TW200416853A - Semiconductor device manufacturing apparatus and its manufacturing method - Google Patents

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Description

200416853 玖、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關一種在半導體晶圓中形成元件之後，個片 化孩半導體晶圓，並形成半導體元件（半導體晶片）之半導體 裝置的製造裝置以及其製造方法，特別是有關一種在個片 化半導體晶圓之際的黏著性膠帶之重新黏貼技術。 【先前技術】 以往，在個片化半導體晶圓而形成半導體元件之際，以 黏著性膠帶等暫時保持半導體晶圓的背面（元件形成面的 背面)側，在切斷（分割）為各個半導體元件之後，由於在下 個步驟使各個半導體兀件剝離，故將黏著性膠帶重新黏 於半導體元件的表面（元件形成面）側。 然後，藉由圖32及圖33概略說明上述製造步驟。首先， 如圖32所不’在兀件形成結束的半導體晶圓工工的背面黏貼 黏著性膠帶（保持膠帶）12。該黏著性膠帶12為半導體晶圓u 以上的尺彳，在搬送或裝設於製造裝置之㉟，由於取得容 易，故裝設於晶圓外框13。然後，將上述半導體晶圓⑴刀 祕為各個半導體元件在圖Μ中，雖顯 :使:：石刀片14切斷的樣子’惟分剖方法係以機械性切 耐、機械性磨削與晶圓劈開(劈開)、劃線針與晶圓劈開、昭 射雷射光線、照射雷射光線與„劈料各種核實施（例 如參照專利文獻1)。 切斷成各個半導體元件⑴卜u_ 11伤4国we - ...的丰導體晶圓 η係如圖33所不’以晶圓框架13與黏著性膠帶12保持之狀
0： V90\90507.DOC 200416853 怨搬送。 然後’從黏貼在半導㈣曰 Γ 、 叩因u的背面側之黏著性膠帶” 依序拾取半導體元件U-1、u " ~ y. . "*3 ··· °在該拾取之降， 使黏貼性膠帶12伸張，加寬半導體元件叫、叫 ‘、 間的間隙時，亦有不加寬而可拾取之情況。 -3._· 、=而，t已拾取的半導體元件安裝在導引框或τΑβ膠帶 ^ 1封在樹脂製或m的封裝體以完成半導體裝置。 又，在薄厚化半導體元件時，如圖34所示，在半導體曰曰 圓11切斷為各個半導體元件U-1、u 曰曰
Ud···後，如圖35 所不’黏者性膠帶從半導體晶圓_背面側重新貼於表面 L將以黏著性膠帶15與晶圓框架16所保持的半導體晶圓 板运到㈣裝置的盤上（參照圖36)。繼而，如圖36所示， 半導體晶圓U的背面藉由研磨石17之磨削以及游離研磨粒 之研磨或是蝕刻等除去而薄厚化。 、此外1在此以使用晶圓外框13(及16)之情況進行說明， 隹圖37所7F ；F使用晶圓外框13而僅以黏著性膠帶⑵呆 持而切斷晶HU，如圖38所示，在各個半導體元件叫、 11-2、11-3…黏貼於黏著性膠帶12之狀態下搬送亦可。又， 在僅以黏貼性膠帶15保持晶圓11的狀態下，亦可磨削半導 體晶圓11的背面。 然而，，近年來’由於增加每一片半導體晶圓之半導體元 件的取得故使上迷半導體晶圓在切斷時之線寬度變狹 窄。又，求出將最後的半導體元件之厚度設為100心以下 (超薄厚化’且必須降低在切斷個片化半導體晶圓時產生
O:\90\90507 DOC 200416853 的損傷。 然而，在上述習知的半導體裝置的製造裝置或製造方 中’產生如下之問題。 / 首先，在切斷為各個半導體元件時，當切斷間隙狹小時， 在搬送時如圖39⑷及⑻所示，鄰接的半導體元件n、’ 11-2、11-3…互相干涉。（幻圖係顯示在搬送時施加的應力 (b)圖係放大以（a)圖之虛線18包圍的區域。如圖糾所^，藉 由該干涉在半導體元件叫的側面產生小碎片m或受^ 19B等損傷。因此，在之後的拾取步驟或安裝步驟等產 時’產生晶片裂缝導致不良。 又，如圖41及圖42所示，在進行背面磨削之際，干涉各 個半導體元件11-1、11-2…，在半導體元件^、u_2••的 側面或背面產生小碎片19A或受傷19B等損傷。因此，在之 後的拾取步驟或安裝步驟等產品化時，更容易產生晶片裂 缝，導致品質降低或製造產率降低。 特別是，在半導體晶圓的分割使用晶圓劈開（劈開）時， 實質上由於無各個半導體元件丨丨-丨、Uj、u_3••的間隙， 故因為上述半導體元件間之干涉引起的小碎片或受傷等之 損傷的問題顯著。 【專利文獻2】 特開平11-40520號公報 【發明内容】 【發明所欲解決之課題】 如上所述，在習知的半導體製造裝置以及其製造方法
O:\90\90507.DOC 200416853 中係在搬送時或背面磨削時 片或夢秫 > 护作义 夕千等m 7C件，產生小碎 另貝知，導致品質降低或^ 太政n 乂表化屋率的降低之問題。 本务明係有鑑於上述情況 種+ 者，其目的在於提供一 猎由抑制搬送時或背面磨削時之 小碚好-V、6 A _ 牛導眩兀件的干涉，降 平片或文傷寺的損傷，可提 裝置的制、止狀田 貝4 屋率足+導體 罝的版k裝置以及其製造方法。 【用以解決課題的手段】 2關本發明-料之半導财置之製造裝置，其特徵在 、”備有以下構件··黏貼機構，係曰 成面之背面黏貼第!保持構件;切斷機:導一的兀件形 _構’係切斷並個片化 处+導租晶圓；以及重新黏貼機構，係使上述第 件伸張，在加寬已個片化的半導 、冓 間隙之般能下, 0牛導月且日曰困又+導體元件間的 *、狀心下，在上述半導體晶圓的元件形# π^0 t 保祛Μ杜一丄+ _ J7L忤形成面側黏貼第2 =持構件，精由使上述第1保持構件剝離，重新黏貼保持構 根據上述構成的裝置，由於可抑制搬送時之半導體 :干涉，因此降低小碎片或受傷之損傷，可提升品；或製 造產率。 有關本發明—態樣之半導體裝置之製造方法，其特徵在 於具備有以下步驟··在半導體晶圓之元件形成面的背面黏 貼第1保持構件；將上述半導體晶圓分割為各個半導體元 件’使上述第1保持構件伸張，加寬上述已分割的半導體Θ 圓之各個半導體元件間的間隙；在上述半導體晶圓的二 形成面側黏貼第2保持構件;以及使上述第…持構件剥離。
O:\90\90507.DOC 200416853 根據這種製造方法，由於可抑制搬送時之半導體元件的 干涉’因此降低小碎片或受傷之損傷，可提升品質或製造 產率。 【實施方式】 【發明之實施形態】 以下，參照圖面說明本發明之實施形態。 [第1實施形態] 圖1至圖7係分別說明有關本發明之第丨實施形態的半導 體裝置之製造裝置以及其製造方法者，依序顯示製造裝置 的一部份及製造步騾的一部份之圖。 首先，如圖1(a)及（b)所示，在元件形成結束的半導體晶 圓21之背面黏貼保持用的黏著性膠帶（第丨保持構件。該 黏著性膠帶22為半導體晶圓21以上的尺寸，在搬送或裝設 於製造裝置之際，為了容易拿取而裝設於晶圓框架23。然 後，將土述半導體晶圓2 1切斷為各個半導體元件2丨_ 、 21-2、21-3···。在圖i(a)中，藉由使用鑽石刀片24沿著切割 線切削機械性切削的樣子，惟分割方法不僅為機械性切 斫，亦可使用沿著晶片分割之化學性的蝕刻。又，亦可以 機械性的磨削與化學性的蝕刻之組合、磨削與晶圓劈開（劈 開）、劃線針與晶圓劈開、使用雷射劃線針之切斷、及照射 雷射光線與晶圓劈開等種種的方法進行。 然後，如圖2(a)及（b)所示，將晶圓框架23裝設在膠帶重 新黏貼裝置，以模具25按押黏著性膠帶22並使之伸張，加 寬經個片化的半導體元件2丨-1、21-2、21-3···的間隙（間隔
O:\90\90507.DOC 200416853 △ D)。該間隙以i〇/tzm以上較佳。 乂後如圖3(a)、（b)所示，以加寬經個片化的半導體元 件2 1 1 21 -2·.·的間隔之狀態，例如使用滾子40在半導體晶 圓21的元件形成面侧黏貼黏著性膠帶（第2保持構件）26。該 黏=性膠帶26係使用雷射光線的照射或切割機在黏貼之後 沿著半導體晶圓21的外周切斷。或者是，以半導體元件 21-1、21-2···間的間隙加寬的狀態之半導體晶圓的尺寸黏貼 預先切斷的黏著性膠帶26亦可。在黏㈣著性膠帶％之後 沿著外周士刀if時，使用間隙加寬狀態的丨導體晶圓之形狀 以及尺寸的補助板時比較容易切斷。 然後，如圖4所示，以吸附盤27吸附保持該黏著性膠帶％ 的表面全面。該吸附盤27的吸附面係以多孔質材形成，藉 由真空管吸引，吸附黏著性膠帶26的表面全面。 在該狀態下，如圖5所示，以撥離爪28在圖示箭號方向使 黏貼於經個片化的半導體晶圓2丨的背面側之黏著性膠帶 剝離。當黏著性膠帶22的剝離結束時，如圖6所示，成為以 黏著性膠帶26保持已個片化的半導體晶圓2丨之狀態。 然後，當真空吸引停止，依序剝離並拾取半導體元件 21-1、21-2、21-3·..。圖7係代表性顯示已拾取的半導體元 件 21-1 〇 繼而，將經拾取的半導體元件21-1、21-2、21-3.··安裝在 導引框或TAB膠帶之後，密封在樹脂製或陶瓷製的封裝體。 根據上述的構成以及製造方法，如圖8(a)及（b)所示，在 加寬半導體元件21-1、21-2、21-3···的間隙（間隔）之狀態下
O:\9O\9O507.DOC -10- 200416853 保持並搬送，因此可抑制半導體元件間的干涉 低小碎片或受傷等損傷，可提升品質或”曰降 [第2實施形態] 至⑽係分別說明有關本發明之第2實施形 髌裝置之製造裝置以及並製& +導 αλ ，、万法者，依序顯示製造裝f 的—邵份及製造步驟的一部份之圖。 。首先’如圖9⑷及(b)所示，在元件形成結束的半導體晶 SUk背面黏貼保持用的黏著性膠帶（第^持構件阳。兮: 2著性膠帶22為半導體晶圓21以上的尺寸，為了於搬送: 客易拿取而裝設於晶圓框架23。然後，將上述半㈣ 加斷為各個半導體㈣21小21_2、21_3··。在圖 ，示藉由使用鑽石刀片24沿著切割線切削之機械性切削的 ^子障刀¥彳方法不僅為機械性切斷，亦可使用沿著晶 分割線之化學性的姓刻。又’亦可以使機械性的磨削虫化 學性的飯刻組合、磨削與晶圓劈開（劈開）、劃線針與晶圓劈 開、使用雷射劃線針之切斷、及照射雷射光線與晶圓劈^ 等種種的方法進行。 然後，如圖10⑷及⑻所示，將晶圓框架23裝設在膠帶重 新黏貼裝置，以模具25按押黏著性膠帶22並使之伸張，加 寬已個片化的半導體元件21-丨、μ、aw···的間隙（間隔Π △ D)。該間隙以1〇// m以上較佳。 然後，如圖11(a)以及（b)所示，以加寬經個片化的半導體 元件21-i、21-2、21-3…的間隔之狀態，例如使用滾子4〇^ 半導體晶圓21的元件形成面側黏貼黏著性膠帶（第2保持構
O:\90\90507.DOC -11- 200416853 件）26。該黏著性膠帶26係在黏貼之後沿著半導體晶圓叫 外周使用雷射光線的照射或切割機切斷亦可，以半導妒元 件21小21-2…間的間隙加寬的狀態之半導體晶圓的尺寸黏 貼預先切斷的黏著性膠帶26亦可。在黏貼黏著性膠帶^之 後沿著外周切斷時，使用間隙為加寬狀態的半導體晶圓形 狀以及尺寸的補助板時比較容易切斷。 然後’如W 12所示，以吸附盤27吸附保持該黏著性膠帶 26的表面之全面。該吸附盤27的吸附面係以多孔質材形 成，藉由以真空管吸引，吸附黏著性膠帶26的表面之全面: 在該狀態下’如圖13所示，以撥離爪28在圖示箭號方向 使黏貼於半導體晶圓21的背面侧之黏著性膠帶Μ剥離。當 黏著性膠帶22的剝離結束時，如圖14所示，成為以黏著性 膠帶26保持已個片化的半導體晶圓21之狀態。 然後，當真空吸引停止，將已個片化的半導體晶圓 运到磨料裝置的盤上。 然後，如圖i5⑷及⑻所示，藉由研磨石29之磨削以及游 離研磨粒等之研磨除去半導體晶圓21的背面至特定的厚度 使< 變薄，形成如圖16所示的半導體元件。因應需要， 在上述背面磨削後進行姓刻（乾㈣、濕㈣、氣體#刻、 CMP等）除去磨削面所形成的傷亦可。當然，亦可不進行機 械性的磨削或研磨，而僅以蝕刻加工至特定的厚度。 繼而，將從上述黏著性膠帶26拾取的半導體元件21_丨、 1 3··.安裝在導引框或τΑΒ膠帶之後，密封在樹脂製 或陶瓷製的封裝體。
O:\90\90507.DOC -12- 200416853 根據上述的構成以及絮生、 k万法，如圖14所示，在加宽半 導體元件 21-1、21-2、21 7 3 ···的間隙（間隔）之狀態下保持並 搬送，因此可抑告|丨分α ’又k到背面磨削步驟時半導體元件 2 1 -1、2 1 - 2、2 1 - 3 ...間的；、、止 ··、干^。又，如在圖1 7放大以圖1 5的 虛線3 0包圍的區域所千 & ^ '、猎由上述間隙可抑制各半導體元 件之干步。藉此’降低小碎心 J坪片或文傷寺損傷，可提升品質 或製造產率。 L變艰例1」 此夕卜，在上述第1、第？舍、Α μ 罘2見她形毖中，雖以使用晶圓框架 23之情況為㈣行說明，惟如_所示，不使用晶圓框架 23,以與半導體晶圓21大致相同的形狀且以黏貼於相同尺 寸的黏貼性膠帶22之狀態分割半導體晶_亦可。又，不 使用晶圓框架23’ #圖19所示’在各個半導體元件 21-2、21-3…黏貼於黏著性膠帶22之狀態下搬送亦可。不使 用晶圓框架23將黏著性膠帶重新黏貼於表面側，亦可磨削 半導體元件21-1、21-2、21_3···的背面。 [變形例2] 圖20係顯示在上述p、第2實施形態中，使黏著性膠帶 22伸張’力口寬半導體元件21]、21_2、21_3 ··.之間隙的步孽 (參照圖2⑷及（b)以及圖1〇⑷及⑻)之其他例。在該例中， 使黏著性膠帶22伸張之際，取代模具25按押盤31。 這種裝置的構成以及製造方法係半導體元件2ι_卜 之尺寸大且薄時可縮小半導體元件之撓曲最為理想。 [變形例3] O:\90\90507.DOC -13 - 200416853 圖2 1係頒不在上述第1、裳9ρ μ山 罘1罘2貝她形悲中，使黏著性膠帶 22伸張，加寬已個片化的半導體元件2Η、21_2·.·之間隙的 步驟。在該例中’使黏著性膠帶22伸張之際，從噴嘴32喷 塗已加熱的空氣（熱空氣）至黏著性膠帶U。
Xe種裝置的構成以及製造方法係在黏著性膠帶22擴張 時，使半導體晶圓21的下面全體暖和，使黏著性膠帶以 容易伸張。 [變形例4] 圖22係颈示在上述第i、第2實施形態中，使黏著性膠帶 22伸張，加寬已個片化的半導體元件仏卜仏义··之間隙的 步驟。在該例中，使黏著性膠帶22伸張之際，以内藏於膠 帶31的加熱器33加熱黏著性膠帶22與半導體晶圓21。 XI種裝置的構成以及製造方法係在黏著性膠帶22擴張 時，使半導體晶圓21的下面全體暖和使黏著性膠帶22更容 易伸張°~ [變形例5] 圖23至圖27係分別在上述第}、第2實施形態中，顯示重 新黏貼黏著性膠帶之步驟的其他例。圖23係使黏著性膠帶 22伸張之際所使用的盤之斜視圖，圖24至圖27係分別為黏 著性膠帶的重新黏貼步驟。如圖23所示，按押黏著性膠帶 22之盤34係分割為複數個區塊3心丨、3心2、34-3...。 然後，如圖24所示，首先，以上述盤34的全體按押黏著 性膠帶22加寬半導體元件21-1、21_2、2丨-3…的間隙之狀 態，以吸附盤27吸附保持黏著性膠帶26的表面之全面。 O:\90\90507.DOC -14- 200416853 然後，如《25及圖26所示，以_爪使黏貼在半導體晶 圓2i的背面側之黏著性膠帶22在圖示箭頭方向剝離。此 時，與使黏著性膠帶22剝離的速度相合（或是因應已剥離的 =置），使吸附盤27的各區塊27]、27_2、27_3··.依序從黏 著性膠帶22剝離，—邊解除按押之伸張動作，—邊使黏著 性膠帶22剝離。然後，當黏著性膠帶。之剝離結束時，成 為如圖2 7所示的狀態。 繼而，停止真空吸附，之後進行與上述第卜第2實施形 態相同的步騾。 根據這種構成以及製造方法，可有效剝離黏著性膠帶U [變形例6] 圖28係在上述第1、第2實施形態中，說明重新黏貼黏著 性膠帶之步驟的其他例，使黏著性膠帶22伸張的步驟之剖 面圖。如圖示，在盤34中的各區塊34-1、34_2、34_3 ••中内 藏加熱姦33-1 ' 33-2、33-3…，可在每一區塊34」、34_2、 j4-3···加熱黏著性膠帶22。重新黏貼步驟係與圖至圖π 相同，以後的步驟由於與上述第丨、第2實施形態相同，因 此省略其詳細說明。 即使使用這種構成的盤34使黏著性膠帶22伸張，可獲得 與上述第1、第2實施形態或其變形例相同的作用效果。 [變形例7] 圖29(a)係在使黏著性膠帶22伸張之際所使用的盤之斜視 圖。該盤35係在中央部形成凹處，如圖29(b)所示，介以黏 著性膠帶22將半導體晶圓21的周邊部按押成環狀。
O:\90\90507.DOC -15- 200416853 即使使用這種構成的盤35使黏著性膠帶22伸張，亦可獲 得與上述之第卜第2實施形態或其變形例相同的作用功效。 [變形例8] 圖30(a)係在伸張黏著性膠帶22之際所使用的盤之斜視 圖。該盤3 5係在中央部形成凹處，如圖30(b)所示，介以黏 著性膠帶22將半導體晶圓21的周邊部按押成環狀。又，在 該盤35的底部設置噴塗熱空氣以加熱黏著性膠帶22之喷嘴 32 〇 即使使用這種構成的盤35使黏著性膠帶22伸張，亦可獲 4于與上述之弟1、弟2貫施形態或其變形例相同的作用功效。 [變形例9] 圖3 1(a)係在伸張黏著性膠帶22之際所使用的盤之斜視 圖。該盤35係如圖31(b)所示，介以黏著性膠帶22將半導體 晶圓21的周邊部按押成環狀。又，該盤35係分割為複數個 區塊 35-士、35-2、35-3...。 即使使用這種構成的盤35使黏著性膠帶22伸張，亦可獲 仵與上述之第卜第2實施形態或其變形例相同的作用功效。 [變形例10] 在上述第卜第2實施形態中，雖說明使用黏著性膠帶22、 26作為保持已個片化的半導體晶圓以之保持構件為例，惟 黏著性膠帶22可保持已個片化的半導體晶_，且若為可 伸張當的構件則亦可為其他構件。又，黏著性膠帶％以非 收縮㈣為佳，可使用具有保持已個片化的半導體晶圓Η 〈黏著層的板狀之各種構件。黏著性膠帶22、％係因應需
O:\90\90507 DOC -16- 200416853 要藉由選擇膠帶的厚度或材質、黏著強度等， 特性設定為更好的條件。 、”万勺 [變形例ΐη 在上述第1實施形態中，在半曰 性膠帶22,雖從元件形成面侧"曰;黏=黏貼黏著 貼於元件形成面側並從背面側切斷亦可 =:性:帶22黏 膠帶26黏貼在背面側。 ’·，、，將黏孝性 在這種情況下，藉由抑制上述搬送時的半導體元 涉，降低小碎片或受傷等損傷，可 效果不變。 3 說Πί述矛1及第2實施形態與其變形例進行本發明的 說月’惟本發明係不限^於上述各實施形態者，在實 段中，在不脫離其要旨的範圍内可進行各種變形。又 上述各實施形態中包含各種階段的發明，藉由適當电人所 揭=複^固構成要件，可抽出各種發明。例如，即餘 各貫施形態所示的全構成要件消除幾個構成要件，可解決 在發明所欲解決的課題欄所述的課題中至少—個，。^ 在發明的效果之欄中所述的效果至少—個時，可抽 孩構成要件之構成的發明。 【發明的功效】 如上述所說明，根據本發明，藉由搬送時或背面磨削時 的半導體元件之干涉，降低小碎片或受傷等的損傷，可浐 升品質或產品的產率之半導體裝置的製造裝置以及其製= 方法。 八 ^
O:\90\90507.DOC -17- 200416853 【圖式簡單說明】 、圖1係說明有關本發明之第1實施形態的半導體裝置之製 ^裝置以及其製造方法者’顯示製造裝置之—部分以及製 、:V 1之彳刀’⑷圖係使用鑽石刀片機械性磨削並切斷 半導體晶圓之斜視圖，（13)圖係其剖面圖。 圖2係說明有關本發明之第丨實施形態的半導體裝置之製 造裝置以及其製造方法者，顯示製造裝置之一部分以及製 造步驟之-部分，⑷圖係將晶圓框架裝設在模具而使黏貼 性膠帶伸張的樣子，（b)圖係其剖面圖。 圖3係說明有關本發明之第丨實施形態的半導體裝置之製 造裝置以及其製造方法者，顯示製造裝置之一部分以及製 造步驟之一部分，（a)圖係在半導體元件之元件形成面側黏 貼其他的黏著性膠帶之狀態的斜視圖，（1))圖係其剖面圖。 圖4係說明有關本發明之第丨實施形態的半導體裝置之製 造裝置β及其製造方法者，顯示製造裝置之一部分以及製 造步驟之一部分’以吸著膠帶吸著黏著性膠帶的表面之全 面而保持的狀態之剖面圖。 圖5係說明有關本發明之第1實施形態的半導體裝置之製 造裝置以及其製造方法者，顯示製造裝置之一部分以及製 造步驟之一部分，使半導體晶圓的背面側所黏貼的黏貼性 膠帶玻璃之步驟的剖面圖。 圖6係說明有關本發明之第1實施形態的半導體裝置之製 造裝置以及其製造方法者，顯示製造裝置之一部分以及製 造步驟之一部分，使黏著性膠帶的玻璃結束之狀態之剖面 OA90\90507.DOC -18- 200416853 圖 圖7係說明有關本發 个奴月（罘；U她形悲的半導體裝 造裝置以及其製诰女、土土 _ ^ /者，氣、不經拾取的—個半導體元 之侧面圖。 圖8係現明有關本發明篇眘 a 4知/」惑罘1貫她形怨的半導體 造裝置以及其製造方法之步 & 、 乃清<搬迗步驟者，（a)係斜視圖，（b)圖 係放大（a)圖的—部分之剖面圖。 、圖9係說明有關本發明之第2實施形態的半導體裝置之製 ^裝置以及其製造方法者，顯示製造裝置之-部分以及製 造步騾之一部分，（a)圖係使用鑽石刀片機械性磨削並切斷 半導體晶圓之斜視圖，(b)圖係其剖面圖。 圖10係說明有關本發明之第2實施形態的半導體裝置之 製造裝置以及其製造方法者，顯示製造裝置之-部分以及 製造步驟之一部分，⑷圖係將晶圓框架裝設在模具而使黏 貼性膠帶伸張的樣子，⑻圖係其剖面圖。 圖11係說明有關本發明之第2實施形態的半導體裝置之 製造裝置以及其製造方法者，顯示製造裝置之—部分以及 製造步騾之一部分，⑷圖係在半導體元件之元件形成面側 黏貼其他的黏著性膠帶之狀態的斜視圖，⑻圖係其剖面圖。 圖12係說明有關本發明之第2實施形態的半導體裝置之 製造裝置以及其製造方法者，顯示製造裝置之一部分以及 製造步驟 < 一部分，以吸著膠帶吸著黏著性膠帶的表面之 全面而保持的狀態之剖面圖。 圖13係說明有關本發明之第2施形態的半導體裝置之製
O:\90\90507.DOC -19- 200416853 以裝置以及其製造方法者，顯示製造裝置之一部分以及製 造步驟乏* —却八 ^ ΛΑ 。为’使半導體晶圓的背面側所黏貼的黏貼性 膠τ破璃之步驟的剖面圖。 ▲圖14係說明有關本發明之第2施形態的半導體裝置之製 =裝置以及其製造方法者，顯示製造裝置之一部分以及製 ,、ί之"卩刀，使黏著性膠帶的玻璃結束之狀態之剖面 圖。 u圖15係說明有關本發明之第2實施形態的半導體裝置之 製k裝置以及其製造方法者，⑷係顯示半導體晶圓之背面 磨削步驟的斜視圖’ (b)圖係其剖面圖。 ，圖16係說明有關本發明之第2實施形態的半導體裝置之 製造裝置以及其製造方法者，顯示經拾取的—個半導體元 件之側面圖。 圖17係&明有關本發明之第2實施形態的半導體裝置之 製造裝置以及其製造方法之搬送步驟者，係放大圖15⑻的 一部分之剖面圖。 圖18係說明有關本發明之第1變形例的半導體裝置之製 造裝置以及其製造方法，顯示半導體晶圓之搬送步驟之斜 視圖。 圖1 9係說明有關太旅RF|、Μ 尽發明芡弟1變形例的半導體裝置之製 造裝置以及其製造方、、土 w 一， 决’顯不半導體晶圓之搬送步驟之斜 視圖。 圖20係說明有關太旅、_ 發月 < 罘2變形例的半導體裝置之製 造裝置以及其製造方沐 ^ ^ ’使黏著性膠帶伸張，並加寬半導
O:\90\90507.DOC -20- 200416853 體元件的步驟之其他例之斜视圖。 圖2 1係說明右m 士 & 造裝置以及其製选方、:日〈第3變形例的半導體裝置之製 體元件的步驟之二：著性膠帶伸張’並加寬半導 人其他例之斜視圖。 圖2 2係說明有關女父 ^ # 又明之第4變形例的半導體裝置之製 造裝置以及其製诰士^ ^ ^ ^ ^ 法，使黏著性膠帶伸張，並加宽丰遒 體元件的步驟之又—其他例之斜視圖。 見切 圖23係說明有關本發明 造裝置以及其製造女、土 卞辛把哀置又製 I万法，使黏著性膠帶伸張，並加寬 體元件的步驟之又—並灿y丨 見+導 其他例所使用的盤之斜視圖。 圖24係說明有關本菸、〜 又月又弟5變形例的半導體裝置之製 造裝置及其製造方法，舌^_ ^ 万决重新黏著性膠帶之第1步驟之剖面 圖。 圖25係說明有關本發 造裝置及其製造方法， 圖0 圖26係說明有關本發 造裝置及其製造方法， 圖。 明之第5變形例的半導體裝置之製 重新黏著性膠帶之第2步驟之剖面 明之第5變形例的半導體裝置之製 重新黏著性膠帶之第3步驟之剖面 圖27係說明有關 造裝置及其製造方 圖0 本發明之第5變形例的半導體裝置之製 法’重新黏著性膠帶之第4步騾之剖面 圖28係說明有關本發 造裝置以及其製造方法 明之第6變形例的半導體裝置之製 ’使黏著性膠帶伸張，並加寬半導
O:\90\90507.DOC -21- 200416853 體元件的步，驟之又一並 〃、他例之斜視圖。 圖29係說明有關 造裝置以及其製造方變形例之半導體裝置之製 加寬半導體元件之間㈣’⑷w係使黏著性膠帶伸張並以 (·用圖⑷所示的1='之其他例所使用的盤，⑻圖 件之間隙的” 吏黏著性膠帶伸張並加寬半導體元 圖30係說明有關本發明之 造裝置以及其製造方法*，γ k+導眩裝置足製 ,^ , 肴 （M圖係使黏著性膠帶伸張开以 加寬半導體元件之_ “、 们Μ伸張並以 / .. ‘、、步騾之其他例所使用的盤，（b) @ (a)使用圖（a)所示的般 (㈨圖 丛、 ^ 吏黏耆性膠帶伸張並加寬半導俨开 件疋間隙的步驟之剖面圖。 見牛導姐兀 圖3 1係說明有關本發明 、主世罢 < 弟9、交形例之半導體裝置之製 造裝置以及其製造方法去 加寬半導、纟_錢黏著性膠帶伸張並以 加寬+導心件〈間隙的步驟之其他例所使用的盤 (a)使用圖（a)所示的般— （）圖 1 吏黏耆性膠帶伸張並加寬半+ 件之間隙的步驟之剖面圖。 牛導胆兀 圖32係說明習知的半導 亍,十導^造裝置以及其製造方法，顯 ^裝置的邵分以及製造步驟的-部分之斜视圖。 、圖33係說明習知的半導體裝置之製造裝置以及其製 法，顯示搬送步驟之斜視圖。 " 、圖⑽說明習知之其他的半導體製造裝置以及其製 法，顯示製造裝置的部分以及製造步驟的一部分之斜視圖。 圖35係說明習知之其他的半導體裝置之製造裝置以及其 製造方法，顯示搬送步驟之斜視圖。 八
O:\90\90507.DOC -22- 200416853 圖36係的其他半導體裝置之製造裝置以及其製 造方法’顯示背面磨削步驟之剖面圖。 圖37係況明“口之其他的半導體製造裝置以及其製造方 法’顯π製造裝置的部分以及製造步驟的—部分之斜視圖。 圖3 8係况明習知之其他的半導體裝置之製造裝置以及其 製造方法，！ 員示搬送步驟之斜視圖。 圖39係况明習知之其他的半導體裝置之製造裝置以及其 製k方法之搬送步驟的問題點，⑷圖係斜視圖，⑻圖係（a) 圖之一部分的放大剖面圖。 圖40係以習知的半導體裝置之製造裝置以及其製造方法 所形成的半導體元件之側面圖。 圖41係說明習知之其他的半導體裝置之製造裝置以及其 製造方法之搬送步驟的問題點，係、圖16之一部分的放大: 面圖。 圖42係以習知的半導體裝置之製造裝置以及其製造方 所形成的半導體元件之側面圖。 / 【圖式代表符號說明】 21 半導體晶圓 21-1 ^ 21^2 > 21-3 半導體元件 22 23 黏著性膠帶（第1保持構件） 晶圓框架 24 鑽石刀片 25 模具 26 黏著性膠帶（第2保持構件）
O:\90\90507.DOC -23 - 200416853 27 吸附盤 28 剝離爪 29 研磨石 31 盤 32 噴嘴 33 > 33-1 、 33-2 、 33-3 加熱器 34 盤 34-1 、34-2 、 34-3 鉤部 35 盤 O:\90\90507.DOC -24-

Claims (1)

  1. 200416853 拾、申請專利範園·· 且’其特徵在於具備·· 圓的元件形成面之背面黏貼第！ L 一種半導體裝置之製造裝 黏貼機構，其在半導體晶 保持構件； 切斷機構，其將上述半導體晶圓切斷而個片化，·及 斤黏4機構，其使上述第！保持構件伸張，在擴大已個 片化的半導體晶圓之半導體元件間的間隙之狀態下，在上 述=導體晶圓的元件形成面側黏貼第2保持構件，藉由使上 述矛1保持構件剝離，重新黏貼保持構件。 2·如申請㈣範圍第i項之半導體裝置之製造裝置，其中上述 重新黏貼機構係具有與上述半導體晶圓對應的形狀以及尺 寸的吸附邵，以上述重新黏貼機構黏貼第2保持構件之後， 以上述吸附部全面吸附上述第2保持構件，使上述第工保 構件剝離。 、 3·如申請專利範圍第2項之半導體裝置之製造裝置，其中上述 及附π卩之上述弟2保持構件的吸附面為多孔質材料。 4.如申請專利範圍第⑴項中任—項之半導體裝置之製造裝 置，其中上述重新黏貼機構係具有用以使上述第丨保持構件 伸張的夫具。 5·如申請專利範圍第丨至3項中任一項之半導體裝置之製造裝 置，其中上述重新黏貼機構係為了使上述第丨保持構件伸 張，具有插入上述第1保持構件而按壓上述半導體晶圓之 盤。 6.如申請專利範圍第丨至3項中任一項之半導體裝置之製造裝 O:\90\90507.DOC 200416853 :’其中上述重新黏貼機構係為了使上述第i保持構件伸 ^具Λ插人上述第1料構件而按壓上述半導體晶圓的周 邊4成環狀之盤。 7.:申請專利範圍第5項之半導體裝置之製造裝置，其中上述 >係分剳為複數個區塊。 8·如申請專利範圍第6項之半導體裝 盤係分割為複數個· 〈“裝置’其中上述 9·如申請專利範圍第⑴項中任—項之半導體裝置之製技 :，其中上述重新黏貼機構係具備在使上述第丨保持構件伸 張時，加熱上述第1保持構件之加熱部。 10.如申請專利範圍第9項之半導體裝置之製造裝置，”上 述加熱部係在上述第丨保持構件噴射高溫的空氣。八 U.如申請專利範圍第9項之半導體裝置之製造裝置，並中上 :加熱部係設在使上述第！保持構件伸張時，按壓上述半導 體晶圓之盤中的加熱器。 H如申請專利範圍第⑴項中任_项之半導體裝置之製造 裝置，其中上述重新黏貼機構係以各半導體元件間的間隙 成為10 Am的方式使上述第丨保持構件伸張。 13费如令請專利範圍第⑴項中任之半導體裝置之製造 -中更具備磨削裝置’其係以上述重新黏貼機構將 上述第i保持構件重貼於上述第2保持構件之後，將上述已 個片化的半導體晶圓之元件形成面的背面侧磨削至特定的 厚度。 K如申請㈣第13項之半導时置之製造裝置，其中更 O:\90\90507.DOC 200416853 刻裝置，其係以上述磨削裝置將上述已個片化的半 導f豆晶圓之元件來占‘人匕 , W <凡仵形成面的背面側磨削至特定的厚度之 蝕刻上述磨削面。 卞又 ， 15.如申請專利範㈣1至3項中任—項之半導體裝置之製造 裝置，其中上述第卜第2保持構件分別為黏著性膠帶。 ^ 一種半導體裝置之製造方法，其特徵在於具備以下步辨. 導體晶圓之元件形成面的背面黏貼第U呆持構件； 將上逑半導體晶圓分割為各個半導體元件，· 各保持構件仲張，擴大上述已分劃的半導體晶圓之 各個半導粗元件間的間隙； 在上料導體晶圓的元件形成面側黏貼第2保持構件；及 使上述第1保持構件剝離。 17·如申4專利㈣㈣項之半導體裝置之製造方法，其 上述半導體晶圓分割為各個半導體元件 割線或晶片分割線，藉由機械、化學 ^者切 組合，分刻上述半導體晶圓。 “或者疋此等的 18.如申請專利範圍第_17項之半導體裝置之製造方法，龙 使上述第1保持構件剥離的步驟係以與上述半導触曰二 的全面對應的尺寸，在吸附上述第“呆持構件曰圓 離。 k弟1保持構件的狀態下剝 19造如=青專並1範圍第16至17項中任一项之半導體裝置之製 的逸：上迷第1保持構件剥離的步驟，係隨著釗離 成面仃，解除為了使切斷時所使用的半導體晶圓之元件r 的背面所黏貼的第1保持構件擴張之按壓的伸張動作 O:\90\90507.DOC 200416853 而進行。 噙申μ專利範圍第I 6至1 7项中任一項之半導體裝置之製 迨方法其中使上述第〗保持構件伸張並擴大上述已分割的 半導體晶圓之各個半導體元件間的間隙之步驟，係在加熱 上述第1保持構件的狀態下進行。 21·如申請專利範圍第16至17項中任一項之半導體裝置之製 迻方法，其中使上述第丨保持構件伸張並擴大上述已分割的 半導體晶圓之各個半導體元件間的間隙之步驟，係使上述 第1保持構件伸張至各半導體元件間的間隙10/zm以上。 Μ·如申請專利範圍第16至17項中任一項之半導體裝置之製 4方法其中在使上述第1保持構件剥離的步驟之後，更具 備將已分割的半導體晶圓之元件形成面的背面側磨削至特 定的厚度之步驟。 23·如申請專利範圍第21項之半導體裝置之製造方法，其中更 具備將上述已分割的半導體晶圓之元件形成面的背面側磨 .削至特定的厚度之後，蝕刻磨削面之步驟。 24·^申請專利範圍第16至17項中任一項之半導體裝置之製 迻裝置，其中上逑第1、第2保持構件分別為黏著性膠帶。 O:\90\90507.DOC
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