TW200426867A - Cathode foil for capacitor and method for manufacturing the same - Google Patents

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200426867 玖、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於電容器陰極用箔及其製造方法；特 言，係關於使用紹箔做為基材之電容器陰極用箔及 方法。 【先前技術】 電容器具備兩個電極，即陽極和陰極。做為陽極 係使用可以於表面生成絕緣氧化被覆膜的紹、钽等 屬（v a 1 v e m e ΐ a 1 )。做為陰極材料，貝1J使用電解液、 導體、有機導電性物質或是金屬薄膜的任一者。當 料為電解液之情形，多半使用將其表面積擴大之後 做為陰極端子。這種鋁箔被稱為電解電容器陰極用 為了使電容器的靜電電容增力口 〃通常將陰極用銘 積予以擴大。 但是，於電容器的製造步驟中，通常進行：將以 線圈狀之形態供應的陰極用铭箔切斷為既定的寬度 驟；將該切斷的長條線圈狀的陰極用鋁箔進一步捲 驟；捲取陰極用銘箔使之最終得以構成筒狀的電容 驟、或是切斷陰極用紹箔以構成層積型的電容器之1 為了提昇於此等之步驟中之生產性，必須提高陰 箔的捲取速度。為因應此一要求，而變得有必要提 用銘箔的機械強度、也就是陰極用紹箔的拉伸強度 如此般，對陰極用鋁箔之特性，同時要求有高靜 以及高度的拉伸強度。 3 12/^1 10/93-04/93 100650 定而 其製造 材料’ 之閥金 無機半 陰極材 的ί呂箔 鋁箔。 的表面 捲繞為 的步 取的步 器的步 「.驟等。 極用ί呂 高陰極 〇 電電容 200426867 為了增大陰極用銘箔的靜電電容，一般採用的方法是藉 由蝕刻來擴大紹箔的表面積。但是，若是進行蝕刻處理的 話，紹箔的拉伸強度便顯著地降低。 近年來，隨著電氣機器的小型化，需求更小型的電容 器。為了要將電容器設計為更小，有必要將陰極用鋁箔的 厚度變為更薄。若鋁薄的厚度可以更薄的話，鋁薄的強度 亦相對地降低。 此外，電容器陰極用鋁箔在用以進行擴大鋁箔的表面積 之蝕刻時，為了控制蝕刻時的反應，通常需要使用鋁純度 為9 9 . 0〜9 9 . 9 5質量％左右的I呂。另夕卜，在此所說的ί呂的純度 (基本純度），是指鋁箔中所包含的雜質元素之中，將鐵、 矽、銅主要三元素的含有量自1 0 0 %中減去的值。 緣是，例如在日本專利特開平5-247609號公報之中，提 案有一種用以提昇電解電容器陰極用鋁箔的靜電電容和強 度的製造方法。該電解電容器陰極用鋁箔的製造方法，係 對於將鋁所含有之化學成分調整為：鋁的純度在9 9 . 8 %以 上，其中的雜質元素之F e以及S i的含量分別抑制在0 . 0 5 % 以下、C u的含量抑制在0 . 0 0 5 %以下、並將Μ g含量以及Ζ η含 量進行成份調整以滿足既定式的鋁，在5 4 0 ΐ：以下進行均熱 處理，進行熱輥軋（h 〇 t r ο 1 1 i n g )之後，捲取溫度在3 0 0 °C 以下結朿，再進一步以加工率9 5 %以上進行最後低溫輥軋， 做成製品箔厚。再將此鋁箔予以蝕刻來擴大其表面積。 但是，即使是使用上述日本專利特開平5 - 2 4 7 6 0 9號公報 之屮所開示的製造方法，也無法同時顧及電容器陰極用鋁 6
3 12/發明說明故撕牛)/93_04/93丨00650 200426867 箔的要求特性，即，在不降低拉伸強度之前提下，靜電電 容之提高有其極限。 【發明内容】 本發明的目的在於提供一種電容器陰極用箔，其可同時 確保高的靜電電容及高強度，本發明並提供其製造方法。 本發明人等反覆深入研究用以解決先前技術的問題點 的結果，發現若藉由對鋁箔施以特定之處理，可得到達成 上述目的之電容器陰極用箔。基於發明者這樣的發現，於 是完成了本發明。 依照本發明之電容器陰極用箔係具備有鋁箔和形成於 該鋁箔的表面上之含碳層。在鋁箔和含碳層之間，形成有 含有鋁及碳之夾間層。 於本發明之電容器陰極用箔中，可以不降低含碳層及鋁 箔的強度而具有擴大或是增大鋁箔表面積之作用。藉此， 可以增大電容器陰極用箔的靜電電容。又，由於在鋁箔和 含碳層之間形成有含有鋁及碳之夾間層，所以此夾間層具 有可以提高與可增大鋁箔的表面積的含碳層之間的密接性 的作用。藉此，可以確保既定的靜電電容以及強度。 根據本發明之電容器陰極用箔中，較佳情況為，含碳層 内部含有含铭及碳的夾雜物（i n c 1 u s i ο η )。 於含碳層較薄之情形中，只藉由上述之夾間層的存在， 可以提高鋁箔和含碳層之間的密接性。但是，於含碳層較 厚之情形中，於含碳層的内部產生剝離，有無法得到既定 靜電電容的可能性。此時，藉由於含碳層的内部形成含有 7
3 1 2/發叫説明害(刚牛)/93-()4/93丨00650 200426867 鋁以及碳之夾雜物，可以提高於含碳層内的密接性，並可 確保既定的靜電電容。 於本發明之電容器陰極用箔之中，含碳層較佳為從鋁箔 的表面延伸至外側而形成。此情形中，可以使含碳層更加 能夠發揮擴大或者是增大鋁箔的表面積的作用。 還有，於本發明的電容器陰極用箔中，夾間層較佳為構 成形成於鋁箔的表面的至少一部份的領域之含有銘的碳化 物的第1表面部份。含碳層較佳為構成第2表面部份，該 第2表面部份為由第1表面部份向外側延伸而形成。 此情形中，第2表面部份不降低鋁箔的強度，具有增大 鋁箔的表面積的作用。藉此，可增大電容器陰極用鋁箔的 靜電電容。又，在鋁箔和第2表面部份之間形成第1表面 部份，其含有IS的碳化物，所以此第1部份具有提高與第 2表面部份之間的密接性的作用，而該第2表面部份可增 大鋁箔的表面積。藉此，可確保既定的靜電電容和強度。 根據本發明之電容器陰極用箔的製造方法具備：在含有 含碳氫化合物物質之空間中配置鋁箔的步驟，以及加熱該 鋁箔的步驟。 在本發明的製造方法之中，藉由將配置於含有含碳氫化 合物物質之空間中的鋁箔予以加熱，可在鋁箔的表面形成 含有鋁以及碳的夾雜物，同時可以容易地形成具有增大鋁 箔的表面積的作用的含碳層。 又，根據本發明之電容器陰極用箔之製造方法中1 S己置 鋁箔的步驟較佳為包含以下步驟：使含碳物質以及鋁粉所 8
3 12/發叨說明斯fll丨件)/93-04/93丨00650 200426867 構成群組中所選出之至少一種附著於鋁箔的表面之後 含有含碳氫化合物物質之空間中配置鋁箔。 藉由對於配置在含有含碳氫化合物物質之空間中的 箔進行加熱，可得到較習知者具備更高的靜電電容以 高強度的電容器陰極用箔。但是，在要得到具備大幅 的高靜電電容之電容器陰極用箔之情形，則較佳為： 碳物質以及鋁粉所構成群組中所選出之至少一種附著 箔的表面之後，在含有含碳氫化合物物質之空間中配 箔，並予以加熱。 於根據本發明之電容器陰極用羯之製造方法中，最 一步具備有輥軋經加熱之鋁的步驟。 根據本發明之電容器陰極用箔之製造方法中，加熱 之步驟以在4 5 0 °C以上、不滿6 6 0 °C之溫度範圍中進4 佳。 如以上般，若根據本發明，則可得到一種電容器陰 箔，其可同時確保高的靜電電容和高的強度。 【實施方式】 本發明者發現：將鋁於含碳氫化合物物質的存在下 的話，則形成第1表面部份，其係於鋁的表面附近下 成之碳化鋁的結晶，並且高密度地形成第2表面部份 由該碳化鋁之結晶向紹表面的外側延伸。還有，所形 第2表面部份係藉由彼此強固地結合，或者藉由與其 含碳物質之間強固地結合，藉此同時具有可形成更高 面積的鋁箔的性質，而完成本發明。 ，在 鋁 及更 提高 使含 於鋁 置鋁
好進 ί*為 極用
加熱 所形 ，其 成的 他的 的表 312/發明說明書(補件)/93-04/93 100650 9 200426867 不管銘是板狀、箔狀、粉狀的任一形態，都是可以發揮 上述效果，但做為電容器陰極用則是使用箔狀者。 於本發明之一實施形態中的第2表面部份係由含有鋁碳 化物之第1表面部份向外側延伸，較佳為以微細絲 (f i 1 a m e n t )狀、纖維狀或是以仙人掌針狀的形態存在，可 具有大的表面積，所以具有增大鋁箔的表面積的作用。其 結果，可增大電容器陰極用箔的靜電電容。 於本發明之一實施形態中，在鋁箔和第2表面部份之間 由於形成有含有碳化鋁結晶的第1表面部份，所以該第1 表面部份具有提高和使鋁箔表面積增大之第2表面部份之 間的密接性的作用。藉此，可確保既定之靜電電容和強度。 又，於本發明之一實施形態中，由於第2表面部份互相 強固地結合，故可利用鋁粉末而得到更高表面積的鋁箔。 還有，於本發明之一實施形態中，由於第2表面部份其 本身和別的含碳物質強固地結合，故可利用像活性碳等之 表面積大的含碳物質，而得到更高表面積的銘箔。 於本發明之一實施形態中，由於第2表面部份彼此之間 強固地結合，或者和其他的含碳物質之間強固地結合，所 以可以利用鋁粉末和含碳物質，得到具有更高表面積的鋁 箔。 本發明之電容器陰極用箔，由於並非採用藉由蝕刻處理 來增大或是擴大表面積的手法，所以不需要為了控制鋁箔 和蝕刻液間之反應性而將鋁箔的純度限定為9 9 . 0〜9 9 . 9 5 質量％左右。至於鋁箔的厚度，其要求的特性可從強度和電 10 3 12/發明說明書(補件)/93-04/93 100650 200426867 容器的小型化的必要性來適當地決定，通常可使用 1〜2 0 0 β ηι左右的铭箔。 本發明之電容器陰極用箔的製造方法之一實施形態之 中，所使用的含碳氫化合物物質的種類並沒有特別的限 定。而含碳氫化合物物質的種類則可例舉如：甲烷、乙烷、 丙烷、正丁烷、異丁烷以及戊烷等之石蠟烴系碳氫化合物； 乙烯、丙烯、丁烯以及丁二烯等之烯烴系烴；乙炔等之乙 快系碳氫化合物等，或該等碳氫化合物的衍生物。在此等 碳氫化合物之中，以可以於加熱鋁箔的步驟中成為氣體狀 者為佳，例如：曱烧、乙烧、丙烧等之石堪烴系碳氫化合 物。更佳者為曱烷、乙烷、丙烷之中任一種之碳氫化合物。 最佳的碳氫化合物則為曱烷。 還有，含碳氫化合物物質於本發明之製造方法中，可以 固體、液體、氣體等之任一狀態之下來使用。含碳氫化合 物物質可存在於鋁箔所存在的空間中，亦可為以任何的方 法導入至配置有鋁箔的空間。例如，當含碳氫化合物物質 為氣體狀之情形（甲烷、乙烷、丙烷）中，只要在進行鋁箔 之.加熱處理的密閉空間中，單獨充填含碳氫化合物物質或 是與惰性氣體同時地充填即可。又，於含碳氫化合物物質 為固體或液體之情況，可以於該密閉空間中氣化之方式， 將含碳氫化合物物質單獨充填或與惰性氣體同時充填。 於加熱鋁箔的步驟中，加熱環境的壓力並沒有特別的限 定，可於常壓、減壓或是加壓下進行。還有，壓力的調整， 可以在保持於某個一定的加熱溫度的期間、昇溫至某個一 11
3 12/發明說明書(補件)/93-04/93丨00650 200426867 定的加熱溫度為止的期間、或者是從某個一定的加熱溫度 降溫之期間之任一個時間點進行。 導入於配置有鋁箔之空間中的含碳氫化合物物質的重 量比率並無特別的限定，以碳換算值通常是對鋁箔1 0 0重 量部以設定在0 . 1重量部以上5 0重量部以下的範圍内為 佳，特別是設定在0 . 5重量部以上3 0重量部以下的範圍内 為佳。 於加熱鋁箔的步驟中，加熱溫度可因應加熱對象物之鋁 箔的組成等而適宜地設定，通常以4 5 0 °C以上不滿6 6 (TC的 範圍内為佳，在5 0 0 °C以上6 3 0 °C以下的範圍之内進行為更 佳，在5 7 0 °C以上6 3 0 °C以下的範圍内進行則更佳。其中， 在本發明的製造方法中，並不排除在不滿4 5 0 °C的溫度下 加熱鋁箔，只要在至少超過3 0 0 °C的溫度下加熱鋁箔便可。 加熱時間也因加熱溫度等而異，一般而言是在1小時以 上、1 0 0小時以下的範圍之内。 包含昇溫以及降溫步驟，當加熱溫度在超過4 0 0 °C以上 之情形，以將加熱環境中的氧濃度控制在1 . 0體積％以下為 佳。若是加熱溫度超過4 0 0 °C以上，而加熱環境中的氧濃 度又超過1 . 0體積％的話，鋁箔的表面的熱氧化被膜便增 大，而有使得於鋁箔表面中之界面電阻增大之虞。 還有，亦可在加熱處理之前將铭箔的表面予以粗面化。 粗面化的方法並沒有特別限制，可使用洗淨、蝕刻、噴砂 等之公知技術。 還有，亦可於加熱處理後將電容器陰極用鋁箔予以輥軋 12 312/發明說明書(補件)/93-04/93丨00650 200426867 來調整為所需的厚度以及硬度。 藉由使用本發明之製造方法，為了更加增大或者 鋁箔的表面積，可採用以下的方法：使含碳物質或 粉末之至少一種附著於鋁箔的表面之後，再於含有 合物物質之空間中配置鋁箔之步驟。此時，形成於 面的第2表面部份係由以下所構成：從含有鋁之碳 第1表面向外延伸，較佳者為由以微細絲狀、纖維 仙人掌針狀之形態存在的部分和附著於此部分上之 粒子部分所構成。 此情形，含碳物質可< 以使用活性碳纖維、活性碳 活性碳鼓、活性炭粉末、墨汁、碳黑或者是石墨等 者。含碳物質的附著方式則可使用黏結劑、溶劑或^ 將上述含碳物質調製為漿狀、液體狀或者是固體狀 藉由塗布、浸泡或是熱壓著等使其附著於鋁箔的表 可。亦同使含碳物質附著於鋁箔的表面上之後，在 上3 0 0 °C以下的範圍内的溫度下使之乾燥。 還有，採用使含碳物質附著於鋁箔表面上之後， 配置於含有碳氫化合物物質之空間中之步驟，之後 行用以將附著的含碳物質的表面積更加提高的活化 可。活化處理係在5 0 &C以上6 0 0 °C以下的溫度範圍 度下進行（較佳為在2 0 0 °C以上5 0 0 °C以下的範圍内 度），在含有氧2〜5 0體積％之空間中配置鋁箔便可。 理時間因溫度而異，但一般係以1 0秒以上、1 0 0小 的範圍内便可，也可以反覆地重覆活化處理。 3 12/發明說明書(補件)/93-04/93丨00650 是擴大 者是鋁 碳氫化 4呂箔表 化物的 狀或是 多數個 織物、 之任一 水等， 等，再 面上便 2 0°C 以 將銘箔 ，再施 處理便 内的溫 的溫 活化處 時以下 13 200426867 還有，鋁粉末可使用不定形狀、球狀、扁平狀的鋁粉末 或是鋁糊的任一者皆可。鋁粉末的附著方式可使用黏結 劑、溶劑等，將上述鋁粉末調製為漿狀、液體狀或是固體 狀等，再藉由塗布、浸泡或熱壓著等使其附著於鋁箔的表 面上便可。 (實施例） 根據以下的實施例1〜1 0以及習知例製作電容器陰極用 箔。又，為了和實施例1〜1 0比較，也製作了電容器陰極用 箔的參考例。 (實施例1 ) 將厚度為3 ◦ m的鋁箔（J I S A 1 0 5 0 - Η 1 8 )於乙炔氣體環 境中，在溫度5 9 0 °C下保持1 0小時。其後，以掃描式電子 顯微鏡（S E Μ )觀察試料的表面，確認了含碳層的存在，其約 以1 0 0 0 n m的長度以纖維狀或者是微細絲狀的形態從鋁箔 的表面延伸至外側的部分。該掃描式電子顯微鏡照片顯示 於圖1。另外，藉由X射線繞射以及電子能源損失分光器 (E： £ L· S )確認石炭化在呂白勺存在。 (實施例2) 將平均粒徑為0 . 5 // m的碳黑2重量部與氯化乙烯系黏 結劑1重量部混合，使之分散於溶劑（甲苯）中得到固體物 質成分3 0 %的塗布液。將該塗布液塗布於厚度為3 0 " in的 鋁箔（J I S A 1 0 5 0 - Η 1 8 )的兩面，然後乾燥。乾燥後的塗膜的 厚度係單面為1 in。將該鋁箔於甲烷氣體環境中於溫度 5 9 0 °C之下保持1 0小時。其後，以掃描式電子顯微鏡（S E Μ ) 14 3 12/發明說明書(補件)/93-04/93100650 200426867 觀察試料的表面，確認了含碳層的存在，其為由約以 1 0 0 0 n m的長度以纖維狀或者是微細絲狀的形態從鋁箔的 表面延伸至外側的部分，以及附著於該部分之上的粒徑約 0 . 5 // m的多數個粒子部分所構成。另外，藉由X射線繞射 以及電子能源損失分光器（E E L S )確認碳化鋁的存在。 (實施例3 ) 將平均粒徑為1 // η〗的ί呂粉末2重量部與氯化乙烤系黏 結劑1重量部混合，使之分散於溶劑（曱苯）中得到固體物 質成分3 0 %的塗布液。將該塗布液塗布於厚度為1 5 // m的 鋁箔（J I S I N 3 0 - Η 1 8 )的兩面，然後乾燥。乾燥後的塗膜的 厚度係單面為2 β m。將該鋁箔於甲烷氣體環境中於溫度 6 2 0 °C之下保持1 0小時。其後，以掃描式電子顯微鏡（S E Μ ) 觀察試料的表面，確認了含碳層之存在，其為由附著於鋁 箔的表面上的粒徑約1 // m的多數個粒子部分向外側延 伸，以約5 0 0 0 η η〗的長度以仙人掌針狀的形態的部分。該掃 描式電子顯微鏡照片顯示於圖2。另外，藉由X射線繞射 以及電子能源損失分光器（E E L S )確認碳化鋁的存在。 (實施例4〜1 0 ) 將平均粒徑為0 . 1 μ m的碳黑2重量部與平均粒徑為
1 V m的鋁粉末2重量部，與氣化乙烯系黏結劑1重量部混 合，使之分散於溶劑（曱苯）中得到固體物質成分3 0 %的塗 布液。將該塗布液塗布於厚度為1 2 β m的銘箔（J I S A 3 0 0 3 - Η 1 8 )的兩面，然後乾燥。乾燥後的塗膜的厚度係單 面為4 " m。將該鋁箔於表1所示之條件下進行熱處理。在 15 3 12/發明說明書(補件)/93-04/93丨00650 200426867 實施例8之中，於熱處理後使用輥軋輥以約2 0 %的軋縮率 (rolling reduction r a t e )對銘箔進行報軋加工。在實施 例1 0之中，在熱處理之後，於空氣中實施3 0 0 °C之2小時 的活化處理。其後，以掃描式電子顯微鏡（S E Μ )觀察試料的 表面，確認了含碳層的存在，其為由附著於鋁箔的表面上 的粒徑約1 β m的多數個粒子部分以仙人掌針狀之形態向 外延伸之部分，以及附著於該部分之上的粒徑約〇 . 1 " πι 的多數個粒子所構成。實施例6的掃描式電子顯微鏡照片 顯示於圖3。另外，藉由X射線繞射以及電子能源損失分 光器（E E L S )確認碳化鋁的存在。 表1 熱處理 環 境 溫度（°C ) 時間（Hr) 實 施 例4 乙 炔 氣 體 440 60 實 施 例5 乙 炔 氣 體 490 10 施 例6 曱 烷 氣 體 540 10 實 施 例7 曱 烷 氣 體 590 10 施 例8 曱 烷 氣 體 590 10 實 施 例9 曱 烷 氣 體 640 10 施 例10 曱 烷 氣 體 540 10 (參考例） 將平均粒徑為0 . 1 V m的碳黑2重量部與平均粒徑為 1 η]的症呂粉末2重量部，與氯化乙稀系黏結劑1重量部混 合，使之分散於溶劑（曱苯）中得到固體物質成分3 0 %的塗 布液。將該塗布液塗布於厚度為1 2 // m的鋁箔（J I S A 3 0 0 3 - Η 1 8 )的兩面，然後乾燥。乾燥後的塗膜的厚度係單 面為4 m。將該鋁箔於氬氣氣體中於溫度5 0 0 °C下予以乾 燥。其後，以掃描式電子顯微鏡（S E Μ )觀察試料的表面，確 認了含碳層並不附著於鋁箔的表面而形成，而且發現塗膜 16 3丨2/發明說明書(補件)/93-04/93 100650 200426867 剝離且脫落的部分，無法確認有以纖維狀、微細絲狀或是 仙人掌針狀的形態從表面向外延伸之部分存在。另外，藉 由X射線繞射以及電子能源損失分光器（EELS)也無法確認 有碳化ί呂的存在。 (習知例） 對厚度4 0 ν in的鋁箔（J I S A 1 0 8 0 - Η 1 8 )，使之於含有鹽 酸1 5 %和硫酸0 . 5 %的電解液中，以溫度5 0 °C 、電流密度 0 . 4 A / c in的條件實施6 0秒交流独刻處理之後，將蚀刻後 的1呂箔予以水洗、乾燥。 將在上述之實施例1〜1 0、參考例以及習知例中所得到的 各試料的特性以下述方法進行測定。 (1 )厚度 於1 0 0倍的光學顯微鏡剖面相片中，測定各試料的厚 度。將其測定結果顯示於表2。 (2 )靜電電容 各試料的靜電電容係於硼酸銨水溶液（8 g / L )中，藉由 L C R儀器測定。 (3 )機械強度 藉由拉伸試驗評價各試料的機械強度。亦即，使用篱能 精密拉4中試驗機，將寬度1 5丨丨丨丨]丨的試料以拉伸速度1 0丨丨mu / m i η 的速度拉伸，由試料的厚度來算出拉伸強度。 將以上述方法所測定的各試料的靜電電容以及拉伸強 度，以習知例中所得的值設定為1 0 0，以指數值顯示於表2。 17 3 12/發明說明窗(浦件)/93-04/93 100650 200426867 表2 試料厚度（V Π1 ) 靜電電容（％ ) 拉伸強度（％ ) H 施 例 1 3 2 112 1 95 命- ν·ι 施 例 2 32 19 6 208 -'in- M 施 例 0 18 15 5 2 12 -ΊΟ- H 施 例 4 20 10 3 269 -T；J- 施 例 5 20 10 9 2 54 ^)7- 施 例 6 20 327 237 K 施 例 7 20 94 8 1 97 M 施 例 8 16 1030 523 sily- H 施 例 9 20 9 14 1 80 命- 施 例 10 2 0 6 0 3 227 參考例 20 11 252 習知例 38 10 0 1 00 從此等測定結果可以很明顯地知道，實施例1〜1 0的試 料，由於其表面積擴大，所以除了顯示出較習知例更高的 靜電電容，還顯示出高的拉伸強度。另外，參考例雖然也 顯示出較習知例為高的拉伸強度，但是卻顯示出較低的靜 電電容。 以上所開示的實施形態和實施例其於所有方面均應被 認為僅為例示，而非為用以限制者。本發明之範圍並非僅 限於上述實施形態，而是申請專利範圍所示者，任何與申 請專利範圍均等的意義，以及於申請專利範圍内的所有的 修正以及變化均包含於本發明中。 (產業上的利用性） 根據本發明所製造的電容器陰極用鋁箔，可同時確保高 靜電览容和南強度。 【圖式簡單說明】 圖1為顯示實施例1之試料的掃描式電子顯微鏡照片。 圖2為顯示實施例3之試料的掃描式電子顯微鏡照片。 )8 3 1Khli(^)/93-04/93 100650 200426867 圖3為顯示實施例6之試料的掃描式電子顯微鏡照片。 3 ^0(^)/93-()4/93 100650 19

Claims (1)

  1. 200426867 拾、申請專利範圍： 1. 一種電容器陰極用箔，其具備： I呂箔，及 形成於上述铭箔的表面上的含碳層， 更進一步含有形成於上述紹羯和上述含破層之間之 有鋁和碳之夾間層。 2 .如申請專利範圍第1項之電容器陰極用箔，其中 述含碳層於内部含有含is和碳之夹雜物。 3.如申請專利範圍第1項之電容器陰極用箔，其中 述含破增係以從上述is箔的表面向外側延伸的方式而 成。 4 .如申請專利範圍第1項之電容器陰極用箔，其中 述夾間層構成形成於上述鋁箔的表面的至少一部份的 之含有紹的碳化物之第1表面部份，且 上述含碳層構成以由上述第1表面向外側延伸的方 形成的第2表面。 5. —種電容器陰極用箔的製造方法，其包含有： 在含有碳氫化合物物質的空間中配置鋁箔之步驟， 力口熱上述|呂箔之步.驟。 6 .如申請專利範圍第5項之電容器陰極用箔的製造 法，其中，上述配置鋁箔的步.驟包含有：使由含碳物質 鋁箔粉末所構成群組中所選出之至少1種附著於鋁箔 而之後，再於含有碳氫化合物物質之空間中配置鋁箔 式ϋ 3 12/^^^^3:(^4:)/93-04/93100650 含 ，上 ，上 形 ，上 領域 式而 以及 方 以及 的表 之方 20 200426867 7 .如申請專利範圍第 5項之電容器陰極用箔的製造方 法，其中，上述加熱鋁箔之步驟係於4 5 0 T：以上、不滿6 6 0 °C 的溫度範圍之内進行。
    21 3 12/發明說明書(補件)/93-04/93100650 200426867 拾壹、圖式： 3 12/發明說明·(補件)/93-04/93丨00650
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