TW200836175A - Method for manufacturing magnetic recording medium and magnetic recording and reproducing apparatus - Google Patents

Description

200836175 九、發明說明·· 【發明所屬之技術領域】 方法碟㈣所使用之磁性記錄媒體的製造 【先前技術】 =用=上錢置的磁性記錄舰來說， 二 ί: r;自從導入遣磁樹隱 ί 步=,。近幾年亦導入_磁頭及微磁 在未來要^縣度。雜記錄髓已經被要求 tin度。耻，已經需要增加保磁力、仲 度已，做出努力來增加雜記_度及軌道密度。《。面― 軌道======。然而，增加 擾。於是在相鄰執道間之資料彼此干 低SNR。如此直接導致位元錯=渡為雜訊源而降 提高。 林狀加，因而妨礙記錄密度的 元的t增減:磁性，媒體上之記錄位 減少每位元之最小磁化容積，意二 々尺寸會不利地 轉以消除記錄資料。 ~致熱波動。可接著發生磁化逆 而且，軌道間距離的減少，遣h 高精度之軌道舰技術。料，纟致雖記錄5置被要求具有極 成的不良影響，通常使用-肖除相鄰轨道所造 範圍的方法。此方法可將轨道練該記錄範圍窄之再生 - 销的影響抑制到最小，但是難以得 200836175 到足夠的再生輪出，且因此難以確保有足夠的SNR。 一為了避免熱波動問題並確保有足夠的SNR與足夠的矜中，p 經企圖^記錄媒?表面上沿執道形成凹凸，以將記錄執道， 物理性分離而提高軌道密度。以下將此 / 後將由離散執道法所製造的磁性記錄媒體稱為離散。之 釺媒Γ放=媒體的已知範例為形成於-非磁性基板上的磁性記 錄媒體，爾磁性基板具有在其—表面上_凸随，S 理性分離之磁性記雜道及値信號目案 乂 JP-A2004-164692)。 通^^雖層’雜記錄職具有顧於—基 上形成複數之凹凸。—保護難形成於該基板表面上 具有形成於凸區域上的磁性記錄區糊^ 磁性記錄媒體可抑制軟磁性層中之磁域壁的形成， 波^所造成，不良影響及相鄰信號之_干擾。如此^ ^ 可能雜訊之高密度磁性記錄媒體可行。 、η ’、 卿ίΪΐί法包含：形成由幾層薄膜所構成之磁性記錄婵體後 執开道直接在基板表面上或在用於形成: 如:見jp mi木後再形成磁性記錄媒體之薄膜的方法(例 幸地，乂制、& 在媒體形成後於表面上施行物理處理。不 ii法ΐίί過程期間媒體易於受到污染，其係非常複ί的。ί 到污染雕法。此方法在製造過程期間避免媒體受 礙fit ，成的膜接收了形成於基板上的凹凸形狀，1妨 之記ί再3=¾妨礙了浮動在媒體上時施行記錄再生操作 軌u某體中形成執道間區域。然而，經由此種方法名形成： 200836175 執道間區域，提供減少的飽和磁化但增加的保磁力。因此，留下 不足夠的磁化態，其在資訊被寫入磁性軌道部分時導致模糊。 另外亦揭露一種方法，其包含製造所謂的圖案化媒體，該圖 案化，體，有以具齡仅逐位元規雕佈置的磁性記錄圖案， 其中藉由離子照射為主之钱刻來形成該磁性記錄圖案(見正leg Technical Report MR2005-55 (2006-02), pp.21^6 (Theinstitute of

Electronics, Info聰tion and Co麵unication Engineers))。然而， 使用此種方法還是會在製造過程期間污染磁性記錄媒體。另外， 會降低表面的平滑度。 對對與增加記錄密度相關聯之技術困難的磁性記錄裝置 Iΐ淮本發明在確保記錄再生特性同於或優於習知技術所能達到 位7之下’大大地增加記錄密度。本發明亦將圖案間區域中的 ，石、力及殘存磁化減少到最小，以避免磁性記錄期間可能的模 細了面記錄魏。尤其是·藉由在基板上所執行之 形成凹凸所製造的離散執道磁性記錄媒體來說，本發明 =¾知磁性層處理法所執行的磁性層移除 簡 過程。本發明亦提供具有減少污染風險之製造方法，= 有出色磁頭浮動特性之有用的磁性記錄媒體。/、 明。通過粒的努力以完成上述目的，本案發明人已經達成本發 【發明内容】 性記錄媒體之製造方法的第—實施態樣，該磁 β . 匕έ以下步驟·在該非磁性基板上形成一磁性 層上形成—遮罩層；在該遮罩層上形成—抗餘層； 對應於之負向圖案轉移到該抗储^將 芦側夺祕案負向圖案的遮罩層部分移除；自—抗# 曰j表面將料植人該雜層巾，以將該磁性層部分去磁；及移 200836175 除該抗蝕層及該遮罩層。 、在包含第-實施態樣之。方法的本發明之第二實施態樣中， 成於磁性層上的遮罩層具有屏蔽能力s以 人 〈 S = _initia广Mrtafer)施嘛及Mg幻， =千矣、工 植入前磁性層巾_存魏量，而Mrt— 離子 旦nr on 1 Λ7 —…上； 叩iVir[after衣不在5x10 D/cm2之劑 里下20-keV鼠的植入後磁性層中的殘存磁化量。 在包含第一實施態樣之方法的本發明第二者 成Γ性f上?，罩層具有磁性記錄圖案形成馬足ί 中之每-負向圖案的寬度，社表不雜記錄圖案 植入磁性層後去磁圖案的寬度。 （皁層之BU將離子 在包合第一貫施態樣之方法的本發明之容 成於磁性層上的遮罩層包含一種_ 貝^心樣中，形

Ta ^ Ta ^ W ； s^〇 ^ 〇 ^ V、Nb、Sn、Ga、Ge、Asj^30f〇2、Ta2〇5、Re、Mo、Ti、 产…-一以及沁所組成的群組。 在ο έ第一貫施恶樣之方法的本發 每& 成於磁性層上的遮罩層具有多層結構。弟男、靶祕中，形 成於㈣六實施態樣中，形 ，該種類選 遮罩=料使_聽===群組，並且移除該 成於磁性層上的鮮祕由祕中’形 的步驟為使用含CO紐之乾式__成’並且移除_罩層 在包含第-實施態樣之方法“二 成於磁性層上的鮮妨Sn或讀樣中，形 遮罩層的㈣級用含α氣體^ 私，亚且移除該 在包含第-實施態樣之方法二 成於磁性層上的遮罩層係由含^、^月之弟九貫施態樣中，形 由3 Ge材質所構成，並且移除該遮罩層 200836175 的步:=含？氣體之乾式钱刻步驟。 將磁性記i茲之第十實施態樣中，在 有形成於其中之凹部，層之步驟後，該抗钱層具. .在包含第十實施態樣 性記錄圖案之負向圖案 施3中， 於其中之凹部的抗姓層具有 步驟後，具有形成 表面，形成90至70。之範圍内的^度^相對於非磁性基板之 在包含第—實施態樣之方法^ 抗|虫層係由騎放射性光線 樣中， 來照射該抗蝕層。 乂驟/月知或之後，用放射性光線 中，樣之撕^ is 號的記錄再生信號處理裝置。、n亥磁頭之輸出 性^生基板上形成磁性層之後，藉由形成磁 媒體，該磁性記錄媒體能夠確保磁頭 疋，其具有將該磁性記錄目案彼此分_衫魅 iff相鄰圖案之信號間的干擾所造成之可能的不良影響，並提 心被。本發明亦可消除來自於磁性層處理法且 “的;步埋==移除磁 驟而形成-膜。減㈣祕瓣部分的步 另外，符合本發明之磁性記錄再生裝置使用了符合本發明之 200836175 磁性記錄媒體。因而本發明提供一種磁性記錄再生裝置，i呈 出色的磁頭浮動特性，具有將磁性記錄随彼此分離的出ϋ ^ 案之信號間的干擾所造成之可能的不“ 誊饮而提供出色的記錄密度特性。 【實施方式】 皇美主發明之晕祛握j.

藉由離散磁性記錄媒體來作為範例，將特定說明 之磁性記錄媒體的製造方法。 X ，1顯示作為本發明之範例的離散磁性記錄媒體之剖面結 構。符合本發明之磁性記錄媒體在非磁性基板1〇〇相 =· 生f暨中介層·;具有形成於其中之磁性圖案. 、非磁性層400及保護膜層5〇〇。一潤滑膜(未顯 該磁性記錄雜_社。 胃τ)係域於 對於符合本發明之製造方法的磁性記錄媒體來說，具有磁性 圖木之磁性層300較佳的情況是具有zoonm以下的磁性部實产 及施㈣下的非磁性部寬度L，以為了增加記錄密 =間隔P(=W+L)係3G()nm以下且儘可能弄小，以為了增加記錄 用於符合本發明之製造方法的非磁性基板丨〇〇可 = 主要由A1組成的A1_Mg合金、通常之蘇打玻璃、紹石夕 -夂里糸玻璃、任何的各種結晶化玻璃類、矽、鈦、陶瓷或任 各種樹脂。尤其，較佳的情況是使用八丨合金基板、結晶化玻之 f璃基板或矽基板。這些基板較佳的情況是具有lnm以下的平均 =粗操度(Ra)，更佳的情況是G.5nm以下，最佳的情況是〇1_ Μ下0 、形成於非磁性基板表面上的磁性層可為面内磁性記錄層或垂· 直磁性記騎。細，1 了制高紀雜度，較佳的情況是使用 垂直磁性記錄層。這些磁性記錄層係較佳的由c〇為主之合金所形 11 200836175 成。 、例如，作為面内磁性記錄舰用之磁性記錄層，可使用由非 磁性CrMO底層及鐵磁性CoCrPtTa磁性層所構成的疊層結構。 ^ ’作為垂直磁性記錄媒體用之磁性記錄層，可能使用一 豐層結構，該疊層結構包含：—裡襯層，.由—軟磁性F.合金 (FeCoB、FeCoSiB、FeCoZr、FeCoZrB、FeC〇ZrBCu 等）、一哪

^金(FeTaN、FeTaC 等）、一 Co 合金(c〇TaZr、c〇ZrNB、c〇B 等 專所組成；一配向控制膜，由Pt、pd、N 若需要的話-中介膜，由Ru等所組成；及一磁性層尋由所、、且成’ 600^50*-^合金或70Co_5Cr_15pt_聰〇2合金所組成。 、、兄曰的厚度係介於3聰與2〇腿之間，較佳的情 二 間。可形成所述磁性記錄層，以便提供 f合金及疊層結構之種類的足夠磁頭輸出及輪 ^值’通常會隨著輸出強度的增加而減少，^^ 層設定在具;t最義厚度。 _ m絲該磁性 通^，错由濺鑛形成一薄膜之磁性記錄層。

石m保^膜層’係形成於磁性記錄層之表面上。保護膜芦可A A=HXQ' _擊）、非晶形碳或碳切 厌曰佯鮮t Zr2〇3、TlN等所組成之通常的保護膜層。3 呆叹膜層500的膜厚度需要小於1〇nm。超過1〇1血 二頭與磁形層之間的距離，其妨礙輪出及ίΓ 虎夠的強度。通常由雜或CVD來形成該保_^入 性層f本性=將離子植入先前形成來將磁性層的磁 成磁性上將磁性記錄軌道、飼服安» a t =殘元;=;至的= 法從而提供^ 12 200836175 根據本發明.’藉由在磁性射部分植人離子而改變該磁 的晶，結構以:¾’除該磁性層的磁性，可將該磁性層部分去磁。^ 者，藉由在該雜層巾部分植人軒喊該磁性層來兮 磁性層去磁。在此，使該磁性層非晶形意味使該磁性層 列不具有長期的次序。更具體地，使該磁性 ϋί Γ 性層，使得小於2nm之微小結晶體粒的尺 地期於該射。tx_麟祕或電子繞射顯示沒有高 於晶體表面而只有暈_鱗，該雜層係較為具 此原子排列。 將說明符合本發明之磁性記錄媒體的製造方法。本 錄媒體的製造方法，該磁性記錄媒體具有在 止土板至>、一表面上磁性分離之磁性記錄圖案。該方法包 驟A，在該麵性基板丨上軸至少—磁性層2 ;步驟β， ^磁性層2上形成-遮罩層3 ;步驟c，在該遮罩層3上形成一 ，利用—壓印5(步驟D中的粗箭頭顯示該壓印5 ίίΓ 記錄圖案之負向圖案轉移到該抗调4 ;步驟E， ΪΐϊΪΪ磁性記錄圖案之負向®案的遮罩層部分移除冰驟F， 上^敍層4 _面將離子6植人該磁性層2中，以將該磁性層 ί ^磁(*考數字7標示該雜層之部分去磁部分）;及步驟G， 私除该抗㈣4及該遮罩層3。依此順序執行步驟(Α)至(G)。 恭3H j 2中的步驟〇所不’自磁性記錄媒體的前表面觀察，本 义F忐性分離t磁性記錄圖案意味著磁性層2被去磁區域7 A又。那也就是提供自前表面觀察被分隔成片段的磁性層 B月之卩s δΓ磁性層2在底部沒有被分隔成片段，一樣可以達成本發 此i構係因而包含於該磁形分離之磁性記錄圖案的概 H Ϊΐ本發明之磁性記錄圖案包含所謂的：—圖案化 搵髀’ ΐί以心定逐位元規則性排列於其上之磁性記錄圖案；一 =，具有如陳道排顺其上之贿記賴案；及概信號圖 13 200836175 ，磁Ϊ鑑ϊίί過程中的簡單與便利，本發明係較佳地適用於離 忑錄圖木的磁性圮錄執道及伺服信號圖案。 、、土 不同於白知製造方法，符合本發明之磁性記錄媒體的制i告方 下步驟：磁性上將磁性記錄圖案部分隔成片段；^乾 f上將磁性記錄圖案彼此分離；壓印處理等。如ϊίϊ 加磁性錢雜表面的平滑度以及減少表面污染 : 另外，符合本發明之磁性記錄媒體的製^ „性記_案。如此增加了可作為遮罩層之的;^ 數]當料被植人該雜層時可以改#屏_子 、所g 案的特性從而被改善，其能夠使圖案間區域中= IIS 減到最大的程度’並且在磁性記錄期間使模糊 上以記錄媒體的製造方法中，形成於磁性層 上乂屏故植入離子之遮罩層的屏蔽能力s，滿足以下公式·· S~(Mrtinitiai-Mrt—ryjyfj^—〗及 〇·5^s幻 ^能力s更佳的情況是啦⑸。在公式⑴中，m 離f/二前雜膜巾的殘存魏量，VMrW表示在 氬雜场錄财誠存磁化量。在 之屏蔽能力S的數值，阻止磁性區域不讓其ί 分開，其不利地造成形成不清楚磁性圖案的高 又了3b f生。屏敝此力§之數值的上限為1。 卜夕ΐΐίί發明之磁性記錄媒體的製造方法中，形成於磁性層 上之遮罩層的磁性記錄圖案形成特性乙，滿足以下公式(2): L - (L’fter - Lini—yLini—及 〇 $ L $ 〇·2 ⑺ 在^式(，中’1^表示磁性記錄圖案中之負向圖案的寬度， ，士*表ϋ由遮罩層上之_將離子植人 去 寬度。大於0.2之磁性記錄圖案形成特性L的數值，使得 14 200836175 狀的執道寬度’其不利地造 可月匕性。磁性記錄形成特性L之數值相之干擾的高度 在符合本發明之磁性記錄媒體的製造3二' 上的遮罩層係較佳地由包含至少一 °法中，形成於磁性層 於由Ta、W、Ta氮化物、w^ ,铷、之材質組成，該種類選自 Ti、V、Nb、sn、Ga、Ge、二以及 n·1、Sl〇2、Ta2〇5、Re、Mo、 使得屏壁植入離子之遮罩層的屏1 ^成的群組。這些材質 •圖飾成雜L能夠提高。並且及麵罩層的磁性記錄 刻，容易將這些物質钱刻。如此可減曰少户應性氣體之乾式钱 之步驟G的磁性記錄媒體之表面的神構物且從而減少圖2中 、在符合本發明之磁性記錄媒體^°以 ΐ νΓΓ、Sn或Ga係較佳地作為遮罩7述物質 或灿= 用係更佳的，而M〇、办=、Ti、v 在付合本發明之磁性記 係$的。 情況是具有一多層結構。實 )衣|方法中，遮罩層較佳的 劑，如此結構使得下列操作、^用^、^小蝕刻選擇比率之抗蝕 的第-遮罩層且接著較容易^第:遮罩:抗蝕劑正下方 層。如此促進了生產率。如遮罩層用來形成一第二遮罩 其中該f -鱗層細況是朗i層結構， 所構成。 而該弟—遮罩層係由w或Ta 在付s本备明之磁性記錄 制、生 、 上的遮罩層係由包含、中，形成於磁性層 成，並且移除該遮罩層的步田1、Nb及As之任一材質所構 除了氟氣體之外，較佳為使用〃、p々一含F氣體之乾式蝕刻步驟。 體讓該遮罩層被有效地^ 4乳體來作為含F氣體。這些氣 的殘餘物及磁性使其可能減少導因於乾式飿刻 來乾侧包含t亏染。例如，如果用巩氣體 些元素氣倾歸_秘5、nn的u分別將這 ^之雖魏媒體的製造方法中，形成於磁性層 15 200836175 上的遮罩層係由含Νι材質所構成，並 含CO氣體之乾式_步㈣_ j，罩層齡驟為使 侧步驟。co氣體讓含Ni之^ 之钱刻劑的濕式 來蝕刻掉。⑺氣財使与能、f軸N_4氣體 性記錄媒體之表面的污染。對及磁 構成的薄膜被適當地形成遮罩_層時金所 在符合本發明之磁性反應。 ，上的遮罩層係由含Sn4G ;; °法中’軸於磁性層 驟為使用一含α裹， 貝斤構成，並且移除該遮罩層的步 氣。氯4含^ 來蝕刻掉。氯氣亦使i可成SnCi4或GaCi3氣體 記錄媒體之表面的污染減八因於乾式钱刻的殘餘物及磁性 上的的製造方法中，形成於磁性層 用一含ΒΓ氣體之3成^且，該遮罩層的步驟為使 氣讓含Ge夕、疮罢蝕〆义驟。例如，含Br氣體為一溴氣。溴

GeB- =ί ；Φ；ί 染。 ¥口於乾式姓刻的殘餘物及磁性記錄媒體之表面的污 在付合本發明之磁性記錄 驟D所示，由磁性記錄圖宰’如圖2中之步 抗钱層4中之 負向圖案轉移到抗綱4所致，該 之步驟£所示，^舳較佳為〇nm與10nm之間。如圖2中 凹部的厚度8俜在此3的步驟期間，當該抗飿層4中之 其能夠讓屏=層3的邊緣下陷， 遮罩層=性記錄圖_^=的屏敝月匕力s提高，及提高該 造方法中，如圖2中之步 蝕層之凹陷側部的^^圖广之負向圖案轉移到抗钱層所致，該抗 σ 、角又6»係介於面對基板表面9〇。至7〇。之間。如 16 200836175 屏蔽植入離子之該遮罩層的屏蔽能力ί 平面的，，面表面之角度θ為- 之雖記麟_製妨法+，贿S 2中牛 ID之^層4的材f，較佳為可 α 2中步 在利用壓印5將圖案轉移到該抗蝕的步；期門；且 狀能夠正確_移_抗歸4上。目;5的形 示^侧遮罩層3的步驟期間，可防止該遮:罩间/ 丁之 E所 植入離子之該遮罩層的屏蔽能力^提高及 由照射輻射線可使J：硬化的材;& 射、、錢加瑪射線。藉 及紫外線弋紫外線硬化二t 熱射線用之熱固性樹脂 案轉移到該抗倾4的轉_，將^ ^ 將圖 更1被壓在抗_況下用輻射線===將 在況===:離可= 從該_之相對側，即從基板侧，用日方法： 射線照射該抗蝕層的方法;從壓印二、=:j2壓印側用輻 該抗钱層。尤其，符合本發明之雜記錄媒體的製來照射 17 200836175 ，使，諾佛拉克(n_lae)樹脂、聚丙烯酸或 =f=為抗#_質，且較佳為使ΐ 南透性之玻璃或樹脂來作為壓印材質。 了、勢、外線展現 此方法因此將執道間區域中的保磁力及 ==可能的模糊。此方法從而提供具有高=錄 為選植入離子較佳 …ί、GJ、的群組心 種類，最佳的情況為Si、Kr或Ar離=、、、成的砰組之至少一 如果植入離子為〇或N離子的話，由於〇及 以植人的影響低，其在執道間區域中留下磁J原2位 如果植入離子為〇或N離子的話，磁性# 二，1 一 $道保磁力，而在f訊被。磁性軌^部時造成ί 入的舌’賴膜絲錢形成在子植讀。 中ΙΪ佳為在磁性層上形成保護膜之後將離子植人 ‘了制、ιΐ。/步驟翁了離子植人後形成保護膜的需要，其 提高生ίίϊ=、ίϊ辛磁批己錄媒體的製造過程期間亦有效地 棺入ΐΐϊίΐ束的離子植人中，利用市售的離子植人器將離子 方向將離^二在付合本發明之離子植入中’沿磁性層的深度 。將離子植入在該磁性層之中央的鄰近區域，使得一定數量的 18 200836175 原子被分布在該磁性層的深度方向中。然而，植 子層的部分去磁’但穿透深度係不特別限制^由 之離供的加速賴，適#地決定與該穿透深度相^聯 4^，、、本卷明，為了要移除抗姓層及遮罩層，較佳為使用如史 Ϊ逨ί，ίί!ΐ離2刻或離子研磨之技術。在移除該抗钱‘ 罩層的¥候，如果磁性記錄媒體具有保護層的話， 也將該保護層的部分移除，或者如果該雜雜 保護層的話’較佳的情況是也將該磁性層的部分移除、。:Ί/、有 為』明之磁性記錄媒體的製造方法中，‘護層湖圭 背1、=、匕氫，=及其混合物。通常潤滑層厚度為i=:月

相對於該雜記錄舰3G機；及—記錄秘麵27 $信號輸入至該磁頭27用之記錄信號處 “以磁J h，kt、具有③紀錄密度之磁性記錄裝置。相較於 緣磁化過渡區之不良影響㈣再生磁 交:己舒= =軌道磁性記錄媒體具有磁性上 出定成齡—樣。如錢其能夠提供.的再生輪 在-ίί:ΐ磁頭之再生部係由gmr或丽磁頭構成時，即使 ^紀錄讀下亦能得到充分的錢強度。從而可實現 ^ =之雜記練置。t麵上浮到低於習知技術所^之 〇.〇〇5_至〇.〇2〇阿的高度時，可提高輸出以提供高裝置 19 200836175 因而，可提供具有大容量之高可信賴度的磁性記錄裝置。又，與 基於最大可能解碼法之信號處理電路相組合，進一步提高紀錄密 度。例如，即使以轨道密度l〇0kTPI以上、線記錄密度1〇〇〇kBG 以上及每平方英吋100GB以上的記錄密度來施行記錄再生操作， 也可以得到足夠的SNR。以下將說明本發明之範例。 例1 ·· 將安裝有HD用玻璃基板之真空腔室預先排氣至i 〇xl(r5Pa 以下。用於玻璃基板之材質係由Li2Si2〇5、A1203-K20、MgO_P2〇5 或Sb2〇rZnO所組成之結晶化玻璃。該玻璃基板具有外徑65mm、 ⑩ 内徑20mm及平均表面粗糙度(Ra)2A。 I玻璃基板上相繼地將薄膜層疊。特別地5首先利用滅 鍍依序沉積FeCoB的軟磁性層、Ru的中介層及 70Cj)_5Cr_15Pt_10Si〇2合金的磁性層，而接著藉由P-CVD法形成 C(碳)的保護膜層。FeC〇B軟磁性層具有膜厚度_a。Ru中介層 具有膜厚度100A。磁性層具有膜厚度15〇人。c(碳)保護膜声呈有 平均膜厚度2nm。 .、 ’、 藉由濺鍍，在組合的層疊結構上形成一遮罩層。該遮罩層由 Ta組成且具有膜厚度6〇nm。 b接著藉由旋轉塗佈將一抗蝕劑塗佈在遮罩層上。該抗蝕劑由 擊 紫外線硬化樹脂之諾佛拉克(n〇v〇lac)樹脂所組成且具有膜厚度 接著在IMPa(約8.8 kgf/cm2)的壓力下，將具有磁性記錄圖案 _ 、之負向_案的玻璃壓印壓在抗飿層上。在此狀態中，自該玻璃壓 印上方，用具有波長25〇nm之紫外線照射抗蝕劑1〇秒，其展現對 ，紫=線95%以上的穿透性。從而硬化該抗蝕劑。接著將該壓印 ?該抗蝕層分離，以將該磁性記錄圖案轉移到該抗蝕層上。在該 磁性圖案轉移到該抗钱層期間，該抗钕劑上的凸部描出每一 •们具有覓120nm之周邊，而該抗钱劑中的凹部描出每一個具有寬 ⑽nm之周邊。該|邊層具有層厚度⑽腿及該抗#層巾之該凹部 20 200836175 之厚度。該抗簡+㈣基絲面之畴的角度差不 及底遮罩層之乾式糊，將對應於凹部之抗靜的已战 3= 〇_及10秒_時間。用於 包3 50 sccm的Cf4氣體流率、喊的

聚功率、㈣㈣偏壓及30秒的侧時間。W的南頻率笔 子為==相離=將為離5: 2=v。部分地移除該抗蝕劑、遮罩層及保護 厚方體且在該_^^ 例2至28 : 如表1中所示，除了改變遮罩材纽群膜厚度以外，以相 ^於例1中的情況來製造磁性記錄媒體。在例28巾，將抗 自諾佛拉克(novolac)樹脂改為熱固性樹脂，並 外喰 照射改為30分鐘15〇〇C的熱處理。 处里目f、外、、泉 比較例1: . 二除了使用旋塗材料(SOQ Spin On Glass)作為遮罩材質及在沒 有抗蝕層下利用壓印將SOG層直接植入以外，以相似於例丨中的 It况來製造磁性記錄媒體。在187 MPa(約1·66嘲/cm2)的壓力下施 行植入操作。藉由在15(TC下將遮罩層加熱3〇分鐘來硬化該遮罩 層0 比較例2 : ―除了使用熱固性樹脂作為遮罩材質及在沒有抗择層下利用壓 印將熱固性樹脂層直接植入以外，以相似於例1中的情況來製造 磁性記錄媒體。.在124 MPa(約1·1〇 喝/cm2)的壓力下施行植入^ 作。藉由在150 C下將遮罩層加熱30分鐘來硬化該遮罩層。 21 200836175 w 支架來評估所製造之磁性記錄媒體的電磁轉換特 性。下^#估用的磁頭來說，—垂直記錄磁頭制來記錄操作而 u 磁頭係用來讀取操作。如同電磁轉換特性，當75〇kFCI 信號被記錄於媒體中時，可測量所觀察的SNR值及3_τ擠壓。 旦讧 f Dlgltal InStrUment C〇·，Ltd 所製造的 AFM 及 MFM，可測 里旦:二磁性5己錄圖案特性L、Linitial及Lafter。用於AFM及Μ™ "視野、具有256X256之解析度的敲觸模式 1顯不評估的結果。例如，在例1中，8皿為ΐ2·_ nti 98〇%，其表示磁性記錄媒體具有出色的電磁轉換特 磁性記錄媒體具有高表面平滑度而穩定磁頭 致。寸 因為執道間區域的磁化態在預定範圍内完全消失所 產業應用性： 來戈對ϊίϊϊΐΓ記錄密度相關聯之技術困難的磁性記錄裝置 ^準再生特性同於或優於習知技術所能達至 1 保磁力及殘存錄t本發明亦將圖案間區域中的 如此增加了面祕t、、’叫免磁性記錄_可能的模糊。 本發明亦提供具有減少污染風險之製造;;二匕:； 色磁碩稍特性之有用的磁性記錄媒體。 ，、有出 22 200836175 表1

遮罩材 質 遮罩膜 厚 度 (nm) 抗蝕層 側部0 的角度 (度） 抗钱層 凹部的 厚 度 (nm) 離子屏 蔽能力 S 磁性圖 案特性 L 3T-擠壓 (%) SNR(dB) 例1 Ta 60 90+5 5 0.99 0.01 80 12.6 例2 W 60 90+5 6 1 0.02 82 12.7 例3 Ta 50 90+5 4 0.9 0.02 81 12.1 例4 Ta 40 90土5 5 0.6 0.01 76 11.6 例5 Ta 100 90+5 6 1 0.01 82 12.8 例6 W 40 90±5 6 0.8 0.01 75 12 例7 W 30 90±5 9 0.6 0.03 72 11.5 例8 TaN 60 90±5 5. 0.98 0.01 81 12.5 例9 WN 60 90±5 6 0.99 0.01 80 12.4 例10 Ni/Ta 20/40 90±5 9 1 0.01 82 12.7 例11 Ni/W 20/40 90+5 6 1 0.01 81 12.8 例12 Si 100 90±5 6 0.99 0.01 82 12.5 例13 Si〇2 100 90±5 5 0.98 0.01 81 12.5 例14 Ta2〇3 100 90+5 6 0.99 0.01 79 12.4 例15 Re 60 90±5 7 0.99 0.01 80 12.7 例16 Mo 100 90±5 6 0.96 0.01 79 12.6 例17 Ti 120 90±5 6 0.96 0.01 78 12.6 例18 V 120 90±5 6 0.04 0.01 79 12.5 例19 Nb 120 90+5 4 0.93 0.01 81 12.7 例20 Sn 120 90±5 5 0.99 0.01 82 12.3 例21 Ga 100 90±5 7 0.93 0.01 81 12.6 例22 Ga 100 90±5 8 0.96 0.01 80 12.5 例23 As 100 90+5 9 0.98 0.02 79 12.4 例24 Ta 60 85±5 10 0.87 0.08 76 12.1 例25 Ta 60 75±5 10 0.94 0.12 72 11.8 例26 C 100 90+5 7 0.2 0.27 56 10.4 例27 SOG 100 90+5 7 0.4 0.32 59 10.7 例28 Ta 60 65±5 40 0.97 0.22 85 11.1 比較例1 SOG 100 65±5 40 0.4 0.37 51 10.7 比較例2 熱固性 樹脂 100 65±5 40 0.4 0.29 54 10.9 23 200836175 【圖式簡單說明】 圖1為一概略圖，顯示符合本發明之磁性記錄媒體的剖面結 構。 圖2為一概略圖，顯示符合本發明之磁性記錄媒體的製造過 程。 圖3為一概略圖，說明符合本發明之磁性記錄再生裝置的結 構。 【主要元件符號說明】 1 非磁性基板 2 磁性層 3 遮罩層 4 抗I虫層 5 壓印 6 離子 7 去磁區域 8厚度 11 驅動部 27 磁頭 28 磁頭驅動部 29 記錄再生信號處理裝置 30 磁性記錄媒體 100 非磁性基板 200軟磁性層暨中介層 300磁性層 400 非磁性層 500保護膜層 24

Claims (1)

1. 200836175 十、申請專利範圍·· 磁性法，該磁性記錄媒體係在一非 法包含以下麵··性上分狀雜記誠案，該方 在該非磁性基板上形成一磁性層； 在該磁性層上形成一遮罩層； 在該遮罩層上形成一抗蝕層； 上 利用£印將该磁性記錄圖案之貞向圖案轉移到該抗姓層 除 將遮罩層中之對應於該磁性記顧案之負向義的部分移 自抗蝕層侧表面將離子植入該磁性層中，以將該磁性層部 分去磁；及 q 移除該抗蝕層及該遮罩層。 2·如申請專利範圍第〗項.之磁性記錄媒體的製造方法，i中 形成於該磁性層上的該遮罩層，具有—屏蔽能力s以屏蔽該植入 離子’其)巧· S = (Mrti_al-施一施扯―且，其中， Mrtinitial表=離子植入前該磁性層中的殘存磁化量，而細表示 在以5xl016/cm2之劑量植入2〇_keV之氬後該磁性層中的殘存磁化 量0 3·如申請專利範圍第1項之磁性記錄媒體的製造方法，其中 形成於该磁性層上的該遮罩層具有一磁性記錄圖案形成特性L， 其滿足· L —(Lafter—Linitial)/Linitial且 0$L$〇,2,其中，1^咖表示該 磁性記錄圖案中之每一負向圖案的寬度，而Lafter表示經由該遮罩 層之圖案將該離子植入該磁性層後的去磁圖案之寬度。 4·如申請專利範圍第1項之磁性記錄媒體的製造方法，其中 25 200836175 形成於該磁性層上的該遮罩層包含選 W 氮化物、Si、Si〇2、Ta2〇5、Re、M〇、H W、Ta 氬化物、 Ge、As以及Ni所組成的群組中的—種類之至少=、％、Ga、 5.如申請專利範圍第之磁性記錄 形成於該磁性層上的該遮罩層具有一多層、妹構勺衣&方去，其中 6·如申睛專利範圍第1項之磁 形成於該磁性層上的該遮罩層係 ^自於3造=，其中 遮罩層的步驟為使用—含F的氣:並且移除該 7.如申請專利範圍第丨項之磁 形成於該雜層上_遮罩層;㈣造方法，其中 該遮罩層的麵級帛—含⑺陳體驟並且移除 且移除該鮮層的步_制 之材⑽構成，遂 3 L4的讀之乾式關步驟。 形成於該磁= 的製造方法，其中 該遮罩層的步驟為使用一含玢的氣體之乾:並且移除 在將該造方法，其牛 ，中形成凹部的該抗^二;；層之步驟後，^ 板之一表面形成90至70。之^圍内二角度側如目對於該非磁㈣ 26 200836175 > 12·如申請，利範圍第1項之磁性記錄媒體的製造方法，其中 該抗蝕^係由藉由照射放射性光線可使其硬化之材質所構成，且 彻峨讀，用放射 中該第12項之磁性記錄媒體繼方法，其 14·—種磁性記錄再生裝置，包含： 磁性記 利用根據申請專利範圍1 _媒體； 至13項中任-項之方法所製成的該 動部’將該磁性 =頭壯包含記錄部及再生:5己錄方向驅動； …記錄再f信】=== 細磁性記錄媒體移動;及 该磁碩之輪出錢再生。、 來將信號輸人雜麵且將來自 十一 、圖式：