TW200809358A - Panel substrate, display apparatus and manufacturing method thereof - Google Patents
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Description
200809358 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於面板基板、顯示裝置以及其製造方法者。 【先前技術】 一般,於顯示裝置之代表例之液晶顯示裝置,使用液 晶面板。於液晶面板,設有薄膜電晶體(transist〇r)(TFT) 陣列基板。TFT陣列基板,具有TFT及與TFT連接之像素 電極。然後,藉由將TFT、及像素電極矩陣(ma1:rix)狀配 置形成像素區域。再者,於TFT基板,形成有連接TFT之 掃描信號線、及顯示信號線。 於如此之TFT陣列基板,形成有1個具有複數掃描信 號線、及顯示信號線之像素區劃。然後,對掃描信號、及 顯示信號輸入信號之端子,形成於TFT陣列基板之像素區 劃之端。 再者’於該TFT陣列基板配置對向基板。於該對向基 板’形成有對向電極、及樹脂膜等。然後,將TFT陣列基 板、對向基板以密封材貼合。在此,密封材係以框圍像素 區域地框狀形成。之後,於TFT陣列基板、對向基板、及 密封材所形成於區域封入液晶。 在此,當TFT陣列基板之端子或配線被腐蝕,則會產 生顯示缺陷。因此,為防止TFT陣列基板之各信號線之腐 餘’揭示有將繞引配線以腐蝕防止用撥水膜覆蓋之技術(曰
本特開20 03-1 95336)。於該文獻,經由ACF安裝FPC後, 2185-8898-PF 5 200809358 於繞引配線之配設部分、及其附近噴霧有機溶劑。然後, 在塗佈之有機溶劑未揮發之前形成腐蝕防止用撥水膜。再 者’有別的防止腐蝕之技術之揭示(專利文獻2 )。於該文 獻’係於裁切步驟之後,在於配線圖案之剖面露出之部分, 於基板端面形成UV樹脂。 然而,在於液晶面板之製造步驟,上述TFT陣列基板、 及對向基板,通常,考慮量產性,由大型母基板取多面。 即,於母基板上,於縱方向、及橫方向有複數排列上述tft 陣列基板、或對向基板。然後,將具有複數TFT陣列基板 之母基板,及具有複數對向基板之母基板經由密封材貼 合。然後,藉由密封材貼合之後,使複數元件區劃排成一 列的狀態地,將母基板分割。即,使複數液晶胞排成一列 的狀態地,將母基板分割。如此地,將母基板裁切,形成 長條狀基板。之後,對複數的液晶胞一口氣封入液晶之方 法。(專利文獻3) [專利文獻1]日本特開2003-1 95336號公報 [專利文獻2]日本特開平1〇-187〇54號公報 [專利文獻3]日本特開2〇〇4_31 7982號公報 【發明内容】 [發明所欲解決的課題] 之大致 對向電 ,胞隙 然而,上述對向電極,通常,形成於對向基板 全面。因此,於貼合步驟之後,於密封材之外侧, 極’與TFT陣列基板之端子有會相對之情形。在此
2185-8898-PF 6 200809358 (cell gap),為5^^程度而非常的窄。又,在連接驅動電 路等之前,TFT陣列基板之配線露出。然後,該端子有與 對向基板之對向電極相對之狀態。 在此,進行液晶顯示面板之點燈檢查時,例如,於檢 查端子使探針等接觸。然後,經由探針(pr〇be)等檢查端子 對配線供給信號。藉此,於對向電極與配彥之間施加電麼。 然後,進行檢查是否可正常點燈。為提升生產性,有將該 檢查以長條基板狀態實施之情形。 ⑩ I條基板狀態時,於對向基板與TFT陣列基板之狹窄 的胞隙之間,有因清洗步驟或結露等,有水滴浸人之情形。 於端子上附著水滴之狀態,於端子與對向電極間,或端子 與端子之間施加相異電壓,則端子與對向電極之間,或端 /、鳊子之間,產生電化學反應之情形。因該電化學反應 之1生,將端子腐1虫,有對液晶顯示裝Ϊ帶來顯示缺陷之 問題。但是,於專利文獻1,由於並未於液晶顯示裝置形 φ 、t 乂成腐蝕防止用撥水膜等,故無法防止在於檢查步驟 ^腐蝕。又,於專利文獻2,於配線之裁切部分形成保護 膜。因此,無法防止端子之腐蝕。如此地,以該等技術, :有因檢查步驟時所施加的電壓,發生腐蝕端子之情形。 口此於先刖的液晶顯示裝置,有使顯示品質降低之問題 ^又’如此之問題點,並不限於液晶顯示裝置,使用液 晶以外之顯示材料之顯示裝置亦有發生之虞。例如,貼合 TFT陣列基板與對向基板之電子紙張(paper)等,亦會產生 同樣的問題。
2185-8898-PF 7 200809358 本鲞明係有鑑於上述問題點而完成者,其目的在於提 供可防止因電性腐蝕之顯示品質之降低之面板基板、顯示 裝置、及其製造方法。 [用以解決課題的手段] 關於本發明之第1形態之面板基板,係具有:第丨母 基板,其具有複數陣列基板;第2母基板,其具有複數對 應上述陣列基板之對向基板;密封材,其係貼合上述陣列 基板、與上述對向基板;及顯示材料,.其係設於上述陣列 基板、上述對向基板、及上述密封材所形成之空間者,其 具有:配線,其係形成於上述第丨母基板;輸入端子,其 係^/成於上述陣列基板之封入上述顯示材料之顯示材料封 入區域之外側,對上述配線輸入信號;及疏水膜,其係形 成於上述第2母基板,配置於上述輸入端子與上述對向基 板相對之對向區域。 關於本發明之第2形態之顯示裝置,係包括:陣列基 板;對向基板,其係對向配置於上述陣 1其係將上述陣列基板'與上述對向基板貼合;及顯^材材料, 其係設於上述陣列基板、上述對向基板、及上述密封材所 形成之空間者’其包括:配線,其係形成於上述陣列基板; 輸入端子,其係形成於上述陣列基板之上述密封材之外 側,對上述配線輸入信號;及疏水膜,其係形成於上述陣 列基板上,没於較上述輸入端子為上述陣列基板端側。 關於本發明之第3形態之顯示裝置之製造方法,盆係 將具有形成配線及對上述配線輸入信號之輸入端子之陣列
2185-8898-PF 8 200809358 基板、及對向基板之顯示裝置,由具有複數上述陣列基板 之第1母基板與具有複數上述對向基板之第2母基板製 造,其包括:於上述第丨母基板上,形成配置於上述輸入 端子附近之疏水膜之步驟;形成於上述第丨母基板之疏水 膜,與上述對向基板相對地,將上述第i母基板與上述第 2母基板以密封材貼合之步驟;於上述密封材與上述對向 基板及上述陣列基板所形成之空間封入顯示材料之步驟; 在於封入上述顯示材料之顯示材料封入區域之外侧,使上 述疏水膜、及上述輸入端子以相對之狀態,對上述配線輸 入信號檢查之步驟;及於上述檢查步驟後,裁切成具有工 個對向基板與丨個陣列基板之顯示面板之步驟。 關於本發明之第4形態之面板基板,顯示裝置之製造 =法’其係將具有形成配線及對上述配線輸人信號之輸入 端子之陣列基板、及對向基板之顯示裝置,由具有複數上 述陣列基板之第1母基板與具有複數上述對向基板之第2 母基板製造,其包括··於上述第2 上返弟2母基板上之對向基板形 成疏水膜之步驟;形成於上述第2母基板之疏水膜,與上 述輸入端子相對地,將上述第】母基板與上述第2母基板 以密封材貼合之步驟;於上述密封材與上述對向基板及上 述陣列基板所形成之空間封人顯示材料之步驟;在於封入 上述顯示材料之顯示材料封入區域之外側,使上述疏水 ^及上述輸入端子以相對之狀態,對上述配線輸入信號 :之步驟;及於上述檢查步驟後,裁切成具有工 <固對向 基板與1個陣列基板之顯示面板之步驟。
2185-8898-PF 9 200809358 [發明效果] 根據本發明 板、顯示裝置、 可k供可防止顯示品質之降低之面板基 及其製造方法。 【實施方式】 以下,將可使用本發明之實施形態,以顯示材料為液 晶之液晶顯示裝置為例說明之。為使說明之明確化,以下 之記載及圖面有適宜省略及簡化。又,於各圖^,對於相 同要素付以同一符號,按照需要省略重複說明。 實施形態1. 次月關於本貫施形態之液晶顯示裝置。液晶顯示裝 置通^,包括陣列基板、與對向基板。然後,陣列基板、 與對向基板,以框狀的密封材貼合。於藉由陣列基板、對 向基板、及密封材所形成之區域封入液晶。再者,於本實 施形悲,將陣列基板,以陣列狀排列TFT之TFT陣列基板 說明。即,關於本實施形態之液晶顯示裝置,係主動矩陣 (active matrix)型之液晶顯示裝置。 TFT陣列基板、及對向基板,考慮量產性,由1對母 基板取多面。即,將具有複數TFT陣列基板之母基板,與 具有複數對向基板之母基板貼合。然後,將貼合之基板於 列方向或行方向裁切,形成長條基板。再者,於本實施形 態,複數液晶面板,以〗列排列配置之長條基板狀態,進 行點燈k查。然後,實施點燈檢查之後,裁切成各個液晶 面板。
2185-8898-PF 10 200809358 首先’使用圖1說明具有複數TFT陣列基板之母基板。 圖1係表示TFT陣列基板用母基板1之構成之平面圖。於 第1母基板之母基板1,形成有縱3χ橫4之TFT陣列美才反 100。即,於1片母基板1,具有12片TFT陣列基板100。 換言之,藉由將母基板1於列方向、及行方向裁切,可得 12片TFT陣列基板100。TFT陣列基板100,係形成為矩形 狀。當然,於1片母基板1之TFT陣列基板ι〇〇之數,並 非限定於此者。在此’將形成1片液晶面板之區域作為像 馨 素區劃101。因此,1像素區劃,係對應1片TFT陣列基板 1 00之區域。然後,於矩形狀的像素區劃101,於TFT陣列 基板100上’形成有形成TFT陣列之配線、及端子等。 各個像素區劃101,以隔著既定的間隔排列。然後, 於各像素區劃1 01之間’配置裁切線1 〇 4。即,藉由依照 該裁切線1 04將母基板1裁切,可分離成各個TIT陣列基 板100。再者,於圖1,僅顯示形成具有4個TFT陣列基板 • 1 00之長條基板之裁切線104。即,實際上,以圖1表示之 橫方向之裁切線1 04之外,亦有配置縱方向之裁切線。於 各個TFT陣列基板100之内,配置液晶封入區域1 〇2。該 封入區域1 〇 2,係對應排列像素之顯示區域。該液晶封入 區域102以後述之密封材框圍。再者,於該液晶封入區域 1 〇2,形成配向膜1 〇。該配向膜1 〇係形成於tft陣列基板 10 0之表面。然後TFT陣列基板1 〇〇之顯示區域之外側成 為邊框區域。 其次,使用圖2說明TFT陣列基板1 〇〇之構成。圖2 2185-8898-PF 11 200809358 係示意表示TFT陣列基板1 〇〇之構成之平面圖。以下,將 TFT陣列基板1 〇〇依照製造步驟之順序說明。於陣列 基板1 0 0,例如,可使用透明的玻璃基板。於TFT陣列基 板100,形成由Al、Cr等金屬所構成之複數閘極配線26, 及複數蓄積電容配線20。複數閘極(gate )配線2 6以平行 形成。然後’於鄰接之閘極配線2 6之間配置蓄積電容配線 20。於閘極配線26、及蓄積電容配線20 ’上,依序形成 閘極絕緣膜(無圖示),及半導體層(無圖示)。藉由習知之 _ CVI) ’可將閘極絕緣膜,及半導體層成膜。閘極絕緣膜,係 例如,氧化矽(silicon)膜或氮化矽膜等透明絕緣膜。半導 體層’例如為a-Si層或p-Si層。閘極絕緣膜,係如覆苗 閘極配線26地形成。半導體層係形成於成為TFT27之處。 然後,於閘極絕緣膜、及半導體層之上,形成由A1、 Cr等金屬所構成之複數源極(source)25、源極電極、及沒 極電極。複數源極配線25,係與複數閘極配線26經由閑 馨 極絕緣膜正交設置。複數源極配線25係平行形成。藉此, 於閘極配線26與源極配線25之交叉點附近,形成開關 (switching)元件之TFT27。TFT27之源極電極,係與源極 配線2 5連接。於源極配線2 5之上形成層間絕緣膜。然後, 於層間絕緣膜之上,形成像素電極24。TFT27之汲極電極, 係與像素電極24連接。像素電極24與没極電極,係例如, 經由設於層間絕緣膜之接觸孔(contact hoi e)連接。由辱區 動電路’對閘極配線26輸入使TFT為ON/OFF之閘極信號。 於源極配線25輸入依照顯示信號電壓之源極信號。 2185-8898-PF 12 200809358 上述像素電極24係配置成矩 通常,使用IT0等透明導電膜 於像素電極24, 穿透型之液晶顯示裝置之情形,於:射型、或者、半 等光反射率高的金屬材料。設有嗜像夸、:桎24 ’使用A1 像素。該像素以矩陣狀妒 〆素電極24之區域成為 素,係形成於液晶封人區域 [域。又,像 配置液晶封入區域1()?。户& 已圍顯不區域地 苦并, 在此,於像素電極24之下,來赤 田積電谷配線20。像素電極24與 /成 形成閘極絕緣膜,或層間絕緣膜。像辛“、、…2〇之間, 配線2〇’係經由絕緣膜相對配 畜積電容 積電容配線別構成電容Μ 鞴由像素電極24與蓄 係經由鏟⑽。蓄積電容配線 ^由轉Wtransfer)電極連接設於對向基板 極。因此’像素電極24與蓄積電容配線2Q形成提升雙7 之保持特性之蓄積電容。藉此,即使TFm呈斷開(〇⑴, 而沒有供給驅動電塵之狀態’亦可維持保持於像素電極之 顯=號電壓。即,於TFT27成斷開之後,可保持體7 呈導通(on)狀態時供給像素電極24之顯示信號電壓。 再者,於TFT陣列基板} 00上,形成有檢查用配線 16 19。檢查用配線17,係與複數閘極配線26連接。檢查 用配線19,係與複數開關(switch)元件21連接。檢查用 配線18 ’係與複數蓄積容量配線2 〇連接。檢查用配線〗6, 係經由開關元件21與複數源極配線25連接。檢查用配線 係與開關元件21之控制端子連接。檢查用配線16~19, 可例如’以與閘極配線2 6、或源極配線2 5同一步驟形成。
2185-8898-PF 13 200809358 該等檢查用配線16〜19,係配置於顯示區域之外侧。 又,於閘極配線26之端部,形成有閘極端子23。在 此,閘極端子23配置於TFT陣列基板100之右側之端部。 然後,對應閘極配線26之數之閘極端子23配置成縱向排 列成一列。同樣地,於源極配線25之端部,形成有源極端 子22。在此,源極端子22配置於TFT陣列基板100之上 側之端部。然後,對應源極配線25之數之源極端子22配 置成橫向排列成一列。再者,於檢查用配線16〜19之端部, 分別形成有檢查端子12~15。在此,檢查端子ι2〜15係形 成於TFT陣列基板1()()之上側之端部。再者,檢查端子i2〜u 係配置於源極端子22之左侧。於源極端子22、閘極端子 23、及檢查端子12〜15之表面,形成有與像素電極24相同 之導電層。即,於源極端子22、閘極端子23、及檢查端子 12〜15,於表面露出導電層。藉此,可由外部輸入信號。源 極端子22、閘極端子23、及檢查端子12〜15係形成於液晶 封入區域102之外侧。又,於圖!,源極端子2卜、及檢 查端子12〜15係排列配置於TFT陣列基板1〇〇之上側之端 部。 開關元件21 ’係开》成於與源極配線25之源極端子22 侧相反側之端部。開關元件21,係薄膜電晶體,可以與 TFT27相同的步驟形成。又,檢查用配線17,係於與間極 配線26之閘極端+ 23側相反侧之端部,閘極配線“連
接。檢查用配線18,係於蓄積容量配線2〇之一端部,與 各個蓄積電容配線20連接。 2185-8898-PF 14 200809358 形成於m陣列基板100之上,之源極端子22、間極 端子23、及檢查端子12〜15,係輸人信號之輸人端子。即, 由驅動電路對源極端子22輸人之源極 路對間極端子23輸入閑極信號。因此,經由源極 =^電2 對源極配線25供給源極信號,經由閘極端子23對閘極配 線26輸人閘極信號。又,在於製造途中,為進行點燈對檢 查,對檢查端子12〜15輸入各種檢查信號。
具體而s,對檢查端子15輸入使開關元件2丨導通之 檢查信號。藉此,輸入檢查用配線19之點燈檢查用檢查信 號經由開關元件21供給源極配線25。再者,、經由檢查端 子13、14分別對閘極配線26、及蓄積電容配線2〇輸入檢 查信號。藉此,對TFT27、及像素電極24供給檢查信號。 又,於像素區劃1 (Π之背面侧,配置面狀光源。因此,可 進行點燈檢查。再者,點燈檢查時以外之通常時,開關元 件21王斷開。即,不進行顯示時,由源極端子2 2對源極 配線2 5輸入源極信號。 如以上之構成形成於像素區劃1 01内。該等構成要 素’可以習知之成膜法、及微影(1 ithography)方法等形 成。然後’於TFT陣列基板1 〇〇上,形成有覆蓋所有像素 電極24之上述配向膜1 〇。作為配向膜1 〇可使用聚亞醯胺 (P〇 1 y i m i de )專樹脂膜。於該配向膜之表面,有施以既定方 向之刷毛處理。 其次’使用圖3說明具有複數對向基板之母基板之構 成。圖3係表示構成對向基板用母基板2之平面圖。第2 2185-8898-PF 15 200809358 母基板之母基板2,係大致與母基板1相同大小。然後, 於母基板2 ’與圖1同樣第形成有縱〜橫4之對向基板 2〇〇即母基板2’具有12片矩形狀的對向基板2〇〇。因 此’母基板2亦有12個像素區劃1〇1以矩陣狀排列。
各個像素區劃m,隔著既定的間隔排列。然後,於 各像素區畫"01之間,配置裁切線104。即,藉由依照該 裁切線104將母基板2裁切,可分離成各個對向基板。 再者’於圖2,亦與圖丨同樣地,僅顯示形成具有4個對 向基板200之長條基板之裁切線1()4。裁切線1()4,係使對 向基板200較m陣列基板m稍微小地配置。對向基板 2〇〇’將裁切成較TFT陣列基板1〇〇猶微小。藉此,可使設 於TFT陣列基板100之源極端子22、閘極端子23、及檢查 端子12]5露出。又,與母基板1同樣地,於各像素區劃 10卜形成液晶封入區域1〇2。於該液晶封入區域1〇2,設 有配向膜9。配向膜9係形成於對向基板2〇〇之表面。 其次,使用圖4、及圖5說明對向基板2〇〇之像素構 成。圖4係表示對向基板2〇〇之一部分之平面圖。圖5係, 圖4之X-X剖面圖。在此,對向基板2〇〇,作為彩色渡光 (color filter)基板說明。於對向基板2〇〇上,有格子狀 形成黑矩陣(black fflatrix)5,黑矩陣 係以遮光性樹脂 膜,或者金屬鉻(chromium)膜等形成。於黑矩陣5之間 形成RGB之著色層28。著色層28係對應像素電極24配置 又,黑矩陣5係對應源極配線25、及閘極配線26配置 於黑矩$ 5、及著色層28之形成對向電極i}。對向電極
2185-8898-PF 16 200809358 11,係例如以1το等透明導電膜形成。對向電極u,係覆 盍黑矩陣5、及著色層28地形歧對向基板⑽之大致全 面。再者,對向基板200,並非限定於彩色濾光基板。
然後,於對向電極11之上,形成配向膜9。配向膜9, :形成於液晶封入區域102。因此,於元件區劃之端部並 沒有形成配向膜9 ’而露出對向電極u。藉此,對向電極 11於對向基板200之端部露出。於配向膜9,可與m陣 列基板100同樣使用由聚亞酸胺等所構成之樹脂膜。然 後,於配向膜9,有向既定的方向刷毛(rubbing)。再者, 於對向電;11之上’形成對水具有既定的接觸角之疏水 膜。關於該疏水膜之構成將於後述。再者,疏水膜,可於 屯成對向電極11之後,形成配向膜9之前形成。或者,亦 可於形成配向膜9之後,貼合TFT陣列基板1〇〇與對向基 板2 0 〇之前形成。 然後,元成配向膜9、1 〇之刷毛處理之後,將母基板 γ與母基板2貼合。為此,首先,於母基板丨,或母基板2 形成在封材。密封材,係於每個丨2個像素區劃〗〇丨形成。 …、後,密封材,係以框圍液晶封入區域1 02之框狀配置。 再者’於忿封材之一部分,形成液晶注入口。然後,將母 基板1與母基板2對位,對向配置。在此,配向膜9、及 -、〇相對配置。然後’將兩基板按壓,使密封材硬化。 ^ 、將母基板1與母基板2經由密封材貼合。再者,於 ' 使"^查用配線18與對向電極11連接地,形成轉 私電極等。作為轉移電極,可使用例如銀糊料(paste)。再
2185-8898-PF 17 200809358 者’亦可於貼合前,配置保持胞隙之間隔器。 然後,以圖1及圖3所示之橫方向之裁切線i 04,將 、a之母基板1、及母基板2裁切’形成長條基板。在此, 形成3個,由4個元件區劃ιοί排成一列之長條基板。可 對於4個像素區劃1 〇丨之液晶封入區域丨〇 2,同時注入液 曰曰。藉此可提升生產性。例如,可藉由真空注入法注入液 晶。於液晶注入後,於液晶注入口塗佈樹脂,密封。藉此, 將液晶封入以對向基板2〇〇與TFT陣列基板1〇〇及密封材 ⑩所形成之空間。 如此地’形成長條基板。在此,所謂長條基板,係指 將母基板1與母基板2貼合之後,將母基板1及母基板2 裁切·分割而得之1對基板之積層體。於長條基板,將複 數的像素區劃1 〇 1排成一列地配置。以該長條基板狀態執 行檢查之後,將長條基板裁切。藉此,分離為各像素區劃 101 ’分割成各個液晶面板。 _ 在此’使用圖6說明長條基板之構造。圖6係表示長 條基板之構成之立體圖。再者,圖6係表示長條基板ι〇3 之設有檢查端子12〜15、及源極端子22之端部側。長條基 板103包括長條狀陣列基板i〇3a及長條狀對向基板i〇3b。 在此’長條狀陣列基板1 03a,使其端部由長條狀對向基板 103b超出地配置。於長條狀陣列基板1〇%之超出之部分, 配置源極端子22、及檢查端子12〜15。即,源極端子22、 及檢查端子12〜15露出。然後,檢查端子12〜15、及複數 源極端子22,沿著長條狀陣列基板103a之端邊,排列配 2185-8898-PF 18 200809358 置成大致一列。於長條基板103之檢查步驟,係以圖6所 示狀悲’對檢查端子1 2〜1 5輸入檢查信號。在此,可對4 個元件區劃同時進行點燈檢查。 在此’使用圖7、及圖8說明在於上述長條基板1 〇3 之像素區劃101間之構成。圖7係示意表示圖β之χ卜χ2 之TFT陣列基板1〇〇侧之構成之圖。圖8係圖β之之XI一χ2 之剖面圖。再者,XI—Χ2之線(line),係沿著圖7所示閘 極配線2 6之線。 ® 於長條基板103之像素區劃101間,如圖7所述,形 成有密封材3。與該密封材3交叉地配置複數閘極配線26。 再者,於閘極配線26之端部,配置閘極端子23。於密封 材3之外侧,沿著設有密封材3之方向,複數閘極端子μ 排列配置成1列。再者,於圖7,密封材3之下側為像素 區劃101之區域,上側為液晶封入區域J 〇2。因此,於長 條基板103之狀態,閘極端子23,係暴露於外氣之狀態。 _ 再者,於液晶封入區域1 〇2之外側,閘極配線26,係如圖 8所不藉由絕緣膜7覆蓋。然後,經由設於絕緣膜7之接 觸孔使閘極端子23與閘極配線26連接。因此,只有閑極 端子23露出於表面,於閘極端子23以外之處,露出絕緣 膜7 〇 如圖8所示,長條狀陣列基板1 〇 %與長條狀對向基板 l〇3b藉由密封材3貼合。該密封材3之内侧,成為液晶封 入區域102。於圖8,左側為液晶封入區域1〇2。於液晶封 入區域102,如上所述,於長條狀對向基板1〇扑之上,依
2185-8898-PF 19 200809358 序形成對向電極 11及配向膜9。又,於長條狀陣列基板 l〇3a,依序積層閘極配線26、絕緣膜7及配向膜1〇。再者, 絕緣膜7係例如上述閘極絕緣膜或層間絕緣膜。然後,於 配向膜9與配向膜1 〇之間,設液晶4。 在此,於長條基板1 03狀態,於像素區劃】〇丨間,於 閘極端子23上配置對向電極u。在此,使間極端子23與 對向電極11相對之區域作為端子電極對向區域⑽。於長 條狀對向基板H)3b,形成疏水膜8。疏水膜8,係配置於 端子電極對向n域⑽。即成為對向電極^經由疏水膜8 與閘極端子23相對之構成。該疏水膜8,對水具有高的接 觸角。疏水膜8 ’可使用例如氟系矽膠(siHc〇ne)樹脂。 具體而言,可使用東芝矽膠製之撥水膜形成用氟矽膠樹脂 等市售之感光性樹脂。因此’將具有疏水性、撥水性之感 光性樹脂塗佈於母基板2上,曝光、顯影。藉此,可簡便 地形成所期望之圖案(paUern)之疏水膜8。 由檢查端子13對閘極配線26輸入之檢查信號。因此, 連接於閘極配線26之閘極端子23,將呈對應檢查信號之 電位。又’對檢查端子14,亦輸入檢查信號。因此,經由 檢查用配線18、及轉移電極等對對向電極u亦輸入檢查 信號。因此’對向電極11亦呈對應檢查信號之電位。在此, 輸入檢查端子14與檢查料13之檢查信號係不同的信 號。因此,於對應電極u與閘極端+ 23,施加對應檢查 信號之不同電壓°因此,對於長條基板1G3之各像素區割 101進行點燈檢查。
2185-8898-PF 20 200809358 於本貧施形態,如上所述, ⑽,於長條狀對向基板 在於知子電極對向區域 太止 b形成疏水膜δ。因此,於於 一乂驟,對對向電極η及露 ' 雷廢萨 ;表面之閘極端子2 3施加 電£%,可防止閘極端子23之 陷的發生。即,即使因、、”牛锁 冑此,可防止顯示缺 卩使口-洗步驟或結露等而水㊣29浸入 日寸,疏水膜δ,將防止該水滴 又 lnfi加丄 同^ /父入鳊子電極對向區域 ⑽。例如’即使於像素區劃101間,即,水滴2 條狀陣列基板l〇3a與長停狀對内装4 , 又長
條狀對向基板1G3b之間,該水滴 開具有南接觸角之疏水膜8而移動。因此,水滴 29不會附著在間極端子23。即使於對向電極u舆間極端 子23之間、或閘極端子23間 土电诅差日寸,可防止發生 電化學反應。因此,可防止顯示缺陷之發生。藉此,可防 止顯不品質之降低。 在此,於圖9表示接觸角與毛細現象之水面之水面上 升距離之關係之-例。根據圖9,作為疏水膜8具有 以上的接觸角,則不會有因毛細現象之水之浸入。因此, 可防止因水之浸人之錢之發生。再者,目9係經過充分 的時間之後之結果,實際上’只要疏水膜8與其以外之區 域有某種程度的接觸角差即可。例如,於疏水膜8,可使 用較對向電極11接觸角大的材質。 如此地,在於端子電極對向區域1〇6,將疏水膜8設 於長條狀對向基板l〇3b。疏水膜8,對複數閘極端子23之 全體形成。藉此,即使於檢查步驟施加電壓時,可防止腐 蝕。因此,可防止顯示品質之惡化。如此地,即使在將母 2185-8898-PF 21 200809358 at 土反i與母基板一 口—…丁滑洗步驟之情形,亦' 防止水滴29之浸人。例如,可進行長條基板1〇3之清先 然後,於長條基板m之狀態,即使因毛細現“水滴μ 浸入兩基板間,水滴29將避開疏水膜8而移動。因此,水 滴29不會附著於霧出於表面之閘極端子 : ^改入端子電極對向區域⑽。因此,可防止電性腐餘而 提升顯示品質。又,由於只要形成疏水膜8即可,故可簡
便地防止因電化學反應之腐蝕。 F
然後,於檢查結束後,將長條基板1〇3分斷,分離成 像素區劃101。在此,係以圖6所是裁切、線105裁切長條 狀對向基板l〇3b。藉此,分離成由TFT陣列基板1〇〇與對 向基板2GG構成之液晶面板。㈣,對液晶面板連接驅動 電路或配線基板等。再者,對液晶面板黏貼偏光膜(fnm) 或相,差膜等。之後,#由於液晶面板之背面側配置面狀 光源裝置之背光(back light)完成液晶顯示裝置。 再者’於裁切檢查步驟後之長條基板1〇.3之裁切步 驟,去除圖8所示端子電極對向區域1〇6之對向基板2〇〇。 P呈於閘極端子2 3上沒有設對向基板2 〇 〇之狀態,因此, 疏水膜8將由對向基板200分離。藉此,可容易地將驅動 電路連接於閘極端子2 3。 如此地’根據本實施形態,於長條基板丨〇3之狀態, 於間極端子23與對向電極11之間配置疏水膜8。因此, 在、長條基板1 〇 3狀態之檢查步驟,即使在閘極端子2 3與 對向電極11之間、或閘極端子23之間產生電位差時,可
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防止因電化學反應之腐蝕。A 两蚀再者,由於可以長條基板103 狀態進行檢查,故可接弁声音 又』杈升良率。又,由於不需要對向電極 之圖案化(patterninsr)步驟,,止, 驟可廉價地製造顯示品質高的 液晶顯示裝置。因此,可提弁 J杈升生產性。又,在於對向基板 200不需要對向電極之棒向雷 也、门電~方式之液晶顯示裝置,亦 可使用關於本實施形能夕搂士 办心、之構成。此時,可防止因閘極端子 23間之電位差之閘極端子23之腐蝕。 再者,疏水膜8只要至少招少# 1〆形成於端子電極對向區域丨 即可。因此,疏水膜8之配 、0 <配置,亚非限定於圖8所示者。 在此,使用圖1 〇、及願1 • 11说明關於本實施形態之長條基 板1 0 3之別的構成。圖J 〇伤 一 口 U係表不在於Π-Χ2之位置之長條 基板103之構成之剖面圖。圖立 ” # ^ Λ , n q 係不思表不圖l ο構成之 長條基坂103之平面圖。於圄 ,u , u 於圖10、圖11 ’與圖8所示構成 相比疏水膜8之位置不同。, ^ . 匕,由於疏水膜8以外的構 成與已、!說明之構成相同,故省略說明。 如圖10所示,疏水臈8,π据θ山 1 n r μ φ丨甘从/ 僅疋、子電極對向區域 106 ’ I又到其外側。因此, 形成疏水膜8。即,㈣成在:封入區域102之外側全體 材3之㈣二 鄰接之像素區畫"〇1之密封 材3之間全體,形成疏水膜8。 的F妁,斟Α φ + 口此’於像素區劃1 0 1間 的&域,對向電極11並未霡屮Θ 广# 出。即’於密封材3之外側之 區域之大致全體,疏_ 彳之卜側之 取於對向電極11之上。 4之疏水膜8,亦形成於與閘極配 域。即,於閑極配線26與對 、p相對之& 膜8。因此,於密封材3之外側之間’形成有疏水 U 即使於覆蓋閘極配線26
2185-8898-PF 23 200809358 之、…",風如針孔30之缺陷時…”万止起因於水滴 29之腐钱。即,於與針孔(pinh〇le)3〇相對之部分,設有 疏水膜8,故水滴29不會附著在由針孔3。露出之閘極配 線26因此’可防止施加電壓時所產生之電化學反應,而 可防止閘極配線26之腐蝕。再者,疏水膜8亦可不設於像 素區劃101㈤全體。例如,於與間極配線26相對之區域設 疏水膜8即可。即,於穷私从 彳 於在封材之外側,於形成閘極配線26 參 之配線形成區域設疏水膜8即可。 實施形態2. 使用圖12說明關於本實施形態之液晶顯示裝置。圖 12係示意表示長條基板1〇3之構成之平面圖。於圖,與 圖11同樣地,表示元件區劃1〇1間之構成。於本實施形態, 疏水膜8並非設於長條狀對向基板1〇3b,而係設於長條狀 陣列基板103a。在此,由於疏水膜8以外的構成、及製造 步驟,與實施形態1相同,故省略說明。 疏水膜8,係設於長條狀陣列基板1〇3a之表面。在此, 將形成有複數閘極端子23之區域作為端子形成區域j 〇7。 於該端子形成區域107之附近,形成疏水膜8。然後如框 圍端子形成區域107地形成疏水膜8。因此,於閘極端子 23之外侧配置疏水膜8。疏水膜8,係例如設於絕緣膜7 之上,露出表面。因此,即使水滴29浸入基板間時,水滴 2 9並無會次入端子形成區域1 〇 7。由於水滴2 9不會附著於 閘極端子23,可防止閘極端子23因電化學反應之腐蝕。
即,由於水滴29不會浸入到疏水膜8之内側,故即使在檢 2185-8898-PF 24 200809358 查步驟施加電壓’仍可防止閘極端子23之腐蝕。因此,即 使將長條基板103清洗時,可防止發生腐蝕。 在此,於疏水膜8,可使用與實施形態"目同的感光 性1石夕膠樹脂。疏水膜8,只要是接觸角較其週邊為高的 材質即可。例如’疏水膜8之接觸角,較覆蓋間極配線Μ 之絕緣膜7表面之接觸角高。即,只要是比成為閘極絕緣 膜或層間絕緣膜之氧化石夕膜或氮化石夕膜接觸角高的材質即 可。疏水膜8,係形成於絕緣膜7之上。 • ⑥本貫施形態’將疏水膜8形成於長條狀陣列基板 103a。因此,將各元件區劃m分離之後,疏水膜8將殘 留於TFT陣列基板剛上。gp,於液晶面板狀態,則於間 極端子23之外側,配置疏水膜8。框圍液晶面板之端子形 成區域107地形成疏水膜8。藉此,可防止因電化學反應 =腐钕。再者’由於在閘極端子23之表面並沒有形成樹脂 等,故可容易地進行與驅動電路之連接。然後,於以疏水 膜8框圍之閘極料23設ACF等,可連接驅動電路。藉此, 可容易地構裝驅動電路。 再者,疏水膜8之配置,並非限於框圍端子形成區域 107地形成者。例如’只要形成於端子形成區域m即可。 在此,一使用圖13說明變更疏水膜8之配置之別的構成。圖 1一3係示意表示長條基才反1〇3之構成之平面圖。於圖所 丁構成馱水膜8形成於長條狀陣列基板〗〇3a。但是,疏 水膜8亚非框圍端子形成區域1 07地形成。 P ^水膜8,係形成於端子形成區域1 〇 7之外側、
2185-8898-PF 25 200809358 匕又,疏水膜8延設至密封材3。即,藉由密封材3 與疏水膜8,框(f|被工…上、 “子形成區域1G7。藉此,即使當水滴 /又土反間時’可防止水滴29附著於閘極端子23。因 此,可抑制因電性腐蝕之顯示品質之降低。 使形成有複數閘極配線26之區域作為配線形成 二則以密封材3與疏水膜8,框為該配線形成區域 猎此’可防止水滴29浸入閘極配線26上。即,浸入 ,板間之水滴29將僅在以疏水膜8、及密封材3所形成區 外侧移動。水滴29並不會浸人於配線形成區域108。 猎此’如圖ίο所示’即使於覆蓋閘極配線26之絕緣膜7 有針孔30之情形’仍可防止閘極配線%之腐餘。可防止 間極配線2 6之雷ji日m /1* 厂, 之電阻變化,可抑制因電性腐蝕之顯示品質之 降低。因此,可提升顯示品質。 、 如此地,於m陣列基板100之上形成疏水膜8時, 只要將疏水膜8設於閘極端子23附近即可。再者,將 膜8配置於閑極端子23之外側、即m陣列基板10^端 側。此時’於密封材3與疏水膜8之間配設閘極端子23。 猎此’可防止由外側之水滴之浸人。又,藉由以疏水膜8 框圍端子形成區域107,可確實地防止水滴29對閘極端子 23之附著。或者’亦可以疏水膜8與密封材3框圍端子妒 成區域107。藉此,可確實地防止水滴29對閘極端子23 之附著。此時,以疏水膜8與密封材3,框圍密封材3之 外側之配線形成區域齡藉此,可防止閘極配線Μ 姓。 肉
2185-8898-PF 26 200809358 再者,於實施形態1、2,說明了防止閘極端子23之 腐蝕之疏水膜8,惟本發明並非限定於此者。例如,亦可 對於源極端子22、或檢查端子12〜15形成疏水膜8。即, 為由外部輸入信號,可於輸入端子設疏水冑δ。特別是, 於長條基板1 〇 3之狀態於液晶封入區域丨〇 2之外側露 出,對舆對向電極11相對之輸入端子設疏水膜8即可。藉 匕即使水滴浸入基板間時,可防止於檢查步驟之腐蝕。 口此,可防止顯示品質之降低。又,亦可組合實施形態工 與實施形態2。即,亦可於長條狀陣列基板1〇3&與長條狀 對向基板103b之雙方,形成疏水膜8。 又,於實施形態1、2,說明了關於具有TFT陣列基板 之主動式矩陣型液晶顯示裝置,惟本發明並非限定於此 者。例如,亦可為被動式矩陣型液晶顯示裝置。又,亦可 為使用例如電子紙張等之液晶以外之顯示材料之顯示裝 置。再者,於上述說明,於裁切母基板丨與母基板2後, 進行液晶注入步驟、及檢查步驟,並不限於此。例如,當 兀件區劃1 01於母基板i與母基板2排列成一列時,可於 裁切母基板1與母基板2之前,進疗液晶注入步驟、及檢 查土驟。即,只要是在將元件區m分斷形成液晶面板 之前之階段實施檢查步驟者即可。 【圖式簡單說明】 圖1係表示TFT陣列基板用母基板之構成之平面圖。 圖2係表示TFT陣列基板之構成之平面圖。 2185-8898-PF 27 200809358 圖3係表示對向基板之母基板之構成之平面圖。 圖4係示意表示對向基板之像素構成之平面圖。 圖5係圖4之X-X剖面圖。 圖6係表示長條基板之構成之立體圖。 圖7係示意表示長條狀陣列基板之構成之平面圖。 圖8係示意表示長條基板之構成之剖面圖。 圖9表示接觸角與水面之上升距離之圖。 圖1 〇係表示關於實施形態1之長條基板之別的構成之 ® 剖面圖。 圖11係表示關於實施形態1之長條基板之別的構成之 圖。 圖12係示意表示關於實施形態2之長條基板之元件區 劃間之構成之圖。 圖13係示意表示關於實施形態2之長條基板之元件區 劃間之別的構成之圖。 •【主要元件符號說明】 1〜母基板·, 2〜母基板; 3〜密封材; 4〜液晶; 5〜黑矩陣; 7〜絕緣膜;
8〜疏水膜; 2185-8898-PF 28 200809358 9〜配向膜; 1 0〜配向膜; 11〜對向電極; 12〜15〜檢查端子; 16〜19〜檢查用配線; 20〜蓄積電容配線; 21〜開關元件; 2 2〜源極端子; 2 3〜閘極端子; 24〜像素電極; 2 5〜源極配線; 2 6〜閘極配線; 27〜TFT ; 28〜著色層; 29〜水滴; 3 0〜針孔; 100〜TFT陣列基板; 1 01〜元件區劃; 102〜液晶封入區域; 1 0 3〜長條基板; 103a〜長條狀陣列基板; 103b〜長條狀對向基板; 104〜裁切線; 105〜裁切線; 29
2185-8898-PF 200809358 106〜端子電極對向區域; 107〜端子形成區域; 108〜配線形成區域; 20 0〜對向基板。
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Claims (1)
- 200809358 十、申請專利範圍: 1· 一種面板(panel)基板,具有·· 第1母(mother)基板,其具有複數陣列(array)基板; 第2母基板’其具有複數對應上述陣列基板之對向基 板; 密封(seal)材,其係貼合上述陣列基板、與上述對向 基板; 顯示材料,其係設於上述陣列基板、上述對向基板、 Φ 及上述密封材所形成之空間; 配線,其係形成於上述第1母基板; 輸入端子,其係形成於上述陣列基板之封入上述顯示 材料之顯示材料封入區域之外側,對上述配線輸入信號; 及 疏水膜,其係形成於上述第2母基板,配置於上述輸 入端子與上述對向基板相對之對向區域。 2·如申請專利範圍第1項所述的面板基板,其中在於 上述密封材之外侧,於形成有上述配線之配線形成區域亦 有形成疏水膜。 3 · —種顯示裝置,包括: 陣列基板; 對向基板,其係對向配置於上述陣列基板; 密封材,其係將上述陣列基板、與上述對向基板貼合; 顯不材料,其係設於上述陣列基板、上述對向基板、 及上述岔封材所形成之空間; 2185-8898-PF 31 200809358 配線’其係形成於上述陣列基板; 輪入端子,其係形成於上述陣列基板之上述密封材之 外側,對上述配線輸入信號;及 疏水膜,其係形成於上述陣列基板上,設於較上 入端子為上述陣列基板端侧。 別 …4·如申請專利範圍第3項所述的顯示裝置,其中框圍 形成有上述輸入端子之端子形成區域地配置上述疏水膜。 5.如申請專利範圍第3項所述的顯示裝置,i中,以 上述疏水膜與上述密封材,框圍形成有上述輸入端子之端 子形成區域。 而 6·如申請專利範圍第5項所述的顯示裝置,其中在於 上述密封材之外側形成上述配線之配線形成區域,、以上述 疏水膜及上述密封材框圍。 、、 種頌不裝置之製造方法,將具有形成配線及對上 述=輸人信號之輸人端子之陣列基板、及對向基板之顯 II隸由具有複數上述陣列基板之第1母基板與具有複 “ ’向基板之第2母基板製造,其包括: 於上述第 1 H A J. 母基板上,形成配置於上述輸入端子附近 之疏水膜之步驟; 形成於上述繁! 母基板之疏水膜,與上述對向基板相 對地,將上述第 · 母基板與上述第2母基板以密封材貼合 之步驟; *心述Λ封材與上述對向基板及上述陣列基板所形成 之二間封入顯示材料之步驟; 2185-8898-PF 32 200809358 在於封入上述顯示材料 +之頌不材料封入區域之外側, 使上述疏水膜、及上述輸入端 Λ4 Α ^ σ., 子相對之狀恶,對上述配 綠輸入^被檢查之步驟;及 於上述檢查步驟後,哉 陣列美…-成具有1個對向基板與1個 陴歹j基板之顯不面板之步驟。 8 · —種顯示裝詈之_、生士、, 、f t於 化法,將具有形成配線及對上 述配線輸入信號之輸入端子 示裝置,由具有複數上述 :第對向基板之顯 數上述對向基板之第2 =;板之弟1母基板與具有複 <弟Z母基板製造,其包括: 於上述第2母基板上夕剩 上之對向基板形成疏水膜之步驟; 形成於上述第? 樹m… 疏水膜,與上述輸入端子相 十 將上述苐1母基板血 之步驟; /、上这弟2母基板以密封材貼合 於上述密封材盘卜赤 之nm/、 上㈣列基板所形成 之二間封入顯不材料之步驟; 在於封人上述顯不材料之顯示材料封人區域之外侧, 使上述疏水膜、及上诚於 峻浐入广… 辻輸入鈿子以相對之狀態,對上述配 綠W入彳§唬檢查之步驟;及 於上述檢查步騍後, _以^ — 曼裁切成具有1個對向基板與1個 陣列基板之顯示面板之步驟。 9 ·如申請專利蔚铱 圍弟7或8項所述的顯示裝 直 進一步包括··將上述貼人 ,、Y ㈣且古”“。之弟1母基板與弟2母基板裁切, 形成具有稷數上述對Α r t. 止對向基板、及上述陣列基板之長條 (stick)基板之步驟, 2185-8898-PF 33 200809358 於裁切成上述長條基板之後,進行上述檢查。 1 0.如申請專利範圍第7或8項所述的顯示裝置,其中 藉由具有疏水性之感光性樹脂膜形成上述疏水膜。2185-8898-PF 34
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