TWI303014B - Composition for use in photolithographic processes, the method of using said composition and its use - Google Patents

Description

1303014 玖、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種用於微電子元件製造的新穎抗反射 組成物。此等組成物包括聚合物型烷氧基金屬且可在水性 光阻劑顯影劑中顯影。 【先前技術】 積體電路製造商都-致地尋求使基板晶圓尺寸最大化 且使元件之形體尺寸最小化，以改良產率，減低單元貨箱 p及乓加曰曰片之計算能力。隨著更先進之深紫外光⑺肝）微 影方法的進展，在石夕晶片或其他晶片上的元件形體尺寸如 今已都是次微米尺寸。 ^不過，於半導體裝置製造中，光阻劑常會碰到的一項 ^問題為光化輕射會被支撐光阻劑的基板反射回到光阻 ::::1此種反射現象常會造成模糊的圖案而減低光阻劑 、 又。當基板為非平面者及/ ¾且古* 虛if禍Μ丨 可汉/次具回度反射性時，在 此門題的中圖案品質的降低特別會造成問題 的:Γ做法為使用塗覆到基板上而在光阻劑層下方 射，不過彼等的使用需要m 或減低反 让·伽步驟，以移=在^理=上額外的穿透（break— 增加。 &除以層。此舉必定導致製造成本的 對方；此項問題的一種解 反射塗料。此…… 使用可濕式顯影的抗 大、、主料可以與光阻劑材料之曝光區一 1303014 起移除掉。亦即，在光阻劑層經由 … 口茶先罩曝光後，光Μ 劑之經曝光區是可濕式顯影的， 」後使用水性顯 予以私除，而留下合意的溝槽和孔 片 湘門^ ^ 札刀圖案。於此顯影步驟 '月間，可濕式顯影的抗反射塗層即被移除掉，目而 外移除步驟的需要。不幸的是， 示、 m ^ 疋了濕式顯影的抗反射塗料 口為彼等也必㈣現良好的旋塗碗相容性和適於 射塗料的優良光學性質之事實 ’、、’抗反 + 貝之事Λ而尚未被廣泛採用。因此， 而要一種抗反射塗覆組成物，豆可在值 顯旦，一 乂籾/、了在傳統光阻劑顯影劑中 ”、〜，同#展現出良好的塗覆和光學性質。 【發明内容】

Cl月廣義地包括一種適用於微電子元件製造之新穎 q U影組成物。 劑系^細言之’料組成物包括—種分散於或溶解在溶 、’、内之I合物。車交佳聚合物包括具有下式的重複單元

选&其中X為光衰減部份，Μ為金屬，且每個β為個別地 =包t下列料組之中者：氫，烧基（較佳為cvw 〇Γ 方基，烷氧基和苯氧基。最佳的β基為-CH3和- 該聚合物較佳進—步包括具有下式的重複單元 1303014

/ \ 0 o R1^V^'R1 其中每個R1為 ，烧基（較佳為f下列的群組之中者：氯 且"金屬。最久:二？’，基，炫氧基和苯氧基，

取佳的Ri基為-CH3和—〇c H 於前述任一番留-士 η A1 〇 ^ ^禝早兀中，取佳的金屬為Ti，Zr，Si及 5 也為較佳者該光衰減部份 氣基金屬的金屬馬^ 匕括可與^合物型烷 ，醇基，和酚其此荨e此基包括羰基 的八… 再者，該部份體(亦即，X)在該聚合物中 勺s里車父>[土在基於聚合物 番旦。/ Κσ物、、、心重里為100重量％時是約5-50 里° ’且更佳者為約1 〇 — 2 5書旦〇/ 、， 括iP έ πτ π + 重里/g。適當的光衰減部份包 括4自下列諸部份的群組中- ^ _美 二羥甲基乙氧化物，4〜 夕:土: ’卩2—氰基-3-(4,基苯基)-丙浠酸乙醋。此 ，為了避免組成物中的光敏性，x，“。R1中應該 括任何乙烯型不飽和基。 ^ 、另具體貫例中，該聚合物係經由將聚合物型烧氧 =屬铃有機化合物反應而形成者。該聚合物型烧氧基金 屬包括具有下式之重複單元 1303014 φ

L 组之=·Μ:Γ屬，且每個L為個別地選自包括下列的群 、 一 _和烷氧基配位體。較佳的L基罝有下式 ^ ΛΛ， ^ 其中，母個R為個別地選自包括下列的群組之 鼠’ $元基（較佳者C —c惊美），笔| ^ m β 1 8基）方基，院氧基和苯氧基 ’取仫"基為-CH3和-〇c2h5。最佳的L基為乙醯乙酸乙 酷部份。較佳的金屬原子與上面討論者相同。 於此具體實例中，可以經由先將聚合物型燒氧基金屬 (例如聚(鈦酸二丁基酯)）與二酮或烷氧化物配位體（例 如’乙醯乙酸乙酯）反應而形成具有< I結構的聚合物型 烷氧基金屬。或者，可以將已包括二s同或烷氧化物配位體 作為其結構一部份之起始單體經由水解及接著縮合該單體 而形成所欲的聚合物。此類型之起始單體的一實例為二異 丙氧化雙（乙醯乙酸乙酯）鈦。 /、 要與上面具有式I結構的聚合物型烷氧基金屬反應之 有機化合物應該包括適合和該聚合物型烷氧基金屬的金屬 原子配位之官能基。適合的官能基包括醇，⑮，硫醇，硫 酞，和叛基。最佳的有機化合物為三羥甲基乙氧化物，4_ 羥基苯甲醛，和2_氰基-3_(4_羥基苯基）_丙烯酸乙醋。 1303014 =具體實例為何，抗反射組成物都是經由單純 者二T分散或溶解到合適的溶劑系統内而形成的，較佳 哙周圍條件下且給予足夠的時間以形成實質上均勻的 ::。以該組成物中固體總重量…00請為基準 ’ ♦合物存在於組成物中 中的各里為約2-50重量％，較佳為 ’ “％ ’且更佳為約7-U重量％。此聚合物的黏度 車乂仏為約2，_-5，_es，且更佳為約3,2㈣，剛. 較佳的溶劑系統包括選自包括下列的群組之中者丙 -醇甲基縫乙酸咖EA)，丙二醇甲基醚(pGME)，丙二醇 正丙基醚(PnP) ’乳酸乙酯，和彼等的混合物。較佳地…亥 溶劑^统具有約50_25(rc，且更佳者為約刚_17以㈣ 點^劑系統應該以為肖70_95重量％，且較佳為約—⑽ 重量％ (以該組成物中固體總重量作為1〇〇重量％為基準） 的含量被使用。 任何額外成分也較佳土也與聚合物一起分散在該溶劑系 統内。一種較佳額外成》為第二種聚合物或聚合物黏合劑 ，例如選自包括下列的群組之中者：環氧酚醛線型樹1 (epoxy nov〇iac resin)(例如，EP0I1 164®，可得自

Araldite)，丙烯酸酯（例如，聚（甲基丙烯酸縮水甘油酯）） ，經聚合的胺基塑料（例如，Cymel⑧，可得自Cytec

Industries 的產品），glycourals (例如，得自 Cyt

Industries的Powderlink®產品），乙烯基醚類，和彼等的 混合物。此額外的聚合物之重量平均分子量較佳為約 1，000-50,000 道耳呑（Dalton)，且更佳為約 5,〇〇〇 —% 〇⑽ 10 !3〇3〇14 道耳吞。於利用該額外聚合 中固體細重旦你盔,Λ /、豆貫例中，以该組成物 月且、、、心更里作為J 〇〇曹 5〇 # . 0/ 重里/為基準，組成物應包括約卜 重〜且較佳者約5,重請額外聚.合物。 應瞭解，組成物中也可ri七& *夕 的成分。典型的視情況*Γ ❹種其他視情況需要 界面活性劑，觸婢，交;^之成分包括光衰減性化合物， 承又知剤和黏著促進劑。 地勺::填料或抗反射塗覆組成物塗覆到基板上的方法單純 物的伤置塗覆在基板表面上。 成 (例如石夕晶«Π，離子植入層（lonimplantiayer)等。 於=欲的覆蓋之後’應該加熱所得層到 1且成誘導交聯。此舉會導致溶劑系統的蒸發以 =成物中：少一部份有機成分的揮發，以產生具有交替 射：乳原子之固化層。此經固化的抗反射層或塗層的折 射率在約·波長下為至少約14， 且更佳為約1.6-1.7。 於使用在印刷的基板上面時， Τ在郤近接觸或通孔邊緣 的基板表面上之固化層厚度，佔距離該接觸孔或孔洞邊緣 約等於孔洞直徑距離遠之基板表面上 、’ 守联的厗度，應至少 約60%’較佳至少約75%，且更佳至少約85%。 然後可以在固化材料上塗覆光阻劑，接著予以曝光， ㉔影，及餘刻光阻劑。採用本發明方法可以產生供雙層鑲 嵌和其它微影程序所用且具有前述所欲之性質的前驅結構 0 1303014 要進-步了解者，經固化的本發明組成物係可 影者。亦即，該固化組成物可以使用習用的水性顯影= 以移除，例如使用氫氧化四甲錄和K〇H顯影劑。某^ 顯影劑可在註冊商標MF_319(可得自寺 MaSSachusetts)，肝―32〇(可得自一㈣），和 _lp = 自·〜輪影劑之名下講得。至少約_，且較： 為至少約99%的本發明塗料可藉由例如氫氧化四甲銨和 顯影劑的驗性顯影劑移除。此種在可商業上取得之顯影劑 中的溶解度百分比為一個相較於先前技術下明顯的優點γ 因為此舉可以縮短製造程序且使其成本較低。 最後’除了上面所述的許多優點之外，本發明組成物 具有旋塗碗相容性。此點係經由使用該組成物塗覆四时樣

品晶圓來測定的。於塗霜夕你 _ Q 、土復之後，不將晶圓烘烤，反而保持 向上之狀恶以防止膜流重Λ。福接_A 士 u力使樣品置於清淨室内乾燥約24 t時以產生約12〇〇一1300人厚度之膜。然後於5個位置測 夏樣品厚度以測定出平均起始樣品厚度。 將經塗覆晶圓暴露於特殊的試驗溶劑“列如，丙二醇曱 基敗乙^^日）中。此係經由使用該溶劑溢流浸濕樣品表面3 分鐘（士5秒鐘），然後以U00 ΠΜΠ (20，_ rpm Ramp)旋 轉15秒鐘’及接著以2500 rpm (20,000 rpm R卿）旋轉 3〇秒鐘而完成的。再度於5個位置測量樣品膜厚度，並測 定出平均最後樣品厚度。 溶解度百分比係按照下面計算出者： 12 100 1303014 溶解度百分比=[贫缝避後樣品厚声 起 約9 0%的溶 本發明組成物產生至少的 土王夕約75%，更佳者至少 解度百分比。 > 【實施方式】 較佳具體實例之詳細說明 避免成物係特別㈣者，因為上面所說明的方法 I免接觸洞或通孔血溝梓· .„ ffl, /、屢^側壁和底壁之降解與腐蝕。亦即 ==技藝組成物之下，於移除抗反射塗覆 =壁典型會發生腐姓，使得該等側壁不再成為直線 及筆直者。此種現象時常會導致線路的缺陷。 圖“說明起始電路結構10的—部份。電路結構1〇包 :=12和線_14。基板12具有上表面Μ。線形體 反二I反射層18和光阻劑層⑼。如該圖中所示者，抗 反射層18具有側壁如’該等側壁較佳為實質上垂直。 圖1b δ兄明弟二起始結構24的-部份。電路結構24也 =括基板26和線形體28。基板26具有上表面3〇，而線形 "28包括抗反射層32和光阻劑層34。抗反射層32具有 :a，b不似圖la中的電路結構10之側壁22a，b，側 壁36a，b在後續的加工步驟中（例如於濕式顯影中）遭受降 :腐蝕此為十分不欲的者’因為其可能導致缺陷。本 〃有減v或避免此等降解與腐蝕之獨特優點。特定言 之’根據本發明所形成的線形體之角纟‘V，為約83-90。 13 1303014 ，且較佳為約87-90。。如本文中所使用者，角度“a，，為 側壁36a與上表面3〇或側壁36b與上表面3〇所形成的最 - 小角度（參看圖lb)。 … 再者，根據本發明所形成的線形體之腐蝕百分比為小 ‘ 为1 5/，更佳為小於約1〇%，且甚至更佳為小於約了％。 如本文中所使用者，腐|虫百分比係經定義為： 5*100 =腐蝕百分比 此處“ d”和“ D”為圖lb中所示者。 實施例 _ 下面的實施例提出根據本發明的較佳方法。不過，應 瞭解所有實施例係為了示範說明而提出，其中沒有要拿來 對本發明的整體範圍作限制。 貫施例1 於此實施例中，經由將15.0克聚（鈦酸二丁酯）溶解在 15·0克丙二醇單曱基醚（PGME)中而製備調配物。其次，於 該反應混合物中加入一種經溶解在丨5· 〇克pGME内的 1 9· 52克乙醯乙酸乙酯溶液，接著攪拌4小時。於該混合 籲 物中加入三羥甲基乙氧化物，並攪拌混合物丨小時。於使 用之W，將所得調配物經由〇· 1微米PTFE過濾器過濾。將 該組成物以3000 rpm旋轉塗覆在矽晶圓上並施以兩階段烘 烤私序· 130°C下烘烤30秒鐘，及接著ΐββγ或2〇5°C下 烘烤60秒鐘。兩種樣品都展現出在鹼性顯影劑内的溶解度。 實施例2 於此實施例中，經由將5· 0克聚（鈦酸二丁酯）溶解在 14 1303014 小時而製備抗反射塗覆調配物。然後將調配物經由〇. 1微 米PTFE過濾器過濾，並將該組成物以3000 rpm旋轉塗覆 在晶圓上並在168。C下烘烤60秒鐘。該樣品展現出在鹼 顯影劑内的溶解度。 實施例5 性質測定 1.光學性質 表A列出實施例2-4所得調配物的個別折射率。

表A 實施例# 折射率 2 _1.99 3 4 75 2 ·旋塗碗相容性 接續著先前所述之步驟，對實施例2之組成物所製僙 的膜測試其旋塗碗相容性。若組成物具有至少肖9〇%的溶 解度百分比，組成物則被視為具有旋塗碗相容性。測試= 果都列於表B之中。

表B 實施例 編號 溶劑 剝除前厚度 ，A 127Γ~~ 剝除後厚 度，A ——-—-_ 31 —--- 21 溶解度百 分比 97. 98. 35 —--~ 旋塗碗相容 性 —-—— 曰 2_ PGMEA^~~~ 2 庚酮 1276 _48 96. 24 是 ~~~ —-—·—^ 丙二醇甲基醚乙酸酯 16 1303014 【圖式簡單說明】 (一）圖式部分 圖la說明具有垂直側壁之線形體的電路前驅結構；且 圖1 b為類似於圖1 a，但說明具有腐蝕側壁的線形體 (二）元件代表符號 10 電路結構 12 基板

14 線形體 16 上表面 18 抗反射層 20 光阻劑層 22a，b 側壁 24 電路結構 26 基板 28 線形體

30 上表面 32 抗反射層 34 光阻劑層 36a，b 側壁 17

Claims (1)

1303014拾、申請專利範圍：

月)^|修(更)正本 •種用於微影程序之組成物，該組成物包括： 一種溶劑系統；和 種刀政或溶解在該溶劑系統中之聚合物，該聚合物 包括具有下式的重複單元 口

X 其中X為光衰減部份，Μ為金屬，且每個r分別為選 匕括下列群組之中者：氫，烧基，芳基，燒氧基和苯氧 基；及 其中以該組成物中固體總重量作為i 〇〇重量％為基準 聚合物存在於該組成物中的含量為2-50重量％。 2 ·如申請專利範圍第1項之組成物，其中該聚合物進 —步包括具有下式之重複單元

其中每個R1分別為選自包括下列群組之中者：氮，燐 基’芳基，烷氧基和苯氧基，且M1為金屬。 3·如申請專利範圍第1項之組成物，其中於每一重旅 單疋中的Μ分別為選自包括下列群組之中者：Ti，，Si 和A1 〇 1303014 4·如申請專利範圍第1項之組成物，其中該組成物進 一步包括聚合物黏合劑。 5·如申請專利範圍第4項之組成物，其中該聚合物黏 合劑係選自包括下列群組之中者：環氧酚醛線型樹脂 (epoxy novolac resin)，丙烯酸酯，經聚合的胺基塑料 ，glycourals，乙烯基醚類，和彼等的混合物。 6 ·如申請專利範圍第4項之組成物，其中該聚合物黏 合劑具有1，000至50, 000的分子量。 7.如申請專利範圍第1項之組成物，其中該X包括用 於與Μ配位的官能基。 8 ·如申請專利範圍第7項之組成物，其中該官能基係 選自包括下列群組之中者：羰基，醇基，和酚基。 9 ·如申請專利範圍第1項之組成物，其中該X係選自 包括下列群組之中的官能基部份：三羥甲基乙氧化物，4一 經基苯甲醛，和2-氰基-3-(4-羥基苯基）-丙烯酸乙酯。 10.如申請專利範圍第1項之組成物，其中每個χ和R 不包括任何烯鍵式不飽和基。 11·如申請專利範圍第1項之組成物，其中r為—CH 且另一個R為-OC2H5。 1 2 · —種用於微影程序之組成物，該組成物包括·· 一種溶劑系統；和 一種分散或溶解在該溶劑系統中之聚合物，該聚合物 係經由將聚合物型烷氧基金屬與有機化合物反應而形^者 ’該聚合物型烷氧基金屬包括具有下式之重複單元 1303014 (~Μ—0~)— L 其中M為金屬，且每個L分別為選自包括下列的群組 之中者··二酮基和烷氧基配位體；且 該有機化合物包括用於與該聚合物型烷氧基 Μ配位之t能基； ^ 以該組成物中固體總重量作為1〇〇重量％為基準，該 聚合物存在於該組成物中的含量為2-5〇重量％。 13·如申請專利範圍第12項之組成物，其中在每一個 重複單兀中的Μ分別為選自包括下列群組之中的金屬：Ti ，21'，8:1，和八1〇 14.如申請專利範圍第12項之組成物’其中該組成物 進一步包括聚合物黏合劑。 1 5 ·如申凊專利範圍第丨4項之組成物，其中該聚合物 黏合劑係選自包括下列群組之中：環氧酚醛線型樹脂 Cepoxy novolac resin)，丙浠酸酯，經聚合的胺基塑料 ，glycourals，乙烯基醚類，和彼等的混合物。 16.如申請專利範圍第14項之組成物，其中該聚合物 黏合劑具有1，〇〇〇至50,〇〇〇的分子量。 17·如申請專利範圍第丨2項之組成物，其中每個[分 別為具有下式 其中每個R分別為選自包括下列群組之中者：氫，烷 20 1303014 基，芳基，烷氧基和苯氧基。 18. 如巾請專利範圍第17項之組成物，其中至少一個 L為乙醯乙酸乙酯的部份。 19. 如申請專利範圍第Π項之組成物，其中R為-CH3 且另一個R為-〇C2h5。 20. 如申請專利範圍第12項之組成物 能基 係選自包括下列群組之中 <甲考·醇基，盼基，和魏基。 申明專利範圍第1 2項之組成物，其中該有機化 泛物係選自包括下列雜 夕』群組之中者：三羥甲基乙氧化物，4- 經基苯甲酸，夺σ # 基-3-(4-羥基苯基）—丙烯酸乙酯。 22· 一種積體電路前驅結構，其包括： 具有一表面的基板；和 用於在微影程序中作為阻障層或抗反射層之固化層， 該固化層係鄰近該矣 、 处/表面且包括交替的金屬原子和氧原子鍵 結並具有至少為1 . 馬1 · 4的折射率，該固化層係可濕式顯影者 下列之組成物所形成 其中該經硬化層是由包括 一種溶劑；及 一種分散或溶解在該溶劑系統中之聚合物，該聚合物 包括具有下式之重複單元 Rr^R X ， ’、X為光衰減部份，Μ為金屬，且每個R分別為選 21 1303014 包括下列群組之中者： 氫 基 烧基’芳基，烷氧基和苯氧 丙-2醇3.甲如:：專利範圍帛2 2項之結構，其中當該溶劑為 丙一知甲基醚乙酸^ 百分比。 該固化層具有至少75%的溶解度 2 4 ·如申凊專利範圍 自包括下料組之巾者構，其巾該基板為選 中者·矽日日圓和離子植芦。 牛==?專利範圍帛22項之結構，其中該結構進一 步包括鄰近該固化層的光阻劑層。 :如申請專利範園…之結構，其中該金屬原子 為t自L括下列群組之中者·· T i，zr，s i矛a 1 27· —種積體電路前驅結構，其包括· 具有表面之基板；及 鄰近該表面且在微影程序 固化層，該固化層具有至少為 影者； 中作為阻障層或抗反射層之 1 · 4的折射率且係可濕式顯 其中該固化層係由包括下列組成物形成者·· 一種溶劑系統；和 一種經分散或溶解在該溶劑系統中之平人 ，心祆合物，該聚合 物係經由將一聚合物型金屬烷氧化物與一古Μ 1人 Λ 有機化合物反應 而形成者，該聚合物型烷氧基金屬包括且古 丹有下式之重複單 元 L (~Μ—^~~ 22 1303014 此處Μ為金屬，且每個L分別為選自包括下列群組之 中者：二_基和烷氧基配位體；且 該有機化合物包括用於與該聚合物型烷氧基金屬中的 Μ配位之官能基。 2 8 ·如申請專利範圍第2 2項之結構，其中該固化層在 驗顯影劑中為至少95%可溶者。 29· —種形成積體電路則驅結構之方法，該方法包括下 列諸步驟： 在基板上形成組成物的塗層，該組成物包括： 一種溶劑系統；和 一種分散或溶解在該溶劑系統中之聚合物，該聚合物 係經由將聚合物型烷氧基金屬與有機化合物反應而形成者 ’該聚合物型烷氧基金屬包括具有下式之重複單元 —Μ—0-)— 其中Μ為金屬，且每個L分別為選自包括下列的群組 之中者··二酮基和烷氧基配位體；且 該有機化合物包括用於與該聚合物型烧氧基金屬中的 Μ配位之官能基； 將光阻劑塗覆到該塗層上以Α @ f ^ ^ • / 土 上以在該塗層上形成光阻劑層 選擇性地移除掉部价^ β 丨知4先阻劑層和該塗層以在該基板 23 1303014 上形成線形體，其中該線 3◦.如申請專利範圍第29項有83，。的角度”a，，。 ό ^ 9項之方法，其中該基板為選 自包括下列群組之中去· ^者·^®和離子植層。 31·如申請專利範圍第 .^ 項之方法，其中該移除步驟 ^括使用水性顯影劑移除該等部份。 3 2 ·如申請專利範圍第 31項之方法，其中該水性顯影 背J為選自匕括下列群組之中者· & τ可·氧氧化四甲銨和Κ0Η顯影 劑0 種用於形成積體電路前驅結構之方法，其包括下 列步驟： 在基板上形成組成物之塗層，其中該組成物包括： 一種溶劑系統；和 種經分散或溶解在該溶劑系統中之聚合物，該聚合 物包括具有下式的重複單元

其中X為光衰減部份，Μ為金屬，且每個r分別為選 自包括下列群組之中者：氫，烷基，芳基，烷氧基和苯氧 基， 將光阻劑塗覆到該塗層上以在該塗層上形成光阻劑層 ;及 選擇性地移除掉部份該光阻劑層和該塗層以在該基板 24 1303014 上形成線形體，其中該線形體具有83—9〇。的角度”a”。 34· —種形成積體電路前驅結構之方法，該方法包括下 列諸步驟： 在基板上形成組成物的塗層，該組成物包括： 一種溶劑系統；和 一種經分散或溶解在該溶劑系統中之聚合物，該聚合 物係經由將聚合物型烷氧基金屬與有機化合物反應而形成 者’違聚合物型烧氧基金屬包括具有下式之重複單元 L —(―Μ—0-4— ί 3 其中Μ為金屬，且每個L分別為選自包括下列群組之 中者：二酮基和烷氧基配位體；且 該有機化合物包括用於與該聚合物型烷氧基金屬中的 Μ配位之官能基； 將光阻劑塗覆到該塗層上以在該塗層上形成光阻劑層 ;及 選擇性地移除掉部份該光阻劑層和該塗層以在該基板 上形成線形體，其中該線形體具有小於i 5%的腐蝕百分比 〇 35. 如申請專利範圍第34項之方法，其中該基板為選 自包括下列群組之中者：矽晶圓和離子植層。 36. 如申請專㈣圍帛34項之方法，其中該移除步驟 包括使用水性顯影劑移除該等部份。 25 1303014 積體電路前驅結構之方法，該方法包 38. —種用於形成 括下列步驟： /板上形成組成物的塗層，其中該組成物包括·· 一種溶劑系統；和 種工刀政或〉谷解在該溶劑系統内之聚合物，該聚合 物包括具有下式的重複單元

::X為光衰減部份，M為金屬’且每個R分別為選 . 者·虱，烷基，芳基，烷氧基和苯氧 阻劑層 ;光阻劑塗覆到該塗層上以在該塗層上形成光 上形移::部份該光阻劑層和該塗層以在該基板 。 體’其中該線形體具有小於15%的腐蝕百分比 39·如申請專利範圍第33項之方法，1 有83〜90。的角度“a” 。 、 ，、中該線形體具 26 1303014 40.種在微影程序中使用組成物之方法，該方法包括 將在基板上形A K組成物的t量塗覆到基板上之步驟 ’該組成物包括： 一種溶劑系統；和 種經分散或溶解在該溶劑系統中之聚合物，該聚合 物包括具有下式的重複單元 口

其中X為光衰減部份，Μ為金屬，且每個R分別為選 自包括下列群組之中者：氫，烧基，彡基，燒氧基和苯氧 基。 41.如申請專利範圍第4〇項之方法，其中該塗覆步驟 包括將該組成物旋轉塗覆在該基板表面上。 42·如申請專利範圍第4〇項之方法，其中該基板具有 形成在其内的洞孔，該洞孔係由底壁和侧壁所界定，且該 塗覆步驟包括將該組成物塗覆到該底壁和侧壁的至少一部 份上。 43.如申請專利範圍第40項之方法，在該塗覆步驟之 後，其進一步包括在l〇〇-25(TC的溫度下烘烤該層以產生 固化層之步驟。 4 4 ·如申凊專利範圍第4 3項之方法，其進一步包括塗 覆光阻劑到該固化層之步驟。 45·如申請專利範圍第44項之方法，其進一步包括下 1303014 列諸步驟： 將至少一部份該光阻劑暴露於光化輻射下；及 將该經曝光的光阻劑顯影。 後如申請專利範圍第45項之方法，其中該顯影少麟 導致該組成物從鄰近經曝光之光阻劑的部位移除掉。 47· —種在微影程序中使用組成物之方法，該方法包括 將於基板上形成一層之組成物的數量塗覆到基板之夕驟， 該組成物包括： 一種溶劑系統；和 種經分散或溶解在該溶劑系統内之聚合物，該聚含 物係經由將聚合物型烷氧基金屬與有機化合物反應而形成 者，該聚合物型烷氧基金屬包括具有下式之重複單元 L ~(~Μ—〇-}— 其中Μ為金屬，且每個l分別為選自包括下列群組之 中者：二酮基和烧氧基配位體；且 該有機化合物包括用於與該聚合物型烷氧基金屬中的 Μ配位之官能基。 48·如申請專利範圍第47項之方法，其中該塗覆步驟 包括將该組成物旋轉塗覆在該基板表面上。 49·如申請專利範圍第47項之方法，其中該基板具有 形成在其内的孔洞，該孔洞係由底壁和側壁所界定，且該 塗覆步驟包括將該組成物塗覆到底壁和侧壁的至少一部份 28 1303014 上。 50. 如申請專利範圍第47項之方法，其在該塗覆步驟 之後’進-步包括i 100_25(rc的溫度下烘烤該層以產生 固化層之步驟。 51. 如申請專利範圍第5G項之方法，其進—步包括塗 覆光阻劑到該固化層之步驟。 52. 如申請專利範圍第51項之方法，其進一步包括下 列諸步驟： 將至少一部份該光阻劑暴露於光化輻射；及 將該經曝光的光阻劑顯影。 53. 如申請專利範圍第52 增a # ,上、^ 貝万，套’其中該顯影步驟 V致該、，且成物從鄰近該曝光光阻劑的部位移除掉。 54. 如申請專利範圍第33項之方 自包括下列群組之中者·石夕日、 八該土板為選 甲考·矽晶圓和離子植層。 55·如申請專利範圍第33 包括使用水性顯影劑移除該等部份。…其中該移除步驟 56. 如申請專利範圍第55項 劑為選自包括下列群組之中 …中該水性顯影 劑。 者.虱虱化四甲銨和Κ0Η顯影 57. 如申請專利範圍第⑽項之 自包括下列群組之中者· 去，其中該基板為選 < τ考·矽晶圓和離子插 58. 如申請專利範圍第38 植層 包括使用水性顯影劑移除該等部份。其中該移除步驟 59. 如申請專利範圍第58 ” 、方法，其中該水性顯影 29 1303014 劑為選自包括下列群組之中者：氫氧化四甲銨和Κ0Η顯影 劑。 60.如申請專利範圍第38項之方法，其中該線形體具 有83-90 °的角度“a” 。 拾壹、囷式： 如次頁

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