JP5400134B2 - 放電ギャップ充填用組成物および静電放電保護体 - Google Patents

Description

本発明は、放電ギャップ充填用組成物および静電放電保護体に関し、さらに詳しくは、作動電圧の調整精度に優れ、小型化、低コスト化の可能な静電放電保護体、およびこの静電放電保護体に用いられる放電ギャップ充填用組成物に関する。

静電放電（以降、ＥＳＤと記載することもある）は、電気システムおよび集積回路が曝される破壊的で不可避な現象の一つである。電気的な観点からは、ＥＳＤは、数アンペアのピーク電流のある、１０ｎ秒から３００ｎ秒間継続する過渡的な高電流現象である。したがって、ＥＳＤが発生すると、数十ナノ秒以内にほぼ数アンペアの電流を集積回路の外へ伝導しなければ、その集積回路は修復至難な損傷を被るか、不具合もしくは劣化を起こし、正常に機能しなくなる。さらに、近年、電子部品や電子機器の軽量化、薄型化、小型化の流れが急速に進行している。それにともない、半導体の集積度やプリント配線基板への電子部品実装密度の上昇が著しくなり、過密に集積、あるいは実装された電子素子や信号線が、互いに極めて接近して存在することになり、信号処理速度の高速化も合わせて、高周波輻射ノイズが誘発されやすい状況となった。

従来、回路内のＩＣ等をＥＳＤから保護する静電気保護素子として、特開２００５−３５３８４５号公報に開示されているような金属酸化物等の焼結体からなるバルク構造の素子があった。この素子は焼結体からなる積層型チップバリスタであり、積層体と一対の外部電極を備えている。バリスタは、印加電圧が、ある一定以上の値に達すると、それまで流れなかった電流が急に流れ出すという性質を持ち、静電放電に対して優れた抑止力をもつ。しかし、焼結体である積層型チップバリスタは、シート成型、内部電極印刷、シート積層等から成る複雑な製造プロセスが避けられず、かつ、実装工程中に層間剥離等の不具合も発生しやすいという問題があった。

その他の、回路内のＩＣ等をＥＳＤから保護する静電気保護素子として放電型素子がある。放電型素子は、漏れ電流が小さく、原理的に簡単であり、故障しにくいという長所もある。また、放電電圧は、放電ギャップの距離によって調整することができ、封止構造とする場合はガスの圧力、ガスの種類に応じて放電ギャップの距離が決められる。実際に市販されている素子としては、円柱状のセラミックス表面導体皮膜が形成され、レーザーなどによってその皮膜に放電ギャップを設け、これをガラス封管したものがある。この市販されているガラス封管型の放電ギャップ型素子は、静電放電特性が優れているものの、その形態が複雑であるために小型の表面実装用素子としてはサイズの点で限界があり、またコストを下げることが困難であるという問題がある。

さらには、配線上に直接放電ギャップを配線形成し、その放電ギャップの距離によって放電電圧を調整する方法が、次のような先行文献に開示されている。例えば、特開平３−８９５８８号公報では放電ギャップの距離が４ｍｍ、特開平５−６７８５１号公報では放電ギャップの距離が０．１５ｍｍであることが例示されている。また、特開平１０−２７６６８号公報では、通常の電子素子の保護には放電ギャップとして５〜６０μｍが好ましく、静電気により敏感なＩＣやＬＳＩの保護のためには、放電ギャップを１〜３０μｍとすることが好ましく、特に大きなパルス電圧部分だけを除去すればよいという用途には１５０μｍ程度まで大きくできると例示されている。

しかし、放電ギャップ部分に保護がなければ、高電圧の印加で気中放電がおこったり、環境中の湿度やガスのために導体の表面に汚染が生じ放電電圧が変化したり、電極が設けられている基板の炭化により電極が短絡する可能性がある。また、この静電放電保護体においては、通常の作動電圧、例えば一般的にはＤＣ１０Ｖ未満では、高い絶縁抵抗性を要求されるため、耐電圧性の絶縁性部材を電極対の放電ギャップに設けることが有効となる。放電ギャップの保護のために、放電ギャップに絶縁性部材として直接通常のレジスト類を充填してしまうと、放電電圧の大幅な上昇がおこり、実用的ではない。１〜２μｍ程度またはそれ以下の極めて狭い放電ギャップに通常のレジスト類を充填した場合は、放電電圧を下げることができるが、充填されたレジスト類に微小な劣化がおこったり、絶縁抵抗が低下したり、場合によっては導通してしまうという問題がある。

特開２００７−２６６４７９号公報では、絶縁基板に１０μｍから５０μｍの放電ギャップを設けて、端部が対向した一対の電極パターンの間に、ＺｎＯを主成分とし炭化珪素を含む機能膜を設ける保護素子が開示されている。これは、積層型チップバリスタと比較すると、簡単な構成であり、基板上の厚膜素子として製造できる利点がある。しかし、これらのＥＳＤ対策素子は、電子機器の進化にあわせて、実装面積の低減化をはかってはいるが、形態はあくまでも素子であり、ハンダなどによって配線基板に実装するために、設計の自由度が少なく、かつ、高さを含めて小型化に限界がある。そのため、素子を固定するのではなく、小型化を含めた自由な形態で、必要な箇所に、かつ必要な面積分、ＥＳＤ対策を講じることができるようにすることが望まれている。

一方、ＥＳＤ保護材料として樹脂組成物を開示している文献としては、特表２００１−５２３０４０号公報（特許文献１）が挙げられ、ここでの樹脂組成物は、絶縁バインダの混合物からなる母材、１０μｍ未満の平均粒子径を有する導電性粒子、および１０μｍ未満の平均粒子径を有する半導体粒子を含むことを特徴としている。また、該文献では、ハイアットら（Ｈｙａｔｔ ｅｔ ａｌ）の米国特許第４，７２６，９９１号（特許文献２）が紹介されており、表面が絶縁性酸化皮膜で被覆されている導電性粒子および半導体粒子の混合物が絶縁性バインダによって結びつけられている組成物材料、粒子径範囲が規定された組成物材料、導電性粒子間の面間隔を規定した組成物材料などが開示されている。該公報に記載の方法では、導電性粒子や半導体粒子の分散方法が最適化されていないため、低電圧時に高い電気抵抗値が得られないか、もしくは、高電圧時に低い電気抵抗値が得られないなど、技術的な不安定要素が存在する。

また、金属粒子を金属アルコキシ化合物で被覆する方法が、特許３１７０４８８号公報（特許文献３）、特開２００４−８３６２８号公報（特許文献４）、特開２００４−１２４０６９号公報（特許文献５）に開示されているが、これらは着色アルミニウム粉末顔料に関するものであり、この方法を用いて金属表面に絶縁性を付与してＥＳＤ保護材料に適用することについては開示がない。

特表２００１−５２３０４０号公報 米国特許第４，７２６，９９１号 特許３１７０４８８号公報 特開２００４−８３６２８号公報 特開２００４−１２４０６９号公報

本発明は、上記のような問題点を解決しようとするものであり、様々な設計の電子回路基板に対して、自由な形状でかつ簡便にＥＳＤ対策を図ることができ、かつ、作動電圧の調整精度に優れ、小型化、低コスト化の可能な静電放電保護体を提供すること、およびそのような静電放電保護体の製造に用いることのできる放電ギャップ充填用組成物を提供することを目的とする。

本発明者は、上記従来技術の問題点を解決すべく鋭意検討した結果、１対の電極の放電ギャップを特定間隔に設定し、そのギャップを特定の成分からなる組成物で充填し、固化または硬化させることで、作動電圧の調整精度に優れ、小型化、低コスト化の可能な静電放電保護体が得られることを見出した。

すなわち、本発明は以下の事項に関する。
［１］金属粒子を、下記一般式（１）で表される金属アルコキシドの加水分解生成物で被覆してなる金属粒子（Ａ）およびバインダー成分（Ｃ）を含むことを特徴とする放電ギャップ充填用組成物。

（ただし、Ｍは金属原子、Ｏは酸素原子、Ｒは炭素数１〜２０のアルキル基であり、Ｒの全てもしくは一部が同じか又は全てが互いに異なっていてもよく、ｎは１〜４０の整数である。）
［２］前記一般式（１）のＭの元素が、ケイ素、チタン、ジルコニウム、タンタルまたはハフニウムである［１］に記載の放電ギャップ充填用組成物。
［３］前記金属粒子（Ａ）の金属粒子が、酸化皮膜を有する金属粒子である、［１］または［２］に記載の放電ギャップ充填用組成物。
［４］前記酸化皮膜を有する金属粒子の金属が、マンガン、ニオブ、ジルコニウム、ハフニウム、タンタル、モリブデン、バナジウム、ニッケル、コバルト、クロム、マグネシウム、チタンおよびアルミニウムからなる群から選ばれる少なくとも１つである、［３］に記載の放電ギャップ充填用組成物。
［５］前記金属粒子（Ａ）および前記バインダー成分（Ｃ）と共に、さらに層状物質（Ｂ）を含むことを特徴とする［１］〜［４］のいずれかに記載の放電ギャップ充填用組成物。
［６］前記層状物質（Ｂ）が、粘土鉱物結晶（Ｂ１）および層状カーボン材料（Ｂ２）からなる群から選ばれる少なくとも１つである、［５］に記載の放電ギャップ充填用組成物。
［７］前記層状物質（Ｂ）が、層状カーボン材料（Ｂ２）である、［５］に記載の放電ギャップ充填用組成物。
［８］前記層状カーボン材料（Ｂ２）が、カーボンナノチューブ、気相成長カーボンファイバー、カーボンフラーレン、黒鉛およびカルビン系炭素材料からなる群から選ばれる少なくとも１つである、［７］に記載の放電ギャップ充填用組成物。
［９］前記バインダー成分（Ｃ）が、熱硬化性または活性エネルギー線硬化性の化合物を含むことを特徴とする、［１］〜［８］のいずれかに記載の放電ギャップ充填用組成物。
［１０］前記バインダー成分（Ｃ）が、熱硬化性ウレタン樹脂を含むことを特徴とする、［１］〜［８］のいずれかに記載の放電ギャップ充填用組成物。
［１１］ 放電ギャップを形成する２つの電極と前記放電ギャップに充填された放電ギャップ充填部材とを有してなる静電放電保護体であって、前記放電ギャップ充填部材が［１］〜［１０］のいずれかに記載の放電ギャップ充填用組成物から形成され、前記放電ギャップの距離が５〜３００μｍであることを特徴とする静電放電保護体。
［１２］前記放電ギャップ充填部材の表面の全部または一部を覆う保護層を有することを特徴とする、［１１］に記載の静電放電保護体。
［１３］［１１］または［１２］に記載の静電放電保護体を設けた電子回路基板。
［１４］フレキシブル電子回路基板である［１３］に記載の電子回路基板。
［１５］［１３］または［１４］に記載の電子回路基板を設けた電子機器。

本発明の静電放電保護体は、必要な電極間に、必要とする作動電圧に応じた放電ギャップを形成し、その放電ギャップに本発明の放電ギャップ充填用組成物を充填し、固化または硬化させることにより形成することができる。このため、本発明の放電ギャップ充填用組成物を用いれば、低コストで、小型の静電放電保護体を製造することができ、簡単に静電放電保護を実現することができる。本発明の放電ギャップ充填用組成物を用いれば、放電ギャップを特定間隔に設定することで作動電圧の調整が可能であるので、本発明の静電放電保護体は、作動電圧の調整精度に優れる。また、本発明の静電放電保護体は、携帯電話をはじめとするデジタル機器、人の手が触れることが多く静電気が溜まりやすいモバイル機器等において好適に利用できる。

図１は、本発明に係る静電放電保護体の一具体例である静電放電保護体１１の縦断面図である。 図２は、本発明に係る静電放電保護体の一具体例である静電放電保護体２１の縦断面図である。 図３は、本発明に係る静電放電保護体の一具体例である静電放電保護体３１の縦断面図である。 図４は、調製例１で作製した表面が被覆された金属粒子（Ａ）の被覆部分のＴＥＭ画像である。 図５は、調製例１で作製した表面が被覆された金属粒子（Ａ）の被覆部分の元素分析（ＥＤＳ）結果のグラフである。

以下、本発明を具体的に説明する。
＜放電ギャップ充填用組成物＞
本発明の放電ギャップ充填用組成物は、金属粒子（Ａ）およびバインダー成分（Ｃ）を含有し、必要に応じて層状物質（Ｂ）等を含有することができる。
金属粒子（Ａ）
本発明に用いられる金属粒子（Ａ）とは、金属粒子を、下記一般式（１）で表される金属アルコキシドの加水分解生成物で被覆してなる金属粒子である。

ただし、Ｍは金属原子、Ｏは酸素原子、Ｒは炭素数１〜２０のアルキル基であり、Ｒの全てもしくは一部が同じか又は全てが互いに異なっていてもよく、ｎは１〜４０の整数である。

上記の金属粒子（Ａ）（以下「表面が被覆された金属粒子（Ａ）」とも記す。）は、部分的に適度な絶縁性と高い耐電圧性を有することによって、通常電圧では絶縁性であるが、静電放電時の高電圧負荷の際には導電性となり、結果として静電放電保護体の放電ギャップ充填用組成物に使用した場合に有効な特性が発現し、この静電放電保護体を備えた電子回路等は高電圧時の破壊を受けにくいと考えられる。

前記の金属アルコキシドとしては、水単独または、水および加水分解触媒と反応して加水分解生成物を形成させうるものであれば、特に制限はない。

尚、本発明において、前記金属アルコキシドを構成する金属には、ケイ素、ゲルマニウム、スズ等の半金属も含まれるものとする。

前記一般式（１）のＭの元素としては、マグネシウム、アルミニウム、ガリウム、インジウム、タリウム、ケイ素、ゲルマニウム、スズ、チタン、ジルコニム、ハフニウム、タンタル、ニオブが好ましい。中でもケイ素、チタン、ジルコニウム、タンタルおよびハフニウムが特に好ましく、ケイ素がさらに好ましい。ケイ素のアルコキシドは、空気中の湿気などで加水分解しにくく、加水分解速度を制御しやすいため、より製造安定性が高くなるからである。

前記一般式（１）のＲは、炭素数１〜２０のアルキル基であり、炭素数１〜１２のものが好ましく、例えば、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、１−メチルブチル、２−メチルブチル、３−メチルブチル、ネオペンチル、１−エチルプロピル、ｎ−ヘキシル、１，１−ジメチルプロピル、１，２−ジメチルプロピル、１，２−ジメチルプロピル、１−メチルペンチル、２−メチルペンチル、３−メチルペンチル、４−メチルペンチル、１，１−ジメチルブチル、１，２−ジメチルブチル、１，３−ジメチルブチル、２，２−ジメチルブチル、２，３−ジメチルブチル、３，３−ジメチルブチル、１−エチルブチル、２−エチルブチル、１，１，２−トリメチルプロピル、１，２，２−トリメチルプロピル、１−エチル−１−メチルプロピル、１−エチル−２−メチルプロピル、ｎ−ヘプチル、ｎ−オクチル、ｎ−ノニル、ｎ−デシルおよびｎ−ドデシルである。特に好ましいアルキル基は、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、イソブチルおよびｎ−ペンチルであり、エチル、ｎ−プロピル、ｎ−ブチルがさらに好ましい。

上記のアルキル基が好ましいのは、前記アルキル基の分子量が大きいもの程加水分解が穏やかになる一方で、分子量が大き過ぎるとワックス状になり、均一分散が困難になるためである。

また、特に一量体（一般式（１）でｎ＝１）を用いると反応が急激に起こり、浮遊粒子が多く生成する場合には、二量体（一般式（１）でｎ＝２）、三量体（一般式（１）でｎ＝３）、四量体（一般式（１）でｎ＝４）等の縮合体を用いることが望ましい。しかし、ｎの数が大き過ぎると金属アルコキシド自体の粘度が増大し、分散しにくくなるため、ｎは１〜４が望ましい。

本発明で使用される金属アルコキシドとしては、例えば、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラエチルチタネート、テトライソプロピルチタネート、テトラ−ｎ−ブチルチタネート、テトラ−ｓｅｃ−ブチルチタネート、テトラ−ｔｅｒｔ−ブチルチタネート、テトラ−２エチルヘキシルチタネート、テトラエチルジルコネート、テトライソプロピルジルコネート、テトラ−ｎ−ブチルジルコネート、テトラ−ｓｅｃ−ブチルジルコネート、テトラ−ｔｅｒｔ−ブチルジルコネート、テトラ−２エチルヘキシルジルコネート等およびこれらの縮合体が挙げられ、特にテトラエトキシシランが加水分解性および分散性の点で好ましい。これらの金属アルコキシドは単独で用いても、また２種以上混合して用いてもよい。

上記の表面が被覆された金属粒子（Ａ）に含まれる金属粒子としては、一般的な公知の金属粒子を挙げることができるが、酸化皮膜を有する金属粒子が好ましい。酸化皮膜を有する金属粒子とは、金属からなる粒子の表面に、その金属の酸化物からなる皮膜が形成されてなる粒子である。酸化皮膜を有する金属粒子は、該酸化皮膜が絶縁性であることによって、通常電圧では絶縁性であるが、静電放電時の高電圧負荷の際には導電性となり、さらに高電圧解除によって絶縁性が復活すると考えられる。

上記の金属粒子としては、イオン化傾向が大きいにもかかわらず、表面に緻密な酸化皮膜ができて、内部を保護することのできる、いわゆる不動態を形成し得る金属粒子が好ましい。このような金属粒子の金属としては、マンガン、ニオブ、ジルコニウム、ハフニウム、タンタル、モリブデン、バナジウム、ニッケル、コバルト、クロム、マグネシウム、チタンおよびアルミニウムが挙げられるが、中でも安価で入手しやすい点でアルミニウム、ニッケル、タンタル、チタンが最も好ましい。前記金属は、それらの金属の合金であってもよい。また、特定の温度で抵抗値が急変するサーミスタに使用されるバナジウム粒子は、有効に使用することができる。上記の金属粒子は、それぞれ単独でも複数種類を混合しても使用することができる。

酸化皮膜を有する金属粒子は、金属粒子を酸素存在下で加熱して調製することができるが、以下の方法によってより安定した構造をもつ酸化皮膜を調製することができる。すなわち、金属表面上の酸化皮膜の絶縁破壊電圧が、一つの製品内あるいは製品間で不均一とならないことを目的として、例えば、金属粒子をアセトンのような有機溶剤で表面を清浄化した後、希塩酸で表面をわずかにエッチングし、水素２０％アルゴン８０％からなる混合ガス雰囲気下で、金属自体の融点より低い温度、アルミニウム以外の金属の場合は例えば７５０℃で、またアルミニウムの場合は例えば６００℃で、約１時間加熱し、さらに高純度酸素雰囲気下で３０分間加熱すると、高い制御性で再現性良く均一な酸化皮膜を形成することができる。

上記一般式（１）で表される金属アルコキシドの加水分解生成物で金属粒子の表面を被覆するには、たとえば、溶媒に金属粒子を懸濁させた状態で金属アルコキシドおよびそれを加水分解し得る量以上の水を徐々に添加し、この加水分解物を金属粒子表面に析出させる方法を採ることができる。

この方法によれば、たとえばＭがケイ素原子の場合は、加水分解により、二酸化ケイ素や、シラノールが脱水縮合した形のオリゴマーやポリマーおよびこれらの混合物が金属粒子表面に生成するものと考えられる。

金属アルコキシドおよび水の添加法は一括添加方式をとってもよいし少量ずつ多段階に分割する方式をとってもよい。各々の添加順序としては、金属アルコキシドを先に溶媒中に溶解あるいは懸濁したところに水を添加しても、あるいは水を先に溶媒中に溶解あるいは懸濁した後に金属アルコキシドを添加してもよく、また、金属アルコキシドおよび水を少量ずつ交互に溶媒に添加してもよい。しかし、一般には反応を穏やかに行う方が浮遊粒子の生成が少なくなる傾向があるため、金属アルコキシドおよび水を必要に応じ溶媒で濃度を低下させた状態で少量ずつ溶媒に添加することが望ましい。

上記の溶媒としてはアルコール類、ミネラルスピリット、ソルベントナフサ、ベンゼン、トルエン、キシレン、石油ベンジン等の金属アルコキシドを溶解するものが望ましいが、懸濁状で反応するため特に限定されない。また、これらは単独でも２種以上の混合物としても用いることができる。また、金属アルコキシドの加水分解反応で水の添加によりアルコールが副生成することから、アルコールを重合速度の調節剤として添加することが可能である。

上記の被覆工程により、表面が被覆された金属粒子（Ａ）の被覆膜の膜厚を５〜４０ｎｍ程度にすることができる。被覆膜の膜厚は、たとえば透過型電子顕微鏡を使って求めることができる。被覆領域としては、金属粒子の表面の一部が被覆されている程度でもよいが、全表面が被覆されていることが好ましい。

上記の表面が被覆された金属粒子（Ａ）に含まれる金属粒子の粒子径は、放電ギャップを形成する一対の対抗電極間の距離（放電ギャップの距離）によっても異なるが、平均粒子径として０．０１μｍ以上３０μｍ以下であることが好ましい。平均粒子径が３０μｍより大きいと、この金属粒子が酸化皮膜を有する場合、金属粒子の単位重量あたりの酸化皮膜の量が、内部の酸化していない導電体部分の量と比較して少ないために、ＥＳＤ発生時に還元されて破壊された表面皮膜の酸化が遅れ、絶縁性の復活が遅れる傾向がある。また、０．０１μｍ以下になると、単位重量あたりの酸化皮膜と導電体部分との重量比率が酸化皮膜の重量が大きいほうに偏り、ＥＳＤ発生時の作動電圧が上昇してしまう場合がある。なお、平均粒子径は、メタノールに、測定する金属粒子を１質量％加え、出力１５０Ｗの超音波ホモジナイザーで４分間分散させた後、レーザー回折式光散乱式粒度分布計マイクロトラックＭＴ３３００（株式会社日機装）で測定して得られた累積５０質量％径で評価する。

表面が被覆された金属粒子（Ａ）同士は、表面が絶縁性を示すために、相互に接触して存在しても問題がない。しかし、バインダー成分の比率が少ない場合、粉落ちなどの問題が発生する場合があるために、作動性という面よりむしろ実用性を考慮すると、表面が被覆された金属粒子（Ａ）の体積占有率は、放電ギャップ充填用組成物の固形分中、８０体積％未満であることが望ましい。

また、ＥＳＤ発生時には、静電放電保護体が全体的に導電性を示す必要があるため、表面が被覆された金属粒子（Ａ）の体積占有率の最低量には好ましい値があり、表面が被覆された金属粒子（Ａ）の体積占有率は、放電ギャップ充填用樹脂組成物の固形分中、３０体積％以上であることが望ましい。つまり、表面が被覆された金属粒子（Ａ）の体積占有率は３０体積％以上８０体積％未満であることが好ましい。

なお、体積占有率は、放電ギャップ充填用組成物の硬化物の断面を、走査型電子顕微鏡ＪＳＭ−７６００Ｆ（日本電子株式会社）でエネルギー分散型Ｘ線分析し、得られた元素が占有する観測視野の体積比率で評価できる。

なお、放電ギャップ充填用組成物を作製する場合には、質量占有率を用いるほうが管理のためには容易であり、表面が被覆された金属粒子（Ａ）の質量占有率は放電ギャップ充填用樹脂組成物の固形分中、３０質量％以上９５質量％以下であることが好ましい。
層状物質（Ｂ）
本発明の組成物は、より良好なＥＳＤ保護特性を得るという観点から、層状物質（Ｂ）を含有することが好ましい。層状物質（Ｂ）とは、複数の層がファンデルワールス力で結合して形成されている物質であり、イオン交換などによって、その結晶内の特定の位置に本来その結晶の構成にあずからない原子や分子やイオンを入り込ませることができ、それによって結晶構造が変化しない化合物である。原子や分子やイオンが入り込む位置、すなわちホスト位置は、平面的な層構造をしている。そのような層状物質（Ｂ）の典型的なものには、粘土鉱物結晶（Ｂ１）やグラファイト（黒鉛）などの層状カーボン材料（Ｂ２）あるいは遷移金属のカルコゲン化物などがある。それらの化合物は、ゲストとして金属原子や無機分子、有機分子などを結晶内に取り込むことによってそれぞれ特異な性質を発現する。

層状物質（Ｂ）は、ゲストの大きさやゲストの相互作用により層間の距離がフレキシブルに対応する点に特徴があり、ホストがゲストを包含して得られる化合物を層間化合物と呼び、ホストとゲストの組み合わせから極めて多様な層間化合物が存在する。層間のゲスト種は表面に吸着したものとは異なり、ホスト層によって二方向から束縛された特異な環境下にある。よって層間化合物の特性はホスト、ゲストの各々の構造、性質に依存するだけでなく、ホスト−ゲスト相互作用をも反映すると考えられる。さらに、最近では、層状物質（Ｂ）は電磁波をよく吸収する点、ゲストが酸化物の場合ある温度になると酸素を吸ったり吐いたりする酸素吸収放出素材になる点などで研究されており、こうした特性が金属アルコキシドの加水分解生成物や酸化皮膜と相互作用を起こし、その結果ＥＳＤ保護特性が向上すると考えられる。

本発明で用いられる層状物質（Ｂ）のうち、粘土鉱物結晶（Ｂ１）としては、例えば膨潤性ケイ酸塩であるスメクタイト族粘土および膨潤性雲母が挙げられる。該スメクタイト族粘土の具体例としては、例えば、モンモリロナイト、バイデライト、ノントロナイト、サポナイト、鉄サポナイト、ヘクトライト、ソーコナイト、スチブンサイトおよびベントナイトなど、およびこれらの置換体および誘導体、ならびにこれらの混合物が挙げられる。また、前記の膨潤性雲母としては、たとえば、リチウム型テニオライト、ナトリウム型テニオライト、リチウム型四ケイ素雲母、およびナトリウム型四ケイ素雲母など、およびこれらの置換体、誘導体、ならびにこれらの混合物が挙げられる。上記の膨潤性雲母の中には、パーキュライト類と似た構造を有するものもあり、この様なパーキュライト類相当品なども使用し得る。

また、本発明で用いられる層状物質（Ｂ）として、層状カーボン材料（Ｂ２）を使用することもできる。層状カーボン材料（Ｂ２）は、ＥＳＤ発生時、電極間空間に自由電子を放出することができる。また層状カーボン材料（Ｂ２）は、ＥＳＤ発生時に蓄熱するため金属酸化物を還元したり、その熱により酸化皮膜界面の格子構造の相転移を生じさせショットキー整流特性を変化させることで、絶縁性を示していた酸化皮膜を有する金属粒子が導電性を示すように変化させることが可能である。さらに、層状カーボン材料（Ｂ２）は過充電時に発生した酸素により酸化して内部抵抗が上昇するが、ＥＳＤ発生後は、金属粒子の酸化皮膜を再生させるための酸素供給源になる。

層状カーボン材料（Ｂ２）としては、コークスの低温処理物、カーボンブラック、金属炭化物、カーボンウィスカー、ＳｉＣウィスカーがあり、これらもＥＳＤに対して作動性が認められる。これらは炭素原子の六角網面を基本構造としているが、積層数が比較的少なく、かつ規則性もやや低いので、若干短絡しやすいという傾向がある。したがって層状カーボン材料（Ｂ２）としては、より積層に規則性がある、カーボンナノチューブ、気相成長カーボンファイバー、カーボンフラーレン、黒鉛、またはカルビン系炭素材料が好ましく、これらのうちの少なくとも一つ、もしくはこれらの混合物を含むことが望ましい。また、カーボンナノチューブ、グラファイトウィスカー、フィラメンタスカーボン、グラファイトファイバー、極細炭素チューブ、カーボンチューブ、カーボンフィブリル、カーボンマイクロチューブ、カーボンナノファイバー等の繊維状の層状カーボン材料（Ｂ２）は、近年、その機械的強度のみでなく、電界放出機能や、水素吸蔵機能が産業上注目されており、酸化皮膜を有する金属粒子（Ａ）の酸化還元反応に関係すると考えられる。また、これらの層状カーボン材料（Ｂ２）と人造ダイヤを混合して使用してもよい。

特に、六角板状扁平な結晶のような六方晶系、三方晶系または菱面体晶の積層規則性が高い黒鉛や、炭素原子が直鎖を成し、その直鎖において一重結合と三重結合とが交互に繰り返されているかあるいは炭素原子が二重結合でつながっているカルビン系炭素材料は、層間に他の原子、イオン、分子などのインターカレートを容易に挿入できるために、金属粒子の酸化、還元を促す触媒として適している。すなわち、ここに例示した層状カーボン材料（Ｂ２）は、電子供与体も電子受容体もいずれもインターカレーションできることが特徴的である。

層状カーボン材料（Ｂ２）は、不純物を取り除くために、不活性ガス雰囲気中で約２５００〜３２００℃の高温処理をしたり、ホウ素、炭化ホウ素、ベリリウム、アルミニウム、ケイ素などの黒鉛化触媒とともに不活性ガス雰囲気中で約２５００〜３２００℃の高温処理をあらかじめ行ってもよい。

層状物質（Ｂ）として、膨潤性ケイ酸塩や膨潤性雲母などの粘土鉱物結晶（Ｂ１）、および層状カーボン材料（Ｂ２）をそれぞれ単独で用いても、２種以上の組み合わせで使用してもよい。これらのなかでは、スメクタイト族粘土、黒鉛、気相成長カーボンファイバーが、バインダー成分（Ｃ）中での分散性、入手の容易さの点で好ましく用いられる。

層状物質（Ｂ）が球状または鱗片状である場合、平均粒子径は０．０１μｍ以上３０μｍ以下が好ましい。

層状物質（Ｂ）の平均粒子径が３０μｍを超える場合は、特に層状カーボン材料（Ｂ２）の場合において粒子同士の導通が起こりやすく、安定したＥＳＤ保護体を得ることが難しい場合がある。一方、０．０１μｍ未満であると凝集力が強く、また帯電性が高いなどの製造上の問題が発生する場合がある。なお、層状物質（Ｂ）が球状または鱗片状である場合、平均粒子径は、サンプル５０ｍｇを秤量し、５０ｍＬの蒸留水に添加し、さらに２％Ｔｒｉｔｏｎ（ＧＥヘルスケアバイオサイエンス株式会社製の界面活性剤の商品名）水溶液０．２ｍｌを加えて、出力１５０Ｗの超音波ホモジナイザーで３分間分散させた後、レーザー回折式粒度分布計、例えばレーザー回折式光散乱式粒度分布計（商標：マイクロトラックＭＴ３３００、日機装社製）で測定して得られた累積５０質量％径で評価する。

層状物質（Ｂ）が繊維状である場合は、平均繊維直径が０．０１μ以上０．３μｍ以下、平均繊維長さは０．０１μｍ以上２０μｍ以下が好ましく、さらに好ましくは、平均繊維直径が０．０６μｍ以上０．２μｍ以下、平均繊維長さが１μｍ以上２０μｍ以下が好ましい。繊維状の層状物質（Ｂ）の平均繊維直径および平均繊維長さは電子顕微鏡により測定し、例えば２０〜１００個の測定数で平均を求めて、算出することができる。

層状物質（Ｂ）として層状カーボン材料（Ｂ２）を用いる場合は、通常作動時の絶縁性を確保するために、電極間でカーボン材料（Ｂ２）同士が導通することは避けなければならない。したがって、層状カーボン材料（Ｂ２）の分散性、平均粒子径のほか、体積占有率は重要である。また層状物質（Ｂ）として膨潤性ケイ酸塩、膨潤性雲母などの粘土鉱物結晶（Ｂ１）を用いる場合も、金属粒子の酸化皮膜を一部欠損させる添加量で十分効果がある。

したがって、層状物質（Ｂ）が球状または鱗片状の場合、層状カーボン材料（Ｂ２）の体積占有率は、放電ギャップ充填用樹脂組成物の固形分中、０．１体積％以上１０体積％以下であることが望ましい。１０体積％より大きい場合はカーボン同士の導通が起こりやすく、ＥＳＤ放電時の蓄熱が大きくなるために樹脂や基板の破壊が生じたり、ＥＳＤ発生後、高温のためにＥＳＤ保護体の絶縁性の回復が遅れる傾向がある。また、０．１体積％未満の場合はＥＳＤ保護に対する作動性が不安定になる場合がある。

また、層状物質（Ｂ）が繊維状の場合は、球状または鱗片状の層状物質（Ｂ）より金属粒子（Ａ）表面に効果的に接触し、かつ過剰では容易に導通するために、球状または鱗片状の場合より低い体積占有率が好ましく、０．０１体積％以上５体積％以下が好ましい。

なお、放電ギャップ充填用組成物を作製する場合には、質量占有率を用いるほうが管理のためには容易であり、層状物質（Ｂ）の質量占有率は放電ギャップ充填用樹脂組成物の固形分中、０．０１質量％以上５質量％以下であることが好ましい。
バインダー成分（Ｃ）
本発明のバインダー成分（Ｃ）は、その中に表面が被覆された金属粒子（Ａ）や層状物質（Ｂ）を分散させるための絶縁体物質であり、例えば有機系ポリマー、無機系ポリマーおよびそれらの複合ポリマーを挙げることができる。

具体的にはポリシロキサン化合物、ウレタン樹脂、ポリイミド、ポリオレフィン、ポリブタジエン、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂、水添加ポリブタジエン、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリエーテル、ポリスルホン、ポリテトラフルオロ樹脂、メラミン樹脂、ポリアミド、ポリアミドイミド、フェノール樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ビニルエステル樹脂、アルキド樹脂、ビニルエステル樹脂、アルキド樹脂、ジアリルフタレート樹脂、アリルエステル樹脂、フラン樹脂などを例示することができる。

また、バインダー成分（Ｃ）としては、力学的安定性、熱的安定性、化学的安定性または経時的な安定性の観点から、熱硬化性または活性エネルギー線硬化性の化合物を含むものが好ましい。その中でも、絶縁抵抗値が高く、基材との密着性が良好で、表面が被覆された金属粒子（Ａ）の分散性が良好である点で、熱硬化性ウレタン樹脂が特に好ましい。

上記のバインダー成分（Ｃ）としては、１種のみを使用しても、２種以上を組み合わせて使用してもよい。

上記の熱硬化性ウレタン樹脂としては、カーボネートジオール化合物を含むポリオール化合物とイソシアネート化合物とを反応させて形成されるウレタン結合を有するポリマーを挙げることができる。他の硬化成分との硬化反応機能を持たせる点で、さらに分子中にカルボキシル基を有するカルボキシル基含有熱硬化性ウレタン樹脂や分子末端に酸無水物基を有する酸無水物基含有熱硬化性ウレタン樹脂が好ましい。また、上記の他の硬化成分としてはエポキシ樹脂硬化剤等を例示でき、バインダー成分（Ｃ）の１つとして使用することができる。

上記カーボネートジオール化合物としては、１種または２種以上の直鎖状脂肪族ジオールに由来する繰り返し単位を構成単位として含むカーボネートジオール化合物、１種または２種以上の脂環式ジオールに由来する繰り返し単位を構成単位として含むカーボネートジオール化合物、またはこれら両方のジオールに由来する繰り返し単位を構成単位として含むカーボネートジオール化合物が挙げられる。

直鎖状脂肪族ジオールに由来する繰り返し単位を構成単位として含むカーボネートジオール化合物としては、１，３−プロパンジオール、１，４−ブタンジオール、１，５−ペンタンジオール、１，６−ヘキサンジオール、３−メチル−１，５−ペンタンジオール、２−メチル−１，８−オクタンジオール、１，９−ノナンジオール等のジオール成分をカーボネート結合で連結した構造を有するポリカーボネートジオールを挙げることができ、脂環式ジオールに由来する繰り返し単位を構成単位として含むカーボネートジオール化合物としては、１，４−シクロヘキサンジメタノール、１，３−シクロヘキサンジメタノール、１，４−シクロヘキサンジオール、１，３−シクロヘキサンジオール、トリシクロヘキサンジメタノール、ペンタシクロペンタデカンジメタノール等のジオール成分をカーボネート結合で連結した構造を有するポリカーボネートジオールを挙げることができる。これらのジオール成分は２種以上を組み合わせてもよい。

前記カーボネートジオール化合物で、市販されているものとしては、ダイセル化学（株）製の商品名ＰＬＡＣＣＥＬ、ＣＤ−２０５，２０５ＰＬ，２０５ＨＬ、２１０、２１０ＰＬ，２１０ＨＬ，２２０、２２０ＰＬ，２２０ＨＬ、宇部興産（株）製の商品名 ＵＣ−ＣＡＲＢ１００、ＵＭ−ＣＡＲＢ９０、ＵＨ−ＣＡＲＢ１００、株式会社クラレ製の商品名 Ｃ−１０６５Ｎ、Ｃ−２０１５Ｎ、Ｃ−１０１５Ｎ、Ｃ−２０６５Ｎなどが挙げられる。これらのカーボネートジオール化合物は、単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。これらの中で、特に、直鎖状脂肪族ジオールに由来する繰り返し単位を構成単位として含むポリカーボネートジオールを用いると、低反り性や可撓性に優れる放電ギャップ充填部材が得られる傾向があるので、フレキシブル配線基板に静電放電保護体を設けることが容易になる。また、脂環式ジオールに由来する繰り返し単位を構成単位として含むポリカーボネートジオールを用いると、得られる放電ギャップ充填部材は、結晶性が高くなり耐熱性に優れる傾向がある。以上の観点から、これらのポリカーボネートジオールは２種以上を組み合わせて用いるか、あるいは直鎖状脂肪族ジオール由来と脂環式ジオール由来の両方の繰り返し単位を構成単位として含むポリカーボネートジオールを用いることが好ましい。可撓性と耐熱性とをバランス良く発現させるには、直鎖状脂肪族ジオールと脂環式ジオールの共重合割合が質量比で３：７〜７：３のポリカーボネートジオールを用いるのが好適である。

また、カーボネートジオール化合物の数平均分子量は５０００以下であることが好ましい。数平均分子量が５０００を超えると相対的なウレタン結合の量が減るために、静電放電保護体の作動電圧が上昇したり、耐高電圧性が低下する場合がある。

上記イソシアネート化合物の具体例としては、２，４−トルエンジイソシアネート、２，６−トルエンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、ジフェニルメチレンジイソシアネート、（ｏ，ｍ，またはｐ）−キシレンジイソシアネート、（ｏ，ｍ，またはｐ）−水添キシレンジイソシアネート、メチレンビス（シクロヘキシルイソシアネート）、トリメチルヘキサメチレンジイソシアネート、シクロヘキサン−１，３−ジメチレンジイソシアネート、シクロヘキサン−１，４−ジメチレレンジイソシアネート、１，３−トリメチレンジイソシアネート、１，４−テトラメチレンジイソシアネート、２，２，４−トリメチルヘキサメチレンジイソシアネート、２，４，４−トリメチルヘキサメチレンジイソシアネート、１，９−ノナメチレンジイソシアネート、１，１０−デカメチレンジイソシアネート、１，４−シクロヘキサンジイソシアネート、２，２’−ジエチルエーテルジイソシアネート、シクロヘキサン−１，４−ジメチレンジイソシアネート、１，５−ナフタレンジイソシアネート、ｐ−フェニレンジイソシアネート、３，３’−メチレンジトリレン−４，４’−ジイソシアネート、４，４’−ジフェニルエーテルジイソシアネート、４，４′−ジフェニルメタンジイソシアネート、テトラクロロフェニレンジイソシアネート、ノルボルナンジイソシアネートおよび１，５−ナフタレンジイソシアネート等のジイソシネートが挙げられる。これらのイソシアネート化合物は１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

これらの中でも脂環式ジアミンから誘導される脂環式ジイソシアネート、具体的には、イソホロンジイソシアネート或いは（ｏ，ｍ，またはｐ）−水添キシレンジイソシアネートが好ましい。これらのジイソシアネートを使用した場合、耐高電圧性に優れた硬化物を得ることが出来る。

本発明の熱硬化性ウレタン樹脂として、特に上記カルボキシル基含有熱硬化性ウレタン樹脂を得るには、例えば前記カーボネートジオール化合物および前記イソシアネート化合物とともにカルボキシル基を有するポリオールを反応させればよい。

カルボキシル基を有するポリオールとしては、特にカルボキシル基を有するジヒドロキシ脂肪族カルボン酸を使用することが好ましい。このようなジヒドロキシル化合物としては、ジメチロールプロピオン酸、ジメチロールブタン酸が挙げられる。カルボキシル基を有するジヒドロキシ脂肪族カルボン酸を使用することによって、ウレタン樹脂中に容易にカルボキシル基を存在させることができる。

本発明の熱硬化性ウレタン樹脂として、特に上記酸無水物基含有熱硬化性ウレタン樹脂を得るには、例えば前記カーボネートジオール化合物および前記イソシアネート化合物とを、水酸基数とイソシアネート基数との比率が、イソシアネート基数／水酸基数＝１．０１以上になるようにして反応させて得られる第２のジイソシアネート化合物と、酸無水物基を有するポリカルボン酸またはその誘導体とを反応させて得ることができる。

前記酸無水物基を有するポリカルボン酸およびその誘導体としては、酸無水物基を有する３価のポリカルボン酸およびその誘導体、並びに酸無水物基を有する４価のポリカルボン酸を挙げることができる。

酸無水物基を有する３価のポリカルボン酸およびその誘導体としては、特に限定されないが、例えば、式（２）および式（３）で示される化合物を挙げることができる。

（式中、Ｒ′は、水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基又はフェニル基を示す。）

（式中、Ｙ１は、−ＣＨ２−、−ＣＯ−、−ＳＯ２−、又は−Ｏ−である。）
酸無水物基を有する３価のポリカルボン酸およびその誘導体としては、耐熱性、コスト面等から、トリメリット酸無水物が、特に好ましい。

また、上記のポリカルボン酸又はその誘導体の他に必要に応じて、テトラカルボン酸二無水物（ピロメリット酸二無水物、３，３′，４，４′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、３，３′，４，４′−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、３，３′，４，４′−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、１，２，５，６−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、２，３，５，６−ピリジンテトラカルボン酸二無水物、１，４，５，８−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボン酸二無水物、４，４′−スルホニルジフタル酸二無水物、ｍ−タ−フェニル−３，３′，４，４′−テトラカルボン酸二無水物、４，４′−オキシジフタル酸二無水物、１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２，２−ビス（２，３−又は３，４−ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、２，２−ビス（２，３−又は３，４−ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、２，２−ビス〔４−（２，３−又は３，４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル〕プロパン二無水物、１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２，２−ビス〔４−（２，３−又は３，４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル〕プロパン二無水物、１，３−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン二無水物、ブタンテトラカルボン酸二無水物、ビシクロ−〔２，２，２〕−オクト−７−エン−２：３：５：６−テトラカルボン酸二無水物等）、脂肪族ジカルボン酸（コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、アゼライン酸、スベリン酸、セバシン酸、デカン二酸、ドデカン二酸、ダイマー酸等）、芳香族ジカルボン酸（イソフタル酸、テレフタル酸、フタル酸、ナフタレンジカルボン酸、オキシジ安息香酸等）などを使用することができる。

さらに、前記熱硬化性ウレタン樹脂を製造する際の末端封止剤となるモノヒドロキシル化合物を使用することが好ましく、これは分子中にヒドロキシル基を一つ有する化合物であればよく、脂肪族アルコール、モノヒドロキシモノ（メタ）アクリレート化合物などが挙げられる。ここで、（メタ）アクリレートとは、アクリレートおよび／またはメタクリレートを意味し、以降同様である。

脂肪族アルコールの例としては、メタノール、エタノール、プロパノール、イソブタノール、モノヒドロキシモノ（メタ）アクリレート化合物の例としては、２−ヒドロキシエチルアクリレート等が挙げられる。これらを使用することにより、熱硬化性ウレタン樹脂中にイソシアネート基が残存しないようにすることができる。

熱硬化性ウレタン樹脂には、さらに難燃性を付与するため、塩素、臭素等のハロゲンや燐等の原子がその構造中に導入されていてもよい。

前記カーボネートジオール化合物と前記イソシアネート化合物との反応における両者の配合割合は、上記酸無水物基含有熱硬化性ウレタン樹脂を得る場合を除き、（カーボネートジオール化合物のモル数）：（イソシアネート化合物のモル数）として、好ましくは、５０：１００〜１５０：１００であり、さらに好ましくは、８０：１００〜１２０：１００である。

特にカルボキシル基含有熱硬化性ウレタン樹脂を得る場合、前記カーボネートジオール化合物および前記イソシアネート化合物とともにカルボキシル基を有するポリオールを反応させる際の配合割合は、カーボネートジオール化合物のモル数を（Ａ）、イソシアネート化合物のモル数を（Ｂ）、カルボキシル基を有するポリオールのモル数を（Ｃ）と表記すると、（Ａ）＋（Ｂ）：（Ｃ）＝５０：１００〜１５０：１００であり、さらに好ましくは（Ａ）＋（Ｂ）：（Ｃ）＝８０：１００〜１２０：１００である。

前記カーボネートジオール化合物を含むポリオール化合物と前記イソシアネート化合物との反応において用いることのできる溶媒としては、非含窒素系極性溶媒が好ましい。たとえば、エーテル系溶媒としては、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコール ジエチルエーテル、トリエチレングリコール ジメチルエーテル、トリエチレングリコール ジエチルエーテルが挙げられ、含硫黄系溶媒としては、ジメチルスルホキシド、ジエチルスルホキシド、ジメチルスルホン、スルホランが挙げられ、エステル系溶媒としては、γ−ブチロラクトン、ジエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテートが挙げられ、ケトン系溶媒としては、シクロヘキサノン、メチルエチルケトンが挙げられ、芳香族炭化水素系溶媒としては、トルエン、キシレン、石油ナフサ等が挙げられ、これらは単独で又は２種類以上組み合わせて使用することができる。高揮発性であって、低温硬化性を付与できる溶媒としては、γ−ブチロラクトン、ジエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート等を挙げることができる。

前記カーボネートジオール化合物を含むポリオール化合物と前記イソシアネート化合物との反応温度は、好ましくは３０〜１８０℃であり、さらに好ましくは５０〜１６０℃である。３０℃より温度が低い場合は反応が長くなりすぎ、１８０℃を超えるとゲル化が生じやすい。

反応時間は、反応温度によるが、好ましくは２〜３６時間であり、さらに好ましくは８〜１６時間である。２時間未満の場合、期待する数平均分子量を得るために反応温度を上げても制御が難しい。また、３６時間を越える場合は、実用的ではない。

前記の熱硬化性ウレタン樹脂の数平均分子量は５００〜１００，０００であることが好ましく、８，０００〜５０，０００が更に好ましい。ここで、数平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーで測定したポリスチレン換算の値である。熱硬化性ウレタン樹脂の数平均分子量が５００未満では、得られる放電ギャップ充填部材の伸度、可撓性、および強度を損なうことがあり、１，０００，０００を超えると得られる放電ギャップ充填部材が硬くなり可撓性を低下させるおそれがある。

特にカルボキシル基含有熱硬化性ウレタン樹脂の酸価としては、５〜１５０ｍｇＫＯＨ／ｇが好ましく、３０〜１２０ｍｇＫＯＨ／ｇが更に好ましい。酸価が５ｍｇＫＯＨ／ｇ未満では、硬化性成分との反応性が低下し、得られる放電ギャップ充填部材に期待した耐熱性や長期信頼性が得られないことがある。酸価が１５０ｍｇＫＯＨ／ｇを超えると、得られる放電ギャップ充填部材の可撓性が失われやすく、かつ長期絶縁特性等が低下する場合がある。なお、樹脂の酸価はＪＩＳＫ５４０７に準拠して測定をした値である。
その他の成分
本発明に係る放電ギャップ充填用組成物は、表面が被覆された金属粒子（Ａ）、層状物質（Ｂ）およびバインダー成分（Ｃ）の他、必要に応じて硬化触媒、硬化促進剤、充填剤、溶剤、発泡剤、消泡剤、レベリング剤、滑剤、可塑剤、抗錆剤、粘度調整剤、着色剤等を含有することができる。また、シリカ粒子などの絶縁性粒子を含有することができる。
放電ギャップ充填用組成物の製造方法
本発明の放電ギャップ充填用組成物を製造するには、例えば、表面が被覆された金属粒子（Ａ）およびバインダー成分（Ｃ）の他、必要に応じて層状物質（Ｂ）、さらに必要に応じてその他の成分である溶剤、充填剤、硬化触媒などを、ディスパー、ニーダー、３本ロールミル、ビーズミル、自転公転型撹拌機などを用いて分散、混合する。混合の際は、相溶性を良好にするために十分な温度に加温してもよい。上記の分散、混合ののち、必要に応じてさらに硬化促進剤を加えて混合して、調製することができる。
＜静電放電保護体＞
本発明の静電放電保護体は、静電放電時にデバイスを保護するため、過電流をアースに逃すための保護回路として用いられる。本発明の静電放電保護体は、通常作動時の低い電圧のときには、高い電気抵抗値を示し、電流をアースに逃がさずデバイスに供給する。一方、静電放電が生じたときには、即座に低い電気抵抗値を示し、過電流をアースに逃し、過電流がデバイスに供給されるのを阻止する。静電放電の過渡現象が解消したときには、高い電気抵抗値に戻り、電流をデバイスに供給する。本発明の静電放電保護体は、放電ギャップに、絶縁性のバインダー成分（Ｃ）を含む前記放電ギャップ充填用組成物から形成された放電ギャップ充填部材が充填されているため、通常作動時に漏れ電流は発生しない。例えば、電極間にＤＣ１０Ｖ以下の電圧を印加した場合の抵抗値を１０¹⁰Ω以上にすることが可能となり、静電放電保護を実現することができる。

本発明の静電放電保護体は、少なくとも２つの電極と１つの放電ギャップ充填部材とから形成される。前記２つの電極は、一定の距離を置いて配置される。この２つの電極間の空間は放電ギャップとなる。前記放電ギャップ充填部材は、この放電ギャップに充填されている。つまり、前記２つの電極は放電ギャップ充填部材を介して連結されている。前記放電ギャップ充填部材は、前述の放電ギャップ充填用組成物により形成される。本発明の静電放電保護体は、前述の放電ギャップ充填用組成物を用いて、次のようにして放電ギャップ充填部材を形成することによって製造することができる。

すなわち、まず前述の方法で放電ギャップ充填用組成物を調製し、放電ギャップを形成する基板上の２つの電極に接するように、ポッティングまたはスクリーン印刷などの方法で該組成物を塗布し、必要に応じて加熱して、固化または硬化させて放電ギャップ充填部材をフレキシブル配線板などの基板上に形成する。

静電放電保護体の好ましい放電ギャップの距離は５００μｍ以下であり、より好ましくは５μｍ以上３００μｍ以下であり、さらに好ましくは１０μｍ以上１５０μｍ以下である。放電ギャップの距離が５００μｍを超える場合は、放電ギャップを形成する電極の幅を幅広く設置すると作動する場合もあるが、製品ごとの静電放電性能の不均一化が生じやすく、また静電放電保護体の小型化が図りにくくなる。また、５μｍ未満の場合も、表面が被覆された金属粒子（Ａ）や層状物質（Ｂ）の分散性の影響により、製品ごとの静電放電性能の不均一化が生じやすく短絡しやすくなる。ここで、放電ギャップの距離とは、電極間の最短距離を意味する。

静電放電保護体の好ましい電極の形状は、回路基板の状態に合わせて任意に設定できるが、小型化を考慮した場合、厚さ方法に直交する断面形状が矩形の膜状で、例えば厚さ５〜２００μｍのものを例示できる。静電放電保護体の好ましい電極の幅は、５μｍ以上であり、電極幅が広いほど静電放電時のエネルギーが拡散できるために好適である。一方、静電放電保護体の電極の幅が５μｍ未満の尖状の場合、静電放電時のエネルギーが集中するために、静電放電保護体自体を含め周辺部材のダメージが大きくなる。

本発明の放電ギャップ充填用組成物は放電ギャップを設けた基材の材質によっては基材との密着性が不十分であること、静電放電が非常に高エネルギーであること、および表面が被覆された金属粒子（Ａ）の体積占有率が高いことから、放電ギャップ充填部材を形成したのち、この放電ギャップ充填部材を覆うように、樹脂組成物の保護層を設けると、より高電圧耐性が付与されて繰り返し耐性が向上し、かつ、体積占有率の高い表面が被覆された金属粒子（Ａ）の脱落による電子回路基板の汚染が防止できる。

保護層として用いる樹脂としては、天然樹脂、変性樹脂またはオリゴマー合成樹脂等が挙げられる。

天然樹脂としてはロジンが代表的である。変性樹脂としては、ロジン誘導体、ゴム誘導体等が挙げられる。オリゴマー合成樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、マレイン酸誘導体、ポリエステル樹脂、メラミン樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミック酸樹脂、ポリイミド・アミド樹脂、シリコーン樹脂等が挙げられる。

前記樹脂組成物としては、その塗膜強度を保つために、熱または紫外線で硬化させることのできる硬化性樹脂を含むことが好ましい。

熱硬化性樹脂としては、カルボキシル基含有ポリウレタン樹脂、エポキシ化合物、酸無水物基、カルボキシル基、アルコール性基またはアミノ基を含有する化合物とエポキシ化合物との組み合わせ、およびカルボキシル基、アルコール性基またはアミノ基を含有する化合物とカルボジイミドを含有する化合物との組み合わせなどが挙げられる。

エポキシ化合物としては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、臭素化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、Ｎ−グリシジル型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡのノボラック型エポキシ樹脂、キレート型エポキシ樹脂、グリオキザール型エポキシ樹脂、アミノ基含有エポキシ樹脂、ゴム変性エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエンフェノリック型エポキシ樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂、ε−カプロラクトン変性エポキシ樹脂等の、一分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物が挙げられる。

また、難燃性付与のために、塩素、臭素等のハロゲンや燐等の原子がその構造中に導入されたエポキシ化合物を使用してもよい。さらに、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ジグリシジルフタレート樹脂、ヘテロサイクリックエポキシ樹脂、ビキシレノール型エポキシ樹脂、ビフェノール型エポキシ樹脂およびテトラグリシジルキシレノイルエタン樹脂等を使用してもよい。

エポキシ化合物としては、１分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物を用いることが好ましい。ただし、１分子中にエポキシ基を１個のみ有するエポキシ化合物を併用してもよい。カルボキシル基を含有した化合物としてはアクリレート化合物も挙げられ、特に限定されるものではない。アルコール性基を含有する化合物、アミノ基を含有する化合物も同様に、特に限定されるものではない。

紫外線硬化性樹脂としては、エチレン性不飽和基を２個以上含む化合物であるアクリル系共重合体、エポキシ（メタ）アクリレート樹脂、ウレタン（メタ）アクリレ−ト樹脂が挙げられる。

保護層を形成する樹脂組成物は、必要に応じて、硬化促進剤、充填剤、溶剤、発泡剤、消泡剤、レベリング剤、滑剤、可塑剤、抗錆剤、粘度調整剤、着色剤等を含有することができる。

保護層の膜厚は、特に限定しないが、保護層が、放電ギャップ充填用組成物により形成した放電ギャップ充填部材を完全に覆うことが好ましい。保護層に欠損があると、静電放電時の高いエネルギーでクラックを発生させる可能性が高くなる。

図１は、本発明の静電放電保護体の一具体例である静電放電保護体１１の縦断面図を表す。静電放電保護体１１は、電極１２Ａ、電極１２Ｂおよび放電ギャップ充填部材１３から形成される。電極１２Ａおよび電極１２Ｂは、その軸方向を一致させ、それぞれの先端面を向かい合わせるように配置されている。電極１２Ａおよび電極１２Ｂの、向かい合った端面間には放電ギャップ１４が形成されている。放電ギャップ充填部材１３は、放電ギャップ１４に充填され、さらに電極１２Ａの、電極１２Ｂの先端面と向かい合っている方の先端部、および電極１２Ｂの、電極１２Ａの先端面と向かい合っている方の先端部を上側から覆うように、これらの先端部に接して設けられている。放電ギャップ１４の幅、すなわち互いに向かい合っている電極１２Ａと電極１２Ｂとの先端面間の距離は、５μｍ以上３００μｍ以下が好ましい。

図２は、本発明の静電放電保護体の他の具体例である静電放電保護体２１の縦断面図を表す。静電放電保護体２１は、電極２２Ａ、電極２２Ｂおよび放電ギャップ充填部材２３から形成される。電極２２Ａおよび電極２２Ｂは、互いに平行に、それぞれの先端部が鉛直方向で重なるように対置されている。電極２２Ａおよび電極２２Ｂが鉛直方向に重なっている部分には放電ギャップ２４が形成されている。放電ギャップ充填部材２３は、断面矩形状であり、放電ギャップ２４に充填されている。放電ギャップ２４の幅、すなわち電極２２Ａおよび電極２２Ｂが鉛直方向に重なっている部分の電極２２Ａと電極２２Ｂとの距離は、５μｍ以上３００μｍ以下が好ましい。

図３は、本発明の静電放電保護体の一具体例である静電放電保護体３１の縦断面図を表す。静電放電保護体３１は、静電放電保護体１１に保護層を設けてなる態様であり、電極３２Ａ、電極３２Ｂ、放電ギャップ充填部材３３および保護層３５から形成される。電極３２Ａおよび電極３２Ｂは、その軸方向を一致させ、それぞれの先端面を向かい合わせるように配置されている。電極３２Ａおよび電極３２Ｂの、向かい合った端面間には放電ギャップ３４が形成されている。放電ギャップ充填部材３３は、放電ギャップ３４に充填され、さらに電極３２Ａの、電極３２Ｂの先端面と向かい合っている方の先端部、および電極３２Ｂの、電極３２Ａの先端面と向かい合っている方の先端部を上側から覆うように、これらの先端部に接して設けられている。保護層３５は、放電ギャップ充填部材３３の底面以外の表面を覆うように設けられている。放電ギャップ３４の幅、すなわち互いに向かい合っている電極３２Ａと電極３２Ｂとの先端面間の距離は、５μｍ以上３００μｍ以下が好ましい。

次に本発明について実施例を示してさらに詳細に説明するが、本発明はこれらによって限定されるものではない。
＜静電放電保護体の作製＞
膜厚２５μｍのポリイミドフィルム上に一対の電極パターン（膜厚１２μｍ、放電ギャップの距離５０μｍ、電極幅５００μｍ）を形成した配線基板に、後述する方法で得られた放電ギャップ充填用組成物を、針先が直径２ｍｍで平坦なニードルを用いて塗布し、電極パターンを覆うように放電ギャップに充填した後、１２０℃恒温器内で６０分保持して放電ギャップ充填部材を形成させた。その後、シリコーン樹脂（Ｘ１４−Ｂ２３３４：モメンティブ社製）を前述の静電保護体を完全に覆うように塗布しすぐに１２０℃の硬化炉に入れて、１２０℃で１時間硬化して保護膜を形成し、静電放電保護体を得た。
＜通常作動電圧時の絶縁性の評価方法＞
静電放電保護体の両端の電極部について、絶縁抵抗計「ＭＥＧＯＨＭＭＥＴＥＲ ＳＭ−８２２０」を用いて、ＤＣ１０Ｖ印加における抵抗を「通常作動時の抵抗」として測定した。

Ａ ：電気抵抗値が１０¹⁰Ω以上を示す
Ｂ ：電気抵抗値が１０¹⁰Ω未満を示す
＜作動電圧の評価方法＞
半導体用静電気試験器ＥＳＳ−６００８（ＮＯＩＳＥ ＬＡＢＯＲＡＴＯＲＹ社製）を用いて、任意の印加電圧のＰｅａｋ電流を測定した後、得られた静電放電保護体をとりつけて同じ印加電圧を与え、Ｐｅａｋ電流を測定したとき、静電放電保護体がない場合のＰｅａｋ電流の７０％以上の電流が観測された場合、その印加電圧を「作動電圧」として評価した。

Ａ ：作動電圧 ５００Ｖ以上 １０００Ｖ未満
Ｂ ：作動電圧 １０００Ｖ以上 ２０００Ｖ未満
Ｃ ：作動電圧 ２０００Ｖ以上
＜耐高電圧性の評価方法＞
得られた静電放電保護体を半導体用静電気試験器ＥＳＳ−６００８（ＮＯＩＳＥ ＬＡＢＯＲＡＴＯＲＹ社製）にとりつけ、８ｋＶの印加電圧を１０回与えた後、絶縁抵抗計ＭＥＧＯＨＭＭＥＴＥＲ ＳＭ−８２２０を用いて、ＤＣ１０Ｖ印加における抵抗値を測定した。これを、「耐高電圧性」として評価した。

Ａ ： １０¹⁰Ω以上
Ｂ ： １０⁸Ω以上、１０¹⁰Ω未満
Ｃ ： １０⁸Ω未満
＜表面が被覆された金属粒子（Ａ）の調製例１＞表面が被覆されたＡｌ粒子を含むペースト１
東洋アルミパウダー社製の酸化皮膜を有する球状アルミ粒子（商品名：０８−００７６、平均粒径：２．５μｍ）４９ｇをプロピレングリコールモノメチルエーテル７２４ｇに分散させ、この分散液にイオン交換水１６９ｇおよび２５質量％アンモニア水３２ｇを添加して攪拌し、アルミパウダースラリーを得、この液温を３０℃に保持した。次にテトラエトキシシラン１３．２ｇをプロピレングリコールモノメチルエーテル１３．２ｇで希釈し、この液を１２時間かけて、一定速度で上記アルミパウダースラリーに滴下し、成膜テトラエトキシシランの加水分解の進行に伴って、テトラエトキシシランの加水分解生成物によるアルミ粒子の表面被覆を行った。

滴下後は１２時間攪拌を継続し、温度は３０℃に保持した。その後、テトラエトキシシランの加水分解生成物で表面が被覆されたアルミ粒子をプロピレングリコールモノメチルエーテルで３回洗浄後、４０℃で溶剤を飛散させて、アルミニウム固形分が３５質量％のプロピレングリコールモノメチルエーテルおよび水を含むペーストを得た。

固形分の算出については、抜き出したペーストを１２０℃で１時間乾燥させて得られた残部の質量を、元のペーストの質量で割ったものを固形分とした。なお、４０℃での溶剤の飛散の終点は、固形分が３５質量％になることを確認して終了とした。

球状アルミ粒子の表面を被覆したテトラエトキシシランの加水分解生成物は、膜厚が約２０〜３０ｎｍであり、球状アルミ粒子表面のほぼ全域を覆っていた。

調製例１のテトラエトキシシランの加水分解物で表面が被覆されたＡｌ粒子の被覆部分をＴＥＭ＆ＥＤＳ（日立製作所製ＨＦ−２２００）により分析した。

ＴＥＭ画像を図４に示す。図４内の矢印（→）方向に元素分析（ＥＤＳ）を実施した結果を図５に示す。図５のＳｉ（▽）、Ａｌ（□）元素のカウント量および、図４のＴＥＭ画像から、両側矢印の範囲で示されるＳｉが主成分である領域の厚みが被覆膜の厚みであると把握され、その厚みは約２０〜３０ｎｍであることがわかる。
＜表面が被覆された金属粒子（Ａ）の調製例２＞表面が被覆されたＡｌ粒子を含むペースト２
東洋アルミパウダー社製の酸化皮膜を有する球状アルミ粒子（商品名：０８−００７６、平均粒径：２．５μｍ）４９ｇをプロピレングリコールモノメチルエーテル７２４ｇに分散させ、この分散液にイオン交換水１６９ｇおよび２５質量％アンモニア水３２ｇを添加して攪拌し、アルミパウダースラリーを得、この液温を３０℃に保持した。次にテトラ−ｎ−ブチルチタネート ２１．６ｇをプロピレングリコールモノメチルエーテル２１．６ｇで希釈し、この液を１２時間かけて、一定速度で上記アルミパウダースラリーに滴下し、テトラ−ｎ−ブチルチタネートの加水分解の進行に伴って、テトラ−ｎ−ブチルチタネートの加水分解生成物によるアルミ粒子の表面被覆を行った。

滴下後は１２時間攪拌を継続し、温度は３０℃に保持した。その後、テトラ−ｎ−ブチルチタネートの加水分解生成物で表面が被覆されたアルミ粒子をプロピレングリコールモノメチルエーテルで３回洗浄後、４０℃で溶剤を飛散させて、アルミニウム固形分が４５質量％のプロピレングリコールモノメチルエーテルおよび水を含むペーストを得た。

固形分の算出については、抜き出したペーストを１２０℃で１時間乾燥させて得られた残部の質量を、元のペーストの質量で割ったものを固形分とした。なお、４０℃での溶剤の飛散の終点は、固形分が４５質量％になることを確認して終了とした。
＜表面が被覆された金属粒子（Ａ）の調製例３＞表面が被覆されたＡｌ粒子を含むペースト３
東洋アルミパウダー社製の酸化皮膜を有する球状アルミ粒子（商品名：０８−００７６、平均粒径：２．５μｍ）４９ｇをプロピレングリコールモノメチルエーテル７２４ｇに分散させ、この分散液にイオン交換水１６９ｇおよび２５質量％アンモニア水３２ｇを添加して攪拌し、アルミパウダースラリーを得、この液温を３０℃に保持した。次にテトラ−ｎ−ブチルジルコネート ２７．０ｇをプロピレングリコールモノメチルエーテル２７．０ｇで希釈し、この液を１２時間かけて、一定速度で上記アルミパウダースラリーに滴下し、テトラ−ｎ−ブチルジルコネートの加水分解の進行に伴って、テトラ−ｎ−ブチルジルコネートの加水分解生成物によるアルミ粒子の表面被覆を行った。

滴下後は１２時間攪拌を継続し、温度は３０℃に保持した。その後、テトラ−ｎ−ブチルジルコネートの加水分解生成物で表面が被覆されたアルミ粒子をプロピレングリコールモノメチルエーテルで３回洗浄後、４０℃で溶剤を飛散させて、アルミニウム固形分が６６質量％のプロピレングリコールモノメチルエーテルおよび水を含むペーストを得た。

固形分の算出については、十分攪拌して抜き出したペーストを１２０℃で１時間乾燥させて得られた残部の質量を、元のペーストの質量で割ったものを固形分とした。なお、４０℃での溶剤の飛散の終点は、固形分が６６質量％になることを確認して終了とした。
＜バインダー成分（Ｃ）の合成例１＞熱硬化性ウレタン樹脂１
攪拌装置、温度計、コンデンサーを備えた反応容器に、ポリカーボネートジオールとしてＣ−１０１５Ｎ（株式会社クラレ製ポリカーボネートジオール、原料ジオールモル比：１，９−ノナンジオール：２−メチル−１，８−オクタンジオール＝１５：８５、分子量９６４）７１８．２ｇ、カルボキシル基を有するジヒドロキシル化合物として２，２−ジメチロールブタン酸（日本化成株式会社製）１３６．６ｇ、溶媒としてジエチレングリコールエチルエーテルアセテート（ダイセル化学株式会社製）１２９３ｇを仕込み、９０℃ですべての原料を溶解した。反応液の温度を７０℃まで下げ、滴下ロートにより、ポリイソシアネートとしてメチレンビス（４−シクロヘキシルイソシアネート）（住化バイエルウレタン（株）製、商品名「デスモジュール−Ｗ」）２３７．５ｇを３０分かけて滴下した。滴下終了後、８０℃で１時間、９０℃で１時間、１００℃で１．５時間反応を行い、ほぼイソシアネートが消失したことを確認した後、イソブタノール（和光純薬株式会社製）２．１３ｇを滴下し、更に１０５℃にて１時間反応を行った。得られたカルボキシル基含有ウレタンの数平均分子量は６０９０、固形分酸価は４０．０ｍｇＫＯＨ／ｇであった。これを固形分４５質量％になるようにγ―ブチロラクトンを加えて希釈した。
＜バインダー成分（Ｃ）の合成例２＞熱硬化性ウレタン樹脂２
実施例１と同様の攪拌機、油水分離器付き冷却管、窒素導入管および温度計を備えた５リットルの四つ口フラスコに、ＰＬＡＣＣＥＬ ＣＤ−２２０（ダイセル化学（株）製１，６−ヘキサンジオール系ポリカーボネートジオールの商品名）１０００．０ｇ（０．５０モル）および４，４′−ジフェニルメタンジイソシアネート２５０．２７ｇ（１．００モル）と、γ−ブチロラクトン８３３．５１ｇを仕込み、１４０℃まで昇温した。１４０℃で５時間反応させ、第２のジイソシアネートを得た。更に、この反応液に無水物基を有するポリカルボン酸として無水トリメリット酸２８８．２０ｇ（１．５０モル）、さらに４，４′−ジフェニルメタンジイソシアネート１２５．１４ｇ（０．５０モル）およびγ−ブチロラクトン１３６１．１４ｇを仕込み、１６０℃まで昇温した後、６時間反応させて、数平均分子量が１８，０００の樹脂を得た。得られた樹脂をγ−ブチロラクトンで希釈し、粘度１６０Ｐａ・ｓ、不揮発分５２重量％のポリアミドイミド樹脂溶液、つまり酸無水物基含有熱硬化性ウレタン樹脂の溶液を得た。
［実施例１］
調製例１で調製した表面が被覆されたアルミ粒子を含むペースト１（固形分３５質量％）５７ｇ、および層状物質（Ｂ）として「ＵＦ−Ｇ５」（人造黒鉛微粉末、鱗片状、平均粒子径３μｍ、昭和電工株式会社製）１．０ｇに、合成例１で合成した熱硬化性ウレタン樹脂１（固形分４５質量％）１８．２ｇを加え、硬化剤としてエポキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン社製：ＪＥＲ６０４）０．６３ｇを加えて、ホモジナイザーにて２０００ｒｐｍで１５分間攪拌し、放電ギャップ充填用樹脂組成物を得た。得られた放電ギャップ充填用樹脂組成物に占める表面が被覆されたアルミ粒子（Ａ）の質量占有率は、６７質量％で、層状物質（Ｂ）の質量占有率は、３質量％であった。この放電ギャップ用樹脂組成物を用いて上記方法により静電放電保護体を得て、通常時の抵抗、作動電圧、耐高電圧性を評価した。結果を表１に示す。
［実施例２］
調製例１で調製した表面が被覆されたアルミ粒子を含むペースト１（固形分３５質量％）５７ｇに、合成例１で合成した熱硬化性ウレタン樹脂１（固形分４５質量％）１８．２ｇを加え、硬化剤としてエポキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン社製：ＪＥＲ６０４）０．６３ｇを加えて、ホモジナイザーにて２０００ｒｐｍで１５分間攪拌し、放電ギャップ充填用樹脂組成物を得た。得られた放電ギャップ充填用樹脂組成物に占める表面が被覆されたアルミ粒子（Ａ）の質量占有率は、７０質量％で、層状物質（Ｂ）の質量占有率は、０質量％であった。この放電ギャップ用樹脂組成物を用いて上記方法により静電放電保護体を得て、通常時の抵抗、作動電圧、耐高電圧性を評価した。結果を表１に示す。
［実施例３］
調製例１で調製した表面が被覆されたアルミ粒子を含むペースト１（固形分 ３５質量％）５７ｇ、および層状物質（Ｂ）として「ＵＦ−Ｇ５」（人造黒鉛微粉末、鱗片状、平均粒子径３μｍ、昭和電工株式会社製）１．０ｇに、合成例２で合成した熱硬化性ウレタン樹脂２（不揮発分５２質量％）１５．８ｇを加え、硬化剤として、ＹＨ−４３４（東都化成（株）製アミン型エポキシ樹脂の商品名、エポキシ当量約１２０、エポキシ基４個／分子）１．５８ｇを加えて、ホモジナイザーにて２０００ｒｐｍで１５分間攪拌し、放電ギャップ充填用樹脂組成物を得た。得られた放電ギャップ充填用樹脂組成物に占める表面が被覆されたアルミ粒子（Ａ）の質量占有率は、６５質量％で、層状物質（Ｂ）の質量占有率は、３質量％であった。この放電ギャップ用樹脂組成物を用いて上記方法により静電放電保護体を得て、通常時の抵抗、作動電圧、耐高電圧性を評価した。結果を表１に示す。
［実施例４］
調製例２で調製した表面が被覆されたアルミ粒子ペースト２（固形分 ４５質量％）４４ｇ、層状物質（Ｂ）として「ＵＦ−Ｇ５」（人造黒鉛微粉末、鱗片状、平均粒子径３μｍ、昭和電工株式会社製）１．０ｇ、およびプロピレングリコールモノメチルエーテル １３ｇに、合成例１で合成した熱硬化性ウレタン樹脂１（固形分４５質量％）１８．２ｇを加え、硬化剤としてエポキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン社製：ＪＥＲ６０４）０．６３ｇを加えて、ホモジナイザーにて２０００ｒｐｍで１５分間攪拌し、放電ギャップ充填用樹脂組成物を得た。得られた放電ギャップ充填用樹脂組成物に占める表面が被覆されたアルミ粒子（Ａ）の質量占有率は、６７質量％で、層状物質（Ｂ）の質量占有率は、３質量％であった。この放電ギャップ用樹脂組成物を用いて上記方法により静電放電保護体を得て、通常時の抵抗、作動電圧、耐高電圧性を評価した。結果を表１に示す。
［実施例５］
調製例３で調製した表面が被覆されたアルミ粒子ペースト３（固形分 ６６質量％）３０ｇ、層状物質（Ｂ）として「ＵＦ−Ｇ５」（人造黒鉛微粉末、鱗片状、平均粒子径３μｍ、昭和電工株式会社製）１．０ｇ、およびプロピレングリコールモノメチルエーテル ２７ｇに、合成例１で合成した熱硬化性ウレタン樹脂１（固形分４５質量％）１８．２ｇを加え、硬化剤としてエポキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン社製：ＪＥＲ６０４）０．６３ｇを加えて、ホモジナイザーにて２０００ｒｐｍで１５分間攪拌し、放電ギャップ充填用樹脂組成物を得た。得られた放電ギャップ充填用樹脂組成物に占める表面が被覆されたアルミ粒子（Ａ）の質量占有率は、６７質量％で、層状物質（Ｂ）の質量占有率は、３質量％であった。この放電ギャップ用樹脂組成物を用いて上記方法により静電放電保護体を得て、通常時の抵抗、作動電圧、耐高電圧性を評価した。結果を表１に示す。
［比較例１］
調製例１で調製した表面が被覆されたアルミ粒子ペースト１ ５７ｇの替わりに、東洋アルミパウダー社製の酸化皮膜を有する球状アルミ粒子０８−００７６（平均粒径 ２．５μｍ）２０ｇを使用した以外は、実施例１と同様な方法で放電ギャップ充填用樹脂組成物を得た。得られた放電ギャップ充填用樹脂組成物に占める表面が被覆されていないアルミ粒子の質量占有率は、６７質量％で、層状物質（Ｂ）の質量占有率は、３質量％であった。

この放電ギャップ用樹脂組成物を用いて上記方法により静電放電保護体を得て、通常時の抵抗、作動電圧、耐高電圧性を評価した。結果を表１に示す。
［比較例２］
調製例１で調製した表面が被覆されたアルミ粒子ペースト１ ５７ｇの替わりに、東洋アルミパウダー社製の酸化皮膜を有する球状アルミ粒子０８−００７６（平均粒径 ２．５μｍ）２０ｇおよび、ヒュームドシリカ（Cabot社製 Cabosil M-5）0.76ｇを使用した以外は、実施例１と同様な方法で放電ギャップ充填用樹脂組成物を得た。得られた放電ギャップ充填用樹脂組成物に占める球状アルミ粒子０８−００７６およびヒュームドシリカの質量占有率は、６７質量％で、層状物質（Ｂ）の質量占有率は、３質量％であった。

この放電ギャップ用樹脂組成物を用いて上記方法により静電放電保護体を得て、通常時の抵抗、作動電圧、耐高電圧性を評価した。結果を表１に示す。

表１の結果より、特定の金属アルコキシドの加水分解生成物で表面が被覆された金属粒子（Ａ）およびバインダー成分（Ｃ）を含む放電ギャップ充填用組成物を使用して形成させた静電放電保護体は、通常作動時の抵抗、作動電圧および耐高電圧性が優れ、さらに層状物質（Ｂ）を併用した場合は、作動電圧の点でより良好な特性が得られることがわかる。

また、比較例２との違いにより、被覆されていない金属粒子と微粉酸化物とを物理的に混合しただけでは、耐高電圧性が不十分であることがわかる。

特定の金属アルコキシドの加水分解生成物で表面が被覆された金属粒子（Ａ）およびバインダー成分（Ｃ）を含む放電ギャップ充填用組成物を使うことで自由な形状の静電放電保護体が得られ、ＥＳＤ対策における小型化や低コスト化が可能となる。この静電放電保護体は、フレキシブル電子回路基板等の電子回路基板に設けることができ、またこの電子回路基板は電子機器に設けることができる。

１１・・・静電放電保護体
１２Ａ・・電極
１２Ｂ・・電極
１３・・・放電ギャップ充填部材
１４・・・放電ギャップ
２１・・・静電放電保護体
２２Ａ・・電極
２２Ｂ・・電極
２３・・・放電ギャップ充填部材
２４・・・放電ギャップ
３１・・・静電放電保護体
３２Ａ・・電極
３２Ｂ・・電極
３３・・・放電ギャップ充填部材
３４・・・放電ギャップ
３５・・・保護層

Claims (15)

1. 金属粒子を、下記一般式（１）で表される金属アルコキシドの加水分解生成物で被覆してなる金属粒子（Ａ）およびバインダー成分（Ｃ）を含むことを特徴とする放電ギャップ充填用組成物。
   （ただし、Ｍは金属原子、Ｏは酸素原子、Ｒは炭素数１〜２０のアルキル基であり、Ｒの全てもしくは一部が同じか又は全てが互いに異なっていてもよく、ｎは１〜４０の整数である。）
2. 前記一般式（１）のＭの元素が、ケイ素、チタン、ジルコニウム、タンタルまたはハフニウムである請求項１に記載の放電ギャップ充填用組成物。
3. 前記金属粒子（Ａ）の金属粒子が、酸化皮膜を有する金属粒子である、請求項１または２に記載の放電ギャップ充填用組成物。
4. 前記酸化皮膜を有する金属粒子の金属が、マンガン、ニオブ、ジルコニウム、ハフニウム、タンタル、モリブデン、バナジウム、ニッケル、コバルト、クロム、マグネシウム、チタンおよびアルミニウムからなる群から選ばれる少なくとも１つである、請求項３に記載の放電ギャップ充填用組成物。
5. 前記金属粒子（Ａ）および前記バインダー成分（Ｃ）と共に、さらに層状物質（Ｂ）を含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の放電ギャップ充填用組成物。
6. 前記層状物質（Ｂ）が、粘土鉱物結晶（Ｂ１）および層状カーボン材料（Ｂ２）からなる群から選ばれる少なくとも１つである、請求項５に記載の放電ギャップ充填用組成物。
7. 前記層状物質（Ｂ）が、層状カーボン材料（Ｂ２）である、請求項５に記載の放電ギャップ充填用組成物。
8. 前記層状カーボン材料（Ｂ２）が、カーボンナノチューブ、気相成長カーボンファイバー、カーボンフラーレン、黒鉛およびカルビン系炭素材料からなる群から選ばれる少なくとも１つである、請求項７に記載の放電ギャップ充填用組成物。
9. 前記バインダー成分（Ｃ）が、熱硬化性または活性エネルギー線硬化性の化合物を含むことを特徴とする、請求項１〜８のいずれかに記載の放電ギャップ充填用組成物。
10. 前記バインダー成分（Ｃ）が、熱硬化性ウレタン樹脂を含むことを特徴とする、請求項１〜８のいずれかに記載の放電ギャップ充填用組成物。
11. 放電ギャップを形成する２つの電極と前記放電ギャップに充填された放電ギャップ充填部材とを有してなる静電放電保護体であって、前記放電ギャップ充填部材が請求項１〜１０のいずれかに記載の放電ギャップ充填用組成物から形成され、前記放電ギャップの距離が５〜３００μｍであることを特徴とする静電放電保護体。
12. 前記放電ギャップ充填部材の表面の全部または一部を覆う保護層を有することを特徴とする、請求項１１に記載の静電放電保護体。
13. 請求項１１または１２に記載の静電放電保護体を設けた電子回路基板。
14. フレキシブル電子回路基板である請求項１３に記載の電子回路基板。
15. 請求項１３または１４に記載の電子回路基板を設けた電子機器。