TW200809358A

TW200809358A - Panel substrate, display apparatus and manufacturing method thereof

Info

Publication number: TW200809358A
Application number: TW096120104A
Authority: TW
Inventors: Fujita Yasuo
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 2006-06-23
Filing date: 2007-06-05
Publication date: 2008-02-16
Also published as: JP2008003337A; US20080006834A1; KR20070122138A; KR100834868B1; CN101093331A

Description

200809358 九、發明說明：【發明所屬之技術領域】本發明係關於面板基板、顯示裝置以及其製造方法者。【先前技術】一般，於顯示裝置之代表例之液晶顯示裝置，使用液晶面板。於液晶面板，設有薄膜電晶體（transist〇r)(TFT) 陣列基板。TFT陣列基板，具有TFT及與TFT連接之像素電極。然後，藉由將TFT、及像素電極矩陣（ma1：rix)狀配置形成像素區域。再者，於TFT基板，形成有連接TFT之掃描信號線、及顯示信號線。於如此之TFT陣列基板，形成有1個具有複數掃描信號線、及顯示信號線之像素區劃。然後，對掃描信號、及顯示信號輸入信號之端子，形成於TFT陣列基板之像素區劃之端。再者’於該TFT陣列基板配置對向基板。於該對向基板’形成有對向電極、及樹脂膜等。然後，將TFT陣列基板、對向基板以密封材貼合。在此，密封材係以框圍像素區域地框狀形成。之後，於TFT陣列基板、對向基板、及密封材所形成於區域封入液晶。在此，當TFT陣列基板之端子或配線被腐蝕，則會產生顯示缺陷。因此，為防止TFT陣列基板之各信號線之腐餘’揭示有將繞引配線以腐蝕防止用撥水膜覆蓋之技術（曰

本特開20 03-1 95336)。於該文獻，經由ACF安裝FPC後， 2185-8898-PF 5 200809358 於繞引配線之配設部分、及其附近噴霧有機溶劑。然後，在塗佈之有機溶劑未揮發之前形成腐蝕防止用撥水膜。再者’有別的防止腐蝕之技術之揭示（專利文獻2 )。於該文獻’係於裁切步驟之後，在於配線圖案之剖面露出之部分，於基板端面形成UV樹脂。然而，在於液晶面板之製造步驟，上述TFT陣列基板、及對向基板，通常，考慮量產性，由大型母基板取多面。即，於母基板上，於縱方向、及橫方向有複數排列上述tft 陣列基板、或對向基板。然後，將具有複數TFT陣列基板之母基板，及具有複數對向基板之母基板經由密封材貼合。然後，藉由密封材貼合之後，使複數元件區劃排成一列的狀態地，將母基板分割。即，使複數液晶胞排成一列的狀態地，將母基板分割。如此地，將母基板裁切，形成長條狀基板。之後，對複數的液晶胞一口氣封入液晶之方法。（專利文獻3) [專利文獻1]日本特開2003-1 95336號公報 [專利文獻2]日本特開平1〇-187〇54號公報 [專利文獻3]日本特開2〇〇4_31 7982號公報【發明内容】 [發明所欲解決的課題] 之大致對向電，胞隙然而，上述對向電極，通常，形成於對向基板全面。因此，於貼合步驟之後，於密封材之外侧，極’與TFT陣列基板之端子有會相對之情形。在此

2185-8898-PF 6 200809358 (cell gap)，為5^^程度而非常的窄。又，在連接驅動電路等之前，TFT陣列基板之配線露出。然後，該端子有與對向基板之對向電極相對之狀態。在此，進行液晶顯示面板之點燈檢查時，例如，於檢查端子使探針等接觸。然後，經由探針（pr〇be)等檢查端子對配線供給信號。藉此，於對向電極與配彥之間施加電麼。然後，進行檢查是否可正常點燈。為提升生產性，有將該檢查以長條基板狀態實施之情形。 ⑩ I條基板狀態時，於對向基板與TFT陣列基板之狹窄的胞隙之間，有因清洗步驟或結露等，有水滴浸人之情形。於端子上附著水滴之狀態，於端子與對向電極間，或端子與端子之間施加相異電壓，則端子與對向電極之間，或端 /、鳊子之間，產生電化學反應之情形。因該電化學反應之1生，將端子腐1虫，有對液晶顯示裝Ϊ帶來顯示缺陷之問題。但是，於專利文獻1，由於並未於液晶顯示裝置形 φ 、t 乂成腐蝕防止用撥水膜等，故無法防止在於檢查步驟 ^腐蝕。又，於專利文獻2，於配線之裁切部分形成保護膜。因此，無法防止端子之腐蝕。如此地，以該等技術， :有因檢查步驟時所施加的電壓，發生腐蝕端子之情形。口此於先刖的液晶顯示裝置，有使顯示品質降低之問題 ^又’如此之問題點，並不限於液晶顯示裝置，使用液晶以外之顯示材料之顯示裝置亦有發生之虞。例如，貼合 TFT陣列基板與對向基板之電子紙張（paper)等，亦會產生同樣的問題。

2185-8898-PF 7 200809358 本鲞明係有鑑於上述問題點而完成者，其目的在於提供可防止因電性腐蝕之顯示品質之降低之面板基板、顯示裝置、及其製造方法。 [用以解決課題的手段] 關於本發明之第1形態之面板基板，係具有：第丨母基板，其具有複數陣列基板；第2母基板，其具有複數對應上述陣列基板之對向基板；密封材，其係貼合上述陣列基板、與上述對向基板；及顯示材料，.其係設於上述陣列基板、上述對向基板、及上述密封材所形成之空間者，其具有：配線，其係形成於上述第丨母基板；輸入端子，其係^/成於上述陣列基板之封入上述顯示材料之顯示材料封入區域之外側，對上述配線輸入信號；及疏水膜，其係形成於上述第2母基板，配置於上述輸入端子與上述對向基板相對之對向區域。關於本發明之第2形態之顯示裝置，係包括：陣列基板；對向基板，其係對向配置於上述陣 1其係將上述陣列基板'與上述對向基板貼合；及顯^材材料，其係設於上述陣列基板、上述對向基板、及上述密封材所形成之空間者’其包括：配線，其係形成於上述陣列基板；輸入端子，其係形成於上述陣列基板之上述密封材之外側，對上述配線輸入信號；及疏水膜，其係形成於上述陣列基板上，没於較上述輸入端子為上述陣列基板端側。關於本發明之第3形態之顯示裝置之製造方法，盆係將具有形成配線及對上述配線輸入信號之輸入端子之陣列

2185-8898-PF 8 200809358 基板、及對向基板之顯示裝置，由具有複數上述陣列基板之第1母基板與具有複數上述對向基板之第2母基板製造，其包括：於上述第丨母基板上，形成配置於上述輸入端子附近之疏水膜之步驟；形成於上述第丨母基板之疏水膜，與上述對向基板相對地，將上述第i母基板與上述第 2母基板以密封材貼合之步驟；於上述密封材與上述對向基板及上述陣列基板所形成之空間封入顯示材料之步驟；在於封入上述顯示材料之顯示材料封入區域之外侧，使上述疏水膜、及上述輸入端子以相對之狀態，對上述配線輸入信號檢查之步驟；及於上述檢查步驟後，裁切成具有工個對向基板與丨個陣列基板之顯示面板之步驟。關於本發明之第4形態之面板基板，顯示裝置之製造 =法’其係將具有形成配線及對上述配線輸人信號之輸入端子之陣列基板、及對向基板之顯示裝置，由具有複數上述陣列基板之第1母基板與具有複數上述對向基板之第2 母基板製造，其包括··於上述第2 上返弟2母基板上之對向基板形成疏水膜之步驟；形成於上述第2母基板之疏水膜，與上述輸入端子相對地，將上述第】母基板與上述第2母基板以密封材貼合之步驟；於上述密封材與上述對向基板及上述陣列基板所形成之空間封人顯示材料之步驟；在於封入上述顯示材料之顯示材料封入區域之外側，使上述疏水 ^及上述輸入端子以相對之狀態，對上述配線輸入信號 :之步驟；及於上述檢查步驟後，裁切成具有工 <固對向基板與1個陣列基板之顯示面板之步驟。

2185-8898-PF 9 200809358 [發明效果] 根據本發明板、顯示裝置、可k供可防止顯示品質之降低之面板基及其製造方法。【實施方式】以下，將可使用本發明之實施形態，以顯示材料為液晶之液晶顯示裝置為例說明之。為使說明之明確化，以下之記載及圖面有適宜省略及簡化。又，於各圖^，對於相同要素付以同一符號，按照需要省略重複說明。實施形態1. 次月關於本貫施形態之液晶顯示裝置。液晶顯示裝置通^，包括陣列基板、與對向基板。然後，陣列基板、與對向基板，以框狀的密封材貼合。於藉由陣列基板、對向基板、及密封材所形成之區域封入液晶。再者，於本實施形悲，將陣列基板，以陣列狀排列TFT之TFT陣列基板說明。即，關於本實施形態之液晶顯示裝置，係主動矩陣 (active matrix)型之液晶顯示裝置。 TFT陣列基板、及對向基板，考慮量產性，由1對母基板取多面。即，將具有複數TFT陣列基板之母基板，與具有複數對向基板之母基板貼合。然後，將貼合之基板於列方向或行方向裁切，形成長條基板。再者，於本實施形態，複數液晶面板，以〗列排列配置之長條基板狀態，進行點燈k查。然後，實施點燈檢查之後，裁切成各個液晶面板。

2185-8898-PF 10 200809358 首先’使用圖1說明具有複數TFT陣列基板之母基板。圖1係表示TFT陣列基板用母基板1之構成之平面圖。於第1母基板之母基板1，形成有縱3χ橫4之TFT陣列美才反 100。即，於1片母基板1，具有12片TFT陣列基板100。換言之，藉由將母基板1於列方向、及行方向裁切，可得 12片TFT陣列基板100。TFT陣列基板100,係形成為矩形狀。當然，於1片母基板1之TFT陣列基板ι〇〇之數，並非限定於此者。在此’將形成1片液晶面板之區域作為像馨素區劃101。因此，1像素區劃，係對應1片TFT陣列基板 1 00之區域。然後，於矩形狀的像素區劃101，於TFT陣列基板100上’形成有形成TFT陣列之配線、及端子等。各個像素區劃101，以隔著既定的間隔排列。然後，於各像素區劃1 01之間’配置裁切線1 〇 4。即，藉由依照該裁切線1 04將母基板1裁切，可分離成各個TIT陣列基板100。再者，於圖1，僅顯示形成具有4個TFT陣列基板 • 1 00之長條基板之裁切線104。即，實際上，以圖1表示之橫方向之裁切線1 04之外，亦有配置縱方向之裁切線。於各個TFT陣列基板100之内，配置液晶封入區域1 〇2。該封入區域1 〇 2，係對應排列像素之顯示區域。該液晶封入區域102以後述之密封材框圍。再者，於該液晶封入區域 1 〇2，形成配向膜1 〇。該配向膜1 〇係形成於tft陣列基板 10 0之表面。然後TFT陣列基板1 〇〇之顯示區域之外側成為邊框區域。其次，使用圖2說明TFT陣列基板1 〇〇之構成。圖2 2185-8898-PF 11 200809358 係示意表示TFT陣列基板1 〇〇之構成之平面圖。以下，將 TFT陣列基板1 〇〇依照製造步驟之順序說明。於陣列基板1 0 0，例如，可使用透明的玻璃基板。於TFT陣列基板100，形成由Al、Cr等金屬所構成之複數閘極配線26，及複數蓄積電容配線20。複數閘極（gate )配線2 6以平行形成。然後’於鄰接之閘極配線2 6之間配置蓄積電容配線 20。於閘極配線26、及蓄積電容配線20 ’上，依序形成閘極絕緣膜（無圖示），及半導體層（無圖示）。藉由習知之 _ CVI) ’可將閘極絕緣膜，及半導體層成膜。閘極絕緣膜，係例如，氧化矽（silicon)膜或氮化矽膜等透明絕緣膜。半導體層’例如為a-Si層或p-Si層。閘極絕緣膜，係如覆苗閘極配線26地形成。半導體層係形成於成為TFT27之處。然後，於閘極絕緣膜、及半導體層之上，形成由A1、 Cr等金屬所構成之複數源極（source)25、源極電極、及沒極電極。複數源極配線25，係與複數閘極配線26經由閑馨極絕緣膜正交設置。複數源極配線25係平行形成。藉此，於閘極配線26與源極配線25之交叉點附近，形成開關 (switching)元件之TFT27。TFT27之源極電極，係與源極配線2 5連接。於源極配線2 5之上形成層間絕緣膜。然後，於層間絕緣膜之上，形成像素電極24。TFT27之汲極電極，係與像素電極24連接。像素電極24與没極電極，係例如，經由設於層間絕緣膜之接觸孔（contact hoi e)連接。由辱區動電路’對閘極配線26輸入使TFT為ON/OFF之閘極信號。於源極配線25輸入依照顯示信號電壓之源極信號。 2185-8898-PF 12 200809358 上述像素電極24係配置成矩通常，使用IT0等透明導電膜於像素電極24, 穿透型之液晶顯示裝置之情形，於：射型、或者、半等光反射率高的金屬材料。設有嗜像夸、：桎24 ’使用A1 像素。該像素以矩陣狀妒〆素電極24之區域成為素，係形成於液晶封人區域 [域。又，像配置液晶封入區域1()?。户& 已圍顯不區域地苦并, 在此，於像素電極24之下，來赤田積電谷配線20。像素電極24與 /成形成閘極絕緣膜，或層間絕緣膜。像辛“、、…2〇之間，配線2〇’係經由絕緣膜相對配畜積電容積電容配線別構成電容Μ 鞴由像素電極24與蓄係經由鏟⑽。蓄積電容配線 ^由轉Wtransfer)電極連接設於對向基板極。因此’像素電極24與蓄積電容配線2Q形成提升雙7 之保持特性之蓄積電容。藉此，即使TFm呈斷開（〇⑴，而沒有供給驅動電塵之狀態’亦可維持保持於像素電極之顯=號電壓。即，於TFT27成斷開之後，可保持體7 呈導通（on)狀態時供給像素電極24之顯示信號電壓。再者，於TFT陣列基板} 00上，形成有檢查用配線 16 19。檢查用配線17，係與複數閘極配線26連接。檢查用配線19,係與複數開關（switch)元件21連接。檢查用配線18 ’係與複數蓄積容量配線2 〇連接。檢查用配線〗6，係經由開關元件21與複數源極配線25連接。檢查用配線係與開關元件21之控制端子連接。檢查用配線16~19，可例如’以與閘極配線2 6、或源極配線2 5同一步驟形成。

2185-8898-PF 13 200809358 該等檢查用配線16〜19，係配置於顯示區域之外侧。又，於閘極配線26之端部，形成有閘極端子23。在此，閘極端子23配置於TFT陣列基板100之右側之端部。然後，對應閘極配線26之數之閘極端子23配置成縱向排列成一列。同樣地，於源極配線25之端部，形成有源極端子22。在此，源極端子22配置於TFT陣列基板100之上側之端部。然後，對應源極配線25之數之源極端子22配置成橫向排列成一列。再者，於檢查用配線16〜19之端部，分別形成有檢查端子12~15。在此，檢查端子ι2〜15係形成於TFT陣列基板1()()之上側之端部。再者，檢查端子i2〜u 係配置於源極端子22之左侧。於源極端子22、閘極端子 23、及檢查端子12〜15之表面，形成有與像素電極24相同之導電層。即，於源極端子22、閘極端子23、及檢查端子 12〜15,於表面露出導電層。藉此，可由外部輸入信號。源極端子22、閘極端子23、及檢查端子12〜15係形成於液晶封入區域102之外侧。又，於圖！，源極端子2卜、及檢查端子12〜15係排列配置於TFT陣列基板1〇〇之上側之端部。開關元件21 ’係开》成於與源極配線25之源極端子22 侧相反側之端部。開關元件21，係薄膜電晶體，可以與 TFT27相同的步驟形成。又，檢查用配線17，係於與間極配線26之閘極端+ 23側相反侧之端部，閘極配線“連

接。檢查用配線18，係於蓄積容量配線2〇之一端部，與各個蓄積電容配線20連接。 2185-8898-PF 14 200809358 形成於m陣列基板100之上，之源極端子22、間極端子23、及檢查端子12〜15，係輸人信號之輸人端子。即，由驅動電路對源極端子22輸人之源極路對間極端子23輸入閑極信號。因此，經由源極 =^電2 對源極配線25供給源極信號，經由閘極端子23對閘極配線26輸人閘極信號。又，在於製造途中，為進行點燈對檢查，對檢查端子12〜15輸入各種檢查信號。

具體而s，對檢查端子15輸入使開關元件2丨導通之檢查信號。藉此，輸入檢查用配線19之點燈檢查用檢查信號經由開關元件21供給源極配線25。再者，、經由檢查端子13、14分別對閘極配線26、及蓄積電容配線2〇輸入檢查信號。藉此，對TFT27、及像素電極24供給檢查信號。又，於像素區劃1 (Π之背面侧，配置面狀光源。因此，可進行點燈檢查。再者，點燈檢查時以外之通常時，開關元件21王斷開。即，不進行顯示時，由源極端子2 2對源極配線2 5輸入源極信號。如以上之構成形成於像素區劃1 01内。該等構成要素’可以習知之成膜法、及微影（1 ithography)方法等形成。然後’於TFT陣列基板1 〇〇上，形成有覆蓋所有像素電極24之上述配向膜1 〇。作為配向膜1 〇可使用聚亞醯胺 (P〇 1 y i m i de )專樹脂膜。於該配向膜之表面，有施以既定方向之刷毛處理。其次’使用圖3說明具有複數對向基板之母基板之構成。圖3係表示構成對向基板用母基板2之平面圖。第2 2185-8898-PF 15 200809358 母基板之母基板2，係大致與母基板1相同大小。然後，於母基板2 ’與圖1同樣第形成有縱〜橫4之對向基板 2〇〇即母基板2’具有12片矩形狀的對向基板2〇〇。因此’母基板2亦有12個像素區劃1〇1以矩陣狀排列。

各個像素區劃m，隔著既定的間隔排列。然後，於各像素區畫"01之間，配置裁切線104。即，藉由依照該裁切線104將母基板2裁切，可分離成各個對向基板。再者’於圖2,亦與圖丨同樣地，僅顯示形成具有4個對向基板200之長條基板之裁切線1()4。裁切線1()4，係使對向基板200較m陣列基板m稍微小地配置。對向基板 2〇〇’將裁切成較TFT陣列基板1〇〇猶微小。藉此，可使設於TFT陣列基板100之源極端子22、閘極端子23、及檢查端子12]5露出。又，與母基板1同樣地，於各像素區劃 10卜形成液晶封入區域1〇2。於該液晶封入區域1〇2，設有配向膜9。配向膜9係形成於對向基板2〇〇之表面。其次，使用圖4、及圖5說明對向基板2〇〇之像素構成。圖4係表示對向基板2〇〇之一部分之平面圖。圖5係，圖4之X-X剖面圖。在此，對向基板2〇〇，作為彩色渡光 (color filter)基板說明。於對向基板2〇〇上，有格子狀形成黑矩陣（black fflatrix)5，黑矩陣係以遮光性樹脂膜，或者金屬鉻（chromium)膜等形成。於黑矩陣5之間形成RGB之著色層28。著色層28係對應像素電極24配置又，黑矩陣5係對應源極配線25、及閘極配線26配置於黑矩$ 5、及著色層28之形成對向電極i}。對向電極

2185-8898-PF 16 200809358 11，係例如以1το等透明導電膜形成。對向電極u，係覆盍黑矩陣5、及著色層28地形歧對向基板⑽之大致全面。再者，對向基板200，並非限定於彩色濾光基板。

然後，於對向電極11之上，形成配向膜9。配向膜9, :形成於液晶封入區域102。因此，於元件區劃之端部並沒有形成配向膜9 ’而露出對向電極u。藉此，對向電極 11於對向基板200之端部露出。於配向膜9，可與m陣列基板100同樣使用由聚亞酸胺等所構成之樹脂膜。然後，於配向膜9，有向既定的方向刷毛（rubbing)。再者，於對向電;11之上’形成對水具有既定的接觸角之疏水膜。關於該疏水膜之構成將於後述。再者，疏水膜，可於屯成對向電極11之後，形成配向膜9之前形成。或者，亦可於形成配向膜9之後，貼合TFT陣列基板1〇〇與對向基板2 0 〇之前形成。然後，元成配向膜9、1 〇之刷毛處理之後，將母基板 γ與母基板2貼合。為此，首先，於母基板丨，或母基板2 形成在封材。密封材，係於每個丨2個像素區劃〗〇丨形成。 …、後，密封材，係以框圍液晶封入區域1 02之框狀配置。再者’於忿封材之一部分，形成液晶注入口。然後，將母基板1與母基板2對位，對向配置。在此，配向膜9、及 -、〇相對配置。然後’將兩基板按壓，使密封材硬化。 ^ 、將母基板1與母基板2經由密封材貼合。再者，於 ' 使"^查用配線18與對向電極11連接地，形成轉私電極等。作為轉移電極，可使用例如銀糊料（paste)。再

2185-8898-PF 17 200809358 者’亦可於貼合前，配置保持胞隙之間隔器。然後，以圖1及圖3所示之橫方向之裁切線i 04，將、a之母基板1、及母基板2裁切’形成長條基板。在此，形成3個，由4個元件區劃ιοί排成一列之長條基板。可對於4個像素區劃1 〇丨之液晶封入區域丨〇 2，同時注入液曰曰。藉此可提升生產性。例如，可藉由真空注入法注入液晶。於液晶注入後，於液晶注入口塗佈樹脂，密封。藉此，將液晶封入以對向基板2〇〇與TFT陣列基板1〇〇及密封材 ⑩所形成之空間。如此地’形成長條基板。在此，所謂長條基板，係指將母基板1與母基板2貼合之後，將母基板1及母基板2 裁切·分割而得之1對基板之積層體。於長條基板，將複數的像素區劃1 〇 1排成一列地配置。以該長條基板狀態執行檢查之後，將長條基板裁切。藉此，分離為各像素區劃 101 ’分割成各個液晶面板。 _ 在此’使用圖6說明長條基板之構造。圖6係表示長條基板之構成之立體圖。再者，圖6係表示長條基板ι〇3 之設有檢查端子12〜15、及源極端子22之端部側。長條基板103包括長條狀陣列基板i〇3a及長條狀對向基板i〇3b。在此’長條狀陣列基板1 03a，使其端部由長條狀對向基板 103b超出地配置。於長條狀陣列基板1〇%之超出之部分，配置源極端子22、及檢查端子12〜15。即，源極端子22、及檢查端子12〜15露出。然後，檢查端子12〜15、及複數源極端子22,沿著長條狀陣列基板103a之端邊，排列配 2185-8898-PF 18 200809358 置成大致一列。於長條基板103之檢查步驟，係以圖6所示狀悲’對檢查端子1 2〜1 5輸入檢查信號。在此，可對4 個元件區劃同時進行點燈檢查。在此’使用圖7、及圖8說明在於上述長條基板1 〇3 之像素區劃101間之構成。圖7係示意表示圖β之χ卜χ2 之TFT陣列基板1〇〇侧之構成之圖。圖8係圖β之之XI一χ2 之剖面圖。再者，XI—Χ2之線（line)，係沿著圖7所示閘極配線2 6之線。 ® 於長條基板103之像素區劃101間，如圖7所述，形成有密封材3。與該密封材3交叉地配置複數閘極配線26。再者，於閘極配線26之端部，配置閘極端子23。於密封材3之外侧，沿著設有密封材3之方向，複數閘極端子μ 排列配置成1列。再者，於圖7，密封材3之下側為像素區劃101之區域，上側為液晶封入區域J 〇2。因此，於長條基板103之狀態，閘極端子23，係暴露於外氣之狀態。 _ 再者，於液晶封入區域1 〇2之外側，閘極配線26，係如圖 8所不藉由絕緣膜7覆蓋。然後，經由設於絕緣膜7之接觸孔使閘極端子23與閘極配線26連接。因此，只有閑極端子23露出於表面，於閘極端子23以外之處，露出絕緣膜7 〇如圖8所示，長條狀陣列基板1 〇 %與長條狀對向基板 l〇3b藉由密封材3貼合。該密封材3之内侧，成為液晶封入區域102。於圖8,左側為液晶封入區域1〇2。於液晶封入區域102，如上所述，於長條狀對向基板1〇扑之上，依

2185-8898-PF 19 200809358 序形成對向電極 11及配向膜9。又，於長條狀陣列基板 l〇3a，依序積層閘極配線26、絕緣膜7及配向膜1〇。再者，絕緣膜7係例如上述閘極絕緣膜或層間絕緣膜。然後，於配向膜9與配向膜1 〇之間，設液晶4。在此，於長條基板1 03狀態，於像素區劃】〇丨間，於閘極端子23上配置對向電極u。在此，使間極端子23與對向電極11相對之區域作為端子電極對向區域⑽。於長條狀對向基板H)3b，形成疏水膜8。疏水膜8，係配置於端子電極對向n域⑽。即成為對向電極^經由疏水膜8 與閘極端子23相對之構成。該疏水膜8，對水具有高的接觸角。疏水膜8 ’可使用例如氟系矽膠(siHc〇ne)樹脂。具體而言，可使用東芝矽膠製之撥水膜形成用氟矽膠樹脂等市售之感光性樹脂。因此’將具有疏水性、撥水性之感光性樹脂塗佈於母基板2上，曝光、顯影。藉此，可簡便地形成所期望之圖案（paUern)之疏水膜8。由檢查端子13對閘極配線26輸入之檢查信號。因此，連接於閘極配線26之閘極端子23,將呈對應檢查信號之電位。又’對檢查端子14,亦輸入檢查信號。因此，經由檢查用配線18、及轉移電極等對對向電極u亦輸入檢查信號。因此’對向電極11亦呈對應檢查信號之電位。在此，輸入檢查端子14與檢查料13之檢查信號係不同的信號。因此，於對應電極u與閘極端+ 23，施加對應檢查信號之不同電壓°因此，對於長條基板1G3之各像素區割 101進行點燈檢查。

2185-8898-PF 20 200809358 於本貧施形態，如上所述， ⑽，於長條狀對向基板在於知子電極對向區域太止 b形成疏水膜δ。因此，於於一乂驟，對對向電極η及露 ' 雷廢萨 ;表面之閘極端子2 3施加電£%，可防止閘極端子23之陷的發生。即，即使因、、”牛锁冑此，可防止顯示缺卩使口-洗步驟或結露等而水㊣29浸入日寸，疏水膜δ，將防止該水滴又 lnfi加丄同^ /父入鳊子電極對向區域 ⑽。例如’即使於像素區劃101間，即，水滴2 條狀陣列基板l〇3a與長停狀對内装4 , 又長

條狀對向基板1G3b之間，該水滴開具有南接觸角之疏水膜8而移動。因此，水滴 29不會附著在間極端子23。即使於對向電極u舆間極端子23之間、或閘極端子23間土电诅差日寸，可防止發生電化學反應。因此，可防止顯示缺陷之發生。藉此，可防止顯不品質之降低。在此，於圖9表示接觸角與毛細現象之水面之水面上升距離之關係之-例。根據圖9，作為疏水膜8具有以上的接觸角，則不會有因毛細現象之水之浸入。因此，可防止因水之浸人之錢之發生。再者，目9係經過充分的時間之後之結果，實際上’只要疏水膜8與其以外之區域有某種程度的接觸角差即可。例如，於疏水膜8，可使用較對向電極11接觸角大的材質。如此地，在於端子電極對向區域1〇6，將疏水膜8設於長條狀對向基板l〇3b。疏水膜8，對複數閘極端子23之全體形成。藉此，即使於檢查步驟施加電壓時，可防止腐蝕。因此，可防止顯示品質之惡化。如此地，即使在將母 2185-8898-PF 21 200809358 at 土反i與母基板一口—…丁滑洗步驟之情形，亦' 防止水滴29之浸人。例如，可進行長條基板1〇3之清先然後，於長條基板m之狀態，即使因毛細現“水滴μ 浸入兩基板間，水滴29將避開疏水膜8而移動。因此，水滴29不會附著於霧出於表面之閘極端子 : ^改入端子電極對向區域⑽。因此，可防止電性腐餘而提升顯示品質。又，由於只要形成疏水膜8即可，故可簡

便地防止因電化學反應之腐蝕。 F

然後，於檢查結束後，將長條基板1〇3分斷，分離成像素區劃101。在此，係以圖6所是裁切、線105裁切長條狀對向基板l〇3b。藉此，分離成由TFT陣列基板1〇〇與對向基板2GG構成之液晶面板。㈣，對液晶面板連接驅動電路或配線基板等。再者，對液晶面板黏貼偏光膜（fnm) 或相，差膜等。之後，#由於液晶面板之背面側配置面狀光源裝置之背光（back light)完成液晶顯示裝置。再者’於裁切檢查步驟後之長條基板1〇.3之裁切步驟，去除圖8所示端子電極對向區域1〇6之對向基板2〇〇。 P呈於閘極端子2 3上沒有設對向基板2 〇〇之狀態，因此，疏水膜8將由對向基板200分離。藉此，可容易地將驅動電路連接於閘極端子2 3。如此地’根據本實施形態，於長條基板丨〇3之狀態，於間極端子23與對向電極11之間配置疏水膜8。因此，在、長條基板1 〇 3狀態之檢查步驟，即使在閘極端子2 3與對向電極11之間、或閘極端子23之間產生電位差時，可

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防止因電化學反應之腐蝕。A 两蚀再者，由於可以長條基板103 狀態進行檢查，故可接弁声音又』杈升良率。又，由於不需要對向電極之圖案化（patterninsr)步驟，,止，驟可廉價地製造顯示品質高的液晶顯示裝置。因此，可提弁 J杈升生產性。又，在於對向基板 200不需要對向電極之棒向雷也、门電~方式之液晶顯示裝置，亦可使用關於本實施形能夕搂士办心、之構成。此時，可防止因閘極端子 23間之電位差之閘極端子23之腐蝕。再者，疏水膜8只要至少招少# 1〆形成於端子電極對向區域丨即可。因此，疏水膜8之配、0 <配置，亚非限定於圖8所示者。在此，使用圖1 〇、及願1 • 11说明關於本實施形態之長條基板1 0 3之別的構成。圖J 〇伤一口 U係表不在於Π-Χ2之位置之長條基板103之構成之剖面圖。圖立 ” # ^ Λ , n q 係不思表不圖l ο構成之長條基坂103之平面圖。於圄 ,u , u 於圖10、圖11 ’與圖8所示構成相比疏水膜8之位置不同。， ^ . 匕，由於疏水膜8以外的構成與已、！說明之構成相同，故省略說明。如圖10所示，疏水臈8，π据θ山 1 n r μ φ丨甘从/ 僅疋、子電極對向區域 106 ’ I又到其外側。因此，形成疏水膜8。即，㈣成在:封入區域102之外側全體材3之㈣二鄰接之像素區畫"〇1之密封材3之間全體，形成疏水膜8。的F妁，斟Α φ + 口此’於像素區劃1 0 1間的&域，對向電極11並未霡屮Θ 广# 出。即’於密封材3之外側之區域之大致全體，疏_ 彳之卜側之取於對向電極11之上。 4之疏水膜8，亦形成於與閘極配域。即，於閑極配線26與對、p相對之& 膜8。因此，於密封材3之外側之間’形成有疏水 U 即使於覆蓋閘極配線26

2185-8898-PF 23 200809358 之、…",風如針孔30之缺陷時…”万止起因於水滴 29之腐钱。即，於與針孔（pinh〇le)3〇相對之部分，設有疏水膜8,故水滴29不會附著在由針孔3。露出之閘極配線26因此’可防止施加電壓時所產生之電化學反應，而可防止閘極配線26之腐蝕。再者，疏水膜8亦可不設於像素區劃101㈤全體。例如，於與間極配線26相對之區域設疏水膜8即可。即，於穷私从彳於在封材之外側，於形成閘極配線26 參之配線形成區域設疏水膜8即可。實施形態2. 使用圖12說明關於本實施形態之液晶顯示裝置。圖 12係示意表示長條基板1〇3之構成之平面圖。於圖，與圖11同樣地，表示元件區劃1〇1間之構成。於本實施形態，疏水膜8並非設於長條狀對向基板1〇3b，而係設於長條狀陣列基板103a。在此，由於疏水膜8以外的構成、及製造步驟，與實施形態1相同，故省略說明。疏水膜8,係設於長條狀陣列基板1〇3a之表面。在此，將形成有複數閘極端子23之區域作為端子形成區域j 〇7。於該端子形成區域107之附近，形成疏水膜8。然後如框圍端子形成區域107地形成疏水膜8。因此，於閘極端子 23之外侧配置疏水膜8。疏水膜8，係例如設於絕緣膜7 之上，露出表面。因此，即使水滴29浸入基板間時，水滴 2 9並無會次入端子形成區域1 〇 7。由於水滴2 9不會附著於閘極端子23，可防止閘極端子23因電化學反應之腐蝕。

即，由於水滴29不會浸入到疏水膜8之内側，故即使在檢 2185-8898-PF 24 200809358 查步驟施加電壓’仍可防止閘極端子23之腐蝕。因此，即使將長條基板103清洗時，可防止發生腐蝕。在此，於疏水膜8,可使用與實施形態"目同的感光性1石夕膠樹脂。疏水膜8，只要是接觸角較其週邊為高的材質即可。例如’疏水膜8之接觸角，較覆蓋間極配線Μ 之絕緣膜7表面之接觸角高。即，只要是比成為閘極絕緣膜或層間絕緣膜之氧化石夕膜或氮化石夕膜接觸角高的材質即可。疏水膜8，係形成於絕緣膜7之上。 • ⑥本貫施形態’將疏水膜8形成於長條狀陣列基板 103a。因此，將各元件區劃m分離之後，疏水膜8將殘留於TFT陣列基板剛上。gp，於液晶面板狀態，則於間極端子23之外側，配置疏水膜8。框圍液晶面板之端子形成區域107地形成疏水膜8。藉此，可防止因電化學反應 =腐钕。再者’由於在閘極端子23之表面並沒有形成樹脂等，故可容易地進行與驅動電路之連接。然後，於以疏水膜8框圍之閘極料23設ACF等，可連接驅動電路。藉此，可容易地構裝驅動電路。再者，疏水膜8之配置，並非限於框圍端子形成區域 107地形成者。例如’只要形成於端子形成區域m即可。在此，一使用圖13說明變更疏水膜8之配置之別的構成。圖 1一3係示意表示長條基才反1〇3之構成之平面圖。於圖所丁構成馱水膜8形成於長條狀陣列基板〗〇3a。但是，疏水膜8亚非框圍端子形成區域1 07地形成。 P ^水膜8，係形成於端子形成區域1 〇 7之外側、

2185-8898-PF 25 200809358 匕又，疏水膜8延設至密封材3。即，藉由密封材3 與疏水膜8，框（f|被工…上、 “子形成區域1G7。藉此，即使當水滴 /又土反間時’可防止水滴29附著於閘極端子23。因此，可抑制因電性腐蝕之顯示品質之降低。使形成有複數閘極配線26之區域作為配線形成二則以密封材3與疏水膜8,框為該配線形成區域猎此’可防止水滴29浸入閘極配線26上。即，浸入，板間之水滴29將僅在以疏水膜8、及密封材3所形成區外侧移動。水滴29並不會浸人於配線形成區域108。猎此’如圖ίο所示’即使於覆蓋閘極配線26之絕緣膜7 有針孔30之情形’仍可防止閘極配線％之腐餘。可防止間極配線2 6之雷ji日m /1* 厂, 之電阻變化，可抑制因電性腐蝕之顯示品質之降低。因此，可提升顯示品質。、如此地，於m陣列基板100之上形成疏水膜8時，只要將疏水膜8設於閘極端子23附近即可。再者，將膜8配置於閑極端子23之外側、即m陣列基板10^端側。此時’於密封材3與疏水膜8之間配設閘極端子23。猎此’可防止由外側之水滴之浸人。又，藉由以疏水膜8 框圍端子形成區域107，可確實地防止水滴29對閘極端子 23之附著。或者’亦可以疏水膜8與密封材3框圍端子妒成區域107。藉此，可確實地防止水滴29對閘極端子23 之附著。此時，以疏水膜8與密封材3,框圍密封材3之外側之配線形成區域齡藉此，可防止閘極配線Μ 姓。肉

2185-8898-PF 26 200809358 再者，於實施形態1、2,說明了防止閘極端子23之腐蝕之疏水膜8，惟本發明並非限定於此者。例如，亦可對於源極端子22、或檢查端子12〜15形成疏水膜8。即，為由外部輸入信號，可於輸入端子設疏水冑δ。特別是，於長條基板1 〇 3之狀態於液晶封入區域丨〇 2之外側露出，對舆對向電極11相對之輸入端子設疏水膜8即可。藉匕即使水滴浸入基板間時，可防止於檢查步驟之腐蝕。口此，可防止顯示品質之降低。又，亦可組合實施形態工與實施形態2。即，亦可於長條狀陣列基板1〇3&與長條狀對向基板103b之雙方，形成疏水膜8。又，於實施形態1、2，說明了關於具有TFT陣列基板之主動式矩陣型液晶顯示裝置，惟本發明並非限定於此者。例如，亦可為被動式矩陣型液晶顯示裝置。又，亦可為使用例如電子紙張等之液晶以外之顯示材料之顯示裝置。再者，於上述說明，於裁切母基板丨與母基板2後，進行液晶注入步驟、及檢查步驟，並不限於此。例如，當兀件區劃1 01於母基板i與母基板2排列成一列時，可於裁切母基板1與母基板2之前，進疗液晶注入步驟、及檢查土驟。即，只要是在將元件區m分斷形成液晶面板之前之階段實施檢查步驟者即可。【圖式簡單說明】圖1係表示TFT陣列基板用母基板之構成之平面圖。圖2係表示TFT陣列基板之構成之平面圖。 2185-8898-PF 27 200809358 圖3係表示對向基板之母基板之構成之平面圖。圖4係示意表示對向基板之像素構成之平面圖。圖5係圖4之X-X剖面圖。圖6係表示長條基板之構成之立體圖。圖7係示意表示長條狀陣列基板之構成之平面圖。圖8係示意表示長條基板之構成之剖面圖。圖9表示接觸角與水面之上升距離之圖。圖1 〇係表示關於實施形態1之長條基板之別的構成之 ® 剖面圖。圖11係表示關於實施形態1之長條基板之別的構成之圖。圖12係示意表示關於實施形態2之長條基板之元件區劃間之構成之圖。圖13係示意表示關於實施形態2之長條基板之元件區劃間之別的構成之圖。 •【主要元件符號說明】 1〜母基板·， 2〜母基板； 3〜密封材； 4〜液晶； 5〜黑矩陣； 7〜絕緣膜；

8〜疏水膜； 2185-8898-PF 28 200809358 9〜配向膜； 1 0〜配向膜； 11〜對向電極； 12〜15〜檢查端子； 16〜19〜檢查用配線； 20〜蓄積電容配線； 21〜開關元件； 2 2〜源極端子； 2 3〜閘極端子； 24〜像素電極； 2 5〜源極配線； 2 6〜閘極配線； 27〜TFT ; 28〜著色層； 29〜水滴； 3 0〜針孔； 100〜TFT陣列基板； 1 01〜元件區劃； 102〜液晶封入區域； 1 0 3〜長條基板； 103a〜長條狀陣列基板； 103b〜長條狀對向基板； 104〜裁切線； 105〜裁切線； 29

2185-8898-PF 200809358 106〜端子電極對向區域； 107〜端子形成區域； 108〜配線形成區域； 20 0〜對向基板。

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Claims

200809358 十、申請專利範圍： 1· 一種面板（panel)基板，具有·· 第1母（mother)基板，其具有複數陣列（array)基板；第2母基板’其具有複數對應上述陣列基板之對向基板；密封（seal)材，其係貼合上述陣列基板、與上述對向基板；顯示材料，其係設於上述陣列基板、上述對向基板、 Φ 及上述密封材所形成之空間；配線，其係形成於上述第1母基板；輸入端子，其係形成於上述陣列基板之封入上述顯示材料之顯示材料封入區域之外側，對上述配線輸入信號；及疏水膜，其係形成於上述第2母基板，配置於上述輸入端子與上述對向基板相對之對向區域。 2·如申請專利範圍第1項所述的面板基板，其中在於上述密封材之外侧，於形成有上述配線之配線形成區域亦有形成疏水膜。 3 · —種顯示裝置，包括：陣列基板；對向基板，其係對向配置於上述陣列基板；密封材，其係將上述陣列基板、與上述對向基板貼合；顯不材料，其係設於上述陣列基板、上述對向基板、及上述岔封材所形成之空間； 2185-8898-PF 31 200809358 配線’其係形成於上述陣列基板；輪入端子，其係形成於上述陣列基板之上述密封材之外側，對上述配線輸入信號；及疏水膜，其係形成於上述陣列基板上，設於較上入端子為上述陣列基板端侧。別 …4·如申請專利範圍第3項所述的顯示裝置，其中框圍形成有上述輸入端子之端子形成區域地配置上述疏水膜。 5.如申請專利範圍第3項所述的顯示裝置，i中，以上述疏水膜與上述密封材，框圍形成有上述輸入端子之端子形成區域。而 6·如申請專利範圍第5項所述的顯示裝置，其中在於上述密封材之外側形成上述配線之配線形成區域，、以上述疏水膜及上述密封材框圍。、、種頌不裝置之製造方法，將具有形成配線及對上述=輸人信號之輸人端子之陣列基板、及對向基板之顯 II隸由具有複數上述陣列基板之第1母基板與具有複 “ ’向基板之第2母基板製造，其包括：於上述第 1 H A J. 母基板上，形成配置於上述輸入端子附近之疏水膜之步驟；形成於上述繁！母基板之疏水膜，與上述對向基板相對地，將上述第 · 母基板與上述第2母基板以密封材貼合之步驟； *心述Λ封材與上述對向基板及上述陣列基板所形成之二間封入顯示材料之步驟； 2185-8898-PF 32 200809358 在於封入上述顯示材料 +之頌不材料封入區域之外側，使上述疏水膜、及上述輸入端 Λ4 Α ^ σ., 子相對之狀恶，對上述配綠輸入^被檢查之步驟；及於上述檢查步驟後，哉陣列美…-成具有1個對向基板與1個陴歹j基板之顯不面板之步驟。 8 · —種顯示裝詈之_、生士、，、f t於化法，將具有形成配線及對上述配線輸入信號之輸入端子示裝置，由具有複數上述：第對向基板之顯數上述對向基板之第2 =;板之弟1母基板與具有複 <弟Z母基板製造，其包括：於上述第2母基板上夕剩上之對向基板形成疏水膜之步驟；形成於上述第？樹m… 疏水膜，與上述輸入端子相十將上述苐1母基板血之步驟； /、上这弟2母基板以密封材貼合於上述密封材盘卜赤之nm/、上㈣列基板所形成之二間封入顯不材料之步驟；在於封人上述顯不材料之顯示材料封人區域之外侧，使上述疏水膜、及上诚於峻浐入广… 辻輸入鈿子以相對之狀態，對上述配綠W入彳§唬檢查之步驟；及於上述檢查步騍後， _以^ — 曼裁切成具有1個對向基板與1個陣列基板之顯示面板之步驟。 9 ·如申請專利蔚铱圍弟7或8項所述的顯示裝直進一步包括··將上述貼人，、Y ㈣且古”“。之弟1母基板與弟2母基板裁切，形成具有稷數上述對Α r t. 止對向基板、及上述陣列基板之長條 (stick)基板之步驟， 2185-8898-PF 33 200809358 於裁切成上述長條基板之後，進行上述檢查。 1 0.如申請專利範圍第7或8項所述的顯示裝置，其中藉由具有疏水性之感光性樹脂膜形成上述疏水膜。

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