TW200401166A - Developer-soluble metal alkoxide coatings for microelectronic applications - Google Patents
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Description
200401166 玖、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於-種用於微電子元件製造的新賴抗反射 組成物。此等組成物包括聚合物型貌氧基金屬且可在水性 光阻劑顯影劑中顯影。 【先前技術】 積體電路製造商都一致地尋求使基板晶圓尺寸最大化 且使元件之形體尺寸最小化,以改良產率,減低軍元貨箱 及增加晶片之計算能力"遺著更先進之深紫外光(_微 :方法?進展’在石夕晶片或其他晶片上的元件形體尺寸如 7已都是次微米尺寸。 :過,於半導體裝置製造中,光阻劑常會碰到的—項 二之ΓΓ化輕射會被支標光阻劑的基板反射回到光阻 的解析度。當㈣圖案而減低光阻劑 處理過的光阻^ 或具高度反射性時,在 此門題的 圖案品質的降低特別會造成問題。解決 此問喊的—種做法 的抗反射㈣…史用土伋到基板上而在光阻劑層下方 =:的:管抗反射塗層可以有效地阻止或減低反 如咖)要在處理中加上額相穿透(―卜 增加落以移除卿。此舉必㈣f造成本的 對於此項問題的—種解決方 反射塗料。此種_^+4_; \ 濕式顯影的抗 i的金科可以與光阻劑材料之曝光區一 200401166 光後,光阻 水性顯影劑 此顯影步驟 因而免除額 抗反射塗料 於作為抗反 用。因此, 劑顯影劑中 起移除掉。亦即,在光阻劑層經由圖案光罩曝 劑之經曝光區是可濕式顯影的,且可隨後使用 予以移除,而留下合意的溝槽和孔洞圖案。於 期間,可濕式顯影的抗反射塗層即被移除掉, 外移除步驟的需要。不幸的是,可濕式顯影的 因為彼等也必須展現良好的旋塗碗相容性和適 射塗料的優良光學性質之事實而尚未被廣泛採 需要-種抗反射塗覆組成物,其可在傳統光阻 顯影’同時展現出良好的塗覆和光學性質。 【發明内容】 本發明廣義地包括—種適用於微電子 的微影組成物。 衣造之新箱 制手^細言之,^組成物包括—種分散於以解在 系統内之聚合物。較佳聚合物包括具有下文:二 卜式的重複單元
選“中X為光衰減部份,M為金屬,且每個D :自包括下列的群組 :们“個別 基),芸I 從基(較佳為r r 0CH ▲ ’烷氧基和苯氧基。最佳的R義直8 2Η5。 基為-CH3矛 該聚合物較佳進一步包括 八的重複單元 200401166
Ο Ο -Μ1 0~) Ο ο R1-A/^r1 其中每個"個別地選自包括下列的群組之中 ,烷基(較佳為c「c8烷基),芳基 "· 且『為金屬。最佳”基為13和—㈣軋基和本乳基, 於前述任-重複單元中,最佳的金屬5為T1,zr,s^ 〔或^也為較佳者該光衰減部份包括可與^合物_ 乳土^屬的金屬原子配位之官能基。此等官能基包括幾基 和驗基。再者,該部份體(亦即,x)在該聚合物中 白、:里較佳在基於聚合物總重量為⑽重量%時是約5 —Μ 重里/。,且更佳者為肖1〇_25重量%。適當的光衰 括選自下列諸部份的群組之中者··三經甲基乙氧化物,4 &基本甲H 2~氰基基苯基)-丙烯酸乙醋。此 卜為了避免組成物令的光敏性,X,R和R1中應該都不包 括任何乙烯型不飽和基。 於另一具體實例中,該聚合物係經由將聚合物型炫氧 基金屬與有機化合物反應而形成者。該聚合物型燒氧基金 屬包括具有下式之重複單元 … 200401166 -Μ€ή~ (Ο <
L 其"為金屬’且每個u個別地 組之中去.-^仍卜夕丨〗的群 者.一酉同和院氧基配位冑。較佳的L基具有下式 0 0 ^ , ,二每個R為個別地選自包括下列的群組之中者. 虱,烷基(較佳去Γ _Γ &甘、 r ^ ' ^ , 1 8汉基),芳基,烷氧基和苯氧美 取的R基為~CH3和-〇c2H5。最佳的L美兔土 酯部份。較佳的金屬原子盥 土,、‘、 &乙酸乙 屬原子與上面纣論者相同。 於此具體實例中,π wΛ (例如聚(鈦於- 、二由先將聚合物型烷氧基金屬 …夂-丁基酯))與二朗或烷氧化物配 如,乙酸乙酸乙醋)反應而 體(例 烷Θ其入® + i 7城八有式I結構的聚合物型 凡虱基至屬。或者’可以將 # A A ^ ^ ^ 匕括一酮或虹氧化物配位體 …’u伤之起始單體經由水解及接著综人兮單體 而形成所欲的聚合物。 H亥早體 蝴^之起始早體的一實例為-里 丙氧化雙(乙醯乙醆乙酷)鈦。 、〗為一,、 要與上面具有式j結構的聚合物型 有機化合物應該包括通^ 冑汉應之 、口和遠聚合物型烷氧基金屬的金屬 原子配位之官能基。適合 ' 、σ的g忐基包括醇,酚,硫醇,硫 酚,和羰基。最佳的有機 _ u σ物為二羥甲基乙氧化物,4-經基苯曱酸’和2〜氰基—3 —( ^ (4 !基本基)_丙烯酸乙自旨。 401166 不_具體貧例為彳开,p ^ m ' 抗反射、、且成物都是經由單純地將 βI合物分散或溶解 者 口的,合刎糸統内而形成的,較佳 八# > 、,,°予足夠的時間以形成實質上均勻的 取2 Μ α亥組成物申固體總重量作為100重量%為基準 約二物存在於組成物中的含量為約2—50重量%,較佳為 二:重量%,且更佳為約7-15重,此聚合物的黏度 為約 2’〇〇"’〇00 CS,且更佳為約 3,2。",500 cS。 較佳的溶劑系統包括選自包括下列的群組之中者丙 二"㈣乙酸酯_),丙二醇甲基咖E),丙二醇 正丙基鍵(PnP),乳酸乙醋,和彼等的混合物。較佳地,节 洛劑糸統具有約㈣咖,且更佳者為約1{)(Μ75%〆 點^容劑系統應該以為約70一95重量%,且較佳為約8〇 — 9〇 重量% (以該組成物中固體總重量作為1〇〇重量 的含量被使用。 + ) 任何額外成分也較佳地與聚合物一起分散在該溶 統内。-種較佳額外成分為第二種聚合物或聚合物黏:: ’例如選自包括下列的群組之中者:環氧㈣線型:二 (epoxy novolac resin)(例如,Ep〇n 16物, 曰 . J ή-ψ 自
Araldite),丙烯酸酯(例如,聚(甲基丙烯酸縮水甘、、由 ,經聚合的胺基塑料(例如,Cymei⑧,可p " 评自C y t e c
Industries 的產品),glyCourals (例如, 何自Cytec
Industries 的 Powderlink®產品),乙烯基_類,和 白勺 混合物。此額外的聚合物之重量平均分旦1 刀 里較佳為約 1,000-50, 000道耳吞(Dalton),且更佳為約卩n 、uu〇~25,〇〇〇 200401166 乙耳吞方、利用該額外聚合物之具體實例中,以該組成物 中固體總重量作為1⑽重量%為基準,組成物應包括約卜 5〇重7 %,且較佳者約5-25重量%的額外聚合物。 瞭解,組成物中也可以包括許多種其他視情況需要 的成分。典型的視情況需要之成分包括光衰減性化合物, 界面活性劑,觸媒,交聯劑和黏著促進劑。 將填料或抗反射塗覆組成物塗覆到基板上的方法單純 地包括:由任何習知之塗覆方法(包括旋轉塗覆)而將組成
勺伤里塗復在基板表面上。該基板可為任何習用的晶片 (例如石夕晶圓),離子植入層(i〇n卿㈣等。 。於達到所欲的覆蓋之後,應該加熱所得層到約1〇〇 250 C、之皿度以誘導交聯。此舉會導致溶劑系統的蒸發j; 2成物中至少—部份有機成分的揮發,以產生具有交夸 2和氧原子之固化層。此經固化的抗反射層或塗層的去 射率在約365_波長下為至少約14,較佳為約i , 且更佳為約1. 6 —;! . 7。 . 化仗用在印刷的基板
仏板表面上之固化層厚度’佔距離該接觸孔或孔心 =寺於孔洞直徑距離遠之基板表面上薄膜的厚度,庫】 %’較佳至少約75%,且更佳至少約85%。 然後可以在固化材料上塗覆光_ 1著予以U 頬衫,及蝕刻光阻劑。採用本 嵌和其它微影程序所用且具有;=可以產生供雙層 。 ,、有則述所欲之性質的前驅、結 200401166 要進一步了解者,麫 '二匕的本發明組成物係可渴式埯 影者。亦即,該固化包成% '頌 、 成物可以使用習用的水性顯影劑予 以移除,例如使用氫氧化 f叙和ΚΟίί顯影劑。某些此等 顯衫制可在註 冊商私MF~319(可得自Shipl
Massachusetts),MF — 32()( y, u仔自Shipley) ’和NMD3 (可得 自τοκ,Japan)等顯影劑之么 ' 名下購传。至少約9 5 %,且較佳 為至少約99%的本發明塗料可# 好 土丨丁 J 由例如虱乳化四甲銨和 顯影劑的鹼性顯影劑蘇& 移除。此種在可商業上取得之顯影劑
中的溶解度百分比為—個如#认* , J 两個相較於先丽技術下明顯的優點, 因為,舉可以縮短製造程序且使其成本較低。 取後,除了上面所述的許多優點之外,本發明組成物 具有旋塗碗相容性。此點係經由使用該組成物塗覆四时樣 品晶圓來測定的1塗覆之後,不將晶_烤,反而保持 向^之狀S以防止膜流動。使樣品置於清淨室内乾燥約24 以產生約12。。— 13〇〇 A厚度之膜 '然後於5個位置測 量樣品厚度以測定出平均起始樣品厚度。
將經塗覆晶圓暴露於特殊的試驗溶劑(例如,丙二醇甲 基醚乙酉“曰)中。此係經由使用該溶劑溢流浸濕樣品表面3 分鐘(±5秒鐘),然後以1,5〇〇 rpm (20,000 rpm R卿)旋 軏I5秒鐘,及接著以25〇〇 rpm (20, 000 rpm Ramp)旋轉 3 0心釦而凡成的。再度於5個位置測量樣品膜厚度,並測 疋出平均最後樣品厚度。 洛解度百分比係按照下面計算出者: 12 200401166 溶解度百分比= 里-平均最後樣品厚度, 起始樣品厚度 ]*100 約90%的溶 本發明組成物產生至少約75%,更佳者至少 解度百分比。 【實施方式】 較佳具體實例之詳細說明 本發明組成物係特別有 'Εΐ iU 考'因為上面所說明的方法 、免接觸洞或通孔與溝槽 ,在使用#i 1 土和底壁之降解與腐蝕。亦即 :吏用先爾組成物之下,於 ,的側壁典型會發生腐餘 :復請 及筆直者。此種現象時常會導致::寺側壁不再成為直線 P S導致線路的缺陷。 圖1 a說明起始電路結 括基板12和線u # 1〇的—部份。電路結構10包 土败以和線形體14。基板12呈 W包括抗反射層18和 -有上表面16。線形體 曰上0和先阻劑® 9 n , ^ 反射層18具有側壁22 h σ以圖中所示者,抗 ㈣土 22a,b,該等側壁較奋 圖i b說明第二起始结 "、、貝貝上垂直。 包括基板26和線形體部份。電路結構24也 肢“。基板26夏古ι_ * 體2S包括抗反射声 /、有上表面30,而線形 曰和光阻劑層 側壁3心。不似圖13中的電路。抗反射層具有 壁咖,b在後續的加工步驟;構之側壁22a,b,側 解與腐餘。此為+八τ & ‘於’属式顯影中)遭受降 句卞刀不欲的者,因 發明具有減少或避竞 马其可能導致缺陷。本 兄此%•降解血腐总丄 之,根據本發明所形 /、、之獨特優點。特定言 乂战的線形體之角” ^ ^ a 為約 83-90。 13
1 AUO 且較佳為約8 7 一 q n。 L丄 . 90 。如本文中所使用者,角度‘、,,炎 :)壁36a與上表面3〇或側壁與上表面 , 小角度(參看圖lb)。 的取 再I根據本發明所形成的線形體之腐蝕百分比為 於約15%,更佳為小於約 匕為小 υ 且是至更佳為小於約7%。 °本f中所使用者,腐鍅百分比係經定義為·· Ε*ιοο=腐蝕百分比 此處d和D為圖ib中所示者。 實施例 下面的實施例提出根據本發明的較佳方法。不過,鹿 瞭解所有實施例係為了示笳 〜 】不靶5兄明而提出,其中沒有要龛爽 對本發明的整體範圍作限制。 實施例1 於此貫施例中,經由將1 5 〇古& , 于ϋ u克♦(鈦酸二丁酯)溶解在 15. 0克丙二醇單甲基醚(pG η wrbML·)中而製備調配物。其次,於 該反應混合物中加入—種铖 、 、,工/合解在15. 0克PGME内的 19.52克乙醯乙酸乙醋溶液,接著授拌4小時。於_八 物中加入三經甲基乙氧化物’並攪拌混⑷小時。:: 用之前’將所得調配物經由〇 1料 田υ· i U /卡PTFE過濾器過濾。將 a亥組成物以3000 rpm旋轉塗霜右功日问 伋在矽日日圓上並施以兩階段烘 烤程序:130°C下烘烤30秒鐘,芬拉# _ “ 心勉’及接者168°C或205°C下 供烤6 0秒鐘。兩種樣品都a s φ — t, 1展現出在鹼性顯影劑内的溶解度。 實施例2 於此實施例中’經由將5 η古 尚打克聚(鈦酸二丁酯)溶解在 14 200401166 2〇· 〇克PnP中而製備調配物。其次,於該反應混合物中加 入一種經溶解在18. 5克pGME内的6· δ克乙醯乙酸乙酯溶 液,接著攪拌4小時。於該混合物中加入Cymel⑧(一種胺 基塑料交聯劑,可得自Cnec IndustriesW〇 2_氰基—3_ (4-羥基苯基)-丙烯酸乙酯(CHAE),並攪拌混合物i小時。 於使用之前,使用47. 5克PnP稀釋調配物,並經由〇.丨微 米PTFE過;慮為過濾。將§亥組成物以3〇q〇厂⑽旋轉塗覆在 矽晶圓上並施以兩-階段烘烤程序:丨30〇(:下烘烤3〇秒鐘 ,及接著在1 68-205°C溫度範圍下烘烤6〇秒鐘。兩種樣品 都展現出在驗性顯影劑内的溶解度。 貫施例3 將16.67克二正丁氧(雙—2,4-戊烷二酸酯)鍅(6〇%溶於 丁酮中)溶解在99.59克Pnp中以製備母液。接著,於該溶 液中加入0. 41克的水並攪拌24小時而得母液。 經由將11.67克母液與0.25克CHAE混合,接著攪拌 1小時而製備抗反射塗覆調配物。然後將調配物經由〇. 1 微米PTFE過濾器過濾,並將該組成物以3〇〇〇 rpm旋轉塗 覆在晶圓上並在168。C下烘烤60秒鐘。該樣品展現出在 驗顯影劑内的溶解度。 實施例4 將10.00克二異丙氧雙(乙醯乙酸乙酯)鈦和123克四 正矽酸酯溶解在112· 30克的PnP中以製備母液。接著,於 該溶液中加入〇. 41克的水並攪拌24小時而得到母液。 經由將20.00克母液與0.25克香草醛混合接著攪拌4 15 200401166 小時而製備抗反射塗覆調配物。然後將調配物經由〇1微 米PTFE過濾器過濾,並將該組成物以3〇〇〇 rpm旋轉塗覆 在晶圓上並在168。C下烘烤60秒鐘。該樣品展現出在驗 顯影劑内的溶解度。 實施例5 性質測定 1.光學性質 表A列出實施例2-4所得調邴私& ^ , 了 n配物的個別折射率
表A 貫施例# ~~~一-,丨 ^ 折射^^ η 2 1.99^ ~~ 3 1.68~ ~~~~~ 4 1111111" ~~------ — - 2.旋塗碗相容性 接續著先前所述之步驟,對實施 的膜測試其旋塗碗相容性。若、,且成物所製
解度百分比’組成物則被視為具有:=一的 果都列於表B之中。 相4性。測試
表B 實施例 編5虎 溶劑 2 &GMEAa Ί |2 乳酸乙酯 —---___, 庚酮 1丙二醇甲基乙酸酉旨
j± ΐ 16 200401166 【圖式簡單說明】 (一)圖式部分 圖la說明具有垂直側壁之線形體的電路前驅結構;且 圖1 b為類似於圖1 a,但說明具有腐蝕側壁的線形體 元件代表符號 10 電 路結 構 12 基 板 14 線 形體 16 上 表面 18 抗 反射 層 20 光 阻劑 層 22a, b 側 壁 24 電 路結 構 26 基 板 28 線 形體 30 上 表面 32 抗反射 層 34 光 阻劑層 36a, b 側 壁
17
Claims (1)
- ^U4U1166 拾、申請專利範圍: h〜種用於微影程序之組成物,該組成物包括: —種溶劑系統;和 —種分散或溶解在該溶劑系統中 包括具有下式的重複單元 之聚合物,該聚合物 -R Q 0 基 -(-M——〇A—I 5 X 中X為光衣減部份,Μ為金, 包括下列群組之中者:氫’烷基 ,且每個β分別為選 方基’纟元氣基和苯氧 2·如中請專利範圍第2項之組成物,其t該聚合物進 v包括具有下式之重複單元 R1 -R1 Ο Ο 0 0 R1 'R1 其中每個R1分別為選自包括下列群組之中者:氫,烷 基’方基’烷氧基和苯氧基,且M1為金屬。 3.如申請專利範圍第丨項之組成物,其中於每一重複為選自包括下列群組之中者:丁丨,zr, si 單元令的Μ分別 和Α1 :::::::一成物,該一 18 200401166 5. 如申請專利範圍第4項之組成物,其中該聚合物黏 合劑係選自包括下列群組之中者:環氧酚醛線型樹脂 (epoxy novolac resin),丙烯酸酯,經聚合的胺基塑料, glyC〇UralS,乙烯基醚類,和彼等的混合物。 6. 如申叫專利範圍第4項之組成物,其中該聚合物黏 合劑具有約1,〇〇〇至約5〇,〇〇〇的分子量。 7·如申明專利範圍第1項之組成物,其中該X包括用 於與Μ配位的官能基。8.如申明專利圍帛了項之組成物,其中該官能基韻 選自包括下列群組之中者:羰基,醇基,和酚基。 9’如申明專利圍第1項之組成物,其中該X係選自 包括下列群組之中的眘处 甲的s此基部份:三羥曱基乙氧化物,4 經基苯甲搭H氰基H録苯基)_丙烯酸乙醋。 10_如申請專利範圍第i項之組成物,其中每個χ和 不包括任何烯鍵式不飽和基。 U.如申請專利範圍第1項之組成物,其中R為-CH3J另一個R為-oc2h5。 12·-種用於微影程序之組成物,該组成物包括: —種溶劑系統;和 •-種分散或溶解在 係經由將聚合物型广聚合物,該綱 ,該聚合物型心二屬與有機化合物反應而編 乳基金屬包括具有下式之重複單元 L19 200401166 其中Μ為金屬’且每個L分別 之中者:二酮基和烷氧基配位體;且 匕下列的群組 該有機化合物包括用於與該聚合物 Μ配位之官能基。 乳基金屬中的 13·如申請專利範圍第12項之組成物 重複單元令的Μ分別為選自包 /、中在母一個 ,Zr,Sl,和Ab …括下列群組之,的金屬:Ti 14. 如申請專利範圍第12項之組成物 進一步包括聚合物黏合劑。 /、中μ、,且成物 15. 如申請專利葑囹筮, 黏合劑係選自包括;^ , 〗 下列群組之中:環氧酚醛線型樹脂 (epoxy novolac resin、 工卜仏 Sln),丙烯酸酯,經聚合的胺基塑料, gIyC〇UralS,乙烯基喊類,和彼等的混合物。 黏·請專利範圍第14項之組成物,其中該聚合物 。W ’、約1’ 000至約50, 〇〇〇的分子量。 別為了 ^專利範圍第12項之組成物,其中每個L分 其中每個 R分別為選自 1包括 下 列群組之中 者 :氫: ,烷 方基,烷氧基和笨氧基 〇 18.如申請 專利範圍第 17項 之 組成物 ’其 中 至少- -個 醯乙酸乙酯的部份。 19.如申請 專利範圍第 Π項 之 組成物, 其 中 R為- _CH, 20 200401166 且另一個R為-〇C2h5。 / 20.如申請專利範圍g 12項之組成物,其中該官能基 係迖自包括下列群組之宁者:醇基,⑯基,和羰基。 21 ·々申叫專利範圍第12項之組成物,其中該有機化 口物係4自包括下列群組之中者:三羥甲基乙氧化物,4 — U苯甲盤’ # 2-氰基_3_(4m苯基丙烯酸乙賴。 22. —種包括下列的組合, 具有一表面的基板;和 ▲用於在微影程序中作為阻障層或抗反射層之固化層, 〇亥固化層係鄰近該表面且包括交替的金屬原子和氧原子鍵 結亚具有至少為約14的折射率,該固化層係可濕式顯影 者。 一如申請專利範圍第22項之組合,其中當該溶劑為 丙—.曱基醚乙酸酯時’該固化層具有至少約75%的溶解 度百分比。 24. 如申請專利範圍第&項之組合,其中該基板為選 自包括下列群組之中者:矽晶圓和離子植層。 25. 如申請專利範圍第22項之組合,其中該組合進一 步包括鄰近該固化層的光阻劑層。 26. 如申請專利範圍第22項之組合,其中該金屬原子 為選自包括下列群組之中者:Ti,Zr,Si,和Μ。 27. 如申請專利範圍帛22項之組合,其中該固化層係 由包括下列組成物形成者: ~種溶劑系統;和 21 200401166 種分散或溶解在該溶劑系統中之聚合物,該聚合物 〇括具有下式的重複單元 〇+ 其中X為光衰減部份, 自包括下列群組之中者:氫 基0 為金屬’且每個R分別為選 烷基,芳基,烷氧基和苯氧 28.如申請專利範圍帛22項之組合,其中該固化層係 由包括下列組成物形成者: 一種溶劑系統;和 一種經分散或溶解在該溶劑系統中之聚合物,該聚合 物係經由將一聚合物型金屬烷氧化物與一有機化合物反應 而形成者,該聚合物型烷氧基金屬包括具有下式之重複= 元 此處Μ為金屬,且每個L分別為選自包 匕祜下列群組之 中者:二酮基和燒氧基配位體;且 該有機化合物包括用於與該聚合物型烷 凡乳基金屬中的 Μ配位之官能基。 29.如申請專利範圍第22項之組合,且由# 中该固化層在 知顯影劑中為至少約95%可溶者。 22 30. -種形成積體電路前 列諸步驟:在基板上形成組成物的涂广該方法包括下 將光阻劑塗覆到該塗層上以在該二 ,及 9上I成光阻劍層 選擇性地移除掉部份 上形成線形體,其中該線形體具;=二層以在該基板 31_如申請專利範圍第30項之 ^角度,V’。 自包括下料者 / ’ /、基板為選 Q0 , ^ 矽日日®和離子植層。 此如申請專利範圍第3〇項之方 包括使用水性顯影劑移除該f部份。-中絲除步驟 33.如申請專利範圍第犯項之 劑為選自包括下列群組 …,套,其中該水性顯影 劑。 ·乳乳化四甲銨和KOH顯影 如申請專利範圍第3〇 括: < 万法’其中該組成物包 一種溶劑系統;和 種、''工刀月欠或溶解在該溶劑 二 物係經由將聚合物型…之聚合物,該聚合 者,該聚合物型烧氧^金屬1括=機化合物反應而形成 匕括具有下式之重複單元 L 0-4^ I L > 其中Μ為金屬,且每 中者._ , # 母個L /刀別為選自包括下列群組之 •—酮基和烷氡基配位體;且 23 有杜;化合物包括用於與談取 Μ配位之官能基。 。μ來s物型烷氧基金屬中的 35·如申請專利範圍第3〇項之 括. 、 法’其中該組成物包 種溶劑系統;和 種兔分散或溶解在該、、六 物包括具有下式的重複單元"〜…统中之聚合物,該聚合 -- 其中 /、 X為光衰減部份,Μ為今Μ 自包括下列群組之中者:々,2屬,且母個R分別為選 基。 氧’魷基’芳基’烷氧基和苯氧 36. 種形成積體電路前 列諸步驟.在、、'°構之方法,該方法包括下 在在基板上形成組成物 :及 將光阻劑塗覆到該塗層上以在 的塗層; 該塗層上形成光阻劑層 選擇性 上形成線形該塗心在該基板 約15%的腐蝕百分 37·如申請專利範圍第36項之方本 自包括下、去,,、中该基板為選 層 1 ^ 圓和離子植 .。申晴專利範圍第36 # # 包括使用水性顯% &丨#〜 貝之方法,其中該移除步驟 ν丨王,肩和剣移除該等部份。 24 200401166 39. 如申請專利範圍第3β 劑為選自包括下列群組之中者 劑。 40. 如申請專利範圍第36 括: 項之方法,其中該水性顯影 '氫氧化四甲銨和Κ0Η顯影 項之方法,其令該組成物包 一種溶劑系統;和-種經分散或溶解在該溶劑系統中之聚合物,該聚名 广由將聚合物型燒氧基金屬與有機化合物反應而㈣ ,该聚合物型院氧基金屬包括具有下式之重複單元 L L 其中Μ為金屬,且每個[分別 中去· 可丨L刀別為選自包括下列群紐 者.一酮基和烷氧基配位體;且 該有機化合物包括用於與該 Μ兩a — /、Λ來合物型烷氧基金屬中 ⑽配位之官能基。41.如申請專利範圍第36 括· 、<方法,其中該組成物 一種溶劑系統;和 該聚合 之聚合物 一種經分散或溶解在該溶劑系统内 物包括具有下式的重複單元fM—〇-) X 25 2UU4U1100 自包二:二光衰:部份,M為金屬,且每個B別為選 基。 、·且之者:氫,院基,芳基,燒氧基和苯氧 42.如申請專利範圍 有約83,。的角度“a”。貝之方法其中该線形體具 將在基板上开在:序中使用組成物之方法’該方法包括 ,該組成物包括,之組成物的數量塗覆到基板上之步驟 —種溶劑系統;和 物包: = = :解在該溶劑系統中之聚合物,該聚合 /、有下式的重複單元 〇^- X 基 巧/4·如申請專利範圍第43項之方法,其中該塗覆步驟 匕括將該組成物旋轉塗覆在該基板表面上D h 45. 如申請專利範圍f 43項之方法,其中該 形成在其内的洞孔’該洞孔係由底壁和側壁所界定,且該 塗覆步驟包括將該組成物塗覆到該底壁和侧 、—: 份上。 王_y —口丨s 46. 如申請專利範圍第43項之方法,在該塗覆步驟之 26 200401166 後’其進一步包括在約丨 生固化層之步驟。 〇的溫度下烘烤該層以產 47,如申請專利範圍第46項之 覆光阻劑到該固化層之步驟。 去/、進—步包括塗 後如申請專利範圍第47項之方法, 列諸步驟: 乂匕括下 將至少一部份該光阻劑暴露於光化輻射下’·及 將該經曝光的光阻劑顯影。 49. 如申請專利範圍第48項之方法,其 導致該組成物從鄰近經曝光光 μ,.,,衫步騍 + πi尤阻劑的部位移除掉。 50. -種在微影程序中使用組成物之方法,該方法勺 將於基板上形成-層之組成物的畫牛=括 該組成物包括: -到基板之步驟, 一種溶劑系統;和 一種經分散或溶解在該溶劑系統内之聚合物,該聚八 物係經由將聚合物型烷氧基金屬與有機化合物反應而=D 者,該聚合物型烷氧基金屬包括具有下式之重複單元 成 L N1—〇—^— 其中Μ為金屬,且每個L分別為選自包括下列群組之 中者:二酮基和烷氧基配位體;且 該有機化合物包括用於與該聚合物型烷氧基金屬中的 Μ配位之官能基。 27 200401166 51.如申請專利範圍第5〇項之方法,其中該塗覆步驟 包括將該組成物旋轉塗覆在該基板表面上。 、52.如申請專利範圍第5〇項之方法,其中該基板具有 形成在其内的孔洞’該孔洞係由底壁和側壁所界定,且該 塗覆步驟包括將該組成物塗覆到底壁和側壁的至少一部份 上。 53.如申請專利範爵第5〇項 之後,進一步包括在約1〇〇_25〇。 生固化層之步驟。 54·如申請專利範圍第53 覆光阻劑到該固化層之步驟。 55.如申請專利範圍第54 列諸步驟: 之方法,其在該塗覆步驟 C的溫度下烘烤該層以產 員之方法,其進—步包括塗 貝之方去,其進一步包括下將至少-部份該光阻劑暴露於光化輻射 將該經曝光的光阻劑顯影。 及56·如申請專利範圍第55 致該組成物從鄰近該曝光光 項之方法, 阻劑的部位 其中該顯影步驟 移除掉。拾壹、圖式: 如次頁 28
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