CN108748738A - 一种超薄石英划切方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种超薄石英划切方法,属于薄膜电路基板加工技术领域。本方法主要包括石蜡粘接、粘附承载膜、加热解键合、去蜡清洗、倒膜等步骤。采用本发明的技术方案,可以实现超薄石英的高质量划切,同时提高划切后的清洗和分拣效率。
Description
技术领域
本发明涉及薄膜电路基板加工技术领域,特别涉及一种超薄石英划切方法。
背景技术
石英基板由于具有低损耗、低介电常数、高频性能稳定等优势,可用于高频毫米波、太赫兹薄膜电路器件的制造中。
现有的石英基板划切方法是将基板粘贴到UV膜或蓝膜上进行划切。采用UV膜或蓝膜这种柔性底膜进行划切时,由于石英基板质地硬且脆,高速旋转的划片刀挤压基板切割面,容易产生严重的背崩。对于超薄石英基板来说,背崩问题更为严重。
发明内容
有鉴于此,本发明的目的在于提供一种超薄石英划切方法,该方法能够实现对超薄石英的高质量快速划切。
为了实现上述目的,本发明的技术方案如下:
一种超薄石英划切方法,其包括以下步骤:
(1)用粘结剂将待切石英基板粘接到玻璃板上;
(2)将粘接了石英基板的玻璃板放到划片机中,按照石英基板的划切标记进行划切;
(3)在划切好的石英基板表面粘贴带有粘性的中转膜;
(4)将粘好中转膜的玻璃板加热,待玻璃板上的粘结剂融化后,将表层的中转膜揭下,使划切成型的石英基板跟随中转膜从玻璃板上剥离;
(5)将带有石英基板的中转膜固定到清洗支架上,用清洗剂去除石英基板表面的粘结剂,并洗净吹干;
(6)将石英基板的洗净面粘到一张带有扩膜环的承载膜上,撕下石英基板表面的中转膜;
(7)将粘附石英基板的承载膜放到扩膜机上扩膜,完成超薄石英基板的划切。
可选的,所述粘结剂为石蜡,所述清洗剂为酒精,所述中转膜为高温胶带或UV膜,所述承载膜为UV膜。
与现有技术相比,本发明所取得的有益效果为:
1、与现有的UV膜蓝膜等柔性膜作为划切底膜不同,本发明将石英基板通过临时键合的方式粘接在玻璃板上进行划切。由于玻璃是硬质的划切底膜,能够很好地降低划片刀挤压影响,从而可以减少石英基板的划切背崩情况,改善划切质量。
2、本发明采用粘结剂临时键合方式,划切后可以使用相应溶剂将石英基板与玻璃板之间解键合,并且,不同于现有技术中将划切后的基板进行整体浸泡的解键合方式,本发明采用中转膜进行整版解键合。现有技术中,整体浸泡解键合之后,整版基板分散成大量划切成型的小器件,导致后期的清洗分拣包装会非常耗时间。而本发明采用中转膜整版解键合、整版清洗、整版包装的方式,效率更高,同时方便后期扩膜自动化组装。
3、本发明的中转膜可以使划切成型的石英基板依旧保持原来排版的阵列结构,防止划切后的石英单个小器件松散脱落,在清洗时能有效防止器件间的划伤。
4、本发明工艺简便可靠,效率高,对设备的依赖度较小。
附图说明
图1为本发明实施例的方法流程图。
具体实施方式
下面,结合附图和具体实施方式对本发明作进一步的详细说明。
如图1所示,一种超薄石英划切方法,包括以下步骤:
(1)用石蜡将待切石英基板粘接到玻璃板上;
具体来说,粘接所用的石蜡为高温酒精红蜡,可用酒精清洗去除;使用热板完成石蜡的粘接,粘接温度为90℃~120℃,玻璃预热时间为1min~3min;然后将石蜡均匀的涂到玻璃板上,并将石英基板放到熔化的石蜡上,轻轻滑动石英基板赶走基板下面的气泡。完成石英基板的粘接。
(2)将粘接了石英基板的玻璃板放到划片机中,按照石英基板的划切标记进行划切。
具体来说,将步骤(1)中完成粘接的石英基板放到划片机中对位划切;石英划切采用树脂软刀,划切速度是0.5mm/min~1.5mm/min;划切时要划透中间的石蜡层到达玻璃基板。
(3)在划切好的石英基板表面粘贴带有粘性的中转膜,并驱赶气泡保证中转膜与石英基板粘贴良好。
具体来说,将步骤(2)完成划切的石英基板清洗吹干,在其表面粘贴中转膜;中转膜采用的是能耐受酒精浸泡和水洗的高温胶带;粘贴过程中从一个方向开始缓缓粘接,并用手轻轻驱赶气泡,保证高温胶带与石英基板粘接良好。
(4)将粘好中转膜的玻璃板加热,待玻璃板上石蜡层熔化后将表层的中转膜轻轻揭下,划切成型的石英基板跟随中转膜从玻璃板上剥离。
具体来说,将步骤(3)粘好中转膜的玻璃板放到热板上加热使石蜡熔化,热板温度为90℃~120℃,加热时间为20s~60s;待石蜡全部熔化后,轻轻揭下中转膜;由于中转膜的粘性石英基板跟随中转膜脱离开熔化的石蜡与玻璃板分离;石英基板粘附的石蜡暴露在外面方便后续清洗去除。
(5)将揭下的带有石英基板的中转膜粘贴到清洗支架上,用酒精去除石英基板上的石蜡并水洗吹干。
具体来说,将步骤(4)粘附着石英基板的中转膜粘到清洗支架上方便后续批量化的操作;然后将清洗支架放到酒精中浸泡超声去蜡,浸泡时间为15min~20min,超声时间为1min~3min;最后用去离子水喷淋清洗,并用氮气枪吹干。
(6)将中转膜上的石英基板粘到另外一张带有扩膜环的UV膜上,轻轻撕下中转膜。
具体来说,准备一张带有扩膜环的UV膜,将步骤(5)中吹干的带有石英基板的中转膜从清洗支架上取下,将石英基板粘面向UV膜并粘到UV膜上,轻轻施力,保证石英基板与UV膜粘接完好。
(7)将粘附石英基板的UV膜放到扩膜机上扩膜。
为方便后续自动化的组装,可以采用扩膜方式;还可根据客户要求不经过扩膜直接在UV膜上粘接离型膜完成包装。
最后,将划切好的超薄石英基板进行分拣和包装。
需要理解的是,上述对于本专利具体实施方式的叙述仅仅是为了便于本领域普通技术人员理解本专利方案而列举的示例性描述,并非暗示本专利的保护范围仅仅被限制在这些个例中,本领域普通技术人员完全可以在对本专利技术方案做出充分理解的前提下,以不付出任何创造性劳动的形式,通过对本专利所列举的各个例采取组合技术特征、替换部分技术特征、加入更多技术特征等等方式,得到更多的具体实施方式,所有这些具体实施方式均在本专利权利要求书的涵盖范围之内,因此,这些新的具体实施方式也应在本专利的保护范围之内。
此外,出于简化叙述的目的,本专利也可能没有列举一些寻常的具体实施方案,这些方案是本领域普通技术人员在理解了本专利技术方案后能够自然而然想到的,显然,这些方案也应包含在本专利的保护范围之内。
出于简化叙述的目的,上述各具体实施方式对于技术细节的公开程度可能仅仅达到本领域技术人员可以自行决断的程度,即,对于上述具体实施方式没有公开的技术细节,本领域普通技术人员完全可以在不付出任何创造性劳动的情况下,在本专利技术方案的充分提示下,借助于教科书、工具书、论文、专利、音像制品等等已公开文献予以完成,或者,这些细节是在本领域普通技术人员的通常理解下,可以根据实际情况自行作出决定的内容。可见,即使不公开这些技术细节,也不会对本专利技术方案的公开充分性造成影响。
总之,在结合了本专利说明书对权利要求书保护范围的解释作用的基础上,任何落入本专利权利要求书涵盖范围的具体实施方案,均在本专利的保护范围之内。
Claims (2)
1.一种超薄石英划切方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)用粘结剂将待切石英基板粘接到玻璃板上;
(2)将粘接了石英基板的玻璃板放到划片机中,按照石英基板的划切标记进行划切;
(3)在划切好的石英基板表面粘贴带有粘性的中转膜;
(4)将粘好中转膜的玻璃板加热,待玻璃板上的粘结剂融化后,将表层的中转膜揭下,使划切成型的石英基板跟随中转膜从玻璃板上剥离;
(5)将带有石英基板的中转膜固定到清洗支架上,用清洗剂去除石英基板表面的粘结剂,并洗净吹干;
(6)将石英基板的洗净面粘到一张带有扩膜环的承载膜上,撕下石英基板表面的中转膜;
(7)将粘附石英基板的承载膜放到扩膜机上扩膜,完成超薄石英基板的划切。
2.根据权利要求1所述的超薄石英划切方法,其特征在于,所述粘结剂为石蜡,所述清洗剂为酒精,所述中转膜为高温胶带或UV膜,所述承载膜为UV膜。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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