TW200304966A - - Google Patents

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TW200304966A
TW200304966A TW92104308A TW92104308A TW200304966A TW 200304966 A TW200304966 A TW 200304966A TW 92104308 A TW92104308 A TW 92104308A TW 92104308 A TW92104308 A TW 92104308A TW 200304966 A TW200304966 A TW 200304966A
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Description

200304966 (1) 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明是關於半導體積體電路（1C)裝置的製造之矽 晶圓的電解銅金屬化的方法，成分以及添加劑。 【先前技術】 製造半導體1C裝置如有高電路速度，高封裝密度及 低功率浪費的電腦晶片之需求在超大型積體及大型積體結 β 構上外在尺寸要求向下縮小。更小晶片尺寸及漸增的電路 密度的傾向需要因爲增加互接電阻及有關如電致遷移的可 靠度的關係嚴重地使結構的整個效能不利的互接特性最小 傳統上，此結構已將鋁及鋁合金用作以二氧化矽當作 電介質金屬在矽晶圓上金屬化。通常，開口係在金屬化後 以孔及槽的形狀在電介質中形成以形成互接。漸增的最小 化正減少開口至次微米大小（如，0.5微米且更小）。 ® 爲達成裝置進一步的最小化，已導入銅取代鋁當作在 晶片上形成連接線及互接之金屬。銅金屬化係在形成互接 後形成。銅有較鋁低的阻抗且同阻抗的銅線厚度可較鋁線 薄。因此，以銅爲基礎的互接在此裝置的組裝上象徵未來 趨勢。 銅可由電鍍（如無電及電解），噴鍍，電漿氣相沈積 (PVD )，及化學氣相沈積（CVD )而沈積於基底上。一 般認爲電化沈積是將銅用至該裝置的最佳方法，因爲它可 -6- (2) (2)200304966 提供高沈積率及低工具花費。然而，電鍍法必需符合半導 體工業迫切的需要。例如，銅沈積必需是均勻且能夠完美 無瑕地塡入裝置極小的溝及孔。電鍍處理也必需能夠被控 制以致於縮小處理變化。自酸銅鍍浴的銅沈積在電子工業 中被認可當作將候選導至銅板積體電路裝置。 通常，銅電鑛包括使用能用盡的銅極或不溶的陽極藉 由電解作用將銅層沈積於表面上。 不管用以沈積銅於基底表面雜質上的方法也許是用銅 · 及導入其它形態缺陷的共沈積。在1C製造中不呈現雜質 粒子在電解液中而許多雜質也許在電鍍作業期間產生陽極 沈殿物形成。 不利地影響經沈積銅的導電性的其它微小缺陷係源自 內部空洞以及有助於經沈積銅自包括漥及溝的外表的壁的 分離之空洞。 【發明內容】 ® 所以，本發明的目的是提供一種電鍍銅以塡充積體電 路裝置的次微米特性有更少缺陷及經改進的表面形態之方 法及成分。 所以，簡言之，發明是針對電鍍銅沈積物於具有次微 米大小特性的半導體積體電路裝置基底上。該方法包括將 基底浸入包括離子銅的電鍍浴及有效量的缺陷減少劑中； 以及自該鍍浴電鍍銅沈積物於基底上以塡充次微米大小的 凹凸。自高塡充的突出缺陷的發生，表面粗糙度，及由於 -7- (3) (3)200304966 不均勻長晶的空洞被減少，且改進了遍佈晶圓的巨觀平坦 性（macro-scale planarity) 〇 在另一觀點，發明是針對製備電鍍銅沈積物於具有次 微米大小特性的半導體積體電路裝置上之銅電鍍浴的濃縮 液。該濃縮液有減少自高塡充的突出缺陷的發生，表面粗 糙度，及由於不均勻長晶的空洞，且改進遍佈晶圓的巨觀 平坦性之缺陷減少劑。 【實施方式】 根據本發明，一種化合物被倂入有減少微小缺陷的形 成的效果之電鑛浴。經沈積銅的某些缺陷可能由於銅結晶 區域性不均勻的長晶而發生。申請人相信，沈積後形成的 其它缺陷可助於沈積物的長晶及再結晶。特別是，有源自 長晶之量volume的改變，量變產生應力導致的缺陷。這 些量變也引起沈積物自構成缺陷的孔及溝壁的分離的程度 。而且隨著消除晶粒邊界，再結晶造成自發性內部空洞。 高塡充在由消除劑及加速劑構成的兩添加劑系統建立 的特性內是快速自下而上沈積。通常由兩部分系統建立的 自下而上塡充有在外表上形成凸塊或突出表面缺陷的趨勢 。本發明包括抑制此類缺陷成型的第三構成要素。此抑制 的機制是以藉由在經加速成長率的地區更強力的壓制沈積 物而達成的整平爲基礎。 不是所有有此整平壓制能力的減少劑都能減少在此所 述的多類缺陷。某些類別的化合物在此已被鑑定以減少多 -8- (4) (4)200304966 類缺陷。 也已注意到加到電鍍浴的這些整平化合物有藉由抑制 ，或至少減緩，沈積物的再結晶的速率而降低空洞的效果 。發明的缺陷減少劑成分是脂肪酸醯胺或聚合異環氮。在 任一例中，它是選擇自可溶於銅電鍍浴，在電解狀況下保 持它們的功能性，且在電解狀況下不產生有害的副產品， 至少不是立即也不是隨後馬上，這樣的化合物。 適合的缺陷減少劑的一範例是苯甲氯及羥乙基聚乙烯 亞胺的反應產物（來自紐約，Rensselear的BASF公司在 商標名 Lupasol SC 61B下可得）。 進一步適合的缺陷減少劑是1 -氯甲基萘及羥乙基聚乙 烯亞胺的反應產物（來自紐約，Rensselear的BASF公司 在商標名LupasolSC61B下可得）。聚乙烯基啶及它們的 四級鹽，以及聚乙烯基唑及它們的鹽也適合。 如上述，發明的缺陷減少劑有藉由抑制，或至少減緩 ，沈積物的再結晶的速率而降低空洞的效果。退火之後， 且甚至缺乏特定經提升的溫度退火操作中，經沈積銅的各 個晶粒有再結晶並成長的趨勢。圖1示例此長晶，在經電 鍍沈積的橫截面而不用發明的缺陷減少劑中可見到大的晶 粒。如在圖2，3及4中可見，漸增發明的缺陷減少劑的添 加劑量減緩大晶粒的成型。這些圖形的沈積物在鎪浴中分 別是以發明的缺陷減少劑的1.5 ml/L，2.0 ml/L，及5·0 ml/L做的。由減緩再結晶及長晶率，相信內壓在再結晶 及長晶期間被減少，該壓力有顯示它們自己當作內部void (5) (5)200304966 的趨勢。因此，減少整個內部空洞。 發明的缺陷減少劑的觀點是它較在不用減少劑同樣條 件下做的沈積物的氯化物含量增加銅沈積物的整個氯化物 含量。使用發明減少劑的沈積物的整個氯化物含量是，例 如，至少大約2.0 X 1019atom/cm3。在不同的實施例中，如 較在不用減少劑同樣條件下做的沈積物的氯化物含量是小 於大約1.5 X 1019atom/cm3，使用發明減少劑的沈積物的整 個氯化物含量是，例如，至少大約4.0 X 1019atom/cm3。在 一實施例中，沈積物的整個氯化物含量是在大約4.0 X 1019atom/cm3及大約25 X 1019atom/cm3之間。在另一實施例 中，經提升的氯化物含量是大於大約1 X 1019atom/cm3，它 在不用減少劑相同條件下大於比較的沈積物。實驗結果展 現包括2.0 ml/L的缺陷減少劑在電鍍浴中將氯化物含量自 不用減少劑的0.34 X 1019atom/cm3增加到用減少劑的5.18 X 1019atom/cm3。在用不同鍍浴成分的其它鍍浴及不同沈積 參數中，包括2.0 ml/L的缺陷減少劑在鍍浴中將氯化物含 量自不用減少劑的1.07 X 1 019atom/cm3增加到用減少劑的 18.0 X 1019atom/cm3，以及自不用減少劑的〇·17 X 1 019 a t 〇 m / c m3增加到用減少劑的11 · 6 X 1 019 a t 〇 m / c m3。更在 用不同鍍浴成分的其它鍍浴及不同沈積參數中，在各別的 實驗中包括1.0 ml/L的缺陷減少劑在鍍浴中將氯化物含量 自不用減少劑大約〇· 1 X 1019atom/cm3增加到用減少劑的〇·9 X 1 019at〇m/cm3，1 ·〇 X 1 019atom/cm3，1 ·2 X 1 019atom/cm3以 及 3.0 x 1019atom/cm3 0 (6) (6)200304966 在另一觀點中，發明的缺陷減少劑被觀測以較在不用 減少劑相同條件下做的沈積物增加銅沈積物的整個氮含量 。使用發明減少劑的沈積物的整個氮含量是，例如，至少 大約1.0 X 1018atom/cm3。在一實施例中，沈積物的整個氮 含量是在大約 1.0 X 10I8atom/cm3 及大約 4.0 X 1018atom/cm3 之間。實驗結果展現包括2.0 ml/L的缺陷減少劑在電鍍浴 中將氮含量自不用減少劑的0.13 x 1018atom/cm3增加到用 減少劑的1.11 X 10I8atom/cm3。在用不同鍍浴成分的其它 鍍浴及不同沈積參數中，包括2.0 ml/L的缺陷減少劑在鍍 浴中將氮含量自不用減少劑的0.53 X 1018atom/cm3增加到 用減少劑的4.81 X 1018atom/cm3，以及自不用減少劑的0.21 X 1018atom/cm3增加到用減少劑的 2.13 X 1018atom/cm3。 發明的缺陷減少劑也相信較在不用減少劑相同條件下 做的沈積物增加銅沈積物的整個硫含量。沈積物的整個硫 含量是，例如，至少大約3.0 X 1018atom/cm3。在一實施例 中，沈積物的整個硫含量是在大約3.0 X 1018atom/cm3及大 約15.0 X 1018atom/cm3之間。更在另一實施例中，如較不 用減少劑同樣條件下做的沈積物小於大約1.0 X 1018atom/cm3，沈積物的整個硫含量是至少大約1.5 x 1018atom/cm3。實驗結果展現包括2.0 ml/L的缺陷減少劑在 電鍍浴中將硫含量自不用減少劑的0.38 X 1018atom/cm3增 加到用減少劑的3.72 X 1018atom/cm3。在用不同鍍浴成分 的其它鍍浴及不同沈積參數中，包括2.0 ml/L的缺陷減少 劑在鍍浴中將硫含量自不用減少劑的1.72 X 1018atom/cm3 (7) (7)200304966 增加到用減少劑的13.2 x l〇18atom/cm3，以及自不用減少 劑的0·48 X 1018atom/cm3增力〇到用減少劑的8.12 X 1018atom/cm3。在用不同鍍浴成分的其它鍍浴及不同沈積 參數中，包括1.0 ml/L的缺陷減少劑在鍍浴中將硫化物含 量自不用減少劑大約0.8 X 1018atom/cm3增加到用減少劑的 1 · 5 X 1 018 a t 〇 m / c m3，2 · 5 X 1 018 a t 〇 m / c m3，2 · 5 X 1 018 a t 〇 m / c m3 以及 2.5 x 1018atom/cm3。 發明的化合物有整平的優點。特別是，經沈積金屬有 遵循，且事實上誇大，對應於基底上外表高度的改變之趨 勢，如圖5-8所示。發明的化合物有在沈積物上整平效果 ，如圖5-8所示，各圖的上序列示例不用缺陷減少劑及發 明的整平劑在晶圓的外表上沈積物的表面擾動。相對的， 各圖的顯微照片的下序列示例更中間的擾動，由缺陷減少 劑更大的吸收而驅使的效應緩和這些位置的沈積。在那些 由於溝的出現而緩和的表面地形區域中，相當多的銅被沈 積於此緩和的表面區域而非在不緩和的表面區域上。此產 生較不用缺陷減少劑電鍍之比較的整個沈積物表面有更平 的整個沈積物表面。由於此更平的沈積物，隨著該外表以 更整平的方式塡充，整個沈積物的大小被減少。相當多的 銅被沈積於此緩和的表面區域而非在不緩和的表面區域上 ，以致於整個沈積物較不用缺陷減少劑電鍍的整個沈積物 表面有更平的整個沈積物。所以，在待被沈積的金屬量方 面以及，也許更明顯地，節省塡充外表的沈積時間。在沈 積物的所有位置達成最小厚度的整個沈積厚度因此較不用 -12- (8) (8)200304966 缺陷減少劑電鍍達成相同最小厚度所需的整個沈積物薄。 此外’對於沈積而言，由於自銅種晶層相當高的阻抗 帶有自邊緣至晶圓中心的電流，銅沈積物在邊緣上較厚。 由使用缺陷減少劑，改進了基底表面上經沈積銅的分佈。 在一實施例中，沈積厚度大約是1微米，且該厚度遍佈沈 積物各處變化不超過0.1微米，沈積厚度係自沈積物的較 高表面測量到它最厚點的基底表面。 此整平效果進一步重大的優點是在後置沈積操作上必 需移除更少的材料。例如，化學機械拋光（CMP )被用以 揭露下面的外表。發明更平的沈積物對應於減少必需被沈 積的金屬量，所以藉由CMP導致更少的移除層。減少經 廢棄金屬量，且更重要地，減少CMP操作所需的時間。 材料移除操作也不劇烈，與減少持續期間結合，其對應於 減少材料移除操作以造成缺陷的傾向。 發明的特性是減少所知的高電流密度邊緣效應。特別 是’有燃燒在電流密度最高的基底的邊緣發生的傾向，燃 燒減損亮度且減少產量。發明的整平劑及缺陷減少劑減少 此缺陷。 參考圖9，較佳的電鍍系統通常係顯示作1 〇且被用作 電鍍銅於基底12上。電鑛系統10及方法的說明是關於使用 不可溶性的陽極而電鍍矽晶圓，但那些熟知此技藝之人將 了解也許電鍍其它基底。 較佳的電鍍系統1 0包含保存銅電解液27且由適當的材 料如塑膠或其它對電解電鍍液反應遲鈍的材料之電鍍糟11 200304966 Ο) 。尤其對晶圓電鍍，該糟最好是圓柱形。陰極1 2係水平地 沈積在糟1 1的較上部分且也許是任何類型的基底如具有開 口如溝及孔的矽晶圓。晶圓基底1 2a典型地係覆與銅或其 它金屬的種晶層以開始電鍍於晶圓基底上。也許藉由CVD ，PVD或其類似而應用銅種晶層。陽極13對於晶圓電鍍最 好也是圓形且係水平地沈積在形成陽極1 3及陰極1 2間的間 隔之糟11的較低部分。陽極13典型是可溶性陽極，但也許 在處理中也是不被消耗的不可溶性陽極。 陰極基底12及陽極13分別係由接線14及15電致連接至 整流器（電源供應器）1 6。直流或脈衝電流的陰極基底1 2 有淨負電荷以致於溶液中的銅離子在形成經電鍍銅金屬於 陰極表面1 2a上的陰極基底被減少。氧化反應發生在陽極 13。陰極12及陽極13被顯示水平地沈積，但也許被垂直地 沈積在糟1 1中。 電解液保存糟19包含自保存糟19經由線路17a，濾波 器26及線路17b再循環至電鍍糟11的入口 11a之銅電解液 27。電解液27，隨著它進入糟中，經由陽極13的開口 13a 移動且如由箭頭A所示向上移動至電鍍糟11的出口 lib及 lib’。陽極被定位在薄板31上。箭頭B顯示電解液係自保 存糟11經由出口 11 b及1 1 b ’移入再循環轉移線路1 8 a及1 8 b 。出口 lib及lib’最好是接近陰極12的表面12a的邊緣且出 口更好是繞著電鍍糟的周圍之連續開口以致於撞在陰極表 面上的電解液的流動在遍佈陰極表面是一致的且電解液溢 出開口且被導至保存糟作爲再循環。因此電解液流經陽極 200304966 do) 1 3的開口 1 3a且向上流經糟1 1且當它離開糟1 1時撞在陰極 12上。凸緣或薄板30固定陰極12在適當位置。如在圖形所 示，電解液僅接觸陽極1 3的較上側及陰極1 2的較下側。出 口電解液被再循環至保存糟19。在電鍍系統將陰極基底12 電鍍一層銅的操作期間，電解液27最好是連續地經由保存 糟1 9及電鍍糟11再循環。此在系統中形成實質上均勻的電 解液成分且有助於基底電鍍的整個有效性。 銅電鑛浴也許根據待被電鍍的基底及想要的類型銅沈 積物而廣泛地變化。酸浴較佳且示範銅電鍍浴因爲它的示 範有效性而有大約15至19 g/Ι的銅離子濃度及59至75 g/1 的五水硫酸銅濃度。硫酸以大約150至225 g/1的量出現。 氯離子也許也以直到90 mg/1的水準而用在浴中。該鍍浴 最好包含有機添加劑系統如加速劑，消除劑，及其它缺陷 減少劑。 在電鍍系統1 0的操作期間，當整流器1 6被加能量時， 銅金屬被鍍在陰極基底12的表面12a上。也許使用脈衝電 流，直流電，反向周期性電流或其它適當的電流。電解液 的溫度也許係使用加熱/冷卻器22維持，藉此電解液27係 自保存糟19移出且流經線路23，加熱/冷卻器22且接著經 由線路24再循環至保存糟19。 處理的選擇特性是如美國專利案號6,024,85 6說明，當 預定操作參數（條件）符合且新電解液在同時或移除之後 以實質上相同的量被加到該系統時，藉由移除自該系統一 部分的電解液而控制電鍍系統。新電解液最好是含所有維 -15- (11) (11)200304966 持電鍍浴及系統所需的材料之單一液體。加入/移除系統 維持具有加強電鍍效果如固定電鍍特性的待命狀態固定電 鍍系統。用此系統及方法，電鍍浴達到浴成分實質上是待 命狀態値的待命狀態。對於晶圓電鑛處理，電解液中銅濃 度最好被維持在大約3 g/l內，2 g/l尤佳且1 g/l或更少想 要的銅濃度更佳。用以做電解液的銅及包含溶液的銅最好 是硫酸銅。 現在參考圖10’其顯不另一電鑛系統10’電鑛系統1〇 除了不使用保存糟1 9以外是類似於圖9的電鍍系統。因此 ’電鍍糟1 1有由間隔分離的水平地經沈積陰極i 2及陽極1 3 在其內。糟中的電解液27係經由糟循環且經由出口 18a及 18b移出。自糟的出口係經由線路17a，濾波器26及線路 17b再循環至糟的入口在入口 iia進入糟11中。進入糟之 電解液的流動係由箭頭A顯示且電解液流至出口 1 1 b及 lib’通過陰極12如箭頭B所示。陽極13有中心開口 13a。 當到達預定操作參數時，自該設備經由線路29將電解 液27移入糟或容器21且糟20中含溶液的銅係經由線路28饋 入出口線路18a。加熱器或冷卻器22係在線路18a中如示地 使用。 發明也許係使用多種銅鍍浴而實現。電解液鍍浴包括 酸性鍍浴及鹼性鍍浴。各種銅電鍍浴係在由 F. A. Lowenheim，John Reily & Sons 公司，1974年，名爲現代 電鍍的書第183-203頁中說明。示範鍍浴包括硼酸氟化銅 ’銅焦磷酸，氰化銅，磷化銅以及其它銅金屬複合物如硫 -16- (12) (12)200304966 酸甲烷且較佳的銅電鍍浴在酸性溶液中包含硫酸銅。銅及 酸的濃度也許在廣泛的限制上變化。對於銅或銅離子，構 成成分通常根據酸濃度自10 g/L的等級變化至50g/L的等 級，且甚至到飽和。例如，在一實施例中，銅離子濃度大 約是17 g/L，其中H2S〇4濃度大約是180 g/L。在另一實施 例中，Cii濃度大約是1 〇 g/L。酸性溶液典型是量直到大約 3 00 g/Ι的硫酸。氯離子也許以直到大約200 mg/1的水準用 在鍍浴中。 各種添加劑典型是用在鍍浴中以提供想要的表面完成 鍍銅金屬。通常超過一添加劑被使用，各添加劑形成想要 的功用。添加劑通常用以開始由下至上塡充互接外表以及 改進鍍金屬外表（亮度），結構及物理特性如電致導電性 。特別的添加劑（通常是有機添加劑）被用作晶粒修飾， 樹狀長晶的抑制以及改進覆蓋及投射能量（covering and throwing power )。典型用在電鍍的添加劑係在包括如上 述的現代電鍍的一些參考中討論。特別想要的添加劑系統 使用芳香族或脂肪族四胺，聚硫化物化合物，聚亞胺以及 聚乙醚的混合物。其它添加劑包括metaioid如硒，碲及硫 化合物。 電解條件如電流濃度，所用的電壓，電流密度，及電 解液溫度基本上是與習知的鍍銅法相同。例如，鍍浴溫度 典型大約是室溫如大約20- 27。C，但也許是提升直到40。 C或更高的溫度。電流密度典型大約是直到1 〇〇安培每平 方英尺（ASF)典型大約2至40 ASF。最好使用陽極對陰極 -17- (13) (13)200304966 大約1 : 1的比例，但此也許也自大約1 : 4廣泛地變化到4 :1°該處理也許也使用由攪動或最好由循環再循環電解 液經由糟的循環流動供應之電鑛糟中的混合物。在如圖形 所示的較佳設備中，經由電鍍糟的流動在小於大約1分鐘 典型小於30秒，如10-20秒的糟中提供電解液的停留時間 前面僅是關於已僅提供作爲示例的有限實施例。發明 的範圍想要係由附加的申請專利範圍定義且也許不違背發 明的範圍而對以上實施例做修改。 【圖式簡單說明】 圖1-4是缺陷減少劑量自〇 ml/L至1.5 ml/L增加到2.0 ml/L至5.0 ml/L的銅沈積物的四個橫截面的50,000X顯微 照片。 圖5及6是在沈積期間以連續時間間隔攝得的銅沈積物 的橫截面的1 20,000X顯微照片。 圖7及8是在沈積期間以連續時間間隔攝得的銅沈積物 的橫截面的25,000X顯微照片。 圖9及10是實行發明的方法之另一電鍍系統的槪要表 述。 [符號說明] 10 電鍍系統 12 基底 11 電鍍糟 27 銅電解液 -18- (14) 晶圓基底 陽極 接線 接線 整流器 電解液保存糟 銅電解液
線路 濾波器 線路 入口 開口 出口 出口 薄板
再循環轉移線路 再循環轉移線路 薄板 加熱/冷卻器 線路 線路 容器 線路 -19-

Claims (1)

  1. (1) (1)200304966 拾、申請專利範圍 1. 一種電鍍銅沈積物於具有包括次微米大小特性的電 致互接特性之半導體積體電路裝置基底上以致於表面有次 微米大小凹凸在其中之方法，該方法包含： 將基底浸入包括離子銅的電鍍浴及有效量的缺陷減少 劑中；以及 自該鍍浴電鍍銅沈積物於基底上以塡充次微米大小的 凹凸，藉此自高塡充的突出缺陷的發生，表面粗糙度，及 由於不均勻長晶的空洞被減少，且改進了遍佈晶圓的巨觀 平坦性。 2 ·如申請專利範圍第1項的方法，其中缺陷減少劑在 電鍍期間減少高電流密度邊緣效應。 3·如申請專利範圍第1項的方法，其中缺陷減少劑改 進基底表面上經沈積銅的散佈。 4·如申請專利範圍第1項的方法，其中沈積物有大約1 微米且遍佈沈積物各處變化大約不超過〇.2微米的沈積厚 度，沈積厚度係自沈積物的較高表面測量到它最厚點的基 底表面。 5 ·如申請專利範圍第1項的方法，其中缺陷減少劑有 助於遍佈基底各處達成最小厚度以較不用該缺陷減少劑而 藉由電鍍達成此最小厚度所需的整個沈積物更薄的整個沈 積物的沈積。 6 ·如申請專利範圍第1項的方法，包含藉由化學及機 械作用移除一部分銅沈積物以產生整平的表面，其中待移 -20- (2) (2)200304966 移的銅沈積物量小於以不用該缺陷減少劑電鍍的比較基底 藉由化學及機械作用以產生整平的基底而必需移除的銅沈 積物量。 7 ·如申請專利範圍第6項的方法，其中自該化學作用 的瘡孔腐蝕較以不用該缺陷減少劑電鍍的比較基底不嚴重 〇 8 ·如申請專利範圍第1項的方法，其中缺陷減少劑是 脂肪酸醯胺化合物。 · 9 ·如申請專利範圍第1項的方法，其中缺陷減少劑是 聚合異環氮化合物。 1 0 ·如申請專利範圍第1項的方法，其中缺陷減少劑是 苯甲氯及羥乙基聚乙烯亞胺的反應產物。 1 1 ·如申請專利範圍第1項的方法，其中缺陷減少劑是 苯甲氯及聚乙烯亞胺的反應產物。 1 2 ·如申請專利範圍第1項的方法，其中缺陷減少劑是 1-氯甲基萘及羥乙基聚乙烯亞胺的反應產物。 · 1 3 ·如申請專利範圍第1項的方法，其中缺陷減少劑係 選自聚乙烯基啶及聚乙烯基唑以及它們的四級鹽構成的群 組。 1 4 · 一種電鑛銅沈積物於具有包括次微米大小特性的 電致互接特性之半導體積體電路裝置基底上以致於表面有 次微米大小凹凸在其中之方法，該方法包含： 將基底浸入包括離子銅的電鍍浴及有效量的缺陷減少 劑中，該缺陷減少劑減少銅沈積物的長晶及再結晶速率， -21 - (3) (3)200304966 藉此減少銅沈積物內的內部空洞的形成；以及 自該鍍浴電鍍銅沈積物於基底上以塡充次微米大小的 凹凸，該沈積隨後以經減少的速率經歷再結晶及長晶且其 特徵在於減少內部空洞的濃度。 1 5 ·如申請專利範圍第1 4項的方法，其中缺陷減少劑 是脂肪酸醯胺化合物。 1 6 ·如申請專利範圍第14項的方法，其中缺陷減少劑 是聚合異環氮化合物。 ® 1 7 ·如申請專利範圍第1 4項的方法，其中缺陷減少劑 是苯甲氯及羥乙基聚乙烯亞胺的反應產物。 1 8 ·如申請專利範圍第1 4項的方法，其中缺陷減少劑 是苯甲氯及聚乙烯亞胺的反應產物。 1 9 ·如申請專利範圍第1 4項的方法，其中缺陷減少劑 是1-氯甲基萘及羥乙基聚乙烯亞胺的反應產物。 20.如申請專利範圍第1 4項的方法，其中缺陷減少劑 係選自聚乙烯基啶及聚乙烯基唑以及它們的四級鹽構成的 ® 群組。 2 1. —種電鍍銅沈積物於具有包括次微米大小特性的 電致互接特性之半導體積體電路裝置基底上以致於表面有 次微米大小凹凸在其中之方法，該方法包含： 將基底浸入包括離子銅的電鍍浴及有效量的缺陷減少 劑中，該缺陷減少劑導致較在相同條件下但不用缺陷減少 劑做的沈積物具有經提升的氯化物含量的銅沈積物；以及 自該鍍浴電鍍銅沈積物於基底上以塡充次微米大小的 -22- (4) (4)200304966 凹凸，該沈積有該經提升的氯化物含量。 2 2 ·如申請專利範圍第2 1項的方法，其中沈積物中經 提升的氯化物含量至少大約是1 X l〇19atQm/em3。 2 3 ·如申|靑專利$b圍第2 1項的方法，其中沈積物中經提 升的氯化物含量至少大約是4.0 X l〇19at()m/em3。 24.如申請專利範圍第21項的方法，其中沈積物較在 相同條件下但不用缺陷減少劑做的該沈積物有經提升的氮 含量。 鲁 2 5 ·如申請專利範圍第2 4項的方法，其中沈積物中經 提升的氮含量至少大約是1.0 X l〇18atom/cm3。 26·如申請專利範圍第2 1項的方法，其中沈積物較在 相同條件下但不用缺陷減少劑做的該沈積物有經提升的硫 含量。 27 ·如申請專利範圍第2 6項的方法，其中沈積物中經 提升的硫含量至少大約是3.0 X 1018atom/cm3。 28. —種電鍍銅沈積物於具有包括次微米大小特性的 Φ 電致互接特性之半導體積體電路裝置基底上以致於表面有 次微米大小凹凸在其中之銅電鍍浴的製備之濃縮液，該濃 縮液包含減少自高塡充的突出缺陷的發生，表面粗糙度， 及由於不均勻長晶的空洞，且改進了遍佈晶圓的巨觀平坦 性之缺陷減少劑。 29. 如申請專利範圍第28項的濃縮液，其中缺陷減少 劑是脂肪酸醯胺化合物。 3〇.如申請專利範圍第28項的濃縮液，其中缺陷減少 -23- (5) (5)200304966 劑是聚合異環氮化合物。 3 1 ·如申請專利範圍第28項的濃縮液，其中缺陷減少 劑是苯甲氯及羥乙基聚乙烯亞胺的反應產物。 32·如申請專利範圍第28項的濃縮液，其中缺陷減少 劑是苯甲氯及聚乙烯亞胺的反應產物。 33. 如申請專利範圍第28項的濃縮液，其中缺陷減少 劑是1·氯甲基萘及羥乙基聚乙烯亞胺的反應產物。 34. 如申請專利範圍第28項的濃縮液，其中缺陷減少 劑係選自聚乙烯基啶及聚乙烯基唑以及它們的四級鹽構成 的群組。 35·如申請專利範圍第28項的濃縮液，其中缺陷減少 劑在使用該銅電鍍浴沈積的銅中減少長晶及再結晶的速率 〇 36. —種電鍍銅沈積物於具有包括次微米大小特性的 電致互接特性之半導體積體電路裝置基底上以致於表面有 次微米大小凹凸在其中之銅電鍍浴的製備之濃縮液，該濃 縮液包含缺陷減少劑，該缺陷減少劑較不用缺陷減少劑使 用相同鍍浴沈積的銅之氯化物含量產生使用銅電鍍浴沈積 的銅經提升的氯化物含量。 37. 如申請專利範圍第36項的濃縮液，其中經提升的 氯化物含量至少大約是4.0 X 1019atom/cm3。 3 8.如申請專利範圍第36項的濃縮液，其中經提升的 氯化物含量至少大約是1 X 1019atom/cm3。 3 9.如申請專利範圍第36項的濃縮液，其中缺陷減少 (6) (6)200304966 劑較不用缺陷減少劑使用相同鍍浴沈積的銅之氯化物含量 產生使用銅電鍍浴沈積的銅經提升的氮含量。 40. 如申請專利範圍第39項的濃縮液，其中經提升的 氮含量至少大約是1.0 X 1018atom/cm3。 41. 如申請專利範圍第36項的濃縮液，其中缺陷減少 劑較不用缺陷減少劑使用相同鍍浴沈積的銅之氯化物含量 產生使用銅電鍍浴沈積的銅經提升的硫含量。 42. 如申請專利範圍第4 1項的濃縮液，其中經提升的 硫含量至少大約是3.0 X 1018atom/cm3。 43. —種電鍍銅沈積物於具有包括次微米大小特性的 電致互接特性之半導體積體電路裝置基底上以致於表面有 次微米大小凹凸在其中之銅電鍍浴的製備之濃縮液，該濃 縮液包含缺陷減少劑，該缺陷減少劑產生較不用缺陷減少 劑電鍍的比較整個表面具有更平的整個表面的銅沈積物。 44. 如申請專利範圍第43項的濃縮液，其中缺陷減少 劑在電鍍期間減少高電流密度邊緣效應。 45 ·如申請專利範圍第43項的濃縮液，其中缺陷減少 劑改進基底表面上經沈積銅的散佈。 46.如申請專利範圍第45項的濃縮液，其中包含濃縮 液的電鍍浴產生大約1微米且遍佈沈積物各處變化大約不 超過0.2微米的沈積厚度，沈積厚度係自沈積物的較高表 面測量到它最厚點的基底表面。 47 ·如申請專利範圍第4 3項的濃縮液，其中缺陷減少 劑有助於遍佈基底各處達成最小厚度以較不用該缺陷減少 -25- (7) (7)200304966 劑而藉由電鍍達成此最小厚度所需的整個沈積物更薄的整 個沈積物的沈積。 4 8.如申請專利範圍第43項的濃縮液，其中缺陷減少 劑是脂肪酸醯胺化合物。 49.如申請專利範圍第43項的濃縮液，其中整平劑是 聚合異環氮化合物。 50·如申請專利範圍第43項的濃縮液，其中缺陷減少 劑是苯甲氯及羥乙基聚乙烯亞胺的反應產物。 ® 5 1 ·如申請專利範圍第43項的濃縮液，其中缺陷減少 劑是苯甲氯及聚乙烯亞胺的反應產物。 5 2.如申請專利範圍第43項的濃縮液，其中缺陷減少 劑是1 -氯甲基萘及羥乙基聚乙烯亞胺的反應產物。 5 3 ·如申請專利範圍第43項的濃縮液，其中缺陷減少 劑係選自聚乙烯基啶及聚乙烯基唑以及它們的四級鹽構成 的群組。 -26-
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI572750B (zh) * 2010-05-24 2017-03-01 安頌股份有限公司 直通矽穿孔之銅充填

Families Citing this family (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8002962B2 (en) 2002-03-05 2011-08-23 Enthone Inc. Copper electrodeposition in microelectronics
US7316772B2 (en) * 2002-03-05 2008-01-08 Enthone Inc. Defect reduction in electrodeposited copper for semiconductor applications
DE10223957B4 (de) * 2002-05-31 2006-12-21 Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale Ein verbessertes Verfahren zum Elektroplattieren von Kupfer auf einer strukturierten dielektrischen Schicht
JP2004346422A (ja) * 2003-05-23 2004-12-09 Rohm & Haas Electronic Materials Llc めっき方法
JP4973829B2 (ja) * 2004-07-23 2012-07-11 上村工業株式会社 電気銅めっき浴及び電気銅めっき方法
TWI400365B (zh) * 2004-11-12 2013-07-01 Enthone 微電子裝置上的銅電沈積
US7442634B2 (en) * 2004-12-21 2008-10-28 Intel Corporation Method for constructing contact formations
US7311856B2 (en) * 2005-03-30 2007-12-25 Cabot Microelectronics Corporation Polymeric inhibitors for enhanced planarization
TWI328622B (en) 2005-09-30 2010-08-11 Rohm & Haas Elect Mat Leveler compounds
JP4816901B2 (ja) * 2005-11-21 2011-11-16 上村工業株式会社 電気銅めっき浴
US20070158199A1 (en) * 2005-12-30 2007-07-12 Haight Scott M Method to modulate the surface roughness of a plated deposit and create fine-grained flat bumps
US20070178697A1 (en) * 2006-02-02 2007-08-02 Enthone Inc. Copper electrodeposition in microelectronics
JP4932370B2 (ja) * 2006-07-28 2012-05-16 日本マクダーミッド株式会社 電解めっき方法、プリント配線板及び半導体ウェハー
TWI341554B (en) * 2007-08-02 2011-05-01 Enthone Copper metallization of through silicon via
US7905994B2 (en) * 2007-10-03 2011-03-15 Moses Lake Industries, Inc. Substrate holder and electroplating system
US20090188553A1 (en) * 2008-01-25 2009-07-30 Emat Technology, Llc Methods of fabricating solar-cell structures and resulting solar-cell structures
JP2009228078A (ja) * 2008-03-24 2009-10-08 Fujitsu Ltd 電解メッキ液、電解メッキ方法、および半導体装置の製造方法
US8388824B2 (en) 2008-11-26 2013-03-05 Enthone Inc. Method and composition for electrodeposition of copper in microelectronics with dipyridyl-based levelers
EP2199315B1 (en) 2008-12-19 2013-12-11 Basf Se Composition for metal electroplating comprising leveling agent
US8262894B2 (en) 2009-04-30 2012-09-11 Moses Lake Industries, Inc. High speed copper plating bath
FR2949121A1 (fr) * 2009-08-12 2011-02-18 Alchimer Electrolyte et procede d''electrodeposition de cuivre sur une couche barriere, et substrat semi-conducteur obtenu par un tel procede.
EP3848417A1 (en) 2009-11-27 2021-07-14 Basf Se Composition for copper electroplating comprising leveling agent
EP2547731B1 (en) 2010-03-18 2014-07-30 Basf Se Composition for metal electroplating comprising leveling agent
EP2392692A1 (en) 2010-06-01 2011-12-07 Basf Se Composition for metal electroplating comprising leveling agent
TWI539036B (zh) 2010-06-01 2016-06-21 巴地斯顏料化工廠 包含平整劑之金屬電鍍用組合物
JP5981455B2 (ja) 2011-01-26 2016-08-31 エンソン インコーポレイテッド マイクロ電子工業におけるビアホール充填方法
KR101705734B1 (ko) * 2011-02-18 2017-02-14 삼성전자주식회사 구리 도금 용액 및 이것을 이용한 구리 도금 방법
US9418937B2 (en) * 2011-12-09 2016-08-16 Infineon Technologies Ag Integrated circuit and method of forming an integrated circuit
US20140238868A1 (en) * 2013-02-25 2014-08-28 Dow Global Technologies Llc Electroplating bath
CN103397354B (zh) * 2013-08-08 2016-10-26 上海新阳半导体材料股份有限公司 一种用于减少硅通孔技术镀铜退火后空洞的添加剂
JP2017503929A (ja) 2013-11-25 2017-02-02 エンソン インコーポレイテッド 銅の電析
SG11201604646TA (en) * 2013-12-09 2016-07-28 Aveni Copper electrodeposition bath containing an electrochemically inert cation
TWI710671B (zh) 2014-09-15 2020-11-21 美商麥德美樂思公司 微電子技術中銅沈積用之平整劑
US9496326B1 (en) 2015-10-16 2016-11-15 International Business Machines Corporation High-density integrated circuit via capacitor
DE102017103310A1 (de) * 2016-02-19 2017-08-24 Infineon Technologies Ag Substrat einer elektronischen vorrichtung und verfahren zum herstellen desselben
EP3516096A4 (en) 2016-09-22 2020-10-21 MacDermid Enthone Inc. MICROELECTRONIC COPPER ELECTRODEPOSITION
TWI774797B (zh) 2017-07-10 2022-08-21 美商應用材料股份有限公司 具有減少的夾帶空氣的電鍍系統
KR102445636B1 (ko) 2017-11-28 2022-09-22 솔브레인 주식회사 평탄화제 및 이를 포함하는 구리 도금 조성물
WO2024048039A1 (ja) * 2022-08-31 2024-03-07 株式会社Jcu めっき液

Family Cites Families (52)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1248415B (de) * 1964-03-07 1967-08-24 Dehydag Gmbh Saure galvanische Kupferbaeder
SE322956B (zh) * 1966-08-20 1970-04-20 Schering Ag
ZA708430B (en) * 1970-02-12 1971-09-29 Udylite Corp Electrodeposition of copper from acidic baths
US3770598A (en) * 1972-01-21 1973-11-06 Oxy Metal Finishing Corp Electrodeposition of copper from acid baths
US3956078A (en) * 1972-12-14 1976-05-11 M & T Chemicals Inc. Electrodeposition of copper
US4009087A (en) * 1974-11-21 1977-02-22 M&T Chemicals Inc. Electrodeposition of copper
GB1526076A (en) * 1975-03-11 1978-09-27 Oxy Metal Industries Corp Electrodeposition of copper
DE2610705C3 (de) 1976-03-13 1978-10-19 Henkel Kgaa, 4000 Duesseldorf Saure galvanische Kupferbäder
US4350183A (en) * 1980-05-19 1982-09-21 Raychem Corporation Heat-recoverable pipeline termination plug
US4387164A (en) * 1980-11-05 1983-06-07 Fmc Corporation Method and apparatus for chemical analysis using reactive reagents dispersed in soluble film
US4336114A (en) 1981-03-26 1982-06-22 Hooker Chemicals & Plastics Corp. Electrodeposition of bright copper
US4376685A (en) 1981-06-24 1983-03-15 M&T Chemicals Inc. Acid copper electroplating baths containing brightening and leveling additives
US4555315A (en) * 1984-05-29 1985-11-26 Omi International Corporation High speed copper electroplating process and bath therefor
US5039487A (en) * 1987-12-22 1991-08-13 Board Of Regents, The University Of Texas System Methods for quantifying components in liquid samples
US5232575A (en) * 1990-07-26 1993-08-03 Mcgean-Rohco, Inc. Polymeric leveling additive for acid electroplating baths
IE76732B1 (en) * 1990-08-07 1997-11-05 Becton Dickinson Co One step test for absolute counts
JP3165484B2 (ja) 1991-10-29 2001-05-14 京セラ株式会社 液量センサ
JPH06141787A (ja) 1992-11-05 1994-05-24 Ajinomoto Co Inc 低吸油油ちょう食品
DE19653681C2 (de) 1996-12-13 2000-04-06 Atotech Deutschland Gmbh Verfahren zur elektrolytischen Abscheidung von Kupferschichten mit gleichmäßiger Schichtdicke und guten optischen und metallphysikalischen Eigenschaften und Anwendung des Verfahrens
EP0932913A1 (en) * 1996-12-16 1999-08-04 International Business Machines Corporation Electroplated interconnection structures on integrated circuit chips
US5972192A (en) * 1997-07-23 1999-10-26 Advanced Micro Devices, Inc. Pulse electroplating copper or copper alloys
DE19758121C2 (de) 1997-12-17 2000-04-06 Atotech Deutschland Gmbh Wäßriges Bad und Verfahren zum elektrolytischen Abscheiden von Kupferschichten
US7033463B1 (en) * 1998-08-11 2006-04-25 Ebara Corporation Substrate plating method and apparatus
KR100656581B1 (ko) 1998-09-03 2006-12-12 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 기판의 도금방법 및 장치
JP2000080494A (ja) * 1998-09-03 2000-03-21 Ebara Corp 銅ダマシン配線用めっき液
US6793796B2 (en) * 1998-10-26 2004-09-21 Novellus Systems, Inc. Electroplating process for avoiding defects in metal features of integrated circuit devices
US6123825A (en) * 1998-12-02 2000-09-26 International Business Machines Corporation Electromigration-resistant copper microstructure and process of making
US6544399B1 (en) * 1999-01-11 2003-04-08 Applied Materials, Inc. Electrodeposition chemistry for filling apertures with reflective metal
US6350687B1 (en) * 1999-03-18 2002-02-26 Advanced Micro Devices, Inc. Method of fabricating improved copper metallization including forming and removing passivation layer before forming capping film
JP2000297395A (ja) * 1999-04-15 2000-10-24 Japan Energy Corp 電気銅めっき液
US20060183328A1 (en) * 1999-05-17 2006-08-17 Barstad Leon R Electrolytic copper plating solutions
US6444110B2 (en) * 1999-05-17 2002-09-03 Shipley Company, L.L.C. Electrolytic copper plating method
WO2000075180A2 (de) * 1999-06-04 2000-12-14 Florian Kern Peptide zur vakzinierung gegen das humane cmv
JP2001073182A (ja) * 1999-07-15 2001-03-21 Boc Group Inc:The 改良された酸性銅電気メッキ用溶液
US6258717B1 (en) * 1999-07-30 2001-07-10 International Business Machines Corporation Method to produce high quality metal fill in deep submicron vias and lines
US6224737B1 (en) * 1999-08-19 2001-05-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Method for improvement of gap filling capability of electrochemical deposition of copper
US6673216B2 (en) * 1999-08-31 2004-01-06 Semitool, Inc. Apparatus for providing electrical and fluid communication to a rotating microelectronic workpiece during electrochemical processing
JP4394234B2 (ja) * 2000-01-20 2010-01-06 日鉱金属株式会社 銅電気めっき液及び銅電気めっき方法
JP2002004081A (ja) * 2000-06-16 2002-01-09 Learonal Japan Inc シリコンウエハーへの電気めっき方法
US6649038B2 (en) 2000-10-13 2003-11-18 Shipley Company, L.L.C. Electroplating method
US6679983B2 (en) 2000-10-13 2004-01-20 Shipley Company, L.L.C. Method of electrodepositing copper
EP1197587B1 (en) 2000-10-13 2006-09-20 Shipley Co. L.L.C. Seed layer repair and electroplating bath
US6660153B2 (en) 2000-10-20 2003-12-09 Shipley Company, L.L.C. Seed layer repair bath
US20020090484A1 (en) 2000-10-20 2002-07-11 Shipley Company, L.L.C. Plating bath
EP1203950B1 (en) * 2000-11-02 2005-09-07 Shipley Company LLC Plating bath analysis
US6797146B2 (en) 2000-11-02 2004-09-28 Shipley Company, L.L.C. Seed layer repair
WO2002055762A2 (en) 2000-11-03 2002-07-18 Shipley Company, L.L.C. Electrochemical co-deposition of metals for electronic device manufacture
JP3967879B2 (ja) * 2000-11-16 2007-08-29 株式会社ルネサステクノロジ 銅めっき液及びそれを用いた半導体集積回路装置の製造方法
DE10100954A1 (de) * 2001-01-11 2002-07-18 Raschig Gmbh Verwendung von Polyolefinen mit basischen, aromatischen Substituenten als Hilfsmittel zur elektrolytischen Abscheidung von metallischen Schichten
JP2003183874A (ja) * 2001-12-18 2003-07-03 Morita Kagaku Kogyo Kk 銅薄膜の電解メッキ液
US7316772B2 (en) * 2002-03-05 2008-01-08 Enthone Inc. Defect reduction in electrodeposited copper for semiconductor applications
TWI328622B (en) * 2005-09-30 2010-08-11 Rohm & Haas Elect Mat Leveler compounds

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI572750B (zh) * 2010-05-24 2017-03-01 安頌股份有限公司 直通矽穿孔之銅充填

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