TW200421047A - Exposure apparatus and method - Google Patents

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TW200421047A TW092134894A TW92134894A TW200421047A TW 200421047 A TW200421047 A TW 200421047A TW 092134894 A TW092134894 A TW 092134894A TW 92134894 A TW92134894 A TW 92134894A TW 200421047 A TW200421047 A TW 200421047A
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Miyoko Kawashima
Akiyoshi Suzuki
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Description

200421047 (1) 玖、發明說明 這申請案根據2 0 0 2年1 2月1 〇日所申請之日本專利 申請案號2 002 - 3 5 8 7 64加以申請求優先權之權益。有如 此處之完全說明，據此整體將其納入參考。 【發明所屬之技術領域】
本發明通常是與一種用以製造各種裝置之曝光方法及 設備有關，該各種裝置包含如1C及LSI之半導體晶片。 如液晶面板之顯示裝置，如磁頭之感測裝置，及如CCD 之影像拾取裝置，以及微機械構造所使用之精細接觸孔圖 案，且更尤其是與一種所謂的浸泡型曝光方法及設備有關 ’該方法及設備將曝光物體之表面及最接近物體之一投影 光學系統之底部表面浸泡在液體中，並經由該液體使用物 體曝光。 【先前技術】 φ 傳統上已使用縮減之投影曝光設備，以光蝕刻技術加 以製造如半導體記憶體及邏輯電路之精細半導體裝置，其 使用一投影光學系統，使形成在一罩幕（網線）上之電路 圖案投影在一晶圓等上，並用以轉印電路圖案。 投影曝光設備可轉印之關鍵尺度與曝光用光線之波長 成正比’並與投影光學系統之數値光圈（，，NA”）成反比 。波長愈短·解析度愈佳。已要求的是以對更精細半導體 裝置要求之更小解析度。要求曝光光線移向小波長，並使 -4 - (2) 200421047 用較高之ΝΑ，預期投影光學系統增進解析度。由於難以 改變曝光波長，投影光學系統已加速增進其N A ;例如， 已發展一 NA = 0.9之投影光學系統。 另一方面，曝光設備所用之光源已從一 KrF雷射（波 長24 8nm )變更至ArF雷射（波長1 93nm )。目前，已發 展出F2雷射（波長1 57nm )及EUV (波長13.5nm )爲下 一代之光源。
在這一種情況下，如日本專利公開案號1 0 - 3 0 3 1 1 4 中所發表的，浸泡曝光法已引起注意，其使用ArF雷射（ 波長1 93nm )及F2雷射（波長157nm )供增進解析度。 浸泡曝光使用一液體作爲晶圓端之-媒體。它充塡投影光 學系統與晶圓間之間隔，提升較高之NA。明確地說，投 影光學系統之數値光圈（”ΝΑΠ )爲η · sin Θ ，其中，”η” 爲液體之折射率，且ΝΑ能遞增達到’’η”。
當ΝΑ變得更大時，極化光線對成像效能之影響變成 不可忽略，因爲由於光線在一晶圓上有一較大入射角，成 像效能根據極化指示即變得不同。 雙光束成像之效能比三光束成效更受極化作用影響。 在這透過即第〇順位光束和第± 1順位繞射光束之三光束 之間之干擾而形成一影像之三光束成像，第〇順位光束和 第1順位繞射光束之間及第〇順位光束和第- 1順位繞射 光束之間之角度未達90°，其形成一成像之基本頻率，且 極化作用之影響未顯著出現。另一方面，雙光束成像包含 兩第]繞射光束間之干擾及第〇順位光線和第± 1順位繞 (3) 200421047 射光束之一之間之干擾。極化作用對成像效能之影響是嚴 重的，因形成基本頻率之兩光束具大角度。
而且，在浸泡情況中，兩光束成像可有問題地符合在 某一極化光線方向中一點也未形成影像之情況。在習知非 浸泡式光學系統中，這種現象未曾發生。如第1 6 A圖中 所示，當兩干擾光束應該形成一影像時，在紙表面上具〜 極化方向之P、極化光束未彼此干擾或未促成成像，因他 們形成9 0 °角。當兩光束對稱並形成9 0 °角時，入射角 爲 45°，且 sin45° = 0.7。
另一方面，第16B圖中所示之S -極光束具一垂直於 紙表面之極化方向並形成具良好對比之影像。這種事實現 在定義一極化方向，該方向形成一良好對比之影像，作爲 S —極分量或S -極光線。如所硏討的，當兩光束在紙表 面上彼此干擾時，S -極光線具一垂直紙表面之極化方向 。極化方向表示形成一圖案之方向。當兩光束形成一干擾 紋時，S極光線方向與由兩光所形成之干擾紋各縱向一致 :X方向爲形成在X方向中延伸其精細結構之干擾圖案時 ，S極光線之方向。Y方向爲形成在Y方向中延伸其精細 結構之千擾圖案時，S極光線之方向。 當考慮到兩光束干擾時，它透過在抗蝕劑中具± 0 r 角之兩光束間之干擾形成一影像。其中，η。爲投影光學系 統與晶圓間一媒體之折射率，Θ。爲媒體中一角度，而〜 爲抗蝕劑之折射率。從史奈爾定律（s n e 11 ’s 1 a w )建立以 下方程式（1 ) (4) 200421047 n r · s i η 0 Γ = η 〇 · s i η 0 〇 ( 1 ) 當媒體爲空氣時’因η〇=]且sin^oCl而建立以下之 方程式（2 ): nr · sin Θ r = n〇 · sin 0 〇< 1 ( 2 )
在A r下準分子雷射之情況中，抗蝕劑一向具折射率 nr=1.7，且方程式（2)導致sin0r<〇.59。因此，當媒體 爲空氣時’ ί/L触劑中之6* r角決不表示s i η 0 r = 0.7。結果 ，抗蝕劑中，交叉角爲9 0 °之情況決不會發生。 另一方面，在媒體爲液體之浸泡之情況中，建立以下 之方程式（3)。當媒體之折射率η。=1.47時： ηΓ· s i η 0 r = η 〇 · s in <9 〇< 1 . 4 7 (3) 因抗蝕劑經常具折射率nr=l ·7，sin 0 r<0.86，因此， 當媒體爲液體時，0 r可保持sin (9 r<0.7之條件。
再來，當媒體爲空氣時，從未符合sin Θ r<0.7之條件 ，但是當媒體爲液體時，可符合sin 0 ^0.7之條件。因此 ，P極光線不會干擾且與P極光線之對比變成零。當照明 光線未極化時，只有爲入射光一半之S極光線促成成像。 P極光線未促成成像。因此使對比減半，而產生減弱對比 之問題。 例如，在 ArF準分子雷射之情況中，當媒體爲水且 n〇=1.47時，建立以下之方程式（4 )： Ηη0ο=^ι5;ίι1θ，·^:ίη45° = 〇·81 (4) 結果，水媒體造成當s i η 0。= 0 · 8 1時未提供Ρ極光線 干擾之情況。因此，當媒體中之入射角大槪符合 - 7- (5) 200421047 s i η 0。= 〇 · 8時，P極光線不會形成影像。因浸泡式之光學 系統諸具甚大於1 · 0超咼N A，故這問題無法避免。在這 情況中’媒體中之角度符合s i η 0。= 〇 . 8。甚至在f 2準分 子雷射之情況中’因媒體之折射率約1 . 3 6且抗蝕劑射率 大或等於1 · 5，故當sin 0。大槪爲〇 . 8時即建立類似之關
已知抗蝕劑和液體所增加之折射率對增加；N A起作用 。根據其材料，抗蝕劑和液體具不同折射率。如美國專利 案號4，3 4 6，1 6 4之發表，最好抗蝕劑和液體間之折射率有 小差異’但在平常情況中，抗蝕劑中之sin Θ r稍小於媒體 中之s i η Θ。。發明者已發現因預期將發展浸泡專用之抗蝕 劑’故最好設定曝光設備端媒體中之sin β。大槪等於抗蝕 劑中之s i η 0 r。因此，可視未提供Ρ極光線干擾之條件爲 Γ = 〇·7 〇
如所硏討的，對更精細圖案而言，高ΝΑ投影光學系 統是必要的，而由於高Ν Α成像光束之ρ極化特性，成像 效能即變差。在某些情況中，無法如預期以簡單之定比理 論形成想要之圖案，這即未顧及極化作用。 【發明內容】 因此，本發明之一典範目的在提供一種防止由於極化 之影響所造成之質降成像效能，保持預期對比，並形成預 期圖案之浸泡型曝光方法及設備。 如本發明一觀點之曝光方法將曝光物體之一表面及最 (6) 200421047 接近物體之投影光學系統之表面浸泡在液體中，並經由投 影光學系統將形成在一罩幕上之一圖案投影在物體上面， 將從垂直於投影光學系統一光軸之一軸發出平行於圖案延 伸方向並在液體中入射角爲Θ之光線之有效光源形成在投 影光學系統之一鏡孔上，其中，光線只包含滿足9(Γ一 0 s Θ ΝΑ之一入射角0區域中之 S極光線，其中之 0ΝΑ爲最大値之入射角0。
如本發明另一觀點之曝光方法經由一至少部份浸泡在 液體中且光圈數値爲η。· sin 0 ΝΑ之投影光學系統將形成 在一罩幕上之圖案轉印到一曝光物體上面，其中η。爲液 體之折射率，照射抗蝕劑，使得其中，X軸爲和Υ軸之在 罩幕上所形成圖案之延伸方向及垂直及X方向中之一方 向’ Θ爲從液體至抗蝕劑之入射角，形成在投影光學系統 鏡孔上一有效光源之區域相當於滿足 90 ° — 0 ΝΑ< β < 0 να，在X及Υ兩軸之垂直方向具一源性極化分量之入射 角0。 如本發明還另一觀點之曝光方法經由一至少部份浸泡 在液體中之投影光學系統將形成在一罩幕上之圖案轉印到 一曝光物體上面，只將S極光線照射在形成在投影光學系 統鏡孔上之一有效光源上之一區域上面。其中，兩成像曝 光光束在該區域上產生一垂直狀態。 這區域可爲藉由交叉兩圓所形成之獨木舟形，藉由線 性方式切下部份圓形之形狀，藉由線性方式切下部分環狀 形之形狀，或一圓形。 冬 (7) 200421047 如本發明還另一觀點之曝光方法經由波長爲λ之曝光 光線及~至少部份浸泡在液體且充圈數値爲η。· sin 0 之投影光學系統將形成在一罩幕上之圖案轉印到一曝光物 體上面，其中，Ν。爲液體之折射率，其中，液體在滿足 3 0 00 · λ · cos 0 ΝΑ之投影光學系統之光軸方向之厚度 爲d。
如本發明另一觀點之曝光方法經由一至少部份浸泡在 液體中之投影光學系統將形成在一罩幕上之圖案轉案到一 曝光物體上面，其中，最接近物體之投影光學系統表面接 觸到液體並加以保護，不沾到液體。
用以將形成在一罩幕上之圖案轉案到一曝光物體上面 之如本發明另一觀點之曝光設備包含一至少部份浸泡在液 體中且數値光圈爲n。· sin0NA之投影光學系統，其中， η。爲液體之折射率；並包含一在相當於一 Θ角範圍之該投 影光學系統之鏡孔上控制對一區域之極化之極化控制部， 其中，曝光光線以Θ角從投影光學系統離開，0角範圍滿 9〇° — 其中，0ΝΑ爲最大値之X射角0 用以將形成在一罩幕上之圖案轉案到一曝光物體上面 之一曝光設備包含一至少部份浸泡在液體中之投影光學系 統，及在該投影光學系統之鏡孔上控制對一區域之極化之 極化控制部，其中，兩成像曝光光束在該區域上產生一垂 直狀態。 極化控制部可只對S極光線設定極化。極化控制部可 -10- (8) 200421047
包含對一投影光學系統鏡孔表面大槪佈置成共軛之極化元 件。極化控制部可包含佈置在投影光學系統鏡孔表面上之 一光圈制止器，其中，光圈制止器之光圈形狀爲藉由交叉 兩圓所形成之獨木舟形。極化控制部可包含一佈置在投影 光學系統之鏡孔表面上之光圈制止器。其中，光圈制止器 爲藉由線性方式切下部份圓形之一光圈形狀。極化控制部 可包含一佈置在投影光學系統之鏡孔表面上之光圈制止器 。其中，光圈制止器爲藉由線性方式切下部份環狀形之光 圈形狀。 極化控制部可包含一佈置在投影光學系統鏡孔表面上 之光圈制止器，其中，光圈制止器爲圓形光圈形狀。極化 控制部透過控制可維持對比約爲0.7。
根據本發明另一觀點之曝光設備包含一將形成在一罩 幕上之圖案轉案至曝光物體上面之投影光學系統，該曝光 設備將物體表面，及最接近物體之投影光學系統表面浸泡 在液體中，並滿足（K3000·又· cos0。，其中，η。· sin Θ。爲投影光學系統之數値光圈，η。爲液體折射率，λ (nm )爲曝光用光線之波長，且d爲投影光學系統光軸 方向中之液體厚度。曝光設備可更包含一濺射膜，其中， 最接近物體之投影光學系統表面與液體接觸，且位在一氟 化鈣基體上並覆蓋有濺射膜。 一裝置製造方法包含使用以上曝光設備’並對曝光物 體實施一預定製程，使物體曝光之步驟。用以實施類似於 以上曝光設備之裝置製造方法之請求項目包含如中介及最 -11 - (9) 200421047 終產品之裝置。這種裝置包含像L S I及V L S I之半導體晶 片、CCD、LCD、磁性感測器、薄膜磁頭之類者。 參考隨圖，從較佳實施例之以下說明，本發明之其它 目的及進一步特性將變得輕易顯而易見。 【實施方式】
參考第1圖，現將說明根據本發明一實施例之曝光設 備100。在此，第1圖爲曝光設備100之示意方塊圖。如 第1圖中所示，曝光設備包含一照明部1 1 0，一罩幕或網 線1 3 0，一網線平枱1 3 2，一投影光學系統1 4 0，一主控 單元1 5 0，一監視器及輸入裝置1 5 2，一晶圓1 7 0，一晶 圓平枱176，及一作爲媒體用之液體180。因此，曝光設 備1 〇 〇爲一浸泡型曝光設備，其以液體1 8 0部份或完全地 浸泡投影光學系統1 4 0底部表面與晶圓1 7 0間之間距，並 經由液體]8 0，使形成在罩幕1 3 0上之圖案曝光至晶圓 1 70。雖然全部實施例之曝光設備1 〇〇爲一步進及掃瞄方 式之投影曝光設備，然本發明適用於步進及重複方式及其 它曝光方法。 照明設備1 〇〇照射一上面有形成一轉印電路圖案之罩 幕1 3 0，並包含一光源部及一照明光學系統。 光源部包含作爲光源之雷射1 1 2，及一光束成形系統 1 ] 4。雷射1 1 2可爲脈衝式雷射，如波長大槪爲1 9 3 nm之 ArF準分子雷射，波長大槪爲2 4 8nm之KrF準分子雷射， 波長大槪爲]5 7 nm之F2雷射等。雷射種類，雷射單元數 -12 - 200421047 do) 及光源部型式不受限。 光束成形系統1 ] 4可使用，例如，具多數圓柱形透鏡 之光束擴充器等，並將來自雷射]12之截面形平行光束之 縱橫比大小轉換成一預期値（例如，將截面形狀從矩形改 變成方形），因此，將光束形狀重定形爲預期形狀。光束 成形系統1 1 4形成之光束具有大小及要照射稍後所說明之 一光學整合器118所需之發散角。
照明光學系統爲一照射罩幕1 3 0之光學系統，並在本 實施例中包含一聚光光學系統1 1 6，一極化控制部1 1 7， 一光學整合器118，一光圈制止器120，一聚光透鏡122 ，一偏光鏡124，一光罩葉片126，及一成線透鏡128。 照明光學系統].2 0可應付各種照明模式，如習知照明，環 形照明，四極照明等。 聚光系統1 1 6包含一必要之光學元件，並將具預期形 狀之光束有效地導入光學整合器118中。在某些情況中，
1 1 6含一變焦透鏡系統加以控制形狀及投射至n 8入射光 束之角分佈。 聚光系統1 1 6更包含一曝光量調整器，該調整器能改 變每次照射罩幕1 3 0之照明光線曝光量。曝光量調整器爲 主控單元1 5 0所控制。可將監控曝光量之位置安置在其它 地方，例如，在蠅眼透鏡1 ] 8與網線1 3 0之間。 極化控制部1 1 7包含，例如，一極化元件，該元件分 佈置對投影光學系統]4 0之鏡孔1 4 2大槪成共軛。如稍後 之說明，極化控制部1 1 7控制一形成在鏡孔]4 2上之有效 -13 - (11) 200421047 光源之一預定區之極化。極化控制部1 1 7可包含多種型式 之極化元件，該元件設在可由一製動器（未示出）加以旋 轉之透鏡旋轉枱上，且主控單元1 5 0可控制掣動器之驅動
光學整合器]1 8形成照射罩幕1 3 0之均勻照明光線， 包含，在這立即實施例中作爲蠅眼透鏡，將入射光之角分 佈轉換成位置分佈，因此使光線離開。使蠅眼透鏡維持其 入射平面及其離開平面處於傅立葉（Fourier )轉換關係， 及多數棒狀透鏡（或精細透鏡元件）。然而，可用於本發 明之光學整合器1 1 8不限於蠅眼透鏡，且可包含一光學棒 ，一繞射光柵，多數對圓柱透鏡陣列板等，該陣列板佈置 得使這些對彼此垂直。
就在光學整合器118之離開平面後設有一具有固定形 狀及直徑之光圈制止器1 20。如稍後之說明，將光圈制止 器120佈置在與投影光學系統140之鏡孔142上之有效光 源大槪成共軛之位置，且光圈制止器1 2 0之光圈形狀相當 於投影光學系統140中鏡孔142表面上之有效光源形狀。 如稍後之說明，光圈制止器1 20之光圈形狀定義有效光源 之形狀。如稍後之說明，可切換各種光圈制止器，故根據 照明情況，它位在一制止互換機構（或掣動器）1 2 1旁之 光徑上。由主控單元1 5 0所控制之驅動控制單元1 5 1控制 掣動器]2 1之驅動。光圈制止器丨20可與極化控制部1 1 7 加以整合。 聚光透鏡12之收集已從靠近光學整合器118之離開 -14- (12) 200421047 平面之第二光源離開並通過光圈制止器〗2 〇之所有光束。 光束被鏡片124反射並均勻照射或秤樂（koehler)式照 射光罩葉片1 2 6。
光罩葉片126包含多數可移動之擋光板，並具相當於 投影光學系統1 4 0可用面積形狀之一大槪爲矩形之開口。 使用已通過光罩葉片1 26開口之光線作爲罩幕之照射光線 。光罩葉片126爲一具有自動可變開口寬度之制止器，因 此可改變轉印面積。曝光設備1 0 0可更包含一結構類似於 以上先罩某片126之掃猫葉片，其可在掃瞄方向改變曝光 面積。掃瞄葉片亦爲一具自動可變開口寬度之制止器，且 被安置在對於罩幕1 3 0表面爲光學上大槪是共軛之位置。 因此，曝光設備可使用這兩可變葉片，根據一曝光照之尺 度，設定轉印面積之尺度。
成像透鏡1 2 8將光罩葉片1 2 6之光圈形狀轉印在網線 1 3 0上面加以照射，並使一縮減影像之網線1 3 0投影在安 裝於晶圓基座上之晶圓1 7 〇上面。 罩幕130有一要轉印之電路圖案或一圖案，並由一罩 幕平枱1 3 2加以支撐並驅動。從罩幕1 3 0發出之繞射光線 通過投影光學系統1 4 0，然後再投射在晶圓1 7 0上面。晶 圓1 7 0爲一曝光物體並在上面塗有抗蝕劑。罩幕1 3 0和晶 圓1 7 0位在光學上具有共軛關係之位置。本實施例中之曝 光設備爲一步進且掃瞄型之曝光設備（即’’掃瞄器”），且 因此，掃瞄罩幕1 3 0與晶圓1 7 0，將罩幕1 3 0上之一圖案 轉印在晶圓1 7 〇上面。當它爲步進且重複型曝光設備（即 - 15- (13) 200421047 ，”步進器”）時，使罩幕1 3 0及晶圓1 7 0保持靜止，加以 曝光。 第2圖表不一罩幕圖案實例。第2A圖爲一在X軸方 向具反覆方向，並在 Y軸方向加以延伸之罩幕圖案之平 面圖。第2B圖爲一在Y軸方向具反覆方向，並在X軸方 向加以延伸之罩幕圖案之平面圖。第2C圖爲一混合這些 圖案之罩幕圖案之平面圖。
罩幕1 3 0不限於-二進位罩幕，且可爲一相位位移罩 幕。罩幕1 3 0上所形成之圖案可包含如閘極，接觸孔或其 它圖案之線路圖案。
罩幕平枱1 3 2支撐罩幕1 3 0，並連接至一傳輸機構（ 未示出）。罩幕平枱132及投影光學系統140是安裝在一 透鏡桶揆上，該透鏡桶揆是經由，例如，一阻尼器，對安 置在地板上之底架加以支撐。罩幕平枱1 3 2可使用這技術 中已知之任何結構。傳輸機構（未示出）由一線性馬達之 類者加以組成，並驅動X — Y方向中之罩幕平枱1 3 2，因 此，移動罩幕130。曝光設備100在一與主控單元150同 步之狀態中加以掃瞄罩幕1 3 〇及晶圓1 70。 投影光學系統1 4 0之作用爲使繞射光線成像，該繞射 光線使罩幕1 3 0上所形成之圖案已產生在晶圓1 70上面。 投影光學系統1 4 0可使用一主要含多數透鏡元件之光學系 統，一含多數透鏡元件及至少一內凹鏡（一反射型光學系 統）之光學系統，一含多數透鏡元件及至少一如水溶性樹 脂型式之繞射光學元件之光學系統，及一全鏡片式光學系 -16- (14) 200421047 統等。任何必要之色度像差修正可透過由不同分散値（ Abbe値）之玻璃材料所製成之多數透鏡單元，或佈置― 繞射光學元件’使其分散在與透鏡單元相反之方向。否則 ’色度像差之補償可窄化雷射光譜寬度加以完成。如今， 線路窄化之ΜΟΡΑ雷射爲其中一主流。
主控單元1 5 0控制各組件之驅動，且尤其是根據輸入 至監視器及輸入裝置152之輸入裝置之中之資料，來自照 明設備1 1 0之資訊，及儲存在一記憶體（未示出）中之程 式加以控制照明照。更尤其是，如稍後之說明，主控單元 1 5 0控制形成在投影光學系統1 4 0鏡孔1 4 2上之有效光源 之形狀，及極化。主控單元1 5 0之控制資訊及其它資訊是 指示在監視器及輸入裝置152之顯示器上。 在另一實施例中，晶圓1 7 〇爲一液晶板及另一曝光物 體所取代。光阻劑172是塗在一基體174上。
晶圓1 7 0是由一晶圓平枱1 7 6所支撐。平枱1 7 6可使 用這技術中已知之任何結構，且因此省略其結構及運作之 詳細說明。例如，平枱1 7 6使用一線性馬達，在X 一 γ方 向移動晶圓1 7 0。例如，同步掃瞄罩幕1 3 0及晶圓1 7 〇， 且例如以一雷射千擾儀之類者監視罩幕平枱1 3 2及晶圓平 枱1 7 6之位置，俾能以定速比加以驅動兩者。平枱1 7 6是 安裝在一平枱揆上，該平枱揆是例如，經由一阻尼器支撐 在地板之類者上。最接近晶圓1 7 0之投影光學系統1 4 0之 底面是浸泡在液體1 8 0中。液體〗8 0所選取之材料對曝光 光線之波長具良好透射率’不污染投影光學系統1 4 〇，並 -17 - (15) 200421047 符合抗蝕製程。投影光學系統1 4 0最後元件之塗層保護元 件隔離於水。
現將說明主控單元1 5 0之極化控制。參考第3圖，現 將說明極化作用。在此，第3 A和3 B圖爲用以定義S極 光線和P極光線之典型圖。如第3 A圖中所示，將S極光 線定義爲在垂直於投影光學系統1 4 0之橫切面（紙面）方 向中加以極化之光線，或如第1 6 B圖中所示，爲垂直於含 兩成像光束之平面加以極化之光線。將P極光線定義爲在 平行於投影光學系統1 40之橫切面（紙面）方向中加以極 化之光線，或如第1 6 A圖中所示，爲平行於含兩成像光 束之平面加以極化之光線。
另言之，如我們取XYZ軸暫時作爲以下定義，S極 光線在Y軸方向中極化而P極光線在X軸方向中極化， 其中，將X軸設定在平行於含兩成像光束表面或紙面之 方向，並將 Y軸方向設定在垂直於含兩成像光束表面或 紙面之方向，並將Z軸設定在光線之傳播方向。一精細圖 案中之一精細結構延伸垂直於紙面並被指定至S極光線。 較高解析度之成像效能需要消除減弱成像對比之P極 光線且只能使用S極光線。另言之，如第2 A圖中所示， 在Y軸方向中爲長之罩幕圖案應使用S極光線加以成像 ，如箭頭所示，其極化方向在Y軸向。 但是，如第2B圖中所示，在X軸方向中爲長之罩幕 圖案應使用S極光線加以成像，如箭頭所示，其極化方向 在X軸向。 -18 - (16) 200421047 本貫施例嘗試只指定S極光線至有效光線上之一區域 ，其允許兩光束形成一 si η Φ=0.7之角度，其中，中（度 )爲在液體1 8 0中使一圖案成像之這兩繞射光束間兩度之 半。
在諸如爲一實施例之雷文森（Levenson )型相位位移 罩幕之第0順位光線和第1順位光線或第± 1順位光線之 兩光束干擾情況中，這區域對應針對形成在鏡孔1 42上之 有效光源滿足 90 ° — 0 NAS (9 < 0 να之區域，其中，Θ爲 液體180中之一光線角且0ΝΑ爲液體中之最大角。雖然 要實際避免形成90 °之抗蝕劑需要兩光束，但可視0 ΝΑ 爲液體及抗蝕劑所共通之最大角，因當液體之折射率接近 抗蝕劑時，可視0。幾乎等於0 r。在一另選實施例中，這 區域位在形成於鏡孔1 42上之有效光源上，並允許兩成像 曝光束產生一垂直狀態。
雖然已硏討說明S極光線及一圖案方向間之關係，這 可被轉換成有效光源之鏡孔座標如下：在投影光學系統 1 4〇鏡孔1 42上之有效光源照射光線中，S極光線沿垂直 於從鏡孔1 4 2中心之半徑之切線方向爲其極化方向。實在 是，以要成像圖案之方向加以決定S極光線。因實際之 L S I圖案常包含X和γ方向中之圖案，故S極光線基本上 在X或Y方向中具一極化方向：在X方向中具一極化方 向之有效光源區域可存在於投影光學系統之鏡孔上沿X 軸具一中心之對稱區域中。當含一 4 5 °方向時，一實例包 含X、Y及±45°之四個方向。 -19- (17) 200421047 進一步調查以上情況之結果，這是藉指定S極光線至 以角0照射至第1 6 C圖中液體]8 0內之照明光線中之組成 所達成的，在投影光學系統〗40中以下方程式表示，其符 合0να>45°或sin(9NA>0.7，其中，0NA爲液體中之最大 角： sin ( 90°— θ να)幺 sin0 幺 sin(9NA ( 5 ) 90° — 0na 幺（9 仝 0na (6)
現參考第1 6C圖，0爲方程式（5 )和（6 )中對抗蝕 劑之入射角。另言之，0意爲曝光線相對於垂直基體表面 所形成之角度。Θ NA爲曝光線最大入射角，是入射角0 之最大値。
有鑒於一角度而不顧及折射率，現考慮有效光源之最 大半徑σ μ AX，其中，有效光源之半徑爲投影在鏡孔1 4 2 上照明光學系統之光源分佈。爲正規化起見，視鏡孔142 之半徑爲1。然後，當使用σ時，方程式（6 )對應S極 光線之指定至以下列方程式（7 )表示有效光源區域之範 圍： σ ]Ki = sin ( 90°— Θ /sin6^NA<G 幺 0ΜΑχ (7) 其中，σ max爲對應所設定有效光源分佈中最外部之 —參數，且σ MAX、Sin θ NA爲液體180中照明光線之最大 角。 因一實際LSI圖案在X及Y方向中常擁有特定方向 特性，故應考慮選取有效光源形狀。第4和5圖表示當考 慮方向性之特性時，有效光源之兩度空間分佈。在此，第 -20- (18) 200421047 4A圖爲一定義極化，使第2A圖中所示之罩幕圖案曝光之 有效光源分佈。第4B圖爲一定義極化，使第2B圖中所 示之罩幕圖案曝光之有效光源分佈。第5圖爲一定義極化 ’使第2 C圖中所示之罩幕圖案曝光之有效光源分佈。
參考第6和7圖，現將說明有效光源上一區域和一極 化方向間之關係。如第2A圖中所示，考慮的是平行於Y 方向之一罩幕圖案。如第6圖中所示，在習知情況中，一 正常之有效光源在正常座標之有效光源上之半徑σ內具一 光源，並在X及Υ方向中具混合之極化狀態。因未考慮 到極化作用。
在第2Α圖中所示罩幕圖案之成像中指定S極光線至 一箭頭所示之 Υ方向中之極化方向。第7圖表示投影光 學系統140中之鏡孔142，並使有效光源區域σ max ) 變白。以0 !角從投影光學系統1 4 0發出至液體1 8 0之光 線以有效光源之標準化座標上之sin 0 "sin (9 NA位置加以 進入。就k]因數（=R/ ( λ /NA))而言，第2Α圖中所 示之罩幕圖案爲一小於〇. 5之充份精細圖案。第7圖中一 虛線所連接之兩黑點表示爲第〇和第- 1順位光線或第〇 和第+ 1順位光線之兩光束干擾對。兩黑點間之距離在標 準化座標中以1/ ( 2k,)表示。繞射光束行經垂直於當中 各精細圖案延伸之方向。 如以上之硏討，浸泡允許一對光束形成一大槪符合 sind) =0.7之角度，因P極光線一點也不提供對比。因此 ，透過指定對 Y方向之極化方向作爲產生這一對之區域 -21 - (19) 200421047
中之S極光線可增進影像之對比°陰影區表示根圖案加以 控制一極化方向之區域。陰影區需要之條件爲表示第0順 位光線之兩黑點之一是包含在表示有效光源之白部位中， 且表示第± 1光線之另一點是包含在鏡孔中。發現陰影區 所利用之條件爲黑點對間之距離爲1 ( 21^ )之區段之兩 端存在於鏡孔1 4 2中。在這情況下，兩斜線區（第8 A圖 )爲一舟形，結果爲兩圓交叉。本實施例之特性爲液體 1 8 0中之0角針對沿X軸之邊線符合以下條件： sin(90。一 0ΝΑ) max· sin0NA (8) 其中，σ max爲對應於有效光源中最外部位之一參數 ’而σ m a X、s i η 0 n a爲液體中照明光線之最大角。 在第7隱中，區域外之一直線爲最大有效光源半徑 π max之圓且圓心在x = 〇。另一方面，內部形成半徑爲1 且圓心在χ=— (σΙΝ+1)之圓，其中，（j1N以以下方程 式表示 ：
〇 iN = sin ( 90°- θ να) /sin^ να ( 9 ) 另言之，雖然第7圖只表示圓心在X=- （ σ+ 1 ) 且半徑爲1之圓，要指定給S極光線之區域是由圓心在 x = 0 ’最大有效光源半徑爲σ max之圓和圓心在Χ= ± ( σ 】ν+1 ) ’半徑爲1之圓之交點所定義。 雖然方程式（8 )只沿X軸或γ軸定義一軸上角度範 圍’有照明光束是不在軸上，但歪曲地入射至投影光學系 統。因歪曲光線之角度範圍爲α ^ 0 < 0 ΝΑ，最小値α變成 Υ之函數。 -22- (20) 200421047 提供一最小角度値α之座標是位在圓心在或 Χ = Χ2，Ύ = 〇 之圓上。從 χ】=+( σ】Ν1 + ι)且 χ2=— ( 〇 1Ν+ι )，圓心在Χ = 之圓符合（χ—Χ】）2 + Υ2 = 1且χ = χ】土 λ/(!-】’)2。對 XS1，Χ = Χ!—扣-Y)2。從 a =tan —】（Y/X )( 〇<α“5。） ，a^tan-WY/Xhtan— 1(Υ/(Χ2- λ/(ι-)7)2—))。因此，平行於X軸但非沿X軸之Χ2平面具
以下角度範圍：α<θ€0ΝΑ(Ο<α<45。），其中，α = tan ( Y/X) =tan 1 ( Y/ ( X ι — -^/(1 — Y)2 ) ，X 】=+ ( g 1N + 1 )，其中，σ IN是從方程式（9 )加以計算。 應指定從GIN = sin(90° - 0ΝΑ) 之 σ範圍只爲X軸上Y方向中之S極光線。
另一方面，在浸泡媒體中具有小入射角0 1，符合 s i η Θ s i η ( 9 0 ° — Θ N a )之照明光線未促成精細圖案之 成像。但促成具小繞射角之粗略成像圖案。在這情況中， 極化較無影響且不需考慮極化控制。可指定非極化光線或 極化光線至這區域，並表示幾無差異。 本實施例因此特性爲，極化作用只考慮爲有效光源中 入射在陰影區之光線。如第4A圖中所示，這些陰影區對 Y軸爲對稱，並對S極光線之Y方向中或一定義投影光學 系統1 4 0之鏡孔1 4 2之圓中之切線方向具極化方向。 平行於X方向，第2B圖中所示之罩幕圖案，符合， 如第4B圖中所示，旋轉90 °，第4A圖中所示之形狀，. 且陰影區對X軸爲對稱，並在X方向中具極化方向，作 爲S極光線。Y軸上之邊線由方程式（8 )表示。邊線條 -23- (21) 200421047 件與相對X軸之計算相同。 如第5 A圖中所不，第2 C圖中所示，平行於X軸和 Y軸之類似精細罩幕圖案之混合圖案可利用對稱於X軸及 Y軸之陰影區，並對S極光線在作爲切線方向之X和γ 方向具一極化方向。X軸和Y軸上之邊緣點符合方程式（
8 )。當0na增大時，X方向中之S極區域及γ方向中之 S極區域即發生重疊。如第5 B圖中所示，可將這種重疊 區域設爲一非極化區，或具零光線強度。如第5 C圖中所 不’可將極化針對通過圓心之直線分成邊線。如第5 D圖 中所示，當有效光源具極化方向分佈時，有類似之作用。
第8 A圖中所示之雙極照明適於第2 A圖中所示之罩 幕圖案。這圖案只限於精細尺度並延伸在一方向中。第 8A圖中所示之有效光源符合X軸上之方程式（8)。當第 〇順位光線進入陰影區時，± 1順位光線之一即通過鏡孔 。雙極照明對於如第2A圖之圖案是有效率的。僅如雙極 照明符合X軸上之方程式（8 )時，可適用諸如第8 B圖 中所示，以一直線切割一圓之形狀，第8 D圖中所示，以 直線部份切割一環形之形狀，以及第8 C圖中所示之圓形 之各種形狀。在第8圖中，陰影部位爲一可控制其極化之 發光部，而灰色部位爲一擋光部。 雖然第5圖表示適用於第2 C圖中所示，具精細圖案 延伸在多數方向之罩幕圖案之一典範有效光源，但亦適用 第9圖中所示之環狀照明。在第9 A及9 B圖中，可控制 陰影區之極化，而灰色部爲擋光部。第9 A圖中之白色部 -24 - (22) 200421047 位爲一發光部。設定環狀照明區中之外及內徑範圍符合χ 軸及Y軸上之方程式（8 )內，並設定極化方向爲圖解之 切線方向。位在± 4 5 °部位之極化邊線可未被極化。另外 ，X及Y方向中之極化方向在此可彼此替換。
混合對X軸及Y軸爲歪斜之4 5。方向之圖案可指定 S極光線至符合根據如第1 〇圖中所示圖案方向之方程式 (8 )之區域。在這情況下，根據旋轉對稱4 5。方向之σ 範圍與方程式（8 )相同。
由於熱像差等問題，在一實際光學系統中難以插入一 極化元件至投影光學系統1 4 0中。因此，在網線1 3 0之前 ，本實施例控制有效光源一預定區之極化。例如，使用光 學整合器1 1 8之前所提供之極化控制部〗丨7加以控制極化 。光學整合器1 18包含一與投影光學系統14〇之鏡孔142 成共軛之部位。爲簡化光學系統，最好在光學整合器1 ] S 控制極化狀態。光圈制止器1 2 0調整有效光源之形狀。光 圈制止器1 2 0能控制極化。 除一特殊加構外，投影光學系統1 4 0通常不具方向特 性。因此，習知之非浸泡系統已經以一非極化狀態處理照 明光線。照明光線不具在有效光源上半徑小或等於σ ( σ )之特殊狀態之Ρ極光線及S極光線。然而，在浸泡 之情況下，了解到當考慮成像光線之頻率成份時，在X 或Y方向適於成像圖案之極化情況即存在。這情況等於 以上所提及之切線方向之極化特性或S極化特性。極化作 用錯來自P極光線之促成’提供封低和局頻圖案之不同程 -25- (23) 200421047 度之質降。高頻圖案只使用鏡孔之周邊區，且對極化作用 非常敏感。另一方面，低頻圖案使用所有區域且未受極化 甚多影響。 由於投影光學系統1 4 0鏡孔1 4 2內部之低頻成份之對 比縮減爲小，因此不需考慮極化光線之影響。因極化狀態 較少影響解析度效能，故能不用考慮極化作用，設計一使 粗略圖案成像之光學系統。
因此，由本實施例所提議，第4、5及8 — 1 0圖中所 不之有效光源形狀可指定任何極化光線至其在陰影區外， 有效光源上之區域。陰影區必定具有切線向之極化。圖案 方向數決定定義指定沿S極光線區域之方式。而方程式（ 8 )決定軸上之區域，該軸之方向垂直於圖案直線方向。 所選取區域必須對稱。另言之，當一圖案具一方向時，如 第4圖中所示，應指定兩區域至S極光線；當一圖案具兩 方向時，如第5圖中所示，應指定四區域至S極光線；當 一圖案具三或四方向時，應指定一區域至如第10圖中所 示，大槪爲環狀之S極光線。爲增進不含大圖案卻只含精 細圖案之圖案之精細解析力，第8及9圖中所示之有效光 源形狀是適用的。選取指定給S極光線之區域之方式與第 4B及5圖相同，但與第4及5圖不同的是中心部位被光 線擋住。 本實施例以光圈形狀之光圈制止器1 20實現第4、5 和8 — 1 〇圖中所示之有效光源形狀。這些有效光源形狀具 體化爲光圈制止器1 2 0之發光及擋光部形狀。本實施例佈 -26- (24) 200421047 置在一透鏡旋轉枱上具有這些多數有效光源形狀之多數型 式光圈制止器，使得掣動器1 2 1能切換他們。類似地，將 相當於光圈形狀之光圈制止器之多數型式極光元件佈置在 透鏡旋轉枱上，使得掣動器（未示出）能切換他們。本發 明一觀點亦包含具有光圈制止器1 2 0及極化控制元件之照 明光學系統及曝光設備。曝光設備具控制有效光源形狀及 極化兩者之各種曝光模式。
在曝光作業中，以光束成形系統1 1 4將從雷射1 1 2發 出之光束重整形爲預期之光束形狀，且然後進入照明光學 系統。聚光系統1 1 6有效率地導引光束至光學整合器1 1 8 。那時候，曝光量調節器調整照明光線之曝光量。
主控單元1 5 0辨認罩幕圖案資訊，回應一使用者透過 監視器及輸入裝置1 5 2之輸入裝置，或藉讀取，例如形成 在罩幕上一條碼之輸入，並藉驅動光圈制止器120之掣動 器及極化控制部1 1 7之掣動器（未示出），選取光圈形狀 及極化狀態，作爲適於罩幕圖案化之照明條件。例如，如 第4A圖中所示，主控單元150設定第2A圖中所示之罩 幕圖案之極化狀態。 光學整合器1 1 8使照明光線均勻，且光圈制止器】20 設定一預期之有效光源形狀。這種照明光線透過偏光鏡 124，光罩葉片126及成像透鏡128，在最佳條件下加以 照射罩幕1 3 0。 投影光學系統1 4 〇以一特定倍率將已通過罩幕1 3 0之 光束投射在平板4 0 0上面。一步進及掃瞄之曝光設備會固 -27- (25) 200421047 定住光源1 ] 2及投影光學系統1 4 〇，並同步掃瞄罩幕]3 0 及晶圓1 7 0，然後使整張照曝光。將晶圓平枱丨7 6步推進 至下一曝光照並完成新掃瞄作業。藉由重複這種曝光掃瞄 及步進’使許多曝光照曝光至晶圓1 7 0。步進及重複型式 之曝光設備，當罩幕1 3 0及晶圓I 7 0處於靜止狀態時完成 曝光作業，且接著步進作業。
因最接近晶圓1 7 0之投影光學系統1 4 0之底面是浸泡 在比空氣具較高折射率之液體〗8 〇中，故投影光學系統 1 5 0具較高N a，並達成較精細之解析度。此外，極化控 制在抗蝕劑1 72上形成一較高對比之影像。結果，曝光設 備1 〇 〇精確地將圖案轉印在抗蝕劑上面，能提供高品質之 裝置（如半導體裝置，LLD裝置，照相裝置（·如CCD等 )，薄膜磁頭之類者）。 實例1 現將說明根據本發明，利用浸泡型曝光設備1 〇 〇之實 例1。曝光設備100使用（波長爲193nm之）ArF準分子 雷射爲光源U2，及數値光圈爲1.32之投影光學系統140 ，其中，液體180中之最大角符合sin0NA = 〇.9，液 體1 80之折射率爲1 .47，且照明系統符合σ μαχ = 〇·9。投 影曝光設備爲一種縮短投影曝光。根據曝光設備之縮減比 ，標的圖案尺寸和罩幕圖案尺寸相異。以下說明將罩幕 130上之一圖案尺寸轉換成晶圓170上之一尺寸。 第Π Α及Π Β圖當改變第2 C圖中所示罩幕圖案中之 -28- (26) 200421047 關鍵尺度及間隔，或點距時，表示對比深度（# m )，並 延伸在X和Y方向，其中之罩幕圖案混合具有相同關鍵 尺度及間隔之直線及間隔（，，L/ S ”）圖案。 當 sin0NA = 〇.9 時，0^爲 64°。sin(9〇— 0NA) / sin0NA = (K44/(K9 = O.49。因相當於只有S極光線沿平行於 圖案方向之一軸所入射一區域之σ値應符合〇.44/〇 9^ σ <
σ max，故應將照明系統設計成指定S極光線區至一符合 約0.5 < σ < 0 · 9之區域。
第1 1 Α圖亦表示第5 D圖中所說明之照明情況之焦點 對比深度（μ m )，當中實現σ爲〇. 5之非極化圓形有效 光源’及0 · 5 < σ < 0 · 9間之切線極化區並等於第1 1 a圖中 之照明"A ’’，比較的是符合第6圖中所示之σ μ AX = 0.9及 等於第1 1 A圖中之照明’，Β π之一非極化圓形有效光源。極 化控制增加精細關鍵尺度之焦點深度，延伸解析度極限， 而未大量改變大尺度。因此確認可增進精細關鍵尺度之焦 點深度。非極化中之減弱對比爲解析精細圖案之一主要問 題’但發現到利用一控制極化之有效光源可解析精細圖案 第11Β圖亦表示在σ0·5內部擋光並在第9Β圖中所 示切線方向中具極化之環狀照明之焦點對比深度m ) ，其符合0 · 5 < ¢7 < 0 · 9並等於第1 1 B圖中之照明，，A ”，將它 與符合第6圖中所示σ μ a X= 0 · 9並等於第1 1圖中之照明 ” B”之非極化圓形有效光線比較。範圍在σ <0.5之擋光部 切割光學系統中鏡孔內部之低頻成份，且不縮減大尺寸之 -29- (27) 200421047 深度’大量延伸解析度極限而增加精細關鍵尺度之深度 爲使精細圖案形成圖案起見，S極光線之作用是明顯的。 實例2
現將說明根據本發明，利用浸泡型曝光設備之實例2 。類似於實例1，這曝光設備使用（波長爲1 9 3 nm之） ArF準分子雷射爲光源n 2，及數値光圈爲1 32之投影光 學系統14〇，其中，液體180中之最大角符合sin0 να = 〇·9 ’液體180之折射率爲丨.47，且照明系統之 第12A及12B圖當改變第2A圖中所示單向罩幕圖案 中之關鍵尺度及間隔，或點距時，表示焦點之對比深度（ #m)，並平行於Y方向加以延伸，其中之罩幕圖案包含 具有相等關鍵.尺度及間隔之L / S圖案。
呈 sineNAsO.Q 時 ’ Θνα 爲 64。。sin(90— 0να) / sin0NA = O_44/(K9 = O.49。因相當於只有s極光線沿平行於 圖案方向之軸所入射一區域之σ値應符合0.44/0.9^σ < σ max，故應將照明系統設計成指定s極光線區至一符合 約0.5 < σ < 0 · 9之區域。
第1 2 Α圖亦表示第5 D圖中所示切線方向中極化之焦 點d比涂度（M m ) ’其符合Ο · 6 8 ^ σ < Ο . 9並相當於1 2 A 圖中之照明” A’’，將其與符合第6圖中所示之σ M A x = 〇 . 9 並相當於第1 2 Α圖中之照明”β”之非極性圓形有效光源加 以比較。對極化之控制增加精細關鍵尺度之深度，延伸解 -30- (28) 200421047 析度極限，而未縮減大關鍵尺度之深度，大量延伸解析度 極限。在這種單向圖案情況中有顯著效果。因此確認可增 進精細關鍵尺度之焦點深度。非極化中之減弱對比爲解析 精細圖案之一主要問題，但淸楚的是利用一控制極化之有 效光源可解析精細圖案。
在範圍0.6 8 ^ σ < 0 · 9內於一切線方向包含極化光線之 照明”Α”只滿足S極光線區域之預定條件部位，其需要範 圍在 0.5 < σ ^ 0.9內一切線方向中之極化光線。代替的是 ，可說是未使用範圍在〇·5<^<〇·9內，垂直於切線方向 之極化光線。另言之，以消除在範圍〇 . 5 ^ σ < 0.9內垂直 於切線方向之極化光線之條件加以取代需要在範圍〇. 5 ^ σ < 0.9內，在切線方向中之極化光線之條件ό第1 2 Β圖 亦表示第8C圖中所示，0.5< σ <〇·9，且切線中心點在 X = 0 · 7及鏡孔座標系統上之半徑爲〇 . 2之照明之對比深度 (// m )(相當於第1 2 B圖中之照明” a ’，），將其與符合 第 7圖中所示之σ μ a X = 〇 · 9並相當於第 1 2 B圖中之照明 ’’ B ”之非極性圓形有效光線加以比較。σ < 0.5之檔光範圍 切割光學系統中鏡孔內部之低頻成份，並增加精細關鍵尺 度之深度，未縮減大關鍵尺寸之深度，大量延伸解析度極 限。當只有精細圖案存在時，除S極光線外可沒問題地遮 蔽光線。甚至當雙極照明之形狀如第8Α，8Β或8D圖中 所示時，幾乎有相同作用，並將省略其結果，非極化中所 減弱之對比爲解析精細圖案中之一主要問題，但淸楚的利 用一控制極化之有效光源可解析精細圖案。 -31 - (29) 200421047 雖然本實例以NA= 1.32加以硏討，當ΝΑ較大且當圖 案變更精細時即顯著出現這曝光方法之效果。浸泡光學系 統有一點在Ρ極光線之成像對比變成0處。這現象明顯縮 減習知曝光系統之焦點深度。
雖然本實施例硏討浸泡型投影光學系統特有之極化， 這種浸泡具液體1 8 0本身波動之另一大問題。雖然假設液 體1 8 0之折射率爲η。，由於溫度波動，例如，如第】3圖 中所示，腫塊之折射率可爲11。+八η。當波動發生時，波 前像差波動之絕對値△ W之最大値由以下方程式表示： Δ W = A π · d/cos0MAX (10) 其中，d爲浸泡媒體厚度，且以下方程式（ii)是導 引自方程式（10): d ^ (30 m λ) · cos 0 μ αχ/Δ η (11)
當AW之允許量爲30m；l.，0μαχ = 6Ο°時波長爲193 nm，方程式 11 中之△ n=10ppm，d< 3 0 0 0 Λ cos 0 ΝΑ =0.2 9 n m。一可達成値。只當d爲小時，可降低任何波動 之影響。因此，浸泡曝光系統重要的是使d儘可能的小。 純水適用於利用ArF準分子雷射之浸泡曝光用之液體 1 8 0。然而，在投影光學系統1 4 0中之元件當中，最接近 晶圓1 7 0之投影光學系統1 4 〇之最終元件與接收最大光能 之液體1 8 0接觸。因此，由於玻璃材料之耐久性，如紮實 而不可用石英，且應使用氟化鈣。然而，氟化鈣具潮解性 且當與水接觸即損壞。一 ArF區域膜在習知上已經常以氣 相法加以製造，但氣相膜是那麼多氣孔，使得氟化鈣透過 - 32- (30) 200421047 氣孔受到破壞。因此，本實施例之特性在使用一濺射膜作 爲接觸液體1 8 0之投影光學系統1 4 0之底面’保護氟化i丐 基體並達成抗反射。因此’使用’例如’ M§F2之擺射膜 爲此用途之適用材料之一。
參考第1 4和1 5圖，現將說明使用以上曝光設備1 00 之裝置製造方法之一實施例。第1 4圖爲一用以說明製造 裝置（即，如1C及LSI之半導體晶片，LCD，CCD等） 之流程圖。在此’將以一實例說明一半導體晶片之製造。 步驟1 (電路設計）設計一半導體裝置電路。步驟2 (罩 幕製造）形成一具有所設計電路圖案之罩幕。步驟3 (晶 圓罩幕）使用如矽之材料加以製造晶圓。步驟4 (晶圓製 程），具稱爲前段處理，使用罩幕及晶圓，透過光蝕刻在 晶圓上形成實際之電路。步驟5 (組裝），其亦稱爲後段 處理，將在步驟4中所形成之晶圓形成一半導體晶片並包 含一組裝步驟（例如，切割，銲接），一封裝步驟（晶片 封蓋）之類者。步驟6 (檢視）對步驟5中所製成之半導 體裝置實施各種測試，諸如爲有效性測試及耐久性測試。 透過這些步驟’完成一半導體裝置並予出貨（步驟7)。 第1 5圖爲一步驟4中晶圓製程之詳細流程圖。步驟 Π.(氧化）使晶圓表面氧化。步驟12 ( C VD )在晶圓表 面上形成一絕緣膜。步驟1 3 (電極形成）以氣相沈積法 之類者在晶圓上形成電極。步驟]4 (離子植入）將離子 植入晶圓內。步驟】5 (抗蝕劑製程）將一感光材料塗覆 在晶圓上面。步驟1 6 (曝光）使用曝光設備]〇 〇使罩幕 -33- (31) (31)200421047 上之電路圖案曝光在晶圓上面。步驟7 (顯影）使所曝光 之晶圓顯影。步驟1 8 (蝕刻）蝕刻一顯影抗鈾劑影像以 外部位。步驟】9 (抗蝕劑去除）蝕刻後移除不用之抗蝕 劑。重複這些步驟並在晶圓上形成多層電路圖案。本發明 之裝置製造方法可比習知方法製造更高品質之裝置。因此 ’使用發明性蝕刻術之裝置製造方法，及作爲中介與完成 品所產生之裝置本身亦構成本發明之一觀點。這種裝置包 含像LSI及VLSI之半導體晶片，cCD，LCD，磁性感測 器，薄膜磁頭之類者。 因此，本發明可提供一種浸泡型曝光方法及設備，其 由於極化之影響，防止成像效能變差，維持預期對比，並 形成一預期圖案。 而且’本發明不限於這些較佳實施例，且只要不偏離 其精神及範圍，可在本發明中作各種的修飾及變更。 【圖式簡單說明】 第1圖爲一根據本發明一實施例一曝光設備之示意方 塊圖。 第2A、2B、2C圖爲一表示形成在第1圖中所示一罩 幕上數典範圖案之平面圖。 第3A、3B圖爲一用以說明p極光線及s極光線效果 之槪念圖。 第4A和4B圖爲定義極化，使第2A及2B圖中所示 罩幕圖案曝光之有效光源分佈。 第5人、58、5〇、50圖爲定義極化，使第2(：圖中所 -34- (32) (32)200421047 示罩幕圖案曝光之有效光源分佈。 第6圖爲一用以說明’一有效光源面積和一極化方向間 關係之典型圖。 第7圖爲一用以說明一有效光源面積和一極化方向間 關係之典型圖。 第8 A、8 B、8 C、8 D圖爲當罩幕只含精細圖案時，表 示一適用於第2A圖中所示罩幕圖案之一有效光源形狀實 例之典型圖。 第9A、9B圖爲當罩幕只含精細圖案時，表示一適用於 第2C圖中所示罩幕圖案之一有效光源形狀實例之典型圖。 弟10圖表不一^適用於延伸在各種方向之罩幕圖案之 一有效光源形狀實施之典型圖。 第11A、11B圖爲一表示在第2C圖中所示罩幕圖案 中一點距及對比深度間關係之圖式。 第]2A、12B圖爲一表示在第2A圖中所示罩幕圖案 中一點距及對比深度間關係之圖式。 第1 3圖爲一用以說明第1圖中所示媒體（液體）波 動之示意圖。 第1 4圖爲一用以說明一使用立即曝光設備之裝置製 造方法之流程圖。 第15圖爲一如第13圖中所示步驟4，一晶圓製程之 詳細流程圖。 第16A、]6B圖爲一表示在浸泡型曝光中成像與極化 光線間關係之示意圖。 -35- (33) 200421047 元件對照表
1 〇 〇 :曝光設備 1 1 〇 :照明部 1 1 2 :雷射 1 1 4 =光束成形系統 Η 6 :聚光系統 1 1 7 :極化控制部 1 18 :光學整合器 1 2 0 :光圈制止器 1 2 1 :制止互換機構 121 :掣動器 122 :聚光透鏡 124 :偏光鏡 1 2 6 :光罩葉片
1 2 8 :成像透鏡 1 3 0 :罩幕或網線 1 3 2 :網線平枱 1 4 0 :投影光學系統 142 :鏡孔 1 5 0 :主控單元 1 5 1 :驅動控制單元 1 5 2 :監視器及輸入裝置 1 7 0 :晶圓 -36- (34) (34)200421047 ]72 :光阻劑 1 7 4 :基體 I 7 6 :晶圓平枱 1 8 0 :液體 4 0 0 :平板
-37-

Claims (1)

  1. 200421047 Π) 拾、申請專利範圍
    1. 一種曝光方法，該方法將曝光物體之一表面及最 接近物體之投影光學系統一表面浸泡在液體中，並經由投 影光學系統將形成在一罩幕上之一反覆圖案投影在物體上 面，該曝光方法將從垂直於投影光學系統一光軸之一軸發 出平行於精細圖案之直線方向並在物體上入射角爲0之光 線之有效光源形成在投影光學系統之一鏡孔上，其中，光 線只包含滿足 90 ° — 0 NAS 0 < 0 之一入射角0區域中 之S極光線，其中之0 να爲最大値之入射角Θ。 2. 如申請專利範圍第1項之曝光方法，其中之區域 爲藉由交叉兩個圓所形成之獨木舟形。 3. 如申請專利範圍第1項之曝光方法，其中之區域 爲藉由線性方式切下部份圓形之形狀。 4. 如申請專利範圍第1項之曝光方法，其中之區域 爲藉由線性方式切下部份爲環狀形之形狀。
    5. 如申請專利範圍第1項之曝光方法，其中之區域 爲一圓形。 6. 一種曝光方法，該方法經由一至少部份浸泡在液 體中且光圈數値爲η。· sin 0 ΝΑ之投影光學系統將形成在 一罩幕上之圖案轉印到一曝光物體上面，其中，η。爲液體 之折射率，該曝光方法照射曝光光線，使得其中，X軸爲 罩幕上所形成圖案之一方向及垂直於X軸之一方向，Υ軸 爲另一軸，且Θ爲曝光光線在投影光學系統上之入射角， 形成在投影光學系統孔上一有效光源之區域相當於滿足 -38- (2) 200421047 9 0 — θ N A < 0 < θ N A並在X軸或γ軸垂直方向具—線性 極化分量之入射角0。 7 ·如申請專利範圍第6項之曝光方法，其中之區域 爲藉由交叉兩圓所形成之獨木舟形。 8 .如申請專利範圍第6項之曝光方法，其中之區域 爲錯由線性方式切下部份圓形之形狀。
    9. 如申請專利範圍第6項之曝光方法，其中之區域 爲藉由線性方式切下部份爲環狀形之形狀。 10. 如申請專利範圍第6項之曝光方法，其中之區域 爲一 Η形。 11· 一種曝先方法’該方法經由一至少部份浸泡在液 體中之投影光學系統形成在一罩幕上之圖.案轉印到一曝光 物體上面’該曝光方法只將S極光線照射在形成在投影光 學系統鏡孔上之一有效光源上之一區域上面，其中，兩成 像曝光光束在該區域上產生一垂直狀態。
    12·如申請專利範圍第1 1項之曝光方法，其中之區 域爲藉由交叉兩個圓所形成之獨木舟形。 1 ：) ·如申δβ專利車Ε圍弟11項之曝光方法，其中之區 域爲藉由線性方式切下部份圓形之形狀。 14. 如申請專利範圍第11項之曝光方法，其中之區 域爲藉由線性方式切下部份爲環狀形之形狀。 15. 如申5F9專利車Β 13弟1 1項之曝光方法，其中之區 域爲一圓形。 1 6 . —種曝光方法，該方法經由波長爲λ之曝光光線 (3) 2(00421047 及一至少部份浸泡在液體且光圈數値爲η。· sin θ NA之投 影光學系統將形成在一罩幕上之圖案轉印到一曝光物體上 面，其中，η。爲液體之折射率，其中，液體在滿足 d<3000· λ · cos0NA之投影光學系統之光軸方向之厚度 爲d 〇
    17· —種曝光方法，該方法經由一至少部份浸泡在液 體中之投影光學系統將形成在一罩幕上之圖案轉印到一曝 光物體上面，其中，最接近物體之投影光學系統表面接觸 到液體並加以保護，不沾到液體。 18. 一種用以將形成在一罩幕上之圖案轉印到一曝光 物體上面之曝光設備，該曝光設備包含：. 一投影光學系統，該系統至少部份浸泡在液體中且數 値光圈爲η。· sin 0 να，其中，η。爲液體之折射率；以及
    一極化控制部，該極化控制部在相當於一 0角範圍之 該投影光學系統之鏡孔上控制對一區域之極化，其中，曝 光光線以Θ角從投影光學系統離開，0角範圍滿足90°- 其中，0ΝΑ爲最大値之入射角0。 19. 如申請專利範圍第1 8項之曝光設備，其中，極 心控制部只對S極光線設定極化。 20. 如申請專利範圍第1 8項之曝光設備，其中，極 化控制部包含對一投影光學系統鏡孔表面大槪佈置成共軛 之極化元件。 2 1.如申請專利範圍第1 8項之曝光設備，其中，極 化控制部包含佈置在投影光學系統鏡孔表面上之一光圈制 -40- (4) 200421047 止器，其中，光圈制止器之光圈形狀爲藉由交叉兩圓所形 成獨木舟形。 22.如申請專利範圍第1 8項之曝光設備，其中，極 化控制部包含一佈置在投影光學系統鏡孔表面上之光圈制 止器，其中，光圈制止器爲藉由線性方式切下部份圓形之 光圈形狀。
    2 3 ·如申請專利範圍第1 8項之曝光設備，其中，極 化控制部包含一佈置在投影光學系統鏡孔表面上之光圈制 止器，其中，光圈制止器爲藉由線性方式切下部份環狀形 之光圈形狀。 24.如申請專利範圍第1 8項之曝光設備，其中，極 化控制部包含一佈置在投影光學系統鏡孔表面上之光圈制 止器，其中，光圈制止器爲圓形光圈形狀。 2 5 .如申請專利範圍第1 8項之曝光設備，其中，極 化控制部透過控制維持對比約爲0.7。
    2 6. —種用以將形成在一罩幕上之圖案轉印到一曝光 物體上面之曝光設備，該曝光設備包含： 一投影光學系統，該系統至少部份浸泡在液體中；以 及 一極化控制部，該極化控制部在該投影光學系統之一 鏡孔上控制對一區域之極化，其中，兩成像曝光光束在該 區域上產生一垂直狀態。 2 7.如申請專利範圍第2 6項之曝光設備，其中’極 化控制部只對S極光線設定極化。 -41- (5) 200421047 28. 如申請專利範圍第2 6項之曝光設備，其中，極 化控制部包含對一投影光學系統鏡孔表面大槪佈置成共軛 之極化元件。 29. 如申請專利範圍第2 6項之曝光設備，其中，極 化控制部包含佈置在投影光學系統鏡孔表面上之一光圈制 止器，其中，光圈制止器之光圈形狀爲藉由交叉兩圓所形 成獨木舟形。
    3 0.如申請專利範圍第2 6項之曝光設備，其中，極 化控制部包含一佈置在投影光學系統鏡孔表面上之光圈制 止器，其中，光圈制止器爲藉由線性方式切下部份圓形之 光圈形狀。 3 1 .如申請專利範圍第.2 6項之曝光設，備，其中，極 化控制部包含一佈置在投影光學系統鏡孔表面上之光圈制 止器，其中，光圈制止器爲藉由線性方式切下部份環狀形 之光圈形狀。
    32.如申請專利範圍第26項之曝光設備，其中，極 化控制部包含一佈置在投影光學系統鏡孔表面上之光圈制 止器，其中，光圈制止器爲圓形光圈形狀。 3 3.如申請專利範圍第26項之曝光設備，其中，極 化控制部透過控制維持對比約爲0.7。 34. —種曝光設備，該設備包含一將形成在一罩幕上 之圖案轉印至曝光物體上面之投影光學系統，該曝光設備 將物體表面，及最接近物體之投影光學系統表面浸泡在液 體中，並滿足d<3000·又· cos(9〇，其中，n。、sin0。爲 -42 - (6) 200421047 投影光學系統之數値光圈，η。爲液體折射率，λ ( η πι ) 爲曝光用光線之波長，且d爲投影光學系統光軸方向中之 液體厚度。 3 5.如申請專利範圍第3 4項之曝光設備，更包含一 濺射膜，其中，最接近物體之投影光學系統表面與液體接 觸，且位在一氟化鈣基體上並覆蓋有濺射膜。 36. —種裝置製造方法，包含步驟：
    使用一曝光設備使一物體曝光；以及 使已曝光物體顯影， 其中，曝光設備包含： 一投影光學系統，該系統至少部份浸泡在液體中且數 値光圈爲η。· sin 0 NA，其中，η.爲液體之折射率；以及
    一極化控制部，該極化控制部在相當於一 0角範圔之 該投影光學系統之鏡孔上控制對一區域之極化，其中，曝 光光線以0角從投影光學系統離開，0角範圍滿足90 ° -θ < 0 ΝΑ，其中，θ να爲最大値之入射角0。 3 7 · —種裝置製造方法，包含步驟·· 使用一曝光設備使一物體曝光；以及 使已曝光物體顯影， 其中，曝光設備包含： 一投影光學系統，該系統至少部份浸泡在液體中；以 及 一極化控制部，該極化控制部在該投影光學系統之一 鏡孔上控制對一區域之極化，其中，兩成像曝光光束在該 -43 - (7) 200421047 區域上產生一垂直狀態。 3 8 . —種裝置製造方法，包含步驟： 使用一曝光設備使一物體曝光；以及 使已曝光物體顯影，
    其中，曝光設備包含一將形成在一罩幕上之圖案轉印 至物體上面之投影光學系統，該曝光設備將物體表面，及 最接近物體之投影光學系統表面浸泡在液體中，並滿足 dS3000· λ · cos0。，其中，n。、sin0。爲投影光學系統 之數値光圈，η。爲液體折射率，又（nm )爲曝光用光線之 波長，且d爲投影光學系統光軸方向中之液體厚度。
    -44 -
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI493276B (zh) * 2004-08-17 2015-07-21 尼康股份有限公司 照明光學裝置、曝光裝置以及曝光方法

Families Citing this family (206)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10010131A1 (de) * 2000-03-03 2001-09-06 Zeiss Carl Mikrolithographie - Projektionsbelichtung mit tangentialer Polarisartion
US7490774B2 (en) * 2003-11-13 2009-02-17 Metrologic Instruments, Inc. Hand-supportable imaging based bar code symbol reader employing automatic light exposure measurement and illumination control subsystem integrated therein
US9482966B2 (en) 2002-11-12 2016-11-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE60335595D1 (de) * 2002-11-12 2011-02-17 Asml Netherlands Bv Lithographischer Apparat mit Immersion und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
US7372541B2 (en) * 2002-11-12 2008-05-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR100588124B1 (ko) 2002-11-12 2006-06-09 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피장치 및 디바이스제조방법
US7110081B2 (en) 2002-11-12 2006-09-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
TWI232357B (en) * 2002-11-12 2005-05-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG121822A1 (en) 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN101424881B (zh) * 2002-11-12 2011-11-30 Asml荷兰有限公司 光刻投射装置
US10503084B2 (en) 2002-11-12 2019-12-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG131766A1 (en) * 2002-11-18 2007-05-28 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
TWI255971B (en) * 2002-11-29 2006-06-01 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7242455B2 (en) * 2002-12-10 2007-07-10 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
EP1571700A4 (en) * 2002-12-10 2007-09-12 Nikon Corp OPTICAL DEVICE AND PROJECTION EXPOSURE DEVICE USING THE OPTICAL DEVICE
KR101101737B1 (ko) * 2002-12-10 2012-01-05 가부시키가이샤 니콘 노광장치 및 노광방법, 디바이스 제조방법
JP4352874B2 (ja) * 2002-12-10 2009-10-28 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
DE10261775A1 (de) 2002-12-20 2004-07-01 Carl Zeiss Smt Ag Vorrichtung zur optischen Vermessung eines Abbildungssystems
KR101643112B1 (ko) * 2003-02-26 2016-07-26 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
KR20050110033A (ko) * 2003-03-25 2005-11-22 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
KR101176817B1 (ko) 2003-04-07 2012-08-24 가부시키가이샤 니콘 노광장치 및 디바이스 제조방법
KR20110104084A (ko) * 2003-04-09 2011-09-21 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 유체 제어 시스템
KR101484435B1 (ko) 2003-04-09 2015-01-19 가부시키가이샤 니콘 노광 방법 및 장치, 그리고 디바이스 제조 방법
KR20170064003A (ko) * 2003-04-10 2017-06-08 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 장치용 운반 영역을 포함하는 환경 시스템
KR101178754B1 (ko) * 2003-04-10 2012-09-07 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 장치용 진공 배출을 포함하는 환경 시스템
JP4656057B2 (ja) * 2003-04-10 2011-03-23 株式会社ニコン 液浸リソグラフィ装置用電気浸透素子
JP4488005B2 (ja) 2003-04-10 2010-06-23 株式会社ニコン 液浸リソグラフィ装置用の液体を捕集するための流出通路
CN106444292A (zh) 2003-04-11 2017-02-22 株式会社尼康 沉浸式光刻装置、清洗方法、器件制造方法及液体沉浸式光刻装置
WO2004092830A2 (en) 2003-04-11 2004-10-28 Nikon Corporation Liquid jet and recovery system for immersion lithography
KR101178756B1 (ko) 2003-04-11 2012-08-31 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 머신에서 웨이퍼 교환동안 투영 렌즈 아래의 갭에서 액침액체를 유지하는 장치 및 방법
JP2006523958A (ja) 2003-04-17 2006-10-19 株式会社ニコン 液浸リソグラフィで使用するためのオートフォーカス素子の光学的構造
TWI295414B (en) * 2003-05-13 2008-04-01 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN100437358C (zh) * 2003-05-15 2008-11-26 株式会社尼康 曝光装置及器件制造方法
TWI421906B (zh) 2003-05-23 2014-01-01 尼康股份有限公司 An exposure method, an exposure apparatus, and an element manufacturing method
TW201806001A (zh) 2003-05-23 2018-02-16 尼康股份有限公司 曝光裝置及元件製造方法
KR101728664B1 (ko) * 2003-05-28 2017-05-02 가부시키가이샤 니콘 노광 방법, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법
TWI347741B (en) * 2003-05-30 2011-08-21 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7213963B2 (en) * 2003-06-09 2007-05-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7684008B2 (en) * 2003-06-11 2010-03-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7317504B2 (en) * 2004-04-08 2008-01-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101528089B1 (ko) 2003-06-13 2015-06-11 가부시키가이샤 니콘 노광 방법, 기판 스테이지, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법
US6867844B2 (en) 2003-06-19 2005-03-15 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles
TWI433212B (zh) 2003-06-19 2014-04-01 尼康股份有限公司 An exposure apparatus, an exposure method, and an element manufacturing method
EP1498778A1 (en) * 2003-06-27 2005-01-19 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE60308161T2 (de) 2003-06-27 2007-08-09 Asml Netherlands B.V. Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung eines Artikels
US6809794B1 (en) * 2003-06-27 2004-10-26 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using inverted wafer-projection optics interface
EP1494075B1 (en) * 2003-06-30 2008-06-25 ASML Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus and device manufacturing method
EP1494074A1 (en) 2003-06-30 2005-01-05 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR20060027832A (ko) * 2003-07-01 2006-03-28 가부시키가이샤 니콘 광학 엘리먼트로서 동위원소적으로 특정된 유체를 사용하는방법
JP2005024890A (ja) * 2003-07-02 2005-01-27 Renesas Technology Corp 偏光子、投影レンズ系、露光装置及び露光方法
EP2843472B1 (en) * 2003-07-08 2016-12-07 Nikon Corporation Wafer table for immersion lithography
EP1643543B1 (en) * 2003-07-09 2010-11-24 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for manufacturing device
WO2005006418A1 (ja) * 2003-07-09 2005-01-20 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
WO2005006415A1 (ja) 2003-07-09 2005-01-20 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
US7738074B2 (en) 2003-07-16 2010-06-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1500982A1 (en) 2003-07-24 2005-01-26 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1650787A4 (en) * 2003-07-25 2007-09-19 Nikon Corp INVESTIGATION METHOD AND INVESTIGATION DEVICE FOR AN OPTICAL PROJECTION SYSTEM AND METHOD OF MANUFACTURING AN OPTICAL PROJECTION SYSTEM
US7175968B2 (en) * 2003-07-28 2007-02-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and a substrate
US7326522B2 (en) * 2004-02-11 2008-02-05 Asml Netherlands B.V. Device manufacturing method and a substrate
EP1503244A1 (en) 2003-07-28 2005-02-02 ASML Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus and device manufacturing method
CN102323724B (zh) 2003-07-28 2014-08-13 株式会社尼康 液浸曝光装置及其制造方法、曝光装置、器件制造方法
US7779781B2 (en) 2003-07-31 2010-08-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2005020298A1 (ja) 2003-08-26 2005-03-03 Nikon Corporation 光学素子及び露光装置
US8149381B2 (en) 2003-08-26 2012-04-03 Nikon Corporation Optical element and exposure apparatus
US6954256B2 (en) 2003-08-29 2005-10-11 Asml Netherlands B.V. Gradient immersion lithography
EP2261740B1 (en) 2003-08-29 2014-07-09 ASML Netherlands BV Lithographic apparatus
KR101380989B1 (ko) * 2003-08-29 2014-04-04 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
TWI263859B (en) * 2003-08-29 2006-10-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
TWI245163B (en) 2003-08-29 2005-12-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101590686B1 (ko) 2003-09-03 2016-02-01 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피용 유체를 제공하기 위한 장치 및 방법
WO2005029559A1 (ja) * 2003-09-19 2005-03-31 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
DE60302897T2 (de) * 2003-09-29 2006-08-03 Asml Netherlands B.V. Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
US7158211B2 (en) * 2003-09-29 2007-01-02 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101498437B1 (ko) * 2003-09-29 2015-03-03 가부시키가이샤 니콘 노광장치, 노광방법 및 디바이스 제조방법
EP1519230A1 (en) * 2003-09-29 2005-03-30 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101203028B1 (ko) 2003-10-08 2012-11-21 가부시키가이샤 자오 니콘 기판 반송 장치 및 기판 반송 방법, 노광 장치 및 노광 방법, 디바이스 제조 방법
JP4335213B2 (ja) 2003-10-08 2009-09-30 株式会社蔵王ニコン 基板搬送装置、露光装置、デバイス製造方法
JP2005136364A (ja) * 2003-10-08 2005-05-26 Zao Nikon Co Ltd 基板搬送装置、露光装置、並びにデバイス製造方法
TWI553701B (zh) 2003-10-09 2016-10-11 尼康股份有限公司 Exposure apparatus and exposure method, component manufacturing method
EP1524558A1 (en) * 2003-10-15 2005-04-20 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1524557A1 (en) * 2003-10-15 2005-04-20 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7411653B2 (en) * 2003-10-28 2008-08-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
TWI609409B (zh) 2003-10-28 2017-12-21 尼康股份有限公司 照明光學裝置、曝光裝置、曝光方法以及元件製造方法
US7352433B2 (en) 2003-10-28 2008-04-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4295712B2 (ja) * 2003-11-14 2009-07-15 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ装置及び装置製造方法
TWI385414B (zh) * 2003-11-20 2013-02-11 尼康股份有限公司 光學照明裝置、照明方法、曝光裝置、曝光方法以及元件製造方法
US7545481B2 (en) 2003-11-24 2009-06-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG2014014955A (en) 2003-12-03 2014-07-30 Nippon Kogaku Kk Exposure apparatus, exposure method, method for producing device, and optical part
US20070081133A1 (en) * 2004-12-14 2007-04-12 Niikon Corporation Projection exposure apparatus and stage unit, and exposure method
WO2005057635A1 (ja) * 2003-12-15 2005-06-23 Nikon Corporation 投影露光装置及びステージ装置、並びに露光方法
ATE491221T1 (de) 2003-12-15 2010-12-15 Nikon Corp Bühnensystem, belichtungsvorrichtung und belichtungsverfahren
US7460206B2 (en) * 2003-12-19 2008-12-02 Carl Zeiss Smt Ag Projection objective for immersion lithography
US7394521B2 (en) * 2003-12-23 2008-07-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7589818B2 (en) * 2003-12-23 2009-09-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, alignment apparatus, device manufacturing method, and a method of converting an apparatus
US20070019179A1 (en) 2004-01-16 2007-01-25 Damian Fiolka Polarization-modulating optical element
CN101799637B (zh) 2004-01-16 2012-07-04 卡尔蔡司Smt有限责任公司 照明光学装置、显微光刻投射系统及装置制造方法
US8270077B2 (en) 2004-01-16 2012-09-18 Carl Zeiss Smt Gmbh Polarization-modulating optical element
JP4843503B2 (ja) * 2004-01-20 2011-12-21 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー マイクロリソグラフィ投影露光装置および投影レンズのための測定装置
TWI395068B (zh) 2004-01-27 2013-05-01 尼康股份有限公司 光學系統、曝光裝置以及曝光方法
US7589822B2 (en) 2004-02-02 2009-09-15 Nikon Corporation Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method
KR101276392B1 (ko) 2004-02-03 2013-06-19 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
TWI505329B (zh) * 2004-02-06 2015-10-21 尼康股份有限公司 光學照明裝置、曝光裝置、曝光方法以及元件製造方法
US7050146B2 (en) 2004-02-09 2006-05-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4365236B2 (ja) * 2004-02-20 2009-11-18 富士フイルム株式会社 液浸露光用レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
JP4502715B2 (ja) * 2004-03-05 2010-07-14 東京応化工業株式会社 液浸露光用ポジ型レジスト組成物およびレジストパターンの形成方法
KR101707294B1 (ko) * 2004-03-25 2017-02-15 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
US7227619B2 (en) * 2004-04-01 2007-06-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7034917B2 (en) * 2004-04-01 2006-04-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby
US7295283B2 (en) * 2004-04-02 2007-11-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7898642B2 (en) 2004-04-14 2011-03-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7379159B2 (en) 2004-05-03 2008-05-27 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1747499A2 (en) 2004-05-04 2007-01-31 Nikon Corporation Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography
US7616383B2 (en) * 2004-05-18 2009-11-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7486381B2 (en) * 2004-05-21 2009-02-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7324280B2 (en) 2004-05-25 2008-01-29 Asml Holding N.V. Apparatus for providing a pattern of polarization
US7796274B2 (en) 2004-06-04 2010-09-14 Carl Zeiss Smt Ag System for measuring the image quality of an optical imaging system
KR101264936B1 (ko) * 2004-06-04 2013-05-15 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
KR101440746B1 (ko) 2004-06-09 2014-09-17 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
US7481867B2 (en) 2004-06-16 2009-01-27 Edwards Limited Vacuum system for immersion photolithography
US7463330B2 (en) 2004-07-07 2008-12-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101202230B1 (ko) 2004-07-12 2012-11-16 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
US7161663B2 (en) * 2004-07-22 2007-01-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
JP4368266B2 (ja) 2004-07-30 2009-11-18 東京応化工業株式会社 レジスト保護膜形成用材料、およびこれを用いたレジストパターン形成方法
DE102004037346B4 (de) * 2004-08-02 2006-11-23 Infineon Technologies Ag Lithographie-Anordnung und Verfahren zum Herstellen einer Lithographie-Anordnung
US7224427B2 (en) * 2004-08-03 2007-05-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Megasonic immersion lithography exposure apparatus and method
US7304715B2 (en) 2004-08-13 2007-12-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR20070048164A (ko) * 2004-08-18 2007-05-08 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
US7701550B2 (en) 2004-08-19 2010-04-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20060044533A1 (en) * 2004-08-27 2006-03-02 Asmlholding N.V. System and method for reducing disturbances caused by movement in an immersion lithography system
US7133114B2 (en) * 2004-09-20 2006-11-07 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7522261B2 (en) * 2004-09-24 2009-04-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7355674B2 (en) 2004-09-28 2008-04-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and computer program product
KR100598981B1 (ko) * 2004-10-01 2006-07-12 주식회사 하이닉스반도체 노광 장치
US7894040B2 (en) 2004-10-05 2011-02-22 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7209213B2 (en) * 2004-10-07 2007-04-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR100614651B1 (ko) * 2004-10-11 2006-08-22 삼성전자주식회사 회로 패턴의 노광을 위한 장치 및 방법, 사용되는포토마스크 및 그 설계 방법, 그리고 조명계 및 그 구현방법
DE102004050642B4 (de) * 2004-10-18 2007-04-12 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Überwachung von Parametern eines Belichtungsgerätes für die Immersionslithographie und Belichtungsgerät für die Immersionslithographie
US7379155B2 (en) * 2004-10-18 2008-05-27 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7119876B2 (en) * 2004-10-18 2006-10-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7583357B2 (en) 2004-11-12 2009-09-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7423720B2 (en) * 2004-11-12 2008-09-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7414699B2 (en) * 2004-11-12 2008-08-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7251013B2 (en) 2004-11-12 2007-07-31 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7145630B2 (en) * 2004-11-23 2006-12-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7161654B2 (en) * 2004-12-02 2007-01-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7248334B2 (en) * 2004-12-07 2007-07-24 Asml Netherlands B.V. Sensor shield
US7397533B2 (en) * 2004-12-07 2008-07-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20080100811A1 (en) * 2004-12-07 2008-05-01 Chiaki Nakagawa Exposure Apparatus and Device Manufacturing Method
US7365827B2 (en) * 2004-12-08 2008-04-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7403261B2 (en) 2004-12-15 2008-07-22 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7880860B2 (en) * 2004-12-20 2011-02-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20060146307A1 (en) * 2004-12-30 2006-07-06 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7450217B2 (en) * 2005-01-12 2008-11-11 Asml Netherlands B.V. Exposure apparatus, coatings for exposure apparatus, lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
DE602006012746D1 (de) * 2005-01-14 2010-04-22 Asml Netherlands Bv Lithografische Vorrichtung und Herstellungsverfahren
TWI453796B (zh) * 2005-01-21 2014-09-21 尼康股份有限公司 偏光變更單元以及元件製造方法
US8692973B2 (en) * 2005-01-31 2014-04-08 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
EP3079164A1 (en) 2005-01-31 2016-10-12 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
KR101211570B1 (ko) 2005-02-10 2012-12-12 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 침지 액체, 노광 장치, 및 노광 프로세스
US7282701B2 (en) 2005-02-28 2007-10-16 Asml Netherlands B.V. Sensor for use in a lithographic apparatus
JP4612849B2 (ja) * 2005-03-01 2011-01-12 キヤノン株式会社 露光方法、露光装置及びデバイス製造方法
USRE43576E1 (en) 2005-04-08 2012-08-14 Asml Netherlands B.V. Dual stage lithographic apparatus and device manufacturing method
US20060232753A1 (en) * 2005-04-19 2006-10-19 Asml Holding N.V. Liquid immersion lithography system with tilted liquid flow
FR2887645A1 (fr) * 2005-06-22 2006-12-29 Sagem Defense Securite Illuminateur ameliore d'un dispositif de photolithographie
DE602005019711D1 (de) * 2005-07-15 2010-04-15 Imec Methode und System für einen verbesserten lithographischen Prozess
JP2007027419A (ja) * 2005-07-15 2007-02-01 Canon Inc 露光装置
JP4701030B2 (ja) * 2005-07-22 2011-06-15 キヤノン株式会社 露光装置、露光パラメータを設定する設定方法、露光方法、デバイス製造方法及びプログラム
US7535644B2 (en) * 2005-08-12 2009-05-19 Asml Netherlands B.V. Lens element, lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
US7357768B2 (en) * 2005-09-22 2008-04-15 William Marshall Recliner exerciser
JP4750525B2 (ja) * 2005-10-14 2011-08-17 キヤノン株式会社 露光方法及びデバイス製造方法
US7693419B1 (en) * 2005-11-23 2010-04-06 General Photonics Corporation Optical spectrum analysis using optical interferometry
US7773195B2 (en) * 2005-11-29 2010-08-10 Asml Holding N.V. System and method to increase surface tension and contact angle in immersion lithography
US20070124987A1 (en) * 2005-12-05 2007-06-07 Brown Jeffrey K Electronic pest control apparatus
KR100768849B1 (ko) * 2005-12-06 2007-10-22 엘지전자 주식회사 계통 연계형 연료전지 시스템의 전원공급장치 및 방법
US7649611B2 (en) 2005-12-30 2010-01-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7893047B2 (en) * 2006-03-03 2011-02-22 Arch Chemicals, Inc. Biocide composition comprising pyrithione and pyrrole derivatives
US8045134B2 (en) * 2006-03-13 2011-10-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, control system and device manufacturing method
US9477158B2 (en) 2006-04-14 2016-10-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE102006021797A1 (de) * 2006-05-09 2007-11-15 Carl Zeiss Smt Ag Optische Abbildungseinrichtung mit thermischer Dämpfung
US20070264581A1 (en) * 2006-05-09 2007-11-15 Schwarz Christian J Patterning masks and methods
US7969548B2 (en) * 2006-05-22 2011-06-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and lithographic apparatus cleaning method
US7799486B2 (en) * 2006-11-21 2010-09-21 Infineon Technologies Ag Lithography masks and methods of manufacture thereof
US8045135B2 (en) 2006-11-22 2011-10-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus with a fluid combining unit and related device manufacturing method
US9632425B2 (en) * 2006-12-07 2017-04-25 Asml Holding N.V. Lithographic apparatus, a dryer and a method of removing liquid from a surface
US8634053B2 (en) 2006-12-07 2014-01-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7791709B2 (en) * 2006-12-08 2010-09-07 Asml Netherlands B.V. Substrate support and lithographic process
US8654305B2 (en) * 2007-02-15 2014-02-18 Asml Holding N.V. Systems and methods for insitu lens cleaning in immersion lithography
US8817226B2 (en) 2007-02-15 2014-08-26 Asml Holding N.V. Systems and methods for insitu lens cleaning using ozone in immersion lithography
US8237911B2 (en) * 2007-03-15 2012-08-07 Nikon Corporation Apparatus and methods for keeping immersion fluid adjacent to an optical assembly during wafer exchange in an immersion lithography machine
US8947629B2 (en) * 2007-05-04 2015-02-03 Asml Netherlands B.V. Cleaning device, a lithographic apparatus and a lithographic apparatus cleaning method
US8011377B2 (en) 2007-05-04 2011-09-06 Asml Netherlands B.V. Cleaning device and a lithographic apparatus cleaning method
US7900641B2 (en) * 2007-05-04 2011-03-08 Asml Netherlands B.V. Cleaning device and a lithographic apparatus cleaning method
US7866330B2 (en) * 2007-05-04 2011-01-11 Asml Netherlands B.V. Cleaning device, a lithographic apparatus and a lithographic apparatus cleaning method
US7561250B2 (en) * 2007-06-19 2009-07-14 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus having parts with a coated film adhered thereto
JP2009025553A (ja) 2007-07-19 2009-02-05 Canon Inc 位相シフトマスク
US7705998B2 (en) * 2007-09-12 2010-04-27 Infineon Technologies Ag Method for evaluating an optical imaging process
US8345238B2 (en) * 2008-02-04 2013-01-01 General Photonics Corporation Measuring optical spectral property of light based on polarization analysis
KR101448152B1 (ko) * 2008-03-26 2014-10-07 삼성전자주식회사 수직 포토게이트를 구비한 거리측정 센서 및 그를 구비한입체 컬러 이미지 센서
US9176393B2 (en) 2008-05-28 2015-11-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and a method of operating the apparatus
CN101339367B (zh) * 2008-08-14 2010-06-02 上海微电子装备有限公司 投影曝光装置及校正照明光束动态位置误差的装置与方法
NL2003363A (en) * 2008-09-10 2010-03-15 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, method of manufacturing an article for a lithographic apparatus and device manufacturing method.
US20110037962A1 (en) * 2009-08-17 2011-02-17 Nikon Corporation Polarization converting unit, illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
MX2012007581A (es) * 2009-12-28 2012-07-30 Pioneer Hi Bred Int Genotipos restauradores de la fertilidad de sorgo y metodos de seleccion asistida por marcadores.
US20110205519A1 (en) * 2010-02-25 2011-08-25 Nikon Corporation Polarization converting unit, illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
PT2542145T (pt) * 2010-03-05 2020-11-04 Massachusetts Gen Hospital Sistemas, métodos e meios acessíveis por computador que proporcionam imagens microscópicas de pelo menos uma estrutura anatómica numa resolução particular
EP2381310B1 (en) 2010-04-22 2015-05-06 ASML Netherlands BV Fluid handling structure and lithographic apparatus
WO2015080858A1 (en) * 2013-12-01 2015-06-04 Kla-Tencor Corporation Target element types for process parameter metrology

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5465220A (en) 1992-06-02 1995-11-07 Fujitsu Limited Optical exposure method
GB1242527A (en) * 1967-10-20 1971-08-11 Kodak Ltd Optical instruments
US4346164A (en) 1980-10-06 1982-08-24 Werner Tabarelli Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits
US4509852A (en) * 1980-10-06 1985-04-09 Werner Tabarelli Apparatus for the photolithographic manufacture of integrated circuit elements
JPS57153433A (en) * 1981-03-18 1982-09-22 Hitachi Ltd Manufacturing device for semiconductor
JPS6265326A (ja) 1985-09-18 1987-03-24 Hitachi Ltd 露光装置
JP3246615B2 (ja) 1992-07-27 2002-01-15 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置、及び露光方法
US6404482B1 (en) 1992-10-01 2002-06-11 Nikon Corporation Projection exposure method and apparatus
JP3322274B2 (ja) 1992-10-29 2002-09-09 株式会社ニコン 投影露光方法及び投影露光装置
JPH06140304A (ja) * 1992-10-29 1994-05-20 Nikon Corp 投影露光装置
JP2753930B2 (ja) * 1992-11-27 1998-05-20 キヤノン株式会社 液浸式投影露光装置
KR0153796B1 (ko) 1993-09-24 1998-11-16 사토 후미오 노광장치 및 노광방법
JPH08316125A (ja) 1995-05-19 1996-11-29 Hitachi Ltd 投影露光方法及び露光装置
JPH08316124A (ja) * 1995-05-19 1996-11-29 Hitachi Ltd 投影露光方法及び露光装置
JP3747566B2 (ja) 1997-04-23 2006-02-22 株式会社ニコン 液浸型露光装置
JP3817836B2 (ja) 1997-06-10 2006-09-06 株式会社ニコン 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法
KR100245414B1 (ko) 1997-06-26 2000-03-02 윤종용 노광 시스템과 노광 시스템의 노광 방법
WO1999049504A1 (fr) 1998-03-26 1999-09-30 Nikon Corporation Procede et systeme d'exposition par projection
US6930754B1 (en) 1998-06-30 2005-08-16 Canon Kabushiki Kaisha Multiple exposure method
DE10124803A1 (de) 2001-05-22 2002-11-28 Zeiss Carl Polarisator und Mikrolithographie-Projektionsanlage mit Polarisator
JP3958163B2 (ja) 2002-09-19 2007-08-15 キヤノン株式会社 露光方法
US6788477B2 (en) * 2002-10-22 2004-09-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Apparatus for method for immersion lithography

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI493276B (zh) * 2004-08-17 2015-07-21 尼康股份有限公司 照明光學裝置、曝光裝置以及曝光方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20060012764A1 (en) 2006-01-19
TWI276924B (en) 2007-03-21
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US7126667B2 (en) 2006-10-24
KR20040050884A (ko) 2004-06-17
EP1429190A2 (en) 2004-06-16
KR100588182B1 (ko) 2006-06-08

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