JP2003533871A - 対象物を切断して切断物を機械加工するための方法および対象物または切断物を保持するための支持台 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 対象物（１）のレーザ水放射切断および切断物の追加加工において、この対象物は接着剤を付けた支持台（３）の上に接着される。支持台（３）は水放射束（７）を通すことができる。支持台は、水放射束によって貫通される固体、好ましくは繊維性マット（３）とすることができる。対象物（１）またはその切断物は切離しの前、間、および後に支持台（３）の上に位置を安定させて保持されている。さらに好ましくは、達成しようとする高い切断精度に基づいて対象物としてシリコン・ウェハが利用されるが、他の材料も利用可能である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】 本発明は、特許請求の範囲の請求項１に記載の対象物をレーザ水放射切断する
ための方法、ならびに同方法において利用可能な請求項６に記載の支持台に関す
る。

【０００２】 （技術状況） シリコン・ウェハの上には多数のチップ（「ダイ」）があり、これらは分離工
程の間および後に個別のチップとしてその本来の位置に、特に機械加工および取
扱いの間、保持されなければならなかった。このため、チップを分離する前にシ
リコン・ウェハは支持台の上に接着された。それからチップは鋸によって切り離
された。切り離しのためにダイヤモンド円板の切断深さは、ウェハは完全に切断
されるが支持台は単に刻みがつけられるように調節された。周知の分離方法では
、マイクロメートルの範囲で切断深さを正確に調節することが必要であった。さ
らにチップの上縁部と下縁部において割れが発生することが多かった。また亀裂
も発生する可能性があり、これはチップの破損を招いた。鋸刃の摩耗は高く、こ
のため直線切断のみの実施が可能であった。

【０００３】 （発明が解決しようとする課題） 本発明の課題は、切断工程の前、間および後に、さらにまた（互いに切片に切
り離された）切断物の追加処理加工のためにも本来の位置に固定することを可能
にする、レーザ水放射束によって処理加工しようとする（切断しようとする）対
象物のための方法ならびに支持台を提供することである。この第１課題を含む本
発明のもう１つの課題は、対象物を全体として処理加工（好ましくは薄く）して
、新たに固定することなく続いて切断することであり、したがって、１つまたは
複数のウェハは申し分なく分離可能であり、その切断物（チップすなわちダイ）
もまた続く処理加工のために確実にその元来の位置に固定可能でなければならな
い。

【０００４】 （課題を解決するための手段） 第１課題は、対象物を支持台の上に接着剤によって固定し、これによって、切
断物の分離の後も続く機械加工もしくは処理加工のために固定を維持することに
よって解決される。本発明によれば、分離のためにレーザ水放射が利用される。

【０００５】 そこで支持台をレーザ光線に対して透明または不透明に形成することができる
。不透明の支持台が利用されると、支持台はレーザ光線の作用を受ける。それで
もレーザ強度は、支持台の僅かな材料切取りしか生じないように選択される。し
たがって切断の場合には小さな切削溝が生じる。この切削溝は支持台と切削溝と
の間に水が到達することを防止する。

【０００６】 特にシリコン・プレートは、すぐれた均一の品質のものを好ましい価格で入手
できるので、不透明の材料として適切であることが示されている。

【０００７】 支持台をレーザ光線に対して透明な材料から選択すると、支持台はレーザ光線
による作用を受けず、すなわち切り取られず分割もされない。対象物としてウェ
ハを利用すると、分離によって生じたチップ（ダイ、切断物）が追加処理加工の
ために位置固定された状態で残される。さらに、流体特に水が透過できる材料を
支持台に利用すると、ここでも流体は切断されているがまだ接着されている物体
の下を通らない。

【０００８】 貼り付けられた対象物を単に切断する代わりに、対象物を切断の前にも全体と
して処理加工することができ、この場合、対象物はもちろん支持台の上にすでに
接着されている。本発明をウェハ上のチップの製作に利用すると、ウェハ全体を
切断の前に薄く研削することができる。次いで研削の後に薄いウェハをレーザ水
放射束によって望みの輪郭に応じて多数のチップに切り分け、これらのチップは
切断の後も支持台の上に接着によって位置固定されている。行うべき切断の位置
合せは、様々な方法で行うことができる。先に作られた孔または切込みによって
位置マークを作ることができる。しかし切断の位置を画像認識手段によって見つ
けることもできる。半導体または光チップが問題となるので、これを、すなわち
切断されずにまだ厚さを薄くしていないウェハを活性表面の上に貼り付けて、そ
れから裏側を処理加工する。裏側から切断することになる。この場合、支持台の
材料（例えばシリコン）がこの波長領域において透明である限りは、次いで位置
認識が赤外線カメラによって可能である。

【０００９】 支持台として特別に可とう性で好ましくは伸縮可能なマット（ティッシュ）を
利用すると、チップの間隔を延伸によって、支持台から取り除くときに互いに接
触することが不可能なように互いに大きくすることができる。

【００１０】 そこでマットは織られた（織布）繊維材料または織られていない（不織布）繊
維材料から成ることができる。不織布繊維材料は織布材料よりも著しく安価であ
るが、その密度は特にレーザ水放射束の水の透過に関しては不均質である。

【００１１】 利用されるレーザ光線に対して透明な光学的性質と並んで、水透過性の他に残
りの機械的性質が副次的な重要性を持つ。代表的には、繊維の直径が約５μｍ〜
１００μｍ、好ましくは約５μｍ〜５０μｍで繊維の間隔が０〜５００μｍ、特
に０〜１５０μｍ、好ましくは０〜５０μｍである繊維が利用される。

【００１２】 水放射束の水は、マットを貫通するために容易に繊維を側方へ圧する。分離さ
せようとする対象物の貫通によるレーザ水放射束の衝突個所にある接着剤は、利
用される材料に応じて多少とも洗い落とされる。それでもチップは利用される方
法に応じて、その下側または上側（活性側）によってマットに常に付着したまま
である。

【００１３】 それでもやはり、洗い落とされることが全くないか非常に少ない接着剤を選ぶ
ことができる。すなわち水放射束は上述のようにマットの繊維を圧し付けて分離
させる。これによって水はマットを通過して完全にまたは部分的に残っている接
着剤も貫通することができる。接着剤が洗い落とされないかまたは僅かしか洗い
落とされない場合には、貫通経路（切断延長部）がレーザ水放射切断部に沿って
、利用される接着剤に応じて追加「接着する」ことができる。単一のチップを針
によって上方へ圧す間に、マットを分離されたチップと共にいわゆる真空ホルダ
によって保持しようとする場合には、追加接着された「貫通経路」は真空ホルダ
の吸引力を十分な「気密性」によって支援する。それでも、吸引ホルダが掴む残
りの面に較べて少ない面を有する貫通経路はほとんど重要にならないので、追加
接着は副次的な重要性がある。

【００１４】 マットは可とう性であるから、チップを、マットを貫いているかまたはマット
裏側を圧している針を通じて取り出し、真空掴みよって掴むことができる（ピッ
ク・アンド・プレース）。

【００１５】 可とう性マットの代りに、透明なプレートを支持台として利用することもでき
る。するとレーザ光線はプレートを通過し、プレートを処理加工することはない
。水はその切断方向に切断亀裂を残す。この方法は非常に薄いすなわち割れやす
いチップまたはウェハに特に適している。透明プレートを通過してチップの標識
付けもレーザ光線（レーザ・マーキング）によって裏側に行うことができる。支
持台プレートは損傷を受けないので、何度でも繰り返し利用することができる。
このレーザ・マーキングの結果、後続の処理加工中に個別のチップを追跡するこ
とができる。

【００１６】 しかしそれでも緻密なプレートの代りに多孔質プレート（例えば焼結または光
化学的処理を施したガラス板）を利用すると、下記のように水はこのプレートを
通じて流出する。

【００１７】 要約して下記のことを述べることができる。 特定の利用目的に応じて切断しようとする物体のための支持台として、 レーザ水放射束の切断レーザ光線を通過させ、 水を通過させ 延伸性または非延伸性であり、 織布または不織布であって、 ポリエチレン、 ポリプロピレン、 ＰＥＴ、または ポリウレタンなどから成ることができる 「マット」を利用することができる。

【００１８】 しかしまた利用に合わせて、 非延伸性であって、 透明または不透明の、 不透水性または透水性であり、 ガラス、 石英、または シリコンなどから成る 堅い支持台を据え付けることもできる。

【００１９】 切断しようとする物体（例えばウェハ）と支持台との間の固着は、 ＵＶ接着剤、 真空、 熱接着剤、 ワックスなど によって行われる。

【００２０】 そこで切断しようとする物体は選択された利用に応じて、その 活性面（支持台の上ではすでに「薄片」の可能性あり） または受動面で 支持台の上に接着することができる。

【００２１】 発明の実施形態 次に、本発明による支持台ならびに本発明によるレーザ水放射切断の実施形態
を、図面を用いていくつかの例によってさらに詳しく説明する。

【００２２】 （本発明を実施するための方法） 図１は、マット３の上にシリコン・ウェハ１がその下側２で接着されている断
面図を示す。ウェハ１の「活性」表面１１は上方に開放されている。マット３は
、接着剤を塗布または含浸した繊維材料から成っている。繊維材料が問題となる
ので、マット３の表面５は不規則に示されている。それでも、ここでは著しい拡
大が重要であることに注目すべきである。ウェハ１を突き抜けるレーザ水放射束
７はいわゆる代表的には僅かに５０μｍの直径を有する。マット３を貫通すると
、これによって水放射束７はマット３の繊維材料を側方へ圧し、水放射束の強い
広がり９すなわち飛沫を生じさせる。 このために適用すべきレーザ水放射束の生成は、例えばＥＰ−Ａ０７６２９４
７およびＷＯ９９／５６９０７に開示されている。

【００２３】 マット３を織布または不織布の繊維材料から構成することができる。織布の繊
維は代表的には２０μｍの太さである。しかしながら、より太いものまたはより
細いものを選ぶこともできる。ただ繊維材料がレーザ光線のためには言及するに
値する吸収性を示さないことが重要であり、これによって材料切取りがなく、し
たがってこれによりレーザ光線によるマット３の損傷が生じない。繊維材料は確
かな耐熱性も有すべきで、これによって切離しから生じるウェハ材料の溶融によ
って損傷を受けることはない。繊維材料として、波長が１．０６μｍのネオジム
・レーザの放射で加工処理される限りは、例えばポリウレタン、ポリプロピレン
などを利用することができる。さらにまた、水放射束の貫通において多孔性を達
成するために、繊維材料は緻密であってはならない。多孔性によってマットは延
伸性となるので、ウェハ３を突き抜けた後にチップの間隔はマットの延伸によっ
て増加することができる。これによって、チップは後の取出しの際に決して互い
に接触しないことになる。マット３の厚さは１０μｍ〜５００μｍの範囲にあり
、好ましくは１０μｍ〜１００μｍの範囲にあり、すなわち「多孔質の」箔とし
て示すこともできよう。

【００２４】 マット３は所定の張力の下で側方向に保持されていることが好ましい。それで
もマットを、弛みを避けるために下に支持物を設けて支持することもできる。こ
の支持物を、例えば引っ張られた針金として極めて細く形成することができる。
しかしマットを貫通するレーザ光線による材料の損傷を防ぐために、１つまたは
複数の支持物を透明に形成することが好ましい。特に有利なこととしては水につ
いて多孔性の支承物があることである。するとこの支承物は水を受け入れて逆戻
りさせず、これによって水は一様なままである。支承物の材料として開放多孔性
のガラスまたは発泡ガラスを利用することができる。セラミックまたは発泡セラ
ミックも導入することができる。さらに焼結ガラス玉または光学構成されたガラ
スによって良い結果が達成されている。

【００２５】 接着剤として、アクリル接着剤、ＵＶ接着剤、熱可塑性接着剤などを使用する
ことが好ましい。

【００２６】 ウェハ１からチップを取り外すために、ウェハはマット３を装備した作業場の
上に置かれている。ウェハ１を容易に圧し付けるかまたは真空によって引き寄せ
ることができる。それからウェハ１を、接着剤を付けたマット３の上に動かさず
に保持する。次いで、取り外そうとするチップの位置に対応してウェハ表面７に
わたってレーザ水放射７を実施する。ウェハ１は切り離され、これによって水放
射束は一回レーザ光線の誘導の役割を果たし、同時に切断縁部を冷却する。ウェ
ハ１を貫通した後に水放射束は繊維材料を「強引に通過し」、それから広がる。

【００２７】 利用される接着剤に応じて、この接着剤は水放射束によって多少とも洗浄され
る。続くチップが真空掴みによって取り去られると、マットは切断の後に真空ホ
ルダによって保持され、取り出そうとするチップの個所のみにおいてこのチップ
は、マットの裏側で作用する真空ホルダ内の針によって持ち上げられる。真空ホ
ルダはいわゆるプレス・パッドとしての働きをする。

【００２８】 すでに冒頭に示唆したように、後で再び切断部の中に移ってこれを「気密に」
接着する接着剤を利用することができる。これによって、真空ホルダの吸引能率
はいくらか向上する。それでもこの向上は、レーザ水放射によって作られる切断
部が５０μｍの範囲であって非常に狭いので重要ではない。すなわち、全面積か
ら見ると切断部は約２％〜５％を取り去るだけである。

【００２９】 けれども、多少とも可とう性のマット３の代りに、図２に示すように支持台と
してレーザ光線を透過させる硬質プレート１９を利用することができる。ネオジ
ム・レーザの放射（１．０６μｍ）を適用すると、プレート材料として例えば石
英を利用することができる。プレート１９が、取り去った後に貫通しようとする
ウェハ２１に隣接するその表面の上に微小構造を有し、次いでこの微小構造の上
に接着剤２５を先に述べたように塗布し、これによって接着剤が常にうまくプレ
ートの上に留まるが、チップの下側には移行せず、そこでのみ接着保持作用を有
することが好ましい。ここにおいても、ウェハはその下側２６（「活性」表面で
はない）で貼り付けられる。その「活性」上側面２４は開放されている。

【００３０】 レーザ水放射切断によって、ここで放射束２７がウェハ２１を切断する。レー
ザ光線はプレート１９を切り取ることなくこれを透過する。レーザ水放射束２７
の水は緻密なプレート１９では切断部２９の方向に立ち去る。切断部２９の幅は
代表的には約５０μｍおよびこれ以下である。

【００３１】 堅い支持台としてのプレート１９を延伸させることはできない。チップの取外
し方法では、チップどうしが接触しないように正確に作業しなければならない。
ここでは非常に高い位置正確度が分離の後も存在するので、チップを支持台の上
に接着し、それに加えて検査することもできる。

【００３２】 さらにもう１つのチップ裏側３０に焦点を絞ったレーザ光線３１によって、チ
ップの標識付け（記銘）を行うことができる。この標識付けは、全加工処理工程
においてチップの識別ができるようにするものである。記銘用放射のためにもま
た透明である支持台プレートは、記銘用放射のためにはたいてい長い焦点距離が
利用されるので、平行平面状に形成してはならない。

【００３３】 支持台としての透明固体の適用は、壊れやすい薄いウェハを対象とする場合に
はすべて適切である。 そこで、プレート１９を例えば溶解物から作られるような緻密な透明板にする
ことができる。しかしこれを焼結した特に多孔性プレートにすることもできる。
さらに多孔性プレートは、レーザ水放射束の水がこのプレートを通って流出する
ことができるという利点を有する。したがってプレートを、開放多孔性ガラスま
たは発泡ガラス、セラミックまたは発泡セラミック、焼結ガラス玉、光学構成さ
れたガラスなどから構成することができる。

【００３４】 レーザ水放射では、分離切断のために必要なエネルギーを備えたレーザ光線が
操作される。それでも、水の代りに他のレーザ光線のために透明な流体を利用す
ることができる。しかし、水は安価で高い熱容量を有するので水が選ばれる。

【００３５】 シリコン・ウェハの代りに、上述の支持台によってレーザ水放射切断のための
他の対象物を保持することもできる。例えばゲルマニウム、ＧａＡｓ、カーボラ
ンダムなどを板形状に加工処理することができる。板形状の代りにさまざまな寸
法の小さな部片を保持して加工処理することもできる。

【００３６】 例えば可変接着力を有する接着剤を導入すると、真空つかみでつかむための接
着力を減らすことができる。この種の接着剤としては、例えばいわゆるＵＶ接着
剤がある。ＵＶ光線による照射によって、その接着力は減少する。次いで、真空
つかみによってチップをつかむ時点で保持力を下げるために照射を実施すること
になる。

【００３７】 薄いウェハ（３００μｍ未満、好ましくは１００μｍ未満）の加工処理では、
チップ製造において非常に綿密な注意を払うことが必要である。特に薄いウェハ
の取扱いは困難である。このウェハはいわゆる「紙のように」曲がり、たるみを
生ずる。これは取扱いの際に壊れやすい。さらにこの際、ウェハから切り出され
るチップを後で破損させる可能性のある機械的応力にさらされることがある。本
発明による方法とは反対にこれまで使用されているダイヤモンド円板付きの鋸は
、先におよび後にさらなる変形物で引用されるように、さらに縁部の破損および
亀裂を生じさせることが多い。

【００３８】 周知のように、例えば７００μｍの厚さを有するなお「厚い」ウェハは、チッ
プ構造の処理が完成したあとに、活性側でいわゆる「グラインディング・テープ
」の上に接着され、それからウェハ裏側から薄く研磨された。この場合、機械的
、湿式化学的、または乾式化学的に加工処理された。研磨の後に「グラインディ
ング・テープ」は外され、こうして薄くなったウェハは、今研磨された表面によ
って新たないわゆる「ダイシング・テープ」の上に接着された。この場合、チッ
プの活性側は開かれている。そこで薄いウェハの破損を避けるために大きな注意
を払わなければならなかった。

【００３９】 次にウェハから例えばダイヤモンド鋸によって、冒頭に述べたように個別のチ
ップを切り出した。従来の鋸によれば、切断縁部から微細亀裂がチップの中に延
びてチップを使用不能にする可能性があった。

【００４０】 鋸による切断の後に、なおも「ダイシング・テープ」の上に固着するチップを
個別に取り外し、いわゆる「ダイ・ボンダ」において追加加工処理した。 そこで本発明の変形として、図３に示すように下記を行うことができる。すな
わち、 厚さが例えば７００μｍのまだ厚いウェハ３７を、チップ構造の処理が完成し
たあとに、活性側３９によって支持台４１の上に接着し、周知のように薄く研磨
する。支持台として既に述べた材料を利用することができるが、例えばシリコン
・ウェハも支持台４１として適用することができる。接着剤４３として上述の接
着剤を利用することができるが、例えばワックスも適用することができる。 ウェハ３７を薄く研磨した後（図３に示す）、ウェハ３７の裏側４５からチッ
プをレーザ光線またはレーザ水放射束４７によって切断する。従来の方法におけ
るように、これによって接着替えはなくなり、薄いウェハ３７破損の大きな危険
性もなくなる。

【００４１】 ウェハまたはチップの上側はここではもちろん支持台４１によって覆われてお
り、したがって、これによってまた保護される。そこで実施しようとする切断経
路をチップに関して調整することは、次のように行われる。すなわち、ウェハ３
７を赤外線カメラによって裏側から観察する。すなわちシリコン・ウェハは赤外
線スペクトル範囲では透明である（またウェハは非常に薄い）。さらに、不透明
の材料の場合には、薄くする前に調整のために貫通孔を設けることができる。例
えばウェハの縁部において切断経路の中心線上に正確に存在するこれらの孔によ
って、切断原型を裏側からも確かめることができる。またウェハは小さないわゆ
る「切欠き」（小さな半円形の刻み）をウェハ縁部に有することができる。実施
しようとする切断経路のこれらの切欠きに対する位置を、「薄くする」前に正確
に決定することができる。

【００４２】 チップを切断した後に、接着剤の接着力を下げることが好ましい。接着力の低
下を例えばワックスの加熱によって行うことができ、他の接着剤の接着力は、例
えば照射（ＵＶ照射）によって変える（減少する）ことができる。続いて、ウェ
ハとその切断されたチップの全部を、全体として真空テーブルによって支持台か
ら除去する。そこでチップの活性側は開放状態になり、接着剤の残留物を洗浄除
去することができる。それから真空テーブルからチップを個別に取り外して、「
ダイ・ボンダ」で追加加工処理する。

【００４３】 この追加加工処理法の利点はまず、接着替え（Ｕｍｋｌｅｂｅｎ）が除去され
たことである。ウェハは「薄くした」後およびチップ切断中に安定した支持台の
上に留まっている。したがって破損の危険性はない。 さらに別の利点として、切断中にチップの活性側が保護されることである。し
たがってまた追加のテープも必要としない。また接着工程も省かれる（２工程で
はなく１工程だけである）。

【図面の簡単な説明】

【図１】 対象物が上に接着されているマット型の支持台の断面図である。

【図２】 プレート型の堅い支持台の図１と同様の断面図である。

【図３】 図１および図２に示す方法の変形形態を示す図である。

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 対象物（１；２１）をレーザ水放射切断するため、および切
   断物を好ましくはすぐ後に追加加工するための方法であって、特にウェハとして
   形成された、好ましくはシリコン・ウェハとして形成された対象物を、接着剤を
   付けた支持台（３；１９）の上に接着し、レーザ水放射束（７；２７）を、対象
   物（１；２１）から切り取ろうとする切断物の輪郭に応じて対象物（１；２１）
   の上で動かし、次いで、支持台（３；１９）上にまだ接着している切断物を後続
   の加工処理工程に供することができる方法。
2. 【請求項２】 対象物を支持台の上に接着し、好ましくは続いて所定の厚さ
   にこれを研磨除去し、次いで切断物を支持台の上で接着したまま切り取り、特に
   対象物としてウェハが多くのチップを提供し、その活性層は支持台の上に接着さ
   れることを特徴とする請求項１に記載の方法。
3. 【請求項３】 切断物の下側が記銘レーザによって記銘されることを特徴と
   する請求項１または２に記載の方法。
4. 【請求項４】 対象物が多くのチップを有するウェハとして、その活性側と
   は逆の側で支持台の上に接着され、支持台はプレートとして、特に平行平面のプ
   レート（１９）として形成され、好ましくはプレート（１９）はレーザ放射を通
   すように形成されることによって、これを通じて切断物（３０）がレーザ光線に
   よって記銘されることを特徴とする請求項１または３に記載の方法。
5. 【請求項５】 支持物がマット（ティッシュ）（３）として形成され、これ
   は追加の切断物加工のために真空ホルダによって保持されることを特徴とする請
   求項１乃至４のいずれか１項に記載の方法。
6. 【請求項６】 切断工程の前、間、および後にレーザ水放射束（７；３１）
   によって切り離そうとする対象物（１；２１）または切断物を保持するための、
   請求項１乃至５のいずれか１項に記載の方法のための支持台（３；１９）であっ
   て、好ましくは対象物としてウェハ特にシリコン・ウェハ（１；２１）を支持す
   ることができるように、また対象物（１；２１）と次いで切断物も接着する接着
   剤を有し、この接着剤が切断物の後の取外しを可能にするように形成されている
   支持台（３；１９）。
7. 【請求項７】 好ましくは水放射束（７；２７）におけるレーザ光線に関し
   て透明な材料から構成され、完全な曲げまたは完全弛みに対して、少なくとも下
   にあって好ましくはレーザ水放射束の光線に対して透明で、特に放射束の水に対
   して透過性である支えによって確実に保持され、支えの材料は開放多孔性ガラス
   （例えば光化学孔あけ処理されたガラス板）、特に発泡ガラス、好ましくは焼結
   セラミック、さらに好ましくは焼結ガラスであることを特徴とする請求項６に記
   載の支持台（３；１９）。
8. 【請求項８】 接着剤が塗布されて、レーザ放射束を透過させる繊維材料を
   有し、特に可とう性で、水放射束の水が好ましい方法で貫通するマット（ティッ
   シュ）（３）として構成され、好ましくはマット（３）特にその繊維材料が延伸
   可能であることを特徴とする請求項６または７に記載の支持台（３）。
9. 【請求項９】 マット（３）が織られた（織布）繊維材料から成り、繊維材
   料はポリウレタン、好ましくはポリプロピレン、特にポリエチレン、さらに好ま
   しくはＰＥＴであることを特徴とする請求項８に記載の支持台（３）。
10. 【請求項１０】 マット（３）が織られていない（不織布）繊維材料から成
    り、繊維材料はポリウレタン、好ましくはポリプロピレン、特にポリエチレン、
    さらに好ましくはＰＥＴであることを特徴とする請求項８に記載の支持台（３）
    。
11. 【請求項１１】 接着剤が塗布されて、レーザ放射束を透過させる固体とし
    て、特に緻密なプレート（１９）として、好ましくは多孔性のプレートとして形
    成されていることを特徴とする請求項６または７に記載の支持台（１９）。