裝置電路。記憶體裝置電路實施忽略LSB特徵。參照第 10圖,記憶體裝置154-i具有複數個輸入,包括用於接收 時脈信號CK的時脈輸入CLK、用於接收命令選通信號 Scsi之命令選通輸入CSI、用於接收資料選通信號SDSi的 資料選通輸入DSI以及用於接收命令輸入信號SCl的命令 輸入CI。記憶體裝置154-i具有複數個輸出,包括用於輸 出命令選通信號Scs(i + U的命令選通輸出CSO、用於輸出 資料選通信號31^(^1)的資料選通輸出DSO及用於輸出命
令輸入信號Sc(i + 1)至下一個裝置154-(i+l)的命令輸出CO 〇 藉由個別輸入緩衝器281、282、283及284緩衝時脈 信號CK、命令選通信號Scsi、命令輸入信號Sci&資料選 通信號SDSi。將緩衝的時脈信號級命令輸入信號饋送至時 脈產生器264,其內部輸出所產生的時脈信號:ID時脈信 號Clkid、OP碼時脈信號Clkop、位址時脈信號Clkad及 資料時脈信號Clkda。將ID時脈信號Clkid、0P碼時脈信 號Clkop、位址時脈信號Clkad及資料時脈信號Clkda饋 送至ID暫存器265、0?碼暫存器266、位址暫存器268 及資料暫存器269。回應於個別的時脈信號而將命令輸入 信號Sci的命令之適當欄位輸入至10暫存器265、〇?碼 -28- 200847182 暫存器266、位址暫存器268及資料暫存器269。OP碼暫 存器266中保持的OP碼饋送至OP碼解碼器267以作解 碼。OP碼解碼器267輸出一位元信號SIGB至一位元暫存 器2 76以及多位元(m位元:如三位元)解碼的0P碼信號 SD0P至核心邏輯及記憶體電路285。核心邏輯及記憶體 電路285亦接收經緩衝的資料選通信號。 由D-FF 25 1閂鎖命令輸入信號SCl,再次緩衝正反器 之輸出以產生前遞至下一個記憶體裝置15 4-(i+l)的命令 輸入信號S c (i + 1 )。 記憶體裝置154-i包括互斥非或(XN0R)邏輯電路272 ,其接收ID暫存器265的η位元輸入及用於保持裝置位 址(DA)的値之裝置ID暫存器273的η位元內容作爲輸入 。XN0R邏輯電路272具有XN0R閘,其執行ID暫存器 265的η位元輸入及裝置id暫存器273的η位元內容之 間的位元寬XN OR操作,並產生η位元輸出。XN0R邏輯 電路272的η位元輸出之LSB係輸入到OR閘274的一輸 入,以及XNOR邏輯電路272的η位元輸出之其餘的位元 係輸入到AND邏輯電路275。提供一位元暫存器276,以 用於暫存來自OP碼解碼器267之「忽略LSB致能位元」 (在信號SIGB中)。一位元暫存器276的輸出係輸入至OR 閘274作爲第二輸入,以及〇R閘274的輸出係饋送至 AND邏輯電路27 5作爲另一輸入。於下描述這些構件的操 作。 操作時’記憶體裝置1 5 4 - i接收命令輸入信號S c i中 -29- 200847182 的命令。根據命令選通信號Scsi的時序連同時脈信號CK ,時脈產生器264產生內部時脈信號,以適當地閂鎖命令 內容至適當的暫存器。詳言之,ID暫存器265暫存命令 的ID。OP碼暫存器266暫存OP碼。位址暫存器26 8暫 存行/列位址。資料暫存器269暫存包括於命令中的任何 資料。此外,OP碼解碼器267接收暫存在OP碼暫存器 266中的命令並將之解碼。將經緩衝的信號提供至電路中 的D-FF(未顯示時脈信號路徑)。 在命令爲含有廣播DA的命令或定址至特定裝置之命 令的情況中,由裝置解碼並處理〇P碼。藉由廣播DA,確 立所有裝置並準備接收命令。在接收到OP碼解碼器266 判斷將進入忽略LSB模式的命令時,設立(set)—位元暫存 器276,並且因此設立「忽略LSB致能位元」以致能LSB 忽略模式。 ID暫存器265平行輸出所暫存的DA,其爲目標DA ,作爲η位元資料。XN OR邏輯電路272以一位元一位元 之基礎比較目標DA(由命令中所含的ID號碼代袠)及保持 在裝置ID暫存器27 3中的裝置ID。若目標DA及裝置ID 爲相同’貝U X Ν Ο R Μ輯電路2 7 2的輸出皆爲1。比較的 LSB係饋送至OR閘274,同時其他位元係饋送至AND邏 輯電路275。比較之LSB爲高足使0R閘274具有「高」 輸出。亦饋送一位兀暫存器276的「忽略LSB致能位元」 至OR閘2 74。一位元暫存器276的「忽略LSB致能位元 」爲局亦足使OR閛274具有「筒」輸出。因此,若_.位 -30- 200847182 ,元暫存器276的「忽略1^6致能位元」爲高,則目標〇八 、.的LSB是否匹配裝置ID的LSB沒有關係。確切而言,非 LSB位元則有關係。AND邏輯電路275輸出ID匹配信號 2 77,指示目標DA及裝置ID之間是否有匹配。若至AND 邏輯的所有η輸入皆爲高則目標DA及裝置ID之間有匹 配。在忽略LSB模式期間,若除了 LSB外的其他(n-1)位 元匹配,則目標DA及裝置ID之間有匹配。當不在忽略 p LSB模式期間,若所有n位元都匹配,則目標DA及裝置 ID之間有匹配。來自AND邏輯電路275之ID匹配信號 2 77判斷記憶體裝置154-i是否執行該命令。在接收到離 開忽略LSB模式的命令後,清除一位元暫存器276。將ID 匹配信號277提供至核心邏輯及記憶體電路285及AND 閘278。一位元暫存器276的輸出係輸入至反相器279, 其之所反向的輸出信號係提供至AND閘278,其之AND 邏輯輸出信號係饋送至多工器254及256。 • 當目標DA及裝置ID之間無匹配時,ID匹配信號 2 77爲「低」以及選擇多工器至其「〇」輸入。因此,將閂 鎖之命令輸入信號提供至下一個裝置154-(i+Ι)作爲命令 輸入信號SC(i+l)。並且,將閂鎖之命令選通信號經由多 工器25 6提供至下一個裝置154-(i + l)作爲命令選通信號 S C S (i + 1)。因此,若無ID匹配,則裝置1 5 4 · 1並非爲目標 裝置,並且將命令輸入信號 SC(i + l)及命令選通信號 SCS(i+l)前遞至下一個裝置154-(i + l)。若輸入資料選通信 號(如在資料讀取模式操作中),將閂鎖的資料選通信號經 -31 - 200847182 由多工器25 5提供至下一個裝置154-(i+l)作爲資料選通 信號SDS(i + l),無論ID匹配信號277的ID匹配信號之狀 態。若無ID匹配,不啓動核心邏輯及記憶體電路2 8 5。 ‘在忽略LSB模式期間目標DA及裝置ID之間有匹 配時(亦即一位元暫存器276的輸出爲「高」),ID匹配信 號277爲「高」,啓動核心邏輯及記憶體電路285。然而 ,反相器279的輸出信號爲「低」並且選擇多工器254及 256的「〇」輸入。將輸入信號提供至下一個裝置154_ (i + Ι)作爲命令輸入信號Sc(i + 1)。並且,將命令選通信號提 供至下一個裝置154-(i + l)作爲命令選通信號Scs(i + n。 當在非忽略LSB模式期間目標DA及裝置ID之間有 匹配時(亦即一位元暫存器276的輸出爲「低」),ID匹配 信號277爲「高」,啓動核心邏輯及記憶體電路2 8 5,並 且執行來自OP碼解碼器267之已解碼信號SDOP的已解 碼OP碼,以根據命令指令操作。反相器279的輸出信號 爲「高」以及AND閘278的AND邏輯輸出信號爲「高」 。選擇多工器254及25 6的「1」輸入。若指令爲資料讀 取,核心邏輯及記憶體電路2 8 5執行讀取命令,並且根據 列及/或行位址,從其中之記憶體(未圖示)讀取資料。將來 自核心邏輯及記憶體電路28 5之輸出資料DATAout提供 至下一個裝置154-(i + l)作爲命令輸入信號Scsu + 1)。 上述的範例顯示當兩個記憶體裝置具有除了最低有效 位元外相同的裝置位址係如何能處理單一命令。這係藉由 當記憶體裝置處於忽略LSB模式中達成。更一般而言,本 -32- 200847182 發明之實施例允許兩或更多記憶體裝置根據單一命令的目 標位址來處理單一命令。例如,在另一實施例中,記憶體 裝置進入多位址偵測模式。這可例如若記憶體控制器廣播 命令各記憶體裝置進入多位址偵測模式的第一訊息而發生 。當在多位址偵測模式中,接收到具有與裝置位址不同的 目的地位址之命令時,記憶體裝置根據目的地位址條件式 處理命令。在之後的某時間,記憶體裝置離開多位址偵測 模式。這可例如若記憶體控制器廣播命令各記憶體裝置離 開多位址偵測模式的第二訊息而發生。廣播用來進入及離 開位址偵測模式的訊息例如爲包含FFh的OP碼之寫入鏈 結組態暫存器命令。 記憶體裝置根據目的地位址條件式而處理命令有多種 方式。在一些實施例中,記憶體裝置維持一替代裝置位址 的識別。若所接收的命令之目標裝置位址匹配該替代裝置 位址,則記憶體裝置處理該命令。在其他實施例中,記憶 體裝置條件式處理命令,若目的地位址以預定方式不同於 裝置位址。例如,記憶體裝置處理命令,若目的地位址與 裝置位址僅差單一預定的位元。該單一預定位元可爲最低 有效位元,已於上提供其之範例。替代地,該單一預定位 元可爲其他某位元。 第1 1圖顯示利用鏡像備用之編程操作的方法。可藉 由記憶體控制器,例如第6圖中所示的記憶體控制器2 1 1 實施此方法。 參照第6及1 1圖,在步驟3 1 1,記憶體控制器21 1發 -33- 200847182 送「忽略LSB」命令至串列連接之所有的記憶體裝置213-1、2 1 3 - 2、2 1 3 - 3…及2 1 3 · 1 5,以告知它們忽略將接收到 之目標裝置位址的LSB。在步驟312中,記憶體控制器 211發送目標裝置位址作爲寫入分頁緩衝器之命令的一部 分。在一特定範例中,假設目標裝置位址爲「〇〇〇〇」,亦 即第6圖之裝置2 1 3 -1的裝置位址。針對該位址,兩個裝 置213-1及213-2將在忽略LSB模式中處理命令。更一般 而8 A00,針對給定的目標裝置位址,裝置的其中兩個將 處理命令。寫入至分頁緩衝器的命令包括將寫入之資料。 在有裝置位址匹配的情形時,由記憶體裝置2 1 3 -1及記憶 體裝置2 13-2兩者閂鎖資料。因此,所傳送的資料僅載入 這兩個裝置的分頁緩衝器中(步驟3 I2)。使用單一命令而 達成此。 之後,記憶體控制器21 1發送「正常DA設定」命令 至所有的記憶體裝置213-1、 213-2、 213-3…及213-15, 以告知它們不再忽略所接收到之命令中所出現之目標裝置 位址之L S B (步驟3 1 3 )。接著,記憶體控制器2 1 1藉由發 送定址給指定裝置的分頁程式來開始該裝置的分頁編程( 步驟314)。若記憶體控制器211判斷分頁編程順利(步驟 3 1 5的是),則處理結束。藉由從分頁緩衝器讀取編程狀態 來執行分頁編程判斷。若記憶體控制器2 1 1判斷分頁編程 失敗(步驟3 1 5的否),則記憶體控制器2 1 1從鏡像記憶體 裝置213-2的分頁緩衝器重新載入編程資料(步驟316)。 編程資料本地儲存在記憶體控制器的資料儲存元件內。 -34- 200847182 接著,在步驟3 1 7記憶體控制器2 1 1將編程資料載入 回指定記憶體裝置之分頁緩衝器。在步驟3 1 4處理繼續’ 藉由重新嘗試編程資料到指定記憶體裝置之記憶體胞中’ 已於上提供其之細節。在此範例中,假設再次嘗試將資料 編程到相同記憶體裝置。替代地,可將資料編程倒另一記 憶體裝置的記憶體胞中。並且,在此範例中,假設在相同 地方(此範例中爲裝置213-2)維持鏡像備份直到完成順利 的分頁編程操作。替代地,可在不同位置作出鏡像備份。 在一些範例中,使用彈性模組式命令結構來實施在此 描述之系統,已提供其之範例細節。在此段中參照第1 2 至2 0圖提供進一步範例細節。應了解在此段中提供的細 節僅爲例示性。 第1 2圖爲具有在位元組模式中之模組式命令的快閃 記憶體之範例命令組的表。此表包括1 5個操作:分頁讀 取、複製用之分頁讀取、叢發資料讀取、叢發資料載入開 始、叢發資料載入、分頁編程、區塊抹除位址輸入、分頁 對抹除位址輸入、抹除、操作中止、讀取裝置狀態、讀取 裝置資訊暫存器、讀取鏈結組態暫存器及寫入鏈結組態暫 存益(裝置特定)’以及寫入鍵結組態(廣播)。各操作具有 包括裝置位址(D A) (1位兀組)及操作(〇 p )碼(丨位元組)的命 令。一些命令包括列位址(3位元組)、行位址(2位元組), 以及一些命令包括輸入資料(1至2 1 1 2位元組)。「1」針 對「庫0」爲「Oh」。「X」針對「庫1」爲「lh」,其中 針對此特定範例假設各裝置具有兩個記憶體庫。更一般而 -35- 200847182 言,各裝置具有至少一記憶體庫。對於表中的最後一個命 令,亦即寫入鏈結組態(廣播)’裝置位址設定成「FFh」 以指不「廣播」命令。 第13圖爲一範例操作表。此表包括/RST (重設信號 之補數)、/CE (晶片致能信號的補數)、CSI (命令選通信號 )及DSI (資料選通輸入)之複數個組合的每一個之模式。 這些模式包括命令資料封包、讀取資料封包、NOP(無操作 )、待命及重設。 所有的命令、位址及資料皆從最高有效位元(MSB)開 始移入或移出記憶體裝置。當命令選通輸入(CSI)信號爲 「高」時在正或負時脈邊緣(亦即在時脈CK及/CK的交越 點)取樣命令輸入(CI)。各命令包括1位元組裝置位址(DA) 及1位元OP碼,若有需要,及/或行位址/列位址/資料輸 入位元組。一旦CSI轉變至邏輯「高」,貝!] 1位元組DA( 裝置位址)移入DA暫存器中,以及1位元OP碼移入OP 暫存器中。藉此,在CI信號上最高有效位元(MSB)最先, 並且在CSI爲邏輯高狀態時於時脈CK及/CK的交越點閂 鎖每一位元。然而,在位元組模式中的每一個輸入序列在 時脈CK的上升邊緣( = /CK的下降邊緣)開始。取決於命令 ’ 0P碼之後爲位址位元組及資料位元組兩者或沒有,如 第1 2圖中所示。針對此範例,位址週期具有2位元組行 位址及3位元組列位址。第1 4圖顯示一範例命令與位址 格式的界定,包括每一位元之位置的。 針對串列連接的記憶體裝置,分配特別的裝置位址 -36- 200847182 ( = FFh)作爲「廣播」操作用。更一般而言,可以實施特定 爲基礎來界定針對廣播模式操作而定之位址。可與任何命 令一起使用此「廣播裝置位址」。然而,不建議連同「讀 取類型」命令使用廣播裝置位址(FFh),因爲來自最後一 個裝置的讀取資料爲唯一有效的輸出資料。 在一些實施例中,當命令、位址及資料全共享相同接 腳時,在模組式命令快閃裝置上的信號匯流排爲完全多工 。CSI信號的邏輯高狀態會使命令輸入(CI)信號有效,該 CI信號可爲η位元寬的信號,含有記憶體裝置用之已多工 的命令/位址/資料資訊。若C S I信號維持邏輯低狀態,裝 置忽略來自CI接腳的信號輸入。命令輸入序列正常由一 位元組D Α(裝置位址)閂鎖週期、一位元組命令閂鎖週期 、位址閂鎖週期(=列位址爲3位元組或行位址爲2位元 組)及/或多達2,1 12位元組的資料輸入閂鎖週期所構成。 在一位元鏈結模式中,在DDR(雙資料率)之四個時脈週期 構成一位元組的串列封包。在 2位元鏈結模式中,在 DDR(雙資料率)之兩個時脈週期構成一位元組的串歹(J封包 。在4位元鏈結模式中,在DDR(雙資料率)之一個時脈週 期構成一位元組的串列封包。在CSI進行高至低轉變後, 每一組命令指令之後可有兩個額外的CK及/CK轉變。在 一些實施例中,在CSI轉變至低之後使用額外數量的CK 及/CK轉變,其在數量上等於2 +具有互相串列連結之裝置 的架構中之裝置數量。第12圖中所界定之每一個輸入序 列爲「以位元組爲基礎」,其意指CSI及CI針對8閂鎖 -37- 200847182 週期(=雙資料率的4時脈週期)的單元應爲有效的。若CSI 在位元組結束之前作出高至低轉變’裝置會忽略對應命令 及/或位址序列。針對資料輸入序列的情況,會忽略輸入 資料的最後一個不完整的位元組’但先前輸入資料之完整 的位元組爲有效的。 第1 5圖爲顯示基本輸入時序的一範例時序圖。經由 CI璋持續確立所有DA/命令/位址/資料輸入,並且當/CE 爲「低」且CSI信號爲「高」時,在時脈CK及/CK的交 越點捕捉所有DA/命令/位址/資料輸入。輸入資料移至記 憶體裝置內,CI上最高有效位元(MSB)開始,時脈CK及 /CK的交越點閂鎖各位元。第1 6圖顯示位元流之輸入序 列。在位元組模式中的每一個輸入序列如所示般在時脈 CK的上升邊緣開始。將忽略沒有完整位元組的任何輸入 〇 第17圖爲顯示基本輸出時序的一範例時序圖。當/CE 爲「低」且DSI信號爲「高」時,在時脈CK及/CK的交 越處同步移出命令輸出(CO)上的輸出。第18圖顯示在位 元組模式中的輸出序列之一範例。從記憶體裝置移出輸出 資料,從CO信號上的最高有效位元(MSB)開始,每一位 元在時脈CK及/CK的交越處同步化。DSI信號參照CK的 上升邊緣而啓動,使得位元組模式中的每一輸出序列在 CK的上升邊緣開始並具有1時脈讀取潛伏( = t0L),如第 1 7圖中所示。 於下描述顯不模組式命令之特徵的兩代表性命令,亦 38- 200847182 即,分頁讀取(DA & OXh)及叢發資料讀取(DA & 2Xh)命令 。第1 9圖顯示涉及使用這些命令的流程圖,以及第20圖 顯布一範例命令序列。 參照第19圖,欲進入分頁讀取模式,在步驟411,記 憶體控制器於CI上發出分頁讀取(DA & OXh)命令至命令 暫存器,連同列位址的三個位元組。發出DA & OXh至命 令暫存器會在步驟4 1 2開始位址閂鎖週期。接著輸入列位 址的三位元組。一旦完成位址閂鎖週期則開始內部分頁讀 取操作。感應選定分頁內之資料的2,1 12位元組並在小於 tR內(從單元陣列至分頁緩衝器的傳送時間)傳送至分頁緩 衝器。在步驟4 1 3檢查狀態暫存器。在tR後,在步驟41 4 發出叢發資料讀取(DA & 2Xh)命令(於後進一步詳述),連 同行位址的兩個位元組,並接著致能DSI信號以在CO上 讀取出分頁緩衝器的資料,從給定列位址開始,直到DSI 信號變低爲止。若使用者想監視分頁讀取狀態以判斷從單 元陣列至分頁緩衝器的傳送完成與否,可發出讀取裝置狀 態(D A & DOh)命令。模組式命令快取具有在裝置操作期間 軟體可讀取之8位元狀態暫存器。 核心存取操作,如分頁讀取、分頁編程及區塊抹除, 會耗費較長時間,並且其處理時間會隨PVT(處理/電壓/溫 度)的改變而變。因此,每當發出核心存取命令時,使用 者可在確立命令之後監視各個操作的狀態,而不中斷內部 操作。狀態暫存器的另一用途爲檢查是否執行分頁編程及 區塊抹除而無失敗。在失敗的情況中,記憶體控制器決定 -39« 200847182 新的列位置,並發出含有新的列位址之新的命令 之前無法成功寫到舊的列位置之相同的資料。若 態暫存器,則記憶體控制器無法得知是否成功地 及抹除操作。 在讀取裝置狀態(DA & DOh)命令之後,使用 狀態暫存器讀取所有8位元狀態直到DSI變低爲 發出叢發資料讀取(DA & 2Xh)命令並接著DSI變 20圖中所示的串列輸出時序會於步驟4 1 5導致資 從初始行位址開始。在輸出資料期間自動增加行 步驟416,有ECC產生。若在步驟417驗證ECC 分頁讀取。否則,在步驟4 1 8有錯誤。 上述的叢發資料讀取(DA & 2Xh)命令讓使用 列位址,以當DSI爲高時可從選定分頁尺寸的給 開始讀取分頁緩衝器中的資料。在正常分頁讀 〇Xh)命令及分頁載入時間( = tR)之後致能叢發資 式。可發出不限於分頁內之叢發資料讀取(DA & 。每一叢發資料讀取命令可有與前一個叢發資料 相同或不同的列位址。僅可讀取目前分頁緩衝器 。若欲讀取不同分頁,應發出新的分頁讀取(D A 令。並且在tR之後,可發出新的叢發資料讀 2Xh)命令,以存取新分頁資料。 在上述實施例中,爲了簡單,裝置元件及電 般互相連接。在本發明之實際應用中,元件、電 直接互相連接。元件、電路等等亦可經由記憶體 ,以寫入 無監視狀 進行編程 DSI,從 止。在已 高後,第 料輸出, 位址。在 ,則完成 者能指明 定列位址 取(DA & 料讀取模 2Xh)命令 讀取命令 上的資料 & OXh)命 取(DA & 路如圖中 路等等可 裝置或設 -40- 200847182 備操作所需之其他的元件、電路等等間接互相連接。因此 ,在裝置及設備的真實組態中,元件及電路可直接或間接 互相耦合或連接。 上述本發明之實施例僅意圖作爲範例。熟悉該項技藝 者可對特定實施例作出更換、變更及修改而不背離本發明 之範疇,其僅由所附之申請專利範圍所界定。 【圖式簡單說明】 參照附圖描述實施例,圖中: 第1圖爲可應用本發明之實施例的具有含有串列式連 接之裝置的架構之一範例系統之區塊圖; 第2圖爲串列式連接之記憶體裝置之範例命令格式的 示意圖; 第3圖爲分頁編程及驗證之一範例程序的示意圖; 第4圖爲兩記憶體裝置之區塊圖,其中之一作爲資料 的鏡像備用; 第5圖爲具有含有串列式連接的裝置之架構的系統之 區塊圖,其中一分頁緩衝器作爲資料之鏡像備用; 第6圖爲具有含有串列式連接的裝置之架構的另一系 統之區塊圖,其中一分頁緩衝器作爲資料之鏡像備用; 第7圖爲致能及取消第6圖之系統的LSB(最低有效 位元)忽略模式的一範例時序圖; 第8圖爲第6圖之系統的區塊圖,其中在編程失敗後 -41 - 200847182 執行資料恢復; 第9圖爲顯示第1圖中所示之串列式連接之記憶體裝 置的一部分之區塊圖; 第1 〇圖爲第9圖中所示之記憶體裝置的範例電路之 不意圖 ·, 第1 1圖爲利用鏡像備用之編程操作的方法之流程圖 9 第1 2圖爲一範例命令組的表; 第1 3圖爲一範例操作表; 第1 4圖爲顯示詳細命令與位址格式的一範例之表; 第1 5圖爲顯示記憶體系統中之基本輸入時序的一範 例時序圖; 第16圖爲顯示模組式命令NAND快閃記憶體系統中 之位元流的輸入序列之一範例時序圖; 第Ϊ 7圖爲顯示記憶體系統中之基本輸出時序的一範 例時序圖; 第1 8圖爲顯示記憶體系統中之位元流的輸出序列之 一範例時序圖; 第1 9圖爲分頁讀取操作之方法的流程圖;以及 第20圖爲顯示分頁讀取及叢發資料讀取操作之一範 例時序圖。 【主要元件符號說明】 109-1 :第一命令格式 -42- 200847182 109-2 :第二命令格式 109-3 :第三命令格式 109-4 :第四命令格式 1 2 0、1 2 7 :裝置 139、 141 :輸入連結 140、 142 :輸出連結 1 2 1、1 2 8 :快閃記憶體胞 122、129 :分頁緩衝器 1 2 6、1 3 0 :裝置控制器 150 :系統 1 5 1 :記憶體控制器 1 5 2 :資料儲存器 1 5 3 :處理器 1 54- 1 - 1 54-M ··記憶體裝置 1 5 8 - 1 - 1 5 8 -M :分頁緩衝器 1 5 9- 1 - 1 5 9-M :快閃記憶體胞 1 9 0 :系統 1 9 1 :記憶體控制器 192 :資料儲存元件 1 93 - 1 - 1 93 - 1 5 :記憶體裝置 1 94- 1 - 1 94- 1 5 :分頁緩衝器 203 :資料處理器 209 :資料處理器 2 1 〇 :記憶體控制器 -43 200847182 2 1 1 :系統 212:資料儲存元件 2 1 3 -1 · 2 1 3 -1 5 :記憶體裝置 214-1 - 214-15 :分頁緩衝器 251 : D型正反器 254、25 6 :多工器 264 :時脈產生器 265 : ID暫存器 266 : OP碼暫存器 267 : OP碼解碼器 268 :位址暫存器 269 :資料暫存器 272 :互斥非或(XNOR)邏輯電路 273 :裝置ID暫存器 2 74 : OR 閘 27 5 : AND邏輯電路 276 ·· —位元暫存器 277 : ID匹配信號 278 : AND 閘 279 :反相器 281、282、2 83、284 :輸入緩衝器 28 5 :記憶體電路 -44-

Claims (1)

  1. 200847182 十、申請專利範圍 1. 一種控制串列式互連之複數個記憶體裝置的設備, 該些記憶體裝置的每一個具有分頁緩衝器及記憶體胞,該 設備包含: 資料處理器,組態成藉由下列以資料鏡像備份來執行 分頁編程操作: 將資料寫入至該複數個記憶體裝置之一選定記憶體裝 置之該分頁緩衝器,以及至該複數個記憶體裝置之另一記 憶體裝置之該分頁緩衝器; 命令該選定記憶體裝置將載入於其分頁緩衝器中的該 資料編程至其記憶體胞中;以及 判斷該資料是否未被成功編程至該選定記憶體裝置的 該些記億體胞中,恢復來自該另一記憶體裝置的該分頁緩 衝器之該資料。 2. 如申請專利範圍第1項之設備,其中該資料處理器 組態成藉由下列來恢復來自該另一記憶體裝置的該分頁緩 衝器之該資料: 從該另一記憶體裝置的該分頁緩衝器讀回該資料,而 不將該資料編程至該另一記憶體裝置的該些記憶體胞中。 3 .如申請專利範圍第2項之設備,進一步包含: 資料儲存器,用於在將該資料寫入至該選定記憶體裝 置之該分頁緩衝器以及至該另一記憶體裝置的該分頁緩衝 器之前,儲存該資料; 該設備進一步組態成在判斷該資料是否已成功編程至 -45- 200847182 該選定記憶體裝置的該些記憶體胞中之 存器中儲存該資料的空間。 4.如申請專利範圍第3項之設備, 組態成在判斷該資料是否已成功編程至 的該些記憶體胞中之前,執行另一操作 5 .如申請專利範圍第1項之設備,$ 輸出連結,用於與該複數個記憶體 裝置連接;以及 輸入連結,用於與該複數個記憶體 體裝置連接。 6. 如申請專利範圍第5項之設備,〕 該資料處理器組態成,藉由在該輸 料,將該資料寫入至該·選定記憶體裝置 及至該另一記憶體裝置的該分頁緩衝器 該資料處理器組態成,藉由在該輸 命令,以及回應於該讀取命令而在該輸 料,恢復來自該另一記憶體裝置的該分 〇 7. 如申請專利範圍第5項之設備, 組態成藉由下列判斷該資料是否已成功 體裝置的該些記憶體胞中: 在該輸出連結上傳送讀取狀態命令 取狀態命令而在該輸入連結上接收來自 之該分頁緩衝器的編程狀態;以及 前,釋放該資料儲 其中該資料處理器 該選定記憶體裝置 〇 一步包含: 裝置的第一記憶體 裝置的最後一記憶 霉中: 出連結上傳送該資 之該分頁緩衝器以 :以及 出連結上傳送讀取 入連結上接收該資 頁緩衝器之該資料 其中該資料處理器 編程至該選定記憶 ,以及回應於該讀 該選定記憶體裝置 -46- 200847182 根據該編程狀態判斷該資料是否已成功編程至該選定 記憶體裝置的該些記憶體胞中。 8. 如申請專利範圍第2項之設備,其中該資料處理器 組態成執行下列至少一者: 在恢復該資料時,重新嘗試將該資料編程至該.選定記 憶體裝置的該些記憶體胞中,但在不同位址; 在恢復該資料時,嘗試將該資料編程至另一選定記憶 體裝置的該些記憶體胞中;以及 在恢復該資料時,將該資料儲存回該資料儲存器中。 9. 如申請專利範圍第2項之設備,其中該資料處理器 組態成傳送定址給該選定記憶體裝置之用於寫入該資料至 該選定記憶體裝置的該分頁緩衝器之第一命令,以及傳送 定址給該另一憶體裝置之用於寫入該資料至該另一記憶體 裝置的該分頁緩衝器之第二命令。 1 0.如申請專利範圍第2項之設備,其中該資料處理 器組態成傳送用於寫入該資料至該選定記憶體裝置的該分 頁緩衝器以及該另一記憶體裝置的該分頁緩衝器兩者之單 一命令。 1 1 ·如申請專利範圍第1 0項之設備,其中該資料處理 器組態成藉由下列來寫入該資料至該選定記憶體裝置的該 分頁緩衝器以及該另一記憶體裝置的該分頁緩衝器兩者: 廣播第一訊息,以告知所有記憶體裝置進入多位址偵 測模式,其中該另一記憶體裝置將處理定址給該選定記憶 體裝置的命令;以及 -47 - 200847182 發送用於寫入該資料至該選定記憶體裝置的該分頁緩 衝器以及該另一記憶體裝置的該分頁緩衝器兩者之該單一 命令;以及 廣播第二訊息,以告知所有該些記憶體裝置離開該多 位址偵測模式。 12.如申請專利範圍第11項之設備,其中 該第一訊息爲寫入鏈結組態暫存器命令;以及 該第二訊息爲寫入鏈結組態暫存器命令。 1 3 . —種系統,包含: 串列式互連之複數個記憶體裝置,各記憶體裝置具有 分頁緩衝器及記憶體胞;以及 用於控制該複數個記憶體裝置之設備,該設備包含資 料處理器,其組態成藉由下列以資料鏡像備份來執行分頁 編程操作_· 將資料寫入至該複數個記憶體裝置之一選定記憶體裝 置之該分頁緩衝器,以及至該複數個記憶體裝置之另一記 憶體裝置之該分頁緩衝器; 命令該選定記憶體裝置將載入於其分頁緩衝器中的該 資料編程至其記憶體胞中;以及 若該資料未被成功編程至該選定記憶體裝置的該些記 憶體胞中,恢復來自該另一記憶體裝置的該分頁緩衝器之 該資料。 14.如申請專利範圍第13項之系統,其中該資料處理 器組態成藉由下列來恢復來自該另一記憶體裝置的該分頁 -48- 200847182 緩衝器之該資料: 從該另一記憶體裝置的該分頁緩衝器讀回該資料,而 不將該資料編程至該另一記憶體裝置的該些記憶體胞中。 15. 如申請專利範圍第14項之系統,其中該設備進一 步包含: 資料儲存器,用於在將該資料寫入至該選定記憶體裝 置之該分頁緩衝器以及至該另一記憶體裝置的該分頁緩衝 器之前,儲存該資料; 該設備進一步組態成在判斷該資料是否已成功編程至 該選定記憶體裝置的該些記憶體胞中之前,釋放該資料儲 存器中該資料所佔據的空間。 16. 如申請專利範圍第13項之系統,其中該設備進一 步包含: 輸出連結,連接至該複數個記憶體裝置的第一記憶體 裝置;以及 輸入連結,連接至該複數個記憶體裝置的最後一記憶 體裝置。 1 7. —種用於控制串列式互連之複數個記憶體裝置的 方法,各記憶體裝置具有分頁緩衝器及記憶體胞,該方法 包含: 傳送資料至該複數個記憶體裝置之一選定記憶體裝置 之該分頁緩衝器,以及至該複數個記憶體裝置之另一記憶 體裝置之該分頁緩衝器; 命令該選定記憶體裝置將載入於其分頁緩衝器中的該 -49- 200847182 資料編程至其記憶體胞中;以及 若該資料未被成功編程至該選定記憶體裝置的該些記 憶體胞中,恢復來自該另一記憶體裝置的該分頁緩衝器之 該資料。 1 8 .如申請專利範圍第1 7項之方法,其中恢復來自該 另一記憶體裝置的該分頁緩衝器之該資料包含: 從該另一記憶體裝置的該分頁緩衝器讀回該資料,而 不將該資料編程至該另一記憶體裝置的該些記憶體胞中。 19.如申請專利範圍第17項之方法,進一步包含: 在將該資料寫入至該選定記憶體裝置之該分頁緩衝器 以及至該另一記憶體裝置的該分頁緩衝器之前,儲存該資 料; 在判斷該資料是否已成功編程至該選定記憶體裝置的 該些記憶體胞中之前,釋放該資料所佔據的空間。 2 0.—種用作串列式連接之一組記憶體裝置之一的記 憶體裝置,該記憶體裝置包含: 輸入連結; 輸出連結; 該記憶體裝置之裝置位址的識別;以及 裝置控制器,其組態成: 接收進入與離開多位址偵測模式的訊息,以及相 應地進入與離開該多位址偵測模式; 在該輸入連結上接收命令,該命令包含裝置位址 -50- 200847182 當不在該多位址偵測模式中時,僅若該命令的該 裝置位址匹配該裝置的該裝置位址,才處理該命令;以及 當在該多位址偵測模式中時:i)若該命令的該裝 置位址與該裝置的該裝置位址相同,則處理該命令,以及 Π)若該命令的該裝置位址與至少一其他預定裝置之該裝置 位址相同,則處理該命令。 21. 如申請專利範圍第20項之記憶體裝置,其中: 該裝置控制器藉由接收寫入鏈結組態暫存器命令來接 收進入與離開該多位址偵測模式的訊息。 22. 如申請專利範圍第20項之記憶體裝置,其中該 至少一預定裝置的該裝置位址包含以預定方式與該給定裝 置的該裝置位址不同的任何裝置位址: 23. 如申請專利範圍第22項之記憶體裝置,其中以 預定方式與該給定裝置的該裝置位址不同的該任何裝置位 址包含:與該給定裝置的該裝置位址僅差單一預定位元之 任何裝置位址。 24. 如申請專利範圍第23項之記憶體裝置,其中該 單一預定位元爲最低有效位元。 25. 如申請專利範圍第20項之記憶體裝置,其中: 該記憶體裝置進一步包含分頁緩衝器及記憶體胞; 該命令進一步包含資料; 該命令係用於將該資料載入該分頁緩衝器中;以及 該裝置控制器組態成藉由將該資料載入該分頁緩衝器 中而處理該命令。 -51 - 200847182 26. —種在形成串列式連接之一組記憶體裝置的一部 分之記憶體裝置中的方法,該方法包含: 維持裝置位址; 接收進入與離開多位址偵測模式的訊息; 接收包含裝置位址的命令; 當不在該多位址偵測模式中時,僅若該命令的該裝置 位址匹配該裝置位址,才處理該命令;以及 當在該多位址偵測模式中時: 若該命令的該裝置位址與該裝置的該裝置位址相 同,則處理該命令;以及 若該命令的該裝置位址與至少一其他預定裝置之 該裝置位址相同,則處理該命令。 -52-
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TW097105439A TWI479312B (zh) 2007-02-22 2008-02-15 用以與串聯連接之複數個記憶體裝置的串聯互連通信的方法以及記憶體系統
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TW097105440A TWI417726B (zh) 2007-02-22 2008-02-15 利用資料鏡像備份之用於記憶體裝置的分頁編程操作之設備和方法

Family Applications Before (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW097105439A TWI479312B (zh) 2007-02-22 2008-02-15 用以與串聯連接之複數個記憶體裝置的串聯互連通信的方法以及記憶體系統
TW102133854A TW201419306A (zh) 2007-02-22 2008-02-15 利用資料鏡像備份之用於記憶體裝置的分頁編程操作之設備和方法

Country Status (8)

Country Link
US (6) US8046527B2 (zh)
EP (2) EP2118901B1 (zh)
JP (2) JP5646178B2 (zh)
KR (1) KR101486093B1 (zh)
CN (1) CN101632128B (zh)
ES (1) ES2437999T3 (zh)
TW (3) TWI479312B (zh)
WO (2) WO2008101316A1 (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI454922B (zh) * 2011-12-19 2014-10-01 Phison Electronics Corp 記憶體儲存裝置及其記憶體控制器與資料寫入方法
TWI472925B (zh) * 2010-02-09 2015-02-11 Mitsubishi Electric Corp 傳送控制裝置、記憶體控制裝置,以及具備前述傳送控制裝置之plc
TWI476589B (zh) * 2011-08-25 2015-03-11 Macronix Int Co Ltd 記憶體編程方法及應用其之快閃記憶體裝置

Families Citing this family (48)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8041879B2 (en) * 2005-02-18 2011-10-18 Sandisk Il Ltd Flash memory backup system and method
US7652922B2 (en) * 2005-09-30 2010-01-26 Mosaid Technologies Incorporated Multiple independent serial link memory
US8046527B2 (en) 2007-02-22 2011-10-25 Mosaid Technologies Incorporated Apparatus and method for using a page buffer of a memory device as a temporary cache
US8086785B2 (en) 2007-02-22 2011-12-27 Mosaid Technologies Incorporated System and method of page buffer operation for memory devices
KR100823175B1 (ko) * 2007-02-27 2008-04-18 삼성전자주식회사 프로그램 성능을 향상시킬 수 있는 플래시 메모리 장치 및그것을 포함한 메모리 시스템
US7894294B2 (en) * 2008-01-23 2011-02-22 Mosaid Technologies Incorporated Operational mode control in serial-connected memory based on identifier
KR100953044B1 (ko) * 2008-05-26 2010-04-14 주식회사 하이닉스반도체 불휘발성 메모리 장치의 프로그램 방법
US8194481B2 (en) 2008-12-18 2012-06-05 Mosaid Technologies Incorporated Semiconductor device with main memory unit and auxiliary memory unit requiring preset operation
US8037235B2 (en) * 2008-12-18 2011-10-11 Mosaid Technologies Incorporated Device and method for transferring data to a non-volatile memory device
US20100211546A1 (en) * 2009-02-13 2010-08-19 Lennox Manufacturing Inc. System and method to backup data about devices in a network
TWI420528B (zh) * 2009-03-11 2013-12-21 Silicon Motion Inc 用來增進一快閃記憶體的效能之方法以及相關之可攜式記憶裝置及其控制器
US8463959B2 (en) * 2010-05-31 2013-06-11 Mosaid Technologies Incorporated High-speed interface for daisy-chained devices
US10108684B2 (en) * 2010-11-02 2018-10-23 Micron Technology, Inc. Data signal mirroring
EP2691857B1 (en) * 2011-03-31 2016-11-30 Intel Corporation Memory mirroring and redundancy generation for high availability
US9390049B2 (en) * 2011-06-03 2016-07-12 Micron Technology, Inc. Logical unit address assignment
KR101847976B1 (ko) * 2011-11-03 2018-04-12 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 시스템
US8797799B2 (en) * 2012-01-05 2014-08-05 Conversant Intellectual Property Management Inc. Device selection schemes in multi chip package NAND flash memory system
US9471484B2 (en) 2012-09-19 2016-10-18 Novachips Canada Inc. Flash memory controller having dual mode pin-out
CN104969202B (zh) * 2012-11-30 2018-04-03 学校法人中央大学 半导体存储装置及其控制方法
KR102002826B1 (ko) 2012-12-04 2019-07-23 삼성전자 주식회사 저장 장치, 플래시 메모리 및 저장 장치의 동작 방법
KR102106959B1 (ko) * 2013-02-21 2020-05-07 에프아이오 세미컨덕터 테크놀로지스, 엘엘씨 멀티 레벨 셀 비휘발성 메모리 시스템
KR102310580B1 (ko) * 2014-10-24 2021-10-13 에스케이하이닉스 주식회사 메모리 시스템 및 메모리 시스템의 동작 방법
KR102292217B1 (ko) * 2015-02-06 2021-08-24 삼성전자주식회사 내부적으로 데이터 읽기 검증을 수행할 수 있는 메모리 장치, 이의 작동 방법, 및 이를 포함하는 메모리 시스템
JP5920509B2 (ja) * 2015-03-19 2016-05-18 富士通株式会社 コントローラの制御プログラム、およびコントローラの制御方法
KR102319402B1 (ko) * 2015-06-30 2021-11-01 에스케이하이닉스 주식회사 복수의 채널들을 통해 반도체 메모리 장치들을 제어하는 메모리 시스템
KR20170030215A (ko) * 2015-09-09 2017-03-17 에스케이하이닉스 주식회사 메모리 장치
KR102417976B1 (ko) * 2015-10-21 2022-07-07 에스케이하이닉스 주식회사 메모리 시스템 및 이의 동작 방법
KR20170075855A (ko) * 2015-12-23 2017-07-04 에스케이하이닉스 주식회사 메모리 시스템 및 메모리 시스템의 동작 방법
US10152276B2 (en) 2016-07-18 2018-12-11 Winbond Electronics Corporation Memory device including data processor and program method of same
US10057209B2 (en) * 2016-07-28 2018-08-21 Qualcomm Incorporated Time-sequenced multi-device address assignment
CN107783727B (zh) * 2016-08-31 2022-01-14 华为技术有限公司 一种内存设备的访问方法、装置和系统
KR20180038109A (ko) * 2016-10-05 2018-04-16 삼성전자주식회사 모니터링 회로를 포함하는 전자 장치 및 그것에 포함되는 스토리지 장치
US10552045B2 (en) 2016-11-16 2020-02-04 Sandisk Technologies Llc Storage operation queue
US10528256B2 (en) 2017-05-24 2020-01-07 International Business Machines Corporation Processing a space release command to free release space in a consistency group
US10489087B2 (en) 2017-05-24 2019-11-26 International Business Machines Corporation Using a space release data structure to indicate tracks to release for a space release command to release space of tracks in a consistency group being formed
KR102398186B1 (ko) 2017-07-03 2022-05-17 삼성전자주식회사 메모리 컨트롤러의 동작 방법 및 사용자 장치의 동작 방법
KR20190006314A (ko) 2017-07-10 2019-01-18 에스케이하이닉스 주식회사 메모리 시스템 및 이의 동작 방법
KR102496272B1 (ko) * 2017-09-27 2023-02-03 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치, 및 이의 동작 방법
KR20190052441A (ko) * 2017-11-08 2019-05-16 에스케이하이닉스 주식회사 메모리 컨트롤러 및 그 동작 방법
CN109815157B (zh) * 2017-11-22 2022-06-17 北京忆芯科技有限公司 编程命令处理方法与装置
KR20190140788A (ko) 2018-06-12 2019-12-20 에스케이하이닉스 주식회사 메모리 컨트롤러 및 이를 포함하는 메모리 시스템
CN110647426B (zh) * 2018-06-27 2023-04-11 龙芯中科技术股份有限公司 双机热备份方法、装置、系统与计算机存储介质
KR20200010933A (ko) * 2018-07-23 2020-01-31 에스케이하이닉스 주식회사 메모리 시스템 및 그것의 동작방법
US10931283B2 (en) * 2019-03-12 2021-02-23 Intel Corporation Integrated circuits having memory with flexible input-output circuits
KR20210017908A (ko) 2019-08-09 2021-02-17 에스케이하이닉스 주식회사 저장 장치 및 그 동작 방법
JP2022141178A (ja) * 2021-03-15 2022-09-29 キオクシア株式会社 メモリシステム
US20230244624A1 (en) * 2022-01-28 2023-08-03 Texas Instruments Incorporated Methods and apparatus to preform inter-integrated circuit address modification
EP4220423A1 (en) * 2022-02-01 2023-08-02 Vito NV A daisy chain connected master-slave communication system and a method of operating thereof

Family Cites Families (160)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4014A (en) * 1845-04-26 Improvement in machines for skimming liquids
US2264395A (en) 1940-10-22 1941-12-02 Bell Telephone Labor Inc Power line carrier frequency telephone system
US4174536A (en) * 1977-01-21 1979-11-13 Massachusetts Institute Of Technology Digital communications controller with firmware control
US4617566A (en) 1983-12-15 1986-10-14 Teleplex Corporation Addressable-port, daisy chain telemetry system with self-test capability
EP0179605B1 (en) * 1984-10-17 1992-08-19 Fujitsu Limited Semiconductor memory device having a serial data input circuit and a serial data output circuit
US4683555A (en) * 1985-01-22 1987-07-28 Texas Instruments Incorporated Serial accessed semiconductor memory with reconfigureable shift registers
JPS62152050A (ja) * 1985-12-26 1987-07-07 Nec Corp 半導体メモリ
JPS63113624A (ja) * 1986-10-30 1988-05-18 Tokyo Electric Co Ltd 電子秤のプリンタインタ−フエ−ス
JPH0714392B2 (ja) 1987-02-26 1995-02-22 株式会社東芝 超音波プロ−ブ
GB2217056A (en) * 1988-03-23 1989-10-18 Benchmark Technologies Double buffering in multi-processor
US5136292A (en) * 1989-03-15 1992-08-04 Oki Electric Industry Co., Ltd. Serial data receiving circuit for serial to parallel conversion
US7190617B1 (en) * 1989-04-13 2007-03-13 Sandisk Corporation Flash EEprom system
US5226168A (en) 1989-04-25 1993-07-06 Seiko Epson Corporation Semiconductor memory configured to emulate floppy and hard disk magnetic storage based upon a determined storage capacity of the semiconductor memory
US5126808A (en) * 1989-10-23 1992-06-30 Advanced Micro Devices, Inc. Flash EEPROM array with paged erase architecture
US5175819A (en) * 1990-03-28 1992-12-29 Integrated Device Technology, Inc. Cascadable parallel to serial converter using tap shift registers and data shift registers while receiving input data from FIFO buffer
US5243703A (en) * 1990-04-18 1993-09-07 Rambus, Inc. Apparatus for synchronously generating clock signals in a data processing system
US5204669A (en) 1990-08-30 1993-04-20 Datacard Corporation Automatic station identification where function modules automatically initialize
JPH04167039A (ja) * 1990-10-31 1992-06-15 Toshiba Corp データ書き込み方式
US5319598A (en) 1990-12-10 1994-06-07 Hughes Aircraft Company Nonvolatile serially programmable devices
US5132635A (en) 1991-03-05 1992-07-21 Ast Research, Inc. Serial testing of removable circuit boards on a backplane bus
US5249270A (en) * 1991-03-29 1993-09-28 Echelon Corporation Development system protocol
US5430859A (en) 1991-07-26 1995-07-04 Sundisk Corporation Solid state memory system including plural memory chips and a serialized bus
US6230233B1 (en) * 1991-09-13 2001-05-08 Sandisk Corporation Wear leveling techniques for flash EEPROM systems
US6347051B2 (en) * 1991-11-26 2002-02-12 Hitachi, Ltd. Storage device employing a flash memory
KR950000761B1 (ko) * 1992-01-15 1995-01-28 삼성전자 주식회사 직렬 입력신호의 동기회로
US5398330A (en) * 1992-03-05 1995-03-14 Seiko Epson Corporation Register file backup queue
JP3088180B2 (ja) * 1992-03-26 2000-09-18 日本電気アイシーマイコンシステム株式会社 シリアル入力インタフェース回路
KR960000616B1 (ko) * 1993-01-13 1996-01-10 삼성전자주식회사 불휘발성 반도체 메모리 장치
US5519843A (en) 1993-03-15 1996-05-21 M-Systems Flash memory system providing both BIOS and user storage capability
JPH06275069A (ja) * 1993-03-20 1994-09-30 Hitachi Ltd シリアルメモリ
JPH0714392A (ja) * 1993-06-14 1995-01-17 Toshiba Corp 不揮発性半導体メモリおよびそれを使用した半導体ディスク装置
US5365484A (en) * 1993-08-23 1994-11-15 Advanced Micro Devices, Inc. Independent array grounds for flash EEPROM array with paged erase architechture
JPH0793219A (ja) * 1993-09-20 1995-04-07 Olympus Optical Co Ltd 情報処理装置
US5602780A (en) * 1993-10-20 1997-02-11 Texas Instruments Incorporated Serial to parallel and parallel to serial architecture for a RAM based FIFO memory
US5452259A (en) * 1993-11-15 1995-09-19 Micron Technology Inc. Multiport memory with pipelined serial input
US5404460A (en) * 1994-01-28 1995-04-04 Vlsi Technology, Inc. Method for configuring multiple identical serial I/O devices to unique addresses through a serial bus
US5596724A (en) * 1994-02-04 1997-01-21 Advanced Micro Devices Input/output data port with a parallel and serial interface
US5696917A (en) 1994-06-03 1997-12-09 Intel Corporation Method and apparatus for performing burst read operations in an asynchronous nonvolatile memory
US5655113A (en) * 1994-07-05 1997-08-05 Monolithic System Technology, Inc. Resynchronization circuit for a memory system and method of operating same
DE4429433C1 (de) * 1994-08-19 1995-10-26 Siemens Ag Adreßzuordnungsverfahren
US5473566A (en) * 1994-09-12 1995-12-05 Cirrus Logic, Inc. Memory architecture and devices, systems and methods utilizing the same
KR0142367B1 (ko) * 1995-02-04 1998-07-15 김광호 열 리던던씨를 가지는 불휘발성 반도체 메모리의 소거 검증회로
US5636342A (en) * 1995-02-17 1997-06-03 Dell Usa, L.P. Systems and method for assigning unique addresses to agents on a system management bus
US5729683A (en) * 1995-05-18 1998-03-17 Compaq Computer Corporation Programming memory devices through the parallel port of a computer system
US6728851B1 (en) * 1995-07-31 2004-04-27 Lexar Media, Inc. Increasing the memory performance of flash memory devices by writing sectors simultaneously to multiple flash memory devices
US5835935A (en) * 1995-09-13 1998-11-10 Lexar Media, Inc. Method of and architecture for controlling system data with automatic wear leveling in a semiconductor non-volatile mass storage memory
JPH0991197A (ja) 1995-09-22 1997-04-04 Sharp Corp データ転送制御装置
JP3693721B2 (ja) * 1995-11-10 2005-09-07 Necエレクトロニクス株式会社 フラッシュメモリ内蔵マイクロコンピュータ及びそのテスト方法
TW307869B (en) * 1995-12-20 1997-06-11 Toshiba Co Ltd Semiconductor memory
KR100211760B1 (ko) * 1995-12-28 1999-08-02 윤종용 멀티뱅크 구조를 갖는 반도체 메모리 장치의 데이타 입출력 경로 제어회로
KR0170723B1 (ko) * 1995-12-29 1999-03-30 김광호 단일 ras 신호에 의해 동시 동작이 가능한 이중 뱅크를 갖는 반도체 메모리 장치
US5828899A (en) * 1996-01-04 1998-10-27 Compaq Computer Corporation System for peripheral devices recursively generating unique addresses based on the number of devices connected dependent upon the relative position to the port
JPH09231740A (ja) * 1996-02-21 1997-09-05 Nec Corp 半導体記憶装置
US5860080A (en) * 1996-03-19 1999-01-12 Apple Computer, Inc. Multicasting system for selecting a group of memory devices for operation
US5941974A (en) * 1996-11-29 1999-08-24 Motorola, Inc. Serial interface with register selection which uses clock counting, chip select pulsing, and no address bits
JP3706703B2 (ja) 1996-12-27 2005-10-19 ローム株式会社 Icカード
KR100243335B1 (ko) * 1996-12-31 2000-02-01 김영환 독립적인 리프레쉬 수단을 가지는 데이지 체인 구조의 반도체 장치
KR100272037B1 (ko) * 1997-02-27 2000-12-01 니시무로 타이죠 불휘발성 반도체 기억 장치
US6442644B1 (en) * 1997-08-11 2002-08-27 Advanced Memory International, Inc. Memory system having synchronous-link DRAM (SLDRAM) devices and controller
GB2329792A (en) * 1997-08-20 1999-03-31 Nokia Telecommunications Oy Identification signals enable a transceiver module to correctly configure itself to an attached functional module
JPH1166841A (ja) * 1997-08-22 1999-03-09 Mitsubishi Electric Corp 半導体記憶装置
KR100240873B1 (ko) * 1997-08-26 2000-01-15 윤종용 송수신 겸용의 레지스터를 갖는 직렬인터페이스장치
JP4039532B2 (ja) * 1997-10-02 2008-01-30 株式会社ルネサステクノロジ 半導体集積回路装置
AU9604698A (en) 1997-10-10 1999-05-03 Rambus Incorporated Method and apparatus for two step memory write operations
US5937425A (en) * 1997-10-16 1999-08-10 M-Systems Flash Disk Pioneers Ltd. Flash file system optimized for page-mode flash technologies
US6148364A (en) * 1997-12-30 2000-11-14 Netlogic Microsystems, Inc. Method and apparatus for cascading content addressable memory devices
US6002638A (en) * 1998-01-20 1999-12-14 Microchip Technology Incorporated Memory device having a switchable clock output and method therefor
US6453365B1 (en) * 1998-02-11 2002-09-17 Globespanvirata, Inc. Direct memory access controller having decode circuit for compact instruction format
JP3714969B2 (ja) * 1998-03-02 2005-11-09 レクサー・メディア・インコーポレイテッド 改良されたオペレーティングモード検出機能を備えたフラッシュメモリーカード及びユーザフレンドリなインターフェーシングシステム
US6085290A (en) * 1998-03-10 2000-07-04 Nexabit Networks, Llc Method of and apparatus for validating data read out of a multi port internally cached dynamic random access memory (AMPIC DRAM)
US6144576A (en) * 1998-08-19 2000-11-07 Intel Corporation Method and apparatus for implementing a serial memory architecture
US6295618B1 (en) 1998-08-25 2001-09-25 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for data compression in memory devices
US5995417A (en) * 1998-10-20 1999-11-30 Advanced Micro Devices, Inc. Scheme for page erase and erase verify in a non-volatile memory array
JP4601737B2 (ja) * 1998-10-28 2010-12-22 株式会社東芝 メモリ混載ロジックlsi
JP2000149564A (ja) * 1998-10-30 2000-05-30 Mitsubishi Electric Corp 半導体記憶装置
US6304921B1 (en) * 1998-12-07 2001-10-16 Motorola Inc. System for serial peripheral interface with embedded addressing circuit for providing portion of an address for peripheral devices
KR100284742B1 (ko) * 1998-12-28 2001-04-02 윤종용 입출력 센스앰프의 개수가 최소화된 메모리장치
JP3853537B2 (ja) * 1999-04-30 2006-12-06 株式会社日立製作所 半導体メモリファイルシステム
US7130958B2 (en) * 2003-12-02 2006-10-31 Super Talent Electronics, Inc. Serial interface to flash-memory chip using PCI-express-like packets and packed data for partial-page writes
US6460120B1 (en) * 1999-08-27 2002-10-01 International Business Machines Corporation Network processor, memory organization and methods
US6111787A (en) 1999-10-19 2000-08-29 Advanced Micro Devices, Inc. Address transistion detect timing architecture for a simultaneous operation flash memory device
US6680904B1 (en) * 1999-12-27 2004-01-20 Orckit Communications Ltd. Bi-directional chaining of network access ports
US7356639B2 (en) 2000-01-05 2008-04-08 Rambus Inc. Configurable width buffered module having a bypass circuit
US20050160218A1 (en) * 2004-01-20 2005-07-21 Sun-Teck See Highly integrated mass storage device with an intelligent flash controller
US6442098B1 (en) * 2000-02-08 2002-08-27 Alliance Semiconductor High performance multi-bank compact synchronous DRAM architecture
WO2001069411A2 (en) 2000-03-10 2001-09-20 Arc International Plc Memory interface and method of interfacing between functional entities
JP2001265708A (ja) 2000-03-16 2001-09-28 Toshiba Corp 電子機器及び電子機器の基板
US6816933B1 (en) * 2000-05-17 2004-11-09 Silicon Laboratories, Inc. Serial device daisy chaining method and apparatus
US6643728B1 (en) 2000-05-30 2003-11-04 Lexmark International, Inc. Method and apparatus for converting IEEE 1284 signals to or from IEEE 1394 signals
US6535948B1 (en) * 2000-05-31 2003-03-18 Agere Systems Inc. Serial interface unit
US6317350B1 (en) * 2000-06-16 2001-11-13 Netlogic Microsystems, Inc. Hierarchical depth cascading of content addressable memory devices
US6728798B1 (en) 2000-07-28 2004-04-27 Micron Technology, Inc. Synchronous flash memory with status burst output
US6754807B1 (en) * 2000-08-31 2004-06-22 Stmicroelectronics, Inc. System and method for managing vertical dependencies in a digital signal processor
US6317352B1 (en) * 2000-09-18 2001-11-13 Intel Corporation Apparatus for implementing a buffered daisy chain connection between a memory controller and memory modules
US6853557B1 (en) * 2000-09-20 2005-02-08 Rambus, Inc. Multi-channel memory architecture
US6658509B1 (en) 2000-10-03 2003-12-02 Intel Corporation Multi-tier point-to-point ring memory interface
FR2816751A1 (fr) * 2000-11-15 2002-05-17 St Microelectronics Sa Memoire flash effacable par page
US6691205B2 (en) * 2001-03-05 2004-02-10 M-Systems Flash Disk Pioneers Ltd. Method for using RAM buffers with simultaneous accesses in flash based storage systems
JP4115676B2 (ja) 2001-03-16 2008-07-09 株式会社東芝 半導体記憶装置
US20020161941A1 (en) * 2001-04-30 2002-10-31 Sony Corporation And Electronics, Inc System and method for efficiently performing a data transfer operation
US6732221B2 (en) * 2001-06-01 2004-05-04 M-Systems Flash Disk Pioneers Ltd Wear leveling of static areas in flash memory
US6996644B2 (en) * 2001-06-06 2006-02-07 Conexant Systems, Inc. Apparatus and methods for initializing integrated circuit addresses
KR100413762B1 (ko) * 2001-07-02 2003-12-31 삼성전자주식회사 뱅크 수를 가변할 수 있는 반도체 장치 및 그 방법
US6769050B1 (en) * 2001-09-10 2004-07-27 Rambus Inc. Techniques for increasing bandwidth in port-per-module memory systems having mismatched memory modules
US6717847B2 (en) * 2001-09-17 2004-04-06 Sandisk Corporation Selective operation of a multi-state non-volatile memory system in a binary mode
US6456528B1 (en) * 2001-09-17 2002-09-24 Sandisk Corporation Selective operation of a multi-state non-volatile memory system in a binary mode
US6928501B2 (en) * 2001-10-15 2005-08-09 Silicon Laboratories, Inc. Serial device daisy chaining method and apparatus
US6807106B2 (en) * 2001-12-14 2004-10-19 Sandisk Corporation Hybrid density memory card
US6763426B1 (en) * 2001-12-27 2004-07-13 Cypress Semiconductor Corporation Cascadable content addressable memory (CAM) device and architecture
US6799235B2 (en) * 2002-01-02 2004-09-28 Intel Corporation Daisy chain latency reduction
JP4082913B2 (ja) 2002-02-07 2008-04-30 株式会社ルネサステクノロジ メモリシステム
US6798711B2 (en) * 2002-03-19 2004-09-28 Micron Technology, Inc. Memory with address management
US7073022B2 (en) * 2002-05-23 2006-07-04 International Business Machines Corporation Serial interface for a data storage array
US7062601B2 (en) * 2002-06-28 2006-06-13 Mosaid Technologies Incorporated Method and apparatus for interconnecting content addressable memory devices
KR100499686B1 (ko) * 2002-07-23 2005-07-07 주식회사 디지털웨이 메모리 확장 가능한 휴대용 플래쉬 메모리 장치
CA2396632A1 (en) * 2002-07-31 2004-01-31 Mosaid Technologies Incorporated Cam diamond cascade architecture
KR100487539B1 (ko) * 2002-09-02 2005-05-03 삼성전자주식회사 직렬 에이티에이 케이블과 연결되는 불휘발성 반도체메모리 장치
US7032039B2 (en) 2002-10-30 2006-04-18 Atmel Corporation Method for identification of SPI compatible serial memory devices
EP1424635B1 (en) * 2002-11-28 2008-10-29 STMicroelectronics S.r.l. Non volatile memory device architecture, for instance a flash kind, having a serial communication interface
KR100493884B1 (ko) * 2003-01-09 2005-06-10 삼성전자주식회사 시리얼 플래시 메모리에서의 현지 실행을 위한 제어 장치및 그 방법, 이를 이용한 플래시 메모리 칩
US7308524B2 (en) * 2003-01-13 2007-12-11 Silicon Pipe, Inc Memory chain
US20040199721A1 (en) * 2003-03-12 2004-10-07 Power Data Communication Co., Ltd. Multi-transmission interface memory card
US20050071542A1 (en) 2003-05-13 2005-03-31 Advanced Micro Devices, Inc. Prefetch mechanism for use in a system including a host connected to a plurality of memory modules via a serial memory interconnect
US7165153B2 (en) * 2003-06-04 2007-01-16 Intel Corporation Memory channel with unidirectional links
JP4156986B2 (ja) * 2003-06-30 2008-09-24 株式会社東芝 不揮発性半導体記憶装置
US7065697B2 (en) 2003-07-29 2006-06-20 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Systems and methods of partitioning data to facilitate error correction
US7073010B2 (en) 2003-12-02 2006-07-04 Super Talent Electronics, Inc. USB smart switch with packet re-ordering for interleaving among multiple flash-memory endpoints aggregated as a single virtual USB endpoint
US7031221B2 (en) 2003-12-30 2006-04-18 Intel Corporation Fixed phase clock and strobe signals in daisy chained chips
WO2005069150A1 (en) 2004-01-20 2005-07-28 Trek 2000 International Ltd. Portable data storage device using multiple memory devices
US7475174B2 (en) 2004-03-17 2009-01-06 Super Talent Electronics, Inc. Flash / phase-change memory in multi-ring topology using serial-link packet interface
DE102004013493B4 (de) 2004-03-18 2009-11-05 Infineon Technologies Ag Zugriffs-Verfahren für einen NAND-Flash-Speicherbaustein und ein entsprechender NAND-Flash-Speicherbaustein
WO2005121960A1 (en) * 2004-06-07 2005-12-22 Nokia Corporation Operating a storage component
US8375146B2 (en) 2004-08-09 2013-02-12 SanDisk Technologies, Inc. Ring bus structure and its use in flash memory systems
KR100705221B1 (ko) * 2004-09-03 2007-04-06 에스티마이크로일렉트로닉스 엔.브이. 플래쉬 메모리 소자 및 이를 이용한 플래쉬 메모리 셀의소거 방법
US6950325B1 (en) * 2004-10-07 2005-09-27 Winbond Electronics Corporation Cascade-connected ROM
US7822715B2 (en) * 2004-11-16 2010-10-26 Petruzzo Stephen E Data mirroring method
US7877539B2 (en) * 2005-02-16 2011-01-25 Sandisk Corporation Direct data file storage in flash memories
US8041879B2 (en) * 2005-02-18 2011-10-18 Sandisk Il Ltd Flash memory backup system and method
KR100626391B1 (ko) * 2005-04-01 2006-09-20 삼성전자주식회사 원낸드 플래시 메모리 및 그것을 포함한 데이터 처리시스템
US7391654B2 (en) * 2005-05-11 2008-06-24 Micron Technology, Inc. Memory block erasing in a flash memory device
US7853749B2 (en) * 2005-09-01 2010-12-14 Cypress Semiconductor Corporation Flash drive fast wear leveling
US7652922B2 (en) 2005-09-30 2010-01-26 Mosaid Technologies Incorporated Multiple independent serial link memory
US20070076502A1 (en) 2005-09-30 2007-04-05 Pyeon Hong B Daisy chain cascading devices
WO2007036050A1 (en) 2005-09-30 2007-04-05 Mosaid Technologies Incorporated Memory with output control
US7496777B2 (en) 2005-10-12 2009-02-24 Sun Microsystems, Inc. Power throttling in a memory system
US7631162B2 (en) 2005-10-27 2009-12-08 Sandisck Corporation Non-volatile memory with adaptive handling of data writes
CN1314625C (zh) 2005-12-27 2007-05-09 武汉理工大学 一种多元无机复合陶瓷均匀粉体合成方法
US7086785B1 (en) 2006-01-26 2006-08-08 Itt Manufacturing Enterprises, Inc. Optical fiber cartridge with easily installed body
US8364861B2 (en) 2006-03-28 2013-01-29 Mosaid Technologies Incorporated Asynchronous ID generation
US8069328B2 (en) 2006-03-28 2011-11-29 Mosaid Technologies Incorporated Daisy chain cascade configuration recognition technique
US8335868B2 (en) 2006-03-28 2012-12-18 Mosaid Technologies Incorporated Apparatus and method for establishing device identifiers for serially interconnected devices
US7506098B2 (en) 2006-06-08 2009-03-17 Bitmicro Networks, Inc. Optimized placement policy for solid state storage devices
US7545664B2 (en) * 2006-07-26 2009-06-09 International Business Machines Corporation Memory system having self timed daisy chained memory chips
US8407395B2 (en) 2006-08-22 2013-03-26 Mosaid Technologies Incorporated Scalable memory system
US7904639B2 (en) 2006-08-22 2011-03-08 Mosaid Technologies Incorporated Modular command structure for memory and memory system
US8433874B2 (en) 2006-12-06 2013-04-30 Mosaid Technologies Incorporated Address assignment and type recognition of serially interconnected memory devices of mixed type
US7650459B2 (en) * 2006-12-21 2010-01-19 Intel Corporation High speed interface for non-volatile memory
JP5385156B2 (ja) 2007-02-16 2014-01-08 モサイド・テクノロジーズ・インコーポレーテッド 半導体デバイスおよび複数の相互接続デバイスを有するシステムの電力消費を低減するための方法
US8086785B2 (en) 2007-02-22 2011-12-27 Mosaid Technologies Incorporated System and method of page buffer operation for memory devices
US8046527B2 (en) 2007-02-22 2011-10-25 Mosaid Technologies Incorporated Apparatus and method for using a page buffer of a memory device as a temporary cache

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI472925B (zh) * 2010-02-09 2015-02-11 Mitsubishi Electric Corp 傳送控制裝置、記憶體控制裝置,以及具備前述傳送控制裝置之plc
US9311262B2 (en) 2010-02-09 2016-04-12 Mitsubishi Electric Corporation Transmission control device, memory control device, and PLC including the transmission control device
TWI476589B (zh) * 2011-08-25 2015-03-11 Macronix Int Co Ltd 記憶體編程方法及應用其之快閃記憶體裝置
TWI454922B (zh) * 2011-12-19 2014-10-01 Phison Electronics Corp 記憶體儲存裝置及其記憶體控制器與資料寫入方法

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