TW200838139A - Dynamic frequency dividing circuit operating within limited frequency range - Google Patents

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200838139 九、發明說明： ^ [相關申請之交互參照] . 本申請案主張於2007年2月22曰提出申請之曰本專 -利申請案第2007-042262號的優先權，該案之全部内容併 ： 入本案作爲參考。 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於一種在有限頻率範圍内運作之動態頻 率分割電路’且尤關於一種具有主電路（master circuit)及從 ' 電路（slave circuit)之主從頻率分割電路（master-slave frequency dividing circuit)。 【先前技術】 頻率分割電路（頻率分割器（freqUenCy divider))係為產 生頻率為輸入訊號頻率之整約數（integral submultiple)之 訊號的基本電路，並且廣泛應用於嘸線電通訊系統（radi〇 communication)之頻率合成器（frequenCy Synthesizer)ic 的 \預定標器（Prescaler)部、光通訊1C之時脈產生部或π/2相 移器（phase shifter)等。 頻率分割電路有兩種主要類型：靜態頻率分割電路， 係運作在DC附近至高頻率的頻率範圍中；以及動態頻率 分割電路，係運作在有限頻率範圍内。相較於靜態頻率分 割電路，動態頻率分割電路具有低功耗、高運作速度等優 點，正廣泛應用於近年來傳輪速度不斷提升之無線電/光通 訊系統中。 習知技術中，日本專利第33 50337號揭露一種具有主 319774 5 200838139 電路及從電路之主從型（亦稱作時脈反相器型沁比呔以 • _rter type))動態頻率分割電路，其中，該從電路之輪出 :=授至主電路’並依據所施加之時脈訊號來切換主電路 :率開關狀態_到卿或⑽到〇N)而執行頻 ^方面’日本未審查專利公開第雇_Q225 :―種組構，其中動態頻率分割電路係包含-正回授電 f ^含正回授電路之該動態頻率分割電路可擴展工作頻 功’但由於需要供應電流給該正回授電路因而增加了 泉异f外’日本未審查專利公開第2_-261311號（例如， /弟2圖）揭露一種主從動態/ 雷阳#加认 干刀口j电路，其中，負藭 糸根據工作頻率而在不同數值之士 —此*且Μ +西4·曰W l α 1地切換。由於 故;. 切換電路及控制電路用以切換負载電阻， 故增加了功耗及電路尺寸。 ’ 【發明内容】 本發明提供-種具有主電路及從電 路，其中，該主電路與從電路之至少复中封電 構成為提供隨頻率增加而減少之阻抗。、者之負载部係 【實施方式】 π詳細料本發明之實施狀前，s 迷習^從動態頻率分割電路及其缺失。4 1至4圖插 A:1圖係為習知主從動態頻率分割 用场釋弟1圖所示之頻率分割電路之運： 319774 6 200838139 的圖。在第i圖中’元件符號1〇〇為主電路、元件符號· •為從電路，GND係、為高電位電源供應(例如接地電位，〇 ^伏特），VSS係為低電位電源供應（例如-1.6伏特），Cl係為 仗電路之負載電容’ Rl係為從電路之負載電阻，以及vb :為控制偏壓。f2A圖係顯示高速運作狀態(電路正常運 作）’第2B圖係顯示低速運作狀態（電路無法正常運作）。 /如第1圖所示，習知主從動態頻率分割電路的一個範 例係包括主電路1〇〇及從電路2〇〇 ;在此，該主電路工㈧ 包括：電阻器R101至r103，二極體D1〇1及m〇2，以及 電晶體（η通道MOS電晶體）τ1〇ι至T107(T1〇8);該從電 路200包括·電阻态R2〇l至R203，二極體D201及D202， 以及電晶體T2G1至Τ207。f 1圖所示之電路係為以負供 應電壓（Vss)驅動之差動頻率分割電路，但此處之描述同樣 適用於以正供應電壓驅動之差動頻率分割電路或單端頻率 分割電路。 ' 在此’差動日k脈IN(P)及IN(N)係分別施加於電晶體 T103及T203之閘極，從電路2〇〇之差動輸出（頻率分割電 路之輸出OUT(P)及OUT(N))係施加於主電路i 00之差動對 電晶體T101及T1〇2的閘極，而主電路1〇〇之差動輸出係 施加於從電路200之差動對電晶體Τ2〇ι及Τ202的閘極。 控制偏壓Vb係施加於電晶體丁1〇6至τι〇8、Τ206以及Τ207 之閘極。 首先’如第2Α圖所示，在主從動態頻率分割電路中， 當時脈（負邏輯時脈ΙΝ(Ν))之邏輯位準為高“Η”而從電路 7 319774 200838139 」〇〇為開啓狀態時’主電路_之輪出係供給至該從電路 、200,而在從輪出端會出現一與該從電路2〇〇(假定為放大 .!〇之放大係數成比例之訊號（第丨^ ，正邏輯 -OUT(P)) 〇 3 ® : 接著’如第2B圖所示，在主從動態頻率分割電路中， 當時脈（負邏輯時脈IN⑽之邏輯位準為低“ L，，而從電路 200為關閉狀態時，從電路之 f 謝™會隨時間常數岐衰減。負邏輯之從輸出〇:出 同樣會隨時間常數RlCl衰減，並且主電路1〇 以類似方式衰減。 顆』出才 费隨=?率分割電路中，如上所述，由於輸出訊 現丨通％間常數R &衰減，合 1 θ出現如下狀況：當時脈頻率 為同日守，=弟2Α圖所示，時脈（負邏輯時脈ιν(ν))之下一 =低到南之轉變會在輸出訊號完全衰減（完全放幻之前 I., :二’因恤正常執行頻率分割運作，但當時脈頻率為 個^ 2Β圖所示，在時脈（負邏輯時脈1Ν(Ν))之下一 固由低到南之轉變發&技 认 電 、Χ、/輸出訊號已完全衰減（完全放 、 ^路無法正常執行頻率分割運作。 運作：t式’儘管該動態頻率分割電路具有低功耗及高 電，:優點’但由於其狀態取決於負載電容之充放 能，而因Γ作頻率會受限於電容值以及電路之充放電效 而口此工作頻率範圍通常較窄。 若時面’在靜態頻率分割電路的情況中，如前所述， 文’可猎由例如正回授電路而保持原始電位。亦 319774 8 200838139 即’靜悲頻率分到雷败7 — ° 糟由正回授電路而實現穩定運 作，：有功耗大及晶片面積增加等缺失。 第3圖係為另_習知主從動態頻率分割電路之電路 圖，而第4圖係為第3圓辦— 圖所不之頻率分割電路之輸入靈敏 度與頻率之間的關係的立 _ ν ^ ㈣的不思圖。第3圖所示之電路係前面 曰乂到的日本未審查專利公開第2嶋·2613〗丨號中所揭露 的個电路其為以正供應電壓（Vcc)驅動之差動頻率分巧 電路，並採用卿雙極性電晶體（bipolar t刪istGr)作為電 晶體。 如第3圖所不’ f知主從動態頻率分割電路之另一範 例包括主電路1〇1及從電路2〇1 ;在此，主電路ι〇ι包括： 包阻态R111至R113和R12〇,以及電晶體(NpN雙極性電 晶體）T111至T113;從電路2〇1包括：電阻器R211至R213 和R220,以及電晶體T2U至Τ213。標記cs表示電流源。 主電路101中，電阻器Rlll至RH3共同形成負载手 段111’同樣，從電路201巾，電阻器R21uR213共同 形成負載手段211。主電路1〇1及從電路2〇1之負載手段 111及211各組構成能夠於不同值之間切換負載的大小。 具體而言，在主電路101之負戴手段1U中（從電路 201之負載手段211) ’當端子VR處於開路（open)狀態時， 電源供應線（Vcc)與輸出端子vo+(v〇_)之間的負載係由電 阻器R112及R113(電阻器R212與MU)之合併電阻（例 如’負載電阻RL=900Q)構成，俾以增加電壓振幅進而得以 處理低工作頻率；當端子VR連接至電源供應線（Vcc)時， 319774 9 200838139 電源供應線（Vcc)與輸出端子vo+(vo-)之間的負载係由電 •阻器Rin至R113(電阻器R211至R213)之合併電阻（例 •如，負載電阻RL=500Q)構成，俾以減小電壓振幅進而得 • 處理高工作頻率。 、 - 亦即，如第4圖所示，第3圖所示之習知主從動態頻 率分割電路的範例係組構成使得例如當負载手段〗丨1(幻G 所提供之負載電阻rl為50(^時，頻率範圍落在4〇gHz至 60GHz之間的輸入訊號（V2+，V2_)會被頻率分割，而當負 载=段111(211)所提供之負載電阻〜為9〇〇Ω時，頻率旄 圍落在30GHz至50GHz之間的輸入訊號會被頻率分割， 亦即，藉由以此方式控制負載手段〗丨1(2n)，頻率分割電 路可在3GGHz至6GGHz之寬頻率範圍内執行頻率分割操 ^ 〇 如上所述，習知技術係藉由在不同值之間切換負载電 阻而提供得以擴展工作頻率範圍之動態頻率分割電路。然 而，此動態頻率分割電路需要提供切換電路及控制電路以 切換負載電阻，因此具有功耗增加及電路尺寸增大之缺失。 實施例之目的係在於提供一種頻率分割電路，其具 有較見之工作頻率範圍，並無需使用專門的切換電路或控 制電路因而得以縮小尺寸並降低功耗。 下面茶照附圖詳細説明本發明之頻率分割電路的實施 例。 、 第5圖係為本發明第一實施例之頻率分割電路。在第 5圖中，元件符號！為主電路，元件符號2為從電路，漏 319774 10 200838139

如第5圖所示’第一實施例之頻率分割電路包括主電 路1及從電路2 ;在此，該主電路丨包括：電阻器州至 R15，二極體D11及D12，電容器cu及ο)，以及電晶 體（η通道MOS電晶體）T11至T17(T18);該從電路2包括曰: 電阻器R21至R25，二極體D21及D22 ,電容哭Γ21芬 ⑶，以及電晶體τ…7。第5圖所示之;；= 負供應電壓（Vss)驅動之差動頻率分割電路，但此處所作之 描述同樣適用於以正供應電壓驅動之差動頻率分割電路或 單端頻率分割電路。 顯然，與第1圖所示之習知頻率分割電路相比，第一 貝麵例之頻率分割電路之主電路丨中，係於電阻器R12與 電晶體T11之汲極之間插入並聯連接之電阻器R14及電容 器C11，並於電阻器R13與電晶體Τ12之汲極之間插入並 ( 聯連接之電阻器及電容器C12。 另外’弟一實施例之頻率分割電路之從電路2中，係 於電阻器R22與電晶體T21之汲極之間插入並聯連接之電 阻器R24及電容器C2i，並於電阻器r23與電晶體T22之 没極之間插入並聯連接之電阻器R25及電容器C22。在 此’電阻器R12、R13、R22、R23之電阻係與第1圖所示 之頻率分割電路中的對應電阻R1〇2、ri〇3、R202、R203 之電阻相同或稍低於後者。 主電路1中，串聯於差動電晶體對之第一電晶體T11 π 319774 200838139 與第一電源供應線（接地線GND)之間的兩個主電路負载電 阻™ R12及R14、以及與兩個主電路負載電阻器之其中一 者（亦即，電阻器R14)並聯之主電路負載電容器c丨1係共 同=成位於第—電晶體T11與第一電源供應線GND之間 的第一主電路負載部；而串聯於差動電晶體對之第二電晶 體=12與第一電源供應線GND之間的兩個主電路負载電 阻器R13及Rl5、以及與兩個主電路負載電阻器之其中一 者（亦即’電阻器R15)並聯之主電路負載電容器C12、係共 同形成位於第二電晶體T12與第―電源供應線gnd之間 的第二主電路負載部。 同樣二從電路2中，串聯於差動電晶體對之第三電晶 體T21與第一電源供應線GND之間的兩個從電路負載電 阻器R22及R24、以及與兩個從電路負載電阻器之其中一 者（亦P书阻态R24)並聯之從電路負載電容器C21係乒 _成位於第三電晶體T21與第—電源供應線遍之間 的第-從電路負载部；❿串聯於差動電晶體對之第四電晶 體T22與第一電源供應線GND之間的兩個從電路負载電 阻器R23及R25、以及與兩個從電路負載電阻器之盆中一 者(亦即，電阻器R25)並聯之從電路負載電容器⑵係共 ^成錢第四電晶體T22與第—電源供應線刪之間 的弟'一從電路負載部。 猜rL與第1 ®所示之鮮㈣f路類似，差動時脈 ()(Ν)係分別施加於電晶體Τ13及Τ23之閘極，從 電路2之差動輸出（頻率分割電路之輸出贿⑺及謝⑽ 319774 12 200838139 係施加於主電路丨之差動對電晶體T11及T12的閘極，而 •主電路1之差動輸出係施加於從電路2之差動對電晶體 ' 及Τ22 .的閘極。控制偏墨Vb .係施加於電晶I# rp 1 6 $ .-、T26以及T27之閑極。在此，第一主電路負體載』 ' ^於其他負載部）中，電阻器R12與由電阻器R14及電容 裔C11組成之並聯電路係可彼此互換。 第6圖係為第5圖所示之頻率分割電路之負載電阻與 頻率之間的關係的示意圖，第7圖係顯示第5圖所示之頻 率分割電路之輸入靈敏度與頻率之間的關係以與習知頻率 分割電路作比較。 、 如f 6圖所示，依據本發明第一實施例之頻率分割電 在高頻率範圍中，電阻器RH(R15、R24、R25)被電 合-Cll(ci2、C21、C22)短路，因而使得負載相當於僅 '由電阻1112(1^422 123)構成。另一方面，在低頻率 範圍中’電容器C11(C12、C21、C22)之阻抗增加，使得 負载係由電阻器R12(R13、R22、R23)與電阻器則惟15、 尺24、R25)之合併電阻（R1:2 +R14)構成。 此處，由於主電路與從電路之負載電容可被視爲大致 二故具有上述負載組構之第一實施例之頻率分割電路 係=由降低高頻率範圍中的時間常數、並隨頻率降低而增 大時間常數，從而增加低頻率範圍中的充放電時間並因此 在轉變為時脈關閉狀態時降低訊號電位的變化 工作頻率範圍。 也就是說，如第7圖所示，第一實施例之頻率分割電 319774 13 200838139 路可依據工作頻率而在對應# •頻率範圍的負載值之間切換負載^的負載值與對應低 •斤不之切換電路，並且可擴展工 固 用專門的切換電路或控制電路'：、& 5盼不需使 _點。 相小尺寸及低功耗等優 弟—實施例之頻率分宝，丨雷^ .,,m dJ電路中使用的負載組構1法由 例如用於傳統放大器之類比 再…、忐由 電容器與負載電阻器並聯 U局將 ^ . 万法相加了低頻率範圍之拎 显，亦即，減少了 3dB的頻寬，ra μμ命纵山 固之曰 類比設計概念相反。、、卩此兵致力於增加頻寬之 具體而吕，如第7圖所示，在參照第3圖及第 動態頻率分割電路中，負載電阻值〜係例如在 ” 500Ω之間切換’使得心為5〇犯時，電路之工作 :率範圍為4瞧2至60GHz，當&為咖時，電路之工 作頻率範圍為30GHz至50GH7.而卢贫 —> UCJHZ’而在弟-貫施例之頻率分 路中，透過分別設定電阻器R12(R13、R22、KB)、 R"(R15、R24、R25)以及電容器 CU(C12、⑶、〇22)， =如 ’ 1112=50〇Ω’ΙΠ4=40〇Ω，〇：11=50£Ρ，而可達到 2〇GHz 至6〇GHz之工作頻率範圍（參見第7圖之曲綫ll)。 因此，根據第一實施例之頻率分割電路，在未採用專 =換電路或控制電路的情況下可使工作頻率範圍之擴展 =過30%。再者，由於第一實施例之頻率分割電路無需提 ,、專門的切換電路或控制電路，因而得以縮小電路尺寸。 Ψ由於無需&供例如消耗額外能量之正回授電路，本 319774 14 200838139 =二之工作頻率範圍相較於習知技術能夠更寬同時降低 ίηΡ«^^)ΗΒΜΤ(^ -量單位fT^ 由於此電晶體之高頻特性之測 60GH木3過i7〇GHZ，因此頻率分割操作可達到約 Z。#然、，所使料電晶體及電阻器和電容哭的值可 作不同變化。 i电谷的值可 電路圖第。8圖係為依據本發明第二實施例之頻率分割電路的

割電5圖可明顯看出第二實施例之頻率分 了電容二;頻率分W .^ ^ <即點與弟一主電路負载部中之遠接 =電路負載電阻器，與R15之節設 主電路之附加的負載雷玄哭m门士 门η又置用於該 部中之連接兩化、 °。C13，同蚪在第一從電路負載 第二從電路負===電;^1122^24之節點、與 们5之節點之/ 連接兩個從電路負载電阻器奶與 ⑶。-間设置用於該從電路之附加的負載電容器 车差動運作，這些附加的電容器C13及C23只•一 1谷，因而得以進一步減少電路面積。 而 電路圖。圖係為依據本發明第三實施例之頻率分割電 319774 15 200838139 判電：ΪΓ圖與第8圖可明顯看出第三實施例之頻率分 =J電路共弟二貫施例之頻率分割電路的不同處在於. 貫施例中，電容器 cll、cl2、c21、c22”k_D13: 取代，並且該轉係組構成則該等二極 體之擴心各（diffusion capacitance)。亦即，在頻 電路之高卫作頻率範_，二極體之魏相當於電容哭: ^頻^割電路之低工作頻率範圍内，二極體之魏相 虽於南電阻元件。 第10圖係為依據本發明第四實施例之頻率分 的電路圖。 ^ 比較第10圖與第5圖可明顯看出第四實施例之頻率分 ㈣路與第-實施例之頻率分割電路的不同處在於：、第四 實施例中額外增加了電晶體T191至T194以及丁291至 Τ綱；電容器⑽⑴……：以及二極體價容二 極體（varator))D15、D16、D25、D26。 第四實施例之頻率分割電路中，第5圖之電阻器 R12(R13、R22、R23)與由電阻 n R14(R15、咖、R25)以 及宅合為C11(C12、C21、C22)組成的並聯電路係在第1〇 圖中彼此互換。 /、妝而5，如第1 〇圖所示，第四實施例之頻率分割電 路中，由電晶體Τ191(Τ192、T29卜T292)形成之源極隨輕 器（source f〇llower)電路係接收橫跨電阻器、 R24 R25)而產生之電位，且該源極隨耦器電路之輸出係 把加於，又谷一極體（亦稱做可變電容二極體）D1 $⑺16、 319774 16 200838139 D25、D26)。變容二極體D15(D16、m5、D26)之陽極係連 接至源極隨耦器之輸出端，其陰極係連接至電容器 C11(C12、C21、C22)與電阻器 R12(R13、R22、R23)所組 成之並聯電路的輸出端（亦即，連接至電晶體τιι(τΐ2、 Τ21、Τ22)之汲極）。 於此，第一主電路負載部（同樣於第二主電路負载部以 及第一、二從電路負載部）中，由於橫跨電阻器Ru而產生 :電位係為恆定，與頻率無關，故變容二極體叫之陽極 電位亦為恆定’但由於由電容器cn與電阻器ri2組成之 並聯電路之輸出在高頻率範圍中為小以及在低頻率範圍中 為大，因此，變容二極體D15之陰極電位會隨頻率變化。 二二雙谷一極體D15之兩端子之間的電位差在高頻率範 国T為小，而在低頻率範圍中為大。 變容二極體D15之電容在高頻率範圍中為小而 中：負：：二為大。亦即，第四實施例之頻率分割電路 的效果舆前述負载電阻增加的效果-起作用，t :¼例之時間常數比第一至第三實施例大 在更低頻率中的運作變得可行。 災罨路 的電=圖u圖係為依據本發明第五實施例之頻率分割電路 比車父弟11圖盘繁同 分割電路中，浐芦二 頦看出第五實施例之頻4 體T19L R14(R24)而產生之電位係由電曰曰 92)形成之源極隨耦器電路接收（而非電晶㈣ 319774 17 200838139 Τ191(Τ291))，而橫跨電阻器R15(R25)而產生之電位係由 電晶體T191(T291)構成之源極隨耦器電路接收（而非電晶 體 Τ192(Τ292))’ 亦即，變容二極體 D15 及 D16(D25 及 D26) 之陰極係各連接至彼此的差動輸入端。 由於此種配置，橫跨各變容二極體D15、D16、D25 及D26之電壓變化變得較第四實施例大，因此低頻率範圍 中之時間常數變得更大，從而能夠執行於更低頻率之頻率 分割操作。 ' 第12圖係為依據本發明第六實施例之頻率分割電路 的電路圖。 比較第12圖與第1〇圖可明顯看出第六實施例之頻率 分割電路與第四實施例之頻率分割電路的不同處在於：源 極隨耦器電晶體T191、T192、T291以及T292之閘極係連 接至高電位電源供應線（GND)。 詳而言之，主電路1係包括：第五及第六電晶體Τ191、 Τ192,其閘極及汲極端子係連接至第一電源供應線（高電位 電源供應線GND);以及第一及第二主電路變容二極體 D15、D16，係分別連接於第五及第六電晶體Τ19ι、τΐ92 $源極與差動對電晶體Til、Τ12之汲極之間。同樣，從 電路2係包括：第七及第八電晶體Τ291、Τ292，其閘極及 汲極端子係連接至第一電源供應線（GND);以及第—及第 二從電路變容二極體D25、D26，係分別連接於第七及第 八電晶體T29卜T292之源極與差動對電晶體121、丁22之 没極之間。 319774 18 200838139 本電路組構藉由變容二極體D15、D16、D25、D26之 電容亦可實現低頻操作。 弟13圖係為依據本發明第七實施例之頻率分割電路 的電路圖。 如第13圖所示，該第七實施例之頻率分割電路係為單 端架構，其中，主電路1包括電晶體TU及T13，電阻器 R12及R14，以及電容器C11 ;從電路2包括電晶體T21 及T23，電阻器R22及R24，以及電容器C21。反相器工 係設置成用以使單端輸入時脈IN反相並將其施加於電晶 體丁23之閘極。 第七實施例之頻率分割電路中，Vcc係為高電位電源 供應（例如+1.6伏特），遍係、為低電位電源供應（例如c 伏特）。此外，主電路i之主電路負載部中，由電阻器 與電容器C11組成的並聯電路係例如連接至 應vec，電阻器R14連接至電晶體T11之 == 到上述連接可反接成如第5®所示者。 解 以此方式’本實施例不僅可用於差動結構之頻率分 電路，而且可應用於單端組構之頻率分割電路。 口 ☆ ^上所述’根據本發明之實施例，能提供-種動能瓶 寸其無同气專門的切換電路或控制電路，“減 路，因而獲得較寬Γ工由作於^"消耗額夕卜能量之正回授電 地說，例如簡單之頻率作頻^圍並降低了功耗。更詳細 切換電二:電 路所佔用之面積與頻率分割電路之核心 319774 19 200838139 •部分所佔用之面積大致相等，相較藉由切 之間而得以擴展工作頻率的第3圖所示知 路，採用本發明之竇尬如叮成； 頻率刀吾!/電 #明^ 使電路尺指小超過鳩。 -園把例之頻率分割電路可具有寬的工作頻率 耗圍，亚無需使用專門的切換電 乍頻= 有小尺寸和低錄之優點。 Μ路’而達到具 本實施例可廣泛應用為頻率分割電路 訊號頻率之整約數頻率之訊號，例如，應用於 系統之頻率合成器Ic的 古^;、…通戒 生部細相移器中。預疋“部、先通訊1c之時脈產 在不絲本㈣之料下，可架構㈣乡 合，且應了解到，除了如所附之中請專利義 夕二如受限於此說明書中所述之特定實J: 【圖-式間早說明】 $ 1圖係為習知主從動態頻率分割電路之電路圖； 之操^ 2 A及2 B圖係用以解釋第1圖所示之頻率分割電路 第3圖係為另一習知主從動態頻率分割電路之電路 圖； 弟4圖係為第3圖所示之頻率分割電路之輸入靈敏度 與頻率之間的關聯性示意圖； 弟5圖係為依據本發明第一實施例之頻率分割電路 電路圖； 第6圖係為第5 _示之頻率分㈣路之負載電阻的 319774 20 200838139 值與頻率之間的關係的示意圖； 第7圖係顯示第5圖所示之頻 度與頻率之間的:路之輸入靈敏 第8圖係電路作比較； 電路圖； 據本發明第二實施例之頻率分割電路的 第9圖係為依據本發明第三實施例 電路圖； 、 、革刀軎丨J電路的 之頻率分割電路 之頻率分割電路 第Μ圖係為依據本發明第四實施例 的電路圖； 第11圖係為依據本發明第五實施例 的電路圖； ' 弟12圖係為依據本發明第六實施例之頻率分 的電路圖；以及 第13圖係為依據本發明第七實施例之頻率分割電路 的電路圖。 (【主要元件符號說明】 1、100、101主電路 2、200、201從電路 111、 211 負載

Cll、C12、C13、C14、C15、C21、C22、C23、C24、C25 電容器 CL 負載電容

Dl、D101、D102、D13、D14、D15、D16、D2、D201、 R11 至 R15、R21 至 R25、R101 至 R103、R111 至 R113、 R120、R201 至 R203、R211 至 R213、R220 電阻器 21 319774 200838139 • Dll、D12、D21、D22、D23、D24、D25、D26、D202 二極體 IN(P)、IN(N) 差動時脈 OUT(P)、OUT(N) 差動輸出 ^ Rl 負載電阻 .Til 至 T17、T101 至 T107(T108)、T111 至 T113、T191 至 * Τ194、Τ201 至 Τ207、Τ21 至 Τ27、Τ211 至 Τ213、Τ291 至Τ294 電晶體

Vb 控制偏壓 Vss 低電位電源供應 22 319774

Claims (1)

1. 200838139 十、申請專利範圍： L-種頻率分割電路，具有主電路及從電路，， •供隨頻率增加而減少之阻抗。、4係經構成為提 _ 2·如_請專利範圍第！項之料 部包括串聯連接於第-電源供應線該負载 之電晶體之間之兩個負载電阻 及：輪：訊號 Μ 口口、^ 4+ , ^ Θ該兩個倉盡雷 為之八中一者並聯連接之電容器。 、 3.如申請專利範圍第2項之頻率分割電路， 連接之兩個負载電阻哭所接 ，、，該串聯 為所美供之合併電阻的值择摘人 盘該頻率料f路在低1作财範圍*之運作，並二 二器並聯連接之該另-電阻器的值係適合於ί 、率刀軎!/电路在尚工作頻率範圍中之運作。 、μ I:申請專利範圍第1項之頻率分割電路，其中，，主電 路及從電路均設置該負载部 ：電 從電路之負载部具有相同組構。電路之負載部與該 5.如申請專利範圍第4項之頻率分割電路，盆中. 該頻率分割電路係組構為差動電路H 曰〜主電路之差動輸出係輸入至該從電路之差 電路之差動輸出係作為該頻率分割電路 .迅路之差動輸出係回授至該主電路 之差動電晶體對，以及其中： 电塔 設置於該主電路之負載 部，係設詈於蜜一、 弟一主電路負載 ,、 χ 电源供應線與形成該主電路之差動電 319774 23 200838139 • 晶體對的第一電晶體之間；、— 設置於該第-電源供庫複乂及弟一主電路負载部，係 ；體對的第二電晶體之形成該主電路之差動電晶 - 設置於該從電路之t ^ -部，係設置於該第—電源供係包括.第一從電路負載 電晶體對的第三電晶體^應線與形成該從電路之差動 係“於該"源供應線與形成 载二 晶體對的第四電晶體之間。 之差動電 f' 6.如中請專利範圍第5項之頻率分割電路， 該第一及第二主雷政 第-或第二電晶趙舆部各包括串聯連接於該 電路負載電阻器、以及料應線之間之兩個主 中-者《連接，主電路負載電容器心 其 第四雷攸電路負載部各包括串聯連接於該 罘—或弟四電日日體與該第一 # i # # Ρ0 55 原仏應線之間之兩個從 …：負載電阻^以及與該兩個從電路負載電阻之且中 -者並聯連接之從電路負载電容器。 之-中 7.如申請專利_第6項之頻率分割電路，其中： §串％連接之兩個主電路負載電阻器以及該串聯 :接之兩個從電路負载電阻器所分別提供之合併電阻 適合於該頻率分割電路在低工作頻率範圍中之運 作；以及 未與該主電路負載電容器並聯連接之該另一主雷 路負載電阻器的值以及未與該從電路負載電容器並聯 319774 24 200838139 路負载電阻器的值係分別適合於該 • 、。」电路在尚工作頻率範圍中之運作。 :如申明專利乾圍第6項之頻率分割電路，復包括： 載部負载電容器，係設置於該第-主電路負 二主電路負載電阻器之節點、與該第 ^ 、载op中之連接該兩個主電路負载電阻哭 即點之間；以及 只戰电丨且态之 r 附加從電路負載電容器， 載部中之連接兮兩個置該弟一從電路負 -從^ 路負載電阻器之節點、與該第 路負載部中之連接該兩個 = 節點之間。 ％吩貝戰罨阻态之 ’如申响專利範圍第6項之頻率分割電路# 路負載電容器與從電路負载 八 10.如申請專 戰窀〜係各由二極體形成。 ::專利乾圍弟9項之頻率分割電路 脸係為變容二極體。 /、甲該一極 U.如申請專利範圍第6項之頻率分割電路，其中： 該主電路復包括··第一及第— 路，該第一及第二主電政、；^ —電路源極隨耦器電 橫跨未鱼：極隨耦器電路之各者係接收 路負載電二:產生::容器並聯連接之該另-主電 戰电阻态而產生的電位；以及第 容二極體，係分別被施加有該第_及:—主包路變 耦器電路之輸出；以及 一主電路源極隨 該從電路復包括：第— /m 路，該第-及第二從電路_二—以路源極隨輕器電 原極奴耦器電路之各者係接收 319774 25 200838139 橫跨未與該從電路負載電容 .路負载電阻器而產生的電 L連接之该另一從電 容二極體，传八 电’及第一及第二從電路變 • 胺係分別被施加有該篦— _ 、 耦器電路之輪出。 及弟二從電路源極隨 -12·如申睛專利範圍第u 今皂_ 貝之頻率刀割電路，其中·· ^ 一主電路源極隨耦器電路係接收^ s之。亥另-主電路負载電阻 :連接 電路源極隨輕器電路係接收在 該弟二主 之橫跨未與該主電路 一电路負载部中 電路自哉+ 电路負载電容器並聯連接之該另一主 '路負载電阻器而產生的電位，·以及 =從電路源極軸電路係接 略貞載部令之横跨未鱼 攸包 之該另一從電路㈣雷、負载電容器並聯連接 橫跨未C係接收該第二從電路負载部中之 路負载電阻器而產生的電位。％連接之該另-從電 13.如申請ί利範圍第11項之頻率分割電路，其中： ^該第一主電路源極隨耦器電路係接收嗲笫-φ f 路負盤邱由—# A 弟一主電 、σ中之松Α未與該主電路負载電容哭# 之該另一主電 貝戰I谷态並聯連接 干 王电路負载電阻器而產生的電位， :路源極隨轉器電路係接收該第一主 ：：：主 板跨未與該主電路負容 、。之 路負載電阻器而產生的電位；以及 主电 319774 26 200838139 該第—從電路源極隨耦器電路係接 ^ 之兮另〜ί 未與該從電路負载電容器並聯連接 ::另1電路負載電阻器而產生的電位， 連： 電路源極隨|黑哭雪故## ^ ~ ^ 〜耦益電路係接收該第一從電路負 Α與該從電路負载電容器並 路負載電阻器而產生的電位。 妾之该另—電 14.如申請專利範圍第u項之頻率分割電路，其中： 該主電路復包括：第五及第六電晶體，該第五及第 六電晶體之閘極及汲極係連接至該第一電 一及第二主電路變容二極體，係分別連接於該主電路中 之該第五及第六電晶體之源極與該差動對電晶體之沒 極之間；以及 該從電路復包括：第七及第八電晶體，該第七及第 八電晶體之閘極及汲極係連接至該第一電源線；以及第 一及第二從電路變容二極體，係分別連接於從電路中之 該弟七及第八電晶體之源極與该差動對電晶體之汲極 之間。 319774 27