TW200822277A - Suction stage and substrate-treating apparatus - Google Patents
Suction stage and substrate-treating apparatus Download PDFInfo
- Publication number
- TW200822277A TW200822277A TW096124854A TW96124854A TW200822277A TW 200822277 A TW200822277 A TW 200822277A TW 096124854 A TW096124854 A TW 096124854A TW 96124854 A TW96124854 A TW 96124854A TW 200822277 A TW200822277 A TW 200822277A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- substrate
- adsorption
- holding
- stage
- groove
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B25—HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
- B25B—TOOLS OR BENCH DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR, FOR FASTENING, CONNECTING, DISENGAGING OR HOLDING
- B25B11/00—Work holders not covered by any preceding group in the subclass, e.g. magnetic work holders, vacuum work holders
- B25B11/005—Vacuum work holders
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S414/00—Material or article handling
- Y10S414/135—Associated with semiconductor wafer handling
- Y10S414/141—Associated with semiconductor wafer handling includes means for gripping wafer
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Robotics (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
Description
200822277 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係與在基板處理裝置保持基板之技術有關。 【先前技術】 從先前起,基板處理裝置(缝隙塗佈器)已為一般所知, 其係藉由設於臺之吸附孔而將基板之背面進行吸附保持, 從縫隙喷嘴朝已保持之基板的表面喷出抗蝕劑液,將抗蝕 劑液塗佈於基板之表面者。
然而,隨著現今之基板的大型化,基板背面與臺表面間 之大氣(空氣)的排出變差,因而將基板載置於臺之際,會產 生位置偏離的問題。又,大氣之往基板背面與臺表面間之 流入變差,因而亦產生基板黏附於臺的問題。 另一方面,專利文獻1中揭示,在臺之表面設置呈大氣開 放之溝(凹部空間)的結構。如採用如此之結構於上述基板處 理裝置,則通過該當之溝,可改善基板背面與臺表面之間 的大氣循環。 [專利文獻1]日本特開2000-012663號公報 【發明内容】 (發明所欲解決之問題) 然而,在專利文獻1中所揭示之技術方面,其結構係呈大 氣開放之溝遍佈於基板之背面’因而具有臺全體之吸附力 下降的問題。 如 再者,在進行塗佈抗蝕劑液之基板處理裝置方面,具有 下特有之問題:在基板背面接觸於臺之部分及在基板背 121850.doc 200822277 面側產生空間之部分方面,在處理上產生差異,成為塗佈 不良的原因。因此,如專利文獻〗所揭示,在大型吸附孔的 "又置上有其限度,如將吸附孔小型化則吸附力會更下降。 又,亦可單純考慮增加吸附孔之數目,但此一情形會有加 工費用增多的問題。 、^發明係有鑑於上述問題所完成者,其目的為抑制成本 增夕或塗佈不良,並改善基板背面之大氣循環。
(解決問題之技術手段) 為解決上述待解決問題,請求項1之發明係一種吸附臺, 其特铽為,保持基板者,且包含··複數個保持部,其係由 開放溝所分別區隔,且抵接於基板之f面者;及排氣構件, 其係從形成於前述複數個保持部之吸附孔施行排氣者;在 前述保持部形成有與前述吸附孔連通之吸附溝。 月求項2之發明係與請求項1之發明有關之吸附臺, 其中刚述開放溝係設為格子狀,前述保持部具有外周形狀 為矩形之保持面。 附 的 中 又味求項3之發明係與請求項1或2之發明有關之吸 臺’其中設於保持部之吸附溝係以往沿著前述基板端部 方向延伸之方式形成,而該保持部係前述複數個保持部 抵接於基板端部者。 又’請求項4之發明的特徵為包含:吸附臺,其係保持基 板者;基板移動構# ’其係在保持位置與遠離位置之間使 基板進退,%該保持位置係&板被保持於前述吸附臺者, 該遠離位置係基㈣離前述吸附臺者;及處理機構,其係 121850.doc 200822277 將已保持於前述吸附臺之基板進行處理者;前述吸附臺包 含:複數個保持部,其係由開放溝所分別區隔,且抵接於 基板之背面者;及排氣構件,其係從形成於前述複數個保 持部之吸附孔施行排氣者;在前述保持部形成有與前述吸 附孔連通之吸附溝。 又’請求項5之發明係與請求項4之發明有關之基板處理 裝置’其中前述處理機構包含:縫隙喷嘴,其係從往第】 ( #向延伸之縫隙狀喷出口噴出處理液者;及移動構件,Α 係使前述吸附臺與前述縫隙噴嘴往與前述第1方向正交2 第2方向相對移動者。 (發明之效果) 在請求項1至5所揭示之發明中,包含:複數個保持部, 其係由開放溝所分別區隔,且抵接於基板之背面者;及排 乳構件,其係從形成於複數個保持冑之吸附孔施行排氣 者;在保持部形成有肖吸附孔連通之吸附溝;藉由此方式, V 可在抑制成本增多、塗佈不良的同時,並將基板背面方面 之大氣循環予以改善。 【實施方式】 • 以下,參考附圖’針對本發明之良好實施型態作詳細說 明。 實施型態> 圖1係與本發明有關之基板處理裝置1之全體立體圖。再 者,在圖1中,基於圖示及說明的方便,係作如下定義· ζ 軸方向係表示錯直方向、χγ平面係表示水平面。但此等係 121850.doc 200822277 為了把握位置關係而在權宜上作如此定義者,並非用於限 定以下所說明之各方向者。在以下之圖方面亦為相同。 基板處理裝置1係構成為:概略分成本體2與控制部8,將 用於製造液晶顯示裝置之畫面面板之角形玻璃基板作為被 處理基板(以下,簡稱為「基板」)9〇;在將形成於基板9〇之表 面的電極層等作選擇性蝕刻的製程上,係作為把作為處理 液之抗蝕劑液塗佈於基板90之表面的塗佈處理裝置。因 此,在此實施型態中,縫隙喷嘴41係喷出抗蝕劑液。再者, 基板處理裝置1係非僅液晶顯示裝置用之玻璃基板,一般亦 可作為將處理液塗佈於平面面板顯示器用之各種基板的装 置,而加以變形利用。 本體2係載置基板90並保持之,且包含吸附臺3,其係作 為附屬之各機構的基台亦發揮功能者。吸附臺3係具有正方 體形狀之譬如一體之石製,其上面3〇及侧面係加工為平坦 面。吸附臺3之詳細結構係如後所述。 在上面30之中,於夾著基板9〇之保持區(保持基板9〇之區 域)的兩端部,係固設著往略水平方向作平行延伸之一對行 走軌31。行走軌31係與支持區塊(未圖示)一起,進行引導架 橋結構4之移動(將移動方向規定在特定之方向),構成將架 橋結構4支持於上面3〇的線性引導;而該支持區塊係固設於 架橋結構4之兩端部之最下方者。 在本體2之上面30,於保持區之(_χ)方向側係設有開口 32。開口 32係與縫隙喷嘴41同樣,在γ轴方向具有長邊方 向,且該長邊方向長度係與縫隙喷嘴41之長邊方向長度約 121850.doc 200822277 略相同。 在圖1中雖省略圖*,但在開口 32之T方的本體2内部係 設有用於使縫隙噴嘴41之狀態正常化之預備塗佈機構、用 於抑制待機中之縫隙噴嘴41之乾燥的待機補助箱等。待機 補助箱亦在從抗蝕劑用泵(未圖示)排出抗蝕劑液之際使用。 在吸附臺3之上方,係設有從此吸附臺3之兩側部分以略 水平方式跨越的架橋結構4 ^架橋結構4係主要由譬如以碳 纖補強樹脂為骨材之喷嘴支持部4〇、及支持其兩端之昇降 機構43、44所構成。 在喷嘴支持部40係安裝著縫隙噴嘴41。在縫隙喷嘴“係 連接著對縫隙喷嘴41供應抗蝕劑液之抗蝕劑供應機構(未 圖示),而縫隙喷嘴41係在圖!中於γ軸方向(第!方向)具有 長邊方向者。 缝隙喷嘴41係在掃描基板9〇之表面的同時,並把被供應 之抗蝕劑液對基板90之表面的特定之區域(以下,稱為「抗 餘劑塗佈區域」)進行喷出’藉由此方式,將抗蝕劑液塗佈 於基板90。再者,抗蝕劑塗佈區域係指,在基板9〇之表面 之中欲塗佈抗#劑液之區域,且通常係從基板9〇之全面積 除掉沿著端緣之特定寬度之區域後的區域。 昇降機構43、44係分別位於縫隙喷嘴4丨之兩側,藉由喷 嘴支持部40而與縫隙喷嘴41連結。昇降機構43、料係主要 包含AC伺服馬達43 a、44a及未圖示之球狀螺絲,根據來自 控制器8之控制#號而產生架橋結構4之昇降驅動力(z軸方 向之驅動力)。 121850.doc -10- 200822277 藉由此方式,昇降機構43、44係使縫隙喷嘴4丨作並進式 幵降。又,昇降機構43、44亦使用縫隙喷嘴41之在平面 内的姿勢之調整。 在木橋釔構4之兩端部,沿著吸附臺3之兩側的緣侧係分 別固叹著一對AC無芯線性馬達(以下,簡冑「線性馬 達」)50、5卜而其係分別包含固定子(固定具與移動子 5〇b、及固定子51a與移動子5比者。 又’在架橋結構4之兩端部,係分別固設著線性編碼器 52、53 ’而其係分別包含刻度部與檢出子者。線性編碼器 52、53係檢出線性馬達5()、51之位置並傳達至控制部$。 以此等線性馬達5G、51與線性編碼器52、53為主,而構 成移動機構,其係用於將架橋結構4引導於行走軌Η並在吸 附臺3上往X軸方向(第2方向)移動者。 控制部8係在内部包含··運算部8〇,其係遵照程式進行處 理各種㈣者;及記憶部81,其係保存程式及各種資料者。 ί 在月J面& 3 ·操作部Μ,其係用於讓操作者對基板 處理裝置1進行輸入必要之指人 一 資之扣7者,及顯不部83,其係顯示 各種資料者。 控制口Μ在圖1中係藉由未圖示之連接線而與附屬於本體 2之各機構呈電性連接。控制部8之運算㈣係根據來自操 作部82之輸入信號、來自夫 目未圖不之各種感測器等之信號, 而進行控制對縫隙噴嘴4〗之浐 角1之抗蝕劑液的供應動作、藉由戽 降機構43、44之昇降動作、 及猎由線性馬達50、51之缝隙 喷嘴41的掃描動作等。 縫隙 121850.doc 200822277 再者,在控制部8之結構之中,就記憶部8丨之具體之例而 口係邊當於’將資料作一時性記憶之RAM、讀取專用之 ROM及磁性碟片裝置等。然而,記憶部§ 1如藉由可攜式 光磁性碟片、記憶卡等記憶媒體、及該等之讀取裝置予以 代用亦可。又,操作部82係該當於按鍵及開關類(含鍵盤、 /月鼠等)等,但如為點觸式面板顯示器般兼具顯示部Μ之功 能者亦可。顯示部83係該當於液晶顯示器、各種指示燈等。 圖2係吸附臺3之概略立體圖。又,圖3係吸附臺3之XZ平 面方面之部分剖面圖。 在吸附臺3,係以分散方式配置著複數個提昇銷33。各提 昇銷3 3係連結於未圖示之驅動機構,並藉由驅動機構而往z 軸方向進退。提昇銷33在移動至最(-z)方向之位置時係可埋 /又於吸附室3内,同時,在移動至最(+z)方向之位置時係可 突出於吸附臺3之上面30。 在提昇銷33突出於上面30之狀態下,各提昇銷33之先端 〇 ㈣抵接於基板9G之背面。如此方式般,當複數個提昇銷 33抵接於基板9〇之背面,則基板%係藉由提昇銷%而成為 被保持之狀態。此時,基板9G係遠離吸附臺3之上面3〇(位 - 於退離位置)。又’當保持著基板90之提昇鎖33下降至埋沒 於吸附臺3(位於保持位置)’則基板9G係受吸附臺⑽承接而 被保持。亦即,此等提昇銷33與驅動機構係相當於本發明 中之基板移動構件。 如圖2所示般,在吸附臺3之上面3〇,開放溝⑽形成格 子狀。 121850.doc • 12 - 200822277 在此,開放溝34係指,形成於吸附臺3之上面3〇的凹部, 且當基板90載置於吸附臺3時呈大氣開放之空間。在圖2 中,開放溝34雖達吸附臺3之側面,但實際上,係形成於上 面30之中之僅比保持區略寬之區域。 在本實施型態之基板處理裝置!*,開放溝34之剖面形狀 係正方形,大小為寬3 mmx深3 mm。開放溝34之形狀及大 小並不限定於此處所示之例,然而,$ 了抑制塗佈不均, 係以勿過大之大小為佳。譬如,寬係以5 mm以下為佳。又, 圖2所示開放溝34係全部呈相互連通,但如為在基板%載置 之狀悲下呈大氣開放之狀態,則即使未相互連通亦可。 如此方式般,藉由在吸附臺3之上面3〇形成開放溝34,而 使基板90之背面與吸附臺3之上面3〇之間的空間的大氣循 環變佳,因而可抑制空氣的累積及對吸附臺3之黏附等。 如圖2所示般,藉由形成開放溝34,而在吸附臺3形成複 數個矩形之凸部(保持部35)。各保持部35係藉由開放溝% 而與其他保持部35作區隔。換言之,吸附臺3之上面3〇之保 持區係藉由開放溝34而分割為複數個保持面%。 藉由抵接於基板90之背面,保持部35之保持面36係將基 板90予以保持。再者,本實施型態中之保持面“雖係平面 形狀為200 mmx20〇mm之矩形,但當然不限定於此。 如圖3所示般,在各保持部35係設有朝(+z)方向開口之吸 附孔37。吸附孔37係分別與排氣機構39呈連通連接。在本 =施型態中,吸附孔37之直徑的大小為15 mm,但並不限 疋於此大小。然而,為了抑制塗佈不良,係以3 以下為 121850.doc •13· 200822277 佳。 排氣機構39係依據來自控制部8之信號而被驅動,並從各 吸附孔37施行排氣(抽吸)。藉由排氣機構39施行抽吸,各吸 附孔37係施行基板90之吸附。 又’排氣機構39不僅進行抽吸,亦可朝基板90進行供應 空氣。亦即,藉由從各吸附孔37朝基板90進行供應空氣, 排氣機構39係具有從吸附臺3使塗佈處理結束後之基板90 剝離的功能。再者,排氣機構39所供應之氣體並不限於空 氣,譬如,如為氮亦可。然而,為了不賦予塗佈處理不良 影響,係以惰性氣體為佳。 如圖3所示般,在本實施型態中,係對各吸附孔37分別設 置獨立之抽吸路徑,依據來自控制部8之控制信號,可從任 意之吸附孔37分別獨立施行抽吸、供應。藉由此方式,譬 如,使從基板90之中央部(一般容易產生空氣累積)先施行吸 附等之控制變為可能。然而,各吸附孔37之抽吸路徑如非 獨立亦可,譬如,分成若干組亦可。 圖4係吸附臺3之部分平面圖。再者,在圖4中省略了提昇 銷33之圖示。 複數個保持部35之中,在抵接於基板90之端部的保持部 3 5(保持面36)係形成吸附溝38。吸附溝38係形成於沿基板卯 之端部的方向,並連通於吸附孔37。 在此’吸附溝3 8係指’形成於保持面3 6的凹部,且當基 板90載置於吸附臺3時非呈大氣開放之空間。亦即,吸附溝 38非但與保持區外,亦不與開放溝34連通。 121850.doc -14- 200822277 藉由如此之結構,在形成吸附溝3 8之保持部3 5方面,如 從吸附孔37施行抽吸,則吸附溝38内亦成為負壓,將基板 90進行吸附。 當保持面3 6之面積變寬,如僅靠吸附孔3 7,則使遠離吸 附孔37之部分的基板90密合,需耗費較多時間。然而,藉 由設置如此之吸附溝38,則即使使保持面36變寬之情形(具 有減少開放溝34及吸附孔37之數目的效果),亦可高速施行 基板90之吸附。尤其,藉由減少吸附孔37之數目所產生的 成本抑制效果頗大。 又,在抵接於基板90之端部的保持部35方面,空氣從基 板90與保持面36之間隙進入之可能性高,藉由設置如此之 結構,而可將基板90之端部近旁進行更確實吸附(保持)。 再者,如此方式般,藉由把與開放溝34分離之吸附溝38 作另行設置,在使基板90剝離(去除)之際,排氣機構39所供 應之空氣的排出受到抑制。因此,所供給之空氣係以良好 效率使基板90遠離(推上),故可減少空氣的供應量。 又,鋪設之吸附溝38係可以所謂「面」將基板9〇推上。 因此,相較於僅以吸附孔37(以所謂「點」)推上之情形,可 將基板90以均一方式推上。 再者,在背面抵接於臺之部分與在背面侧形成空間之部 :方面,對基板之塗佈處理不均一之現象,可視為係因該 等之部分之溫度差所產生之影響車交大所致。纟本實施型態 中,係藉由鋪設吸附溝38,結果使形成於背面侧之空間的 面積增大。然而,相較於如先前技術般設置大型吸附孔, 121850.doc 15 200822277 在縮小吸附孔37之開口面積的狀態下鋪設細吸附溝38,以 此方式可抑制溫度之不均一性。因此,在基板處理裝置1 中,塗佈處理方面之特有的問題(塗佈不良)得到抑制。 如以上所述般,基板處理裝置1包含吸附臺3,其係包含 藉由開放溝34而分別被區隔且抵接於基板90之背面的複數 個保持部35者。在保持部35,藉由形成與吸附孔37連通之 吸附溝38,故可在抑制成本增多、塗佈不良的同時,並改 善基板90背面方面之大氣循環。 <2.變形例> 以上’針對本發明之實施型態作了說明,但本發明並不 限定於上述之實施型態,而可有各種變形。 譬如’在上述實施型態之基板處理裝置丨中,係僅在抵接 於基板90之端部的保持部35形成吸附溝38。然而,如在抵 接於基板90之中央部的保持部35形成吸附溝38亦可。圖$ 及圖ό係顯示抵接於基板90之中央部的保持部35的變形例 之圖。 在抵接於基板90之中央部的保持部35a、35b方面,當保 持面36之面積變寬,如僅靠吸附孔37,則會產生使遠離吸 附孔37之部分的基板9〇密合較耗費時間的問題。然而,藉 由設置圖5及圖6所示之吸附溝38,則即使使保持面%變寬 之h形’亦可高速施行基板9〇之吸附。 又’在保持部3 5並非一定得設置吸附孔3 7不可。亦即, 在保持部35中僅單純包含載置基板9〇者即可。 【圖式簡單說明】 121850.doc -16 - 200822277 圖1係與本發明有關之基板處理裝 圖2係吸附臺之概略立體圖。 i體立體圖 圖3係吸附臺之XZ平面方面之部分剖面圖 圖4係吸附臺之部分平面圖。 ° 的變形例之圖 圖5及顯示抵接於基板之中央部的保持部 圖6係顯示抵接於基板之中央部的保持部的變形例之圖 【主要元件符號說明】 Ο
1 基板處理裝置 3 吸附臺 8 控制部 30 上面 31 行走軌 33 提昇銷 34 開放溝 35、35a、35b 保持部 36 保持面 37 吸附孔 38 吸附溝 39 排氣機構 41 縫隙喷嘴 43 > 44 昇降機構 50-51 線性馬達 52、53 線性編碼器 90 基板 121850.doc -17-
Claims (1)
- 200822277 十、申請專利範圍·· 1. ’且包含: 隔,且抵接於 種吸附室,其特徵為··其係保持基板者 複數個保持部,其係由開放溝所分別區 基板之背面者;及 排氣構件, 施行排氣者; 其係從形成於前述複數個保持部之吸附孔 在前述保持部形成有與前述吸附孔連通之吸附溝。 2·如請求項1之吸附臺,其中 前述開放溝係設為袼子狀; W述保持部具有外周形狀為矩形之保持面。 3·如請求項1或2之吸附臺,其中 正设於保持部之吸附溝係以往沿著前述基板端部的方向 延伸之方式形成,而該保持部係前述複數個保持部中抵 接於基板端部者。 4· 一種基板處理裝置,其特徵為包含:吸附臺,其係保持基板者; 基板移動構件,其係在保持位置與遠離位置之間使基 板進L而該保持位置係基板被保持於前述吸附臺之位 置,該遠離位置係基板遠離前述吸附臺之位置;及 处機構其係將已保持於前述吸附臺之基板進行處 理者; 前述吸附臺包含: 復數個保持部,其係由開放溝所分別區隔,且抵接 於基板之背面者;及 121850.doc 200822277 排氣構件,其係從形成於前述複數個保持部之吸附 孔施行排氣者; 在前述保持部形成有與前述吸附孔連通之吸附溝。 5·如請求項4之基板處理裝置,其中 前述處理機構包含: 縫隙噴嘴,其係從往第1方向延伸之縫隙狀喷出口喷 出處理液者;及 移動構件,其係使前述吸附臺與前述缝隙喷嘴往與 财述第1方向正交之第2方向相對移動者。 121850.doc
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006302602A JP2008124050A (ja) | 2006-11-08 | 2006-11-08 | 吸着ステージおよび基板処理装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW200822277A true TW200822277A (en) | 2008-05-16 |
Family
ID=39404842
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW096124854A TW200822277A (en) | 2006-11-08 | 2007-07-09 | Suction stage and substrate-treating apparatus |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2008124050A (zh) |
KR (1) | KR100906891B1 (zh) |
CN (1) | CN101178543A (zh) |
TW (1) | TW200822277A (zh) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101503434B (zh) * | 2008-12-11 | 2012-06-27 | 江苏天士力帝益药业有限公司 | 一种葡醛内酯的合成方法 |
JP5977042B2 (ja) * | 2012-02-27 | 2016-08-24 | 株式会社Screenホールディングス | 塗布装置、基板保持装置および基板保持方法 |
JP6057599B2 (ja) * | 2012-08-09 | 2017-01-11 | タツモ株式会社 | 吸着定盤及びその製造方法 |
CN102878970B (zh) * | 2012-09-17 | 2015-08-05 | 晟扬精密模具(昆山)有限公司 | 模仁电极检测治具 |
CN102941546B (zh) * | 2012-11-08 | 2015-05-13 | 昆山允可精密工业技术有限公司 | 一种带二维角度调节功能的真空吸附平台 |
CN103172271B (zh) * | 2013-03-15 | 2015-11-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种涂布方法 |
JP6047438B2 (ja) * | 2013-03-25 | 2016-12-21 | 株式会社Screenホールディングス | 剥離装置および剥離方法 |
CN103231332A (zh) * | 2013-05-06 | 2013-08-07 | 苏州金牛精密机械有限公司 | 吸盘式工件平台 |
KR101821636B1 (ko) * | 2013-08-28 | 2018-03-08 | 에이피시스템 주식회사 | 기판 안착 장치 |
CN104669221A (zh) * | 2015-03-17 | 2015-06-03 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 一种绝缘机台、设备及消除静电的方法 |
US10186448B2 (en) * | 2015-12-11 | 2019-01-22 | Lam Research Corporation | Wafer support pedestal with wafer anti-slip and anti-rotation features |
CN106679597B (zh) * | 2017-01-03 | 2019-02-05 | 武刚 | 镀层检测用的载物板 |
CN113387132B (zh) * | 2021-05-12 | 2023-09-12 | 合肥欣奕华智能机器股份有限公司 | 一种基板作业平台及基板作业平台的控制方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3245813B2 (ja) | 1996-11-27 | 2002-01-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布膜形成装置 |
JP2000012663A (ja) * | 1998-06-17 | 2000-01-14 | Nikon Corp | 基板保持方法及び装置、及びそれを備えた露光装置 |
JP2002134597A (ja) * | 2000-10-27 | 2002-05-10 | Ushio Inc | ステージ装置 |
JP3892327B2 (ja) * | 2002-03-28 | 2007-03-14 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
US20070158031A1 (en) * | 2004-01-16 | 2007-07-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | Substrate adsorption device and substrate bonding device |
JP4534650B2 (ja) * | 2004-07-30 | 2010-09-01 | セイコーエプソン株式会社 | 液滴吐出装置のワークテーブルおよびこれを備えた液滴吐出装置、並びに電気光学装置の製造方法、電気光学装置および電子機器 |
-
2006
- 2006-11-08 JP JP2006302602A patent/JP2008124050A/ja not_active Abandoned
-
2007
- 2007-07-09 TW TW096124854A patent/TW200822277A/zh unknown
- 2007-07-19 CN CNA2007101370330A patent/CN101178543A/zh active Pending
- 2007-08-08 KR KR1020070079457A patent/KR100906891B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20080041984A (ko) | 2008-05-14 |
JP2008124050A (ja) | 2008-05-29 |
KR100906891B1 (ko) | 2009-07-08 |
CN101178543A (zh) | 2008-05-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TW200822277A (en) | Suction stage and substrate-treating apparatus | |
JP4884871B2 (ja) | 塗布方法及び塗布装置 | |
JP4876640B2 (ja) | ワーク搬送装置およびワーク搬送方法 | |
JP4628964B2 (ja) | 基板処理装置 | |
KR20050076760A (ko) | 기판 처리 장치 | |
JP4985996B2 (ja) | スクライブ装置、そしてこれを用いた基板切断装置及び方法 | |
TWI595594B (zh) | Substrate holding device, coating device, substrate holding method | |
JP2009004545A (ja) | 基板載置装置および基板処理装置 | |
WO2006118016A1 (ja) | ボンディング装置およびこれを備えたボンディングシステム | |
CN106313858B (zh) | 贴合设备的制造装置及制造方法 | |
CN108701635B (zh) | 基板浮起输送装置 | |
JP3808792B2 (ja) | 基板処理装置およびスリットノズル | |
TWI441689B (zh) | Coating device and its coating position correction method | |
JP4522726B2 (ja) | スリットノズルおよび基板処理装置 | |
JP2009032915A (ja) | 基板保持装置 | |
JP6207857B2 (ja) | 剥離装置および剥離方法 | |
JP6047438B2 (ja) | 剥離装置および剥離方法 | |
JP2017057079A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP5028195B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP4360889B2 (ja) | 吐出装置および基板処理装置 | |
JP4315796B2 (ja) | スリットノズルおよび基板処理装置 | |
JP2004014607A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2008068224A (ja) | スリットノズル、基板処理装置、および基板処理方法 | |
JP2008264606A (ja) | 塗布装置 | |
JP5044332B2 (ja) | 処理装置 |