JP5398228B2 - 膜製造方法 - Google Patents
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- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
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Description
基板上に所定材料の膜を形成する膜形成過程と、
上記膜上に、その膜の一部の箇所を覆いその箇所へのイオンの注入をその箇所以外の箇所に比べて阻害する、厚みが縁で逓減しているマスクを形成するマスク形成過程と、
上記マスクが形成された膜に対してそのマスク上からイオンを注入するイオン注入過程とを有することを特徴とする。
基板と、
上記基板上に磁性材料からなる磁性膜を形成して、その磁性膜の複数箇所を覆いその複数箇所それぞれへのイオンの注入をその複数箇所以外の箇所に比べて阻害する、厚みが縁で逓減しているマスクを形成し、さらに、そのマスクが形成された磁性膜に対してそのマスク上からイオンを注入して飽和磁化を低下させることでその複数箇所に得られた、各々に情報が磁気的に記録される複数の磁性ドットと、
上記イオンの注入によって上記複数箇所以外の箇所に得られた、上記磁性ドットの相互間にあって、その磁性ドットの飽和磁化よりも小さい飽和磁化を有するドット間分断帯とを備えたことを特徴とする。
基板と、
上記基板上に磁性材料からなる磁性膜を形成して、その磁性膜の複数箇所を覆いその複数箇所それぞれへのイオンの注入をその複数箇所以外の箇所に比べて阻害する、厚みが縁で逓減しているマスクを形成し、さらに、そのマスクが形成された磁性膜に対してそのマスク上からイオンを注入して飽和磁化を低下させることでその複数箇所に得られた、各々に情報が磁気的に記録される複数の磁性ドットと、
上記イオンの注入によって上記複数箇所以外の箇所に得られた、上記磁性ドットの相互間にあって、その磁性ドットの飽和磁化よりも小さい飽和磁化を有するドット間分断帯とを備えた磁気記憶媒体と、
上記磁気記憶媒体に近接あるいは接触して上記磁性ドットに磁気的に情報の記録及び/又は再生を行う磁気ヘッドと
上記磁気ヘッドを上記磁気記憶媒体表面に対して相対的に移動させて、その磁気ヘッドによる情報の記録及び/又は再生となる磁性ドット上にその磁気ヘッドを位置決めするヘッド位置制御機構と、
を備えたことを特徴とする。
「上記膜形成過程が、上記基板上に磁性材料からなる磁性膜を形成する過程であり、
上記マスク形成過程が、各々に情報が磁気的に記録される磁性ドットとなる複数箇所それぞれを覆ったマスクを形成する過程であり、
上記イオン注入過程が、上記マスクが形成された磁性膜に対してそのマスク上からイオンを注入して飽和磁化を低下させることで、上記磁性ドットの相互間に、その磁性ドットの飽和磁化よりも小さい飽和磁化を有するドット間分断帯を形成する過程である」という応用形態が考えられる。
ここで、この最大の注入深さMaxは、注入されるイオンのエネルギー(加速電圧)に依存する。
「上記マスク形成過程が、上記所定箇所の縁からその所定箇所以外の箇所に向かって厚みがステップ状に変化する、ステップの幅が、その所定箇所以外の箇所に注入されたイオンのその所定箇所に向けての拡散分布における標準偏差の2倍以下の幅となるマスクを形成する過程である」という応用形態が好適であることを意味している。
基板上に所定材料の膜を形成する膜形成過程と、
前記膜上に、該膜の一部の箇所を覆い該箇所へのイオンの注入を該箇所以外の箇所に比べて阻害する、厚みが縁で逓減しているマスクを形成するマスク形成過程と、
前記マスクが形成された膜に対して該マスク上からイオンを注入するイオン注入過程とを有することを特徴とする膜製造方法。
前記マスク形成過程が、厚みが縁でステップ状に減少するマスクを形成する過程であることを特徴とする付記1記載の膜製造方法。
前記マスク形成過程が、厚みが縁でステップ状に減少する、ステップの幅が、前記膜に注入されたイオンの拡散分布における標準偏差の2倍以下の幅となっているマスクを形成する過程であることを特徴とする付記1又は2記載の膜製造方法。
前記マスク形成過程が、厚みが縁で連続的に減少するマスクを形成する過程であることを特徴とする付記1記載の膜製造方法。
前記マスク形成過程が、前記マスクをレジストで形成する過程であることを特徴とする付記1から4のうちいずれか1項記載の膜製造方法。
前記マスク形成過程が、前記マスクを、レジストと型とを用いて該型を該レジストに押し付ける型押しによって形成する過程であることを特徴とする付記1から5のうちいずれか1項記載の膜製造方法。
前記膜形成過程が、前記基板上に磁性材料からなる磁性膜を形成する過程であり、
前記マスク形成過程が、各々に情報が磁気的に記録される磁性ドットとなる複数箇所それぞれを覆ったマスクを形成する過程であり、
前記イオン注入過程が、前記マスクが形成された磁性膜に対して該マスク上からイオンを注入して飽和磁化を低下させることで、前記磁性ドットの相互間に、該磁性ドットの飽和磁化よりも小さい飽和磁化を有するドット間分断帯を形成する過程であることを特徴とする付記1から6のうちいずれか1項記載の膜製造方法。
基板と、
前記基板上に磁性材料からなる磁性膜を形成して、該磁性膜の複数箇所を覆い該複数箇所それぞれへのイオンの注入を該複数箇所以外の箇所に比べて阻害する、厚みが縁で逓減しているマスクを形成し、さらに、該マスクが形成された磁性膜に対して該マスク上からイオンを注入して飽和磁化を低下させることで該複数箇所に得られた、各々に情報が磁気的に記録される複数の磁性ドットと、
前記イオンの注入によって前記複数箇所以外の箇所に得られた、前記磁性ドットの相互間にあって、該磁性ドットの飽和磁化よりも小さい飽和磁化を有するドット間分断帯とを備えたことを特徴とする磁気記憶媒体。
基板と、
前記基板上に磁性材料からなる磁性膜を形成して、該磁性膜の複数箇所を覆い該複数箇所それぞれへのイオンの注入を該複数箇所以外の箇所に比べて阻害する、厚みが縁で逓減しているマスクを形成し、さらに、該マスクが形成された磁性膜に対して該マスク上からイオンを注入して飽和磁化を低下させることで該複数箇所に得られた、各々に情報が磁気的に記録される複数の磁性ドットと、
前記イオンの注入によって前記複数箇所以外の箇所に得られた、前記磁性ドットの相互間にあって、該磁性ドットの飽和磁化よりも小さい飽和磁化を有するドット間分断帯とを備えた磁気記憶媒体と、
前記磁気記憶媒体に近接あるいは接触して前記磁性ドットに磁気的に情報の記録及び/又は再生を行う磁気ヘッドと
前記磁気ヘッドを前記磁気記憶媒体表面に対して相対的に移動させて、該磁気ヘッドによる情報の記録及び/又は再生となる磁性ドット上に該磁気ヘッドを位置決めするヘッド位置制御機構と、
を備えたことを特徴とする情報記憶装置。
10 磁気ディスク
11 ディスク軸
20 スイングアーム
21 磁気ヘッド
24 ベアリング
30 アクチュエータ
50 制御回路
61 ガラス基板
62 磁性層
62a Coの原子層
62b Pdの原子層
62c 磁性ドット
62d ドット間分断帯
63 レジスト
63a レジストドット
63a_1,71a,72a 主要部分
63a_2 ステップ部分
63b 残渣
64 モールド
64a 穴
71 第1のレジストドット
71b 第1の斜面部分
72 第2のレジストドット
72b 第2の斜面部分
81 基板
82 下地層
83 磁性膜
83a,83b 箇所
84 保護層
85 マスク
86 残渣
87 イオン
Claims (2)
- 基板上に所定材料の膜を形成する膜形成過程と、
前記膜上に、該膜の一部の箇所を覆い該箇所へのイオンの注入を該箇所以外の箇所に比べて阻害する、厚みが縁で逓減しているマスクを形成するマスク形成過程と、
前記マスクが形成された膜に対して該マスク上からイオンを注入するイオン注入過程とを有し、
前記マスク形成過程が、厚みが縁でステップ状に減少する、ステップの幅が、前記膜に注入されたイオンの拡散分布における標準偏差の2倍以下の幅となっているマスクを形成する過程であることを特徴とする膜製造方法。 - 前記マスク形成過程が、前記マスクをレジストで形成する過程であることを特徴とする請求項1記載の膜製造方法。
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JP2008279930A JP5398228B2 (ja) | 2008-10-30 | 2008-10-30 | 膜製造方法 |
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