CN101093331A - 面板基板、显示装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供能够防止显示品质下降的面板基板、显示装置及其制造方法。本发明一种形态的面板基板是一种具备设置在由TFT阵列基板(100)、对置基板(200)和密封材料(3)所形成的液晶封入区域中的液晶(4)的液晶面板基板，其具有：设置在TFT基板阵列上的栅极布线(26)；形成在TFT阵列基板(100)的液晶封入区域的外侧、用于向栅极布线输入信号的栅极端子(23)；设置在对置基板(200)上的对置电极(11)；形成在对置基板(200)上、配置在栅极端子(23)和对置电极(11)相向的端子电极对置区域(106)中的疏水膜(8)。

Description

面板基板、显示装置及其制造方法
技术领域
本发明涉及液晶显示装置及其制造方法。
背景技术
作为显示装置的代表性实例，一般在液晶显示装置中使用液晶面板。液晶面板上设有薄膜晶体管(Transistor)(TFT)阵列基板。TFT阵列基板具有TFT和与TFT连接的像素电极。此外，TFT和像素电极配置为矩阵(matrix)状，由此形成像素区域。进而，TFT阵列基板上形成有与TFT连接的扫描信号线和显示信号线。
这种TFT阵列基板上形成有一个具有多条扫描信号线和显示信号线的元件区段。此外，在TFT阵列基板的元件区段端部形成有用于向扫描信号线和显示信号线输入信号的端子。
进而，该TFT阵列基板上配置对置基板。该对置基板上形成有对置电极和树脂膜等。此外，利用密封材料将TFT阵列基板和对置基板粘贴在一起。这里，密封材料包围着像素区域形成框状。其后，在由TFT阵列基板、对置基板和密封材料所形成的区域中封入液晶。
这里，如果TFT阵列基板的端子或布线发生腐蚀，就会产生显示缺陷。因此，公开了一种为了防止TFT阵列基板的各信号线发生腐蚀而以防腐蚀用防水膜覆盖引线的技术(特开2003-195336)。在该文献中，隔着ACF贴附FPC之后，向引线的配置部分及其附近喷洒雾化有机溶剂。继而，趁着被涂敷的有机溶剂尚未挥发，形成防腐蚀用防水膜。另外，公开了其他的防腐蚀技术(专利文献2)。在该文献中，在切割工序之后，在构图的截面所露出的部分，基板端面上形成UV树脂。
另外，考虑到批量生产的需要，在液晶面板的制造工序中，上述TFT阵列基板和对置基板通常是从大型主基板上截取多面。即，主基板上在纵向和横向排列多个上述TFT阵列基板或对置基板。此外，具有多个TFT阵列基板的主基板和具有多个对置基板的主基板隔着密封材料粘贴在一起。此外，利用密封材料粘贴之后，将主基板进行分割，使得多个元件区段成为排成一列的状态。即，将主基板分割成使多个液晶cell排成一列。依照此种方式，切割主基板来形成条形(stick)基板。然后，公开了一种在多个液晶cell中同时封入液晶的方法(专利文献3)。
【专利文献1】
特开2003-195336号公报
【专利文献2】
特开平10-187054号公报
【专利文献3】
特开2004-317982号公报
发明内容
然而，上述对置电极通常形成在对置基板的几乎整个面上。因此，在粘贴工序之后，对置电极和TFT阵列基板的端子有时候会在密封材料的外侧形成对置状态。这里，液晶盒的间隙(cell gap)约为5μm，非常狭窄。而且，在连接驱动电路等之前，TFT阵列基板的布线端子暴露在外面。然后，该端子与对置基板的对置电极呈对置状态。
这里，在进行液晶显示面板的点亮检查时，例如将探针等接触检查端子。继而，从探针(probe)等通过检查端子向布线提供信号。由此在对置电极或布线之间施加电压。继而检查是否能够正常点亮。为了提高生产率，有时候在条形基板状态下实施这种检查。
在处于条形基板状态时，有可能会因清洗工序或结露等导致水滴进入对置基板和TFT阵列基板之间的狭窄的液晶盒的间隙。在有水滴附着于端子上的状态下，如果在端子与对置电极之间、或者端子与端子之间施加不同的电压，端子与对置电极之间或者端子与端子之间有时候会发生电气化学反应。这种电气化学反应的产生会导致端子腐蚀、在液晶显示装置中出现显示缺陷等问题。但是，在专利文献1中，在形成液晶面板之后形成防腐蚀用防水膜等，因此无法防止检查工序中发生的腐蚀。另外，在专利文献2中，在布线的切割部分形成有保护膜。因此，无法防止端子的腐蚀。这样，在这些技术中，检查工序时所施加的电压有可能导致端子发生腐蚀。因此，在现有的液晶显示装置中存在着显示品质下降的问题。另外，这种问题并不限于液晶显示装置，在使用液晶之外的显示材料的显示装置中也可能会发生。例如，在由TFT阵列基板和对置基板粘贴而成的电子纸张(paper)等中也会发生同样的问题。
本发明是针对上述问题点而提出，其目的是提供能够防止因电气腐蚀而导致的显示品质下降的面板基板、显示装置及其制造方法。
本发明的第1形态的面板(panel)基板是一种具备：具有多个阵列(array)基板的第1主(mother)基板、具有多个与上述阵列基板相向的对置基板的第2主基板、将上述阵列基板和上述对置基板粘贴在一起的密封(seal)材料、以及设置在由上述阵列基板和上述对置基板及上述密封材料所形成的空间中的显示材料的面板基板，其具有：设置在上述第1主基板上的布线；形成在封入了上述阵列基板的上述显示材料的显示材料封入区域外侧、用于向上述布线输入信号的输入端子；形成在上述第2主基板上、配置在上述输入端子与上述对置基板相向的对置区域中的疏水膜。
本发明的第2形态的显示装置是一种具备：阵列基板、与上述阵列基板相向配置的对置基板、将上述阵列基板和上述对置基板粘贴在一起的密封材料、设置在由上述阵列基板和上述对置基板及上述密封材料所形成的空间中的显示材料的显示装置，其具备：设置在上述阵列基板上的布线；形成在上述阵列基板的上述密封材料的外侧、用于向上述布线输入信号的输入端子；形成在上述阵列基板上、比上述输入端子更靠近上述阵列基板端一侧而设置的疏水膜。
本发明的第3形态是一种显示装置的制造方法，利用具有多个上述阵列基板的第1主基板和具有多个上述对置基板的第2主基板，制造出具有形成有布线及用于向上述布线输入信号的输入端子的阵列基板和对置基板的显示装置，该显示装置的制造方法具备：在上述第1主基板上形成配置在上述输入端子附近的疏水膜的工序；通过密封材料将上述第1主基板和上述第2主基板粘贴起来，使形成在上述第1主基板上的疏水膜与上述对置基板相向的工序；向由上述密封材料和上述对置基板及上述阵列基板所形成的空间中封入显示材料的工序；在上述疏水膜和上述输入端子相向的状态下，在封入了上述显示材料的显示材料封入区域的外侧向上述布线输入信号进行检查的工序；在上述检查工序之后切割成具有1个对置基板和1个阵列基板的面板的工序。
本发明的第4形态是一种显示装置的制造方法，利用具有多个上述阵列基板的第1主基板和具有多个上述对置基板的第2主基板，制造出具有形成有布线及用于向上述布线输入信号的输入端子的阵列基板和对置基板的显示装置，该显示装置的制造方法具备：在上述第2主基板的对置基板上形成疏水膜的工序；通过密封材料将上述第1主基板和上述第2主基板粘贴起来，使形成在上述第2主基板上的疏水膜与上述输入端子相向的工序；向由上述密封材料和上述对置基板及上述阵列基板所形成的空间中封入显示材料的工序；在上述疏水膜和上述输入端子相向的状态下，在封入了上述显示材料的显示材料封入区域的外侧向上述布线输入信号进行检查的工序；在上述检查工序之后切割成具有1个对置基板和1个阵列基板的面板的工序。
借助于本发明，可以提供能够防止显示品质下降的面板基板、显示装置及其制造方法。
附图说明
图1是表示TFT阵列基板的主基板的结构的平面图。
图2是示意性地表示TFT阵列基板的结构的平面图。
图3是表示对置基板的主基板的结构的平面图。
图4是示意性地表示对置基板的像素结构的平面图。
图5是图4的X-X剖面图。
图6是表示条形基板的结构的透视图。
图7是示意性地表示条形状阵列基板的结构的平面图。
图8是表示条形基板的结构的剖面图。
图9是表示接触角和水面的上升距离的图。
图10是表示第1实施方式中的条形基板的另一结构的剖面图。
图11是表示第1实施方式中的条形基板的另一结构的图。
图12是表示第2实施方式中的条形基板的元件区段间的结构的示意图。
图13是表示第2实施方式中的条形基板的元件区段间的另一结构的示意图。
符号说明
1主基板
2主基板
3密封材料
4液晶
5黑色矩阵
7绝缘膜
8疏水膜
9取向膜
10取向膜
11对置电极
12～15检查端子
16～19检查用布线
20存储电容布线
21开关元件
22源极端子
23栅极端子
24像素电极
25源极布线
26栅极布线
27TFT
28着色层
29水滴
30针孔
100TFT阵列基板
101元件区段
102液晶封入区域
103条形基板
103a条形状阵列基板
103b条形状对置基板
104切割线
105切割线
106端子电极对置区域
107端子形成区域
108布线形成区域
200对置基板
具体实施方式
下面，以显示材料是液晶的液晶显示装置为例说明可适用本发明的实施方式。为了使说明更加明确，以下的记载和附图被适当地省略和简化。另外，在各个附图中，针对同一要素赋予相同符号，必要时省略其重复说明。
第1实施方式
下面说明本实施方式的液晶显示装置。液晶显示装置通常具备阵列基板和对置基板。此外，阵列基板和对置基板通过框状密封材料粘贴在一起。在由阵列基板和对置基板及密封材料所形成的区域中封入液晶。在本实施方式所说明的阵列基板是将TFT排列为阵列状的TFT阵列基板。亦即，本实施方式中的液晶显示装置是有源矩阵(activematrix)型液晶显示装置。
考虑到批量生产，TFT阵列基板及对置基板从1对主基板上截取多个面而形成。亦即，将具有多个TFT阵列基板的主基板和具有多个对置基板的主基板粘贴在一起。继而，将粘贴在一起的基板沿行方向或列方向进行切割，形成条形(stick)基板。进而，在本实施方式中，在多个液晶面板排成1列而配置的条形基板状态下进行点亮检查。此外，在完成点亮检查后，切割成各个液晶面板。
首先，使用图1说明具有多个TFT阵列基板的主基板。图1是表示用作TFT阵列基板的主基板1的结构的平面图。作为第1主基板的主基板1上形成有纵3×横4的TFT阵列基板100。即，1个主基板1具有12片TFT阵列基板100。换言之，通过在行方向和列方向上切割主基板1，能够得到12片TFT阵列基板100。TFT阵列基板100形成矩形形状。当然，1个主基板1上的TFT阵列基板100的数量并不限于此。这里，将用于形成1个液晶面板的区域定义为元件区段101。因此，1个元件区段就是与1片TFT阵列基板100相对应的区域。此外，在矩形形状的元件区段101中，在TFT阵列基板100上形成有用于形成TFT阵列的布线和端子等。
各个元件区段101相隔预定间隔排列。此外，各个元件区段101之间配置有切割线104。即，沿着该切割线104切割主基板1，由此分离成各个TFT阵列基板100。此外，图1中仅表示了用于形成具有4片TFT阵列基板100的条形基板的切割线104。即，实际上除了图1所示的横向切割线104之外，还配置有纵向切割线。在各个TFT阵列基板100内配置有液晶封入区域102。该液晶封入区域102与配置像素的显示区域相对应。该液晶封入区域102被后述的密封材料包围。进而，在该液晶封入区域102中形成取向膜10。取向膜10形成在TFT阵列基板100的表面上。此外，TFT阵列基板100的显示区域的外侧成为边框区域。
接着，使用图2说明TFT阵列基板100的结构。图2是示意性地表示TFT阵列基板100的结构的平面图。下面，按照制造工序的顺序说明TFT阵列基板100的结构。TFT阵列基板100可以使用例如透明的玻璃基板。在TFT阵列基板100上形成有由Al、Cr等金属构成的多个栅极布线26和多个存储电容布线20。多个栅极(gate)布线26平行形成。此外，在相邻的栅极布线26之间配置存储电容布线20。在栅极布线26和存储电容布线20上，依次形成栅极绝缘膜(未图示)和半导体层(未图示)。利用众所周知的CVD，可以将栅极绝缘膜和半导体层进行成膜。栅极绝缘膜是例如氧化硅(Silicon)膜或氮化硅膜等透明绝缘膜。半导体层是例如a-Si层或p-Si层。栅极绝缘膜覆盖着栅极布线26形成。半导体层形成在成为TFT27的位置。
此外，在栅极绝缘膜及半导体层上方形成由Al、Cr等金属构成的多个源极(source)布线25、源电极和漏电极。多个源极布线2 5设置为隔着栅极绝缘膜与多个栅极布线26正交。多个源极布线25平行形成。由此，在栅极布线26和源极布线25的交叉点附近形成有开关(switching)元件即TFT27。TFT27的源电极连接到源极布线25。源极布线25上方形成有层间绝缘膜。此外，层间绝缘膜上方形成有像素电极24。TFT27的漏电极连接到像素电极24。像素电极24和漏电极通过例如设置在层间绝缘膜上的接触孔(contact hole)连接。由驱动电路向栅极布线26输入使TFT为ON/OFF的选通信号(gatesignal)。源极布线25中输入与显示信号电压相应的源极信号。
上述像素电极24配置成矩阵状。像素电极24中通常使用ITO等透明导电膜。此外，如果是反射型或半透射型液晶显示装置，则像素电极24中使用Al等光反射率高的金属材料。设有这种像素电极2 4的区域构成像素。该像素呈矩阵状所形成的区域成为显示区域。另外，像素形成在液晶封入区域102。因此，液晶封入区域102包围着显示区域配置。这里，在像素电极24下方形成存储电容布线20。在像素电极24和存储电容布线20之间形成栅极绝缘膜或层间绝缘膜。像素电极24和存储电容布线20隔着绝缘膜相向配置。利用像素电极24和存储电容布线20构成电容器(capacitor)。存储电容布线20经由传输(transfer)电极连接到设置在对置基板上的对置电极。因此，像素电极24和存储电容布线20形成了用于提高TFT27的保持特性的存储电容。由此，即使在TFT27处于截止(off)而没有驱动电压供给的状态下，也能够维持像素电极上所保持的显示信号电压。即，即使在TFT27截止后，仍然保持TFT27处于导通(on)状态时供给到像素电极24上的显示信号电压。
进而，在TFT阵列基板100上形成有检查用布线16～19。检查用布线17与多个栅极布线26连接。检查用布线19与多个开关(switch)元件21连接。检查用布线18与多个存储电容布线20连接。检查用布线16经由开关元件21与多个源极布线25连接。检查用布线19与开关元件21的控制端子连接。检查用布线16～19例如可以通过与栅极布线26或源极布线25相同的工序形成。这些检查用布线16～19配置于显示区域的外侧。
另外，在栅极布线26的端部形成有栅极端子23。这里，栅极端子23配置于TFT阵列基板100右侧的端部。此外，数量与栅极布线26相应的栅极端子23排列配置成一个纵列。同样地，在源极布线25的端部形成有源极端子22。这里，源极端子22配置于TFT阵列基板100上侧的端部。此外，数量与源极布线25相应的源极端子22排列配置成一个横列。进而，在检查用布线16～19的端部分别形成有检查端子12～15。这里，检查端子12～15形成在TFT阵列基板100上侧的端部。进而，检查端子12～15配置于源极端子22的左侧。在源极端子22、栅极端子23和检查端子12～15的表面，形成有与像素电极24相同的导电层。即，在源极端子22、栅极端子23和检查端子12～15中，导电层暴露在表面上。由此能够输入来自外部的信号。源极端子22、栅极端子23和检查端子12～15形成在液晶封入区域102外侧。另外，在图1中，源极端子22和检查端子12～15排列配置于TFT阵列基板100的上侧端部。
开关元件21形成在源极布线25的与源极端子22一侧相反的一侧的端部。开关元件21是薄膜晶体管，可以通过与TFT27相同的工序形成。另外，检查用布线17在栅极布线26的与栅极端子23一侧相反的一侧的端部与栅极布线26连接。检查用布线18在存储电容布线20的一端与各个存储电容布线20连接。
在TFT阵列基板100上所形成的源极端子22、栅极端子23和检查端子12～15是用于输入信号的输入端子。亦即，源极端子22上输入来自驱动电路的源极信号。另外，栅极端子23上输入来自驱动电路的栅极信号。因此，源极信号经由源极端子22供给到源极布线25，栅极信号经由栅极端子23供给到栅极布线26。另外，检查端子12～15上输入在制造过程中用于实施点亮检查的各种检查信号。
具体地，检查端子15上输入用于使开关元件21导通的检查信号。由此，输入到检查用布线19上的点亮检查用检查信号经由开关元件21供给到源极布线25。进而，检查信号通过检查端子13、14分别输入到栅极布线26和存储电容布线20。由此，检查信号供给到TFT27和像素电极24。另外，元件区段101的背面一侧配置有面状光源。这样就能够实施点亮检查。此外，在平时不执行点亮检查时，开关元件21处于断开状态。亦即，在进行显示时，源极信号从源极端子22输入到源极布线25。
如上所述的结构形成在元件区段101内。这些结构要素可以使用众所周知的成膜方法和平版印刷(Lithography)法等形成。此外，在TFT阵列基板100上覆盖着全部像素电极24形成上述取向膜10。取向膜10可以使用聚酰亚胺(polyimide)等树脂膜。在该取向膜表面上实施预定方向的研磨(rubbing)处理。
接着，使用图3说明具有多个对置基板的主基板的结构。图3是表示用作对置基板的主基板2的结构的平面图。作为第2主基板的主基板2大小与主基板1大致相同。此外，主基板2上与图1同样地形成有纵3×横4的对置基板200。即，主基板2具有12片矩阵状对置基板200。因此，在主基板2上也以矩阵状排列着12个元件区段101。
各个元件区段101相隔预定间隔排列。此外，各个元件区段101之间配置有切割线104。即，沿着该切割线104切割主基板2，由此分离成各个对置基板200。此外，在图2中也与图1同样地仅表示了用于形成具有4片对置基板200的条形基板的切割线104。切割线104被配置成使对置基板200略小于TFT阵列基板100。对置基板200被切割成略小于TFT阵列基板100。由此能够使设置在TFT阵列基板100上的源极端子22、栅极端子23和检查端子12～15显露出来。另外，与主基板1相同，在各个元件区段101中形成有液晶封入区域102。在该液晶封入区域102中设有取向膜9。取向膜9形成在对置基板200的表面上。
接着，使用图4和图5说明对置基板200的像素结构。图4是表示对置基板200的一部分结构的平面图。图5是图4的X-X剖面图。这里所说明的对置基板200是彩色滤光片(color filter)基板。在对置基板200上，黑色矩阵(black matrix)5以格子状形成。黑色矩阵5由遮光性树脂膜或金属铬(chromium)膜等形成。黑色矩阵5之间形成有RGB的着色层28。着色层28与像素电极24对应配置。另外，黑色矩阵5与源极布线25和栅极布线26相对应配置。黑色矩阵5和着色层28上方形成有对置电极11。对置电极11例如由ITO等透明导电膜形成。对置电极11覆盖着黑色矩阵5和着色层2 8形成在对置基板200的几乎整个面上。此外，对置基板200并不限于彩色滤光片基板。
此外，对置电极11上方形成有取向膜9。而取向膜9形成在液晶封入区域102中。因此，在各元件区段的端部没有形成取向膜9，对置电极11显露出来。这样，对置电极11在对置基板200的端部显露出来。与TFT阵列基板100相同，取向膜9可以使用由聚酰亚胺等形成的树脂膜。此外，取向膜9在预定方向被研磨(rubbing)。此外，在对置电极11上方形成具有预定的对水接触角的疏水膜。该疏水膜的结构在后文叙述。此外，疏水膜可以在形成对置电极11之后、形成取向膜9之前形成。或者也可以在形成取向膜9之后、粘贴TFT阵列基板100和对置基板200之前形成。
此外，在取向膜9、10的研磨处理结束后，将主基板1和主基板2粘贴起来。为此，首先在主基板1或主基板2上形成密封材料。密封材料针对12个元件区段101中的每一个形成。继而，密封材料包围着液晶封入区域102以框状配置。此外，在密封材料的一部分形成有液晶注入口。继而对准主基板1和主基板2的位置，使之相向配置。这里，取向膜9和取向膜10相向配置。继而，将两个基板按压在一起，使密封材料硬化。由此，主基板1和主基板2通过密封材料粘贴起来。此外，在粘贴前形成传输电极等，使得检查用布线18和对置电极11连接。传输电极例如可以使用银膏(paste)。进而，在粘贴前也可以配置间隔物，用以保持液晶盒。
此外，沿着图1和图3所示的横向切割线104将粘贴在一起的主基板1和主基板2切割后，即形成条形基板。这里，形成3个条形基板，每个条形基板中有4个元件区段101排成1列配置。可以同时向4个元件区段101的液晶封入区域102中注入液晶。由此提高了生产率。例如，可以使用真空注入法注入液晶。注入液晶之后，在液晶注入口涂敷树脂来进行封固。由此，在由对置基板200和TFT阵列基板100及密封材料所形成的空间内封入液晶。
这样就形成了条形基板。这里所说的条形基板指的是在将主基板1和主基板2粘贴起来之后对主基板1和主基板2进行切割和分割而得到的1对基板的层叠体。在条形基板中，多个元件区段101排成一列配置。在这种条形基板状态下实施检查后，将条形基板进行切割。由此，分离出各元件区段101，分割为各个液晶面板。
这里，使用图6说明条形基板的结构。图6是表示条形基板的结构的透视图。图6表示了条形基板103的设有检查端子12～15和源极端子22的端部一侧。条形基板103具备条形状阵列基板103a和条形状对置基板103b。这里，条形状阵列基板103a配置成其端部从条形状对置基板103b露出来。在条形状阵列基板103a的露出部分上配置源极端子22和检查端子12～15。亦即，源极端子22和检查端子12～15显露出来。此外，检查端子12～15和多个源极端子22沿着条形状阵列基板103a的边缘大致排成一列配置。在条形基板103状态下的检查工序中，以图6所示的状态向检查端子12～15输入检查信号。这里可以同时对4个元件区段进行点亮检查。
这里，使用图7和图8说明上述条形基板103中的元件区段101之间的结构。图7是表示图6的X1-X2处的TFT阵列基板100一侧的结构的示意图。图8是沿着图6的X1-X2的剖面图。此外，X1-X2线(line)是沿着如图7所示的栅极布线26的线。
在条形基板103的元件区段101之间形成有如图7所示的密封材料3。多个栅极布线26以与该密封材料3交叉的方式配置。进而，在栅极布线26的端部配置栅极端子23。在密封材料3的外侧，多个栅极端子23沿着密封材料3的设置方向排成一列配置。此外，在图7中，密封材料3的下侧是元件区段101之间的区域，上侧是液晶封入区域102。因此，在条形基板103状态下，栅极端子23处于暴露在外部空气中的状态。此外，在液晶封入区域102的外侧，栅极布线26也被如图8所示的绝缘膜7覆盖着。此外，栅极端子23和栅极布线26通过设置在绝缘膜7中的接触孔连接。因此，只有栅极端子23暴露在表面上，除了栅极端子23之外的位置则有绝缘膜7显露出来。
如图8所示，条形状阵列基板103a和条形状对置基板103b通过密封材料3粘贴在一起。该密封材料3的内侧是液晶封入区域102。图8中，左侧是液晶封入区域102。在液晶封入区域102中，如上所述在条形状对置基板103b上依次形成有对置电极11和取向膜9。另外，在条形状阵列基板103a上依次层叠了栅极布线26、绝缘膜7和取向膜10。此外，绝缘膜7是例如上述栅极绝缘膜或层间绝缘膜。此外，取向膜9和取向膜10之间设有液晶4。
这里，在条形基板103状态下，在元件区段101之间，对置电极11配置在栅极端子23上。这里，将栅极端子23与对置电极11相向的区域作为端子电极对置区域106。在条形状对置基板103b上形成有疏水膜8。疏水膜8配置在端子电极对置区域106中。亦即，形成对置电极11隔着疏水膜8与栅极端子23相向的结构。该疏水膜8具有较高的对水接触角。疏水膜8可以使用例如氟系硅(silicone)树脂。具体地，可以使用东芝有机硅公司生产的用于形成防水膜的氟系硅树脂等可在市场上购买到的光敏树脂。因此，将具有疏水性、防水性的光敏树脂涂敷到主基板2上进行曝光、显影。由此能够简便地形成具有所期望的图案(pattern)的疏水膜8。
检查信号从检查端子13输入到栅极布线26。因此，与栅极布线26连接的栅极端子23具有与检查信号相对应的电位。另外，检查端子14中也输入检查信号。因此，检查信号通过检查用布线18和传输电极等也输入到对置电极11。由此，对置电极11也具有与检查信号相应的电位。这里，在检查端子14和检查端子13中输入的检查信号是不同的信号。因此，在对置电极11和栅极端子23上施加对应于检查信号的不同电压。由此对条形基板103的各元件区段101实施点亮检查。
在本实施方式中，如上所述在端子电极对置区域106中在条形状对置基板103b上形成有疏水膜8。因此，在检查工序中，即使在对置电极11和暴露到表面上的栅极端子23施加了电压，也能够防止栅极端子23发生腐蚀。由此能够防止显示缺陷的发生。亦即，即使在因清洗工序或结露等导致水滴29进入的情况下，疏水膜8也防止该水滴29侵入端子电极对置区域106。例如，元件区段101之间、即条形状阵列基板103a和条形状对置基板103b之间即使进入了水滴29，该水滴29会避开具有高接触角的疏水膜8而移动。因此，栅极端子23上不会附着水滴29。即使在对置电极11和栅极端子23之间或者栅极端子23之间出现电位差的情况下，也能够防止发生电气化学反应。由此能够防止显示缺陷的发生。由此能够防止显示品质的下降。
这里，在图9中表示接触角与毛细现象所导致的水面上升距离的关系的一个实例。由图9可知，只要疏水膜8具有90°以上的接触角，就不会因毛细现象导致水的进入。由此，能够防止因进水而发生腐蚀。此外，图9是经过了充分长的时间之后的结果，实际上只要疏水膜8和其他区域的接触角具有一定程度的差即可。例如，疏水膜8可以使用比对置电极11的接触角更大的材质。
依照此种方式，在端子电极对置区域106中条形状对置基板103b上设有疏水膜8。疏水膜8针对多个栅极端子23的整体形成。由此，即使在检查工序中施加了电压也能够防止腐蚀。由此能够防止显示品质变差。依照此种方式，在将主基板1和主基板2粘贴起来之后，即使执行了清洗工序，也能够防止水滴29的侵入。例如，可以对条形基板103进行清洗。此外，在条形基板103状态下，即使因毛细现象导致水滴29侵入两个基板之间，水滴29也会避开疏水膜8而移动。因此，水滴29不会附着到暴露在表面上的栅极端子23。能够防止水滴29侵入端子电极对置区域106。由此能够提高电气腐蚀的显示品质。另外，仅形成疏水膜8即可，因此能够简便地防止因电气化学反应导致的腐蚀。
此外，在检查工序结束后，将条形基板103进行分割，分离出元件区段101。这里，沿着图6所示的切割线105切割条形状对置基板103b。由此分离出由TFT阵列基板100和对置基板200构成的液晶面板。继而，将驱动电路或布线基板等连接到液晶面板上。进而，在液晶面板上粘贴偏振光膜(film)或相位差膜等。然后，将面状光源装置即背光源(back light)配置于液晶面板的背面一侧，由此完成液晶显示装置。
此外，在检查工序之后的切割条形基板103的切割工序中，图8所示的端子电极对置区域106的对置基板200被去除。亦即，变成栅极端子23上没有设置对置基板200的状态。由此，疏水膜8从对置基板200上断开。由此能够很容易地将驱动电路连接到栅极端子23上。
依照此种方式，根据本实施方式，在条形基板103状态下，在栅极端子23和对置电极11之间配置疏水膜8。因此，在条形基板103状态下的检查工序中，即使在栅极端子23和对置电极11之间或者栅极端子23之间生成电位差的情况下，也能够防止因电气化学反应导致的腐蚀。进而，可以进行条形基板103状态下的检查，因此能够提高成品率。另外，不再需要对置电极的构图(patterning)工序，因此能够以低成本制造出高显示品质的液晶显示装置。由此能够提高生产率。另外，即使在对置基板200中不需要对置电极的横电场方式的液晶显示装置中也可以适用本实施方式的结构。这种情况下，能够防止栅极端子23之间的电位差导致的栅极端子23的腐蚀。
此外，疏水膜8只要至少在端子电极对置区域106中形成即可。因此，疏水膜8的配置并不限于图8所示的形式。这里，使用图10和图11说明本实施方式的条形基板103的另一种结构。图10是表示X1-X2位置的条形基板103的结构的剖面图。图11是示意性地表示图10所示的结构的条形基板103的平面图。图10、图11中，与图8所示的结构相比疏水膜8的位置不同。这里，除了疏水膜8之外的结构与已经说明的结构相同，因此省略其说明。
如图10所示，疏水膜8不仅设置在端子电极对置区域106中，而且还设置到其外侧。因此，液晶封入区域102的整个外侧都形成有疏水膜8。亦即，在邻接的元件区段101形成的整体密封材料3之间形成有疏水膜8。因此，在元件区段101之间的区域没有暴露出对置电极11。亦即，在密封材料3外侧的几乎整个区域中在对置电极11上形成有疏水膜8。
这种疏水膜8也形成在与栅极布线26相向的区域中。亦即，在栅极布线26和对置电极11之间形成有疏水膜8。因此，在密封材料3的外侧，即使在覆盖着栅极布线26的绝缘膜7中生成了针孔30之类的缺陷，也能够防止水滴29引起的腐蚀。亦即，在与针孔(pinhole)30相向的部分设有疏水膜8，因此水滴29不会附着于从针孔30显露出来的栅极布线26上。由此，能够防止施加电压时所产生的电气化学反应，能够防止栅极布线26的腐蚀。此外，疏水膜8也可以不设置在整个元件区段101之间。例如，在与栅极布线26相向的区域中设置疏水膜8即可。亦即，在密封材料的外侧，在形成有栅极布线26的布线形成区域中设置疏水膜8即可。
第2实施方式
使用图12说明本实施方式中的液晶显示装置。图12是示意性地表示条形基板103的结构的平面图。图12中，与图11同样地展示了元件区段101之间的结构。在本实施方式中，疏水膜8不是设置在条形状对置基板103b，而是设置在条形状阵列基板103a上。这里，除了疏水膜8以外的结构及制造工序与第1实施方式相同，因此省略其说明。
疏水膜8设置在条形状阵列基板103a的表面上。这里，将形成有多个栅极端子23的区域作为端子形成区域107。在该端子形成区域107的附近形成有疏水膜8。此外，疏水膜8包围着该端子形成区域107而形成。因此，疏水膜8配置在栅极端子23的外侧。疏水膜8例如设置在绝缘膜7上，并显露在表面上。因此，即使水滴29侵入基板之间，水滴29也不会侵入端子形成区域107。水滴29不会附着于栅极端子23上，因此能够防止电气化学反应导致的栅极端子23的腐蚀。亦即，水滴29不会侵入至疏水膜8的内侧，因此即使在检查工序中施加电压，也能够防止栅极端子23的腐蚀。由此，即使在对条形基板103进行清洗的情况下也能够防止发生腐蚀。
这里，疏水膜8可以使用与第1实施方式相同的光敏氟系硅树脂。疏水膜8只要使用接触角比其周围部分高的材质即可。例如，疏水膜8的接触角比覆盖栅极布线26的绝缘膜7表面的接触角高。亦即，使用接触角比成为栅极绝缘膜或层间绝缘膜的氧化硅膜或氮化硅膜高的材质即可。该疏水膜8形成在绝缘膜7上。
在本实施方式中，条形状阵列基板103a上形成有疏水膜8。因此，各元件区段101被分离之后，疏水膜8残留在TFT阵列基板100上。亦即，在液晶面板状态下，疏水膜8配置在栅极端子23的外侧。疏水膜8包围着液晶面板的端子形成区域107而形成。由此能够防止因电气化学反应导致的缺陷。进而，在栅极端子23的表面上没有形成树脂等，因此能够很容易地与驱动电路进行电阻连接。此外，可以在被疏水膜8包围的栅极端子23上设置ACF等，与驱动电路连接。由此，能够很容易地安装驱动电路。
此外，疏水膜8的配置并不限于包围着端子形成区域107而形成。例如，可以形成在端子形成区域107的外侧。这里，使用图13说明改变疏水膜8的配置后的另一结构。图13是示意性地表示条形基板103的结构的平面图。在图13所示的结构中，条形状阵列基板103a上也形成有疏水膜8。但是，疏水膜8并没有包围着端子形成区域107形成。
亦即，疏水膜8形成在端子形成区域107的外侧和两侧。另外，疏水膜8延伸设置至密封材料3。亦即，利用密封材料3和疏水膜8包围着端子形成区域107。由此，即使水滴29侵入基板之间，也能够防止水滴29附着于栅极端子23上。由此能够抑制电气腐蚀导致的显示品质的下降。
这里，如果采用形成有多个栅极布线26的布线形成区域108，则该布线形成区域108被密封材料3和疏水膜8包围。由此能够防止水滴29侵入到栅极布线26上。亦即，侵入基板之间的水滴29只能在疏水膜8和密封材料3所形成的区域的外侧移动。布线形成区域108中不会有水滴29侵入。由此，如图10所示，即使在覆盖栅极布线26的绝缘膜7上存在针孔30的情况下，也能够防止栅极布线26的腐蚀。能够防止栅极布线26电阻的变化，能够抑制电气腐蚀导致的显示品质的下降。由此能够提高显示品质。
这样，在TFT阵列基板100上形成疏水膜8的情况下，将疏水膜8设置在栅极端子23附近即可。进而，将疏水膜8配置于栅极端子23的外侧，即TFT阵列基板100的端部一侧。这种情况下，栅极端子23配置在密封材料3和疏水膜8之间。由此能够防止水滴从外侧侵入。另外，通过以疏水膜8包围端子形成区域107，能够可靠地防止水滴附着于栅极端子23上。或者，也可以利用疏水膜8和密封材料3包围端子形成区域107。由此，能够可靠地防止水滴29附着于栅极端子23。这种情况下，由疏水膜8和密封材料3包围着位于密封材料3外侧的布线形成区域108。由此能够防止栅极布线26的腐蚀。
此外，在第1和第2实施方式中说明了用于防止栅极端子23的腐蚀的疏水膜8，但本发明并不限于此。例如，也可以针对源极端子22或检查端子12～15形成疏水膜8。亦即，为了从外部输入信号，可以在输入端子上设置疏水膜8。特别地，在条形基板103状态下，针对暴露到液晶封入区域102的外侧并与对置电极11相向的输入端子设置疏水膜8即可。由此，即使水滴侵入了基板之间，也能够防止检查工序中发生腐蚀。由此能够防止显示品质的下降。另外，也可以将第1实施方式和第2实施方式组合起来。亦即，也可以在条形状阵列基板103a和条形状对置基板103b两者上形成疏水膜。
另外，在第1和第2实施方式中说明的是具有TFT阵列基板的有源矩阵型液晶显示装置，但本发明并不限于此。例如，也可以是无源矩阵型液晶显示装置。另外，也可以是使用了例如电子纸张等除液晶之外的显示材料的显示装置。进而，在上述说明中，将主基板1和主基板2切割之后执行了液晶注入工序和检查工序，但并不限于此。例如，当元件区段101在主基板1和主基板2上排成一列的情况下，可以在切割主基板1和主基板2之前执行液晶注入工序和检查工序。亦即，在分割成各个元件区段101而形成液晶面板之前的阶段执行检查工序即可。

Claims (10)

1.一种面板基板，其具有：
具有多个阵列基板的第1主基板、
具有多个与上述阵列基板相向的对置基板的第2主基板、
将上述阵列基板和上述对置基板粘贴在一起的密封材料、
设置在由上述阵列基板和上述对置基板及上述密封材料所形成的空间中的显示材料、
设置在上述第1主基板上的布线、
形成在封入了上述阵列基板的上述显示材料的显示材料封入区域外侧、用于向上述布线输入信号的输入端子、
形成在上述第2主基板上、配置在上述输入端子与上述对置基板相向的对置区域中的疏水膜。
2.如权利要求1所述的面板基板，其特征在于，在上述密封材料的外侧形成有上述布线的布线形成区域中也形成有疏水膜。
3.一种显示装置，其具备：
阵列基板、
与上述阵列基板相向配置的对置基板、
将上述阵列基板和上述对置基板粘贴在一起的密封材料、
设置在由上述阵列基板和上述对置基板及上述密封材料所形成的空间中的显示材料、
设置在上述阵列基板上的布线、
形成在上述阵列基板的上述密封材料的外侧、用于向上述布线输入信号的输入端子、
形成在上述阵列基板上、比上述输入端子更靠近上述阵列基板端一侧而设置的疏水膜。
4.如权利要求3所述的显示装置，其特征在于，上述疏水膜包围着形成有上述输入端子的端子形成区域而配置。
5.如权利要求3所述的显示装置，其特征在于，由上述疏水膜和上述密封材料包围着形成有上述输入端子的端子形成区域。
6.如权利要求5所述的显示装置，其特征在于，在上述密封材料的外侧形成有上述布线的布线形成区域被上述疏水膜和上述密封材料包围。
7.一种显示装置的制造方法，其利用具有多个上述阵列基板的第1主基板和具有多个上述对置基板的第2主基板，制造出具有形成有布线及用于向上述布线输入信号的输入端子的阵列基板和对置基板的显示装置，该显示装置的制造方法具备：
在上述第1主基板上形成配置在上述输入端子附近的疏水膜的工序；
通过密封材料将上述第1主基板和上述第2主基板粘贴起来，使形成在上述第1主基板上的疏水膜与上述对置基板相向的工序；
向由上述密封材料和上述对置基板及上述阵列基板所形成的空间中封入显示材料的工序；
在上述疏水膜和上述输入端子相向的状态下，在封入了上述显示材料的显示材料封入区域的外侧向上述布线输入信号进行检查的工序；
在上述检查工序之后切割成具有1个对置基板和1个阵列基板的显示面板的工序。
8.一种显示装置的制造方法，其利用具有多个上述阵列基板的第1主基板和具有多个上述对置基板的第2主基板，制造出具有形成有布线及用于向上述布线输入信号的输入端子的阵列基板和对置基板的显示装置，该显示装置的制造方法具备：
在上述第2主基板的对置基板上形成疏水膜的工序；
通过密封材料将上述第1主基板和上述第2主基板粘贴起来，使形成在上述第2主基板上的疏水膜与上述输入端子相向的工序；
向由上述密封材料和上述对置基板及上述阵列基板所形成的空间中封入显示材料的工序；
在上述疏水膜和上述输入端子相向的状态下，在封入了上述显示材料的显示材料封入区域的外侧向上述布线输入信号进行检查的工序；
在上述检查工序之后切割成具有1个对置基板和1个阵列基板的面板的工序。
9.如权利要求7或8所述的显示装置的制造方法，其特征在于，
进一步具备将上述粘贴在一起的第1主基板和第2主基板进行切割，形成具有多个上述对置基板和上述阵列基板的条形基板的工序，
在切割为上述条形基板之后执行上述检查工序。
10.如权利要求7或8所述的显示装置的制造方法，其特征在于，利用具有疏水性的光敏树脂膜形成上述疏水膜。
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