TW200305635A - Etchant and method of etching - Google Patents
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Description
200305635 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於供利用濕式蝕刻法而對金屬薄膜施行圖 案化處理用的蝕刻液，以及採用其之蝕刻方法。更詳言之， 係關於當半導體元件或液晶顯示元件等半導體裝置製造之 際所採用的蝕刻液及蝕刻方法。 【先前技術】 近年，半導體元件或液晶顯示元件等半導體裝置中所採 用的電極、或閘極佈線材料，對其加工細微化精度的要求 曰漸提昇。爲此便有提案使用電阻値較低的金屬材料。低 電阻値金屬材料的例子有如：鋁或鋁合金，該等的使用將增 加。 此種金屬薄膜圖案化形成於佈線等細微構造上的加工 技術，乃利用微影技術在機屬薄膜表面上採用光阻圖案爲 罩幕，並利用化學藥品的蝕刻處理而施行圖案化加工的濕 式蝕刻方法，此外尙有離子蝕刻或電漿蝕刻等乾式蝕刻法。 濕式蝕刻法在相較於乾式蝕刻法之下，因爲不需要高價 的裝置，且採用較價廉的藥品，因此在經濟層面上頗爲有 利。此外，因爲可大面積基板均勻且提高平均單位生產性 的進行蝕刻處理，因此大多採用薄膜圖案之製造方法大多 採用濕式蝕刻法。 當此種佈線加工之際，鋁或鋁合金乃利用半導體裝置製 造步驟中的製膜程序之基板加熱等加熱處理步驟，而在其 表面上產生凸丘（在熱處理時於鋁表面上所產生的針狀突 7 312/發明說明書(補件)/92-05/92104193 200305635 起物）。若產生凸丘的話，便頗難在鋁佈線上層積著絕緣 膜。換句話說，即便在表面上具有凸丘之鋁佈線上形成絕 緣層，亦將呈現凸丘突穿的狀態，導致絕緣不良，並造成 與其他導電性薄膜間之接觸形成短路等現象的主要原因。 再者，將鋁或鋁合金使用於佈線材料，若使此佈線、與 屬於透明電極的ITO(氧化銦與氧化錫之合金）直接進行接 觸的話，將在接觸於ITO部分的鋁或鋁合金表面上將形成 變質層，結果，接觸部的接觸電阻便將提昇。 如前述，針對凸丘產生或變質層的形成，便有提案在鋁 或鋁合金層上層積著屬於高融點金屬的鉬或鉬合金層、鉻 層等不同種類金屬的層積型佈線。（譬如，日本專利特開平 9 - 1 27 5 5 5 號公報、特開平 1 0-25 65 6 1 號、特開 2000- 1 33635 號公報、特開200 1 -77098號公報、特開200 1 -3 1 1 954號公 報等。） 但是，當對層積膜施行濕式蝕刻處理之際，隨金屬種類 的組合搭配，便需要採用二種不同的蝕刻液，逐次對構成 層積膜的各層進行蝕刻處理等等事項，導致造成生產效率 極低的現象發生。此外，即便採用可同時對構成層積膜之 全部層進行蝕刻處理的蝕刻液，亦將隨屬於不同種類金屬 的層間接觸，而產生電池反應，造成較單層膜蝕刻時更快 的蝕刻速度等不同蝕刻現象發生。（譬如，SID CONFERENCE RECORD OF THE 1 994 INTERNATIONAL DISPLAY RESERCH CONFERENCE P424 等） 因此，金屬間的蝕刻速度將產生差異，而將產生下方金 8 312/發明說明書(補件)/92-05/92104193 200305635 屬層讓切（under cut)(下方金屬層的蝕刻速度較下方金屬層 爲之快速，而使上方金屬層形成突出屋簷狀態）、或上方金 屬側面蝕刻（上方金屬層較下方金屬層的蝕刻速度更快速 進行的狀態）現象發生。特別係讓切乃因爲經蝕刻後的層積 膜形狀將無法形成錐面狀，因此屋簷部分的閘絕緣膜（譬 如，SiN〇覆蓋將嫌不足，造成絕緣耐壓不良的現象發生。 相對於此，便有提案採用在由絕緣基板表面上所設置鋁 或鋁合金所構成的第1層上方，經添加由N、0、Si或C 中至少一者所構成雜質而所構成層積膜的層積型佈線。（譬 如，日本專利特開平1 1 -2 84 1 95號公報等）。 此種層積膜因爲製膜中所使用的金屬靶僅要一種便 可，因此具有優越的生產性。換句話說，此層積膜上的第 2層乃利用在經濺鍍處理等方法而所形成的金屬薄膜上， 導入如N2、〇2或C〇2等氣體的反應性濺鑛法、或採用與該 等相同氣體的電漿處理方法，而在表面上更形成如SiNx 或SiOx之類含Si的膜之後，再施行回火處理便可形成。 因爲藉由此第2層便防止前述凸丘現象的發生，可形成具 優越耐蝕性的層積膜，因此相較於採用不同種類金屬靶， 分別進行製膜的情況下，在經濟層面上頗具優勢。 【發明內容】 (發明所欲解決之問題） 一般針對此種層積膜中之第2層（譬如：氮化鋁、或氮化 鋁合金）的蝕刻液，可舉例如：氫氧化鈉水溶液若熱磷酸 等。此外，鋁或鋁合金的一般蝕刻液，已知有如：磷酸含量 9 312/發明說明書(補件)/92-〇5/921〇4193 200305635 70重量％以上、且含硝酸、醋酸的水溶液等。 但是，當採用氫氧化鈉水溶液等鹼性蝕刻液之情況時， 存在有利用微影技術而圖案化的光阻樹脂層將遭溶解的本 質性問題點。 此外，藉由上述一般鋁（或其合金）中所採用的蝕刻液， 對在由鋁或鋁合金所構成的第1層上，具有由含N、0、Si 或C中之至少其中一種的鋁或鋁合金所構成第2層的層積 膜進行蝕刻處理的話，便將產生層積膜間之蝕刻速度差較 大的問題。 換句話說，即便單層膜蝕刻時，因爲除第2層（上層）的 蝕刻速度較遲緩之外，更因爲隨採用此蝕刻液在層積膜間 產生電池反應，而使第1層（下層）的蝕刻速度變得更快速， 因而並無法在避免讓切的情況下進行蝕刻，頗難精度佳的 對所層積的上層與下層進行細微佈線形狀的蝕刻處理。 本發明乃有鑑於上述情事，便提供一種當在由低電阻値 的鋁或鋁合金所構成的第1層上，將含有如：N、〇、Si及C 中至少其中一種的第2層所構成的層積膜，當作佈線材料 使用之情況時，對此層積膜可利用單次的蝕刻處理，抑制 讓切（屋簷狀）的產生，可精度佳的控制細微佈線的蝕刻液 及蝕刻方法。 (解決問題之手段） 本發明者爲解決上述課題，遂進行深入探討。 結果意外的發現採用在含磷酸、硝酸的蝕刻液中，將聯 酸含量設定爲低於之前，並在特定成分組成範圍內者，便 10 發明說明書(補件)/92-05/921〇4193 200305635 可將此種層積膜利用單次的蝕刻處理，蝕刻爲標的之佈線 截面形狀。 換句話說，具體而言，此種層積膜的蝕刻處理，本發明 者乃藉由採用含磷酸35〜65重量％、含硝酸0.5〜15重量％ 的蝕刻液（最好爲含磷酸1〜1 5重量％、或含脂肪族或芳香 族磺酸及/或其鹽類0.1〜15重量％的蝕刻液）進行蝕刻處 理，便可利用單次的蝕刻處理，對此層積膜在抑制讓切的 情況下，蝕刻爲錐面狀等標的佈線截面形狀。 即，本發明之主旨乃依存於在由：含磷酸35〜65重量％、 含硝酸0.5〜15重量％的鋁或鋁合金所構成第1層上，具有 由至少含如.·Ν、0、Si及C中之其中一種元素的鋁或鋁合 金所構成第2層的層積膜用蝕刻液、及此用其之蝕刻方法。 【實施方式】 以下，詳細說明本發明。此外，爲求說明的簡化，屬於 本發明蝕刻液用途的層積膜中，由含如：N、0、Si及C中 至少其中一種元素的鋁或鋁合金所構成第2層，乃舉氮化 鋁或氮化鋁合金爲例進行說明。 本發明的蝕刻液，係至少含有磷酸、硝酸，且磷酸含量 35〜65重量％ (最好45〜55重量％)，而硝酸含量0.5〜15重量 % (最好3〜1 2重量％ )。 若磷酸含量過多的話，層積膜的蝕刻速度將變快速，氮 化銘或氮化銘合金（第2層）、與鋁或鋁合金（第1層）間的倉虫 刻速度差將變得更大，隨讓切的進行將使第2層產生屋簷 狀。此外，若磷含量過少的話，因爲蝕刻速度過低，因此 11 312/發明說明書(補件)/92-05/92104193 200305635 不符實用。 再者，硝酸乃當作氧化劑並作用於金屬的氧化反應，亦 具有溶解酸的機能。本發明蝕刻液中的硝酸含量，如同磷 酸含量對蝕刻特性具影響。換句話說，若硝酸含量過多的 話，雖對整體層積膜的蝕刻速度將變快速，但是第1層與 第2層間的蝕刻差將變得更大，隨讓切的進行將使第2層 出現屋簷狀。此外，恐將對光阻樹脂層造成損傷。另外， 若硝酸含量過低的話，蝕刻速度恐將過低。 然而在本發明的蝕刻液中，硝酸將緩和第2層與其正上 方光阻圖案層端面間的密接性，並促進蝕刻液對此層間的 滲透。換句話說，藉由適度提高與光阻進行接觸之第2層 的側蝕刻速度，而加速第2層的蝕刻速度，並可抑制隨讓 切而使第2層出現屋簷狀的傾向。 再者，本發明的蝕刻液乃藉由含有：醋酸、或脂肪族或脂 肪族磺酸及/或其鹽類，便可更加提昇機能。 藉由含有醋酸，便可提升屬於疏水性的光阻樹脂層，與 蝕刻液間之親和性。換句話說，主要利用基板表面上所存 在的光阻樹脂而細微圖案化，便可使蝕刻液輕易的滲透至 細微佈線構造的細部中，並均勻的施行蝕刻處理。 醋酸含量僅要隨所需的蝕刻面積比（基板上所存在的蝕 刻金屬面積、與隨光阻樹脂層而被遮罩面積間的比率）等而 適當決定的話便可，一般爲1〜15重量％，最好爲2〜10重 量％ 〇 再者，若取代醋酸而改爲採用脂肪族或脂肪族磺酸及/ 12 312/發明說明書(補件)/92-05/92104193 200305635 或其鹽類的話，當然並無特別醋酸的臭氣，並提昇對光阻 樹脂層的親和性，且該等之所以不同於醋酸乃因爲較難蒸 散，因此便可抑制蝕刻步驟中的蝕刻液組成及液性變化， 可同時達施行更穩定蝕刻處理的效果。此外，亦可並用醋 酸。 本發明中所採用的脂肪族或芳香族磺酸及/或其鹽類，乃 在磺酸基（-SChH)上鍵結著脂肪族碳氫基或芳香族碳氫基。 脂肪族碳氫基可舉例如：烷基、烯基、炔基等。芳香族碳 氫基則有如：苯基、萘基、甲苯基等。 在本發明中最好採用聚脂肪族碳氫基的脂肪族磺酸及/ 或其鹽類。此時，構成脂肪族碳氫基的碳原子數可爲任意， 僅要對蝕刻液具安定性話便可，可適當的選擇。具體而言， 最好爲碳數1〜1〇(尤以1〜4爲佳）的脂肪族碳氫基。 此碳氫基可爲飽和，亦可爲非飽和，此外可爲直鏈狀， 亦可爲環狀。其中，最好爲直鏈狀者，特別以直鏈狀飽和 碳氫基爲佳。具體而言，可舉例如：甲基、乙基、乙醯基、 正丙基、異丙基、丙烯基、正丁基、異丁基、丁烯基等， 其中最好爲甲基、乙基、正丙基等。 此外，此脂肪族碳氫基亦可具有取代基。取代基可爲任 意的取代基。具體而言，可舉例如：氫氧基、醚基、胺基、 鹵基、硝基、氰基、羰基、烷氧羧基、羧基、醛基、磺基 等。 本發明中所採用的脂肪族磺酸及/或其鹽類，最好爲如： 甲磺酸、乙磺酸、正丙磺酸、異丙磺酸、正丁磺酸、苯磺 13 312/發明說明書(補件)/92-05/92104193 200305635 酸及/或該等的鹽類等。其中尤以乙磺酸、甲磺酸及/或該 等鹽類爲佳，特別以甲磺酸及/或其鹽類爲佳。 本發明的蝕刻液中，脂肪族或芳香族磺酸及/或其鹽類的 含量，僅要隨基板上所存在的蝕刻金屬面積、與被光阻樹 脂層所遮罩面積間的比率而適當決定的話便可，一般爲 0.1〜15重量％’最好爲0.5〜10雷量％。 如同上述醋酸的情況，此脂肪族或芳香族磺酸及/或其鹽 類的含量，若過少的話，效果將嫌不足，將阻礙與基板表 面上之光阻樹脂層間的親和性，造成無法進行均勻蝕刻的 情況發生。反之，若含量過多的話，亦將造成對光阻樹脂 層形成損傷情況，甚至無法顯現出配合含量增加份的提昇 效果，在經濟層面上亦屬不利。 再者，本發明的蝕刻液，就從降低蝕刻液表面張力、或 縮小對基板表面的接觸角，俾提昇對基板表面的可濕性 (wet tabitity)，施行均勻的蝕刻處理之目的而言，亦可添 界面活性劑等。 本發明之蝕刻液中所存在的微粒，因爲恐將隨圖案尺寸 細微化而阻礙到均勻的蝕刻，因此最好預先予以去除。粒 徑0.5 μηι以上的微粒，最好在1〇〇〇個/ml以下。此種蝕刻 液可藉由採用精密過濾器將蝕刻液進行過濾而獲得。過濾 的方式雖可爲單向式，但就微粒去除效率之觀點而言，最 好爲循環式。 精密過濾器的孔徑可使用0 · 2 μιη以下者。此外，過濾器 的素材可採用如高密度聚乙烯、聚全氟乙烯等所有的氟系 14 312/發明說明書(補件)/92-05/92104193 200305635 樹脂素材等。 本發明之蝕刻液，乃在由鋁或鋁合金所構成第1層上， 具有由含有如：N、〇、Si及C中至少其中一種元素之由鋁 或鋁合金所構成第2層的層積膜用蝕刻液。 此時，第2層與第1層間之膜厚比（第2層膜厚/第1層 膜厚）並無特別的限制。其中，當對此膜厚比在1/10以上、 1 /1以下之層積膜施行蝕刻處理之際，因爲上述效果將較 爲顯著，故屬較佳狀況。 在由鋁或鋁合金所構成第1層上，具有由含有如：N、〇、 Si及C中至少其中一種元素之由鋁或鋁合金所構成第2層 的層積膜，可使用爲如液晶顯示裝置基板等表面上所設計 的佈線或閘極等。此種佈線、電極所採用的金屬材料，可 舉例如：以氮化鋁或氮化鋁合金層爲第2層之由鋁或鋁合 金層所構成的層積膜。 上述層積膜的第1層係由鋁或合金所構成。此乃意味著 其幾乎由鋁或鋁合金所構成，並非否定其他元素等雜質的 存在。此種雜質可如：S、Mg、Na、K等。但是，最好儘可 能的降低此種雜質，具體而言，在200ppm以下，其中尤 以Na或K對半導體元件特性恐將造成較大影響，因此最 好在20ppm以下。 再者，第2層乃由含如：N、0、Si及C中至少一種元素 的鋁或鋁合金所構成。藉由積極的含有此種其他的元素’ 便可防止第1層產生凸丘或變質等現象，而且因爲可利用 單一種類的靶金屬材料進行製膜，因此亦可達步驟簡化等 15 312/發明說明書(補件)/92-05/92104193 200305635 功效。第2層中的該等元素含量，雖爲任意，但是一般在 1原子（at) %以上，其中最好爲5at%以上，一般在45 at %以 下。 此層積膜之製造方法，僅要利用週知方法便可進行製 造。 本發明的蝕刻方法乃爲任意方法，僅要採用習知的週知 濕式蝕刻處理中所採用的機器、裝置的話便可。 譬如蝕刻對象的層積膜與蝕刻液間之接觸方法，可採用 對表面具有此層積膜的基板表面，從垂直方向等噴霧出蝕 刻液的方法（噴霧法），或使基板浸漬於蝕刻液中的方法（浸 漬法）。 特別係當採用噴霧法之際，考慮蝕刻液的液性（特別係指 黏性），而調節蝕刻基板與噴霧噴嘴間的距離，並決定供應 給基板表面之蝕刻液量以及對基板表面衝擊力之事，乃屬 重要的一環。此時，基板表面與噴霧噴嘴間之距離最好爲 5 0〜1 000mm。此外，本發明蝕刻液之噴嘴壓力乃爲 0.01 〜0.3MPa，最好爲 0.02〜0.2MPa，尤以 0.04〜0.15MPa 爲 佳，更以0.04~0.08MPa爲特佳。噴霧壓力若在0.08MPa以 下的話，第2層（如AINdN)的蝕刻速率將特別快速，結果 因爲與第1層間之蝕刻率比將變小，因此不僅可獲大幅改 善屋簷狀的效果，且亦將提昇蝕刻裝置的生產性，因此屬 於特別佳的狀況。另外，因爲藉由將噴霧壓力設定在 0.04MPa以上，便可使從噴霧噴嘴所噴出的液體變得更均 勻，而執行均勻的蝕刻處理，因此屬於特別佳的狀況。本 16 312/發明說明書(補件)/92-05/92104193 200305635 發明的噴霧壓力係指對噴霧噴嘴的蝕刻液供給壓力。藉由 依此噴霧壓力將鈾刻液噴霧於基板上，便可對基板表面施 加適當的力道，而執行均勻的蝕刻處理。 蝕刻液的噴霧形態（噴霧噴嘴形狀）係爲任意，譬如可爲 扇形或圓錐形。此外，噴霧時爲使基板表面整體可均勻接 受到蝕刻液，而在基板寬度方向與移動方向上配置著必要 數量的噴霧噴嘴，且最好使噴嘴進行搖晃。此外，在噴霧 著蝕刻液之時，亦可倂用基板本身的往返運動。 在本發明的蝕刻方法中，蝕刻液的溫度僅要利用一般的 蝕刻溫度（20〜60°C )進行適當選擇的話便可，其中就從提昇 蝕刻速度與蝕刻控制平衡的觀點而言，最好在4 0〜5 (TC下 進行。 在本發明的蝕刻方法中，蝕刻的進行狀態可採用任意的 監視機構。譬如針對在光穿透性基板（以下簡稱「基板」） 表面上，非屬形成光阻圖案部之部分（基板外圍部）、或光 阻圖案之輪廓部的蝕刻狀態，藉由連續測量穿透光量變 化，便可檢測出蝕刻量，並監視蝕刻進行狀態。 換句話說，因爲具有基板表面上非屬形成光阻圖案部分 的部分（基板外圍部），或者光阻圖案輪廓部之金屬薄膜層 開始溶解的時點’而使光穿透量產生急遽的變化，因此利 用此變化，便可檢測出蝕刻量。在本發明中，將開始蝕刻 起，直到此「穿透光量急遽變化」的終點檢測爲止所需的 時間，設定爲適當蝕刻時間（just etching time)。此終點譬 如可在施行蝕刻處理時，利用目測觀察應蝕刻部分的金屬 17 312/發明說明書(補件)/92-05/92104193 200305635 溶解而裸露出基板的時點而決定，亦可採用光量式（穿透光 量）自動檢測裝置，將當從基板的穿透光光量超過全穿透狀 態光量（基板上無任何物質狀態下的光穿透量）之0.1 %的時 點，設定爲終點。 所以，在本發明的蝕刻方法中，於終點檢測時點的基板 表面上，因爲存在金屬殘渣，因此最好施行過蝕刻。 在本發明的蝕刻方法中，最好將檢測出終點的時間當作 起點，更依相同的蝕刻條件，繼續施行具適當蝕刻同等 (100%)以上時間的蝕刻處理（100%以上的過蝕刻處理），才 完成蝕刻處理。其中，此過蝕刻處理所需的時間，最好在 適當蝕刻時間的150%以上、500%以下，尤以150%以上、 300%以下爲佳。 若過蝕刻時間過短的話，將產生殘留殘渣的情況；反 之，若過蝕刻時間過長的話，隨側蝕刻的處理將產生對層 積膜佈線等細微圖案的過度蝕刻，而使佈線等變爲較細 微，在當作裝置使用之際，將有喪失機能的現象發生。 再者，在一般施行濕式蝕刻之際，蝕刻液中的成分，將 被使用於構成層積膜的金屬蝕刻方面，或者進行蒸發，而 且在濕式蝕刻方法的情況時，將附著於基板上而被帶出於 蝕刻系統外。所以，因爲蝕刻液的各成分將減少，因此蝕 刻液組成將產生變化，並使金屬離子濃度（主要元素爲構成 層積膜的鋁等）上升。 特別係就生產性的觀點而言多所採用之利用噴霧法的 濕式蝕刻方法，將隨蒸發而減少揮發性成分，將有使酸濃 18 312/發明說明書(補件)/92-05/92104193 200305635 度明顯上升的傾向。 所以’本發明的蝕刻液，在相較於普通的鋁系蝕刻液（磷 酸濃度：70重量％以上）之下，因爲將屬於高沸點成分的磷 酸含量較低（3 5〜65重量％)，而相對性低沸點成分（水、醋 酸、硝酸）比率較高的蝕刻液，因此在使用本發明蝕刻液的 蝕刻方法中，將可施行更有效率的蝕刻處理，因此配合在 蝕刻步驟中產生蒸發的低沸點成分蒸發量之各低沸點成 分、以及隨蝕刻處理而附著於基板上並被帶出的蝕刻液等 等被帶出蝕刻系統外的成分，藉由連續或間歇性的進行補 充，便可穩定的進行蝕刻處理。 此時，在本發明的蝕刻方法中，當將蝕刻處理前之蝕刻 液中的總酸量設定爲A[meQ/g]之際，最好依總酸量爲 0·8Α〜1.5A[meq/g](最好爲 0.9A〜1.2A[meq/g])，且磷酸含量 35〜65重量％、硝酸含量0.5〜15重量％之方式，將隨蝕刻處 理而被消耗或被帶出蝕刻系統外的蝕刻液成分追加於蝕刻 液中後再施行蝕刻處理。在本發明中，所謂總酸量A係指 將蝕刻液1克中的總酸成份量，換算爲毫等量濃度[meQ/g] 的値。總酸量A的測量係從當將本發明蝕刻液利用鹼（譬如 氫氧化鈉等）進行中和之際所需的鹼成份量便可求得。 在本發明的蝕刻方法中，蝕刻液成分的補充方法可爲任 意方式，譬如下述所舉方法。 譬如預先決定蝕刻液補充組成或其量、補充時間點的方 法。蝕刻步驟中之低沸點成分（譬如醋酸或水等）的蒸發組 成，藉由將蝕刻液組成與蝕刻液溫度設爲一定而進行特 19 3 Π/發明說明書(補件)/92-05/92104193 200305635 定。此乃因爲隨初期蝕刻液的組成（原液）與蝕刻液溫度， 將成立氣液平衡關係。所以，蝕刻液的蒸發量（蒸發速度） 將依存於蝕刻系統內對蝕刻系統外的減壓度（對蝕刻系統 外的排氣量）等。所以，藉由考慮該等主要原因，預先求取 從蝕刻開始時點起的蝕刻液組成變化，藉此便可決定補充 液組成、補充量、及補充時間點。 再者，蝕刻步驟中的蒸發組成及蒸發量，乃因爲當蝕刻 條件（蝕刻液組成、液溫度等）設爲一定之際，採用現有的 濃度分析計便可計算出蝕刻液平均單位時間的濃度變化測 量値，因此可從此計算値預先求取補充液組成、補充量、 及補充時間點。 再者，其他的方法則有如：採用現有的濃度分析裝置，在 連續或間歇的監視蝕刻步驟中之蝕刻液組成情況下，根據 其分析結果而連續或間歇的補充蝕刻液成分之方法。 若在考慮依此而所計算出的各成分補充量之後，依相對 於鈾刻處理前的蝕刻液中之總酸量A[meQ/g]之下，總酸量 爲0.8A〜1.5A[meq/g](尤以0.9A〜1.2A爲佳），磷酸含量爲 35〜65重量％、硝酸含量爲0.5〜15重量％之方式，藉由連續 或間歇的補充蝕刻液成分倂施行連續蝕刻的話便可。所補 充的蝕刻液成分可利用每個單成分或混合液等任何方法進 行補充。 再者，因爲蝕刻液將附著於經蝕刻處理過的基板上，並 被夾帶出於蝕刻系統之外，因此隨蝕刻步驟的進行’蝕刻 系統內的蝕刻液量將減少。若蝕刻液量明顯減少的話’譬 20 312/發明說明書(補件)/92-05/92104193 200305635 如在噴霧式濕式蝕刻中，將產生蝕刻液供應泵的孔蝕 (cavitation)等現象，將導致頗難連續的執行穩定之濕式蝕 刻的情況。此時，蝕刻液槽等中所設置的蝕刻液加熱用加 熱器等將露出於液面之外，造成蝕刻液溫度控制不足的現 象發生。所以，最好適當的補充蝕刻液（原液），並將蝕刻 液系統內的蝕刻液量維持於依定範圍內的水準。 具體而言，譬如從蝕刻處理前後的平均基板重量變化， 或者被夾帶入蝕刻步驟後所接著施行水洗步驟中的酸濃 度，而預先計算出蝕刻處理基板片數，與被夾帶出蝕刻系 統外的蝕刻液量，並將其視爲蝕刻液量（原液）之補充量的 話便可。 依此的話，藉由調整蝕刻液中的各成分濃度或金屬濃 度，便可循環的利用蝕刻液，在經濟層面上亦具有優點。 所以，便可對氮化鋁或氮化鋁合金、以及鋁或鋁合金的 層積膜利用單次蝕刻處理，穩定且精度佳的進行標的之佈 線截面形狀無屋簷狀的均勻蝕刻處理。 再者，本發明的蝕刻液及蝕刻方法，除上述鋁或鋁合金 之外的低電阻金屬材料之外，譬如銀、鉬或其合金等亦屬 有效。 (實施例） 以下例示實施例更具體的說明本發明，惟本發明在不超 過其主旨之前提下，並不僅限於下述實施例。 (參考例） 對下層鋁的膜厚固定於200nm，而上層氮化鋁膜厚設定 21 3】2/發明說明書(補件)/92-05/92104193 200305635 爲25nm、35nm、45nm及55nm之互異的四個層積膜佈線試 料，採用習知一般的鋁或鋁合金用鈾刻液（由磷酸7 8.5重 量％、硝酸2.85重量％、及醋酸3.02重量％(其餘爲水）所構 成的蝕刻液）進行蝕刻處理。觀察蝕刻後的截面形狀（屋簷 長度），並測量形狀。結果如圖1所示。 氮化鋁層膜厚在20nm以上[即，上層氮化鋁與下層鋁間 的膜厚比率（上層氮化鋁/下層鋁）之値在1/10以上]的話， 屋簷長度將爲50〜60nm以上。如此對具有上層金屬（氮化鋁） 大幅逼出之屋簷狀的佈線，即便嘗試著藉由濺鍍處理等方 式而在其上形成絕緣膜，亦極難覆蓋著屋簷部。此種形狀 的佈線，已知在電特性方面雖無問題，但未具備足夠的絕 緣耐壓性，將產生絕緣耐壓性不良現象，同時將使生產良 率降低明顯化。 (實施例1〜7、比較例1、2) 在玻璃基板上藉由採用氬氣的濺鍍法，而形成膜厚 200nm之金屬薄膜層的AINd(鋁•鈸合金：鈸含量2at%)之 後，然後採用使用著氬+氮混合氣體的反應性濺鍍法，而 在AINdN/AINd表面層之上層連續製成膜厚50nm的 AlNd(氮化鋁•鈸合金）膜，而形成AINdN/AINd層積膜。上 層AINdN膜的氮組成設定爲約30at%。 然後，再於其上旋塗上正型光阻樹脂層（約1.5 μπι)，並將 此利用微影技術而形成細微佈線圖案。光阻圖案的寬度約 5 μΐΉ。 將此基板經裁剪爲寬約10mm、長度50mm者，當作蝕刻 22 312/發明說明書(補件)/92-05/92104193 200305635 測試用試料使用。 採用磷酸（85重量％)、硝酸（70重量％)、醋酸（冰醋酸）及 純水，依形成表1所示組成之方式，混合著各成分而調整 蝕刻液。在200ml燒杯中裝入蝕刻液200g，並調溫爲表1 之既定溫度。在其中浸漬上述蝕刻測試用試料，一邊將試 料進行上下左右搖晃一邊進行蝕刻處理。 適當蝕刻時間係設定爲從鈾刻開始時點起至終點爲止 的時間。終點係利用目視觀察基板上應蝕刻部分的金屬溶 解出並露出基板（透明化）的時點，並以此當作終點。 再者，既定的過蝕刻時間乃利用適當蝕刻時間與經過蝕 刻所進行蝕刻的量（過蝕刻量），經適當計算後決定。 既定時間的過蝕刻結束後，便取出試料，利用純水（日本 彌麗鮑亞公司產製：彌麗QSP)洗淨1分鐘後，再採用潔淨 空氣進行風乾。 經蝕刻後之基板表面狀態的觀察係採用以下裝置①、② 而進行的。 ① 光阻樹脂層的狀態觀察（膨潤、龜裂等之有無）： 雷射顯微鏡（汽妍斯公司產製VK-8500) ② 佈線形狀觀察（屋簷狀態、電極周圍部殘留程度）： 掃描型電子顯微鏡或聚焦離子束加工觀察裝置（FIB)- SEM(日立製作所 FB-2000A 及 C-4100) 此外，在觀察佈線形狀之際，將基板表面上的光阻樹脂 層利用丙酮進行溶解而去除。圖2所示係佈線截面形狀 例。a係指絕緣性基板，b係指第1層金屬薄膜（譬如鋁或 23 312/發明說明書(補件)/92-05/92104193 200305635 鋁合金），c係指第2層金屬薄膜（譬如氮化鋁或氮化鋁合 金）。 評估結果如表2中所示。從表2中得知下述事項。即， 得知在比較例1所示習知蝕刻液中，由氮化鋁合金及鋁合 金所構成層積膜頗難在迴避屋簷狀產生的前提下進行蝕刻 處理，相對於此，依照本發明之蝕刻液以及蝕刻方法的話， 便可獲得將屋簷狀抑制至最小極限，同時不致使光阻產生 變質，而且亦不致在電極周圍部產生蝕刻殘渣的優越效 果。此外，在各實施例及比較例中，當改變蝕刻液溫度而 進行實驗的情況時，適當蝕刻時間雖隨蝕刻液溫度的不同 而有所不同，但是當上述基板表面的狀態觀察均屬相同結 果的情況時，便將其評估描述統籌整理爲記載爲一個。此 在以下實施例及比較例中均同。 (實施例8〜1 2、比較例3) 將具有如同實施例1中所使用相同層積膜的基板，採用 噴霧式連續蝕刻裝置，依照表3所示條件進行處理。 噴霧式連續蝕刻裝置係包括有下述步驟：採用光量式（穿 透光量）自動檢測裝置，檢測出金屬薄膜之適當蝕刻時間 [當來自基板的穿透光量變爲總穿‘透狀態光量（基板上無任 何物質狀態下的光穿透量）之0.1 %的時點]之蝕刻第1步 驟；接著施行既定過蝕刻處理的蝕刻第2步驟。在本步驟 結束之後，便利用氣刀將基板上的蝕刻液予以去除，之後 再利用純水將基板表面的蝕刻液完全洗淨去除（洗淨步 驟）。此外，噴霧噴嘴係在全部的步驟中，相對於基板的水 24 312/發明說明書(補件)/92-〇5/921〇4193 200305635 平搬送方向進行垂直方向的搖晃。 其次，將經上述蝕刻處理完成後的基板，採用連續光阻 剝離裝置，剝離基板上的光阻之後，再採用濺鍍法在基板 佈線上形成3 00nm的SiN絕緣膜，並測量絕緣膜的耐電壓 (基板內1 8個點）。 耐電壓的測量結果，如表4所示。各耐電壓値係將採用 比較例3之蝕刻液施行蝕刻加工情況下的値當作1，而所 規格化後的數値。從表4中得知下述事項。β卩，依照本發 明的蝕刻液及蝕刻方法的話，因爲佈線截面形狀已獲明顯 改善，因此SiN絕緣膜的耐電壓特性在相較於習知技術（比 較例3)之下，獲得明顯提昇的優越效果。 如同實施例1，蝕刻後的電極截面形狀之觀察結果，在 實施例8〜12的屋簷狀逼出均在30nm以下。特別係實施例 8〜9幾乎無出現屋簷的錐面狀。此外，比較例3則發現到 100nm的屋篇逼出。 (實施例 13、14、15) 除在如同實施例1與實施例4相同的磷酸濃度、硝酸濃 度中，依形成甲磺酸爲2.5重量％、及1.25重量％之方式進 行添加之外，其餘均如同實施例1〜7，進行蝕刻處理。觀 察蝕刻後的佈線形狀，並進行評估。表5所示係蝕刻條件， 表6所示係評估結果。 從表6結果得知，可提供替代醋酸之具有無蝕刻特性優 先順序差異的優越效果，同時無醋酸特有臭氣的蝕刻液。 (實施例16) 25 312/發明說明書(補件)/92-05/92104193 200305635 準備複數片如同實施例1中所使用具有相同層積構造的 玻璃基板，並採用如同實施例1 2之蝕刻液、蝕刻條件（蝕 刻液溫度、噴霧壓力等）、以及噴霧式連續蝕刻裝置進行蝕 刻處理。在此連續鈾刻處理之前，從蝕刻液組成、蝕刻液 溫度等之中，依蝕刻液中的總酸量相對蝕刻開始前之蝕刻 液中總酸量A，在0·9Α〜1.2A範圍內之方式，預先決定蝕 刻液補充液組成、補充時間點、以及補充量。補充液組成 係設定爲硝酸/醋酸/水=6.6/9.0/84.4 [重量％]，補充量設定 爲 1.5 升 /hr 。 補充的時間點係此補充液的補充量爲平均單位時間補 充量爲上述補充量（1.5升/hr)之方式，每隔一定時間便間歇 性的對蝕刻系統內進行補充，並在控制著蝕刻液中的總酸 量之情況下，施行連續蝕刻處理。此外，經蝕刻處理過的 基板，依如同實施例1 2相同的方法進行評估。 再者，爲使不致蝕刻液供應泵的孔蝕或蝕刻液槽內的加 熱器裸露現象等因液面降低而對噴霧造成阻礙，便適當的 補充蝕刻液（原液），俾將蝕刻系統內的蝕刻液量維持於一 定範圍內。原液的補充時間點爲蝕刻開始後的第1 8小時與 第62小時。 圖3與圖8所示係補充液的補充時間點、及蝕刻處理經 過時間的蝕刻液中總酸量變化。 再者，蝕刻處理經過時間中的蝕刻液特性（蝕刻速度）， 即蝕刻結束時所需的總時間（總蝕刻時間）比率變化，如圖 4與表9中所示。其中，所謂「總蝕刻時間」係指適當蝕 26 312/發明說明書(補件)/92-05/92104193 200305635 刻時間與過蝕刻時間的總計。所謂「總蝕刻時間比率」係 指蝕刻開始後的各時點中之總蝕刻時間，與鈾刻開始前之 蝕刻液時所具有的總蝕刻時間比（總蝕刻時間/蝕刻開始前 的總蝕刻時間）。 從圖3、圖4、表8及表9中得知，依照本蝕刻方法的話， 藉由補充著蝕刻補充液，而將蝕刻液中的總酸量設定於適 當範圍，藉此便可控制蝕刻速度，並長時間穩定的實施標 的之蝕刻處理。 再者，經補充蝕刻補充液後的蝕刻液組成之分析結果， 幾乎復原爲初期的蝕刻液組成。此外，如同實施例1，蝕 刻後的電極截面形狀之觀察結果，屋簷狀的逼出在全部處 理時間中，全部被控制到30nm以下。由此得知本發明之 蝕刻液及蝕刻方法的優越性。 再者，採用已分別將AINdN與AINd形成膜厚200nm的 基板，測量實施例4之蝕刻液的蝕刻速率及速率比，結果 如表7所示。AINdN的氮組成爲30at %。 由表7中明顯得知，在噴霧壓力0.04〜0.12MPa範圍內， 噴霧壓力較低者的第2層（AINdN)蝕刻速率將較快速，結果 蝕刻速率比將變小。 此顯示不僅獲得大幅改善屋簷狀的效果，同時亦提昇蝕 刻液裝置的生產性。由此結果得知，噴霧壓力最好在 0.08MPa以下。此外，藉由噴霧壓力在〇.〇4MPa以上，便 可從噴霧噴嘴所噴出的液體擴散均勻，可施行均勻的蝕刻 處理，因此屬較佳狀況。 27 312/發明說明書(補件)/92-05/92104193 200305635 在上述實施例中，蝕刻測試用試料乃依下層第1層金屬 薄膜AINd膜厚20 0nm、第2層金屬薄膜AINdN之氮化度 〇.6(氮組成30at%)且膜厚50nm的條件進行製作，但是本發 明的效果不僅限於此。 第2層金屬薄膜的AINdN膜乃爲提昇耐藥液性、膜表面 的硬度強化、抑制產生凸丘、以及抑制在與ITO間的接觸 面處產生擴散反應層而所設置的，在爲獲得該等效果之 下，可將此氮化度設定於0.1〜0.9(氮組成5〜45at%)範圍內。 氮化度的控制係當採用濺鍍法的情況時，便藉由改變氬與 氮之混合氣體中的該等比率，便可輕易的執行控制。此外， 爲獲得相同的效果，最好將AINdN膜厚設定在5nm以上。 相關AINdN膜厚的上限値，特別就本發明的效果而言， 並無較大的限制，可配合所需的佈線電阻値而進行設定。 譬如利用本蝕刻測試用試料，所製成的氮化度0.6(氮組成 30at%)之第2層金屬薄膜AINdN膜的電阻率値約60// Ω ·cm，約爲下層的第1層金屬薄膜AINd膜的10倍。此情 況下，爲亦不致損及鋁合金所擁有低電阻的優越特徵，最 好大致使AINdN與AINd的膜厚比率（AINdN/ AINd)不致超 過1 0 再者，第2層金屬薄膜氮化鋁之製法，並不僅限於反應 性濺鍍，其他的例子，可爲如：在製成鋁層之後，對表面施 行氮電發處理等離子氮化法、或利用氮環境中的回火處理 等而形成。 再者，添加於第2層金屬薄膜中的元素不僅限於n(氮）， 28 312/發明說明書(補件)/92-05/92104193 200305635 即便添加Ο、s i、及C的情況下，同樣的仍可獲得本發明 之效果。 【表1】
表1實施例1〜7、比較例1、2的鈾刻液組成與處理溫度 磷酸 [w t % ] 硝酸 [w t % ] 醋酸 [w t % ] 水 [w t % ] _ 處理溫度 [°C ] 實 施 例 1 50.0 5.0 2.5 42 J_ 40 、 45 、 49 2 50.0 5.0 10.0 35.0___ 40 、 45 、 49 3 50.0 7.5 2.5 40.0 40 、 45 、 49 4 50.0 10.0 2.5 37.5 _ 40 、 45 、 49 5 57.0 5.5 2.2 3 5.3 _ 40 、 45 、 49 6 54.8 10.4 2.3 32.5 40 、 45 、 49 7 65.0 9.4 3.4 22.2 40 ' 45 、 49 比 較 例 1 78.5 2.85 3.02 15.63 40 2 50.0 17.5 15 17.5 40 、 45 、 49
表2電極部之屋簷、電極部周圍殘留及光阻狀態評估結果 過蝕刻=1 0 0 % 過蝕刻=1 5 0 % 光阻狀 態 屋簷狀 態 殘留狀 態 屋簷狀 態 殘留狀 態 實 施 例 1 ☆ 〇 ☆ 〇 〇 2 ☆ 〇 ☆ 〇 〇 3 ◎ 〇 ◎ 〇 〇 4 ◎ 〇 ◎ 〇 〇 5 ◎ 〇 ◎ 〇 〇 6 ◎ 〇 ◎ 〇 〇 7 〇 〇 〇 〇 〇 比 較 例 1 X 〇 X 〇 〇 2 ☆ X ☆ X X
屋簷狀態（長度）： x=60nm 以上、〇=30 〜60nm、（§):10 〜30nm、☆:低於 10nm 312/發明說明書(補件)/92-05/92104193 29 200305635 電極部周圍殘留狀態： 〇=無、X =有 光阻狀態： 〇=無變化、X =產生膨潤、龜裂現象 【表3】 表3實施例8〜12、比較例3噴霧式連續蝕刻條件 蝕刻液 蝕刻條件 磷酸 [w t % ] 硝酸 [w t % ] 醋酸 [w t % ] 水 [w t % ] 溫度 [°C ] 噴霧壓力 [MPa] 過蝕刻量 m 實 施 例 8 50 5 2.5 42.5 40 0.05 200 9 45 0.05 250 10 49 0.05 200 11 50 10 2.5 37.5 45 0.05 250 12 49 0.05 200 比 較 例 3 78.5 2.85 3.02 15.63 40 0.15 90 【表4】 表4實施例8〜12、比較例3耐肩壓測量結果 耐電壓（以比較例3之數値爲1) 平均値 最小値 最大値 實 施 例 8 1.5 1 1.75 1.16 9 1.69 2.01 1.24 10 1.41 1.55 1.18 11 1.39 1.74 1.15 12 1.33 1.58 1.3 0 比 較 例 3 1.00 1.00 1.00 【表5】 表5實施例1 3〜1 5之蝕刻液組成與處理溫度 磷酸 [w t % ] 硝酸 [w t % ] 甲磺酸 [w t % ] 水 [w t % ] 處理溫度 [°C 1 實 13 50.0 5.0 2.5 42.5 40、 45、 49 施 14 50.0 10.0 2.5 37.5 40 、 45 、 49 例 15 50.0 10.0 1.25 38.75 40 、 45 、 49 312/發明說明書(補件)/92-05/92104193 30 200305635 【表6】 表6電極部之屋簷、電極部周圍殘留及光阻狀態評估結果 過蝕刻=100% 過蝕刻=1 5 0 % 光阻狀態 屋簷狀態 殘留狀態 屋簷狀態 殘留狀態 實施例 13 ☆ 〇 ☆ 〇 〇 14 ◎ 〇 ◎ 〇 〇 15 ◎ 〇 ◎ 〇 〇 屋簷狀態（長度）: x=60nm 以上、〇=30〜60nm、〜30nm、☆:低於 10nm 電極部周圍殘留狀態： 〇=無、X =有 光阻狀態： 〇=無變化、X =產生膨潤、龜裂現象 【表7】 表7蝕刻速率及蝕刻速率比之評估結果 蝕刻速率（nm/分） 蝕刻速率比 (AINd/AINdN) 第 2 層（AINdN) 第 1 層（AINd) 0.04MPa 28.5 184.0 6.45 0.06MPa 25.9 173.1 6.68 0.08MPa 26.8 18 1.4 6.77 0· lOMPa 24.0 189.0 7.87 0.12MPa 24.2 183.9 7.59 (蝕刻條件係液組成：磷酸50wt%、硝酸10wt%、醋酸 2.5wt%、液溫 49°C ) 31 312/發明說明書(補件)/92-05/92104193 200305635
處理時間* 1 總酸量 總酸量比 [hr] [meg/g] Μ 0 12.331 1 17 13.589 0.02381 18 12.589 1.020923 29 13.406 1.087179 29 12.546 1.017436 42 13.378 Γ 1.084908 42 12.546 1.017436 5 1 13.34 1.081826 5 1 12.548 1.017598 61 13.243 1.07396 62 12.493 1.013138 71 13.172 1.068202 71 12.501 1.013786 8 1 13.223 1.072338 * 1 :在劃底線的時點，進行補充液的補充，並測量補充前後 的總酸量。 (無劃底線的欄位表示補充液補充前的數値） 【表9】 處理時間* 1 總酸量 總酸量比 [hr] [meq/g] Μ 0 12.331 1 17 13.589 0.74 18 12.589 0.91 29 13.406 0.75 29 12.546 0.93 42 13.378 0.75 42 12.546 0.93 51 13.34 0.76 51 12.548 0.92 61 13.243 0.77 62 12.493 0.94 71 13.172 0.78 7 1 12.501 0.94 81 13.223 0.77 * 1:在劃底線的時點，進行補充液的補充，並測量補充前後 的總酸量。 32 312/發明說明書(補件)/92-05/92104193 200305635 (無劃底線的欄位表示補充液補充前的數値） (發明之效果） 經上述所詳述，依照本發明之鈾刻液及蝕刻方法的話， 當對在由鋁或鋁合金所構成的第1層上，具有由含有N、 〇、S i、及C中至少一種元素的鋁或鋁合金所構成第2層 的層積膜施行蝕刻處理之際，藉由採用含特定量之磷酸、 硝酸的蝕刻液，便可僅依單次蝕刻，而同時對構成層積膜 雙方的膜蝕刻，而且可防止上方層積膜產生凸丘現象。 換句話說，因爲可對由具優越電特性之低電阻層積膜所 構成的佈線材料，穩定且精度佳的施行均勻蝕刻處理，因 此可提供低成本且可靠性較高的佈線，並可依低成本提供 可靠性較高的液晶顯示裝置。 【圖式簡單說明】 圖1爲氮化鋁/鋁層積膜之蝕刻處理中，氮化鋁膜厚與屋 蒼長度間之關係圖。 圖2爲佈線之截面形狀圖。 圖3爲蝕刻處理時間變化中，蝕刻液中的總酸量比率變 化過程圖。 圖4爲蝕刻處理時間變化中，總蝕刻時間比率的變化過 程圖。 (元件符號說明） a 絕緣性基板 b 第1層金屬薄膜 c 第2層金屬薄膜 33 312/發明說明書(補件)/92-05/92104193
Claims (1)
- 200305635 拾、申請專利範圍 1. 一種蝕刻液，係磷酸含量35〜65重量％、硝酸含量〇.5 〜1 5重量％的蝕刻液，乃爲在由鋁或鋁合金所構成的第1 層上，具有由含N、0、Si及C中至少一種元素的鋁或鋁 合金所構成第2層的層積膜用的蝕刻液。 2. 如申請專利範圍第1項之鈾刻液，係更含有醋酸，而 醋酸含量係1〜1 5重量％。 3. 如申請專利範圍第1或2項之蝕刻液，其中，上述第 2層與第1層間之膜厚比（第2層膜厚/第1層膜厚）係在1/10 以上、1 /1以下。 4. 一種蝕刻方法，係對在基板面上所設置之在由鋁或鋁 合金所構成的第1層上，具有由含N、0、Si及C中至少 一種元素的鋁或鋁合金所構成第2層的層積膜施行蝕刻處 理的蝕刻方法，其特徵在於：採用至少含有磷酸、硝酸，且 磷酸含量35〜65重量％、硝酸含量0.5〜15重量％的蝕刻液。 5 .如申請專利範圍第4項之蝕刻方法，其中，蝕刻液係 更含有醋酸，而醋酸含量係1〜15重量％。 6. 如申請專利範圍第4或5項之蝕刻方法，其中，上述 第2層與第1層間之膜厚比（第2層膜厚/第1層膜厚）係在 1 /1 0以上、1 /1以下。 7. 如申請專利範圍第4或5項之蝕刻方法，係在適當蝕 刻結束後，再施行適當蝕刻時間之100〜500%的過蝕刻處 理。 8·如申請專利範圍第6項之蝕刻方法，係在適當蝕刻結 34 312/發明說明書(補件)/92-05/92104193 200305635 束後，再施行適當蝕刻時間之1 ο 〇〜5 0 0 %的過蝕刻處理。 9 ·如申請專利範圍第4或5項之蝕刻方法，其中，層積 板係設置於基板表面上，且從噴嘴端部距基板表面間之最 短距離爲50〜1000mm的噴霧噴嘴，依噴霧壓力〇.〇1〜〇.3MPa 將蝕刻液供應給基板表面，並使蝕刻液與基板表面進行接 觸而施行蝕刻處理。 1 0 ·如申請專利範圍第6項之蝕刻方法，其中，層積板係 設置於基板表面上，且從噴嘴端部距基板表面間之最短距 離爲50〜1000mm的噴霧噴嘴，依噴霧壓力〇.〇1〜〇.3MPa將 蝕刻液供應給基板表面，並使触刻液與基板表面進行接觸 而施行蝕刻處理。 1 1 ·如申請專利範圍第7項之蝕刻方法，其中，層積板係 設置於基板表面上，且從噴嘴端部距基板表面間之最短距 離爲50~ 1 000mm的噴霧噴嘴，依噴霧壓力〇.〇1〜〇.3MPa將 蝕刻液供應給基板表面，並使蝕刻液與基板表面進行接觸 而施行蝕刻處理。 1 2.如申請專利範圍第1項之蝕刻液，係含有脂肪族或芳 香族磺酸及/或其鹽類0.1〜15重量％。 1 3 .如申請專利範圍第1 2項之蝕刻液，其中，脂肪族或 芳香族磺酸及/或其鹽類係碳數1〜1〇之烷基磺酸及/或其鹽 類。 1 4 . 一種蝕刻方法，係採用申請專利範圍第1 2或1 3項之 蝕刻液。 1 5.如申請專利範圍第4或5項之蝕刻方法，係相對於蝕 35 312/發明說明書(補件)/92-05/92104193 200305635 刻前之蝕刻液中的總酸量A [ m e q / g ]，依形成總酸量爲 0.8A〜1.5A[meq/g]、磷酸含量35〜65重量％、硝酸含量0.5〜15 重量％之方式，在蝕刻液中追加隨蝕刻處理而被消耗或被 夾帶出蝕刻系統外的蝕刻液成分並施行蝕刻處理。 1 6.如申請專利範圍第1 5項之蝕刻方法，係將隨鈾刻處 理而被消耗或被夾帶出蝕刻系統外的蝕刻液成分，以單獨 或混合液之方式，連續或間歇式的補充於蝕刻系統內。 1 7 .如申請專利範圍第1 5項之鈾刻方法，係在採用濃度 分析計連續或間歇式的監視著蝕刻步驟中的蝕刻液組成之 情況下，將其組成分析結果進行回饋之後，再連續或間歇 式的供應補充液。 36 312/發明說明書(補件)/92-05/92104193
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