JPH05102003A - 投影露光装置 - Google Patents

投影露光装置

Info

Publication number
JPH05102003A
JPH05102003A JP3258049A JP25804991A JPH05102003A JP H05102003 A JPH05102003 A JP H05102003A JP 3258049 A JP3258049 A JP 3258049A JP 25804991 A JP25804991 A JP 25804991A JP H05102003 A JPH05102003 A JP H05102003A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
optical system
reticle
light source
pattern
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP3258049A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3074843B2 (ja
Inventor
Yuji Kudo
祐司 工藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=17314836&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=JPH05102003(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Priority to JP03258049A priority Critical patent/JP3074843B2/ja
Application filed by Nikon Corp filed Critical Nikon Corp
Publication of JPH05102003A publication Critical patent/JPH05102003A/ja
Priority to US08/549,325 priority patent/US5719704A/en
Priority to US09/246,852 priority patent/US6100961A/en
Priority to US09/246,853 priority patent/US6392740B1/en
Priority to US09/280,580 priority patent/US6377336B1/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3074843B2 publication Critical patent/JP3074843B2/ja
Priority to US09/991,696 priority patent/US6710854B2/en
Priority to US10/124,362 priority patent/US6864959B2/en
Priority to US10/202,007 priority patent/US6710855B2/en
Priority to US10/759,603 priority patent/US6897942B2/en
Priority to US10/759,598 priority patent/US6967710B2/en
Priority to US10/759,604 priority patent/US6885433B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems

Abstract

(57)【要約】 【目的】半導体リソグラフィ工程で使われる通常のレチ
クルを投影露光する際、高解像度で大焦点深度が得られ
るとともに、照度均一性の優れた投影露光装置を得る。 【構成】照明光学系内に照明光を分割する光分割光学系
と、レチクルに対してフーリエ変換面の偏心した位置に
複数の面光源を形成する多面光源形成光学系を配置し、
この多光源形成光学系は少なくともロッド型オプティカ
ルインテグレータを有するように構成した。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路、又は
液晶デバイス等のパターン形成に使用するパターンを投
影露光する装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】半導体素子等の回路パターン形成には、
一般にフォトリソグラフ技術と呼ばれる工程が必要であ
る。この工程には通常、レチクル(マスク)パターンを
半導体ウエハ等の基板上に転写する方法が採用される。
基板上には、感光性のフォトレジストが塗布されてお
り、照射光像、すなわちレチクルパターンの透明部分の
パターン形状に応じて、フォトレジストに回路パターン
が転写される。投影露光装置(例えばステッパー)で
は、レチクル上に描画された転写すべき回路パターンの
像が、投影光学系を介して基板(ウエハ)上に投影、結
像される。
【0003】また、レチクルを照明するための照明光学
系中には、フライアイレンズ、ファイバー等のオプチカ
ルインテグレーターが使用されており、レチクル上に照
射される照明光の強度分布が均一化される。その均一化
を最適に行なうためにフライアイレンズを用いた場合、
レチクル側焦点面(射出面側)とレチクル面(パターン
面)とはほぼフーリエ変換の関係で結ばれており、さら
にレチクル側焦点面と光源側焦点面(入射面側)ともフ
ーリエ変換の関係で結ばれている。従って、レチクルの
パターン面と、フライアイレンズの光源側焦点面(正確
にはフライアイレンズの個々のレンズの光源側焦点面)
とは、結像関係(共役関係)で結ばれている。このた
め、レチクル上では、フライアイレンズの各光学エレメ
ント(2次光源像)からの照明光がコンデンサーレンズ
等を介することによってそれぞれ加算(重畳)されるこ
とで平均化され、レチクル上の照度均一性を良好とする
ことが可能となっている。
【0004】従来の投影露光装置では、上述のフライア
イレンズ等のオプチカルインテグレータ入射面に入射す
る照明光束の光量分布を、照明光学系の光軸を中心とす
るほぼ円形内(あるいは矩形内)でほぼ一様になるよう
にしていた。図9は上述の如き従来の投影露光装置(ス
テッパー)の概略的な構成を示しており、照明光束L1
40は照明光学系中のフライアイレンズ414、空間フ
ィルター(開口絞り)S、及びコンデンサーレンズ9を
介してレチクル10のパターン10aを照射する。ここ
で、空間フィルターSはフライアイレンズ414のレチ
クル側焦点面414a、すなわちレチクルパターン10
aに対するフーリエ変換面F(以後、瞳面と略す)、も
しくはその近傍に配置されており、投影光学系11の光
軸AXを中心としたほぼ円形領域の開口を有し、瞳面内
にできる2次光源(面光源)像を円形に制限する。こう
してレチクル10のパターン10aを通過した照明光
は、投影光学系11を介してウエハ12のレジスト層に
結像される。このとき、照明光学系(414、S、9)
の開口数と投影光学系11のレチクル側開口数との比、
いわゆるσ値は開口絞り(例えば空間フィルター5aの
開口径)により決定され、その値は0.3〜0.6程度
が一般的である。
【0005】さて、照明光L140はレチクル10にパ
ターニングされたパターン10aにより回折され、パタ
ーン10aからは0次回折光D0 、+1次回折光DP
及び−1次回折光Dm が発生する。それぞれの回折光
(D0 、Dm 、DP )は投影光学系11により集光さ
れ、ウエハ(基板)12上に干渉縞を発生させる。この
干渉縞がパターン10aの像である。このとき、0次回
折光D0 と±1次回折光D P 、Dm とのなす角θ(レチ
クル側)は sinθ=λ/P(λ:露光波長、P:パター
ンピッチ)により決まる。
【0006】ところで、パターンピッチが微細化すると
sinθが大きくなり、 sinθが投影光学系11のレチク
ル側開口数(NAR )より大きくなると、±1次回折光
P 、Dm は投影光学系11内の瞳(フーリエ変換面)
Puの有効径で制限され、投影光学系11を透過できな
くなる。このとき、ウエハ12上には0次回折光D0
みしか到達せず干渉縞は生じない。つまり、 sinθ>N
R となる場合にはパターン10aの像は得られず、パ
ターン10aをウエハ12上に転写することができなく
なってしまう。
【0007】以上のことから、今までの投影露光装置に
おいては、 sinθ=λ/P≒NAR となるピッチPは次
式で与えられていた。 P≒λ/NAR (1) これより、最小パターンサイズはピッチPの半分である
から、最小パターンサイズは0.5・λ/NAR 程度と
なるが、実際のフォトリソグラフィ工程においてはウエ
ハの湾曲、プロセスによるウエハの段差等の影響、また
はフォトレジスト自体の厚さのために、ある程度の焦点
深度が必要となる。このため、実用的な最小解像パター
ンサイズは、k・λ/NAR として表される。ここで、
kはプロセス係数と呼ばれ0.6〜0.8程度となる。
レチクル側開口数NAR とウエハ側開口数NAw との比
は、投影光学系の結像倍率と同じであるので、レチクル
上における最小解像パターンサイズはk・λ/NAR
ウエハ上の最小パターンサイズは、k・λ/NAw =k
・λ/B・NAR (但しBは結像倍率(縮小率))とな
る。
【0008】従って、より微細なパターンを転写するた
めには、より短い波長の露光光源を使用するか、あるい
はより開口数の大きな投影光学系を使用するかを選択す
る必要があった。もちろん、露光波長と開口数の両方を
最適化する努力も考えられる。しかしながら、上記の如
き従来の投影露光装置において、照明光源を現在より短
波長化(例えば200nm以下)することは、透過光学部
材として使用可能な適当な光学材料が存在しない等の理
由により現時点では困難である。また、投影光学系の開
口数は、現状でも既に理論的限界に近く、これ以上の大
開口化はほぼ望めない状態である。さらに、もし現状以
上の大開口化が可能であるとしても、±λ/2NA2
表わされる焦点深度は開口数の増加に伴なって急激に減
少し、実使用に必要な焦点深度がますます少なくなると
いう問題が顕著になってくる。
【0009】また、レチクルの回路パターンの透過部分
のうち、特定の部分からの透過光の位相を、他の透過部
分からの透過光の位相よりπだけずらす、いわゆる位相
シフトレチクルが、例えば特公昭62−50811号公
報等で提案されている。この位相シフトレチクルを使用
すると、従来よりも微細なパターンの転写が可能とな
る。
【0010】ところが、位相シフトレチクルについて
は、その製造工程が複雑になる分コストも高く、また検
査及び修正方法も未だ確立されていないので、多くの問
題が残されている。そこで、位相シフトレチクルを使用
しない投影露光技術として、レチクルの照明方法を改良
することで転写解像力を向上させる試みがなされてい
る。その1つの照明方法は、例えば図9の空間フィルタ
ーSを輪帯状の開口にし、フーリエ変換面F上で照明光
学系の光軸の回りに分布する照明光束をカットすること
により、レチクル10に達する照明光束に一定の傾斜を
持たせるものである。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、照明光
学系のフーリエ変換面内での照明光束分布を輪帯状にす
るような特殊な照明方法を採用すると、確かに通常のレ
チクルでも解像力の向上は認められるが、レチクルの全
面に渡って均一な照度分布を保証することが難しくなる
といった問題点が生じた。また、図9のように単に空間
フィルター等のような部分的に照明光束をカットする部
材を設けた系では、当然のことながらレチクル上、又は
ウエハ上での照明強度(照度)を大幅に低下させること
になり、照明効率の低下に伴う露光処理時間の増大とい
う問題に直面する。さらに、照明光学系中のフーリエ変
換面には、光源からの光束が集中して通るため、空間フ
ィルター等の遮光部材の光吸収による温度上昇が著しく
なり、照明光学系の熱的な変動による性能劣化の対策
(空冷等)も考える必要がある。
【0012】本発明は上記問題点に鑑みてなされたもの
で、通常のレチクルを使用しても、高解像度かつ大焦点
深度が得られるとともに、照度均一性の優れた投影露光
装置を提供することを目的とする。
【0013】
【課題を解決する為の手段】本発明は、例えば図1に示
す如く、照明光学系の光路中において、照明光を分割す
る光分割光学系4と、その光分割光学系4によって分割
された各光束に対応した複数の面光源をレチクル10に
対するフーリエ面、もしくはその近傍での照明光学系の
光軸から偏心した複数の位置に形成する多面光源形成光
学系(5a,5b,6a,6b,7a,7b)と、その
多面光源形成光学系(5a,5b,6a,6b,7a,
7b)による複数の面光源からの光束をレチクルへ集光
するコンデンサーレンズ9とを有し、前記多面光源形成
光学系(5a,5b,6a,6b,7a,7b)は、少
なくともロッド型オプティカルインテグレータ(6a,
6b)を含むようにしたものである。
【0014】そして、上記の基本構成に基づいて、多面
光源形成光学系は、照明光学系の光軸から偏心した複数
の位置に各々の中心が配置される複数のロッド型オプテ
ィカルインテグレータを有するようにしても良い。ま
た、多面光源形成光学系は、光分割光学系により分割さ
れた光束を集光する第1集光レンズと、その集光レンズ
による集光点に入射面が位置するロッド型オプティカル
インテグレータと、そのロッド型オプティカルインテグ
レータからの光束を集光して複数の面光源をレチクルに
対するフーリエ面、もしくはその近傍に形成する第2集
光レンズとを有するようにしても良い。
【0015】
【作用】本発明による作用を図8を用いて説明する。図
8中、多面光源形成光学系中の各面光源形成光学6a,
6bを介した各々の光束は、第2集光レンズ7a,7b
により、これのレチクル側焦点距離f7 位置の光軸AX
と垂直な面F内において均一化された2つの面光源が形
成される。この第2集光レンズ7a,7bは光軸AXに
対する垂直な面内に並び、これより射出される光束は、
コンデンサーレンズ9によりレチクル10に照射され
る。
【0016】ここで、各多面光源形成光学系中の第2集
光レンズ7a,7bの光軸は共に、光軸AXより離れた
位置に存在している。また、各第2集光レンズ7a,7
bのレチクル側焦点距離f7 の位置の光軸AXと垂直な
面は、レチクルパターン10aのフーリエ変換面Fとほ
ぼ一致しているので、光軸AXと各第2集光レンズ7
a,7bの光軸との距離は、各第2集光レンズ7a,7
bを射出した光束のレチクル10への入射角に相当す
る。
【0017】レチクル(マスク)上に描画された回路パ
ターン10aは、一般に周期的なパターンを多く含んで
いる。従って1つの第2集光レンズ7aからの照明光が
照射されたレチクルパターン10aからは0次回折光成
分DO 及び±1次回折光成分DP 、Dm 、及びより高次
の回折光成分が、パターンの微細度に応じた方向に発生
する。
【0018】このとき、照明光束(主光線)が傾いた角
度でレチクル10に入射するから、発生した各次数の回
折光成分も、垂直に照明された場合に比べ、傾き(角度
ずれ)をもってレチクルパターン10aから発生する。
図8中の照明光L130は、光軸に対してψだけ傾いて
レチクル10に入射する。照明光L130はレチクルパ
ターン10aにより回折され、光軸AXに対してψだけ
傾いた方向に進む0次回折光D0 、0次回折光に対して
θP だけ傾いた+1次回折光DP 、及び0次回折光D0
に対してθm だけ傾いて進む−1次回折光Dm を発生す
る。しかしながら、照明光L130は両側テレセントリ
ックな投影光学系11の光軸AXに対して角度ψだけ傾
いてレチクルパターンに入射するので、0次回折光D0
もまた投影光学系の光軸AXに対して角度ψだけ傾いた
方向に進行する。
【0019】従って、+1次光DP は光軸AXに対して
θP +ψの方向に進行し、−1次回折光Dm は光軸AX
に対してθm −ψの方向に進行する。このとき回折角θ
P 、θm はそれぞれ sin(θP +ψ)− sinψ=λ/P (2) sin(θm −ψ)+ sinψ=λ/P (3) である。
【0020】ここでは、+1次回折光DP 、−1次回折
光Dm の両方が投影光学系11の瞳Puを透過している
ものとする。レチクルパターン10aの微細化に伴って
回折角が増大すると先ず角度θP +ψの方向に進行する
+1次回折光DP が投影光学系10の瞳Puを透過でき
なくなる。すなわち sin(θP +ψ)>NAR の関係に
なってくる。しかし照明光L130が光軸AXに対して
傾いて入射している為、このときの回折角でも−1次回
折光Dm は、投影光学系11を透過可能となる。すなわ
ち sin(θm −ψ)<NARの関係になる。
【0021】従って、ウエハ12上には0次回折光D0
と−1次回折光Dm の2光束による干渉縞が生じる。こ
の干渉縞はレチクルパターン10aの像であり、レチク
ルパターン10aが1:1のラインアンドスペースの
時、約90%のコントラストとなってウエハ12上に塗
布されたレジストに、レチクルパターン10aの像をパ
ターニングすることが可能となる。
【0022】このときの解像限界は、 sin(θm −ψ)=NAR (4) となるときであり、従って NAR + sinψ=λ/P P=λ/(NAR + sinψ) (5) が転写可能な最小パターンのレチクル側でのピッチであ
る。
【0023】一例として今 sinψを0.5×NAR 程度に
定めるとすれば、転写可能なレチクル上のパターンの最
小ピッチは P=λ(NAR +0.5NAR ) =2λ/3NAR (6) となる。
【0024】一方、図9に示したように、照明光の瞳F
上での分布が投影光学系11の光軸AXを中心とする円
形領域内である従来の露光装置の場合、解像限界は
(1)式に示したようにP≒λ/NAR であった。従っ
て、従来の露光装置より高い解像度が実現できることが
わかる。次に、レチクルパターンに対して特定の入射方
向と入射角で露光光を照射して、0次回折光成分と1次
回折光成分とを用いてウエハ上に結像パターンを形成方
法によって、焦点深度も大きくなる理由について説明す
る。
【0025】図8のようにウエハ12が投影光学系11
の焦点位置(最良結像面)に一致している場合は、レチ
クルパターン10a中の1点を出てウエハ12上の一点
に達する各回折光は、投影光学系11のどの部分を通る
ものであってもすべて等しい光路長を有する。このため
従来のように0次回折光成分が投影光学系11の瞳面P
uのほぼ中心(光軸近傍)を貫通する場合でも、0次回
折光成分とその他の回折光成分とで光路長は相等しく、
相互の波長収差も零である。しかし、ウエハ12が投影
光学系11の焦点位置に一致していないデフォーカス状
態の場合、斜めに入射する高次の回折光の光路長は光軸
近傍を通る0次回折光に対して焦点前方(投影光学系1
1から遠ざかる方)では短く、焦点後方(投影光学系1
1に近づく方)では長くなりその差は入射角の差に応じ
たものとなる。従って、0次、1次、・・・の各回折光
は相互に波面収差を形成して焦点位置の前後におけるボ
ケを生じることとなる。
【0026】前述のデフォーカスによる波面収差は、ウ
エハ12の焦点位置からのずれ量をΔF、各回折光がウ
エハ上の1点に入射するときの入射角θw の正弦をr
(r=sinθw )とすると、ΔFr2 /2で与えられる
量である。(このときrは各回折光の、瞳面Puでの光
軸AXからの距離を表わす。)従来の図9に示した投影
露光装置では、0次回折光D0 は光軸AXの近傍を通る
ので、r(0次)=0となり、一方±1次回折光DP
m は、r(1次)=M・λ/Pとなる(Mは投影光学
系の倍率)。従って、0次回折光D0 と±1次回折光D
P 、Dm とのデフォーカスによる波面収差は ΔF・M2 (λ/P)2 /2となる。
【0027】一方、本発明における投影露光装置では、
図8に示すように0次回折光成分D 0 は光軸AXから角
度ψだけ傾いた方向に発生するから、瞳面Puにおける
0次回折光成分の光軸AXからの距離はr(0次)=M
・ sinψである。一方、−1次回折光成分Dm の瞳面に
おける光軸からの距離はr(−1次)=M・ sin(θm
−ψ)となる。そしてこのとき、 sinψ= sin(θm
ψ)となれば、0次回折光成分D0 と−1次回折光成分
m のデフォーカスによる相対的な波面収差は零とな
り、ウエハ12が焦点位置より光軸方向に若干ずれても
パターン10aの像ボケは従来程大きく生じないことに
なる。すなわち、焦点深度が増大することになる。ま
た、(3)式のように、sin(θm −ψ)+ sinψ=λ
/Pであるから、照明光束L130のレチクル10への
入射角ψが、ピッチPのパターンに対して、 sinψ=λ
/2Pの関係にすれば焦点深度をきわめて増大させるこ
とが可能である。
【0028】さらに、本発明は光源より発せられる照明
光束を複数の光束に分割してコンデンサーレンズに導く
ために、光源からの光束を光量的にわずかの損失のみで
利用して、上記の高解像、大焦点深度の投影露光方式を
実現することができる。
【0029】
【実施例】図1は本発明の第1実施例であって、光分割
光学系として2個の多面体プリズムを使用したものであ
る。水銀灯等の光源1より放射される照明光束は楕円鏡
2で焦光され、インプットレンズ(コリメータレンズ)
3によりほぼ平行光束となって光分割光学系4に入射す
る。ここでは光分割光学系4は、V型の凹部を持つ第1
の多面体プリズム41と、V型の凸部を持つ第2の多面
体プリズム42とで構成されている。これら2つのプリ
ズムの屈折作用によって照明光束は2つの光束に分割さ
れる。そして、それぞれの光束は別々の第1の面光源形
成光学系(5a,6a,7a)及び第2の面光源形成光
学系(5b,6b,7b)に入射する。
【0030】ここでは面光源形成光学系を2コとした
が、この数量は任意でよい。また、光分割光学系も、面
光源形成光学系の個数に合わせて2分割とするものとし
たが、多面光源形成光学系の個数に応じていくつに分割
してもよい。例えば面光源形成光学系が4個より成れ
ば、図2(a)及び(b)に示す如く、光分割光学系4
1、42はそれぞれ4角錐型(ピラミッド型)の凹部を
有する第1の多面体プリズム41と、4角錐型(ピラミ
ッド型)の凸部を有する第2の多面体プリズム42とよ
り構成すればよい。
【0031】各面光源形成光学系は、第1集光レンズ
(5a,5b)と、ロッド型オプティカルインテグレー
タ(6a,6b)と、第2集光レンズ(7a,7b)と
から構成され、まず光分割光学系4により2分割された
各光束は、第1集光レンズ(5a,5b)により集光さ
れ、ロッド型オプティカルインテグレータ(6a,6
b)に入射する。このロッド型オプティカルインテグレ
ータ(6a,6b)は、四角柱状の棒状光学部材で構成
され、この入射側面A2は、第1集光レンズ(5a,5
b)の集光位置もくしはその近傍に配置され、楕円鏡2
により形成される光源像位置A1と実質的に共役に配置
されている。ロッド型オプティカルインテグレータ(6
a,6b)を入射した光束はこれの内部で内面反射して
射出面B1から射出するため、射出面側B1からの射出
光は、あたかもこれの入射側面A2に複数の光源像(面
光源)があるかの如く射出する。この事については特開
平1−271718号公報に詳しい。
【0032】ロッド型オプティカルインテグレータ(6
a,6b)を射出した照明光はそれぞれ第2集光レンズ
(7a、7b)により集光されて、このレンズ系の射出
側(後側)焦点位置A3にそれぞれ2つの2次光源が形
成され、ここには実質的に2つの面光源が形成される。
この2次光源が形成される位置A3には、2つの開口を
持つ開口絞り8が設けられており、この開口絞り8の各
開口を介した各光束はコンデンサーレンズ9により集光
されてレチクル10を所定の傾きで均一な傾斜照明す
る。
【0033】レチクル10の下面には、所定の回路パタ
ーンが形成されており、傾斜照明によりレチクルのパタ
ーンを透過、回折した光は投影光学系11により集光結
像され、ウエハ12上に、レチクル10のパターンの像
を形成する。なお、図1に示した照明光学系中におい
て、楕円鏡2による光源像A1,ロッド型オプティカル
インテグレータ6a,6bの入射側面A2,第2集光レ
ンズ7a,7bの射出側(後側)焦点位置A3は、投影
光学系の入射瞳面Pu(開口絞り11a)と互いに共役
に設けられており、換言すれば、A1,A2,A3は、
物体面(レチクル10及びウエハ12)のフーリエ変換
面となっている。また、ロッド型オプティカルインテグ
レータ6a,6bの射出側面B1は、物体面(レチクル
10及びウエハ12)と互いに共役に設けられている。
【0034】以上の如く、第1の面光源形成光学系(5
a,6a,7a)及び第2の面光源形成光学系(5b,
6b,7b)は光軸AXより離れた位置にあるため、レ
チクル10のパターン中で特定の方向及びピッチを有す
るパターンの投影像の焦点深度を極めて大きくすること
が可能となっている。ただし、レチクル10のパターン
の方向やピッチは、使用するレチクル10により異なる
ことが予想される。従って各レチクル10に対して最適
となるように、駆動系23により第1の面光源形成光学
系(5a,6a,7a)及び第2の面光源形成光学系
(5b,6b,7b)の位置等を変更可能としておくと
良い。なお、駆動系23は主制御系22の動作命令によ
り動作するが、このときの位置等の設定条件はキーボー
ド等の入力手段24より入力する。あるいはバーコード
リーダー21によりレチクル10上のバーコードパター
ンBCを読み、その情報に基づいて設定を行なってもよ
い。レチクル10上のバーコードパターンBCに、上記
照明条件を記入しておいてもよいし、あるいは主制御系
22は、レチクル名とそれに対応する照明条件を記憶
(予め入力)しておき、バーコードパターンBCに記さ
れたレチクル名と、上記記憶内容とを照合して、照明条
件を決定してもよい。
【0035】図3は、図1中の光分割光学系4(41,
42)から第2集光レンズ7a,7bまでの拡大図であ
る。ここでは、第1の多面体プリズム41と第2の多面
体プリズム42との互いに対向する面は平行であるもの
とし、プリズム41の入射面とプリズム42の射出面と
は光軸AXと垂直であるものとする。その第1の多面体
プリズム41は保持部材43により保持され、第2の多
面体プリズム42は保持部材44により保持される。各
保持部材43、44はそれぞれ可動部材45a、45
b、及び46a、46bにより保持され、固定部材47
a、47b上を図中左右方向、すなわち光軸AXに沿っ
た方向に可動となっている。この動作はモータ等の駆動
部材48a、48b、49a、49bによって行なわれ
る。また、第1の多面体プリズム41と第2の多面体プ
リズム42は独立に移動可能であるので、2つのプリズ
ムの間隔の変更により射出する2光束の間隔を光軸AX
を中心として放射方向に変更することができる。
【0036】多面体プリズム42から射出する複数の光
束は、第1集光レンズ5a,5bに入射する。図3では
第1の面光源形成光学系(5a,6a,7a)が保持部
材50aに保持され、第2の面光源形成光学系(5b,
6b,7b)が50bに保持されている。また、これら
の保持部材50a,50bはそれぞれ可動部材51a、
51bにより保持されている為に、固定部材52a、5
2bに対して可動となっている。この動作は駆動部材5
3a、53bによりおこなわれる。
【0037】第1の面光源形成光学系(5a,6a,7
a)と第2の面光源形成光学系(5b,6b,7b)と
を一体に保持及び移動することにより、第1の面光源形
成光学系(5a,6a,7a)と第2の面光源形成光学
系(5b,6b,7b)の光学的な位置関係をずらすこ
となく、第2集光レンズ7a,7bから射出する光束の
位置を光軸AXと垂直な面内で任意に変更することがで
きる。尚、保持部材50a、50bより突き出た部材5
4a、54bは遮光板である。これにより、光分割光学
系より発生する迷光を遮断し、不必要な光がレチクルへ
達することを防止する。また、遮光版54a、54bが
光軸AX方向に各々ずれていることにより、保持部材5
0a、50bの可動範囲の制限を少なくすることができ
る。
【0038】図3中では、光分割光学系(多面体プリズ
ム)41、42の光軸方向の間隔を変更することで、分
割した各光束の位置を光軸AXに対して放射方向に変更
可能としたが、各光束を光軸AXを中心とする同心円方
向に変更することも可能である。さて、露光すべきレチ
クルパターンに応じて、これらの系をどのように最適に
するかを説明する。第1の面光源形成光学系(5a,6
a,7a)と第2の面光源形成光学系(5b,6b,7
b)との各位置(光軸と垂直な面内での位置)は、転写
すべきレチクルパターンに応じて決定(変更)するのが
良い。この場合の位置決定方法は作用の項で述べた通
り、各面光源形成光学系からの照明光束が転写すべきパ
ターンの微細度(ピッチ)に対して最適な解像度、及び
焦点深度の向上効果を得られるようにレチクルパターン
に入射する位置(入射角ψ)とすればよい。
【0039】そこで、各面光源形成光学系の位置決定の
具体例を、図4、及び図5(A)、(B)、(C)、
(D)を用いて説明する。図4は各面光源形成光学系の
第2集光レンズ7a,7bから投影光学系11までの部
分を模式的に表わす図であり、第2集光レンズ7a,7
bのレチクル側焦点位置、即ち2次光源像が形成される
位置が、レチクルパターン10aのフーリエ変換面Fと
一致している。またこのとき両者をフーリエ変換の関係
とならしめるコンデンサーレンズ9を一枚のレンズとし
て表わしてある。さらに、コンデンサーレンズ9の第2
集光レンズ側(前側)主点から第2集光レンズのレチク
ル側(後側)焦点位置までの距離と、コンデンサーレン
ズ9のレチクル側(後側)主点からレチクルパターン1
0aまでの距離は共にfであるとする。
【0040】図5(A)、(C)は共にレチクルパター
ン10a中に形成される一部分のパターンの例を表わす
図であり、図5(B)は図5(A)のレチクルパターン
の場合に最適な各面光源形成光学系の光軸(X7a
7b)のフーリエ変換面F(投影光学系の瞳面)での位
置を示し、図5(D)は図5(C)のレチクルパターン
の場合に最適な各面光源形成光学系の位置(最適な各面
光源形成光学系の光軸の位置)を表わす図である。
【0041】図5(A)は、いわゆる1次元ラインアン
ドスペースパターンであって、透過部と遮光部が等しい
幅でY方向に帯状に並び、それらがX方向にピッチPで
規則的に並んでいる。このとき、個々の面光源形成光学
系の最適位置は図5(B)に示すようにフーリエ変換面
内に仮定したY方向の線分Lα上、及び線分Lβ上の任
意の位置となる。図5(B)はレチクルパターン10a
に対するフーリエ変換面Fを光軸AX方向から見た図で
あり、かつ、面F内の座標系X、Yは、同一方向からレ
チクルパターン10aを見た図5(A)と同一にしてあ
る。
【0042】さて、図5(B)において、光軸AXが通
る中心Cから各線分Lα、Lβまでの距離α、βはα=
βであり、λを露光波長としたとき、α=β=f・(1
/2)・(λ/P)に等しい。この距離α・βをf・si
n ψと表わせれば、sin ψ=λ/2Pであり、これは作
用の項で述べた数値と一致している。従って、各面光源
形成光学系の各光軸(各第2集光レンズのレチクル側焦
点位置に夫々形成される2次光源像の光量分布の各重
心)位置が線分Lα、Lβ上にあれば、図5(A)に示
す如きラインアンドスペースパターンに対して、各面光
源形成光学系からの照明光により発生する0次回折光と
±1次回折光のうちのどちらか一方との2つの回折光
は、投影光学系の瞳面Puにおいて光軸AXからほぼ等
距離となる位置を通る。従って、図5(A)に示した1
次元パターンの場合、図4に示した各面光源形成光学系
の光軸(X7a,X7b)は、周期的なレチクルパターンの
方向Xでの各面光源形成光学系の光軸間の距離の半分を
L(α=β)、コンデンサーレンズ9の射出側(後側)
の焦点距離をf、照明光の波長をλ、レチクルパターン
の周期的なピッチをPとするとき、L=λf/2Pの関
係をほぼ満足するように配置されることによって、ライ
ンアンドスペースパターン(図5(A))に対する焦点
深度を最大とすることができ、かつ高解像度を得ること
ができる。
【0043】次に、図5(C)はレチクルパターンがい
わゆる孤立スペースパターンである場合であり、パター
ンのX方向(横方向)ピッチがPx、Y方向(縦方向)
ピッチがPyとなっている。図5(D)は、この場合の
各面光源形成光学系の最適位置を表わす図であり、図5
(C)との位置、回転関係は図5(A)、(B)の関係
と同じである。図5(C)の如き、2次元パターンに照
明光が入射するとパターンの2次元方向の周期性(X:
Px、Y:Py)に応じた2次元方向に回折光が発生す
る。図5(C)の如き2次元パターンにおいても回折光
中の±1次回折光のうちのいずれか一方と0次回折光と
が投影光学系の瞳面Puにおいて光軸AXからほぼ等距
離となるようにすれば、焦点深度を最大とすることがで
きる。図5(C)のパターンではX方向のピッチはPx
であるから、図5(D)に示す如く、α=β=f・(1
/2)・(λ/Px)となる線分Lα、Lβ上に各面光
源形成光学系の光軸があれば、パターンのX方向成分に
ついて焦点深度を最大とすることができる。同様に、r
=ε=f・(1/2)・(λ/Py)となる線分Lγ、
Lε上に各面光源形成光学系の光軸があれば、パターン
Y方向成分について焦点深度を最大とすることができ
る。
【0044】以上、図5(B)、又は(D)に示した各
位置に配置した面光源形成光学系からの照明光束がレチ
クルパターン10aに入射すると、0次光回折光成分D
0 と、+1次回折光成分DP または−1次回折光成分D
m のいずれか一方とが、投影光学系11内の瞳面Puで
は光軸AXからほぼ等距離となる光路を通る。従って作
用の項で述べたとおり、高解像及び大焦点深度の投影露
光装置が実現できる。
【0045】また、レチクルパターン10aが図5
(D)の如く2次元の周期性パターンを含む場合、特定
の1つの0次回折光成分に着目したとき、投影光学系の
瞳面Pu上ではその1つの0次回折光成分を中心として
X方向(第1方向)に分布する1次以上の高次回折光成
分と、Y方向(第2方向)に分布する1次以上の高次回
折光成分とが存在し得る。そこで、特定の1つの0次回
折光成分に対して2次元のパターンの結像を良好に行う
ものとすると、第1方向に分布する高次回折光成分の1
つと、第2方向に分布する高次回折光成分の1つと、特
定の0次回折光成分との3つが、瞳面Pu上で光軸AX
からほぼ等距離に分布するように、特定の0次回折光成
分(1つの面光源形成光学系)の位置を調節すればよ
い。例えば、図5(D)中で面光源形成光学系の光軸位
置を点Pζ、Pη、Pκ、Pμのいずれかと一致させる
とよい。点Pζ、Pη、Pκ、Pμはいずれも線分Lα
またはLβ(X方向の周期性について最適な位置、すな
わち0次回折光とX方向の±1次回折光の一方とが投影
光学系瞳面Pu上で光軸からほぼ等距離となる位置)及
び線分Lγ、Lε(Y方向の周期性について最適な位
置)の交点であるためX方向、Y方向のいずれのパター
ン方向についても最適な光源位置となる。
【0046】特に、図5(C)の如き2次元の周期性パ
ターンの場合において最もバランスの良い最適な傾斜照
明を達成するには、図5(D)に示す如きフーリエ変換
面F上の点Pζ、Pη、Pκ、Pμの4つの位置に各々
の2次光源像(面光源)の中心を位置されることが好ま
しい。このための好適な構成としては、図1の光分割光
学系4を図2に示す如き四角錐型(ピラミッド型)の凹
部を有する第1の多面体プリズムと、四角錐型(ピラミ
ッド型)の凸部を有する第2の多面体プリズムとで構成
して、この光分割光学系4により4分割される光束の数
に対応する4つの面光源形成光学系を並列的に設けるこ
とが良い。このとき、図5(D)に示す如きフーリエ変
換面F上の点Pζ、Pη、Pκ、Pμの4つの位置に各
面光源形成光学系の光軸を一致されることが肝要であ
る。
【0047】そして、この構成の場合、コンデンサーレ
ンズ9の射出側(後側)の焦点距離をf、照明光の波長
をλ、周期的なレチクルパターンのX方向に対応する方
向での各面光源形成光学系の光軸間の距離の半分をLx
(α=β)、周期的なレチクルパターンのX方向に対応
する方向での各面光源形成光学系の光軸間の距離の半分
をLy(γ=ε)、レチクルパターンのX方向での周期
的なピッチをPx、レチクルパターンのY方向での周期
的なピッチをPyとするとき、Lx=λf/2Px及び
Ly=λf/2Pyの関係を満足するように4つの面光
源形成光学系の光軸を配置すれば良い。
【0048】また、図5(C)に示した2次元パターン
の各方向での周期的なピッチが等しく(Px=Py=
P)、しかも上述の如く面光源形成光学系を4つで構成
した場合、フーリエ変換面Fの大きさを最大限利用(投
影光学系の開口数NAを最大限利用)した最もバランス
の良い傾斜照明を達成するには、各周期的なレチクルパ
ターン方向X,Yでの各面光源形成光学系の光軸間の距
離の半分をL(α=β=γ=ε)、コンデンサーレンズ
9の射出側(後側)の焦点距離をf、照明光の波長を
λ、レチクルパターンの周期的なピッチをPとすると
き、L=λf/2Pの関係をほぼ満足するように4つの
面光源形成光学系の光軸を配置することが望ましい。
【0049】また、この場合において、投影光学系のレ
チクル側の開口数をNAR 、周期的なレチクルパターン
の各方向に対応する方向での各面光源形成光学系の光軸
間の距離の半分をL(α=β=γ=ε)、コンデンサー
レンズ9の射出側(後側)の焦点距離をfとするとき、 0.35NAR ≦L/f≦0.7 NAR の関係を満足するように4つの面光源形成光学系の光軸
を配置することが好ましい。この関係式の下限を越える
と、傾斜照明による効果が薄れてしまい、仮に傾斜照明
をしたとしても大きな焦点深度を維持しつつ高解像度を
達成することは困難となる。逆に、上記の関係式の上限
を越えると、フーリエ面上に形成される分離光源からの
光束が投影光学系を通過できなくなるため好ましくな
い。
【0050】以上、レチクルパターン10aとして図5
(A)、又は(C)に示した2例のみを考えたが、他の
パターンであってもその周期性(微細度)に着目し、そ
のパターンからの+1次回折光成分または−1次回折光
成分のいずれか一方と0次回折光成分との2光束が、投
影光学系内の瞳面Puでは光軸AXからほぼ等距離にな
る光路を通るような位置に各面光源形成光学系の光軸を
配置すればよい。
【0051】また、図5(A)、(C)のパターン例
は、ライン部とスペース部の比(デューティ比)が1:
1のパターンであった為、発生する回折光中では±1次
回折光が強くなる。このため、±1次回折光のうちの一
方と0次回折光との位置関係に着目したが、パターンが
デューティ比1:1から異なる場合等では他の回折光、
例えば±2次回折光のうちの一方と0次回折光との位置
関係が、投影光学系瞳面Puにおいて光軸AXからほぼ
等距離となるようにしてもよい。
【0052】尚、以上において2次元パターンとしてレ
チクル上の同一箇所に2次元の方向性を有するパターン
を仮定したが、同一レチクルパターン中の異なる位置に
異なる方向性を有する複数のパターンが存在する場合に
も上記の方法を適用することができる。レチクル上のパ
ターンが複数の方向性又は微細度を有している場合、フ
ライアイレンズ群の最適位置は、上述の様にパターンの
各方向性及び微細度に対応したものとなるが、或いは各
最適位置の平均位置に各面光源形成光学系の光軸を配置
してもよい。また、この平均位置は、パターンの微細度
や重要度に応じた重みを加味した荷重平均としてもよ
い。
【0053】また、各面光源形成光学系を射出した光束
の0次光成分は、それぞれウエハに対して傾いて入射す
る。このときこれらの傾いた入射光束(複数)の光量重
心の方向がウエハに対して垂直でないと、ウエハ12の
微小デフォーカス時に、転写像の位置がウエハ面内方向
にシフトするという問題が発生する。これを防止する為
には、各面光源形成光学系からの照明光束(複数)の結
像面、もしくはその近傍の面上での光量重心の方向は、
ウエハと垂直、すなわち光軸AXと平行であるようにす
る。
【0054】つまり、投影光学系11の光軸AXを基準
とした各面光源形成光学系の光軸のフーリエ変換面内で
の位置ベクトルと、各面光源形成光学系から射出される
光量との積のベクトル和が零になる様にすればよい。
尚、以上の系において、各動作部にはエンコーダ等の位
置検出器を備えておくと良い。図1中の主制御系22ま
たは駆動系23は、これらの位置検出器からの位置情報
を基に各構成要素の移動、回転、交換を行なう。
【0055】次に、第2実施例について図6を参照しな
がら説明する。第1実施例を示す図1と同じ機能を持つ
部材には同じ符号を付している。本実施例が第1実施例
と異なる所は、第1集光レンズ5a,5bの代わりに、
フライアイレンズ60a,60bを配置した点である。
図6に示す如く、水銀灯等の光源1より放射される照明
光束は楕円鏡2で焦光され、インプットレンズ(コリメ
ータレンズ)3によりほぼ平行光束となって光分割光学
系4にて2分割される。この2分割された平行光束は、
矩形状断面(例えば正方形状断面)の棒状レンズ素子の
集合体でなるフライアイレンズ60a,60bに入射
し、これの射出側面A2もしくはこれの近傍で集光さ
れ、複数の点光源が各々形成される。ここには、実質的
に2次光源としての面光源が形成される。フライアイレ
ンズ60a,60bの射出側面A2にロッド型オプティ
カルインテグレータ6a,6bの入射側面が近接して設
けられている。従って、ロッド型オプティカルインテグ
レータ6a,6bの入射側面は、楕円鏡2により形成さ
れる光源像位置A1と実質的に共役に配置されている。
このロッド型オプティカルインテグレータ6a,6b
は、四角柱状の棒状光学部材で構成され、前述した如
く、これに入射した光束はこれの内部で内面反射して射
出面B1から射出するため、射出面側B1からの射出光
は、あたかもこれの入射側面A2に複数の光源像(面光
源)があるかの如く射出する。
【0056】そして、ロッド型オプティカルインテグレ
ータ6a,6bを射出した照明光はそれぞれ集光レンズ
7a、7bにより集光されて、このレンズの射出側焦点
位置A3には、光軸AXから偏心した位置に3次光源と
しての2つの面光源像が形成される。従って、フライア
イレンズ60a,60bの射出側面での光束の照度分布
はこれの積分効果により均一化され、さらにロッド型オ
プティカルインテグレータ6a,6bと集光レンズ7
a、7bとにより集光レンズ7a、7bの射出側焦点位
置A3での光束の照度分布は、さらに均一化される。
【0057】この3次光源としての2つの面光源が形成
される位置A3には、2つの開口を持つ開口絞り8が設
けられており、この開口絞り8の開口を介した各光束
は、コンデンサーレンズ9により集光されてレチクル1
0を所定の傾きで均一な傾斜照明する。レチクル10の
下面には、所定の回路パターンが形成されており、傾斜
照明によりレチクルのパターンを透過、回折した光は投
影光学系11により集光結像され、ウエハ12上に、レ
チクル10のパターンの像を形成する。
【0058】以上の如く、第1の面光源形成光学系(6
0a,6a,7a)及び第2の面光源形成光学系(60
b,6b,7b)は光軸AXより離れた位置にあるた
め、レチクル10のパターン中で特定の方向及びピッチ
を有するパターンの投影像の焦点深度を極めて大きくす
ることが可能となっている。なお、図6に示した照明光
学系中において、楕円鏡2による光源像A1,フライア
イレンズ60a,60bの射出側面(ロッド型オプティ
カルインテグレータ6a,6bの入射側面)A2,第2
集光レンズ7a,7bの射出側焦点位置A3は、投影光
学系の入射瞳面Pu(開口絞り11a)と互いに共役に
設けられており、換言すれば、A1,A2,A3は、物
体面(レチクル10及びウエハ12)のフーリエ変換面
となっている。また、フライアイレンズ60a,60b
の入射側面B11,ロッド型オプティカルインテグレー
タ6a,6bの射出側面B1は、物体面(レチクル10
及びウエハ12)と互いに共役に設けられている。
【0059】また、図6に示した第2実施例では、光分
割光学系4で光束を2分割した例を示したがこれに限る
ことなく、図2に示したプリズムを用いると共に、その
プリズムのレチクル側に面光源形成光学系を4つ並列的
に配置して、フーリエ変換面に4つの面光源を形成する
構成としても良い。次に、第3実施例について図7を参
照しながら説明する。第1実施例を示す図1と同じ機能
を持つ部材には同じ符号を付している。本実施例が第1
実施例と異なる所は、第1の面光源形成光学系(60
a,6a,7a)及び第2の面光源形成光学系(60
b,6b,7b)と等価な機能を、1つの光学系(第1
集光レンズ71,ロッド型オプティカルインテグレータ
71,第2集光レンズ73)に持たせた点である。
【0060】図7に示す如く、水銀灯等の光源1より放
射される照明光束は楕円鏡2で焦光され、インプットレ
ンズ(コリメータレンズ)3によりほぼ平行光束となっ
て光分割光学系4にて2分割される。この2分割された
平行光束は、第1集光レンズ70によりこれの射出側
(後側)焦点位置に集光される。この集光点位置A2に
は、ロッド型オプティカルインテグレータ71の入射側
面が位置しており、これの入射側面は、楕円鏡2により
形成される光源像位置A1と実質的に共役に配置されて
いる。
【0061】そして、前述した如く、ロッド型オプティ
カルインテグレータ71に入射した光束はこれの内部で
内面反射して射出面B1から射出するため、射出面側B
1からの射出光は、あたかもこれの入射側面A2に複数
の光源像(面光源)があるかの如く射出し、第2集光レ
ンズ72により集光されて、このレンズ72の射出側
(後側)焦点位置A3には2次光源としての互いに分離
した(光軸AXから等しい距離だけ偏心した)2つの面
光源像が形成される。これは、光分割光学系4によりロ
ッド型オプティカルインテグレータ71に入射する各光
は分離された状態で互いに等しい角度で入射するためで
ある。
【0062】さて、この2次光源としての2つの面光源
像が形成される位置A3には、2つの開口を持つ開口絞
り8が設けられており、この開口絞り8を介した各光束
は、コンデンサーレンズ9により集光されてレチクル1
0を所定の傾きで均一な傾斜照明する。そして、レチク
ル10の下面には、所定の回路パターンが形成されてお
り、傾斜照明によりレチクルのパターンを透過、回折し
た光は投影光学系11により集光結像され、ウエハ12
上に、レチクル10のパターンの像を形成する。
【0063】以上の如く、多面光源形成光学系(70,
71,72)により形成される2つの面光源(2次光
源)の重心位置は各々光軸AXより離れた位置にあるた
め、レチクル10のパターン中で特定の方向及びピッチ
を有するパターンの投影像の焦点深度を極めて大きくす
ることが可能となっている。本実施例では、光分割光学
系4を構成する2つの多面体プリズム41,42との空
気間隔を変化させるだけで、ロッド型オプティカルイン
テグレータ71の入射側面A2に入射する分割光の入射
角を可変にできる。このため、第2集光レンズ72の射
出側(後側)焦点位置A3上に形成される2次光源像の
光軸Axに対する位置をコントロールできる。
【0064】なお、図7に示した照明光学系中におい
て、楕円鏡2による光源像A1,ロッド型オプティカル
インテグレータ71の入射側面A2,第2集光レンズ7
2の射出側焦点位置A3は、投影光学系の入射瞳(開口
絞り11a)と互いに共役に設けられており、換言すれ
ば、A1,A2,A3は、物体面(レチクル10及びウ
エハ12)のフーリエ変換面となっている。また、ロッ
ド型オプティカルインテグレータ71の射出側面B1
は、物体面(レチクル10及びウエハ12)と互いに共
役に設けられている。
【0065】また、図7に示した第3実施例では、光分
割光学系4で光束を2分割した例を示したがこれに限る
ことなく、図2に示したプリズムを用いて、フーリエ変
換面に4つの面光源を形成する構成としても良い。とこ
ろで、図1,図6,図7に示した各実施例では、各多面
光源形成光学系により形成される2次的もしくは3次的
な複数の面光源位置に設けらた可変開口絞り8は、口径
を変化させることにより、光源像の大きさを可変として
いる。従って、投影光学系の瞳面上に形成される光源像
の大きさをコントロールすることにより、適切なσ値の
下で最適な傾斜照明が達成できる。
【0066】ここで、各多面光源形成光学系により形成
される面光源像の大きさは、射出する各光束の1つあた
りの開口数(レチクル上の角度分布の片幅)が、投影光
学系のレチクル側開口数に対して0.1から0.3倍程
度であるとよい。これは0.1倍以下では転写パターン
(像)の忠実度が低下し、0.3倍以上では、高解像度
かつ大焦点深度の効果が薄らぐからである。
【0067】なお、可変開口絞りの代わりに複数の異な
る口径を円板上に設けこれを適宜回転される所謂、ター
レット方式等により光源像の大きさ変化させて最適なσ
値に変更しても良い。また、図1,図6及び図7に示し
た各実施例では、水銀灯等の光源1を楕円鏡2で集光
し、インプットレンズ3で平行光束としている構成とし
ているが、エキシマ等の平行光束を供給するレーザー等
を光源を使用し、このレーザーからの平行光束を光分割
光学系4に入射させる構成としても良い。特に、図6に
示す第2実施例の場合、フライアイレンズ60a,60
bの射出側面A2に形成される光源像は実質的に大きさ
のない点光源が形成されるためフライアイレンズ60
a,60bの射出側面A2の形状を平面としても良い。
しかもエキシマレーザー等の出力の高い光源を使用した
場合にはフライアイレンズ60a,60bの射出側面A
2には光エネルギーが集中するため、フライアイレンズ
60a,60b の耐久性を維持するには、それの入射
側面B1の焦点位置がその射出側面A1より外側の空間
上に位置するように構成することが良い。
【0068】
【発明の効果】以上、本発明によれば、通常の透過及び
遮光パターンから成るレチクルを使用しながら、従来よ
り高解像度かつ大焦点深度の投影露光装置を実現するこ
とが可能である。しかも本発明によれば、すでに半導体
生産現場で稼動中の投影露光装置の照明光学系の1部分
を替えるだけで良く、稼動中の装置の投影光学系をその
まま利用してそれまで以上の高解像度化、すなわち大集
積化が可能となる。
【0069】また、光分割光学系は照明光束を効率良く
導くために、照明光量も従来の装置に比べて大きく損失
することはない。従って、露光時間の増大もほとんどな
く、その結果処理能力(スループット)の低下もない。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施例による投影露光装置の構成
を示す図。
【図2】光分割光学系の1例を示す斜示図。
【図3】図1中の照明光学系の1部を示す図。
【図4】多面光源形成光学系の照明光学系内での配置の
原理を示す図。
【図5】多面光源形成光学系の配置方法を説明する図。
【図6】本発明の第2実施例による投影露光装置の構成
を示す図。
【図7】本発明の第3実施例による投影露光装置の構成
を示す図。
【図8】本発明の原理を説明するための装置構成を示す
図。
【図9】従来の投影露光装置での投影原理を説明する
図。
【主要部分の符号の説明】
1・・・光源 2・・・楕円鏡 3・・・インプットレンズ 4・・・光分割光学系 5a、5b、70・・・第1集光レンズ 6a、6b、71・・・ロッド型オプティカルインテグ
レータ 7a、7b、72・・・第2集光レンズ 9・・・コンデンサーレンズ 10・・・レチクル 11・・・投影レンズ 12・・・ウエハ 60a、60b・・・フライアイレンズ

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】所定のパターンが形成されたレチクルを、
    照明光学系を通した光源からの照明光で照射し、前記パ
    ターンの像を投影光学系を介して感光基板上に結像する
    投影露光装置において、 前記照明光学系は、前記照明光を分割する光分割光学系
    と、該光分割光学系によって分割された各光束に対応し
    た複数の面光源を前記レチクルに対するフーリエ面、も
    しくはその近傍での前記照明光学系の光軸から偏心した
    複数の位置に形成する多面光源形成光学系と、該多面光
    源形成光学系による複数の面光源からの光束を前記レチ
    クルへ集光するコンデンサーレンズとを有し、 前記多光源形成光学系は、少なくともロッド型オプティ
    カルインテグレータを含むことを特徴とする投影露光装
    置。
  2. 【請求項2】前記多面光源形成光学系は、前記照明光学
    系の光軸から偏心した複数の位置に各々の中心が配置さ
    れる複数のロッド型オプティカルインテグレータを有す
    ることを特徴とする請求項1記載の投影露光装置。
  3. 【請求項3】前記多面光源形成光学系は、前記光分割光
    学系により分割された光束を集光する第1集光レンズ
    と、該集光レンズによる集光点に入射面が位置するロッ
    ド型オプティカルインテグレータと、該ロッド型オプテ
    ィカルインテグレータからの光束を集光して複数の面光
    源を前記レチクルに対するフーリエ面、もしくはその近
    傍に形成する第2集光レンズとを有することを特徴とす
    る請求項1記載の投影露光装置。
JP03258049A 1990-11-15 1991-10-04 投影露光装置及び露光方法並びに回路パターン形成方法 Expired - Lifetime JP3074843B2 (ja)

Priority Applications (11)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP03258049A JP3074843B2 (ja) 1991-10-04 1991-10-04 投影露光装置及び露光方法並びに回路パターン形成方法
US08/549,325 US5719704A (en) 1991-09-11 1995-10-27 Projection exposure apparatus
US09/246,852 US6100961A (en) 1991-09-11 1999-02-09 Projection exposure apparatus and method
US09/246,853 US6392740B1 (en) 1991-09-11 1999-02-09 Projection exposure apparatus
US09/280,580 US6377336B1 (en) 1991-09-11 1999-03-30 Projection exposure apparatus
US09/991,696 US6710854B2 (en) 1991-09-11 2001-11-26 Projection exposure apparatus
US10/124,362 US6864959B2 (en) 1991-09-11 2002-04-18 Projection exposure apparatus
US10/202,007 US6710855B2 (en) 1990-11-15 2002-07-25 Projection exposure apparatus and method
US10/759,604 US6885433B2 (en) 1990-11-15 2004-01-20 Projection exposure apparatus and method
US10/759,598 US6967710B2 (en) 1990-11-15 2004-01-20 Projection exposure apparatus and method
US10/759,603 US6897942B2 (en) 1990-11-15 2004-01-20 Projection exposure apparatus and method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP03258049A JP3074843B2 (ja) 1991-10-04 1991-10-04 投影露光装置及び露光方法並びに回路パターン形成方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH05102003A true JPH05102003A (ja) 1993-04-23
JP3074843B2 JP3074843B2 (ja) 2000-08-07

Family

ID=17314836

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP03258049A Expired - Lifetime JP3074843B2 (ja) 1990-11-15 1991-10-04 投影露光装置及び露光方法並びに回路パターン形成方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3074843B2 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0687956B2 (de) 1994-06-17 2005-11-23 Carl Zeiss SMT AG Beleuchtungseinrichtung
CN100406962C (zh) * 2004-04-01 2008-07-30 叶为全 利用低密度光栅偏振片或塑料透镜实现二维/伪三维切换的方法
WO2009078223A1 (ja) * 2007-12-17 2009-06-25 Nikon Corporation 空間光変調ユニット、照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法
JP2011187930A (ja) * 2010-03-04 2011-09-22 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置および方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0687956B2 (de) 1994-06-17 2005-11-23 Carl Zeiss SMT AG Beleuchtungseinrichtung
CN100406962C (zh) * 2004-04-01 2008-07-30 叶为全 利用低密度光栅偏振片或塑料透镜实现二维/伪三维切换的方法
WO2009078223A1 (ja) * 2007-12-17 2009-06-25 Nikon Corporation 空間光変調ユニット、照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法
JP2011187930A (ja) * 2010-03-04 2011-09-22 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置および方法
US8610878B2 (en) 2010-03-04 2013-12-17 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method

Also Published As

Publication number Publication date
JP3074843B2 (ja) 2000-08-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3075381B2 (ja) 投影露光装置及び転写方法
US7126667B2 (en) Exposure apparatus and method
KR101346406B1 (ko) 노광 방법 및 장치, 그리고 디바이스 제조 방법
JPH0567558A (ja) 露光方法
JP3049774B2 (ja) 投影露光装置及び方法、並びに素子製造方法
JP3084760B2 (ja) 露光方法及び露光装置
JP3049775B2 (ja) 投影露光装置及び方法、並びに素子製造方法
JP3049777B2 (ja) 投影露光装置及び方法、並びに素子製造方法
JP3303322B2 (ja) 投影露光装置及び方法、並びに素子製造方法
JP3243818B2 (ja) 投影露光装置及び方法、並びに素子製造方法
JP2004207709A (ja) 露光方法及び装置
JP3259221B2 (ja) 投影露光装置
JP3074843B2 (ja) 投影露光装置及び露光方法並びに回路パターン形成方法
JP3209218B2 (ja) 投影露光装置及び方法、並びに素子製造方法
JP3360319B2 (ja) 投影露光装置及び半導体素子の形成方法
JP3362405B2 (ja) 投影露光装置及び方法、並びに素子製造方法
JP3049776B2 (ja) 投影露光装置及び方法、並びに素子製造方法
JP3102087B2 (ja) 投影露光装置及び方法、並びに回路素子形成方法
JP2884848B2 (ja) 投影露光装置および回路パターン形成方法
JP2000106346A (ja) 投影露光装置及び方法、並びに半導体素子の形成方法
JP3414392B2 (ja) 投影露光装置
JP3230264B2 (ja) 投影露光装置及び方法、並びに素子製造方法
JP3102086B2 (ja) 投影露光装置及び方法、並びに回路素子形成方法
JP3298585B2 (ja) 投影露光装置及び方法
JP2000068201A (ja) 投影露光装置及び半導体素子の形成方法

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120609

Year of fee payment: 12

EXPY Cancellation because of completion of term
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120609

Year of fee payment: 12