TW200421587A - Multi-chip module - Google Patents

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TW200421587A
TW200421587A TW092133033A TW92133033A TW200421587A TW 200421587 A TW200421587 A TW 200421587A TW 092133033 A TW092133033 A TW 092133033A TW 92133033 A TW92133033 A TW 92133033A TW 200421587 A TW200421587 A TW 200421587A
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TW
Taiwan
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semiconductor wafer
semiconductor
chip module
mounting board
microcomputer
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TW092133033A
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English (en)
Inventor
Masanori Owaki
Toshikazu Ishikawa
Takahiro Naito
Makoto Suzuki
Takafumi Kikuchi
Takashi Ozawa
Original Assignee
Renesas Tech Corp
Shinko Electric Ind Co
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Description

200421587 玖、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種多晶片模組（multi_chip _dule ; MCM) ’特定言之係關於一種可有效應用於多晶片模組之技 術，其中複數個具有數種不同功能的半導體晶片係整合黏 著於一單一板上，因此使該等複數個半導體晶片成為一實 質上單一的半導體積體電路裝置。 【先前技術】 在所謂的多晶片模組技術中，複數個半導體晶片係黏著 於一具有複數個内部佈線及複數個外部端子的板上，並且 忒等複數個半導體晶片係與該安裝板整合成一電路裝置。 了？-八-2001-320014與】？-八-2000-299431 揭示一二晶片堆疊 結構之範例，其中上面的晶片大於下面的晶片。另一方面， JP-A-1 1-2 19989揭示一二晶片堆疊結構之範例，其中一快閃 記憶體與一 SRAM彼此組合。 半導體技術在下列方向上取得了發展，即組成一電子系 統的諸如微電腦晶片、D R A Μ晶片及快閃記憶體晶片之類 的複數個半導體晶片係配置成單一封襞的半導體裝置。明 確地說，當複數個各自包含一單一半導體晶片而非複數個 半導體晶片的半導體裝置藉㈣常的封裝技術（如方形爲 平封裝（Quad Flat Package ; qFP)、晶片尺寸封裝或晶片尺 寸級封裝（Chip Size Package或Chip Scale Package ; csp)或 球栅格陣列（Ball Gnd Array ; BGA))進行封裝，並黏著於 —安裝板（如印刷板）上時’各半導體晶片之間的距離及佈線
O:\89\89575.DOC -6- 200421587 距離不易減小，由於佈線妨礙裝置操作速度的提高及裝置 尺寸的縮小，從而造成大信號延遲。 相反，根據多晶片模組技術，複數個極小的半導體晶片 以所謂裸晶片的形式被製成單一封裝中之一半導體裝置。 因此，可減小晶片之間的佈線距離，並且可改進該半導體 裝置的特性。此外，由於複數個半導體晶片形成單一封裝， 因此該半導體裝置的大小可隨封裝面積的減小而減小。 選擇用於多晶片模組的半導體晶片最好包含密切相關的 晶片，如微電腦晶片、DRAM或與該微電腦晶片耦合的快 閃記憶體晶片。藉由選擇複數個如上所述密切相關的半導 體晶片之組合可充分展示該多晶片模組之特徵。然而， JP-A-2001-320014、JP-A-2〇00-299431 及抒-八-11-219989既 未考慮改進構成多晶片#組一特徵之所有功㉟，也未考慮 縮小裝置尺寸，而僅僅採用個別晶片的堆疊結構。 【發明内容】 轉明之目的係提供-種尺寸縮小同時性能提高之多晶 片模組。本發明之上述及其他㈣、特徵及優點藉由結合 隨附圖式所作的詳細說明會變得更加清楚。 下面簡略說明本文所揭示發明之—般方面。複數個適用 於彼此父換信號的第一半導體晶片係表面黏著於一安裝板 的表面上；而大部分焊墊沿其一側排列的第二半導體晶片 係㈣背黏著於該等第一半導體晶片中的至少一個丨並且 在安裝板上形成的焊墊與對應電極藉由導線焊接彼此連 接。安裝板上的該等第一、第二半導體晶片以及焊接導線
O:\89\89575.DOC 200421587 係用一禮封材料進行封裝。 【實施方式】 、圖1顯示依據本發明一項具體實施例之多晶片模組之俯 視平面圖。—快閃電子可抹除可程式唯讀記憶體（flash electrically erasable and programmable read only memory ^ 稱為丨夬閃5己思體」）FLASIi及數位信號設備 係黏著於封裝板上。在上述快閃記憶體之下，黏著 U電細SH及一同步動態隨機存取記憶體（spdr〇n〇us dynamic random access memory ; SDRAM) 〇 月確地兒安裝板的表面如圖2所示藉由纟面黏著法黏著 了微電腦SH、同步動態隨機存取記憶體SDRAM及數位信號 裝置ASIC。圖2中以虛線表示的快閃記憶體孔湖係背對 背（晶片的背面彼此相對）黏著於兩個半導體晶片沾及 SDRAMJi 〇 圖2所不的半導體晶片SH、SDRAM及ASIC係黏著於安裝 板的一主要表面上，黏著方式為各半導體晶片的電路形成 表面彼此相對。該多晶片模組的複數個外部端子係排列於 安裝板的另-主要表面±。不考慮言亥等複數料導體晶片 所佔面積及該等複數個外部端子排列所需面積，該組態可 形成一小型的多晶片模組。 半導體晶片SH、SDRAM&ASIC係配置成所謂的裸晶 片、’並且複數個塊電極適於以裝版方式黏著於安裝板上。 各半導體晶片藉由-稱作區域陣列塾的技術進行配置，I 中可使焊墊電極（焊墊）重新排列的佈線穿過—聚酿亞胺樹
O:\89\89575.DOC 200421587 脂或類似物的絕緣薄膜形成於包含裝置及該佈線的半導體 晶片的電路形成表面上，並且焊墊電極（塊連接平台電極） 形成於該佈線上。 藉由上述區域陣列墊技術，將焊墊電極（其係以較小間距
如數十個μηι或1〇〇 μηι排列，因為半導體晶片、SDRAM 及ASIC的外部端子具有01 111111至〇.2 mm之直徑）轉換成塊 電極排列，其具有400 μηι的較大間距。該區域陣 列墊技術係有效用於半導體晶片的裝版，如具有輸入/輸出 電路的SDRAM及其焊墊電極適當配置於該半導體晶片的 中心。 安裝板具有一玻璃環氧樹脂或玻璃的絕緣基板，在該絕 緣基板上形成一配置成多層佈線結構的比較精細的内部佈 線；複數個電性連接至半導體晶片的塊電極之平台（land); 以及複數個外部端子。安裝板在其由半導體晶片形成的主 要表面上形成用於藉由導線來連接排列於快閃記憶體 FLASH上的焊墊之電極，以及上述平台。 依據該項具體實施例的快閃記憶體係所謂的AND型，沒 有獨立的位址端子。藉由分時使用一資料端子連續輸入位 址U °明確地說’在依據該項具體實施例的快閃記憶體 中:如圖5所示，、經由資料端子1/〇(7:〇)可獲取一用於指定 :刼作模式之命令、一位址及資料。經由一輸入/輸出緩衝 裔將Μ號輸入傳送至命令解碼器，然後經由一内部信號 線傳送至位址計數器。為此，各自由一方形表示的焊塾係 沿+導體晶片的-側（在該具體實施例中為長側）排列，並且
O:\89\89575.DOC 200421587 藉由焊接導線連接至安裝板上的對應電極。 圖1及2示意性顯示安裝板及半導體晶片SH、SDRAM、 ASIC及FLASH的尺寸（橫側乘縱側以mm為單位）。安裝板的 尺寸為19乘13 ; SH的尺寸為5.05乘5.05 ; SDRAM的尺寸為 8.70乘5.99 ; ASIC的尺寸為6.25乘6.15 ;以及FLASH的尺寸 為7.32乘10.46。然而，對於垂直方向上較長的快閃記憶體 FLASH而言，其尺寸表示為水平長度乘垂直長度。 為了將這四個半導體晶片有效地黏著於安裝板上，則將 矩形晶片SDRAM的長側橫向放置；而方形晶片SH如圖2所 示垂直放置以配合矩形晶片FLASH長側的長度。以此方 式，晶片FLASH與晶片SDRAM及SH係背對背放置以形成一 堆疊結構。明確地說，從安裝板的方向觀察，晶片FLASH 可完全黏著於由晶片SH及SDRAM所佔據的安裝表面區域 内。因此，包含晶片FLASH在内的四個半導體晶片可黏著 於安裝板上，否則其僅能容納包含晶片ASIC在内的三個半 導體晶片。 圖3A及3B係示意性顯示依據本發明的多晶片模組之斷 面圖。圖3 A係沿圖1中的箭頭A所截取的斷面圖；而圖3B係 沿圖1中的箭頭B所截取的斷面圖。因此，圖3A及3B在橫向 上彼此顛倒。如上所述，半導體晶片SH、SDRAM及ASIC 係表面黏著於安裝板的主要表面上，而快閃記憶體FLASH 係藉由熱固性黏合劑或類似物背對背黏著於半導體晶片SH 及SDRAM。半導體晶片的電極藉由焊接導線（連接線）連接 至安裝板的對應電極。其上黏著有半導體晶片SH、 O:\89\89575.DOC -10- 200421587 SDRAM、ASIaFLASH的安裝板之主要表面，包括痒接導 線在内，用一密封材料進行封裝。 在圖3A及3B中，多晶片模組的外部端子（雖然未顯示）係 配置成適於穿過安裝板上形成的孔電性連接至内部佈線之 塊電極，並且位於該安裝板另一主要表面（反面）。半導體晶 片SH、SDRAM及ASIC的塊電極可稱為微塊，其尺寸及間 距較小，而提供安裝板外部端子的塊電極在尺寸及間距上 較大。 圖4係說明裝配依據本發明的多晶片模組各步驟之示意 圖。圖4顯示裝配步驟及對應的熱滯後現象以及一般的垂= 結構。在裸晶片1的焊墊上形成一。一各向異性導電薄 膜ACF黏著於MCM基板電極上，並且在焊墊上形成Au塊的 裸晶片黏著於該MCM基板上用於熱壓焊接。一裸晶片2藉 由一熱固性黏合劑與裸晶片丨背對背黏合，並且藉由導線焊 接連接至MCM基板的對應電極。以此方式，（雖然未顯示） 該裝配件用樹脂進行封裝。在最後步驟中，MCM係藉由回 流處理（reflow treatment)形成作為外部端子的焊球而完成。 圖5係顯示依據本發明一項具體實施例之多晶片模組之 方塊圖。圖5中示意性顯示圖！中的微電腦SH、記憶體 SDRAM及快閃記憶體FLASH之電性連接以及信號端子名 稱。 為了縮小提同性能的多晶片模組之尺寸，同時使用來源 於圖1所示的微電腦SH、記憶體SDRAM(及數位信號裝置 ASIC)及快閃記憶體FLASH之組合的各項特徵，彼此交換信
O:\89\89575.DOC -11 - 200421587 號的微電腦SH及記憶體SDRAM(以及數位信號裝置ASIC) 係藉由安裝板上形成的位址匯流排3位元）、資料匯流排 (32位元）及控制匯流排互連。 十三（13)個位址匯流排（例如）對應於SDRAM的位址端子 A0至A12 ;而32個資料匯流排對應於SDRAM的資料端子 DQ0至DQ31。微電腦SH的位址匯流排連接至位址端子A2 至A14，而資料匯流排連接至端子DO至D31。 對應於記憶體SDRAM，微電腦SH的控制輸出端子CKIO、 CKE、CS3B、RASLB、CASLB、RD/WRB、WE3B/DQMUU、 WE2B/DQMUL、WE1B/DQMLU 及 WEOB/DQMLL 連接至 CLK、CKE、CSB、RASB、CASB、WEB及 DQM7、DQM5、 DQM2、DQM0。所附為B的端子名稱對應於藉由一橫杆（over bar)將低活動位準升至圖式中活動位準之邏輯信號。端子 WE3B/DQMUU、WE2B/DQMUL、WE1B/DQMLU、WEOB/ DQMLL係遮罩信號。具有32位元的資料匯流排分成四個8 位元群組，因此 WE3B/DQMUU、WE2B/DQMUL、WE1B/ DQMLU、WEOB/DQMLL係用於有選擇地遮罩寫入/讀取操 作。 此外，數位信號裝置ASIC基本上與位址匯流排及資料匯 流排相連，並且具有一用於傳送所需控制信號的信號線。 該數位信號裝置係用於針對多晶片模組的特定應用進行數 位信號處理，並且與微電腦SH—起負責一專門指定的信號 處理。此等半導體晶片的信號傳送率必須較高。當半導體 晶片藉由表面黏著法黏著於佈線（如在安裝板上形成的匯 O:\89\89575.DOC -12- 200421587 流排）上時，形成最短距離的信號傳送路徑，可進行高速信 號交換。因此，獲得高性能。 在該項具體實施例中，微電腦SH包含一對應於快閃記憶 體FLASH的介面。明確地說，快閃記憶體FLASH包含一資 料端子 1/0(7:0)及控制信號 WEB、SC、OEB、RDY/BusyB 及CEB。與此相一致，微電腦SH亦包含NA_I〇（7:0)及控制 信號 NA_WEB、NA_SC、NA_OEB、NA_RYBY及 NA—CEB ° 微電腦SH與快閃記憶體FLASH之間的寫入/讀取操作速度 低於與SDRAM的操作速度。因此，即時當焊接導線組成一 信號傳送路徑，傳送率亦不會受負面影響。因此，MCM總 體上可縮小尺寸，同時使其性能提高。 圖6係顯示依據本發明一項具體實施例之多晶片模組的 安裝板佈線模式之示意圖。安裝板係配置成（例如）八層的多 層佈線基板。圖6中顯示該安裝板主要表面的一部分，其中 黏著包括微電腦SH及記憶體SDRAM的半導體晶片。 圖6中，直線及多邊形線表示佈線，而黑色矩形表示用於 連接快閃記憶體FLASH的焊墊。符號*表示用於表面黏著包 括微電腦SH及記憶體SDRAM在内的半導體晶片之板電 極。如圖2所示，對應於實質上方形的微電腦SH的板電極係 位於圖6的上面部分；而對應於橫向長記憶體SDRAM的板 電極係位於圖6的下面部分。焊墊係在垂直方向上位於圖6 的左側。 上述快閃記憶體FLASH背對背黏著於微電腦SH及記憶 體SDRAM之組態並非限制於整個快閃記憶體FLASH黏著 O:\89\89575.DOC -13- 200421587 於SH及SDRAM的安裝表面上之情況。#於事實上快閃記憶 體FLASH的焊墊係在一長側上排列，因此安裝板的焊墊亦 如圖6所示排列。因此，可減少在安裝板上形成焊墊所佔據 之面積。
圖9係顯示依據應用本發明之前所研究的一項具體實施 例之多晶片模組佈局示意圖。在該具體實施例中，微處理 裔CPU係、背對背黏著於快閃記憶體FLASH及記憶體sDRAM 上。微處理器CPU具有大量沿著晶片周邊排列之外部端 子。因此，對應於該CPU焊墊的大量焊墊需要分佈位於安 裝板上的快閃記憶體FLASH&記憶體SDRAM之外。因此， 焊墊在女裝板上所佔據的面積會不合需要地增加。 另一方面，考慮電路操作的性能，微處理器CPU高速傳 送信號所需的信號傳送路徑包括較長的焊接導線。其引起 的問題係高頻率時脈及該時脈同步信號的傳送速率會由於 焊接導線較大的電感成分受到影響。相反，在依據本發明 的多晶片模組中，一方面可縮小安裝板的尺寸，另一方面 可較好地提高電路操作的性能。然而，申請者並不打算將 圖9之範例作為本規則中的先前技術。 圖7顯示依據本發明一項具體實施例之快閃記憶體的焊 墊佈局。焊墊PAD 1至焊墊PAD34係配置於矩形板的長側（底 邊）之一。除了圖5所示的信號墊之外，亦包括用於源極電 壓VCC、VSS及操作電壓的焊墊。 圖8係顯示依據本發明一項具體實施例之多晶片模組之 般組悲示思圖。該多晶片模組薄至1 65 mm及（例如）1.70
O:\89\89575.DOC -14- 200421587 mm(取大），並且其具有的桿球在反面構成總共”^固外部端 子（接針）。焊球連接器（平台）的直徑φ各為〇·33 mm，並且以 0-65 mm的間距排列。 下面況明一平台柵格陣列（land grid ; lga)型多晶 片模組之範例，其中半導體晶片與安裝板係藉由使用金 (Au)/焊料（Sn或類似物）而彼此耦纟’在該安裝板的反面沒 有任何的球形突出電極。 S 10所示，依據该項具體實施例的Mcm與上述參考圖 1至8所描述的MCM具有基本相似的組態，不同之處說明如 下。明確地說，AU凸塊丨藉由搞合部件2各自電性及機械地 連接至安裝板3的連接器4。在半導體晶片5與安裝板3之間 填充一側填滿樹脂6，以防止損壞半導體晶片5,否則由於 肩女裝板3與半導體晶片5之間熱膨脹係數的不同會引起熱 應力集中從而造成損壞。此外，安裝板3的反面形成有平台 電極7 作為外部端子用於電性連接（例如）-印刷線路板 (printed wiring board ; PCB)。 示的球形突出電 。雖然未顯示， 極 依據该項具體實施例，未形成圖1至8所 ，因此較好地縮小了模組的尺寸及厚度 但在平台電極7的表面可形成Cr/Cu/Au或類似物的一阻障 層。在麵具體實施例中，作為代表範例係顯示—單一的 半導體晶片5 ’並且各SH、SDR及鑛係藉由覆晶連接法 黏者於安裝板3。 該安裝板3可主要配置有一剛性基板（核心基板;藉由 增層法（build, meth()d)在剛性基板8的兩個相對表面上形
O:\89\89575 D0C -15- 200421587 成的柔軟層9、10，以及以覆蓋柔軟層9、i〇的方式形成的 保護薄膜11、12。雖然未詳細顯示，但該剛性基板8及柔軟 層9、10具有（例如）多層佈線結構。該剛性基板8的各絕緣層 係由浸潰聚醯亞胺樹脂或環氧樹脂的玻璃纖維的高彈性樹 月曰基板‘成，而柔軟層9、1 〇的各絕緣層係由（例如）低彈性 的環氧樹脂製成。 上述配置有剛性基板8及柔軟層9、1〇的多層佈線結構係 由（例如）銅（Cu)的金屬薄膜製成。保護薄膜u、12係由（例 如）聚醯亞胺樹脂製成，其主要目的係保護在柔軟層9最高 佈線層中形成的佈線，並且用於一方面在封裝時保證黏性 樹脂與半導體晶片5的黏接，另一方面在封裝時控制濕焊料 的膨脹。所形成的保護薄膜12主要係用於保護在柔軟層1〇 的最高佈線層中形成的佈線，並且在用焊料封裝平台電極7 時控制濕焊料的膨脹。 半導體晶片5(但未限制）係主要配置有一半導體基板，·複 數個在該半導體基板的一個主要表面上形成的半導體裝 置；包含複數個絕緣層的多個佈線層，並且佈線層在複數 個階段内堆疊於該半導體基板的一個主 覆蓋多個佈線層方式形成的-表面保護薄膜（最後:2 薄膜）。該半導體基板係由（例如）單晶石夕製成；絕緣層係由 (例如）氧切薄膜製成；而佈線層係由（例如说（ai)或链合 金的金屬薄膜製成。表面保護薄膜係由絕緣薄膜（例如氧化 石夕、氮化矽或有機絕緣薄膜）製成。 一個主要表面形成有複數個電極墊13，該主要表面與半
O:\89\89575.DOC -16- 200421587 導體晶片5的另一主盈主二γ 胥表面（反面）彼此相對。該等複數個電 極塾⑽成於半導體晶片5的多個佈線層的最高佈線層 中’亚且曝露於在該半導體晶片$表面保護薄膜内形成的一 焊接開口。複數個電極塾13沿該半導體晶片5的一側排列。 稷數個電極塾13各形成一（例如）7〇㈣乘川_的平面正方 形。此外，該等複數個電極墊係以大約85_的間距排列。 (例如)金(AU)凸塊1作為突出電極係配置於半導體晶片5 '個主要表面上。複數個凸塊1分別配置於該半導體晶片 5-個主要表面上的複數個電極墊"上，因此凸塊}及電極 墊13彼此電性及機械地連接。Au導線的凸塊！係藉由球悍法 心成⑼如）同日禮用熱焊接及超聲波振動。在球焊法中， 在仏導線的前端形成一球，隨後在超聲波振動下將該球 熱焊接至晶片的電極塾’接著將該Au導線從球部分切斷， “ 乂成塊。因此，在電極墊上形成的凸塊牢固連接於 電才虽塾。 現在參考圖u至13說明上述mcm之製造。圖u至⑽顯 示說明MCM製造實質部分之斷面圖。如圖u所示，藉由散 佈法提供糊狀耦合材料2至（例如）位於安裝板3 一個主要表 面上的晶片安裝區内的各連接器4上。一焊膏材料係用作輕 口材料2。亥焊貧材料係藉由混合及捏合至少精細的焊料顆 粒及助焊劑而製成。該項具體實施例使用的焊膏材料係藉 由混合及捏合由98 wt%的Pb(錯)及2 wt%的如(錫)所組成二 焊料顆粒而製成，其溶點為大約則。Ce散佈法係用於對從 一細噴嘴中噴射出的焊膏材料進行塗佈。
O:\89\89575.DOC -17- 200421587 接著，如圖12所示，安裝板3配置於加熱台14上，隨後半 導體晶片5藉由夾頭15傳送至晶片安裝區之上，且凸塊^系 放置於對應連接器4上的適當位置。然後，安裝板3藉由加 熱台14加熱，同時半導體晶片5藉由夾頭15加熱。以此方 式，如圖13所示，耦合材料2熔化，然後使熔化的耦合材料 2聚集。從而，將半導體晶片5封裝入安裝板3 一個主要表面 上的晶片安裝區内。 如圖1 0所示，將一側填滿樹脂6填充於安裝板3 一個主要 表面上的晶片安裝區與半導體晶片5之間。然後，如圖丨至8 所示的MCM，將快閃記憶體FLASH^^對背堆疊於半導體晶 片5上。然後，快閃記憶體FLASH的電極墊係藉由導線焊接 連接至女裝板3的連接器4。在最後步驟中，四個半導體晶 片SH、SDRAM、ASIC及FLASH以及焊接導線藉由樹脂封 裝’從而實質上完成該MCM。 在將LGA型的MCM安裝於印刷電路板（printed circuit ard ’ PCB)上日守’藉由印刷或類似技術在peg側的連接電 極上形成一焊料層；並且在LGA型MCM的反面上形成的平 台電極係與連接電極放置於PCB側上的適當位置。其後， 連接電極藉由焊料層經過焊料回流彼此連接。替代性地， 藉由印刷或類似技術可預先在LGa型MCM的平台電極上形 成一薄焊料層。 雖然圖1及2僅顯示四個包括sh'、SDRAM、ASIC及FLASH 在内的晶片’但亦可額外黏著用於周邊電路的晶片。在此 情況下’用於周邊電路的晶片係藉由突出電極（如Au凸塊υ
O:\89\89575.DOC -18- 200421587 以與S Η、S D RAM或ASIC相同的方式面朝下黏著於安裝板 上’因此周邊電路係連接至由圖5所示的SH及ASIC共用的 位址匯流排及資料匯流排。 明確地說，晶片SH、SDRAM、ASIC及由凸塊面朝下連 接的周邊電路係藉由共同的匯流排彼此連接，從而提高了 模組的操作速度。另一方面，堆疊於至少一個晶片上的快 閃記憶體FLASH藉由焊接導線連接至安裝板的電極墊，並 且藉由一專用匯流排介面連接至SH，該匯流排介面係用於 單獨與SH獨立連接，因此使模組尺寸減小。 由發明者完成的本發明已參考具體實施例明確說明如 上。然而，本發明並不限制於上述具體實施例，並且在不 脫離本發明的精神及範疇下可進行各種修改。例如， ^ 日日 片杈組上可黏著一數位信號處理器（digital Signal Pr〇CeSS〇r ; DSP)或類似的共處理器，其代替入31(：：與cpu_ 起操作、。此時，CPU及數位信號處理器藉由控制信號密切 相關地進行操作。藉由板線經過上述裝版使CPU及數位信 號處理器互連，從而實現高性能。本發明已找到針對組^ 一多晶片模組的半導體裝置之廣泛應用。 下面簡略說明藉由本文所揭示的本發明之一般方面所獲 得之效果。複數個用於交換信號的第—半導體晶片係表: :者於安裝板的表面上；並且大部分焊塾沿其一側排列的 -弟-+導體晶片係背對背黏著於該等第—半導體晶片中 因此在安裝板上形成的焊塾與對應電極係藉 由導料接彼此連接；並且用—密封材料對裝安裝板上的
O:\89\89575.DOC -19- 200421587 = '第二半q料導㈣行料，從 夕晶片杈組的高性能及小尺寸。 貝 【圖式簡單說明】 知例之多晶片模組之俯 圖1顯示依據本發明一項具體實 視平面圖。 圖2顯示圖！的多晶片模 果、之女裝板表面的晶片佈局 圖3 A及3B係示意性顯示圖1 月1 的夕日日片杈組之斷面圖 圖4係說明依據本發 奴I夕日日片拉組之各裝配步驟 意圖 圖5係顯示依據本發明一項具體實施例 方塊圖。 之示 之多晶片模組之 圖6係顯示依據本發一 斗w月項具體實施例之多晶片模組之 女裝板圖案示意圖。 圖7顯示依據本發明一 ^項具體實轭例之快閃記憶體的焊 墊佈局。 之 圖8係顯示依據本發明一項具體實施例之多晶片模組 一般組態示意圖。 般佈 圖9係頌不在本發明之前所研究的多晶片模組之一 局範例之示意圖。 =顯示依據本發明之多晶片模組一更改的實質部分 之斷面圖。 之 圖11係顯示製造圖10的多晶片模組之方法的實質部分 斷面圖。 之方法的實質部分之 圖12係顯示製造圖10的多晶片模組
O:\89\89575.DOC -20- 200421587 斷面圖。 圖13係顯示製造圖10的多晶片模組之方法的實質部分之 斷面圖。 【圖式代表符號說明】 1 凸塊 2 耦合部件 3 安裝板 4 連接器 5 半導體晶片 6 側填滿樹脂 7 平台電極 8 剛性基板 9 柔軟層 10 柔軟層 11 保護薄膜 12 保護薄膜 13 電極墊 14 加熱台 15 夾頭 ACF 各向異性導電薄膜 ASIC 數位信號裝置 CPU 微處理器 FLASH 快閃記憶體 SDRAM 同步動態隨機存取記憶體 SH 微電腦 O:\89\89575.DOC -21 -

Claims (1)

  1. 200421587 拾、申請專利範圍： 1 · 一種多晶片模組，其包含： 複數個表面黏著於一安裝板的一表面上用於彼此交換 信號的第一半導體晶片； 一與該等複數個第一半導體晶片中的至少—個背對背 黏著的第二半導體晶片，該第二半導體晶片的大部分焊 墊沿其一側排列； 用於連接该第二半導體晶片的該等焊墊與在該安裝板 上形成的對應電極之焊接導線；以及 一用於封裝該安裝板上的該等複數個第一半導體晶片 、該第二半導體晶片及該焊接導線之密封構件。 2·如申請專利範圍第1項之多晶片模組， ，、中該等複數個第一半導體晶片包含一微電腦、一隨 機存取記憶體及一處理分別用於特定應用之信號的信號 處理裝置， 其中該第二半導體晶片係一非揮發性記憶體。 3 ·如申請專利範圍第2項之多晶片模組， 其中該微電腦及該隨機存取記憶體或連接至該微電腦 用於處理特定應用之信號之該信號處理裝置係藉由在該 女裝板上以裝版方式形成的佈線而互連；以及 其中該微電腦包含-對應於該非揮發性記憶體的唯一 介面，該微電腦㈣非揮發性記憶體係經由該焊接導線 互連。 4·如申請專利範圍第3項之多晶片模組， O:\89\89575.DOC ^0421587 其中该非揮發性記憶體係背對背黏著 的该第一半導體晶片。
    於包含該微電腦 如申凊專利範圍第4項之多晶片模組， 其中與該非揮發性記憶體背對背黏著的該等 曰 μ ^ 守 &曰曰月包含該微電腦及該隨機存取記憶體，·以及 其中構成該隨機存取記憶體的半導體晶片之長側與構 成該非揮發性記憶體的半導體晶片之長側彼此垂直。 O:\89\89575.DOC
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