JP6189758B2 - チタン含有レジスト下層膜形成用組成物及びパターン形成方法 - Google Patents
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Description
(A)成分として、下記一般式(A−1)で示されるチタン化合物、該チタン化合物を加水分解もしくは縮合、又は加水分解縮合して得られるチタン含有化合物から選ばれる1種類以上に、下記一般式(A−2)で示される2価又は3価のアルコールを作用させて得られるチタン含有化合物、及び、
Ti(OR1A)4 (A−1)
(式中、R1Aは0又は1個の水酸基を有する炭素数1〜20の1価の有機基である。)
R2A(OH)2 (A−2)
(式中、R2Aは0又は1個の水酸基を有する炭素数2〜20の2価の有機基である。)
(C)成分として、溶媒を含むチタン含有レジスト下層膜形成用組成物を提供する。
R1B b1R2B b2R3B b3Si(OR0B)(4−b1−b2−b3) (B−1)
(式中、R0Bは炭素数1〜6の炭化水素基であり、R1B、R2B、R3Bは水素原子又は炭素数1〜30の1価の有機基である。また、b1、b2、b3は0又は1であり、1≦b1+b2+b3≦3である。)
L(OR4B)b4(OR5B)b5(O)b6 (B−2)
(式中、R4B、R5Bは炭素数1〜30の有機基であり、b4、b5、b6は0以上の整数、b4+b5+2×b6はLの種類により決まる価数であり、Lは周期律表のIII族、IV族、又はV族の元素で炭素を除くものである。)
被加工体上に塗布型有機下層膜材料を用いて有機下層膜を形成し、該有機下層膜の上に前記チタン含有レジスト下層膜形成用組成物を用いてチタン含有レジスト下層膜を形成し、該チタン含有レジスト下層膜上にレジスト上層膜形成用組成物を用いてレジスト上層膜を形成し、該レジスト上層膜にパターンを形成し、該パターンが形成されたレジスト上層膜をマスクにして前記チタン含有レジスト下層膜にドライエッチングでパターンを転写し、該パターンが転写されたチタン含有レジスト下層膜をマスクにして前記有機下層膜をドライエッチングでパターン転写し、さらに該パターンが転写された有機下層膜をマスクにして前記被加工体にドライエッチングでパターンを転写するパターン形成方法を提供する。
被加工体上に炭素を主成分とする有機ハードマスクをCVD法で形成し、該有機ハードマスクの上に前記チタン含有レジスト下層膜形成用組成物を用いてチタン含有レジスト下層膜を形成し、該チタン含有レジスト下層膜上にレジスト上層膜形成用組成物を用いてレジスト上層膜を形成し、該レジスト上層膜にパターンを形成し、該パターンが形成されたレジスト上層膜をマスクにして前記チタン含有レジスト下層膜にドライエッチングでパターンを転写し、該パターンが転写されたチタン含有レジスト下層膜をマスクにして前記有機ハードマスクをドライエッチングでパターン転写し、さらに該パターンが転写された有機ハードマスクをマスクにして前記被加工体にドライエッチングでパターンを転写するパターン形成方法を提供する。
(A)成分として、下記一般式(A−1)で示されるチタン化合物、該チタン化合物を加水分解もしくは縮合、又は加水分解縮合して得られるチタン含有化合物から選ばれる1種類以上に、下記一般式(A−2)で示される2価又は3価のアルコールを作用させて得られるチタン含有化合物、及び、
Ti(OR1A)4 (A−1)
(式中、R1Aは0又は1個の水酸基を有する炭素数1〜20の1価の有機基である。)
R2A(OH)2 (A−2)
(式中、R2Aは0又は1個の水酸基を有する炭素数2〜20の2価の有機基である。)
(C)成分として、溶媒を含むチタン含有レジスト下層膜形成用組成物である。
R1B b1R2B b2R3B b3Si(OR0B)(4−b1−b2−b3) (B−1)
(式中、R0Bは炭素数1〜6の炭化水素基であり、R1B、R2B、R3Bは水素原子又は炭素数1〜30の1価の有機基である。また、b1、b2、b3は0又は1であり、1≦b1+b2+b3≦3である。)
以下、各成分について詳述するが、本発明で用いる成分は下記に限定されるものではない。
本発明の(A)成分の原料の一つとして、下記一般式(A−1)で示されるチタン化合物を挙げることができる。
Ti(OR1A)4 (A−1)
(式中、R1Aは0又は1個の水酸基を有する炭素数1〜20の1価の有機基である。)
R2A(OH)2 (A−2)
(式中、R2Aは0又は1個の水酸基を有する炭素数2〜20の2価の有機基である。)
本発明は、レジスト上層膜パターンとチタン含有レジスト下層膜との間の微細パターンに対するパターン密着性を向上させるため、(B)成分としてケイ素含有化合物を添加してもよい。このケイ素含有化合物の原料の一つとしては、下記一般式(B−1)で示されるシラン化合物を挙げることができる。
R1B b1R2B b2R3B b3Si(OR0B)(4−b1−b2−b3) (B−1)
(式中、R0Bは炭素数1〜6の炭化水素基であり、R1B、R2B、R3Bは水素原子又は炭素数1〜30の1価の有機基である。また、b1、b2、b3は0又は1であり、1≦b1+b2+b3≦3である。)
L(OR4B)b4(OR5B)b5(O)b6 (B−2)
(式中、R4B、R5Bは炭素数1〜30の有機基であり、b4、b5、b6は0以上の整数、b4+b5+2×b6はLの種類により決まる価数であり、Lは周期律表のIII族、IV族、又はV族の元素で炭素を除くものである。)
具体的に使用される酸触媒としては、フッ酸、塩酸、臭化水素酸、硫酸、硝酸、過塩素酸、リン酸、メタンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、トルエンスルホン酸等を挙げることができる。触媒の使用量は、モノマー1モルに対して好ましくは10−6〜10モル、より好ましくは10−5〜5モル、さらに好ましくは10−4〜1モルである。
その他に酸触媒を除去する方法として、イオン交換樹脂による方法や、エチレンオキサイド、プロピレンオキサイド等のエポキシ化合物で中和したのち除去する方法を挙げることができる。これらの方法は、反応に使用された酸触媒に合わせて適宜選択することができる。
さらに、水溶性有機溶媒と水難溶性有機溶媒の混合物を使用することも可能である。
本発明のチタン含有レジスト下層膜形成用組成物に含まれる(C)成分の溶媒としては、上記(A)、(B)成分を溶解できるものであれば特に限定されないが、上記(A)、(B)成分を作製する際に最終的に加える溶媒と同一のものであることが好ましい。具体的には、ブタンジオールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、ブタンジオールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、ブタンジオールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、1−ブタノール、2−ブタノール、2−メチル−1−プロパノール、4−メチル−2−ペンタノール、アセトン、テトラヒドロフラン、トルエン、ヘキサン、酢酸エチル、シクロヘキサノン、メチルアミルケトン、プロピレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジアミルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ピルビン酸エチル、酢酸ブチル、3−メトキシプロピオン酸メチル、3−エトキシプロピオン酸エチル、酢酸t−ブチル、プロピオン酸t−ブチル、プロピレングリコールモノt−ブチルエーテルアセテート、γ−ブチロラクトン、メチルイソブチルケトン、シクロペンチルメチルエーテルなどを例示できる。
本発明のチタン含有レジスト下層膜形成用組成物は、さらに光酸発生剤を添加してもよい。本発明で使用される光酸発生剤として、具体的には、特開2009−126940号公報の[0160]から[0179]段落に記載されている材料を添加することができる。
上記のようにして作製したチタン含有レジスト下層膜形成用組成物を用いた本発明のパターン形成方法の一態様として、
被加工体上に塗布型有機下層膜材料を用いて有機下層膜を形成し、該有機下層膜の上に前記チタン含有レジスト下層膜形成用組成物を用いてチタン含有レジスト下層膜を形成し、該チタン含有レジスト下層膜上にレジスト上層膜形成用組成物を用いてレジスト上層膜を形成し、該レジスト上層膜にパターンを形成し、該パターンが形成されたレジスト上層膜をマスクにして前記チタン含有レジスト下層膜にパターンを転写し、該パターンが転写されたチタン含有レジスト下層膜をマスクにして前記有機下層膜にパターンを転写し、さらに該パターンが転写された有機下層膜をマスクにして前記被加工体にパターンを転写するパターン形成方法を挙げることができる。
被加工体上に炭素を主成分とする有機ハードマスクをCVD法で形成し、該有機ハードマスクの上に前記チタン含有レジスト下層膜形成用組成物を用いてチタン含有レジスト下層膜を形成し、該チタン含有レジスト下層膜上にレジスト上層膜形成用組成物を用いてレジスト上層膜を形成し、該レジスト上層膜にパターンを形成し、該パターンが形成されたレジスト上層膜をマスクにして前記チタン含有レジスト下層膜にパターンを転写し、該パターンが転写されたチタン含有レジスト下層膜をマスクにして前記有機ハードマスクにパターンを転写し、さらに該パターンが転写された有機ハードマスクをマスクにして前記被加工体にパターンを転写するパターン形成方法を挙げることができる。
[合成例A−I]
チタンテトライソプロポキシド284gの2−プロパノール(IPA)500g溶液に撹拌しながら、脱イオン水27gのIPA500g溶液を室温で2時間かけて滴下した。得られた溶液に2,4−ジメチル−2,4−オクタンジオール180gを添加し、室温で30分撹拌した。この溶液を減圧下、30℃で濃縮した後、さらに60℃まで加熱し、減圧下、留出物が出なくなるまで加熱を続けた。留出物が見られなくなったところで、4−メチル−2−ペンタノール(MIBC)を1200g加え、40℃、減圧下でIPAが留出しなくなるまで加熱し、チタン含有化合物[A−I]のMIBC溶液1000g(化合物濃度25%)を得た。このもののポリスチレン換算分子量を測定したところMw=1,200であった。
続いて、[A−I]の熱質量減少を測定したところ、図1に示すように、常温における質量が100%であったところから、加熱により250℃になったところでは55%(質量減少−45%)、800℃となったところでは41%(質量減少−59%)となった。このうち、800℃における組成はTiO2が100%であり、このことから、250℃におけるTi含有率を計算すると、
41%/55%×47.87/(47.87+16.00×2)=45%
となった。
従って、250℃で熱分解することで、Ti含有率が45%のチタン含有膜が得られることが明らかになった。
チタンテトライソプロポキシド284gのIPA500g溶液に撹拌しながら、脱イオン水27gのIPA500g溶液を室温で2時間かけて滴下した。得られた溶液に2−メチル−2,4−ペンタンジオール120gを添加し、室温で30分撹拌した。この溶液を減圧下、30℃で濃縮した後、さらに60℃まで加熱し、減圧下、留出物が出なくなるまで加熱を続けた。留出物が見られなくなったところで、MIBCを1200g加え、40℃、減圧下でIPAが留出しなくなるまで加熱し、チタン含有化合物[A−II]のMIBC溶液1000g(化合物濃度20%)を得た。このもののポリスチレン換算分子量を測定したところMw=1,100であった。
チタンテトラブトキシド340gの1−ブタノール(BOH)500g溶液に撹拌しながら、脱イオン水27gのBOH500g溶液を室温で2時間かけて滴下した。得られた溶液に3−メチル−1,3−ヘキサンジオール132gを添加し、室温で30分撹拌した。この溶液を減圧下、40℃で濃縮した後、さらに60℃まで加熱し、減圧下、留出物が出なくなるまで加熱を続けた。留出物が見られなくなったところで、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート(以下PGMEA)を1200g加え、50℃、減圧下でBOHが留出しなくなるまで加熱し、チタン含有化合物[A−III]のPGMEA溶液1000g(化合物濃度22%)を得た。このもののポリスチレン換算分子量を測定したところMw=1,250であった。
市販のチタンテトラブトキシドテトラマー243gのBOH500g溶液にピナコール130gを添加し、室温で30分撹拌した。この溶液を減圧下、40℃で濃縮した後、さらに60℃まで加熱し、減圧下、留出物が出なくなるまで加熱を続けた。留出物が見られなくなったところで、PGMEAを1200g加え、50℃、減圧下でBOHが留出しなくなるまで加熱し、チタン含有化合物[A−IV]のPGMEA溶液1000g(化合物濃度22%)を得た。このもののポリスチレン換算分子量を測定したところMw=1,150であった。
市販のチタンテトラブトキシドテトラマー243gのBOH500g溶液に2,5−ジメチル−2,5−ヘキサンジオール150gを添加し、室温で30分撹拌した。この溶液を減圧下、50℃で濃縮した後、さらに60℃まで加熱し、減圧下、留出物が出なくなるまで加熱を続けた。留出物が見られなくなったところで、PGMEAを1200g加え、50℃、減圧下でBOHが留出しなくなるまで加熱し、チタン含有化合物[A−V]のPGMEA溶液1000g(化合物濃度24%)を得た。このもののポリスチレン換算分子量を測定したところMw=1,100であった。
市販のチタンテトラブトキシドテトラマー243gとPGMEA757gを混合して、チタン含有化合物[A−VI]のPGMEA溶液1000gを得た。
続いて、[A−VI]の熱質量減少を測定したところ、図2に示すように、常温における質量が100%であったところから、加熱により250℃になったところでは62%(質量減少−38%)、800℃となったところでは33%(質量減少−67%)となった。このうち、800℃における組成はTiO2が100%であり、このことから、250℃におけるTi含有率を計算すると、
33%/62%×47.87/(47.87+16.00×2)=32%
となった。
従って、250℃で熱分解することで、Ti含有率が32%のチタン含有膜が得られることが明らかになった。尚、図2に示すように、250℃付近での加熱における[A−VI]の熱質量減少は、図1で示した[A−I]の熱質量減少と比べて安定していなかった。
[合成例B−I]
メタノール200g、メタンスルホン酸0.1g及び脱イオン水60gの混合物にメチルトリメトキシシラン68.1gを添加し、12時間、40℃に保持し、加水分解縮合させた。反応終了後、PGMEA200gを加え、副生アルコールを減圧で留去した。そこに、酢酸エチル1000ml及びPGMEA300gを加え、水層を分液した。残った有機層に、イオン交換水100mlを加えて撹拌、静置、分液した。これを3回繰り返した。残った有機層を減圧で濃縮してケイ素含有化合物[B−I]のPGMEA溶液170g(化合物濃度20%)を得た。このもののポリスチレン換算分子量を測定したところMw=2,500であった。
メタノール200g、メタンスルホン酸0.1g及び脱イオン水60gの混合物にメチルトリメトキシシラン27.2g、テトラメトキシシラン22.8g及び2−(4−tertブトキシフェニル)エチルトリメトキシシラン44.8gの混合物を添加し、12時間、40℃に保持し、加水分解縮合させた。反応終了後、PGMEA200gを加え、副生アルコールを減圧で留去した。そこに、酢酸エチル1000ml及びPGMEA300gを加え、水層を分液した。残った有機層に、イオン交換水100mlを加えて撹拌、静置、分液した。これを3回繰り返した。残った有機層を減圧で濃縮してケイ素含有化合物[B−II]のPGMEA溶液280g(化合物濃度20%)を得た。このもののポリスチレン換算分子量を測定したところMw=2,400であった。
上記合成例で得られた(A)成分としてのチタン含有化合物[A−I]〜[A−VI]、(B)成分としてのケイ素含有化合物[B−I]、[B−II]、溶媒を表1に示す割合で混合し、0.1μmのフッ素樹脂製のフィルターで濾過することによって、チタン含有レジスト下層膜形成用組成物をそれぞれ調製し、それぞれSol.1〜12とした。
シリコンウエハー上に、チタン含有レジスト下層膜形成用組成物Sol.1〜12を回転塗布し、250℃で1分間加熱成膜して、膜厚35nmのチタン含有レジスト下層膜Film1〜12を作製した。さらに、比較例として、信越化学工業(株)製スピンオンカーボン膜ODL−50(カーボン含有量80質量%)を塗布して300℃で60秒間加熱して膜厚200nm及びスピンオンハードマスクSHB−A940(ケイ素含有量43質量%)を塗布して250℃で60秒間加熱して膜厚40nmで形成した。
これらの膜を下記のエッチング条件(1)及び(2)でエッチング試験を実施した。その結果を表2に示す。
装置:東京エレクトロン(株)製ドライエッチング装置Telius SP
エッチング条件(1):
チャンバー圧力 10Pa
Upper/Lower RFパワー 500W/300W
CHF3ガス流量 50ml/min
CF4ガス流量 150ml/min
Arガス流量 100ml/min
処理時間 10sec
装置:東京エレクトロン(株)製ドライエッチング装置Telius SP
エッチング条件(2):
チャンバー圧力 2Pa
Upper/Lower RFパワー 1000W/300W
CO2ガス流量 300ml/min
N2ガス流量 100ml/min
Arガス流量 100ml/min
処理時間 15sec
シリコンウエハー上に、信越化学工業(株)製スピンオンカーボン膜ODL−50(カーボン含有量80質量%)を塗布して300℃で60秒間加熱して、膜厚800nmで形成した。その上にチタン含有レジスト下層膜形成用組成物Sol.1〜12を塗布して250℃で60秒間加熱して、膜厚35nmのチタン含有レジスト下層膜Film1〜12を作製した。続いて、当該チタン含有レジスト下層膜上に表3記載のポジ現像用ArFレジスト溶液(PR−1)を塗布し、110℃で60秒間ベークして膜厚100nmのフォトレジスト層を形成した。さらにフォトレジスト膜上に表4記載の液浸保護膜(TC−1)を塗布し90℃で60秒間ベークし膜厚50nmの保護膜を形成した。次いで、これらをArF液浸露光装置((株)ニコン製;NSR−S610C,NA1.30、σ0.98/0.65、35度ダイポール偏光照明、6%ハーフトーン位相シフトマスク)で露光し、100℃で60秒間ベーク(PEB)し、2.38質量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)水溶液で30秒間現像し、50nm1:1のポジ型のラインアンドスペースパターンを得た。続いて、(株)日立ハイテクノロジーズ製電子顕微鏡(CG4000)でパターン倒れを、(株)日立製作所製電子顕微鏡(S−9380)で断面形状を測定した。その結果を表5に示す。
上記パターニング試験で作製したレジストパターンをマスクにしてチタン含有レジスト下層膜の加工を条件(3)でドライエッチングし、次いで条件(4)でドライエッチングしスピンオンカーボン膜にパターンを転写した。得られたスピンオンカーボンパターンの断面形状を(株)日立製作所製電子顕微鏡(S−9380)で確認した。その結果を表6に示す。
装置:東京エレクトロン(株)製ドライエッチング装置Telius SP
エッチング条件(3):
チャンバー圧力 10Pa
Upper/Lower RFパワー 500W/300W
CHF3ガス流量 50ml/min
CF4ガス流量 150ml/min
Arガス流量 100ml/min
処理時間 30sec
装置:東京エレクトロン(株)製ドライエッチング装置Telius SP
エッチング条件(4):
チャンバー圧力 2Pa
Upper/Lower RFパワー 1000W/300W
CO2ガス流量 300ml/min
N2ガス流量 100ml/min
Arガス流量 100ml/min
処理時間 200sec
Claims (10)
- (A)成分として、下記一般式(A−1)で示されるチタン化合物、該一般式(A−1)で示されるチタン化合物のみの加水分解物、前記一般式(A−1)で示されるチタン化合物のみの縮合物、及び前記一般式(A−1)で示されるチタン化合物のみの加水分解縮合物から選ばれる1種類以上と、下記一般式(A−2)で示される2価又は3価のアルコールとの反応物であるチタン含有化合物、及び、
Ti(OR1A)4 (A−1)
(式中、R1Aは0又は1個の水酸基を有する炭素数1〜20の1価の有機基である。)
R2A(OH)2 (A−2)
(式中、R2Aは0又は1個の水酸基を有する炭素数2〜20の2価の有機基である。)
(C)成分として、溶媒を含むものであり、
前記一般式(A−1)で示されるチタン化合物もしくは前記一般式(A−2)で示される2価又は3価のアルコール、又はその両方が1つ以上の3級アルコール構造を含むものであることを特徴とするチタン含有レジスト下層膜形成用組成物。 - さらに、(B)成分として、下記一般式(B−1)で示されるシラン化合物、該一般式(B−1)で示されるシラン化合物の加水分解物、及び前記一般式(B−1)で示されるシラン化合物の加水分解縮合物から選ばれる1種類以上を含むものであることを特徴とする請求項1に記載のチタン含有レジスト下層膜形成用組成物。
R1B b1R2B b2R3B b3Si(OR0B)(4−b1−b2−b3) (B−1)
(式中、R0Bは炭素数1〜6の炭化水素基であり、R1B、R2B、R3Bは水素原子又は炭素数1〜30の1価の有機基である。また、b1、b2、b3は0又は1であり、1≦b1+b2+b3≦3である。) - さらに、(B)成分として、1種以上の下記一般式(B−1)で示されるシラン化合物と、1種以上の下記一般式(B−2)で示される化合物との加水分解物もしくは縮合物、又は加水分解縮合物を含むものであることを特徴とする請求項1に記載のチタン含有レジスト下層膜形成用組成物。
R 1B b1 R 2B b2 R 3B b3 Si(OR 0B ) (4−b1−b2−b3) (B−1)
(式中、R 0B は炭素数1〜6の炭化水素基であり、R 1B 、R 2B 、R 3B は水素原子又は炭素数1〜30の1価の有機基である。また、b1、b2、b3は0又は1であり、1≦b1+b2+b3≦3である。)
L(OR4B)b4(OR5B)b5(O)b6 (B−2)
(式中、R4B、R5Bは炭素数1〜30の有機基であり、b4、b5、b6は0以上の整数、b4+b5+2×b6はLの種類により決まる価数であり、Lは周期律表のIII族、IV族、又はV族の元素で炭素を除くものである。) - 前記一般式(B−2)中のLが、ホウ素、ケイ素、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、ゲルマニウム、ジルコニウム、ハフニウム、ビスマス、スズ、リン、バナジウム、ヒ素、アンチモン、ニオブ、タンタル、又はチタンのいずれかの元素であることを特徴とする請求項3に記載のチタン含有レジスト下層膜形成用組成物。
- 前記一般式(B−1)中のR1B、R2B、R3Bのうちの一つ以上が酸不安定基で置換された水酸基又はカルボキシル基を有する有機基であることを特徴とする請求項2乃至請求項4のいずれか一項に記載のチタン含有レジスト下層膜形成用組成物。
- 被加工体上に塗布型有機下層膜材料を用いて有機下層膜を形成し、該有機下層膜の上に請求項1乃至請求項5のいずれか一項に記載のチタン含有レジスト下層膜形成用組成物を用いてチタン含有レジスト下層膜を形成し、該チタン含有レジスト下層膜上にレジスト上層膜形成用組成物を用いてレジスト上層膜を形成し、該レジスト上層膜にパターンを形成し、該パターンが形成されたレジスト上層膜をマスクにして前記チタン含有レジスト下層膜にドライエッチングでパターンを転写し、該パターンが転写されたチタン含有レジスト下層膜をマスクにして前記有機下層膜をドライエッチングでパターン転写し、さらに該パターンが転写された有機下層膜をマスクにして前記被加工体にドライエッチングでパターンを転写することを特徴とするパターン形成方法。
- 被加工体上に炭素を主成分とする有機ハードマスクをCVD法で形成し、該有機ハードマスクの上に請求項1乃至請求項5のいずれか一項に記載のチタン含有レジスト下層膜形成用組成物を用いてチタン含有レジスト下層膜を形成し、該チタン含有レジスト下層膜上にレジスト上層膜形成用組成物を用いてレジスト上層膜を形成し、該レジスト上層膜にパターンを形成し、該パターンが形成されたレジスト上層膜をマスクにして前記チタン含有レジスト下層膜にドライエッチングでパターンを転写し、該パターンが転写されたチタン含有レジスト下層膜をマスクにして前記有機ハードマスクをドライエッチングでパターン転写し、さらに該パターンが転写された有機ハードマスクをマスクにして前記被加工体にドライエッチングでパターンを転写することを特徴とするパターン形成方法。
- 前記被加工体が、半導体回路の一部又は全部が形成されている半導体装置基板、金属膜、金属炭化膜、金属酸化膜、金属窒化膜、金属酸化炭化膜又は金属酸化窒化膜を有するものであることを特徴とする請求項6又は請求項7に記載のパターン形成方法。
- 前記被加工体を構成する金属がケイ素、チタン、タングステン、ハフニウム、ジルコニウム、クロム、ゲルマニウム、銅、アルミニウム、インジウム、ガリウム、ヒ素、パラジウム、鉄、タンタル、イリジウム、モリブデン又はこれらの合金であることを特徴とする請求項6乃至請求項8のいずれか一項に記載のパターン形成方法。
- 前記レジスト上層膜のパターン形成の方法として、波長が300nm以下の光又はEUV光を用いたリソグラフィー法、電子線直接描画法、誘導自己組織化法、及びナノインプリンティングリソグラフィー法のいずれかの方法を用いることを特徴とする請求項6乃至請求項9のいずれか一項に記載のパターン形成方法。
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