TW200537245A - Positive photoresist and method for producing structure - Google Patents
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- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 title claims abstract description 189
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 claims abstract description 151
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 52
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims abstract description 40
- 125000001997 phenyl group Chemical class [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims abstract description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 10
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 162
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 162
- 239000002966 varnish Substances 0.000 claims description 69
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 52
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 42
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims description 40
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 27
- -1 triarylmethyl ether Chemical compound 0.000 claims description 27
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 19
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 claims description 9
- 238000012648 alternating copolymerization Methods 0.000 claims description 8
- 239000003945 anionic surfactant Substances 0.000 claims description 7
- 150000001555 benzenes Chemical class 0.000 claims description 6
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims description 6
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 claims description 6
- 150000005215 alkyl ethers Chemical class 0.000 claims description 5
- 239000004034 viscosity adjusting agent Substances 0.000 claims description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N Methanesulfonic acid Chemical compound CS(O)(=O)=O AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 150000008378 aryl ethers Chemical class 0.000 claims description 4
- SRSXLGNVWSONIS-UHFFFAOYSA-M benzenesulfonate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 SRSXLGNVWSONIS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 3
- MHDVGSVTJDSBDK-UHFFFAOYSA-N dibenzyl ether Chemical compound C=1C=CC=CC=1COCC1=CC=CC=C1 MHDVGSVTJDSBDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 claims description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 claims description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 2
- 235000021355 Stearic acid Nutrition 0.000 claims 1
- 125000002485 formyl group Chemical class [H]C(*)=O 0.000 claims 1
- OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Natural products CCCCCCCC(C)CCCCCCCCC(O)=O OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000008117 stearic acid Substances 0.000 claims 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 71
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 abstract description 7
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 abstract description 2
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 abstract 1
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 42
- 239000010408 film Substances 0.000 description 39
- LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)O LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 32
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 26
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 22
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 238000011161 development Methods 0.000 description 20
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 20
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 19
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 18
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 18
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 18
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 17
- 229940116333 ethyl lactate Drugs 0.000 description 16
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 16
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 14
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 13
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 12
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 12
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 12
- 238000004807 desolvation Methods 0.000 description 12
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N resorcinol Chemical compound OC1=CC=CC(O)=C1 GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 9
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 9
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000003377 acid catalyst Substances 0.000 description 8
- YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N catechol Chemical compound OC1=CC=CC=C1O YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000032050 esterification Effects 0.000 description 8
- 238000005886 esterification reaction Methods 0.000 description 8
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 8
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005481 NMR spectroscopy Methods 0.000 description 6
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 125000000816 ethylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 6
- RLSSMJSEOOYNOY-UHFFFAOYSA-N m-cresol Chemical compound CC1=CC=CC(O)=C1 RLSSMJSEOOYNOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- QVEIBLDXZNGPHR-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,4-dione;diazide Chemical class [N-]=[N+]=[N-].[N-]=[N+]=[N-].C1=CC=C2C(=O)C=CC(=O)C2=C1 QVEIBLDXZNGPHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- QWVGKYWNOKOFNN-UHFFFAOYSA-N o-cresol Chemical compound CC1=CC=CC=C1O QWVGKYWNOKOFNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 5
- BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M sulfonate Chemical compound [O-]S(=O)=O BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 5
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 5
- 150000003738 xylenes Chemical class 0.000 description 5
- KUMMBDBTERQYCG-UHFFFAOYSA-N 2,6-bis(hydroxymethyl)-4-methylphenol Chemical compound CC1=CC(CO)=C(O)C(CO)=C1 KUMMBDBTERQYCG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N Hydroquinone Chemical compound OC1=CC=C(O)C=C1 QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 description 4
- 238000006266 etherification reaction Methods 0.000 description 4
- NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N fluorene Chemical compound C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 4
- IWDCLRJOBJJRNH-UHFFFAOYSA-N p-cresol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1 IWDCLRJOBJJRNH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 4
- 239000000047 product Substances 0.000 description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 4
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N toluene-4-sulfonic acid Chemical compound CC1=CC=C(S(O)(=O)=O)C=C1 JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N Formaldehyde Chemical compound O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 239000002612 dispersion medium Substances 0.000 description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 3
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 description 3
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 3
- 239000012085 test solution Substances 0.000 description 3
- FYGHSUNMUKGBRK-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-trimethylbenzene Chemical compound CC1=CC=CC(C)=C1C FYGHSUNMUKGBRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KJCVRFUGPWSIIH-UHFFFAOYSA-N 1-naphthol Chemical compound C1=CC=C2C(O)=CC=CC2=C1 KJCVRFUGPWSIIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HGUFODBRKLSHSI-UHFFFAOYSA-N 2,3,7,8-tetrachloro-dibenzo-p-dioxin Chemical compound O1C2=CC(Cl)=C(Cl)C=C2OC2=C1C=C(Cl)C(Cl)=C2 HGUFODBRKLSHSI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JTXMVXSTHSMVQF-UHFFFAOYSA-N 2-acetyloxyethyl acetate Chemical compound CC(=O)OCCOC(C)=O JTXMVXSTHSMVQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N Ethylamine Chemical compound CCN QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229930192627 Naphthoquinone Natural products 0.000 description 2
- 241001674048 Phthiraptera Species 0.000 description 2
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M Propionate Chemical compound CCC([O-])=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- NBBJYMSMWIIQGU-UHFFFAOYSA-N Propionic aldehyde Chemical compound CCC=O NBBJYMSMWIIQGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KXKVLQRXCPHEJC-UHFFFAOYSA-N acetic acid trimethyl ester Natural products COC(C)=O KXKVLQRXCPHEJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 150000001540 azides Chemical class 0.000 description 2
- HUMNYLRZRPPJDN-UHFFFAOYSA-N benzaldehyde Chemical compound O=CC1=CC=CC=C1 HUMNYLRZRPPJDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N benzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1 WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N benzophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012965 benzophenone Substances 0.000 description 2
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229940075614 colloidal silicon dioxide Drugs 0.000 description 2
- 238000007334 copolymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000004922 lacquer Substances 0.000 description 2
- WSFSSNUMVMOOMR-NJFSPNSNSA-N methanone Chemical compound O=[14CH2] WSFSSNUMVMOOMR-NJFSPNSNSA-N 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 150000002791 naphthoquinones Chemical class 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000006068 polycondensation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 2
- SMQUZDBALVYZAC-UHFFFAOYSA-N salicylaldehyde Chemical compound OC1=CC=CC=C1C=O SMQUZDBALVYZAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 2
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 2
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 2
- JPVQCHVLFHXNKB-UHFFFAOYSA-N 1,2,3,4,5,6-hexamethyldisiline Chemical compound CC1=C(C)[Si](C)=[Si](C)C(C)=C1C JPVQCHVLFHXNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FRASJONUBLZVQX-UHFFFAOYSA-N 1,4-naphthoquinone Chemical class C1=CC=C2C(=O)C=CC(=O)C2=C1 FRASJONUBLZVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001644 13C nuclear magnetic resonance spectroscopy Methods 0.000 description 1
- KUFFULVDNCHOFZ-UHFFFAOYSA-N 2,4-xylenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C(C)=C1 KUFFULVDNCHOFZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HIXDQWDOVZUNNA-UHFFFAOYSA-N 2-(3,4-dimethoxyphenyl)-5-hydroxy-7-methoxychromen-4-one Chemical compound C=1C(OC)=CC(O)=C(C(C=2)=O)C=1OC=2C1=CC=C(OC)C(OC)=C1 HIXDQWDOVZUNNA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XKZQKPRCPNGNFR-UHFFFAOYSA-N 2-(3-hydroxyphenyl)phenol Chemical compound OC1=CC=CC(C=2C(=CC=CC=2)O)=C1 XKZQKPRCPNGNFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HUHXLHLWASNVDB-UHFFFAOYSA-N 2-(oxan-2-yloxy)oxane Chemical class O1CCCCC1OC1OCCCC1 HUHXLHLWASNVDB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TUXAJHDLJHMOQB-UHFFFAOYSA-N 2-diazonio-4-sulfonaphthalen-1-olate Chemical compound C1=CC=C2C(S(=O)(=O)O)=CC([N+]#N)=C([O-])C2=C1 TUXAJHDLJHMOQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQNUNNNXXWFSI-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1-(2-methylpropyl)-9H-fluorene Chemical compound CC1=C(C=2CC3=CC=CC=C3C=2C=C1)CC(C)C LFQNUNNNXXWFSI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IVNOKZUKBMNYLB-UHFFFAOYSA-N 2-naphthalen-1-ylcyclohexa-2,5-diene-1,4-dione Chemical compound O=C1C=CC(=O)C(C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)=C1 IVNOKZUKBMNYLB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YEYKMVJDLWJFOA-UHFFFAOYSA-N 2-propoxyethanol Chemical compound CCCOCCO YEYKMVJDLWJFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- REJHVSOVQBJEBF-OWOJBTEDSA-N 5-azaniumyl-2-[(e)-2-(4-azaniumyl-2-sulfonatophenyl)ethenyl]benzenesulfonate Chemical compound OS(=O)(=O)C1=CC(N)=CC=C1\C=C\C1=CC=C(N)C=C1S(O)(=O)=O REJHVSOVQBJEBF-OWOJBTEDSA-N 0.000 description 1
- 235000006667 Aleurites moluccana Nutrition 0.000 description 1
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M Bisulfite Chemical compound OS([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- GYEBEOQAUPEZCZ-UHFFFAOYSA-N C(C)(=N)N.C(C(O)C)(=O)O Chemical compound C(C)(=N)N.C(C(O)C)(=O)O GYEBEOQAUPEZCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 244000025254 Cannabis sativa Species 0.000 description 1
- 239000004971 Cross linker Substances 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004348 Glyceryl diacetate Substances 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- LOMVENUNSWAXEN-UHFFFAOYSA-N Methyl oxalate Chemical compound COC(=O)C(=O)OC LOMVENUNSWAXEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 244000061176 Nicotiana tabacum Species 0.000 description 1
- 235000002637 Nicotiana tabacum Nutrition 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 244000018633 Prunus armeniaca Species 0.000 description 1
- 235000009827 Prunus armeniaca Nutrition 0.000 description 1
- 241000220317 Rosa Species 0.000 description 1
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical class [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- DPOPAJRDYZGTIR-UHFFFAOYSA-N Tetrazine Chemical compound C1=CN=NN=N1 DPOPAJRDYZGTIR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 244000044283 Toxicodendron succedaneum Species 0.000 description 1
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DOOTYTYQINUNNV-UHFFFAOYSA-N Triethyl citrate Chemical compound CCOC(=O)CC(O)(C(=O)OCC)CC(=O)OCC DOOTYTYQINUNNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RQDKTZJLKLANDT-UHFFFAOYSA-P [SH3+].[N-]=[N+]=[N-].[N-]=[N+]=[N-].C1(C=CC(C2=CC=CC=C12)=O)=O.[SH3+] Chemical compound [SH3+].[N-]=[N+]=[N-].[N-]=[N+]=[N-].C1(C=CC(C2=CC=CC=C12)=O)=O.[SH3+] RQDKTZJLKLANDT-UHFFFAOYSA-P 0.000 description 1
- 125000004036 acetal group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001242 acetic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- TUVYSBJZBYRDHP-UHFFFAOYSA-N acetic acid;methoxymethane Chemical compound COC.CC(O)=O TUVYSBJZBYRDHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001409 amidines Chemical class 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 125000000129 anionic group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SRSXLGNVWSONIS-UHFFFAOYSA-N benzenesulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 SRSXLGNVWSONIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940092714 benzenesulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- ZTQSAGDEMFDKMZ-UHFFFAOYSA-N butyric aldehyde Natural products CCCC=O ZTQSAGDEMFDKMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930188620 butyrolactone Natural products 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N carbonic acid Chemical compound OC(O)=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 239000012459 cleaning agent Substances 0.000 description 1
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 210000003298 dental enamel Anatomy 0.000 description 1
- CSCPPACGZOOCGX-WFGJKAKNSA-N deuterated acetone Substances [2H]C([2H])([2H])C(=O)C([2H])([2H])[2H] CSCPPACGZOOCGX-WFGJKAKNSA-N 0.000 description 1
- 229910000071 diazene Inorganic materials 0.000 description 1
- FHIVAFMUCKRCQO-UHFFFAOYSA-N diazinon Chemical compound CCOP(=S)(OCC)OC1=CC(C)=NC(C(C)C)=N1 FHIVAFMUCKRCQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RXKJFZQQPQGTFL-UHFFFAOYSA-N dihydroxyacetone Chemical class OCC(=O)CO RXKJFZQQPQGTFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000539 dimer Substances 0.000 description 1
- VAYGXNSJCAHWJZ-UHFFFAOYSA-N dimethyl sulfate Chemical compound COS(=O)(=O)OC VAYGXNSJCAHWJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000003480 eluent Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 150000002220 fluorenes Chemical class 0.000 description 1
- 125000003983 fluorenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12)* 0.000 description 1
- 235000013305 food Nutrition 0.000 description 1
- 235000019443 glyceryl diacetate Nutrition 0.000 description 1
- 239000004519 grease Substances 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- XLSMFKSTNGKWQX-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetone Chemical compound CC(=O)CO XLSMFKSTNGKWQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002503 iridium Chemical class 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- IVSZLXZYQVIEFR-UHFFFAOYSA-N m-xylene Chemical class CC1=CC=CC(C)=C1 IVSZLXZYQVIEFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002609 medium Substances 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 230000000116 mitigating effect Effects 0.000 description 1
- CQDGTJPVBWZJAZ-UHFFFAOYSA-N monoethyl carbonate Chemical compound CCOC(O)=O CQDGTJPVBWZJAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OVRPUVGBRNDNAS-VIFPVBQESA-N n-[(1s)-1-(2-chloro-6-fluorophenyl)ethyl]-5-cyano-1-methylpyrrole-2-carboxamide Chemical compound N([C@@H](C)C=1C(=CC=CC=1F)Cl)C(=O)C1=CC=C(C#N)N1C OVRPUVGBRNDNAS-VIFPVBQESA-N 0.000 description 1
- GNWCSWUWMHQEMD-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,2-dione diazide Chemical compound [N-]=[N+]=[N-].[N-]=[N+]=[N-].C1=CC=C2C(=O)C(=O)C=CC2=C1 GNWCSWUWMHQEMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- NWVVVBRKAWDGAB-UHFFFAOYSA-N p-methoxyphenol Chemical compound COC1=CC=C(O)C=C1 NWVVVBRKAWDGAB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QNGNSVIICDLXHT-UHFFFAOYSA-N para-ethylbenzaldehyde Natural products CCC1=CC=C(C=O)C=C1 QNGNSVIICDLXHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-O phosphonium Chemical compound [PH4+] XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 239000003504 photosensitizing agent Substances 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N propylene carbonate Chemical compound CC1COC(=O)O1 RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003254 radicals Chemical group 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 1
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 238000005496 tempering Methods 0.000 description 1
- 125000004853 tetrahydropyridinyl group Chemical class N1(CCCC=C1)* 0.000 description 1
- 229940098465 tincture Drugs 0.000 description 1
- 239000001069 triethyl citrate Substances 0.000 description 1
- VMYFZRTXGLUXMZ-UHFFFAOYSA-N triethyl citrate Natural products CCOC(=O)C(O)(C(=O)OCC)C(=O)OCC VMYFZRTXGLUXMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000013769 triethyl citrate Nutrition 0.000 description 1
- 238000001291 vacuum drying Methods 0.000 description 1
- MWOOGOJBHIARFG-UHFFFAOYSA-N vanillin Chemical compound COC1=CC(C=O)=CC=C1O MWOOGOJBHIARFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FGQOOHJZONJGDT-UHFFFAOYSA-N vanillin Natural products COC1=CC(O)=CC(C=O)=C1 FGQOOHJZONJGDT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000012141 vanillin Nutrition 0.000 description 1
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Description
200537245 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種使用於例如製造半導體或LCD等之正 型光阻劑,更詳言之,是關於一種包含酚醛清漆樹脂之正 型光阻劑以及使用該正型光阻劑製造構造體之方法。 【先前技術】 "先則’製造半導體或LCD時,較多採用使用有光阻劑之 光微影法。但是,若使用臭氧水剥離光阻劑,則可將剝離 製程變得單純化’並且可減輕對於環境所造成之負擔。 為藉由臭氧水從而可易於剝離光阻冑,則要求使用於光 必須具有親水性。但是’即使光阻劑用樹脂具 有親水性,於顯影步驟中膨脹之情形時,解析度亦會降低。 因此,可考慮較好的是包含一種官能基的樹脂,該官能基 雖然初期狀態下未具有親水性,但藉由實施任—處理後具 有親水性。 旦疋’先前並未制考慮可㈣臭氧水得以剝離之光阻 劑用樹脂。 另方面,雖然目的並非在於藉由臭氧水實行剝離,但 策所周知有以其他官能基封端光阻劑㈣脂之親水性基 例如,T述專利文獻1所揭示之正型化學放大系感光性 =二揭示Γ述構造:於㈣清漆樹脂中,以縮搭基 ,知、。口至本銥上之羥基。但是,藉由縮醛基等所實施 其無法藉由臭氧水之處理得以脫落。故而,專利 不之㈣清漆樹脂,其並非適合於藉由臭氧水所實 97121.doc 200537245 施之剝離用途。即,專利文獻丨揭示之酚醛清漆樹脂中,首 先必須藉由光線照射生成酸且藉由所生成之酸脫落封端, 從而表現親水性。又,專利文獻丨揭示之酚醛清漆樹脂,其 並非包含結合有兩個以上經基之苯環者。 包含分子鏈中具有兩個以上羥基之苯核的酚醛清漆樹 脂,其範例極為少見。其係因為很難藉由聚合獲得如此之 ㈣清漆樹脂。又’使用如此之㈣清漆樹脂作為正型光 阻劑之情形時,亦存有因親水性過高而無法令人滿意的問 題〇 藉此’通常使用於正型光_之㈣清漆樹脂,如專利 文獻1之揭示所示,其係❹包含—魅基之苯m或 二甲苯盼等原料所獲得之_清漆樹脂。因如此之㈣清 漆樹脂較難溶解於弱鹼性水中’故而顯影時必須使用例如 2=重量%氫氧化四甲錄水溶液之強鹼性水。因此,將會造 成藥劑及廢液處理成本較高。
又,如上所述,由於藉由臭氧水之分解性較不充分,因 此必須使时機溶劑、酸或驗等對於環境不好的洗淨劑。 進而’先前之正型光阻劑中,雖㈣烈要求有顯影後難 以生成作為光阻劑溶解殘物的料,但確保其他性能並且 滿足該要求之情形較為困難。 專利文獻1 :曰本專利特開2〇〇 j 【發明内容】 本發明之目的在於提供一種 裡止1光阻劑以及使用該正 光阻劑構成有光阻圖案的構造體 、表k方法,上述正型光 97121.doc 200537245 可以弱驗性水溶 阻劑係耐熱性、感光度以及解析度優良 液實施顯影,進而對於臭氧 主丁仏兴乳求之分解性優良並且顯影時較 難生成作為光阻劑溶解殘物的浮渣。 本^明有關之-種正型光阻劑,其特徵在於:包含有盼 醛清漆樹脂以及/或酚醛清漆樹脂之衍生物作為構成成 刀,上述酚醛清漆樹脂包含具有兩個以上羥基之苯核且重 量平均分子量在1000〜20000之範圍。
本發明有關之一種正型光阻劑中所使用之酚醛清漆樹脂 的包含兩個以上羥基之苯核之構造式,較好是以下述式(1) 〜(6)表示之任何一種構造。 [化1]
[化2]
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• · ·⑴
97121.doc 200537245 [化3]
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(3) [化4]
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• (4) [化5]
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• * ·(5) [化6]
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97121.doc * (6) 200537245 再者於上述式⑴〜⑹中,R係氫或碳數為6以下之低級 烷基。 本發明之正型光阻劑之某敎方面,其中㈣清漆樹脂 係將至少兩種以上單體交替共聚所獲得之酚醛清漆樹脂。 本發明有關之正型光阻劑之其他特定方面,其中紛搭清 漆樹脂係將至少一種以下述式(7)〜(16)表示之單體,與至 少一種以下述式(17)〜(26)表示之單體交替共聚所獲得之 酚醛清漆樹脂,並且使用包含兩個以上羥基且至少一種以 9 下述式(7)、(8)、(Π)以及(18)表示之單體作為交替共聚成 分。 再者,於下述式(7)〜(26)中’ R係氫或碳數為6以下之低 級烧基。 [化7]
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-10- 97121.doc 200537245 [化9] [化 10]
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[化 12]
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* -(13) [化 14]
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••(2 3) [化 24]
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…(2 4) 97121.doc -14- 200537245 [化 25]
(253
[化 26]
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本發明之正型光阻劑之進而其他特定方面,其中對於以 上述式(7)〜(16)表示之單體與以上述式(17)〜(26)表示之 單體合計100重量份,使用合計至少3〇重量份以上的包含兩 個以上羥基且以上述式(7)、(8)、(17)以及(18)表示之單體。 本發明之正型光阻劑之某特定方面,其中酚醛清漆樹脂
之衍生物中,酚醛清漆樹脂之羥基之一部分係經取代基取 代者。 本發明之正型光阻劑之進而某特定方面,其中羥基之一 部分係經酯化及/或驗化者。 本發明之正型光阻劑之其他特定方面,其中羥基之一部 分係使用選自由烷基醚、芳基醚、苄基醚、三芳基甲基醚、 二烷基甲矽烷基醚以及四氫吡喃基醚所組成之群的至少一 97121.doc -15- 200537245 種化合物所取代。 本發明之正型光阻劑之進而其他特定方面,其中羥基之 一部分係使用選自由乙酸酯、苯甲酸酯、甲烷磺酸酯以及 苯基磺酸酯所組成之群的至少一種化合物所取代。 本毛明之正型光阻劑之某特定方面,其中酚醛清漆樹脂 及/或酚醛清漆樹脂之衍生物中混合有感光性化合物。 本lx月之正型光阻劑之進而某特定方面,其中對於紛酸 φ 清漆樹脂與酚醛清漆樹脂之衍生物合計100重量份,混合有 5〜50重量份之上述感光性化合物。 本發明之正型光阻劑之某特定方面,其中酚醛清漆樹脂 之衍生物係對於酚醛清漆樹脂,使感光性化合物反應所獲 得之感光性酚醛清漆樹脂。 本發明之正型光阻劑中,較好是上述感光性酚醛清漆樹 脂係對於上述酚醛清漆樹脂1〇〇重量份,反應5〜5〇重量份 之感光性化合物所獲得之感光性酚醛清漆樹脂。 • 本發明之正型光阻劑之某特定方面,其中包含有盼酸清 漆樹脂與感光性酚醛清漆樹脂作為構成成分,感光性酚醛 清漆樹脂係對於酚醛清漆樹脂1〇〇重量份,反應1〇〜6〇重量 伤之感光〖生化5物所獲得之感光性盼盤清漆樹脂,且對於 酚醛清漆樹脂與感光性酚醛清漆樹脂之合計100重量份,相 當於感光性化合物之量在5〜50重量份之範圍。 本毛月之正型光阻劑之進而某特定方面,其中感光性化 合物係1,2-萘醌二疊氮化磺醯鹵化物。 本毛月之正型光阻劑中,其中較好是對於酚醛清漆樹脂 97i21.doc -16- 200537245 與酚醛清漆樹脂之衍生物的合計1〇〇重量份,以ι〜2〇重量 份之範圍添加陰離子界面活性劑。 本發明之正型光_巾,其巾較好是對於上述祕清漆 樹脂與酚醛清漆樹脂之衍生物的合計1〇〇重量份,以5〇〜 300重量份之比例添加膠質二氧化矽。 又,第-發明之正型光阻劑中,其中對於上述㈣清漆
樹脂與㈣清漆樹脂之衍生物的合計⑽重量份,添加_ 〜700重量份之黏度調整劑。 本發明之—種構造體之製造方法,係藉由光阻圖案形成 有電路之構造體之製造方法,其特徵在於包含下述步驟·· 使用根據本發明所構成之正型光阻劑而於基板表面形成光 阻^步驟’使光阻臈#光從而實施顯影之步驟,使用所 顯影之光_㈣成電路之步驟以及去除光阻膜之步驟。 本發明之構造體之製造方法之其他特定方面,其中使光 阻膜曝光從而實施顯影之步驟中,使用驗性物質含有率為 〇.3重量%以下之驗性水溶液料㈣液實施_。 本發明之構造體之製造方法 其中較好是於去除光阻膜 之步驟中,使用臭氧水去除光阻膜。 本發明之正型光阻劑中, 八^ 中其中包含酚醛清漆樹脂作為成 ㈣清漆樹脂之重量平均分子量在删〜2_0範 含有結合有兩個以上經基之笨核。即,由於該紛 私π漆秘脂包含結合有兩個 " 场基之苯核,因此容易藉 氧化。故而’可藉由臭氧水之處理,從而易於剝離 正型光阻劑。 刺離 97121.doc -17- 200537245 即’為了藉由臭氧水促進酚醛清漆樹脂之分解,必須具 有以臭氧易於氧化之苯酚環之構造。一般,可認為笨紛環 之氧化存有下述階段:首先作為第一階段,於苯酚環中附 加羥基,從而羥基數成為兩個。進而,可認為若於第二階 段中進而藉由臭氧得以氧化,則生成兩個羧基並且苯酚環 開環。若考慮到如此之苯酚環之氧化過程,則自最初包含 具有兩個以上羥基之苯環的酚醛清漆樹脂中,因可省略上 述第一階段,故而認為可快速實行藉由臭氧之氧化。 故而,於本發明之臭氧分解性酚醛清漆樹脂中,如上所 述可藉由臭氧水之處理而易於剝離,故而可將剝離步驟單 純化’並且可減輕環境負擔。 另一方面,若酚醛清漆樹脂中結合至苯環之羥基數增 加,則可提高親水性。例如,苯齡較難溶解至中性水中, 但增加有一個羥基之兒茶酚,其親水性非常高從而易於溶 解於水&而,具有於苯環中結合有兩個以上經基之構造 的如此之㈣清漆樹脂,其易於水中膨脹。故而,由於本 ^明之正型光阻劑容易於水中膨脹,因此可使用弱驗性水 實施顯影。藉此,根據本發明可提供一種正型光阻劑,其 2可使用臭κ剝離光阻劑,進而可使用弱驗性水實施顯 衫’故而可貫現顯影液之成本下降以及廢液處理之簡便化 者0 不 又,親水性較高之本發明之正型光阻财,顯影時幾乎 會生成作為光阻劑溶解殘物的浮渣。 本發明之正型光阻劑中 其中結合有兩個以上羥基之苯 97121.doc •18- 200537245 核 之構造為上述式(1)〜(6)之棒五/ 士 (㈧之If形時,根據本發明可容易地 提供一種本發明之正型光阻劑,苴 係了藉由臭氣水加以分 解,進而藉由弱鹼性水實施顯影者。 本發明之正型光阻劑中,其中㈣清漆樹脂係將至少兩 種以上單體交替共聚所獲得之紛駿清漆樹脂之情形時,可 容易地提供-種正型光_,其係可容易地調整㈣清漆 樹脂之親水性·疏水性,且對於水具有適當膨脹力者。
酚醛清漆樹脂係將至少一種以上述式(乃〜6)表示之單 體與至少-種以上述式(17)〜(26)表示之單體交替共聚所 獲得之酚醛清漆樹脂,並且使用有包含兩個以上羥基且以 上述式⑺、(8)、(17)以及(18)表示之至少_種單體作為上 述父替共聚成分之情形時,可更加容易地提供一種對於水 具有適當膨脹力之正型光阻劑。 進而,若使用以上述式(17)〜(2 6)表示之二經甲基體,則 即使使用有反應性不同之酚類之情形時,亦可將各種單體 均專地包含於樹脂内。又,因可於分子鏈中等間隔地並列 有包含兩個以上經基之苯核,故而可高速且均勻、穩定地 實行臭氧水剝離。 對於以上述式(7)〜(16)表示之單體與以上述式(I?)〜(26) 表示之單體合計1〇〇重量份,可使用合計至少重量份以上 之包含兩個以上羥基且以上述式(7)、(8)、(17)以及(18)表 示之單體的正型光阻劑,其由於較多存有包含結合有兩個 以上羥基之苯環構造的骨架部分,因此可藉由臭氧水更加 易於氧化。故而,藉由臭氧水之處理,可更加容易地剝離 -19- 9712l.doc 200537245 正型光阻劑。 又’上述紛盤清漆樹脂之經基之一部分藉由封端處理而 由取代基得以取代的紛酸清漆樹脂之衍生物,其可藉由臭 氧水易於氧化。故而,藉由臭氧水之處理,可容易地剝離 正型光阻劑。
紛駿清漆樹脂之羥基之一部分經酯化及/或醚化的酚醛 清漆樹脂之衍生物,其具有親油性。藉此,成為對於水具 有適當膨脹力之正型光阻劑。 藉由醚化所實施之封端之情形時,若使用選自由烷基 醚、芳基醚、爷基醚、三芳基甲基醚、三烷基甲矽烷基醚 以及四氫吡喃基醚所組成之群的至少一種化合物而取代羥 基之一部分,則正型光阻劑耐熱性優良。 藉由酯化所實施之封端之情形時,若使用選自由乙 酉曰笨甲酸酯、甲烷磺酸酯或苯基磺酸酯所組成之群的 少-種化合物而取代羥基之一料,則正型光阻劑較難 命解於驗性溶液中’從而鹼性顯影時可具有充分之穩定怕 再者由於具有於笨環上結合有兩個以上經基之構造 紛酸清漆樹脂或以上述取代基得以取代的㈣清漆樹脂 生物容易於水中膨脹,因此使用該㈣清漆樹脂或㈣ 漆樹脂之衍生“構成綠狀情料,亦可認為存有 可能性。但是,例如藉由使作為-般的感光' 奈藏二疊氮化物等混合之處理,可抑制上述_ 清漆樹脂之對於水夕_姐k M , t 之恥脹性,糟此可抑制解析度劣 可實施藉由弱鹼性大张杏/ θ 1 尺所Μ仃之顯影且抑制解析度之劣化。 97121.doc -20- 200537245 又’於本發明中,對於酚醛清漆樹脂與酚醛清漆樹脂之 何生物的合計1〇〇重量份,混合有5〜5〇重量份之感光性化 合物之情形時,可賦予更加充分之感光性。 紛駿清漆樹脂之衍生物係對於酚醛清漆樹脂使感光性化 合物反應所獲得之感光性酚醛清漆樹脂之情形時,可賦予 充分之感光性且提高交聯效率。藉此,包含感光性酚醛清 漆樹脂作為構成成分之正型光阻劑,其可藉由臭氧水易於 氧化。故而,藉由臭氧水之處理,可容易地剝離正型光阻 劑。 又,於本發明中,上述感光性酚醛清漆樹脂係對於酚醛 清漆樹脂100重量份,反應5〜50重量份之感光性化合物所 獲得之感光性酚醛清漆樹脂之情形時,可賦予充分之感光 性且進一步提高交聯效率。 包含酚醛清漆樹脂與感光性酚醛清漆樹脂作為構成成 分,感光性酚醛清漆樹脂係對於酚醛清漆樹脂100重量份, 反應10〜60重里伤之感光性化合物所獲得之感光性酚醛清 漆樹脂,將酚醛清漆樹脂與感光性酚醛清漆樹脂之合計設 為100重量份時,相當於感光性化合物之量在5〜5〇重量份 範圍之情形時,可同樣地賦予充分之感光性且提高交聯效 率〇 若感光性化合物係1,2-萘醌二疊氮化磺醯鹵化物,則可賦 予充分之感光性,並且可提高交聯效率。 對於上述酚醛清漆樹脂與酚醛清漆樹脂之衍生物的合計 1 〇〇重里伤以1〜20重里份之範圍添加有陰離子界面活性 97121.doc -21 · 200537245 劑之情形時’可使用臭氧水而易於剝離光阻劑。 於本發明之正型光阻劑中,1中 J T /、Τ對於上述酚醛清漆樹脂 與酚醛清漆樹脂之衍生物的合計1〇〇重量份,以5〇〜3〇〇重 量份之比例添加有膠質二氧化矽之情形時,可有效地提高 光阻劑之耐乾式蝕刻性以及耐熱變形性。進而,可使用臭 氧水容易地剝離,可高精度地藉由光阻圖案形成電路等。 對於酚醛清漆樹脂與酚醛清漆樹脂之衍生物的合計1〇〇 重1份,包含100〜700重量份之黏度調整劑之情形時,可 形成更加均勻之光阻樹脂組合物膜。 本發明之一種藉由光阻圖案形成有電路的構造體之製造 方法中,貫行有下述各步驟··使用根據本發明所構成之正 型光阻劑,形成光阻膜、顯影、使用光阻圖案形成電路以 及去除光阻膜。故而,可使用便宜的弱鹼性水實施顯影, 進而使用臭氧水即可容易地剝離。故而,製造藉由光阻圖 案形成有電路之構造體時,可有效地減少成本以及環境負 擔。 ' 特別是’使用鹼性物質含有率為〇·3重量%以下之鹼性水 溶液作為顯影液之情形時,將會進一步降低成本。 【實施方式】 以下’藉由說明本發明之實施形態以及實施例,進一步 闡明本發明。 本發明之正型光阻劑,其特徵在於:包含有上述特定酚 駿清漆樹脂及/或酚醛清漆樹脂之衍生物。 上述紛酸清漆樹脂之重量平均分子量在1000〜20000之 9712l.doc -22- 200537245 範圍其特徵在於含有結合有兩個以上經基的苯核。 上述盼搭清漆樹脂係可藉由τ述方式獲得:將包含兩個 以上經基之_、㈣、酸_混合加熱,從而實施加成 縮聚。 至於包含兩個以上羥基的如此之酚類,可使用鄰苯二 盼、間苯二盼、對苯二盼、連苯三紛或均苯三酴等。 又,獲得本發明之㈣清漆樹料,除包含兩個以上經 基之紛類以外,亦可併用其他盼類。至於所併用之其他盼 類,可列舉間甲酴、對甲紛、二甲苯紛、苯酴以及三甲基 苯紛等。至於上述二甲苯盼’可使用2,3•二甲苯盼、2心二 甲苯:乂:5-二甲苯盼、2,6_二甲苯紛、3,4·二甲苯齡或3,5_ 甲苯齡等述所併用之苯驗亦可僅使用—種,亦可使 用兩種以上。 至於用於獲;^上述紛盤清漆樹脂之酸化合物,可列舉甲 醛、苯甲醛、香蘭醛、丙醛或水揚醛等。
未將上述駿化合物 羥甲基體。至於如 又,獲得本發明之酚醛清漆樹脂時, 使用於原料中,亦可取而代之使用酚類 此之酚類羥甲基體之例,可列舉2,6-羥基甲基_4-甲基苯 紛、基·2·甲基苯料。即使使用反應性不同 之盼類之情形時’亦可將各種單體均勾地包含於樹脂令。 又’亦於分子鏈中使具有兩個以域基之苯核等間隔地並 列合成’若使用如此之樹脂’則可高速且均勻、穩定地實 行臭氧水剝離。 、 將上述 本發明之酚醛清漆樹脂係可藉由下述方式獲得 97121.doc -23· 200537245 原料與酸觸媒混合、加熱從而實行加成縮聚。至於上述酸 觸媒,可列舉草酸、鹽酸或對甲苯磺酸等。 以上述方式所獲得之本發明之㈣清漆樹脂中,由於作 為原料之盼類包含結合有兩個以上經基的苯環,因此所獲 得之酚醛清漆樹脂亦又具有除上述苯酚以外之兩個以上羥 基結合至苯環之構造。 上述酚醛清漆樹脂之重量平均分子量必須在1〇〇〇以上且 • 2_0以下之範圍。若未滿卿則存有感光度過高且無法形 成影像之情形,若超過20000則圖案形狀劣化。 較好是,以上述方式所獲得之酚醛清漆樹脂具有上述式 ⑴〜⑹之構造。即’包含兩個以上經基之苯核具有上述式 (1)〜(6)之構造。 本發明中’包含藉由與上述臭氧水之接觸可變換為親水 性基之官能基的酚醛清漆樹脂,其重量平均分子量必須在 1000〜20000之範圍,較好是3〇〇〇〜15〇〇〇之範圍,更好是 % 5000〜10000之範圍。若重量平均分子量未滿丨〇〇〇,則存有 作成光阻劑樹脂組合物時感光度過高而無法形成影像之情 形,若超過20000,則存有圖案形狀劣化之可能性。 本發明之光阻㈣樹脂組合物,其特徵在於包含根據本 發明所構成之臭氧分解性酚醛清漆樹脂。因臭氧分解性酚 醛清漆樹脂包含結合有兩個以上經基之苯核,故而含有上 j臭氧分解性酚醛清漆樹脂之光阻劑用樹脂組合物,其可 藉由與臭氧水之接觸從而易於剝離。 本發明之正型光阻劑中,更好是紛酸清漆樹脂係將至少 97121.doc •24- 200537245 兩種以上單體交替共聚所獲得。 至於父替共聚從而獲得酚盤清漆樹脂之方法,例如混合 兩種單體,添加酸觸媒(草酸、對甲苯磺酸等)及根據需要添 加溶劑後加熱攪拌。其次,添加溶劑獲得溶液,將該溶液 投入至激烈攪拌之水中,從而去除多餘單體。去除多餘單 體後,將殘留之沉澱加熱、真空乾燥,藉此可獲得酚醛清 漆樹脂。 至於使用於交替共聚之單體,例如可較好地使用以上述 式(7)〜(26)表示之單體。再者,實施交替共聚時,添加有 至少一種以上之於式(7)〜(26)中包含兩個以上羥基且以式 (7) 、(8)、(17)以及(18)表示之單體。 又,藉由將至少一種之上述式(7)〜(16)表示之單體與至 少一種之上述式(17)〜(26)表示之單體實施交替共聚,從而 可調整親水性·疏水性,並且可獲得對於水具有適當膨脹力 之酚醛清漆樹脂。 實施交替共聚時,對於上述式(7)〜(16)表示之單體與上 述式(17)〜(26)表示之單體的合計100重量份,較好是添加 有合計至少30重量份以上的包含兩個以上羥基且以式(7)、 (8) 、(17)以及(18)表示之單體。若包含兩個以上羥基之單體 之合計未滿30重量份,則由於酚醛清漆樹脂之具有結合兩 個以上羥基之苯環構造的骨架部分較少,因此無法充分獲 得藉由臭、氧水所達成之氧化效果。再者,添加有較多包含 兩個以上Μ基之單體之情形時,亦可對於該單體組合疏水 性較高之單體實施交替共聚。 97121.doc -25- 200537245 又本發明之正型光阻劑中,較好是臭氧分解性齡酸清 漆樹脂之㈣之-部分可藉由封端處理而由取代基得以取 代。由取代基所取代之㈣清漆樹脂之衍生物具有親油 性。所謂羥基之一部分係指結合至苯環的兩個以上羥基之 邛刀σ亥凊形枯’封端係藉由將羥基醚化或酯化之處理 加:實施。醚化之情形時,以烷基醚、芳基醚、节基醚、 三芳基m三烧基甲㈣基⑽以及四氫㈣基鱗等之 形怨實仃封端。其中,若使用烷基醚,則取代部分之構造 邊為取小型,從而較好是考慮光阻劑之耐熱性等。藉由酯 化實施封端之情形時,彳以乙酸酯、苯甲酸_、甲烧續酸 酯或苯基磺酸酯之形態,實施封端處理。因酯化之情形時, 與醚化之情形相比,更易於使用鹼性分解,故而考慮到鹼 性顯影時之穩定性,則較好是藉由醚化實施封端。 再者,重量平均分子量在1000〜20000範圍之臭氧分解性 酚醛清漆樹脂之羥基一部分由取代基所取代的酚醛清漆樹 脂之衍生物’其重量平均分子量大致屬於相同的1〇〇〇〜 20000範圍。 本發明之正型光阻劑中,為構成光阻劑而可適宜添加有 感光性化合物。至於如此之感光性化合物,可較好地使用 萘酿疊氮化物類、萘醌二疊氮化物類以及其酯等。 具體的是,可列舉萘醌二疊氮基磺酸氣、丨,^ 萘酿二疊氮基-5-磺酸氯等之萘醌二疊氮化磺醯鹵化物 類’可獲得之萘醌疊氮化物類、萘醌二疊氮化物類,以及 該等與苯盼、P-甲氧苯酚、對苯二酚、α-萘酚、2,6_二羥基 97121.doc -26- 200537245 萘、雙酚A或2,3,4-三羥某-贫田Λ ,,, H 一本甲酮、2,4,4,_三羥基二苯甲 酮、2,4,6-三羥基二苯曱酮、2 一 J 2,3,4,4_四羥基二苯甲酮以及 2,2,,4,4’ -四經基二苯甲顚]箄之取〜 个τ』寻之水羥基一本甲酮類等之酯, 例如1,2-奈S昆一豐氮基-5-續酸笨基酯等。
進而,於酚醛清漆樹脂及/或酚醛清漆樹脂之衍生物中, 藉由混合有上述感光性化合物例如萘醌_2二疊氮基_4· 磺酸氣或1,2-萘醌-2-二疊氮化基磺酸氣等之丨,2•萘醌二 疊氮化磺醯_化物之處理,可更有效地提高感光性。 對於酚醛清漆樹脂與酚醛清漆樹脂之衍生物的合 〇 重量份’較好是將所混合之上述感光性化合物設為5〇重量 份以下。若超過50重量份,則存有降低感光度之可能性。 更好是設為25重量份以下。又,較好是至少設為5重量份。 若未滿5重量份,則不能賦予充分之感光性,從而存有降低 殘膜率之可能性。更好是設為12.5重量份以上。 本發明之正型光阻劑,較好是包含有感光性酚醛清漆樹 脂作為構成成分,該感光性酚醛清漆樹脂係對於上述酚醛 清漆樹脂使感光性化合物反應所獲得者。 感光性酚醛清漆樹脂係於上述酚醛清漆樹脂中適當添加 有上述感光性化合物實行反應。 為提南交聯效率,可藉由於酚醛清漆樹脂中使上述感光 性化合物’例如1,2-萘醌-2-二疊氮基-4-磺酸氣或1,2-萘醌 -2-二疊氮基-5-磺酸氣等之ι,2_萘醌二疊氮化磺醯鹵化物經 酉旨化之處理’更有效地提高交聯效率。至於酯化之量,較 好是對於酚醛清漆樹脂100重量份,將藉由上述感光性化合 97121.doc -27- 200537245 物所實施之酯化量設為5 0重量份以下。若超過5 〇重量份, 則存有降低感光度之可能性。更好是設為25重量份以下。 又’較好是將上述酯化之比例至少設為5重量份。若未滿5 重量份,則不能充分實施交聯,從而存有降低殘膜率之可 能性。更好是設為12.5重量份以上。
如上所述,本發明之正型光阻劑亦可包含感光性酚醛清 漆樹脂,該感光性酚醛清漆樹脂係於酚醛清漆樹脂中以上 述特定比例酯化上述感光性化合物而獲得者。該情形時, 正型光阻劑亦可僅包含感光性酚醛清漆樹脂,亦可包含感 光性紛路清漆樹脂與感光性紛盤清漆樹脂以外的紛路清漆 樹脂。 僅包含感光性紛酸清漆樹脂之情形時,對於感光性盼酸 清漆樹脂100重量份,亦可反應5〜50重量份之上述感光性 化合物。若感光性化合物超過5 0重量份,則存有降低感光 度之可能性,更好是設為25重量份以下。若未滿5重量份, 則不能充分實施交聯,從而存有降低殘膜率之可能性。 本發明之正型光阻劑包含有酚醛清漆樹脂與感光性酚醛 清漆樹脂之情形時,將酚醛清漆樹脂與感光性酚醛清漆樹 脂之合計設為1〇〇重量份之情形時,亦可將上述感光性化合 物之相當量設為5〜50重量份範圍。若感光性化合物超過5〇 重量份,則存有降低感光度之可能性,更好是設為25重量 份以下。若未滿5重量份,則不能充分實施交聯,從而存有 降低殘膜率之可能性。該情形時,對於為了獲得感光性酚 醛清漆樹脂從而於酚醛清漆樹脂中反應之感光性化合物量 97121.doc -28- 200537245 未加以特別限定,但感光性化合物量未滿1 〇重量份之情形 時’因會增加混合至非感光性酚醛清漆樹脂中之感光性酚 酸清漆樹脂量,故而將會惡化使用效率,若超過6〇重量份, 則因於感光性盼駿清漆樹脂與非感光性盼駿清漆樹脂間容 易產生父聯性差異’從而存有降低解析度之可能性,故而 對於酚醛清漆樹脂100重量份,較好是以1〇〜6〇重量份之比 例使感光性化合物反應。 再者,對於重量平均分子量在1000〜20000範圍之酚醛清 漆树知,與感光性化合物反應所獲得之感光性酚醛清漆樹 脂之重量平均分子量,較好是大致在相同之1000〜20000 範圍。 本發明之正型光阻劑中,較好是添加界面活性劑。添加 界面活性劑之情形時,藉由界面活性劑之微胞化效果,使 用臭氧水剝離光阻劑時可容易地剝離。藉此,至於界面活 性劑,較好是使用微胞化效果優良之陰離子界面活性劑。 至於陰離子界面活性劑,可較好地使用烷基苯磺酸、烷 基苯磺酸鈉等。陰離子界面活性劑之添加量,較好是對於 上述酚醛清漆樹脂與酚醛清漆樹脂之衍生物的合計1㈧重 量份,設為1〜20重量份之範圍。若未滿1重量份,則無法 充分獲得提高上述剝離性之效果,若超過2G重量份,則存 有與光阻劑基板等之密著性降低的可能性。 再者,雖然非離子界面活性劑之上述微胞化效果多少低 於陰離子界面活性劑,但亦可代替陰離子界面活性劑或亦 可添加使用。 97121.doc -29- 200537245 本發明之正型井!I日添彳I ^ — d中,較好是添加有膠質二氧化矽。 猎由添加有膠質二羞各 、虱化矽之處理,可提高光阻劑之耐乾4 蝕刻性,進而亦可提高耐熱變形性。添加膠質二氧化/ 情形時,其添加量對於㈣清漆樹脂與 之 生物的合計100重蕃A , 柯月曰之Μ 重里伤,較好是設為50〜300重量份之^ 圍。若未滿50重晉价,w ^ $ζ 、 ▲ 、彳”、、法充分獲得改善耐乾式蝕刻性
中㈣_ 效果’若料剔重量份,料有光阻劑 夕貝-氧化以聚從而生成不期望粒子的可能性。 至於上述膠質二氧化石夕,較好是以粒子徑30 nm以下、、、曲 ㈣〜辦量%膠質二氧切分散液之形態添加。該^ 日守,可較好地使用極性溶劑作為分散媒體,至於 可列舉甲醇、里石辟 ’、* 、乙二醇、乙二醇單丙基醚、二甲 土乙醯胺、甲基乙基嗣以及甲基異丁基嗣等。 =質二氧切之粒子徑超過3Qnm,料光阻劑表面容 s凹凸。又’若濃度未滿1G重量%,則所添加之分散 媒體量過多故而動:A I 和 r 超過4 〇重量%,則易於凝聚 攸而成為產生微粒之原因。 =於上述分散媒體’更好是與祕清漆樹脂之混合性良 醇戍甲含如此之分散媒體的極性溶劑’較好是異丙 醇或甲基乙基酮等。 =發明之正型盼酸清漆樹脂光阻劑中,通常光阻劑用挺 3物係溶解至有機溶劍中去 Α,…針 有機溶劑係基板塗敷時作 調正劑發揮作用’該情形時’黏度調整劑之添加比 對於㈣清漆樹脂與㈣清漆樹脂之衍生物的合計100 97121.doc -30- 200537245 重ΐ份’可設為100〜700重量份。至於具體例,可適宜使 用一種或兩種以上有機溶劑,其包含甲苯、二甲苯等之芳 香族煙類’乙酸甲基溶纖劑、乙酸乙基溶纖劑、乙二醇二 乙酸醋、丙二醇單甲基醚乙酸酯等之乙酸酯類,乙基溶纖 劑、甲基溶纖劑等之溶纖劑類,r 丁内酯、乳酸乙酯、醋 酸丁醋、草酸二甲酯、二丙酮醇、二醋精、檸檬酸三乙酯、 石反酸乙二醋以及碳酸丙二酯等之極性溶劑。若黏度調整劑 Φ 之比例未滿100重量份,則較難作成均勻溶液且容易出現塗 敷不均一,若超過700重量份,則黏度過低而塗敷厚度過薄。 本發明之正型光阻劑中,除上述各成分以外,為確保保 存穩定性,可使用可溶解上述必需成分之適當溶劑。至於 如此之溶劑,可列舉乙酸甲基溶纖劑、乙酸乙基溶纖劑, 礼fee乙S曰、γ- 丁内酯、丙二醇單甲基醚乙酸酯、乙基溶纖 劑、曱基溶纖劑等可作為上述黏度調整劑加以利用的溶劑。 本發月之正型光阻劑,其藉由眾所周知之方法使用塗敷 • S等攸而塗敷至矽基板等上。將所塗敷之正型光阻劑乾燥 後’例如使用縮小投影曝光裝置實施曝光、暴員影,藉此可 獲付良好的光阻圖案。至於顯影液,可使用各種驗性物質 ,溶液,至於驗性物質,例如可列舉氫氧化鈉、氫氧化卸、 虱、乙基胺、三乙基胺、三乙醇胺以及氯氧化四甲錄等。 再者’亦可於上述顯影劑中添加有醇類或界面活性劑。 严明之構造體之製造方法中,可將上述顯影液之驗性 濃度設為非常淡。一般將正型光阻劑以鹼性水溶液顯影之 情形日$ ’如上所述通常可伸用 书J便用2.38重罝〇/0以上濃度之氫氧化 97121.doc -31 - 200537245 四f銨水溶液等,故而造成成本以及環境負擔加重。對此, 2用本發明之正型光阻劑之情形時,可使用低濃度驗性水 2液,例如可使用〇·3重量%以下之低濃度氣氧化四甲錄水 溶液,較好是0.1量%以下之低濃度氯氧化四甲錢水溶 液。故而,可實現減少成本以及減輕環境負擔之目的。進 疋亦可不使用鹼性水溶液而使用純水作為顯影 液。該情形時,亦可進一步減少成本以及環境負擔。 本毛月之藉由光阻圖案形成有電路的構造體之製造方 法,其特徵在於包含使用上述正型光阻劑而形成光阻膜之 步驟,曝光'顯影步驟,使用光阻圖案形成電路之步驟以及 去除光阻膜之步驟;關於各步驟係根據先前眾所周知之光 微影㈣得以實施。該情形時’如上所述作為顯影液,可 使用低很度驗性水溶液或令性水,藉此可實現減少環境負 擔以及成本之目的。進而’剝離時因可使用臭氧水,故而 亦可減少剝離步驟中之成本以及實現步驟之簡略化。 再者’本發明之構造體之製造方法中之構造體,例如可 列舉半導體裝置或LCD基板等,但並非限於基板,亦可設 為匕3各種电子零件之藉由光阻劑而形成有電路圖案的構 件者。 其次,藉由列舉本發明之具體實施例以及比較例,可進 V閣明本發明。再者,本發明並非僅限定於下述實施例。 (實施例1) 〃備有攪拌機、溫度計以及熱交換器且具有氬氣導入口 之二公升分離式燒瓶中,裝入兒茶酚10g、2,6_二羥基甲基 97121.doc -32· 200537245 -4-甲基苯g、作為酸觸媒之草軌以以及作為溶劑之 甲基異丁基酮50 g,於1〇〇。。下加熱攪拌兩小時。其次,將 溫度升溫至15()。(:為止,於該溫度下實施脫水並且於減祕 件下實施去溶劑化作用。然後,將溫度升溫至⑽為止, 進而於50 mmHg減壓條件下繼續反應一小時,將其冷卻從 而獲付貫施例1之樹脂樣本。將該樹脂樣本藉由nmr分析 時’可確認具有下述式構造,藉由GPC(凝膠滲透色譜法) 所測定之重量平均分子量為53〇〇。 [化 27]
(實施例2) 具備有攪拌機、溫度計以及熱交換器且具有氬氣導入口 之二公升分離式燒瓶中,裝入兒茶酚10g、2,6-二羥基甲基 -4-甲基苯酚30 g、作為酸觸媒之草酸〇·25 g以及作為溶劑之 甲基異丁基酮50 g,於l〇〇t:下加熱攪拌兩小時。其次,升 溫至150°C為止,於該溫度中實施脫水以及去溶劑化作用。 然後’升溫至170°C為止,進而於50 mmHg減壓條件下繼續 反應一小時,將其冷卻。藉由GPC所測定之重量平均分子 量為5300。將所冷卻之生成物溶解至13重量%濃度之氮氧 97121.doc -33- 200537245 鉀水‘夜中’將溫度保溫為3代。進而,花費分鐘滴 液二甲基硫酸H) g’㈣四小時實行反應。反應結束後, 滴= 農鹽酸’將PH值設為2β進而,使用1〇重量%碳酸氯納 扒岭液中和整體。使用曱基異丁基酮"〇呂,自所中和之溶 液中萃取經過醚化之酚醛清漆樹脂。萃取後,以純水洗淨 經過峻化之㈣清漆樹脂五次,以蒸發器濃縮從而獲得實 施例2之樹脂樣本。將該樹脂樣本藉由nmr分析時,可確認 八有以下述構造式表示之構造之情形,並且藉由GW所測 定之重量平均分子量為6200。 [化 28]
(實施例3) 具備有攪拌機、溫度計以及熱交換器且具有氬氣導入口 之二公升分離式燒瓶中,裝入兒茶酚1〇g、2,6_二羥基甲基 -4-甲基苯酚30 g、草酸〇.25 g以及甲基異丁基酮5〇 g,於 100 C下加熱並且攪拌兩小時。接著,將溫度升溫至^5〇。〇 為止,於該溫度中實施脫水、去溶劑化作用。 其後,將溫度升溫至17(rc為止,進而於50mmHg減壓條 件下繼續反應一小時。將其冷卻。藉由GPC所測定之重量 9712i.doc -34- 200537245 平均分子量為5300。添加丙酮50g、碳酸卸i〇g以及甲苯石蔷 酸氣10 g,50°C下攪拌五小時實施酯化。使用甲基異丁基_ 1 5 0 g,自該溶液中萃取經過酯化之紛駿清漆樹脂。萃取 後,進而以純水洗淨經過酯化之酚醛清漆樹脂五次。將其 以蒸發器濃縮從而獲得實施例3之樹脂樣本。將該樹脂樣本 藉由NMR分析時,可確認具有以下述構造式表示之構造, 並且藉由GPC所測定之重量平均分子量為75〇〇。
[化 29]
(比較例1)
將鄰甲酚20 g、2,6-二羥基甲基-4-甲基苯酚30 g、草酸〇·25 g以及甲基異丁基酮50 g裝入燒瓶,於l〇〇°c下加熱授拌兩小 時。其次,升溫至150°C為止,於該溫度中實施脫水以及去 溶劑化作用。進而,將溫度升溫至l7(rc為止,進而於5〇 mmHg減壓條件下繼續反應一小時後冷卻從而獲得樹脂樣 本。將以如此方式所獲得之樹脂樣本藉由NMR分析時,可 確認具有以下述構造式表示之構造,並且藉由GPc所測定 之重量平均分子量為8800。 [化 30] 9712l.doc -35- 200537245
(實施例1〜3以及比較例1乏評估)
關於實施例1〜3以及比較例1中所獲得之樹脂樣本,以下 述要領製作光阻劑用樹脂組合物,評估藉由臭氧水所達到 之剝離速度與光阻圖案形狀。 (1)藉由臭氧水所達到之剝離速度之測定 將樣本樹脂1 g、萘醌二疊氮化磺酸(東洋合成公司製造、 產品號:NEC-4)0.25 g、乳酸乙酯2 g以及四氫呋喃2 g混合、 溶解,從而獲得光阻劑溶液。其次,於蒸鍍有六甲基二矽 氮烧之矽基板上,藉由旋式塗敷法薄膜塗覆上述光阻劑溶 液,90°C溫度中加熱乾燥兩分鐘,形成〇·8 μηι厚度之光阻 膜。 於該光阻膜上,將1 00 ppm高濃度臭氧水以格子間隔1 自孔徑0·1 mm多孔板以每個孔213 ml/分鐘之流量實行喷 霧。此時,將臭氧水之水溫設為5〇°C。然後,藉由半導體 薄膜測定裝置(Technos公司製造、產品號:SMAT)測定光阻 膜之厚度。再者,以μιη/分鐘為單位,將藉由臭氧所達到之 剝離速度示於下述表1中。 (2)光阻圖案形狀之評估 97121.doc -36-
200537245 於ο)中所形成之光阻膜上,使用縮小曝光裝置(尼康公司 製造、NSR1755i7B、ΝΑ=〇·54)曝光具有〇·5 μηι線幅之線及 空間的光阻圖案,浸沒至2 38重量%濃度之氫氧化四甲銨水 溶液中,從而實施顯影。然後,j 5〇。〇溫度中實施烘烤兩分 釦後’藉由SEM觀察剖面形狀。將剖面為矩形之情形設為 A,將剖面上方之拐角部分為帶有圓形之梯形之情形設為 B,將上面為帶有圓形之二等邊三角形狀之情形設為〇。將 結果示於下述表1。 [表1]
臭氧剝離速度(/mi/分鐘) 形成光阻圖案 實施例1 3.9 C 實施例2 2.1 Γ A ~ 實施例3 2.7 A 一 比較例1 1.0 A (實施例4) 具備肴攪拌機、溫度計以及熱交換器且具有氬氣導入口 之二公升分離式燒瓶中,裝入間苯二酚25g、2,6_二經基甲 基-4-甲基苯酚31 g、作為酸觸媒之草酸〇·25 g以及作為溶劑 之甲基異丁基酮50 g,於100°C下加熱並且攪拌兩小時。其 次’將溫度升溫至120 C為止’進而於50 mmHg減壓條件下 繼續反應一小時,實施脫水、去溶劑化作用。將其冷卻後 設為所使用之酚醛清漆樹脂。 將所獲得之酚醛清漆樹脂以下述方法分析時,可確認具 有下述構造。又,其重量平均分子量為5500。 97121.doc -37- 200537245 [化 31]
藉由GPC測定之分子量為5500 (Mw:)。 對於5亥紛駿清漆樹脂1 〇 〇重量份,添加2 5重量份之萘目昆二 疊氮化磺酸酯(NAC-4、東洋合成株式公司製造)作為感光性 父聯劑以及添加400重量份之乳酸乙酯作為溶劑加以溶 解,進而使用0·2 μιη氟化乙烯樹脂製過濾器實施過濾,從 而製成光阻劑溶液。 將其旋轉塗敷至矽晶圓上,於加熱板上12〇。〇下烘烤90 秒’形成0.8 μιη厚度之光阻膜。 於該光阻膜上,使用縮小曝光裝置(尼康公司製造、 NSH175 5i7B、ΝΑ= 0.54)曝光0.5 μιη線幅之線及空間之光阻 圖案,進而於加熱板上12〇。〇下烘烤60秒。進而,浸沒至0.1 重量%之氫氧化四甲銨水溶液中,實施一分鐘顯影,水洗 後於加熱板上120°C下乾燥兩分鐘。 (實施例5) 除將間笨二酚之使用量設為50 g以外,其餘以與實施例4 相同之方式調製樹脂。 再者’可確認所獲得之樹脂具有下述構造。又,所獲得 97121.doc -38- 200537245 之紛酸:清漆樹脂之重量平均分子量為3800。 [化 32]
藉由GPC測定之分子量為3800 (Mw)。
以後,以與實施例4相同之方式製作光阻劑溶液,形成光 阻膜並且實施曝光以及顯影。 (實施例6) 除對於盼酸清漆樹脂100重量份,進而添加有5重量份烧 基苯磺酸以外,全部以與實施例4相同之方式製作光阻劑溶 液,並且以與實施例4相同之方式實施曝光以及顯影。 (實施例7) 對於實施例4中所製作之酚醛清漆樹脂100重量份,混合 有20重量份之1,2-萘醌-2-二疊氮基-5-磺醯氣、800重量份之 四氫呋喃,獲得溶液。 於該溶液中,將整體溫度控制為30〜40°C,並且花費30 分鐘滴加12重量份之三乙基胺以及8 0 0重量份之四氮咬 喃。進而,持續攪拌10分鐘後,投入至20000重量份之0.01 Μ鹽酸中,使其沉澱。進而,充分水洗後60°C下真空乾燥, 從而調製出於酚醛清漆樹脂中酯化有萘醌二疊氮化合物的 化合物。 97121.doc -39- 200537245 將所獲得之化合物以下述分析方法分析時,構造為如下 所示,重量平均分子量為6300。 [化 33]
藉由GPC測定之分子量為6300 (Mw)。
對於該化合物100重量份,添加乳酸乙酯500重量份,溶 解整體後,使用0.2 μιη氟化乙烯樹脂製過濾器加以過濾, 從而製成光阻劑溶液。 以後之操作係以與實施例4相同之方式調製出樣本。 (實施例8) 除於實施例7中將酯化之1,2-萘醌-2-二疊氮基-5-磺醯氣 之添加量設為12.5重量份以外,其餘以與實施例7相同之方 式調製出樣本。藉由酯化所獲得之化合物構造,其與實施 例7中所獲得之化合物構造相同,重量平均分子量為5700。 (比較例2) 97121.doc -40- 200537245 具備有攪拌機、溫度計以及熱交換器且具有氬氣導入口 之二公升分離式燒瓶中,裝入鄰甲酚20 g、2,6-二羥基甲基 -4-甲基苯酚30 g、作為酸觸媒之草酸〇·25 g以及作為溶劑之 甲基異丁基酮50 g,於100°C下加熱攪拌兩小時。其次,將 溫度升溫至170°C為止,進而於50mmHg減壓條件下繼續反 應一小時。將其冷卻從而合成所使用之酚醛清漆樹脂。
將所獲得之酚醛清漆樹脂以下述方法分析時,可確認具 有下述構造。又,重量平均分子量為7500。 [化 34]
藉由GPC測定之分子量為7500 (Mw)。 對於該酚醛清漆樹脂1〇〇重量份,添加25重量份之萘醌二 疊氮化磺酸酯(NAC-4、東洋合成株式公司製造)作為感光性 交聯劑以及添加400重量份之乳酸乙酯作為溶劑加以溶 解,進而使用0.2 /xm氟化乙烯樹脂製過濾器加以過濾,從 而製成光阻劑溶液。 將其旋轉塗敷至矽晶圓上,於加熱板上12〇°c下烘烤9〇 秒’形成〇·8 μιη厚度之光阻膜。 於該光阻膜上,使用縮小曝光裝置(尼康公司製造、 97121.doc -41 - 200537245 NSR1755i7B、NA=0·54)曝光1.5μm線幅之線及空間之光阻 圖案,進而於加熱板上12〇°C下烘烤60秒。進而,因該光阻 劑無法溶解於低鹼性水溶液(〇 .丨重量%氫氧化四甲銨羥水 溶液)中,故而實施顯影時,通常浸沒至2.38重量%氫氧化 四甲錄溶液中實施一分鐘顯影,水洗後於加熱板上12(^c下 乾燥五分鐘。 (比較例3)
除將作為感光性交聯劑所添加之萘醌二疊氮化磺酸酯 (NAC_4、東洋合成株式公司製造)之添加量設為12.5重量份 以外’其餘以與比較例2相同之方式調製出樣本。
再者’顯影時因該光阻劑無法溶解於低鹼性水溶液(〇 . J 重里/〇氫氧化四甲銨水溶液)中,故而實施與比較例2相同之 處理。 (實施例4〜8以及比較例2、3之評估) (1) 藉由臭氧所達到之剝離速度之測定 對於所製成之描繪有圖案之光阻膜,將100 ppm高濃度臭 氧水自孔徑0,1 多孔板(380孔)以每個孔2.13 ml/分鐘之 ",L里噴淋。此時,將臭氧水之水溫控制為50°C。其後,藉 $半導體用薄膜測定裝置(SMAT、株式公司Technos公司製 k)測疋光阻膜之厚度。以从m/分鐘為單位,計算臭氧剝離 速度。將結果示於下表2。 (2) 光阻圖案形狀之評估 j由SEM觀察剖面形狀。將矩形狀者設為a,將頂角為帶 Ώ形之梯形狀者設為B,將頂部為帶有圓形之二等邊三角 97121.doc •42- 200537245 形狀者設為C等級。將結果示於下表2。 (3) 耐熱性之評估 將所製成之樣本於 120°C、130°C、140°C、150°C、160°C、 170°C之各溫度中,於加熱板上烘烤五分鐘。其後,使用顯 微鏡觀察,將於光阻圖案中產生變形之溫度設為耐熱溫 度。將結果示於下表2。 (4) 低鹼性顯影之評估
代替通常所使用之2.38重量%氫氧化四甲銨,而浸沒至 0.3重量%氫氧化四曱銨溶液中實施顯影一分鐘,從而判斷 浮出有圖像者可否實行低鹼性顯影。將結果示於下表2。 (5) 樹脂樣本或化合物構造之分析 藉由 13CNMR (使用機器:FT-NMR JEOL JNM-AL300)推 定所合成之酚醛清漆樹脂或化合物之分子構造。根據各峰 值之積分值計算各碳之比率,推定上述各構造。 (6) 分子量之測定 使用GPC (凝膠滲透色譜法)。管柱係使用昭和電工製造 GPC管柱(SHODEX FD-2002),於溶離液中使用THF,將液 流量設為1 ml/分鐘。分子量換算係使用標準聚苯乙烯試料。 (7) 判斷有無浮渣 將所製成之樣本以光學顯微鏡(倍率100倍)觀察,將沒有 觀察到浮渣者設為A,將觀察到浮渣者設為C從而實行評 估。將結果示於下表2。 97121-doc -43- 200537245 [表2] 評估結果 臭氧剝離速 度(μηι/分鐘) 而才熱性之評估 (變形溫度°C) 光阻圖 案形狀 浮渣 低鹼性顯影 實施 例 4 2.3 150 A A 可能 5 3.3 160 B A 可能 6 2.9 150 B A 可能 7 1.8 150 A A 可能 8 2.2 150 B A 可能 比較 例 2 1.0 150 A C 不可能 3 1.4 140 C A 不可能 (實施例9)
具備有攪拌機、溫度計以及熱交換器且具有氬氣導入口 之二公升分離式燒瓶中,裝入間苯二酚25 g、2,6-二羥基甲 基-4-甲基苯酚31 g、作為酸觸媒之草酸0.25 g以及作為溶劑 之甲基異丁基酮50 g,於100°C溫度中加熱並且攪拌兩小 時。其次,將溫度升溫至120°C為止,進而於50mmHg減壓 條件下繼續反應一小時,實施脫水、去溶劑化作用。將其 冷卻從而製成所使用之酚醛清漆樹脂。 以與上述實施例4〜8之評估方法相同之方式藉由NMR分 析所獲得之酚醛清漆樹脂時,可確認具有下述構造。又, 藉由GPC所測定之重量平均分子量為5500。 [化 35]
97121.doc -44- 200537245 藉由GPC測定之分子量為5500 (Mw)。 對於該酚盤清漆樹脂100重量份,添加25重量份萘醌二疊 氮化石黃酸S旨(NAC-4、東洋合成株式公司製造)、膠質二氧化 石夕之異丙醇溶液(30重量%溶液)作為感光性交聯劑以及添 加400重量份乳酸乙酯作為溶劑加以溶解,進而使用〇·2 氟化乙烯樹脂製過濾器加以過濾,從而製成光阻劑溶液。
將其旋轉塗敷至石夕晶圓上,於加熱板上12〇°c下烘烤90 秒,形成0.8 /im厚度之光阻膜。 於該光阻膜上,使用縮小曝光裝置(尼康公司製造、 _尺1755178^八=0.54)曝光0.5从111線幅之線及空間之光阻 圖案,進而於加熱板上120°C下烘烤60秒。進而,浸沒至〇.1 重量%氫氧化四甲銨水溶液中,實施一分鐘顯影,水洗後 於加熱板上120°C下乾燥兩分鐘。 (實施例10) 除添加膠質二氧化矽之異丙醇溶液(30重量%溶液、 IPA-ST、日產化學工業株式公司製造)3〇〇重量份,將乳酸 乙酯之添加量設為300重量份以外,其餘全部以與實施例9 相同之方式調製出樣本(對於酚醛清漆樹脂1〇〇重量份,膠 貝一氧化碎相當於9 0重量份)。 (實施例11) 除添加膠質二氧化矽之異丙醇溶液(30重量%溶液、 IPA-ST、日產化學工業株式公司製造)9〇〇重量份,將乳酸 乙酯之添加量設為1 〇〇重量份以外,其餘全部以與實施例9 相同之方式調製出樣本(對於酚醛清漆樹脂1〇〇重量份,膠 97121.doc -45- 200537245 質二氧化矽相當於270重量份)。 (比較例4) 具備有攪拌機、溫度計以及熱交換器且具有氬氣導入口 之二公升分離式燒瓶中,裝入鄰甲酚20 g、2,6-二羥基甲基 -4-甲基苯酚30 g、作為酸觸媒之草酸〇·25 g以及作為溶劑之 甲基異丁基酮50 g,於1〇〇。(:下加熱攪拌兩小時。其次,將 溫度升溫至150°C為止,於該溫度中實施脫水、去溶劑化作
其後,將溫度升溫至17(TC為止,進而於50mmHg減壓條 件下繼續反應一小時。將其冷卻後合成酚醛清漆樹脂。 以與上述實施例4〜8之評估方法相同之方式藉由nmr* 析所獲得之酚醛清漆樹脂時,可確認具有下述構造。又, 藉由GPC所測定之重量平均分子量為7500。 [化 36]
藉由GPC測定之分子量為7500 (mw)。 對於該盼酸清漆樹脂1 〇〇重量份,添加2 $舌旦 J置置份之萘自昆二 疊氮化績酸酯(NAC-4、東洋合成株式公引制、 J表k )作為感光性 交聯劑以及添加400重量份之乳酸乙 転作為溶劑加以溶 97121.doc -46- 200537245 解’進而使用0.2 /xm氟化乙烯樹脂製過濾器加以過濾,從 而製成光阻劑溶液(膠質二氧化矽係0重量份)。 將其旋轉塗敷至矽晶圓上,於加熱板上l2(rc下烘烤9〇 秒’形成0·8 μηι厚度之光阻膜。 於該光阻臈上,使用綰小曝光裝置(尼康公司製造、 NSR1755i7B' ΝΑ= 0.54)曝光1_5 μηι線幅之線及空間之光阻 圖案’進而於加熱板上12〇。〇下烘烤60秒。進而,因該光阻
劑無法溶解於低鹼性水溶液(0· 1重量❾/〇氫氧化四甲銨水溶 液)中’故而顯影時通常浸沒至2.38重量%氫氧化四甲銨溶 液中’實施一分鐘顯影,水洗後於加熱板上120°C下乾燥五 分鐘。 (比較例5) 除添加膠質二氧化矽之異丙醇溶液(3〇重量%溶液、 IPA ST、日產化學工業株式公司製造)1 〇〇重量份,將乳酸 乙酯之添加量設為4〇〇重量份以外,其餘全部以與比較例4 相同之方式調製出樣本(對於酚醛清漆樹脂1〇〇份,膠質二 氧化♦相當於30份)。 (比較例6) 除添加膠質二氧化矽之異丙醇溶液(3()重量%溶液、 AST、日產化學工業株式公司製造)i2〇重量份,將乳酸 乙酯之添加量設為〇重量份以外,其餘全部以與比較例4相 同之方式調製出樣本。 可明確的是於塗敷面上產生有可認為係微粒所造成之散 亂。 9712l.doc -47- 200537245 (對於酚醛清漆樹脂100份,膠質二氧化矽相當於360份) (實施例9〜11以及比較例4〜6之評估) (1) 藉由臭氧所達到之剝離速度之測定
對於所作成之描繪有圖案之光阻膜,將1〇〇 ppm高濃度臭 氧水自孔徑0·1 ηπηφ多孔板(3 80孔)以每個孔2· 13 ml/分鐘之 流量噴淋。此時,將臭氧水之水溫控制為5〇艺。其後,藉 由半導體用薄膜測定裝置(SMAT、株式公司Technos公司製 造)測定光阻膜之厚度。#μιη/分鐘為單位,計算臭氧剝離 速度。將結果示於下表3。 (2) 光阻圖案形狀之評估 藉由SEM觀察剖面形狀。將矩形狀者設為a,將頂角為帶 有圓形之梯形狀者設為B,將頂部為帶有圓形之二等邊三角 形狀者設為C等級。將結果示於下表3。 (3) 耐熱性之評估 將所作成之樣本於 12〇。〇、130°C、140°C、150°C、160°C、 17〇°C各溫度中,於加熱板上烘烤五分鐘。其後,使用顯微 鏡觀察,將於光阻㈣巾產生變形之溫度設料熱溫度。 將結果示於下表3。 (4)耐乾式餘刻性之評估 策本安衷至平行平板型乾式蝕刻裝置(電極間隔麵) ^輸出100 w、氣體壓力15匕條件下使cF4/〇2(95/5容 2)電激化,從而評估耐乾式#刻性。根據光阻劑之㈣ 氧化石夕膜之姓刻速度比(氧化石夕膜之乾式姓刻速度/ ^之乾式㈣速度),設為耐乾式㈣性之指標。將結 97i21.doc -48- 200537245 果示於下表3。 [表3]
具備有攪拌機、溫度計、熱交換器以及氬氣導入口之二 公升分離式燒瓶中,裝入間苯二酚n〇1 ^、2,6_二羥甲基邛一 甲酚168·1 g、草酸〇·5 g以及乳酸乙基1〇〇〇 g,於100°c下加 熱亚且攪拌兩小時。其次,升溫至15〇。〇為止,從而實施脫 水、去溶劑化作用。 其後’將溫度升溫至170°c為止,進而K5〇nimHg減壓條
件下繼縯反應一小時。將其冷卻從而獲得酚醛清漆樹脂。 若藉由GPC (凝膠滲透色譜法)測定該樹脂樣本,則重量平 均分子量為40〇〇。 (實施例13) 具備有攪拌機、溫度計、熱交換器以及氬氣導入口之二 公升分離式燒瓶中,裝入間甲酚108.1 g、2,6-二羥甲基-間 苯二盼丨70·1 g、草酸0.5 g以及乳酸乙酯1000 g,於l〇(TC下 加熱並且攪拌兩小時。其次,升溫至1 5〇°C為止,從而實施 脫水、去溶劑化作用。 其後’將溫度升溫至170°C為止,進而於50mmHg減壓條 97121.doc -49- 200537245 件下繼續反應一小時。將其冷卻從而獲得酚醛清漆樹脂。 若藉由GPC (凝膠滲透色譜法)測定該樹脂樣本,則重量平 均分子量為3500。 (實施例14)
具備有擾拌機、溫度計、熱交換器以及氬氣導入口之二 公升分離式燒瓶中’裝入間苯二盼66.1 g、間甲盼43.3 g、 2,6_二羥甲基-ρ·曱酚168.1 g、草酸〇 5 g以及乳酸乙酯1〇〇〇 g,於100 C下加熱並且攪拌兩小時。其次,升溫至i5〇。〇為 止,從而實施脫水、去溶劑化作用。 其後,將溫度升溫至170°C為止,進而於50mmHg減壓條 件下繼續反應一小時。將其冷卻從而獲得酚醛清漆樹脂。 若藉由GPC (凝膠滲透色譜法)測定該樹脂樣本,則重量平 均分子量為3300。 (實施例15) 具備有攪拌機、溫度計、熱交換器以及氬氣導入口之二 公升分離式燒瓶中,裝入間甲酚1〇81 g、對_甲苯酚1〇81 g、甲醛37%水溶液68.5 g、草酸〇·5 g以及乳酸乙酯1〇〇〇 g, 於100 C下加熱並且攪拌兩小時。其次,升溫至15〇艽為止, 從而實施脫水、去溶劑化作用。 其後,將溫度升溫至1701為止,進而於5〇mmHg減壓條 件下繼續反應-小時。將其冷卻從而獲得酚醛清漆樹脂。 右藉由GPC (凝膠滲透色譜法)測定該樹脂樣本,則重量平 均分子量為2100。 (比較例7) 97121.doc -50- 200537245 具備有攪拌機、溫度計、熱交換器以及氬氣導入口之二 公升分離式燒瓶中,裝入間甲酚1〇81 g、對-甲苯酚1〇81 g、甲醛37%水溶液68.5 g、草酸〇·5 g以及乳酸乙酯1〇〇〇 g, 於looc下加熱並且攪拌兩小時。其次,升溫至15〇〇c為止, 從而實施脫水、去溶劑化作用。
其後,將溫度升溫至17〇°C為止,進而於sOmmHg減壓條 件下繼續反應一小時。將其冷卻從而獲得盼酸清漆樹脂。 若藉由GPC (凝膠滲透色譜法)測定該樹脂樣本,則重量平 均分子量為2100。 (實施例12〜15以及比較例7之評估) (1)藉由臭氧所達到之剝離速度之測定 對於實施例12〜15以及比較例7之紛酸清漆樹脂1 〇〇重量 份,添加25重量份之萘醌二疊氮化磺酸酯作為感光性交聯 劑以及添加400重量份之乳酸乙酯作為溶劑加以溶解。然 後,使用0·2 μιη氟化乙烯樹脂製過濾器加以過濾,從而製 成光阻劑溶液。其次,於蒸鑛有六甲基二石夕氮统之石夕基板 上藉由自旋式塗敷法,塗膜塗覆上述光阻劑溶液,於9 〇。〇 溫度中加熱乾燥兩分鐘,形成0·8 μιη厚度之光阻膜。 於該光阻膜上,將100 ppm高濃度臭氧水以格子間隔1 mm 自孔徑0.1 mm多孔板以每個孔2.13 ml/分鐘之流量實施嘴 霧。此時,將臭氧水之水溫設為5 0 C。然後,藉由半導體 薄膜測定裝置(Technos公司製造、產品號:SMAT)測定光阻 膜之厚度。再者,將藉由臭氧所達到之剝離速度以μιη/分鐘 為早位’不於下表4。 97121.doc -51 - 200537245 [表4] 臭氧剝離速度(μηι/分鐘) 實施例12 2.1 實施例13 2.0 實施例14 1.5 實施例15 1.9 比較例7 1.0 (2)藉由NMR所測定之間苯二酚含有率
將實施例1 2、13之樹脂溶解至氘化丙酮中,根據使用 iH-NMR所測定結果之羥基存在比例與甲基存在比例,計算 該等分子中存在之間苯二酚之比例。將結果示於下述表5 中〇 [表5] 間苯二酚含有比例(%) 實施例12 48 實施例13 51 實施例14 31 實施例15 40 比較例7 69
97121.doc -52-
Claims (1)
- 200537245 十、申請專利範圍: 1. 一種正型光阻劑,其特徵在於··含有酚醛清漆樹脂以及/ 或上述酚醛清漆樹脂之衍生物作為構成成分,上述酚醛 清漆樹脂具有含有兩個以上羥基之苯核且重量平均分子 量在1000〜20000之範圍。 2. 如請求項1之正型光阻劑,其中上述包含兩個以上羥基之 苯核之構造式為以下述式(1)〜(6)表示之任一構造:[化 37][化 38][化 39]97i21.doc 200537245 [化 40] [化 41][化 42]再者基0,於式(1)〜(6)中 ’ R係氫或碳數為6以下之低級烧 月求項1或2之正型光阻劑,其中上述紛酸清漆樹脂係 將至乂兩種以上單體交替共聚所獲得之酚醛清漆樹脂。 4·如睛求項1至3中任一項之正型光阻劑,其中上述酚醛清 漆樹脂係將至少一種下式(7)〜(16)表示之單體與至少一 97121.doc 200537245 種下式(1 7)〜(26)表示之單體交替共聚所獲得之酚醛清 漆樹脂,並且使用包含兩個以上羥基且以下述式(7)、 (8)、(17)以及(18)表示之單體的至少一種作為上述交替共 聚成分: [化 43][化 44][化 45]97121.doc (9) 200537245 [化 46] R OH,¢1 0> [化 47]^(11) …(1 2> [化 49] OH…¢1 3> 9712l.doc 200537245 [化 50] OH• α 4) [化 51]•(15) • (16) [化 53] OH…(1 7) 97121.doc 200537245 [化 54] OH.(18) [化 55]…(1 9> [化 56][化 57] OH•(2 0) •(2 1) 97121.doc -6- 200537245 [化 58]•(2 2) [化 59]"(2 3) [化 60]· (2 4) [化 61]97121.doc 200537245 [化 62] -(26}.OH再者,於式(7)〜(26)中,R係氫或碳數為6以下之低級 烧基。 5·如請求項4之正型光阻劑,其中對於上式(7)〜(16)表示之 單體與上式(17)〜(26)表示之單體的合計1〇〇重量份,可 使用合計至少30重量份以上的包含兩個以上羥基且以上 述式(7)、(8)、(17)以及(18)表示的上述單體。 6·如請求項1至5中任一項之正型光阻劑,其中上述酚醛清 漆樹脂之衍生物中,上述酚醛清漆樹脂之上述羥基之一 部分係經取代基取代者。7.如請求項6之正型光阻劑 化及/或鱗化者。 其中上述羥基之一部分係經酯 8.如請求項6或7之正型光阻劑,其中上述羥基之一部分係 使用選自由烷基醚、芳基醚、节基醚、三芳基甲基醚、 一烧基甲⑦烧基ϋ以及四氫喃基㈣所組成之群的至少 一種化合物所取代。 9·如請求項6或7之正型光阻劑,其中上述經基之一部分係 使用選自由乙I g曰、笨甲酸酯、甲烷磺酸酯以及苯基磺 酸醋所組成之群的至少一種化合物所取代。 97121.doc 200537245 10·如請求項1至9中任一項之正型光阻劑,其中上述酚醛清 漆樹脂及/或上述酚醛清漆樹脂之衍生物中混合有感光性 化合物。 11·如請求項1〇之正型光阻劑,其中對於上述酚醛清漆樹脂 與上述紛酿清漆樹脂之衍生物的合計1 〇〇重量份,混合有 5〜50重量份之上述感光性化合物。 12·如請求項1至9中任一項之正型光阻劑,其中上述酚醛清 漆樹脂之衍生物係對於上述酚醛清漆樹脂使感光性化合 物反應所獲得之感光性酚醛清漆樹脂。 13. 如請求項12之正型光阻劑,其中上述感光性酚醛清漆樹 脂係對於上述酚醛清漆樹脂100重量份反應5〜5〇重量份 之上述感光性化合物所獲得之感光性酚醛清漆樹脂。 14. 如請求項12或13之正型光阻劑,其中包含有上述酚醛清 漆樹脂與上述感光性酚醛清漆樹脂作為構成成分,上述 感光性酚醛清漆樹脂係對於上述酚醛清漆樹脂丨〇〇重量 份反應10〜60重量份之感光性化合物所獲得之感光性酚 醛清漆樹脂,對於上述酚醛清漆樹脂與上述感光性酚醛 清漆樹脂之合計1〇〇重量份,相當於上述感光性化合物之 量在5〜50重量份之範圍。 15.如請求項10至14中任一項之正型光阻劑,其中上述感光 性化合物係1,2_萘醌二疊氮化磺醯鹵化物。 16·如睛求項丨至15中任一項之正型光阻劑,其中對於上述酚 醛清漆樹脂與上述酚醛清漆樹脂之衍生物的合計丨〇 〇重 虿份,包含有1〜20重量份範圍之陰離子界面活性劑。 97121.doc 200537245 17·如―吻求項丨至16中任一項之正型光阻劑,其中對於上述酚 醛清漆樹脂與上述酚醛清漆樹脂之衍生物的合計1〇〇重 S份,以50〜300重量份之比例包含有膠質二氧化矽。 18·如研求们至17中任—項之正型光阻劑,其中對於上述紛 醛清漆樹脂與上述酚醛清漆樹脂之衍生物的合計1〇〇重 量份,包含有100〜700重量份之黏度調整劑。 19·種藉由光阻圖案形成有電路的構造體之製造方法,其21. 特徵在於包含:使用如請求項1至18中任-項之正型光阻 劑而於基板表面形成光阻膜之步驟,使上述光阻膜曝光 .’、員〜之步驟’使用所顯影之光阻圖案而形成電路之步驟 以及去除光阻膜之步驟。 〃 士。月求項19之藉由光阻圖案形成有電路的構造體之製造 方法’其中使上述光阻膜曝光、顯影之步驟中,使用驗 ,物質含有率為〇.3重量%以下之鹼性水溶液作為顯影液 案形成有電路的構造體之 阻膜之步驟中,使用臭氧 如明求項1 9或20之藉由光阻圖 製造方法,其中於上述去除光 水去除光阻膜。 97121.doc -10- 200537245 七、指定代表圖: (一) 本案指定代表圖為:(無) (二) 本代表圖之元件符號簡單說明: 9 八、本案若有化學式時,請揭示最能顯示發明特徵的化學式: (無)97121.doc
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003392912 | 2003-11-21 | ||
JP2004150545 | 2004-05-20 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW200537245A true TW200537245A (en) | 2005-11-16 |
Family
ID=34622208
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW093135731A TW200537245A (en) | 2003-11-21 | 2004-11-19 | Positive photoresist and method for producing structure |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20070172755A1 (zh) |
JP (1) | JP3839840B2 (zh) |
KR (1) | KR20060097132A (zh) |
DE (1) | DE112004002240T5 (zh) |
GB (1) | GB2424649A (zh) |
TW (1) | TW200537245A (zh) |
WO (1) | WO2005050319A1 (zh) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI506060B (zh) * | 2010-09-16 | 2015-11-01 | Sumitomo Bakelite Co | 酚醛型酚樹脂及光阻劑用樹脂組成物 |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101294019B1 (ko) * | 2007-02-20 | 2013-08-16 | 주식회사 동진쎄미켐 | 포토레지스트 제거 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트제거방법 |
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- 2004-11-17 US US10/579,902 patent/US20070172755A1/en not_active Abandoned
- 2004-11-17 DE DE112004002240T patent/DE112004002240T5/de not_active Withdrawn
- 2004-11-17 WO PCT/JP2004/017053 patent/WO2005050319A1/ja active Application Filing
- 2004-11-17 JP JP2005515618A patent/JP3839840B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2004-11-17 KR KR1020067009773A patent/KR20060097132A/ko not_active Application Discontinuation
- 2004-11-17 GB GB0610053A patent/GB2424649A/en not_active Withdrawn
- 2004-11-19 TW TW093135731A patent/TW200537245A/zh unknown
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Publication number | Publication date |
---|---|
WO2005050319A1 (ja) | 2005-06-02 |
KR20060097132A (ko) | 2006-09-13 |
US20070172755A1 (en) | 2007-07-26 |
JPWO2005050319A1 (ja) | 2007-06-07 |
GB0610053D0 (en) | 2006-06-28 |
DE112004002240T5 (de) | 2006-11-02 |
GB2424649A (en) | 2006-10-04 |
JP3839840B2 (ja) | 2006-11-01 |
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